JP2013243748A - Semiconductor device and radio communication instrument - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、無線周波数信号の送信を行う半導体装置及び無線通信機に関する。 The present application relates to a semiconductor device and a wireless communication device for transmitting a radio frequency signal.
無線周波数信号(RF信号)の送信を行う半導体装置にRFトランシーバLSIがある。近年、RFトランシーバLSIは1チップ化が進んでおり、RF信号の送信、受信、及び受信された信号の前処理等が、単一の半導体チップ上に集積されたRFトランシーバLSI内に統合されている場合がある。このようなRFトランシーバLSIを含んだ無線通信機における送信構成の一例を図6に示す。 An RF transceiver LSI is a semiconductor device that transmits a radio frequency signal (RF signal). In recent years, RF transceiver LSIs have been made into one chip, and RF signal transmission, reception, preprocessing of received signals, and the like are integrated into an RF transceiver LSI integrated on a single semiconductor chip. There may be. An example of a transmission configuration in a wireless communication device including such an RF transceiver LSI is shown in FIG.
RFトランシーバLSI20は、局部発振器1、移相器2、ミキサ回路31、32、送信アンプ4、を備える。局部発振器1は、搬送波信号を出力する。移相器2は、搬送波信号を2分周し、互いに90度位相のずれたローカル信号を出力する。ミキサ回路31、32は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−I、BB−Qを、各ローカル信号とそれぞれ乗算する。ミキサ回路31、32の出力は合成され、送信アンプ4を介してRFトランシーバLSI20から出力される。RFトランシーバLSI20の送信出力は、フィルタ30で基本波の周波数成分が取り出された後、アンテナ40から放射される。
The
上記のRFトランシーバLSI20のようにミキサ回路31、32を含んで変調を行う構成は、直交変調器と呼ばれる。このような直交変調器に関連して、特許文献1、2、3が開示されている。
A configuration that performs modulation including the
図6において、RFトランシーバLSI20は、局部発振器1が出力する搬送波信号を移相器2で2分周してローカル信号を得る。すなわち、局部発振器1は、ローカル信号の周波数fLOの2倍の周波数2fLOを有する搬送波信号を出力する。これにより、ローカル信号の周波数fLOに等しい送信出力の周波数foutと、局部発振器1の周波数2fLOとを離して、送信出力の局部発振器1への干渉を抑制する。
In FIG. 6, the
しかしながら、送信アンプ4の非線形性により、RFトランシーバLSI20の送信出力には周波数2fLOの2次高調波が発生する。発生した2次高調波は、図6に破線で示されるように、局部発振器1に干渉して、送信信号品質を低下させる。
However, due to the non-linearity of the transmission amplifier 4, a second harmonic of frequency 2fLO is generated at the transmission output of the
本発明は、上記の課題に鑑み提案されたものであって、送信出力の2次高調波による局部発振器への干渉を低減することが可能な半導体装置及びそれを備える無線通信機を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of the above problems, and provides a semiconductor device capable of reducing interference with a local oscillator due to second harmonics of a transmission output, and a radio communication device including the semiconductor device. With the goal.
本願に開示されている半導体装置は、無線周波数信号の送信を行う半導体装置であって、第1の送信アンプを含む第1の送信経路と、第2の送信アンプを含む第2の送信経路と、搬送波信号を出力する局部発振器と、前記搬送波信号を2分周し、90度毎の位相差を持たせた複数のローカル信号を出力する移相器と、第1、第2のベースバンド信号を、互いに90度位相のずれた前記ローカル信号とそれぞれ乗算する第1、第2のミキサ回路を含み、前記第1のミキサ回路の出力と前記第2のミキサ回路の出力とを合成して出力する直交変調器と、前記直交変調器の出力が入力され、90度の位相差を有する90度位相差出力を得る90度移相器と、を備え、前記90度移相差出力を、前記第1の送信アンプと前記第2の送信アンプとに入力し、前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とが90度の位相差を有し、前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とを合成して前記無線周波数信号を得る。また、本願に開示されている無線通信機は、当該半導体装置と、ベースバンド信号処理部と、前記無線周波数信号に含まれる基本波の周波数成分を取り出すフィルタと、前記無線周波数信号を放射するアンテナと、を備える。 A semiconductor device disclosed in the present application is a semiconductor device that transmits a radio frequency signal, and includes a first transmission path including a first transmission amplifier, and a second transmission path including a second transmission amplifier. A local oscillator that outputs a carrier wave signal, a phase shifter that divides the carrier wave signal by two and outputs a plurality of local signals having a phase difference of 90 degrees, and first and second baseband signals Are combined with the local signals that are 90 degrees out of phase with each other, and the output of the first mixer circuit and the output of the second mixer circuit are combined and output. And a 90-degree phase shifter that receives the output of the quadrature modulator and obtains a 90-degree phase difference output having a 90-degree phase difference. Input to one transmission amplifier and the second transmission amplifier The transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path have a phase difference of 90 degrees, and the transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path Are combined to obtain the radio frequency signal. Further, the wireless communication device disclosed in the present application includes the semiconductor device, a baseband signal processing unit, a filter that extracts a frequency component of a fundamental wave included in the radio frequency signal, and an antenna that radiates the radio frequency signal. And comprising.
開示の半導体装置、無線通信機によれば、90度の位相差を有する2つの送信経路を備え、それぞれの出力を合成することで、2次高調波をキャンセルし、送信出力の2次高調波による局部発振器への干渉を低減することができる。 According to the disclosed semiconductor device and wireless communication device, two transmission paths having a phase difference of 90 degrees are provided, the outputs are combined to cancel the second harmonic, and the transmission output second harmonic. Can reduce interference with the local oscillator.
図1は、第1実施形態の回路ブロック図を示す。RFトランシーバLSI21は、局部発振器1、移相器2、ミキサ回路31、32、33、34、送信アンプ41、42、LC直列共振回路5、を備える。局部発振器1は、搬送波信号を出力する。移相器2は、搬送波信号を2分周し、90度毎の位相差を持たせたローカル信号LO0、LO90、LO180を出力する。ここで、移相器2は、例えば、MS−T−FF(マスタ・スレーブ・トグル・フリップフロップ)方式の1/2分周器である。移相器2にMS−T−FF方式の1/2分周器を用いた場合、直交するローカル信号を同時に生成することができるため効率的であり、通常、差動構成であるため容易に4相出力が可能である。ミキサ回路31、32は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−I、BB−Qを、互いに90度位相のずれたローカル信号LO0、LO90とそれぞれ乗算する。また、ミキサ回路33、34は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−I、BB−Qを、互いに90度位相のずれたローカル信号LO90、LO180とそれぞれ乗算する。ミキサ回路31と32の出力、ミキサ回路33と34の出力はそれぞれ合成され、各合成出力はそれぞれ送信アンプ41、42に入力される。LSIチップ内において送信アンプ41の出力と送信アンプ42の出力とはLC直列共振回路5で接続され、また、LSI外部において送信アンプ41の出力と90度移相器6を介した送信アンプ42の出力とが合成される。ここで、LC直列共振回路5は、ローカル信号の周波数fLOの2倍の周波数2fLOに共振周波数を有する。また、90度移相器6は、例えば、基板パターン、ディスクリート部品などである。合成されたRFトランシーバLSI21の送信出力は、フィルタ30で基本波の周波数成分が取り出された後、アンテナ40から放射される。
FIG. 1 shows a circuit block diagram of the first embodiment. The
上記のように、RFトランシーバLSI21は、2つの直交変調器、すなわち、ミキサ回路31、32を含む第1の直交変調器と、ミキサ回路33、34を含む第2の直交変調器と、を備える。そして、第1の直交変調器に入力されるローカル信号が第2の直交変調器に入力されるローカル信号に対して相対的に90度の位相差を有するように、第1の直交変調器には0度位相、90度位相のローカル信号LO0、LO90が入力され、第2の直交変調器には90度位相、180度位相のローカル信号LO90、LO180が入力される。これにより、第1の直交変調器と接続する送信アンプ41側の第1の送信経路の送信出力と、第2の直交変調器と接続する送信アンプ42側の第2の送信経路の送信出力とに、90度の位相差を持たせることができる。
As described above, the
続いて、90度の位相差を持たせた第1、第2の送信経路の送信出力の合成について説明する。非線形回路に入力信号Vinを入力した場合の出力Voutは、
Vout=A・Vin+B・Vin2+C・Vin3+D・Vin4+・・・
と表される。ここで、2項目以降は歪み成分である。非線形回路である送信アンプ41、42に入力される90度の位相差を有する入力信号をsin(ωt)、cos(ωt)として上式に当てはめ、合成出力を計算する。高次成分は減少するため無視して、4次の項まで計算すると、合成出力は、
Vout=A(sin(ωt)+cos(ωt))+B(sin2(ωt)+cos2(ωt))+C(sin3(ωt)+cos3(ωt))+D(sin4(ωt)+cos4(ωt))
となる。ここで、
sin2(ωt)=(1−cos(2ωt))/2
cos2(ωt)=(1+cos(2ωt))/2
sin3(ωt)=(3sin(ωt)−sin(3ωt))/4
cos3(ωt)=(3cos(ωt)+cos(3ωt))/4
sin4(ωt)=(3−4cos(2ωt)+cos(4ωt))/8
cos4(ωt)=(3+4cos(2ωt)+cos(4ωt))/8
であるため、2ωtの成分、すなわち、2次高調波がキャンセルされる。このように、90度の位相差を持たせた第1、第2の送信経路の送信出力にそれぞれ含まれる2次高調波は互いに逆相になるため、合成すると2次高調波を打ち消すことができる。したがって、送信出力の2次高調波による局部発振器1への干渉を低減することができる。
Subsequently, the synthesis of the transmission outputs of the first and second transmission paths having a phase difference of 90 degrees will be described. The output Vout when the input signal Vin is input to the nonlinear circuit is
Vout = A · Vin + B ·
It is expressed. Here, the second and subsequent items are distortion components. An input signal having a phase difference of 90 degrees input to the
Vout = A (sin (ωt) + cos (ωt)) + B (sin 2 (ωt) + cos 2 (ωt)) + C (sin 3 (ωt) + cos 3 (ωt)) + D (sin 4 (ωt) + cos 4 (ωt) ))
It becomes. here,
sin 2 (ωt) = (1−cos (2ωt)) / 2
cos 2 (ωt) = (1 + cos (2ωt)) / 2
sin 3 (ωt) = ( 3 sin (ωt) −sin (3ωt)) / 4
cos 3 (ωt) = ( 3 cos (ωt) + cos (3ωt)) / 4
sin 4 (ωt) = (3-4cos (2ωt) + cos (4ωt)) / 8
cos 4 (ωt) = (3 + 4 cos (2ωt) + cos (4ωt)) / 8
Therefore, the 2ωt component, that is, the second harmonic is canceled. In this way, since the second harmonics included in the transmission outputs of the first and second transmission paths having a phase difference of 90 degrees are opposite to each other, the second harmonics can be canceled when they are combined. it can. Therefore, interference with the
また、本実施形態では、LSIチップ内において、ローカル信号の周波数fLOの2倍の周波数、すなわち、2次高調波と等しい周波数2fLOに共振周波数を有するLC直列共振回路5によって2次高調波のみを合成してキャンセルする構成である。そして、基本波は、LSI外部において、90度移相器6によって位相を揃えて合成する構成である。第1の送信経路の送信出力と第2の送信経路の送信出力とを、90度位相がずれたままで合成した場合には、約1.5dBの電力損失が生じる。これに対し、本実施形態では、2次高調波をLSIチップ内でキャンセルした後、取り出した基本波を、位相を揃えて合成することで、電力損失を減らすことができる。また、この場合のLC直列共振回路5はQ値が高い必要はないため、小型化することができる。 In the present embodiment, only the second harmonic is generated by the LC series resonance circuit 5 having a resonance frequency at twice the frequency fLO of the local signal, that is, a frequency 2fLO equal to the second harmonic in the LSI chip. It is the composition which cancels by combining. The fundamental wave is synthesized outside the LSI by aligning the phases by the 90-degree phase shifter 6. When the transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path are combined with the phase shifted by 90 degrees, a power loss of about 1.5 dB occurs. On the other hand, in this embodiment, after canceling the second harmonic in the LSI chip, the extracted fundamental wave is combined with the same phase to reduce power loss. Further, the LC series resonance circuit 5 in this case does not need to have a high Q value, and can be downsized.
図2は、第2実施形態の回路ブロック図を示す。第2実施形態のRFトランシーバLSI22は、第1実施形態のRFトランシーバLSI21を差動構成にした実施形態であり、図2において、図1と対応する各部には同一の符号が付されている。移相器2は、搬送波信号を2分周し、90度毎の位相差を持たせたローカル信号LO0、LO90、LO180、LO270を出力する。ミキサ回路31は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−Iとその反転信号BB−XIとを、それぞれローカル信号LO0、LO180と乗算する。ミキサ回路32は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−Qとその反転信号BB−XQとを、それぞれローカル信号LO90、LO270と乗算する。ミキサ回路33は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−Iとその反転信号BB−XIとを、それぞれローカル信号LO90、LO270と乗算する。ミキサ回路34は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−Qとその反転信号BB−XQとを、それぞれローカル信号LO180、LO0と乗算する。ミキサ回路31と32の出力、ミキサ回路33と34の出力はそれぞれ非反転信号、反転信号同士で合成され、各合成出力はそれぞれ送信アンプ41、42に入力される。送信アンプ41の出力と送信アンプ42の出力とは非反転信号、反転信号同士で合成される。RFトランシーバLSI22の差動送信出力は、トランス7でシングルエンド出力に変換され、フィルタ30で基本波の周波数成分が取り出された後、アンテナ40から放射される。
FIG. 2 shows a circuit block diagram of the second embodiment. The
上記の構成により、差動構成のRFトランシーバLSI22において、ミキサ回路31、32を含む第1の直交変調器と接続する送信アンプ41側の第1の送信経路の送信出力と、ミキサ回路33、34を含む第2の直交変調器と接続する送信アンプ42側の第2の送信経路の送信出力とに、90度の位相差を持たせることができる。したがって、第1実施形態において説明したのと同様に、送信アンプ41、42で発生する2次高調波をキャンセルして、送信出力の2次高調波による局部発振器1への干渉を低減することができる。
With the above configuration, in the differentially configured
図3は、第3実施形態の回路ブロック図を示す。第3実施形態のRFトランシーバLSI23は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号に90度の位相差を持たせた実施形態であり、図3において、図1と対応する各部には同一の符号が付されている。破線で囲われたベースバンド信号において、ベースバンド信号BB−I(0)とBB−I(90)が90度の位相差を有し、ベースバンド信号BB−Q(0)とBB−Q(90)が90度の位相差を有する。移相器2は、搬送波信号を2分周し、互いに90度位相のずれたローカル信号LO0、LO90を出力する。ミキサ回路31、32は、ベースバンド信号BB−I(0)、BB−Q(0)を、ローカル信号LO0、LO90とそれぞれ乗算する。また、ミキサ回路33、34は、ベースバンド信号BB−I(90)、BB−Q(90)を、ローカル信号LO0、LO90とそれぞれ乗算する。ミキサ回路31と32の出力、ミキサ回路33と34の出力はそれぞれ合成され、各合成出力はそれぞれ送信アンプ41、42に入力される。送信アンプ41の出力と送信アンプ42の出力とは合成され、RFトランシーバLSI23の送信出力となる。RFトランシーバLSI23の送信出力は、フィルタ30で基本波の周波数成分が取り出された後、アンテナ40から放射される。
FIG. 3 shows a circuit block diagram of the third embodiment. The
入力されるベースバンド信号に90度の位相差を持たせた本実施形態の構成によっても、RFトランシーバLSI23において、2つの送信経路間に90度の位相差を持たせることができる。すなわち、ミキサ回路31、32を含む第1の直交変調器と接続する送信アンプ41側の第1の送信経路の送信出力と、ミキサ回路33、34を含む第2の直交変調器と接続する送信アンプ42側の第2の送信経路の送信出力とに、90度の位相差を持たせることができる。したがって、送信アンプ41、42で発生する2次高調波をキャンセルする効果が得られ、送信出力の2次高調波による局部発振器1への干渉を低減することができる。
Even with the configuration of the present embodiment in which the input baseband signal has a phase difference of 90 degrees, the
図4は、第4実施形態の回路ブロック図を示す。RFトランシーバLSI24は、局部発振器1、移相器2、ミキサ回路31、32、90度移相器8、送信アンプ41、42、を備える。局部発振器1は、搬送波信号を出力する。移相器2は、搬送波信号を2分周し、90度毎の位相差を持たせたローカル信号LO0、LO90、LO180、LO270を出力する。ミキサ回路31は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−Iとその反転信号BB−XIとを、それぞれローカル信号LO0、LO180と乗算する。ミキサ回路32は、ベースバンド信号処理部10から入力されるベースバンド信号BB−Qとその反転信号BB−XQとを、それぞれローカル信号LO90、LO270と乗算する。ミキサ回路31と32の出力は非反転信号、反転信号同士で合成され、各合成出力はそれぞれ90度移相器8の+Iin端子、−Iin端子に入力される。また、90度移相器8の+Qin端子、−Qin端子は接地される。
FIG. 4 shows a circuit block diagram of the fourth embodiment. The
90度移相器8は、例えば、RCポリフェーズフィルタである。図5は、2次のRCポリフェーズフィルタの一例を示す。90度移相器8に、図5に例示されるRCポリフェーズフィルタを用いた場合、+Qout端子には+Iout端子と90度の位相差を有する出力が得られ、−Qout端子には−Iout端子と90度の位相差を有する出力が得られる。+Iout端子、−Iout端子からの出力と、+Qout端子、−Qout端子からの出力とは、それぞれ送信アンプ41、42に入力される。送信アンプ41、42から後の構成は、図2の第2実施形態と同様であるため、説明を省略する。
The 90
ミキサ回路31、32を含む直交変調器の出力に90度移相器8を設けて90度の位相差を有する出力を得る本実施形態の構成によっても、RFトランシーバLSI24において、2つの送信経路間に90度の位相差を持たせることができる。すなわち、送信アンプ41側の第1の送信経路の送信出力と、送信アンプ42側の第2の送信経路の送信出力とに、90度の位相差を持たせることができる。したがって、送信アンプ41、42で発生する2次高調波をキャンセルする効果が得られ、送信出力の2次高調波による局部発振器1への干渉を低減することができる。
Even in the configuration of this embodiment in which the 90-
ここで、特許請求の範囲との対応は、以下の通りである。
送信アンプ41、42は、それぞれ請求項に記載の第1、第2の送信アンプの一例である。ミキサ回路31、32は、それぞれ請求項に記載の第1、第2のミキサ回路の一例であり、ミキサ回路33、34は、それぞれ請求項に記載の第3、第4のミキサ回路の一例である。RCポリフェーズフィルタは、請求項に記載の90度移相器の一例である。LC直列共振回路5は、請求項に記載の直列共振回路の一例である。
Here, the correspondence with the claims is as follows.
The
以上、詳細に説明したように、前記第1乃至第4を含む実施形態によれば、90度の位相差を有する2つの送信経路を備え、それぞれの出力を合成することで、2次高調波をキャンセルし、送信出力の2次高調波による局部発振器1への干渉を低減することができる。また、前記実施形態において、RFトランシーバLSI21〜24の外部で基本波の周波数成分を取り出すフィルタ30のミスマッチによってLSIチップ内に戻ってくる反射波の影響も抑えることができる。2次高調波をキャンセルすることができるため、FSK(frequency shift keying)など、ある程度の歪みが許容される定振幅変調では、より効果的である。1チップ化が進むRFトランシーバLSIにおいて、送信アンプと局部発振器とのアイソレーションを確保するために大きなアイソレーション領域を確保したり、送信アンプの線形性を向上するために余分に電力を消費したりする必要がなく、簡素な構成を採用することができる。したがって、RFトランシーバLSIの低コスト化、小型化が可能である。
As described above in detail, according to the first to fourth embodiments, the second harmonic is provided by providing two transmission paths having a phase difference of 90 degrees and combining the outputs. And the interference to the
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内での種々の改良、変更が可能であることは言うまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various improvements and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、前記実施形態において、ベースバンド信号処理部10を、RFトランシーバLSI21〜24に組み入れた構成としてもよい。
For example, in the embodiment, the baseband
また、前記実施形態では、ローカル信号に直接変調をかける直接変調方式の場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、間接変調方式に適用されてもよい。 In the above-described embodiment, the case of the direct modulation method in which the local signal is directly modulated has been described. However, the present invention is not limited to this and may be applied to an indirect modulation method.
また、第4実施形態において、90度移相器8は、図5に例示したRCポリフェーズフィルタに限定されない。線形動作する移相器であればよい。
In the fourth embodiment, the 90-
その他、各実施形態が適宜組み合わされて用いられてもよいことは言うまでもない。例えば、第1実施形態における、LC直列共振回路5、90度移相器6を用いて送信出力を合成する構成を、他の実施形態に適用してもよい。 In addition, it goes without saying that the embodiments may be appropriately combined and used. For example, the configuration in which the transmission output is synthesized using the LC series resonance circuit 5 and the 90-degree phase shifter 6 in the first embodiment may be applied to other embodiments.
1 局部発振器
2 移相器
5 LC直列共振回路
6 90度移相器
7 トランス
8 90度移相器
10 ベースバンド信号処理部
21〜24 RFトランシーバLSI
30 フィルタ
31〜34 ミキサ回路
40 アンテナ
41、42 送信アンプ
DESCRIPTION OF
30 Filter 31-34
Claims (4)
第1の送信アンプを含む第1の送信経路と、
第2の送信アンプを含む第2の送信経路と、
搬送波信号を出力する局部発振器と、
前記搬送波信号を2分周し、90度毎の位相差を持たせた複数のローカル信号を出力する移相器と、
第1、第2のベースバンド信号を、互いに90度位相のずれた前記ローカル信号とそれぞれ乗算する第1、第2のミキサ回路を含み、前記第1のミキサ回路の出力と前記第2のミキサ回路の出力とを合成して出力する直交変調器と、
前記直交変調器の出力が入力され、90度の位相差を有する90度位相差出力を得る90度移相器と、
を備え、
前記90度移相差出力を、前記第1の送信アンプと前記第2の送信アンプとに入力し、
前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とが90度の位相差を有し、前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とを合成して前記無線周波数信号を得る
ことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device for transmitting radio frequency signals,
A first transmission path including a first transmission amplifier;
A second transmission path including a second transmission amplifier;
A local oscillator that outputs a carrier wave signal;
A phase shifter that divides the carrier wave signal by 2 and outputs a plurality of local signals having a phase difference of 90 degrees;
First, first, it includes a second mixer circuit, wherein an output of the first mixer circuit a second mixer and the second baseband signal, multiplies the local signal and each shifted in phase by 90 degrees from each other A quadrature modulator that combines and outputs the output of the circuit;
A 90 degree phase shifter which receives the output of the quadrature modulator and obtains a 90 degree phase difference output having a 90 degree phase difference;
With
The 90-degree phase difference output is input to the first transmission amplifier and the second transmission amplifier,
The transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path have a phase difference of 90 degrees, and the transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path To obtain the radio frequency signal.
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the 90-degree phase shifter is an RC polyphase filter.
前記第1、第2のベースバンド信号を生成するベースバンド信号処理部と、
前記無線周波数信号に含まれる基本波の周波数成分を取り出すフィルタと、
前記無線周波数信号を放射するアンテナと、
を備え、
前記半導体装置は、
第1の送信アンプを含む第1の送信経路と、
第2の送信アンプを含む第2の送信経路と、
搬送波信号を出力する局部発振器と、
前記搬送波信号を2分周し、90度毎の位相差を持たせた複数のローカル信号を出力する移相器と、
第1、第2のベースバンド信号を、互いに90度位相のずれた前記ローカル信号とそれぞれ乗算する第1、第2のミキサ回路を含み、前記第1のミキサ回路の出力と前記第2のミキサ回路の出力とを合成して出力する直交変調器と、
前記直交変調器の出力が入力され、90度の位相差を有する90度位相差出力を得る90度移相器と、
を備え、
前記90度移相差出力を、前記第1の送信アンプと前記第2の送信アンプとに入力し、
前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とが90度の位相差を有し、前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とを合成して前記無線周波数信号を得る
ことを特徴とする無線通信機。 A semiconductor device for transmitting radio frequency signals;
A baseband signal processing unit for generating the first and second baseband signals;
A filter for extracting a frequency component of a fundamental wave contained in the radio frequency signal;
An antenna for radiating the radio frequency signal;
With
The semiconductor device includes:
A first transmission path including a first transmission amplifier;
A second transmission path including a second transmission amplifier;
A local oscillator that outputs a carrier wave signal;
A phase shifter that divides the carrier wave signal by 2 and outputs a plurality of local signals having a phase difference of 90 degrees;
First, first, it includes a second mixer circuit, wherein an output of the first mixer circuit a second mixer and the second baseband signal, multiplies the local signal and each shifted in phase by 90 degrees from each other A quadrature modulator that combines and outputs the output of the circuit;
A 90 degree phase shifter which receives the output of the quadrature modulator and obtains a 90 degree phase difference output having a 90 degree phase difference;
With
The 90-degree phase difference output is input to the first transmission amplifier and the second transmission amplifier,
The transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path have a phase difference of 90 degrees, and the transmission output of the first transmission path and the transmission output of the second transmission path To obtain the radio frequency signal.
前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とで発生する2次高調波は前記直列共振回路で合成し、前記第1の送信経路の送信出力と前記第2の送信経路の送信出力とに含まれる基本波は位相を揃えて合成する
ことを特徴とする請求項3に記載の無線通信機。 A series resonance circuit having a resonance frequency at twice the frequency of the local signal and inserted between outputs of the first transmission amplifier and the second transmission amplifier in the semiconductor device;
Second harmonic wave generated by the transmission output of the first transmission power and the second transmission path of the transmission path and combined by the series resonant circuit, the transmission output and the second of said first transmission path The wireless communication device according to claim 3, wherein the fundamental wave included in the transmission output of the transmission path is synthesized by aligning the phases.
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Cited By (1)
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WO2016113905A1 (en) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 株式会社日立国際電気 | Doherty amplifier and power amplifier |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0846459A (en) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave amplifier circuit |
JP2005039799A (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Power amplifier, power distributor, and power synthesizer |
JP2006521062A (en) * | 2003-03-18 | 2006-09-14 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | Quadrature modulator employing four 90 degree shifted carriers |
JP2008311988A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Renesas Technology Corp | Transceiver |
-
2013
- 2013-07-19 JP JP2013150791A patent/JP5553927B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0846459A (en) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave amplifier circuit |
JP2006521062A (en) * | 2003-03-18 | 2006-09-14 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | Quadrature modulator employing four 90 degree shifted carriers |
JP2005039799A (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Power amplifier, power distributor, and power synthesizer |
JP2008311988A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Renesas Technology Corp | Transceiver |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016113905A1 (en) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 株式会社日立国際電気 | Doherty amplifier and power amplifier |
JPWO2016113905A1 (en) * | 2015-01-16 | 2017-09-14 | 株式会社日立国際電気 | Doherty amplifier and power amplifier |
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