JP2013527835A - ラクトンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、ラクトンの製造方法に関する。本発明は、特に、ブチロラクトン、バレロラクトン及びカプロラクトンの製造に関する。本発明のラクトンを製造するための方法は、少なくとも1つのRu2Sn3合金及びRu3Sn7合金で構成された活性ルテニウム−スズ相を含む有効量の触媒の存在下でかつ気相内で水素を用いてジカルボン酸を還元することを含むことを特徴とする。
Description
本発明は、ラクトンを製造するための方法に関する。
特に、本発明は、ブチロラクトン、バレロラクトン及びカプロラクトンの製造を対象とする。
本明細書において、「ラクトン」という用語は、環内のエステル官能基の存在を特徴とする化合物を意味する。
つまり、これは、酸素原子に対するα位にカルボニル官能基を含む酸素化複素環である。
ラクトンは、産業上多数利用されており、特に製薬又は農薬の分野における分子製造用の中間製品として数多く利用されている化合物である。
ラクトンは、溶媒として利用することも、重合体の分野において単量体として使用されることもある。
文献には、複数の製造方法が記載されている。
ラクトンへの入手経路の一つに、1個のカルボキシル官能基と1個のアルコール官能基を有する二官能性化合物の分子内エステル化を実施することがある。
例えば、米国特許第6,838,577号には、対応するヒドロキシ酸を加熱し、水分子の喪失及び自発的環化(比較例)もたらすことにより、或いはシリカ又はアルミナ及びその混合物などの触媒の存在下で加熱することにより、4個又は5個の原子を含むラクトンを製造することが記載されている。
一部のラクトン、特にγ−ブチロラクトンは、英国特許第583344号に従って、銅又は銀触媒の存在下での気相脱水素化により対応するジオールから製造できる。
最後に、多数のラクトンは、バイヤー・ビリガー(Baeyer−Villiger)反応に従って、カルボン酸、一般には酢酸及び過酸化水素から得られる過酸化物又は有機過酸と環状ケトンとを反応させることにより製造できる。特に、独国特許第19745442号には、陽イオン交換酸性樹脂(Amberlyst 15)又はゼオライト(H−ZSM−5、H−モルデナイト、USY)であることができる触媒の存在下でシクロペンタノン及び過酸化水素を反応させることによりδ−バレロラクトンを製造することが記載されている。
先行技術に記載されている方法に対し、本発明の目的は、全く異なる基材が関与する新規のラクトン製造方法を提供することにある。
本発明の主題を構成し、少なくとも合金Ru2Sn3及び合金Ru3Sn7で構成されたルテニウム−スズ活性相を含む有効量の触媒の存在下でかつ気相内での水素を用いたジカルボン酸の還元を含むことを特徴とするラクトン製造方法を見出した。
本発明の別の主題は、本発明の方法に関する環化水素化触媒である。
本発明の方法によれば、より詳細には、以下の式(I)
HOOC−R−COOH (I)
(式(I)中、Rは、所望のラクトンを形成するのに充分な数で原子の直鎖配列を含む置換された又は非置換の二価基を表す。)に相当するジカルボン酸を使用する。
HOOC−R−COOH (I)
(式(I)中、Rは、所望のラクトンを形成するのに充分な数で原子の直鎖配列を含む置換された又は非置換の二価基を表す。)に相当するジカルボン酸を使用する。
「原子配列」という用語は、置換基を除外した、環内に含まれる原子を意味する。
一般に、R基は、2〜8個の原子、好ましくは2〜6個の原子、さらに一層好ましくは2〜4個の原子の直鎖配列を含む。これは、通常、炭素原子の一配列であるが、本発明は、炭化水素鎖がヘテロ原子、特に窒素、酸素又は硫黄で中断されている可能性を排除するものではない。
先に言及した通り、二価基Rは置換されていてよい。すなわち、炭化水素鎖の水素原子は有機基又は官能基で置換されていてよい。環化反応に干渉しないことを条件として、任意の置換基が存在することができる。特に、炭化水素鎖は、置換基、例えばヒドロキシル基又はハロゲン原子、好ましくは、フッ素、塩素若しくは臭素を担持することができ、好ましくは一般に1〜4個の炭素原子を含むアルキル基で構成されてよい側鎖又は分岐を担持することができる。分岐は通常、カルボキシル基に対するα位又はβ位において、炭素原子の一方又は両方に位置する。
全体として、R基は、2個の炭素原子から、置換基が存在する場合には15個にもなり得る数の炭素原子に至るまで、大幅に変動し得る全炭素縮合を有し、前記基は、2〜8個の原子の直鎖配列を含み、この配列はその後に得られる環内に含まれる。
式(I)では、Rは、好ましくは、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐の二価の脂肪族基を表わす。
より厳密に言うと、Rは、好ましくは2〜15個の炭素原子を含む飽和直鎖又は分岐脂肪族基、或いは、好ましくは単結合又は共役二重結合であることができる、1個以上、一般には1又は2個の不飽和を鎖に含む不飽和直鎖又は分岐基を表わす。
脂肪族基Rが、2つのCOOH基の間に2〜8個の炭素原子の直鎖配列を含む、2〜12個の炭素原子を有する直鎖又は分岐アルキレン基である、一般式(I)のジカルボン酸が、本発明の方法を実施するのに最も適している。
好ましいR基は、2つのCOOH基の間に2〜4個の炭素原子の直鎖配列を含む。
同様に、Rが、2つの近接炭素原子が1つの環を形成してよい飽和又は不飽和、直鎖又は分岐脂肪族基を表わす式(I)のジカルボン酸を本発明の方法において使用することも可能である。
「環」という用語は、飽和、不飽和又は芳香族炭素環式又は複素環式環を意味する。
想定できる環の例としては、脂環式、芳香族及び複素環式環、特に環内に6個の炭素原子を有するシクロアルキル環、又はベンゼン環が挙げられ、これらの環自体は、環化反応と干渉しないことを条件として1つ以上の置換基を有することができる。
本発明に適した式(I)のカルボン酸として、特に以下のジカルボン酸が使用される:
− コハク酸、
− 2−エチルコハク酸、
− グルタル酸、
− 2−メチルグルタル酸、
− 2−エチルグルタル酸、
− アジピン酸、
− 2−メチルアジピン酸、
− 3−メチルアジピン酸、
− 4−メチルアジピン酸、
− 5−メチルアジピン酸、
− 2,2−ジメチルアジピン酸、
− 3,3−ジメチルアジピン酸、
− 2,2,5−トリメチルアジピン酸、
− 2,5−ジメチルアジピン酸、
− ピメリン(ヘプタン二)酸、
− 2−メチルピメリン酸、
− 2,2−ジメチルピメリン酸、
− 3,3−ジメチルピメリン酸、
− 2,5−ジメチルピメリン酸、
− 2,2,5−トリメチルピメリン酸、
− アゼライン酸、
− セバシン酸、
− 1,2−フェニレン二酢酸。
− コハク酸、
− 2−エチルコハク酸、
− グルタル酸、
− 2−メチルグルタル酸、
− 2−エチルグルタル酸、
− アジピン酸、
− 2−メチルアジピン酸、
− 3−メチルアジピン酸、
− 4−メチルアジピン酸、
− 5−メチルアジピン酸、
− 2,2−ジメチルアジピン酸、
− 3,3−ジメチルアジピン酸、
− 2,2,5−トリメチルアジピン酸、
− 2,5−ジメチルアジピン酸、
− ピメリン(ヘプタン二)酸、
− 2−メチルピメリン酸、
− 2,2−ジメチルピメリン酸、
− 3,3−ジメチルピメリン酸、
− 2,5−ジメチルピメリン酸、
− 2,2,5−トリメチルピメリン酸、
− アゼライン酸、
− セバシン酸、
− 1,2−フェニレン二酢酸。
上記酸のうち、コハク酸、グルタル酸及びリンゴ酸が好ましい酸である。
本発明の方法によると、ジカルボン酸の環化反応は、環化水素化触媒である本発明の触媒の存在下で実施される。
本発明の触媒の活性相は、ルテニウム−スズ合金相を含む。
ルテニウム及びスズは、有利には、Ru3Sn7合金と混合されたRu2Sn3合金の形態である。
少なくとも90質量%、有利には少なくとも95質量%、好ましくは98質量%のルテニウムが合金形態で存在することが望ましい。
有利には、ルテニウム及びスズを含む活性相は、少なくとも3/2に等しく、好ましくは9/5に等しいSn/Ru原子比を有する。
さらに、Sn/Ru原子比が7/3未満、有利には6.5/3、さらに好ましくは2/1であることが好適である。
活性相内のSn/Ru原子比を考慮すると、活性相は、主にRu2Sn3合金相で構成されていることになる。
「主に」という用語は、活性相の少なくとも75質量%がRu2Sn3合金を含み、活性相の他方の部分の組成がSn/Ru原子比により決定されることを意味する。
1.5に等しいSn/Ru原子比は、理論的に純粋Ru2Sn3の活性相に相当する。
活性相中で、Sn/Ru原子比が1.5より大きい場合、Ru2Sn3合金はRu3Sn7合金相を併せ持つ。
この場合、Ru2Sn3相が、Ru2Sn3とRu3Sn7の2つの合金相の少なくとも75質量%、好ましくは少なくとも90質量%に相当することが有利である。
活性相中で、Sn/Ru原子比が減少し、1.5より低くなった場合、Ru2Sn3及びRu3Sn7合金相は、金属ルテニウム相を伴う。
本発明の触媒においては、金属ルテニウム相がルテニウム−スズ活性相の10質量%未満を占めることが有利である。
また、本発明は、活性相がRu2Sn3及びRu3Sn7合金相と金属ルテニウムを同時に含む場合も包含する。
本発明は、活性相の10質量%未満、好ましくは5%未満に相当する少量の他の化合物(例えば酸化ルテニウム)が存在する場合を排除するものではない。
バルク触媒の使用は排除しないものの、この活性相を担体上に被着させるのが好適である。
担体の選択には、いくつかの規則が適用される。
担体は、工業的条件に対する耐性、特に機械的摩耗に対する耐性、詳しくは摩耗に対する耐性を最大限にするように選択されなくてはならない。
担体は、圧力の実質的損失を回避すると同時に、気体と触媒との良好な接触を可能にするように選択されなくてはならない。
担体は、反応混合物との関係において不活性でなくてはならない。
担体は、副反応をほとんど又は全く誘発しない化合物又は組成物から選択されなくてはならない。
担体は、任意の形態、例えば粉末、ビーズ、顆粒、押出成形物などの形態とすることができる。
本発明の触媒で使用するのに適した担体としては、特に金属酸化物が挙げられる。
例えば、担体は、特に金属酸化物、例えば酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン及び/又は酸化ジルコニウム又はその混合物から選択できる。
混合酸化物、特にAl2O3として表されるアルミニウムを質量を基準にして少なくとも1/4、有利には1/3、好ましくは2/5含む混合酸化物も使用に適する。
有利には、担体は、SiO2として表した場合に総重量の2/3以下、有利には1/4以下であるケイ素含有量を有することが望ましい。
担体の比表面積BETは、有利には5〜100m2/g、好ましくは10〜50m2/gから選択されることに留意すべきである。
比表面積の定義については、Journal of the American Chemical Society、60、309(1938)に記載のブルアウアー・エメット・テラー(Brunauer−Emmett−Teller)法を参照されたい。
触媒相が担体上に担持される場合、触媒のルテニウム含有量は、有利には1質量%〜8質量%、さらに好ましくは2質量%〜3質量%から選択される。
本発明の方法に含まれる触媒は、以下のような固有の特徴を有する活性相を含む環化水素化触媒である:
− 前記ルテニウム−スズ活性相は、少なくともRu2Sn3合金及びRu3Sn7合金で構成される。
− Ru2Sn3合金相は、ルテニウム−スズ活性相の少なくとも75質量%を占める。
− ルテニウムの少なくとも90質量%が、Ru2Sn3及びRu3Sn7合金の形態である。
− 前記ルテニウム−スズ活性相は、少なくともRu2Sn3合金及びRu3Sn7合金で構成される。
− Ru2Sn3合金相は、ルテニウム−スズ活性相の少なくとも75質量%を占める。
− ルテニウムの少なくとも90質量%が、Ru2Sn3及びRu3Sn7合金の形態である。
好ましい触媒において、Ru2Sn3合金相は、Ru2Sn3とRu3Sn7の2つの合金相の少なくとも90質量%を占める。
好ましい触媒において、ルテニウムは、少なくとも90%まで、好ましくは少なくとも95%まで、さらに好ましくは少なくとも98%まで、合金の形態で存在する。
前記ルテニウム−スズ触媒の製造方法の一つは、−4のイオン原子価及び6の配位数を有するルテニウム錯体を還元することからなり、この場合、配位子はハロゲン原子又はハロゲン化スズ陰イオンのいずれかである。
本発明の方法の1つの好ましい態様によれば、還元は、錯体、特に次式(A):
[Ru(SnX3)6-nXn]4- (A)
(式(A)中、Xはハロゲン原子、好ましくは塩素又は臭素原子を表わし、nは1又は2に等しい数、好ましくは2に等しい。)
に相当する錯体で実施される。
[Ru(SnX3)6-nXn]4- (A)
(式(A)中、Xはハロゲン原子、好ましくは塩素又は臭素原子を表わし、nは1又は2に等しい数、好ましくは2に等しい。)
に相当する錯体で実施される。
本発明の方法には、好ましくは以下の錯体が関与する:
− [Ru(SnCl3)5Cl]4-
− [Ru(SnCl3)4Cl2]4-
− [Ru(SnCl3)5Cl]4-
− [Ru(SnCl3)4Cl2]4-
本発明の1つの好ましい実施形態によれば、錯体の製造は、酸の存在下でハロゲン化ルテニウムとハロゲン化スズを反応させることにより実施される。
このため、使用される出発試薬はハロゲン化ルテニウムIII、好ましくは塩化ルテニウムIIIである。ルテニウムIV塩を出発材料とすることも可能であるが、追加の利点は全くなく、しかも比較的高価である。
したがって、好ましくはハロゲン化ルテニウムIIIが使用され、これは一様に無水又は水和物の形態であることができる。
前記化合物が過度の量の不純物を含まないことが望ましい。有利には、重金属を含まず、他の金属との関係において99%のルテニウム化学的純度を有する化合物が使用される。
約42質量%〜43質量%のルテニウムを含む市販の塩化ルテニウム、RuCl3・xH2Oを使用することが可能であり、それによる不利益はない。
スズ塩に関しては、スズがルテニウムよりも低い酸化状態を有するハロゲン化スズが使用される。
ハロゲン化スズII、好ましくは塩化スズIIが使用される。
塩を無水形態又は水和形態で使用することができる。好ましくは、式SnCl2・2H2Oの市販のスズ塩も使用される。
通常は、上記金属のハロゲン化物は、水溶液の状態で使用される。該溶液の濃度は、担体に含浸しやすい均質な溶液が得られるような濃度である。
上記金属ハロゲン化物の使用量は、ハロゲン化スズのモル数とハロゲン化ルテニウムのモル数の比が1〜5、好ましくは2〜4となるように決定される。
ハロゲン化スズのモル数とハロゲン化ルテニウムのモル数の比が4〜5である場合、得られた触媒の活性相は、合金相Ru2Sn7を伴う合金相Ru2Sn3を含む。
ハロゲン化スズのモル数とハロゲン化ルテニウムのモル数の比が4以下の場合には、ルテニウム金属相が生じる。
3相、すなわち合金相Ru2Sn3、Ru2Sn7及び金属ルテニウムが共存する。
本発明の方法において有利に使用される触媒は、そのモル比が2〜4となるようにハロゲン化スズとハロゲン化ルテニウムを使用した結果得られる。
ハロゲン化ルテニウムとハロゲン化スズの反応による錯体の製造は、ハロゲン化スズを溶解させ、しかも形成された錯体を溶解した状態に保つ機能をもつ酸の存在下で実施される。
任意の強酸、好ましくは鉱酸を使用してよいが、ルテニウム及びスズ塩中に含まれるハロゲン化物と同一のハロゲン化物を有する水素酸を使用することが好ましい。
したがって、一般には、塩酸が好適な酸である。
酸の使用量は、好ましくはハロゲン化ルテニウム1モル当たり少なくとも1モルの酸、より好ましくはハロゲン化ルテニウム1モル当たり1〜5モルの酸である。上限は臨界的ではなく、これを超過しても不利益はない。酸の好適な量は、ハロゲン化ルテニウム1モル当たり約3モルの酸である。
実用的視点からすると、錯体の製造は、ハロゲン化ルテニウム(好ましくは塩化ルテニウムIII)、ハロゲン化スズ(好ましくは塩化スズII)及び強酸(好ましくは塩酸)を任意の順序で混合することにより実施される。
反応混合物は、60℃〜100℃、好ましくは70℃〜95℃の範囲内の温度にされる。
この作業の持続時間は大幅に変更することができ、例えば1〜3時間の範囲内の持続時間が全く適切であるということが指摘される。
錯体は、きわめて急速に形成するが、溶液状のままである。
必要ならば、次に、温度を室温、すなわち通常15℃〜25℃の温度に戻す。
こうして得られた錯体溶液は、本発明の触媒を製造するため、特に担体上に活性相を被着させるために役立つ。
本発明の方法の第1の変形例によれば、先に得られた錯体溶液は、担持触媒を製造する場合において、含浸技術により担体に活性相を被着させるために使用される。
実用的視点からすると、金属は、上述の方法により得られた錯体溶液を前記担体に含浸させることによって担体上に被着される。
含浸水溶液は、ルテニウムの質量で1%〜20%の割合のルテニウム−スズ錯体を含む。
実際には、例えばベゼルの回転により動いている担体の上に、ルテニウム−スズ錯体を含む溶液を噴霧することによって含浸を実施できる。
例えば押出加工又はプレス加工によるペレット化などの周知の技術によってその粒子の凝集により得られる担体から出発して、次に前記錯体溶液中に浸漬することで担体に含浸させることも、同様に可能である。
本発明の1つの好ましい変形例によれば、含浸は、「乾式」で行なわれる。すなわち、使用される錯体溶液の合計容積は、担体が提示する細孔容積にほぼ等しい。細孔容積の決定は、任意の公知の技術によって、特に水銀ポロシメトリー(ASTM規格D4284〜83)によって、又は試料が吸収する水の量を試料上で測定することによって実施できる。
次の工程で、含浸された担体を還元作業に施す。
本発明の好ましい変形例は、予備乾燥工程を実施することからなる。
乾燥は通常、例えば20℃などの室温から100℃までの範囲内にあることができる温度で、空気中で実施される。
乾燥は、一定の重量が得られるまで継続される。
一般に、それは、選択された温度に応じて1〜24時間の範囲内にある。
後の工程において、含浸された担体を還元剤と接触させることにより、錯体の還元を実施する。
化学的還元剤を想定することが可能であるが、これには具体的な利点はない。したがって、還元は好ましくは水素を用いて行なわれる。
水素は、大気圧で、又は、例えば0.5〜10バール、好ましくは1〜2バールのわずかな加圧下で注入できる。
同様に、窒素又はヘリウムなどの不活性ガスで水素を希釈することもできる。
有利には、還元反応は、少なくとも400℃、好ましくは400℃〜600℃、さらに好ましくは400℃〜500℃の温度で実施される。
触媒を水素の存在下で担体を還元するための反応において使用する場合には、触媒の使用中に還元を実施できることは明らかである。
したがって、得られた触媒を、本発明に係るラクトン製造方法において使用できる。
ラクトンの製造が触媒の製造直後に行なわれない場合には、以下で説明するように、使用前にその活性化を行なうことが望ましい場合がある。
好適ではないが、本発明の方法の別の変形例によれば、先に得られた錯体溶液を使用して、沈殿技術により担体に活性相を被着させることができる。
したがって、担体が、例えばアルミナ、シリカ又は上述の金属酸化物などの粉末形態である場合には、別の製造方法は、得られた錯体溶液に担体を添加し、先に得られた錯体の加水分解を実施し、次に得られた固体を好ましくは濾過によって分離し、それを配合し、そして押出し加工することからなる。こうして、成形された触媒が得られる。
錯体の加水分解は、水を添加することによって得られる。水の使用量は臨界的ではない。この使用量は、一般に、錯体の重量の1〜100倍に相当する。
この加水分解の後、錯体は沈殿し、上述の通りに分離され成形される。
こうして得られた触媒は、含浸された担体について前述した通り、乾燥及び還元操作に付されてよく、必要な場合には、その使用中に活性化されてよい。
本発明の方法は、気相で実施される。
この用語は、ジカルボン酸を反応条件下で気化させることを意味するが、この方法は、ジカルボン酸の物理的特性、或いは圧力下での実施又は有機溶媒の使用のいずれかの結果と考えられる液相の存在を排除するわけではない。
有利には、反応は270℃〜450℃の温度、さらに好ましくは300℃〜400℃の温度で実施される。温度は、出発酸及び所望の反応速度に応じて当業者により調節されることは明らかである。
さらに、温度を高く上昇させることにより、触媒の予備活性化を実施することが極めて有利な場合もある。詳細には、触媒を予め約500℃近く、好ましくは450℃に近い温度にすることができる。活性化は、有利には水素流の下で実施される。
水素は、大気圧で、又は蒸気相と相容性あるわずかな加圧下(数バール、例えば0.5〜10バール)で注入できる。同様に、水素は窒素又はヘリウムなどの不活性ガスで希釈できる。
有利には、水素は、触媒1mlについて1時間に0.1〜10リットルの流量で注入され、酸は10ml/h以下、好ましくは0.5〜5ml/hの液体流量で注入される。
本発明の実用的な実施方法は、所望される量の触媒を反応装置内に導入することからなる。次に、反応装置の温度を、水素流の下で、触媒の活性化を可能にする所与の値、好ましくは450℃〜500℃まで上昇させ、その後反応温度、好ましくは300℃〜400℃まで戻す。その後酸を所望の流量で注入し、形成したラクトンを回収する。
触媒の見かけの体積と気体流(キャリヤガスを含む)の流量の間の比として定義される接触時間は、大幅に変動する場合があり、通常は0.2〜50秒である。接触時間は好ましくは0.4〜10秒の間で選択される。
実際には、反応は、触媒の入った管型反応装置に気体流を通すことによって容易に連続的に実施される。
この方法は、触媒が溶出することなく気体の循環を可能にする、担体(例えば焼結ガラス又は火格子(grate))上に被着された触媒活性相からなる触媒床を製造することから開始される。次に、考えられる複数の変形形態にしたがってジカルボン酸が触媒と接触状態に置かれる。
第1の実施形態は、加熱により気化された後の酸を注入することからなる。
本発明の別の実施方法は、有機溶媒中の溶液としてジカルボン酸を注入することにある。
したがって、使用されるジカルボン酸を反応条件下で溶解させるように選択された有機溶媒を使用してよい。
特に言及し得る溶媒としては、極性、プロトン性又は非プロトン性有機溶媒が含まれる。
特に言及し得るさらに詳細な例としては、水、アルコール(例えば、メタノール又はエタノール)そしてエーテル(例えばジメトキシエタン)が含まれる。
複数の溶媒を使用してもよい。
溶媒の量は、一般に、ジカルボン酸(I)が反応混合物(酸+溶媒)の質量の30%〜60%に相当することになるようなものである。
反応の終了時点で、ラクトン、余剰の水素、出発ジカルボン酸(存在する場合)及び有機溶媒を含む気体流が回収される。
ラクトンは、一般的に使用されている技術にしたがって、この気体流から回収される。
前記気体流は、反応の終りで直接蒸留されてよく、一般に、初留(headstock)中に水素、任意の溶媒そして次にラクトンを生成し、後留(tailstock)中にジカルボン酸を生成する。
使用される溶媒がアルコールである場合、ジカルボン酸と共に、それにより形成されるエステルも同様に得られる。該エステルは、一般にアルコール溶媒の後及びラクトンの前に蒸留される。
別の変形例は、例えば熱交換液体(例えば20℃の水)での冷却により上記気体流を凝縮させることからなり、その後蒸留又は液体−液体抽出により凝縮流からラクトンが回収される。
例示を目的として本発明の実施例を以下に示すが、この実施例は本発明を限定するものではない。
実施例では、転化度及び得られた収率が規定されている。
転化度(DC)は、転化された基質[ジカルボン酸]のモル数と利用された基質[ジカルボン酸]のモル数との比に対応する。
反応収率(RY)は、形成された生成物(ラクトン)のモル数と利用された基質[ジカルボン酸]とのモル数の比に対応する。
触媒の製造例
最初に、後ほど触媒を製造するのに使用するルテニウム−スズ錯体溶液の製造について詳述する。
最初に、後ほど触媒を製造するのに使用するルテニウム−スズ錯体溶液の製造について詳述する。
原子比Sn/Ru=4のスズ−ルテニウム錯体溶液の製造
160mlの3N塩酸を250ml入りのガラス製反応装置内に入れ、23.0gのRuCl3・xH2O(x=約2、ルテニウム力価42%)を添加する。
160mlの3N塩酸を250ml入りのガラス製反応装置内に入れ、23.0gのRuCl3・xH2O(x=約2、ルテニウム力価42%)を添加する。
撹拌により溶液を得た後に、85.6gのSnCl2・2H2Oを添加する。
その後媒質を、撹拌しながら90℃まで加熱し、これらの条件を1時間維持する。
その後、錯体溶液を室温まで冷却する。
原子比Sn/Ru=2のスズ−ルテニウム錯体溶液の製造
先の手順を繰り返すが、ただし、23gのRuCl3・xH2Oに対してSnCl2・2H2Oを42.8gだけ使用する。
先の手順を繰り返すが、ただし、23gのRuCl3・xH2Oに対してSnCl2・2H2Oを42.8gだけ使用する。
触媒1
α−アルミナ上の触媒の製造
2〜4mmの直径を有するα−アルミナビーズ40gに、Sn/Ru=2のスズ−ルテニウム錯体溶液15mlを、乾式含浸技術により含浸させる。
α−アルミナ上の触媒の製造
2〜4mmの直径を有するα−アルミナビーズ40gに、Sn/Ru=2のスズ−ルテニウム錯体溶液15mlを、乾式含浸技術により含浸させる。
その後、換気オーブン内でビーズを一定重量になるまで乾燥させる。
その後、直径22mmの管型ガラス製反応装置内に10gの含浸済みビーズを入れる。
続いて、3l/時の水素流を450℃まで徐々に加熱しながらこの触媒床に通す。
その後、これらの条件を少なくとも5時間維持する。
次に触媒を室温まで冷却し、この形態で保管する。
触媒2
α−アルミナ上の触媒の製造
2〜4mmの直径を有するα−アルミナビーズ40gに、Sn/Ru=4のスズ−ルテニウム錯体溶液15mlを、乾式含浸技術により含浸させる。
α−アルミナ上の触媒の製造
2〜4mmの直径を有するα−アルミナビーズ40gに、Sn/Ru=4のスズ−ルテニウム錯体溶液15mlを、乾式含浸技術により含浸させる。
その後、換気オーブン内でビーズを一定重量になるまで乾燥させる。
その後、直径22mmの管型ガラス製反応装置内に10gの含浸済みビーズを入れる。
次に、3l/時の水素流を450℃まで徐々に加熱しながらこの触媒床に通す。
その後、これらの条件を少なくとも5時間維持する。
次に触媒を室温まで冷却し、この形態で保管する。
触媒3
シリカ上の触媒の製造
触媒1を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、押出し加工された形態に予備成形されたDegussa OX50シリカを使用する。
シリカ上の触媒の製造
触媒1を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、押出し加工された形態に予備成形されたDegussa OX50シリカを使用する。
触媒4
シリカ上の触媒の製造
触媒2を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、押出し加工された形態に予備成形されたDegussa OX50シリカを使用する。
シリカ上の触媒の製造
触媒2を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、押出し加工された形態に予備成形されたDegussa OX50シリカを使用する。
触媒5
酸化チタン上の触媒の製造
触媒1を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、市販のペレット化されたアナターゼ型酸化チタンを使用する。
酸化チタン上の触媒の製造
触媒1を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、市販のペレット化されたアナターゼ型酸化チタンを使用する。
触媒6
酸化チタン上の触媒の製造
触媒1を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、市販のペレット化されたアナターゼ型酸化チタンを使用する。
酸化チタン上の触媒の製造
触媒1を製造するために使用された手順を繰り返すが、ただし、市販のペレット化されたアナターゼ型酸化チタンを使用する。
ラクトンの製造例
実施例1
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤(static mixer vaporizer)として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
実施例1
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤(static mixer vaporizer)として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化させた後、6ml/hの流量で40%w/wのグルタル酸水溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で10時間注入した後、凝縮物をガスクロマトグラフィ(GC)で分析する。
75%の転化度に対して、55%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例2
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化させた後、10ml/hの流量で50%w/wのグルタル酸メタノール溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
100%の転化度に対して、55%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例3
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を10l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量で50%w/wのグルタル酸メタノール溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
100%の転化度に対して、65%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例4
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒2と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒2と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量で40%w/wのグルタル酸水溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
65%の転化度に対して、32%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例5
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒2と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒2と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量で50%w/wのグルタル酸メタノール溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
100%の転化度に対して、55%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例6
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒4と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒4と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を10l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量で50%w/wのグルタル酸メタノール溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
100%の転化度に対して、65%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例7
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を10l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量で40%w/wのグルタル酸水溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
78%の転化度に対して、42%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例8
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒1と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量でジメトキシエタン中の30%w/wのグルタル酸水溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
45%の転化度に対して、12%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
実施例9
カプロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒4と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
カプロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒4と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で375℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、10ml/hの流量で2%w/wのアジピン酸水溶液をシリンジポンプを用いて触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
100%の転化度に対して、85%のカプロラクトン収率が得られる。
実施例10
δ−バレロラクトンの製造
実施例4を反復するが、ただし、酸化チタン上で製造された触媒5を使用する。
δ−バレロラクトンの製造
実施例4を反復するが、ただし、酸化チタン上で製造された触媒5を使用する。
これらの条件下で、25%の転化度に対して12%のバレロラクトン収率が得られる。
実施例11
δ−バレロラクトンの製造
実施例4を反復するが、ただし、酸化チタン上で製造された触媒6を使用する。
δ−バレロラクトンの製造
実施例4を反復するが、ただし、酸化チタン上で製造された触媒6を使用する。
これらの条件下で、32%の転化度に対して15%のバレロラクトン収率が得られる。
実施例12
2−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒4と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
2−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンの製造
予め450℃で還元した10mlの触媒4と静的混合気化剤として使用されるガラス粉末5mlを、直径22mmの垂直型ガラス製反応装置内に入れる。
触媒床を5l/hの水素流の下で300℃に加熱する。
これらの条件下で30分間触媒床を安定化した後、8ml/hの流量で30%w/wのリンゴ酸水溶液を触媒床上に注入する作業を開始する。
その後、氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
これらの条件下で5時間注入した後、凝縮物をGCとHPLCで分析する。
85%の転化度に対して、55%の2−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン収率が得られる。
比較例A
δ−バレロラクトンの製造
触媒4を製造するために使用したのと同じ手順で、ただし原子比Sn/Ru=6のスズ−ルテニウム錯体溶液を用いて製造された10mlの触媒を、直径22mmの垂直型ガラス反応装置内に入れる。
δ−バレロラクトンの製造
触媒4を製造するために使用したのと同じ手順で、ただし原子比Sn/Ru=6のスズ−ルテニウム錯体溶液を用いて製造された10mlの触媒を、直径22mmの垂直型ガラス反応装置内に入れる。
こうして、これらの含浸条件下で、かつ450℃で還元した後に、合金Ru3Sn7/SiO2のみを含む触媒を得る。
静的混合気化剤として使用される5mlのガラス粉末を、触媒床全体に付加する。
5l/hの水素流の下で触媒床を375℃まで加熱し、30分間触媒床を安定化した後、1ml/hの流量で40%w/wのグルタル酸水溶液の注入を開始する。
氷水浴中に浸した容器内で、反応気体流を凝縮させる。
5時間注入した後、凝縮物をGCで分析する。
21%の転化度に対して、8%のδ−バレロラクトン収率が得られる。
Claims (22)
- 少なくとも合金Ru2Sn3及び合金Ru3Sn7で構成されたルテニウム−スズ活性相を含む有効量の触媒の存在下でかつ気相内で水素を用いてジカルボン酸を還元することを含むことを特徴とする、ラクトンの製造方法。
- 使用される前記ジカルボン酸が、次式(I):
HOOC−R−COOH (I)
(式(I)中、Rが、前記所望のラクトンを形成するのに充分な数で原子の直鎖配列を含む置換された又は非置換の二価基を表わす。)に相当することを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 使用される前記ジカルボン酸が、式(I)に相当し、該式中、前記R基が、2〜8個の原子、好ましくは2〜6個の原子、さらに好ましくは2〜4個の原子の直鎖配列を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 使用される前記ジカルボン酸が式(I)に相当し、該式中、前記R基が、2〜15個の炭素原子の範囲内の全炭素縮合を有し、その後得られる環内に含まれる2〜8個の原子の直鎖配列を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 使用される前記ジカルボン酸が、式(I)に相当し、該式中、前記R基が、
− 飽和又は不飽和、直鎖又は分岐脂肪族基、
− 2つの近接炭素原子が1個の環を形成してよい飽和又は不飽和、直鎖又は分岐脂肪族基、
を表わすことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 - 使用される前記式(I)のジカルボン酸が、
− コハク酸、
− 2−エチルコハク酸、
− リンゴ酸、
− グルタル酸、
− 2−メチルグルタル酸、
− 2−エチルグルタル酸、
− アジピン酸、
− 2−メチルアジピン酸、
− 3−メチルアジピン酸、
− 4−メチルアジピン酸、
− 5−メチルアジピン酸、
− 2,2−ジメチルアジピン酸、
− 3,3−ジメチルアジピン酸、
− 2,2,5−トリメチルアジピン酸、
− 2,5−ジメチルアジピン酸、
− ピメリン(ヘプタン二)酸、
− 2−メチルピメリン酸、
− 2,2−ジメチルピメリン酸、
− 3,3−ジメチルピメリン酸、
− 2,5−ジメチルピメリン酸、
− 2,2,5−トリメチルピメリン酸、
− アゼライン酸、
− セバシン酸、
− 1,2−フェニレン二酢酸、
から選択されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。 - 前記触媒の前記活性相が、少なくとも3/2であるが7/3未満であるSn/Ru原子比でルテニウムとスズとを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒の前記活性相が、少なくとも9/5であるが2/1未満であるSn/Ru原子比でルテニウムとスズとを含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記活性相が担体、好ましくは金属酸化物、より好ましくは酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン及び/又は酸化ジルコニウム又はそれらの混合物上に被着されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記ジカルボン酸の前記還元を270℃〜450℃、好ましくは300℃〜400℃の温度で実施することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記水素を、不活性ガスで希釈されていてよい状態で、大気圧又はわずかな加圧下で注入することを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 前記触媒の前記活性化を450℃〜500℃の温度に加熱することによって前記反応の開始時に実施することを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- ルテニウム−スズ活性相を含む環化水素化触媒であって、
− 該ルテニウム−スズ活性相が少なくともRu2Sn3合金及びRu3Sn7合金で構成されること、
− 該Ru2Sn3合金相が、前記活性相の少なくとも75質量%を占めること、
− 該ルテニウムの少なくとも90質量%がRu2Sn3及びRu3Sn7合金の形態であること、
を含むことを特徴とする、環化水素化触媒。 - 前記Ru2Sn3合金相が、前記Ru2Sn3及びRu3Sn7の2つの合金相の少なくとも90質量%を占めることを特徴とする、請求項13に記載の触媒。
- 前記活性相において、前記ルテニウムの少なくとも95質量%がRu2Sn3及びRu3Sn7合金の形態であることを特徴とする、請求項13又は14に記載の触媒。
- 前記活性相が、少なくとも3/2かつ7/3未満、好ましくは少なくとも9/5かつ2/1未満であるSn/Ru原子比でルテニウム及びスズを含むことを特徴とする、請求項13〜15のいずれかに記載の触媒。
- 前記活性相が担体、好ましくは金属酸化物、好ましくは酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン及び/又は酸化ジルコニウム又はそれらの混合物上に被着されていることを特徴とする、請求項13〜16のいずれかに記載の触媒。
- 前記担持触媒の前記ルテニウム含有量が1質量%〜8質量%、さらに好ましくは2質量%〜3質量%から選択されることを特徴とする、請求項17に記載の触媒。
- ルテニウム−スズ活性相を含む環化水素化触媒であって、次式(A):
[Ru(SnX3)6-nXn]4- (A)
(式(A)中、Xはハロゲン原子、好ましくは塩素又は臭素原子を表わし、nは1又は2に等しい数、好ましくは2に等しい数である。)
に相当する錯体の製造工程を含む方法によって得られ、該錯体は、酸の存在下で、ハロゲン化スズのモル数とハロゲン化ルテニウムのモル数との比が1〜5、好ましくは2〜4の範囲内となる量でハロゲン化ルテニウムとハロゲン化スズとを、反応混合物が60℃〜100℃の範囲内、好ましくは70℃〜95℃の温度になるように反応させることによって得られることを特徴とする、環化水素化触媒。 - 前記活性相が、沈殿技術又は含浸技術、好ましくは乾式含浸によって得られる錯体を用いて担体上に被着されることを特徴とする、請求項19に記載の触媒。
- 前記錯体の前記還元が、前記含浸した担体を少なくとも400℃、好ましくは400℃〜600℃、さらに好ましくは400℃〜500℃の温度で水素と接触させることによって実施されることを特徴とする、請求項19又は20に記載の触媒。
- γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、カプロラクトン及び2−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンの製造のための請求項1〜12のいずれかに記載の方法の使用。
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