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JP2013206532A - PRECURSOR FOR MANUFACTURING Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE ROD BY INTERNAL Sn METHOD, Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE ROD, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR - Google Patents

PRECURSOR FOR MANUFACTURING Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE ROD BY INTERNAL Sn METHOD, Nb3Sn SUPERCONDUCTING WIRE ROD, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR Download PDF

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JP2013206532A
JP2013206532A JP2012070601A JP2012070601A JP2013206532A JP 2013206532 A JP2013206532 A JP 2013206532A JP 2012070601 A JP2012070601 A JP 2012070601A JP 2012070601 A JP2012070601 A JP 2012070601A JP 2013206532 A JP2013206532 A JP 2013206532A
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superconducting
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弘之 加藤
Hidefumi Kurahashi
秀文 倉橋
Yukinobu Murakami
幸伸 村上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an inexpensive precursor by suppressing disconnection in the diameter reduction working.SOLUTION: A precursor 1 (precursor for manufacturing NbSn superconducting wire rod by internal Sn method) has a stabilized copper layer 2, a diffusion barrier layer 3 arranged on the inner peripheral side of the stabilized copper layer 2, and a superconducting matrix 5 arranged on the inner peripheral side of the diffusion barrier layer 3. The superconducting matrix 5 has an Sn segment wire rod 10, and an Nb segment wire rod 20 arranged so as to surround the periphery of the Sn segment wire rod 10. The Sn segment wire rod 10 has an Sn core rod 12 arranged on the inner peripheral side of a Cu matrix 11. The Nb segment wire rod 20 has an Nb single core wire rod 30 and a Ti single core wire rod 40. The Nb single core wire rod 30 has an Nb core rod 32 on the inner peripheral side of a Cu matrix 31. The Ti single core wire rod 40 has an Nb layer 42 arranged on the inner peripheral side of a Cu matrix 41 and a Ti core rod 43 arranged on the inner peripheral side of the Nb layer 42.

Description

本発明は、内部Sn法により製造されるNbSn超電導線材を製造するための前駆体、NbSn超電導線材、及びそれらの製造方法に関する。 The present invention relates to a precursor for producing an Nb 3 Sn superconducting wire produced by an internal Sn method, an Nb 3 Sn superconducting wire, and methods for producing them.

特許文献1に従来のNbSn超電導線材が記載されている。この超電導線材は、超電導マグネットのコイルの巻線などとして用いられる。この超電導マグネットは、核磁気共鳴(NMR)分析装置、物性評価装置、電力貯蔵や核融合炉等に用いられる。 Patent Document 1 describes a conventional Nb 3 Sn superconducting wire. This superconducting wire is used as a winding of a coil of a superconducting magnet. This superconducting magnet is used in nuclear magnetic resonance (NMR) analyzers, physical property evaluation apparatuses, power storage, fusion reactors, and the like.

従来より、NbSn超電導線材のNbSn超電導相内にTiを含ませることで、高磁場での臨界電流密度を高くできることが知られている。特許文献1に記載の技術では、Tiの供給源としてSnTi合金が用いられている(特許文献1の[0052])。 Conventionally, it is known that the critical current density in a high magnetic field can be increased by including Ti in the Nb 3 Sn superconducting phase of the Nb 3 Sn superconducting wire. In the technique described in Patent Document 1, an SnTi alloy is used as a Ti supply source ([0052] of Patent Document 1).

特開2006−4684号公報JP 2006-4684 A

しかしながら、特許文献1に記載の技術には次の問題がある。上記SnTi合金は、Sn中にSnTi粒子(化合物)が含まれるものである。このSnTi粒子は、SnTi合金で形成された線材の加工性を下げる。よって、NbSn超電導線材製造用前駆体を製造するための縮径加工の際に、線材が断線しやすい。 However, the technique described in Patent Document 1 has the following problems. The SnTi alloy includes SnTi particles (compound) in Sn. This SnTi particle reduces the workability of the wire formed of the SnTi alloy. Therefore, the wire is likely to break during the diameter reduction process for producing the precursor for producing the Nb 3 Sn superconducting wire.

また、この断線を抑制するため、SnTi粒子を微細化し、SnTi粒子をSn中に分散させる技術がある。しかし、SnTi粒子を微細化及び分散させたSnTi合金は、製造が困難であり高価である。   Moreover, in order to suppress this disconnection, there exists a technique which refines | miniaturizes SnTi particle | grains and disperses SnTi particle | grains in Sn. However, a SnTi alloy in which SnTi particles are refined and dispersed is difficult to manufacture and is expensive.

そこで本発明は、縮径加工時の断線を抑制できるとともに、安価な内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体、及びその製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a precursor for producing an internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire that is inexpensive and capable of suppressing disconnection during diameter reduction processing, and a method for producing the same.

本発明の内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体は、安定化銅層と、前記安定化銅層の内周側に配置された拡散バリア層と、前記拡散バリア層の内周側に配置された超電導マトリクスと、を備える。前記超電導マトリクスは、Snセグメント線材と、前記Snセグメント線材の周囲を取り囲むように配置されたNbセグメント線材と、を備える。前記Snセグメント線材は、Cuマトリクスの内周側に配置されたSn芯材を備える。前記Sn芯材は、Ti以外の金属とSnとからなるSn合金、または純Snで形成される。前記Nbセグメント線材は、Nb単芯線材と、Ti単芯線材と、を備える。前記Nb単芯線材は、Cuマトリクスの内周側に配置されたNb芯材を備える。前記Ti単芯線材は、Cuマトリクスの内周側に配置されたNb層と、前記Nb層の内周側に配置されたTi芯材と、を備える。前記Ti芯材は、純TiまたはNbTi合金で形成される。
また、本発明の内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体の製造方法は、純TiまたはNbTi合金で形成されたTi芯材を準備する工程と、Cuマトリクスの内周側にNb層を配置するとともに前記Nb層の内周側に前記Ti芯材を配置してTi単芯線材を作製する工程と、Cuマトリクスの内周側にNb芯材を配置してNb単芯線材を作製する工程と、前記Ti単芯線材と前記Nb単芯線材とを組み合わせてNbセグメント線材を作製する工程と、Sn合金(Ti以外の金属とSnとからなる合金)または純Snで形成されたSn芯材を準備する工程と、Cuマトリクスの内周側に前記Sn芯材を配置してSnセグメント線材を作製する工程と、前記Snセグメント線材の周囲を取り囲むように前記Nbセグメント線材を配置して超電導マトリクスを作製する工程と、安定化銅層の内周側に拡散バリア層を配置するとともに前記拡散バリア層の内周側に前記超電導マトリクスを配置して複合体を作製する工程と、前記複合体を縮径加工する工程と、を備える。
The precursor for producing the internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire of the present invention includes a stabilized copper layer, a diffusion barrier layer disposed on the inner peripheral side of the stabilized copper layer, and an inner peripheral side of the diffusion barrier layer. And a superconducting matrix disposed. The superconducting matrix includes an Sn segment wire and an Nb segment wire arranged so as to surround the periphery of the Sn segment wire. The Sn segment wire includes an Sn core disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix. The Sn core material is formed of a Sn alloy composed of a metal other than Ti and Sn, or pure Sn. The Nb segment wire includes an Nb single core wire and a Ti single core wire. The said Nb single core wire is equipped with the Nb core material arrange | positioned at the inner peripheral side of Cu matrix. The Ti single-core wire includes an Nb layer disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix, and a Ti core disposed on the inner peripheral side of the Nb layer. The Ti core material is formed of pure Ti or NbTi alloy.
The method for producing a precursor for producing an internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire according to the present invention comprises a step of preparing a Ti core formed of pure Ti or an NbTi alloy, and an Nb layer on the inner peripheral side of the Cu matrix. And arranging the Ti core material on the inner circumference side of the Nb layer to produce a Ti single core wire material, and arranging the Nb core material on the inner circumference side of the Cu matrix to produce an Nb single core wire material. A step of producing a Nb segment wire by combining the step, the Ti single core wire and the Nb single core wire, and an Sn core formed of Sn alloy (alloy made of metal other than Ti and Sn) or pure Sn A step of preparing a material, a step of producing an Sn segment wire by arranging the Sn core material on the inner peripheral side of the Cu matrix, and arranging the Nb segment wire so as to surround the periphery of the Sn segment wire A step of producing a conductive matrix, a step of arranging a diffusion barrier layer on the inner peripheral side of the stabilizing copper layer and a step of arranging the superconductive matrix on the inner peripheral side of the diffusion barrier layer to produce a composite, and the composite And a step of reducing the diameter of the body.

縮径加工時の断線を抑制できるとともに、前駆体を安価にできる。   It is possible to suppress disconnection during the diameter reduction processing and to reduce the cost of the precursor.

前駆体の断面図である。It is sectional drawing of a precursor.

図1を参照して本発明の実施形態の前駆体1(内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体)、及びその製造方法等について説明する。まず、前駆体1を用いて製造される超電導線材(NbSn超電導線材)について説明する。 With reference to FIG. 1, the precursor 1 (precursor for manufacturing an internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire) according to an embodiment of the present invention, a manufacturing method thereof, and the like will be described. First, a superconducting wire (Nb 3 Sn superconducting wire) manufactured using the precursor 1 will be described.

超電導線材(NbSn超電導線材)は、前駆体1に対して拡散熱処理を施してNbSn系超電導相(以下、単に「超電導相」とも言う)を形成させることで製造される。この超電導線材は、分散Sn内部Sn法(後述)により製造される。この超電導線材の軸直角断面(軸方向に直交する断面、軸方向から見た断面)の構造は、後述する前駆体1の軸直角断面の構造とほぼ同様である(以下、軸直角断面を単に「断面」とも言う)。 A superconducting wire (Nb 3 Sn superconducting wire) is manufactured by subjecting the precursor 1 to diffusion heat treatment to form an Nb 3 Sn-based superconducting phase (hereinafter also simply referred to as “superconducting phase”). This superconducting wire is manufactured by the dispersed Sn internal Sn method (described later). The structure of the superconducting wire at right angles to the cross section (cross section perpendicular to the axial direction, cross section viewed from the axial direction) is almost the same as the structure of the cross section perpendicular to the axis of the precursor 1 described later (hereinafter, the cross section perpendicular to the axis is simply Also called “cross section”).

前駆体1(内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体)は、拡散熱処理(NbSn生成熱処理)を施す前の段階の前駆体である。前駆体1は、後述する「複合体」を縮径加工した後の段階の前駆体である。前駆体1の断面は、例えば円形状である(矩形状でも良い)。前駆体1は、外周側(径方向外側)から順に、安定化銅層2と、拡散バリア層3と、超電導マトリクス5とを備える。 Precursor 1 (precursor for producing an internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire) is a precursor at a stage before performing diffusion heat treatment (Nb 3 Sn generation heat treatment). The precursor 1 is a precursor at a stage after the diameter reduction processing of a “composite” described later. The cross section of the precursor 1 is, for example, circular (or rectangular). The precursor 1 includes a stabilized copper layer 2, a diffusion barrier layer 3, and a superconducting matrix 5 in order from the outer peripheral side (radially outer side).

安定化銅層2は、超電導線材が超電導状態から常電導状態になったときに、超電導相に過電流が流れて超電導相が焼損すること防ぐための層である。安定化銅層2は、前駆体1の最も外周側に配置される。   The stabilized copper layer 2 is a layer for preventing an overcurrent from flowing through the superconducting phase and burning the superconducting phase when the superconducting wire is changed from the superconducting state to the normal conducting state. The stabilized copper layer 2 is disposed on the outermost peripheral side of the precursor 1.

拡散バリア層3は、拡散熱処理の際に超電導マトリクス5内のSnが外周側(安定化銅層2側)に拡散することを抑制する層である。拡散バリア層3は、安定化銅層2の内周側(径方向内側)に配置され、超電導マトリクス5の外周側に配置される。拡散バリア層3は、Nb層およびTa層の少なくともいずれかの層を備える。拡散バリア層3の最内周側の層(超電導マトリクス5と接する部分)は、Ta層であることが好ましい。その理由は、拡散バリア層3の最内周側の層がTa層でなくNb層の場合、拡散バリア層3のNb層と超電導マトリクス5内のSnとが拡散熱処理の際に反応し、拡散バリア層3の近傍に超電導相が形成され、超電導線材の有効フィラメント径が増大して交流損失が大きくなるおそれがあるからである。   The diffusion barrier layer 3 is a layer that suppresses the diffusion of Sn in the superconducting matrix 5 to the outer peripheral side (stabilized copper layer 2 side) during the diffusion heat treatment. The diffusion barrier layer 3 is disposed on the inner peripheral side (radially inner side) of the stabilizing copper layer 2 and is disposed on the outer peripheral side of the superconducting matrix 5. The diffusion barrier layer 3 includes at least one of an Nb layer and a Ta layer. The innermost layer (the portion in contact with the superconducting matrix 5) of the diffusion barrier layer 3 is preferably a Ta layer. The reason is that when the innermost layer of the diffusion barrier layer 3 is not a Ta layer but an Nb layer, the Nb layer of the diffusion barrier layer 3 reacts with Sn in the superconducting matrix 5 during the diffusion heat treatment. This is because a superconducting phase is formed in the vicinity of the barrier layer 3, the effective filament diameter of the superconducting wire is increased, and the AC loss may be increased.

超電導マトリクス5は、拡散熱処理後(NbSn生成熱処理後)に超電導相を形成する部分である。超電導マトリクス5は、前駆体1の断面の中央に配置される。超電導マトリクス5は、複数のSnセグメント線材10と、複数のNbセグメント線材20とを備える。超電導マトリクス5は、Snセグメント線材10及びNbセグメント線材20以外の線材、例えば補強用の線材(図示なし)などを備えても良い。超電導マトリクス5では、Snセグメント線材10の周囲を取り囲むようにNbセグメント線材20が配置される(超電導マトリクス5の外周側端部を除く)。好ましくは、Snセグメント線材10の周囲全体を取り囲むように、Nbセグメント線材20が配置される。具体的には例えば、六角形断面の1本のSnセグメント線材10の周囲全体を取り囲むように、六角形断面の6本のNbセグメント線材20が配置される。 The superconducting matrix 5 is a part where a superconducting phase is formed after diffusion heat treatment (after Nb 3 Sn generation heat treatment). Superconducting matrix 5 is arranged at the center of the cross section of precursor 1. The superconducting matrix 5 includes a plurality of Sn segment wires 10 and a plurality of Nb segment wires 20. The superconducting matrix 5 may include a wire other than the Sn segment wire 10 and the Nb segment wire 20, for example, a reinforcing wire (not shown). In the superconducting matrix 5, the Nb segment wire 20 is arranged so as to surround the Sn segment wire 10 (except for the outer peripheral end of the superconducting matrix 5). Preferably, the Nb segment wire 20 is disposed so as to surround the entire periphery of the Sn segment wire 10. Specifically, for example, six Nb segment wires 20 having a hexagonal cross section are arranged so as to surround the entire periphery of one Sn segment wire 10 having a hexagonal cross section.

Snセグメント線材10は、NbSn超電導線材のSn成分の供給源である。Snセグメント線材10は、断面が例えば六角形(正六角形)である(Nbセグメント線材20、Nb単芯線材30、及びTi単芯線材40も同様)。 The Sn segment wire 10 is a supply source of the Sn component of the Nb 3 Sn superconducting wire. The Sn segment wire 10 has a hexagonal (regular hexagonal) cross section, for example (the same applies to the Nb segment wire 20, the Nb single core wire 30, and the Ti single core wire 40).

また、Snセグメント線材10は、Cuマトリクス11と、Cuマトリクス11の内周側に配置されたSn芯材とを備える。そして、超電導マトリクス5中のSn成分とCu成分とは、ブロンズ化熱処理(後述)を行うまで分離して配置される。すなわち、超電導線材は内部Sn法により製造される。よって、前駆体1により製造された超電導線材の臨界電流密度(Jc)を、ブロンズ法により製造された超電導線材よりも大きくできる。
なお、ブロンズ法は、ブロンズ(Cu−Sn合金)を備える前駆体を用いた超電導線材の製法である。このブロンズ中のSn濃度には限界(約16重量%)がある。Snの濃度が不十分であることによりNbとSnとの反応が不十分となり、超電導相の形成が不十分となり、臨界電流密度を十分高くできない場合がある。一方、内部Sn法では、Sn濃度に上記のような限界がない。よって、超電導相を十分に形成させることができ、その結果、超電導線材の臨界電流密度を高くできる。
The Sn segment wire 10 includes a Cu matrix 11 and a Sn core material disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix 11. Then, the Sn component and the Cu component in the superconducting matrix 5 are arranged separately until a bronzing heat treatment (described later) is performed. That is, the superconducting wire is manufactured by the internal Sn method. Therefore, the critical current density (Jc) of the superconducting wire manufactured by the precursor 1 can be made larger than that of the superconducting wire manufactured by the bronze method.
The bronze method is a method for manufacturing a superconducting wire using a precursor including bronze (Cu—Sn alloy). There is a limit (about 16% by weight) in the Sn concentration in the bronze. If the Sn concentration is insufficient, the reaction between Nb and Sn is insufficient, the superconducting phase is not sufficiently formed, and the critical current density may not be sufficiently high. On the other hand, in the internal Sn method, the Sn concentration has no limit as described above. Therefore, the superconducting phase can be sufficiently formed, and as a result, the critical current density of the superconducting wire can be increased.

また、複数のSnセグメント線材10は、超電導マトリクス5中に分散して(Snセグメント線材10どうしが隣り合うことなく)配置される。すなわち、超電導線材は分散Sn法(DT法、Distributed Tin 法)により製造される。Snセグメント線材10が分散して配置されるので、超電導マトリクス5中のSn成分が分散され、SnとNbとの反応が均一に生じ、超電導相が均一に形成される。   Further, the plurality of Sn segment wire rods 10 are dispersed in the superconducting matrix 5 (the Sn segment wire rods 10 are not adjacent to each other). That is, the superconducting wire is manufactured by the distributed Sn method (DT method, Distributed Tin method). Since the Sn segment wire 10 is dispersedly arranged, the Sn component in the superconducting matrix 5 is dispersed, the reaction between Sn and Nb occurs uniformly, and the superconducting phase is uniformly formed.

Cuマトリクス11は、内周側にSn芯材12が配置される部材である。Cuマトリクス11の断面は、例えば、外周が六角形(正六角形)、内周が円形に形成される。Cuマトリクス11は、Snセグメント線材10の縮径加工を容易にする。この理由は、Cuマトリクス11を形成するCuは、縮径加工工具(例えば伸線用ダイスなど)との潤滑性に優れ、焼付き等が生じるのを防止できるからである(この効果および上記断面形状についてはCuマトリクス31及び41も同様)。   The Cu matrix 11 is a member in which the Sn core material 12 is disposed on the inner peripheral side. The cross section of the Cu matrix 11 is formed, for example, such that the outer periphery is a hexagon (regular hexagon) and the inner periphery is a circle. The Cu matrix 11 facilitates the diameter reduction processing of the Sn segment wire 10. This is because Cu forming the Cu matrix 11 is excellent in lubricity with a diameter reducing tool (for example, a wire drawing die) and can prevent seizure or the like (this effect and the above-mentioned cross section). The same applies to the Cu matrices 31 and 41).

Sn芯材12は、Sn合金または純Snで形成される。この「純Sn」には、0.5重量%未満の不純物(Ti以外)が含まれても良い。この「Sn合金」は、Ti以外の金属(添加元素)とSnとからなる合金である。このSn合金は、例えばTa、Zr、Hf等の添加元素を、例えば0.5重量%〜10重量%程度含むものである。Sn合金中の添加元素の割合の上限は、Snセグメント線材10(前駆体1)の加工性を阻害しないような値に設定する。また、Sn芯材12は、Snセグメント線材10の断面の中央に配置される。Sn芯材12は断面が例えば円形である(Nb芯材32およびTi芯材43の断面形状も同様)。   The Sn core material 12 is made of Sn alloy or pure Sn. This “pure Sn” may contain less than 0.5% by weight of impurities (other than Ti). This “Sn alloy” is an alloy composed of a metal (additive element) other than Ti and Sn. This Sn alloy contains, for example, about 0.5 wt% to 10 wt% of additive elements such as Ta, Zr, and Hf. The upper limit of the ratio of the additive element in the Sn alloy is set to a value that does not hinder the workability of the Sn segment wire 10 (precursor 1). Further, the Sn core material 12 is disposed at the center of the cross section of the Sn segment wire 10. The Sn core material 12 has, for example, a circular cross section (the same applies to the cross-sectional shapes of the Nb core material 32 and the Ti core material 43).

Nbセグメント線材20は、Nb単芯線材30とTi単芯線材40とを組み合わせたものである。Nbセグメント線材20は、例えば36本配置されたNb単芯線材30と、例えば中央に1本配置されたTi単芯線材40とを備える。なお、図1に示すNbセグメント線材20は、縮径加工によりCuマトリクス31及び41が一体化された状態のものである。   The Nb segment wire 20 is a combination of the Nb single core wire 30 and the Ti single core wire 40. The Nb segment wire 20 includes, for example, 36 Nb single-core wires 30 arranged, and, for example, a Ti single-core wire 40 arranged in the center. In addition, the Nb segment wire 20 shown in FIG. 1 is a state in which the Cu matrices 31 and 41 are integrated by a diameter reduction process.

Nb単芯線材30は、NbSn超電導線材のNbの供給源である。複数のNb単芯線材30は、Nbセグメント線材20中に分散して配置される。Nb単芯線材30は、Cuマトリクス31と、Cuマトリクス31の内周側に配置されたNb芯材32とを備える。 The Nb single core wire 30 is a Nb supply source of Nb 3 Sn superconducting wire. The plurality of Nb single core wires 30 are arranged in a dispersed manner in the Nb segment wire 20. The Nb single core wire 30 includes a Cu matrix 31 and an Nb core material 32 disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix 31.

Nb芯材32は、純NbまたはNb合金により形成される。この「純Nb」は、微量(例えば0.5重量%未満)の不純物を含んだものでも良い。この「Nb合金」は、添加元素(例えばTa、Hf、Zr、Ti等)を0.5重量%〜10重量%程度含有する合金である。Nb芯材32は、Nb単芯線材30の断面の中央に配置される。   The Nb core material 32 is formed of pure Nb or Nb alloy. This “pure Nb” may contain a trace amount (for example, less than 0.5% by weight) of impurities. This “Nb alloy” is an alloy containing about 0.5 wt% to 10 wt% of additive elements (for example, Ta, Hf, Zr, Ti, etc.). The Nb core material 32 is disposed at the center of the cross section of the Nb single core wire 30.

Ti単芯線材40は、NbSn超電導相へのTi成分の供給源である。Ti単芯線材40は、外周側から順に、Cuマトリクス41と、Nb層42と、Ti芯材43とを備える。 The Ti single core wire 40 is a supply source of Ti component to the Nb 3 Sn superconducting phase. The Ti single core wire 40 includes a Cu matrix 41, an Nb layer 42, and a Ti core material 43 in order from the outer peripheral side.

Nb層42は、Tiを含まないNb合金または純Nbにより形成される。Nb層42は、Cuマトリクス41の内周側に配置される層である。Nb層42はTi芯材43の外周側に配置される層である。Nb層42は、縮径加工中(特に縮径加工中に行われる焼鈍し中)に、Ti芯材43から外周側へTi成分が拡散するのを防止する、いわばTiの拡散バリア層である。Nb層42が加工により十分薄くなると、長時間の熱処理によりTi芯材43から外周側へTi成分が拡散可能となる(詳細は後述)。Nb層42の厚さは、上記の機能を実現できるように、熱処理の温度や時間に応じて適宜設定する。具体的には、Nb層42の厚さは、Ti芯材43の径の0.1〜2.0%に設定するのが望ましい。   The Nb layer 42 is formed of an Nb alloy not containing Ti or pure Nb. The Nb layer 42 is a layer disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix 41. The Nb layer 42 is a layer disposed on the outer peripheral side of the Ti core material 43. The Nb layer 42 is a Ti diffusion barrier layer that prevents the Ti component from diffusing from the Ti core material 43 to the outer peripheral side during the diameter reduction processing (particularly during annealing performed during the diameter reduction processing). . When the Nb layer 42 is sufficiently thinned by processing, the Ti component can be diffused from the Ti core material 43 to the outer peripheral side by a long-time heat treatment (details will be described later). The thickness of the Nb layer 42 is appropriately set according to the temperature and time of the heat treatment so that the above function can be realized. Specifically, the thickness of the Nb layer 42 is desirably set to 0.1 to 2.0% of the diameter of the Ti core material 43.

Ti芯材43は、純TiまたはNbTi合金で形成される。この純Tiには、不純物が0.5重量%未満含まれていても良い。このNbTi合金中のNb成分は、例えば0.5〜60重量%程度等である。このNbTi合金にはNb及びTi以外の添加元素等が含まれていても良い。Ti芯材43は、Ti単芯線材40の断面の中央に配置される。   The Ti core material 43 is formed of pure Ti or NbTi alloy. This pure Ti may contain less than 0.5% by weight of impurities. The Nb component in the NbTi alloy is, for example, about 0.5 to 60% by weight. This NbTi alloy may contain additional elements other than Nb and Ti. The Ti core material 43 is disposed at the center of the cross section of the Ti single core wire 40.

次にTi単芯線材40の量および配置を説明する。Ti単芯線材40の量は、超電導マトリクス5内のNb成分に対するTi成分の割合が0.1〜5.0重量%になるように調整される。Ti単芯線材40は、Nbセグメント線材20内で均等に配置される。例えば上述したように、Ti単芯線材40は、Nbセグメント線材20の断面中央に1本配置される。また例えば、複数のTi単芯線材40がNbセグメント線材20内で分散して(少なくとも隣り合わないように)配置されても良い。また例えば、Ti芯材43が細いほどTi単芯線材40の数を増やしても良い。また例えば、NbTi合金で形成されたTi芯材43中のTi成分が少ないほどTi単芯線材40を増やしても良い。   Next, the amount and arrangement of the Ti single core wire 40 will be described. The amount of the Ti single core wire 40 is adjusted so that the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix 5 is 0.1 to 5.0% by weight. The Ti single core wire 40 is uniformly arranged in the Nb segment wire 20. For example, as described above, one Ti single core wire 40 is disposed at the center of the cross section of the Nb segment wire 20. Further, for example, a plurality of Ti single core wires 40 may be dispersed (at least not adjacent to each other) in the Nb segment wire 20. For example, the number of Ti single core wires 40 may be increased as the Ti core material 43 is thinner. Further, for example, the Ti single core wire 40 may be increased as the Ti component in the Ti core material 43 formed of the NbTi alloy decreases.

(製法)
次に、前駆体1および超電導線材の製造方法を説明する。この製造方法は、Nbセグメント線材20を作製する工程と、Snセグメント線材10を作製する工程と、複合体(縮径加工前の前駆体1)を作製して縮径する工程と、前駆体1に熱処理を施して超電導線材を作製する工程とを備える。なお、以下では前駆体1の段階での部材名を括弧を付して記載する場合がある。
(Manufacturing method)
Next, the manufacturing method of the precursor 1 and a superconducting wire is demonstrated. This manufacturing method includes a step of producing an Nb segment wire 20, a step of producing an Sn segment wire 10, a step of producing a composite (precursor 1 before diameter reduction processing) and reducing the diameter, and a precursor 1. And a step of producing a superconducting wire by heat treatment. In addition, below, the member name in the stage of the precursor 1 may be described in parentheses.

(Nbセグメント線材20の作製) Nbセグメント線材20の製造方法は、Ti単芯線材40を作製する工程と、Nb単芯線材30を作製する工程と、Ti単芯線材40とNb単芯線材30とを組み合わせる工程とを備える。   (Preparation of Nb segment wire 20) The manufacturing method of the Nb segment wire 20 includes the steps of manufacturing the Ti single core wire 40, the step of manufacturing the Nb single core wire 30, the Ti single core wire 40 and the Nb single core wire 30. And a step of combining the two.

Ti単芯線材40は、次の(a)〜(g)のように作製される。(a)純TiまたはNbTi合金で形成されたTiビレット(Ti芯材43)を準備する。(b)Cu管(Cuビレット)(Cuマトリクス41)の内周側にNbシート(Nb層42)を配置する。(c)Nbシート(Nb層42)の内周側にTiビレット(Ti芯材43)を配置する。なお、各工程の順序は様々に変更できる。例えば、Tiビレット(Ti芯材43)の周囲にNbシート(Nb層42)を巻きつけたものを、Cu管(Cuマトリクス41)の内周側に挿入しても良い。各工程の順序を様々に変更できる点については、以降の工程についても同様である。(d)上記(a)〜(c)で作製されたビレット(Ti単芯線材40)の軸方向両端部を真空状態で溶接する。(e)上記(d)で溶接されたビレットを熱間押出しする。(f)上記(e)で押出しされた押出材を縮径加工して六角断面形状とする。なお、複数回の縮径加工の途中に、焼鈍をしても良い。(g)寸法や形状等の矯正後に所定長さ(定尺)に裁断する。これによりTi単芯線材40が作製される。   The Ti single core wire 40 is manufactured as shown in the following (a) to (g). (A) A Ti billet (Ti core material 43) formed of pure Ti or an NbTi alloy is prepared. (B) An Nb sheet (Nb layer 42) is disposed on the inner peripheral side of the Cu pipe (Cu billet) (Cu matrix 41). (C) A Ti billet (Ti core material 43) is disposed on the inner peripheral side of the Nb sheet (Nb layer 42). In addition, the order of each process can be changed variously. For example, an Nb sheet (Nb layer 42) wound around a Ti billet (Ti core material 43) may be inserted into the inner peripheral side of the Cu tube (Cu matrix 41). The same applies to the subsequent steps in that the order of each step can be changed in various ways. (D) Both ends in the axial direction of the billet (Ti single core wire 40) produced in the above (a) to (c) are welded in a vacuum state. (E) The billet welded in (d) above is hot extruded. (F) The extruded material extruded in (e) above is reduced in diameter to have a hexagonal cross-sectional shape. In addition, you may anneal in the middle of a multiple diameter reduction process. (G) Cut into a predetermined length (fixed length) after correcting the dimensions and shape. Thereby, the Ti single core wire 40 is produced.

Nb単芯線材30は、次の(h)および(i)のように作製される。(h)Cu管(Cuマトリクス31)の内周側にNbビレット(Nb芯材32)を配置(挿入)する。(i)上記(d)〜(g)と同様に縮径加工等をする。これによりNb単芯線材30が作製される。   The Nb single core wire 30 is produced as shown in the following (h) and (i). (H) An Nb billet (Nb core material 32) is disposed (inserted) on the inner peripheral side of the Cu tube (Cu matrix 31). (I) The diameter reduction process etc. are carried out similarly to said (d)-(g). Thereby, the Nb single core wire 30 is produced.

Nbセグメント線材20は、次の(j)〜(l)のように作製される。(j)Ti単芯線材40とNb単芯線材30とを組み合わせたものを、Cu管に挿入する。(k)上記(j)におけるTi単芯線材40の量は、超電導マトリクス5内のNb成分に対するTi成分の割合が0.1〜5.0重量%になるように調整される。(l)上記(d)〜(g)と同様に縮径加工等をする。これによりNbセグメント線材20が作製される。   The Nb segment wire 20 is produced as in the following (j) to (l). (J) A combination of the Ti single core wire 40 and the Nb single core wire 30 is inserted into the Cu tube. (K) The amount of the Ti single core wire 40 in (j) is adjusted so that the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix 5 is 0.1 to 5.0% by weight. (L) A diameter reduction process or the like is performed in the same manner as in the above (d) to (g). Thereby, the Nb segment wire 20 is produced.

(Snセグメント線材10の作製) Snセグメント線材10は、次の(m)〜(o)のように作製される。(m)Sn合金または純Snで形成されたSn棒(Sn芯材12)を準備する。(n)Cu管(Cuマトリクス11)の内周側にSn棒(Sn芯材12)を配置する。(o)上記(n)で作製された棒に対し、冷間引抜きによる縮径加工等を施す。これによりSnセグメント線材10が製作される。   (Production of Sn segment wire 10) The Sn segment wire 10 is produced as the following (m) to (o). (M) An Sn rod (Sn core material 12) made of Sn alloy or pure Sn is prepared. (N) An Sn rod (Sn core material 12) is disposed on the inner peripheral side of the Cu tube (Cu matrix 11). (O) The rod produced in (n) is subjected to diameter reduction processing by cold drawing or the like. Thereby, the Sn segment wire 10 is manufactured.

(複合体の作製および縮径) 複合体(縮径加工前の前駆体1)の製造方法は、超電導マトリクス5を作製する工程と、超電導マトリクス5と他の部材とを組み合わせる工程とを備える。   (Production of composite and reduction in diameter) The method for producing the composite (precursor 1 before diameter reduction) includes a step of producing superconducting matrix 5 and a step of combining superconducting matrix 5 with another member.

超電導マトリクス5は、次の(p)及び(q)のように作製される。(p)Snセグメント線材10とNbセグメント線材20とを組み合わせて超電導マトリクス5を作製する。(q)上記(p)の際、Snセグメント線材10の周囲を取り囲むようにNbセグメント線材20を配置する。   The superconducting matrix 5 is manufactured as in the following (p) and (q). (P) The superconducting matrix 5 is produced by combining the Sn segment wire 10 and the Nb segment wire 20. (Q) In the case of (p) above, the Nb segment wire 20 is arranged so as to surround the periphery of the Sn segment wire 10.

複合体(縮径加工前の前駆体1)は、次の(r)〜(t)のように作製される。(r)Cu管(安定化銅層2)の内周側に、例えばNbシートを重ね巻きしたもの(拡散バリア層3)を配置する(張り付かせる)。(s)Nbシート(拡散バリア層3)の内周側に超電導マトリクス5を配置する。これにより複合体が作製される。(t)この複合体に対し、冷間引抜きによる縮径加工等を施す。これにより、前駆体1が製造される。   The composite (precursor 1 before diameter reduction processing) is produced as in the following (r) to (t). (R) On the inner peripheral side of the Cu tube (stabilized copper layer 2), for example, a layer (diffusion barrier layer 3) in which an Nb sheet is overlaid is disposed (attached). (S) Superconducting matrix 5 is arranged on the inner peripheral side of the Nb sheet (diffusion barrier layer 3). Thereby, a composite is produced. (T) The composite is subjected to diameter reduction processing by cold drawing or the like. Thereby, the precursor 1 is manufactured.

(熱処理) 前駆体1に対して拡散熱処理を施すことで超電導線材を製造する。拡散熱処理には、(u)ブロンズ化熱処理と、(v)NbSn生成熱処理とがある。 (Heat Treatment) A superconducting wire is manufactured by subjecting the precursor 1 to a diffusion heat treatment. The diffusion heat treatment includes (u) bronzing heat treatment and (v) Nb 3 Sn generation heat treatment.

ブロンズ化熱処理(u)は次のように行われる。前駆体1を例えば200℃〜600℃の温度で、数十時間や数百時間、加熱する。これにより、Nbセグメント線材20のCuマトリクス31・41中に、Sn芯材12のSn成分が拡散され、ブロンズ(Cu−Sn合金)が生成される。   The bronzing heat treatment (u) is performed as follows. For example, the precursor 1 is heated at a temperature of 200 ° C. to 600 ° C. for several tens of hours or several hundred hours. As a result, the Sn component of the Sn core material 12 is diffused into the Cu matrices 31 and 41 of the Nb segment wire rod 20, and bronze (Cu—Sn alloy) is generated.

NbSn生成熱処理(v)は次のように行われる。ブロンズ化熱処理(u)を経た前駆体1を、例えば600℃〜800℃の温度で、数十時間や数百時間、加熱する。これにより、上記(u)で生成されたブロンズとNb単芯線材30との境界にNbSn系超電導相が形成される。 The Nb 3 Sn generation heat treatment (v) is performed as follows. The precursor 1 that has undergone the bronzing heat treatment (u) is heated, for example, at a temperature of 600 ° C. to 800 ° C. for tens of hours or hundreds of hours. As a result, an Nb 3 Sn superconducting phase is formed at the boundary between the bronze generated in (u) and the Nb single-core wire 30.

これらの熱処理(u)及び(v)の際に、Ti芯材43のTi成分は、周囲のNbSn系超電導相内に均一に拡散される。これにより、本発明のNbSn超電導線材が製造される。上記のようにTi成分が拡散できる理由は、縮径加工(上記(e)(f)(l)及び(t))によりNb層42が十分薄くなっているとともに、熱処理(上記(u)及び(v))が長時間だからである。一方、前駆体1の加工段階では、焼鈍時間は短く(なお上記(f)及び(l)の際に焼鈍が行われ得る)、Nb層42が十分薄くなっていないので、Tiは上記のような拡散ができない。 During these heat treatments (u) and (v), the Ti component of the Ti core material 43 is uniformly diffused into the surrounding Nb 3 Sn superconducting phase. Thereby, the Nb 3 Sn superconducting wire of the present invention is manufactured. The reason why the Ti component can diffuse as described above is that the Nb layer 42 is sufficiently thinned by the diameter reduction processing (the above (e), (f), (l), and (t)), and the heat treatment (the above (u) and This is because (v)) is a long time. On the other hand, in the processing stage of the precursor 1, the annealing time is short (it can be annealed during the above (f) and (l)), and the Nb layer 42 is not sufficiently thin, so Ti is as described above. Difficult to diffuse.

(実験)
本発明の実施例、比較例1、及び比較例2の超電導線材を作製した。そして、各超電導線材について、臨界電流密度、及び、断線回数を測定した。
(Experiment)
Superconducting wires of Examples of the present invention, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were produced. And about each superconducting wire, the critical current density and the frequency | count of disconnection were measured.

実施例の超電導線材は、上記(a)〜(v)の工程を備える製造方法で作製した。
(Ti単芯線材40) 上記(b)の工程で用いたCu管(Cuマトリクス41)は、外径:140mmφ、内径:110mmφである。同工程で用いたNbシート(Nb層42)は、厚さ:0.2mmである。上記(c)の工程で用いたTiビレット(Ti芯材43)は、Nb−47wt%Ti合金(Tiが47重量%)で形成され、外径:109mmφである。上記(a)〜(g)の工程で作製したTi単芯線材40の対辺長さ(正六角形断面の平行な2辺間の最短距離)は4.3mmである。
(Nb単芯線材30) 上記(h)の工程で用いたCu管(Cuマトリクス31)は、外径:68mmφ、内径:61mmφである。同工程で用いたNbビレット(Nb芯材32)は、外径:60.8mmφである。上記(h)及び(i)の工程で作製したNb単芯線材30の対辺長さは4.3mmである。
(Nbセグメント線材20) 上記(j)の工程で用いたCu管は、外径:34mmφ、内径:30mmφである。上記(j)〜(l)の工程で作製した1本のNbセグメント線材20は、図1に示すように、1本のTi単芯線材40と36本のNb単芯線材30とを備えるものである。このNbセグメント線材20の対辺長さは1.7mmである。
(Snセグメント線材10) 上記(n)の工程で用いたCu管(Cuマトリクス11)は、外径:24mmφ、内径:21mmφである。上記(m)の工程で用いたSn棒(Sn芯材12)は、純Snで形成されたものであり、外径:20.6mmφである。上記(m)〜(o)の工程で作製したSnセグメント線材10の対辺長さは1.7mmである。
(複合体) 上記(p)及び(q)の工程では、1本のSnセグメント線材10の周囲全体を6本のNbセグメント線材20が取り囲むような配置とした。また、138本のNbセグメント線材20と73本のSnセグメント線材10とを組み合わせて超電導マトリクス5を作製した。上記(r)の工程で用いたCu管(安定化銅層2)は、外径34mmφ、内径:30mmφである。同工程で用いたNbシート(拡散バリア層3)は、厚さ:0.2mmを重ね巻きしたものである。上記(a)〜(s)の工程で作製した前駆体1は、直径:1.0mmφである。
(熱処理) ブロンズ化熱処理(u)は、210℃で50時間、及び、350℃で100時間行った。NbSn生成熱処理(v)は、670℃で100時間行った。
また、実施例の超電導線材では、超電導マトリクス5内のNb成分に対するTi成分の割合は1.1重量%とした。この割合は、実施例と比較例1とで統一した。
The superconducting wire of Example was produced by the manufacturing method provided with the process of said (a)-(v).
(Ti single core wire 40) The Cu pipe (Cu matrix 41) used in the step (b) has an outer diameter of 140 mmφ and an inner diameter of 110 mmφ. The Nb sheet (Nb layer 42) used in the same process has a thickness of 0.2 mm. The Ti billet (Ti core material 43) used in the step (c) is made of an Nb-47 wt% Ti alloy (Ti is 47 wt%) and has an outer diameter of 109 mmφ. The opposite side length (shortest distance between two parallel sides of a regular hexagonal cross section) of the Ti single core wire 40 produced in the steps (a) to (g) is 4.3 mm.
(Nb single core wire 30) The Cu pipe (Cu matrix 31) used in the step (h) has an outer diameter of 68 mmφ and an inner diameter of 61 mmφ. The Nb billet (Nb core material 32) used in the same process has an outer diameter of 60.8 mmφ. The opposite side length of the Nb single core wire 30 produced in the steps (h) and (i) is 4.3 mm.
(Nb segment wire 20) The Cu pipe used in the step (j) has an outer diameter of 34 mmφ and an inner diameter of 30 mmφ. One Nb segment wire 20 produced in the steps (j) to (l) includes one Ti single core wire 40 and 36 Nb single core wires 30 as shown in FIG. It is. The opposite side length of this Nb segment wire 20 is 1.7 mm.
(Sn segment wire 10) The Cu pipe (Cu matrix 11) used in the step (n) has an outer diameter of 24 mmφ and an inner diameter of 21 mmφ. The Sn rod (Sn core material 12) used in the step (m) is made of pure Sn and has an outer diameter of 20.6 mmφ. The opposite side length of the Sn segment wire 10 produced in the steps (m) to (o) is 1.7 mm.
(Composite) In the steps (p) and (q), the entire periphery of one Sn segment wire 10 is arranged so as to surround the six Nb segment wires 20. Moreover, the superconducting matrix 5 was produced by combining 138 Nb segment wires 20 and 73 Sn segment wires 10. The Cu pipe (stabilized copper layer 2) used in the step (r) has an outer diameter of 34 mmφ and an inner diameter of 30 mmφ. The Nb sheet (diffusion barrier layer 3) used in the same process is a roll of 0.2 mm thickness. The precursor 1 produced in the steps (a) to (s) has a diameter of 1.0 mmφ.
(Heat treatment) The bronzing heat treatment (u) was performed at 210 ° C. for 50 hours and at 350 ° C. for 100 hours. The Nb 3 Sn generation heat treatment (v) was performed at 670 ° C. for 100 hours.
In the superconducting wire of the example, the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix 5 was 1.1% by weight. This ratio was unified between the example and the comparative example 1.

比較例1の超電導線材は、実施例の超電導線材と次の点で相違し、他の点で一致する。
比較例1の超電導線材の前駆体(1)は、Ti単芯線材40を備えない。すなわち、比較例1の超電導線材の前駆体(1)は、実施例のTi単芯線材40を、Nb単芯線材30に置き換えたものである。
また、実施例のSn芯材12は純Snで形成したが、比較例1のSn芯材(12)はSn−2wt%Ti合金で形成したものである。
The superconducting wire of Comparative Example 1 is different from the superconducting wire of the example in the following points and is identical in other points.
The superconducting wire precursor (1) of Comparative Example 1 does not include the Ti single core wire 40. That is, the precursor (1) of the superconducting wire of Comparative Example 1 is obtained by replacing the Ti single core wire 40 of the example with the Nb single core wire 30.
Moreover, although Sn core material 12 of an Example was formed with pure Sn, Sn core material (12) of the comparative example 1 was formed with Sn-2 wt% Ti alloy.

比較例2の超電導線材は、ブロンズ法で作製したものである。   The superconducting wire of Comparative Example 2 is produced by the bronze method.

臨界電流密度は次のように求めた。各超電導線材の臨界電流を、液体ヘリウム中(温度4.2K)で、16T(テスラ)の外部磁場の下で四端子法にて測定した。測定した臨界電流を非Cu部の面積で割って、臨界電流密度を算出した。   The critical current density was determined as follows. The critical current of each superconducting wire was measured by the four-terminal method in liquid helium (temperature 4.2 K) under an external magnetic field of 16 T (Tesla). The critical current density was calculated by dividing the measured critical current by the area of the non-Cu portion.

断線回数は次のように測定した。長さ5000mの前駆体1を製造する際の縮径加工時の断線回数を測定した。また、Snセグメント線材10やNbセグメント線材20など前駆体1を構成する各線材の縮径加工時の断線回数と、複合体(熱処理前の前駆体1)の縮径加工時の断線回数と、の合計回数を測定した。なお、内部Sn法で作製した実施例(及び比較例1)と、ブロンズ法で作製した比較例2とでは前駆体1の構造が大きく異なるので、実施例と比較例2との断線回数の比較は省略する。   The number of disconnections was measured as follows. The number of disconnections at the time of diameter reduction when manufacturing the precursor 1 having a length of 5000 m was measured. Also, the number of breaks during diameter reduction of each wire constituting the precursor 1, such as the Sn segment wire 10 and the Nb segment wire 20, and the number of breaks during diameter reduction of the composite (precursor 1 before heat treatment), The total number of times was measured. In addition, since the structure of the precursor 1 is greatly different between the example (and comparative example 1) manufactured by the internal Sn method and the comparative example 2 manufactured by the bronze method, the number of disconnections between the example and the comparative example 2 is compared. Is omitted.

(結果)
実験結果を表1に示す。なお、表中の「Jc特性」は臨界電流密度である。
(result)
The experimental results are shown in Table 1. The “Jc characteristic” in the table is the critical current density.

臨界電流密度は、実施例と比較例1とでほぼ等しくなった。この理由は、超電導マトリクス5内のNb成分に対するTi成分の割合を、実施例と比較例1とで統一したからである。
また、臨界電流密度は、実施例のほうが比較例2よりも大きくなった。この理由は、比較例2(ブロンズ法)よりも実施例(内部Sn法)の方が、超電導マトリクス5中のSn濃度が高く、その結果、超電導相を十分に形成できたからである。
The critical current density was almost equal between the example and the comparative example 1. This is because the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix 5 is unified in the example and the comparative example 1.
Further, the critical current density in the example was larger than that in the comparative example 2. This is because the Sn concentration in the superconducting matrix 5 is higher in the example (internal Sn method) than in the comparative example 2 (bronze method), and as a result, the superconducting phase can be sufficiently formed.

断線回数は、実施例の方が比較例1よりも少なくなった。この理由は次の通りである。比較例1の前駆体(1)では、Sn芯材(12)がSnTi合金で形成され、このSnTi合金が縮径加工の加工性を悪化させた。一方、実施例の前駆体1では、Sn芯材12にSnTi合金が含まれない。また、実施例の前駆体1では(熱処理前の段階では)、Ti単芯線材40からのTiの拡散がNb層42により妨げられるので、SnTi合金が生成されない。よって、実施例では比較例1よりも断線を抑制できた。   The number of disconnections was smaller in Example than in Comparative Example 1. The reason is as follows. In the precursor (1) of Comparative Example 1, the Sn core material (12) was formed of a SnTi alloy, and this SnTi alloy deteriorated the workability of the diameter reduction processing. On the other hand, in the precursor 1 of an Example, Sn core material 12 does not contain a SnTi alloy. Further, in the precursor 1 of the example (before the heat treatment), the diffusion of Ti from the Ti single core wire 40 is hindered by the Nb layer 42, so that no SnTi alloy is generated. Therefore, disconnection was able to be suppressed more in the Example than in Comparative Example 1.

(効果1)
次に、本発明の前駆体1等の効果を説明する。前駆体1(内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体)は、安定化銅層2と、安定化銅層2の内周側に配置された拡散バリア層3と、拡散バリア層3の内周側に配置された超電導マトリクス5と、を備える。超電導マトリクス5は、Snセグメント線材10と、Snセグメント線材10の周囲を取り囲むように配置されたNbセグメント線材20と、を備える。Snセグメント線材10は、Cuマトリクス11の内周側に配置されたSn芯材12を備える。Sn芯材12は、Ti以外の金属とSnとからなるSn合金、または純Snで形成される。Nbセグメント線材20は、Nb単芯線材30と、Ti単芯線材40と、を備える。Nb単芯線材30は、Cuマトリクス31の内周側に配置されたNb芯材32を備える。Ti単芯線材40は、Cuマトリクス41の内周側に配置されたNb層42と、Nb層42の内周側に配置されたTi芯材43と、を備える。Ti芯材43は、純TiまたはNbTi合金で形成される。
(Effect 1)
Next, effects of the precursor 1 and the like of the present invention will be described. Precursor 1 (precursor for producing internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire) includes stabilized copper layer 2, diffusion barrier layer 3 disposed on the inner peripheral side of stabilized copper layer 2, and diffusion barrier layer 3. And a superconducting matrix 5 disposed on the inner peripheral side. Superconducting matrix 5 includes Sn segment wire 10 and Nb segment wire 20 arranged so as to surround the periphery of Sn segment wire 10. The Sn segment wire 10 includes an Sn core material 12 disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix 11. The Sn core material 12 is formed of a Sn alloy composed of a metal other than Ti and Sn, or pure Sn. The Nb segment wire 20 includes an Nb single core wire 30 and a Ti single core wire 40. The Nb single core wire 30 includes an Nb core material 32 disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix 31. The Ti single core wire 40 includes an Nb layer 42 disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix 41, and a Ti core member 43 disposed on the inner peripheral side of the Nb layer 42. The Ti core material 43 is formed of pure Ti or NbTi alloy.

(効果1−1)
Nbセグメント線材20は、Nb層42と、Nb層42の内周側に配置されたTi芯材43とを備える。よって、前駆体1を製造するための縮径加工の際(特に縮径加工中の焼鈍しの際)、Ti芯材43のTi成分がNb層42の外周側に拡散することが抑制される。よって、このTi成分と超電導マトリクス5中のSn成分とが、断線の原因となるSnTi合金を形成することを抑制できる。したがって、前駆体1を製造するための縮径加工時に線材(縮径加工前の前駆体1、及び、Snセグメント線材10)が断線することを抑制できる。
また、縮径加工によりNb層42が十分薄くなった状態で、前駆体1に対して熱処理を長時間施せば、Ti芯材43のTi成分は周囲に拡散される。その結果、このTi成分は、Nb3sn系超電導相内に拡散される。よって、超電導特性(高磁場での臨界電流密度)を向上できる。
(Effect 1-1)
The Nb segment wire 20 includes an Nb layer 42 and a Ti core 43 disposed on the inner peripheral side of the Nb layer 42. Therefore, the Ti component of the Ti core material 43 is prevented from diffusing to the outer peripheral side of the Nb layer 42 during the diameter reduction process for manufacturing the precursor 1 (particularly during annealing during the diameter reduction process). . Therefore, it can suppress that this Ti component and the Sn component in the superconducting matrix 5 form the SnTi alloy which causes a disconnection. Therefore, it can suppress that a wire (The precursor 1 before diameter reduction processing, and the Sn segment wire 10) breaks at the time of diameter reduction processing for manufacturing the precursor 1. FIG.
In addition, if the precursor 1 is subjected to heat treatment for a long time in a state where the Nb layer 42 is sufficiently thin by the diameter reduction processing, the Ti component of the Ti core material 43 is diffused to the surroundings. As a result, this Ti component is diffused in the Nb3sn superconducting phase. Therefore, the superconducting characteristics (critical current density in a high magnetic field) can be improved.

(効果1−2)
Ti芯材43は、純TiまたはNbTi合金で形成される。純Ti及びNbTi合金は、SnTi合金よりも加工性が良いので、前駆体1を製造するための縮径加工時の線材の断線を抑制できる。また、純Ti及びNbTi合金は、SnTi粒子を微細化したSnTi合金(上述したように加工性の向上を図った合金)よりも入手が容易で安価なので、前駆体1を安価に製造できる。
(Effect 1-2)
The Ti core material 43 is formed of pure Ti or NbTi alloy. Since pure Ti and NbTi alloy have better workability than SnTi alloy, it is possible to suppress disconnection of the wire during diameter reduction processing for manufacturing the precursor 1. In addition, since pure Ti and NbTi alloys are easier to obtain and cheaper than SnTi alloys in which SnTi particles are miniaturized (alloys that improve workability as described above), the precursor 1 can be manufactured at a low cost.

(効果2、5)
Ti単芯線材40の量は、超電導マトリクス5内のNb成分に対するTi成分の割合が0.1〜5.0重量%になるように調整される。前記割合が0.1重量%以上なので、臨界電流密度を十分高くできる。前記割合が5.0重量%以下なので、Ti成分が多すぎることによる加工性(縮径加工の加工性)の悪化を抑制できる。
(Effects 2 and 5)
The amount of the Ti single core wire 40 is adjusted so that the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix 5 is 0.1 to 5.0% by weight. Since the said ratio is 0.1 weight% or more, a critical current density can be made high enough. Since the said ratio is 5.0 weight% or less, the deterioration of workability (workability of diameter reduction process) by having too many Ti components can be suppressed.

(効果3、6)
本発明のNbSn超電導線材は、前駆体1に対して、拡散熱処理を施してNbSn系超電導相を形成したものである(本発明のNbSn超電導線材の製造方法は、前駆体1に対して拡散熱処理を施してNbSn系超電導相を形成する工程を備える)。この超電導線材は、上記の効果を奏するものである。
(Effects 3 and 6)
The Nb 3 Sn superconducting wire of the present invention is obtained by subjecting the precursor 1 to diffusion heat treatment to form an Nb 3 Sn-based superconducting phase (the method for producing the Nb 3 Sn superconducting wire of the present invention is a precursor). 1 is subjected to diffusion heat treatment to form a Nb 3 Sn-based superconducting phase). This superconducting wire has the above effects.

(効果4)
前駆体1(内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体)の製造方法は、純TiまたはNbTi合金で形成されたTi芯材43を準備する工程と、Cuマトリクス41の内周側にNb層42を配置するとともにNb層42の内周側にTi芯材43を配置してTi単芯線材40を作製する工程とを備える。さらに、この製造方法は、Cuマトリクス31の内周側にNb芯材32を配置してNb単芯線材30を作製する工程と、Ti単芯線材40とNb単芯線材30とを組み合わせてNbセグメント線材20を作製する工程とを備える。さらに、この製造方法は、Sn合金(Ti以外の金属とSnとからなる合金)または純Snで形成されたSn芯材12を準備する工程と、Cuマトリクス11の内周側にSn芯材12を配置してSnセグメント線材10を作製する工程とを備える。さらに、この製造方法は、Snセグメント線材10の周囲を取り囲むようにNbセグメント線材20を配置して超電導マトリクス5を作製する工程と、安定化銅層2の内周側に拡散バリア層3を配置するとともに拡散バリア層3の内周側に超電導マトリクス5を配置して複合体(縮径加工前の前駆体1)を作製する工程と、複合体を縮径加工する工程と、を備える。
この構成により、上記(効果1)と同様の効果が得られる。
(Effect 4)
The manufacturing method of the precursor 1 (precursor for manufacturing an internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire) includes a step of preparing a Ti core 43 formed of pure Ti or an NbTi alloy, and Nb on the inner peripheral side of the Cu matrix 41. And a step of arranging the Ti core material 43 on the inner peripheral side of the Nb layer 42 and producing the Ti single core wire 40 while arranging the layer 42. Further, this manufacturing method combines Nb core material 32 by arranging Nb core material 32 on the inner peripheral side of Cu matrix 31, and Ti single core wire 40 and Nb single core wire 30 in combination. A step of producing the segment wire 20. Furthermore, this manufacturing method includes the steps of preparing an Sn core material 12 formed of Sn alloy (an alloy made of metal other than Ti and Sn) or pure Sn, and an Sn core material 12 on the inner peripheral side of the Cu matrix 11. And manufacturing the Sn segment wire rod 10. Further, in this manufacturing method, the Nb segment wire 20 is disposed so as to surround the Sn segment wire 10 and the superconducting matrix 5 is produced, and the diffusion barrier layer 3 is disposed on the inner peripheral side of the stabilized copper layer 2. And a step of producing a composite (precursor 1 before diameter reduction processing) by disposing the superconducting matrix 5 on the inner peripheral side of the diffusion barrier layer 3 and a step of diameter reduction processing of the composite.
With this configuration, the same effect as the above (Effect 1) can be obtained.

(変形例)
前駆体1等は次のように変形しても良い。例えば、上記実施形態では前駆体1の断面を円形とした。しかし、前駆体1の断面は、例えば楕円形や矩形状(矩形の4つの角が丸いものを含む)等でも良い。前駆体1の断面を矩形状とした場合は、前駆体1を用いて製造した超電導線材を巻線としてコイルを形成したときに、超電導線材間のデッドスペースを減らせる。
(Modification)
The precursor 1 and the like may be modified as follows. For example, in the above embodiment, the precursor 1 has a circular cross section. However, the cross section of the precursor 1 may be, for example, an ellipse or a rectangle (including a rectangle having four rounded corners). When the cross section of the precursor 1 is rectangular, when a coil is formed using the superconducting wire manufactured using the precursor 1 as a winding, the dead space between the superconducting wires can be reduced.

1 前駆体(内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体)
2 安定化銅層
3 拡散バリア層
5 超電導マトリクス
10 Snセグメント線材
11 Cuマトリクス
12 Sn芯材
20 Nbセグメント線材
30 Nb単芯線材
31 Cuマトリクス
32 Nb芯材
40 Ti単芯線材
41 Cuマトリクス
42 Nb層
43 Ti芯材
1 Precursor (Internal Sn Method Nb 3 Sn Precursor for Superconducting Wire Production)
2 Stabilized copper layer 3 Diffusion barrier layer 5 Superconducting matrix 10 Sn segment wire 11 Cu matrix 12 Sn core material 20 Nb segment wire 30 Nb single core wire 31 Cu matrix 32 Nb core material 40 Ti single core wire 41 Cu matrix 42 Nb layer 43 Ti core material

Claims (6)

安定化銅層と、
前記安定化銅層の内周側に配置された拡散バリア層と、
前記拡散バリア層の内周側に配置された超電導マトリクスと、を備え、
前記超電導マトリクスは、
Snセグメント線材と、
前記Snセグメント線材の周囲を取り囲むように配置されたNbセグメント線材と、を備え、
前記Snセグメント線材は、Cuマトリクスの内周側に配置されたSn芯材を備え、
前記Sn芯材は、Ti以外の金属とSnとからなるSn合金、または純Snで形成され、
前記Nbセグメント線材は、Nb単芯線材と、Ti単芯線材と、を備え、
前記Nb単芯線材は、Cuマトリクスの内周側に配置されたNb芯材を備え、
前記Ti単芯線材は、
Cuマトリクスの内周側に配置されたNb層と、
前記Nb層の内周側に配置されたTi芯材と、を備え、
前記Ti芯材は、純TiまたはNbTi合金で形成される、
内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体。
A stabilized copper layer;
A diffusion barrier layer disposed on the inner peripheral side of the stabilizing copper layer;
A superconducting matrix disposed on the inner peripheral side of the diffusion barrier layer,
The superconducting matrix is
Sn segment wire,
Nb segment wire disposed so as to surround the periphery of the Sn segment wire,
The Sn segment wire includes an Sn core disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix,
The Sn core material is formed of a Sn alloy composed of a metal other than Ti and Sn, or pure Sn,
The Nb segment wire comprises an Nb single core wire and a Ti single core wire,
The Nb single-core wire includes an Nb core material disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix,
The Ti single core wire is
An Nb layer disposed on the inner peripheral side of the Cu matrix;
Ti core material disposed on the inner peripheral side of the Nb layer,
The Ti core material is formed of pure Ti or an NbTi alloy.
Precursor for producing internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire.
前記Ti単芯線材の量は、前記超電導マトリクス内のNb成分に対するTi成分の割合が0.1〜5.0重量%になるように調整される、請求項1に記載の内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体。 2. The internal Sn method Nb 3 according to claim 1, wherein the amount of the Ti single-core wire is adjusted such that the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix is 0.1 to 5.0 wt%. Precursor for producing Sn superconducting wire. 請求項1または2に記載の前駆体に対して、拡散熱処理を施してNbSn系超電導相を形成した、NbSn超電導線材。 Respect precursor of claim 1 or 2, to form the Nb 3 Sn based superconducting phase is subjected to diffusion heat treatment, Nb 3 Sn superconducting wire. 純TiまたはNbTi合金で形成されたTi芯材を準備する工程と、
Cuマトリクスの内周側にNb層を配置するとともに前記Nb層の内周側に前記Ti芯材を配置してTi単芯線材を作製する工程と、
Cuマトリクスの内周側にNb芯材を配置してNb単芯線材を作製する工程と、
前記Ti単芯線材と前記Nb単芯線材とを組み合わせてNbセグメント線材を作製する工程と、
Ti以外の金属とSnとからなるSn合金、または純Snで形成されたSn芯材を準備する工程と、
Cuマトリクスの内周側に前記Sn芯材を配置してSnセグメント線材を作製する工程と、
前記Snセグメント線材の周囲を取り囲むように前記Nbセグメント線材を配置して超電導マトリクスを作製する工程と、
安定化銅層の内周側に拡散バリア層を配置するとともに前記拡散バリア層の内周側に前記超電導マトリクスを配置して複合体を作製する工程と、
前記複合体を縮径加工する工程と、
を備える内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体の製造方法。
Preparing a Ti core formed of pure Ti or NbTi alloy;
A step of arranging a Nb layer on the inner peripheral side of the Cu matrix and arranging the Ti core material on the inner peripheral side of the Nb layer to produce a Ti single core wire;
A step of arranging an Nb core material on the inner peripheral side of the Cu matrix to produce an Nb single core wire;
A step of producing an Nb segment wire by combining the Ti single core wire and the Nb single core wire;
A step of preparing a Sn alloy composed of a metal other than Ti and Sn, or a Sn core formed of pure Sn;
Arranging the Sn core material on the inner peripheral side of the Cu matrix to produce a Sn segment wire;
Arranging the Nb segment wire so as to surround the Sn segment wire and producing a superconducting matrix;
A step of disposing a diffusion barrier layer on the inner peripheral side of the stabilized copper layer and disposing the superconducting matrix on the inner peripheral side of the diffusion barrier layer to produce a composite;
Reducing the diameter of the composite;
A method for producing a precursor for producing an internal Sn method Nb 3 Sn superconducting wire.
前記Ti単芯線材の量は、前記超電導マトリクス内のNb成分に対するTi成分の割合が0.1〜5.0重量%になるように調整される、請求項4に記載の内部Sn法NbSn超電導線材製造用前駆体の製造方法。 5. The internal Sn method Nb 3 according to claim 4, wherein the amount of the Ti single-core wire is adjusted such that the ratio of the Ti component to the Nb component in the superconducting matrix is 0.1 to 5.0% by weight. The manufacturing method of the precursor for Sn superconducting wire manufacturing. 請求項4または5に記載の製造方法により製造された前駆体に対して、拡散熱処理を施してNbSn系超電導相を形成する工程を備える、NbSn超電導線材の製造方法。 Against progenitors produced by the method according to claim 4 or 5, comprising forming the Nb 3 Sn based superconducting phase is subjected to diffusion heat treatment, Nb 3 Sn method of manufacturing a superconducting wire.
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