JP2012226160A - 表示パネルおよび表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プロセスステップを減らし、製造コストを下げることの可能な表示パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】サブピクセル１１ごとに液晶素子１４およびトランジスタ１５が設けられている。トランジスタ１５は、基板４１上に、ゲート電極４２、ゲート絶縁膜４３、チャネル層４４、ソース電極４５およびドレイン電極４６を含んで構成されている。ドレイン電極４６は、画素電極１６と同一面内に形成されており、さらに画素電極１６と接続されている。画素電極１６は反射電極としての役割も有している。
【選択図】図４

Description

本技術は、反射型、または反射部と透過部とを兼ね備えた半透過型の表示パネル、およびそれを備えた表示装置に関する。

近年、携帯電話や電子ペーパーなどのモバイル機器向けの表示装置の需要が高くなっており、反射型の表示装置が注目されている。反射型の表示装置は、外部からの入射光（周辺光）を反射板で反射させて表示を行うものであり、バックライトを必要としない。そのため、バックライトの分だけ消費電力が節約されるので、透過型の表示装置を用いた場合と比べて、モバイル機器の長時間駆動が可能である。また、バックライトが不要であることから、その分だけ軽量化や小型化も可能となる。

反射型の表示装置では、外光を利用して表示を行うために、散乱機能を持った層を表示装置内に設ける必要がある。例えば、特許文献１では、反射電極に凹凸を設けることにより、反射電極に散乱機能を付与することが開示されている。また、特許文献２〜４では、反射電極に凹凸を設ける代わりに、散乱フィルムをガラス基板の上面に設けることが開示されている。ここで、特許文献２に記載の散乱フィルムは、前方散乱が多く後方散乱が少ない前方散乱フィルムである。特許文献３，４に記載の散乱フィルムは、特定方向から入射した光を散乱する異方性前方散乱フィルムである。特許文献３に記載の異方性前方散乱フィルムは、光出射時に散乱し光入射時にほとんど散乱しないようになっており、特許文献４に記載の異方性前方散乱フィルムは、光入射時に散乱し光出射時にほとんど散乱しないようになっている。

特許第２７７１３９２号 特開平１１−２３７６２３号公報 特開平０９−１１３８９３号公報 特開２００２−２４４１３４号公報

ところで、反射型の表示装置では、反射電極による反射率を高めるために、通常、ＴＦＴを含む表面全体に層間絶縁膜が設けられ、その上に反射電極が設けられている。しかし、そのような構造を作り込むためには、多くのプロセスステップが必要となり、製造コストの低減を妨げているという問題があった。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、プロセスステップを減らすことの可能な表示パネル、およびそれを備えた表示装置を提供することにある。

本技術による第１の表示パネルは、液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備えたものである。トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有している。ドレイン電極そのものが、液晶素子を駆動する画素電極として機能する。本技術による第１の表示装置は、複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部とを備えたものである。第１の表示装置に含まれる表示パネルは、上記の第１の表示パネルと同一の構成要素を有している。

本技術による第１の表示パネルおよび第１の表示装置では、各サブピクセルのトランジスタにおいて、ドレイン電極そのものが、液晶素子を駆動する画素電極として機能する。

本技術による第２の表示パネルは、液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備えたものである。液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体である。トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有している。画素電極は、ドレイン電極と接続されると共にドレイン電極と同層に配置されている。本技術による第２の表示装置は、複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部とを備えたものである。第２の表示装置に含まれる表示パネルは、上記の第２の表示パネルと同一の構成要素を有している。

本技術による第２の表示パネルおよび第２の表示装置では、各サブピクセルの画素電極は、トランジスタのドレイン電極と接続されると共にドレイン電極と同層に配置されている。

本技術による第３の表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、ゲート線およびデータ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを備えたものである。各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有している。液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体である。画素電極は、データ線と同層に配置されている。本技術による第３の表示装置は、複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部とを備えたものである。第３の表示装置に含まれる表示パネルは、上記の第３の表示パネルと同一の構成要素を有している。

本技術による第３の表示パネルおよび第３の表示装置では、各サブピクセルの画素電極は、データ線と同層に配置されている。

本技術による第１の表示パネルおよび第１の表示装置によれば、ドレイン電極そのものが、液晶素子を駆動する画素電極として機能するようにしたので、トランジスタを含む表面全体に層間絶縁膜を設け、その上に反射電極を設けた場合と比べて、プロセスステップを減らすことができる。

本技術による第２の表示パネルおよび第２の表示装置によれば、画素電極をトランジスタのドレイン電極と接続すると共にドレイン電極と同層に配置するようにしたので、トランジスタを含む表面全体に層間絶縁膜を設け、その上に反射電極を設けた場合と比べて、プロセスステップを減らすことができる。

本技術による第３の表示パネルおよび第３の表示装置によれば、画素電極をデータ線と同層に配置するようにしたので、トランジスタを含む表面全体に層間絶縁膜を設け、その上に反射電極を設けた場合と比べて、プロセスステップを減らすことができる。

本技術の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の概略構成図である。 図１の画素アレイ部の構成図である。 図１の画素アレイ部のレイアウト図である。 図１の画素アレイ部の断面図である。 本技術の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の概略構成図である。 図５の画素アレイ部の構成図である。 図５の画素アレイ部のレイアウト図である。 図５の画素アレイ部の一変形例のレイアウト図である。 比較例に係るサブピクセルのレイアウト図である。 比較例に係るサブピクセルの断面図である。 一適用例に係る電子機器の斜視図である。

以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態(図１〜図４)
ゲート線がシングルゲートとなっている例
２．第２の実施の形態（図５〜図８）
ゲート線がデュアルゲートとなっている例
３．適用例（図１１）
上記各実施の形態に係る液晶表示装置が電子機器に適用されている例

＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る液晶表示装置１の概略構成を表したものである。この液晶表示装置１は、液晶表示パネル１０と、液晶表示パネル１０を駆動する駆動回路３０とを備えている。この表示装置１において、液晶表示パネル１０の表面のうち外縁以外の領域が各種画像やデータ等を表示する表示領域１０Ａとなっており、液晶表示パネル１０の表面のうち表示領域１０Ａの周縁が非表示領域となっている。

（液晶表示パネル１０）
液晶表示パネル１０は、反射型、または反射部と透過部とを兼ね備えた半透過型の液晶パネルである。液晶表示パネル１０は、複数の画素１２が表示領域１０Ａ内に２次元配置されたものであり、映像信号３０Ａに応じて各画素１２が駆動されることによって画像を表示するものである。各画素１２は、例えば、複数のサブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを含んで構成されている。

ここで、サブピクセル１１Ｒは赤色の光を出射するものである。サブピクセル１１Ｒは、後述の反射電極から反射されてきた光のうち赤色の波長帯の光を選択的に透過することにより、赤色の光を出射するようになっている。サブピクセル１１Ｇは緑色の光を出射するものである。サブピクセル１１Ｇは、後述の反射電極から反射されてきた光のうち緑色の波長帯の光を選択的に透過することにより、緑色の光を出射するようになっている。サブピクセル１１Ｂは青色の光を出射するものである。サブピクセル１１Ｂは、後述の反射電極から反射されてきた光のうち青色の波長帯の光を選択的に透過することにより、青色の光を出射するようになっている。なお、以下では、サブピクセル１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの総称としてサブピクセル１１を適宜、用いるものとする。

図２は、表示領域１０Ａ内の回路構成の一例を表したものである。表示領域１０Ａは、例えば、図１、図２に示したように、行状に配置された複数のゲート線ＷＳＬと、列状に配置された複数のデータ線ＤＴＬとを有している。各ゲート線ＷＳＬと各データ線ＤＴＬとの交差部に対応して、複数のサブピクセル１１が行列状に配置されている。

各サブピクセル１１は、例えば、図２に示したように、液晶素子１４と、トランジスタ１５とを有している。液晶素子１４は、例えば、駆動基板上に、画素電極（後述の画素電極１６）、配向膜、液晶層（後述の液晶層４７）、配向膜および共通電極（後述の共通電極４８）を積層したものである。駆動基板は、例えば、ガラス基板上に、上記のトランジスタ１５などが形成されたものである。液晶層は、例えば、ネマティック（Nematic）液晶を含んで構成され、後述するように、駆動回路３０からの印加電圧により、液晶層に入射する光をサブピクセル１１ごとに透過または遮断する変調機能を有している。画素電極は、サブピクセル１１ごとの電極として機能するものであり、例えば、共通電極との対向領域に配置されている。これにより、画素電極と共通電極との間に電圧が印加されると、液晶層内に縦方向の電界が生じるようになっている。共通電極は、液晶層を介して画素電極と対向する対向電極である。共通電極は、各サブピクセル１１における共通の電極であり、表示領域１０Ａ全体に形成されている。なお、液晶素子１４は、上で例示した構成とは異なる構成となっていてもよい。トランジスタ１５は、例えば、電界効果型のＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）であり、チャネルを制御するゲートと、チャネル両端に設けられたソースおよびドレインとによって構成されている。

液晶素子１４の一端がトランジスタ１５のソースまたはドレインに接続されており、液晶素子１４の他端が図示しない基準電位線（例えばグラウンド線）に接続されている。トランジスタ１５のゲートがゲート線ＷＳＬに接続されており、トランジスタ１５のソースおよびドレインのうち液晶素子１４に未接続の方がデータ線ＤＴＬに接続されている。ここで、１水平ラインに属する複数のサブピクセル１１において、トランジスタ１５のゲートが共通のゲート線ＷＳＬに接続されている。

（駆動回路３０）
次に、液晶表示パネル１０の周辺に設けられた駆動回路３０内の各回路について、図１を参照して説明する。駆動回路３０は、例えば、図１に示したように、映像信号処理回路３１、タイミング生成回路３２、信号線駆動回路３３および走査線駆動回路３４を有している。

映像信号処理回路３１は、外部から入力されたデジタルの映像信号３０Ａを補正すると共に、補正した後の映像信号をアナログに変換して信号線駆動回路３３に出力するものである。タイミング生成回路３２は、信号線駆動回路３３および走査線駆動回路３４が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路３２は、例えば、外部から入力された同期信号３０Ｂに応じて（同期して）、これらの回路に対して制御信号３２Ａを出力するようになっている。

信号線駆動回路３３は、制御信号３２Ａの入力に応じて（同期して）、映像信号処理回路３１から入力されたアナログの映像信号（映像信号３０Ａに対応する信号電位）を、各データ線ＤＴＬに印加して、選択対象のサブピクセル１１に書き込むものである。信号線駆動回路２３は、例えば、映像信号３０Ａに対応する信号電圧Ｖｓｉｇを出力することが可能となっている。

走査線駆動回路３４は、制御信号３２Ａの入力に応じて（同期して）、複数のゲート線ＷＳＬに選択パルスを順次印加して、複数のサブピクセル１１をゲート線ＷＳＬ単位で順次選択するものである。走査線駆動回路３４は、例えば、トランジスタ１５をオンさせるときに印加する電圧Ｖｏｎと、トランジスタ１５をオフさせるときに印加する電圧Ｖｏｆｆとを出力することが可能となっている。ここで、電圧Ｖｏｎは、トランジスタ１５のオン電圧以上の値（一定値）となっている。電圧Ｖｏｆｆは、トランジスタ１５のオン電圧よりも低い値（一定値）となっている。

（レイアウト・断面）
図３は、表示領域１０Ａのうちサブピクセル１１に対応する部分のレイアウトの一例を表したものである。図４は、トランジスタ１５およびその近傍の断面構成の一例を表したものであり、図３のＡ−Ａ線に対応する部分の断面構成の一例を表したものである。サブピクセル１１は、例えば、図４に示したように、表示パネル４０上に光学機能部５０を備えた構造となっている。

表示パネル４０は、例えば、図４に示したように、基板４１上に、トランジスタ１５を有している。トランジスタ１５は、例えば、基板４１上に、ゲート電極４２、ゲート絶縁膜４３、チャネル層４４、ソース電極４５およびドレイン電極４６を含んで構成されている。基板４１は、可視光に対して透明な基板、例えば、板ガラスまたは透光性の樹脂基板からなる。基板４１は、可視光に対して不透明な基板、例えば、シリコンウェハーなどであってもよい。ソース電極４５は、データ線ＤＴＬと同一面内に形成されており、例えば、データ線ＤＴＬと一体に形成されている。なお、ソース電極４５は、製造過程においてデータ線ＤＴＬとは別体に形成されたものであってもよい。ドレイン電極４６も、データ線ＤＴＬと同一面内に形成されており、データ線ＤＴＬおよびソース電極４５と接触しないように、データ線ＤＴＬおよびソース電極４５とは所定の間隙を介して配置されている。ドレイン電極４６は、同一面内に形成されたサブピクセル１１の画素電極１６に接続されている。画素電極１６は、例えば、図３に示したように、サブピクセル１１全体に渡って広がっている。ドレイン電極４６は、例えば、画素電極１６と一体に形成されている。ドレイン電極４６が画素電極１６と一体に形成されている場合には、ドレイン電極４６そのものが画素電極１６であると言うこともできる。なお、ドレイン電極４６は、製造過程において画素電極１６とは別体で形成されたものであってもよい。画素電極１６は、反射電極としての役割も有しており、その表面が平坦面（例えば鏡面）となっている。ドレイン電極４６および画素電極１６は、例えば、Ａｌや、Ａｌ−Ｎｄ合金などの金属材料で構成されている。

表示パネル４０は、さらに、例えば、図４に示したように、画素電極１６を含む表面の上方に液晶層４７を有しており、液晶層４７の上方に、共通電極４８および基板４９を液晶層４７側から順に有している。液晶層４７は、例えば、ネマティック液晶を含んで構成され、後述するように、駆動回路３０からの印加電圧により、液晶層４７に入射する光をサブピクセル１１ごとに透過または遮断する変調機能を有している。共通電極４８は、液晶層４７を介して画素電極１６と対向する対向電極である。共通電極４８は、各サブピクセル１１における共通の電極であり、全てのサブピクセル１１と向き合って配置されている。共通電極４８は、可視光に対して透明な導電性材料からなり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）からなる。

なお、図示しないが、例えば、ドレイン電極４６と液晶層４７との間には、トランジスタ１５を保護するパッシベーション層と、液晶層４７内の液晶分子を配向させる配向膜とがドレイン電極４６側から順に積層したものが配置されている。配向膜は、液晶層４７と直接に接している。また、図示しないが、例えば、液晶層４７と共通電極４８との間には、液晶層４７内の液晶分子を配向させる配向膜が配置されている。この配向膜も、液晶層４７と直接に接している。また、図示しないが、例えば、共通電極４８と基板４９との間には、カラーフィルタが配置されている。

カラーフィルタは、液晶層４７を透過してきた光を、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の三原色にそれぞれ色分離するためのカラーフィルタを、画素電極の配列と対応させて配列したものである。カラーフィルタは、例えば、サブピクセル１１Ｒに対応して赤用フィルタを有しており、サブピクセル１１Ｇに対応して緑用フィルタを有しており、サブピクセル１１Ｂに対応して青用フィルタを有している。

光学機能部５０は、例えば、図４に示したように、光散乱層５１、位相差層５２および偏光層５３を表示パネル４０側から順に有している。

光散乱層５１は、例えば、基板４９の上面に貼り合わされている。光散乱層５１は、例えば、屈折率の互いに異なる２種類の領域が厚さ方向に延在するとともに所定の方向に傾斜して形成された光学フィルムである。光散乱層５１は、例えば、特定方向から入射した光を散乱する異方性前方散乱フィルムである。光散乱層５１は、例えば、特定方向から光が入射してきた場合に、その入射光をほとんど散乱せずに透過させ、反射電極で反射され戻ってきた光を大きく散乱するようになっている。また、光散乱層５１は、例えば、特定方向とは異なる方向から光が入射してきた場合には、偏光層５３側からの光入射時だけでなく偏光層５３側への光出射時にも、ほとんど散乱せずに透過させるようになっている。

なお、光散乱層５１は、常にフィルム状である必要はなく、例えば、基板４９と位相差層５２とを互いに貼り合わせる粘着剤または接着剤であってもよい。また、光散乱層５１は、基板４９と位相差層５２との間以外の部位に配置することも可能である。光散乱層５１は、例えば、基板４９と位相差層５２との間ではなく、位相差層５２と偏光板５３との間に配置されていてもよい。また、光散乱層５１は、基板４９と位相差層５２との間だけでなく、それ以外の部位にも配置することが可能である。光散乱層５１は、例えば、基板４９と位相差層５２との間に配置されるとともに、位相差層５２と偏光板５３との間に配置されていてもよい。

位相差層５２は、例えば、そのリタデーションが可視光領域のうち最も視感度の高い緑色光波長の約１／４に相当する値となっている光学フィルムである。位相差層５２は、例えば、偏光層５３側から入射してきた直線偏光光を円偏光に変換する機能を有しており、１／４波長板として機能する。なお、高帯域にするために、偏光層５３と、位相差層５２との間に、可視光の最も視感度が高い緑色光波長の約１／２に相当するリタデーションを有する位相差層（例えば１／２波長板）がさらに設けられていてもよい。

偏光層５３は、所定の直線偏光成分を吸収し、それ以外の偏光成分を透過する機能を有している。従って、偏光層５３は、外部から入射してきた外光を直線偏光に変換する機能を有している。

[効果]
次に、本実施の形態の液晶表示装置１の効果について説明する。

通常、反射型の表示装置では、図９および図１０（図９のＡ−Ａ線に対応する断面図）に示したように、画素電極７２による反射率を高めるために、トランジスタ１５を含む表面全体に層間絶縁膜７１が設けられ、その上に画素電極７２が設けられている。しかし、そのような構造を作り込むためには、多くのプロセスステップが必要となり、製造コストの低減を妨げているという問題があった。

一方、本実施の形態では、図３、図４に示したように、画素電極１６がドレイン電極４６、ソース電極４５およびデータ線ＤＴＬと同層に形成されており、さらにドレイン電極４６と接続されている。また、画素電極１６がドレイン電極４６と一体に形成されている場合には、ドレイン電極４６そのものが画素電極１６として機能しているとも言える。さらに、本実施の形態では、画素電極１６が反射電極も兼ねている。そのため、図９、図１０に示したような層間絶縁膜７１や画素電極７２を設ける必要がない。これにより、反射型の表示装置としての機能を損なうことなく、プロセスステップを減らし、製造コストを下げることができる。

＜２．第２の実施の形態＞
図５は、本技術の第２の実施の形態に係る液晶表示装置２の概略構成を表したものである。この液晶表示装置２は、液晶表示パネル６０と、液晶表示パネル６０を駆動する駆動回路３０とを備えている。この表示装置２において、液晶表示パネル６０の表面のうち外縁以外の領域が各種画像やデータ等を表示する表示領域６０Ａとなっており、液晶表示パネル６０の表面のうち表示領域６０Ａの周縁が非表示領域となっている。

（液晶表示パネル６０）
液晶表示パネル６０は、反射型、または反射部と透過部とを兼ね備えた半透過型の液晶パネルである。液晶表示パネル６０は、複数の画素１２が表示領域６０Ａ内に２次元配置されたものであり、映像信号３０Ａに応じて各画素１２が駆動されることによって画像を表示するものである。

図６は、表示領域６０Ａ内の回路構成の一例を表したものである。表示領域６０Ａは、例えば、図５、図６に示したように、行状に配置された複数組のゲート線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２と、列状に配置された複数のデータ線ＤＴＬとを有している。複数組のゲート線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２は、走査線駆動回路３４に接続されており、走査線駆動回路３４によって順次（非同時に）駆動されるようになっている。

１水平ラインに属する複数のサブピクセル１１において、１本のデータ線ＤＴＬに対応して、２つのサブピクセル１１が接続されており、それら２つのサブピクセル１１は、互いに異なるゲート線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２にそれぞれ接続されている。このように、液晶表示パネル６０は、デュアルゲート型の表示パネルとなっている。

図７は、表示領域６０Ａのうちサブピクセル１１に対応する部分のレイアウトの一例を表したものである。図７に示したように、１水平ラインに属する複数のサブピクセル１１のうち互いに異なるデータ線ＤＴＬに接続された２つのサブピクセル１１の間には、データ線ＤＴＬが存在しておらず、データ線ＤＴＬが存在しない分だけ、画素電極１６（またはドレイン電極４６）の面積が広くなっている。ただし、液晶表示パネル６０がデュアルゲート型となっているので、ゲート線ＷＳＬ２が増えた分だけ、画素電極１６（またはドレイン電極４６）の面積は狭くなっている。しかし、通常、サブピクセル１１の形状は、水平方向に短く、垂直方向に長い長方形状となっており、サブピクセル１１の長手方向に延在しているデータ線ＤＴＬが存在しなくなったことにより増える面積の方が、サブピクセル１１の短手方向に延在しているゲート線ＷＳＬ２が存在することになったことにより減少する面積よりも大きくなっている。従って、液晶表示パネル６０がデュアルゲート型となっていることにより、画素電極１６（またはドレイン電極４６）の面積を、第１の実施の形態における画素電極１６（またはドレイン電極４６）の面積よりも大きくすることができる。従って、各サブピクセル１１の開口率についても、第１の実施の形態よりも大きくすることができる。

［変形例］
上記第２の実施の形態において、例えば、図８に示したように、画素電極１６（またはドレイン電極４６）が、他のサブピクセル１１のトランジスタ１５のゲートが接続されているゲート線ＷＳＬ１の直上にまで延在していてもよい。このようにした場合には、各サブピクセル１１の開口率を更に大きくすることができる。

＜３．適用例＞
次に、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る表示装置１，２の一適用例について説明する。図１１は、本適用例に係る電子機器１００の概略構成の一例を表す斜視図である。電子機器２は、携帯電話機であり、例えば、図１１に示したように、本体部１１１と、本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを備えている。本体部１１１は、操作ボタン１１５と、送話部１１６を有している。表示体部１１２は、表示装置１１３と、受話部１１７とを有している。表示装置１１３は、電話通信に関する各種表示を、表示装置１１３の表示画面１１４に表示するようになっている。電子機器１００は、表示装置１１３の動作を制御するための制御部（図示せず）を備えている。この制御部は、電子機器１００全体の制御を司る制御部の一部として、またはその制御部とは別に、本体部１１１または表示体部１１２の内部に設けられている。

表示装置１１３は、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１と同一の構成を備えている。これにより、表示装置１１３の製造コストを、プロセスステップが減った分だけ下げることができる。

なお、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る表示装置１，２を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

（１）
液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、
前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する
表示パネル。
（２）
当該表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線とを備え、
前記サブピクセルは、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置され、
前記ドレイン電極は、前記データ線と同層に配置されている
（１）に記載の表示パネル。
（３）
前記ドレイン電極は反射電極としても機能する
（１）または（２）に記載の表示パネル。
（４）
液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、
前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている
表示パネル。
（５）
行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを備え、
各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、
前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている
表示パネル。
（６）
前記画素電極は反射電極としても機能する
（４）または（５）に記載の表示パネル。
（７）
複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
液晶素子およびトランジスタを前記サブピクセルごとに有し、
前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する
表示装置。
（８）
当該表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線とを備え、
前記サブピクセルは、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置され、
前記ドレイン電極は、前記データ線と同層に配置されている
（７）に記載の表示装置。
（９）
前記ドレイン電極は反射電極としても機能する
（７）または（８）に記載の表示装置。
（１０）
複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに有し、
前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている
表示装置。
（１１）
複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを有し、
各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、
前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている
表示装置。
（１２）
前記画素電極は反射電極としても機能する
（１０）または（１１）に記載の表示装置。

１，２…液晶表示装置、１０，６０…液晶表示パネル、１０Ａ，６０Ａ…表示領域、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…サブピクセル、１２…画素、１４…液晶素子、１５…トランジスタ、３０…駆動回路、３１…映像信号処理回路３１…タイミング生成回路、３２Ａ…制御信号、３３…信号線駆動回路、３４…走査線駆動回路、１００…電子機器、１１１…本体部、１１２…表示体部、１１３…表示装置、１１４…表示画面、１１５…操作ボタン、１１６…送話部。

Claims (10)

1. 液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、
   前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
   前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する
   表示パネル。
2. 当該表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線とを備え、
   前記サブピクセルは、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置され、
   前記ドレイン電極は、前記データ線と同層に配置されている
   請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記ドレイン電極は反射電極としても機能する
   請求項１に記載の表示パネル。
4. 液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、
   前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
   前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
   前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている
   表示パネル。
5. 前記画素電極は反射電極としても機能する
   請求項４に記載の表示パネル。
6. 行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを備え、
   各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、
   前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
   前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている
   表示パネル。
7. 前記画素電極は反射電極としても機能する
   請求項６に記載の表示パネル。
8. 複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、
   前記表示パネルを駆動する駆動部と
   を備え、
   前記表示パネルは、
   液晶素子およびトランジスタを前記サブピクセルごとに有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
   前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する
   表示装置。
9. 複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、
   前記表示パネルを駆動する駆動部と
   を備え、
   前記表示パネルは、
   液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに有し、
   前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
   前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
   前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている
   表示装置。
10. 複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、
    前記表示パネルを駆動する駆動部と
    を備え、
    前記表示パネルは、
    行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを有し、
    各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、
    前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、
    前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている
    表示装置。

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