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JP2012104521A - Method of manufacturing circuit board - Google Patents

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JP2012104521A JP2010249100A JP2010249100A JP2012104521A JP 2012104521 A JP2012104521 A JP 2012104521A JP 2010249100 A JP2010249100 A JP 2010249100A JP 2010249100 A JP2010249100 A JP 2010249100A JP 2012104521 A JP2012104521 A JP 2012104521A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of difficultly in fine and high-precision pattern formation, caused by difficulty of uniform high-precision polishing because of distortion and waviness of a substrate, in a method in which an electrolytic plating copper is embedded in a groove and a hole for removing an affluent plating copper by polishing, such as CMP, related to formation of a wiring pattern and a via of a circuit board by an imprint method.SOLUTION: A palladium film which is a catalyst metal film for electroless plating is formed in a groove which is formed on a resin layer surface by an imprint method and on the resin layer surface. Only the palladium film on the resin layer surface is removed by polishing or the like. The electroless plating copper is embedded to be a wiring by the palladium film in the groove. By removing the palladium film only on the resin layer surface, a resin protection layer is formed on the entire surface of a substrate after the palladium film is formed. The resin protection layer and the palladium film on the resin layer surface are polished and removed at the same time, and then the resin protection layer in the groove is melted and removed.

Description

本発明は、回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board manufacturing method.

LSIなどの半導体素子における配線等の構成パターン幅はますます微細化し、昨今のLSIにおいては、その配線幅がサブミクロンレベルに達している。これに対し、それら半導体素子を実装するための回路基板においては、現状では、配線パターン幅が10数μm程度と、パターン微細化の点で大きな差がある。各種電子機器の高速化や携帯機器の更なる小型化のためには、回路基板上への半導体素子などの電子部品を高密度に実装する必要があり、この面からも、回路基板の配線パターン幅の縮小が要請されている。   The configuration pattern width of wiring and the like in a semiconductor element such as an LSI is becoming increasingly finer, and in recent LSIs, the wiring width has reached the submicron level. On the other hand, in the circuit board for mounting these semiconductor elements, at present, the wiring pattern width is about 10 and several μm, and there is a great difference in terms of pattern miniaturization. In order to increase the speed of various electronic devices and to further reduce the size of portable devices, it is necessary to mount electronic components such as semiconductor elements on the circuit board with high density. A reduction in width is required.

回路基板の配線の形成方法としては、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法及びインプリント法などが知られる。サブトラクティブ法では、配線用導電膜上に形成したレジストパターンをマスクにして、その導電膜をウエットエッチングすることで配線を形成する。この方法では、エッチングが等方的に進行する。このため実現最小線幅が35μm程度であって、さらなる微細な配線形成には有効な方法とはいえない。   As a method for forming circuit board wiring, for example, a subtractive method, a semi-additive method, an imprint method, and the like are known. In the subtractive method, wiring is formed by wet-etching the conductive film using a resist pattern formed on the conductive film for wiring as a mask. In this method, etching proceeds isotropically. Therefore, the realized minimum line width is about 35 μm, which is not an effective method for forming finer wiring.

セミアディティブ法では、絶縁層上にシード層を形成した後、その上にめっき用レジストパターンを形成し、シード層に給電しながら、めっき用レジストパターンの開口部内に電解めっきによって導電膜を形成する。そして、めっき用レジストパターンを除去後、シード層をウエットエッチングすることにより、エッチングされずに残った導電膜によって配線が形成されることになる。   In the semi-additive method, after forming a seed layer on an insulating layer, a plating resist pattern is formed thereon, and a conductive film is formed by electrolytic plating in the opening of the plating resist pattern while supplying power to the seed layer. . Then, after removing the plating resist pattern, the seed layer is wet-etched, whereby a wiring is formed by the conductive film remaining without being etched.

このような、セミアディティブ法は、前述のサブトラクティブ法に比較して、実現可能な配線幅をより縮小できるが、配線幅が、例えば5μm程度になると安定した形状に配線を形成することが容易ではなくなり、かつ配線と下地との密着性も劣化が生じてくる。そのため、セミアディティブ法は、配線幅が、10μm程度以上の配線に使用されるケースが多い。   Such a semi-additive method can reduce the realizable wiring width more than the subtractive method described above, but it is easy to form a wiring in a stable shape when the wiring width is about 5 μm, for example. In addition, the adhesion between the wiring and the base also deteriorates. Therefore, the semi-additive method is often used for wiring having a wiring width of about 10 μm or more.

これらに対し、インプリント法は、金型(スタンパ)の表面の凹凸を樹脂層に印刻することにより、樹脂層に配線溝やビア用の孔を形成し、その溝や孔にめっき法等により導電膜を埋め込み、配線やビアを形成する方法である。   On the other hand, in the imprint method, by forming irregularities on the surface of the mold (stamper) on the resin layer, wiring grooves and via holes are formed in the resin layer, and plating and the like are formed in the grooves and holes. In this method, a conductive film is embedded to form wirings and vias.

図9に、インプリント法によって配線等を形成する回路基板の製造工程を説明するための断面模式図を示す。図9(1)は、インプリント法に用いる、金型101の例であり、この場合、配線用の形状を印刻するための配線用突起部102と、ビア用の形状を印刻するためのビア用突起部103を有する。この金型101は、例えばニッケル製であり、その製造方法は、後述の、図1で述べる方法と基本的に同一である。図9(2)に示すように、他の主面側に電極パッド104を有する絶縁樹脂板105を用意し、これの樹脂層を一度軟化させ、その表面に金型101を圧入させる。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a circuit board in which wirings and the like are formed by an imprint method. FIG. 9A is an example of a mold 101 used for the imprint method. In this case, a wiring protrusion 102 for printing the wiring shape and a via for printing the via shape. It has a projection 103 for use. The mold 101 is made of nickel, for example, and its manufacturing method is basically the same as the method described later with reference to FIG. As shown in FIG. 9 (2), an insulating resin plate 105 having electrode pads 104 on the other main surface side is prepared, the resin layer thereof is once softened, and the mold 101 is press-fitted onto the surface.

図9(3)に示すように、そのまま絶縁樹脂板105を固化し、金型101を絶縁樹脂板105から剥離させる。その結果、絶縁樹脂板105には、金型101の配線用突起部102及びビア用突起部103の各突起部(凸状パターン)と鏡像関係にある、配線用溝部106及びビア用孔部107の各印刻部(凹状パターン)が形成される。そして図9(4)に示すように、これら印刻部(凹状パターン)内に銅を埋め込むように、例えば、無電解銅めっきを施した後、それを一方の電極として電気を通電する電解銅めっきを行うことにより、溝及び孔内を埋め込む厚い銅めっき層108を形成する。次いで図9(5)に示すように、絶縁樹脂板105上の余分な銅めっき層108を、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)などの研磨処理によって除去することにより、配線109や下層導電層104に接続するビア110が完成する。   As shown in FIG. 9 (3), the insulating resin plate 105 is solidified as it is, and the mold 101 is peeled off from the insulating resin plate 105. As a result, the insulating resin plate 105 has a wiring groove portion 106 and a via hole portion 107 which are in a mirror image relationship with the respective protrusion portions (convex pattern) of the wiring protrusion portion 102 and the via protrusion portion 103 of the mold 101. Each marking part (concave pattern) is formed. Then, as shown in FIG. 9 (4), for example, electroless copper plating is performed so that copper is embedded in these stamped portions (concave patterns), and then electricity is applied as one of the electrodes. To form a thick copper plating layer 108 that fills the groove and hole. Next, as shown in FIG. 9 (5), the excess copper plating layer 108 on the insulating resin plate 105 is removed by a polishing process such as CMP (Chemical Mechanical Polishing), for example. The via 110 connected to is completed.

なお、本製造工程の説明においては、電極パッド104を有する絶縁樹脂板105の例によって説明したが、電極パッド104が、層間絶縁樹脂層によって多層に形成されたコア層やビルドアップ層の一部と見做す回路基板の一部の上に形成されたものであり、絶縁樹脂板105の部分は、その多層の回路基板上に更に絶縁樹脂層が積層されたものと見做すことができる。従って、図9のような製造工程図は多層回路基板の製造工程の一工程でもあると考えられることから、今後の工程説明図で同様な簡単な層構成模式図を示す工程図が開示されるが、この絶縁樹脂板の個所は、樹脂層相当と見做し樹脂層として説明する。   In the description of this manufacturing process, the example of the insulating resin plate 105 having the electrode pads 104 has been described. However, the electrode pads 104 are part of a core layer or a build-up layer formed in multiple layers by an interlayer insulating resin layer. The insulating resin plate 105 can be regarded as an insulating resin layer laminated on the multilayer circuit board. . Accordingly, since the manufacturing process diagram as shown in FIG. 9 is considered to be one step of the manufacturing process of the multilayer circuit board, a process diagram showing a similar simple layer configuration schematic diagram will be disclosed in the future process explanatory diagram. However, the portion of the insulating resin plate is considered as a resin layer and will be described as a resin layer.

このような、インプリント法による、回路基板の実現可能な配線幅は、例えば5μm以下の実現は比較的容易で、1μm〜サブミクロンレベルも可能とされる。   The realizable wiring width of the circuit board by such an imprint method is relatively easy to realize, for example, 5 μm or less, and can be 1 μm to submicron level.

特開2007−36217号公報JP 2007-36217 A 特開2006−100463号公報JP 2006-1000046 A 特開2005−5721号公報JP 2005-5721 A 特開2006−303438号公報JP 2006-303438 A

しかし、このようなインプリント法においては、厚く形成された銅めっき層の研磨が必須工程であり、それを、数μm〜サブミクロン幅の微細な幅の配線(この場合、配線膜厚も相応に薄くなるが)を形成する場合、配線部の銅めっき厚を精度良く、例えばサブミクロンレベルで均一になるように研磨する必要がある。実際の回路基板においては、多層レベルが上がるほど、基板の反り、うねりが生じており、上記のような高い研磨精度を実現することは技術的に非常に困難となっている。   However, in such an imprint method, polishing of a thick copper plating layer is an essential process, and it is possible to use a fine wiring having a width of several μm to a submicron (in this case, the wiring film thickness is also appropriate). However, it is necessary to polish the copper plating thickness of the wiring portion with high accuracy, for example, at a submicron level. In an actual circuit board, the warp and the undulation of the substrate occur as the multilayer level increases, and it is technically very difficult to realize such a high polishing accuracy.

そこで本発明の課題は、インプリント法による回路基板の配線形成において、上記のような研磨を必要とせず、微細で高精細な配線パターンなどが形成された回路基板の製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a circuit board in which a fine and high-definition wiring pattern is formed without the need for the above-described polishing in the wiring formation of the circuit board by the imprint method. is there.

本発明の回路基板の製造方法は、
基板の最上面に積層された絶縁樹脂層に、複数の凹状パターンを形成する工程と、
前記凹状パターンの内部及び前記絶縁樹脂層表面上に、無電解めっき用触媒金属膜を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層表面上の前記無電解めっき用触媒金属膜を除去する工程と、
前記凹状パターンの前記内部に無電解めっきを行う工程と、
を有することを特徴とする。
The method for manufacturing the circuit board of the present invention includes:
Forming a plurality of concave patterns on the insulating resin layer laminated on the top surface of the substrate;
Forming a catalyst metal film for electroless plating on the inside of the concave pattern and on the surface of the insulating resin layer;
Removing the electroless plating catalyst metal film on the insulating resin layer surface;
Performing electroless plating on the inside of the concave pattern;
It is characterized by having.

インプリント法による回路基板の配線形成において、絶縁樹脂層に印刻された凹状パターンの内部のみに無電解めっき用の触媒金属膜が形成された状態とし、この状態の回路基板に対して無電解めっきを実施して凹状パターン内を埋め込み、絶縁樹脂層の表面レベルまで銅が成長したところでめっきを終了させる。このため、めっき層の研磨を必要とせず、高精度の配線パターンを形成できる。   In circuit board wiring formation by imprinting, a catalytic metal film for electroless plating is formed only inside the concave pattern stamped on the insulating resin layer, and electroless plating is applied to the circuit board in this state. To fill the concave pattern and finish the plating when the copper grows to the surface level of the insulating resin layer. For this reason, it is not necessary to polish the plating layer, and a highly accurate wiring pattern can be formed.

本発明に適用する金型の製造工程を説明する図The figure explaining the manufacturing process of the metal mold | die applied to this invention 本発明の回路基板の製造工程(実施例その1)を説明する図(その1)The figure explaining the manufacturing process (Example 1) of the circuit board of this invention (the 1) 本発明の回路基板の製造工程(実施例その1)を説明する図(その2)The figure explaining the manufacturing process (Example 1) of the circuit board of this invention (the 2) 本発明の回路基板の製造工程(実施例その1)を説明する図(その3)FIG. 3 illustrates a circuit board manufacturing process (Example 1) according to the present invention. 本発明の回路基板の製造工程(実施例その2)を説明する図The figure explaining the manufacturing process (Example 2) of the circuit board of this invention 本発明の回路基板の製造工程(実施例その3)を説明する図(その1)The figure (the 1) explaining the manufacturing process (Example 3) of the circuit board of this invention 本発明の回路基板の製造工程(実施例その3)を説明する図(その2)The figure explaining the manufacturing process (Example 3) of the circuit board of this invention (the 2) 本発明の回路基板の製造方法による回路基板(実施例その4)を説明する図The figure explaining the circuit board (Example 4) by the manufacturing method of the circuit board of this invention 従来のインプリント法による回路基板の製造工程を説明する図The figure explaining the manufacturing process of the circuit board by the conventional imprint method

以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
(実施例)
(1)本実施例における金型の製作
まず、本発明の回路基板を製作するための金型を形成する。図1は、金型を製作する工程を示す断面模式図である。図1(1)に示すように、シリコン基板1の上側全面にフォトレジスト2を塗布し、これをベークする。次いで図1(2)に示すように、フォトマスク3を用いてパターン露光し、これを現像処理して、図1(3)に示すように、レジストパターン4を得る。そして図1(4)に示すように、レジストパターン4のレジスト開口部5を通してシリコン基板1をエッチングし、溝6を形成、さらに、図1(5)に示すように、レジストパターン4を剥離することで、溝6が形成されたシリコン基板1からなる母型7を得る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
(Example)
(1) Manufacture of mold in this embodiment First, a mold for manufacturing the circuit board of the present invention is formed. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a process of manufacturing a mold. As shown in FIG. 1A, a photoresist 2 is applied to the entire upper surface of the silicon substrate 1 and baked. Next, as shown in FIG. 1 (2), pattern exposure is performed using a photomask 3, and this is developed to obtain a resist pattern 4 as shown in FIG. 1 (3). Then, as shown in FIG. 1 (4), the silicon substrate 1 is etched through the resist openings 5 of the resist pattern 4 to form grooves 6, and the resist pattern 4 is peeled off as shown in FIG. 1 (5). Thus, a mother die 7 made of the silicon substrate 1 in which the grooves 6 are formed is obtained.

溝6の形状は重要であり、これを形成するエッチングは、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)によるドライエッチングを適用する。このとき、エッチングガスとして反応性ガスと不活性ガスの混合ガスを用いるが、反応性ガスとしては、F、SF、CF、Cなどのフッ素系ガスが適用可能である。ClまたはHを使用してもよい。不活性ガスとしては、例えば、Arガスが適用できる。ドライエッチングに代えて、フッ酸またはKOHなどのエッチング液を用いたウエットエッチングを用いてもよい。本実施例の溝6では、幅1.0μm、深さ0.5μmを有する単位溝を、溝の間隔1.0μmで数十本並列に配置したものを形成した。 The shape of the groove 6 is important, and dry etching by, for example, RIE (Reactive Ion Etching) is applied to the etching for forming the groove 6. At this time, a mixed gas of a reactive gas and an inert gas is used as an etching gas. As the reactive gas, a fluorine-based gas such as F 2 , SF 2 , CF 4 , or C 4 F 8 is applicable. Cl 2 or H 2 may be used. For example, Ar gas can be used as the inert gas. Instead of dry etching, wet etching using an etchant such as hydrofluoric acid or KOH may be used. In the groove 6 of this example, a unit groove having a width of 1.0 μm and a depth of 0.5 μm arranged in parallel with a groove interval of 1.0 μm was formed.

次に、図1(6)に示すように、この母型7に、公知のニッケルの電鋳により、ニッケルめっき膜8を形成した。このときの膜厚は、基板上厚で、約0.3mmとした。   Next, as shown in FIG. 1 (6), a nickel plating film 8 was formed on the mother die 7 by known nickel electroforming. The film thickness at this time was about 0.3 mm in thickness on the substrate.

そして、図1(7)に示すように、ニッケルめっき膜8を母型7から、機械的に引き剥がしニッケルの金型9を得た。
(2)本実施例における回路基板の製作
(実施例その1)
図2〜図4は、本発明の回路基板の実施例その1の製作工程を説明するための断面模式図である。
Then, as shown in FIG. 1 (7), the nickel plating film 8 was mechanically peeled from the mother die 7 to obtain a nickel die 9.
(2) Production of circuit board in this embodiment (Example 1)
2 to 4 are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process of Example 1 of the circuit board according to the present invention.

図2(1)は、用意した、微細な凸状パターンを有する金型9(例えば、上述のニッケル製金型)を用い、図2(2)に示すように、銅膜の電極パッド10が形成された、図示されない基板上に、例えば樹脂層11を形成し、その上に金型9を圧入させたまま、樹脂層11のキュア処理を行って、固化させる。樹脂層11としては、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテンなどが適用できる。エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂を使用する場合は、予め半硬化(Bステージ)の状態にあるフィルムを樹脂層としてラミネートし、これに金型圧入後、加熱して樹脂層を硬化させる。   FIG. 2 (1) uses a prepared mold 9 having a fine convex pattern (for example, the above-mentioned nickel mold), and as shown in FIG. For example, the resin layer 11 is formed on the formed substrate (not shown), and the resin layer 11 is cured and solidified with the mold 9 being pressed into the resin layer 11. As the resin layer 11, for example, epoxy resin, silicone resin, cyanate resin, polyolefin resin, acrylic resin, benzocyclobutene, and the like can be applied. When a thermosetting resin such as an epoxy resin is used, a film in a semi-cured (B stage) state is laminated in advance as a resin layer, and after press-fitting into a mold, the resin layer is cured by heating.

そして、図2(3)に示すように、金型9を引き剥がして、金型9の凸部と鏡像関係にある凹部(図の樹脂層中の溝12)を有する、凹状パターン形成樹脂層13を持つ回路基板が形成される。   Then, as shown in FIG. 2 (3), the mold 9 is peeled off, and a concave pattern forming resin layer having a concave portion (groove 12 in the resin layer in the figure) in a mirror image relation with the convex portion of the mold 9. A circuit board having 13 is formed.

次に、この溝12中に金属(銅)を埋め込む工程となるが、先ず、この基板の凹状パターン形成樹脂層13表面を、前処理工程にて脱脂、マイクロエッチなどを実施後、触媒付与(キャタライザ)をして、図2(4)と図中一部拡大図に示すように、溝12内を含む凹状パターン形成樹脂層13表面にパラジウム膜14を析出させる。   Next, a process of embedding metal (copper) in the groove 12 is performed. First, the surface of the concave pattern forming resin layer 13 of the substrate is degreased, microetched, etc. in a pretreatment process, and then a catalyst is applied ( 2 (4) and a partially enlarged view in the figure, a palladium film 14 is deposited on the surface of the concave pattern forming resin layer 13 including the inside of the groove 12.

そして、図2(5)に示すように、凹状パターン形成樹脂層13表面を研磨などによって、溝12内以外の部分に付着したパラジウム膜14を除去する。このときの研磨はCMPプロセスでもバフ研磨でもいずれでもよく、凹状パターン形成樹脂層13表面を100nm程度研磨除去すれば、表面のパラジウム膜14を取り除くことができる。   Then, as shown in FIG. 2 (5), the palladium film 14 attached to portions other than the inside of the groove 12 is removed by polishing the surface of the concave pattern forming resin layer 13. The polishing at this time may be either a CMP process or a buff polishing. If the surface of the concave pattern forming resin layer 13 is polished and removed by about 100 nm, the palladium film 14 on the surface can be removed.

さらに、図3(6)に示すように、この基板をスクラブ洗浄し、アクチベータ処理してパラジウムを活性化した後、無電解銅めっき液中に浸漬して、溝12内に無電解めっき銅15を析出させ、溝12中を、凹状パターン形成樹脂層13表面まで充填する。こうして、無電解めっき銅15からなる、研磨処理を施さない、樹脂層11面中に埋め込まれた、微細銅配線16を形成することができる。   Further, as shown in FIG. 3 (6), the substrate is scrubbed and activated to activate palladium, and then immersed in an electroless copper plating solution to be electrolessly plated with copper 15 in the groove 12. The groove 12 is filled up to the surface of the concave pattern forming resin layer 13. In this way, it is possible to form the fine copper wiring 16 made of the electroless plated copper 15 and embedded in the surface of the resin layer 11 which is not subjected to the polishing treatment.

次に、図3(7)に示すように、表面に感光性樹脂フィルム(膜厚約10μm)をラミネートし、キュア後、フォトリソグラフィー技術を適用して、下層の電極パッド10の位置に合わせた開口部を有する感光性樹脂層パターン17を形成する。   Next, as shown in FIG. 3 (7), a photosensitive resin film (film thickness of about 10 μm) is laminated on the surface, and after curing, a photolithographic technique is applied to match the position of the lower electrode pad 10. A photosensitive resin layer pattern 17 having an opening is formed.

そして、図3(8)に示すように、感光性樹脂層パターン17の開口部において、レーザ加工によって、凹状パターン形成樹脂層13を電極パッド10まで達するビア孔18を形成する。その後、図3(9)に示すように、感光性樹脂層パターン17を除去し、デスミア処理により加工残渣を除去する。   Then, as shown in FIG. 3 (8), via holes 18 that reach the concave pattern forming resin layer 13 to the electrode pads 10 are formed by laser processing in the openings of the photosensitive resin layer pattern 17. Thereafter, as shown in FIG. 3 (9), the photosensitive resin layer pattern 17 is removed, and the processing residue is removed by a desmear process.

以後、セミアディティブプロセスにより、ビア孔18にめっき銅を埋め込み、ビア及びランドを形成する。すなわち、図3(10)に示すように、無電解銅めっき膜19を、シード層として形成し、その上に、図4(11)に示すように、再度、感光性樹脂層パターン17を形成し、図4(12)に示すように、ビア孔18を充填するように、電解めっき銅20を形成する。そして図4(13)に示すように、ビア孔18の電解めっき銅20上に、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきを行って、表面電極である、Ni−Auめっき層21を形成し、図4(14)に示すように、感光性樹脂層パターン17を除去後、図4(15)に示すように、表面にある無電解銅めっき膜(シード層)19をエッチングして、表面に無電解めっき銅15からなる微細銅配線16と、電解めっき銅20を埋め込んだ、下部の電極パッド10と接続するビア22とその上の、Ni−Auめっき層21からなる表面電極23を有する回路基板が製造される。
(実施例その2)
上記実施例においては、図2(4)以降における、凹状パターン形成樹脂層13表面のパラジウム膜14の除去に関し、直接的な研磨によって除去し、図2(5)の除去後の状況を得る方法を適用した。この場合、付着形成されたパラジウム膜14の樹脂への付着強度が高いものとは必ずしもいえないため、研磨条件によっては凹部内部のパラジウム膜も剥離する危険がある。
Thereafter, plated copper is buried in the via hole 18 by a semi-additive process to form a via and a land. That is, as shown in FIG. 3 (10), an electroless copper plating film 19 is formed as a seed layer, and a photosensitive resin layer pattern 17 is formed thereon again as shown in FIG. 4 (11). Then, as shown in FIG. 4 (12), electrolytic plated copper 20 is formed so as to fill the via hole 18. And as shown in FIG.4 (13), on the electroplating copper 20 of the via hole 18, electroless nickel plating and electroless gold plating are performed, and the Ni-Au plating layer 21 which is a surface electrode is formed, As shown in FIG. 4 (14), after removing the photosensitive resin layer pattern 17, as shown in FIG. 4 (15), the electroless copper plating film (seed layer) 19 on the surface is etched to form the surface. A circuit having a fine copper wiring 16 made of electroless plated copper 15, a via 22 connected to the lower electrode pad 10 embedded with electrolytic plated copper 20, and a surface electrode 23 made of a Ni—Au plated layer 21 thereon. A substrate is manufactured.
(Example 2)
In the above embodiment, with respect to the removal of the palladium film 14 on the surface of the concave pattern forming resin layer 13 in FIG. 2 (4) and thereafter, a method of removing the palladium film 14 by direct polishing and obtaining the situation after the removal of FIG. 2 (5). Applied. In this case, since the adhesion strength of the formed palladium film 14 to the resin is not necessarily high, there is a risk that the palladium film inside the recess is also peeled off depending on the polishing conditions.

図5は、それに対処する、実施例その2の工程を説明するための断面模式図である。図5(1)は、図2(4)と同じ、パラジウム膜14を付着した状況を説明する図である。次に、図5(2)に示すように、パラジウム14の付着面に溶剤に溶かされた絶縁性樹脂溶液を塗布して溝12内部を含めた塗布膜を形成し、それを乾燥させて、樹脂保護層24を形成する。これによって、パラジウム膜14は、溝12内部表面および凹状パターン形成樹脂層13表面に固定化する。このとき、樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂などが適用できる。これら溶解する溶剤は、有機溶剤として、アセトン、トルエンなどが適用でき、水溶性樹脂としてはポリビニルアルコール(PVA)などが適用可能である。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the second step of the second embodiment that copes with this. FIG. 5 (1) is a diagram for explaining the situation where the palladium film 14 is attached, as in FIG. 2 (4). Next, as shown in FIG. 5 (2), an insulating resin solution dissolved in a solvent is applied to the adhesion surface of palladium 14 to form a coating film including the inside of the groove 12, and then dried. A resin protective layer 24 is formed. Thereby, the palladium film 14 is fixed to the inner surface of the groove 12 and the surface of the concave pattern forming resin layer 13. At this time, for example, acrylic resin, styrene resin, or the like can be applied as the resin. As the solvent to be dissolved, acetone, toluene or the like can be applied as the organic solvent, and polyvinyl alcohol (PVA) or the like can be applied as the water-soluble resin.

そして、図5(3)に示すように、この樹脂保護層24をCMPなどの研磨処置により凹状パターン形成樹脂層13表面のパラジウム膜14とともに除去する。樹脂保護層24の厚さを、例えば、サブミクロンレベルの非常に薄いものが形成でき、また樹脂保護層24は金属層などに比べ研磨が容易な材料であることから、この研磨による溝12の凹状パターンの形状変化などの回避は十分可能である。   Then, as shown in FIG. 5 (3), the resin protective layer 24 is removed together with the palladium film 14 on the surface of the concave pattern forming resin layer 13 by a polishing process such as CMP. The thickness of the resin protective layer 24 can be very thin, for example, at a submicron level. Since the resin protective layer 24 is a material that is easier to polish than a metal layer or the like, It is possible to avoid a change in the shape of the concave pattern.

図5(4)の様に、例えば、アセトンのような有機溶剤(水溶性樹脂ならば水)によって溝12内の樹脂保護層24を溶かし出して取り除く。こうして、溝12内部に付着したパラジウム膜14が確保されることとなる。以降、図3(6)の、無電解めっき銅の埋め込み形成工程以降の工程によって、本発明の回路基板を製造することができる。
(実施例その3)
実施例その1においては、図3(6)で完成した微細銅配線16の無電解めっき銅15の表面に、図3(10)において無電解銅めっき膜19が形成され、この無電解銅めっき膜19が図4(15)において除去されるといった工程をとった。このため微細銅配線16の表面がダメージを受け易いといったことが生じる可能性があった。
As shown in FIG. 5 (4), for example, the resin protective layer 24 in the groove 12 is dissolved and removed by an organic solvent such as acetone (or water if water-soluble resin). Thus, the palladium film 14 adhered to the inside of the groove 12 is secured. Thereafter, the circuit board of the present invention can be manufactured by the steps after the step of forming the electroless plated copper in FIG.
(Example 3)
In Example 1, the electroless copper plating film 19 in FIG. 3 (10) is formed on the surface of the electroless plating copper 15 of the fine copper wiring 16 completed in FIG. 3 (6). A step was taken in which the film 19 was removed in FIG. For this reason, the surface of the fine copper wiring 16 may be easily damaged.

図6〜図7はこれを回避するための、実施例その3の工程を説明するための断面模式図である。図6(1)は、図3(6)と同じ、無電解めっき銅15からなる、研磨処理を施さない、凹状パターン形成樹脂層13面中に埋め込まれた、微細銅配線16を形成した状況である。本実施例その3では、次に、図6(2)に示すように、この表面に厚さ10μm程度となるように樹脂フィルム25をラミネートし、キュアする。   FIG. 6 to FIG. 7 are schematic cross-sectional views for explaining the process of Example 3 for avoiding this. FIG. 6 (1) is the same as FIG. 3 (6), and is a situation in which fine copper wirings 16 made of electroless plated copper 15 are embedded in the surface of the concave pattern forming resin layer 13 without being subjected to polishing treatment. It is. In Example 3 of this example, next, as shown in FIG. 6B, a resin film 25 is laminated on this surface so as to have a thickness of about 10 μm and cured.

図6(3)に示すように、凹状パターン形成樹脂層13の電極パッド10の位置に合わせて、樹脂フィルム25上からレーザによりビア孔18を形成する。その後、デスミア処理により加工残渣を除去する。   As shown in FIG. 6 (3), via holes 18 are formed by laser from above the resin film 25 in accordance with the positions of the electrode pads 10 of the concave pattern forming resin layer 13. Thereafter, the processing residue is removed by desmear treatment.

次に、図6(4)に示すように、この表面上に、前述の方法により無電解銅めっき膜19を、ビア孔18中を含め樹脂フィルム25上に形成する。この無電解銅めっき膜19は無電解めっき銅15からなる微細銅配線16の接しない。   Next, as shown in FIG. 6 (4), the electroless copper plating film 19 is formed on the resin film 25 including the inside of the via hole 18 on the surface by the method described above. The electroless copper plating film 19 is not in contact with the fine copper wiring 16 made of the electroless plating copper 15.

そして、以降、電解めっきによるセミアディティブプロセスによりビア孔18中に銅ビアを形成する。そのプロセスとして、図7(5)に示すように、ビア孔18部分を開口するように感光性樹脂層パターン17を無電解銅めっき膜19上に形成し、ビア孔18中に電解めっき銅20を埋め込む。次いで、図7(6)に示すように、電解めっき銅20上に、Ni−Auめっき膜21を形成する。   Thereafter, a copper via is formed in the via hole 18 by a semi-additive process by electrolytic plating. As the process, as shown in FIG. 7 (5), a photosensitive resin layer pattern 17 is formed on the electroless copper plating film 19 so as to open the via hole 18, and the electrolytic plated copper 20 is formed in the via hole 18. Embed. Next, as shown in FIG. 7 (6), a Ni—Au plated film 21 is formed on the electrolytic plated copper 20.

図6(7)に示すように、2層の樹脂層(感光性樹脂層パターン17とパターン化された樹脂フィルム25)とその間の無電解銅めっき膜19をエッチング処理などで除去し、微細銅配線16、とビアのトップが露出する。   As shown in FIG. 6 (7), the two resin layers (the photosensitive resin layer pattern 17 and the patterned resin film 25) and the electroless copper plating film 19 between them are removed by an etching process or the like to obtain fine copper. The wiring 16 and the top of the via are exposed.

そして、図6(8)に示すように、凹状パターン形成樹脂層13中に、微細銅配線16と、表面電極23を持つ、電極パッド10に接続したビア22を有する回路基板が形成される。   Then, as shown in FIG. 6 (8), a circuit board having fine copper wirings 16 and surface electrodes 23 and vias 22 connected to the electrode pads 10 is formed in the concave pattern forming resin layer 13.

以上の様に、本発明の回路基板の製造方法は、絶縁樹脂の表面上に微細銅配線などの金属配線を形成するとき、触媒金属の存在を、インプリント法などで形成された絶縁樹脂の凹状パターンの凹部(溝)の内部のみに限定させ、無電解めっき金属が樹脂の凹状パターンの凹部(溝)内部のみに形成されるようにする。そのため表面上に厚くめっきされためっき金属を研磨すること無しに、金属配線を形成することが可能となる。その結果、微細パターンが精度良く形成でき、一般に行われる、埋め込まれためっき金属の表面層研磨実施の際に生じる、パターン形成精度に影響を及ぼす問題を回避することができる。   As described above, in the method for manufacturing a circuit board according to the present invention, when a metal wiring such as a fine copper wiring is formed on the surface of the insulating resin, the presence of the catalytic metal is determined by the imprinting method. It is limited to the inside of the recess (groove) of the concave pattern so that the electroless plating metal is formed only inside the recess (groove) of the resin concave pattern. Therefore, it is possible to form a metal wiring without polishing the plated metal that is plated thick on the surface. As a result, a fine pattern can be formed with high accuracy, and problems that affect the pattern formation accuracy, which is generally caused when the embedded plating metal surface layer is polished, can be avoided.

本発明の方法は、配線などの埋め込み金属層は無電解めっき金属を用いるため、現状においては、本方法は膜厚が比較的薄い微細金属パターン形成に適す。そのため、その厚さは、例えば1μm厚程度以下、好ましくは0.5μm前後以下が好適例となる。そのため、凹状のパターン深さ、すなわち金型の凸状部の高さもそれらに見合ったものとなる。微細かつ薄い膜厚で、形成パターン厚(溝の深さ)が全て同一のないしは近いレベルの場合が特に好適な適用例であるといえよう。
(実施例その4)
図8に、本発明の製造方法によって製作された回路基板26の全体構成例の断面模式図を示す。図8において、コア層27は本基板の上下面を接続する複数のスルーホール28を有し、それらの両終端にコア層電極パッド30が形成される。コア層27の両面には何層かの(本例では二層の)ビルドアップ樹脂層29が積層され、ビルドアップ層内配線31とコア層電極パッド30に接続するビルドアップ層内ビア32が形成され、各端部には電極パッド10が形成される。更にその上に何層かの(本例では二層の)樹脂層11が形成され、その内部に樹脂層内配線33、樹脂層内ビア34、電極パッド10が形成され、最上層の樹脂層11には、微細銅配線16と、電極パッド10と接続するビア22、そのビア22上に表面電極23が形成される。実施例その1〜その3で説明した回路基板断面模式図は、本図の点線内の個所を示すものといえる。
Since the method of the present invention uses an electroless plating metal for the embedded metal layer such as wiring, the present method is suitable for forming a fine metal pattern having a relatively thin film thickness. Therefore, a suitable example is a thickness of about 1 μm or less, preferably about 0.5 μm or less. Therefore, the concave pattern depth, that is, the height of the convex portion of the mold is also commensurate with them. It can be said that a particularly suitable application example is that the formation pattern thickness (groove depth) is all the same or close to each other with a fine and thin film thickness.
Example 4
FIG. 8 shows a schematic cross-sectional view of an example of the entire configuration of the circuit board 26 manufactured by the manufacturing method of the present invention. In FIG. 8, the core layer 27 has a plurality of through holes 28 connecting the upper and lower surfaces of the substrate, and the core layer electrode pads 30 are formed at both ends thereof. Several layers (two layers in this example) of build-up resin layers 29 are laminated on both surfaces of the core layer 27, and build-up layer vias 32 connected to the build-up layer wirings 31 and the core layer electrode pads 30. An electrode pad 10 is formed at each end. Furthermore, several layers (two layers in this example) of resin layers 11 are formed thereon, in which resin layer wiring 33, resin layer vias 34, and electrode pads 10 are formed, and the uppermost resin layer 11, the fine copper wiring 16, the via 22 connected to the electrode pad 10, and the surface electrode 23 are formed on the via 22. It can be said that the circuit board cross-sectional schematic diagrams described in Examples 1 to 3 show the portions within the dotted line in the figure.

このように、本発明の製造方法のインプリント法を用いた微細な導電体(銅)配線は、図8の多重に積層された回路基板の最上面などに形成され、そこに、大規模・高密度の接続端子を有する半導体素子(チップ)などを搭載するのに最適な配線あるいは電極パッドを提供可能とする。   Thus, the fine conductor (copper) wiring using the imprint method of the manufacturing method of the present invention is formed on the uppermost surface of the circuit board laminated in multiple layers in FIG. It is possible to provide an optimal wiring or electrode pad for mounting a semiconductor element (chip) having high-density connection terminals.

以上に示した実施例に用いられた金属を初めとする各種材料や採用された形成手段は一例に過ぎず、他の材料や他の形成手段によっても、本発明の製造方法を適用可能であることは言うまでもない。   The various materials including the metals used in the above-described embodiments and the forming means employed are only examples, and the manufacturing method of the present invention can be applied to other materials and other forming means. Needless to say.

1 シリコン基板
2 フォトレジスト
3 フォトマスク
4 レジストパターン
5 レジスト開口部
6、12 溝
7 母型
8 ニッケルめっき膜
9 金型
10 電極パッド
11 樹脂層
13 凹状パターン形成樹脂層
14 パラジウム膜
15 無電解めっき銅
16 微細銅配線
17 感光性樹脂層パターン
18 ビア孔
19 無電解銅めっき膜
20 電解めっき銅
21 Ni−Auめっき層
22 ビア
23 表面電極
24 樹脂保護層
25 樹脂フィルム
26 回路基板
27 コア層
28 スルーホール
29 ビルドアップ樹脂層
30 コア層電極パッド
31 ビルドアップ層内配線
32 ビルドアップ層内ビア
33 樹脂層内配線
34 樹脂層内ビア
101 金型
102 配線用突起部
103 ビア用突起部
104 電極パッド
105 絶縁樹脂板
106 配線用溝部
107 ビア用孔部
108 銅めっき層
109 配線
110 ビア

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon substrate 2 Photoresist 3 Photomask 4 Resist pattern 5 Resist opening 6, 12 Groove 7 Master mold 8 Nickel plating film 9 Mold 10 Electrode pad 11 Resin layer 13 Recessed pattern formation resin layer 14 Palladium film 15 Electroless plating copper 16 Fine copper wiring 17 Photosensitive resin layer pattern 18 Via hole 19 Electroless copper plating film 20 Electroplated copper 21 Ni-Au plating layer 22 Via 23 Surface electrode 24 Resin protective layer 25 Resin film 26 Circuit board 27 Core layer 28 Through hole 29 Build-up Resin Layer 30 Core Layer Electrode Pad 31 Build-up Layer Wiring 32 Build-up Layer Via 33 Resin Layer Wiring 34 Resin Layer Via 101 Mold 102 Wiring Protrusion 103 Via Protrusion 104 Electrode Pad 105 Insulation Resin plate 106 Wiring groove 1 7 hole 108 copper plating layer 109 wiring 110 via a via

Claims (5)

基板の最上面に積層された絶縁樹脂層に、少なくとも凹状部を有するパターンを形成する工程と、
前記凹状部の内部及び前記絶縁樹脂層表面上に、無電解めっき用触媒金属膜を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層表面上の前記無電解めっき用触媒金属膜を除去する工程と、
前記凹状部の前記内部に無電解めっきを行う工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
Forming a pattern having at least a concave portion on the insulating resin layer laminated on the uppermost surface of the substrate;
Forming a catalyst metal film for electroless plating on the inside of the concave portion and on the surface of the insulating resin layer;
Removing the electroless plating catalyst metal film on the insulating resin layer surface;
Performing electroless plating on the inside of the concave portion;
A method of manufacturing a circuit board, comprising:
前記凹状部は、同一深さを有することを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。 The method of manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein the concave portions have the same depth. 前記凹状部を有するパターンを形成する工程は、前記凹状部と鏡像関係にある凸状部を有する金型を前記絶縁樹脂層に圧入する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。   2. The circuit board according to claim 1, wherein the step of forming the pattern having the concave portion includes a step of press-fitting a mold having a convex portion having a mirror image relationship with the concave portion into the insulating resin layer. Manufacturing method. 前記除去する工程は、
前記絶縁樹脂層表面上の前記無電解めっき用触媒金属膜を研磨する工程を有することを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。
The removing step includes
2. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, further comprising a step of polishing the electroless plating catalyst metal film on the surface of the insulating resin layer.
前記除去する工程は、
前記凹状部の前記内部及び前記絶縁樹脂層表面上に形成された前記無電解めっき用触媒金属膜上に樹脂保護層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層表面上の前記無電解めっき用触媒金属膜を前記絶縁樹脂層表面上の前記樹脂保護層とともに研磨する工程と、
前記凹状部の前記内部の前記無電解めっき用触媒金属膜上の前記樹脂保護層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項1または4記載の回路基板の製造方法。
The removing step includes
Forming a resin protective layer on the inside of the concave portion and the catalyst metal film for electroless plating formed on the surface of the insulating resin layer;
Polishing the electroless plating catalyst metal film on the insulating resin layer surface together with the resin protective layer on the insulating resin layer surface;
Removing the resin protective layer on the electroless plating catalyst metal film inside the concave portion;
The method of manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein:
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