JP2012216659A - 誘導加熱装置 - Google Patents
誘導加熱装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012216659A JP2012216659A JP2011080553A JP2011080553A JP2012216659A JP 2012216659 A JP2012216659 A JP 2012216659A JP 2011080553 A JP2011080553 A JP 2011080553A JP 2011080553 A JP2011080553 A JP 2011080553A JP 2012216659 A JP2012216659 A JP 2012216659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- induction heating
- cooling
- chamber
- magnetic pole
- magnetically permeable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 164
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 143
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】プロセス室を構成するチャンバ12と、チャンバ12の外周であってチャンバ12を構成するハウジング26に設けられた開口部42を遮蔽する磁気透過性遮蔽板46に近接配置された磁極32,34と、磁極32,34に巻回された誘導加熱コイル36,38とを有する誘導加熱装置10において、磁気透過性遮蔽板46と磁極32,34との間に、磁気透過性遮蔽板46よりも熱伝導率の高い冷却板48と、冷却板48を冷却するための冷媒を挿通可能な冷却管50とを設け、冷却板48を磁気透過性遮蔽板46に密接させると共に冷却板48の少なくとも一部に冷却管50を密接させ、冷却板48と磁極32,34との間には空隙を設けたことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
誘導加熱装置10は、チャンバ12と、チャンバ12の外部に配置された励磁部28、および電源部40を基本として構成される。
各サセプタ16間には、図示しない支持部材が配置され、ウエハ60を配置するための所定の間隔を保つように構成される。図示しない支持部材は、磁束の影響を受けることが無く、耐熱性が高く、かつ熱膨張率の小さい部材により構成すると良く、具体的には石英などを用いて構成すると良い。
サセプタ16は、導電性部材で構成されれば良く、例えばグラファイト、SiC、SiCコートグラファイト、および耐熱金属等により構成すれば良い。
実施形態に係る磁気透過性遮蔽板46は、アルミニウム等により構成されたハウジング26の開口部42の外縁に設けられた段差部26bに押圧保持される。磁気透過性遮蔽板46の外側(磁気透過性遮蔽板46と磁極32,34との間)には、冷却板48が密接配置され、冷却板48の外縁部には、冷媒を挿通可能な冷却管50が密接配置される。このような配置構成とすることで、冷却管50に挿通された冷媒と冷却板48との間で熱交換が行われて冷却板48が冷却される。冷却板48は磁気透過性遮蔽板46に比べて熱伝導率が高いため、磁気透過性遮蔽板46と冷却板48との間での熱交換(熱伝達)が成される前あるいは熱交換が成されている最中に冷却板48全体が冷却されることとなる。その後、冷却された冷却板48と磁気透過性遮蔽板46との間での熱交換が成され、磁気透過性遮蔽板46が冷却される。これにより輻射熱の影響により磁極が過加熱されることを避けることができる。
また、上記のような励磁部28において、実施形態のコア30は、図3に示すように、サセプタ16の中心点Oから各磁極端面の中心に向けて伸ばした線の成す角θが所定の角度(ハウジング26の成す角に依存)となるように構成されている。磁極32,34間に角度付けをした上で、一方の磁極32と他方の磁極34の極性を逆にすることで、発生磁束が磁極32,34間を行き来することとなる。これにより、単一の磁極32(34)によって生ずる磁束よりもサセプタ16の中心側を通る磁束を生じさせることが可能となる。
Claims (8)
- プロセス室を構成するチャンバと、前記チャンバの外周であって前記チャンバを構成する隔壁部材に設けられた開口部を遮蔽する磁気透過性遮蔽板に近接配置された誘導加熱コイル又は誘導加熱コイル用磁極を有する誘導加熱装置に、
前記磁気透過性遮蔽板を冷却するために前記磁気透過性遮蔽板に密接または近接させた冷却板を備えたことを特徴とする誘導加熱装置。 - 前記冷却板は、セラミックにより構成されていることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。
- 前記冷却板と前記磁極との間に空隙を設けたことを特徴とする請求項1または2に記載の誘導加熱装置。
- 前記冷却板を冷却する冷媒を挿通させる冷却管を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。
- 極性の異なる一対の誘導加熱コイル又は誘導加熱コイル用磁極を備え、
前記冷却管は、前記一対の誘導加熱コイル又は誘導加熱コイル用磁極の双方を囲むように配置されることを特徴とする請求項4に記載の誘導加熱装置。 - 前記一対の誘導加熱コイル又は前記誘導加熱コイル用磁極が複数集まり、集合体を構成している場合には、前記冷却管は、前記集合体全体に亙る誘導加熱コイル又は前記誘導加熱コイル用磁極を囲むように配置されることを特徴とする請求項5に記載の誘導加熱装置。
- 前記磁気透過性遮蔽板は、石英により構成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。
- 前記誘導加熱コイルは、冷媒を挿通可能な管状部材と複数の線条材から成る縒り線とから成り、
前記磁極の先端側に前記管状部材を配置し、前記管状部材の後ろ側に前記縒り線を配置したことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011080553A JP4980475B1 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 誘導加熱装置 |
KR1020137007418A KR101309385B1 (ko) | 2011-03-31 | 2011-10-20 | 유도가열장치 |
PCT/JP2011/074171 WO2012132077A1 (ja) | 2011-03-31 | 2011-10-20 | 誘導加熱装置 |
CN201180046790.1A CN103155120B (zh) | 2011-03-31 | 2011-10-20 | 感应加热装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011080553A JP4980475B1 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 誘導加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4980475B1 JP4980475B1 (ja) | 2012-07-18 |
JP2012216659A true JP2012216659A (ja) | 2012-11-08 |
Family
ID=46678907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011080553A Active JP4980475B1 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 誘導加熱装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4980475B1 (ja) |
KR (1) | KR101309385B1 (ja) |
CN (1) | CN103155120B (ja) |
WO (1) | WO2012132077A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11810785B2 (en) | 2017-05-10 | 2023-11-07 | Lux Semiconductors | Thin film crystallization process |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1215444B (it) * | 1987-04-24 | 1990-02-14 | L P E S P A | Perfezionamenti ad induttori e suscettori impiegabili in reattori epitassiali. |
CN1035252A (zh) * | 1988-04-22 | 1989-09-06 | 谭言毅 | 用作分离或过滤的磁装置 |
JPH03241733A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Fujitsu Ltd | 気体成長装置 |
JP3363239B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2003-01-08 | 三菱電機株式会社 | 電磁誘導加熱装置 |
JP3643273B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2005-04-27 | 株式会社ソディック | リニアモータのコイル装置およびその製造方法 |
JP4402860B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-01-20 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
US20030010775A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-16 | Hyoung June Kim | Methods and apparatuses for heat treatment of semiconductor films upon thermally susceptible non-conducting substrates |
JP2005276527A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置 |
KR100621698B1 (ko) | 2004-11-01 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 유도결합 플라즈마 처리장치 |
JP2008226857A (ja) * | 2008-05-16 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP5213594B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP5461040B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP4676567B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | 三井造船株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011080553A patent/JP4980475B1/ja active Active
- 2011-10-20 WO PCT/JP2011/074171 patent/WO2012132077A1/ja active Application Filing
- 2011-10-20 CN CN201180046790.1A patent/CN103155120B/zh active Active
- 2011-10-20 KR KR1020137007418A patent/KR101309385B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103155120B (zh) | 2015-10-21 |
KR101309385B1 (ko) | 2013-09-17 |
JP4980475B1 (ja) | 2012-07-18 |
KR20130037231A (ko) | 2013-04-15 |
CN103155120A (zh) | 2013-06-12 |
WO2012132077A1 (ja) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5063755B2 (ja) | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 | |
JP4676567B1 (ja) | 半導体基板熱処理装置 | |
WO2012086268A1 (ja) | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 | |
JP5297306B2 (ja) | 誘導加熱方法および誘導加熱装置 | |
JPS62205619A (ja) | 半導体の加熱方法及びその方法に使用されるサセプタ | |
JP4918168B1 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP4980475B1 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP5616271B2 (ja) | 誘導加熱装置および磁極 | |
JP5005120B1 (ja) | 誘導加熱方法 | |
JP5628731B2 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP2010257891A (ja) | 誘導加熱調理器 | |
JP5443228B2 (ja) | 半導体熱処理装置 | |
JP5271810B2 (ja) | 電磁誘導加熱装置 | |
JP5461256B2 (ja) | 半導体基板熱処理装置および半導体基板熱処理装置による温度計測方法 | |
JP5596998B2 (ja) | 半導体基板熱処理装置および半導体基板熱処理装置による温度推定方法 | |
JP5084069B2 (ja) | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 | |
JP2011054318A (ja) | 誘導加熱方法および誘導加熱装置 | |
JP5297307B2 (ja) | 誘導加熱方法および誘導加熱装置 | |
JP5453072B2 (ja) | 半導体基板熱処理装置 | |
JP2012089775A (ja) | サセプタおよび半導体基板加熱装置 | |
JP2014099305A (ja) | 誘導加熱方法および誘導加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120418 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4980475 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |