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JP2013247177A - Resist agent for lift-off method - Google Patents

Resist agent for lift-off method Download PDF

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JP2013247177A
JP2013247177A JP2012118383A JP2012118383A JP2013247177A JP 2013247177 A JP2013247177 A JP 2013247177A JP 2012118383 A JP2012118383 A JP 2012118383A JP 2012118383 A JP2012118383 A JP 2012118383A JP 2013247177 A JP2013247177 A JP 2013247177A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist agent for a lift-off method, which is used for forming a resist coating on a base material in forming a conductor pattern on the base material by a lift-off method and with which a resist coating capable of being easily removed from the base material can be formed.SOLUTION: A resist agent for a lift-off method according to the present invention contains a water soluble polyester resin. Therefor, the water solubility of a resist coating formed of the resist agent is increased extremely, so that the resist coating can be easily removed using an aqueous resist removing liquid.

Description

本発明は、基材上にリフトオフ法により導体パターンを形成するにあたって、基材上にレジスト皮膜を形成するために用いられるリフトオフ法用レジスト剤に関する。   The present invention relates to a lift-off method resist agent used for forming a resist film on a base material when a conductor pattern is formed on the base material by a lift-off method.

従来、基材上に微細な導体パターンを形成するための手法の一つとして、リフトオフ法が採用されている。このリフトオフ法は、微細な導体配線を備える配線基板を形成するためなどに利用されている。また、近年、ITO等からなる透明電極を形成するためにも利用されている。   Conventionally, a lift-off method has been adopted as one of the methods for forming a fine conductor pattern on a substrate. This lift-off method is used to form a wiring board having fine conductor wiring. In recent years, it has also been used to form transparent electrodes made of ITO or the like.

一般的なリフトオフ法においては、レジスト剤として感光性レジスト剤料が用いられる。このレジスト剤が基材上に塗布され、続いてフォトリソグラフィによってパターニングされることで、レジスト皮膜が形成される。続いて、基材上に、蒸着、スパッタリング等によって、金属等の導体が成膜される。続いて、基材上からレジスト皮膜が除去される。これにより、レジスト皮膜上の導体もレジスト皮膜と一緒に除去される。これにより、基材上に残存する導体によって、導体パターンが形成される。   In a general lift-off method, a photosensitive resist material is used as a resist agent. This resist agent is applied on the substrate, and then patterned by photolithography, thereby forming a resist film. Subsequently, a conductor such as metal is formed on the substrate by vapor deposition, sputtering, or the like. Subsequently, the resist film is removed from the substrate. Thereby, the conductor on the resist film is also removed together with the resist film. Thereby, a conductor pattern is formed by the conductors remaining on the substrate.

基材上からレジスト皮膜を除去するにあたっては、レジスト皮膜を、このレジスト皮膜の組成に応じた適宜のレジスト除去液に曝すことで、レジスト皮膜を溶解させている。   In removing the resist film from the substrate, the resist film is dissolved by exposing the resist film to an appropriate resist removing solution according to the composition of the resist film.

しかし、レジスト皮膜は導体で覆われているため、レジスト皮膜にはレジスト除去液が浸透しにくい。このため、基材上にレジスト皮膜の一部が除去されずに残存しやすい。   However, since the resist film is covered with a conductor, the resist removal solution does not easily penetrate into the resist film. For this reason, a part of the resist film tends to remain on the substrate without being removed.

そこで、特許文献1では、次のような、レジスト剤として用いられるリフトオフ法用ネガ型感光性樹脂組成物が、提案されている。   Therefore, Patent Document 1 proposes the following negative photosensitive resin composition for lift-off method used as a resist agent.

(A)下記(a)群から選ばれる少なくとも1種の光重合開始剤と下記(b)群から選ばれる少なくとも1種の光重合開始剤を(a):(b)の重量比が1:10〜10:1となるように含有してなる光重合開始剤成分、
(a)ベンゾフェノン類、チオキサントン類、ビイミダゾール類
(b)アセトフェノン類、アシルフォスフィンオキサイド類
(B)アルカリ可溶性樹脂、及び
(C)希釈剤
(D)重合禁止剤又は連鎖移動剤
を含有してなる感光性樹脂組成物であって、選択露光により形成される硬化皮膜の膜厚が0.5〜500μmであるときに、硬化皮膜端がオーバーハング又はバックテーパ様の形状をなし、該硬化皮膜端において、硬化皮膜上面と側面が交差する線と、硬化皮膜下端と基材が交差する線とを含む面が、現像により露出した基材面と形成する角度θが85°〜45°であることを特徴とするリフトオフ法用ネガ型感光性樹脂組成物。
(A) The weight ratio of (a) :( b) is at least one photopolymerization initiator selected from the following group (a) and at least one photopolymerization initiator selected from the following group (b): A photopolymerization initiator component containing 10 to 10: 1,
(A) containing benzophenones, thioxanthones, biimidazoles (b) acetophenones, acylphosphine oxides (B) alkali-soluble resins, and (C) a diluent (D) a polymerization inhibitor or chain transfer agent When the film thickness of the cured film formed by selective exposure is 0.5 to 500 μm, the end of the cured film has an overhang or back taper-like shape, and the cured film At the end, an angle θ formed between the surface where the upper surface of the cured film intersects with the side surface and the surface where the lower surface of the cured film intersects with the substrate intersects with the substrate surface exposed by development is 85 ° to 45 °. A negative photosensitive resin composition for a lift-off method, characterized in that

このリフトオフ法用ネガ型感光性樹脂組成物を用いると、広範囲なレジスト膜厚条件下において、その硬化皮膜端がオーバーハング又はバックテーパ様の形状をなし、該硬化皮膜端において、皮膜上面と側面が交差する線と、下端と基材が交差する線とを含む面が、現像により露出した基材面と形成する角度θを所望の範囲に制御することが容易であり、これにより、レジスト皮膜の側面部分への導体の成膜を抑制することで、レジスト皮膜の側面部分からのレジスト除去液の浸透を促進することができる。   When this negative-type photosensitive resin composition for lift-off method is used, the end of the cured film has an overhang or back taper-like shape under a wide range of resist film thickness conditions. The surface including the line intersecting the lower end and the line intersecting the lower end and the base material can easily control the angle θ formed with the base material surface exposed by development within a desired range. By suppressing the film formation of the conductor on the side surface portion of the resist film, it is possible to promote the penetration of the resist removing liquid from the side surface portion of the resist film.

しかし、レジスト皮膜の側面からのレジスト除去液の浸透を確保しても、レジスト皮膜の面積が大きい場合などには、レジスト皮膜の内奥までレジスト除去液が行き渡りにくくなることがある。このような場合には、基材上にレジスト皮膜の一部が残存しやすくなってしまう。   However, even if permeation of the resist removal liquid from the side surface of the resist film is ensured, the resist removal liquid may not easily reach the inside of the resist film when the area of the resist film is large. In such a case, a part of the resist film tends to remain on the substrate.

特許第4047588号公報Japanese Patent No. 4047588

本発明は上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基材上にリフトオフ法により導体パターンを形成するにあたって、基材上にレジスト皮膜を形成するために用いられるリフトオフ法用レジスト剤であって、基材上から容易に除去可能なレジスト皮膜を形成することができるレジスト剤を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described reasons, and the object of the present invention is to use a lift-off method used to form a resist film on a substrate when forming a conductor pattern on the substrate by a lift-off method. An object of the present invention is to provide a resist agent that can form a resist film that can be easily removed from a substrate.

本発明に係るリフトオフ法用レジスト剤は、基材上にリフトオフ法により導体パターンを形成するにあたって、基材上にレジスト皮膜を形成するために用いられるリフトオフ法用レジスト剤であって、水溶性ポリエステル樹脂を含有することを特徴とする。   The resist for lift-off method according to the present invention is a resist agent for lift-off method used for forming a resist film on a base material when a conductor pattern is formed on the base material by the lift-off method. It is characterized by containing a resin.

前記水溶性ポリエステル樹脂が、多価カルボン酸成分と多価アルコール成分との重合生成物であり、前記多価カルボン酸成分に5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸が含まれていることが、好ましい。   It is preferable that the water-soluble polyester resin is a polymerization product of a polyvalent carboxylic acid component and a polyhydric alcohol component, and the polyvalent carboxylic acid component contains sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate.

前記多価カルボン酸成分に対する前記5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸の割合が、10〜80モル%の範囲であることが、好ましい。   The ratio of the sodium 5-sulfonate sodium dimethylisophthalic acid to the polyvalent carboxylic acid component is preferably in the range of 10 to 80 mol%.

前記レジスト剤が、前記水溶性ポリエステル樹脂以外の水溶性高分子を更に含有することが、好ましい。   It is preferable that the resist agent further contains a water-soluble polymer other than the water-soluble polyester resin.

前記レジスト剤が、前記水溶性高分子を前記水溶性ポリエステル樹脂に対して1〜600質量%の割合で含有することが、好ましい。   It is preferable that the resist agent contains the water-soluble polymer in a proportion of 1 to 600% by mass with respect to the water-soluble polyester resin.

前記水溶性ポリエステル樹脂が、アルカリ金属化合物によって中和されている酸基を備えることが、好ましい。   It is preferable that the water-soluble polyester resin has an acid group neutralized with an alkali metal compound.

前記レジスト剤が、平均粒径0.03〜10μmの無機フィラーを更に含有することが、好ましい。   It is preferable that the resist agent further contains an inorganic filler having an average particle size of 0.03 to 10 μm.

前記レジスト剤が、前記無機フィラーを、樹脂全量に対して0.1〜400質量%の割合で含有することが、好ましい。   It is preferable that the resist agent contains the inorganic filler in a proportion of 0.1 to 400% by mass with respect to the total amount of the resin.

本発明によれば、レジスト剤が水溶性ポリエステル樹脂を含有することから、このレジスト剤から形成される皮膜の水溶性が非常に高くなり、このためこの皮膜を水系のレジスト除去液によって容易に除去することができる。このため、このレジスト剤を、基材上にリフトオフ法により導体パターンを形成するにあたって、基材上にレジスト皮膜を形成するために、好適に用いることができる。   According to the present invention, since the resist agent contains a water-soluble polyester resin, the water solubility of the film formed from this resist agent becomes very high, and therefore this film can be easily removed with an aqueous resist removing solution. can do. For this reason, this resist agent can be suitably used for forming a resist film on a substrate when forming a conductor pattern on the substrate by a lift-off method.

本実施形態におけるレジスト剤は、水溶性ポリエステル樹脂を含有する。   The resist agent in the present embodiment contains a water-soluble polyester resin.

水溶性ポリエステル樹脂は、多価カルボン酸成分とグリコール成分との重合生成物である。多価カルボン酸成分及びグリコール成分のうち少なくとも一方は、水溶性ポリエステル樹脂に水溶性を付与するための成分(水溶性付与成分)を含むことが好ましい。   The water-soluble polyester resin is a polymerization product of a polyvalent carboxylic acid component and a glycol component. It is preferable that at least one of the polyvalent carboxylic acid component and the glycol component includes a component (water solubility imparting component) for imparting water solubility to the water soluble polyester resin.

尚、水溶性ポリエステル樹脂が水溶性を有することは、技術常識に基づいて判断される。特に、水溶性ポリエステル樹脂のみから形成される厚み20μmの薄膜の表面全体に常温の水を0.005MPaの噴霧圧で20分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解することが好ましい。或いは、水溶性ポリエステル樹脂のみから形成される厚み20μmの薄膜の表面全体に50℃の水を0.005MPaの噴霧圧で10分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解することが好ましい。或いは、水溶性ポリエステル樹脂と常温の水とを1:5の質量比で混合し、得られた液に超音波を20分間加えると、水溶性ポリエステル樹脂が水に全て溶解することが好ましい。或いは、水溶性ポリエステル樹脂と50℃の水とを1:5の質量比で混合し、得られた液に超音波を10分間加えると、水溶性ポリエステル樹脂が水に全て溶解することが好ましい。   In addition, it is judged based on technical common sense that water-soluble polyester resin has water solubility. In particular, when water at room temperature is sprayed for 20 minutes at a spraying pressure of 0.005 MPa over the entire surface of a thin film having a thickness of 20 μm formed only from a water-soluble polyester resin, it is preferable that all of the thin film is dissolved in water. Alternatively, when water at 50 ° C. is sprayed at a spray pressure of 0.005 MPa for 10 minutes on the entire surface of a thin film having a thickness of 20 μm formed only from a water-soluble polyester resin, it is preferable that all the thin film is dissolved in water. Or it is preferable that water-soluble polyester resin and normal temperature water are mixed by the mass ratio of 1: 5, and an ultrasonic wave is added to the obtained liquid for 20 minutes, and all the water-soluble polyester resin will melt | dissolve in water. Alternatively, it is preferred that when the water-soluble polyester resin and 50 ° C. water are mixed at a mass ratio of 1: 5 and ultrasonic waves are added to the obtained liquid for 10 minutes, the water-soluble polyester resin is completely dissolved in water.

多価カルボン酸成分は、二価以上の多価カルボン酸と多価カルボン酸のエステル形成性誘導体とから選択される、1種以上の化合物から成る。多価カルボン酸のエステル形成性誘導体とは、多価カルボン酸の無水物、エステル、酸クロライド、ハロゲン化物等の誘導体であって、後述するグリコール成分と反応してエステルを形成する化合物である。多価カルボン酸は、一分子あたり二以上のカルボキシル基を備える。   The polyvalent carboxylic acid component is composed of one or more compounds selected from divalent or higher polyvalent carboxylic acids and ester-forming derivatives of polyvalent carboxylic acids. An ester-forming derivative of a polyvalent carboxylic acid is a derivative of an anhydride, ester, acid chloride, halide or the like of a polyvalent carboxylic acid, and is a compound that reacts with a glycol component described later to form an ester. The polyvalent carboxylic acid has two or more carboxyl groups per molecule.

グリコール成分は、グリコールとグリコールのエステル形成性誘導体とから選択される、1種以上の化合物から成る。グリコールのエステル形成性誘導体とは、グリコールに対応するジアセテート化合物等のようなグリコールの誘導体であって、多価カルボン酸成分と反応してエステルを形成する化合物である。   The glycol component consists of one or more compounds selected from glycol and ester-forming derivatives of glycol. The ester-forming derivative of glycol is a derivative of glycol such as a diacetate compound corresponding to glycol, and is a compound that reacts with a polyvalent carboxylic acid component to form an ester.

多価カルボン酸は、カルボキシル基以外に、反応性の官能基を備えないことが好ましい。また、グリコールは、ヒドロキシル基以外には、反応性の官能基を備えないことが好ましい。特に多価カルボン酸とグリコールとが、共に反応性の官能基を備えないことが好ましい。これらの場合、水溶性ポリエステル樹脂の反応性の官能基の量が低減し、或いは水溶性ポリエステル樹脂が反応性を備えなくなる。そうすると、水溶性ポリエステル樹脂の反応性が低減し、このため水溶性ポリエステル樹脂が加熱されても水溶性ポリエステル樹脂の水溶性が低下しにくくなる。尚、後述する水溶性付与成分が有するイオン性の極性基は、反応性の官能基には含まれない。   The polyvalent carboxylic acid preferably has no reactive functional group other than the carboxyl group. Moreover, it is preferable that glycol does not have a reactive functional group other than a hydroxyl group. In particular, it is preferable that neither the polyvalent carboxylic acid nor the glycol has a reactive functional group. In these cases, the amount of reactive functional groups in the water-soluble polyester resin is reduced, or the water-soluble polyester resin is not reactive. If it does so, the reactivity of water-soluble polyester resin will reduce, and even if water-soluble polyester resin is heated, the water-solubility of water-soluble polyester resin will become difficult to fall. In addition, the ionic polar group which the water solubility provision component mentioned later has is not contained in a reactive functional group.

特に、多価カルボン酸は、ヒドロキシル基、エチレン性不飽和結合、アミノ基、イミノ基、ヒドラジノ基、ニトロ基、カルボニル基、エポキシ基、及びシアノ基のうち、いずれも備えないことが好ましい。また、グリコールは、エチレン性不飽和結合、アミノ基、イミノ基、ヒドラジノ基、ニトロ基、カルボニル基、エポキシ基、及びシアノ基のうち、いずれも備えないことが好ましい。また、水溶性ポリエステル樹脂は、ヒドロキシル基、エチレン性不飽和結合、アミノ基、イミノ基、ヒドラジノ基、ニトロ基、カルボニル基、エポキシ基、及びシアノ基のうち、いずれも備えないことが好ましい。   In particular, the polyvalent carboxylic acid preferably does not include any of a hydroxyl group, an ethylenically unsaturated bond, an amino group, an imino group, a hydrazino group, a nitro group, a carbonyl group, an epoxy group, and a cyano group. In addition, the glycol preferably does not include any of an ethylenically unsaturated bond, an amino group, an imino group, a hydrazino group, a nitro group, a carbonyl group, an epoxy group, and a cyano group. The water-soluble polyester resin preferably does not include any of a hydroxyl group, an ethylenically unsaturated bond, an amino group, an imino group, a hydrazino group, a nitro group, a carbonyl group, an epoxy group, and a cyano group.

多価カルボン酸としては、例えば芳香族ジカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸等の、ジカルボン酸が挙げられる。特に多価カルボン酸は、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸類、並びにコハク酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカン二酸等の脂肪族ジカルボン酸類から選ばれる少なくとも一種から成ることが好ましい。この場合、多価カルボン酸成分とグリコール成分との反応性が良好となり、また水溶性ポリエステル樹脂の耐候性、耐久性の特性が良好となる。特に水溶性付与成分に該当しない多価カルボン酸成分として芳香族ジカルボン酸類のみが用いられるか、或いは芳香族ジカルボン酸類が多価カルボン酸成分の主成分であることが最適である。   Examples of the polyvalent carboxylic acid include dicarboxylic acids such as aromatic dicarboxylic acids and aliphatic dicarboxylic acids. In particular, the polyvalent carboxylic acid is at least selected from aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, and aliphatic dicarboxylic acids such as succinic acid, adipic acid, sebacic acid, and dodecanedioic acid. Preferably it consists of one kind. In this case, the reactivity between the polyvalent carboxylic acid component and the glycol component is improved, and the weather resistance and durability characteristics of the water-soluble polyester resin are improved. In particular, it is optimal that only aromatic dicarboxylic acids are used as the polyvalent carboxylic acid component not corresponding to the water-solubilizing component, or that the aromatic dicarboxylic acid is the main component of the polyvalent carboxylic acid component.

また、グリコールは、エチレングリコール、ジエチレングリコール、並びに1,4−ブタンジオール等のブタンジオール類、並びに1,6−ヘキサンジオール等のヘキサンジオール類、並びに1,4−シクロヘキサンジメタノール類、ネオペンチルグリコール及びビスフェノールA等から選ばれる、少なくとも一種から成ることが好ましい。この場合、多価カルボン酸成分とグリコール成分との反応性が良好となり、また水溶性ポリエステル樹脂の耐候性、耐久性の特性が良好となる。   In addition, glycols include ethylene glycol, diethylene glycol, butanediols such as 1,4-butanediol, hexanediols such as 1,6-hexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanols, neopentyl glycol and the like. It is preferably composed of at least one selected from bisphenol A and the like. In this case, the reactivity between the polyvalent carboxylic acid component and the glycol component is improved, and the weather resistance and durability characteristics of the water-soluble polyester resin are improved.

水溶性付与成分は、水溶性ポリエステル樹脂の骨格構造の一部を構成することで、この水溶性ポリエステル樹脂にイオン性の極性基を導入し、これにより水溶性ポリエステル樹脂に水溶性を付与する。イオン性の極性基としては、カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられる。イオン性の極性基は、中和されていてもよい。   The water-soluble imparting component constitutes part of the skeleton structure of the water-soluble polyester resin, thereby introducing an ionic polar group into the water-soluble polyester resin, thereby imparting water solubility to the water-soluble polyester resin. Examples of the ionic polar group include a carboxyl group and a sulfonic acid group. The ionic polar group may be neutralized.

水溶性付与成分は、例えば多価カルボン酸成分に含まれる。多価カルボン酸成分に含まれる水溶性付与成分としては、例えば金属スルホネート基を有するジカルボン酸、三価以上の多価カルボン酸、並びにこれらのエステル形成性誘導体が、挙げられる。   The water solubility-imparting component is contained in, for example, a polyvalent carboxylic acid component. Examples of the water solubility-imparting component contained in the polyvalent carboxylic acid component include dicarboxylic acids having a metal sulfonate group, trivalent or higher polyvalent carboxylic acids, and ester-forming derivatives thereof.

この水溶性付与成分のうち、金属スルホネート基を有するジカルボン酸及びそのエステル形成性誘導体(以下、総称して金属スルホネート基を有するジカルボン酸等という)としては、例えば5−スルホイソフタル酸、2−スルホイソフタル酸、4−スルホイソフタル酸、スルホテレフタル酸、4−スルホナフタレン−2,6−ジカルボン酸等のアルカリ金属塩、並びにこれらのエステル形成性誘導体が挙げられる。水溶性ポリエステル樹脂に良好な水溶性が付与されるためには、前記アルカリ金属がナトリウム、カリウム又はリチウムであることが好ましい。   Among these water-solubilizing components, dicarboxylic acids having a metal sulfonate group and ester-forming derivatives thereof (hereinafter collectively referred to as dicarboxylic acids having a metal sulfonate group, etc.) include, for example, 5-sulfoisophthalic acid, 2-sulfo Examples thereof include alkali metal salts such as isophthalic acid, 4-sulfoisophthalic acid, sulfoterephthalic acid, 4-sulfonaphthalene-2,6-dicarboxylic acid, and ester-forming derivatives thereof. In order to impart good water solubility to the water-soluble polyester resin, the alkali metal is preferably sodium, potassium or lithium.

金属スルホネート基を有するジカルボン酸等が水溶性付与成分として用いられると、水溶性ポリエステル樹脂中に金属スルホネート基が有効に残存し、このため水溶性ポリエステル樹脂に優れた水溶性が付与される。特に水溶性付与成分として5−ソジウムスルホイソフタル酸又はそのエステル(例えば5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸)が用いられると、水溶性ポリエステル樹脂中にスルホン酸ナトリウム基が有効に残存し、このため水溶性ポリエステル樹脂に優れた水溶性が付与される。   When a dicarboxylic acid having a metal sulfonate group or the like is used as a water-solubilizing component, the metal sulfonate group effectively remains in the water-soluble polyester resin, so that excellent water solubility is imparted to the water-soluble polyester resin. In particular, when 5-sodium sulfoisophthalic acid or an ester thereof (for example, sodium 5-sulfonate dimethylisophthalic acid) is used as a water-solubilizing component, a sodium sulfonate group effectively remains in the water-soluble polyester resin. Excellent water solubility is imparted to the water-soluble polyester resin.

また、水溶性付与成分として三価以上の多価カルボン酸及びそのエステル形成性誘導体(以下、総称して三価以上の多価カルボン酸等という)が用いられる場合、三価以上の多価カルボン酸等に起因するカルボキシル基が水溶性ポリエステル樹脂中に残存することで、水溶性ポリエステル樹脂に水溶性が付与される。水溶性ポリエステル樹脂に残存するカルボキシル基は、例えばアンモニア、アルカノールアミン、アルカリ金属化合物等の塩基性化合物で中和されることが好ましい。塩基性化合物としては、非揮発性の化合物が使用されることが好ましく、特にアルカリ金属の水酸化物等のアルカリ金属化合物が使用されることが好ましい。この場合、水溶性ポリエステル樹脂が加熱されても水溶性ポリエステル樹脂の水溶性が更に低下しにくくなる。   Further, when a trivalent or higher polyvalent carboxylic acid and an ester-forming derivative thereof (hereinafter collectively referred to as a trivalent or higher polyvalent carboxylic acid or the like) are used as the water-solubilizing component, the trivalent or higher polyvalent carboxylic acid is used. A carboxyl group resulting from an acid or the like remains in the water-soluble polyester resin, so that water-solubility is imparted to the water-soluble polyester resin. The carboxyl group remaining in the water-soluble polyester resin is preferably neutralized with a basic compound such as ammonia, alkanolamine, or alkali metal compound. As the basic compound, a non-volatile compound is preferably used, and an alkali metal compound such as an alkali metal hydroxide is particularly preferably used. In this case, even if the water-soluble polyester resin is heated, the water-solubility of the water-soluble polyester resin is further hardly lowered.

三価以上の多価カルボン酸としては、例えばヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメジン酸、メロファン酸、ピロメリット酸、ベンゼンペンタカルボン酸、メリット酸、シクロプロパン−1,2,3−トリカルボン酸、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸、エタンテトラカルボン酸等の多価カルボン酸が挙げられる。   Examples of the trivalent or higher polyvalent carboxylic acid include hemimellitic acid, trimellitic acid, trimedic acid, merophanic acid, pyromellitic acid, benzenepentacarboxylic acid, meritic acid, cyclopropane-1,2,3-tricarboxylic acid, Examples thereof include polyvalent carboxylic acids such as cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid and ethanetetracarboxylic acid.

特に、水溶性付与成分が、トリメリット酸及びそのエステル形成性誘導体から選択される少なくとも一種から成ることが、好ましい。この場合、水溶性ポリエステル樹脂中にカルボキシル基が有効に残存し、水溶性ポリエステル樹脂にさらに優れた親水性が付与される。   In particular, it is preferable that the water-solubilizing component is composed of at least one selected from trimellitic acid and its ester-forming derivatives. In this case, the carboxyl group effectively remains in the water-soluble polyester resin, and further excellent hydrophilicity is imparted to the water-soluble polyester resin.

水溶性付与成分としては、上記の三価以上の多価カルボン酸等、並びに金属スルホネート基を有するジカルボン酸等のうち、一種のみが用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。   As the water solubility-imparting component, only one kind may be used among the above-mentioned trivalent or higher polyvalent carboxylic acids and the like, and dicarboxylic acids having a metal sulfonate group, or two or more kinds may be used in combination.

多価カルボン酸成分が水溶性付与成分を含む場合、多価カルボン酸成分に対する水溶性付与成分の割合は、10〜80モル%の範囲であることが好ましい。この割合が10モル%以上であると、水溶性ポリエステル樹脂に充分に高い水溶性が付与される。また、この割合が80モル%以下であると、レジスト剤から形成されるレジスト皮膜の吸湿性が過剰に大きくなることが抑制され、このためレジスト皮膜の取り扱い性及び耐ブロッキング性が向上する。この水溶性付与成分の割合は、更に10〜60モル%の範囲であることが好ましい。   When the polyvalent carboxylic acid component contains a water-solubilizing component, the ratio of the water-solubilizing component to the polyvalent carboxylic acid component is preferably in the range of 10 to 80 mol%. When this ratio is 10 mol% or more, sufficiently high water solubility is imparted to the water-soluble polyester resin. Moreover, when this ratio is 80 mol% or less, it is suppressed that the hygroscopic property of the resist film formed from a resist agent becomes excessively large, and thus the handleability and blocking resistance of the resist film are improved. The ratio of the water-solubilizing component is preferably in the range of 10 to 60 mol%.

また、特に多価カルボン酸成分が水溶性付与成分として5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸を含有し、多価カルボン酸成分に対する5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸の割合が10〜80モル%の範囲であることが好ましい。この場合、水溶性ポリエステル樹脂に充分に高い水溶性が付与される。この5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸の割合は、更に10〜60モル%の範囲であることが好ましい。   In particular, the polyvalent carboxylic acid component contains sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate as a water-soluble imparting component, and the ratio of sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate to the polyvalent carboxylic acid component is in the range of 10 to 80 mol%. It is preferable that In this case, sufficiently high water solubility is imparted to the water-soluble polyester resin. The proportion of sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate is preferably in the range of 10 to 60 mol%.

多価カルボン酸成分とグリコール成分との割合は、多価カルボン酸成分に含まれるカルボキシル基及びそのエステル形成性誘導基の総数と、グリコール成分に含まれるヒドロキシル基及びそのエステル形成性誘導基の総数とが、モル比率で1:1.1〜2.5の範囲となるように調整されることが好ましい。尚、この場合、水溶性付与成分である三価以上の多価カルボン酸等は、ジカルボン酸とみなして、割合が算出される。   The ratio of the polyvalent carboxylic acid component to the glycol component is the total number of carboxyl groups and ester-forming derivative groups contained in the polyvalent carboxylic acid component, and the total number of hydroxyl groups and ester-formable derivative groups contained in the glycol component. Is preferably adjusted so that the molar ratio is in the range of 1: 1.1 to 2.5. In this case, the ratio of trivalent or higher polyvalent carboxylic acid or the like, which is a water-solubilizing component, is regarded as dicarboxylic acid and the ratio is calculated.

水溶性ポリエステル樹脂は、公知のポリエステル製造方法により多価カルボン酸成分及びグリコール成分を重合させて生成される。   The water-soluble polyester resin is produced by polymerizing a polyvalent carboxylic acid component and a glycol component by a known polyester production method.

例えば多価カルボン酸成分が多価カルボン酸であり、且つグリコール成分がグリコールである場合には、この多価カルボン酸とグリコールとを一段階の反応で反応させる直接エステル化反応が採用される。   For example, when the polyvalent carboxylic acid component is a polyvalent carboxylic acid and the glycol component is glycol, a direct esterification reaction in which the polyvalent carboxylic acid and glycol are reacted in a one-step reaction is employed.

また、例えば多価カルボン酸成分が多価カルボン酸のエステル形成性誘導体であり、且つグリコール成分がグリコールである場合には、多価カルボン酸のエステル形成性誘導体とグリコールとのエステル交換反応である第一段反応と、第一段反応による反応生成物が重縮合する第二段反応とを経て、水溶性ポリエステル樹脂が製造されてもよい。   For example, when the polyvalent carboxylic acid component is an ester-forming derivative of a polyvalent carboxylic acid and the glycol component is glycol, this is an ester exchange reaction between the ester-forming derivative of the polyvalent carboxylic acid and the glycol. The water-soluble polyester resin may be produced through the first stage reaction and the second stage reaction in which the reaction product of the first stage reaction is polycondensed.

第一段反応と第二段反応とを経る水溶性ポリエステル樹脂の製造方法について、更に具体的に説明する。第一段反応であるエステル交換反応においては、反応系中に水溶性ポリエステル樹脂の製造に供される全ての原料が最初から含有されていてよい。例えばジカルボン酸ジエステルとグリコール化合物とが反応容器に保持された状態で、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下、常圧条件下で、150〜260℃まで徐々に昇温加熱されることで、エステル交換反応が進行する。   The method for producing a water-soluble polyester resin through the first stage reaction and the second stage reaction will be described more specifically. In the transesterification reaction which is the first stage reaction, all raw materials used for the production of the water-soluble polyester resin may be contained in the reaction system from the beginning. For example, the dicarboxylic acid diester and the glycol compound are held in a reaction vessel and gradually heated to 150 to 260 ° C. under an inert gas atmosphere such as nitrogen gas and under normal pressure, whereby the ester The exchange reaction proceeds.

第二段反応である重縮合反応は、例えば6.7hPa(5mmHg)以下の減圧下、160〜280℃の温度範囲内で進行する。   The polycondensation reaction which is the second stage reaction proceeds within a temperature range of 160 to 280 ° C. under a reduced pressure of, for example, 6.7 hPa (5 mmHg) or less.

この第一段反応及び第二段反応において、任意の時期に、反応系中に触媒として、従来公知のチタン、アンチモン、鉛、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルカリ金属化合物等が添加されても良い。   In this first-stage reaction and second-stage reaction, any known titanium, antimony, lead, zinc, magnesium, calcium, manganese, alkali metal compounds, etc. may be added to the reaction system at any time as a catalyst. good.

更に、水溶性付与成分として三価以上の多価カルボン酸が用いられる場合には、上記のようにして得られた水溶性ポリエステル樹脂を、アルカリ金属化合物等の塩基性化合物で中和することが好ましい。   Furthermore, when a trivalent or higher polyvalent carboxylic acid is used as the water-solubilizing component, the water-soluble polyester resin obtained as described above can be neutralized with a basic compound such as an alkali metal compound. preferable.

水溶性ポリエステル樹脂の数平均分子量は3000〜50000の範囲であることが好ましい。このように数平均分子量が3000以上であれば、レジスト剤からレジスト皮膜が容易に形成される。また、この数平均分子量が50000以下であれば、水溶性ポリエステル樹脂の水溶性が充分に高くなり、レジスト剤から形成されるレジスト皮膜の水溶性が効果的に向上する。この水溶性ポリエステル樹脂の数平均分子量は、更に5000〜35000の範囲であることが好ましい。   The number average molecular weight of the water-soluble polyester resin is preferably in the range of 3000 to 50000. Thus, when the number average molecular weight is 3000 or more, a resist film is easily formed from a resist agent. Moreover, if this number average molecular weight is 50000 or less, the water solubility of water-soluble polyester resin will become high enough, and the water solubility of the resist film formed from a resist agent will improve effectively. The number average molecular weight of the water-soluble polyester resin is preferably in the range of 5000 to 35000.

尚、水溶性ポリエステル樹脂の数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ(ポリスチレン換算)による測定結果から導出される。   In addition, the number average molecular weight of water-soluble polyester resin is derived | led-out from the measurement result by gel permeation chromatography (polystyrene conversion).

水溶性ポリエステル樹脂の水溶性の程度は、水溶性ポリエステル樹脂の数平均分子量と、水溶性ポリエステル樹脂を製造するために用いられる水溶性付与成分の割合とが、バランスよく設定されることで、調整される。すなわち、水溶性ポリエステル樹脂の水溶性が充分に高くなるように、水溶性ポリエステル樹脂の数平均分子量と、水溶性ポリエステル樹脂を製造するために用いられる水溶性付与成分の割合とが、適宜設定されることが好ましい。   The degree of water solubility of the water-soluble polyester resin is adjusted by setting the number average molecular weight of the water-soluble polyester resin and the proportion of the water-soluble imparting component used for producing the water-soluble polyester resin in a well-balanced manner. Is done. That is, the number average molecular weight of the water-soluble polyester resin and the ratio of the water-soluble imparting component used for producing the water-soluble polyester resin are appropriately set so that the water-solubility of the water-soluble polyester resin is sufficiently high. It is preferable.

また、レジスト剤中の水溶性ポリエステル樹脂の割合は、特に制限されないが、レジスト剤中の固形分(不揮発性成分)に対して1〜100質量%の範囲であることが好ましく、5〜90質量%の範囲であれば更に好ましく、5〜80質量%の範囲であれば特に好ましい。   Further, the ratio of the water-soluble polyester resin in the resist agent is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 100% by mass with respect to the solid content (nonvolatile component) in the resist agent, and 5 to 90% by mass. % Is more preferable, and a range of 5 to 80% by mass is particularly preferable.

レジスト剤は、水溶性ポリエステル樹脂以外の水溶性高分子を更に含有することが好ましい。この場合、水溶性高分子によってレジスト剤の粘度が調整され、レジスト剤の塗布性が良好となる。この水溶性高分子は、水に溶解すると増粘性を示す性質を有することが好ましい。   The resist agent preferably further contains a water-soluble polymer other than the water-soluble polyester resin. In this case, the viscosity of the resist agent is adjusted by the water-soluble polymer, and the coating property of the resist agent is improved. This water-soluble polymer preferably has a property of increasing viscosity when dissolved in water.

水溶性高分子は、例えばヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどの多糖類、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウムなどの有機酸塩、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン等から選択される、一種以上の化合物を含有する。特に水溶性高分子が、ヒドロキシプロピルセルロースを含有することが好ましい。   Water-soluble polymers include, for example, polysaccharides such as hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, carboxymethyl cellulose, organic acid salts such as sodium alginate and ammonium alginate, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polyacrylamide, sodium polyacrylate, polyvinyl pyrrolidone, etc. Contains one or more selected compounds. In particular, the water-soluble polymer preferably contains hydroxypropylcellulose.

レジスト剤中の水溶性高分子の割合は、水溶性ポリエステル樹脂に対して1〜600質量%の範囲であることが好ましい。この場合、水溶性高分子によってレジスト剤の粘度が適切に調整され、且つ、レジスト剤から形成されるレジスト皮膜の良好な耐熱性が維持される。この割合は、5〜400質量%の範囲であればより好ましく、10〜370質量%の範囲であれば特に好ましい。   The ratio of the water-soluble polymer in the resist agent is preferably in the range of 1 to 600% by mass with respect to the water-soluble polyester resin. In this case, the viscosity of the resist agent is appropriately adjusted by the water-soluble polymer, and good heat resistance of the resist film formed from the resist agent is maintained. This ratio is more preferably in the range of 5 to 400% by mass, and particularly preferably in the range of 10 to 370% by mass.

また、特にスクリーン印刷法によりレジスト剤が塗布される場合、微細加工性を向上するためには、レジスト剤が水溶性高分子を含有することで、レジスト剤の粘度が100〜1000dPa・sの範囲に調整されることが好ましい。この場合、導体パターンの微細化が可能となる。レジスト剤の粘度は、200〜900dPa・sの範囲であればより好ましく、300〜850dPa・sの範囲であれば特に好ましい。   In particular, when a resist agent is applied by a screen printing method, in order to improve fine workability, the resist agent contains a water-soluble polymer, so that the resist agent has a viscosity of 100 to 1000 dPa · s. It is preferable to be adjusted to. In this case, the conductor pattern can be miniaturized. The viscosity of the resist agent is more preferably in the range of 200 to 900 dPa · s, and particularly preferably in the range of 300 to 850 dPa · s.

レジスト剤は、平均粒径0.03〜10μmの無機フィラーを更に含有することが好ましい。この場合、レジスト剤から形成されるレジスト皮膜が、樹脂マトリックスと、無機フィラーとを備えるようになる。樹脂マトリックスは主として水溶性ポリエステル樹脂から構成され、この樹脂マトリクス中に無機フィラーが分散する。このレジスト皮膜中の樹脂マトリクスと無機フィラーとの間の界面に液体が浸入しやすくなり、そのため、レジスト皮膜に液体が浸み込みやすくなる。その結果、レジスト皮膜が加熱されてから水系のレジスト除去液に曝される場合に、レジスト皮膜が更に除去されやすくなる。   The resist agent preferably further contains an inorganic filler having an average particle size of 0.03 to 10 μm. In this case, the resist film formed from the resist agent includes a resin matrix and an inorganic filler. The resin matrix is mainly composed of a water-soluble polyester resin, and an inorganic filler is dispersed in the resin matrix. The liquid easily enters the interface between the resin matrix and the inorganic filler in the resist film, so that the liquid easily enters the resist film. As a result, when the resist film is heated and then exposed to an aqueous resist removal solution, the resist film is further easily removed.

無機フィラーは、特に制限されないが、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、シリカ、タルク、及びクレーから選択される、一種以上を含有することが好ましい。   The inorganic filler is not particularly limited, but preferably contains one or more selected from calcium carbonate, barium sulfate, silica, talc, and clay.

また、無機フィラーは、酸化チタン等の金属酸化物、水酸化アルミニウム等の金属水酸化物等から選ばれる一種以上の体質顔料を含有することも好ましい。この場合、レジスト剤から形成されるレジスト皮膜の白色性が向上することでレジスト皮膜の外観が向上し、またレジスト皮膜の難燃性が向上する。   The inorganic filler preferably contains one or more extender pigments selected from metal oxides such as titanium oxide and metal hydroxides such as aluminum hydroxide. In this case, the appearance of the resist film is improved by improving the whiteness of the resist film formed from the resist agent, and the flame retardancy of the resist film is improved.

上記のように無機フィラーの平均粒径は、0.03〜10μmの範囲である。このため、レジスト皮膜が加熱されてから水系の洗浄剤に曝される場合に、レジスト皮膜が更に除去されやすくなる。すなわち、この平均粒径が0.03μm以上であることで、樹脂マトリクスと無機フィラーとの界面から液体が特に浸入しやすくなり、レジスト皮膜内部に液体がしみ込みやすくなる。またこの平均粒径が10μm以下であることでレジスト皮膜の表面の平滑性が良くなり、このためレジスト皮膜にボイドが生じにくくなる。この平均粒径は、0.03〜5μmの範囲であることが好ましく、0.08〜1.5μmの範囲であれば特に好ましい。尚、無機フィラーの平均粒径は、遠心沈降光透過法により測定される。   As described above, the average particle size of the inorganic filler is in the range of 0.03 to 10 μm. For this reason, when the resist film is heated and then exposed to an aqueous cleaning agent, the resist film is further easily removed. That is, when the average particle size is 0.03 μm or more, the liquid particularly easily enters from the interface between the resin matrix and the inorganic filler, and the liquid easily penetrates into the resist film. Further, when the average particle size is 10 μm or less, the smoothness of the surface of the resist film is improved, so that voids are hardly generated in the resist film. The average particle diameter is preferably in the range of 0.03 to 5 μm, and particularly preferably in the range of 0.08 to 1.5 μm. The average particle size of the inorganic filler is measured by a centrifugal sedimentation light transmission method.

また、レジスト剤中の無機フィラーの割合は、レジスト剤中の樹脂全量に対して0.1〜400質量%の範囲であることが好ましい。この場合、レジスト皮膜が加熱されてから水系の洗浄剤に曝される場合に、レジスト皮膜が更に除去されやすくなる。すなわち、この割合が0.1質量%以上であることで、レジスト皮膜が除去されやすくなり、且つ耐熱性、成形加工性が良好になる。またこの割合が400質量%より大きくなると、レジスト皮膜中に水溶性官能基の割合が少なくなるため、十分な水溶性が確保されない。この無機フィラーの割合は、0.1〜350質量%の範囲であれば更に好ましく、50〜300質量%の範囲であれば特に好ましい。但し、無機フィラーが親水性フィラーであれば、前記の割合に限定されない。   Moreover, it is preferable that the ratio of the inorganic filler in a resist agent is the range of 0.1-400 mass% with respect to the resin whole quantity in a resist agent. In this case, when the resist film is heated and then exposed to an aqueous cleaning agent, the resist film is further easily removed. That is, when this ratio is 0.1% by mass or more, the resist film is easily removed, and heat resistance and moldability are improved. On the other hand, if this ratio is larger than 400% by mass, the ratio of water-soluble functional groups in the resist film is reduced, so that sufficient water solubility is not ensured. The ratio of the inorganic filler is more preferably in the range of 0.1 to 350% by mass, and particularly preferably in the range of 50 to 300% by mass. However, if an inorganic filler is a hydrophilic filler, it will not be limited to the said ratio.

また、レジスト剤が、チキソトロピー性付与剤を含有することも好ましい。この場合、レジスト剤に適度なチキソトロピー性が付与され、このためレジスト剤の塗布性が改善される。また、基材上に塗布されたレジスト剤が加熱された場合のレジスト剤の粘度低下が抑制され、このためレジスト剤が流動することによる形状変化が、抑制される。チキソトロピー性付与剤としては、公知の材料が使用される。例えばチキソトロピー性付与剤は、有機ベントナイト、微粉シリカ、モンモリロナイト、及びハイドロタルサイトから選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。   Moreover, it is also preferable that a resist agent contains a thixotropic property imparting agent. In this case, an appropriate thixotropy is imparted to the resist agent, thereby improving the coating property of the resist agent. In addition, a decrease in the viscosity of the resist agent when the resist agent applied on the substrate is heated is suppressed, and thus a change in shape due to the flow of the resist agent is suppressed. A known material is used as the thixotropic agent. For example, the thixotropic agent preferably contains at least one selected from organic bentonite, finely divided silica, montmorillonite, and hydrotalcite.

また、レジスト剤は、必要に応じ、浸透剤、難燃剤、静電気防止剤、顔料、染料、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤、防錆剤、分散助剤等の適宜の添加剤を含有してもよい。   In addition, the resist agent may contain appropriate additives such as penetrants, flame retardants, antistatic agents, pigments, dyes, antioxidants, ultraviolet absorbers, antifoaming agents, rust preventives, and dispersion aids as necessary. You may contain.

レジスト剤は、水系溶媒を含有することが好ましい。水系溶媒とは、水であり、或いは水と親水性有機溶媒とを含有する混合溶媒である。この場合、レジスト剤中で水溶性ポリエステル樹脂が水系溶媒中に溶解又は分散し、このため、レジスト剤からレジスト皮膜が形成されるにあたって、レジスト剤が更に塗布されやすくなる。親水性有機溶媒は、例えばメタノール、エタノール、2−プロパノール、プロピレングリコール等のアルコール;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のグリコールエーテル;シクロヘキサノン等から選択される、少なくとも一種を含有することが好ましい。   The resist agent preferably contains an aqueous solvent. The aqueous solvent is water or a mixed solvent containing water and a hydrophilic organic solvent. In this case, the water-soluble polyester resin is dissolved or dispersed in the aqueous solvent in the resist agent, so that the resist agent is more easily applied when the resist film is formed from the resist agent. The hydrophilic organic solvent preferably contains at least one selected from, for example, alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol and propylene glycol; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether, ethyl cellosolve and butyl cellosolve; cyclohexanone and the like. .

また、水系溶媒が水とアルコールとを含有する混合溶媒であり、レジスト剤中の水の割合が5〜80質量%の範囲、レジスト剤中のアルコールの割合が5〜50質量%の範囲であることが好ましい。この場合、スクリーン印刷中のスキージのすべりが良くなり、また皮膜からのスクリーン印刷版の版離れもよくなり、このため、連続印刷性が向上する。   Further, the aqueous solvent is a mixed solvent containing water and alcohol, the ratio of water in the resist agent is in the range of 5 to 80% by mass, and the ratio of alcohol in the resist agent is in the range of 5 to 50% by mass. It is preferable. In this case, slipping of the squeegee during screen printing is improved, and separation of the screen printing plate from the film is also improved, so that continuous printability is improved.

このレジスト剤は、基材上にリフトオフ法により導体パターンを形成するにあたって、基材上にレジスト皮膜を形成するために用いられる。   This resist agent is used to form a resist film on a base material when a conductor pattern is formed on the base material by a lift-off method.

基材の材質には、特に制限されないが、例えば適宜の樹脂フィルム、ガラス、石英、各種金属、セラミック、紙等が挙げられる。樹脂フィルムが用いられる場合、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、シリコーン等の樹脂から形成されるフィルムが用いられる。   The material of the base material is not particularly limited, and examples thereof include an appropriate resin film, glass, quartz, various metals, ceramics, and paper. When a resin film is used, for example, a film formed from a resin such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene terephthalate (PBT), polymethyl methacrylate (PMMA), or silicone is used.

リフトオフ法により導体パターンが形成されるにあたっては、まず基材上にレジスト剤が、適宜のパターンで塗布される。レジスト剤の塗布方法としては、刷毛塗り法、スクリーン印刷法、グラビア印刷、スプレー法、ディップ法、バーコーター、ロールコーターその他の公知の塗布手段が採用され得る。続いて、必要に応じてレジスト剤が乾燥される。これにより、硬化反応を伴うことなく、基材上にパターン化されたレジスト皮膜が形成される。レジスト皮膜の厚みは、特に制限されないが、0.5〜10μmが好ましい。   When the conductor pattern is formed by the lift-off method, first, a resist agent is applied on the base material in an appropriate pattern. As a coating method of the resist agent, a brush coating method, a screen printing method, a gravure printing, a spray method, a dipping method, a bar coater, a roll coater, or other known coating means may be employed. Subsequently, the resist agent is dried as necessary. As a result, a patterned resist film is formed on the substrate without a curing reaction. The thickness of the resist film is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 10 μm.

ここで、本実施形態では、レジスト剤が高粘度の水溶性樹脂及び無機フィラーを含有することで最適な粘度に調製されるため、レジスト剤を微細なパターン状に塗布することが容易であり、従来は写真法でなければ困難であった微細なパターン状に塗布することも可能となり、例えば幅30μmのライン状に塗布することも可能である。このため、本実施形態によるレジスト剤を使用することで、微細な導体パターンが容易に形成される。   Here, in this embodiment, since the resist agent is prepared to have an optimum viscosity by containing a high-viscosity water-soluble resin and an inorganic filler, it is easy to apply the resist agent in a fine pattern, Conventionally, it can be applied in a fine pattern that has been difficult unless it is a photographic method. For example, it can be applied in a line shape having a width of 30 μm. For this reason, a fine conductor pattern is easily formed by using the resist agent according to the present embodiment.

また、本実施形態によるレジスト剤は、柔軟性の高い水溶性ポリエステル樹脂を含有するため、各種の金属、樹脂に対する密着性が高い。このため、種々の材質の基材上に対して、レジスト剤が容易に塗布され、このため種々の材質の基材上にレジスト皮膜が容易に形成される。   Moreover, since the resist agent by this embodiment contains a highly flexible water-soluble polyester resin, it has high adhesiveness to various metals and resins. For this reason, a resist agent is easily applied on a substrate made of various materials, and thus a resist film is easily formed on a substrate made of various materials.

続いて、蒸着、スパッタリング等の乾式法によって、基材上に導体が成膜される。導体としては、Al、Ti、Pb、Ni、Cu、Ag、Au、Cr、Sn、In等の金属、ITO、Al23、SiO2等の酸化物が挙げられる。 Subsequently, a conductor is formed on the substrate by a dry method such as vapor deposition or sputtering. Examples of the conductor include metals such as Al, Ti, Pb, Ni, Cu, Ag, Au, Cr, Sn, and In, and oxides such as ITO, Al 2 O 3 , and SiO 2 .

本実施形態では、レジスト剤が非反応性の水溶性ポリエステル樹脂を含有するため、上記のようにレジスト剤が塗布され、或いは更に加熱されることで溶剤が除去されるが、硬化反応を伴わずにレジスト皮膜が形成される。このため、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂などを含有する反応硬化型のレジスト剤を使用される場合にはレジスト皮膜中に未反応の低分子量の有機成分が残存することがあるのに対し、本実施形態では、レジスト皮膜中に低分子量の有機成分が残存しにくい。このため、蒸着やスパッタリング等により導体が成膜される際に、レジスト皮膜が減圧下に配置されても、レジスト皮膜からは低分子量の有機成分が放出されにくい。このため、このような有機成分によって導体の成膜に悪影響が与えられるような事態が、起こりにくくなる。この結果、導体の成膜性が向上する。   In this embodiment, since the resist agent contains a non-reactive water-soluble polyester resin, the resist agent is applied as described above, or the solvent is removed by further heating, but the curing reaction is not accompanied. A resist film is formed. For this reason, unreacted low molecular weight organic components may remain in the resist film when a reaction curable resist agent containing a thermosetting resin or a photocurable resin is used. In this embodiment, the low molecular weight organic component hardly remains in the resist film. For this reason, even when the conductor film is formed by vapor deposition, sputtering, or the like, even if the resist film is placed under reduced pressure, the organic component having a low molecular weight is not easily released from the resist film. For this reason, it is difficult for such an organic component to adversely affect the film formation of the conductor. As a result, the film formability of the conductor is improved.

続いて、レジスト皮膜が水系のレジスト除去液に曝されることで、基材上からレジスト皮膜が除去され、これによりレジスト皮膜上の導体も基材上から除去される。これにより、基材上に残存する導体によって、導体パターンが形成される。   Subsequently, the resist film is exposed to an aqueous resist removal solution, whereby the resist film is removed from the substrate, and thereby the conductor on the resist film is also removed from the substrate. Thereby, a conductor pattern is formed by the conductors remaining on the substrate.

水系のレジスト除去液としては、水を用いることができる。また、水系のレジスト除去液として、水と親水性有機溶媒とを含有する混合液を用いることもできる。親水性有機溶媒は、例えばメタノール、エタノール、2−プロパノール、1,2−プロパンジオール等のアルコール;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル;シクロヘキサノン;非イオン性、陰イオン性、および陽イオン性からなる界面活性剤等から選択される、少なくとも一種を含有することが好ましい。特に水系の洗浄剤が水であることが好ましい。   Water can be used as the aqueous resist removing solution. In addition, a mixed solution containing water and a hydrophilic organic solvent can be used as the aqueous resist removing solution. Examples of the hydrophilic organic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, and 1,2-propanediol; ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl cellosolve, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monoisopropyl ether, Glycol ethers such as butyl cellosolve, ethylene glycol monoisobutyl ether, propylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether; cyclohexanone; nonionic, anionic, and cationic surfactants It is preferable to contain at least one selected from In particular, the aqueous cleaning agent is preferably water.

レジスト皮膜は、適宜の手法によって、レジスト除去液に曝される。例えばレジスト除去液が、レジスト皮膜を覆う導体に向けてスプレー塗布されたり、レジスト皮膜及びこれを覆う導体がレジスト除去液に浸漬されたりすることで、レジスト皮膜がレジスト処理液に曝される。   The resist film is exposed to a resist removing solution by an appropriate method. For example, the resist film is sprayed toward the conductor covering the resist film, or the resist film and the conductor covering the resist film are immersed in the resist removing liquid, whereby the resist film is exposed to the resist processing liquid.

尚、レジスト皮膜の大部分が導体によって覆われていても、蒸着やスパッタリング等により形成される薄膜は微視的には不均一で微細な隙間が多く存在するため、レジスト除去液は導体の隙間を通じてレジスト皮膜へ到達することができる。この場合、レジスト皮膜へ到達するレジスト除去液の量が僅かであっても、本実施形態ではレジスト皮膜が従来品より良好な水溶性を有するため、レジスト皮膜は基材上から容易に除去される。このため、基材上にはレジスト皮膜及びこのレジスト皮膜上の導体が、残存しにくくなる。その結果、基材上に導体パターンが容易に形成される。   Even if most of the resist film is covered with a conductor, the thin film formed by vapor deposition, sputtering, etc. is microscopically non-uniform and has many fine gaps. Can reach the resist film. In this case, even if the amount of the resist removal solution reaching the resist film is small, in this embodiment, the resist film has a better water solubility than the conventional product, so that the resist film is easily removed from the substrate. . For this reason, the resist film and the conductor on the resist film are less likely to remain on the substrate. As a result, a conductor pattern is easily formed on the substrate.

また、上記の通り、レジスト剤は水溶性ポリエステル樹脂を含有するため、水系の組成物として調製されることができ、更にレジスト剤から形成されるレジスト皮膜は水系レジスト除去液によって容易に除去される。このため、レジスト剤が使用される場合の労働安全性及び環境保全性が、優れている。   Further, as described above, since the resist agent contains a water-soluble polyester resin, it can be prepared as an aqueous composition, and the resist film formed from the resist agent is easily removed by an aqueous resist removal solution. . For this reason, when the resist agent is used, the occupational safety and the environmental conservation are excellent.

以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明は、下記の実施例のみに制限されるものではない。尚、下記において、断りのない限り、「部」は「質量部」を意味し、「%」は「質量%」を意味する。   Examples of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited only to the following examples. In the following, “part” means “part by mass” and “%” means “mass%” unless otherwise specified.

[合成例1]
原料として、ジメチルテレフタル酸130.1部、ジメチルイソフタル酸35.0部、5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸44.4部、エチレングリコール62.1部、1,6−ヘキサンジオール118.2部、及び触媒(シュウ酸チタンカリウム)0.1部を用意した。
[Synthesis Example 1]
As raw materials, 130.1 parts of dimethyl terephthalic acid, 35.0 parts of dimethyl isophthalic acid, 44.4 parts of sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate, 62.1 parts of ethylene glycol, 118.2 parts of 1,6-hexanediol, And 0.1 part of a catalyst (potassium titanium oxalate) was prepared.

これらの原料を反応器に入れて溶液を調製し、この溶液を常圧、窒素雰囲気中で撹拌混合しながら200℃に昇温し、続いて4時間かけて260℃にまで徐々に昇温することで、エステル交換反応を完了させた。次に、この溶液を260℃の温度下で徐々に減圧し、続いて250℃、0.67hPa(0.5mmHg)の条件下で1時間保持することで、重縮合反応を進行させた。これにより、数平均分子量約9600のポリエステル樹脂を得た。   These raw materials are put into a reactor to prepare a solution, and this solution is heated to 200 ° C. with stirring and mixing in an atmospheric pressure and nitrogen atmosphere, and then gradually heated to 260 ° C. over 4 hours. This completes the transesterification reaction. Next, this solution was gradually depressurized at a temperature of 260 ° C., and then kept under the conditions of 250 ° C. and 0.67 hPa (0.5 mmHg) for 1 hour to proceed the polycondensation reaction. As a result, a polyester resin having a number average molecular weight of about 9600 was obtained.

このポリエステル樹脂25部及び水75部を、容器内に入れ、これらを80〜95℃で2時間撹拌することで、ポリエステル樹脂を水に溶解させた。これにより、ポリエステル樹脂濃度25%の水溶液Aを得た。   25 parts of this polyester resin and 75 parts of water were put in a container, and these were stirred at 80 to 95 ° C. for 2 hours to dissolve the polyester resin in water. As a result, an aqueous solution A having a polyester resin concentration of 25% was obtained.

[合成例2]
原料として、ジメチルテレフタル酸101.0部、ジメチルイソフタル酸35.0部、5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸88.8部、エチレングリコール62.1部、1,6−ヘキサンジオール118.2部、及び触媒(シュウ酸チタンカリウム)0.1部を用意した。
[Synthesis Example 2]
As raw materials, 101.0 parts of dimethylterephthalic acid, 35.0 parts of dimethylisophthalic acid, 88.8 parts of sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate, 62.1 parts of ethylene glycol, 118.2 parts of 1,6-hexanediol, And 0.1 part of a catalyst (potassium titanium oxalate) was prepared.

これらの原料を反応器に入れて溶液を調製し、この溶液を常圧、窒素雰囲気中で撹拌混合しながら200℃に昇温し、続いて4時間かけて260℃にまで徐々に昇温することで、エステル交換反応を完了させた。次に、この溶液を260℃の温度下で徐々に減圧し、続いて260℃、0.67hPa(0.5mmHg)の条件下で2時間保持することで、重縮合反応を進行させた。これにより、数平均分子量約30000のポリエステル樹脂を得た。   These raw materials are put into a reactor to prepare a solution, and this solution is heated to 200 ° C. with stirring and mixing in an atmospheric pressure and nitrogen atmosphere, and then gradually heated to 260 ° C. over 4 hours. This completes the transesterification reaction. Next, this solution was gradually depressurized at a temperature of 260 ° C., and then maintained at 260 ° C. and 0.67 hPa (0.5 mmHg) for 2 hours to proceed the polycondensation reaction. Thereby, a polyester resin having a number average molecular weight of about 30,000 was obtained.

このポリエステル樹脂25部及び水75部を、容器内に入れ、これらを80〜95℃で2時間撹拌することで、ポリエステル樹脂を水に溶解させた。これにより、ポリエステル樹脂濃度25%の水溶液Bを得た。   25 parts of this polyester resin and 75 parts of water were put in a container, and these were stirred at 80 to 95 ° C. for 2 hours to dissolve the polyester resin in water. As a result, an aqueous solution B having a polyester resin concentration of 25% was obtained.

[合成例3]
原料として、ジメチルテレフタル酸62.1部、ジメチルイソフタル酸35.0部、5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸148.1部、エチレングリコール62.1部、1,6−ヘキサンジオール118.2部、及び触媒(シュウ酸チタンカリウム)0.1部を用意した。
[Synthesis Example 3]
As raw materials, 62.1 parts of dimethylterephthalic acid, 35.0 parts of dimethylisophthalic acid, 148.1 parts of sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate, 62.1 parts of ethylene glycol, 118.2 parts of 1,6-hexanediol, And 0.1 part of a catalyst (potassium titanium oxalate) was prepared.

これらの原料を反応器に入れて溶液を調製し、この溶液を常圧、窒素雰囲気中で撹拌混合しながら200℃に昇温し、続いて4時間かけて260℃にまで徐々に昇温することで、エステル交換反応を完了させた。次に、この溶液を260℃の温度下で徐々に減圧し、続いて260℃、0.67hPa(0.5mmHg)の条件下で2時間保持することで、重縮合反応を進行させた。これにより、数平均分子量約26000のポリエステル樹脂を得た。   These raw materials are put into a reactor to prepare a solution, and this solution is heated to 200 ° C. with stirring and mixing in an atmospheric pressure and nitrogen atmosphere, and then gradually heated to 260 ° C. over 4 hours. This completes the transesterification reaction. Next, this solution was gradually depressurized at a temperature of 260 ° C., and then maintained at 260 ° C. and 0.67 hPa (0.5 mmHg) for 2 hours to proceed the polycondensation reaction. As a result, a polyester resin having a number average molecular weight of about 26000 was obtained.

このポリエステル樹脂25部及び水75部を、容器内に入れ、これらを80〜95℃で2時間撹拌することで、ポリエステル樹脂を水に溶解させた。これにより、ポリエステル樹脂濃度25%の水溶液Cを得た。   25 parts of this polyester resin and 75 parts of water were put in a container, and these were stirred at 80 to 95 ° C. for 2 hours to dissolve the polyester resin in water. As a result, an aqueous solution C having a polyester resin concentration of 25% was obtained.

[合成例4]
原料として、ジメチルテレフタル酸120.4部、ジメチルイソフタル酸35.0部、エチレングリコール62.1部、1,6−ヘキサンジオール118.2部、及び触媒(シュウ酸チタンカリウム)0.1部を用意した。
[Synthesis Example 4]
As raw materials, 120.4 parts of dimethyl terephthalic acid, 35.0 parts of dimethyl isophthalic acid, 62.1 parts of ethylene glycol, 118.2 parts of 1,6-hexanediol, and 0.1 part of catalyst (potassium titanium oxalate) Prepared.

これらの原料を反応器に入れて溶液を調製し、この溶液を常圧、窒素雰囲気中で撹拌混合しながら200℃に昇温し、続いて4時間かけて260℃にまで徐々に昇温することで、エステル交換反応を完了させた。次に、この溶液に無水トリメリット酸38.4部を添加し、続いてこの溶液を250℃の温度下で徐々に減圧し、続いて250℃、0.67hPa(0.5mmHg)の条件下で30分間保持することで、重縮合反応を進行させた。これにより、酸価55.2mgKOH/g、数平均分子量約8200の、ポリエステル樹脂を得た。   These raw materials are put into a reactor to prepare a solution, and this solution is heated to 200 ° C. with stirring and mixing in an atmospheric pressure and nitrogen atmosphere, and then gradually heated to 260 ° C. over 4 hours. This completes the transesterification reaction. Next, 38.4 parts of trimellitic anhydride is added to the solution, and then the solution is gradually depressurized at a temperature of 250 ° C., followed by conditions of 250 ° C. and 0.67 hPa (0.5 mmHg). For 30 minutes to allow the polycondensation reaction to proceed. As a result, a polyester resin having an acid value of 55.2 mgKOH / g and a number average molecular weight of about 8200 was obtained.

このポリエステル樹脂25部、水71.2部、及び25%水酸化ナトリウム水溶液3.8部を、容器内に入れ、これらを80〜95℃で2時間撹拌することで、ポリエステル樹脂を水に溶解させた。これにより、ポリエステル樹脂濃度25%の水溶液Dを得た。   25 parts of this polyester resin, 71.2 parts of water, and 3.8 parts of 25% sodium hydroxide aqueous solution are put in a container, and these are stirred at 80-95 ° C. for 2 hours to dissolve the polyester resin in water. I let you. As a result, an aqueous solution D having a polyester resin concentration of 25% was obtained.

[合成例5]
原料として、ジメチルテレフタル酸139.8部、ジメチルイソフタル酸35.0部、5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸29.6部、エチレングリコール62.1部、1,6−ヘキサンジオール118.2部、及び触媒(シュウ酸チタンカリウム)0.1部を用意した。
[Synthesis Example 5]
As raw materials, 139.8 parts of dimethyl terephthalic acid, 35.0 parts of dimethyl isophthalic acid, 29.6 parts of sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate, 62.1 parts of ethylene glycol, 118.2 parts of 1,6-hexanediol, And 0.1 part of a catalyst (potassium titanium oxalate) was prepared.

これらの原料を反応器に入れて溶液を調製し、この溶液を常圧、窒素雰囲気中で撹拌混合しながら200℃に昇温し、続いて4時間かけて260℃にまで徐々に昇温することで、エステル交換反応を完了させた。次に、この溶液を260℃の温度下で徐々に減圧し、続いて250℃、0.67hPa(0.5mmHg)の条件下で30分間保持することで、重縮合反応を進行させた。これにより、数平均分子量約5100のポリエステル樹脂を得た。   These raw materials are put into a reactor to prepare a solution, and this solution is heated to 200 ° C. with stirring and mixing in an atmospheric pressure and nitrogen atmosphere, and then gradually heated to 260 ° C. over 4 hours. This completes the transesterification reaction. Next, this solution was gradually depressurized at a temperature of 260 ° C., and then kept at 250 ° C. and 0.67 hPa (0.5 mmHg) for 30 minutes to proceed the polycondensation reaction. As a result, a polyester resin having a number average molecular weight of about 5100 was obtained.

このポリエステル樹脂25部及び水75部を、容器内に入れ、これらを80〜95℃で2時間撹拌することで、ポリエステル樹脂を水に溶解させた。これにより、ポリエステル樹脂濃度25%の水溶液Eを得た。   25 parts of this polyester resin and 75 parts of water were put in a container, and these were stirred at 80 to 95 ° C. for 2 hours to dissolve the polyester resin in water. As a result, an aqueous solution E having a polyester resin concentration of 25% was obtained.

合成例1〜5における原料組成、多価カルボン酸成分及びポリオール成分の混合モル比率、並びに合成例1〜5で得られたポリエステル樹脂の数平均分子量を、下記表1にまとめて示す。   The raw material compositions in Synthesis Examples 1 to 5, the mixing molar ratio of the polyvalent carboxylic acid component and the polyol component, and the number average molecular weights of the polyester resins obtained in Synthesis Examples 1 to 5 are summarized in Table 1 below.

Figure 2013247177
Figure 2013247177

[ポリエスエル樹脂の水溶性評価]
(加熱前の水溶性)
合成例1〜5で得られた水溶液A〜Eの各々を、基板上に筆で塗布してから、100℃で20分間乾燥することで、皮膜を形成した。
[Evaluation of water solubility of polyester resin]
(Water-soluble before heating)
Each of the aqueous solutions A to E obtained in Synthesis Examples 1 to 5 was coated on a substrate with a brush and then dried at 100 ° C. for 20 minutes to form a film.

この皮膜を、50℃の水に5分間浸漬した。その間、水には超音波洗浄機により超音波を5分間印加した。   This film was immersed in water at 50 ° C. for 5 minutes. Meanwhile, ultrasonic waves were applied to water for 5 minutes with an ultrasonic cleaner.

その結果に基づき、皮膜の水溶性を、次のようにして評価した。
○:皮膜が100%完全に溶解した。
△:皮膜の80%以上が溶解した。
×:全く溶解しなかった。
Based on the results, the water solubility of the film was evaluated as follows.
○: The film was completely dissolved.
Δ: 80% or more of the film was dissolved.
X: Not dissolved at all.

(加熱後の水溶性)
合成例1〜5で得られた水溶液A〜Eの各々を、基板上に筆で塗布してから、100℃で20分間乾燥することで、皮膜を形成した。
(Water-soluble after heating)
Each of the aqueous solutions A to E obtained in Synthesis Examples 1 to 5 was coated on a substrate with a brush and then dried at 100 ° C. for 20 minutes to form a film.

この基板とその上の皮膜とを、オーブン内で270℃で10分間加熱し、続いて常温下で15分間放置した。   This substrate and the film on it were heated in an oven at 270 ° C. for 10 minutes, and then allowed to stand at room temperature for 15 minutes.

続いて、皮膜を、50℃の水に5分間浸漬した。その間、水には超音波洗浄機により超音波を5分間印加した。   Subsequently, the film was immersed in water at 50 ° C. for 5 minutes. Meanwhile, ultrasonic waves were applied to water for 5 minutes with an ultrasonic cleaner.

その結果に基づき、皮膜の水溶性を、次のようにして評価した。
○:皮膜が100%完全に溶解した。
△:皮膜の80%以上が溶解した。
×:全く溶解しなかった。
Based on the results, the water solubility of the film was evaluated as follows.
○: The film was completely dissolved.
Δ: 80% or more of the film was dissolved.
X: Not dissolved at all.

以上の結果を下記表2に示す。   The above results are shown in Table 2 below.

Figure 2013247177
Figure 2013247177

[レジスト剤の調製及び評価]
(レジスト剤の調製)
原料として、合成例1〜5で得られた水溶液A〜E、ポリビニルアルコール(株式会社クラレ製、品番PVA−217)の25%水溶液、ヒドロキシプロピルセルロース(日本曹達株式会社製、品番NISSO HPC−SL)の25%水溶液、炭酸カルシウム(白石カルシウム株式会社製、品名:白麗華CCR、平均粒径0.08μm)、炭酸カルシウム(白石カルシウム株式会社製、品名:Silver−W、平均粒径1.5μm)、微粉シリカ(日本アエロジル株式会社製、品名:AEROSIL200、平均粒径約0.012μm)、及びプロピレングリコールを用意した。
[Preparation and evaluation of resist agent]
(Preparation of resist agent)
As raw materials, aqueous solutions A to E obtained in Synthesis Examples 1 to 5, 25% aqueous solution of polyvinyl alcohol (manufactured by Kuraray Co., Ltd., product number PVA-217), hydroxypropyl cellulose (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., product number NISSO HPC-SL) ) 25% aqueous solution, calcium carbonate (manufactured by Shiraishi Calcium Co., Ltd., product name: Shirareika CCR, average particle size 0.08 μm), calcium carbonate (manufactured by Shiraishi Calcium Co., Ltd., product name: Silver-W, average particle size 1.5 μm) ), Finely divided silica (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., product name: AEROSIL200, average particle size of about 0.012 μm), and propylene glycol were prepared.

実施例6〜21及び比較例1,2の各々において、上記原料を、後掲の表に示す割合で配合し、3本ロールミルで混練することで、ペースト状のレジスト剤を調製した。   In each of Examples 6 to 21 and Comparative Examples 1 and 2, the raw materials were blended in the proportions shown in the table below, and kneaded with a three-roll mill to prepare a paste-like resist agent.

(レジスト剤の粘度)
各実施例及び比較例で得られたレジスト剤の粘度を、東機産業株式会社製のコーンプレートタイプ粘度計TV−30にロータ(No.(3°×R14))を取り付けたものを用いて、25℃、回転数5rpmの条件で測定した。その結果を後掲の表に示す。
(Resist agent viscosity)
The viscosity of the resist agent obtained in each Example and Comparative Example was obtained by attaching a rotor (No. (3 ° × R14)) to a cone plate type viscometer TV-30 manufactured by Toki Sangyo Co. , Measured at 25 ° C. and 5 rpm. The results are shown in the table below.

(レジスト皮膜の剥離性)
PEN(ポリエチレンナフタレート)樹脂製のフィルム上にレジスト剤を、実施例1〜5ではバーコーターを用いて塗布し、実施例6〜21及び比較例1,2ではスクリーン印刷法により線幅100μmのネガパターンが形成されるように塗布した。このフィルム上のレジスト剤を80℃で20分加熱することで乾燥させた。これにより、フィルム上にレジスト皮膜を形成した。尚、いずれの実施例及び比較例においても、レジスト皮膜の厚みは2〜3μmであった。
(Removability of resist film)
A resist agent is applied on a film made of PEN (polyethylene naphthalate) resin using a bar coater in Examples 1 to 5, and in Examples 6 to 21 and Comparative Examples 1 and 2, the line width is 100 μm by screen printing. It applied so that a negative pattern might be formed. The resist agent on this film was dried by heating at 80 ° C. for 20 minutes. Thereby, a resist film was formed on the film. In any of the examples and comparative examples, the thickness of the resist film was 2 to 3 μm.

このフィルム上に、スパッタリング法によりAlを蒸着することで、厚み0.04μmの金属膜を形成した。尚、スパッタリング装置としてはキャノン・アネルバ株式会社製のSPCシリーズを用い、スパッタリングの条件は、真空度10-4Pa、印加電圧5.1kVとした。 On this film, a metal film having a thickness of 0.04 μm was formed by depositing Al by sputtering. As a sputtering apparatus, an SPC series manufactured by Canon Anelva Co., Ltd. was used, and the sputtering conditions were a vacuum degree of 10 −4 Pa and an applied voltage of 5.1 kV.

続いて、フィルム上のレジスト皮膜を除去するために、フィルムにおける金属膜が形成されている面に、流水(流量1.94L/min、水温50℃)を3分間接触させた。   Subsequently, in order to remove the resist film on the film, running water (flow rate 1.94 L / min, water temperature 50 ° C.) was brought into contact with the surface of the film on which the metal film was formed for 3 minutes.

また、金属膜の厚みを0.4μmに変更した場合についても、上記と同様の試験をおこなった。   Also, the same test as described above was performed when the thickness of the metal film was changed to 0.4 μm.

試験後のフィルムの表面を観察し、その結果を次のように評価し、後掲の表に示す。
○:フィルム上にレジスト皮膜の残存が認められない。
△:フィルム上に僅かにレジスト皮膜の残渣が認められる。
×:フィルム上に全体的にレジスト皮膜の残渣が認められる。
The surface of the film after the test was observed, and the results were evaluated as follows and are shown in the table below.
○: Resist film remains on the film.
Δ: Residue of the resist film is slightly observed on the film.
X: Resist film residue was found on the entire film.

(レジスト皮膜の微細加工性)
実施例6〜21及び比較例1,2について、上記“レジスト皮膜の剥離性”の試験でフィルム上に形成された線幅100μmの導体パターンの形状を、顕微鏡で観測し、その結果を、導体パターンのがたつき、パターン幅により、次のように評価し、後掲の表に示す。
○:導体パターン幅のばらつきが±20%以内でラインにがたつきがない。
△:導体パターン幅のばらつきが±40%以内でラインにややがたつきがある。
×:導体パターン幅のばらつきが±40%以上でラインにがたつきがある。
(Fine processability of resist film)
For Examples 6 to 21 and Comparative Examples 1 and 2, the shape of the conductor pattern having a line width of 100 μm formed on the film in the above “resist peelability test” was observed with a microscope, and the result was obtained as a conductor. The following evaluation is made based on the shakiness of the pattern and the pattern width, and is shown in the table below.
○: The variation of the conductor pattern width is within ± 20%, and the line is not rattled.
Δ: The variation in the conductor pattern width is within ± 40%, and the lines are slightly shaky.
X: The variation in the conductor pattern width is ± 40% or more, and the line is not stable.

Figure 2013247177
Figure 2013247177

Figure 2013247177
Figure 2013247177

上記結果に示されるように、実施例1〜21では、レジスト皮膜が水によって容易に剥離され、導体パターンが形成された。特に、実施例6〜12,15〜21では、導体パターンのライン形状も良好であった。また、実施例1〜16,18〜20では、導体の厚みが0.4μmの場合であっても、レジスト皮膜の剥離性が良好であった。   As shown in the above results, in Examples 1 to 21, the resist film was easily peeled off with water, and a conductor pattern was formed. In particular, in Examples 6 to 12 and 15 to 21, the line shape of the conductor pattern was also good. Moreover, in Examples 1-16 and 18-20, even if the thickness of the conductor was 0.4 micrometer, the peelability of the resist film was favorable.

Claims (8)

基材上にリフトオフ法により導体パターンを形成するにあたって、基材上にレジスト皮膜を形成するために用いられるリフトオフ法用レジスト剤であって、水溶性ポリエステル樹脂を含有することを特徴とする。 A resist agent for lift-off method used for forming a resist film on a base material when a conductor pattern is formed on the base material by a lift-off method, characterized by containing a water-soluble polyester resin. 前記水溶性ポリエステル樹脂が、多価カルボン酸成分と多価アルコール成分との重合生成物であり、前記多価カルボン酸成分に5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸が含まれている請求項1に記載のレジスト剤。 The water-soluble polyester resin is a polymerization product of a polyvalent carboxylic acid component and a polyhydric alcohol component, and the polyvalent carboxylic acid component contains sodium 5-sulfonate dimethylisophthalic acid. Resist agent. 前記多価カルボン酸成分に対する前記5−スルホン酸ナトリウムジメチルイソフタル酸の割合が、10〜80モル%の範囲である請求項2に記載のレジスト剤。 The resist agent according to claim 2, wherein a ratio of the sodium dimethylisophthalic acid 5-sulfonate to the polyvalent carboxylic acid component is in the range of 10 to 80 mol%. 前記水溶性ポリエステル樹脂以外の水溶性高分子を更に含有する請求項1乃至3のいずれか一項に記載のレジスト剤。 The resist agent according to claim 1, further comprising a water-soluble polymer other than the water-soluble polyester resin. 前記水溶性高分子を前記水溶性ポリエステル樹脂に対して1〜600質量%の割合で含有する請求項4に記載のレジスト剤。 The resist agent of Claim 4 which contains the said water-soluble polymer in the ratio of 1-600 mass% with respect to the said water-soluble polyester resin. 前記水溶性ポリエステル樹脂が、アルカリ金属化合物によって中和されている酸基を備える請求項1乃至5のいずれか一項に記載のレジスト剤。 The resist agent according to claim 1, wherein the water-soluble polyester resin includes an acid group that is neutralized with an alkali metal compound. 平均粒径0.03〜10μmの無機フィラーを更に含有する請求項1乃至6のいずれか一項に記載のレジスト剤。 The resist agent according to claim 1, further comprising an inorganic filler having an average particle size of 0.03 to 10 μm. 前記無機フィラーを、樹脂全量に対して0.1〜400質量%の割合で含有する請求項7に記載のレジスト剤。 The resist agent of Claim 7 which contains the said inorganic filler in the ratio of 0.1-400 mass% with respect to resin whole quantity.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107810215A (en) * 2015-06-19 2018-03-16 斯特塔思有限公司 Aqueous dispersion polymers for increasing material manufacturing
JPWO2021181449A1 (en) * 2020-03-09 2021-09-16
US11220062B2 (en) 2017-10-10 2022-01-11 Stratasys, Inc. Water-dispersible thermoplastic material comprising sulfonated copolymer for use in additive manufacturing
US11939480B2 (en) 2018-10-10 2024-03-26 Stratasys, Inc. Water dispersible sulfonated thermoplastic copolymer for use in additive manufacturing

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5212462A (en) * 1975-07-21 1977-01-31 Sumitomo Bakelite Co Method of manufacturing printed circuit board
JPS555938A (en) * 1978-06-27 1980-01-17 Toray Ind Inc Water-soluble polyester adhesive
JPS61181822A (en) * 1985-02-06 1986-08-14 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The Production of water-soluble polyester resin
JPH03504520A (en) * 1989-03-08 1991-10-03 トーレ・プラスティックス・ヨーロッパ・ソシエテ・アノニム Composite polyester film, its production method and use as support for final coating
JPH03265624A (en) * 1990-03-15 1991-11-26 Kanebo Ltd Polyester copolymer and polyester film or photograhic material containing undercoat comprising same copolymer
JPH05230198A (en) * 1992-02-24 1993-09-07 Toray Ind Inc Copolyester and polyester laminated film
JPH07331180A (en) * 1994-06-10 1995-12-19 Asahi Glass Co Ltd Paste for forming thin film pattern
JP2000080480A (en) * 1998-06-24 2000-03-21 Akira Ito Partial plating method for substrate
JP2001308497A (en) * 2000-04-27 2001-11-02 Sankyo Kasei Co Ltd Stereoscopic circuit board and method for manufacturing the same
JP2004281427A (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Mitsubishi Electric Corp Three-dimensional circuit board and method of manufacturing the same
JP2007202144A (en) * 2006-01-27 2007-08-09 Air Wave Co Ltd Method of manufacturing thin film antenna

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5212462A (en) * 1975-07-21 1977-01-31 Sumitomo Bakelite Co Method of manufacturing printed circuit board
JPS555938A (en) * 1978-06-27 1980-01-17 Toray Ind Inc Water-soluble polyester adhesive
JPS61181822A (en) * 1985-02-06 1986-08-14 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The Production of water-soluble polyester resin
JPH03504520A (en) * 1989-03-08 1991-10-03 トーレ・プラスティックス・ヨーロッパ・ソシエテ・アノニム Composite polyester film, its production method and use as support for final coating
JPH03265624A (en) * 1990-03-15 1991-11-26 Kanebo Ltd Polyester copolymer and polyester film or photograhic material containing undercoat comprising same copolymer
JPH05230198A (en) * 1992-02-24 1993-09-07 Toray Ind Inc Copolyester and polyester laminated film
JPH07331180A (en) * 1994-06-10 1995-12-19 Asahi Glass Co Ltd Paste for forming thin film pattern
JP2000080480A (en) * 1998-06-24 2000-03-21 Akira Ito Partial plating method for substrate
JP2001308497A (en) * 2000-04-27 2001-11-02 Sankyo Kasei Co Ltd Stereoscopic circuit board and method for manufacturing the same
JP2004281427A (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Mitsubishi Electric Corp Three-dimensional circuit board and method of manufacturing the same
JP2007202144A (en) * 2006-01-27 2007-08-09 Air Wave Co Ltd Method of manufacturing thin film antenna

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107810215A (en) * 2015-06-19 2018-03-16 斯特塔思有限公司 Aqueous dispersion polymers for increasing material manufacturing
JP2018519383A (en) * 2015-06-19 2018-07-19 ストラタシス,インコーポレイテッド Water dispersible polymer used for additive manufacturing
US10982043B2 (en) 2015-06-19 2021-04-20 Stratasys, Inc. Recycling and reuse of sulfonated polymer material in additive manufacturing
US11186679B2 (en) 2015-06-19 2021-11-30 Stratasys, Inc. Water dispersible polymer for use in additive manufacturing
US11220062B2 (en) 2017-10-10 2022-01-11 Stratasys, Inc. Water-dispersible thermoplastic material comprising sulfonated copolymer for use in additive manufacturing
US11939480B2 (en) 2018-10-10 2024-03-26 Stratasys, Inc. Water dispersible sulfonated thermoplastic copolymer for use in additive manufacturing
JPWO2021181449A1 (en) * 2020-03-09 2021-09-16
WO2021181449A1 (en) * 2020-03-09 2021-09-16 互応化学工業株式会社 Composition for protection
JP7096625B2 (en) 2020-03-09 2022-07-06 互応化学工業株式会社 Protective composition
US12054640B2 (en) 2020-03-09 2024-08-06 Goo Chemical Co., Ltd. Protective composition

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