JP2013026380A - Processing method - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 85
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 10
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract
Description
本発明は、被加工物に貼着された保護テープをバイトホイールで切削して平坦化する加工方法に関する。 The present invention relates to a processing method for cutting and flattening a protective tape attached to a workpiece with a bite wheel.
ウェーハ等の被加工物の裏面研削に際しては、ウェーハの表面の損傷等を防ぐために、ウェーハ表面に保護テープが貼着される。保護テープとしては、例えば、下記特許文献1に記載されたものを使用することができる。 When grinding a workpiece such as a wafer, a protective tape is attached to the wafer surface in order to prevent damage to the wafer surface. As a protective tape, what was described in the following patent document 1 can be used, for example.
しかし、保護テープをバンプと呼ばれる複数の突起状の接続電極が形成されたウェーハ表面に貼着した場合は、保護テープの表面は、バンプにならって凸凹となってしまうことがある。したがって、この状態のままでウェーハの表面を保持して裏面を研削すると、研削後のウェーハは、平坦度が著しく低くなるという問題がある。そこで、本出願人は、この問題を解決すべく、下記特許文献2で提案されるバイト切削装置で保護テープを切削して平坦化した後、ウェーハの裏面を研削することで、ウェーハを平坦度よく薄化する方法を見出した。 However, when the protective tape is attached to the surface of a wafer on which a plurality of protruding connection electrodes called bumps are formed, the surface of the protective tape may be uneven according to the bumps. Accordingly, if the wafer surface is held in this state and the back surface is ground, the flatness of the wafer after grinding becomes extremely low. Therefore, in order to solve this problem, the present applicant cuts the protective tape with a cutting tool proposed in the following Patent Document 2 and flattens it, and then grinds the back surface of the wafer, thereby flattening the wafer. I found a way to thin it well.
ところが、保護テープをバイト切削装置で切削すると、糸状の保護テープ屑が発生し、発生した保護テープ屑がウェーハ表面に貼着された保護テープ上に残存し、ウェーハ裏面側に回り込んで付着することもあり、当該ウェーハを洗浄しても保護テープ屑の除去は難しい。このように、保護テープ屑がウェーハに付着したままでは、例えばウェーハのハンドリング時に装置の搬送部に付着してウェーハの搬送不良を発生させるなどの問題を引き起こし、さらには、ウェーハ自体も破損してしまうおそれがある。 However, when the protective tape is cut with a cutting tool, thread-shaped protective tape scraps are generated, and the generated protective tape scraps remain on the protective tape adhered to the wafer surface and wrap around and adhere to the wafer back side. In some cases, it is difficult to remove the protective tape waste even if the wafer is cleaned. In this way, if the protective tape scraps remain attached to the wafer, for example, it may cause problems such as adhesion to the transfer unit of the apparatus during wafer handling, causing wafer transfer failure, and damage to the wafer itself. There is a risk that.
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、保護テープをバイト切削装置で切削する場合において、保護テープ屑がウェーハ上に残存するのを防止することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to prevent protective tape waste from remaining on a wafer when the protective tape is cut with a cutting tool.
本発明は、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持面と平行な面で回転して該保持テーブルで保持された被加工物を切削するバイトホイールと、該保持テーブルと回転する該バイトホイールとを相対移動させる移動手段と、を備えたバイト切削装置を用いて被加工物に貼着された保護テープを平坦化する加工方法であって、被加工物に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープ貼着ステップを実施した後、該保護テープが露出するように被加工物を該保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、回転する該バイトホイールを所定高さに位置付けるとともに該移動手段で該保持テーブルと該バイトホイールとを相対移動させることで、被加工物に貼着された該保護テープを該バイトホイールで切削して平坦化する平坦化ステップと、を備え、該平坦化ステップでは該バイトホイールの回転速度は周速1914m/min.以上に設定されることに特徴を有する。 The present invention includes a holding table having a holding surface for holding a workpiece, a bite wheel that rotates on a plane parallel to the holding surface and cuts the workpiece held on the holding table, and the holding table. A processing method for flattening a protective tape adhered to a workpiece using a cutting tool provided with a moving means for relatively moving the rotating bite wheel, the protective tape being applied to the workpiece After carrying out the protective tape sticking step to be stuck, the protective tape sticking step, the holding step for holding the workpiece with the holding table so that the protective tape is exposed, and after carrying out the holding step The rotating tape tool is positioned at a predetermined height, and the holding table and the tool wheel are moved relative to each other by the moving means, whereby the protective tape attached to the workpiece is Comprising a planarization step of planarizing by cutting in bytes wheel, and the rotational speed of the byte wheel in planarization step peripheral speed 1914m / min. It is characterized by being set as described above.
また、本発明は、前記の加工方法において前記平坦化ステップを実施した後、前記保護テープ側を保持テーブルで保持して被加工物を露出した状態にし、露出した被加工物を研削ホイールで研削して所定の厚みへと薄化する薄化ステップを更に備えることもできる。 In the present invention, after the flattening step is performed in the processing method, the protective tape side is held by a holding table to expose the workpiece, and the exposed workpiece is ground by a grinding wheel. In addition, a thinning step of thinning to a predetermined thickness can be further provided.
本発明に係る加工方法では、保護テープ上面をバイトホイールの回転速度を周速1914m/min.以上に設定し切削することにより、糸状の保護テープ屑がウェーハ上に残存することを防止できる。したがって、保護テープ屑がウェーハ裏面側に回り込んで付着することがなく、ウェーハの搬送不良を発生させたり、ウェーハを破損させたりするのを防止することができる。 In the processing method according to the present invention, the rotation speed of the bite wheel is set to the peripheral speed of 1914 m / min. By setting and cutting as described above, it is possible to prevent thread-like protective tape scraps from remaining on the wafer. Accordingly, the protective tape waste does not go around and adhere to the back surface side of the wafer, and it is possible to prevent the wafer from being poorly transported or damaged.
また、バイトホイールの回転速度を周速1914m/min.として保護テープの平坦化をした後、保護テープ側を保持テーブルで保持して被加工物の露出面を研削すると、保護テープが平坦化されているため、被加工物の露出面も平坦化させることができる。 Further, the rotational speed of the bite wheel is set to a peripheral speed of 1914 m / min. After flattening the protective tape, hold the protective tape side with a holding table and grind the exposed surface of the work piece, and since the protective tape is flattened, the exposed surface of the work piece is also flattened. be able to.
図1に示すバイト切削装置10は、被加工物が保持手段20に保持され、その被加工物に対して切削手段30によって切削加工を施す装置であり、Y軸方向に延びる直方体形状の基台11と、当該基台11の上面の一端に立設された立設基台12とを備えている。基台11の上面前部には、切削加工前の被加工物を収容するための供給カセット13と、切削加工後の被加工物を収容するための回収カセット19とを備えている。
A
供給カセット13及び回収カセット19の近傍には、供給カセット13からの被加工物の搬出及び回収カセット19への被加工物の搬入を行う搬送ロボット14が配設されている。搬送ロボット14は、屈曲可能なアーム14aと、アーム14aの先端部に備えたハンド14bとを備え、供給カセット13及び回収カセット19にハンド14bが届くように搬送ロボット14が設置されている。また、ハンド14bの可動範囲には、切削加工後の被加工物を洗浄する洗浄装置18が配設されている。
In the vicinity of the
ハンド14bの可動範囲には、搬送ロボット14によって供給カセット13から搬出された被加工物を所定の位置に位置あわせする位置決め手段15が配設されている。位置決め手段15には、円弧上に配設され径方向に移動可能な位置決めピン15aを複数備えている。
Positioning means 15 is provided in the movable range of the
保持手段20は、保持手段20に対する被加工物の着脱が行われる領域である着脱領域P1と、被加工物の実際の加工が行われる領域である切削領域P2との間をY軸方向に移動可能となっている。保持手段20の着脱領域P1と切削領域P2との間の移動は、図2に示す移動手段50によって制御される。
The holding means 20 moves in the Y-axis direction between an attachment / detachment area P1, which is an area where the workpiece is attached to and detached from the
図2に示すように、保持手段20は、被加工物を保持する保持面22を有する保持テーブル21と、保持テーブル21の下部に取り付けられた軸部23と、軸部23を介して保持テーブルを支持する支持基台24とを備える。なお、図2に示すように、保持手段20は、保持テーブル21を上下に昇降させることができる昇降駆動部25を備えていてもよい。
As shown in FIG. 2, the holding means 20 includes a holding table 21 having a
図2に示すように、移動手段50は、Y軸方向に延びるボールスクリュー54と、ボールスクリュー54と平行に配設された一対のガイドレール55と、ボールスクリュー54の一端に接続されたモータ56と、ボールスクリュー54の他端に接続されたボールスクリュー受部材57と、内部のナット構造がボールスクリュー54に螺合するとともに下部がガイドレール55に摺接する移動基台51とを備えている。このように構成される移動手段50においては、モータ56に駆動されてボールスクリュー54が回動することにより、移動基台51がガイドレール55にガイドされてY軸方向に移動する構成となっている。図1に示すように、移動手段50を構成する移動基台51の移動経路には、蛇腹形状のカバー52が敷かれている。
As shown in FIG. 2, the moving
図1に示すように、位置決め手段20と着脱領域P1との間には、位置決め手段20から着脱領域P1に位置する保持手段20に被加工物を搬送する第1搬送手段16が配設されている。また、洗浄手段18と着脱領域P1との間には、着脱領域P1に位置する保持手段20から洗浄手段18に被加工物を搬送する第2搬送手段17が配設されている。第1搬送手段16及び第2搬送手段17は、被加工物を吸着する吸着パッド16a、17aをそれぞれ備えている。
As shown in FIG. 1, between the positioning means 20 and the attachment / detachment area P1, a first transfer means 16 for transferring the workpiece from the positioning means 20 to the
図1に示す切削手段30は、Z軸方向に延びるスピンドルハウジング31と、スピンドルハウジング32を保持する保持具32と、スピンドルハウジング31に回転可能に支持されたスピンドル34と、スピンドル34の上端に連結されたサーボモータ33と、スピンドル34の下部に取り付けられたバイトホイール35と、バイトホイール35に着脱可能に装着されたバイト36とを備える。バイトホイール35は、保持テーブル21の保持面22と平行な面上を回転することができる。図示していないが、バイトホイール35の下部には切削水を流出させる流出部が形成されている。
The cutting means 30 shown in FIG. 1 is connected to a
切削手段30は、立設基台12の側部において送り手段40を介して支持されている。送り手段40は、Z軸方向に延びるボールスクリュー41と、ボールスクリュー41と平行に配設された一対のガイドレール42と、ボールスクリュー41の一端に接続されたモータ43と、ボールスクリュー41の他端に接続されたボールスクリュー受部材46と、バイト36の高さ位置を制御するための昇降基台44と、保持具32を介して切削手段30を支持する支持部材45とを備えている。昇降基台44の一方の面には、一対のガイドレール42が摺接し、中央部分に図示しないナット構造が形成されており、当該ナット構造にボールスクリュー41が螺合している。そして、モータ43によって回転駆動されたボールスクリュー41が回動することにより、昇降基台44がガイドレール42にガイドされてZ軸方向に移動し、併せて切削手段30をZ軸方向に昇降させることができる。
The
以下においては、図1に示したバイト切削装置10を用いた加工方法の一例について説明する。
Below, an example of the processing method using the
図3に示すウェーハ1は、その表面2aに、格子状に形成されたストリート4によって複数のデバイス3が区画されている。また、ウェーハ1の外周の一端部には、結晶方位を識別するためのマークであるノッチ6が形成されている。デバイス3の表面には、部分拡大図で示すように、複数の突起状の電極であるバンプ5が形成されている。図4に示すように、バンプ5は、表面2aから突出するように形成されており、バンプ5の高さがそれぞれ不均一となっている場合がある。バンプの表面2aからの突出量は、例えば50〜100μmほどである。
The wafer 1 shown in FIG. 3 has a plurality of
(1)保護テープ貼着ステップ
ウェーハ1の表面には、図5に示すように、保護テープ7が貼着される。この保護テープ7は、基材層8と糊層9とから構成され、基材層8の下面側に糊層9が形成されている。基材層8は、ポリオレフィン基材、塩化ビニル基材、ペット(ポリエチレンテレフタラート)基材等からなり、100〜300μm程度の厚みを有する。一方、糊層9は、ゴム素材、アクリル素材等からなり、5〜100μm程度の厚みを有する。
(1) Protection Tape Affixing Step As shown in FIG. 5, the
ウェーハ1に対して保護テープ7を貼着する際には、図5に示すように、保護テープ7の糊層9側をウェーハ1の表面2a側に向けて矢印B方向に下降させ、ウェーハ1に糊層9を貼りつける。そうすると、図6に示すように、ウェーハ1の表面2aに保護テープ7が貼着されて、ウェーハ1と保護テープ7とが一体となった状態になる。ウェーハ1に保護テープ7が貼着されると、図4に示したバンプ5が糊層9に完全に埋まらない限りは、図7に示すように、バンプ5の突出分だけ保護テープ7の基材層8の表面に凸部8aが盛り上がり、保護テープ7は凸凹形状となる。このようにして表面2aに保護テープ7が貼着されたウェーハ1は、図1に示した供給カセット13に複数収容される。
When adhering the
(2)保持ステップ
保護テープ貼着ステップが実施された後、保護テープ7が貼着されたウェーハ1は、搬送ロボット14によって供給カセット13から搬出されて位置決め手段20に搬送され、位置決めピン15aが互いが近づく方向に移動することによりウェーハ1が一定の位置に位置決めされた後、第1搬送手段16によって着脱位置P1に待機する保持テーブル21の上方に移動する。そして、図8(a)に示すように、ウェーハ1の裏面2b側を保持テーブル21の保持面22に向けて、矢印C方向に下降させ、ウェーハ1を保持テーブル21に載置し、図示しない吸引源から発生する吸引力によって、ウェーハ1の裏面2b側を保持面22に吸着させる。その結果、図8(b)に示すように、ウェーハ1は、ウェーハ1に貼着された保護テープ7の基材層8側が上方に露出した状態で保持される。
(2) Holding step After the protective tape attaching step is performed, the wafer 1 to which the
(3)平坦化ステップ
保持ステップを実施した後は、図1に示す保持手段20を移動手段50によりY軸方向の矢印A1方向に移動させ、保持テーブル21を切削領域P2に位置付ける。具体的には、図2に示す移動手段50のモータ56が駆動を開始し、モータ56によって回転駆動されたボールスクリュー54が回動することにより、移動基台51がガイドレール55にガイドされてY軸方向に移動し、併せて保持手段テーブル21をY軸方向に移動させ、切削領域P2に到達させる。
(3) Flattening Step After performing the holding step, the holding means 20 shown in FIG. 1 is moved by the moving means 50 in the direction of the arrow A1 in the Y-axis direction, and the holding table 21 is positioned in the cutting region P2. Specifically, the
一方、切削手段30のバイトホイール35も保護テープ7を切削できる所定高さ位置に位置付ける。具体的には、図1に示す送り手段40のモータ43によって回転駆動されたボールスクリュー41が回動することにより、昇降基台44がガイドレール42にガイドされてZ軸方向に移動し、併せてバイトホイール35をZ軸方向に移動させ、バイト36を所定の高さ位置に位置させる。
On the other hand, the
そして、図9に示すように、バイトホイール35を回転させながら、図2に示した移動手段50によって保持テーブル21を矢印A1方向に移動させて保持テーブル21と回転するバイトホイール35とをY軸方向に相対移動させ、保持テーブル21の保持面22と平行な方向に円運動するバイト36を保護テープ7の基材層8に切り込ませて切削する。このとき、例えば基材層8の厚みの半分ぐらいが除去されるように切削を行う。切削中は、バイト36と基材層8との接触部に切削水を供給する。このようにして切削を行うと、図7に示した凸部8aが削り取られ、基材層8の表面が平坦化される。基材層8の当初の厚みが300μmである場合には、その半分である150μm程度削り取る。その結果、図7に示した凸部8aが削り取られ、図10に示すように、平坦化される。なお、バイトホイール35の直径は、8インチが望ましく、バイトホイール35の回転速度は、例えば3000[RPM](周速1914[m/min.])以上に設定されることが望ましい。
9, while the
切削時には、糸状の保護テープ屑が発生するが、バイトホイール35の周速を1914m/min.以上とすると、保護テープ屑が保護テープ7上に残存しないとともに、図10に示すように保護テープ7の高さを揃えることができる。
When cutting, thread-like protective tape waste is generated, but the peripheral speed of the
こうして保護テープ7の切削が終了すると、保持手段20が図1に示す矢印A2方向に移動し、着脱領域P1に戻る。そして、保護テープ7が貼着されたウェーハ1は、第2搬送手段17の吸着パッド17aに吸着されて洗浄手段18に搬送され、洗浄及び乾燥が行われた後、搬送ロボット14のハンド14bに保持されて回収カセット19に収容される。
When the cutting of the
保護テープ屑が保護テープ7上に残存しないことにより、保護テープ屑がウェーハ1の裏面2b側に回り込むこともなくなるため、第2搬送手段17の吸着パッド17aや、搬送ロボット14のハンド14bに保護テープ屑が付着してウェーハの搬送不良を生じさせることがなく、搬送不良に起因するウェーハの破損も防止することができる。
Since the protective tape debris does not remain on the
(4)薄化ステップ
平坦化ステップによって保護テープ7の平坦化を実施した後、被加工物を所定の厚みへと薄化する。被加工物の薄化には、例えば図11に示す薄化装置60を使用することができる。
(4) Thinning step After the
この薄化装置60は、被加工物を保持する保持テーブル60aと、保持テーブル60aに保持された被加工物を研削する研削手段60bとを備えている。保持テーブル60aは、その表面に被加工物を保持する保持部66を備えており、回転可能となっている。研削手段60bは、垂直方向の軸心を有するスピンドル61と、スピンドル61の下端にマウント63を介して装着された研削ホイール64とから構成される。研削ホイール64は、ボルト62によってマウント63に固定される。研削ホイール64の下部には、複数の研削砥石65が環状に固着されている。また、研削ホイール64は、スピンドル61の回転にともなって回転する構成となっている。
The thinning
薄化装置60においては、保持テーブル60aにおいてウェーハ1に貼着された保護テープ7側を保持してウェーハ1の裏面2bが上方に露出した状態とする。そして、保持テーブル60aを矢印D方向に回転させるとともに、スピンドル61を矢印E方向に回転させながら研削手段60bを下降させ、回転する研削砥石65を回転するウェーハ1の裏面2bに接触させ、裏面2bを研削し、ウェーハ1を薄化する。研削中は、研削砥石65がウェーハ1の回転中心を通過するようにする。ウェーハ1が所望の厚みに薄化された時点で研削手段60bを上昇させて研削を終了する。
In the thinning
平坦化ステップにおいて保護テープ7の基材層8が平坦化され、保護テープ屑が保護テープ7上に残存していないため、薄化ステップでは、平坦化された基材層8側を保持テーブル60aにおいて保持してウェーハ1の裏面2bを研削することにより、裏面2bを平坦に研削することができ、ウェーハの割れ等を防止することができる。
In the flattening step, the
図1に示したバイト切削装置10を使用し、様々な条件の下で保護テープ7の切削を行い、保護テープ屑の残存状況を目視で確認した。条件は以下の(1)〜(4)に示すとおりである。
(1)バイトホイールのホイール径:φ8インチ
(2)バイトホイール回転速度(回転周速):
ア 2000rpm(1276m/min.)
イ 2500rpm(1595m/min.)
ウ 3000rpm(1914m/min.)
エ 3500rpm(2233m/min.)
(3)保護テープ基材:
ア ポリオレフィン基材
イ 塩化ビニル基材
ウ ペット基材
(4)送りピッチ:
送りピッチ20,30,40,50,60,70,80,90,100,110,120,130,140,150,160[μm]でそれぞれ切削を行った。送りピッチは、バイトホイール35の1回転当たりにおける保持テーブル21とバイトホイール35とのY方向相対移動距離である。
Using the
(1) Wheel diameter of bite wheel: φ8 inch (2) Bite wheel rotation speed (rotational peripheral speed):
Oh, 2000rpm (1276m / min.)
A 2500rpm (1595m / min.)
C) 3000 rpm (1914 m / min.)
D 3500rpm (2233m / min.)
(3) Protective tape substrate:
A Polyolefin base material B Vinyl chloride base material C Pet base material (4) Feed pitch:
Cutting was performed at feed pitches of 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 110, 120, 130, 140, 150, and 160 [μm]. The feed pitch is a Y-direction relative movement distance between the holding table 21 and the
バイトホイール35の回転速度を上記ア(2000rpm(1276m/min.))及びイ(2500rpm(1595m/min.))に設定した場合には、保護テープの基材及び送りピッチをいずれにした場合においても、ウェーハ上に糸状の保護テープ屑の残存が確認された。
When the rotation speed of the
バイトホイール35の回転速度をウ(3000rpm(1914m/min.))及びエ(3500rpm(2233m/min.))に設定し、送りピッチを70μm以下に設定した場合では、保護テープ基材の種類によっては、微小な保護テープ屑の残存が確認されたものの、ウェーハ自体を破損させたり、ウェーハの搬送不良を発生させたりするなどの問題にまでは至らないことが確認された。
When the rotation speed of the
バイトホイール35の回転速度をウ(3000rpm(1914m/min.))及びエ(3500rpm(2233m/min.))に設定し、送りピッチを80μm以上に設定した場合は、いずれの保護テープ基材においても、ウェーハ上に保護テープ屑の残存は確認されなかった。
When the rotational speed of the
以上の実験結果が示すように、バイトホイール35が高周速で回転することにより、バイトホイール35に連れ回る流体、例えば、空気や切削水の圧力や遠心力によって保護テープ屑が被加工物上から除去されやすくなることが確認できた。したがって、バイトホイール35の回転速度を3500rpm(周速2233m/min.)以上にすると、さらに保護テープ屑の残存を効果的に防止することができる。
As the above experimental results show, when the
また、送りピッチが大きくなると、バイト切削により発生する保護テープ屑が大きくなるため、被加工物上から除去されやすい。したがって、送りピッチは、80μm以上に設定することが望ましい。一方で、送りピッチ160μmでは、どの保護テープ基材、どの回転数においても、ウェーハの切削面の平坦度が悪化した。したがって、送りピッチは、80μm以上150μm以下に設定することが望ましい。 Further, when the feed pitch is increased, the protective tape waste generated by the cutting of the cutting tool is increased, so that it is easily removed from the workpiece. Therefore, it is desirable to set the feed pitch to 80 μm or more. On the other hand, at a feed pitch of 160 μm, the flatness of the cutting surface of the wafer deteriorated at any protective tape substrate and at any number of rotations. Therefore, it is desirable to set the feed pitch to 80 μm or more and 150 μm or less.
1:ウェーハ
2a:表面 2b:裏面
3:デバイス 4:ストリート 5:バンプ 6:ノッチ
7:保護テープ 8:基材層 9:糊層
10:バイト切削装置
11:基台 12:立設基台 13:供給カセット
14:被加工物搬送ロボット 14a:アーム 14b:ハンド
15:位置決め手段 15a:位置決めピン
16:第1搬送装置 16a:吸着パッド
17:第2搬送装置 17a:吸着パッド
18:洗浄装置 19:回収カセット
20:保持手段 21:保持テーブル 22:保持面 23:軸部 24:支持基台
25:昇降駆動部
30:切削手段
31:スピンドルハウジング 32:保持具 33:サーボモータ 34:スピンドル
35:バイトホイール 36 バイト
40:送り手段
41:ボールスクリュー 42:ガイドレール 43:モータ
44:昇降基台 45:支持部材 46:ボールスクリュー受部材
50:移動手段
51:移動基台 52:カバー 54:ボールスクリュー 55:ガイドレール
56:モータ 57:ボールスクリュー受部材
60:薄化装置
60a:保持テーブル
60b:研削手段
61:スピンドル 62:ボルト 63:マウント 64:研削ホイール
65:研削砥石 66:保持部
1:
Claims (2)
被加工物に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
該保護テープ貼着ステップを実施した後、該保護テープが露出するように被加工物を該保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、回転する該バイトホイールを所定高さに位置付けるとともに該移動手段が該保持テーブルと該バイトホイールとを相対移動させることで、被加工物に貼着された該保護テープを該バイトホイールで切削して平坦化する平坦化ステップと、を備え、
該平坦化ステップでは該バイトホイールの回転速度は周速1914m/min.以上に設定されることに特徴を有する加工方法。 A holding table having a holding surface for holding a workpiece, a bite wheel that rotates on a plane parallel to the holding surface to cut the workpiece held by the holding table, and the bit that rotates with the holding table A processing method for flattening a protective tape attached to a workpiece using a cutting tool provided with a moving means for moving the wheel relative to the workpiece,
A protective tape attaching step for attaching a protective tape to the workpiece;
A holding step of holding the workpiece with the holding table so that the protective tape is exposed after performing the protective tape attaching step;
After carrying out the holding step, the rotating tape tool is positioned at a predetermined height, and the moving means moves the holding table and the tool wheel relative to each other so that the protective tape is attached to the workpiece. And a flattening step for flattening by cutting with the bite wheel,
In the flattening step, the rotational speed of the bite wheel is 1914 m / min. A processing method characterized by being set as described above.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011158895A JP5890977B2 (en) | 2011-07-20 | 2011-07-20 | Processing method |
TW101120447A TWI534879B (en) | 2011-07-20 | 2012-06-07 | Processing method |
KR1020120078181A KR101825751B1 (en) | 2011-07-20 | 2012-07-18 | Machining method |
CN201210253593.3A CN102886829B (en) | 2011-07-20 | 2012-07-20 | Processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011158895A JP5890977B2 (en) | 2011-07-20 | 2011-07-20 | Processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013026380A true JP2013026380A (en) | 2013-02-04 |
JP5890977B2 JP5890977B2 (en) | 2016-03-22 |
Family
ID=47530610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011158895A Active JP5890977B2 (en) | 2011-07-20 | 2011-07-20 | Processing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5890977B2 (en) |
KR (1) | KR101825751B1 (en) |
CN (1) | CN102886829B (en) |
TW (1) | TWI534879B (en) |
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TWI534879B (en) | 2016-05-21 |
CN102886829A (en) | 2013-01-23 |
KR20130011945A (en) | 2013-01-30 |
CN102886829B (en) | 2016-05-11 |
TW201308415A (en) | 2013-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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