JP2012130988A - 研磨パッド用ドレッサー及びその製造方法及びガラス基板及びその製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は被研磨体の平面の表面うねりを抑制することを課題とする。
【解決手段】研磨装置を用いて台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工する。台座１０の上平面１４に微細なダイヤモンド砥粒を電着し、上平面１４上に砥粒層１８を所定パターンで形成し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０が完成する。台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工しているため、ダイヤモンド砥粒が電着される平面精度が極めて高く、電着量を均一に制御することで砥粒層１８の平面精度が高められる。台座１０の上・下平面１４、１５の表面粗さは、Ｒａが０．２３μｍ以下であることが望ましい。
【選択図】図１Ｃ

Description

本発明は研磨パッドの研磨面を調整する研磨パッド用ドレッサー及びその製造方法及びガラス基板及びその製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法に関する。

例えば、被研磨体（ワーク）の上側の主平面及び下側の主平面を研磨する研磨工程においては、上定盤に取り付けられた上側研磨パッドと下定盤に取り付けられた下側研磨パッドにより、複数の被研磨体の両主平面を同時に研磨している。尚、被研磨体としては、磁気記録媒体用ガラス基板（以下「ガラス基板」という）を例に挙げて説明する。

研磨工程では、ガラス基板を研磨する前に上定盤に取り付けられた上側研磨パッドと下定盤に取り付けられた下側研磨パッドの研磨面を、研磨パッド用ドレッサーを用いてドレス処理を施し所定の研磨面形状と表面粗さに調整する。

また、ガラス基板の研磨を継続すると、各研磨パッドの研磨面には、スラリーや研磨屑が固着する。そのため、ガラス基板の研磨を継続する場合、所定の間隔で研磨パッド用ドレッサーを用いて各研磨パッドの研磨面に付着したスラリーや研磨屑を除去すると共に、研磨面形状と表面粗さを調整する作業が行われる（例えば、特許文献１、２参照）。研磨パッド用ドレッサーでは、円盤状に加工された台座の平面に微細な砥粒を電着した砥粒層が形成される。

特許第４３４７１４６号公報 特開２００６−７３８５号公報

研磨パッド用ドレッサーは、金属製の台座の平面を切削加工した後に当該平面の円周方向に所定パターンの砥粒層を電着させるため、台座の平面に微小なうねりがあると、砥粒層もうねりを有することになる。このように、従来の研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨パッドの表面を調整する際に研磨パッドの表面にうねりが生じ、当該研磨パッドによって研磨されたガラス基板の主平面にもうねりが生じることになり、高密度磁気記録に対応する平面精度が得られないという問題があった。

そこで、本発明は上記事情に鑑み、台座の平面精度を上げて上記課題を解決した研磨パッド用ドレッサー及びその製造方法及びガラス基板及びその製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法の提供を目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は以下のような手段を有する。
（１）本発明は、板形状に形成された台座と、前記台座の平面に形成された砥粒層とを有し、前記台座を研磨パッドの研磨面に対して相対的に動かしながら被研磨体の主平面を研磨する研磨パッドの研磨面を前記砥粒層により調整する研磨パッド用ドレッサーにおいて、
前記台座の平面を平滑に加工した後、前記平滑に加工された平面に前記砥粒層を形成したことを特徴とする。
（２）本発明は、前記平滑の平面の表面粗さＲａが０．２３μｍ以下である。
（３）本発明の前記砥粒層は、微細なダイヤモンド砥粒を前記平滑に加工された平面に電着により形成される。
（４）本発明の前記被研磨体は、磁気記録媒体用ガラス基板である。
（５）本発明は、板形状に形成された台座と、前記台座の平面に形成された砥粒層とを有し、前記台座を研磨パッドの研磨面に対して相対的に動かしながら被研磨体の主平面を研磨する研磨パッドの研磨面を前記砥粒層により調整する研磨パッド用ドレッサーの製造方法において、
前記台座の平面を平滑に加工した後、前記平滑に加工された平面に前記砥粒層を形成することを特徴とする。
（６）本発明は、（１）乃至（４）の何れかの研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨面を調整された研磨パッドによりガラス基板を研磨する研磨工程を有するガラス基板の製造方法であって、
前記研磨面を調整された研磨パッドにより研磨されたガラス基板の主平面は、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下である。
（７）本発明は、（１）乃至（４）の何れかの研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨面を調整された研磨パッドにより研磨されるガラス基板であって、
前記研磨面を調整された研磨パッドにより研磨されたガラス基板の主平面は、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下である。
（８）本発明の前記ガラス基板は、磁気記録媒体用である（７）に記載の磁気記録媒体用ガラス基板である。
（９）本発明は、中心部に円形孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板であって、前記磁気記録媒体用ガラス基板は、内周端面と、外周端面と、両主平面とを有し、前記両主平面は波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下であることを特徴とする。

本発明によれば、台座の平面を平滑に加工した後、平滑化された平面に砥粒層を形成するため、砥粒層のうねりを抑制でき、研磨パッドにドレス処理を施して研磨面を調整する際の平面精度を高めて研磨工程による被研磨体の主平面の研磨精度がより高められる。

本発明による研磨パッド用ドレッサーの製造工程１を示す平面図である。 本発明による研磨パッド用ドレッサーの製造工程３を示す平面図である。 本発明による研磨パッド用ドレッサーの製造工程３を示す縦断面図である。 両面研磨装置の構成を示す正面図である。 研磨パッド用ドレッサーによる各パッドの調整工程を示す斜視図である。 研磨パッド用ドレッサーによる各パッドの調整工程を示す平面図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。

〔ガラス基板の調整〕
磁気記録媒体用ガラス基板を製造する工程では、先ず、フロート法で成形されたＳｉＯ_２を主成分とするガラス素基板を製作し、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍの寸法のガラス基板を加工する。ガラス基板は、内周端面と、外周端面と、両主平面とを有し、中央部に円形孔を有する円盤状に形成される。

また、当該ガラス基板の内周端面及び外周端面を面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５度の面取り加工を施す。その後、アルミナ砥粒などの遊離砥粒を用いてガラス基板の上下主平面をラッピングし、ガラス基板の表面に付着した砥粒を洗浄し、除去する。

ガラス基板の内周端面及び内周面取り部と外周端面及び外周面取り部を、研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨して微細なキズを除去する。次いでガラス基板の表面に付着した砥粒を洗浄し、除去する。

磁気記録媒体用ガラス基板の両主平面は、研磨工程により例えば、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下となるように研磨される。
〔ガラス基板の１次〜３次研磨〕
上記端面加工が終了したガラス基板は、両面研磨装置により上下主平面を１次研磨する。１次研磨工程では、例えば、研磨具として硬質ウレタン製の研磨パッドと、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液（平均粒子直径、１．３μｍの酸化セリウムを主成分とした研磨液組成物）とを用いる。

また、１次研磨では、主研磨加工圧力は８．５ｋＰａ、定盤回転数は３０ｒｐｍ、研磨時間は研磨量が上下主平面の厚さ方向で合計４０μｍとなるように設定する。この設定条件により１次研磨を行う。

１次研磨終了後のガラス基板は、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、平均粒子直径が１．３μｍよりも小さい酸化セリウムを主成分とした研磨液とを用いて上記両面研磨装置により上下主平面を２次研磨する。２次研磨では、研磨加工圧力は９．５ｋＰａ、定盤回転数は９ｒｐｍ、研磨時間は研磨量が上下主平面の厚さ方向で合計５μｍとなるように設定する。この設定条件により２次研磨を行う。

２次研磨終了後のガラス基板は、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、コロイダルシリカを含有する研磨液を用いて上記両面研磨装置により上下主平面が３次研磨される。３次研磨では、一次粒子の平均粒子直径が２０〜３０ｎｍのコロイダルシリカを主成分とする研磨液を用いてガラス基板の上下主平面を研磨して仕上げる。なお、上定盤と下定盤に装着された研磨パッドは、ガラス基板を研磨する前に、研磨パッド用ドレッサーによりドレス処理を施し、研磨パッドの研磨面の形状と表面粗さを調整してある。

さらに、３次研磨が終了したガラス基板は、アルカリ性洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥される。

また、上記３次研磨工程の後、洗浄と乾燥したガラス基板は検査工程へ搬送され、ガラス基板主平面の表面うねりｎＷａを測定する。そして、両面研磨装置においては、上定盤と下定盤に装着された各研磨パッドの研磨面に固着した研磨液又はコロイダルシリカ砥粒と、研磨屑を除去するために、ドレス処理を行う。

ドレス処理では、ダイヤモンド砥粒の砥粒層が形成された研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨パッドの研磨面を削ることにより研磨面が調整される。このドレス処理によって研磨パッドの表面の微細な孔内に吸収された研磨液や研磨屑などが除去される。

尚、ドレス処理は、研磨パッドの研磨面の形状調整したいとき（例えば、研磨パッド交換直後、研磨開始時）、研磨速度が低下してきたときや、研磨を終了してしばらく研磨装置を停止するときなどに行われる。

また、本実施例においては、ドレス処理は、全ての研磨工程（１次〜３次研磨）において実施される。本発明の研磨パッド用ドレッサーは、最終研磨工程において、特に好適に適用されるものである。本実施例においては、本発明の研磨パッド用ドレッサーは３次研磨工程で使用されるが、１次研磨工程または２次研磨工程が最終研磨工程である場合には、本発明の研磨パッド用ドレッサーは１次研磨工程または２次研磨工程で使用される。
〔研磨パッド用ドレッサーの製造工程〕
（工程１） 図１Ａは本発明による研磨パッド用ドレッサーの製造工程１を示す平面図である。図１Ａに示されるように、例えば、ステンレス又はアルミニウム合金等の金属を円盤形状に加工して台座１０を得る。台座１０は、中央孔１２を有するドーナツ状に形成されており、上・下平面１４、１５が切削加工される。尚、台座１０の厚さは、ドレス処理の加圧圧力に耐える強度を有するように設定する。

また、両面研磨装置を用いて台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工する。両面研磨装置としては、台座１０を一枚ずつ装着して上・下平面１４、１５を同時に研磨するように構成された両面研磨装置でも良いし、あるいは、上記複数の台座１０を台座１０用のキャリアの保持孔に挿入して同時に複数枚を研磨するように構成された両面研磨装置を用いても良い。また、台座１０の上・下平面１４、１５の表面粗さは、Ｒａが０．２３μｍ以下であることが望ましい。尚、本実施例では、両面研磨装置におけるドレス処理について説明するが、片面研磨装置においても同様に、本発明の研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨パッドの研磨面のドレス処理を行うことができる。

台座１０の上・下平面１４、１５の表面粗さＲａが０．２３μｍを超える場合、台座１０に形成される砥粒層１８（図１Ｂ参照）のうねりが大きくなる。砥粒層１８のうねりが大きな研磨パッド用ドレッサーで研磨パッドの研磨面にドレス処理を施しても、最終研磨に適する所望の研磨パッドの研磨面に調整できない。そのため、ガラス基板の主平面の表面うねりｎＷａに優れる硝子基板を安定して研磨することが難しくなるおそれがある。

よって、台座１０の上・下平面１４、１５の表面粗さＲａは０．２３μｍ以下であることが好ましく、０．２１μｍ以下であることが更に好ましく、０．２０μｍ以下であることが特に好ましい。
（工程２） 図１Ｂは本発明による研磨パッド用ドレッサーの製造工程３を示す平面図である。図１Ｃは本発明による研磨パッド用ドレッサーの製造工程３を示す縦断面図である。

図１Ｂ及び図１Ｃに示されるように、台座１０の上平面１４に微細なダイヤモンド砥粒を電着し、上平面１４上に砥粒層１８を所定パターンで形成し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０が完成する。また、砥粒層１８の積層パターンの一例としては、周方向に複数の扇形状を並べたように形成される。

砥粒層１８は、上平面１４上に盛り上がるように形成されるため、下平面１５からの厚さがダイヤモンド砥粒の電着量に応じた寸法となる。尚、本実施例では、台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工しているため、ダイヤモンド砥粒が電着される平面精度が極めて高く、電着量を均一に制御することで砥粒層１８の平面精度が平滑に加工された上平面１４と同程度に調整される。
〔両面研磨装置の構成〕
図２は両面研磨装置の概略構成を示す正面図である。尚、図２においては、後述する、図３に示すサンギヤ２０３とインターナルギヤ２０５を省略する。

図２に示されるように、両面研磨装置２００は、複数のガラス基板の上主平面及び下主平面を同時に研磨するように構成されており、基台２２０と、上定盤２０１と、下定盤２０２と、昇降機構２０８とを有する。基台２２０の上部には、下定盤２０２が回転可能に支持されており、基台２２０の内部には、上定盤２０１を駆動する定盤駆動モータが取り付けられている。

上定盤２０１は、下定盤２０２の上方に対向配置され、キャリア１１０に保持された複数のガラス基板の上主平面を研磨する上側研磨パッド１３０を有する。また、下定盤２０２は、キャリア１１０に保持された複数のガラス基板の下主平面を研磨する下側研磨パッド１４０を有する。また、ガラス基板と研磨パッド用ドレッサー２０との外径寸法が異なることからキャリア１１０には、ガラス基板用のキャリアとドレッサー用のキャリアとが用意されている。尚、ガラス基板用のキャリアとドレッサー用のキャリアとは、研磨工程、ドレス処理の各工程に応じて入れ替えることになるが、各図中では、説明の便宜上、ガラス基板用のキャリア及びドレッサー用のキャリアの符合を共に「１１０」とする。

昇降機構２０８は、基台２２０の上方に起立する門型のフレーム２０６により支持されており、ガラス基板交換時に上定盤２０１を上昇させる昇降用シリンダ装置２０９を有する。昇降用シリンダ装置２０９は、フレーム２０６の中央に取り付けられている。昇降用シリンダ装置２０９のピストンロッド２５４は、下方に延在しており、その下端部には上定盤２０１を支持する支持機構２０７が連結されている。

支持機構２０７は、下方に延在する支柱２０７ａと、上定盤２０１の上面に固定された固定ベース２０７ｂとを有する。固定ベース２０７ｂには、定盤駆動モータの回転軸１５０に設けられた溝２６２ａに結合されるロック機構２６０が設けられている。

ロック機構２６０は、溝２６２ａに結合されるロックピン２８１と、ロックピン２８１を固定ベース２０７ｂに連結する軸２８２とを有する。

上定盤２０１は、昇降用シリンダ装置２０９のピストンロッド２５４の昇動作によりガラス基板交換時に上昇し、研磨時には降下する。また、昇降機構２０８の昇降用シリンダ装置２０９、及び定盤駆動モータは、制御部２１０により制御される。
〔キャリアの取付構造〕
図３は研磨パッド用ドレッサー２０による各パッドの調整工程を示す斜視図である。図４は研磨パッド用ドレッサー２０による各パッドの調整工程を示す平面図である。

図３及び図４に示されるように、上定盤２０１は、回転軸１５０により回転可能に支持されている。また、回転軸１５０に設けられたサンギヤ２０３は、複数のキャリア１１０の外周に形成されたギヤ２０４に噛合している。さらに、複数のキャリア１１０のギヤ２０４は、インターナルギヤ２０５に噛合している。これらの各ギヤ２０３、２０４、２０５は遊星歯車機構を構成しており、各キャリア１１０はサンギヤ２０３とインターナルギヤ２０５の回転により自転しながら回転軸１５０の周囲を公転する。

これにより、ガラス基板用の各キャリア１１０の保持孔１１２に挿入されたガラス基板は、上定盤２０１に固定された上側研磨パッド１３０及び下定盤２０２に固定された下側研磨パッド１４０に摺接しながら両面研磨される。また、ドレス処理を行う際は、ドレッサー用の各キャリア１１０の保持孔１１２に研磨パッド用ドレッサー２０を挿入する。研磨パッド用ドレッサー２０は、ドレッサー用の各キャリア１１０の保持孔１１２内に安定的に保持される。

また、各研磨パッド用ドレッサー２０は、片面側（上面側）にのみ砥粒層１８が形成されているので、砥粒層１８が上面側になるように挿入したものと、砥粒層１８が下面側となるように挿入したものとが交互となるように配置する。これで、キャリア１１０の各保持孔１１２に装填された各研磨パッド用ドレッサー２０は、上定盤２０１の上側研磨パッド１３０及び下定盤２０２の下側研磨パッド１４０を同時にドレス処理できる。すなわち、研磨パッド用ドレッサー２０は、台座１０を各研磨パッド１３０、１４０の研磨面に対して相対的に動かしながら被研磨体の主平面を研磨する各研磨パッド１３０、１４０の研磨面を砥粒層１８により調整する。
〔ガラス基板の研磨及びドレス処理の作業手順〕
ここで、ガラス基板の研磨及びドレス処理の作業手順について説明する。
（手順１） ガラス基板を研磨する前に研磨パッドのドレス処理を行うため、昇降用シリンダ装置２０９のピストンロッド２５４を上昇させて上定盤２０１を下定盤２０２から離間させる。
（手順２） 上記研磨パッド用ドレッサー２０（図１Ｂ、図１Ｃを参照）を下定盤２０２上に載置されたドレッサー用のキャリア１１０の各保持孔１１２に挿入する。各研磨パッド用ドレッサー２０は、片面側にのみ砥粒層１８が形成されているので、図４に示されるように、砥粒層１８を上面側に配した研磨パッド用ドレッサー２０Ａと、砥粒層１８を下面側に配した研磨パッド用ドレッサー２０Ｂとが周方向の各保持孔１１２に交互に配置する。

そのため、ドレッサー用のキャリア１１０の各保持孔１１２に装填された各研磨パッド用ドレッサー２０は、１回のドレス処理で上側研磨パッド１３０及び下側研磨パッド１４０の研磨面を同時に均一に調整できる。
（手順３） 図２に示されるように、両面研磨装置２００の昇降用シリンダ装置２０９を作動させてピストンロッド２５４を降下させ、上定盤２０１の上側研磨パッド１３０をキャリア１１０の上面に対向させる。
（手順４） ロック機構２６０のロックピン２８１を、回転軸１５０の溝２６２ａに結合させる。この後は、駆動モータにより上定盤２０１及び下定盤２０２、サンギヤ２０３及びインターナルギヤ２０５を回転させて上記キャリア１１０の各保持孔１１２に挿入された各研磨パッド用ドレッサー２０を自転させながら公転させての上側研磨パッド１３０及び下側研磨パッド１４０の研磨面に砥粒層１８を加圧した状態で摺接させる。このドレス処理により上側研磨パッド１３０及び下側研磨パッド１４０の研磨面を削り、研磨面の形状と研磨面の表面粗さ等を調整し、研磨面の表面に付着した研磨液や研磨屑などの汚れを除去する（ドレス処理）。
（手順５） 上側研磨パッド１３０及び下側研磨パッド１４０のドレス処理が終了すると、上定盤２０１及び下定盤２０２の回転を停止し、両面研磨装置２００の昇降用シリンダ装置２０９を作動させてピストンロッド２５４を上昇させ、上定盤２０１の上側研磨パッド１３０をドレッサー用のキャリア１１０から離間させる。
（手順６） 研磨パッド用ドレッサー２０によるドレス処理が終了すると、ドレッサー用の各キャリア１１０の保持孔１１２から研磨パッド用ドレッサー２０を取り出す。
（手順７） 上記のように各研磨パッド用ドレッサー２０の回収作業が終了した後、ドレッサー用の各キャリア１１０も回収し、ガラス基板用のキャリア１１０を下定盤２０２上に装着する。そして、未研磨のガラス基板をガラス基板用のキャリア１１０の各保持孔１１２に挿入する。
（手順８） 次に、図２に示されるように、両面研磨装置２００の昇降用シリンダ装置２０９を作動させてピストンロッド２５４を降下させ、上定盤２０１の上側研磨パッド１３０を被研磨体であるガラス基板の上主平面に当接させる。
（手順９） ロック機構２６０のロックピン２８１を、回転軸１５０の溝２６２ａに結合させる。この後は、駆動モータにより上定盤２０１及び下定盤２０２、サンギヤ２０３及びインターナルギヤ２０５を回転させて上記キャリア１１０の各保持孔１１２に挿入された各ガラス基板の上主平面、下主平面を同時に研磨する。
（手順１０） ガラス基板の研磨終了後、両面研磨装置２００の昇降用シリンダ装置２０９を作動させてピストンロッド２５４を上昇させ、上定盤２０１の上側研磨パッド１３０をガラス基板用のキャリア１１０から離間させる。そして、各ガラス基板を取出して各ガラス基板の主平面の表面うねりｎＷａを測定する。
（手順１１） 次バッチの研磨を継続して実施する場合、研磨を継続するうちに研磨パッドの研磨面に研磨液や研磨屑が固着して研磨速度が低下する。研磨速度が低下した段階で、研磨パッド用ドレッサー２０によるドレス処理を施して研磨パッドの研磨面を削ることで研磨面を調整し、当該研磨面を再生する。これにより、研磨速度が回復する。
（手順１２） ガラス基板の研磨を終了したときは、両面研磨装置による研磨を停止し、各ガラス基板を取出して洗浄して検査工程へ搬送する。

このように、上側研磨パッド１３０及び下側研磨パッド１４０は、研磨開始前あるいは各研磨パッドの研磨面に研磨液や研磨屑が固着した段階で、研磨パッド用ドレッサー２０によりドレス処理されるため、研磨したガラス基板の上下主平面のうねりが極めて微小に抑えられる。また、後述する表面検査装置により本発明の研磨パッド用ドレッサー２０によりドレス処理された上側研磨パッド１３０及び下側研磨パッド１４０により研磨されたガラス基板の上下主平面の表面うねりｎＷａが０．４ｎｍ以下（表１の本発明の欄を参照）に抑えられることが確認された。
〔研磨パッド用ドレッサー２０の台座１０の表面粗さ及びガラス基板の表面うねりの測定結果〕

尚、研磨パッド用ドレッサー２０の台座１０の表面粗さは、ミツトヨ社製の表面粗さ測定機（ＳＵＲＦＴＥＳＴ ＳＶ−４００）で測定した。

また、ガラス基板の主平面の表面うねりｎＷａは、光学式表面検査装置（例えば、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製のＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ）６３００）で測定した。表面うねりの測定条件としては、１バッチ（両面研磨装置で同時に研磨したガラス基板であり、キャリアの直径の大きさや保持穴の数によって決まる枚数、例えば、９０枚〜２５０枚）から２枚のガラス基板を抜き取り、ガラス基板の両主平面の表面うねりｎＷａを測定し、計４つの測定値の平均値を求め、表１に記入した。

また、主平面の表面うねりｎＷａは、波長４０５ｎｍのレーザ使用し、６０ｎｍ〜１６０ｎｍの周期を有するうねりを、ガラス基板の直径６５ｍｍに対し、上下主平面の半径１５ｍｍ〜３１ｍｍの範囲（磁気録媒体用ディスクの記録再生領域に相当する）を被測定領域として測定した。

上記表１に示す測定結果より、比較例（台座１０の表面粗さが高い研磨パッド用ドレッサー）の台座１０の表面粗さＲａが０．５２μｍであるのに対し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０は台座１０を平滑に加工することで例１の表面粗さＲａが０．２０μｍ、例２のＲａが０．２３μｍに高められた。

また、比較例（台座１０の表面粗さが高い研磨パッド用ドレッサー）の砥粒層の表面粗さＲａが５．１μｍ、砥粒層の最大高さＲｙが３２．２μｍであるのに対し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０は台座１０を平滑に加工することで砥粒層１８の例１の表面粗さＲａが１．７μｍ、例２のＲａが２．１μｍ、砥粒層１８の例１の最大高さＲｙが１４．７μｍ、例２のＲｙが１７．６μｍである。この測定結果から台座１０を平滑に加工することによって、砥粒層１８の表面粗さＲａ及び砥粒層１８の最大高さＲｙが小さくなることが確認された。

また、ガラス基板の表面うねりｎＷａの平均値を比較すると、台座１０の表面粗さが高い研磨パッド用ドレッサーでドレス処理した場合は、ｎＷａが０．４５ｎｍ、０．４０ｎｍ、０．４１ｎｍであるのに対し、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０によりドレス処理した場合は、例１のｎＷａが０．２０ｎｍ、０．１９ｎｍ、０．１８ｎｍ、例２のｎＷａが０．３７ｎｍ、０．３５ｎｍ、０．３０ｎｍと従来よりも小さい値になっていることが確認された。

このように、本発明の研磨パッド用ドレッサー２０を用いて研磨パッドのドレス処理を行うことでガラス基板の表面うねりｎＷａを従来の台座１０の表面粗さが高い研磨パッド用ドレッサーを用いた場合よりも表面うねりｎＷａを大幅に改善できる。

上記実施例では、磁気記録媒体用のガラス基板を製造する工程を例に挙げて説明したが、これに限らず、これ以外の用途で使用されるガラス基板を研磨加工する各工程にも本発明を適用することができるのは勿論である。

また、本発明が適用できるガラス基板としては、磁気記録媒体用、フォトマスク用、液晶や有機ＥＬ等のディスプレイ用、光ピックアップ素子や光学フィルタ等の光学部品用などのガラス基板が具体的なものとして挙げられる。

また、上記実施例では、研磨パッド用ドレッサー２０を用いて両面研磨装置の上定盤及び下定盤の各研磨パッドの研磨面を同時に調製する場合について説明したが、これに限らず、定盤に研磨パッドを有する片面研磨装置にも研磨パッド用ドレッサー２０を用いることができるのは勿論である。
また、上記実施例では、ガラス基板と同様の円盤形状の研磨パッド用ドレッサー２０を用いて両面研磨装置の上定盤及び下定盤の各研磨パッドの研磨面を同時に調製する場合について説明したが、これに限らず、円盤状以外の板形状（例えば、四角形や六角形の板形状）のドレッサーにも本発明が適用できるのは勿論である。

１０ 台座
１２ 中央孔
１２ａ 内周端面
１４ 上平面
１５ 下平面
１６ 外周端面
１８ 砥粒層
２０ 研磨パッド用ドレッサー
１１０ キャリア
１３０ 上側研磨パッド
１４０ 下側研磨パッド
１５０ 回転軸
２００ 両面研磨装置
２０１ 上定盤
２０２ 下定盤
２０３ サンギヤ
２０４ ギヤ
２０５ インターナルギヤ
２０６ フレーム
２０７ 支持機構
２０８ 昇降機構
２０９ 昇降用シリンダ装置
２１０ 制御部
２２０ 基台
２５４ ピストンロッド
２６０ ロック機構
２８１ ロックピン

Claims (9)

1. 板形状に形成された台座と、前記台座の平面に形成された砥粒層とを有し、前記台座を研磨パッドの研磨面に対して相対的に動かしながら被研磨体の主平面を研磨する研磨パッドの研磨面を前記砥粒層により調整する研磨パッド用ドレッサーにおいて、
   前記台座の平面を平滑に加工した後、前記平滑に加工された平面に前記砥粒層を形成したことを特徴とする研磨パッド用ドレッサー。
2. 前記台座の平面の表面粗さＲａが０．２３μｍ以下である請求項１に記載の研磨パッド用ドレッサー。
3. 前記砥粒層は、微細なダイヤモンド砥粒を前記平滑に加工された平面に電着により形成される請求項１に記載の研磨パッド用ドレッサー。
4. 前記被研磨体は、磁気記録媒体用ガラス基板である請求項１に記載の研磨パッド用ドレッサー。
5. 板形状に形成された台座と、前記台座の平面に形成された砥粒層とを有し、前記台座を研磨パッドの研磨面に対して相対的に動かしながら被研磨体の主平面を研磨する研磨パッドの研磨面を前記砥粒層により調整する研磨パッド用ドレッサーの製造方法において、
   前記台座の平面を平滑に加工した後、前記平滑に加工された平面に前記砥粒層を形成することを特徴とする研磨パッド用ドレッサーの製造方法。
6. 請求項１乃至４の何れかの研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨面を調整された研磨パッドによりガラス基板を研磨する研磨工程を有するガラス基板の製造方法であって、
   前記研磨面を調整された研磨パッドにより研磨されたガラス基板の主平面は、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下であるガラス基板の製造方法。
7. 請求項１乃至４の何れかの研磨パッド用ドレッサーを用いて研磨面を調整された研磨パッドにより研磨されるガラス基板であって、
   前記研磨面を調整された研磨パッドにより研磨されたガラス基板の主平面は、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下であるガラス基板。
8. 前記ガラス基板は、磁気記録媒体用である請求項７に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
9. 中心部に円孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板であって、前記磁気記録媒体用ガラス基板は、内周端面と、外周端面と、両主平面とを有し、前記両主平面は波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて測定した６０ｎｍ〜１６０ｎｍの表面うねりｎＷａが０．３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板。

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