JP2012516941A - 電池およびウルトラキャパシタ用の銅、スズ、銅スズ、銅スズコバルト、および銅スズコバルトチタンの三次元多孔質電極 - Google Patents

Abstract

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。

Description

本発明の実施形態は、一般的に、エネルギー貯蔵デバイスを形成する方法に関するものである。より具体的には、本明細書で説明されている実施形態は、電池および電気化学キャパシタを形成する方法に関するものである。

スーパーキャパシタおよびリチウム（Ｌｉ）イオン電池などの急速充電大容量エネルギー貯蔵デバイスは、携帯型電子機器、医療、輸送、グリッド接続された大エネルギー貯蔵装置、再生可能エネルギー貯蔵装置、および無停電電源装置（ＵＰＳ）を含む、増える一方のさまざまな用途に使用されている。現代的な再充電可能なエネルギー貯蔵デバイスでは、集電体は導電体から作られる。正集電体（カソード）用の材料の例としては、アルミニウム、ステンレス鋼、およびニッケルが挙げられる。負集電体（アノード）用の材料の例としては、銅（Ｃｕ）、ステンレス鋼、およびニッケル（Ｎｉ）が挙げられる。このような集電体は、一般的に約６から５０μｍまでの範囲の厚さを有する箔、薄膜、または薄板の形態とすることができる。

Ｌｉ−イオン電池の正極の活性電極材料は、典型的には、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４、ＬｉＣｏＯ_２などのリチウム遷移金属酸化物、およびＮｉまたはＬｉ酸化物の組み合わせから選択され、炭素もしくはグラファイトなどの導電性粒子、およびバインダー材料を含む。このような正極材料は、リチウム層間化合物と考えられ、導電性材料の量は、重量で０．１％から１５％までの範囲内である。

グラファイトは、通常、負極の活性電極材料として使用され、約１０μｍの直径を有するＭＣＭＢで構成されるリチウム層間メソカーボンマイクロビーズ（ＭＣＭＢ）粉末の形態とすることができる。リチウム層間ＭＣＭＢ粉末は、ポリマーバインダーマトリックス中に分散される。バインダーマトリックスのポリマーは、ゴム弾性を持つポリマーを含む熱可塑性ポリマーから作られる。ポリマーバインダーは、クラック形成を妨げ、ＭＣＭＢ粉末が集電体の表面上で崩れるのを防ぐことを目的としてＭＣＭＢ材料粉末を結合するために使用される。ポリマーバインダーの量は、重量で２％から３０％までの範囲内である。

Ｌｉ−イオン電池のセパレータは、典型的には、微多孔質ポリエチレンおよびポリオレフィンから作られ、独立した製造工程で施される。

大半のエネルギー貯蔵用途にとって、エネルギー貯蔵デバイスの充電時間および容量は重要なパラメータである。それに加えて、そのようなエネルギー貯蔵デバイスのサイズ、重量、および／または費用は、大きな制限要因となりうる。エネルギー貯蔵デバイスにおける導電性粒子およびＭＣＭＢ粉末ならびに関連するバインダー材料の使用には、多くの欠点が関わってくる。つまり、そのような材料は、そのような材料から作製される電極の最小サイズを制限し、エネルギー貯蔵デバイス内に都合の悪い内部抵抗をもたらし、複雑な折衷的製造方法を必要とするということである。

そこで、当技術分野では、より小さく、より軽量で、よりコスト効率よく製造することができる、より高速な充電を行う、より大容量のエネルギー貯蔵デバイスが要求される。

本明細書で説明されている実施形態は、一般的に、エネルギー貯蔵デバイスを形成する方法に関するものである。より具体的には、本明細書で説明されている実施形態は、電池および電気化学キャパシタを形成する方法に関するものである。一実施形態では、電気化学セル用の多孔質電極を形成する方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を被着させることと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を被着させることとを含む。

他の実施形態では、電気化学セル用の多孔質三次元電極微細構造を形成する方法が提供される。この方法は、メッキ溶液中に基板を位置決めすることと、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を被着させることと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に多孔質導電性樹枝状構造を被着させることとを含む。

さらに他の実施形態では、電池または電気化学キャパシタが実現される。電池または電気化学キャパシタは、セパレータ、集電体、および多孔質電極を備える。多孔質電極は、柱状金属層および柱状金属層の上に形成される三次元金属多孔質樹枝状構造を備える。

さらに他の実施形態では、垂直配向フレキシブル基板を加工するための基板加工システムが提供される。基板加工システムは、垂直配向導電性基板の一部の上に第１の導電性材料を備える導電性微細構造をメッキするように構成された第１のメッキチャンバーと、第１のメッキチャンバーに隣接して配置されて残留メッキ溶液を垂直配向導電性基板の一部分からすすぎ液ですすぎ落とすように構成された第１のすすぎチャンバーと、第１のすすぎチャンバーに隣接して配置されて導電性微細構造の上に第２の導電性材料を被着させるように構成された第２のメッキチャンバーと、残留メッキ溶液を垂直配向導電性基板の一部分からすすぎ落とすように構成された第２のメッキチャンバーに隣接して配置される第２のすすぎチャンバーと、これらのチャンバーの間で垂直配向フレキシブル基板を移送するように構成された基板移送メカニズムとを備え、これらのチャンバーのそれぞれは、加工用容積、加工用容積の外に配置され、垂直配向フレキシブルベースの一部を保持するように構成された送りロール、および加工用容積の外に配置され、垂直配向フレキシブルベースの一部を保持するように構成された巻き取りロールを備え、基板移送メカニズムは、送りロールおよび巻き取りロールを作動させて垂直配向フレキシブル基板をそれぞれのチャンバーに出し入れし、それぞれのチャンバーの加工用容積内に垂直配向フレキシブル基板を留めるように構成される。

そこで、本発明の上記の特徴が詳細に理解できるように、上で簡単にまとめた、本発明のより具体的な説明を、添付図面に一部が例示されている実施形態を参照しつつ提示することができる。しかし、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを例示しているので、本発明の範囲を制限するものとみなされず、したがって本発明は他の同様に効果的な実施形態を認めることができることに留意されたい。

本明細書で説明されている実施形態によるリチウムイオン電池セルの簡略化概略図である。 本明細書で説明されている実施形態により負荷に電気的に接続されている片面Ｌｉ−イオン電池セル二重層の簡略化概略図である。 本明細書で説明されている実施形態によりアノードを形成するための方法の流れ図である。 本明細書で説明されている実施形態によりアノードを形成する方法の流れ図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 は、本明細書で説明されている実施形態により形成されたアノードの概略断面図である。 本明細書で説明されている実施形態によるメッキシステムの一実施形態の概略図である。 本明細書で説明されている実施形態による垂直加工システムの一実施形態の概略図である。 本明細書で説明されている実施形態により被着された三次元メッキ電極の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像の図である。 本明細書で説明されている実施形態により被着された三次元メッキ電極のＳＥＭ画像の図である。 Ａ〜Ｄは、本明細書で説明されている実施形態により被着された三次元メッキ電極のＳＥＭ画像の図である。 メッキされた銅スズのＸ線回折（ＸＲＤ）スペクトルおよび銅−スズ相図である。 理解しやすくするために、同一の参照番号を使用し、これらの図に共通の同一の要素をできる限り指定する。一実施形態の要素および／またはプロセス工程は、有利には、さらに詳述しなくても、他の実施形態に組み込むことができると考えられる。

本明細書で説明されている実施形態は、一般的に、電池または電気化学キャパシタにおいて有用な電極構造、および耐用年数が向上し、生産コストが低減され、プロセス性能が改善されているそのような電極構造を形成する方法に関する。本明細書で説明されている実施形態は、一般的に、表面積を増やした多孔質三次元電極構造を備える。一実施形態では、電極構造は、柱状金属層および柱状金属層の上に形成される三次元金属多孔質導電性樹枝状構造を備える。本明細書で説明されている一実施形態は、柱状金属層を被着させ、所望の被着形態をとるためにメッキ表面における電解質化学反応、印加電圧、印加電流、および／または流体動的特性などの電気化学プロセスパラメータを調整することによってもたらされる拡散律速電気化学蒸着プロセスにより柱状金属層上に三次元金属多孔質樹枝状構造を被着させることによって多孔質電極構造を形成する方法である。

望ましいメッキされた薄膜形態または薄膜特性を得るために、多くの場合、拡散境界層を低減することによって、または電解質浴内の金属イオン濃度を高めることによってカソード（例えば、シード層表面）の近くの金属イオンの濃度を高くすることが望ましい。拡散境界層は、流体力学的境界層に強く関係付けられていることに留意されたい。金属イオン濃度が低すぎ、および／または拡散境界層が所望のメッキ速度で大きすぎる場合、限界電流（ｉ_Ｌ）に到達する。限界電流に達したときになされる拡散律速メッキプロセスは、より多くの電力（例えば、電圧）をカソード（例えば、金属化基板表面）に印加することによってメッキ速度の上昇を防ぐ。限界電流に達したときに、ガスの発生と物質移動律速プロセスにより結果として生じる樹枝状薄膜成長とにより低密度柱状薄膜が形成される。

本明細書で説明されている実施形態を実施することができる特定の装置には制限はないが、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）によって販売されているウェブベースのロールツーロールシステム上でこれらの実施形態を実施することは特に有益である。本明細書で説明されている実施形態を実施することができる例示的なロールツーロールの個別基板システムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、米国仮特許出願第６１／２４３，８１３号（整理番号ＡＰＰＭ／０１４０４４／ＡＴＧ／ＡＴＧ／ＥＳＯＮＧ）、名称「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＦＯＲＭＩＮＧ ＥＮＥＲＧＹ ＳＴＯＲＡＧＥ ＯＲ ＰＶ ＤＥＶＩＣＥＳ ＩＮ Ａ ＬＩＮＥＡＲ ＳＹＳＴＥＭ」、および米国特許出願第１２／６２０，７８８号（整理番号ＡＰＰＭ／０１２９２２／ＥＥＳ／ＡＥＰ／ＥＳＯＮＧ）、名称「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＦＯＲＭＩＮＧ ３Ｄ ＮＡＮＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＥＬＥＣＴＲＯＤＥ ＦＯＲ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ ＢＡＴＴＥＲＹ ＡＮＤ ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ」においてさらに詳しく説明されている。

図１Ａは、本明細書で説明されている実施形態により負荷１０９に電気的に接続されているＬｉ−イオン電池１００の概略図である。Ｌｉ−イオン電池１００の主機能コンポーネントは、集電体１０１、アノード構造１０２、カソード構造１０３、セパレータ１０４、および電解質（図示せず）を含む。電解質は、アノード構造１０２、カソード構造１０３、およびセパレータ１０４内に収納され、電解質として、有機溶媒中のリチウム塩などの、さまざまな材料を使用することができる。動作時に、Ｌｉ−イオン電池１００は、図１Ａに示されているように、アノード構造１０２およびカソード構造１０３が負荷１０９に電気的に結合されたときに電気エネルギーを供給する、つまり、放電する。電子が、集電体１０１から、負荷１０９を通って、カソード構造１０３の集電体１１３に流れ、リチウムイオンが、アノード構造１０２から、セパレータ１０４を通って、カソード構造１０３内に流れ込む。

図１Ｂは、本明細書で説明されている一実施形態により、アノード構造１２２ａ、１２２ｂが負荷１２１に電気的に接続されている片面Ｌｉ−イオン電池セル二重層１２０の概略図である。片面Ｌｉ−イオン電池セル二重層１２０は、図１Ａに描かれているＬｉ−イオン電池１００と同様の機能を持つ。Ｌｉ−イオン電池セル二重層１２０の主機能コンポーネントは、アノード構造１２２ａ、１２２ｂ、カソード構造１２３ａ、１２３ｂ、セパレータ層１２４ａ、１２４ｂ、および集電体１３１ａ、１３１ｂ、１３３ａ、および１３３ｂの間の領域内に配置される電解質（図示せず）を含む。Ｌｉ−イオン電池セル１２０は、集電体１３１ａ、１３１ｂ、１３３ａ、および１３３ｂ用のリードを備える好適なパッケージ内に電解質とともに密封されている。アノード構造１２２ａ、１２２ｂ、カソード構造１２３ａ、１２３ｂ、および流体浸透性セパレータ層１２４ａ、１２４ｂは、集電体１３１ａおよび１３３ａとの間に形成される領域および集電体１３１ｂと１３３ｂとの間に形成される領域内において電解質中に浸漬される。絶縁体層１３５は、集電体１３３ａと集電体１３３ｂとの間に配置される。

アノード構造１２２ａ、１２２ｂおよびカソード構造１２３ａ、１２３ｂはそれぞれ、Ｌｉ−イオン電池セル１２０の半セルとして使用され、一緒に合わさって、Ｌｉ−イオン電池１２０の完全な稼働する二層セルを形成する。アノード構造１２２ａ、１２２ｂはそれぞれ、金属集電体１３１ａ、１３１ｂおよび第１の電解質含有材料１３４ａ、１３４ｂを備える。同様に、カソード構造１２３ａ、１２３ｂは、それぞれ集電体１３３ａおよび１３３ｂ、ならびにリチウムイオンを保持するための、金属酸化物などの、第２の電解質含有材料１３２ａ、１３２ｂを備える。集電体１３１ａ、１３１ｂ、１３３ａ、および１３３ｂは、金属などの導電性材料から作られる。いくつかの場合において、絶縁性を有する多孔質の流体浸透層、例えば、誘電体層である、セパレータ層１２４ａ、１２４ｂを使用して、アノード構造１２２ａ、１２２ｂとカソード構造１２３ａ、１２３ｂの成分同士の直接的電気的接触を防ぐことができる。

Ｌｉ−イオン電池１００のカソード側、つまり正極の電解質含有多孔質材料は、二酸化コバルトリチウム（ＬｉＣｏＯ_２）または二酸化マンガンリチウム（ＬｉＭｎＯ_２）などの、リチウム含有金属酸化物を含むものとしてよい。電解質含有多孔質材料は、酸化コバルトリチウムなどの層状酸化物、またはリン酸鉄リチウムなどのかんらん石、または酸化マンガンリチウムなどのスピネルから作ることができる。非リチウム実施形態では、例示的なカソードは、ＴｉＳ_２（二硫化チタン）から作ることができる。例示的なリチウム含有酸化物は、酸化コバルトリチウム（ＬｉＣｏＯ_２）などの層状酸化物、またはＬｉＮｉ_ｘＣｏ_１−２ｘＭｎＯ_２、ＬｉＮｉ_０．５Ｍｎ_１．５Ｏ_４、Ｌｉ（Ｎｉ_０．８Ｃｏ_０．１５Ａｌ_０．０５）Ｏ_２、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４などの混合金属酸化物とすることができる。例示的なリン酸塩として、鉄かんらん石（ＬｉＦｅＰＯ_４）であってよく、これは変形体（ＬｉＦｅ_１−ｘＭｇＰＯ_４など）、ＬｉＭｏＰＯ_４、ＬｉＣｏＰＯ_４、ＬｉＮｉＰＯ_４、Ｌｉ_３Ｖ_２（ＰＯ_４）_３、ＬｉＶＯＰＯ_４、ＬｉＭＰ_２Ｏ_７、またはＬｉＦｅ_１．５Ｐ_２Ｏ_７である。例示的なフルオロリン酸塩として、ＬｉＶＰＯ_４Ｆ、ＬｉＡｌＰＯ_４Ｆ、Ｌｉ_５Ｖ（ＰＯ_４）_２Ｆ_２、Ｌｉ_５Ｃｒ（ＰＯ_４）_２Ｆ_２、Ｌｉ_２ＣｏＰＯ_４Ｆ、またはＬｉ_２ＮｉＰＯ_４Ｆであってよい。例示的なケイ酸塩として、Ｌｉ_２ＦｅＳｉＯ_４、Ｌｉ_２ＭｎＳｉＯ_４、またはＬｉ_２ＶＯＳｉＯ_４であってよい。例示的な非リチウム化合物はＮａ_５Ｖ_２（ＰＯ_４）_２Ｆ_３である。

Ｌｉ−イオン電池１００のアノード側、つまり負極の電解質含有多孔質材料は、上述の材料、例えば、ポリマーマトリックス中に分散させた黒鉛粒子および／またはさまざまな微粉、例えば、マイクロスケールまたはナノスケールのサイズの粉末から作ることができる。それに加えて、ケイ素、スズ、またはチタン酸リチウム（Ｌｉ_４Ｔｉ_５Ｏ_１２）のマイクロビーズを、黒鉛マイクロビーズとともに使用し、または黒鉛マイクロビーズの代わりに使用して、導電性コアアノード材料を形成することができる。本明細書で説明されている実施形態は、図１Ａおよび１Ｂに描かれているＬｉ−イオン電池セルに限定されないことも理解されるであろう。アノード構造およびカソード構造を直列もしくは並列に接続することができることも理解されるであろう。

図２Ａは、本明細書で説明されている実施形態による多孔質三次元導電性電極を形成するためのプロセス２００の本明細書で説明されている一実施形態による流れ図である。図３Ａ〜３Ｆは、本明細書で説明されている実施形態により形成される多孔質三次元導電性電極の概略断面図である。プロセス２００は、プロセス工程２０２〜２１２を含み、そこでは、多孔質電極が基板３００上に形成される。一実施形態では、プロセス２００は、ロールツーロール製造プロセスとして実行されうる。第１のプロセス工程２０２は、基板３００を形成することを含む。一実施形態では、基板３００は、銅、アルミニウム、ニッケル、亜鉛、スズ、チタン、フレキシブル材料、ステンレス鋼、およびこれらの組み合わせを備えるか、またはこれらの材料からなる群から選択された材料を含むものとしてよい。一実施形態では、基板３００は、銅、アルミニウム、ニッケル、亜鉛、スズ、ステンレス鋼、およびこれらの組み合わせを備えるか、またはこれらの材料からなる群から選択された材料を含むフレキシブル基板である。一実施形態では、基板は、銅箔基板である。一実施形態では、基板３００は、基板上に被着された層を有する。一実施形態では、層は、銅、チタン、クロム、その合金、およびこれらの組み合わせを備えるか、またはこれらの材料からなる群から選択される。

フレキシブル基板は、ポリイミド（例えば、ＤｕＰｏｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社のＫＡＰＴＯＮ（商標））、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアクリレート、ポリカーボネート、シリコーン、エポキシ樹脂、シリコーン官能化エポキシ樹脂、ポリエステル（例えば、Ｅ．Ｉ． ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆ Ｃｏ．社のＭＹＬＡＲ（商標））、Ｋａｎｅｇａｆｔｉｇｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｃｏｍｐａｎｙ社製造のＡＰＩＣＡＬ ＡＶ、ＵＢＥ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｌｔｄ．社製造のＵＰＩＬＥＸ、Ｓｕｍｉｔｏｍｏ社製造のポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（例えば、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｍｐａｎｙ社のＵＬＴＥＭ）、およびポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）などのポリマー材料から作製することができる。いくつかの場合において、基板は、絶縁コーティングを配置したステンレス鋼などの金属箔から作製することができる。あるいは、フレキシブル基板は、ポリマーコーティングで強化された比較的薄いガラスから作製することができる。

一実施形態では、基板は、表面積を増やすために基板の表面を化学処理することによって粗面化することができる。

第２のプロセス工程２０４は、バリア層および／または接着層３０２を基板の上に適宜被着させることを含む。バリア層３０２を被着させて、バリア層の上のその後被着された材料が下にある基板内に拡散することを防ぐか、または阻害することができる。一実施形態では、バリア層は、バリア−接着層または接着−剥離層などの複数の層を含む。バリア層材料の例として、クロム、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ_ｘ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ_ｘ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ_ｘ）、これらの合金、およびこれらの組み合わせなどの高融点金属および高融点金属窒化物が挙げられる。バリア層の他の例として、窒素を充填したＰＶＤチタン、ドープシリコン、アルミニウム、アルミニウム酸化物、窒化ケイ素チタン、窒化ケイ素タングステン、およびこれらの組み合わせが挙げられる。例示的なバリア層およびバリア層蒸着技術は、本明細書で説明されている実施形態と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれている、２００２年１月２８日に出願した米国特許出願公開第２００３／０１４３８３７号、名称「Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ Ａ Ｃａｔａｌｙｔｉｃ Ｓｅｅｄ Ｌａｙｅｒ」においてさらに説明されている。

バリア層は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、無電解電着法、蒸発、または分子線エピタキシーによって被着されうる。バリア層は、同じ技術、または技術の組み合わせによって、個別に、または順次的に被着された多層薄膜であってもよい。

バリア層の被着に適している物理的気相成長法は、高密度プラズマ物理的気相成長（ＨＤＰ ＰＶＤ）またはコリメータもしくはロングスロースパッタリングなどの技術を含む。ＨＤＰ ＰＶＤの一種は、イオン化金属プラズマ物理的気相成長（ＩＭＰ ＰＶＤ）である。バリア層のＩＭＰ ＰＶＤを実行できるチャンバーの一例は、ＩＭＰ ＶＥＣＴＲＡ（商標）チャンバーである。チャンバーおよびプロセスレジームは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）から市販されている。一般的に、ＩＭＰ ＰＶＤは、スパッタリングされた材料の層を基板上に被着させるために金属ターゲットからスパッタリングされる材料のかなりの部分をイオン化することを伴う。チャンバー内のコイルに供給される電力は、スパッタリングされた材料のイオン化を増強する。イオン化により、スパッタリングされた材料をバイアスされた基板表面へ、実質的に垂直な方向に引き付け、高いアスペクト比の特徴の上に適切なステップカバレッジを設けて材料の層を被着させることができる。チャンバーは、金属窒化物の被着のため窒素などの反応性処理ガスも収容することができる。物理的気相成長を使用するバリア層の被着のための例示的なプロセスは、本発明に矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれている、米国特許第６，４３６，２６７号として発行されている、２０００年８月２９日に出願した同時係属の米国特許出願第０９／６５０，１０８号、名称「Ｍｅｔｈｏｄ Ｆｏｒ Ａｃｈｉｅｖｉｎｇ Ｃｏｐｐｅｒ Ｆｉｌｌ Ｏｆ Ｈｉｇｈ Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｆｅａｔｕｒｅｓ」にさらに詳しく説明されている。

バリア層の化学気相成長を実行できるチャンバーの一例は、ＣＶＤ ＴｘＺ（商標）チャンバーである。チャンバーおよびプロセスレジームは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）から市販されている。一般的に、化学気相成長は、金属前駆体をチャンバー内に流すことを伴う。金属前駆体は化学反応を起こして、金属薄膜を基板表面上に被着させる。化学気相成長は、プラズマを使用して金属薄膜を基板表面上に被着させる作業を支援することをさらに含むことができる。金属前駆体からバリア層を被着させるための例示的なプロセスは、本発明に矛盾しない範囲で両方とも参照により本明細書に組み込まれている、２００４年６月１日に米国特許第６，７４３，４７３号として発行された、２０００年２月１６日に出願した同時係属の米国特許出願第０９／５０５，６３８号、名称「Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｂａｒｒｉｅｒｓ Ｆｒｏｍ Ｎｏｖｅｌ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ」および２０００年３月１０日に出願した米国特許出願第０９／５２２，７２６号、名称「ＭＯＣＶＤ Ａｐｐｒｏａｃｈ Ｔｏ Ｄｅｐｏｓｉｔ Ｔａｎｔａｌｕｍ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｌａｙｅｒｓ」にさらに詳しく説明されている。それに加えて、ＰＶＤチャンバーおよび／またはＣＶＤチャンバーは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）からも市販されている、ＥＮＤＵＲＡ（商標）プラットフォームなどの、加工用プラットフォーム内に一体化することができる。

バリア層をロールツーロールで蒸発させることができる加工用具の一例は、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）から市販されているＳＭＡＲＴＷＥＢ（商標）真空ウェブコーターである。一般的に蒸発は、被着させる材料、または原材料をチャンバーまたはるつぼ内に入れ、真空環境において材料が蒸発するまで加熱することを伴う。加熱する方法の１つは、電子線を使用して材料を加熱することを伴う。高真空環境を使用すると、蒸気分子の平均自由行路が延長し、これにより、蒸気は衝突を最小限に抑えて蒸気が表面に当たり凝縮して薄膜を形成するまで直線路内を進行するようにできる。原材料から取り除く速度は、呼応して温度とともに変化する蒸気圧とともに変化する。例えば、一般的に温度の上昇に呼応する蒸気圧が上昇すると、原材料からの除去率も上昇する。蒸発法を使用して被着させることができる薄膜は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、これらの合金、これらの組み合わせ、および窒化チタン（ＴｉＮ）を含有する薄膜を含む。

第３のプロセス工程２０６は、基板３００の上にシード層３０４を適宜被着させることを含む。シード層３０４は、その後の材料の被着を補助する導電性金属を含む。シード層３０４は、好ましくは銅シード層またはその合金を含む。他の金属、特に貴金属も、シード層に使用することができる。シード層３０４は、物理的気相成長法、化学気相成長法、および無電解電着法を含む当技術分野で従来から知られている技術によってバリア層の上に蒸着することができる。

シード層の被着に適している物理的気相成長法は、高密度プラズマ物理的気相成長（ＨＤＰ ＰＶＤ）またはコリメータもしくはロングスロースパッタリングなどの技術を含む。ＨＤＰ ＰＶＤの一種は、イオン化金属プラズマ物理的気相成長（ＩＭＰ ＰＶＤ）である。シード層のイオン化金属プラズマ物理的気相成長を実行できるチャンバーの一例は、ＩＭＰ Ｖｅｃｔｒａ（商標）チャンバーである。チャンバーおよびプロセスレジームは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）から市販されている。ＰＶＤ法を使用するシード層の被着のための例示的なプロセスは、本発明に矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれている、２０００年８月２９日に出願した同時係属の米国特許出願第０９／６５０，１０８号、名称「Ｍｅｔｈｏｄ Ｆｏｒ Ａｃｈｉｅｖｉｎｇ Ｃｏｐｐｅｒ Ｆｉｌｌ Ｏｆ Ｈｉｇｈ Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｆｅａｔｕｒｅｓ」にさらに詳しく説明されている。シード層の化学気相成長を実行できるチャンバーの一例は、ＣＶＤ ＴｘＺ（商標）チャンバーである。チャンバーおよびプロセスレジームは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）からも市販されている。ＣＶＤ法を使用するシード層を被着させるための例示的なプロセスは、２００１年１月９日に発行された米国特許第６，１７１，６６１号、名称「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ Ｗｉｔｈ Ｉｎｃｒｅａｓｅｄ Ａｄｈｅｓｉｏｎ」においてより詳しく説明されている。

第４のプロセス工程２０８は、シード層３０４の上に柱状金属層３０６を形成することを含む。いくつかの実施形態では、柱状金属層３０６は、基板３００の表面上に直接形成される。柱状金属層３０６の形成は、水素が発生する結果として多孔質金属薄膜が形成されるプロセス条件を確立することを含む。一実施形態では、このようなプロセス条件は、拡散境界層を縮小することによってカソード（例えば、シード層表面）の近くの金属イオンの濃度を高めること、および電解質浴内の金属イオン濃度を高めることのうちの少なくとも一方を実行することによって達成される。拡散境界層は、流体力学的境界層に強く関係付けられていることに留意されたい。金属イオン濃度が低すぎ、および／または拡散境界層が所望のメッキ速度で大きすぎる場合、限界電流（ｉ_Ｌ）に到達する。限界電流に達したときになされる拡散律速メッキプロセスは、より多くの電力（例えば、電圧）をカソード（例えば、金属化基板表面）に印加することによってメッキ速度の上昇を防ぐ。限界電流に達したときに、ガスの発生と物質移動律速プロセスにより結果として生じる樹枝状薄膜成長とにより低密度柱状金属層３０６が形成される。

メッキ溶液：
柱状金属層３０６の形成は、一般的に、加工チャンバー内で行われる。本明細書で説明されているプロセス工程のうちの１つまたは複数を実行するように適合されうる加工チャンバーとして、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．社（カリフォルニア州サンタクララ所在）から市販されているＳＬＩＭＣＥＬＬ（登録商標）電気メッキチャンバーなどの、電気メッキチャンバーが挙げられうる。他のメーカーから市販されているものを含む、他の加工チャンバーおよびシステムも、本明細書で説明されている実施形態を実施するために使用できる。例示的な一加工システムとして、本明細書で説明されているロールツーロール加工システムが挙げられる。

加工チャンバーには、好適なメッキ溶液が入れられる。本明細書で説明されているプロセスとともに使用することができる好適なメッキ溶液として、金属イオン源、酸性溶液、および任意選択の添加剤を含む電解質溶液が挙げられる。

一実施形態では、平坦化能力を高めるために、工程２０８で使用されるメッキ溶液は、少なくとも１つまたは複数の酸性溶液を含む。好適な酸性溶液として、例えば、硫酸、リン酸、ピロリン酸、過塩素酸、酢酸、クエン酸、これらの組み合わせ、さらにはアンモニウムおよびアンモニウムのカリウム塩を含む酸電解質誘導体などの無機酸が挙げられる。

適宜、メッキ溶液は、１つまたは複数の添加剤化合物を含んでいてもよい。添加剤化合物として、限定はしないが、金属、つまり銅を基板表面に被着させるためのメッキ溶液の有効性を高めるためのサプレッサー、エンハンサー、レベラー、光沢剤、および安定剤が挙げられる。例えば、気泡形成のメカニズムを制御するために、いくつかの添加剤を使用することができる。いくつかの添加剤は、金属原子のイオン化率を下げて、溶解プロセスを抑制することができるが、他の添加剤は、完成した光沢のある基板表面を形成することができる。添加剤は、重量または体積で約１５％までの濃度でメッキ溶液中に存在していてもよく、メッキ後は所望の結果に基づいて変えてもよい。任意選択の添加剤として、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリエチレングリコール誘導体、ポリアミド、ポリエチレンイミドを含むポリイミド、ポリグリシン、２−アミノ−１−ナフタレンスルホン酸、３−アミノ−１−プロパンスルホン酸、４−アミノトルエン−２−スルホン酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸重合体、ポリカルボン酸塩共重合体、ココナッツジエタノールアミド、オレイン酸ジエタノールアミド、エタノールアミド誘導体、亜硫酸塩または二亜硫酸塩などの硫黄含有化合物、およびこれらの組み合わせが挙げられる。

一実施形態では、工程２０８で使用されるメッキ溶液中の金属イオン源は、銅イオン源である。一実施形態では、電解質中の銅イオンの濃度は、約０．１Ｍから約１．１Ｍまで、好ましくは約０．４Ｍから約０．９Ｍまでの範囲とすることができる。有用な銅供給源として、硫酸銅（ＣｕＳＯ_４）、塩化銅（ＣｕＣｌ_２）、酢酸銅（Ｃｕ（ＣＯ_２ＣＨ_３）_２）、ピロリン酸銅（Ｃｕ_２Ｐ_２Ｏ_７）、フルオロホウ酸銅（Ｃｕ（ＢＦ_４）_２）、これらの誘導体、これらの水和物、またはこれらの組み合わせが挙げられる。電解質組成物は、アルカリ銅メッキ浴（例えば、シアン化物、グリセリン、アンモニアなど）に基づくものでもよい。

一例では、電解質は、約２００から２５０ｇ／ｌまでの硫酸銅五水和物（ＣｕＳＯ_４・５（Ｈ_２Ｏ））、約４０から約７０ｇ／ｌまでの硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、および約０．０４ｇ／ｌの塩酸（ＨＣｌ）を含む水溶液である。いくつかの場合において、太陽電池用の金属接触構造を形成するのに必要な所有コストを低減するために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）または水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）などの低コストのｐＨ調整剤を添加して所望のｐＨを有する安価な電解質を形成することが望ましい。いくつかの場合において、ｐＨを調整するために水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用することが望ましい。

他の例では、電解質は、約２２０から２５０ｇ／ｌまでのフルオロホウ酸銅（Ｃｕ（ＢＦ_４）_２）、約２から約１５ｇ／ｌまでのテトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ_４）、および約１５から約１６ｇ／ｌまでのホウ酸（Ｈ_３ＢＯ_３）を含む水溶液である。いくつかの場合において、太陽電池用の金属接触構造を形成するのに必要な所有コストを低減するために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）または水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）などのｐＨ調整剤を添加して所望のｐＨを有する安価な電解質を形成することが望ましい。いくつかの場合において、ｐＨを調整するために水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用することが望ましい。

さらに他の例では、電解質は、約６０から約９０ｇ／ｌまでの硫酸銅五水和物（ＣｕＳＯ_４・５（Ｈ_２Ｏ））、約３００から約３３０ｇ／ｌまでのピロリン酸カリウム（Ｋ_４Ｐ_２Ｏ_７）、および約１０から約３５ｇ／ｌまでの５−スルホサリチル酸二水和物ナトリウム塩（Ｃ_７Ｈ_５Ｏ_６ＳＮａ・２Ｈ_２Ｏ）を含む水溶液である。いくつかの場合において、太陽電池用の金属接触構造を形成するのに必要な所有コストを低減するために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）または水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）などのｐＨ調整剤を添加して所望のｐＨを有する安価な電解質を形成することが望ましい。いくつかの場合において、ｐＨを調整するために水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用することが望ましい。

さらに他の実施形態では、電解質は、約３０から約５０ｇ／ｌまでの硫酸銅五水和物（ＣｕＳＯ_４・５（Ｈ_２Ｏ））、および約１２０から約１８０ｇ／ｌまでのピロリン酸ナトリウム十水和物（Ｎａ_４Ｐ_２Ｏ_７・１０（Ｈ_２Ｏ））を含む水溶液である。いくつかの場合において、太陽電池用の金属接触構造を形成するのに必要な所有コストを低減するために、水酸化カリウム（ＫＯＨ）または水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）などのｐＨ調整剤を添加して所望のｐＨを有する安価な電解質を形成することが望ましい。いくつかの場合において、ｐＨを調整するために水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用することが望ましい。

一実施形態では、第２の金属イオンを成長する電気化学的蒸着層内に、または電気化学的蒸着層の粒界上に析出するか、または組み込まれる一次金属イオン含有電解質浴（例えば、銅イオン含有浴）に加えることが望ましい場合がある。一定割合の第２の要素を含む金属層の形成は、形成された層の固有応力を低減し、および／またはその電気的特性およびエレクトロマイグレーション特性を改善するために有益である場合がある。一例において、一定量の銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）金属イオン源を銅メッキ浴に加え、蒸着層内に約１％から約４％までの範囲の第２の金属を有する銅合金を形成することが望ましいと思われる。

一例において、工程２０８で使用される電解質溶液中の金属イオン源は、銀、スズ、亜鉛、またはニッケルイオン源である。一実施形態では、電解質中の銀、スズ、亜鉛、またはニッケルのイオン濃度は、約０．１Ｍから約０．４Ｍまでの範囲内とすることができる。有用なニッケル源として、硫酸塩ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケル、これらの誘導体、これらの水和物、またはこれらの組み合わせが挙げられる。

好適なスズ源の例として、可溶性スズ化合物が挙げられる。可溶性スズ化合物は、第二スズまたは第一スズ塩とすることができる。第二スズまたは第一スズ塩は、硫酸塩、アルカンスルホン酸塩、またはアルカノールスルホン酸塩であってもよい。例えば、浴可溶性スズ化合物は、化学式
（ＲＳＯ_３）_２Ｓｎ
の１つまたは複数のアルカンスルホン酸第一スズとすることができ、
式中、Ｒは１から１２個までの範囲の炭素原子を含むアルキル基である。アルカンスルホン酸第一スズは、化学式

を有するメタンスルホン酸第一スズとすることができる。
浴可溶性スズ化合物は、化学式ＳｎＳＯ_４の硫酸第一スズであってもよい。

可溶性スズ化合物の例として、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、２−プロパノールスルホン酸、ｐ−フェノールスルホン酸および同様の物質などの有機スルホン酸塩のスズ（ＩＩ）塩、ホウフッ化スズ（ＩＩ）、スルホコハク酸スズ（ＩＩ）、硫酸スズ（ＩＩ）、酸化スズ（ＩＩ）、塩化スズ（ＩＩ）、および同様の物質も挙げることができる。これらの可溶性スズ（ＩＩ）化合物は、単独で、または２つまたはそれ以上の種類を組み合わせて、使用することができる。

好適なコバルト源の例として、硫酸コバルト、硝酸コバルト、塩化コバルト、臭化コバルト、炭酸コバルト、酢酸コバルト、エチレンジアミン四酢酸コバルト、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、グリシンコバルト（ＩＩＩ）、およびピロリン酸コバルト、またはこれらの組み合わせから選択されたコバルト塩を挙げることができる。

一実施形態では、メッキ溶液は、銅源化合物および錯化銅イオンの代わりに遊離銅イオンを含む。

柱状金属層３０６は、拡散律速蒸着プロセスを使用して形成される。電着バイアスの電流密度は、電流密度が限界電流（ｉ_Ｌ）より高くなるように選択される。限界電流に達したときに、水素ガスの発生と物質移動律速プロセスにより結果として生じる樹枝状薄膜成長とにより柱状金属薄膜が形成される。柱状金属層の形成時に、電着バイアスは、一般的に、約１０Ａ／ｃｍ^２、好ましくは約５Ａ／ｃｍ^２以下、より好ましくは約３Ａ／ｃｍ^２以下の電流密度を有する。一実施形態では、電着バイアスは、約０．０５Ａ／ｃｍ^２から約３．０Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。他の実施形態では、電着バイアスは、約０．１Ａ／ｃｍ^２から約０．５Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。さらに他の実施形態では、電着バイアスは、約０．０５Ａ／ｃｍ^２から約０．３Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。さらに他の実施形態では、電着バイアスは、約０．０５Ａ／ｃｍ^２から約０．２Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。一実施形態では、この結果、銅シード層上に厚さ約１ミクロンから約３００ミクロンまでの範囲の柱状金属層が形成される。他の実施形態では、この結果、約１０ミクロンから約３０ミクロンまでの範囲の柱状金属層が形成される。さらに他の実施形態では、この結果、約３０ミクロンから約１００ミクロンまでの範囲の柱状金属層が形成される。さらに他の実施形態では、この結果、約１ミクロンから約１０ミクロンまでの範囲、例えば約５ミクロンの、柱状金属層が形成される。

一実施形態では、多段階メッキプロセスを使用して柱状金属層３０６を被着させることができる。例えば、多段階メッキプロセスでは、工程毎に異なる電流密度を使用することができる。

第５のプロセス工程２１０は、柱状金属層３０６上に多孔質導電性樹枝状構造３０８を形成することを含む。多孔質導電性樹枝状構造３０８は、柱状金属層の電着から電圧および対応する電流密度を高くすることによって柱状金属層３０６上に形成することができる。電着バイアスは、一般的に、約１０Ａ／ｃｍ^２以下、好ましくは約５Ａ／ｃｍ^２以下、より好ましくは約３Ａ／ｃｍ^２以下の電流密度を有する。一実施形態では、電着バイアスは、約０．３Ａ／ｃｍ^２から約３．０Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。他の実施形態では、電着バイアスは、約１Ａ／ｃｍ^２から約２Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。さらに他の実施形態では、電着バイアスは、約０．５Ａ／ｃｍ^２から約２Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。さらに他の実施形態では、電着バイアスは、約０．３Ａ／ｃｍ^２から約１Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。さらに他の実施形態では、電着バイアスは、約０．３Ａ／ｃｍ^２から約２Ａ／ｃｍ^２までの範囲の電流密度を有する。一実施形態では、多孔質導電性樹枝状構造３０８は、全表面積の３０％から７０％までの範囲内の、例えば約５０％の多孔率を有する。

一実施形態では、多孔質導電性樹枝状構造３０８は、多孔質のさまざまな形態のうちの１つまたは複数を含むものとしてよい。一実施形態では、多孔質導電性樹枝状構造３０８は、約１００ミクロン以下の微細孔を有するマクロ多孔質樹枝状構造を備え、マクロ多孔質樹枝状構造の非多孔質部分は、約２ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲の直径（メソ多孔率）の微細孔を有する。他の実施形態では、多孔質樹枝状構造３０８は、約３０ミクロンの微細孔を有するマクロ多孔質樹枝状構造を備える。それに加えて、多孔質樹枝状構造３０８の表面は、ナノ構造を含むことができる。マイクロ多孔率、メソ多孔率、およびナノ構造の組み合わせにより、多孔質樹枝状構造３０８の表面積が著しく増大する。

一実施形態では、多孔質樹枝状構造３０８は、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト、パラジウム、白金、スズ、ルテニウム、リチウム、および他の好適な材料などの単一の材料から形成することができる。他の実施形態では、多孔質樹枝状構造３０８は、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト、パラジウム、白金、スズ、ルテニウム、リチウム、これらの組み合わせ、または他の好適な材料の合金を含むこともできる。一実施形態では、多孔質樹枝状構造３０８は、銅スズ合金を含む。

適宜、第６の処理工程２１２は、図３Ｆに示されているように、多孔質樹枝状構造３０８上に追加の層またはパッシベーション層３１０を形成するために実行されうる。一実施形態では、パッシベーション層３１０は、約１ｎｍから約１０００ｎｍまでの範囲内の厚さを有する。他の実施形態では、パッシベーション層３１０は、約２００ｎｍから約８００ｎｍまでの範囲内の厚さを有する。さらに他の実施形態では、パッシベーション層３１０は、約４００ｎｍから約６００ｎｍまでの範囲内の厚さを有する。一実施形態では、パッシベーション層３１０は、銅酸化物（Ｃｕ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ−ＣｕＯ）、銅塩化物（ＣｕＣｌ）、銅硫化物（Ｃｕ_２Ｓ、ＣｕＳ、Ｃｕ_２Ｓ−ＣｕＳ）、銅ニトリル、銅炭酸塩、銅リン化物、銅スズ酸化物、銅コバルトスズ酸化物、銅コバルトスズチタン酸化物、銅ケイ素酸化物、銅ニッケル酸化物、銅コバルト酸化物、銅コバルトスズチタン酸化物、銅コバルトニッケルアルミニウム酸化物、銅チタン酸化物、銅マンガン酸化物、および銅鉄リン酸塩を含む群から選択された銅含有層である。一実施形態では、パッシベーション層３１０は、アルミニウムシリコン層などのアルミニウム含有層である。一実施形態では、パッシベーション層３１０は、リチウム銅リンオキシ窒化物（Ｐ−Ｏ−Ｎ）、リチウム銅ホウ素オキシ窒化物（Ｂ−Ｏ−Ｎ）、リチウム銅酸化物、リチウム銅シリコン酸化物、リチウム銅ニッケル酸化物、リチウム銅スズ酸化物、リチウム銅コバルト酸化物、リチウム銅コバルトスズチタン酸化物、リチウム銅コバルトニッケルアルミニウム酸化物、リチウム銅チタン酸化物、リチウムアルミニウムシリコン、リチウム銅マンガン酸化物、およびリチウム銅鉄リン化物を含む群から選択されたリチウム含有層である。一実施形態では、第１の充填後にリチウムがリチウム含有層内に挿入される。他の実施形態では、リチウムは、パッシベーション層をリチウム含有溶液に曝すことによってパッシベーション層内に挿入される。一実施形態では、リチウムは、噴霧プロセスを使用して被着される。

一実施形態では、追加の構造もしくは層３１０は、金属もしくは金属合金層を含むことができる。層３１０は、スズ、コバルト、およびこれらの組み合わせからなる群から選択された材料を含むことができる。層３１０が、電気化学メッキプロセスによって行われうる。層３１０は、大容量を有し、形成される電極に対して長いサイクル寿命を備える。一実施形態では、多孔質樹枝状構造３０８は、銅とスズの合金を含み、層３１０は、スズ層を含む。他の実施形態では、多孔質構造３０８は、コバルトとスズの合金を含む。一実施形態では、層３１０は、すすぎ工程の後に層３１０をメッキするように構成された新しいメッキ浴内に基板３００を浸漬することによって形成されうる。

電極構造は、任意の形状（例えば、円形、正方形、矩形、多角形など）および任意のサイズとすることができる。また、電極材料の種類は、制限要因でなく、金属、プラスチック、黒鉛、ポリマー、炭素含有ポリマー、複合材料、または他の好適な材料などの、導電性であるか、または導電性にすることができる任意の材料から作ることができる。より具体的には、電極材料は、例えば、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト、パラジウム、白金、スズ、ルテニウム、ステンレス鋼、これらの合金、およびこれらの組み合わせを含むこともできる。一実施形態では、ポリエチレン、ポリプロピレン、または他の好適なプラスチックもしくはポリマー材料などの軽量の、安価なプラスチック材料から電極を形成することが望ましい。

適宜、第７の処理工程を実行して基板のアニーリングを実行できる。アニーリングプロセスにおいて、基板を、約１００℃から約２５０℃までの範囲、例えば、約１５０℃から約１９０℃までの範囲の温度に加熱することができる。一般的に、基板は、Ｏ_２、Ｎ_２、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｈ_４、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、またはこれらの組み合わせなどの、少なくとも１つのアニールガスを含む大気中でアニールすることができる。一実施形態では、基板は、雰囲気中でアニールすることができる。基板は、約５Ｔｏｒｒから約１００Ｔｏｒｒまでの範囲内の、例えば、約５０Ｔｏｒｒの圧力でアニールすることができる。いくつかの実施形態では、アニーリングプロセスは、細孔構造から水分を追い出すために使用される。いくつかの実施形態では、アニーリングプロセスは、原子を銅基材内に拡散させるために使用され、例えば、基板のアニールで、スズ原子を銅基材内に拡散させ、銅スズ層結合をかなり強化することができる。

図２Ｂは、本明細書で説明されている実施形態によりアノードを形成する方法２００の流れ図である。図３Ｇは、図２Ｂで説明されている実施形態により形成される電極に似た電極３２０の概略断面図である。ボックス２２２では、柱状金属層３０６に類似の柱状金属層３２６が銅箔基板３２４の上に形成されている。ボックス２２４では、三次元多孔質樹枝状構造３０８に類似の三次元多孔質樹枝状構造３２８が銅箔基板３２４の上に形成されている。

本明細書で説明されているいくつかの実施形態は、リチウム化電極、および前リチウム化プロセスを本明細書で説明されている電極に施すことによってリチウム化電極を形成するためのプロセスをさらに含む。一実施形態では、前リチウム化プロセスは、前述のメッキ溶液にリチウム源を添加することによって実行されうる。好適なリチウム源として、限定はしないが、ＬｉＨ_２ＰＯ_４、ＬｉＯＨ、ＬｉＮＯ_３、ＬｉＣＨ_３ＣＯＯ、ＬｉＣｌ、Ｌｉ_２ＳＯ_４、Ｌｉ_３ＰＯ_４、Ｌｉ（Ｃ_５Ｈ_８Ｏ_２）、リチウム表面安定化粒子（例えば、炭素被覆リチウム粒子）、およびこれらの組み合わせが挙げられる。前リチウム化プロセスは、錯化剤、例えば、クエン酸およびその塩をメッキ溶液に添加することをさらに含むことができる。一実施形態では、前リチウム化プロセスの結果、約１〜４０原子パーセントのリチウムを含む電極が得られる。他の実施形態では、前リチウム化プロセスの結果、約１０〜２５原子パーセントのリチウムを含む電極が得られる。

いくつかの実施形態では、前リチウム化プロセスは、限定はしないがすべて当業者に知られている粉末篩い技術（ｓｉｆｔｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）、静電噴霧技術、熱もしくはフレーム溶射技術、流動床コーティング技術、スリットコーティング技術、ロールコーティング技術、およびこれらの組み合わせを含む粉末塗布技術を使用してリチウムを粒子形態で電極に塗布することによって実行されうる。

以下の仮説的な非限定的実施例は、本明細書で説明されている実施形態をさらに説明するために取りあげられている。しかし、これらの実施例は、すべてを含んでいるものであるとは意図されておらず、また本明細書で説明されている実施形態の範囲を制限することも意図されていない。

銅
実施例１
基板を、約３ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質銅電極を形成した。柱状銅構造を、約０．４Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元多孔質銅構造を、約１．３Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状金属層上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例２
基板を、約２５ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質銅電極を形成した。柱状銅構造を、約０．５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅多孔質樹枝状構造を、約１．５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例３
基板を、約１ｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元銅多孔質電極を形成した。柱状銅構造を、約０．５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元多孔質樹枝状構造を、約１．７Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例４
基板を、約１ｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質銅電極を形成した。柱状銅構造を、約０．１Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元多孔質銅樹枝状構造を、約１．５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例５
基板を、約２５ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質銅電極を形成した。柱状銅構造を、約０．４Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅多孔質樹枝状構造を、約２Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状多孔質樹枝状構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

スズ
実施例６
基板を、約２５ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２５Ｍの硫酸第一スズ、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質銅電極を形成した。柱状スズ構造を、約０．０５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元多孔質スズ構造を、約２Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状スズ構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例７
基板を、約１ｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２５Ｍの硫酸第一スズ、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質スズ電極を形成した。柱状スズ構造を、約０．３Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元多孔質スズ構造を、約１．５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状スズ構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

銅スズ
実施例８
基板を、約２５ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、０．１５Ｍの硫酸第一スズ、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元多孔質銅スズ電極を形成した。柱状銅スズ合金構造を、約０．１Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅スズ合金多孔質樹枝状構造を、約１．０Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅スズ合金構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例９
基板を、約３ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、０．２３Ｍの硫酸第一スズ、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元銅スズ多孔質電極構造を形成した。柱状銅スズ構造を、約０．２Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元多孔質銅スズ構造を、約１．０Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅スズ構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

銅スズコバルトチタン
実施例１０
チタン層を備える基板を、約２５ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、０．１７Ｍの硫酸第一スズ、０．１５の硫酸コバルト、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元銅スズコバルト多孔質電極を形成した。柱状銅スズコバルト構造を、約０．０６Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅スズコバルト多孔質樹枝状構造を、約０．３Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅スズコバルト構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例１１
チタン層を備える基板を、約２５ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、０．２３Ｍの硫酸第一スズ、０．２１の硫酸コバルト、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元銅スズコバルト多孔質電極を形成した。柱状銅スズコバルト構造を、約０．３Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅スズコバルト多孔質樹枝状構造を、約１．５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅スズコバルト構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例１２
チタン層を備える基板を、約３ｃｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、０．２３Ｍの硫酸第一スズ、０．２１の硫酸コバルト、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元銅スズコバルト多孔質電極を形成した。柱状銅スズコバルト構造を、約０．２５Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅スズコバルト多孔質樹枝状構造を、約２．０Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅スズコバルト構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

実施例１３
チタン層を備える基板を、約１ｍ^２の表面積を有するＰｔ（Ｔｉ）アノードを備える電気メッキチャンバー内に入れた。１．０Ｍの硫酸、０．２８Ｍの硫酸銅、０．２３Ｍの硫酸第一スズ、０．２０の硫酸コバルト、および２００ｐｐｍのクエン酸を最初に含むメッキ溶液中で、三次元銅スズコバルト多孔質電極を形成した。柱状銅スズコバルト構造を、約０．３０Ａ／ｃｍ^２の電流密度で被着させた。三次元銅スズコバルト多孔質樹枝状構造を、約２．０Ａ／ｃｍ^２の電流密度で柱状銅スズコバルト構造上に被着させた。このプロセスを室温で実行した。

加工システム：
図４Ａは、本明細書で説明されている実施形態を実施することができる使用するメッキシステム４００の概略を例示している。メッキシステム４００は、一般的に、一列に配列された複数の加工チャンバーを備え、それぞれの加工チャンバーは連続するフレキシブル基材４１０の１つの部分上に形成される基板に対して１つの加工工程を実行するように構成されている。

メッキシステム４００は、フレキシブル基材４１０の一部をプリウェットするように構成されたプリウェットチャンバー４０１を備える。

メッキシステム４００は、プリウェットした後にフレキシブル基材４１０の一部分の最初のメッキプロセスを実行するように構成された第１のメッキチャンバー４０２をさらに備える。第１のメッキチャンバー４０２は、一般的に、洗浄プリウェットステーションの隣に配置される。一実施形態では、第１のメッキプロセスは、フレキシブル基材４１０の一部分上に形成されたシード層上に柱状銅層をメッキする工程であるものとしてよい。

メッキシステム４００は、第１のメッキチャンバー４０２の隣に配置された第２のメッキチャンバー４０３をさらに備える。第２のメッキチャンバー４０３は、第２のメッキプロセスを実行するように構成されている。一実施形態では、第２のメッキプロセスは、柱状銅層上に銅スズ多孔質樹枝状構造などの銅もしくは合金を形成する工程である。

メッキシステム４００は、第２のメッキチャンバー４０３の隣に配置され、第２のメッキチャンバー４０３で処理されたフレキシブル基材４１０の一部分から残留メッキ溶液をすすぎ落とすように構成されたすすぎステーション４０４をさらに備える。

メッキシステム４００は、すすぎステーション４０４の隣に配置された第３のメッキチャンバー４０５をさらに備える。第３のメッキチャンバー４０５は、第３のメッキプロセスを実行するように構成されている。一実施形態では、第３のメッキプロセスは、多孔質層の上に薄膜を形成する工程である。一実施形態では、薄膜は、スズ層である。

メッキシステム４００は、第３のメッキチャンバー４０５の隣に配置され、メッキプロセスの後にフレキシブル基材４１０の一部分をすすいで乾燥させるように構成されたすすぎ乾燥ステーション４０６をさらに備える。一実施形態では、すすぎ乾燥ステーション４０６は、フレキシブル基材４１０がすすぎ乾燥チャンバー４０６から出るときにフレキシブル基材４１０に向けて乾燥用蒸気を送るように構成された１つまたは複数の蒸気ジェット４０６ａを備えることができる。

加工チャンバー４０１〜４０６は、一般的に、フレキシブル基材４１０の一部が無駄なくそれぞれのチャンバーを通り、それぞれのチャンバーの送りロール４０７_１〜６および巻き取りロール４０８_１〜６を通るように直線にそって配列されている。一実施形態では、送りロール４０７_１〜６および巻き取りロール４０８_１〜６は、基板移送工程において同時に作動し、フレキシブル基材４１０のそれぞれの部分を１つ先のチャンバーへ移動することができる。メッキシステムの他の詳細は、２００９年１１月１８日に出願したＬｏｐａｔｉｎらの米国特許第６１／１１７，５３５号、名称「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＦＯＲＭＩＮＧ ３Ｄ ＮＡＮＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＥＬＥＣＴＲＯＤＥ ＯＦ ＡＮ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ ＢＡＴＴＥＲＹ ＡＮＤ ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ」 において開示されており、この文献の図５Ａ〜５Ｃ、６Ａ〜６Ｅ、７Ａ〜７Ｃ、および８Ａ〜８Ｄおよび前記の図に対応する本文は、参照により組み込まれている。

図４Ｂは、本明細書で説明されている実施形態による垂直加工システム４２０の一実施形態の概略図である。メッキシステム４２０は、一般的に、一列に配列された複数の加工チャンバー４３２〜４５４を備え、それぞれの加工チャンバーは垂直配置フレキシブル導電性基板４３０に対して１つの加工工程を実行するように構成されている。一実施形態では、加工チャンバー４３２〜４５４は、独立型モジュール式加工チャンバーであり、それぞれのモジュール式加工チャンバーは、他のモジュール式加工チャンバーから構造的に分離されている。したがって、独立型モジュール式加工チャンバーのそれぞれは、互いに影響を及ぼすことなく独立して配列、再配列、交換、または保守を行うことができる。一実施形態では、垂直加工チャンバーは、両面被着プロセスを実行する、例えば、フレキシブル導電性基板の対向する面を同時に加工するように構成されている。加工チャンバーの例示的な実施形態は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている２００６年１２月１日に出願したＬｏｐａｔｉｎらの米国特許出願第１１／５６６，２０２号、名称「ＨＩＧＨ−ＡＳＰＥＣＴ ＲＡＴＩＯ ＡＮＯＤＥ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＨＩＧＨＳＰＥＥＤ ＥＬＥＣＴＲＯＰＬＡＴＩＮＧ ＯＮ Ａ ＳＯＬＡＲ ＣＥＬＬ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」において開示されている。

一実施形態では、加工システム４２０は、フレキシブル導電性基板４３０の少なくとも一部に第１のメッキプロセス、例えば、銅メッキプロセスを実行するように構成された第１のメッキチャンバー４３２を備える。一実施形態では、第１のメッキチャンバー４３２は、垂直配向導電性フレキシブル基板４３０の上に銅導電性微細構造をメッキするように適合されている。一実施形態では、銅導電性微細構造は、多孔質導電性樹枝状構造が被着された柱状金属層を備える。

一実施形態では、加工システム４２０は、第１のメッキプロセスの後に、残留メッキ溶液を垂直配向導電性フレキシブル基板４３０の一部分からすすぎ液、例えば、脱イオン水ですすぎ落とすように構成された第１のすすぎチャンバー４３４をさらに備える。

一実施形態では、加工システム４２０は、第１のすすぎチャンバー４３４の隣に配置された第２のメッキチャンバー４３６をさらに備える。一実施形態では、第２のメッキチャンバー４３６は、第２のメッキプロセスを実行するように構成されている。一実施形態では、第２のメッキチャンバー４３６は、垂直配向導電性フレキシブル基板４３０の上に第２の導電性材料、例えばスズを被着させるように適合されている。

一実施形態では、加工システム４２０は、第２のメッキプロセスの後に、残留メッキ溶液を垂直配向導電性フレキシブル基板４３０の一部分からすすぎ液、例えば、脱イオン水ですすぎ落とすように構成された第２のすすぎチャンバー４３８をさらに備える。一実施形態では、エアーナイフを備えるチャンバー４４０が、第２のすすぎチャンバー４３８に隣接する位置に置かれる。

一実施形態では、加工システム４２０は、垂直配向導電性基板４３０上の導電性微細構造の上に、および／または垂直配向導電性基板４３０上の導電性微細構造の中に粉末を被着させるように構成された第１のスプレーコーティングチャンバー４４２をさらに備える。スプレーコーティングチャンバーとして説明されているけれども、第１のスプレーコーティングチャンバー４４２は、上述の粉末被着プロセスのどれかを実行するように構成されうる。

一実施形態では、加工システム４２０は、垂直配向導電性基板４３０をアニーリングプロセスに曝すように構成されている第１のスプレーコーティングチャンバー４４２に隣接して配置されているアニーリングチャンバー４４４をさらに備える。一実施形態では、アニーリングチャンバー４４４は、高速熱アニーリングプロセスなどの乾燥プロセスを実行するように構成されている。

一実施形態では、加工システム４２０は、アニーリングチャンバー４４４に隣接して位置する第２のスプレーコーティングチャンバー４４６をさらに備える。スプレーコーティングチャンバーとして説明されているけれども、第２のスプレーコーティングチャンバー４４６は、上述の粉末被着プロセスのどれかを実行するように構成されうる。一実施形態では、第２のスプレーコーティングチャンバーは、垂直配向導電性基板４３０の上にバインダーなどの添加物を被着させるように構成されている。２パススプレーコーティングプロセスが使用される実施形態では、第１のスプレーコーティングチャンバー４４２は、例えば静電噴霧プロセスを使用する第１のパスにおいて垂直配向導電性基板４３０の上に粉末を被着させるように構成することができ、第２のスプレーコーティングチャンバー４４６は、例えばスリットコーティングプロセスを使用する第２のパスにおいて垂直配向導電性基板４３０の上に粉末を被着させるように構成することができる。

一実施形態では、加工システム４２０は、垂直配向導電性基板４３０を乾燥プロセスに曝すように構成されている第２のスプレーコーティングチャンバー４４６に隣接して配置されている第１の乾燥チャンバー４４８をさらに備える。一実施形態では、第１の乾燥チャンバー４４８は、空気乾燥プロセス、赤外線乾燥プロセス、またはマランゴニ乾燥プロセスなどの乾燥プロセスを実行するように構成されている。

一実施形態では、加工システム４２０は、垂直配向導電性基板４３０をカレンダー加工プロセスに曝し被着粉末を導電性微細構造内に圧入するように構成されている第１の乾燥チャンバー４４８に隣接して配置されている圧縮チャンバー４５０をさらに備える。

一実施形態では、加工システム４２０は、圧縮チャンバー４５０に隣接して位置する第３のスプレーコーティングチャンバー４５２をさらに備える。スプレーコーティングチャンバーとして説明されているけれども、第３のスプレーコーティングチャンバー４５２は、上述の粉末被着プロセスのどれかを実行するように構成されうる。一実施形態では、第３のスプレーコーティングチャンバー４５２は、垂直配向導電性基板の上にセパレータ層を被着させるように構成されている。

一実施形態では、加工システム４２０は、垂直配向導電性基板４３０を乾燥プロセスに曝すように構成されている第３のスプレーコーティングチャンバー４５２に隣接して配置されている第２の乾燥チャンバー４５４をさらに備える。一実施形態では、第２の乾燥チャンバー４５４は、空気乾燥プロセス、赤外線乾燥プロセス、またはマランゴニ乾燥プロセスなどの乾燥プロセスを実行するように構成されている。

いくつかの実施形態では、加工システム４２０は、追加の加工チャンバーをさらに備える。追加のモジュール式加工チャンバーは、電気化学メッキチャンバー、無電解電着チャンバー、化学気相成長チャンバー、プラズマ強化化学気相成長チャンバー、原子層堆積チャンバー、すすぎチャンバー、アニールチャンバー、乾燥チャンバー、スプレーコーティングチャンバー、およびこれらの組み合わせを備える加工チャンバーの群から選択された１つまたは複数の加工チャンバーを備えることができる。インライン加工システム内に、チャンバーを追加したり、チャンバーを減らしたりすることができることも理解されるであろう。

加工チャンバー４３２〜４５４は、一般的に、垂直配向導電性基板４３０の一部が無駄なくそれぞれのチャンバーを通り、送りロール４６０および巻き取りロール４６２を通るように直線にそって配列されている。

カソード構造が形成される実施形態では、チャンバー４３２は、酸化アルミニウムの除去を実行するように構成されているチャンバーと置き換えることができ、チャンバー４３６は、アルミニウム電気エッチングチャンバーと置き換えることができる。

むしろ、その際に粗面化銅を活性アノード材料の基材として使用し、銅樹枝状結晶を使用することに関して研究が行われている。我々はこの研究結果が最も有望な解決策となると確信している。

樹枝状結晶を成長させるために、電気化学蒸着と呼ばれる技術を使用する。このプロセスは、銅基板などの滑らかな基板を硫酸浴に浸漬することを伴い、最終的に電位が発生する。アノードにおける電位スパイクは、還元反応が生じる十分な大きさである。水素ガスの気泡が還元反応の副産物として形成する。それと同時に、電解質中のＣｕの粒から樹枝状結晶が絶えず生成される。最後に樹枝状結晶がこれらの気泡の周りで成長して終わるが、それは、気泡の下には電解質−電極間接触がないからである。ある意味で、これらの顕微鏡的気泡は、樹枝状結晶の成長のための鋳型として働く。これらのアノードに多数の球状孔があるからである。

気泡が生じると、気泡は近くの気泡と結合し（合体と称される）、より大きな樹枝状結晶の鋳型を形成しうる。このプロセス全体から残るアーチファクトは、樹枝状結晶成長において（比較的）大きな細孔である。表面積を最大化することを目標とすると、これらの細孔のサイズを最小にすることが好ましい。最も直観的なアプローチは、気泡合体を最小限に抑えることを伴う。この作業を行うために、長い時間にわたって同じ量の硫酸還元が発生するように電圧スパイクの導入が段階的に行われる。このアプローチが取られると、還元率が低いので気泡群密度は低い。気泡密度が低ければ、発生する合体も少なくなり、気泡は小さいままである。その結果、樹枝状結晶成長がより小さな気泡鋳型に曝され、これにより試料上により小さな細孔が残る。

結果：
図５は、本明細書で説明されている実施形態により被着された三次元メッキ電極の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像の図である。ＳＥＭ画像を、レンズに関して３６度傾斜し、倍率６５５倍で撮像し、三角傾斜補正を適用した。本明細書で説明されている電気化学蒸着法を使用して、銅樹枝状結晶または「木」構造を被着させた。銅樹枝状構造が基板と電気的に結合し、その結果、銅木構造の底部からこの構造の上部までの間の抵抗が非常に低くなる。

図６は、本明細書で説明されている実施形態により被着された三次元メッキ電極のＳＥＭ画像の図である。図６は、スズナノロッドアレイの概略図である。ＳＥＭ画像を、レンズに関して３６度傾斜し、倍率２０１倍で撮像し、三角傾斜補正を適用した。ナノロッドは互いに接続され、また基板に接続され、したがって抵抗は非常に低くなる。

図７Ａ〜７Ｄは、本明細書で説明されている実施形態により被着された三次元メッキ電極のＳＥＭ画像の略図である。図７Ａは、銅箔上にメッキされた三次元銅スズを示す図である。ＳＥＭ画像を、レンズに関して３６度傾斜し、倍率２３倍で撮像し、三角傾斜補正を適用した。図７Ｂは、銅箔上にメッキされた三次元銅スズを示す別の図である。ＳＥＭ画像を、レンズに関して３６度傾斜し、倍率３８倍で撮像し、三角傾斜補正を適用した。図７Ｃは、銅箔上にメッキされた三次元銅スズを示す別の図である。ＳＥＭ画像を、レンズに関して３６度の傾斜角度として、倍率１００倍で撮像し、三角傾斜補正を適用した。図７Ｄは、銅箔上にメッキされた銅スズを示すさらに別の図である。ＳＥＭ画像を、レンズに関して３６度の傾斜角度として、倍率３７倍で撮像し、三角傾斜補正を適用した。

図８は、本明細書で説明されている実施形態によりメッキされた銅スズのＸＲＤスペクトルおよび銅−スズの相図である。ＸＲＤスペクトルは、リチウムイオン吸収媒質に対する好ましい媒質であるＣｕ_６Ｓｎ_５の存在を示している。

前記の説明は本発明のいくつかの実施形態を対象としているが、本発明の基本的範囲から逸脱することなく本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を考案することができ、また本発明の範囲は、以下の請求項によって決定される。

Claims (15)

1. 電気化学セル用の多孔質三次元電極微細構造を形成する方法であって、
   メッキ溶液中に基板を位置決めすることと、
   拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で前記基板の上に柱状金属層を被着させることと、
   前記第１の電流密度より大きな第２の電流密度で前記柱状金属層の上に多孔質導電性樹枝状構造を被着させることと、
   前記多孔質樹枝状構造上にパッシベーション層を形成することと
   を含む方法。
2. 前記基板を、Ｏ_２、Ｎ_２、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｈ_４、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つのアニールガスを含む雰囲気中で、約１００℃から約２５０℃までの範囲内の温度に加熱することにより前記細孔構造から水分を追い出すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の電流密度が約０．０５Ａ／ｃｍ^２から約３．０Ａ／ｃｍ^２までの範囲内であり、前記第２の電流密度が約０．３Ａ／ｃｍ^２から約３．０Ａ／ｃｍ^２までの範囲内である、請求項１に記載の方法。
4. 前記メッキ溶液が、少なくとも１つの銅源化合物、少なくとも１つの酸性系の電解質、および少なくとも１つのキレート剤を含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記少なくとも１つの銅源化合物が、硫酸銅、リン酸銅、硝酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅、シュウ酸銅、銅ＥＤＴＡ、酢酸銅、ピロリン酸銅、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
6. 前記少なくとも１つの酸性系の電解質が、硫酸系の電解質、リン酸系の電解質、過塩素酸系の電解質、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
7. 前記少なくとも１つのキレート剤が、クエン酸、酒石酸、ピロリン酸、コハク酸、シュウ酸、これらの塩、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
8. 前記メッキ溶液が、ＬｉＨ_２ＰＯ_４、ＬｉＯＨ、ＬｉＮＯ_３、ＬｉＣＨ_３ＣＯＯ、ＬｉＣｌ、Ｌｉ_２ＳＯ_４、Ｌｉ_３ＰＯ_４、Ｌｉ（Ｃ_５Ｈ_８Ｏ_２）、リチウム表面安定化粒子、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されたリチウム源をさらに含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記少なくとも１つの銅源化合物が硫酸銅を含み、前記少なくとも１つの酸性系の電解質が硫酸を含み、前記キレート化合物がクエン酸塩を含む、請求項４に記載の方法。
10. 前記柱状金属層の材料、前記多孔質導電性樹枝状構造、および前記パッシベーション層の各々が、それぞれ銅、コバルト、スズ、チタン、これらの合金、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
11. 垂直配向フレキシブル基板を加工するための基板加工システムであって、
    前記垂直配向導電性基板の一部の上に第１の導電性材料を備える導電性微細構造をメッキするように構成された第１のメッキチャンバーと、
    すすぎ液を用いて前記垂直配向導電性基板の前記一部分から残留メッキ溶液をすすぎ落とすように構成された、前記第１のメッキチャンバーに隣接して配置される第１のすすぎチャンバーと、
    前記導電性微細構造の上に第２の導電性材料を被着させるように構成された、前記第１のすすぎチャンバーに隣接して配置される第２のメッキチャンバーと、
    前記垂直配向導電性基板の前記一部分から残留メッキ溶液をすすぎ落とすように構成された、前記第２のメッキチャンバーに隣接して配置される第２のすすぎチャンバーと、
    前記チャンバーの間で前記垂直配向フレキシブル基板を移送するように構成された基板移送メカニズムと
    を備え、前記チャンバーの各々が、
    加工用容積と、
    前記加工用容積の外に配置されて、前記垂直配向フレキシブル基材の一部を保持するように構成された送りロールと、
    前記加工用容積の外に配置されて、前記垂直配向フレキシブル基材の一部を保持するように構成された巻き取りロールと
    を備えており、前記基板移送メカニズムが、前記送りロールおよび前記巻き取りロールを作動させて前記垂直配向フレキシブル基板をそれぞれのチャンバーに出し入れし、それぞれのチャンバーの前記加工用容積内に前記垂直配向フレキシブル基板を留めるように構成されている、
    基板加工システム。
12. 前記垂直配向導電性基板の上にリチウム含有粒子を被着させるように構成されているものに隣接して配置されるスプレーコーティングチャンバーをさらに備えている、請求項１１に記載の基板加工システム。
13. 前記導電性微細構造が、上に三次元金属多孔質樹枝状構造を被着させた柱状金属層を備えている、請求項１１に記載の基板加工システム。
14. 前記第１の導電性材料が銅を含み、前記第２の導電性材料がスズを含む、請求項１３に記載の基板加工システム。
15. 第１のメッキチャンバー、前記第１のすすぎチャンバー、第２のメッキチャンバー、および前記第２のすすぎチャンバーの各々が、前記フレキシブル導電性基板の前記一部分の対向面を同時に加工するように構成されている、請求項１１に記載の基板加工チャンバー。

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