JP2013225702A - Connection method between terminals, and connection terminal manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気、電子部品において電子部材同士を電気的に接続する方法に関する。よ
り詳しくは、本発明は、対向する端子間を電気的に接続する方法、ならびに接続端子の製
造方法に関する。
The present invention relates to a method for electrically connecting electronic members to each other in electrical and electronic components. More specifically, the present invention relates to a method for electrically connecting opposing terminals, and a method for manufacturing a connection terminal.
近年、電子機器の高機能化及び小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭
ピッチ化がますます進む方向にある。これに伴い、微細な配線回路における端子間接続も
高度化している。端子間の接続方法としては、例えば、ICチップを回路基板に電気的に
接続する際に異方性導電接着剤又は異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接
続するフリップチップ接続技術が知られている。異方性導電接着剤又は異方性導電フィル
ムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルム又はペース
トである(例えば、特開昭61−276873号公報(特許文献1)及び特開2004−
260131号公報(特許文献2)参照)。これを接続すべき電子部材の間に配置して熱
圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができ、接着剤中の樹
脂により隣接する端子間の絶縁性を確保することを可能にする。
In recent years, with the demand for higher functionality and miniaturization of electronic devices, the pitch between connection terminals in electronic materials is becoming increasingly narrow. Along with this, the connection between terminals in a fine wiring circuit has also been advanced. As a connection method between terminals, for example, flip chip connection in which a large number of terminals are connected together using an anisotropic conductive adhesive or an anisotropic conductive film when an IC chip is electrically connected to a circuit board. Technology is known. An anisotropic conductive adhesive or anisotropic conductive film is a film or paste in which conductive particles are dispersed in an adhesive mainly composed of a thermosetting resin (for example, JP-A-61-276873). Patent Document 1) and JP-A 2004-2004
260131 (patent document 2)). By arranging this between the electronic members to be connected and thermocompression bonding, a large number of opposing terminals can be connected together, and insulation between adjacent terminals is ensured by the resin in the adhesive. Make it possible.
しかし、導電性粒子の凝集を制御することは難しく、(1)導電性粒子と端子、或いは
、導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しない場合や、(2)
対向する端子間(導通性領域)以外の樹脂中(絶縁性領域)に導電性粒子が残存してリー
ク電流が発生し、隣接端子間の絶縁性が十分に確保できない場合があった。このため、従
来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムでは、端子間の更なる狭ピッチ化に対応する
ことが困難な状況にある。
However, it is difficult to control the aggregation of the conductive particles. (1) The conductive particles and the terminals, or the conductive particles are not sufficiently in contact with each other, and a part between the facing terminals is not conductive, 2)
In some cases, the conductive particles remain in the resin (insulating region) other than between the opposing terminals (conducting region) to cause a leakage current, so that sufficient insulation between adjacent terminals cannot be ensured. For this reason, it is difficult for conventional anisotropic conductive adhesives and anisotropic conductive films to cope with further narrow pitches between terminals.
また、従来、電子部材の電極上に接続端子を形成する場合、金属パッドが設けられた基
板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させ
ていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチに配列している場合、半田ペースト
を印刷する際に用いるマスクの製造コストがかかる。また、所望のサイズに半田ペースト
を印刷することが困難な場合があり、小さいサイズの接続端子を形成できないといった問
題があった。半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを
加熱溶融させて行う方法もあるが、小さいサイズの接続端子を製造する場合に半田ボール
の製造コストがかかり、また、小径の半田ボールの作製は技術的に困難であった。
Conventionally, when connecting terminals are formed on electrodes of an electronic member, the solder paste is printed on a substrate provided with metal pads, and the solder paste is heated and melted using a solder reflow apparatus or the like. However, in this method, when the connection terminals are arranged at a narrow pitch, the manufacturing cost of the mask used when printing the solder paste is high. In addition, there are cases where it is difficult to print the solder paste in a desired size, and there is a problem that a small-sized connection terminal cannot be formed. There is also a method in which solder balls are mounted on the connection terminals and the solder balls are heated and melted using a solder reflow device or the like. However, when manufacturing small size connection terminals, the manufacturing cost of the solder balls is increased, and the small diameter is also required. It was technically difficult to manufacture the solder balls.
このような状況の下、接続端子間における良好な電気的接続と隣接端子間における高い
絶縁信頼性の両立を可能にする端子間を電気的に接続する方法の提供が求められている。
また、電子部材の電極上に簡便な方法で接続端子を製造する方法の提供が求められている
。
Under such circumstances, it is required to provide a method for electrically connecting terminals that enables both good electrical connection between connection terminals and high insulation reliability between adjacent terminals.
Moreover, provision of the method of manufacturing a connection terminal by the simple method on the electrode of an electronic member is calculated | required.
上記の課題を解決するべく、本発明者は鋭意検討した結果、導電接続材料において導電
性粒子に代えて半田箔又は錫箔を用いることで、半田又は錫の端子間への凝集が容易にな
り、樹脂中に半田又は錫が残存することを抑制できることを見出した。さらに、本発明者
は、金属箔を分断することで各端子表面に凝集する溶融金属の量を制御できることを見出
した。複数の端子の各端面が形成するパターンと類似したパターンを有するように金属箔
をパターン状に形成すれば、端子間の電気的接続及び接続端子の形成をより確実に行うこ
とができる。また、この方法を利用することで、接続端子の製造をより簡便に行うことが
できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors diligently studied, and as a result of using solder foil or tin foil instead of conductive particles in the conductive connection material, aggregation between terminals of solder or tin is facilitated, It has been found that solder or tin can be suppressed from remaining in the resin. Furthermore, this inventor discovered that the quantity of the molten metal which aggregates on each terminal surface can be controlled by dividing metal foil. If the metal foil is formed in a pattern so as to have a pattern similar to the pattern formed by each end face of the plurality of terminals, the electrical connection between the terminals and the formation of the connection terminals can be more reliably performed. Moreover, it discovered that manufacture of a connecting terminal could be performed more simply by utilizing this method, and came to complete this invention.
すなわち、本発明は、以下に示した導電接続材料を用いた端子間の接続方法及び接続端
子の製造方法等を提供するものである。
[1]樹脂組成物層と、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と同じ
パターンを有するように半田箔又は錫箔が配列されてなる金属箔パターン層とを含むパタ
ーン化導電接続材料を用いて対向する端子間を電気的に接続する方法であって、
前記複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と前記金属箔パターン層
が有するパターンとが重なり合うように、前記パターン化導電接続材料を対向する端子間
に配置する配置工程と、
前記金属箔パターン層を構成する半田箔又は錫箔の融点以上の温度で、前記樹脂組成物
層を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように前記パターン化導電接続材料を加熱す
る加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程と、を含む方法。
[2]前記配置工程において、予め作製された前記パターン化導電接続材料を前記対向す
る端子間に配置する、[1]記載の方法。
[3]前記金属箔パターン層が有するパターンは、メッキ法、スパッタリング法又は蒸着
法により形成されたものである、[2]記載の方法。
[4]前記配置工程において、樹脂組成物層と半田箔又は錫箔からなる金属箔層とを含む
導電接続材料を一方の端子面上に配置した後、半田箔又は錫箔を分断して前記金属箔パタ
ーン層を形成し、前記金属属箔パターン層上に他方の端子面を重ね合わせることにより、
前記パターン化導電接続材料を前記対向する端子間に配置する、[1]記載の方法。
[5]半田箔又は錫箔の分断は、レーザー照射又は物理的な裁断によって実施されるもの
である、[4]記載の方法。
[6]前記樹脂組成物は、フラックス機能を有する化合物を含むものである、[1]〜[
5]のいずれか1項に記載の方法。
[7]前記パターン化導電接続材料は、樹脂組成物層/金属箔層/樹脂組成物層からなる
積層構造を含むものである、[1]〜[6]のいずれか1項に記載の方法。
[8]前記パターン化導電接続材料は、樹脂組成物層/金属箔層からなる積層構造を含む
ものである、[1]〜[6]のいずれか1項記載の方法。
That is, this invention provides the connection method between the terminals using the conductive connection material shown below, the manufacturing method of a connection terminal, etc.
[1] A patterned conductive connection including a resin composition layer and a metal foil pattern layer in which solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of a pattern formed by each end face of a plurality of terminals A method of electrically connecting opposing terminals using a material,
An arrangement step of disposing the patterned conductive connecting material between the facing terminals so that at least a part of a pattern formed by each end face of the plurality of terminals and a pattern of the metal foil pattern layer overlap;
A heating step of heating the patterned conductive connecting material so that curing of the resin composition constituting the resin composition layer is not completed at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer;
A curing step of curing the resin composition.
[2] The method according to [1], wherein in the arranging step, the patterned conductive connecting material prepared in advance is arranged between the opposing terminals.
[3] The method according to [2], wherein the pattern of the metal foil pattern layer is formed by a plating method, a sputtering method, or a vapor deposition method.
[4] In the arranging step, after the conductive connecting material including the resin composition layer and the metal foil layer made of solder foil or tin foil is arranged on one terminal surface, the solder foil or tin foil is divided and the metal foil is separated. By forming a pattern layer and overlaying the other terminal surface on the metal group foil pattern layer,
The method according to [1], wherein the patterned conductive connection material is disposed between the opposing terminals.
[5] The method according to [4], wherein the cutting of the solder foil or tin foil is performed by laser irradiation or physical cutting.
[6] The resin composition includes a compound having a flux function, [1] to [1]
[5] The method according to any one of [5].
[7] The method according to any one of [1] to [6], wherein the patterned conductive connecting material includes a laminated structure including a resin composition layer / metal foil layer / resin composition layer.
[8] The method according to any one of [1] to [6], wherein the patterned conductive connection material includes a laminated structure composed of a resin composition layer / metal foil layer.
[9]樹脂組成物層と、複数の電極の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と同じ
パターンを有するように半田箔又は錫箔が配列されてなる金属箔パターン層とを含むパタ
ーン化導電接続材料を用いて接続端子を製造する方法であって、
前記複数の電極の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と前記金属箔パターン層
が有するパターンとが重なり合うように、前記パターン化導電接続材料を電子部材の電極
上に配置する配置工程と、
前記金属箔パターン層を構成する半田箔又は錫箔の融点以上の温度で、前記樹脂組成物
層を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように前記パターン化導電接続材料を加熱す
る加熱工程と、を含む方法。
[10]前記配置工程において、予め作製された前記パターン化導電接続材料を前記電子
部材の電極上に配置する、[9]記載の方法。
[11]前記金属箔パターン層が有するパターンは、メッキ法、スパッタリング法又は蒸
着法により形成されたものである、[10]記載の方法。
[12]前記配置工程において、樹脂組成物層と半田箔又は錫箔からなる金属箔層とを含
む導電接続材料を電子部材の電極面上に配置した後、半田箔又は錫箔を分断して前記金属
箔パターン層を形成することにより、前記パターン化導電接続材料を前記電子部材の電極
上に配置する、[9]記載の方法。
[13]前記配置工程において、レーザー照射又は物理的な裁断によって半田箔又は錫箔
を分断する、[12]記載の方法。
[14]前記樹脂組成物は、フラックス機能を有する化合物を含むものである、[9]〜
[13]のいずれか1項に記載の方法。
[15]前記パターン化導電接続材料は、樹脂組成物層/金属箔層/樹脂組成物層からな
る積層構造を含むものである、[9]〜[14]のいずれか1項に記載の方法。
[16]前記パターン化導電接続材料は、樹脂組成物層/金属箔層からなる積層構造を含
むものである、[9]〜[14]のいずれか1項に記載の方法。
[9] A patterned conductive connection including a resin composition layer and a metal foil pattern layer in which solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of a pattern formed by each end face of a plurality of electrodes A method of manufacturing a connection terminal using a material,
An arrangement step of disposing the patterned conductive connecting material on the electrode of the electronic member so that at least a part of a pattern formed by each end face of the plurality of electrodes and a pattern of the metal foil pattern layer overlap;
A heating step of heating the patterned conductive connecting material so that curing of the resin composition constituting the resin composition layer is not completed at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer; Including methods.
[10] The method according to [9], wherein in the arranging step, the patterned conductive connecting material prepared in advance is arranged on the electrode of the electronic member.
[11] The method according to [10], wherein the pattern of the metal foil pattern layer is formed by a plating method, a sputtering method, or a vapor deposition method.
[12] In the arranging step, after the conductive connecting material including the resin composition layer and the metal foil layer made of solder foil or tin foil is arranged on the electrode surface of the electronic member, the solder foil or tin foil is divided and the metal is separated. The method according to [9], wherein the patterned conductive connection material is disposed on the electrode of the electronic member by forming a foil pattern layer.
[13] The method according to [12], wherein in the arranging step, the solder foil or the tin foil is divided by laser irradiation or physical cutting.
[14] The resin composition includes a compound having a flux function, [9] to [9]
[13] The method according to any one of [13].
[15] The method according to any one of [9] to [14], wherein the patterned conductive connecting material includes a laminated structure including a resin composition layer / metal foil layer / resin composition layer.
[16] The method according to any one of [9] to [14], wherein the patterned conductive connecting material includes a laminated structure including a resin composition layer / metal foil layer.
[17]樹脂組成物層と、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と同
じパターンを有するように半田箔又は錫箔が配列されてなる金属箔パターン層とを含むパ
ターン化導電接続材料。
[18]電子部材間が、[1]〜[8]のいずれか1項に記載の方法を用いて電気的に接
続されてなる、電気、電子部品。
[19][9]〜[16]のいずれか1項に記載の方法を用いて電極上に接続端子が形成
されてなる、電気、電子部品。
[17] A patterned conductive connection including a resin composition layer and a metal foil pattern layer in which solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of a pattern formed by each end face of a plurality of terminals material.
[18] An electrical / electronic component in which electronic members are electrically connected using the method according to any one of [1] to [8].
[19] An electrical or electronic component in which a connection terminal is formed on an electrode using the method according to any one of [9] to [16].
本発明によれば、導電接続材料において金属箔を用いることで溶融した半田又は錫が凝
集しやすくなり、樹脂中に金属が残存することを抑制できるので、良好な電気的接続及び
高い絶縁信頼性を得ることができる。
また、本発明によれば、金属箔をパターン状に分断することで、端子表面に凝集する溶
融金属の量を制御することができ、端子間の電気的接続をより確実に行うことができる。
本発明の好ましい態様によれば、半導体装置などの微細な配線回路における多数の端子間
を一括で接続することができる。
また、本発明によれば、金属箔をパターン状に分断することで、電極表面に凝集する溶
融金属の量を制御することができ、接続端子の形成をより確実に行うことができる。本発
明の好ましい態様によれば、接続端子のサイズの大小によらず、簡便な方法で接続端子を
一括で製造することができる。
According to the present invention, the use of the metal foil in the conductive connection material makes it easy for the molten solder or tin to agglomerate and suppress the metal from remaining in the resin. Therefore, good electrical connection and high insulation reliability Can be obtained.
Further, according to the present invention, by dividing the metal foil into a pattern, the amount of molten metal aggregated on the terminal surface can be controlled, and electrical connection between the terminals can be more reliably performed.
According to a preferred aspect of the present invention, a large number of terminals in a fine wiring circuit such as a semiconductor device can be connected together.
Further, according to the present invention, by dividing the metal foil into a pattern, the amount of molten metal aggregated on the electrode surface can be controlled, and the connection terminal can be more reliably formed. According to a preferred aspect of the present invention, the connection terminals can be manufactured collectively by a simple method regardless of the size of the connection terminals.
以下、本発明の対向する端子間を電気的に接続する方法及び接続端子の製造方法等につ
いて具体的に説明する。
Hereinafter, a method for electrically connecting terminals facing each other according to the present invention, a method for manufacturing a connection terminal, and the like will be described in detail.
1.対向する端子間を電気的に接続する方法
本発明の対向する端子間を電気的に接続する方法(以下「本発明の接続方法」という。
)は、樹脂組成物層と、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と同じ
パターンを有するように半田箔又は錫箔が配列されてなる金属箔パターン層とを含むパタ
ーン化導電接続材料を用いて対向する端子間を電気的に接続する方法であって、前記複数
の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と前記金属箔パターン層が有するパ
ターンとが重なり合うように、前記パターン化導電接続材料を対向する端子間に配置する
配置工程と、前記金属箔パターン層を構成する半田箔又は錫箔の融点以上の温度で、前記
樹脂組成物層を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように前記パターン化導電接続材
料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを含む。
1. Method for electrically connecting opposite terminals Method for electrically connecting opposite terminals of the present invention (hereinafter referred to as “connection method of the present invention”).
) Is a patterned conductive connection including a resin composition layer and a metal foil pattern layer in which solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of a pattern formed by each end face of a plurality of terminals A method of electrically connecting opposing terminals using a material, wherein at least a part of a pattern formed by each end face of the plurality of terminals overlaps with a pattern of the metal foil pattern layer. The placement step of arranging the patterned conductive connection material between the opposing terminals, and curing of the resin composition constituting the resin composition layer at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer A heating step of heating the patterned conductive connecting material so as not to be completed and a curing step of curing the resin composition are included.
本発明の接続方法では、導電接続材料に含まれる金属成分を金属箔の形態で用いるもの
であるので、金属箔を加熱溶融したときに溶融金属が凝集しやすく、樹脂中に金属が残存
し難く、隣接する端子間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を抑制できるといった利点
がある。また、本発明においては、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも
一部と同じパターンを有するように金属箔が分断されているので、溶融金属の濡れ性によ
って一部の端子表面にのみ溶融金属が集中することを回避することができる。さらには、
複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と金属箔パターン層が有するパ
ターンとが重なり合うように配置されているので、各端子表面に均等に、或いは、端子表
面積に応じた必要量の溶融金属が分配され、端子間の電気的接続をより確実に行うことが
できる。また、本発明の好ましい態様によれば、金属箔が分断されているので、パターン
化導電接続材料を長期間保存した場合等に樹脂組成物中に吸湿された水分の放出経路を確
保することができ、硬化樹脂中のボイド形成を抑制できるといった効果を奏することもで
きる。
In the connection method of the present invention, the metal component contained in the conductive connection material is used in the form of a metal foil. Therefore, when the metal foil is heated and melted, the molten metal easily aggregates, and the metal hardly remains in the resin. There is an advantage that the insulation between adjacent terminals can be secured and the generation of leakage current can be suppressed. Further, in the present invention, since the metal foil is divided so as to have the same pattern as at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals, only the surface of a part of the terminals due to the wettability of the molten metal. Concentration of the molten metal can be avoided. Moreover,
Since it is arranged so that at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals and the pattern of the metal foil pattern layer overlap each other, the required amount corresponding to the surface area of the terminals is equal to each terminal surface. Molten metal is distributed, and electrical connection between the terminals can be more reliably performed. Further, according to a preferred aspect of the present invention, since the metal foil is divided, it is possible to secure a release route for moisture absorbed in the resin composition when the patterned conductive connection material is stored for a long period of time. It is also possible to produce an effect that the formation of voids in the cured resin can be suppressed.
本発明において「複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と同じパタ
ーンを有するように半田箔又は錫箔が配列されてなる」との文言は、半田箔又は錫箔が配
列して形成される金属箔のパターンが、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なく
とも一部と一致していることを意味する。ここで「少なくとも一部」との文言を用いてい
るのは、両パターンが一致しない部分があってもよいことを表現する意図である。例えば
、金属箔パターン層は、複数の端子の各端面が形成するパターンとは異なるパターンを一
部に含んでいてもよいし、複数の端子の各端面が形成するパターンと類似したパターンを
有する部分においても、各端子のサイズとそれに対応する半田箔又は錫箔のサイズが必ず
しも一致していなくてもよい。「複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一
部と前記金属箔パターン層が有するパターンとが重なり合うように」における「少なくと
も一部」との文言も同様の意図で用いている。すなわち、複数の端子の各端面が形成する
パターンと、半田箔又は錫箔が配列されて形成されたパターンとは、少なくとも一部が重
なり合えばよく、完全に重なり合う必要はない。なお、両パターンが「重なり合う」とい
うとき、両パターンが物理的に接触している必要はなく、両パターン間には例えば樹脂組
成物層等の層が介在していてもよい。
In the present invention, the phrase “the solder foil or the tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals” is formed by arranging the solder foil or the tin foil. This means that the metal foil pattern coincides with at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals. Here, the phrase “at least a part” is used to express that there may be a part where both patterns do not match. For example, the metal foil pattern layer may partially include a pattern different from the pattern formed by each end surface of the plurality of terminals, or a portion having a pattern similar to the pattern formed by each end surface of the plurality of terminals. However, the size of each terminal and the size of the corresponding solder foil or tin foil do not necessarily have to match. The phrase “at least part” in “so that at least part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals and the pattern of the metal foil pattern layer overlap” is also used with the same intention. That is, the pattern formed by the end faces of the plurality of terminals and the pattern formed by arranging the solder foil or the tin foil may be at least partially overlapped and does not need to be completely overlapped. When both patterns are “overlapping”, the patterns need not be in physical contact, and a layer such as a resin composition layer may be interposed between the patterns.
本発明において、複数の端子の各端面が形成するパターンと、金属箔パターン層が有す
るパターンとが一致する面積の占有率は、複数の端子の各端面が形成するパターンの合計
面積に対して10%以上が好ましく、20%以上がより好ましく、30%以上がさらに好
ましく、両パターンが完全に一致していることが特に好ましい。
また、対向する端子間の一方の端子配列面における全端子数(x)に対するパターン状
に分断された半田箔又は錫箔の個数(y)の比(y/x)は、0.5以上が好ましく、0
.6以上がより好ましく、0.7以上がさらに好ましく、1が特に好ましい。
In the present invention, the area occupied by the pattern formed by the end faces of the plurality of terminals and the pattern of the metal foil pattern layer is 10 with respect to the total area of the patterns formed by the end faces of the plurality of terminals. % Or more is preferable, 20% or more is more preferable, 30% or more is more preferable, and it is particularly preferable that both patterns are completely matched.
The ratio (y / x) of the number (y) of solder foils or tin foils divided into a pattern with respect to the total number of terminals (x) on one terminal arrangement surface between the opposing terminals is preferably 0.5 or more. , 0
. 6 or more is more preferable, 0.7 or more is more preferable, and 1 is particularly preferable.
本発明において、パターン化導電接続材料は、対向する端子間に配置する前に予め作製
されたものでもよいし、樹脂組成物層と半田箔又は錫箔からなる金属箔層とを含む導電接
続材料を一方の端子配列面上に配置した後、レーザー処理又は物理的裁断等によって金属
箔層をパターン状に分断することにより作製したものでもよい。
In the present invention, the patterned conductive connection material may be prepared in advance before being disposed between the opposing terminals, or a conductive connection material including a resin composition layer and a metal foil layer made of solder foil or tin foil. After arranging on one terminal arrangement surface, it may be produced by dividing the metal foil layer into a pattern by laser treatment or physical cutting.
本発明において、パターン化導電接続材料に用いられる金属箔パターン層は、半田箔又
は錫箔が複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と同じパターンを有す
るように配列されてなる。パターンの形状は、特に制限されないが、一定の形状が繰り返
しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよい。また、規則的な
形状と不規則な形状とが混在していてもよい。図7は、金属箔パターン層のパターン形状
の一例を示す平面模式図である。樹脂組成物層120の上に様々な形状をもつ金属箔パタ
ーン層110が形成されている。例えば、点線の抜き模様状(a)、縞模様状(b)、水
玉模様状(c)、矩形模様状(d)、チェッカー模様状(e)、額縁状(f)、格子模様
状(g)又は多重の額縁状(h)などが挙げられる。これらは一例であり、目的及び用途
に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させたりすることができる。
In the present invention, the metal foil pattern layer used for the patterned conductive connecting material is arranged so that the solder foil or the tin foil has the same pattern as at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals. The shape of the pattern is not particularly limited, but a certain shape may be repeatedly formed in a pattern shape, or the shape may be irregular. Moreover, a regular shape and an irregular shape may be mixed. FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of the pattern shape of the metal foil pattern layer. A metal foil pattern layer 110 having various shapes is formed on the resin composition layer 120. For example, a dotted pattern (a), a striped pattern (b), a polka dot pattern (c), a rectangular pattern (d), a checkered pattern (e), a frame shape (f), a lattice pattern (g ) Or multiple frame shapes (h). These are examples, and these shapes can be combined or deformed according to the purpose and application.
例えば、本発明の一実施態様において、接続しようとする端子が被着体の接続面の周辺
部に配置されるようなペリフェラル型の被着体を接続する場合、隣接する端子間に金属を
残存させないという観点から、ペリフェラル型に金属箔パターン層を形成することが好ま
しい。また、フルグリッド型の被着体を接続する場合も、端子の位置に合わせて半田箔又
は錫箔が配置されるように金属箔パターン層を形成することが好ましい。
For example, in one embodiment of the present invention, when a peripheral type adherend is connected such that the terminal to be connected is arranged at the periphery of the connection surface of the adherend, the metal remains between the adjacent terminals. From the viewpoint of avoiding this, it is preferable to form the metal foil pattern layer in a peripheral type. Moreover, when connecting a full grid type adherend, it is preferable to form the metal foil pattern layer so that the solder foil or the tin foil is arranged in accordance with the position of the terminal.
本発明に用いられるパターン化導電接続材料は、樹脂組成物層と、複数の端子の各端面
が形成するパターンの少なくとも一部と同じパターンを有するように半田箔又は錫箔が配
列されてなる金属箔パターン層とから構成される。その形態は、樹脂組成物層と金属箔パ
ターン層とからなる多層構造を有する積層体であり、樹脂組成物層及び金属箔パターン層
は各々一層であっても複数層であってもよい。導電接続材料の積層構造は特に制限されな
く、樹脂組成物層と金属箔パターン層との二層構造(樹脂組成物層/金属箔パターン層)
でもよいし、樹脂組成物層あるいは金属箔パターン層の何れか又は両方を複数含む三層構
造又はそれ以上の多層構造でもよい。なお、樹脂組成物層又は金属箔パターン層を複数用
いる場合、各層の組成は同一でもよく、異なっていてもよい。
The patterned conductive connecting material used in the present invention is a metal foil in which solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as the resin composition layer and at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals. It consists of a pattern layer. The form is a laminated body having a multilayer structure composed of a resin composition layer and a metal foil pattern layer, and each of the resin composition layer and the metal foil pattern layer may be a single layer or a plurality of layers. The laminated structure of the conductive connection material is not particularly limited, and is a two-layer structure of a resin composition layer and a metal foil pattern layer (resin composition layer / metal foil pattern layer).
Alternatively, it may be a three-layer structure including a plurality of either or both of the resin composition layer and the metal foil pattern layer, or a multilayer structure of more than that. In addition, when using two or more resin composition layers or metal foil pattern layers, the composition of each layer may be the same or different.
本発明の一実施形態では、金属箔パターン層の表面酸化膜をフラックス機能を有する化
合物で還元する観点から、金属箔パターン層の上下層は樹脂組成物層であることが好まし
い。例えば、三層構造(樹脂組成物層/金属箔パターン層/樹脂組成物層)が好ましい。
この場合、金属箔パターン層の両側にある樹脂組成物層の厚みは、同一でもよく、異なっ
ていてもよい。樹脂組成物層の厚みは、接続しようとする端子の導体厚みなどによって適
宜調整すればよい。
In one embodiment of the present invention, from the viewpoint of reducing the surface oxide film of the metal foil pattern layer with a compound having a flux function, the upper and lower layers of the metal foil pattern layer are preferably resin composition layers. For example, a three-layer structure (resin composition layer / metal foil pattern layer / resin composition layer) is preferable.
In this case, the thickness of the resin composition layer on both sides of the metal foil pattern layer may be the same or different. The thickness of the resin composition layer may be appropriately adjusted depending on the conductor thickness of the terminal to be connected.
パターン化導電接続材料に含まれる樹脂組成物層及び金属箔パターン層ならびにパター
ン化導電接続材料の製造方法については、後述において詳しく説明する。
The resin composition layer and metal foil pattern layer contained in the patterned conductive connection material, and the method for producing the patterned conductive connection material will be described in detail later.
以下、本発明の接続方法の各工程について図面を参照しながら説明する。図1は、本発
明の接続方法の一例を説明するための概略斜視図であり、ここでは基板上に半導体チップ
を実装する場合を例示している。図1に示されるように、本発明の接続方法においては、
基板10上に設けられた端子11と、半導体チップなどの基板20上に設けられた端子(
図示しない)とを、樹脂組成物層120及び金属箔パターン層110とを含むパターン化
導電接続材料100を用いて電気的に接続する。なお、図1では、説明のために金属箔パ
ターン層を図示したが、金属箔パターン層は表面に露出している必要はなく、樹脂組成物
層110に挟まれていてもよいし、基板10に対向して配置されていてもよい。
Hereinafter, each process of the connection method of this invention is demonstrated, referring drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining an example of the connection method of the present invention. Here, a case where a semiconductor chip is mounted on a substrate is illustrated. As shown in FIG. 1, in the connection method of the present invention,
Terminals 11 provided on the substrate 10 and terminals provided on the substrate 20 such as a semiconductor chip (
(Not shown) is electrically connected using the patterned conductive connecting material 100 including the resin composition layer 120 and the metal foil pattern layer 110. In FIG. 1, the metal foil pattern layer is illustrated for explanation, but the metal foil pattern layer does not have to be exposed on the surface, and may be sandwiched between the resin composition layers 110 or the substrate 10. You may arrange | position facing.
本発明の接続方法では、パターン化導電接続材料を予め作製してから端子間に配置して
もよいし、一方の端子配列面上で金属箔を分断してパターン化導電接続材料を作製しても
よい。前者の場合を第1実施態様とし、後者の場合を第2実施態様とし、それぞれの態様
について説明する。
In the connection method of the present invention, the patterned conductive connection material may be prepared in advance and then disposed between the terminals. Alternatively, the patterned conductive connection material may be prepared by dividing the metal foil on one terminal arrangement surface. Also good. The former case will be referred to as a first embodiment, and the latter case will be referred to as a second embodiment. Each aspect will be described.
(A)第1実施態様
まず、本発明の第1実施態様について説明する。
本発明の第1実施態様では、予め作製したパターン化導電接続材料を用いて対向する端
子間を接続する。図2は、第1実施態様を説明するための概略工程図である。以下、図2
を参照しながら各工程について説明する。
(A) First Embodiment First, a first embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment of the present invention, the opposing terminals are connected using a patterned conductive connecting material prepared in advance. FIG. 2 is a schematic process diagram for explaining the first embodiment. Hereinafter, FIG.
Each process will be described with reference to FIG.
(1)配置工程
配置工程では、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と、金属箔パ
ターン層が有するパターンとが重なり合うように、パターン化導電接続材料を対向する端
子間に配置する。図2(a)に示すように、端子11が設けられた基板10と端子21が
設けられた基板20とを、端子11と端子21とが対向するように位置合わせし、これら
の端子間に予め作製された金属箔パターン層110と樹脂組成物層120とを含むパター
ン化導電接続材料100を位置合わせして配置する。図示したとおり、金属箔パターン層
の金属箔間の空隙には樹脂組成物が充填されていてもよい。
例えば、フリップチップボンダー等を用いて、複数の端子の各端面が形成するパターン
の少なくとも一部と、金属箔パターン層が有するパターンとが重なり合うように位置合わ
せし、パターン化導電接続材料を基板に配置する。次いで、端子11と端子21とが対向
するように位置合わせし、パターン化導電接続材料を対向する端子間に配置することがで
きる。
(1) Arrangement Step In the arrangement step, the patterned conductive connection material is arranged between the facing terminals so that at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals overlaps the pattern of the metal foil pattern layer. To do. As shown in FIG. 2A, the substrate 10 provided with the terminal 11 and the substrate 20 provided with the terminal 21 are aligned so that the terminal 11 and the terminal 21 face each other, and between these terminals. The patterned conductive connecting material 100 including the metal foil pattern layer 110 and the resin composition layer 120 prepared in advance is aligned and disposed. As illustrated, the resin composition may be filled in the gaps between the metal foils of the metal foil pattern layer.
For example, by using a flip chip bonder or the like, at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals is aligned with the pattern of the metal foil pattern layer, and the patterned conductive connection material is applied to the substrate. Deploy. Next, the terminal 11 and the terminal 21 are aligned so as to face each other, and the patterned conductive connecting material can be disposed between the facing terminals.
パターン化導電接続材料100は、予め基板10又は基板20の片側、あるいは、基板
10及び基板20の双方に配置されていてもよい。また、前記端子11及び21の表面に
は、電気的な接続を良好にするために、必要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化
などの処理が施されていてもよい。
The patterned conductive connection material 100 may be previously disposed on one side of the substrate 10 or the substrate 20 or on both the substrate 10 and the substrate 20. Further, the surfaces of the terminals 11 and 21 may be subjected to treatments such as washing, polishing, plating, and surface activation as necessary in order to improve electrical connection.
(2)加熱工程
加熱工程では、配置工程において対向する端子間に配置したパターン化導電接続材料1
00を、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔の融点以上で、樹脂組成物層
120を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように加熱する。
(2) Heating step In the heating step, the patterned conductive connecting material 1 arranged between the terminals facing each other in the arranging step.
00 is heated above the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 so that the curing of the resin composition constituting the resin composition layer 120 is not completed.
パターン化導電接続材料100を、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔
の融点以上で加熱することで、金属箔パターン層110が溶融し、溶融した半田又は錫が
軟化した樹脂組成物層120中を移動できるようになる。
By heating the patterned conductive connecting material 100 at a melting point or higher of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110, the metal foil pattern layer 110 is melted, and the molten solder or tin is softened. You can move through 120.
本発明の好ましい態様において、樹脂組成物120がフラックス機能を有する化合物を
含む場合、加熱によって該化合物が活性化し、金属箔及び端子の表面酸化膜を除去するこ
とができるので、溶融金属同士の金属結合による凝集及び溶融金属と端子との金属結合に
よる電気的接続がさらに促進される。
In a preferred embodiment of the present invention, when the resin composition 120 includes a compound having a flux function, the compound is activated by heating, and the surface oxide film of the metal foil and the terminal can be removed. Aggregation due to bonding and electrical connection due to metal bonding between the molten metal and the terminal are further promoted.
なお、図2(b)に示すように、予め金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫
箔の融点未満の温度で加熱して樹脂組成物層120を軟化させ、対向する端子間の最短離
隔距離を調整してもよい。半田箔又は錫箔の融点未満の温度で対向する端子間の最短離隔
距離を調整することにより、半田箔又は錫箔を溶融させたときに樹脂組成物間を移動する
距離を短縮することができ、対向する端子間の電気的接続をより確実にすることができる
。
As shown in FIG. 2 (b), the resin composition layer 120 is softened by heating at a temperature lower than the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 in advance, and the shortest separation between the terminals facing each other. The distance may be adjusted. By adjusting the shortest distance between the terminals facing each other at a temperature lower than the melting point of the solder foil or tin foil, the distance moved between the resin compositions when the solder foil or tin foil is melted can be shortened. The electrical connection between the terminals to be performed can be made more reliable.
加熱工程では、金属箔パターン層を構成する半田箔又は錫箔の融点以上に加熱されるの
で、図2(c)に示すように、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔が溶融
し、溶融金属が対向する端子間に凝集することにより、導通性領域110aが形成され、
端子11と端子21とが電気的に接続される。他方、導通性領域110aの周囲には樹脂
組成物が充填されて絶縁性領域120aが形成される。これにより、隣接する端子間の絶
縁性が確保され、隣接する端子間のショートを防止することができる。
In the heating step, the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 is melted as shown in FIG. When the molten metal agglomerates between the opposing terminals, a conductive region 110a is formed,
Terminal 11 and terminal 21 are electrically connected. On the other hand, the insulating region 120a is formed by filling the resin composition around the conductive region 110a. Thereby, the insulation between adjacent terminals is ensured and a short circuit between adjacent terminals can be prevented.
なお、加熱工程では、溶融した金属が樹脂中を流動できるように、樹脂組成物の硬化が
完了しないようにパターン化導電接続材料を加熱する。例えば、加熱時間を短くするなど
、加熱時間を調整することによって、半田又は錫が硬化性樹脂中を移動できる範囲、すな
わち「樹脂組成物の硬化が完了しない」ように調整する。
In the heating step, the patterned conductive connection material is heated so that the cured resin composition does not complete so that the molten metal can flow in the resin. For example, by adjusting the heating time, for example, by shortening the heating time, adjustment is made so that the solder or tin can move in the curable resin, that is, “the curing of the resin composition is not completed”.
加熱温度は、使用する金属箔及び樹脂組成物の組成などによって適宜選択することがで
きるが、100℃以上が好ましく、130℃以上がより好ましく、140℃以上が特に好
ましく、150℃以上が最も好ましい。接続しようとする基板などの熱劣化を防止するた
めには、加熱温度は260℃以下が好ましく、250℃以下がより好ましく、240℃以
下が特に好ましい。
The heating temperature can be appropriately selected depending on the metal foil used and the composition of the resin composition, but is preferably 100 ° C or higher, more preferably 130 ° C or higher, particularly preferably 140 ° C or higher, and most preferably 150 ° C or higher. . In order to prevent thermal degradation of the substrate or the like to be connected, the heating temperature is preferably 260 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and particularly preferably 240 ° C. or lower.
加熱工程において、対向する端子間の距離を近づけるように加圧して加熱してもよい。
例えば、基板10及び20が対向する方向に公知の熱圧着装置などの手段を用いて加熱及
び加圧することにより、対向する各端子間の距離を一定に制御することができ、対向する
端子間の電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。さらに、加圧又は加熱する際に
超音波や電場などを加えたり、レーザーや電磁誘導などの特殊加熱を適用したりしてもよ
い。
In the heating step, heating may be performed by applying pressure so as to reduce the distance between the opposing terminals.
For example, the distance between the terminals facing each other can be controlled to be constant by heating and pressurizing the substrate 10 and 20 in a direction facing the substrates using means such as a known thermocompression bonding apparatus. It is possible to improve electrical connection reliability. Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.
(3)硬化工程
硬化工程では、樹脂組成物を硬化させることにより、加熱工程で形成された絶縁性領域
120aを固定する。このように絶縁性領域を固定することで、その絶縁性領域に周囲を
囲まれた導通性領域110aをも固定することができ、対向する端子間の電気的接続の熱
安定性が確保される。
(3) Curing step In the curing step, the insulating region 120a formed in the heating step is fixed by curing the resin composition. By fixing the insulating region in this way, the conductive region 110a surrounded by the insulating region can be fixed, and the thermal stability of the electrical connection between the opposing terminals is ensured. .
本発明では、金属箔の融点未満の温度で樹脂組成物を硬化させることが好ましい。そう
することによって、加熱工程で形成された導通性領域が大きく変形することを抑制し、端
子間の接続信頼性を高めることができる。
In the present invention, it is preferable to cure the resin composition at a temperature lower than the melting point of the metal foil. By doing so, it can suppress that the electroconductive area | region formed at the heating process deform | transforms largely, and can improve the connection reliability between terminals.
樹脂組成物の硬化は、導電接続材料を加熱することなどによって実施することができる
。導電接続材料の硬化温度は、樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができるが、
前記加熱工程での加熱温度より少なくとも5℃低い温度であることが好ましく、少なくと
も10℃低い温度であることが特に好ましい。具体的には、100℃以上であることが好
ましく、120℃以上であることがより好ましく、130℃以上であることが特に好まし
く、150℃以上であることが最も好ましい。また、300℃以下であることが好ましく
、260℃以下であることがより好ましく、250℃以下であることが特に好ましく、2
40℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続材料が
熱分解せず、樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
Curing of the resin composition can be performed by heating the conductive connecting material. The curing temperature of the conductive connecting material can be appropriately set according to the composition of the resin composition,
The temperature is preferably at least 5 ° C lower than the heating temperature in the heating step, and particularly preferably at least 10 ° C lower. Specifically, it is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, particularly preferably 130 ° C. or higher, and most preferably 150 ° C. or higher. Moreover, it is preferable that it is 300 degrees C or less, It is more preferable that it is 260 degrees C or less, It is especially preferable that it is 250 degrees C or less, 2
Most preferably, it is 40 degrees C or less. When the curing temperature is within the above range, the conductive connecting material is not thermally decomposed, and the resin composition can be sufficiently cured.
(B)第2実施態様
次に、本発明の第2実施態様について説明する。
本発明の第2実施態様では、一方の端子配列面上で金属箔を分断してパターン化導電接
続材料を作製する。図3は、第2実施態様を説明するための概略工程図である。以下、図
3を参照しながら各工程について説明する。
(B) Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the second embodiment of the present invention, the patterned conductive connecting material is produced by dividing the metal foil on one terminal arrangement surface. FIG. 3 is a schematic process diagram for explaining the second embodiment. Hereinafter, each step will be described with reference to FIG.
(1)配置工程
配置工程では、樹脂組成物層120と半田箔又は錫箔からなる金属箔層130とを含む
導電接続材料200を一方の端子配列面上に配置した後、半田箔又は錫箔を分断して金属
箔パターン層110を形成し、金属箔パターン層110上に他方の端子配列面を重ね合わ
せることにより、パターン化導電接続材料100を対向する端子間に配置する。なお、導
電接続材料200は、金属箔パターン層110に代えて金属箔層130を有することを除
いて、パターン化導電接続材料と同じ構成を有している。
(1) Arrangement Step In the arrangement step, the conductive connection material 200 including the resin composition layer 120 and the metal foil layer 130 made of solder foil or tin foil is arranged on one terminal arrangement surface, and then the solder foil or tin foil is divided. Then, the metal foil pattern layer 110 is formed, and the other terminal array surface is overlaid on the metal foil pattern layer 110, whereby the patterned conductive connection material 100 is disposed between the opposing terminals. The conductive connecting material 200 has the same configuration as that of the patterned conductive connecting material except that the conductive connecting material 200 has a metal foil layer 130 instead of the metal foil pattern layer 110.
図3(a)に示すように、まず、樹脂組成物層120と半田箔又は錫箔からなる金属箔
層130とを含む導電接続材料200を対向する端子間の一方の端子11が配列した基板
10上に配置する。このとき、導電接続材料200は、ロールラミネータ又はプレス等の
装置を使用して、予め基板10に熱圧着されていてもよい。また、前記端子11の表面に
は、必要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化などの処理が施されていてもよい。
As shown in FIG. 3A, first, a substrate 10 in which one terminal 11 between terminals facing a conductive connecting material 200 including a resin composition layer 120 and a metal foil layer 130 made of solder foil or tin foil is arranged. Place on top. At this time, the conductive connection material 200 may be thermocompression bonded to the substrate 10 in advance using an apparatus such as a roll laminator or a press. Further, the surface of the terminal 11 may be subjected to treatments such as cleaning, polishing, plating, and surface activation as necessary.
次に、図3(b)に示すように、レーザー照射又は物理的な裁断によって、複数の端子
の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と重なり合うように半田箔又は錫箔をパタ
ーン状に分断して、金属箔パターン層110を形成する。レーザー照射によって金属箔層
130を分断する場合は、例えば、UV−YAGレーザーや炭酸ガスレーザー等のレーザ
ー加工機を用いて、隣接する端子間にレーザーを照射し、金属箔をパターン状に分断する
。物理的な裁断としては、例えば、トムソン刃等を用いた裁断が挙げられる。レーザー照
射は、微細なパターンを形成できるので好ましい。
Next, as shown in FIG. 3B, the solder foil or tin foil is divided into a pattern so as to overlap at least part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals by laser irradiation or physical cutting. Then, the metal foil pattern layer 110 is formed. When the metal foil layer 130 is divided by laser irradiation, for example, a laser processing machine such as a UV-YAG laser or a carbon dioxide gas laser is used to irradiate a laser between adjacent terminals and divide the metal foil into a pattern. . Examples of physical cutting include cutting using a Thomson blade or the like. Laser irradiation is preferable because a fine pattern can be formed.
なお、レーザー照射により、基板の一部が焼けて、回路が損傷する場合がある。しかし
、レーザーの照射条件や樹脂組成物の厚みを調整したり、回路上にレジスト等の保護層を
形成することで、防止することができる。
Note that a part of the substrate may be burned by laser irradiation, and the circuit may be damaged. However, this can be prevented by adjusting the laser irradiation conditions and the thickness of the resin composition, or forming a protective layer such as a resist on the circuit.
上記のようにして金属箔パターン層110を形成した後、図3(c)に示すように、こ
の金属箔パターン層110上に他方の端子21が配列した基板20を端子11と端子21
とが対向するように位置合わせすることにより、パターン化導電接続材料100を対向す
る端子間に配置する。
After forming the metal foil pattern layer 110 as described above, as shown in FIG. 3C, the substrate 20 having the other terminal 21 arranged on the metal foil pattern layer 110 is connected to the terminal 11 and the terminal 21.
The patterned conductive connecting material 100 is disposed between the terminals facing each other by aligning them so as to face each other.
(2)加熱工程
加熱工程では、配置工程において対向する端子間に配置したパターン化導電接続材料1
00を、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔の融点以上で、樹脂組成物層
120を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように加熱する。
第1実施態様と同様、パターン化導電接続材料100を、金属箔パターン層110を構
成する半田箔又は錫箔の融点以上で加熱することで、金属箔パターン層110が溶融し、
溶融した半田又は錫が軟化した樹脂組成物層120中を移動できるようになる。これによ
り、図3(d)に示すように、金属箔パターン層を構成する半田箔又は錫箔が溶融して、
溶融金属が対向する端子間に凝集することにより、導通性領域110aが形成され、端子
11と端子21とが電気的に接続される。他方、導通性領域110aの周囲には樹脂組成
物が充填されて絶縁性領域120aが形成される。これにより、隣接する端子間の絶縁性
が確保され、隣接する端子間のショートを防止することができる。
(2) Heating step In the heating step, the patterned conductive connecting material 1 arranged between the terminals facing each other in the arranging step.
00 is heated above the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 so that the curing of the resin composition constituting the resin composition layer 120 is not completed.
As in the first embodiment, by heating the patterned conductive connecting material 100 at a melting point or higher of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110, the metal foil pattern layer 110 is melted,
The molten solder or tin can move in the softened resin composition layer 120. As a result, as shown in FIG. 3 (d), the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer is melted,
The molten metal agglomerates between the opposing terminals to form a conductive region 110a, and the terminal 11 and the terminal 21 are electrically connected. On the other hand, the insulating region 120a is formed by filling the resin composition around the conductive region 110a. Thereby, the insulation between adjacent terminals is ensured and a short circuit between adjacent terminals can be prevented.
加熱工程における加熱条件及び好ましい態様は、第1実施態様と同様であり、第1実施
態様と同様に実施することができる。
The heating conditions and preferred embodiments in the heating step are the same as those in the first embodiment, and can be carried out in the same manner as in the first embodiment.
(3)硬化工程
硬化工程では、樹脂組成物を硬化させることにより、加熱工程で形成された絶縁性領域
120aを固定する。このように絶縁性領域を固定することで、その絶縁性領域に周囲を
囲まれた導通性領域110aをも固定することができ、対向する端子間の電気的接続の熱
安定性が確保される。
(3) Curing step In the curing step, the insulating region 120a formed in the heating step is fixed by curing the resin composition. By fixing the insulating region in this way, the conductive region 110a surrounded by the insulating region can be fixed, and the thermal stability of the electrical connection between the opposing terminals is ensured. .
硬化工程における硬化条件及び好ましい態様は、第1実施態様と同様であり、第1実施
態様と同様に実施することができる。
The curing conditions and preferred embodiments in the curing step are the same as those in the first embodiment, and can be carried out in the same manner as in the first embodiment.
上記のようにして、対向する端子間を接続することができる。なお、第1実施態様及び
第2実施態様を分けて説明したが、これらを組み合わせることもできる。例えば、配置工
程において、予めパターンが形成された金属箔を含む導電接続材料を一方の端子配列面上
に配置し、さらに分断して細かいパターンを形成してもよい。また、パターン化導電接続
材料を一方の端子配列面上に配置し、パターン化されていない導電接続材料をもう一方の
端子配列面上に配置してもよい。
As described above, the terminals facing each other can be connected. In addition, although the 1st embodiment and the 2nd embodiment were demonstrated separately, these can also be combined. For example, in the arranging step, a conductive connecting material including a metal foil on which a pattern is formed in advance may be arranged on one terminal arrangement surface and further divided to form a fine pattern. Alternatively, the patterned conductive connection material may be arranged on one terminal arrangement surface, and the non-patterned conductive connection material may be arranged on the other terminal arrangement surface.
本発明の接続方法は、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板、フレキシ
ブル基板、その他の電気、電子部品に形成されている端子同士を接続する際などに有用で
ある。
The connection method of the present invention is useful, for example, when connecting terminals formed on a semiconductor wafer, a semiconductor chip, a rigid substrate, a flexible substrate, and other electrical and electronic components.
2.接続端子の製造方法
次に、本発明の接続端子の製造方法について説明する。
本発明の接続端子の製造方法は、 樹脂組成物層と、複数の電極の各端面が形成するパ
ターンの少なくとも一部と同じパターンを有するように半田箔又は錫箔が配列されてなる
金属箔パターン層とを含むパターン化導電接続材料を用いて接続端子を製造する方法であ
って、前記複数の電極の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と前記金属箔パター
ン層が有するパターンとが重なり合うように、前記パターン化導電接続材料を電子部材の
電極上に配置する配置工程と、前記金属箔パターン層を構成する半田箔又は錫箔の融点以
上の温度で、前記樹脂組成物層を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように前記パタ
ーン化導電接続材料を加熱する加熱工程とを含む。
2. Next, a method for manufacturing a connection terminal according to the present invention will be described.
The method for producing a connection terminal of the present invention includes: a resin composition layer; and a metal foil pattern layer in which solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of a pattern formed by each end face of a plurality of electrodes The connection terminal is manufactured using a patterned conductive connection material including: at least a part of a pattern formed by each end face of the plurality of electrodes and a pattern of the metal foil pattern layer overlapping each other. The resin composition that constitutes the resin composition layer at an arrangement step of disposing the patterned conductive connecting material on the electrode of the electronic member and a temperature equal to or higher than the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer Heating the patterned conductive connecting material so that the curing of is not completed.
本発明の製造方法では、導電接続材料に含まれる金属成分を金属箔の形態で用いるもの
であるので、金属箔を加熱溶融したときに溶融金属が凝集しやすく、より確実に接続端子
を製造することができる。また、樹脂中に金属が残存し難く、得られた接続端子を用いて
端子間を接続する場合にリーク電流の発生を抑制することができる。
In the manufacturing method of the present invention, the metal component contained in the conductive connection material is used in the form of a metal foil. Therefore, when the metal foil is heated and melted, the molten metal easily aggregates, and the connection terminal is more reliably manufactured. be able to. Further, it is difficult for the metal to remain in the resin, and the leakage current can be suppressed when the terminals are connected using the obtained connection terminals.
また、本発明においては、複数の電極の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と
同じパターンを有するように金属箔が分断されているので、溶融金属の濡れ性によって一
部の電極表面にのみ溶融金属が集中することを回避することができる。さらには、複数の
電極の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と金属箔パターン層が有するパターン
とが重なり合うように配置されているので、各電極表面に均等に、或いは、電極表面積に
応じた必要量の溶融金属が分配され、より確実に接続端子を製造することができる。本発
明の好ましい態様によれば、接続端子のサイズの大小によらず、簡便な方法で接続端子を
一括で製造することができる。また、本発明の好ましい態様によれば、金属箔が分断され
ているので、導電接続材料を長期間保存した場合等に樹脂組成物中に吸湿された水分の放
出経路を確保することができ、硬化樹脂中のボイド形成を抑制することができる。
Further, in the present invention, the metal foil is divided so as to have the same pattern as at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of electrodes. Concentration of the molten metal can be avoided. Furthermore, since it arrange | positions so that the pattern which at least one part of each end surface of several electrodes forms and the pattern which a metal foil pattern layer has may overlap, according to each electrode surface equally or according to the electrode surface area The required amount of molten metal is distributed, and the connection terminal can be manufactured more reliably. According to a preferred aspect of the present invention, the connection terminals can be manufactured collectively by a simple method regardless of the size of the connection terminals. Further, according to a preferred aspect of the present invention, since the metal foil is divided, it is possible to secure a release route for moisture absorbed in the resin composition when the conductive connection material is stored for a long period of time, Void formation in the cured resin can be suppressed.
本発明の接続端子の製造方法において、パターン化導電接続材料は、複数の電極の各端
面が形成するパターンの少なくとも一部と同じパターンを有するように半田箔又は錫箔が
配列されてなることを除いて、本発明の接続方法で説明したものと同じものを用いること
ができる。
In the method for manufacturing a connection terminal of the present invention, the patterned conductive connection material is such that solder foil or tin foil is arranged so as to have the same pattern as at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of electrodes. Thus, the same one as described in the connection method of the present invention can be used.
例えば、本発明の一実施態様において、電極が被着体の接続面の周辺部に配置されるよ
うなペリフェラル型の被着体を接続する場合、隣接する電極間に金属を残存させないとい
う観点から、ペリフェラル型に金属箔パターン層を形成することが好ましい。また、フル
グリッド型の被着体を接続する場合も、端子の位置に合わせて半田箔又は錫箔が配置され
るように金属箔パターン層を形成することが好ましい。
For example, in one embodiment of the present invention, when a peripheral type adherend is connected such that the electrode is disposed in the periphery of the connection surface of the adherend, from the viewpoint of not leaving metal between adjacent electrodes. The metal foil pattern layer is preferably formed in a peripheral type. Moreover, when connecting a full grid type adherend, it is preferable to form the metal foil pattern layer so that the solder foil or the tin foil is arranged in accordance with the position of the terminal.
本発明において、複数の電極の各端面が形成するパターンと、金属箔パターン層が有す
るパターンとが一致する面積の占有率は、複数の電極の各端面が形成するパターンの合計
面積に対して10%以上が好ましく、20%以上がより好ましく、30%以上がさらに好
ましく、完全に両パターンが一致していることが特に好ましい。
また、全電極数(x)に対するパターン状に分断された半田箔又は錫箔の個数(y)の
比(y/x)は、0.5以上が好ましく、0.6以上がより好ましく、0.7以上がさら
に好ましく、1が特に好ましい。
In the present invention, the occupation ratio of the area formed by matching the pattern formed by each end face of the plurality of electrodes and the pattern of the metal foil pattern layer is 10 with respect to the total area of the pattern formed by each end face of the plurality of electrodes. % Or more is preferable, 20% or more is more preferable, 30% or more is more preferable, and it is particularly preferable that the two patterns are completely matched.
Further, the ratio (y / x) of the number (y) of solder foils or tin foils divided into a pattern with respect to the total number of electrodes (x) is preferably 0.5 or more, more preferably 0.6 or more, and 7 or more are more preferable, and 1 is particularly preferable.
パターン化導電接続材料は、電子部材の電極上に配置する前に予め作製されたものでも
よいし、樹脂組成物層と半田箔又は錫箔からなる金属箔層とを含む導電接続材料を電子部
材の電極上に配置した後、レーザー処理又は物理的裁断等によって金属箔層をパターン状
に分断することにより作製したものでもよい。
The patterned conductive connecting material may be prepared in advance before being placed on the electrode of the electronic member, or the conductive connecting material including the resin composition layer and the metal foil layer made of solder foil or tin foil may be used as the electronic member. It may be produced by dividing the metal foil layer into a pattern by laser treatment or physical cutting after being disposed on the electrode.
以下、本発明の接続端子の製造方法の各工程について図面を参照しながら説明する。図
4は、本発明の接続端子の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。図4に示
されるように、本発明の接続端子の製造方法においては、電子部材の基板30上に設けら
れた電極31が配列した面上に、樹脂組成物層120及び金属箔パターン層110を含む
パターン化導電接続材料100を配置する。これを加熱することによって接続端子を製造
する。なお、図4では、説明のために金属箔パターン層を図示したが、金属箔パターン層
は表面に露出している必要はなく、樹脂組成物層120に挟まれていてもよいし、電極3
1に対向して配置されていてもよい。
Hereinafter, each process of the manufacturing method of the connection terminal of this invention is demonstrated, referring drawings. FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining an example of the manufacturing method of the connection terminal of the present invention. As shown in FIG. 4, in the manufacturing method of the connection terminal of the present invention, the resin composition layer 120 and the metal foil pattern layer 110 are formed on the surface on which the electrodes 31 provided on the substrate 30 of the electronic member are arranged. A patterned conductive connecting material 100 is disposed. A connection terminal is manufactured by heating this. In FIG. 4, the metal foil pattern layer is illustrated for explanation, but the metal foil pattern layer does not have to be exposed on the surface, and may be sandwiched between the resin composition layers 120 or the electrode 3.
1 may be disposed opposite to the main body 1.
本発明の接続端子の製造方法では、パターン化導電接続材料を予め作製してから電子部
材の電極上に配置してもよいし、電極配列面上で金属箔を分断してパターン化導電接続材
料を作製してもよい。前者の場合を第3実施態様とし、後者の場合を第4実施態様とし、
それぞれの態様について説明する。
In the manufacturing method of the connection terminal of the present invention, the patterned conductive connection material may be prepared in advance and then disposed on the electrode of the electronic member, or the metal foil may be divided on the electrode arrangement surface to form the patterned conductive connection material. May be produced. The former case is the third embodiment, the latter case is the fourth embodiment,
Each aspect will be described.
(C)第3実施態様
本発明の第3実施態様では、予め作製したパターン化導電接続材料を用いて接続端子を
製造する。図5は、第3実施態様を説明するための概略工程図である。以下、図5を参照
しながら各工程について説明する。
(C) Third Embodiment In the third embodiment of the present invention, a connection terminal is manufactured using a patterned conductive connection material prepared in advance. FIG. 5 is a schematic process diagram for explaining the third embodiment. Hereinafter, each step will be described with reference to FIG.
(1)配置工程
配置工程では、複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と、金属箔パ
ターン層が有するパターンとが重なり合うように、パターン化導電接続材料を電子部材の
電極上に配置する。図5(a)に示すように、端子31が設けられた基板30上に、予め
作製された金属箔パターン層110と樹脂組成物層120とを含むパターン化導電接続材
料100を複数の端子の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と、金属箔パターン
層110が有するパターンとが重なり合うように位置合わせして配置する。図示したとお
り、金属箔パターン層110の金属箔間の空隙には樹脂組成物が充填されていてもよい。
例えば、フリップチップボンダー等を用いて、複数の端子の各端面が形成するパターン
の少なくとも一部と、金属箔パターン層が有するパターンとが重なり合うように位置合わ
せすることができる。
(1) Arrangement Step In the arrangement step, the patterned conductive connection material is placed on the electrode of the electronic member so that at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals overlaps the pattern of the metal foil pattern layer. Deploy. As shown in FIG. 5 (a), a patterned conductive connecting material 100 including a metal foil pattern layer 110 and a resin composition layer 120 prepared in advance on a substrate 30 provided with terminals 31 is connected to a plurality of terminals. At least a part of the pattern formed by each end face and the pattern of the metal foil pattern layer 110 are aligned and arranged so as to overlap each other. As illustrated, the resin composition may be filled in the gaps between the metal foils of the metal foil pattern layer 110.
For example, using a flip chip bonder or the like, alignment can be performed so that at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals overlaps the pattern of the metal foil pattern layer.
電極31の表面には、電気的な接続を良好にするために、必要により、洗浄、研磨、め
っき及び表面活性化などの処理が施されていてもよい。
The surface of the electrode 31 may be subjected to treatments such as cleaning, polishing, plating, and surface activation as necessary in order to improve electrical connection.
(2)加熱工程
次に、加熱工程において、電子部材の電極31上に配置したパターン化導電接続材料1
00を、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔の融点以上で、樹脂組成物層
120を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように加熱する。
(2) Heating process Next, in the heating process, the patterned conductive connecting material 1 disposed on the electrode 31 of the electronic member.
00 is heated above the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 so that the curing of the resin composition constituting the resin composition layer 120 is not completed.
パターン化導電接続材料100を、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔
の融点以上で加熱することで、金属箔パターン層110が溶融し、溶融した半田又は錫が
軟化した樹脂組成物層120中を移動できるようになる。
By heating the patterned conductive connecting material 100 at a melting point or higher of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110, the metal foil pattern layer 110 is melted, and the molten solder or tin is softened. You can move through 120.
本発明の好ましい態様において、樹脂組成物120がフラックス機能を有する化合物を
含む場合、加熱によって該化合物が活性化し、金属箔及び端子の表面酸化膜を除去するこ
とができるので、溶融金属同士の金属結合による凝集及び溶融金属と電極との金属結合に
よる電気的接続がさらに促進される。
In a preferred embodiment of the present invention, when the resin composition 120 includes a compound having a flux function, the compound is activated by heating, and the surface oxide film of the metal foil and the terminal can be removed. Aggregation due to bonding and electrical connection due to metal bonding between the molten metal and the electrode are further promoted.
なお、図5(b)に示すように、予め金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫
箔の融点未満の温度で加熱して樹脂組成物層120を軟化させてもよい。半田箔又は錫箔
の融点未満の温度で加熱することにより、溶融した半田箔又は錫箔が樹脂組成物間を移動
する距離を短縮することができ、接続端子をより確実に製造することができる。
In addition, as shown in FIG.5 (b), you may soften the resin composition layer 120 by heating at the temperature below melting | fusing point of the solder foil or tin foil which comprises the metal foil pattern layer 110 previously. By heating at a temperature lower than the melting point of the solder foil or tin foil, the distance that the molten solder foil or tin foil moves between the resin compositions can be shortened, and the connection terminal can be more reliably manufactured.
加熱工程では、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔の融点以上に加熱さ
れるので、図5(c)に示すように、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔
が溶融し、溶融金属が電極上に凝集することにより、接続端子140が形成される。他方
、接続端子140の周囲には樹脂組成物が充填されて絶縁性領域120aが形成される。
これにより、他の電子部材の端子と接続した際に隣接する端子間の絶縁性が確保され、隣
接する接続端子間のショートを防止することができる。
In the heating step, the metal foil pattern layer 110 is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder foil or tin foil, so that the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 is melted as shown in FIG. The connection terminal 140 is formed by agglomeration of the molten metal on the electrode. On the other hand, the resin region is filled around the connection terminal 140 to form the insulating region 120a.
Thereby, when connecting with the terminal of another electronic member, the insulation between adjacent terminals is ensured, and the short circuit between adjacent connection terminals can be prevented.
なお、加熱工程では、溶融した金属が樹脂中を流動できるように、樹脂組成物の硬化が
完了しないようにパターン化導電接続材料100を加熱する。例えば、加熱時間を短くす
るなど、加熱時間を調整することによって、半田又は錫が硬化性樹脂中を移動できる範囲
、すなわち「樹脂組成物の硬化が完了しない」ように調整する。
In the heating process, the patterned conductive connecting material 100 is heated so that the cured resin composition does not complete so that the molten metal can flow in the resin. For example, by adjusting the heating time, for example, by shortening the heating time, adjustment is made so that the solder or tin can move in the curable resin, that is, “the curing of the resin composition is not completed”.
加熱温度は、使用する金属箔及び樹脂組成物の組成などによって適宜選択することがで
きるが、100℃以上が好ましく、130℃以上がより好ましく、140℃以上が特に好
ましく、150℃以上が最も好ましい。接続しようとする基板などの熱劣化を防止するた
めには、加熱温度は260℃以下が好ましく、250℃以下がより好ましく、240℃以
下が特に好ましい。
The heating temperature can be appropriately selected depending on the metal foil used and the composition of the resin composition, but is preferably 100 ° C or higher, more preferably 130 ° C or higher, particularly preferably 140 ° C or higher, and most preferably 150 ° C or higher. . In order to prevent thermal degradation of the substrate or the like to be connected, the heating temperature is preferably 260 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and particularly preferably 240 ° C. or lower.
(D)第4実施態様
次に、本発明の第4実施態様について説明する。
本発明の第4実施態様では、電子部材の電極上で金属箔を分断してパターン化導電接続
材料を作製する。図6は、第4実施態様を説明するための概略工程図である。以下、図6
を参照しながら各工程について説明する。
(D) Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
In the fourth embodiment of the present invention, the patterned conductive connecting material is produced by dividing the metal foil on the electrode of the electronic member. FIG. 6 is a schematic process diagram for explaining the fourth embodiment. Hereinafter, FIG.
Each process will be described with reference to FIG.
(1)配置工程
配置工程では、樹脂組成物層120と半田箔又は錫箔からなる金属箔層130とを含む
導電接続材料200を電子部材の電極31が配列した基板30上に配置した後、半田箔又
は錫箔を分断して金属箔パターン層110を形成し、複数の電極の各端面が形成するパタ
ーンの少なくとも一部と、金属箔パターン層110が有するパターンとが重なり合うよう
に位置合わせして配置する。なお、導電接続材料200は、金属箔パターン層110に代
えて金属箔層を有することを除いて、パターン化導電接続材料100と同じ構成を有して
いる。
(1) Arrangement Step In the arrangement step, the conductive connection material 200 including the resin composition layer 120 and the metal foil layer 130 made of solder foil or tin foil is arranged on the substrate 30 on which the electrodes 31 of the electronic members are arranged, and then soldered. The metal foil pattern layer 110 is formed by dividing the foil or the tin foil, and at least a part of the pattern formed by each end face of the plurality of electrodes and the pattern of the metal foil pattern layer 110 are aligned and arranged. To do. The conductive connecting material 200 has the same configuration as the patterned conductive connecting material 100 except that the metal connecting layer 100 has a metal foil layer instead of the metal foil pattern layer 110.
図6(a)に示すように、まず、樹脂組成物層120と半田箔又は錫箔からなる金属箔
層130とを含む導電接続材料200を電子部材の電極31が配列した基板30上に配置
する。
As shown in FIG. 6A, first, a conductive connecting material 200 including a resin composition layer 120 and a metal foil layer 130 made of solder foil or tin foil is placed on a substrate 30 on which electrodes 31 of electronic members are arranged. .
導電接続材料200は、図6(b)に示すように、ロールラミネータ又はプレス等の装
置を使用して、予め基板30に熱圧着されていてもよい。また、電極31の表面には、必
要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化などの処理が施されていてもよい。
As shown in FIG. 6B, the conductive connection material 200 may be preliminarily thermocompression bonded to the substrate 30 using an apparatus such as a roll laminator or a press. Further, the surface of the electrode 31 may be subjected to treatments such as cleaning, polishing, plating, and surface activation as necessary.
次に、図6(c)に示すように、レーザー照射又は物理的な裁断によって、複数の端子
の各端面が形成するパターンの少なくとも一部と重なり合うように半田箔又は錫箔をパタ
ーン状に分断して、金属箔パターン層110を形成する。レーザー照射によって金属箔層
130を分断する場合は、例えば、UV−YAGレーザーや炭酸ガスレーザー等のレーザ
ー加工機を用いて、隣接する端子間にレーザーを照射し、金属箔をパターン状に分断する
。物理的な裁断としては、例えば、トムソン刃等を用いた裁断が挙げられる。レーザー照
射は、微細なパターンを形成できるので好ましい。このようにして、パターン化導電接続
材料100を電子部材の電極31が配列した基板30上に配置することができる。
Next, as shown in FIG. 6C, the solder foil or the tin foil is divided into a pattern so as to overlap at least part of the pattern formed by each end face of the plurality of terminals by laser irradiation or physical cutting. Then, the metal foil pattern layer 110 is formed. When the metal foil layer 130 is divided by laser irradiation, for example, a laser processing machine such as a UV-YAG laser or a carbon dioxide gas laser is used to irradiate a laser between adjacent terminals and divide the metal foil into a pattern. . Examples of physical cutting include cutting using a Thomson blade or the like. Laser irradiation is preferable because a fine pattern can be formed. In this way, the patterned conductive connecting material 100 can be disposed on the substrate 30 on which the electrodes 31 of the electronic member are arranged.
なお、レーザー照射により、基板の一部が焼けて、回路が損傷する場合がある。しかし
、レーザーの照射条件や樹脂組成物の厚みを調整したり、回路上にレジスト等の保護層を
形成することで、防止することができる。
Note that a part of the substrate may be burned by laser irradiation, and the circuit may be damaged. However, this can be prevented by adjusting the laser irradiation conditions and the thickness of the resin composition, or forming a protective layer such as a resist on the circuit.
(2)加熱工程
次に、加熱工程では、配置工程において基板30上に配置したパターン化導電接続材料
100を、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔の融点以上で、樹脂組成物
層120を構成する樹脂組成物の硬化が完了しないように加熱する。
(2) Heating process Next, in the heating process, the patterned conductive connecting material 100 disposed on the substrate 30 in the placing process is not less than the melting point of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 and the resin composition layer. It heats so that hardening of the resin composition which comprises 120 may not be completed.
第3実施態様と同様、パターン化導電接続材料100を、金属箔パターン層110を構
成する半田箔又は錫箔の融点以上で加熱することで、金属箔パターン層110が溶融し、
溶融した半田又は錫が軟化した樹脂組成物層120中を移動できるようになる。これによ
り、図6(d)に示すように、金属箔パターン層110を構成する半田箔又は錫箔が溶融
し、溶融金属が電極上に凝集することにより、接続端子140が形成される。他方、接続
端子140の周囲には樹脂組成物が充填されて絶縁性領域120aが形成される。これに
より、他の電子部材の端子と接続した際に隣接する端子間の絶縁性が確保され、隣接する
端子間のショートを防止することができる。
As in the third embodiment, by heating the patterned conductive connection material 100 at a melting point or higher of the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110, the metal foil pattern layer 110 is melted,
The molten solder or tin can move in the softened resin composition layer 120. As a result, as shown in FIG. 6D, the solder foil or tin foil constituting the metal foil pattern layer 110 is melted, and the molten metal aggregates on the electrode, whereby the connection terminal 140 is formed. On the other hand, the resin region is filled around the connection terminal 140 to form the insulating region 120a. Thereby, when connecting with the terminal of another electronic member, the insulation between adjacent terminals is ensured, and the short circuit between adjacent terminals can be prevented.
加熱工程における加熱条件及び好ましい態様は、第3実施態様と同様であり、第3実施
態様と同様に実施することができる。
The heating conditions and preferred aspects in the heating step are the same as in the third embodiment, and can be implemented in the same manner as in the third embodiment.
上記のようにして接続端子を製造することができる。なお、第3実施態様及び第4実施
態様を分けて説明したが、これらを組み合わせることもできる。例えば、配置工程におい
て、予めパターンが形成された金属箔を含む導電接続材料を電子部材の電極上に配置し、
さらに分断して細かいパターンを形成してもよい。
The connection terminal can be manufactured as described above. In addition, although 3rd embodiment and 4th embodiment were demonstrated separately, these can also be combined. For example, in the arranging step, a conductive connecting material including a metal foil having a pattern formed thereon is arranged on the electrode of the electronic member,
It may be further divided to form a fine pattern.
本発明で得られた接続端子を用いて他の電子部材の電極と接続端子を対向させ、接続端
子を構成する半田又は錫の融点以上で加熱し、硬化させることで、電子部材同士を電気的
に接続することができる。本発明の接続端子の製造方法は、例えば、半導体ウエハ、半導
体チップ、リジッド基板、フレキシブル基板、その他の電気、電子部品の電極上に接続端
子を製造する際に有用である。
By using the connection terminals obtained in the present invention, the electrodes of the other electronic members and the connection terminals are opposed to each other, and the electronic members are electrically connected to each other by being heated and cured at a melting point of solder or tin constituting the connection terminals. Can be connected to. The method for manufacturing a connection terminal according to the present invention is useful, for example, when manufacturing a connection terminal on an electrode of a semiconductor wafer, a semiconductor chip, a rigid substrate, a flexible substrate, or other electrical and electronic components.
3.パターン化導電接続材料
本発明の接続方法及び接続端子の製造方法に用いられるパターン化導電接続材料につい
て、以下に説明する。
3. Patterned Conductive Connection Material The patterned conductive connection material used in the connection method and connection terminal manufacturing method of the present invention will be described below.
(1)樹脂組成物
本発明に用いられるパターン化導電接続材料の樹脂組成物層を構成する樹脂組成物は、
加熱または化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物が好ましい。中でも、
硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れるという点で、熱硬化性樹脂組成物が好ま
しい。
(1) Resin composition The resin composition constituting the resin composition layer of the patterned conductive connecting material used in the present invention is:
A curable resin composition that is cured by heating or irradiation with actinic radiation is preferred. Above all,
A thermosetting resin composition is preferred in that it is excellent in mechanical properties such as linear expansion coefficient and elastic modulus after curing.
本発明に用いられる樹脂組成物は、室温で液状又は固形状のいずれの形態であってもよ
い。ここで「室温で液状」とは、室温(25℃)で一定の形態を持たない状態を意味する
。ペースト状も液状に含まれる。
The resin composition used in the present invention may be in a liquid or solid form at room temperature. Here, “liquid state at room temperature” means a state having no fixed form at room temperature (25 ° C.). Paste forms are also included in liquid form.
本発明で用いられる樹脂組成物には、硬化性樹脂のほか、必要に応じて、フィルム形成
性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、フラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤な
どが含まれる。以下、各成分について説明する。
In addition to the curable resin, the resin composition used in the present invention includes a film-forming resin, a curing agent, a curing accelerator, a compound having a flux function, a silane coupling agent, and the like as necessary. Hereinafter, each component will be described.
(i)硬化性樹脂
本発明で用いられる硬化性樹脂は、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用で
きるものであれば特に限定されない。例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコー
ン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、ポリエステル樹
脂(不飽和ポリエステル樹脂)、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド
樹脂(ポリイミド前駆体樹脂)、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。特
に、エポキシ樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂から
なる群より選ばれる少なくとも1種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも
、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ
樹脂を用いることが好ましい。これらの硬化性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併
用してもよい。
(I) Curable resin The curable resin used by this invention will not be specifically limited if normally used as an adhesive agent component for semiconductor device manufacture. For example, epoxy resin, phenoxy resin, silicone resin, oxetane resin, phenol resin, (meth) acrylate resin, polyester resin (unsaturated polyester resin), diallyl phthalate resin, maleimide resin, polyimide resin (polyimide precursor resin), bismaleimide -Triazine resin etc. are mentioned. In particular, the use of a thermosetting resin containing at least one selected from the group consisting of epoxy resins, (meth) acrylate resins, phenoxy resins, polyester resins, polyimide resins, silicone resins, maleimide resins, and bismaleimide-triazine resins. preferable. Especially, it is preferable to use an epoxy resin from a viewpoint that it is excellent in sclerosis | hardenability and preservability, the heat resistance of a hardened | cured material, moisture resistance, and chemical resistance. These curable resins may be used alone or in combination of two or more.
硬化性樹脂の含有量は樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
例えば、樹脂組成物が液状の場合、硬化性樹脂の含有量は、樹脂組成物の全重量に対し
て、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上がさら
に好ましく、25重量%以上がさらにより好ましく、30重量%以上がなお好ましく、3
5重量%以上が特に好ましい。また、100重量%未満が好ましく、95重量%以下がよ
り好ましく、90重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、
65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
樹脂組成物が固形状の場合は、硬化性樹脂の含有量は、樹脂組成物の全重量に対して、
5重量%以上が好ましく、10重量%以上がより好ましく、15重量%以上がさらに好ま
しく、20重量%以上が特に好ましい。また、90重量%以下が好ましく、85重量%以
下がより好ましく、80重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ま
しく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
硬化性樹脂の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度
を十分に確保することができる。
Content of curable resin can be suitably set according to the form of a resin composition.
For example, when the resin composition is liquid, the content of the curable resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 15% by weight or more, and still more preferably 20% by weight or more based on the total weight of the resin composition. More preferably 25% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more.
5% by weight or more is particularly preferable. Further, it is preferably less than 100% by weight, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, and even more preferably 75% by weight or less,
It is still more preferably 65% by weight or less, particularly preferably 55% by weight or less.
When the resin composition is solid, the content of the curable resin is based on the total weight of the resin composition.
It is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, further preferably 15% by weight or more, and particularly preferably 20% by weight or more. Moreover, 90 weight% or less is preferable, 85 weight% or less is more preferable, 80 weight% or less is further more preferable, 75 weight% or less is still more preferable, 65 weight% or less is still more preferable, 55 weight% or less is especially preferable.
When the content of the curable resin is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals can be sufficiently secured.
本発明では、室温で液状及び室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂を使用してもよい。
室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用してもよい。樹脂組成
物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、樹脂組成物が
固形状の場合には、液状及び固形状のいずれのエポキシ樹脂を使用してもよいが、固形状
のエポキシ樹脂を使用する場合はフィルム形成性樹脂を適宜併用することが好ましい。
In the present invention, any epoxy resin that is liquid at room temperature and solid at room temperature may be used.
An epoxy resin that is liquid at room temperature and an epoxy resin that is solid at room temperature may be used in combination. When the resin composition is liquid, it is preferable to use a liquid epoxy resin at room temperature, and when the resin composition is solid, any of liquid and solid epoxy resins may be used, When using a solid epoxy resin, it is preferable to use a film-forming resin in combination as appropriate.
室温(25℃)で液状のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールF型エポキシ樹脂などが好ましく挙げられる。ビスフェノールA型エポキシ
樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂とを併用してもよい。
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜300g/eqが好ましく、1
60〜250g/eqがより好ましく、170〜220g/eqが特に好ましい。前記エ
ポキシ当量が上記下限未満になると硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、反りが生じ
ることがある。他方、前記上限を超えると、フィルム形成性樹脂を併用した場合に、フィ
ルム形成性樹脂、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向にある。
Preferred examples of the epoxy resin that is liquid at room temperature (25 ° C.) include bisphenol A type epoxy resins and bisphenol F type epoxy resins. A bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin may be used in combination.
The epoxy equivalent of the liquid epoxy resin at room temperature is preferably 150 to 300 g / eq.
60 to 250 g / eq is more preferable, and 170 to 220 g / eq is particularly preferable. If the epoxy equivalent is less than the above lower limit, the shrinkage of the cured product tends to increase, and warping may occur. On the other hand, when the upper limit is exceeded, when a film-forming resin is used in combination, the reactivity with a film-forming resin, particularly a polyimide resin, tends to decrease.
室温(25℃)で固形状のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂、3官能エポキシ樹脂、4官能エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも
、固形3官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などが好ましい。これ
らのエポキシ樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜3000g/eqが好ましく
、160〜2500g/eqがより好ましく、170〜2000g/eqが特に好ましい
。
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、40〜120℃が好ましく、50〜110℃
がより好ましく、60〜100℃が特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、タ
ック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
Examples of solid epoxy resins at room temperature (25 ° C.) include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, and glycidyl ester type epoxies. Resin, trifunctional epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, etc. are mentioned. Among these, solid trifunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin and the like are preferable. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
The epoxy equivalent of the epoxy resin solid at room temperature is preferably 150 to 3000 g / eq, more preferably 160 to 2500 g / eq, and particularly preferably 170 to 2000 g / eq.
The softening point of a solid epoxy resin at room temperature is preferably 40 to 120 ° C, and 50 to 110 ° C.
Is more preferable, and 60 to 100 ° C. is particularly preferable. When the softening point is within the above range, tackiness can be suppressed and handling can be easily performed.
(ii)フィルム形成性樹脂
固形状の樹脂組成物を使用する場合、前記硬化性樹脂とフィルム形成性樹脂とを併用す
ることが好ましい。本発明で用いられるフィルム形成性樹脂としては、有機溶媒に可溶で
あり、単独で製膜性を有するものであれば特に制限はない。熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹
脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを併用することもできる。具体的
に、フィルム形成性樹脂としては、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエス
テル樹脂(飽和ポリエステル樹脂)、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共
重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、
ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロンなどが挙げられる。中でも、(メタ)
アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂及びポリイミド樹脂が好ましい。フ
ィルム形成性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
(Ii) Film-forming resin When a solid resin composition is used, it is preferable to use the curable resin and the film-forming resin in combination. The film-forming resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is soluble in an organic solvent and has film-forming properties alone. Either a thermoplastic resin or a thermosetting resin can be used, and these can be used in combination. Specifically, as the film-forming resin, (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin (saturated polyester resin), polyurethane resin, polyimide resin, polyamideimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene resin, polypropylene resin,
Styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin,
Examples include butyl rubber, chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polyvinyl acetate, and nylon. Above all, (meta)
Acrylic resins, phenoxy resins, polyester resins and polyimide resins are preferred. A film-forming resin may be used alone or in combination of two or more.
なお、本明細書において、「(メタ)アクリル系樹脂」とは、(メタ)アクリル酸及び
その誘導体の重合体、又は(メタ)アクリル酸及びその誘導体と他の単量体との共重合体
を意味する。「(メタ)アクリル酸」などと表記するときは、「アクリル酸又はメタクリ
ル酸」などを意味する。
In this specification, “(meth) acrylic resin” refers to a polymer of (meth) acrylic acid and its derivatives, or a copolymer of (meth) acrylic acid and its derivatives and other monomers. Means. When expressed as “(meth) acrylic acid” or the like, it means “acrylic acid or methacrylic acid” or the like.
本発明で用いられる(メタ)アクリル系樹脂としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリ
メタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、
ポリアクリル酸−2−エチルヘキシルなどのポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸
メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチルなどのポリメタクリル酸エス
テル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル
酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メ
チル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル
酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリ
ロニトリル−2−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸
ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−2−ヒドロキシエチルメタクリレート−
アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アク
リル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アク
リロニトリル−N,N−ジメチルアクリルアミド共重合体などが挙げられる。中でも、ア
クリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−ア
クリロニトリル−N,N−ジメチルアクリルアミドが好ましい。これらの(メタ)アクリ
ル系樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
Examples of the (meth) acrylic resin used in the present invention include polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate,
Polyacrylates such as 2-ethylhexyl polyacrylate, polymethacrylates such as polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polyacrylamide, butyl acrylate Ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-
Butadiene-styrene copolymer, acrylonitrile-styrene copolymer, methyl methacrylate-styrene copolymer, methyl methacrylate-acrylonitrile copolymer, methyl methacrylate-α-methylstyrene copolymer, butyl acrylate-acrylic acid Ethyl-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate-methacrylic acid copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate-
Acrylic acid copolymer, butyl acrylate-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate copolymer, butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer, ethyl acrylate- Examples include acrylonitrile-N, N-dimethylacrylamide copolymer. Of these, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer and ethyl acrylate-acrylonitrile-N, N-dimethylacrylamide are preferable. These (meth) acrylic resins may be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いられるフェノキシ樹脂の骨格は、特に制限されないが、ビスフェノールA
タイプ、ビスフェノールFタイプ、ビフェニルタイプなどが好ましく挙げられる。
The skeleton of the phenoxy resin used in the present invention is not particularly limited, but bisphenol A
Preferred types include bisphenol F type and biphenyl type.
本発明で用いられるポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂
であれば特に制限されない。例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリア
ミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
The polyimide resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is a resin having an imide bond in a repeating unit. For example, what is obtained by making diamine and acid dianhydride react, heating the obtained polyamic acid, and carrying out dehydration ring closure is mentioned.
前記ジアミンとしては、例えば、3,3'−ジメチル−4,4'ジアミノジフェニル、4
,6−ジメチル−m−フェニレンジアミン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジアミン
などの芳香族ジアミン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)―1,1,3,3―テトラ
メチルジシロキサンなどのシロキサンジアミンが挙げられる。ジアミンは1種単独で用い
ても、2種以上を併用してもよい。
Examples of the diamine include 3,3′-dimethyl-4,4′diaminodiphenyl, 4
, 6-Dimethyl-m-phenylenediamine, aromatic diamine such as 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane And siloxane diamines. A diamine may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
また、前記酸二無水物としては、3,3,4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸、ピ
ロメリット酸二無水物、4,4'−オキシジフタル酸二無水物などが挙げられる。酸二無
水物は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
Examples of the acid dianhydride include 3,3,4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, pyromellitic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, and the like. An acid dianhydride may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
ポリイミド樹脂は、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分と混合す
る際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特
に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ま
しい。
The polyimide resin may be soluble or insoluble in a solvent, but is preferably a solvent-soluble one because it can be easily varnished when mixed with other components and has excellent handleability. In particular, a siloxane-modified polyimide resin is preferably used because it can be dissolved in various organic solvents.
本発明で用いられるフィルム形成性樹脂の重量平均分子量は8,000〜1,000,
000が好ましく、8,500〜950,000がより好ましく、9,000〜900,
000がさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、
製膜性を向上させることが可能で、且つ、硬化前の導電接続材料の流動性を抑制すること
ができる。なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、GPC(ゲル浸透クロマトグ
ラフィー)により測定することができる。
The film-forming resin used in the present invention has a weight average molecular weight of 8,000 to 1,000,
000 is preferred, 8,500 to 950,000 is more preferred, 9,000 to 900,
000 is more preferable. When the weight average molecular weight of the film-forming resin is in the above range,
The film-forming property can be improved, and the fluidity of the conductive connecting material before curing can be suppressed. The weight average molecular weight of the film-forming resin can be measured by GPC (gel permeation chromatography).
本発明においては、このようなフィルム形成性樹脂として市販品を使用することができ
る。さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、フィルム形成性樹脂に、可塑剤、安定剤、
無機フィラー、帯電防止剤、酸化防止剤及び顔料などの各種添加剤を配合したものを使用
してもよい。
In the present invention, commercially available products can be used as such film-forming resins. Furthermore, in a range that does not impair the effect of the present invention, a plasticizer, a stabilizer,
You may use what mix | blended various additives, such as an inorganic filler, an antistatic agent, antioxidant, and a pigment.
本発明に用いられるパターン化導電接続材料において、前記フィルム形成性樹脂の含有
量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
例えば、固形状の樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂の含有量は、樹脂組成物
の全重量に対して、5重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがよ
り好ましく、15重量%以上であることが特に好ましい。また、50重量%以下であるこ
とが好ましく、45重量%以下であることがより好ましく、40重量%以下であることが
特に好ましい。フィルム形成性樹脂の含有量が前記範囲内にあると溶融前の樹脂組成物の
流動性を抑制することができ、パターン化導電接続材料を容易に取り扱うことが可能とな
る。
In the patterned conductive connecting material used in the present invention, the content of the film-forming resin can be appropriately set according to the form of the curable resin composition to be used.
For example, in the case of a solid resin composition, the content of the film-forming resin is preferably 5% by weight or more and preferably 10% by weight or more with respect to the total weight of the resin composition. More preferably, it is particularly preferably 15% by weight or more. Further, it is preferably 50% by weight or less, more preferably 45% by weight or less, and particularly preferably 40% by weight or less. When the content of the film-forming resin is within the above range, the fluidity of the resin composition before melting can be suppressed, and the patterned conductive connecting material can be easily handled.
(iii)硬化剤
本発明で用いられる硬化剤としては、フェノール類、酸無水物及びアミン化合物が好ま
しく挙げられる。硬化剤は、硬化性樹脂の種類などに応じて適宜選択することができる。
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂との良好な反応性
、硬化時の低寸法変化及び硬化後の適切な物性(例えば、耐熱性、耐湿性など)が得られ
る点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂の硬化後の物性が
優れている点で2官能以上のフェノール類がより好ましい。また、このような硬化剤は1
種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
(Iii) Curing Agent Preferred examples of the curing agent used in the present invention include phenols, acid anhydrides, and amine compounds. A hardening | curing agent can be suitably selected according to the kind etc. of curable resin.
For example, when an epoxy resin is used as the curable resin, good reactivity with the epoxy resin, low dimensional change during curing, and appropriate physical properties after curing (for example, heat resistance, moisture resistance, etc.) are obtained. Phenols are preferably used as the curing agent, and bifunctional or higher functional phenols are more preferable in terms of excellent physical properties after curing of the curable resin. Also, such a curing agent is 1
One species may be used alone, or two or more species may be used in combination.
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールA、
ジアリルビスフェノールA、ビフェノール、ビスフェノールF、ジアリルビスフェノール
F、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂などが挙げられる。中でも、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化
後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂が好
ましい。
Examples of phenols include bisphenol A, tetramethylbisphenol A,
Examples include diallyl bisphenol A, biphenol, bisphenol F, diallyl bisphenol F, trisphenol, tetrakisphenol, phenol novolac resin, and cresol novolac resin. Of these, phenol novolac resins and cresol novolac resins are preferable because they have good reactivity with epoxy resins and excellent physical properties after curing.
硬化剤の含有量は、使用する硬化性樹脂や硬化剤の種類及び後述するフラックス機能を
有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量に
よって適宜選択することができる。
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は樹脂組成物の
全重量に対して、0.1〜50重量%が好ましく、0.2〜40重量%がより好ましく、
0.5〜30重量%が特に好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気
的接続の信頼性及び機械的強度を十分に確保することができる。
When the content of the curing agent has a functional group that functions as a curing agent when the compound having a flux function described below and the type of the curable resin or the curing agent to be used have a functional group, the content should be selected as appropriate. Can do.
For example, when an epoxy resin is used as the curable resin, the content of the curing agent is preferably 0.1 to 50% by weight, more preferably 0.2 to 40% by weight, based on the total weight of the resin composition,
0.5 to 30% by weight is particularly preferred. When the content of the curing agent is within the above range, the reliability of the electrical connection between the terminals and the mechanical strength can be sufficiently ensured.
(iv)硬化促進剤
本発明で用いられる硬化促進剤としては、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2
−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾ
ール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル
−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−
2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾ
ール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシ
ルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリ
メリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s
−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−ウンデシルイミダゾリル(1')]−エチ
ル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチル−4−メチルイミダゾリル
(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリ
ル(1')]−エチル−s−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾ
ールのイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−フ
ェニル−4,5−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−
ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物が挙げられる。
(Iv) Curing accelerator As the curing accelerator used in the present invention, imidazole, 2-methylimidazole, 2
-Undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-benzyl-
2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl (1 ')]-ethyl-s
-Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1 ')]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct 2-isocyanuric acid adduct of 2-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxydimethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-
Examples include imidazole compounds such as hydroxymethylimidazole.
硬化促進剤の含有量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる
。
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の含有量は、樹
脂組成物の全重量に対して、0.001重量%以上が好ましく、0.003重量%以上が
より好ましく、0.005重量%以上が特に好ましい。また、1.0重量%以下が好まし
く、0.7重量%以下がより好ましく、0.5重量%以下が特に好ましい。イミダゾール
化合物の含有量が前記下限未満になると硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬
化性樹脂組成物を十分に硬化できない場合がある。他方、イミダゾール化合物の含有量が
前記上限を超えると、樹脂組成物の硬化が完了する前に半田又は錫が端子表面に十分に移
動せず、絶縁性領域に半田又は錫が残り絶縁性が十分に確保できない場合がある。また、
導電接続材料の保存安定性が低下する場合がある。
Content of a hardening accelerator can be suitably set according to the kind of hardening accelerator to be used.
For example, when an imidazole compound is used, the content of the imidazole compound is preferably 0.001% by weight or more, more preferably 0.003% by weight or more, more preferably 0.005% by weight based on the total weight of the resin composition. A weight percent or more is particularly preferred. Moreover, 1.0 weight% or less is preferable, 0.7 weight% or less is more preferable, and 0.5 weight% or less is especially preferable. When the content of the imidazole compound is less than the lower limit, the effect as a curing accelerator is not sufficiently exhibited, and the curable resin composition may not be sufficiently cured. On the other hand, when the content of the imidazole compound exceeds the above upper limit, the solder or tin does not sufficiently move to the terminal surface before the curing of the resin composition is completed, and the solder or tin remains in the insulating region and the insulating property is sufficient. May not be secured. Also,
The storage stability of the conductive connection material may be reduced.
(v)フラックス機能を有する化合物
本発明の好ましい態様において用いられるフラックス機能を有する化合物は、端子及び
金属箔の表面酸化膜など金属酸化膜を還元する作用を有するものである。例えば、フラッ
クス機能を有する化合物としては、フェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基を有す
る化合物が好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール
、o−クレゾール、2,6−キシレノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−エチ
ルフェノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、m−エチルフェノール、
2,3−キシレノール、メジトール、3,5−キシレノール、p−tert−ブチルフェ
ノール、カテコール、p−tert−アミルフェノール、レゾルシノール、p−オクチル
フェノール、p−フェニルフェノール、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェ
ノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テ
トラキスフェノールなどのフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラ
ック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェ
ノールAノボラック樹脂などのフェノール性水酸基を含有する樹脂が挙げられる。
(V) Compound having a flux function The compound having a flux function used in a preferred embodiment of the present invention has a function of reducing a metal oxide film such as a surface oxide film of a terminal and a metal foil. For example, the compound having a flux function is preferably a compound having a phenolic hydroxyl group and / or a carboxyl group. Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include phenol, o-cresol, 2,6-xylenol, p-cresol, m-cresol, o-ethylphenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, m- Ethylphenol,
2,3-xylenol, meditol, 3,5-xylenol, p-tert-butylphenol, catechol, p-tert-amylphenol, resorcinol, p-octylphenol, p-phenylphenol, bisphenol F, bisphenol AF, biphenol, diallyl bisphenol Monomers containing phenolic hydroxyl groups such as F, diallyl bisphenol A, trisphenol, tetrakisphenol, resins containing phenolic hydroxyl groups such as phenol novolac resins, o-cresol novolac resins, bisphenol F novolac resins, bisphenol A novolac resins Is mentioned.
カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、
芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸などが挙げられる。前記脂肪族酸
無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリ
セバシン酸無水物などが挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ
無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒド
ロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、
メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などが挙げられる。前記芳香族酸無水物として
は、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリ
テートなどが挙げられる。
Examples of the compound having a carboxyl group include aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides,
Aromatic acid anhydrides, aliphatic carboxylic acids, aromatic carboxylic acids and the like can be mentioned. Examples of the aliphatic acid anhydride include succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, and polysebacic acid anhydride. Examples of the alicyclic acid anhydride include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride,
And methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride. Examples of the aromatic acid anhydride include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, and glycerol tris trimellitate.
前記脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸
、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸
、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリ
ン酸などが挙げられる。中でも、下記式(1):
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
[式(1)中、nは1〜20の整数である。]
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸が
より好ましい。
Examples of the aliphatic carboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, pivalic acid, caproic acid, caprylic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid,
Examples include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, oleic acid, fumaric acid, maleic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecanedioic acid, and pimelic acid. Among them, the following formula (1):
HOOC- (CH 2) n -COOH ( 1)
[In Formula (1), n is an integer of 1-20. ]
Are preferable, and adipic acid, sebacic acid, and dodecanedioic acid are more preferable.
芳香族カルボン酸の構造は特に制限されないが、下記式(2)又は(3)で表される化
合物が好ましい。
つは水酸基である。]
一つは水酸基又はカルボキシル基である。]
The structure of the aromatic carboxylic acid is not particularly limited, but a compound represented by the following formula (2) or (3) is preferable.
芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミ
メリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリッ
ト酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル
酸、ケイ皮酸、サリチル酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息
香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸
、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)、
4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−
2−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸などのナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;ジフ
ェノール酸などが挙げられる。
Aromatic carboxylic acids include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, hemimellitic acid, trimellitic acid, trimesic acid, merophanic acid, platnic acid, pyromellitic acid, meritic acid, xylylic acid, hemelitonic acid, mesitylene Acid, prenylic acid, toluic acid, cinnamic acid, salicylic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3,5-dihydroxybenzoic acid, gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid),
4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-
Examples thereof include naphthoic acid derivatives such as 2-dihydroxy-2-naphthoic acid; phenolphthaline; diphenolic acid and the like.
これらの中でも、本発明では、フラックス機能を有するだけでなく、硬化性樹脂の硬化
剤として作用する化合物であることが好ましい。すなわち、金属箔及び端子などの金属の
表面酸化膜を還元する作用を示し、且つ、硬化性樹脂と反応可能な官能基を有する化合物
を用いることが好ましい。該官能基は、硬化性樹脂の種類によって適宜選択する。例えば
、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、該官能基は、カルボキシル基、水酸基及
びアミノ基などのエポキシ基と反応可能な官能基が好ましい。フラックス機能を有する化
合物が硬化剤として作用することで、金属箔及び端子などの金属の表面酸化膜を還元して
金属表面の濡れ性を高め、導通性領域の形成を容易にすると共に、導通性領域を形成した
後は、硬化性樹脂に付加して樹脂の弾性率又はTgを高めることができる。また、フラッ
クス機能を有する化合物が硬化剤として作用することで、フラックス洗浄が不要となり、
フラックス成分が残存することによるイオンマイグレーションの発生を抑制することがで
きるといった利点がある。
Among these, in the present invention, a compound that not only has a flux function but also acts as a curing agent for the curable resin is preferable. That is, it is preferable to use a compound that has a function of reducing the surface oxide film of metal such as a metal foil and a terminal and has a functional group capable of reacting with a curable resin. The functional group is appropriately selected depending on the type of curable resin. For example, when an epoxy resin is used as the curable resin, the functional group is preferably a functional group capable of reacting with an epoxy group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, and an amino group. A compound having a flux function acts as a curing agent to reduce metal surface oxide films such as metal foils and terminals to increase the wettability of the metal surface and facilitate the formation of a conductive region, as well as conductivity. After forming the region, the elastic modulus or Tg of the resin can be increased by adding to the curable resin. In addition, the flux functioning compound acts as a curing agent, eliminating the need for flux cleaning.
There exists an advantage that generation | occurrence | production of the ion migration by a flux component remaining can be suppressed.
このようなフラックス機能を有する化合物としては、カルボキシル基を少なくとも1つ
有していることが好ましい。例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、該化
合物としては、脂肪族ジカルボン酸又はカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する
化合物などが挙げられる。
脂肪族ジカルボン酸としては、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が2個結合した化合
物が好ましく挙げられる。脂肪族炭化水素基は、飽和又は不飽和の非環式であってもよい
し、飽和又は不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には
直鎖状でも分岐状でもよい。
The compound having such a flux function preferably has at least one carboxyl group. For example, when an epoxy resin is used as the curable resin, examples of the compound include aliphatic dicarboxylic acids or compounds having a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group.
Preferred examples of the aliphatic dicarboxylic acid include compounds in which two carboxyl groups are bonded to an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated acyclic, or may be saturated or unsaturated cyclic. Further, when the aliphatic hydrocarbon group is acyclic, it may be linear or branched.
このような脂肪族ジカルボン酸としては、前記式(1)においてnが1〜20の整数で
ある化合物が好ましく挙げられる。前記式(1)中のnが上記範囲内であると、フラック
ス機能、接着時のアウトガス、導電接続材料が硬化した後の弾性率及びガラス転移温度の
バランスが良好なものとなる。特に、導電接続材料の硬化後の弾性率の増加を抑制し、被
接着物との接着性を向上させることができることから、nは3以上が好ましい。また、弾
性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができることから、nは10以
下が好ましい。
As such aliphatic dicarboxylic acid, the compound whose n is an integer of 1-20 in the said Formula (1) is mentioned preferably. When n in the formula (1) is within the above range, the balance between the flux function, the outgas at the time of adhesion, the elastic modulus after the conductive connecting material is cured, and the glass transition temperature becomes good. In particular, n is preferably 3 or more because an increase in the elastic modulus after curing of the conductive connecting material can be suppressed and the adhesion to the adherend can be improved. In addition, n is preferably 10 or less because it is possible to suppress a decrease in elastic modulus and further improve connection reliability.
前記式(1)で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメ
リン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリ
デカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸
、エイコサン二酸などが挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ド
デンカン二酸が好ましく、セバシン酸が特に好ましい。
Examples of the aliphatic dicarboxylic acid represented by the formula (1) include glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, pentadecane. Examples include diacid, octadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, and eicosanedioic acid. Among these, adipic acid, suberic acid, sebacic acid and dodencandioic acid are preferable, and sebacic acid is particularly preferable.
前記カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、2
,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−
ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香
酸、浸食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)などの安息香酸誘導体;1,4−
ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸などのナフトエ
酸誘導体;フェノールフタリン;ジフェノール酸などが挙げられる。中でも、フェノール
フタリン、ゲンチジン酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香
酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸が特に好ましい。
Examples of the compound having a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group include salicylic acid, 2
, 3-Dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-
Benzoic acid derivatives such as dihydroxybenzoic acid), 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid);
Examples thereof include naphthoic acid derivatives such as dihydroxy-2-naphthoic acid and 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid; phenolphthaline; diphenolic acid and the like. Of these, phenolphthaline, gentisic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, and 2,6-dihydroxybenzoic acid are preferable, and phenolphthalin and gentisic acid are particularly preferable.
フラックス機能を有する化合物は、1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。ま
た、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、フラックス機能を有
する化合物を使用前に予め乾燥させておくことが好ましい。
A compound having a flux function may be used alone or in combination of two or more. Moreover, since any compound easily absorbs moisture and causes voids, it is preferable to dry the compound having a flux function in advance before use.
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設
定することができる。
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、樹脂組
成物の全重量に対して、1重量%以上が好ましく、2重量部%以上がより好ましく、3重
量%以上が特に好ましい。また、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ま
しく、30重量%以下がさらに好ましく、25重量%以下が特に好ましい。
固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、樹脂組成
物の全重量に対して、1重量%以上が好ましく、2重量%以上がより好ましく、3重量%
以上が特に好ましい。また、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく
、30重量%以下がさらに好ましく、25重量%以下が特に好ましい。
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属箔及び端子の表面
酸化膜を電気的に接合できる程度に除去することができる。さらに、硬化時に樹脂に効率
よく付加して樹脂の弾性率又はTgを高めることができる。また、未反応のフラックス機
能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
Content of the compound which has a flux function can be suitably set according to the form of the resin composition to be used.
For example, when the resin composition is liquid, the content of the compound having a flux function is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, and more preferably 3% by weight or more based on the total weight of the resin composition. Is particularly preferred. Moreover, 50 weight% or less is preferable, 40 weight% or less is more preferable, 30 weight% or less is further more preferable, and 25 weight% or less is especially preferable.
In the case of a solid resin composition, the content of the compound having a flux function is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, and more preferably 3% by weight with respect to the total weight of the resin composition.
The above is particularly preferable. Moreover, 50 weight% or less is preferable, 40 weight% or less is more preferable, 30 weight% or less is further more preferable, and 25 weight% or less is especially preferable.
When the content of the compound having the flux function is within the above range, the metal foil and the surface oxide film of the terminal can be removed to such an extent that they can be electrically joined. Furthermore, the elastic modulus or Tg of the resin can be increased by efficiently adding to the resin during curing. Moreover, generation | occurrence | production of the ion migration resulting from the compound which has an unreacted flux function can be suppressed.
(vi)シランカップリング剤
本発明で用いられるシランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、
芳香族含有アミノシランカップリング剤などが挙げられる。シランカップリング剤を添加
することにより、接合部材とパターン化導電接続材料との密着性を高めることができる。
シランカップリング剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
(Vi) Silane coupling agent As the silane coupling agent used in the present invention, an epoxy silane coupling agent,
Examples include aromatic-containing aminosilane coupling agents. By adding a silane coupling agent, the adhesion between the bonding member and the patterned conductive connecting material can be increased.
A silane coupling agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
シランカップリング剤の含有量は、接合部材や硬化性樹脂などの種類に応じて適宜選択
することができる。例えば、シランカップリング剤の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重
量に対して、0.01重量%以上が好ましく、0.05重量%以上がより好ましく、0.
1重量%以上が特に好ましく、また、2重量%以下が好ましく、1.5重量%以下がより
好ましく、1重量%以下が特に好ましい。
Content of a silane coupling agent can be suitably selected according to types, such as a joining member and curable resin. For example, the content of the silane coupling agent is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, based on the total weight of the curable resin composition.
1 wt% or more is particularly preferable, 2 wt% or less is preferable, 1.5 wt% or less is more preferable, and 1 wt% or less is particularly preferable.
本発明で用いられる樹脂組成物には、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤
、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、無機フィラー等の充填剤、帯電防止剤及び顔料などを
配合してもよい。
The resin composition used in the present invention includes plasticizers, stabilizers, tackifiers, lubricants, antioxidants, fillers such as inorganic fillers, antistatic agents, pigments, etc., as long as the effects of the present invention are not impaired. May be blended.
本発明において、前記樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製
することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混
合、分散させることができる。
In the present invention, the resin composition can be prepared by mixing and dispersing the above components. The mixing method and dispersion method of each component are not specifically limited, It can mix and disperse | distribute by a conventionally well-known method.
また、本発明においては、前記各成分を溶媒中で又は無溶媒下で混合して液状の樹脂組
成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なもの
であれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、メチル
イソブチルケトン(MIBK)、ジイソブチルケトン(DIBK)、シクロヘキサノン、
ジアセトンアルコール(DAA)などのケトン類;ベンゼン、キシレン、トルエンなどの
芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、n
−ブチルアルコールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチル
セロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのセロソル
ブ類、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、テトラヒドロフラン(THF)、ジメチ
ルホルムアミド(DMF)、二塩基酸エステル(DBE)、3−エトキシプロピオン酸エ
チル(EEP)、ジメチルカーボネート(DMC)などが挙げられる。また、溶媒の使用
量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が10〜60重量%となる量であることが好まし
い。
Moreover, in this invention, you may mix the said each component in a solvent or under absence of solvent, and may prepare a liquid resin composition. The solvent used at this time is not particularly limited as long as it is inert to each component. For example, acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MIBK), diisobutyl ketone (DIBK), cyclohexanone,
Ketones such as diacetone alcohol (DAA); aromatic hydrocarbons such as benzene, xylene and toluene, methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, n
-Alcohols such as butyl alcohol, cellosolves such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), tetrahydrofuran (THF), dimethylformamide (DMF), Examples thereof include dibasic acid ester (DBE), ethyl 3-ethoxypropionate (EEP), dimethyl carbonate (DMC) and the like. Moreover, it is preferable that the usage-amount of a solvent is an quantity from which the solid content concentration of the component mixed with the solvent will be 10 to 60 weight%.
本発明の好ましい形態では、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂10〜90重
量%、硬化剤0.1〜50重量%、フィルム形成性樹脂5〜50重量%及びフラックス機
能を有する化合物1〜50重量%を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量
に対して、エポキシ樹脂20〜80重量%、硬化剤0.2〜40重量%、フィルム形成性
樹脂10〜45重量%及びフラックス機能を有する化合物2〜40重量%を含むものがさ
らに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂35〜55重量%、硬
化剤0.5〜30重量%、フィルム形成性樹脂15〜40重量%及びフラックス機能を有
する化合物3〜25重量%を含むものが特に好ましい。
In a preferred embodiment of the present invention, the compound having 10 to 90% by weight of the epoxy resin, 0.1 to 50% by weight of the curing agent, 5 to 50% by weight of the film-forming resin, and a flux function with respect to the total weight of the resin composition. Those containing 1 to 50% by weight are more preferable. The epoxy resin is 20 to 80% by weight, the curing agent is 0.2 to 40% by weight, the film-forming resin is 10 to 45% by weight, and the compound having a flux function is 2 to 40% by weight with respect to the total weight of the resin composition. More preferably, those containing The epoxy resin is 35 to 55% by weight, the curing agent is 0.5 to 30% by weight, the film-forming resin is 15 to 40% by weight, and the compound having a flux function is 3 to 25% by weight with respect to the total weight of the resin composition. Those containing are particularly preferred.
パターン化導電接続材料において樹脂組成物層の各々の厚みは、特に制限されないが、
1μm以上が好ましく、3μm以上がより好ましく、5μm以上が特に好ましい。また、
樹脂組成物層の厚みは、200μm以下が好ましく、150μm以下がより好ましく、1
00μm以下が特に好ましい。樹脂組成物層の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子
間の間隙に樹脂組成物を十分に充填することができ、樹脂組成物の硬化後、固化後の機械
的接着強度及び対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができ、接続端子の製
造も可能にすることができる。
Each thickness of the resin composition layer in the patterned conductive connection material is not particularly limited,
1 μm or more is preferable, 3 μm or more is more preferable, and 5 μm or more is particularly preferable. Also,
The thickness of the resin composition layer is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less,
Particularly preferred is 00 μm or less. When the thickness of the resin composition layer is within the above range, the gap between adjacent terminals can be sufficiently filled with the resin composition, and after the resin composition is cured, the mechanical adhesive strength after solidification and the opposite are opposed. A sufficient electrical connection between the terminals can be ensured, and the connection terminals can be manufactured.
パターン化導電接続材料が樹脂組成物層を複数含む場合、各樹脂組成物層の組成は同一
でもよいし、用いる樹脂成分の種類や配合処方の違いなどにより異なっていてもよい。樹
脂組成物層の溶融粘度や軟化温度などの物性も同一でもよいし異なっていてもよい。例え
ば液状の樹脂組成物層と固形状の樹脂組成物層とを組み合わせて用いてもよい。
When the patterned conductive connecting material includes a plurality of resin composition layers, the composition of each resin composition layer may be the same, or may be different depending on the type of resin component used, the difference in formulation, and the like. The physical properties such as melt viscosity and softening temperature of the resin composition layer may be the same or different. For example, a liquid resin composition layer and a solid resin composition layer may be used in combination.
(2)金属箔パターン層
金属箔パターン層は、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔で構成される層である。金属
箔層は平面視で樹脂組成物層の少なくとも一部に形成されていればよく、樹脂組成物層の
全面に形成されていてもよい。金属箔パターン層の形状については、既に説明したとおり
である。
(2) Metal foil pattern layer A metal foil pattern layer is a layer comprised with the metal foil chosen from solder foil or tin foil. The metal foil layer should just be formed in at least one part of the resin composition layer by planar view, and may be formed in the whole surface of the resin composition layer. The shape of the metal foil pattern layer is as already described.
金属箔パターン層を構成する金属箔は、フラックス機能を有する化合物の還元作用によ
り除去可能な表面酸化膜を有するものであれば特に制限はないが、錫(Sn)、鉛(Pb
)、銀(Ag)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ニッケル(N
i)、アンチモン(Sb)、鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、金(Au)、ゲルマニ
ウム(Ge)及び銅(Cu)からなる群から選択される少なくとも2種以上の金属の合金
、又は錫単体からなることが好ましい。
The metal foil constituting the metal foil pattern layer is not particularly limited as long as it has a surface oxide film that can be removed by the reducing action of the compound having a flux function, but tin (Sn), lead (Pb
), Silver (Ag), bismuth (Bi), indium (In), zinc (Zn), nickel (N
i) an alloy of at least two or more metals selected from the group consisting of antimony (Sb), iron (Fe), aluminum (Al), gold (Au), germanium (Ge) and copper (Cu), or tin It is preferable to consist of a single substance.
これらのうち、溶融温度及び機械的物性を考慮すると、金属箔は、Sn−Pbの合金、
鉛フリー半田であるSn−Biの合金、Sn−Ag−Cuの合金、Sn−Inの合金、S
n−Agの合金などのSnを含む合金からなる半田箔がより好ましい。Sn−Pbの合金
を用いる場合、錫の含有率は、30重量%以上100重量%未満が好ましく、35重量%
以上100重量%未満がより好ましく、40重量%以上が特に好ましい。また、100重
量%未満が好ましい。また、鉛フリー半田の場合の錫の含有率は、15重量%以上100
重量%未満が好ましく、20重量%以上100重量%未満がより好ましく、25重量%以
上100重量%未満が特に好ましい。例えば、Sn−Pbの合金としては、Sn63−P
b(融点183℃)、鉛フリー半田としては、Sn−3.0Ag−0.5Cu(融点21
7℃)、Sn−3.5Ag(融点221℃)、Sn−58Bi(融点139℃)、Sn−
9.0Zn(融点199℃)、Sn−3.5Ag−0.5Bi−3.0In(融点193
℃)、Au−20Sn(融点280℃)、等が好ましく挙げられる。
Among these, considering the melting temperature and mechanical properties, the metal foil is an Sn-Pb alloy,
Sn-Bi alloy, Sn-Ag-Cu alloy, Sn-In alloy, S
A solder foil made of an alloy containing Sn such as an n-Ag alloy is more preferable. When using an Sn-Pb alloy, the content of tin is preferably 30% by weight or more and less than 100% by weight, and 35% by weight.
It is more preferably less than 100% by weight and particularly preferably 40% by weight or more. Moreover, less than 100 weight% is preferable. In the case of lead-free solder, the tin content is 15 wt% or more and 100
Less than wt% is preferable, 20 wt% or more and less than 100 wt% is more preferable, and 25 wt% or more and less than 100 wt% is particularly preferable. For example, Sn-Pb alloys include Sn63-P
b (melting point 183 ° C.), as lead-free solder, Sn-3.0Ag-0.5Cu (melting point 21
7 ° C), Sn-3.5Ag (melting point 221 ° C), Sn-58Bi (melting point 139 ° C), Sn-
9.0Zn (melting point 199 ° C.), Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In (melting point 193
C.), Au-20Sn (melting point: 280 [deg.] C.), and the like.
金属箔は、接続しようとする電子部材や半導体装置の耐熱性に応じて適宜選択すればよ
い。例えば、半導体装置における端子間接続においては、半導体装置の部材が熱履歴によ
り損傷するのを防止するため、融点が330℃以下(より好ましくは300℃以下、特に
好ましくは280℃以下、さらに好ましくは260℃以下)である金属箔を用いることが
好ましい。また、端子間接続後の半導体装置の耐熱性を確保するためには、融点が100
℃以上(より好ましくは110℃以上、特に好ましくは120℃以上)である金属箔を用
いることが好ましい。なお、金属箔の融点は、示差走査熱量計(DSC)により測定する
ことができる。
The metal foil may be appropriately selected according to the heat resistance of the electronic member or semiconductor device to be connected. For example, in the connection between terminals in a semiconductor device, the melting point is 330 ° C. or lower (more preferably 300 ° C. or lower, particularly preferably 280 ° C. or lower, more preferably, in order to prevent the members of the semiconductor device from being damaged by thermal history. It is preferable to use a metal foil that is 260 ° C. or lower. In order to ensure the heat resistance of the semiconductor device after the connection between terminals, the melting point is 100.
It is preferable to use a metal foil having a temperature of at least ° C (more preferably at least 110 ° C, particularly preferably at least 120 ° C). In addition, melting | fusing point of metal foil can be measured with a differential scanning calorimeter (DSC).
金属箔パターン層の厚みは、対向する端子間のギャップ、隣接する端子間の離隔距離な
どに応じて適宜選択することができる。例えば、半導体装置における半導体チップ、基板
、半導体ウエハなどの各接続端子間の接続の場合、金属箔パターン層の厚みは、0.5μ
m以上が好ましく、3μm以上がより好ましく、5μm以上が特に好ましく、また、10
0μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、20μm以下が特に好ましい。金
属箔の厚みが前記下限未満になると半田又は錫不足により未接続の端子が増加する傾向に
あり、他方、前記上限を超えると半田又は錫余剰により隣接端子間でブリッジを起こし、
ショートしやすくなる傾向にある。
The thickness of the metal foil pattern layer can be appropriately selected according to the gap between the terminals facing each other, the separation distance between adjacent terminals, and the like. For example, in the case of connection between connection terminals such as a semiconductor chip, a substrate, and a semiconductor wafer in a semiconductor device, the thickness of the metal foil pattern layer is 0.5 μm.
m or more, preferably 3 μm or more, more preferably 5 μm or more, and 10
0 μm or less is preferable, 50 μm or less is more preferable, and 20 μm or less is particularly preferable. When the thickness of the metal foil is less than the lower limit, unconnected terminals tend to increase due to lack of solder or tin, while when the upper limit is exceeded, bridging occurs between adjacent terminals due to excessive solder or tin,
It tends to be short-circuited easily.
金属箔パターン層の作製方法は、予め金属箔をパターン化する場合(第1/第3実施態
様)と、樹脂組成物層上で金属箔を分断してパターン化する場合(第2/第4実施態様)
とで異なる。
予め金属箔をパターン化する場合、金属箔パターン層の作製方法としては、例えば、金
属箔を所定のパターンに打抜く方法、エッチングなどにより所定のパターンを形成する方
法、また、遮蔽板やマスクなどを使用することにより蒸着法、スパッタ法、メッキ法など
を用いて形成する方法が挙げられる。金属箔パターン層を作製する方法は、回路基板分野
において当業者に公知であるので、詳しくは説明しない。例えば、特開2006−498
92号公報、特開2002−173767号公報、特開2002−26491号公報を参
照することにより作製することができる。
The method for producing the metal foil pattern layer includes a case where the metal foil is patterned in advance (first / third embodiment) and a case where the metal foil is divided and patterned on the resin composition layer (second / fourth). Embodiment)
And different.
When the metal foil is patterned in advance, as a method for producing the metal foil pattern layer, for example, a method of punching the metal foil into a predetermined pattern, a method of forming a predetermined pattern by etching, a shielding plate, a mask, etc. The method of forming by using a vapor deposition method, a sputtering method, a plating method, etc. is mentioned by using. The method for producing the metal foil pattern layer is known to those skilled in the art in the circuit board field and will not be described in detail. For example, JP 2006-498
No. 92, JP-A-2002-173767, and JP-A-2002-26491 can be used for preparation.
他方、樹脂組成物層上で金属箔を分断する場合、金属箔パターン層の作製方法としては
、例えば、導電接続材料をロールラミネータ又はプレス等の装置を使用して、予め基板に
熱圧着した後、レーザー照射又は物理的な裁断によって、所定のパターンを形成する方法
が挙げられる。
On the other hand, when the metal foil is divided on the resin composition layer, as a method for producing the metal foil pattern layer, for example, the conductive connection material is previously thermocompression bonded to the substrate using an apparatus such as a roll laminator or a press. And a method of forming a predetermined pattern by laser irradiation or physical cutting.
金属箔パターン層の含有量は、パターン化導電接続材料の全重量に対して、5重量%以
上が好ましく、20重量%以上がより好ましく、30重量%以上が特に好ましい。また、
100重量%未満が好ましく、80重量%以下がより好ましく、70重量%以下が特に好
ましい。金属箔パターン層の含有量が上記下限未満になると半田又は錫不足により未接続
の端子が増加する場合がある。他方、金属箔パターン層の含有量が上記上限を超えると半
田又は錫余剰により隣接端子間でブリッジを起こしやすくなる。
The content of the metal foil pattern layer is preferably 5% by weight or more, more preferably 20% by weight or more, and particularly preferably 30% by weight or more based on the total weight of the patterned conductive connecting material. Also,
The amount is preferably less than 100% by weight, more preferably 80% by weight or less, and particularly preferably 70% by weight or less. When the content of the metal foil pattern layer is less than the above lower limit, unconnected terminals may increase due to insufficient solder or tin. On the other hand, if the content of the metal foil pattern layer exceeds the above upper limit, bridging is likely to occur between adjacent terminals due to excessive solder or tin.
あるいは、金属箔パターン層の含有量をパターン化導電接続材料に対する体積比率で定
義してもよい。例えば、金属箔パターン層の含有量は、パターン化導電接続材料に対して
1体積%以上が好ましく、5体積%以上がより好ましく、10体積%以上が特に好ましい
。また、90体積%以下が好ましく、80体積%以下がより好ましく、70体積%以下が
特に好ましい。金属箔パターン層の含有量が上記下限未満になると半田又は錫不足により
未接続の端子が増加する場合がある。他方、金属箔パターン層の含有量が上記上限を超え
ると半田又は錫余剰により隣接端子間でブリッジを起こしやすくなる。
Alternatively, the content of the metal foil pattern layer may be defined as a volume ratio with respect to the patterned conductive connection material. For example, the content of the metal foil pattern layer is preferably 1% by volume or more, more preferably 5% by volume or more, and particularly preferably 10% by volume or more with respect to the patterned conductive connecting material. Moreover, 90 volume% or less is preferable, 80 volume% or less is more preferable, and 70 volume% or less is especially preferable. When the content of the metal foil pattern layer is less than the above lower limit, unconnected terminals may increase due to insufficient solder or tin. On the other hand, if the content of the metal foil pattern layer exceeds the above upper limit, bridging is likely to occur between adjacent terminals due to excessive solder or tin.
パターン化導電接続材料の形態は、樹脂組成物の形態などに応じて適宜選択することが
できる。例えば、樹脂組成物が液状の場合は、ポリエステルシート等の剥離基材上に樹脂
組成物を塗布し、所定温度で半硬化(Bステージ化)等の目的で乾燥、製膜させた後に金
属箔パターン層を貼り合わせてフィルム状にしたもの等をパターン化導電接続材料として
供することができる。樹脂組成物が固形状の場合は、有機溶剤に溶解した樹脂組成物のワ
ニスをポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥させた後に金属箔
パターン層を張り合わせ、或いは、蒸着などの手法を使いフィルム状に形成したものをパ
ターン化導電接続材料として供することができる。
The form of the patterned conductive connection material can be appropriately selected according to the form of the resin composition. For example, when the resin composition is in a liquid state, the resin composition is applied onto a release substrate such as a polyester sheet, dried at a predetermined temperature for the purpose of semi-curing (B-stage), etc., and then formed into a metal foil. A film-like material obtained by bonding pattern layers can be used as a patterned conductive connecting material. When the resin composition is solid, a varnish of the resin composition dissolved in an organic solvent is applied onto a release substrate such as a polyester sheet and dried at a predetermined temperature, and then a metal foil pattern layer is laminated, or What was formed in the film form using methods, such as vapor deposition, can be provided as a patterned conductive connection material.
また、パターン化導電接続材料及びこれに用いられる金属箔パターン層は、端子又は電
極との接触を高めるためにエンボス加工を施したものを用いることもできる。
In addition, the patterned conductive connecting material and the metal foil pattern layer used therefor may be embossed to enhance contact with the terminal or electrode.
パターン化導電接続材料の厚みは、特に制限されないが、1μm以上が好ましく、3μ
m以上がより好ましく、5μm以上が特に好ましく、また、200μm以下が好ましく、
150μm以下がより好ましく、100μm以下が特に好ましい。パターン化導電接続材
料の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子間の間隙に樹脂組成物を十分に充填すること
ができる。また、樹脂成分の硬化後又は固化後の機械的接着強度及び対向する端子間の電
気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造が可
能になる。
The thickness of the patterned conductive connection material is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more, and 3 μm
m or more, more preferably 5 μm or more, and preferably 200 μm or less,
150 μm or less is more preferable, and 100 μm or less is particularly preferable. When the thickness of the patterned conductive connection material is within the above range, the resin composition can be sufficiently filled in the gap between adjacent terminals. In addition, the mechanical adhesive strength after the resin component is cured or solidified and the electrical connection between the opposing terminals can be sufficiently ensured. In addition, it is possible to manufacture connection terminals according to the purpose and application.
本発明で用いられる樹脂組成物が25℃で液状の場合、例えば、ポリエステルシート等
の剥離基材上に塗布し、所定温度で半硬化(Bステージ化)等の目的で乾燥、製膜させて
フィルム状の樹脂組成物を作製する。次に、剥離基材上に製膜させた樹脂組成物を2枚準
備し金属箔パターン層を挟んで熱ロールでラミネートすることで、パターン化導電接続材
料を製造することができる。樹脂組成物の厚み制御が必要な場合は、剥離基材上に塗布し
た液状の樹脂組成物を一定の間隙を有するバーコーターを通過させる方法や液状の樹脂組
成物をスプレーコーター等により吹き付ける方法により作製することができる。
When the resin composition used in the present invention is liquid at 25 ° C., for example, it is applied onto a release substrate such as a polyester sheet, and dried and formed into a film for the purpose of semi-curing (B-stage) at a predetermined temperature. A film-shaped resin composition is produced. Next, a patterned conductive connecting material can be produced by preparing two resin compositions formed on a release substrate and laminating with a hot roll with a metal foil pattern layer interposed therebetween. When it is necessary to control the thickness of the resin composition, a method in which the liquid resin composition applied on the release substrate is passed through a bar coater having a certain gap or a method in which the liquid resin composition is sprayed with a spray coater or the like is used. Can be produced.
また、本発明で用いられる樹脂組成物が25℃で固形状の場合は、例えば、次のように
してパターン化導電接続材料を製造することができる。まず、有機溶剤に溶解した樹脂組
成物のワニスをポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥させ製膜
させてフィルム状の樹脂組成物を作製する。次に、剥離基材上に製膜させた樹脂組成物を
2枚準備し金属箔パターン層を挟んで熱ロールでラミネートすることで、金属箔パターン
層の上下に樹脂組成物を配置した時、樹脂組成物層/金属箔パターン層/樹脂組成物層か
らなる3層のパターン化導電接続材料を作製することができる。また、上述のラミネート
方式により、金属箔パターン層の片面に樹脂組成物を配置することで樹脂組成物層/金属
箔パターン層からなる2層のパターン化導電接続材料を作製することができる。
When the resin composition used in the present invention is solid at 25 ° C., for example, a patterned conductive connecting material can be produced as follows. First, a varnish of a resin composition dissolved in an organic solvent is applied on a release substrate such as a polyester sheet, dried at a predetermined temperature to form a film, and a film-like resin composition is produced. Next, when the resin composition is arranged above and below the metal foil pattern layer by preparing two sheets of the resin composition formed on the release substrate and laminating with a hot roll with the metal foil pattern layer sandwiched therebetween, A three-layer patterned conductive connecting material comprising a resin composition layer / metal foil pattern layer / resin composition layer can be produced. Moreover, the two-layer patterned conductive connection material which consists of a resin composition layer / metal foil pattern layer can be produced by arrange | positioning a resin composition on the single side | surface of a metal foil pattern layer by the above-mentioned lamination system.
また、剥離基材上に金属箔を配置し、金属箔側から金型で金属箔をハーフカットし、余
分な金属箔を除去することにより金属箔パターン層を作製し、前記フィルム状の樹脂組成
物を熱ロールでラミネートしてもよい。金属箔パターン層の両面に樹脂組成物層を設ける
場合は、前記剥離基材を剥がし、樹脂組成物層が形成された面とは反対側の金属箔パター
ン層の面に、フィルム状の樹脂組成物層をさらにラミネートすればよい。
Also, a metal foil is disposed on the release substrate, the metal foil is half-cut with a mold from the metal foil side, and the metal foil pattern layer is prepared by removing the excess metal foil, and the film-like resin composition Objects may be laminated with a hot roll. When the resin composition layer is provided on both surfaces of the metal foil pattern layer, the release substrate is peeled off, and the film-shaped resin composition is formed on the surface of the metal foil pattern layer opposite to the surface on which the resin composition layer is formed. What is necessary is just to laminate a physical layer further.
なお、本発明に用いられる導電接続材料は、金属箔パターン層に代えて金属箔層を有す
ることを除いて、パターン化導電接続材料と同じ構成を有しており、同様の手法で作製す
ることができる。
The conductive connection material used in the present invention has the same configuration as the patterned conductive connection material except that it has a metal foil layer instead of the metal foil pattern layer, and is produced by the same method. Can do.
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は、下記の実施例に制限されるも
のではない。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated based on an Example, this invention is not restrict | limited to the following Example.
[実施例1]
実施例1では、本発明の実施態様1で述べたように、予めパターン化導電接続材料を製
造し、対向する端子間に配置して端子間接続を実施した。
[Example 1]
In Example 1, as described in Embodiment 1 of the present invention, a patterned conductive connection material was manufactured in advance, and was placed between opposing terminals to perform inter-terminal connection.
(1)硬化性樹脂組成物層の作製
表1に示した各成分を、メチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40重量
%の樹脂組成物のワニスを得た。得られたワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエス
テルシートに塗布し、90℃で5分間乾燥させてフィルム状の厚み30μmの硬化性樹脂
組成物層を得た。
(1) Production of Curable Resin Composition Layer Each component shown in Table 1 was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) to obtain a resin composition varnish having a resin solid content of 40% by weight. The obtained varnish was applied to a polyester sheet using a comma coater and dried at 90 ° C. for 5 minutes to obtain a curable resin composition layer having a film thickness of 30 μm.
(2)パターン化導電接続材料の製造
得られたフィルム状の硬化性樹脂組成物層上に、蒸着により表1に示した半田箔Aを形
成した後、回路形成時に使用する感光性レジスト(旭化成(株)製「AQ−2075」)
で被覆し、露光、現像後に、エッチングし、感光性レジストを剥離することで、硬化性樹
脂組成物層上に厚み5μmの半田箔パターン層を形成した。
次に、半田箔パターン層上の硬化性樹脂組成物層が形成された面とは反対側の面に、フ
ィルム状の硬化性樹脂組成物層を、60℃、0.3MPa、0.3m/minの条件で、
ラミネートし、厚み65μmのパターン化導電接続材料を製造した。
(2) Production of patterned conductive connecting material After forming the solder foil A shown in Table 1 on the obtained film-like curable resin composition layer by vapor deposition, a photosensitive resist (Asahi Kasei Co., Ltd.) used for circuit formation is formed. "AQ-2075" manufactured by KK
Then, after exposure and development, etching was performed and the photosensitive resist was peeled off to form a 5 μm thick solder foil pattern layer on the curable resin composition layer.
Next, a film-like curable resin composition layer is placed on the surface opposite to the surface on which the curable resin composition layer is formed on the solder foil pattern layer, at 60 ° C., 0.3 MPa, 0.3 m / min. In the condition of min,
Laminated to produce a patterned conductive connecting material having a thickness of 65 μm.
(3)端子間接続
次に、得られたパターン化導電接続材料を用いて端子間接続を行った。基材として、厚
み0.35mm、回路層(銅回路、厚み12μm)からなり、銅回路上にNi/Auメッ
キ(厚み3μm)を施して形成される端子(端子径50μm、隣接する端子の中心間距離
100μm)を有する半導体チップを2つ用意した。
一方の半導体チップ上に得られたパターン化導電接続材料を、フリップチップボンダー
(澁谷工業(株)製「DB200」)を用いて、前記端子と前記半田箔が有するパターン
が重なり合うように位置合わせし、表1に示した条件で圧着してパターン化導電接続材料
付き半導体チップを得た。
次に、フリップチップボンダー(澁谷工業(株)製「DB200」)を用いて、もう一
方の半導体チップと、得られたパターン化導電接続材料付き半導体チップとを、これらが
備える端子同士が対向するように位置合わせし、表1に示した条件で熱圧着(基板間ギャ
ップ30μm)を施し、端子間を接続した。その後、180℃で1時間加熱して硬化性樹
脂組成物を硬化させて、積層体を得た。
(3) Inter-terminal connection Next, inter-terminal connection was performed using the obtained patterned conductive connection material. As a base material, it has a thickness of 0.35 mm, a circuit layer (copper circuit, thickness 12 μm), and is formed by applying Ni / Au plating (thickness 3 μm) on the copper circuit (terminal diameter 50 μm, center of adjacent terminals) Two semiconductor chips having a distance of 100 μm were prepared.
The patterned conductive connecting material obtained on one semiconductor chip is aligned using a flip chip bonder (“DB200” manufactured by Kajitani Industry Co., Ltd.) so that the patterns of the terminals and the solder foil overlap. The semiconductor chip with the patterned conductive connection material was obtained by pressure bonding under the conditions shown in Table 1.
Next, using a flip chip bonder (“DB200” manufactured by Kasuya Kogyo Co., Ltd.), the other semiconductor chip and the obtained semiconductor chip with the patterned conductive connection material face each other. Then, thermocompression bonding (gap between substrates: 30 μm) was performed under the conditions shown in Table 1, and the terminals were connected. Then, it heated at 180 degreeC for 1 hour, the curable resin composition was hardened, and the laminated body was obtained.
[実施例2]
実施例1と同様にして硬化性樹脂組成物層を作製し、得られた厚み30μmの硬化性樹
脂組成物層を表1に示した厚み5μmの半田箔Aの両面に、60℃、0.3MPa、0.
3m/minの条件で、ラミネートして厚み65μmの導電接続材料を製造した。
得られた導電接続材料を実施例1と同様の方法で前記半導体チップ上に圧着し、導電接
続材料付き半導体チップを得た。
次いで、UV−YAGレーザ加工機(三菱電機(株)製「ML605LDX」)を用い
て、先端出力0.2mJ、ショット数5shotの加工条件で、隣接する端子間の半田箔
を分断し、半田箔をパターン化し、金属箔パターン層を形成した。得られた金属箔パター
ン層を、デジタルマイクロスコープ((株)ハイロックス製「KH−7700」)で観察
したところ、図8に示すように半田箔は矩形模様状にきれいに分断されていた。
次に、実施例1と同様の方法でもう一方の半導体チップを、得られた導電接続材料付き
半導体チップ上に前記端子と前記半田箔が有するパターンが重なり合うように配置して熱
圧着を施し、180℃で1時間加熱して硬化性樹脂組成物を硬化させて、積層体を得た。
[Example 2]
A curable resin composition layer was prepared in the same manner as in Example 1, and the obtained curable resin composition layer having a thickness of 30 μm was formed on both surfaces of the 5 μm-thick solder foil A shown in Table 1 at 60 ° C. 3 MPa, 0.
A conductive connecting material having a thickness of 65 μm was manufactured by laminating under the condition of 3 m / min.
The obtained conductive connection material was pressure-bonded onto the semiconductor chip in the same manner as in Example 1 to obtain a semiconductor chip with a conductive connection material.
Next, using a UV-YAG laser processing machine ("ML605LDX" manufactured by Mitsubishi Electric Corporation), the solder foil between adjacent terminals is divided under the processing conditions of a tip output of 0.2 mJ and a shot number of 5 shots, and the solder foil Was patterned to form a metal foil pattern layer. When the obtained metal foil pattern layer was observed with a digital microscope (“KH-7700” manufactured by Hilox Co., Ltd.), the solder foil was neatly divided into a rectangular pattern as shown in FIG.
Next, the other semiconductor chip is disposed in the same manner as in Example 1 on the obtained semiconductor chip with a conductive connecting material so that the patterns of the terminals and the solder foil overlap, and thermocompression bonding is performed. The laminate was obtained by heating at 180 ° C. for 1 hour to cure the curable resin composition.
[参考例1]
実施例1と同様にして硬化性樹脂組成物層を作製し、得られた厚み30μmの硬化性樹
脂組成物層を表1に示した半田箔Aの両面に、60℃、0.3MPa、0.3m/min
の条件で、ラミネートして厚み65μmの導電接続材料を製造した。さらに、実施例1の
「(3)端子間接続」記載の方法で、得られた導電接続材料を用いて端子間接続を行った
。
[Reference Example 1]
A curable resin composition layer was prepared in the same manner as in Example 1, and the obtained curable resin composition layer having a thickness of 30 μm was formed on both surfaces of the solder foil A shown in Table 1 at 60 ° C., 0.3 MPa, 0 .3m / min
Then, a conductive connection material having a thickness of 65 μm was manufactured by lamination. Furthermore, the connection between terminals was performed by the method described in “(3) Connection between terminals” in Example 1 using the obtained conductive connection material.
[比較例1]
実施例1と同様にして硬化性樹脂組成物のワニスを調製した。得られたワニスに導電性
粒子(AU−205、平均粒径5μm、プラスチックコア、Ni/Auメッキ、積水化学
工業(株)製)を2体積%配合し、均一に分散させた後、コンマコーターを用いて、ポリ
エステルシートに塗布し、90℃で5分間乾燥させて導電接続材料を製造した。さらに、
実施例1の「(3)端子間接続」記載の方法で、得られた導電接続材料を用いて端子間接
続を行った。
[Comparative Example 1]
A varnish of a curable resin composition was prepared in the same manner as in Example 1. The resulting varnish was blended with 2% by volume of conductive particles (AU-205, average particle size 5 μm, plastic core, Ni / Au plating, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) and dispersed uniformly. Was applied to a polyester sheet and dried at 90 ° C. for 5 minutes to produce a conductive connecting material. further,
By the method described in Example 1, “(3) Inter-terminal connection”, inter-terminal connection was performed using the obtained conductive connection material.
実施例、参考例及び比較例で得られた積層体において、対向する端子間の接続抵抗、導
通路形成性及び導通路以外の領域に残存する半田粒子の有無をそれぞれ後述する方法によ
り評価した。
In the laminates obtained in the examples, reference examples, and comparative examples, the connection resistance between the opposing terminals, the conduction path forming ability, and the presence or absence of solder particles remaining in a region other than the conduction path were evaluated by the methods described later.
[1]接続抵抗
接続抵抗は、積層体において対向する端子間の抵抗を4端子法(抵抗計:岩崎通信機(
株)製「デジタルマルチメータVOA7510」、測定プローブ:日置電機(株)製「ピン
型リード9771」)により12点測定した。その平均値が30mΩ未満の場合を「A」
、30mΩ以上の場合を「B」と判定した。
[1] Connection resistance Connection resistance is the resistance between the terminals facing each other in the laminate, using the 4-terminal method (resistance meter: Iwasaki Tsushinki (
12 points were measured by “Digital Multimeter VOA7510” manufactured by Co., Ltd., measurement probe: “Pin type lead 9771” manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.). When the average value is less than 30 mΩ, “A”
The case of 30 mΩ or more was determined as “B”.
[2]導通路形成性
積層体において対向する端子10組について、その端子間の断面を走査型電子顕微鏡(
SEM)(日本電子(株)製「JSM−7401F」)で観察し、10組全てにおいて半
田により円柱状の導通路が形成されている場合を「A」、1組でも導通路が形成されてい
ない端子が存在する場合を「B」、隣接している端子とショート接触している場合を「C
」と判定した。
[2] Conductive path forming property A cross section between terminals of 10 pairs of terminals facing each other in a laminate is shown by a scanning electron microscope (
SEM) (“JSM-7401F” manufactured by JEOL Ltd.) When all of the 10 sets have a cylindrical conductive path formed by solder, “A” indicates that a single set of conductive paths is formed. “B” when there is a terminal that is not present, and “C” when it is in short contact with an adjacent terminal.
Was determined.
[3]残存半田の有無
積層体の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)製、型番「JSM−74
01F」)で観察し、全ての半田が対向する端子間の導通路形成に寄与している場合を「
A」、導通路形成に寄与せずに対向する端子間(導通性領域)以外の樹脂(絶縁性領域)
中に半田が残存している場合を「B」と判定した。
[3] Presence / absence of residual solder A cross section of the laminate was scanned with a scanning electron microscope (SEM) (manufactured by JEOL Ltd., model number “JSM-74”.
01F ") and the case where all the solder contributes to the formation of a conduction path between the opposing terminals is
A ", resin (insulating region) other than between terminals (conducting region) facing each other without contributing to the formation of a conductive path
The case where the solder remained was determined as “B”.
上記[1]〜[3]の結果を表1に示す。
表1における樹脂組成物の成分及び半田箔は以下に示したものを用いた。
エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、大日本インキ化学工業(株)製「EP
ICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq
硬化剤:フェノールノボラック、住友ベークライト(株)製「PR−53647」
フィルム形成性樹脂:変性ビフェノール型フェノキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株
)製「YX−6954」、重量平均分子量39,000
フラックス機能を有する化合物:セバシン酸、東京化成工業(株)製「セバシン酸」
シランカップリング剤:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシ
ラン、信越化学工業(株)製「KBM−303」
イミダゾール化合物:2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業(株)製「
キュアゾール2P4MZ」
半田箔A:Sn/Ag/Cu=96.5/3.0/0.5(融点:217℃)、厚さ5μ
m
導電性粒子A:プラスチックコア、Ni/Auメッキ、平均粒径5μm、積水化学工業(
株)製「AU−205」
The resin composition components and solder foils in Table 1 were as shown below.
Epoxy resin: bisphenol A type epoxy resin, “EP” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.
ICLON-840S ", epoxy equivalent 185 g / eq
Curing agent: phenol novolac, “PR-53647” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
Film-forming resin: modified biphenol type phenoxy resin, “YX-6654” manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., weight average molecular weight 39,000
Compound having flux function: Sebacic acid, “Sebacic acid” manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
Silane coupling agent: 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, “KBM-303” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Imidazole compound: 2-phenyl-4-methylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
Curesol 2P4MZ "
Solder foil A: Sn / Ag / Cu = 96.5 / 3.0 / 0.5 (melting point: 217 ° C.), thickness 5 μ
m
Conductive particles A: Plastic core, Ni / Au plating, average particle size 5 μm, Sekisui Chemical Co., Ltd. (
"AU-205" manufactured by KK
表1に示されるとおり、本願実施例では、参考例1と同様、導電接続材料の導電性成分
として金属箔層を用いることにより、良好な電気的接続が得られ、絶縁性領域中に半田が
残存しないことが確認された。
一方、導電性成分として従来の導電性粒子を用いた比較例1では、実施例及び参考例に
対して接続抵抗の点で劣り、また、導電性粒子が樹脂組成物層中に残存することが確認さ
れた。
As shown in Table 1, in this embodiment, as in Reference Example 1, by using a metal foil layer as the conductive component of the conductive connection material, good electrical connection can be obtained, and solder is present in the insulating region. It was confirmed that it did not remain.
On the other hand, Comparative Example 1 using conventional conductive particles as the conductive component is inferior in connection resistance to the Examples and Reference Examples, and the conductive particles may remain in the resin composition layer. confirmed.
[4]積層体の断面構造
次に、実施例1、2及び参考例1で得られた積層体の断面構造を、走査型電子顕微鏡(
SEM)(日本電子(株)製、型番「JSM−7401F」)を用いて撮影した。図9は
、各実施例及び参考例で得られた積層体の断面構造の写真である。図9に示されるように
、実施例1及び2で得られた積層体では、各対向する端子間における端子表面に凝集した
半田量がほぼ均一であるのに対し、参考例1で得られた積層体では、接続性に問題はない
ものの、各対向する端子間における端子表面に凝集する半田量にバラツキが出ることがわ
かった。
[4] Sectional Structure of Laminate Next, the sectional structures of the laminates obtained in Examples 1 and 2 and Reference Example 1 were scanned using a scanning electron microscope (
SEM) (manufactured by JEOL Ltd., model number “JSM-7401F”). FIG. 9 is a photograph of the cross-sectional structure of the laminate obtained in each example and reference example. As shown in FIG. 9, in the laminates obtained in Examples 1 and 2, the amount of solder agglomerated on the terminal surface between the opposing terminals was almost uniform, whereas that obtained in Reference Example 1 was obtained. In the laminated body, although there was no problem in connectivity, it was found that the amount of solder aggregated on the terminal surface between the terminals facing each other varied.
以上の結果から、導電接続材料の導電性成分として金属箔層を用いることにより、良好
な電気的接続と絶縁信頼性を高いレベルで両立できることが分かった。また、導電接続材
料の導電性成分としてパターン状に分断された金属箔を用いることにより、各対向する端
子間における端子表面に凝集する金属の量を制御できることが分かった。本願発明によれ
ば、金属箔層をパターン化することにより、端子間の電気的接続をより確実に行うことが
できる。
From the above results, it was found that good electrical connection and insulation reliability can be achieved at a high level by using a metal foil layer as the conductive component of the conductive connection material. It was also found that the amount of metal aggregated on the terminal surface between the opposing terminals can be controlled by using a metal foil divided into a pattern as the conductive component of the conductive connecting material. According to the present invention, by patterning the metal foil layer, electrical connection between the terminals can be more reliably performed.
本発明の端子間の接続方法は、電気、電子部品において電子部材間を電気的に接続する
際に有用である。また、本発明の接続端子の製造方法は、電子部材の電極上に接続端子を
製造する際に好適に用いられる。本発明は、半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板
、フレキシブル基板、その他の電気、電子部品において端子間を接続する際に有用である
。
The connection method between terminals of the present invention is useful for electrically connecting electronic members in electrical and electronic components. Moreover, the manufacturing method of the connection terminal of this invention is used suitably when manufacturing a connection terminal on the electrode of an electronic member. The present invention is useful when connecting terminals in a semiconductor wafer, a semiconductor chip, a rigid substrate, a flexible substrate, and other electrical and electronic components.
10、20、30 基板
11、21 端子
31 電極
100 パターン化導電接続材料
110 金属箔パターン層
120 樹脂組成物層
110a 導通性領域
120a 絶縁性領域
130 金属箔
140 接続端子
200 導電接続材料
10, 20, 30 Substrate 11, 21 Terminal 31 Electrode 100 Patterned conductive connecting material 110 Metal foil pattern layer 120 Resin composition layer 110a Conductive region 120a Insulating region 130 Metal foil 140 Connecting terminal 200 Conductive connecting material
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JPH11135173A (en) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Thickness direction conductive sheet and manufacture thereof |
JP2007305567A (en) * | 2006-04-11 | 2007-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Circuit connecting member |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11135173A (en) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Thickness direction conductive sheet and manufacture thereof |
JP2007305567A (en) * | 2006-04-11 | 2007-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Circuit connecting member |
JP2010040893A (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method of connecting terminals to each other, method of manufacturing semiconductor device using the same, and method of coagulating conductive particle |
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