JP2013188876A - 透明薄膜積層体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】透明薄膜積層体にＴＡＣ基材を用いた場合でも熱収縮率を低減することのできる、低リタデーションかつ低熱収縮の透明薄膜積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明樹脂基材上に透明薄膜が形成されている透明薄膜積層体において、透明薄膜積層体の任意の２点間の距離をｄ１、透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の前記２点間の距離をｄ２とした時、次式、（ｄ２−ｄ１）/ｄ１≦０．００１５が成り立つ。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして取り付けられる透明なタッチパネルや、フレキシブルディスプレイの電極などに用いられる透明薄膜積層体及びその製造方法に関する。

近年、ディスプレイ画面を指で触れたり、ペンで押圧するだけで入力できる透明タッチパネルが普及している。このタッチパネルの電極として使用される透明導電性フィルムは基本的にガラスもしくは高分子フィルムに導電膜を積層した構成を有している。特に近年では可撓性、加工性に優れ、軽量である等の点からポリエチレンテレフタレートをはじめとする高分子フィルムを使用した透明導電性フィルムが使用されている。

また、内部反射を抑制するために偏光板と円偏光板とで透明導電性フィルムを挟みこんだ構造のタッチパネルが増えてきている。この際に透明導電性フィルムのリタデーションが高いと内部反射の抑制効果が十分に得られないため、透明導電性フィルムには低リタデーションの基材を用いることが要求されるようになってきている。

特開２００９−９３３９５号公報

この低リタデーションの基材として従来はガラスが用いられることが多かったが、タッチパネル全体の軽量化と可撓性、加工性の観点から、高分子フィルムへの代替が求められてきている。低リタデーションの高分子フィルムとしては各種フィルムが上市されているが、この中でもトリアセチルセルロース（以下、ＴＡＣとする）はコストパフォーマンスが優れている。

しかしながら、タッチパネルの製造の際には透明導電性フィルムが高温の環境下に置かれる工程を含むのが一般的であるが、ＴＡＣは加熱時の熱収縮がガラスやポリエチレンテレフタレートなどと比べて大きく、タッチパネルの組み立ての際の位置精度に悪影響を与える。したがって、特許文献１のようにタッチパネル内の部材にＴＡＣを用いる技術はあるものの、これはＴＡＣを用いた透明導電性フィルムの熱収縮低減をするためのものには当たらない。

本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みてなされたもので、その目的は、透明薄膜積層体にＴＡＣ基材を用いた場合でも熱収縮率を低減することのできる、低リタデーションかつ低熱収縮の透明薄膜積層体及びその製造方法を提供することにある。

本発明は、上記の課題を解決するためのものであり、本発明の請求項１に係る発明は、透明樹脂基材上に透明薄膜が形成されている透明薄膜積層体において、前記透明薄膜積層体の任意の２点間の距離をｄ１、前記透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の前記２点間の距離をｄ２とした時、式（１）が成り立つことを特徴とする透明薄膜積層体である。
（ｄ２−ｄ１）/ｄ１ ≦０．００１５ ・・・（１）

請求項２に係る発明は、前記透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の入射角０°の面内リタデーションをＲ（０）、入射角５０°の面内リタデーションをＲ（５０）とした時、式（２）と式（３）が成り立つことを特徴とする請求項１に記載の透明薄膜積層体である。
Ｒ（０） ≦１０ｎｍ ・・・（２）
Ｒ（５０） ≦２０ｎｍ ・・・（３）

請求項３に係る発明は、前記透明樹脂基材がトリアセチルセルロースであることを特徴とする請求項１または２に記載の透明薄膜積層体である。

請求項４に係る発明は、前記透明薄膜積層体が少なくとも透明導電性膜を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の透明薄膜積層体である。

請求項５に係る発明は、前記透明薄膜積層体が少なくとも金属の層または無機化合物の層を有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の透明薄膜積層体である。

請求項６に係る発明は、前記透明薄膜積層体の前記透明樹脂基材と前記透明導電性膜との間に、金属の層または無機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体である。

請求項７に係る発明は、前記透明薄膜積層体の前記透明導電性膜より外側に、金属の層または無機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体である。

請求項８に係る発明は、前記透明薄膜積層体が少なくとも有機化合物の層を有することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の透明薄膜積層体である。

請求項９に係る発明は、前記透明薄膜積層体の前記透明樹脂基材と前記透明導電性膜の間とに、有機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体である。

請求項１０に係る発明は、前記透明薄膜積層体の前記透明樹脂基材の前記透明導電性膜側と反対側の面に、有機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体である。

請求項１１に係る発明は、請求項１〜１０の何れか１項に記載の透明薄膜積層体を製造する透明薄膜積層体の製造方法であって、前記透明薄膜積層体への前記透明薄膜の形成過程において、前記透明薄膜を形成する前の前記透明薄膜積層体を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱することを特徴とする透明薄膜積層体の製造方法である。

請求項１２に係る発明は、請求項１〜１０の何れか１項に記載の透明薄膜積層体を製造する透明薄膜積層体の製造方法であって、前記透明薄膜積層体への前記透明薄膜の形成過程において、前記透明薄膜を形成する過程の途中で前記透明薄膜積層体を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱することを特徴とする透明薄膜積層体の製造方法である。

請求項１３に係る発明は、請求項１〜１０の何れか１項に記載の透明薄膜積層体を製造する透明薄膜積層体の製造方法であって、前記透明薄膜積層体への前記透明薄膜の形成過程において、前記透明薄膜の形成後に前記透明薄膜積層体を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱することを特徴とする透明薄膜積層体の製造方法である。

請求項１４に係る発明は、前記透明薄膜積層体の加熱の際にかかる張力が３０Ｎ以下であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の透明薄膜積層体の製造方法である。

本発明によれば、透明薄膜積層体にＴＡＣ基材を用いた場合でも、加熱処理を実施することで透明薄膜積層体の熱収縮率が低減された、低リタデーションかつ低熱収縮の透明薄膜積層体及びその製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態を示すものであり、第１の透明薄膜積層体の構成を示す断面図 本発明の一実施形態を示すものであり、第２の透明薄膜積層体の構成を示す断面図 本発明の一実施形態を示すものであり、張力０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と熱収縮率との関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力３０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と熱収縮率との関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力５０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と熱収縮率との関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と入射角０°の面内リタデーションとの関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力３０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と入射角０°の面内リタデーションとの関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力５０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と入射角０°の面内リタデーションとの関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と入射角５０°の面内リタデーションとの関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力３０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と入射角５０°の面内リタデーションとの関係を示すグラフ 本発明の一実施形態を示すものであり、張力５０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と入射角５０°の面内リタデーションとの関係を示すグラフ

以下、本発明を実施するための形態を、透明薄膜積層体の一実施形態の基本構成説明図を用いて説明する。なお、本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。

図１に示すように、本実施形態に係る第１の透明薄膜積層体である透明薄膜積層体１は、透明樹脂基材２の一方の面に透明薄膜としての透明導電性膜３が積層される構成となっている。

本実施形態の透明樹脂基材にはＴＡＣを用いることができる。この時用いるＴＡＣは、入射角０°の面内リタデーションが１０ｎｍ以下、入射角５０°の面内リタデーションが２０ｎｍ以下のものを選択する。また、厚さは部材の薄型化と基材の可撓性とを考慮し、１０μｍ以上２００μｍ以下程度のものが用いられるのが好ましい。

本実施形態の第１の透明薄膜積層体は、透明樹脂基材上に金属酸化物からなる透明導電性膜を少なくとも備えており、 HYPERLINK "http://homtp-hoj00.edc.toppan.co.jp/patweb/patweb.exe?Command=imgform&DocDir=tma029761&ImageNo=2" \t "imageframe" 図１に示すように、透明樹脂基材２に透明導電性膜３が積層されていることが好ましい。

透明導電性膜３は金属酸化物からなり、該金属酸化物として、酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化スズのいずれか、又はこれらのうちの２種類もしくは３種類の混合酸化物、さらにはその他の添加物が加えられたものなどがあげられるが、目的、用途により種々の材料を使用することができ、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績がある材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。

前記酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を透明導電性膜３の材料として用いる場合、酸化インジウムにドープされる酸化スズの含有割合は、デバイスに求められる仕様に応じて、任意に選択すればよい。透明樹脂基材２の場合、機械強度を高める目的で薄膜を結晶化させるために用いる材料は、酸化スズの含有割合が１０重量％未満であることが好ましく、薄膜をアモルファス化してフレキシブル性を付与するためには、酸化スズの含有割合が１０重量％以上であることが好ましい。また、薄膜に低抵抗が求められる場合は、酸化スズの含有割合が２〜２０重量％の範囲であることが好ましい。

透明導電性膜３の製造方法は膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法であってもよく、特に薄膜のドライコーティング法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するには、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。

透明導電性膜３の厚みには特に限定がなく、目的とする特性に応じて適宜調整すればよいが、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。

透明薄膜積層体１において、透明導電性膜３が透明樹脂基材２へ積層される前、透明導電性膜３が透明樹脂基材２へ積層される途中、または透明導電性膜３が透明樹脂基材２へ積層された後の何れかの工程において、透明薄膜積層体１が３０Ｎ以下の張力がかかった状態で、温度１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱処理される。これにより透明樹脂基材２の残留応力が取り除かれ、透明薄膜積層体１の熱収縮率が低減される。

図１の実施形態において、上記の構成、工程を選択することにより、１３０℃で１時間加熱した際の熱収縮率が０．１５％以下で、入射角０°の面内リタデーションが１０ｎｍ以下、入射角５０°の面内リタデーションが２０ｎｍ以下の透明薄膜積層体１を提供することができる。

なお、ここでは透明薄膜積層体１の任意の２点間の距離をｄ１、透明薄膜積層体１を加熱した後の２点間の距離をｄ２としたとき、（ｄ２−ｄ１）/ｄ１の値を熱収縮率としている。

本実施形態の第１の透明薄膜積層体は、タッチパネルの構成部材として好適に用いることができる。

また、図２に示すように、本実施形態に係る第２の透明薄膜積層体である透明薄膜積層体４は、透明樹脂基材５の一方の面に、透明薄膜としての第１透明薄膜層６と透明薄膜としての透明導電性膜７とが順に積層され、透明樹脂基材５の他方の面に透明薄膜としての第２透明薄膜層８が設けられる構成となっている。

透明樹脂基材５の材料は前述した図１の場合と同様である。

本実施形態の第２の透明薄膜積層体では、透明樹脂基材の少なくとも一方の面に、無機化合物からなる第１透明薄膜層が形成されていることが好ましく、図２に示すように、透明樹脂基材５上に第１透明薄膜層６が形成され、その上に透明導電性膜７が積層されていることが好ましい。なお、透明樹脂基材５上に透明導電性膜７が形成され、それよりも外側に第１透明薄膜層６が積層されていてもよい。また、上記第１透明薄膜層のレイヤー位置に、金属からなる層が形成されていてもよい。当該金属は、例えば遮光性導電膜として設けられる。

第１透明薄膜層６は、透明薄膜積層体４の透過率や色相を調整する機能を有し、視認性を向上させるための層である。第１透明薄膜層６が無機化合物からなる場合、例えば酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの無機化合物を使用することができる。このような無機化合物からなる第１透明薄膜層６は、その材料（化合物の種類）に応じて屈折率が異なり、屈折率の異なる第１透明薄膜層６を特定の膜厚で形成することにより、光学特性を調整することが可能となる。なお、第１透明薄膜層は一層に限られるものではなく、目的とする光学特性に応じて複数層とすることもできる。

屈折率が低い無機化合物としては、例えば酸化マグネシウム（１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３〜１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミニウム（１．３）などがあげられる。また、屈折率が高い無機化合物としては、例えば酸化チタン（２．４）、酸化ジルコニウム（２．４）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）、酸化ニオブ（２．３）、酸化タンタル（２．２）などがあげられる。ただし、上記括弧内の数値は屈折率を表す。

第１透明薄膜層６の製造方法は、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法であってもよく、特に薄膜のドライコーティング法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するには、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。

第１透明薄膜層６の厚みには特に限定がなく、目的とする光学特性に応じて、用いる無機化合物の種類と併せて特定すればよいが、例えば１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。

本実施形態の第２の透明薄膜積層体は、透明樹脂基材上に金属酸化物からなる透明導電性膜を少なくとも備えているが、 HYPERLINK "http://homtp-hoj00.edc.toppan.co.jp/patweb/patweb.exe?Command=imgform&DocDir=tma029761&ImageNo=2" \t "imageframe" 図２に示すように、透明樹脂基材５上に第１透明薄膜層６が形成され、その上に透明導電性膜７が積層されていることが好ましい。

透明導電性膜７の材料、製造工程は前述した図１の場合と同様である。

本実施形態の第２の透明薄膜積層体には、機械的強度を付与するために、透明樹脂基材の少なくとも一方に面に第２透明薄膜層が形成することが好ましく、図２に示すように、透明樹脂基材５上の前述の第１透明薄膜層６側と反対側の面に第２透明薄膜層８が形成されていることが好ましい。ここでは第２透明薄膜層８は有機化合物からなる。なお、第２透明薄膜層８は、透明樹脂基材５と透明導電性膜７との間に形成されていてもよい。

第２透明薄膜層８に用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には３次元架橋の期待できる３官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。

３官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレートなどが好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート及びポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用しても構わない。また、これら３官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレートなどのいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。

架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどのアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレートなどがある。

第２透明薄膜層８は、その他に粒子、光重合開始剤などの添加剤を含有してもよい。

添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。

粒子の平均粒径は、第２透明薄膜層８の厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、上限としては３０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、０．５重量％以上５重量％以下であることが好ましい。

光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２、２、−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン
類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４、４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または２種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体などの光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。

上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して０．１重量％以上５重量％以下であり好ましくは０．５重量％以上３重量％以下である。下限値未満ではハードコート層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、ハードコート層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプや加速電子などが使用できる。

また、第２透明薄膜層８の厚みは、特に限定されないが、０．５μｍ以上１５μｍ以下の範囲が好ましい。また、透明基板層１と屈折率が同じかもしくは近似していることがより好ましく、１．４５以上１．７５以下程度が好ましい。

第２透明薄膜層８の形成方法は、主成分である樹脂等を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。

溶剤については、上記の主成分の樹脂等を溶解するものであれば特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、などが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

本実施形態に係る透明薄膜積層体４において、透明樹脂基材５へ何れの層も積層されていない時、第１透明薄膜層６、透明導電性膜７、第２透明薄膜層８の何れかが透明樹脂基材５へ積層される途中、または第１透明薄膜層６、透明導電性膜７、第２透明薄膜層８の全てが透明樹脂基材５へ積層された後の工程において、透明薄膜積層体１が３０Ｎ以下の張力がかかった状態で、温度１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱処理される。これにより透明樹脂基材５の残留応力が取り除かれ、透明薄膜積層体４の熱収縮率が低減される。

図２の実施形態において、上記の構成、工程を選択することにより、１３０℃で１時間加熱した際の収縮率が０．１５％以下で、入射角０°の面内リタデーションが１０ｎｍ以下、入射角５０°の面内リタデーションが２０ｎｍ以下の透明薄膜積層体４を提供することができる。
なお、熱収縮率の求め方は図１の場合と同様である。

本実施形態の第２の透明薄膜積層体は、タッチパネルの構成部材として好適に用いることができる

次に、本発明の実施例について具体的に説明する。なお、各工程はロールトゥロールの形式である。
＜実施例＞
図２の構成において、透明樹脂基材として膜厚６０μｍのＴＡＣ（富士フイルム（株）製）を用いた。

次に、透明樹脂基材上の一方の面にグラビアコート法により、硬化膜厚が８μｍになるようにハードコート塗液（組成：ウレタンアクリレート（共栄社化学（株）製、ＵＡ−５１０Ｈ）１００重量部、アルキルフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）４重量部、及び酢酸エチル１００重量部）を塗布し、乾燥させ、メタルハライドランプにて４００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を照射し、第２透明薄膜層を形成した。

さらに、上記第２透明薄膜層を形成した透明樹脂基材をオーブンにて加熱処理した。

続いて、透明樹脂基材上の第２透明薄膜層のない方の面に、第１透明薄膜層及び透明導電性膜を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて成膜した。このとき、第１透明薄膜層用の材料として、二酸化珪素（ＳｉＯ₂）を使用し、透明導電性膜用の材料として、酸化スズを１０重量％含有したＩＴＯを使用した。また、第１透明薄膜層の厚みを５０ｎｍとし、透明導電性膜の厚みを２０ｎｍとした。

＜比較例＞
図２の構成において、上記実施例と同じ材料、工程で透明薄膜積層体を製造した。ただし、第２透明薄膜層の形成後の透明樹脂基材をオーブンにて加熱処理する工程は実施していない。ここで製造された透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した場合の熱収縮率は０．３２％となり、入射角０°の面内リタデーションＲ（０）は０．１ｎｍ、入射角５０°の面内リタデーションＲ（５０）は５．０ｎｍとなった。

実施例で製造された透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した場合において、加熱処理時の張力０Ｎ、３０Ｎ、５０Ｎの際の加熱処理温度、加熱処理時間に対する熱収縮率の測定結果を図３〜５に、入射角０°の面内リタデーションＲ（０）を図６〜８に、入射角５０°の面内リタデーションＲ（５０）を図９〜１１に、示す。なお、実施例１において加熱処理温度が１６０℃を超えると透明薄膜積層体に白濁が発生したため、１００℃以上１６０℃以下の範囲で評価を行なった。

＜評価結果＞
図３〜５に示す結果から、透明薄膜積層体に張力３０Ｎ以下、温度１１０℃以上１６０℃以下、処理時間５分以上で加熱処理を行うことにより、１３０℃で１時間加熱しても熱収縮率が０．１５％以下に収まることがわかった。また、この時の入射角０°の面内リタデーションＲ（０）が１０ｎｍ以下に、入射角５０°の面内リタデーションＲ（５０）が２０ｎｍ以下に収まることも確認できた。

本発明は、例えばタッチパネルの構成部材として好適に利用することができる。

１ 透明薄膜積層体
２ 透明樹脂基材
３ 透明導電性膜
４ 透明薄膜積層体
５ 透明樹脂基材
６ 第１透明薄膜層
７ 透明導電性膜

Claims (14)

1. 透明樹脂基材上に透明薄膜が形成されている透明薄膜積層体において、
   前記透明薄膜積層体の任意の２点間の距離をｄ１、前記透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の前記２点間の距離をｄ２とした時、次式、
   （ｄ２−ｄ１）/ｄ１ ≦０．００１５ ・・・（１）
   が成り立つことを特徴とする透明薄膜積層体。
2. 前記透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の入射角０°の面内リタデーションをＲ（０）、入射角５０°の面内リタデーションをＲ（５０）とした時、次式、
   Ｒ（０） ≦１０ｎｍ ・・・（２）
   Ｒ（５０） ≦２０ｎｍ ・・・（３）
   が成り立つことを特徴とする請求項１に記載の透明薄膜積層体。
3. 前記透明樹脂基材がトリアセチルセルロースであることを特徴とする請求項１または２に記載の透明薄膜積層体。
4. 前記透明薄膜積層体が少なくとも透明導電性膜を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の透明薄膜積層体。
5. 前記透明薄膜積層体が少なくとも金属の層または無機化合物の層を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の透明薄膜積層体。
6. 前記透明薄膜積層体の前記透明樹脂基材と前記透明導電性膜との間に、金属の層または無機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体。
7. 前記透明薄膜積層体の前記透明導電性膜より外側に、金属の層または無機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体。
8. 前記透明薄膜積層体が少なくとも有機化合物の層を有することを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の透明薄膜積層体。
9. 前記透明薄膜積層体の前記透明樹脂基材と前記透明導電性膜との間に、有機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体。
10. 前記透明薄膜積層体の前記透明樹脂基材の前記透明導電性膜側と反対側の面に、有機化合物の層を有することを特徴とする請求項４に記載の透明薄膜積層体。
11. 請求項１〜１０の何れか１項に記載の透明薄膜積層体を製造する透明薄膜積層体の製造方法であって、
    前記透明薄膜積層体への前記透明薄膜の形成過程において、前記透明薄膜を形成する前の前記透明薄膜積層体を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱することを特徴とする透明薄膜積層体の製造方法。
12. 請求項１〜１０の何れか１項に記載の透明薄膜積層体を製造する透明薄膜積層体の製造方法であって、
    前記透明薄膜積層体への前記透明薄膜の形成過程において、前記透明薄膜を形成する過程の途中で前記透明薄膜積層体を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱することを特徴とする透明薄膜積層体の製造方法。
13. 請求項１〜１０の何れか１項に記載の透明薄膜積層体を製造する透明薄膜積層体の製造方法であって、
    前記透明薄膜積層体への前記透明薄膜の形成過程において、前記透明薄膜の形成後に前記透明薄膜積層体を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱することを特徴とする前記透明薄膜積層体の製造方法。
14. 前記透明薄膜積層体の加熱の際にかかる張力が３０Ｎ以下であることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の透明薄膜積層体の製造方法。

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