JP2013168326A - 照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性を向上させた照明装置を提供する。
【解決手段】発光素子を有する光源と、前記光源から放出される光が照射され、ハロゲン及びリンを実質的に含有しない樹脂からなる部材と、を備えた照明装置が提供される。
【選択図】図2
【解決手段】発光素子を有する光源と、前記光源から放出される光が照射され、ハロゲン及びリンを実質的に含有しない樹脂からなる部材と、を備えた照明装置が提供される。
【選択図】図2
Description
後述する実施形態は、概ね、照明装置に関する。
発光ダイオードなどの発光素子と、蛍光体を含有する波長変換部と、を備えた照明装置がある。
この照明装置によれば、従来のフィラメントを使用した電球や蛍光灯などと比較して、消費電力を低減でき、寿命も長くできることが期待されている。
この照明装置によれば、従来のフィラメントを使用した電球や蛍光灯などと比較して、消費電力を低減でき、寿命も長くできることが期待されている。
本発明が解決しようとする課題は、信頼性を向上させた照明装置を提供することである。
実施形態に係る照明装置は、発光素子を有する光源と、前記光源から放出される光が照射され、ハロゲン及びリンを実質的に含有しない樹脂からなる部材と、を備える。
本発明の実施形態によれば、信頼性を向上させた照明装置を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は、適宜省略する。
図1は、本実施形態に係る照明装置を例示する模式斜視図である。すなわち、図1は、照明装置10を光出射面の側から眺めた斜視図である。
照明装置10は、本体部12と、反射部14と、光源20と、を備える。枠状の本体部12のなかに、反射部14が収容されている。反射部14には、複数の凹部14aが設けられている。これら凹部14aのそれぞれの中に、光源20が設けられている。
なお、図1に表した照明装置は一例にすぎず、凹部14a及び光源20は、それぞれひとつだけ設けてもよい。
なお、図1に表した照明装置は一例にすぎず、凹部14a及び光源20は、それぞれひとつだけ設けてもよい。
図2は、図1に表した照明装置10の部分模式断面図である。
すなわち、図2は、照明装置10の反射部14のひとつの凹部14aの近傍の縦断面図である。
すなわち、図2は、照明装置10の反射部14のひとつの凹部14aの近傍の縦断面図である。
反射部14の上には、透明カバー16が設けられている。なお、図1は、透明カバー16を外した状態を表す。
反射部14や透明カバー16は、樹脂により形成することができる。そして、本実施形態においては、これら反射部14や透明カバー16など、光源20からの光があたる部分の材料として樹脂を用いる場合には、ハロゲンやリンを実質的に含有しないものを用いる。この点については、後に詳述する。
反射部14の凹部14aの下方には、光源20が設けられている。光源20は、金属性の支持基板22と、その表面を被覆する絶縁層24と、を有する。絶縁層24の上には、実装パッド26と、電極パッド28と、がそれぞれ形成されている。実装パッド26の上には、複数の発光素子30がマウントされている。これらの発光素子30は、金属ワイヤ32により例えば直列接続され、両側の電極パッド28にワイヤ34により接続されている。これら一対の電極パッド28の間に電流を流すことにより、発光素子30を光らせることができる。
発光素子30としては、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)を用いることができる。活性層の材料として、例えば窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体を用いると、波長500ナノメータ以下の短波長光が得られる。ただし、活性層の材料は、窒化ガリウム系化合物半導体に限られるものではない。
また、発光素子30としては、発光ダイオードのほかにも、例えば、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode:OLED)や、無機エレクトロルミネッセンス(Inorganic ElectroLuminescence)発光素子、有機エレクトロルミネッセンス(Organic ElectroLuminescence)発光素子、あるいはその他の電界発光型の発光素子などを用いることができる。
実装パッド26や電極パッド28の表面には、銀(Ag)または銀を含む合金が設けられている。銀は、青色光などの短波長に対して、高い反射率を有する。従って、実装パッド26や電極パッド28の表面に銀や銀合金を設けることにより、発光素子30から放出された光を高い反射率で反射させ、外部に取り出すことができる。
発光素子30やワイヤ32、34は、波長変換層36により覆われている。波長変換層36は、例えば、樹脂の中に蛍光体が分散した構造を有する。波長変換層36は、その周囲に形成された枠体38に取り囲まれている。波長変換層36を構成する樹脂としては、例えばシリコーン系の樹脂を用いることができる。また、枠体38の材料としても、例えば、シリコーン系の樹脂を用いることができる。シリコーン系の樹脂を用いると、発光素子30から青色光や紫外光などの短波長の光が放出される場合でも、劣化を抑制できる。
波長変換層36に含まれる蛍光体は、発光素子30から放出される光を吸収し、異なる波長の光を放出する。例えば、発光素子30から例えば波長450〜500ナノメータの青色光が放出される場合、蛍光体により青色光を黄色光に変換できる。
したがって、発光素子30から放出される青色光の一部を黄色光に変換し、変換されずに外部に放出される青色光と混合させると、白色光が得られる。
したがって、発光素子30から放出される青色光の一部を黄色光に変換し、変換されずに外部に放出される青色光と混合させると、白色光が得られる。
このようにして光源20から放出された白色光などの光は、反射部14の凹部14aから透明カバー16を介して、外部に取り出すことができる。また、光源20から斜め方向に放出された光は、反射部14の凹部14aの内壁面である反射面14bで反射され、透明カバー16を介して外部に取り出すことができる。ただし、本実施形態の照明装置から取り出される光は、白色光には限定されない。
前述したように、本実施形態においては、これら反射部14や透明カバー16など、光源20からの光があたる部分の材料として樹脂を用いる場合には、ハロゲンやリンを実質的に含有しないものを用いる。この点については、後に詳述する。
そして、本実施形態においては、光源20からの光が直接的または間接的に照射される部分の材料として樹脂を用いる場合には、ハロゲンやリンを実質的に含有しないものを用いる。例えば、図1及び図2に表した照明装置の場合、反射部14や透明カバー16の材料として樹脂を用いる場合には、ハロゲンやリンを実質的に含有しないものを用いる。
こうすることで、照明装置の信頼性を向上させることができる。
こうすることで、照明装置の信頼性を向上させることができる。
本実施形態において用いることができる樹脂の具体例としては、例えば、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PEI(polyetherimide)、PEEK(polyetheretherketone)、PPE(Polyphenyleneether)、PPO(Polyphenyleneoxide)、PBT(Poly Buthylene Terephthalete)、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、PA(Polyamide)、PAR(Polyarylate)、PC(Polycarbonate)などを挙げることができる。そして、これらいずれを用いる場合でも、ハロゲンやリンを実質的に含有しないものを用いる。こうすることで、照明装置の信頼性を向上させることができる。
また、上記樹脂を50重量%以上含む複合樹脂であってもよい。複合樹脂を用いると、耐熱性や難燃性の設計が容易になる。
また、上記樹脂を50重量%以上含む複合樹脂であってもよい。複合樹脂を用いると、耐熱性や難燃性の設計が容易になる。
なお、本願明細書において「実質的に含有しない」とは、含有量がゼロであるか、あるいは、含有量がゼロではないが、照明装置に要求される製品寿命に影響を与えない範囲を越えない含有量であることを意味する。例えば、照明装置に要求される寿命が4万時間である場合、その寿命が達成される範囲(例えば、樹脂総量に対して1000−2500ppm程度)であれば、ハロゲンあるいはリンを含んでいてもよい。
以下、比較例を参照しつつ、本発明の実施の形態について、さらに詳細に説明する。
本発明者は、比較例として、図1及び図2に表したものと同様の構造を有する照明装置の反射部114を、25000ppmの臭素(Br)を添加したPBTにより形成した。そして、この比較例の照明装置について、出力57ワットで点灯試験を実施した。
その結果、点灯試験開始後、照度が徐々に低下し、およそ4000時間で、非点灯状態になった。
図3は、比較例の照明装置の点灯試験後の反射部114の外観を表す写真である。
すなわち、図3は、反射部114の反射面114bの表面を表す。なお、反射面114bは、図2の反射面14bに対応する。
点灯試験の前は反射面114bは白色であったが、点灯試験の後の反射面114bは、黒ずんでおり、部分的にクラックが生じている。つまり、臭素(Br)を添加したPBTの表面が変成していることが分かる。このような黒ずみやクラックにより、反射面114bの反射率が低下し、照明装置の照度が低下したものと考えられる。
すなわち、図3は、反射部114の反射面114bの表面を表す。なお、反射面114bは、図2の反射面14bに対応する。
点灯試験の前は反射面114bは白色であったが、点灯試験の後の反射面114bは、黒ずんでおり、部分的にクラックが生じている。つまり、臭素(Br)を添加したPBTの表面が変成していることが分かる。このような黒ずみやクラックにより、反射面114bの反射率が低下し、照明装置の照度が低下したものと考えられる。
次に、図4は、比較例の照明装置の点灯試験後の光源200の外観を表す写真である。 この光源200は、図1及び図2に表した光源20に対応する。
光源200は、白色の絶縁層224(絶縁層24に対応する)の上に形成され、枠体238(枠体38に対応する)の中には、波長変換層236(波長変換層36に対応する)に封止された発光素子230(発光素子30に対応する)が設けられている。これら発光素子230は、実装パッド226(実装パッド26に対応する)の上にマウントされている。また、実装パッド226の両側には、電極パッド228(電極パッド28に対応する)が設けられ、ワイヤにより発光素子230と接続されている。実装パッド226と電極パッド228の表面は、銀により被覆されている。
図4に表した実装パッド226の向かって左側の端部と、右側の部分が、それぞれ黒ずんでいる。また、実装パッド226の上下に設けられた電極パッド228も、黒ずんでいる。比較例においては、このような黒ずみにより、光の反射率が低下して、照度が低下したものと考えられる。
電極パッド228の部分を子細に調べたところ、電極パッド228の黒ずんだ表面層が剥離しており、ワイヤのボンディング部も剥離していることが分かった。つまり、ワイヤが断線状態となり、非点灯となったことが判明した。
図4には、光源200の向かって左下の一部に、剥離した剥離片400を裏返しに置いたものも表した。
剥離片400は、実装パッド226の表面層と、電極パッド228の表面層と、その周囲を封止する波長変換層236と、枠体238の一部と、を有する。
このように、実装パッド226や電極パッド228の黒ずんでみえる部分は、表面が変成して簡単に剥がれてしまう。
このように、実装パッド226や電極パッド228の黒ずんでみえる部分は、表面が変成して簡単に剥がれてしまう。
図5は、図4に表した剥離片400の一部拡大写真である。
剥離した電極パッド228の表面層は、黒化し、粒子状に凝集した外観を呈している。また、ワイヤ234も電極パッド228の残部(絶縁層224の上に残留した部分)から剥離している。つまり、電極パッド228の銀が変成していることが分かる。
剥離した電極パッド228の表面層は、黒化し、粒子状に凝集した外観を呈している。また、ワイヤ234も電極パッド228の残部(絶縁層224の上に残留した部分)から剥離している。つまり、電極パッド228の銀が変成していることが分かる。
図6は、図4及び図5に表した剥離片400の一部拡大SEM(Scanning Electron Microscope)写真である。
すなわち、図6(a)は、電極パッド228とともに剥離したワイヤ234のボンディング部先端を表す。また、図6(b)は、図6(a)のA部の拡大写真であり、図6(c)は、図6(a)のB部の拡大写真であり、図6(d)は、図6(a)のC部の拡大写真である。
すなわち、図6(a)は、電極パッド228とともに剥離したワイヤ234のボンディング部先端を表す。また、図6(b)は、図6(a)のA部の拡大写真であり、図6(c)は、図6(a)のB部の拡大写真であり、図6(d)は、図6(a)のC部の拡大写真である。
ワイヤ234の材料は金(Au)であるが、電極パッド228の銀層にボンディングすることにより、その表面は合金化している。そして、剥離したワイヤ234の表面にも、凝集した粒子状の構造が見られる。EPMA(Electron Probe MicroAnalysis)分析の結果、この粒子状の構造は、銀を含むことが分かった。
つまり、ワイヤ234と電極パッド228とのボンディング界面においても、銀の変成が生じていることが分かる。
つまり、ワイヤ234と電極パッド228とのボンディング界面においても、銀の変成が生じていることが分かる。
図7は、電極パッドと波長変換層との界面の組成分析の結果を表すグラフ図である。
ここでは、図4〜図6に例示した剥離片400のように、電極パッドの上の波長変換層を剥離し、電極パッドの位置において、剥離片の表面と、基板側に残った電極パッドの表面と、をそれぞれSIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy:2次イオン質量分析)により組成分析した。
ここでは、図4〜図6に例示した剥離片400のように、電極パッドの上の波長変換層を剥離し、電極パッドの位置において、剥離片の表面と、基板側に残った電極パッドの表面と、をそれぞれSIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy:2次イオン質量分析)により組成分析した。
図7(a)は、本発明の実施形態に係る照明装置の光源20から剥離した波長変換層36の電極パッド28側の表面の組成分析の結果を表す。
図7(b)は、本発明の実施形態に係る照明装置の光源20から波長変換層36を剥離し、絶縁層24(図2参照)の側に残った電極パッド28の表面の組成分析の結果を表す。
図7(b)は、本発明の実施形態に係る照明装置の光源20から波長変換層36を剥離し、絶縁層24(図2参照)の側に残った電極パッド28の表面の組成分析の結果を表す。
図7(c)は、比較例の照明装置の光源20から剥離した剥離片400の電極パッド28側の表面の組成分析の結果を表す。
図7(d)は、比較例の照明装置の光源20から剥離片400を剥離し、絶縁層224(図4参照)の側に残った電極パッド228の表面の組成分析の結果を表す。
図7(d)は、比較例の照明装置の光源20から剥離片400を剥離し、絶縁層224(図4参照)の側に残った電極パッド228の表面の組成分析の結果を表す。
比較例においては、剥離片400側(図7(c))でも、絶縁層224側(図7(d))でも、横軸n/zが450〜460の範囲において、Ag2Br3のピークがみられ、また、横軸n/zが640〜650の範囲において、Ag3Br4のピークがみられる。また、分析の結果、AgBrのピークと、AgBr2のピークも確認された。
これに対して、実施形態の照明装置においては、剥離片の側(図7(a))でも、絶縁層24側(図7(b))でも、有意なピークは、みられない。
この分析結果から、比較例においては、点灯試験の際に、反射部114から臭素または臭素を含む化合物が脱離し、これが電極パッド228の表面に到達して、銀と反応し、臭化銀が形成されたことが考えられる。そして、このようにして臭化銀が形成される過程で、図4や図5などに表したように、電極パッド228や実装パッド226の表面が黒ずみ、粒子状に凝集して剥離して、ワイヤ234の断線が生じたものと考えられる。
また、反射部114から臭素または臭素を含む化合物が脱離することにより、図3に表したように、反射部114の反射面114bが黒ずんでクラックが生じたものと考えられる。
図8は、比較例の反射部114に用いた臭素含有PBTの反射スペクトルARを表すグラフ図である。
また、図9は、比較例の反射部114に用いた臭素含有PBTの吸収スペクトルASを表すグラフ図である。
また、図9は、比較例の反射部114に用いた臭素含有PBTの吸収スペクトルASを表すグラフ図である。
なお、図8及び図9には、参考例として、反射部材114の表面にアルミニウムを蒸着したサンプルの反射スペクトルCRと吸収スペクトルCSも表す。また、図8及び図9には、光源200から放出される光の発光スペクトルESも併せて表す。
また、図9には、恒温槽中で150℃で120時間保持し、熱劣化により黄変した臭素含有PBTの吸収スペクトルAS2も表す。
また、図9には、恒温槽中で150℃で120時間保持し、熱劣化により黄変した臭素含有PBTの吸収スペクトルAS2も表す。
光源200から放出される光の発光スペクトルESをみると、波長450ナノメータ前後をピークとする青色光と、波長560ナノメータ前後をピークとするブロードな黄色光と、を含んでいる。
一方、臭素含有PBTの吸収スペクトルASは、初期状態においては、波長420ナノメータ前後を境として、短波長側で吸収率が急激に高くなる遷移を表す。しかし、150℃で120時間保持した後は、波長400ナノメータから700ナノメータ前後の広い範囲に亘り、吸収率が上昇している。
ちなみに、参考例としてのアルミニウムを蒸着した反射部114の吸収スペクトルCSをみると、波長440ナノメータよりも長波長側においては、初期状態の臭素含有PBTよりも吸収率が高いが、それ以下の波長でも吸収率の急増はなく、短波長側においても、低い吸収率を有することが分かる。
図8及び図9から、PBTは、初期状態においても、吸収率の立ち上がり(420ナノメータ前後)が、光源200の青色光のピークの裾野と重なっていることが分かる。つまり、PBTは、初期状態においても、光源200からの光のうちの短波長成分を吸収し、分解や変成を生ずる可能性があることが分かる。
そして、臭素含有PBTの分解や変成が生ずると、図3に表したように、表面が黒ずんだりクラックが形成され、光の反射率が低下する。これは、照度の低下を引き起こす。
光量、温度ともに低いと、可視光で上記問題が顕在化することがなかったが、大光量光源や光源近傍部材では、上記問題が顕在化し得るとの知見を得るに至った。
光量、温度ともに低いと、可視光で上記問題が顕在化することがなかったが、大光量光源や光源近傍部材では、上記問題が顕在化し得るとの知見を得るに至った。
またさらに、臭素含有PBTの分解や変成が生ずると、臭素または臭素を含む化合物が脱離し、電極パッドや実装パッドの銀と反応して、黒ずみや凝集、剥離などが生ずる。
特に、カバーで密閉された空間に光源及び反射部が配置された照明器具では、脱離したガス成分がこもりやすく、上記問題が起こりやすい傾向にある。
特に、カバーで密閉された空間に光源及び反射部が配置された照明器具では、脱離したガス成分がこもりやすく、上記問題が起こりやすい傾向にある。
したがって、初期状態からの樹脂の劣化を防ぐためには、光源から放出される光の吸収率を可及的に低下させる必要がある。
図10は、反射部や電極パッドなどの劣化のメカニズムを例示する概念図である。
光源200から短波長の成分を含む光Lが放出され、その一部は、反射部114の反射面114bで反射されて、外部に取り出される。反射部114がハロゲンやリンを含む場合、このように短波長の光が照射されると、分解や変成が生じ、ハロゲンやリン、あるいはこれらの化合物が反射部114から脱離する。
光源200から短波長の成分を含む光Lが放出され、その一部は、反射部114の反射面114bで反射されて、外部に取り出される。反射部114がハロゲンやリンを含む場合、このように短波長の光が照射されると、分解や変成が生じ、ハロゲンやリン、あるいはこれらの化合物が反射部114から脱離する。
また、反射部114における分解や変成は、温度により促進される可能性もある。さらに、図9に表したように、加熱されると反射部114を構成する樹脂の吸収率が上昇し、光の吸収による分解や変成が加速される可能性もある。
このような分解や変成の結果として、図10では、一例として、臭素を含む有機物R−Brが反射部114から脱離することを表した。脱離した有機物R−Brは、矢印300で表したように、波長変換層236を介して実装パッド226や電極パッド228に到達し、その表面の銀と反応して、黒ずみや凝集、剥離などを生じさせる。また、脱離したR−Brの侵入経路としては、例えば、矢印302で表したように、枠体238の中あるいは下側の界面を介する経路も考えられる。
また、有機物R−Brが実装パッド226や電極パッド228に到達する前、あるいは到達した後に、発光素子230から放出される短波長の光により分解して、より活性な臭素イオンが形成されることも考えられる。
なお、上記の具体例では、一例として臭素を含有する場合について説明したが、本実施形態は、これには限定されない。臭素以外のハロゲンまたはリンも、臭素と同様に、銀と反応し、黒ずみや凝集、断線などを生じさせるからである。
以上説明したメカニズムによれば、光の照射や温度の上昇が樹脂の分解や変成を生じさせ、その結果として、ハロゲンやリンあるいはそれらを含む化合物が脱離して、電極パッドや実装パッドの銀と反応することにより、照度の低下や断線などを生じさせることが分かる。
これに対して、本実施形態においては、光源20からの光があたる部分に樹脂を用いる場合、ハロゲンやリンを実質的に含有しないものとする。そのような樹脂の具体例は、前述した如くである。
また、ハロゲンやリンは、樹脂の難燃性を向上させるために添加される場合がある。そして、照明装置では、光源の温度が上昇するため、樹脂には所定の難燃性が必要とされる。 従って、本実施形態においては、ハロゲンやリンを実質的に含有せず、同時に難燃性も所定のレベルを有する樹脂を用いることが望ましい。
具体的には、例えば、UL94における等級がV−1等級以上、すなわち、V−1、V−0、5VB、5VAのいずれかの樹脂を用いることが、望ましい。
図11〜図13は、本発明の他の実施形態に係る照明装置を表す模式図である。
すなわち、図11は、本実施形態の照明装置の断面図であり、図12は、その斜視分解部であり、図13(a)及び(b)は、その一部拡大斜視図である。
すなわち、図11は、本実施形態の照明装置の断面図であり、図12は、その斜視分解部であり、図13(a)及び(b)は、その一部拡大斜視図である。
本実施形態の照明装置50は、いわゆる「電球型」と呼ばれるものであり、従来のフィラメント式の電球を用いる器具にそのまま用いることができる。
本体部52の根本には、口金部54が設けられて、従来の電球の代わりに、照明器具にねじ込んで設置することができる。
本体部52の上には、透明あるいは半透明のカバー56が設けられている。本体部52の中には、電源基板58が収容されている。また、本体部52の上端付近には、取り付け基板60が固定され、その上に、光源62が設けられている。光源62は、図1及び図2に表した具体例における光源20に対応し、図示しない実装パッドや電極パッド、発光素子や波長変換層、ワイヤなどが設けられている。
取り付け基板60の上には、接続部材64が設けられている。接続部材64は、例えば、コネクタであり、電源基板58に接続された配線66と、光源20と、を接続する。配線66は、導体の芯線を絶縁体で被覆した構造を有する。
本実施形態においては、例えば、接続部材64や配線66の被覆などを、ハロゲンやリンを実質的に含有しない樹脂により形成する。こうすることにより、接続部材64や配線66の被覆などを構成する樹脂が分解、変成して、ハロゲンやリンまたはこれらの化合物が脱離し、光源62に設けられた実装パッドや電極パッドの銀と反応して、黒ずみや凝集、断線などが生ずることを、防ぐことができる。
その結果として、高い信頼性を有する照明装置を提供できる。
その結果として、高い信頼性を有する照明装置を提供できる。
なお、図11〜図13に表した具体例の場合、配線66は、光源62からみて接続部材64の陰に配置されている。しかし、光源62から放出された光の一部は、取り付け基板60やカバー56などの部材により反射され、配線66にも照射される。したがって、ハロゲンやリンを実質的に含有しない樹脂により形成することが望ましい。
また、接続部材64や配線66の形状や配置については、図示した具体例に限定されない。例えば、接続部材64として、光源の周囲にフレーム状に設置され、接点を介して接続するいわゆる「接点コネクタ」であってもよい。
またさらに、実施形態において、ハロゲンやリンを実質的に含有しない樹脂により形成すべき部材は、反射部、接続部材、配線には限定されない。すなわち、光源から放出される光が直接的または間接的に照射される部材であればよく、例えば、本体部や、取り付け基板、透明カバー、その他、照明装置に設けられる各種の部材が該当する。
図14〜図16は、本発明のさらに他の実施形態に係る照明装置を表す模式断面図である。
図14に表した照明装置においては、光源20の周囲に拡散抑止層70が形成されている。拡散抑止層70は、樹脂からなる反射部14などの部材において分解、変成により生じたハロゲンやリンあるいはこれらの化合物(例えば、図10に例示したR−Br)が光源20に拡散しその内部に侵入することを抑止する。こうすることにより、照明装置の内部でハロゲンやリンあるいはこれらを含む化合物が仮に生じたとしても、光源20の実装パッドや電極パッドなどの黒ずみや凝集、断線などを防止できる。また、ハロゲンやリンなどを含有させることにより、難燃性などの特性を向上させた樹脂を用いることができる点で、有利となる。
図14に表した照明装置においては、光源20の周囲に拡散抑止層70が形成されている。拡散抑止層70は、樹脂からなる反射部14などの部材において分解、変成により生じたハロゲンやリンあるいはこれらの化合物(例えば、図10に例示したR−Br)が光源20に拡散しその内部に侵入することを抑止する。こうすることにより、照明装置の内部でハロゲンやリンあるいはこれらを含む化合物が仮に生じたとしても、光源20の実装パッドや電極パッドなどの黒ずみや凝集、断線などを防止できる。また、ハロゲンやリンなどを含有させることにより、難燃性などの特性を向上させた樹脂を用いることができる点で、有利となる。
拡散抑止層70は、光源20から放出される光に対する透過率が高く、またある程度の気密性を維持できる材料及び構造を有することが望ましい。拡散抑止層70の材料としては、有機材料や無機材料などを用いることができる。光源20を覆うように液体状の有機材料あるいは無機材料を塗布し、硬化、乾燥させて形成することができる。拡散抑止層70の原料として、水ガラスなどを用いることもできる。
なお、拡散抑止層70は、必ずしも光源20に接触して形成する必要はない。すなわち、拡散抑止層70は、光源20の周囲を覆って、樹脂材料から脱離した成分の光源20への侵入を抑止すればよい。このため、例えば、後に図15に関して説明するフィルタ80のように、光源20から離間しつつ、光源20の周囲に設けられていてもよい。
次に、図15に表した照明装置においては、光源20と反射部14との間に、フィルタ80が設けられている。フィルタ80は、光源20から放出される光のうちの短波長側の光を選択的に吸収する光学特性を有する。すなわち、フィルタ80は、照明装置に用いられる樹脂の吸収率が高くなる波長領域の光を選択的に吸収する光学特性を有する。
例えば、図9に例示したPBTの初期状態の吸収スペクトルを有する樹脂を、照明装置の部材として用いる場合、吸収率が上昇する波長420ナノメータ前後よりも短波長側の光をフィルタ80により吸収させることが望ましい。こうすれば、樹脂に吸収される光強度を抑制でき、図3に例示したような樹脂の黒ずみや分解、変成、ハロゲンやリンあるいはこれらを含む化合物の発生などを、抑制できる。また、ハロゲンやリンなどを添加して、難燃性などの特性を向上させた樹脂を用いることができる点で、有利となる。
なお、本実施形態において、フィルタ80は、図14に表した拡散抑止層70のように、光源20に接触するように形成してもよい。
次に、図16に表した照明装置においては、反射部14の表面に、フィルタ82が設けられている。フィルタ82は、図15に表したフィルタ80と同様に、光源20から放出去れる光のうちで、短波長側の光を選択的に吸収する。すなわち、フィルタ82は、照明装置に用いられる樹脂の吸収率が高くなる波長領域の光を選択的に吸収する光学特性を有する。こうすることで。図15に表した実施形態と同様の効果が得られる。
なお、図16には、フィルタ82が反射部14の表面に接して設けられている具体例を表したが、本発明はこれには限定されない。すなわち、フィルタ82は、反射部14のように樹脂からなる部材と、光源20と、の間に設けられていればよい。
次に、図17(a)は、さらに他の実施形態の照明装置の上面図であり、図17(b)は、図17(a)におけるA−A’線方向の部分断面図に対応する。
本実施形態の照明装置は、主に、放熱体9と、光源40と、枠体8とを有する。
放熱体9には、複数の放熱フィン21が設けられている。また、放熱体9は、筒状の側壁部18を有する。側壁部18の外壁にも複数の放熱フィン21が設けられている。
光源40は、基板41と、基板41上に実装され、波長変換層で覆われたLED素子42とを有する。基板41におけるLED素子42を実装した実装面の反対側の裏面が、放熱体9の基板支持面11に接触している。
LED素子42は、光の放出面を基板41の実装面の反対側に向けて実装されている。また、基板41の実装面上には、図示しないコネクタも実装されている。そのコネクタには、電気ケーブル46が接続されている。
電気ケーブル46は、図17(b)に示す端子台92に接続されている。端子台92は、放熱フィン21の上端に対してネジ止めされた取付プレート91に取り付けられている。端子台92は、照明装置の外方に導出された電気ケーブル35を通じて、図示しない外部電源に接続されている。
枠体60は、放熱体9の側壁部18の内面及び下端部を覆う化粧枠として機能する。また、枠体60は、光源40から放出される光の配光または遮光を制御する機能も有する。
枠体60は、放熱体10の側壁部18の内側に重ねられた筒部61を有する。筒部61は、光源40の下方の空間を囲む。筒部61の下端には、筒部61の外側に折り曲げられた下端部63が設けられている。下端部63は、リング状に形成され、放熱体9の側壁部18の下端を覆い隠す。
筒部61の内側の空間には、図17(b)に示すように、反射板51が設けられている。反射板51には、複数の光ガイド孔53が貫通孔として形成されている。
光ガイド孔53からLED素子42を臨ませて、反射板51は光源40の基板41に重ね合わされる。光ガイド孔53の内壁面は反射面として機能する。
また、筒部61の内側の空間には、反射板51を覆うようにして、透光カバー54が設けられている。
放熱体9の側壁部18の外壁には、図17(a)に示すように、複数(例えば3つ)の取付ばね取付部17が設けられている。それぞれの取付ばね取付部17には、板ばねである取付ばね83の一端部が差し込まれて固定される。
そして、本実施形態の照明装置は、3つの取付ばね83の弾性を利用して、天井に設けられた埋込孔に取り付けられる。すなわち、本実施形態の照明装置は、ダウンライト型の照明装置である。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
10 照明装置、12 本体部、14 反射部、16 透明カバー、20 光源、22 支持基板、24 絶縁層、26 実装パッド、28 電極パッド、30 発光素子、32 ワイヤ、34 ワイヤ、50 照明装置、52 本体部、56 カバー、58 電源基板、60 取り付け基板、62 光源、64 接続部材、66 配線、70 拡散抑止層、80 フィルタ、82 フィルタ、114 反射部、114b 反射面、200 光源、224 絶縁層、238 枠体、236 波長変換層、226 実装パッド、228 電極パッド、230 発光素子、234 ワイヤ
Claims (7)
- 発光素子を有する光源と、
前記光源から放出される光が照射され、ハロゲン及びリンを実質的に含有しない樹脂からなる部材と、
を備えた照明装置。 - 前記光源から放出される光は、波長500ナノメータ以下に強度のピークを有する請求項1記載の照明装置。
- 前記樹脂は、UL94においてV−1以上の難燃性を有する請求項1または2に記載の照明装置。
- 前記部材は、前記光源と電源とを接続する接続部材である請求項1〜3のいずれか1つに記載の照明装置。
- 前記部材は、前記光源から放出される熱により加熱される請求項1〜4のいずれか1つに記載の照明装置。
- 前記樹脂は、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PEI(polyetherimide)、PEEK(polyetheretherketone)、PPE(Polyphenyleneether)、PPO(Polyphenyleneoxide)、PBT(Poly Buthylene Terephthalete)、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、PAR(Polyarylate)、PC(Polycarbonate)及びPA(Polyamide)の少なくとも1つを含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の照明装置。
- 前記樹脂は、PBT(Poly Buthylene Terephthalete)を50重量%以上含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の照明装置。
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CN102903829B (zh) * | 2011-07-26 | 2015-01-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管光源装置 |
JP2013168327A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP6103201B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2017-03-29 | 東芝ライテック株式会社 | 照明器具 |
US9404647B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-02 | Hubbell Incorporated | Class 1 compliant lens assembly |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469322B1 (en) * | 1998-02-06 | 2002-10-22 | General Electric Company | Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes |
JP3567854B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JP4596100B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2010-12-08 | 豊田合成株式会社 | 照明装置 |
JP3910517B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | Ledデバイス |
WO2004106405A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Dsm Ip Assets B.V. | Polyester composition comprising polybutylene terephthalate resin |
US7758223B2 (en) * | 2005-04-08 | 2010-07-20 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Lamp having outer shell to radiate heat of light source |
JP4500273B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-07-14 | 株式会社小糸製作所 | 車両用前照灯 |
US20070182677A1 (en) * | 2006-02-06 | 2007-08-09 | Volkswagen Of America, Inc. | Vehicle display configuration and method of controlling a display |
JP5289835B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-09-11 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5077693B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2012-11-21 | 東芝ライテック株式会社 | 照明器具 |
AU2010211671A1 (en) * | 2009-02-05 | 2011-09-01 | Ccs Inc. | LED light emitting device |
CN201983048U (zh) * | 2011-03-07 | 2011-09-21 | 牛金满 | 一种led节能照明灯 |
-
2012
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058204A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日立アプライアンス株式会社 | 照明装置 |
Also Published As
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