JP2012134113A

JP2012134113A - Fuse device

Info

Publication number: JP2012134113A
Application number: JP2011026024A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshige Miyawaki; 清茂宮脇; Atsushi Ogasawara; 厚志小笠原; Hiroshi Mizushima; 弘水島
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2010-12-01
Filing date: 2011-02-09
Publication date: 2012-07-12

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fuse device capable of contributing to an improvement of operation characteristics.SOLUTION: A fuse device 1 comprises: a base body 2; a temperature fuse element 3 disposed on a top surface of the base body 2; a mounting pad 5 disposed on a lower surface of the base body 2; and a mounting pad heating element 6 disposed in the base body 2 in an area which does not overlap the temperature fuse element 3 and overlaps the mounting pad 5 in plan view.

Description

本発明は、温度ヒューズエレメントを溶断するヒューズ装置に関する。 The present invention relates to a fuse device for fusing a thermal fuse element.

近年、ヒューズ装置の作動特性を向上させる開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。 In recent years, development for improving the operating characteristics of a fuse device has been advanced (see, for example, Patent Document 1).

特開平１１−９６８７１号公報JP-A-11-96871

ヒューズの開発において、ヒューズ装置が所望する条件にて的確に作動するかどうかの作動特性の向上が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置を提供することを目的とする。 In the development of fuses, it is required to improve the operation characteristics of whether or not the fuse device operates properly under desired conditions. The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a fuse device that can contribute to improvement of operating characteristics.

本発明の一実施形態に係るヒューズ装置は、基体と、前記基体の上面に設けられた温度ヒューズエレメントと、前記基体の下面に設けられた実装パッドと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記実装パッドと重なる領域に配置された実装パッド発熱体とを備えている。 A fuse device according to an embodiment of the present invention includes a base, a thermal fuse element provided on an upper surface of the base, a mounting pad provided on a lower surface of the base, and a planar see-through provided in the base. And a mounting pad heating element disposed in a region that does not overlap the thermal fuse element and overlaps the mounting pad.

本発明の一実施形態に係るヒューズ装置は、基体と、前記基体の上面に設けられた一対の接続パッドと、前記基体の上面に設けられ、一対の前記接続パッドの両者にわたって接続された温度ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記接続パッドと重なる領域に設けられた接続パッド発熱体とを備えている。 A fuse device according to an embodiment of the present invention includes a base, a pair of connection pads provided on the top surface of the base, and a thermal fuse provided on the top surface of the base and connected across the pair of connection pads. An element, and a connection pad heating element provided in a region that does not overlap with the thermal fuse element in a plan view and that overlaps with the connection pad.

本発明によれば、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the fuse apparatus which can contribute to the improvement of an operating characteristic can be provided.

本実施形態に係るヒューズ装置の概観を示す斜視図である。It is a perspective view showing an outline of a fuse device concerning this embodiment. ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、発熱抵抗体、実装パッド発熱体、接続パッド発熱体を示している。It is a perspective view which shows two intermediate | middle layers of the base | substrate of a fuse apparatus, Comprising: The heating resistor, the mounting pad heat generating body, and the connection pad heat generating body are shown. ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、接続パッド発熱体を示している。It is a perspective view which shows the middle two layers of the base | substrate of a fuse apparatus, Comprising: The connection pad heat generating body is shown. ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、発熱抵抗体を示している。It is a perspective view which shows two intermediate | middle layers of the base | substrate of a fuse apparatus, Comprising: The heating resistor is shown. ヒューズ装置の基体の中間の二層を示す斜視図であって、実装パッド発熱体を示している。It is a perspective view which shows the middle two layers of the base | substrate of a fuse apparatus, Comprising: The mounting pad heat generating body is shown. 図１のＸ−Ｘ’に沿ったヒューズ装置の断面図である。It is sectional drawing of the fuse apparatus along X-X 'of FIG. 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との関係を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the relationship between the fuse apparatus which concerns on one modification, and an external circuit. 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との接続関係を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the connection relation of the fuse apparatus which concerns on one modification, and an external circuit. 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との接続関係を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the connection relation of the fuse apparatus which concerns on one modification, and an external circuit. 一変形例に係るヒューズ装置と外部回路との接続関係を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the connection relation of the fuse apparatus which concerns on one modification, and an external circuit. 一変形例に係るヒューズ装置の概観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the fuse apparatus which concerns on one modification.

添付図面を参照して、本発明にかかるヒューズ装置の実施形態を説明する。 Embodiments of a fuse device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

＜ヒューズ装置の概略構成＞
図１は、本実施形態に係るヒューズ装置の概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを透過したものである。また、図２は、ヒューズ装置の発熱抵抗体、実装パッド発熱体、接続パッド発熱体を示す基体の一部の透過斜視図である。また、図３は、図２に対応する基体の一部の透過斜視図であって、接続パッド発熱体を示している。また、図４は、図２に対応する基体の一部の透過斜視図であって、発熱抵抗体を示している。また、図５は、図２に対応する基体の一部の透過斜視図であって、実装パッド発熱体を示している。また、図６は、図１のＸ−Ｘ’に沿ったヒューズ装置の断面図である。 <Schematic configuration of fuse device>
FIG. 1 is a schematic perspective view of the fuse device according to the present embodiment, in which the flux covering the thermal fuse element is transmitted. FIG. 2 is a transparent perspective view of a part of the substrate showing the heating resistor, the mounting pad heating element, and the connection pad heating element of the fuse device. 3 is a transparent perspective view of a part of the base corresponding to FIG. 2, and shows a connection pad heating element. 4 is a transparent perspective view of a part of the base corresponding to FIG. 2 and shows a heating resistor. FIG. 5 is a transparent perspective view of a part of the base corresponding to FIG. 2 and shows a mounting pad heating element. FIG. 6 is a cross-sectional view of the fuse device taken along the line XX ′ of FIG.

本実施形態のヒューズ装置は、回路保護素子として用いるものであって、外部回路に組み込むものである。そして、外部回路に異常が発生して、外部回路の温度が上がると、その異常温度に起因して、温度ヒューズエレメントが溶断し、外部回路の動作を緊急停止させるものである。 The fuse device of this embodiment is used as a circuit protection element and is incorporated in an external circuit. When an abnormality occurs in the external circuit and the temperature of the external circuit rises, the temperature fuse element is melted due to the abnormal temperature, and the operation of the external circuit is urgently stopped.

また、ヒューズ装置に、温度ヒューズエレメントを発熱する発熱抵抗体を設けた場合は、
外部回路の異常発生時に、外部回路にヒューズ装置とともに組み込んだ異常検出器が外部回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、ヒューズ装置は、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させることができる。 In addition, if the fuse device is provided with a heating resistor that heats the thermal fuse element,
When an abnormality occurs in the external circuit, an abnormality detector incorporated in the external circuit together with the fuse device detects the abnormality in the external circuit and energizes the heating resistor. As a result, in the fuse device, the heating resistor becomes hot, and the operation of the circuit can be urgently stopped by fusing the thermal fuse element according to the temperature.

本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２と、基体２の上面に設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体２内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に配置された発熱抵抗体４と、基体２の下面に設けられた実装パッド５と、基体２内に発熱抵抗体４と間を空けて配置され、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならない領域であって、実装パッド５と重なる領域に設けられた実装パッド発熱体６とを備えている。なお、本実施形態においては、ヒューズ装置１に発熱抵抗体４を設けた構造について説明するが、温度ヒューズエレメント３が溶断可能な構造であれば、ヒューズ装置１から発熱抵抗体４を除いた構造であっても構わない。 The fuse device 1 according to the present embodiment is provided in a base 2, a thermal fuse element 3 provided on the upper surface of the base 2, and provided in the base 2 so as to overlap with the thermal fuse element 3 in a plan view. The heating resistor 4, the mounting pad 5 provided on the lower surface of the base 2, and the heating resistor 4 are disposed in the base 2 so as to be spaced apart from each other and do not overlap with the thermal fuse element 3 in a plan view. And a mounting pad heating element 6 provided in a region overlapping with the mounting pad 5. In the present embodiment, the structure in which the heat generating resistor 4 is provided in the fuse device 1 will be described. However, if the temperature fuse element 3 can be blown, the structure in which the heat generating resistor 4 is removed from the fuse device 1. It does not matter.

また、本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２と、基体２の上面に設けられた一対の接続パッド７と、基体２の上面に設けられ、一対の接続パッド７の両者にわたって接続された温度ヒューズエレメント３と、基体２内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に配置された発熱抵抗体４と、基体２内に発熱抵抗体４と間を空けて配置され、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重ならない領域であって、接続パッド７と重なる領域に設けられた接続パッド発熱体８とを備えている。 In addition, the fuse device 1 according to the present embodiment is provided on the base body 2, the pair of connection pads 7 provided on the upper surface of the base body 2, and provided on the upper surface of the base body 2 and connected across both the pair of connection pads 7. A thermal fuse element 3, a heating resistor 4 provided in the base 2 and disposed in a region overlapping the thermal fuse element 3 in a plan view, and a heating resistor 4 disposed in the base 2 with a space between them; A connection pad heating element 8 provided in a region that does not overlap with the thermal fuse element 3 in a plan view and overlaps with the connection pad 7 is provided.

基体２は、絶縁性の複数の基板を積層したものであって、基体２を構成する基板が、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミックス材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基体２を構成する基板の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、基体２を構成する基板の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以
上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。 The substrate 2 is a laminate of a plurality of insulating substrates, and the substrate constituting the substrate 2 is made of a ceramic material such as alumina, mullite or aluminum nitride, or a glass ceramic material. Or it consists of a composite material which mixed several materials among these materials. In addition, the thickness of the board | substrate which comprises the base | substrate 2 is set to 0.05 mm or more and 2 mm or less, for example. Further, the thermal conductivity of the substrate constituting the base 2 is set to, for example, 14 W / m · K or more and 200 W / m · K or less.

基体２の上面には、温度ヒューズエレメント３を実装したときに、温度ヒューズエレメントと電気的に接続パッド７が形成されている。接続パッド７は、温度ヒューズエレメント３と接続されるものである。接続パッド７は、温度ヒューズエレメント３の両端部のそれぞれに対応して基体２の最上層の上面に形成されている。 On the upper surface of the base 2, when the thermal fuse element 3 is mounted, a connection pad 7 is formed electrically with the thermal fuse element. The connection pad 7 is connected to the thermal fuse element 3. The connection pads 7 are formed on the upper surface of the uppermost layer of the base 2 corresponding to the both ends of the thermal fuse element 3.

基体２の上面には、接続パッド７と電気的に接続される電極層９が形成されている。電極層９は、温度ヒューズエレメント３に電流を流すものである。また、電極層９の一部は、基体２の上面から基体２の側面を介して基体２内にわたって形成されている。電極層９は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層９が電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層９は、接続パッド７および温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層９の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、電極層９の幅とは、電極層９に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。 An electrode layer 9 electrically connected to the connection pad 7 is formed on the upper surface of the base 2. The electrode layer 9 allows current to flow through the thermal fuse element 3. A part of the electrode layer 9 is formed from the upper surface of the substrate 2 to the inside of the substrate 2 through the side surface of the substrate 2. The electrode layer 9 is formed so that the electrode layer 9 is electrically open when the thermal fuse element 3 is melted. The electrode layer 9 is electrically connected to the connection pad 7 and the thermal fuse element 3 and is formed in an arbitrary pattern. The width of the electrode layer 9 is set to, for example, 0.05 mm or more and 10 mm or less. Here, the width of the electrode layer 9 refers to the width in the direction orthogonal to the direction of the current flowing in the electrode layer 9.

電極層９は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。 The electrode layer 9 is, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, gold, or aluminum, or an alloy thereof, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials, or a material thereof. It consists of a composite layer.

また、基体２の上面には、接続パッド発熱端子１０が設けられている。接続パッド発熱端子１０は、電極層９と間を空けて配置されている。接続パッド発熱端子１０は、外部から接続パッド発熱端子１０に電流を流すことで、接続パッド発熱体８の温度を上昇させるものである。接続パッド発熱体８の温度が上昇すると、その接続パッド発熱体８と重なる領域に位置する接続パッド７の温度が上昇する。そして、接続パッド７上にて半田等を溶かしやすくすることができ、短時間で温度ヒューズエレメント３を溶けた半田等を介して基体２に実装しやすくすることができる。また、接続パッド７の温度が上昇するため、半田等を用いずに、温度ヒューズエレメント３の端部を局所的に溶かして、温度ヒューズエレメント３と接続パッド７を接続することもできる。なお、接続パッド発熱端子１０は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。 A connection pad heat generating terminal 10 is provided on the upper surface of the base 2. The connection pad heat generating terminal 10 is disposed so as to be spaced from the electrode layer 9. The connection pad heat generating terminal 10 raises the temperature of the connection pad heat generating element 8 by flowing a current from the outside to the connection pad heat generating terminal 10. When the temperature of the connection pad heating element 8 increases, the temperature of the connection pad 7 located in the region overlapping with the connection pad heating element 8 increases. Then, solder or the like can be easily melted on the connection pad 7 and can be easily mounted on the substrate 2 via the solder or the like in which the temperature fuse element 3 is melted in a short time. Further, since the temperature of the connection pad 7 rises, the end portion of the thermal fuse element 3 can be locally melted without using solder or the like, and the thermal fuse element 3 and the connection pad 7 can be connected. The connection pad heat generating terminal 10 is, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, gold or aluminum, an alloy thereof, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. Or it consists of a composite layer of those materials.

接続パッド発熱端子１０の一部は、基体２の上面から基体２の側面を介して基体２内にまで延在されている。そして、基体２内の接続パッド発熱体８と電気的に接続されている。接続パッド発熱体８は、平面透視して接続パッド７と重なる領域に配置されている。そして、接続パッド発熱体８は、基体２内に位置する基体２を構成する基板の上面に導電材料がパターニングされて構成されているが、接続パッド７と重なる領域がその周囲のパターニングよりも細く形成されている。そして、接続パッド発熱体８の細く形成されている箇所が、その周囲のパターニングの太く形成されている箇所よりも発熱する。その結果、接続パッド発熱端子１０から流れる電流の多くが接続パッド発熱体８の細くパターニングされた箇所にて発熱し、その直上に基体２を構成する基板を介して設けられた接続パッド７の温度を上昇させることができる。 A part of the connection pad heat generating terminal 10 extends from the upper surface of the base body 2 into the base body 2 through the side surface of the base body 2. The connection pad heating element 8 in the base 2 is electrically connected. The connection pad heating element 8 is disposed in a region overlapping the connection pad 7 as seen through the plane. The connection pad heating element 8 is configured by patterning a conductive material on the upper surface of the substrate constituting the base body 2 located in the base body 2, but the region overlapping the connection pad 7 is narrower than the surrounding patterning. Is formed. Then, the portion where the connection pad heating element 8 is formed more thinly generates heat than the portion where the surrounding patterning is formed thicker. As a result, most of the current flowing from the connection pad heat generating terminal 10 generates heat at a finely patterned portion of the connection pad heat generating body 8, and the temperature of the connection pad 7 provided via the substrate constituting the base body 2 immediately above the heat generation. Can be raised.

また、基体２の上面には、実装パッド発熱端子１１が設けられている。実装パッド発熱端子１１は、電極層９および接続パッド発熱端子１０と間を空けて配置されている。実装パッド発熱端子１１は、外部から実装パッド発熱端子１１に電流を流すことで、実装パッド発熱体６の温度を上昇させるものである。実装パッド発熱体６の温度が上昇すると、その実装パッド発熱体６と重なる領域に位置する実装パッド５の温度が上昇する。そして、実装パッド５上にて半田等を溶かしやすくすることができ、短時間で基体２を溶けた半田
等を介して外部基板に実装しやすくすることができる。なお、実装パッド発熱端子１１は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。 A mounting pad heating terminal 11 is provided on the upper surface of the base 2. The mounting pad heat generating terminal 11 is disposed with a space between the electrode layer 9 and the connection pad heat generating terminal 10. The mounting pad heat generating terminal 11 raises the temperature of the mounting pad heat generating element 6 by flowing a current from the outside to the mounting pad heat generating terminal 11. When the temperature of the mounting pad heating element 6 increases, the temperature of the mounting pad 5 located in the region overlapping with the mounting pad heating element 6 increases. And solder etc. can be made easy to melt on mounting pad 5, and it can be made easy to mount on an external substrate via solder etc. which melted substrate 2 in a short time. The mounting pad heating terminal 11 is made of, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, gold or aluminum, an alloy thereof, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. Or it consists of a composite layer of those materials.

実装パッド発熱端子１１の一部は、基体２の上面から基体２の側面を介して基体２内にまで延在されている。そして、基体２内の実装パッド発熱体６と電気的に接続されている。実装パッド発熱体６は、平面透視して実装パッド５と重なる領域に配置されている。そして、実装パッド発熱体６は、基体２内に位置する基体２を構成する基板の上面に導電材料がパターニングされて構成されているが、実装パッド５と重なる領域がその周囲のパターニングよりも細く形成されている。そして、実装パッド発熱体６の細く形成されている箇所が、その周囲のパターニングの太く形成されている箇所よりも発熱する。その結果、実装パッド発熱端子１１から流れる電流の多くが実装パッド発熱体６の細くパターニングされた箇所にて発熱し、その直下に基体２を構成する基板を介して設けられた実装パッド５の温度を上昇させることができる。 A part of the mounting pad heat generating terminal 11 extends from the upper surface of the substrate 2 to the inside of the substrate 2 through the side surface of the substrate 2. The mounting pad heating element 6 in the base 2 is electrically connected. The mounting pad heating element 6 is disposed in a region overlapping the mounting pad 5 as seen through the plane. The mounting pad heating element 6 is configured by patterning a conductive material on the upper surface of the substrate constituting the base body 2 located in the base body 2, but the region overlapping the mounting pad 5 is narrower than the surrounding patterning. Is formed. And the place where the mounting pad heat generating body 6 is formed more thinly generates heat than the part where the surrounding patterning is formed thick. As a result, most of the current flowing from the mounting pad heat generating terminal 11 generates heat at a finely patterned portion of the mounting pad heating element 6, and the temperature of the mounting pad 5 provided via the substrate constituting the base body 2 immediately below it. Can be raised.

基体２の上面には、温度ヒューズエレメント３が実装される。温度ヒューズエレメント３は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント３は、例えば、インジウム、ビスマスまたは錫等の導電材料、あるいはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント３の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。なお、温度ヒューズエレメント３の両端は、接続パッド７と接続されている。 A thermal fuse element 3 is mounted on the upper surface of the base 2. The thermal fuse element 3 is blown when the temperature exceeds a specific temperature. The thermal fuse element 3 is made of, for example, a conductive material such as indium, bismuth, or tin, or a mixed material thereof. Further, the melting point at which the thermal fuse element 3 melts is set to, for example, 80 ° C. or higher and 180 ° C. or lower. Note that both ends of the thermal fuse element 3 are connected to the connection pads 7.

温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体４と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。また、温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体４が存在する領域から食み出さないように設けられると、発熱抵抗体４の温度を効率良く温度ヒューズエレメント３に伝えることができる。なお、温度ヒューズエレメント３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下に設定されている。 The thermal fuse element 3 is provided in a region overlapping with the heating resistor 4 when viewed through, and is formed in a rectangular shape. Further, when the thermal fuse element 3 is provided so as not to protrude from the region where the heating resistor 4 is present when seen through, the temperature of the heating resistor 4 can be efficiently transmitted to the thermal fuse element 3. . The thickness of the thermal fuse element 3 is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 3.0 mm, and the length of one side when viewed in plan is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 10.0 mm. .

基体２上には、温度ヒューズエレメント３と重なる領域の一部に被覆層１２が形成されている。被覆層１２は、基体２の温度ヒューズエレメント３が実装される実装面上に形成されている。被覆層１２は、温度ヒューズエレメント３の溶融体との濡れ性が基体２の上面に形成された温度ヒューズエレメント実装面の濡れ性よりも小さい濡れ性の材料であって、例えば、ガラスまたはテフロン等の材料から成る。 A coating layer 12 is formed on the base 2 in a part of the region overlapping with the thermal fuse element 3. The covering layer 12 is formed on the mounting surface on which the thermal fuse element 3 of the base 2 is mounted. The covering layer 12 is a wettable material whose wettability with the melt of the thermal fuse element 3 is smaller than the wettability of the mounting surface of the thermal fuse element formed on the upper surface of the base 2, for example, glass or Teflon, etc. Made of material.

被覆層１２は、温度ヒューズエレメント３の両端部に対応させて二つ設けられている。そして、一対の被覆層１２同士の間に空隙ＡＳが存在する。空隙ＡＳは、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、その溶断した一部が空隙ＡＳに落ち込んで、温度ヒューズエレメント３に電気が流れないようにするためのものである。 Two covering layers 12 are provided corresponding to both ends of the thermal fuse element 3. A gap AS exists between the pair of coating layers 12. The air gap AS is used to prevent electricity from flowing into the temperature fuse element 3 because a part of the melted fuse falls into the air gap AS when the temperature fuse element 3 is melted.

実装面は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れやすくするためのものであって、被覆層１２上に溶断した温度ヒューズエレメント３の一部が付着しにくくするものである。実装面は、実装面上に溶断した温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れ、溶融体の表面張力作用により被覆層１２上の温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体を吸収する作用により、被覆層１２上に温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が残存付着しにくくなり、一対の電極層９の間を電気的にオープンにすることができる。 The mounting surface is for facilitating the wetting of the material constituting the thermal fuse element 3 when the thermal fuse element 3 is melted, and a part of the thermal fuse element 3 melted on the coating layer 12 Makes it difficult to adhere. On the mounting surface, the melt of the material constituting the thermal fuse element 3 melted on the mounting surface gets wet, and the melt of the material constituting the thermal fuse element 3 on the coating layer 12 is absorbed by the surface tension effect of the melt. The action makes it difficult for the molten material of the material constituting the thermal fuse element 3 to remain on the covering layer 12, and the pair of electrode layers 9 can be electrically opened.

温度ヒューズエレメント３は、フラックス１３で被覆されている。フラックス１３は、
熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、あるいは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス１３は、温度ヒューズエレメント３に発熱抵抗体４の温度を伝えやすくするものである。そして、フラックス１３が温度ヒューズエレメント３を被覆することで、発熱抵抗体４の温度と温度ヒューズエレメント３の温度差を小さくすることができる。 The thermal fuse element 3 is covered with a flux 13. The flux 13 is
A material having excellent thermal conductivity, for example, a material obtained by dissolving pine resin in turpentine oil to form a paste, or a material such as zinc chloride. The flux 13 makes it easy to convey the temperature of the heating resistor 4 to the thermal fuse element 3. The flux 13 covers the thermal fuse element 3, whereby the temperature difference between the temperature of the heating resistor 4 and the thermal fuse element 3 can be reduced.

基体２の下面には、実装パッド５が形成されている。実装パッド５は、基体２を外部の外部回路と電気的に接続するものである。なお、実装パッド５は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。 A mounting pad 5 is formed on the lower surface of the base 2. The mounting pad 5 electrically connects the base 2 to an external circuit outside. The mounting pad 5 is, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, gold, or aluminum, or an alloy thereof, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials, or the like. It consists of a composite layer of materials.

実装パッド５は、基体２の最下層に位置する基板の下面から基体２の側面を介して基体２内にまで形成された導電層１４と電気的に接続されている。そして、導電層１４は、ヒューズ装置１とともに外部回路に組込まれた異常検出器が、外部回路の異常を検出することにより、導電層１４を介して、発熱抵抗体４に通電し、発熱抵抗体４の温度を上昇させる。その結果、発熱抵抗体４の温度上昇に起因して、温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。なお、導電層１４の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、導電層１４の幅とは、導電層１４に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。導電層１４は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。 The mounting pad 5 is electrically connected to a conductive layer 14 formed from the lower surface of the substrate located at the lowermost layer of the base 2 to the inside of the base 2 through the side surface of the base 2. The conductive layer 14 is energized to the heating resistor 4 through the conductive layer 14 when an abnormality detector incorporated in the external circuit together with the fuse device 1 detects the abnormality of the external circuit, thereby generating the heating resistor. Increase the temperature of 4. As a result, the temperature fuse element 3 can be blown due to the temperature rise of the heating resistor 4. The width of the conductive layer 14 is set to, for example, 0.05 mm or more and 10 mm or less. Here, the width of the conductive layer 14 refers to the width in the direction orthogonal to the direction of the current flowing in the conductive layer 14. The conductive layer 14 is made of, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, gold, or aluminum, an alloy thereof, a composite material in which a plurality of materials are mixed, or a composite layer of these materials.

基体２内には、発熱抵抗体４が形成されている。発熱抵抗体４は、温度ヒューズエレメント３に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント３を溶断するものである。発熱抵抗体４は、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域であって、温度ヒューズエレメント３と基体２を構成する基板を介して設けられている。 A heating resistor 4 is formed in the base 2. The heating resistor 4 transmits the temperature generated to the thermal fuse element 3 and melts the thermal fuse element 3. The heating resistor 4 is a region that overlaps the temperature fuse element 3 in a plan view, and is provided via a substrate constituting the temperature fuse element 3 and the base 2.

発熱抵抗体４は、一端が電極層９と接続され、他端が導電層１４と接続される。発熱抵抗体４は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状は基体２の下面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体４の幅は、電極層９および導電層１４の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体４の幅を電極層９および導電層１４の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体４の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体４にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。 The heating resistor 4 has one end connected to the electrode layer 9 and the other end connected to the conductive layer 14. The heating resistor 4 has a resistance value for securing a required amount of heat generation, and as an example of the resistance value securing method, the pattern shape is bent many times on the lower surface of the base 2. Yes. The width of the heating resistor 4 is set to be smaller than the widths of the electrode layer 9 and the conductive layer 14. By making the width of the heating resistor 4 smaller than the width of the electrode layer 9 and the conductive layer 14, the electrical resistance of the heating resistor 4 is increased and the control of Joule heat generated in the heating resistor 4 is facilitated. be able to.

発熱抵抗体４には、ヒューズ装置１とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層１４を介して発熱抵抗体４に通電する。そして、発熱抵抗体４の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体４の温度が上昇する。さらに、その温度が、基体２を構成する基板を介して温度ヒューズエレメント３に伝わり、温度ヒューズエレメント３が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体４は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金、プラチナまたはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。 The heating resistor 4 is energized to the heating resistor 4 through the conductive layer 14 by detecting the abnormality of the circuit by the abnormality detector incorporated in the circuit together with the fuse device 1. And since the electrical resistance of the heating resistor 4 is large, the temperature of the heating resistor 4 rises. Further, the temperature is transmitted to the thermal fuse element 3 through the substrate constituting the base 2 and blown when the thermal fuse element 3 reaches a predetermined temperature or higher. The heating resistor 4 is made of, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, gold, platinum, or aluminum, an alloy thereof, a composite material in which a plurality of materials are mixed, or a material thereof. It consists of a composite layer.

基体２内には、平面透視して実装パッド５と温度ヒューズエレメント３との間に空隙Ｐが設けられている。空隙Ｐは、基体２内に伝わる温度の伝達を抑制するものである。温度ヒューズエレメント３を実装した状態の基体２を、外部回路に接続するときに、実装パッド発熱体６に電流を流して、実装パッド６の表面の温度を上昇させるが、その温度によって温度ヒューズエレメント３が溶断しないように基体２内に空隙Ｐが設けられている。空
隙Ｐは、平面透視して高温になる実装パッド５と溶断される虞がある温度ヒューズエレメント３の間に配置されればよい。 In the base body 2, a space P is provided between the mounting pad 5 and the thermal fuse element 3 in a plan view. The gap P suppresses the transmission of the temperature transmitted in the base 2. When the base body 2 in a state where the thermal fuse element 3 is mounted is connected to an external circuit, a current is passed through the mounting pad heating element 6 to raise the temperature of the surface of the mounting pad 6. An air gap P is provided in the base 2 so that 3 does not melt. The air gap P may be disposed between the mounting pad 5 that becomes high temperature when seen through the plane and the thermal fuse element 3 that may be melted.

仮に、温度ヒューズエレメント３を基体２に実装するときに、温度ヒューズエレメント３が溶断する温度状態では温度ヒューズエレメント３を基体２に実装することが困難となるが、本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２の接続パッド７が瞬間的に高温になることで、温度ヒューズエレメント３が溶断する前に温度ヒューズエレメント３を基体２の接続パッド７に接続することができる。また、仮に、温度ヒューズエレメント３を実装した状態の基体を外部回路に実装するときに、温度ヒューズエレメント３が溶断する温度状態では基体２を外部回路に実装することが困難となるが、本実施形態に係るヒューズ装置１は、基体２の実装パッド５が瞬間的に高温になることで、温度ヒューズエレメント３が溶断することなくヒューズ装置１を外部回路に接続することができる。このように、温度ヒューズエレメント３が溶断しないようにすることで、ヒューズ装置が所望する条件にて的確に作動することができ、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置１を提供することができる。 Temporarily, when the thermal fuse element 3 is mounted on the base body 2, it is difficult to mount the thermal fuse element 3 on the base body 2 in a temperature state where the thermal fuse element 3 is melted. However, the fuse device 1 according to the present embodiment is difficult to mount. Since the connection pad 7 of the base 2 is instantaneously heated to a high temperature, the thermal fuse element 3 can be connected to the connection pad 7 of the base 2 before the thermal fuse element 3 is melted. Further, if the base body with the thermal fuse element 3 mounted is mounted on an external circuit, it is difficult to mount the base body 2 on the external circuit in a temperature state where the thermal fuse element 3 is melted. The fuse device 1 according to the embodiment can connect the fuse device 1 to an external circuit without the thermal fuse element 3 being blown by the mounting pad 5 of the base body 2 being instantaneously heated to a high temperature. In this way, by preventing the thermal fuse element 3 from being blown, a fuse device 1 that can operate accurately under conditions desired by the fuse device and can contribute to improvement in operating characteristics is provided. be able to.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した実施形態では、実装パッド発熱体６と接続パッド発熱体８は、一つしか設けていないが、複数設けた構造であっても構わない。また、発熱抵抗体４は、平面透視して温度ヒューズエレメント３と直交するように基体２内に設けられていてもよい。なお、温度ヒューズエレメント３が実装されている側に、実装パッドを設けた構造であってもよい。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the embodiment described above, only one mounting pad heating element 6 and connection pad heating element 8 are provided. Further, the heating resistor 4 may be provided in the base body 2 so as to be orthogonal to the thermal fuse element 3 in a plan view. A structure in which a mounting pad is provided on the side where the thermal fuse element 3 is mounted may be used.

また、ヒューズ装置１に搭載されているヒューズエレメントの作動温度（溶断温度）が、例えば半田等を用いて外部回路１Ｘに平面実装する場合の半田の作業温度と同等、もしくは、作業温度よりも低い場合には、実装作業時にヒューズ装置１の温度がヒューズエレメントの作動温度（溶断温度）よりも高温となって温度ヒューズエレメント３が溶断する虞がある。 Also, the operating temperature (melting temperature) of the fuse element mounted on the fuse device 1 is equal to or lower than the working temperature of the solder when the external mounting is performed on the external circuit 1X using, for example, solder. In this case, the temperature of the fuse device 1 may be higher than the operating temperature (melting temperature) of the fuse element during the mounting operation, and the temperature fuse element 3 may be blown.

ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとは、例えば図７に示す例のように、ヒューズ装置１の側面部に設けた楕円形状を２つに割った形等のキャスタレーション部の下面に金属片１５を貼り付け、金属片１５と外部回路１Ｘの接続する個所とを位置合わせし、金属片１５に対して、例えばレーザー光等を照射して、スポット照射加熱によって接続することができる。ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとの接続をスポット照射加熱によって接続することで、温度ヒューズエレメント３にまで熱が伝わらないようにすることができ、温度ヒューズエレメント３が溶断するのを抑制することができる。なお、キャスタレーションの形状は半円形に限定されず、矩形状等であってもよい。また、金属片１５の上面が露出している部位に貫通孔を設けて、外部回路１Ｘとの接続時に、金属片１５の下面であって、貫通孔よりも外方に位置する個所と外部回路１Ｘとを接続してもよい。金属片１５の上面であって、貫通孔よりも外方に位置する個所に対してスポット照射加熱することで、金属片１５の下面であって貫通孔よりも外方に位置する個所に設けた半田を溶かして外部回路１Ｘと接続することができる。そして、貫通孔が開いていることで、基体２に熱が伝わるのを抑制することができ、ヒューズ装置１の温度ヒューズエレメント３が溶断するのを抑制することができる。 For example, as shown in FIG. 7, the fuse device 1 and the external circuit 1X are provided with a metal piece 15 on the lower surface of the castellation portion such as an oval shape provided on the side surface portion of the fuse device 1 divided into two. The metal piece 15 and the location where the external circuit 1X is connected are aligned, and the metal piece 15 is irradiated with, for example, a laser beam and connected by spot irradiation heating. By connecting the fuse device 1 and the external circuit 1X by spot irradiation heating, it is possible to prevent heat from being transmitted to the temperature fuse element 3 and to prevent the temperature fuse element 3 from fusing. it can. Note that the shape of the castellation is not limited to a semicircular shape, and may be a rectangular shape or the like. In addition, a through hole is provided in a portion where the upper surface of the metal piece 15 is exposed, and a portion of the lower surface of the metal piece 15 that is located outside the through hole and the external circuit when connected to the external circuit 1X. 1X may be connected. Spot irradiation heating is performed on the upper surface of the metal piece 15 and located on the outer side of the through hole, thereby providing the lower surface of the metal piece 15 on the outer side of the through hole. The solder can be melted and connected to the external circuit 1X. And since a through-hole is open, it can suppress that a heat | fever is transmitted to the base | substrate 2, and it can suppress that the thermal fuse element 3 of the fuse apparatus 1 blows out.

また、リード端子を用いずに、ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとを接続することができるため、リード端子を用いた場合に比べて、ヒューズ装置１を小型化することができる。このように、ヒューズ装置１を外部回路１Ｘに平面実装するときの熱の影響による温度ヒューズエレメント３の溶断を抑制し、ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとの接続個所を小さくすることができ、ヒューズ装置１の小型化を実現することができる。 Further, since the fuse device 1 and the external circuit 1X can be connected without using the lead terminal, the fuse device 1 can be downsized as compared with the case where the lead terminal is used. As described above, the fusing of the thermal fuse element 3 due to the influence of heat when the fuse device 1 is mounted on the external circuit 1X in a plane can be suppressed, and the connection location between the fuse device 1 and the external circuit 1X can be reduced. Miniaturization of the device 1 can be realized.

また、図８から図１０に示す例のように、ヒューズ装置１の下面と外部回路１Ｘの上面との間に空間を設け、この空間に絶縁性樹脂１６を充填することによって、ヒューズ装置１の電極間または外部回路１Ｘの電極間での電位差勾配によるマイグレーション等によるショートまたはリーク電流の発生の虞を抑制することができる。かかるマイグレーションを防止するために、ヒューズ１装置の下面に凹凸部を設けること、あるいは外部回路１Ｘの上面に凹部を設けることにより、ヒューズ装置１と外部回路１Ｘとの間に、マイグレーション防止用の空間を設けることができる。そして、空間に絶縁性樹脂１６を充填して、電極間のショートを効果的に抑制することができる。 Further, as in the example shown in FIGS. 8 to 10, a space is provided between the lower surface of the fuse device 1 and the upper surface of the external circuit 1 </ b> X, and this space is filled with an insulating resin 16. The possibility of occurrence of a short circuit or leakage current due to migration or the like due to a potential difference gradient between the electrodes or between the electrodes of the external circuit 1X can be suppressed. In order to prevent such migration, a space for preventing migration is provided between the fuse device 1 and the external circuit 1X by providing an uneven portion on the lower surface of the fuse 1 device or providing a recess on the upper surface of the external circuit 1X. Can be provided. Then, the insulating resin 16 can be filled in the space to effectively suppress a short circuit between the electrodes.

＜ヒューズ装置の製造方法＞
ここで、図１に示すヒューズ装置１の製造方法について説明する。まず、基体２を準備する。基体２は、複数のグリーンシートを積層して焼結させたものである。基体２を構成するグリーンシートは、例えば酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤および溶剤等を添加混合して得た混合物より成型することで得られる。 <Fuse device manufacturing method>
Here, a manufacturing method of the fuse device 1 shown in FIG. 1 will be described. First, the base body 2 is prepared. The substrate 2 is obtained by laminating and sintering a plurality of green sheets. The green sheet which comprises the base | substrate 2 is obtained by shape | molding from the mixture obtained by adding and mixing an organic binder, a plasticizer, a solvent, etc. to raw material powders, such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide, for example. .

次に、金属ペーストを準備する。金属ペーストは、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して得られる。 Next, a metal paste is prepared. The metal paste is obtained by preparing a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum, and adding and mixing an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like to the powder.

そして、基体２となる複数のグリーンシートに対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体４、実装パッド５、接続パッド７、電極層９および導電層１３を形成する。 Then, the heat generating resistor 4, the mounting pad 5, the connection pad 7, the electrode layer 9, and the conductive layer 13 are formed by applying a metal paste to the plurality of green sheets to be the base 2 using, for example, screen printing. .

次に、準備した焼結前の基体２となるグリーンシートを積層して接続させた状態で、約１６００度の温度で焼成する。そして、複数のグリーンシートを一体焼結する。一体焼結後の基体２に対して、例えばめっきを施すことで、接続パッド発熱端子１０および実装パッド発熱端子１１を形成する。 Next, firing is performed at a temperature of about 1600 degrees in a state where the prepared green sheets to be the base 2 before sintering are laminated and connected. Then, the plurality of green sheets are integrally sintered. For example, the connection pad heat generating terminal 10 and the mounting pad heat generating terminal 11 are formed by plating the base body 2 after the integral sintering.

次に、基体２の接続パッド発熱端子１０に電流を流して、接続パッド発熱体８を瞬間的に高温にし、半田を介して温度ヒューズエレメント３と接続パッド７を接続する。また、基体２上に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１３を形成する。このようにして、抵抗温度ヒューズ１を作製することができる。なお、実装パッド５または接続パッド７、および接続パッド７から基体２の側面部を介して実装パッド５まで延材する導通部の鍍金皮膜層に少なくとも比抵抗の小さい銅等の鍍金材料層を含め、例えば電気鍍金法または無電界鍍金法によって一体形成してもよい。この場合は、図１１に示すように、基体２の側面に、実装パッド５および接続パッド７を一体形成した鍍金層１７が形成される。 Next, a current is supplied to the connection pad heat generating terminal 10 of the base 2 to instantaneously raise the connection pad heat generating body 8 to a high temperature, and the temperature fuse element 3 and the connection pad 7 are connected via solder. Further, a flux 13 is formed on the base 2 so as to cover the thermal fuse element 3. In this way, the resistance temperature fuse 1 can be manufactured. The plating film layer of the conductive portion extending from the connection pad 7 or the connection pad 7 to the mounting pad 5 through the side surface portion of the substrate 2 includes at least a plating material layer such as copper having a low specific resistance. For example, they may be integrally formed by an electric plating method or an electroless plating method. In this case, as shown in FIG. 11, a plating layer 17 in which the mounting pads 5 and the connection pads 7 are integrally formed is formed on the side surface of the base 2.

ヒューズ装置１は、異常温度管理対象である電子・電気モジュールや部品の異常に対応して温度ヒューズエレメント３を溶断することによって電子・電気機器における発煙・発火等の虞を排除するために設置されるものであり、ヒューズ装置１の温度ヒューズエレメント３が正常に作動するためには、温度ヒューズエレメント３が温度ヒューズエレメント３を管理する温度のみの影響により溶断することが好ましい。そこで、実装パッド５と温度ヒューズエレメント３との間に配置される引出配線部を無くし、基体２の下面、側面および上面にかけて連続して延在した鍍金層１７を形成することで、管理対象である電子・電気モジュール等が正常に作動している間は、温度ヒューズエレメント装置自体の導通による発熱を抑制することができ、温度ヒューズエレメント３は管理対象である電子・電気モジュールの異常時のみ溶断することができる。引出配線部がなくなることにより、ヒュ
ーズ装置１の小型化を実現することができる。なお、鍍金層１７の下地には、下地メタライズを形成し、その上に、例えば、ニッケル、銅または金等の層構成の鍍金を施す。ヒューズ装置１の温度ヒューズエレメント３実装側の鍍金面に、外部回路への実装時の半田の這い上がり等を防止するために、耐熱性樹脂または厚膜ガラスのコーティング部を形成してもよい。また、図１１に示す例のように、基体２の側面部の形状は平面視にてキャスタレーション部を形成しており、その形状は半円形に限定されず、矩形状等であってもよい。本変形例は温度ヒューズ装置、抵抗温度ヒューズ装置、電流ヒューズと温度ヒューズ機能を有する複合ヒューズ等の少なくとも温度ヒューズ機能を有するヒューズ類の温度ヒューズ機能部分に適用することができる。 The fuse device 1 is installed in order to eliminate the risk of smoke and fire in electronic / electrical equipment by fusing the thermal fuse element 3 in response to the abnormalities of electronic / electrical modules and parts that are subject to abnormal temperature management. Therefore, in order for the thermal fuse element 3 of the fuse device 1 to operate normally, it is preferable that the thermal fuse element 3 be blown by the influence of only the temperature that manages the thermal fuse element 3. Therefore, by removing the lead wiring portion disposed between the mounting pad 5 and the thermal fuse element 3 and forming the plating layer 17 continuously extending over the lower surface, side surface and upper surface of the base body 2, While a certain electronic / electrical module is operating normally, heat generation due to conduction of the thermal fuse element device itself can be suppressed, and the thermal fuse element 3 is blown only when the electronic / electrical module being managed is abnormal. can do. By eliminating the lead-out wiring portion, the fuse device 1 can be downsized. Note that a base metallization is formed on the base of the plating layer 17, and a plating having a layer configuration of, for example, nickel, copper, or gold is applied thereon. A coating portion of heat resistant resin or thick glass may be formed on the plating surface of the fuse device 1 on the mounting side of the thermal fuse element 3 in order to prevent the solder from creeping up when mounted on an external circuit. Further, as in the example shown in FIG. 11, the shape of the side surface portion of the base 2 forms a castellation portion in plan view, and the shape is not limited to a semicircular shape, and may be a rectangular shape or the like. . This modification can be applied to a temperature fuse function portion of a fuse having at least a temperature fuse function, such as a thermal fuse device, a resistance temperature fuse device, a composite fuse having a current fuse and a temperature fuse function.

１ヒューズ装置
２基体
３温度ヒューズエレメント
４発熱抵抗体
５実装パッド
６実装パッド発熱体
７接続パッド
８接続パッド発熱体
９電極層
１０接続パッド発熱端子
１１実装パッド発熱端子
１２被覆層
１３フラックス
１４導電層
１５金属片
１６絶縁性樹脂
１７鍍金層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fuse apparatus 2 Base | substrate 3 Thermal fuse element 4 Heating resistor 5 Mounting pad 6 Mounting pad heating element 7 Connection pad 8 Connection pad heating element 9 Electrode layer 10 Connection pad heating terminal 11 Mounting pad heating terminal 12 Covering layer 13 Flux 14 Conductive layer 15 Metal piece 16 Insulating resin 17 Plating layer

Claims

A substrate;
A thermal fuse element provided on the upper surface of the substrate;
A mounting pad provided on the lower surface of the substrate;
A fuse device, comprising: a mounting pad heating element provided in the base body and disposed in a region that does not overlap with the thermal fuse element as seen through a plane and overlaps the mounting pad.

The fuse device according to claim 1,
A fuse device comprising: a mounting pad heating terminal disposed on an upper surface of the base body with a space between the thermal fuse element and electrically connected to the mounting pad heating element.

The fuse device according to claim 1,
A fuse device comprising a heating resistor provided in the base and arranged in a region overlapping with the thermal fuse element as seen through a plane.

The fuse device according to claim 3,
The fuse device, wherein the mounting pad heating element is disposed with a space from the heating resistor.

A substrate;
A pair of connection pads provided on the upper surface of the substrate;
A thermal fuse element provided on the upper surface of the base and connected across both of the pair of connection pads;
A fuse device, comprising: a connection pad heating element provided in the base body and disposed in a region that does not overlap with the thermal fuse element as seen through a plane and overlaps the connection pad.