JP2013147387A - Single crystal manufacturing apparatus - Google Patents
Single crystal manufacturing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013147387A JP2013147387A JP2012009611A JP2012009611A JP2013147387A JP 2013147387 A JP2013147387 A JP 2013147387A JP 2012009611 A JP2012009611 A JP 2012009611A JP 2012009611 A JP2012009611 A JP 2012009611A JP 2013147387 A JP2013147387 A JP 2013147387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- shaft
- single crystal
- support portion
- pull
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 31
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 28
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 20
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、単結晶製造装置に関する。 The present invention relates to a single crystal manufacturing apparatus.
図11は、従来の単結晶製造装置の一例を示している(たとえば、特許文献1)。同図に示された単結晶製造装置910は、坩堝912、抵抗加熱部914、引上軸916、重量検出部917および制御部921を備えている。坩堝912は、たとえばサファイアを成長させるための原料となるアルミナを収容する。抵抗加熱部914は、坩堝912内のアルミナを融点以上に加熱するためのものである。これにより、坩堝912内には、原料融液913が生成される。引上軸916は、モータ922によって駆動されるボールねじ軸923によって上昇および下降が可能となっている。引上軸916の先端には、たとえばサファイアの種結晶が取り付けられ、この種結晶を坩堝912内の原料融液913に漬けた状態から引き上げる。これにより、単結晶911が成長する。
FIG. 11 shows an example of a conventional single crystal manufacturing apparatus (for example, Patent Document 1). The single
重量検出部917は、引上軸916および単結晶911の重量を検出する。重量検出部917には、低負荷用ロードセル918および高負荷用ロードセル919が備えられている。低負荷用ロードセル918は、単結晶911の成長初期段階における重量を検出するために用いられる。高負荷用ロードセル919は、単結晶911が所定以上の重量に成長した後の段階における重量を検出するために用いられる。低負荷用ロードセル918および高負荷用ロードセル919の出力信号は、平均化処理部920に送られる。平均化処理部920においては、低負荷用ロードセル918および高負荷用ロードセル919それぞれについて、所定個数のデータを用いた平均化処理がなされる。平均化された重量は、制御部921へと送られる。制御部921は、平均化された重量から引上軸916の重量を引くことにより、単結晶911の重量を把握し、これに応じて抵抗加熱部914およびモータ922を制御する。
The
単結晶製造装置910においては、結晶成長を開始した後に重量検出部917が検出する重量は、引上軸916と単結晶911とを合計した重量である。一般的に成長初期において検出することが好ましい単結晶911の重量が数kg程度であるのに対し、引上軸916の重量は数十kg程度と重い。検出する重量が所定重量よりも軽い場合に、低負荷用ロードセル918による検出を選択したとしても、低負荷用ロードセル918の定格重量は、引上軸916を含んだ重量よりも大きい必要がある。一般的なロードセルの検出精度は定格重量が大きいほど低下するため、低負荷用ロードセル918の検出精度を十分に高めることが困難であった。また、操業中に意図しない過大な重量が重量検出部917に作用すると、低負荷用ロードセル918が破損してしまう恐れがある。この対策として低負荷用ロードセル918の定格重量を大きくすると、やはり検出精度の低下を招いてしまう。
In the single
図12は、従来の秤量装置の一例を示している(たとえば、特許文献2)。同図に示された秤量装置930は、計量皿部931、ストッパ部932、緩衝機構部933および複合ロードセル部934を備えている。以下に述べる秤量装置930の検出原理は、単結晶製造装置910における重量検出部917の具体的な内部機構として採用しうる。秤量皿部931は、秤量対象物が置かれる部位である。複合ロードセル部934は、柱状部935、複数の低負荷用ロードセル938および複数の高負荷用ロードセル939を有している。柱状部935は、たとえば四角柱状のアルミからなる部材である。柱状部935は、水平方向に延びており、長手方向一端が固定されている。
FIG. 12 shows an example of a conventional weighing device (for example, Patent Document 2). The
柱状部935には、2つの開孔936,937が形成されている。2つの開孔936,937は、柱状部935の長手方向に互いに離間しており、それぞれが略H形状とされている。また、開孔936の大きさは、開孔937よりも大とされている。このような構成により、柱状部935は、開孔936が形成された部位と開孔937が形成された部位とが、これら以外の部位よりも曲げ剛性が小さいものとなっている。また、開孔936が形成された部位は、開孔937が形成された部位よりも曲げ剛性が小さい。複数の低負荷用ロードセル938は、開孔936を挟んで柱状部935の上面および下面に設けられている。複数の高負荷用ロードセル939は、開孔937を挟んで柱状部935の上面および下面に設けられている。
Two
緩衝機構部933は、秤量皿部931の下面中央と柱状部935の自由端とに取り付けられており、秤量対象物の重量を秤量皿部931から柱状部935の自由端に伝達する。ストッパ部932は、秤量皿部931と柱状部935との間に設けられており、水平方向に広がる本体と、この本体の端部付近において上方に突出する複数の突起とを有している。ストッパ部932の下面中央は、柱状部935のうち長手方向において開孔936と開孔937との間に位置する部位に連結されている。また、ストッパ部932には、緩衝機構部933を挿通させる開口部が形成されている。
The
秤量皿部931に秤量対象物が置かれると、その重量によって秤量皿部931が下降する。これにより、柱状部935の自由端が緩衝機構部933を介して秤量皿部931によって押し下げられる。柱状部935が曲げモーメントを受けると、相対的に曲げ剛性が小である開孔936が形成された部位が選択的に変形する。秤量対象物が所定重量よりも軽い場合、秤量皿部931は下降するものの、ストッパ部932には接しない。この際の柱状部935の歪を複数の低負荷用ロードセル938によって検出することにより、秤量対象物を秤量することができる。
When an object to be weighed is placed on the weighing
一方、秤量対象物が所定重量よりも重い場合、柱状部935の変形量が所定量よりも大となり、秤量皿部931の下面がストッパ部932の前記複数の突起に当接する。すると、秤量対象物の重量は、秤量皿部931からストッパ部932を介して柱状部935のうち長手方向において開孔936と開孔937との間に位置する部位に負荷され、柱状部935の自由端には負荷されない状態となる。これにより、柱状部935のうち開孔937が形成された部位が選択的に変形する。この際の歪を複数の高負荷用ロードセル939によって検出することにより、秤量対象物を秤量することができる。
On the other hand, when the weighing object is heavier than the predetermined weight, the deformation amount of the
しかしながら、たとえばストッパ部932の前記突起が使用に伴って摩耗したり、意図せず折損したりすると、所定重量以上の秤量対象物の重量が緩衝機構部933を介して柱状部935の自由端に負荷されてしまう。これにより、低負荷用ロードセル938が破損するおそれがある。このような事態に備えるためには、低負荷用ロードセル938の定格重量に相応の余裕を持たせる必要がある。これは、低負荷用ロードセル938の検出精度の低下を招いてしまう。
However, for example, if the protrusion of the
本発明は、前記した事情のもとで考え出されたものであって、重量の検出精度を適切に高めることが可能な単結晶製造装置を提供することをその課題とする。 The present invention has been conceived under the circumstances described above, and it is an object of the present invention to provide a single crystal manufacturing apparatus capable of appropriately increasing the weight detection accuracy.
本発明の第1の側面によって提供される単結晶製造装置は、気密容器と、前記気密容器内で育成された単結晶を引き上げる引上軸と、前記引上軸を支持する上方支持部と、少なくとも前記引上軸に保持された前記単結晶の重量を検出する上方重量検出手段と、を具備し、前記上方支持部を前記引上軸の軸線方向に沿って移動させることにより前記単結晶の引き上げを行う単結晶製造装置であって、前記上方支持部は、前記引上軸を直接支持する上方直接支持部と、一端が前記上方直接支持部に取り付けられた上方弾性体と、前記上方弾性体の他端が取り付けられており、前記上方弾性体を介して前記引上軸の重量を負担する上方間接支持部と、を有しており、前記上方重量検出手段は、前記上方直接支持部と前記上方間接支持部との間に介在し、前記上方直接支持部が前記上方間接支持部に対して下降すると小となる圧縮力を検出する第1検出部を有し、前記第1検出部が初期重量を検出し、かつ前記上方弾性体が前記初期重量および前記引上軸の重量を負担した状態で、前記単結晶を成長させるべく前記引上軸の引き上げを開始することを特徴としている。 The single crystal production apparatus provided by the first aspect of the present invention includes an airtight container, a pulling shaft that pulls up the single crystal grown in the airtight container, an upper support portion that supports the pulling shaft, Upper weight detecting means for detecting the weight of the single crystal held at least on the pulling shaft, and by moving the upper support portion along the axial direction of the pulling shaft. In the single crystal manufacturing apparatus for pulling up, the upper support portion includes an upper direct support portion that directly supports the pulling shaft, an upper elastic body having one end attached to the upper direct support portion, and the upper elastic portion. And an upper indirect support portion that bears the weight of the pull-up shaft via the upper elastic body, and the upper weight detecting means is the upper direct support portion. And the upper indirect support part , A first detection unit that detects a compressive force that becomes small when the upper direct support unit is lowered with respect to the upper indirect support unit, the first detection unit detects an initial weight, and the upper elastic body In the state where the initial weight and the weight of the pulling shaft are borne, the pulling of the pulling shaft is started to grow the single crystal.
このような構成によれば、前記単結晶の重量が前記初期重量に達するまでの間は、前記第1検出部が検出する重量の減少分が、前記単結晶の重量の増加分と等しくなる。前記単結晶の重量が前記初期重量を超えた後は前記第1検出部には重量が負荷されないため、前記第1検出部の定格重量を前記初期重量に対応させて比較的小さくすることが可能である。これにより、前記第1検出部の検出精度を高めることが可能であり、成長初期の前記単結晶の重量をより正確に検出することができる。 According to such a configuration, until the weight of the single crystal reaches the initial weight, the decrease in the weight detected by the first detection unit is equal to the increase in the weight of the single crystal. After the weight of the single crystal exceeds the initial weight, the first detection unit is not loaded with weight, so that the rated weight of the first detection unit can be made relatively small corresponding to the initial weight. It is. As a result, the detection accuracy of the first detection unit can be increased, and the weight of the single crystal at the initial stage of growth can be detected more accurately.
本発明の好ましい実施の形態においては、前記上方重量検出手段は、前記引上軸と前記上方直接支持部との間に介在し、前記引上軸の重量を検出するとともに、前記第1検出部よりも定格重量が大である第2検出部を有する。 In a preferred embodiment of the present invention, the upper weight detection means is interposed between the pull-up shaft and the upper direct support portion, detects the weight of the pull-up shaft, and the first detection portion. A second detector having a rated weight greater than that of the second detector.
本発明の好ましい実施の形態においては、前記上方直接支持部と前記上方間接支持部との間に設けられ、前記引上軸の軸線方向に伸縮可能であるとともに、内部空間が気密された第1の上方筒体と、前記引上軸を囲むように構成され、前記引上軸の軸線方向に伸縮可能であり、前記引上軸の軸線方向における上端が前記上方直接支持部に固定されるとともに、内部空間が気密されており、かつ前記気密容器の内部空間と通ずる第2の上方筒体と、前記第1の上方筒体と前記第2の上方筒体とを連結する上方配管と、を備えている。 In a preferred embodiment of the present invention, a first member is provided between the upper direct support portion and the upper indirect support portion, is extendable in the axial direction of the pull-up shaft, and has an airtight inner space. The upper cylinder body is configured to surround the pull-up shaft, and can be expanded and contracted in the axial direction of the pull-up shaft, and the upper end in the axial direction of the pull-up shaft is fixed to the upper direct support portion A second upper cylinder that communicates with the internal space of the hermetic container, and an upper pipe that connects the first upper cylinder and the second upper cylinder. I have.
本発明の好ましい実施の形態においては、前記気密容器内に収容され、前記単結晶の原料を収容する坩堝と、前記坩堝を支持する支持軸と、前記支持軸を介して前記坩堝を支持する下方支持部と、前記坩堝の重量を検出する下方重量検出手段と、をさらに備えており、前記下方支持部は、前記支持軸を直接支持する下方直接支持部と、一端が前記下方直接支持部に取り付けられた下方弾性体と、前記下方弾性体の他端が取り付けられており、前記下方弾性体を介して前記支持軸および前記坩堝の重量を負担する下方間接支持部と、を有しており、前記下方重量検出手段は、前記下方直接支持部と前記下方間接支持部との間に介在し、前記下方直接支持部が前記下方間接支持部に対して下降すると小となる圧縮力を検出し、前記坩堝に原料が投入されていない状態で前記下方重量検出手段が所定の投入原料重量を検出し、かつ前記下方弾性体が前記投入原料重量と前記坩堝および前記支持軸の重量とを負担した状態で、前記原料の投入を開始する。 In a preferred embodiment of the present invention, the crucible is contained in the hermetic container and contains the raw material of the single crystal, the support shaft that supports the crucible, and the lower part that supports the crucible via the support shaft. And a lower weight detecting means for detecting the weight of the crucible. The lower support portion includes a lower direct support portion that directly supports the support shaft, and one end at the lower direct support portion. An attached lower elastic body, and the other end of the lower elastic body is attached, and has a lower indirect support portion that bears the weight of the support shaft and the crucible via the lower elastic body. The lower weight detecting means is interposed between the lower direct support portion and the lower indirect support portion, and detects a compressive force that becomes small when the lower direct support portion is lowered with respect to the lower indirect support portion. The raw material is thrown into the crucible In the state where the lower weight detecting means detects a predetermined input raw material weight and the lower elastic body bears the input raw material weight and the weight of the crucible and the support shaft in a state where the raw material is not charged. To start.
本発明の好ましい実施の形態においては、前記下方直接支持部と前記下方間接支持部との間に設けられ、前記支持軸の軸線方向に伸縮可能であるとともに、内部空間が気密された第1の下方筒体と、前記支持軸を囲むように構成され、前記支持軸の軸線方向に伸縮可能であり、前記支持軸の軸線方向における下端が前記下方直接支持部に固定されるとともに、内部空間が気密されており、かつ前記気密容器の内部空間と通ずる第2の下方筒体と、前記第1の下方筒体と前記第2の下方筒体とを連結する下方配管と、を備えている。 In a preferred embodiment of the present invention, the first direct-current support portion is provided between the lower direct support portion and the lower indirect support portion, and is extendable in the axial direction of the support shaft, and the internal space is hermetically sealed. The lower cylindrical body is configured to surround the support shaft, and is extendable in the axial direction of the support shaft. The lower end of the support shaft in the axial direction is fixed to the lower direct support portion, and the internal space is A second lower cylinder that is hermetically sealed and communicates with the internal space of the hermetic container, and a lower pipe that connects the first lower cylinder and the second lower cylinder.
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
図1および図2は、本発明の第1実施形態に基づく単結晶製造装置を示している。本実施形態の単結晶製造装置101は、気密容器200、坩堝220、抵抗加熱部230、引上軸310、上方支持部400、駆動機構610、第1の上方筒体710、第2の上方筒体720、第3の上方筒体730、上方配管741および上方重量検出手段800を備えている。上方重量検出手段800は、低負荷用ロードセル810および高負荷用ロードセル820からなる。
1 and 2 show a single crystal manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. The single
図1においては、鉛直方向に沿う引上軸310の軸線方向L310をz方向とする。単結晶製造装置101はz方向に沿って引上軸310を介して単結晶110を引き上げるものである。鉛直方向に沿うz方向に対して直角である水平方向をx方向としており、図1におけるx方向右側の端には基柱650がある。本実施形態では、単結晶110がサファイア単結晶である場合について説明を行う。
In FIG. 1, the axial direction L310 of the pulling-up
単結晶110は、引上軸310の先端に取り付けられたあらかじめ定められた結晶方位を有する単結晶、たとえばサファイアからなる種結晶を坩堝220に収納される原料融液120に漬けて成長させることにより形成されるものであり、引上軸310から遠ざかるにつれてその径が徐々に大きくなる肩部111と、直径がほぼ一定となる直胴部112とを備えている。
The
気密容器200は、引上軸310を通すための開口部211を有しており、坩堝220を収容している。坩堝220は、たとえばイリジウム、モリブデンおよびモリブデン−タングステン合金などからなり、サファイアの原料であるアルミナが充填される。坩堝220は、たとえば気密容器200内に設置される抵抗加熱部230により加熱され、アルミナの融点を上回る2000〜2200℃となる。抵抗加熱部230は、制御部850に接続されており、単結晶110の重量に応じた制御を受ける。この制御部850は、単結晶110の肩部111および直胴部112の直径が所望の値となるように、坩堝220内のアルミナの原料融液120の温度の調整を行う。この気密容器200の内側の圧力は、気密容器200内の断熱材中や空気中に含まれる酸素を除去する際などには、たとえば0.1kPa〜3kPaとなる。
The
引上軸310は、単結晶110を回転させつつ引き上げるためのものであり、z方向における上端部には下の部分よりも太くなるように形成された太径部311が設けられている。この太径部311は、回転モータ312にベルト313を介して軸線方向L310回りに回転可能に連結されている。さらに、太径部311は上方支持部400に支持されている。回転モータ312も制御部850により制御されるものである。引上軸310の上端付近には、高負荷用ロードセル820が設けられている。高負荷用ロードセル820は、引上軸310の重量および単結晶110の重量を検出するものであり、本発明で言う第2検出部に相当する。高負荷用ロードセル820の定格重量は、たとえば150〜200kg程度である。制御部850は、高負荷用ロードセル820が測定する重量を用いて抵抗加熱部230や駆動機構610の制御を行う。引上軸310の重量は、たとえば20〜50kg程度である。
The pulling-up
上方支持部400は、引上軸310を支持する部位であり、上方直接支持部410、上方間接支持部430および複数のばね451を具備している。
The
上方直接支持部410は、引上軸310を直接支持する部位であり、主板部411、連結部412および天板部413を有する。主板部411は、開口部421を有する。開口部421には、引上軸310が挿通されている。引上軸310は、主板部411によって回転可能に直接支持されている。連結部412は、主板部411からz方向に沿って起立した部位である。天板部413は、連結部412によって主板部411と連結されており、主板部411に対して平行な姿勢で、主板部411および引上軸310のz方向直上に配置されている。
The upper
上方間接支持部430は、上方直接支持部410および複数のばね451を介して引上軸310を支持する部位であり、主板部431、連結部432、天板部433および可動調整部434を有する。主板部431は、上方直接支持部410の主板部411に対して平行な姿勢でz方向下方に配置されている。主板部431には、開口部441が形成されている。開口部441には、引上軸310が挿通されている。主板部431は、駆動機構610に連結されている。これにより、上方支持部400全体がz方向に移動可能となっている。
The upper
主板部431と主板部411との間には、複数のばね451が配置されている。複数のばね451は、本発明で言う上方弾性体の一例に相当し、主板部411と主板部431とのz方向距離が増減することにより、弾性力を発揮する。本実施形態においては、複数のばね451は、引上軸310を中心として同心円状に配置されている。
A plurality of
連結部432は、主板部431からz方向に起立した部位である。天板部433は、連結部432によって主板部431に連結されており、上方直接支持部410の天板部413に対して平行な姿勢で天板部413のz方向直上に配置されている。天板部433には、厚さ方向に貫通する細孔435が形成されている。
The connecting
可動調整部434は、連結部432に対してz方向位置を調整可能に取り付けられた部位である。可動調整部434のz方向位置を調整するための機構としては、たとえばねじを用いた締結機構が挙げられる。可動調整部434は、z方向において上方直接支持部410の主板部411の上方に配置されており、x方向において主板部411の一部と重なっている。可動調整部434の下面には、低負荷用ロードセル810が設けられている。低負荷用ロードセル810は、可動調整部434と主板部411とに挟まれた格好となっており、本発明で言う第1検出部に相当する。低負荷用ロードセル810としては、圧縮型のロードセルが採用されている。制御部850は、低負荷用ロードセル810が測定する重量を用いて抵抗加熱部230や駆動機構610の制御を行う。低負荷用ロードセル810の定格重量は、たとえば目標とする単結晶110の完成重量、あるいは高負荷用ロードセル820の定格重量の0.1〜5%程度であり、高負荷用ロードセル820の定格重量よりも顕著に小である。
The
駆動機構610は、たとえばサーボモータによって回転させられるスクリューシャフトを有するものであり、スクリューシャフトの回転に伴ってz方向に上下する可動部611を備えている。駆動機構610は、基柱650に取り付けられている。可動部611は上方支持部400に連結されている。このような駆動機構610では、サーボモータの動作を制御することで、上方支持部400の上昇速度を自在に調整することが可能である。制御部850は、直胴部112の直径が所望の値となるように、駆動機構610の動作を調整する。
The
第1の上方筒体710は、たとえばベローズ型伸縮管であり、天板部413と天板部433との間に設けられている。第1の上方筒体710のz方向上端には固定環711が設けられており、天板部433の下面に気密を保つように固定されている。第1の上方筒体710のz方向下端には固定環712が設けられており、天板部413の上面に気密を保つように固定されている。第1の上方筒体710は、固定環711,712の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第1の上方筒体710の固定環711,712との接合部分においては、第1の上方筒体710の内径と固定環711,712の内径とが同一とされている。なお、第1の上方筒体710は、上方直接支持部410が上方間接支持部430に対して相対動する分だけ伸縮可能であればよい。第1の上方筒体710の内部空間には、天板部433の細孔435が通じている。
The first
第2の上方筒体720は、たとえばベローズ型伸縮管であり、引上軸310を囲むように主板部411と主板部431との間に設けられている。第2の上方筒体720のz方向上端には固定環721が設けられており、主板部411の下面に気密を保つように固定されている。第2の上方筒体720のz方向下端には固定環722が設けられており、主板部431の開口部441を囲み気密を保つように主板部431の上面に固定されている。この第2の上方筒体720は、固定環721,722の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第2の上方筒体720の固定環721,722との接合部分においては、第2の上方筒体720の内径と固定環721,722の内径とが同一とされている。なお、第2の上方筒体720は、上方直接支持部410が上方間接支持部430に対して相対動する分だけ伸縮可能であればよい。また、第2の上方筒体720は、主板部411と主板部431とが相対動すると、その移動量に応じた弾性力を生じる。このため、第2の上方筒体720は、複数のばね451とともに、本発明で言う上方弾性体を構成するものであるといえる。ただし、本実施形態においては第2の上方筒体720は、気密性を確保することを主目的として設けられており、弾性力を積極的に発揮することは意図されていない。このため、第2の上方筒体720のばね定数は、複数のばね451のばね定数よりも顕著に小であり、本発明で言う上方弾性体に期待される機能は、ほとんどが複数のばね451によって果たされている。
The second upper
固定環711,712,721,722は、いずれも円環状であり、それらの内径は一致しているのが望ましい。これにより、第1の上方筒体710の固定環711,712との接合部分の内径と、第2の上方筒体720の固定環721,722との接合部分の内径とが、一致した構成となっている。
The fixed rings 711, 712, 721, 722 are all annular and their inner diameters are preferably the same. Accordingly, the inner diameter of the joint portion of the first
第3の上方筒体730は、たとえばベローズ型伸縮管であり、引上軸310を囲むように気密容器200と主板部431との間に設けられている。第3の上方筒体730は、z方向における上下に固定環731,732を有しており、固定環731,732の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第3の上方筒体730は、坩堝220から引き上げられる単結晶110の長さ分だけ伸縮可能である。第3の上方筒体730は、第2の上方筒体720の内部空間と気密容器200の内部空間とを通じさせるために設けられている。
The third upper
固定環731は、第3の上方筒体730の上部に固定されており、主板部431の下面に気密を保つように固定されている。固定環732は、第3の上方筒体730の下部に固定されており、気密容器200の開口部211に気密を保つように固定されている。第3の上方筒体730の上部に固定される固定環731には、半径方向に貫通し第3の上方筒体730の内部空間に繋がる細孔733が設けられている。
The fixed
第2の上方筒体720および第3の上方筒体730の内側空間は外気から遮断されており、気密容器200の内部空間と同じ気圧となる。
The inner space of the second
上方配管741は、固定環731の細孔733と天板部433の細孔435との間を繋ぐように設けられている。この上方配管741により、第1の上方筒体710の内側の気圧は、第2の上方筒体720および第3の上方筒体730の内側の空間と同じ、すなわち、気密容器200内の気圧と同じとなる。
The
次に、単結晶製造装置101における重量検出を、図3〜図6を参照しつつ以下に説明する。
Next, weight detection in the single
図3は、単結晶110の成長に伴う重量検出の経過を示している。横軸は、単結晶110の重量である単結晶重量W2である。縦軸は、検出重量、重量あるいは弾性力である。検出重量W1は、低負荷用ロードセル810の検出重量である。検出重量W3は、高負荷用ロードセル820の検出重量である。弾性力W4は、複数のばね451および第2の上方筒体720が発揮する弾性力の合計である。なお、第2の上方筒体720のばね定数は、複数のばね451のばね定数よりも顕著に小さいため、以下の説明においては、弾性力W4と複数のばね451との関係について述べる。
FIG. 3 shows the process of weight detection accompanying the growth of the
図4は、引上軸310が上方直接支持部410の主板部411に設置された、単結晶110の製造を開始する前の状態を示している。高負荷用ロードセル820には、引上軸310の重量が作用するため、検出重量W3は、引上軸310の重量に相当する重量Ws3となる。また、複数のばね451には、引上軸310および上方直接支持部410の重量が作用するため、複数のばね451の長さは、自然長よりも短い長さL1となり、弾性力W4は、引上軸310および上方直接支持部410の重量の合計であるWs3’となる。
FIG. 4 shows a state before the production of the
図5は、図4に示した状態から、可動調整部434によって低負荷用ロードセル810を主板部411に押し付けた状態を示している。可動調整部434を所定量だけ下方に移動させることにより、複数のばね451をさらに圧縮する。これにより、複数のばね451の長さは、長さL1よりも短い長さL2となる。この圧縮により発生した弾性力は、低負荷用ロードセル810に作用する。このときの検出重量W1が、所望の初期重量Ws1となるように可動調整部434の位置を調整する。初期重量Ws1は、単結晶110の成長初期段階において、特に綿密な制御が求められる時期における単結晶110の重量に相当するものである。たとえば完成品としての単結晶110の重量が80〜100kg程度であるのに対し、初期重量Ws1は5kg程度とされる。弾性力W4は、重量Ws3’+初期重量Ws1となる。この状態が、単結晶製造装置101における重量検出の初期状態である。
FIG. 5 shows a state in which the low-
図3において、横軸の左端は、単結晶重量W2が0であり、単結晶110の引上開始時点である。この状態から単結晶110の成長が進行すると、単結晶重量W2が徐々に増加する。すると、高負荷用ロードセル820には、引上軸310の重量Ws3と単結晶重量W2とが作用するため、検出重量W3は徐々に増加する。一方、単結晶重量W2が増加すると、この増加した重量は複数のばね451を圧縮する方向に作用する。しかしながら、図5に示した初期状態において、可動調整部434が初期重量Ws1に相当する分だけ複数のばね451を圧縮している格好となっている。したがって、単結晶重量W2の増加分が、可動調整部434が複数のばね451を圧縮していた力に代わって、複数のばね451を圧縮することとなる。このため、図3に示すように、低負荷用ロードセル810の検出重量である検出重量W1が徐々に減ることとなる。単結晶重量W2が初期重量Ws1以下である間は、複数のばね451の長さは長さL2のままであり、弾性力W4は変化しない。
In FIG. 3, the left end of the horizontal axis is the time when the single crystal weight W2 is 0 and the pulling of the
やがて、単結晶重量W2が初期重量Ws1を超えると、重量Ws3’と単結晶重量W2を合計した重量が、図5において複数のばね451が発揮していた弾性力W4を超えることとなる。これにより、複数のばね451が長さL2の状態から圧縮され、図6に示すように長さLiとなる。これに伴い、低負荷用ロードセル810から主板部411が離れる。すなわち、図3に示すように、単結晶重量W2が初期重量Ws1となった時点で検出重量W1は0となる。これ以降は、単結晶110が成長することにより単結晶重量W2が増加すると、それに応じて複数のばね451が圧縮され、高負荷用ロードセル820の検出重量である検出重量W3が増加していく。そして、単結晶110が完成品となると単結晶重量W2が完成重量Wf1となり、検出重量W3が重量Ws3と完成重量Wf1とを合計したものとなる。以上によって、単結晶製造装置101における重量検出が完了する。
When the single crystal weight W2 eventually exceeds the initial weight Ws1, the total weight of the weight Ws3 'and the single crystal weight W2 exceeds the elastic force W4 exhibited by the plurality of
次に、単結晶製造装置101の作用について説明する。
Next, the operation of the single
本実施形態によれば、図3を参照して説明したように、単結晶重量W2がたとえば5kg程度の初期重量Ws1に達するまでの間は、低負荷用ロードセル810が検出する検出重量W1の減少分が、単結晶重量W2の増加分と等しくなる。単結晶重量W2が初期重量Ws1を超えた後は低負荷用ロードセル810は重量を検出しない。また、低負荷用ロードセル810には、引上軸310の重量は負荷されない。このため、低負荷用ロードセル810の定格重量を初期重量Ws1に対応させて比較的小さくすることが可能である。これにより、低負荷用ロードセル810の検出精度を高めることが可能であり、成長初期の単結晶重量W2をより正確に検出することができる。単結晶110の成長初期は、成長現象が不安定である傾向があり、抵抗加熱部230や駆動機構610および回転モータ312の制御を比較的きめ細かく、高精度で行う必要がある。単結晶重量W2をより正確に検出可能であることは、これらの制御をより高精度で行うことに資する。
According to this embodiment, as described with reference to FIG. 3, the detected weight W1 detected by the low
単結晶110の成長初期の小さい荷重は低負荷用ロードセル810によって検出するためは、高負荷用ロードセル820には、それほど高い検出精度は必要ない。高負荷用ロードセル820には、引上軸310の重量Ws3と単結晶110の完成重量Wf1とが作用する。これらの重量に対応して高負荷用ロードセル820の定格重量を大きくすることによって高負荷用ロードセル820の検出精度が低下したとしても、単結晶110の成長初期の制御にはなんら影響を及ぼさない。
Since a small load at the initial stage of growth of the
単結晶110の成長過程において、予期しない現象により引上軸310に過大な荷重が作用しても、複数のばね451が圧縮され、低負荷用ロードセル810は主板部411から離れる。このため、定格重量が比較的小さい低負荷用ロードセル810が過大な荷重によって破損することを防止することができる。高負荷用ロードセル820は、定格重量を十分に大きくしておくことが可能であるため、過大な荷重によって破損しにくいという利点がある。
In the process of growing the
また、主板部411の下面には第2の上方筒体720が取り付けられており、天板部413の上面には第1の上方筒体710が取り付けられている。第1の上方筒体710と第2の上方筒体720との内圧は、上方配管741によって同一となっている。これにより、上方直接支持部410は、z方向上方および下方からいずれもが気密容器200内の気圧と同じ2つの空間によって挟まれる格好となっている。このため、気密容器200内の気圧が0.1kPa〜3kPa程度と大気圧よりも顕著に低い気圧とされた場合であっても、気密容器200内の気圧と大気圧との差圧に起因して上方直接支持部410に作用する力を相殺することが可能である。これにより、低負荷用ロードセル810に予期せぬ力がかかるのを防ぎ、より正確に単結晶110の重量W2を測定することができる。本実施形態は、気密容器200内の気圧が変動する場合には特に有用である。固定環711,712,721,722の内径が一致していることによって、第1の上方筒体710の固定環711,712との接合部分の内径と、第2の上方筒体720の固定環721,722との接合部分の内径とが、一致した構成であることは、気圧差によって上方直接支持部410に作用する力をより小さくするのに好適である。
A second
図7〜図10は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、前記実施形態と同一または類似の要素には、前記実施形態と同一の符号を付している。 7 to 10 show other embodiments of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those of the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the above embodiment.
図7および図8は、本発明の第2実施形態に基づく単結晶製造装置を示している。本実施形態の単結晶製造装置102は、前述した単結晶製造装置101の構成に加えて、支持軸320、下方支持部500、駆動機構620、第1の下方筒体760、第2の下方筒体780、第3の下方筒体790、下方配管742および下方ロードセル830を備えている。
7 and 8 show a single crystal manufacturing apparatus based on the second embodiment of the present invention. In addition to the configuration of the single
本実施形態における気密容器200は、単結晶製造装置101における気密容器200の構成に加えて、坩堝220を支持するための支持軸320を通すための開口部212を有する。なお、図7では、引上軸310に種結晶113が取り付けられ、坩堝220に原料121が投入された状態を示している。種結晶113は、あらかじめ定められた結晶方位を有する単結晶、たとえばサファイア単結晶である。
In addition to the configuration of the
支持軸320は、坩堝220を支持するためのものであり、本実施形態においては、その軸線方向L320が引上軸310の軸線方向L310と一致している。支持軸320のz方向における下端部には、フランジ321が設けられている。このフランジ321は、たとえばねじにより、後述する下方支持部500の主板部511に固定されている。
The
下方支持部500は、支持軸320を支持する部位であり、下方直接支持部510、下方間接支持部530および複数のばね452を具備している。
The
下方直接支持部510は、支持軸320を直接支持する部位であり、主板部511、連結部512および底板部513を有する。主板部511は、開口部521および複数の開口部522を有する。開口部521には、支持軸320が挿通されている。複数の開口部522は、たとえば開口部521を中心として同心円状に配置されている。連結部512は、主板部511からz方向に沿って下向きに延びる部位である。底板部513は、連結部512によって主板部511と連結されており、主板部511に対して平行な姿勢で、主板部511および支持軸320のz方向直下に配置されている。
The lower
下方間接支持部530は、下方直接支持部510および複数のばね452を介して支持軸320を支持する部位であり、主板部531、連結部532、底板部533、可動調整部534および複数のロッド536を有する。主板部531は、下方直接支持部510の主板部511に対して平行な姿勢でz方向上方に配置されている。主板部531には、開口部541が形成されている。開口部541には、支持軸320が挿通されている。主板部531は、駆動機構620に連結されている。これにより、下方支持部500全体がz方向に移動可能となっている。
The lower
下方間接支持部530の複数のロッド536と下方直接支持部510の主板部511との間には、複数のばね452が配置されている。複数のばね452は、本発明で言う下方弾性体の一例に相当し、主板部511と主板部531とのz方向距離が増減することにより、弾性力を発揮する。本実施形態においては、複数のばね452は、支持軸320を中心として同心円状に配置されている。各ばね452には、ロッド536が挿通されている。ロッド536は、上端が主板部531の下面に固定されており、下端部分がフランジ状とされている。ばね452は、主板部511とロッド536の下端部分とに挟まれた格好となっている。各ロッド536は、主板部511の開口部522に挿通されている。
A plurality of
連結部532は、主板部531からz方向下向きに延びる部位である。底板部533は、連結部532によって主板部531に連結されており、下方直接支持部510の底板部513に対して平行な姿勢で底板部513のz方向直下に配置されている。底板部533には、厚さ方向に貫通する細孔535が形成されている。
The connecting
可動調整部534は、連結部532に対してz方向位置を調整可能に取り付けられた部位である。可動調整部534のz方向位置を調整するための機構としては、たとえばねじを用いた締結機構が挙げられる。可動調整部534は、z方向において下方直接支持部510の底板部513の上方に配置されており、x方向において底板部513の一部と重なっている。可動調整部534の下面には、下方ロードセル830が設けられている。下方ロードセル830は、可動調整部534と底板部513とに挟まれた格好となっており、本発明で言う下方重量検出手段に相当する。下方ロードセル830としては、圧縮型のロードセルが採用されている。下方ロードセル830の定格重量は、投入される原料121の総重量に相当する重量とされ、たとえば80〜100kg程度である。下方ロードセル830は、制御部850に接続されており、その検出信号が制御部850に送られる。
The
駆動機構620は、たとえばサーボモータによって回転させられるスクリューシャフトを有するものであり、スクリューシャフトの回転に伴ってz方向に上下する可動部621を備えている。駆動機構620は、基柱660に取り付けられている。可動部621は下方支持部500に連結されている。駆動機構620は、制御部850に接続されており、制御部850によって昇降動作が制御される。なお、坩堝220を上下に移動させる必要が無い場合には、駆動機構620を用いずに下方支持部500を直接に基柱660に固定しても構わない。
The
第1の下方筒体760は、たとえばベローズ型伸縮管であり、底板部513と底板部533との間に設けられている。第1の下方筒体760のz方向上端には固定環761が設けられており、底板部513の下面に気密を保つように固定されている。第1の下方筒体760のz方向下端には固定環762が設けられており、底板部533の上面に気密を保つように固定されている。第1の下方筒体760は、固定環761,762の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第1の下方筒体760の固定環761,762との接合部分においては、第1の下方筒体760の内径と固定環761,762の内径とが同一とされている。なお、第1の下方筒体760は、下方直接支持部510と下方間接支持部530とが相対動する分だけ伸縮可能であればよい。第1の下方筒体760の内部空間には、底板部533の細孔535が通じている。
The first
第2の下方筒体780は、たとえばベローズ型伸縮管であり、支持軸320を囲むように主板部531と主板部511の間に設けられている。第2の下方筒体780のz方向上端には固定環781が設けられており、主板部531の開口部541を囲み気密を保つように固定されている。第2の下方筒体780のz方向下端には固定環782が設けられており、主板部511の上面において開口部521を囲む位置に気密を保つように固定されている。この第2の下方筒体780は、固定環781,782の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第2の下方筒体780の固定環781,782との接合部分においては、第2の下方筒体780の内径と固定環781,782の内径とが同一とされている。なお、第2の下方筒体780は、下方直接支持部510と下方間接支持部530とが相対動する分だけ伸縮可能であればよい。また、第2の下方筒体780は、複数のばね452とともに、本発明で言う下方弾性体を構成するものであるといえる。ただし、本実施形態においては第2の下方筒体780は、気密性を確保することを主目的として設けられており、弾性力を積極的に発揮することは意図されていない。このため、第2の下方筒体780のばね定数は、複数のばね452のばね定数よりも顕著に小であり、本発明で言う下方弾性体に期待される機能は、ほとんどが複数のばね452によって果たされている。
The second lower
第3の下方筒体790は、たとえばベローズ型伸縮管であり、支持軸320を囲むように気密容器200と主板部531との間に設けられている。第3の下方筒体790は、z方向における上下に固定環791,792を有しており、固定環791,792の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第3の下方筒体790は、第2の下方筒体780の内部空間と気密容器200の内部空間とを通じさせるために設けられている。なお、第3の下方筒体790の伸縮幅は、駆動機構620が上下動する長さに応じて定められる。
The third
固定環791は、第3の下方筒体790の上端部に設けられており、気密容器200の開口部212に気密を保つように固定されている。固定環792は、第3の下方筒体790の下端部に設けられており、主板部531の上面に気密を保つように固定されている。第3の下方筒体790の下端部に設けられる固定環792には半径方向に貫通し第3の下方筒体790の内部空間に繋がる細孔793が設けられている。この細孔793は下方配管742に接続されている。
The fixed
固定環761,762,781,782は、いずれも円環状であり、それらの内径は一致しているのが望ましい。これにより、第1の下方筒体760の固定環761,762との接合部分の内径と、第2の下方筒体780の固定環781,782との接合部分の内径とが、一致した構成となっている。
The fixed rings 761, 762, 781, 782 are all annular, and it is desirable that their inner diameters coincide. Accordingly, the inner diameter of the joint portion of the first
第2の下方筒体780および第3の下方筒体790の内部空間は外気から遮断されており、気密容器200の内部空間と同じ気圧となる。下方配管742は、細孔793と細孔535との間を繋ぐように設けられている。この下方配管742により、第1の下方筒体760の内部空間の気圧は、第3の下方筒体790の内部空間の気圧と同じ、すなわち、気密容器200内の気圧と同じとなる。
The internal spaces of the second
次に、単結晶製造装置102における下方ロードセル830を用いた重量検出について、以下に説明する。
Next, weight detection using the
まず、坩堝220を空の状態とする。このとき、複数のばね452および第2の下方筒体780には、坩堝220および支持軸320の重量が負荷されている。この状態から、可動調整部534を下降させ、下方ロードセル830を下方直接支持部510の底板部513に押し付ける。さらに可動調整部534を下降させることにより、複数のばね452を圧縮するとともに、第2の下方筒体780を伸長させる。これにより、複数のばね452および第2の下方筒体780の弾性力が増加する。この増加した弾性力は下方ロードセル830に作用する。下方ロードセル830の検出重量が、坩堝220に投入される原料121の重量となるまで、可動調整部534を下降させる。想定される原料121の重量は、たとえば80〜100kg程度である。
First, the
次いで、坩堝220への原料121の投入を開始する。投入された原料121の重量の分だけ、下方ロードセル830に作用する前記弾性力が減少する。そして、すべての原料121の投入が完了した時点では、下方ロードセル830の検出重量は、ほぼ0となる。
Next, the charging of the
次いで、抵抗加熱部230によって原料121を溶融させることにより、前述した実施形態で述べた原料融液120を生成する。次いで、引上軸310に取り付けた種結晶113を原料融液120に一旦漬けた後に、引上軸310の引き上げを開始する。これにより、単結晶110の成長が開始する。単結晶110の成長が進行するにつれ、原料融液120は減少する。この減少した原料融液120の重量、すなわち単結晶110の重量に相当する分だけ、下方ロードセル830の検出重量が増加する。そして、単結晶110の成長が完了すると、下方ロードセル830の検出重量は、単結晶110の完成重量とほぼ同じ重量となる。
Next, the
このような実施形態によれば、下方ロードセル830には、坩堝220や支持軸320の重量は作用しない。このため、原料121、原料融液120および単結晶110の重量をより正確に検出することができる。また、たとえば、単結晶110の成長過程において、予期しない現象により支持軸320に過大な荷重が作用しても、下方ロードセル830は下方直接支持部510の底板部513から離れる。したがって、下方ロードセル830の破損を防止することができる。
According to such an embodiment, the weight of the
前述した高負荷用ロードセル820に加えて、下方ロードセル830によって単結晶110の重量を検出することができる。この重量検出の二重化によって、単結晶110の重量をより正確に検出することができる。なお、本実施形態とは異なり、高負荷用ロードセル820を備えず、低負荷用ロードセル810および下方ロードセル830によって単結晶110の重量を検出する構成としてもよい。
In addition to the high
また、下方直接支持部510を第1の下方筒体760と第2の下方筒体780とによって挟む構成とすることにより、気密容器200内の気圧が0.1kPa〜3kPa程度と大気圧よりも顕著に低い気圧とされた場合であっても、気密容器200内の気圧と大気圧との差圧に起因して下方直接支持部510に作用する力を相殺することが可能である。これにより、下方ロードセル830に予期せぬ力がかかるのを防ぎ、より正確に単結晶110の重量を測定することができる。本実施形態は、気密容器200内の気圧が変動する場合には特に有用である。固定環761,762,781,782の内径が一致していることによって、第1の下方筒体760の固定環761,762との接合部分の内径と、第2の下方筒体780の固定環781,782との接合部分の内径とが、一致した構成であることは、気圧差によって下方直接支持部510に作用する力をより小さくするのに好適である。
Further, by adopting a configuration in which the lower
図9および図10は、本発明の第3実施形態に基づく単結晶製造装置を示している。本実施形態の単結晶製造装置103は、上述した単結晶製造装置102における第2の下方筒体780とは異なる構成とされた第2の下方筒体770が設けられており、その他の主たる構成は単結晶製造装置102と同様である。以下、単結晶製造装置103の単結晶製造装置102との異なる部分について説明を行う。
9 and 10 show a single crystal manufacturing apparatus based on the third embodiment of the present invention. The single
第2の下方筒体770は、たとえばベローズ型伸縮管であり、支持軸320を囲むように主板部531の開口部541に挿通されており、気密容器200と主板部511との間に設けられている。第2の下方筒体770のz方向上端には固定環771が設けられており、下端には固定環772が設けられている。固定環771は、気密容器200内部の気密を保つように開口部212に固定されている。固定環772は、主板部511の開口部521を囲み、かつ気密を保つように主板部511に固定されている。第2の下方筒体770は、固定環771,772の間の部分が上下に伸縮可能に構成されている。第2の下方筒体770の固定環771,772との接合部分においては、第2の下方筒体770の内径と固定環771,772の内径とが同一とされている。なお、第2の下方筒体770の伸縮幅は、駆動機構620が上下動する長さに応じて定められる。駆動機構620を用いずに下方支持部500を直接基柱660に固定する場合には、伸縮量はより小さくてよい。
The second lower
固定環761,762,771,772は、いずれも円環状であり、それらの内径は一致しているのが望ましい。これにより、第1の下方筒体760の固定環761,762との接合部分の内径と、第2の下方筒体770の固定環771,772との接合部分の内径とが、一致した構成となっている。
The fixed rings 761, 762, 771, 772 are all annular and their inner diameters are preferably the same. Accordingly, the inner diameter of the joint portion of the first
第2の下方筒体770の下部に固定される固定環772には、半径方向に貫通する細孔773が設けられている。この細孔773は、第2の下方筒体770の内部空間に通じており、下方配管742に接続されている。
A fixed
下方配管742は、細孔773と細孔535との間を繋ぐように設けられている。この下方配管742により、第1の下方筒体760の内部空間の気圧は、第2の下方筒体770の内部空間の気圧と同じ、すなわち、気密容器200内の気圧と同じとなる。
The
このような実施形態によっても、下方ロードセル830によって、単結晶110の重量をより正確に検出することができる。また、下方ロードセル830の破損を防止することが可能である。また、気密容器200内の気圧と大気圧との差圧に起因して下方ロードセル830に予期せぬ力がかかるのを防ぎ、より正確に単結晶110の重量を測定することができる。また、高負荷用ロードセル820を備えず、低負荷用ロードセル810および下方ロードセル830によって単結晶110の重量を検出する構成としてもよい。
Even in such an embodiment, the weight of the
本発明に係る単結晶製造装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る単結晶製造装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The single crystal manufacturing apparatus according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the single crystal manufacturing apparatus according to the present invention can be varied in design in various ways.
本発明で言う上方弾性体としては、上方直接支持部および下方直接支持部に上下から挟まれた複数のばねが好適な構成であるが、これに限定されない。たとえば、水平方向に離間した上方直接支持部および下方直接支持部に連結された板ばねまたはゴムによって上方弾性体を構成してもよい。このような構成であっても、上方直接支持部と下方直接支持部とが上下方向に相対動すると、前記板ばねには曲げ変形による弾性力が生じ、前記ゴムにはせん断変形による弾性力が生じる。これらの弾性力を利用して、本発明が意図する効果を奏することができる。下方弾性体についても同様に、複数のばねに限定されず、板ばねまたはゴムなどによって構成してもよい。 As the upper elastic body referred to in the present invention, a plurality of springs sandwiched from above and below by the upper direct support portion and the lower direct support portion are suitable, but the upper elastic body is not limited thereto. For example, the upper elastic body may be constituted by a leaf spring or rubber connected to the upper direct support portion and the lower direct support portion that are spaced apart in the horizontal direction. Even in such a configuration, when the upper direct support portion and the lower direct support portion move relative to each other in the vertical direction, an elastic force due to bending deformation is generated in the leaf spring, and an elastic force due to shear deformation is generated in the rubber. Arise. By utilizing these elastic forces, the effects intended by the present invention can be achieved. Similarly, the lower elastic body is not limited to a plurality of springs, and may be constituted by a leaf spring or rubber.
101,102,103 単結晶製造装置
110 単結晶
121 原料
200 気密容器
220 坩堝
310 引上軸
320 支持軸
400 上方支持部
410 上方直接支持部
430 上方間接支持部
451 ばね(上方弾性体)
452 ばね(下方弾性体)
500 下方支持部
510 下方直接支持部
530 下方間接支持部
710 第1の上方筒体
720 第2の上方筒体
760 第1の下方筒体
770,780 第2の下方筒体
741 上方配管
742 下方配管
800 上方重量検出手段
810 低負荷用ロードセル(第1検出部)
820 高負荷用ロードセル(第2検出部)
830 坩堝用ロードセル(下方重量検出手段)
101, 102, 103 Single
452 Spring (lower elastic body)
500
820 Load cell for high load (second detector)
830 crucible load cell (lower weight detection means)
Claims (5)
前記気密容器内で育成された単結晶を引き上げる引上軸と、
前記引上軸を支持する上方支持部と、
少なくとも前記引上軸に保持された前記単結晶の重量を検出する上方重量検出手段と、を具備し、
前記上方支持部を前記引上軸の軸線方向に沿って移動させることにより前記単結晶の引き上げを行う単結晶製造装置であって、
前記上方支持部は、前記引上軸を直接支持する上方直接支持部と、一端が前記上方直接支持部に取り付けられた上方弾性体と、前記上方弾性体の他端が取り付けられており、前記上方弾性体を介して前記引上軸の重量を負担する上方間接支持部と、を有しており、
前記上方重量検出手段は、前記上方直接支持部と前記上方間接支持部との間に介在し、前記上方直接支持部が前記上方間接支持部に対して下降すると小となる圧縮力を検出する第1検出部を有し、
前記第1検出部が初期重量を検出し、かつ前記上方弾性体が前記初期重量および前記引上軸の重量を負担した状態で、前記単結晶を成長させるべく前記引上軸の引き上げを開始することを特徴とする、単結晶製造装置。 An airtight container,
A pulling shaft for pulling up the single crystal grown in the airtight container;
An upper support for supporting the pulling shaft;
An upper weight detecting means for detecting the weight of the single crystal held on at least the pull-up shaft,
A single crystal manufacturing apparatus for pulling up the single crystal by moving the upper support portion along the axial direction of the pull-up shaft;
The upper support part includes an upper direct support part that directly supports the pull-up shaft, an upper elastic body having one end attached to the upper direct support part, and the other end of the upper elastic body, An upper indirect support portion that bears the weight of the pull-up shaft via an upper elastic body,
The upper weight detecting means is interposed between the upper direct support portion and the upper indirect support portion, and detects a compressive force that becomes small when the upper direct support portion is lowered with respect to the upper indirect support portion. 1 detection unit,
In the state where the first detector detects the initial weight and the upper elastic body bears the initial weight and the weight of the pulling shaft, the pulling up of the pulling shaft is started to grow the single crystal. An apparatus for producing a single crystal characterized by the above.
前記引上軸を囲むように構成され、前記引上軸の軸線方向に伸縮可能であり、前記引上軸の軸線方向における上端が前記上方直接支持部に固定されるとともに、内部空間が気密されており、かつ前記気密容器の内部空間と通ずる第2の上方筒体と、
前記第1の上方筒体と前記第2の上方筒体とを連結する上方配管と、を備えている、請求項1または2に記載の単結晶製造装置。 A first upper cylinder that is provided between the upper direct support portion and the upper indirect support portion, is extendable in the axial direction of the pull-up shaft, and has an internal space hermetically sealed;
It is configured to surround the pull-up shaft, and can be expanded and contracted in the axial direction of the pull-up shaft. The upper end of the pull-up shaft in the axial direction is fixed to the upper direct support portion, and the internal space is hermetically sealed. And a second upper cylinder that communicates with the internal space of the hermetic container;
The single crystal manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising an upper pipe that connects the first upper cylindrical body and the second upper cylindrical body.
前記坩堝を支持する支持軸と、
前記支持軸を介して前記坩堝を支持する下方支持部と、
前記坩堝の重量を検出する下方重量検出手段と、をさらに備えており、
前記下方支持部は、前記支持軸を直接支持する下方直接支持部と、一端が前記下方直接支持部に取り付けられた下方弾性体と、前記下方弾性体の他端が取り付けられており、前記下方弾性体を介して前記支持軸および前記坩堝の重量を負担する下方間接支持部と、を有しており、
前記下方重量検出手段は、前記下方直接支持部と前記下方間接支持部との間に介在し、前記下方直接支持部が前記下方間接支持部に対して下降すると小となる圧縮力を検出し、
前記坩堝に原料が投入されていない状態で前記下方重量検出手段が所定の投入原料重量を検出し、かつ前記下方弾性体が前記投入原料重量と前記坩堝および前記支持軸の重量とを負担した状態で、前記原料の投入を開始する、請求項1ないし3のいずれかに記載の単結晶製造装置。 A crucible housed in the hermetic container and housing the raw material of the single crystal;
A support shaft for supporting the crucible;
A lower support part for supporting the crucible via the support shaft;
Further comprising a lower weight detection means for detecting the weight of the crucible,
The lower support portion includes a lower direct support portion that directly supports the support shaft, a lower elastic body having one end attached to the lower direct support portion, and the other end of the lower elastic body. A lower indirect support portion that bears the weight of the support shaft and the crucible via an elastic body,
The lower weight detecting means is interposed between the lower direct support portion and the lower indirect support portion, and detects a compressive force that becomes small when the lower direct support portion is lowered with respect to the lower indirect support portion,
A state in which the lower weight detecting means detects a predetermined input raw material weight while the raw material is not input to the crucible, and the lower elastic body bears the input raw material weight and the weight of the crucible and the support shaft. The single crystal manufacturing apparatus according to claim 1, wherein charging of the raw material is started.
前記支持軸を囲むように構成され、前記支持軸の軸線方向に伸縮可能であり、前記支持軸の軸線方向における下端が前記下方直接支持部に固定されるとともに、内部空間が気密されており、かつ前記気密容器の内部空間と通ずる第2の下方筒体と、
前記第1の下方筒体と前記第2の下方筒体とを連結する下方配管と、を備えている、請求項4に記載の単結晶製造装置。 A first lower cylindrical body provided between the lower direct support portion and the lower indirect support portion, capable of expanding and contracting in an axial direction of the support shaft, and having an internal space hermetically sealed;
It is configured to surround the support shaft, is extendable in the axial direction of the support shaft, the lower end in the axial direction of the support shaft is fixed to the lower direct support portion, and the internal space is airtight, And a second lower cylindrical body communicating with the internal space of the airtight container;
The single crystal manufacturing apparatus according to claim 4, further comprising a lower pipe that connects the first lower cylindrical body and the second lower cylindrical body.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012009611A JP2013147387A (en) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | Single crystal manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012009611A JP2013147387A (en) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | Single crystal manufacturing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013147387A true JP2013147387A (en) | 2013-08-01 |
Family
ID=49045289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012009611A Pending JP2013147387A (en) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | Single crystal manufacturing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013147387A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104451866A (en) * | 2015-01-07 | 2015-03-25 | 杭州晶一智能科技有限公司 | Weighing self-unloading device of kyropoulos method sapphire automatic crystal growth equipment |
KR101616463B1 (en) | 2013-12-23 | 2016-05-02 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus for growing a sapphire single crystal ingot |
CN112831831A (en) * | 2021-01-08 | 2021-05-25 | 浙江旭盛电子有限公司 | Seeding device and seeding method for producing czochralski silicon |
CN113622026A (en) * | 2020-05-06 | 2021-11-09 | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 | Czochralski single crystal re-feeding device and re-feeding method thereof |
CN117888196A (en) * | 2023-12-29 | 2024-04-16 | 连城凯克斯科技有限公司 | Continuous feeding device of photovoltaic single crystal furnace |
-
2012
- 2012-01-20 JP JP2012009611A patent/JP2013147387A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101616463B1 (en) | 2013-12-23 | 2016-05-02 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus for growing a sapphire single crystal ingot |
CN104451866A (en) * | 2015-01-07 | 2015-03-25 | 杭州晶一智能科技有限公司 | Weighing self-unloading device of kyropoulos method sapphire automatic crystal growth equipment |
CN113622026A (en) * | 2020-05-06 | 2021-11-09 | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 | Czochralski single crystal re-feeding device and re-feeding method thereof |
CN112831831A (en) * | 2021-01-08 | 2021-05-25 | 浙江旭盛电子有限公司 | Seeding device and seeding method for producing czochralski silicon |
CN117888196A (en) * | 2023-12-29 | 2024-04-16 | 连城凯克斯科技有限公司 | Continuous feeding device of photovoltaic single crystal furnace |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013147387A (en) | Single crystal manufacturing apparatus | |
US8800346B2 (en) | Wind tunnel balance calibrator | |
US20100242831A1 (en) | Methods for weighing a pulled object having a changing weight | |
US20100311309A1 (en) | Dressing apparatus, dressing method, and polishing apparatus | |
JP5107235B2 (en) | Material handling apparatus having stress compensation, and winding system including the apparatus | |
CN102890033A (en) | Triaxial rheological testing apparatus and testing method of electro-hydraulic servo rock | |
TWI426163B (en) | Single crystal pulling device and crucible support device | |
CN103911653B (en) | A kind of device of Czochralski grown artificial intraocular lenses | |
KR20120112943A (en) | Spherical bearing and supporting apparatus for vibration test using the same | |
CN103962421A (en) | Apparatus for correcting deformation of reaction vessel and method for correcting deformation of reaction vessel using same | |
CN102981522A (en) | Small active vibration control system based on piezoelectric ceramic and piezoelectric accelerometer | |
CN110987660A (en) | A ring shear test device | |
JP2014109337A (en) | Vertical seismic isolation device | |
CN104357900A (en) | Crystal weighing apparatus applied to single crystal furnace | |
CN110453278A (en) | A weighing device for crystal growth | |
KR20120123170A (en) | Load cell unit | |
JP3998781B2 (en) | Wafer pressurization method | |
CN215064307U (en) | Control equipment for thermal expansion of supporting platform | |
JP2010053018A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
CN106241673B (en) | Pressure identification and pressing device for the lifting mechanism of the solar wing deployment frame | |
CN103911655B (en) | A kind of crystal pull device | |
CN207047206U (en) | A kind of biochemical cultivation case with steady regulatory function | |
CN218822899U (en) | Automobile gas spring measuring force auxiliary device | |
CN110184649A (en) | A kind of novel heat insulation material structure PVT single crystal growth device | |
JPH08270721A (en) | Active vibration isolation system with seismic isolation function |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160405 |