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JP2012182276A - 発光ユニットおよび表示装置 - Google Patents

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JP2012182276A JP2011043710A JP2011043710A JP2012182276A JP 2012182276 A JP2012182276 A JP 2012182276A JP 2011043710 A JP2011043710 A JP 2011043710A JP 2011043710 A JP2011043710 A JP 2011043710A JP 2012182276 A JP2012182276 A JP 2012182276A
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Abstract

【課題】発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を低減することの可能な発光ユニットおよびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】発光ユニット１は、３つの発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁体２０と、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに電気的に接続された端子電極３１，３２を備える。３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を備えた発光ユニット、ならびに発光ユニットを備えた表示装置に関する。
近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いとった特徴がある。しかし、数百万個にも及ぶＬＥＤチップを配線基板上に歩留まり良く実装し、結線することが要求される。そのため、簡易なプロセスで高歩留まりを実現できる方法が必要とされている。
例えば、特許文献１に記載の方法では、まず、各色のＬＥＤを同一ピッチで転写用基板上に転写したのち、複数色のＬＥＤごとに樹脂で覆い、発光ユニットを形成する。次に、各発光ユニットを、表示パネル用基板上に行列状に転写する。このようにして、簡易な方法で表示パネルが製造される。
特開２００７−１９４６７号公報
ところで、上記特許文献１に記載の発光ユニットでは、各ＬＥＤで発生した光は、発光ユニットの上面から外部に出力されるだけでなく、発光ユニットの樹脂内も伝播する。このとき、樹脂内を伝播する光が波長の短い青色光であった場合に、青色光が赤色ＬＥＤに入射するときには、赤色ＬＥＤに含まれる材料（例えばポリイミド）が劣化し、赤色ＬＥＤの光出力が変動してしまうという問題があった。また、樹脂内を伝播する光が緑色光であった場合に、緑色光が赤色ＬＥＤに入射するときには、赤色ＬＥＤが緑色光によって励起され、発光することがある。その結果、表示映像にクロストークが生じたり、色温度が変化したり、色再現範囲が減少したりする虞があるという問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を低減することの可能な発光ユニットおよびそれを備えた表示装置を提供することにある。
本発明の発光ユニットは、発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を備えたものである。複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子は、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層を有している。この発光素子は、第１導電型層と電気的に接続された第１電極と、第２導電型層と電気的に接続された第２電極とを有している。さらに、この半導体層は、第１導電型層、活性層および第２導電型層が露出した側面を有しており、半導体層の表面のうち少なくとも活性層の露出面に接する第１絶縁層と、第１絶縁層の表面のうち少なくとも活性層の露出面との対向面に接する金属層とを有している。この金属層は、第１電極および第２電極と電気的に分離されている。
本発明の表示装置は、複数の発光ユニットを有する表示パネルと、映像信号に基づいて各発光ユニットを駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の表示装置において、各発光ユニットは、上記の発光ユニットと同一の構成要素を有している。
本発明の発光ユニットおよび表示装置では、複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子の側面には、少なくとも活性層の露出面に接する第１絶縁層と、第１絶縁層の表面のうち少なくとも活性層の露出面との対向面に接する金属層とが設けられている。これにより、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光は、発光素子の側面に設けられた金属層によって反射され、隣接する発光素子への光入射が妨げられる。ここで、上記の金属層は、第１電極および第２電極と電気的に分離されているので、第１電極と第２電極とが金属層を介してショートする可能性はほとんどない。そのため、側面に設けた金属層が発光素子の耐圧に悪影響を及ぼす可能性もほとんどない。
ところで、本発明において、第１絶縁層および金属層は、少なくとも発光素子の側面全体を覆っていることが好ましい。このようにした場合には、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も、発光素子の側面に設けられた金属層によって反射され、隣接する発光素子への光入射がより一層、妨げられる。
また、本発明において、第１電極が、第１導電型層表面であって、かつ活性層とは反対側の表面に接して形成された金属電極であり、第１絶縁層および金属層が、側面との対向領域から、第１電極との対向領域に渡って形成されていてもよい。このようにした場合には、第１電極の一部と金属層の一部とが第１絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙を介して直接、漏れ出ることが無い。
また、本発明において、第１絶縁層のうち第１電極との対向領域に形成されている部分の表面の一部が、金属層に覆われていない露出面となっており、その露出面から金属層の表面に渡って第２絶縁層が形成されていることが好ましい。さらに、上記の場合に、第１電極の表面の一部が、第１絶縁層、金属層および第２絶縁層に覆われていない露出面となっており、その露出面から、第１絶縁層の表面および第２絶縁層の表面に渡ってパッド電極が形成されていることが好ましい。このようにした場合には、金属層の一部とパッド電極の一部とが第２絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙、さらには、第１電極とパッド電極との間隙を介して漏れ出ることはほとんどない。
また、本発明において、複数種類の発光素子が、青色光を発する発光素子、緑色光を発する発光素子および赤色光を発する発光素子を含んでいる場合には、これら３種類の発光素子のうち少なくとも青色光を発する発光素子および緑色光を発する発光素子が、上記の金属層を有していることが好ましい。
本発明の発光ユニットおよび表示装置によれば、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光を、発光素子の側面に設けられた金属層によって反射し、隣接する発光素子への光入射を妨げるようにしたので、発光ユニット内を伝播する光による悪影響を低減することができる。特に、第１絶縁層および金属層が、少なくとも発光素子の側面全体を覆っている場合には、活性層から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も金属層で反射させることができるので、発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を格段に低減することができる。
ところで、本発明の発光ユニットおよび表示装置では、金属層と第１電極とがショートするのを避けるために、金属層と第１電極との間には間隙が存在する。しかし、第１絶縁層および金属層が、半導体層の側面との対向領域から、第１電極との対向領域に渡って形成されている場合には、第１電極の一部と金属層の一部とが第１絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙を介して漏れ出ることが無い。これにより、発光素子の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、発光ユニット内を伝播する光による悪影響を低減することができる。
また、本発明の発光ユニットおよび表示装置において、第１絶縁層の露出面から金属層の表面に渡って第２絶縁層が形成されており、さらに、第１電極の露出面から、第１絶縁層の表面および第２絶縁層の表面に渡ってパッド電極が形成されている場合には、金属層の一部とパッド電極の一部とが第２絶縁層を介して互いに重なり合うので、活性層からの光が、第１電極と金属層との間隙、さらには、金属層とパッド電極との間隙を介して漏れ出ることはほとんどない。これにより、金属層と第１電極（またはパッド電極）とのショートを確実に防ぎつつ、発光ユニット内を伝播する光による悪影響をさらに低減することができる。
本発明の第１の実施形態に係る発光ユニットの構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図１の光学素子の構成の一例を表す断面図である。 図１の光学素子の構成の他の例を表す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る発光ユニットの構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図４の光学素子の構成の一例を表す断面図である。 図４の光学素子の構成の他の例を表す断面図である。 図５の光学素子の構成の一変形例を表す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を表す斜視図である。 図８の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態（発光ユニット）
素子電極が上下面に設けられている例
２．第２の実施の形態（発光ユニット）
素子電極が下面だけに設けられている例
３．第３の実施の形態（表示装置）
上記実施の形態の発光ユニットが画素として設けられている例
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
まず、本発明の第１の実施の形態に係る発光ユニット１について説明する。図１（Ａ）は、発光ユニット１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の発光ユニット１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光ユニット１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。
（発光素子１０）
発光ユニット１は、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０を備えている。各発光素子１０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上、１未満となっている。
各発光素子１０は、発光ユニット１内に配置されており、例えば、図１（Ａ）に示したように、他の発光素子１０と所定の間隙を介して一列に配置されている。このとき、発光ユニット１は、例えば、発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状となっている。互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間は、例えば、各発光素子１０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子１０のサイズよりも狭くなっていてもよい。
各発光素子１０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０は、緑色帯の光を発する発光素子１０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子１０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子１０Ｂとにより構成されている。例えば、発光ユニット１が発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状となっている場合に、発光素子１０Ｇは、例えば、発光ユニット１の短辺近傍に配置され、発光素子１０Ｂは、例えば、発光ユニット１の短辺のうち発光素子１０Ｇの近接する短辺とは異なる短辺の近傍に配置されている。発光素子１０Ｒは、例えば、発光素子１０Ｇと発光素子１０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。
各発光素子１０は、例えば、図２（Ａ）に示したように、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３を順に積層してなる半導体層を有している。発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子１０Ｒにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。
第２導電型層１３の上面（つまり、光取り出し面Ｓ２）には第２電極１５が設けられている。第２電極１５は、例えば、発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、Ｔｉ（チタン）／Ｐｔ（白金）／Ａｕ（金）からなる。第２電極１５は、例えば、発光素子１０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ（金とゲルマニウムの合金）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕからなる。第２電極１５は、第２導電型層１３に接するとともに第２導電型層１３に電気的に接続されている。つまり、第２電極１５は、第２導電型層１３とオーミック接触している。一方、第１導電型層１１の下面には第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、金属電極である。第１電極１４は、例えば、発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。第１電極１４は、例えば、発光素子１０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。第１電極１４は、第１導電型層１１に接するとともに第１導電型層１１に電気的に接続されている。つまり、第１電極１４は、第１導電型層１１とオーミック接触している。第１電極１４および第２電極１５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図２（Ａ）に示したように、第１電極１４および第２電極１５がともに、単一の電極からなるものとする。第１電極１４および第２電極１５は、例えば、Ａｇ（銀）やＡｌ（アルミニウム）などの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。
各発光素子１０（具体的には半導体層）の側面Ｓ１は、例えば、図２（Ａ）に示したように、積層方向と交差する傾斜面となっており、具体的には、当該発光素子１０の断面が逆台形状となるような傾斜面となっている。このように、側面Ｓ１がテーパー状となっていることにより、正面方向の光取り出し効率を高くすることができる。なお、側面Ｓ１は、例えば、図２（Ｂ）に示したように、積層方向と直交する垂直面となっていてもよい。
各発光素子１０は、例えば、図２（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体を有している。この積層体は、半導体層の側面Ｓ１から下面に渡って形成された層である。この積層体のうち、少なくとも第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、それぞれ、薄い層であり、例えば、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどの薄膜形成プロセスによって形成されたものである。つまり、この積層体のうち、少なくとも第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、スピンコートなどの厚膜形成プロセスや樹脂モールド、ポッティングなどによって形成されたものではない。
第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、少なくとも側面Ｓ１全体を覆っており、側面Ｓ１との対向領域から、第１電極１４との対向領域の一部に渡って形成されている。第１絶縁層１６は、金属層１７と半導体層との電気的な絶縁をとるためのものである。第１絶縁層１６は、側面Ｓ１のうち、発光素子１０の光取り出し面Ｓ２側の端部から、第１電極１４の表面の外縁に渡って形成されている。つまり、第１絶縁層１６は、発光素子１０の側面Ｓ１全体に接して形成されており、さらに、第１電極１４の表面の外縁に接して形成されている。第１絶縁層１６は、活性層１２から発せられる光に対して透明な材料、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。第１絶縁層１６は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第１絶縁層１６は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
金属層１７は、活性層１２から発せられた光を遮蔽もしくは反射するためのものである。金属層１７は、第１絶縁層１６の表面に接して形成されている。金属層１７は、第１絶縁層１６の表面において、光取り出し面Ｓ２側の端部から、第１電極１４側の端部よりも少し後退した箇所まで形成されている。つまり、第１絶縁層１６は、第１電極１４と対向する部分に、金属層１７に覆われていない露出面１６Ａを有している。
金属層１７の光取り出し面Ｓ２側の端部は、第１絶縁層１６の光取り出し面Ｓ２側の端部と同一面（つまり、光取り出し面Ｓ２と同一面）に形成されている。一方、金属層１７の第１電極１４側の端部は、第１電極１４と対向する領域に形成されており、第１絶縁層１６を間にして金属層１７の一部と互いに重なり合っている。つまり、金属層１７は、半導体層、第１電極１４および第２電極１５とは第１絶縁層１６によって絶縁分離（電気的に分離）されている。
金属層１７の第１電極１４側の端部と、金属層１７との間には、第１絶縁層１６の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、金属層１７の第１電極１４側の端部と、第１電極１４とは第１絶縁層１６を介して互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、第１絶縁層１６の厚さは、厚くてもたかだか数μｍ程度である。従って、活性層１２から発せられた光は、上記の間隙を介して直接に、外に漏れ出ることはほとんどない。
金属層１７は、活性層１２から発せられる光を遮蔽もしくは反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。金属層１７は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、金属層１７は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
第２絶縁層１８は、発光ユニット１を実装用の基板（図示せず）に実装したときに、パッド電極１９と実装用の基板とを互いに接合する導電性材料（例えば、半田、めっき、スパッタ金属）と、金属層１７とが互いにショートするのを防止するためのものである。第２絶縁層１８は、金属層１７の表面と、第１絶縁層１６の表面（上記の露出面１６Ａ）に接して形成されている。第２絶縁層１８は、金属層１７の表面全体に形成されるとともに、第１絶縁層１６の露出面１６の全体または一部に形成されている。つまり、第２絶縁層１８は、第１絶縁層１６の露出面１６Ａから金属層１７の表面に渡って形成されており、金属層１７は、第１絶縁層１６および第２絶縁層１８によって覆われている。第２絶縁層１８は、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。また、第２絶縁層１８は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。第２絶縁層１８は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第２絶縁層１８は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
パッド電極１９は、第１電極１４から引き出された電極（つまり引出電極）である。パッド電極１９は、第１電極１４の露出面１４Ａから、第１絶縁層１６の表面および第２絶縁層１８の表面に渡って形成されている。パッド電極１９は、第１電極１４と電気的に接続されており、パッド電極１９の一部が、第２絶縁層１８を介して金属層１７の一部と重なり合っている。つまり、パッド電極１９は、金属層１７とは第２絶縁層１８によって絶縁分離（電気的に分離）されている。パッド電極１９は、活性層１２から発せられる光を高反射率で反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。また、パッド電極１９は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。
パッド電極１９の端部と、金属層１７との間には、第２絶縁層１８の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、パッド電極１９の端部と、金属層１７の第１電極１４側の端部とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、第２絶縁層１８の厚さは、厚くてもたかだか数μｍ程度である。加えて、第１電極１４と、金属層１７の第１電極１４側の端部と、パッド電極１９の端部とが、互いに重なり合っており、第１絶縁層１６および第２絶縁層１８を介して活性層１２から外部に通じる通路は、Ｓ字状に曲がりくねっている。つまり、活性層１２から発せられた光が透過し得る通路がＳ字状に曲がりくねっている。以上のことから、金属層１７の絶縁として用いられる第１絶縁層１６および第２絶縁層１８が、活性層１２から外部に通じる通路になり得るものの、その通路は、極めて狭く、しかもＳ字状となっており、活性層１２から発せられた光が外部に漏れ出ることのほとんどない構造となっているといえる。
なお、活性層１２から発せられた光が直接に他の発光素子１０に入射するのを妨げるという観点からすれば、金属層１７は、第１絶縁層１６の表面のうち少なくとも活性層１２の露出面との対向面に接して形成されていればよく、活性層１２の露出面以外の部分まで覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層１６は、半導体層の表面のうち少なくとも活性層１２の露出面に接して形成されていればよく、側面Ｓ１全体を覆っていなくてもよい。また、金属層１７は、側面Ｓ１のうち、隣接する発光素子１０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ１全体を覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層１６は、側面Ｓ１のうち、隣接する発光素子１０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ１全体を覆っていなくてもよい。なお、金属層１７を介して第１導電型層１１および第２導電型層１３が互いにショートするのを防止する観点から、いずれの場合においても、金属層１７が第１絶縁層１６の表面からはみ出さないことが好ましい。
また、発光ユニット１に含まれる３つの発光素子１０が発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからなる場合に、全ての発光素子１０が上述の積層体を有していることが好ましいが、全ての発光素子１０が上述の積層体を有していなくてもよい。例えば、３つの発光素子１０のうち最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂだけに、上述の積層体が設けられていてもよい。また、例えば、３つの発光素子１０のうち、最も長波長の光を発する発光素子１０Ｒ以外の発光素子１０（具体的には、発光素子１０Ｇ，１０Ｂ）だけに、上述の積層体が設けられていてもよい。
図３（Ａ），（Ｂ）は、上述の積層体が設けられていない発光素子１０の断面構成の一例を表したものである。なお、図３（Ａ），（Ｂ）には、上述の積層体が設けられていない発光素子１０として、最も長波長の光を発する発光素子１０Ｒが例示されている。この発光素子１０は、例えば、図３（Ａ），（Ｂ）に示したように、上述の積層体において金属層１７および第２絶縁層１８が省略された構成となっている。なお、発光素子１０は、場合によっては、第１絶縁層１６およびパッド電極１９さえも省略され、第１電極１４全体が露出する構成となっていてもよい。
（絶縁体２０，端子電極３１，３２）
発光ユニット１は、さらに、図１（Ａ）に示したように、各発光素子１０を覆うチップ状の絶縁体２０と、各発光素子１０に電気的に接続された端子電極３１，３２とを備えている。端子電極３１，３２は、絶縁体２０の底面側に配置されている。
絶縁体２０は、各発光素子１０を、少なくとも各発光素子１０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体２０は、例えば、シリコーン，アクリル，エポキシなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体２０は、一部にポリイミドなどの別材料を含んでいてもよい。絶縁体２０は、各発光素子１０の側面と、各発光素子１０の上面のうち第２電極１５の未形成領域に接して形成されている。絶縁体２０は、各発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体２０の高さは、各発光素子１０の高さよりも高くなっており、絶縁体２０の横幅（短辺方向の幅）は、各発光素子１０の幅よりも広くなっている。絶縁体２０自体のサイズは、例えば１ｍｍ以下となっている。絶縁体２０は、薄片状となっている。絶縁体２０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光ユニット１を転写する際に発光ユニット１が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。
絶縁体２０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子１０の直上に対応する箇所に開口２０Ａを有している。各開口２０Ａの底面には、少なくとも第２電極１５（図１（Ａ），（Ｂ）では図示せず）が露出している。また、絶縁体２０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子１０の直下に対応する箇所にも開口２０Ｂを有している。各開口２０Ｂの底面には、少なくともパッド電極１９（場合によっては第１電極１４）（図１（Ａ），（Ｂ）では図示せず）が露出している。
パッド電極１９（または第１電極１４）は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極３１に接続されている。一方、第２電極１５は、図１（Ａ）に示したバンプ３３および接続部３４を介して端子電極３２に接続されている。バンプ３３は絶縁体２０に埋め込まれた柱状の導電性部材であり、接続部３４は絶縁体２０の上面に形成された帯状の導電性部材である。なお、第２電極１５は、バンプ３３および接続部３４以外の導電性部材を介して端子電極３２と接続されていてもよい。端子電極３１，３２は、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。端子電極３１，３２の表面の一部が、例えば、Ａｕ（金）などの酸化されにくい材料で被覆されていてもよい。
［効果］
次に、本実施の形態の発光ユニット１の効果について説明する。
本実施の形態では、３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂに、上述の積層体が設けられている。これにより、上述の積層体が設けられた発光素子１０内の活性層１２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光は、その発光素子１０の側面に設けられた金属層１７によって反射され、隣接する発光素子１０への光入射が妨げられる。その結果、発光ユニット１の絶縁体２０内を伝播する光による悪影響（例えば、青色光に対する耐光性を有しない樹脂の劣化）を低減することができる。また、３つの発光素子１０のうち少なくとも発光素子１０Ｂ，１０Ｇに、上述の積層体が設けられている場合には、発光素子１０Ｂや発光素子１０Ｇから発せられた光による発光素子１０Ｒの励起も妨げることができる。従って、色温度の変化や、色再現範囲の減少を小さくすることができる。
特に、第１絶縁層１６および金属層１７が、少なくとも発光素子１０の側面Ｓ１全体を覆っている場合には、活性層１２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も金属層１７で反射させることができる。その結果、発光ユニット１の絶縁体２０内を伝播する光による悪影響を格段に低減することができる。
なお、側面Ｓ１に設けられた金属層１７は、第１電極１４および第２電極１５と電気的に分離されているので、第１電極１４と第２電極１５とが金属層１７を介してショートする可能性はほとんどない。そのため、側面Ｓ１に設けられた金属層１７が発光素子１０の耐圧に悪影響を及ぼす可能性もほとんどない。
ところで、本実施の形態では、金属層１７と第１電極１４とがショートするのを避けるために、金属層１７と第１電極１４との間には間隙が存在する。しかし、第１絶縁層１６および金属層１７が、半導体層の側面Ｓ１との対向領域から、第１電極１４との対向領域に渡って形成されており、第１電極１４の一部と金属層１７の一部とが第１絶縁層１６を介して互いに重なり合っている。そのため、活性層１２からの光が、第１電極１４と金属層１７との間隙を介して絶縁体２０に直接、漏れ出ることが無い。これにより、発光素子１０の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、発光ユニット１の絶縁体内を伝播する光による悪影響を低減することができる。
また、本実施の形態では、第１絶縁層１６の露出面１６Ａから金属層１７の表面に渡って第２絶縁層１８が形成されており、さらに、第１電極１４の露出面１４Ａから、第１絶縁層１６の表面および第２絶縁層１８の表面に渡ってパッド電極１９が形成されている。これにより、金属層１７の一部とパッド電極１９の一部とが第２絶縁層１８を介して互いに重なり合うので、活性層１２からの光が、第１電極１４と金属層１７との間隙、さらには、金属層１７とパッド電極１９との間隙を介して、絶縁体２０に漏れ出ることはほとんどない。その結果、金属層１７と第１電極１４（またはパッド電極１９）とのショートを確実に防ぎつつ、発光ユニット１の絶縁体２０内を伝播する光による悪影響をさらに低減することができる。
＜２．第２の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第２の実施の形態に係る発光ユニット２について説明する。図４（Ａ）は、発光ユニット２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の発光ユニット２のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光ユニット２は、上記実施の形態の発光ユニット１と同様、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。
（発光素子４０）
発光ユニット２は、図４（Ａ）に示したように、３つの発光素子４０を備えている。各発光素子４０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上、１未満となっている。
各発光素子４０は、発光ユニット２内に配置されており、例えば、図４（Ａ）に示したように、他の発光素子４０と所定の間隙を介して一列に配置されている。このとき、発光ユニット２は、例えば、発光素子４０の配列方向に延在する細長い形状となっている。互いに隣り合う２つの発光素子４０の隙間は、例えば、各発光素子４０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子４０のサイズよりも狭くなっていてもよい。
各発光素子４０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図４（Ａ）に示したように、３つの発光素子４０は、緑色帯の光を発する発光素子４０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子４０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子４０Ｂとにより構成されている。例えば、発光ユニット２が発光素子４０の配列方向に延在する細長い形状となっている場合に、発光素子４０Ｇは、例えば、発光ユニット２の短辺近傍に配置され、発光素子４０Ｂは、例えば、発光ユニット２の短辺のうち発光素子４０Ｇの近接する短辺とは異なる短辺の近傍に配置されている。発光素子４０Ｒは、例えば、発光素子４０Ｇと発光素子４０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。
各発光素子４０は、例えば、図５（Ａ）に示したように、第１導電型層４１、活性層４２および第２導電型層４３を順に積層してなる半導体層を有している。なお、図５（Ａ）は、図４（Ａ）のＡ−Ａ線と直交する方向で発光素子４０を切断したときの断面構成の一例を表したものである。発光素子４０Ｇ，４０Ｂにおいては、第１導電型層４１、活性層４２および第２導電型層４３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子４０Ｒにおいては、第１導電型層４１、活性層４２および第２導電型層４３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。
各発光素子４０の半導体層において、第２導電型層４３の一部と、活性層４２と、第１導電型層４１とを含む部分が、柱状のメサ部４０−１となっている。半導体層のうちメサ部４０−１の裾野には、第２導電型層４３が露出する平坦面が広がっており、その平坦面の一部に第２電極４５が形成されている。第２電極４５は、金属電極である。第２電極４５は、例えば、発光素子４０Ｇ，４０Ｂにおいては、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。第２電極４５は、例えば、発光素子４０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。第２電極４５は、第２導電型層４３に接するとともに第２導電型層４３に電気的に接続されている。つまり、第２電極４５は、第２導電型層４３とオーミック接触している。なお、第２導電型層４３の上面（つまり半導体のうちメサ部４０−１とは反対側の面）は、光取り出し面Ｓ４となっており、電極などの遮光構造物は何も設けられていない。メサ部４０−１の上面（つまり第１導電型層４１の表面）には第１電極４４が設けられている。第１電極４４は、金属電極である。第１電極４４は、例えば、発光素子４０Ｇ，４０Ｂにおいては、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。第１電極４４は、例えば、発光素子４０Ｒにおいては、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。第１電極４４は、第１導電型層４１に接するとともに第１導電型層４１に電気的に接続されている。つまり、第１電極４４は、第１導電型層４１とオーミック接触している。第１電極４４および第２電極４５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図５（Ａ）に示したように、第１電極４４および第２電極４５がともに、単一の電極からなるものとする。第１電極４４および第２電極４５は、例えば、ＡｇやＡｌなどの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。
メサ部４０−１の側面Ｓ３は、例えば、図５（Ａ）に示したように、積層方向と交差する傾斜面となっており、具体的には、メサ部４０−１の断面が逆台形状となるような傾斜面となっている。このように、側面Ｓ３がテーパー状となっていることにより、正面方向の光取り出し効率を高くすることができる。なお、側面Ｓ３は、例えば、図５（Ｂ）に示したように、積層方向と直交する垂直面となっていてもよい。
各発光素子４０は、例えば、図５（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１絶縁層４６、金属層４７、第２絶縁層４８からなる積層体を有している。この積層体は、メサ部４０−１の側面Ｓ３から上面に渡って形成された層である。第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、それぞれ、薄い層であり、例えば、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどの薄膜形成プロセスによって形成されたものである。つまり、第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、スピンコートなどの厚膜形成プロセスや樹脂モールド、ポッティングなどによって形成されたものではない。
第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、少なくとも側面Ｓ３全体を覆っており、側面Ｓ３との対向領域から、第１電極４４との対向領域の一部に渡って形成されている。第１絶縁層４６は、金属層４７と半導体層との電気的な絶縁をとるためのものである。第１絶縁層４６は、側面Ｓ３のうち、メサ部４０−１の裾野側の端部から、第１電極４４の表面の外縁に渡って形成されている。つまり、第１絶縁層４６は、側面Ｓ３全体に接して形成されており、さらに、第１電極４４の表面の外縁に接して形成されている。第１絶縁層４６は、活性層４２から発せられる光に対して透明な材料、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。第１絶縁層４６は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第１絶縁層４６は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
金属層４７は、活性層４２から発せられた光を遮蔽もしくは反射するためのものである。金属層４７は、第１絶縁層４６の表面に接して形成されている。金属層４７は、第１絶縁層４６の表面において、光取り出し面Ｓ４側の端部から、第１電極４４側の端部よりも少し後退した箇所まで形成されている。つまり、第１絶縁層４６は、第１電極４４と対向する部分に、金属層４７に覆われていない露出面４６Ａを有している。
金属層４７の光取り出し面Ｓ４側の端部は、第１絶縁層４６の光取り出し面Ｓ４側の端部上に形成されている。一方、金属層４７の第１電極４４側の端部は、第１電極４４と対向する領域に形成されており、第１絶縁層４６を間にして金属層４７の一部と互いに重なり合っている。つまり、金属層４７は、半導体層、第１電極４４および第２電極４５とは第１絶縁層４６によって絶縁分離（電気的に分離）されている。
金属層４７の第１電極４４側の端部と、金属層４７との間には、第１絶縁層４６の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、金属層４７の第１電極４４側の端部と、第１電極４４とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、第１絶縁層４６の厚さは、厚くてもたかだか数μｍ程度である。従って、活性層４２から発せられた光は、上記の間隙を介して直接に、外に漏れ出ることはほとんどない。
金属層４７は、活性層４２から発せられる光を遮蔽もしくは反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。金属層４７は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、金属層４７は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
第２絶縁層４８は、発光ユニット２を実装用の基板（図示せず）に実装したときに、パッド電極４９と実装用の基板とを互いに接合する導電性材料（例えば、半田、めっき、スパッタ金属）と、金属層４７とが互いにショートするのを防止するためのものである。第２絶縁層４８は、金属層４７の表面と、第１絶縁層４６の表面（上記の露出面４６Ａ）に接して形成されている。第２絶縁層４８は、金属層４７の表面全体に形成されるとともに、第１絶縁層４６の露出面４６Ａの全体または一部に形成されている。つまり、第２絶縁層４８は、第１絶縁層４６の露出面４６Ａから金属層４７の表面に渡って形成されており、金属層４７は、第１絶縁層４６および第２絶縁層４８によって覆われている。第２絶縁層４８は、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどからなる。また、第２絶縁層４８は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。第２絶縁層４８は、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚さであり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第２絶縁層４８は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。
各発光素子４０は、さらに、メサ部４０−１を覆う埋め込み層４９と、埋め込み層４９内に形成されたバンプ５０，５１と、埋め込み層４９上に形成されたパッド電極５２，５３とを有している。バンプ５０は、第１電極４４と電気的に接続されており、バンプ５０の上面が、例えば、埋め込み層４９の上面と同一面内に形成されている。バンプ５１は、第２電極４５と電気的に接続されており、バンプ５１の上面が、例えば、埋め込み層４９の上面と同一面内に形成されている。パッド電極５２は、バンプ５０に接しており、バンプ５０を介して第１電極４４と電気的に接続されている。パッド電極５３は、バンプ５１に接しており、バンプ５１を介して第２電極４５と電気的に接続されている。バンプ５０，５１およびパッド電極５２，５３は、埋め込み層４９および第２絶縁層４８によって金属層４７とは電気的に分離されている。
埋め込み層４９は、例えば、シリコーン，アクリル，エポキシなどの樹脂材料や、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＮなどの無機材料からなる。なお、埋め込み層４９は、必要に応じて省略することも可能である。バンプ５０，５１は、例えば、Ｃｕ，半田などの金属材料からなる。なお、バンプ５０，５１は、必要に応じて省略することも可能である。パッド電極５２，５３は、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金などの金属材料からなる。また、パッド電極５２，５３は、上で上げた材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。
パッド電極５２は、第１電極４４から引き出された電極（つまり引出電極）である。パッド電極５２は、少なくとも第１電極４４との対向領域に形成されており、具体的には、第１電極４４との対向領域と、金属層４７のうち第１電極４４側の端部との対向領域とを含む領域に形成されている。つまり、パッド電極５２の一部が、埋め込み層４９および第２絶縁層４８を介して金属層４７の一部と重なり合っている。
パッド電極５２の端部と、金属層４７との間には、埋め込み層４９および第２絶縁層４８の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、パッド電極５２の端部と、金属層４７の第１電極４４側の端部とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。さらに、パッド電極５２の端部と金属層４７との距離（つまり、埋め込み層４９および第２絶縁層４８の厚さ）は、厚くてもたかだか数μｍ程度である。加えて、第１電極４４と、金属層４７の第１電極４４側の端部と、パッド電極５２の端部とが、互いに重なり合っており、第１絶縁層４６、第２絶縁層４８および埋め込み層４９を介して活性層４２から外部に通じる通路は、Ｓ字状に曲がりくねっている。つまり、活性層４２から発せられた光が透過し得る通路がＳ字状に曲がりくねっている。以上のことから、金属層４７の絶縁として用いられる第１絶縁層４６、第２絶縁層４８および埋め込み層４９が、活性層４２から外部に通じる通路になり得るものの、その通路は、極めて狭く、しかもＳ字状となっており、活性層４２から発せられた光が外部に漏れ出ることのほとんどない構造となっているといえる。
なお、活性層４２から発せられた光が直接に他の発光素子４０に入射するのを妨げるという観点からすれば、金属層４７は、第１絶縁層４６の表面のうち少なくとも活性層４２の露出面との対向面に接して形成されていればよく、活性層４２の露出面以外の部分まで覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層４６は、半導体層の表面のうち少なくとも活性層４２の露出面に接して形成されていればよく、側面Ｓ３全体を覆っていなくてもよい。また、金属層４７は、側面Ｓ３のうち、隣接する発光素子４０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ３全体を覆っていなくてもよい。このとき、第１絶縁層４６は、側面Ｓ３のうち、隣接する発光素子４０側の面を少なくとも覆っていればよく、側面Ｓ３全体を覆っていなくてもよい。
また、発光ユニット２に含まれる３つの発光素子４０が発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂからなる場合に、全ての発光素子４０が上述の積層体を有していることが好ましいが、全ての発光素子４０が上述の積層体を有していなくてもよい。例えば、３つの発光素子４０のうち最も短波長の光を発する発光素子４０Ｂだけに、上述の積層体が設けられていてもよい。また、例えば、３つの発光素子４０のうち、最も長波長の光を発する発光素子４０Ｒだけに、上述の積層体が設けられていてもよい。
図６（Ａ），（Ｂ）は、上述の積層体が設けられていない発光素子４０の断面構成の一例を表したものである。なお、図６（Ａ），（Ｂ）には、上述の積層体が設けられていない発光素子４０として、最も長波長の光を発する発光素子４０Ｒ以外の発光素子４０（具体的には、発光素子４０Ｇ，４０Ｂ）が例示されている。この発光素子４０は、例えば、図６（Ａ），（Ｂ）に示したように、上述の積層体において金属層４７および第２絶縁層４８が省略された構成となっている。
（絶縁体５０，端子電極６１，６２）
発光ユニット２は、さらに、図４（Ａ）に示したように、各発光素子４０を覆うチップ状の絶縁体５０と、各発光素子４０に電気的に接続された端子電極６１，６２とを備えている。端子電極６１，６２は、絶縁体５０の底面側に配置されている。
絶縁体５０は、各発光素子４０を、少なくとも各発光素子４０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体５０は、例えば、シリコーン、アクリル、エポキシなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体５０は、一部にポリイミドなどの別材料を含んでいてもよい。絶縁体５０は、各発光素子４０の側面と、各発光素子４０の上面に接して形成されている。絶縁体５０は、各発光素子４０の配列方向に延在する細長い形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体５０の高さは、各発光素子４０の高さよりも高くなっており、絶縁体５０の横幅（短辺方向の幅）は、各発光素子４０の幅よりも広くなっている。絶縁体５０自体のサイズは、例えば１ｍｍ以下となっている。絶縁体５０は、薄片状となっている。絶縁体５０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光ユニット２を転写する際に発光ユニット２が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。
絶縁体５０は、例えば、図４（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子４０の直下に対応する箇所に開口５０Ａを有している。各開口５０Ａの底面には、少なくともパッド電極５２（図４（Ａ），（Ｂ）では図示せず）が露出している。パッド電極５２は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極６１に接続されている。一方、パッド電極５３は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極６２に接続されている。端子電極６１，６２は、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。端子電極６１，６２の表面の一部が、例えば、Ａｕ（金）などの酸化されにくい材料で被覆されていてもよい。
［効果］
次に、本実施の形態の発光ユニット２の効果について説明する。
本実施の形態では、３つの発光素子４０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子４０Ｂに、上述の積層体が設けられている。これにより、上述の積層体が設けられた発光素子４０内の活性層４２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光は、その発光素子４０の側面に設けられた金属層４７によって反射され、隣接する発光素子４０への光入射が妨げられる。その結果、発光ユニット２の絶縁体５０内を伝播する光による悪影響（例えば、青色光に対する耐光性を有しない樹脂の劣化）を低減することができる。また、３つの発光素子４０のうち少なくとも発光素子４０Ｂ，４０Ｇに、上述の積層体が設けられている場合には、発光素子４０Ｂや発光素子４０Ｇから発せられた光による発光素子４０Ｒの励起も妨げることができる。従って、色温度の変化や、色再現範囲の減少を小さくすることができる。
特に、第１絶縁層４６および金属層４７が、少なくともメサ部４０−１の側面Ｓ３全体を覆っている場合には、活性層４２から発せられた光のうち、積層面内方向に伝播する光だけでなく、斜め方向に伝播する光も金属層４７で反射させることができる。その結果、発光ユニット２の絶縁体５０内を伝播する光による悪影響を格段に低減することができる。
ところで、側面Ｓ３に設けられた金属層４７は、第１電極４４および第２電極４５と電気的に分離されているので、第１電極４４と第２電極４５とが金属層４７を介してショートする可能性はほとんどない。そのため、側面Ｓ３に設けられた金属層４７が発光素子４０の耐圧に悪影響を及ぼす可能性もほとんどない。
ところで、本実施の形態では、金属層４７と第１電極４４とがショートするのを避けるために、金属層４７と第１電極４４との間には間隙が存在する。しかし、第１絶縁層４６および金属層４７が、メサ部４０−１の側面Ｓ３との対向領域から、第１電極４４との対向領域に渡って形成されており、第１電極４４の一部と金属層４７の一部とが第１絶縁層４６を介して互いに重なり合っている。そのため、活性層４２からの光が、第１電極４４と金属層４７との間隙を介して絶縁体５０に直接、漏れ出ることが無い。これにより、発光素子４０の耐圧に悪影響を及ぼすことなく、発光ユニット２の絶縁体内を伝播する光による悪影響を低減することができる。
また、本実施の形態では、第１絶縁層４６の露出面４６Ａから金属層４７の表面に渡って第２絶縁層４８が形成されており、さらに、第１電極４４との対向領域と、金属層４７のうち第１電極４４側の端部とを含む領域にパッド電極５２が形成されている。これにより、金属層４７の一部とパッド電極５２の一部とが第２絶縁層４８および埋め込み層４９を介して互いに重なり合うので、活性層４２からの光が、第１電極４４と金属層４７との間隙、さらには、金属層４７とパッド電極５２との間隙を介して、絶縁体５０に漏れ出ることはほとんどない。その結果、金属層４７と第１電極４４（またはパッド電極５２）とのショートを確実に防ぎつつ、発光ユニット２の絶縁体５０内を伝播する光による悪影響をさらに低減することができる。
［第２の実施の形態の変形例］
上記第２の実施の形態では、第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８は、主としてメサ部４０−１の側面Ｓ３に形成され、発光素子４０の側面全体には設けられていなかったが、発光素子４０の側面全体に設けられていてもよい。例えば、図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１絶縁層４６、金属層４７および第２絶縁層４８の端部が、発光素子４０の側面のうち、光取り出し面Ｓ４側の端部から、第１電極４４の表面の外縁に渡って形成されていてもよい。
上記第２の実施の形態では、メサ部４０−１を覆う埋め込み層４９が設けられていたが、省略されていてもよい。例えば、図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、埋め込み層４９と、バンプ５０，５１とが省略され、さらに、パッド電極５２が直接、第１電極４４に接するとともに、パッド電極５３が直接、第２電極４５に接するように形成されていてもよい。
＜３．第３の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置３について説明する。表示装置３は、上記実施の形態に係る発光ユニット１または発光ユニット２を表示画素として備えたものである。図８は、表示装置３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置３は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。表示装置３は、例えば、図８に示したように、表示パネル３１０と、表示パネル３１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
（表示パネル３１０）
表示パネル３１０は、実装基板３２０と、透明基板３３０とを互いに重ね合わせたものである。透明基板３３０の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域３Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域３Ｂを有している。
（実装基板３２０）
図９は、実装基板３２０の透明基板３３０側の表面のうち表示領域３Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板３２０の表面のうち表示領域３Ａに対応する領域には、例えば、図９に示したように、複数のデータ配線３２１が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板３２０の表面のうち表示領域３Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線３２２がデータ配線３２１と交差（例えば直交）する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線３２１およびスキャン配線３２２は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。
スキャン配線３２２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板３２０の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。一方、データ配線３２１は、スキャン配線３２２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線３２２の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも後述のパッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂの非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。
データ配線３２１とスキャン配線３２２との交差部分の近傍が表示画素３２３となっており、複数の表示画素３２３が表示領域３Ａ内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素３２３には、複数の発光素子４０を含む発光ユニット１または複数の発光素子４０を含む発光ユニット２が実装されている。なお、図９には、３つの発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは３つの発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂで一つの表示画素３２３が構成されており、発光素子１０Ｒまたは発光素子４０Ｒから赤色の光を、発光素子１０Ｇまたは発光素子４０Ｇから緑色の光を、発光素子１０Ｂまたは発光素子４０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。
発光ユニット１，２には、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂごとに一対の端子電極３１，３２または一対の端子電極６１，６２が設けられている。そして、一方の端子電極３１または端子電極６１がデータ配線３２１に電気的に接続されており、他方の端子電極３２または端子電極６２がスキャン配線３２２に電気的に接続されている。例えば、端子電極３１または端子電極６１は、データ配線３２１に設けられた分枝３２１Ａの先端のパッド電極３２１Ｂに電気的に接続されている。また、例えば、端子電極３２または端子電極６２は、スキャン配線３２２に設けられた分枝３２２Ａの先端のパッド電極３２２Ｂに電気的に接続されている。
各パッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂは、例えば、最表層に形成されており、例えば、図９に示したように、各発光ユニット１，２が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂは、例えば、Ａｕ（金）などの導電性材料からなる。
実装基板３２０には、さらに、例えば、実装基板３２０と透明基板３３０との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域３Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域３Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。
（透明基板３３０）
透明基板３３０は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板３３０において、発光ユニット１，２側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域３Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素３２３との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは発光素子４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂから発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。
（駆動回路）
駆動回路は、映像信号に基づいて各表示画素３２３（各発光ユニット１，２）を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素３２３に接続されたデータ配線３２１を駆動するデータドライバと、表示画素３２３に接続されたスキャン配線３２２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板３２０上に実装されていてもよいし、表示パネル３１０とは別体で設けられ、かつ配線（図示せず）を介して実装基板３２０と接続されていてもよい。
［表示装置３の動作・効果］
本実施の形態では、発光ユニット１，２が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線３２１およびスキャン配線３２２を介して駆動（単純マトリクス駆動）される。これにより、データ配線３２１とスキャン配線３２２との交差部分近傍に設けられた発光ユニット１，２に順次、電流が供給され、表示領域３Ａに画像が表示される。
ところで、本実施の形態では、表示画素３２３として、上記実施の形態の発光ユニット１，２が用いられている。これにより、発光ユニット１，２の絶縁体２０，５０内を伝播する光による悪影響（例えば、青色光に対する耐光性を有しない樹脂の劣化）を低減したり、発光素子１０Ｂ，４０Ｂから発せられた光による発光素子１０Ｒ，４０Ｒの励起も妨げることができる。その結果、色温度の変化や、色再現範囲の減少を小さくすることができるので、画像品質の経年劣化を少なくすることができる。
また、本実施の形態において、透明基板３３０の表面が粗面となっている場合には、発光ユニット１，２から斜め方向に発せられた光の一部が粗面で散乱される。これにより、散乱光の一部が透明基板３３０を透過し、外部に射出されるので、発光ユニット１，２から斜め方向に発せられた光が透明基板３３０の裏面で反射されたり、透明基板３３０内に閉じ込められ、迷光が発生したりするのを低減することができる。従って、透明基板３３０に起因する光取り出し効率の低下を抑制することができる。
以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
例えば、上記実施の形態等では、発光ユニット１，２が３つの発光素子１０，４０を含んでいたが、２つの発光素子１０だけを含んでいてもよいし、４つ以上の発光素子１０，４０を含んでいてもよい。
１，２…発光ユニット、３…表示装置、３Ａ…表示領域、３Ｂ…フレーム領域、１０，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒ，４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｒ…発光素子、１１，４１…第１導電型層、１２，４２…活性層、１３，４３…第２導電型層、１４，４４…第１電極、１４Ａ，１６Ａ，４４Ａ，４６Ａ…露出面、１５，４５…第２電極、１６，４６…第１絶縁層、１７，４７…金属層、１８，４８…第２絶縁層、１９，５２，５３…パッド電極、２０，５０…絶縁体、２０Ａ，２０Ｂ…開口、３１，３２，６１，６２…端子電極、３３，５０，５１…バンプ、３４…接続部、４０−１…メサ部、４９…埋め込み層、３１０…表示パネル、３２０…実装基板、３３０…透明基板、３２１…データ配線、３２１Ａ，３２２Ａ…分枝、３２２…スキャン配線、３２３…表示画素、Ｓ１，Ｓ３…光取り出し面、Ｓ２，Ｓ４…側面。

Claims (10)

  1. 発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を備え、
    前記複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子は、
    第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなり、かつ前記第１導電型層、前記活性層および前記第２導電型層が露出した側面を有する半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続された第２電極と、
    前記半導体層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面に接する第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面との対向面に接し、かつ前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された金属層と
    を有する
    発光ユニット。
  2. 前記第１絶縁層および前記金属層は、少なくとも前記側面全体を覆っている
    請求項１に記載の発光ユニット。
  3. 前記第１絶縁層は、ＣＶＤ、蒸着またはスパッタにより形成されたものである
    請求項２に記載の発光ユニット。
  4. 前記第１電極は、前記第１導電型層の表面であって、かつ前記活性層とは反対側の表面に接して形成された金属電極であり、
    前記第１絶縁層および前記金属層は、前記側面との対向領域から、前記第１電極との対向領域に渡って形成されている
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
  5. 前記第１絶縁層のうち前記第１電極との対向領域に形成されている部分の表面の一部が、前記金属層に覆われていない露出面となっており、
    前記複数種類の発光素子のうち前記第１絶縁層および前記金属層を有する発光素子は、前記露出面から前記金属層の表面に渡って形成された第２絶縁層を有する
    請求項４に記載の発光ユニット。
  6. 前記第１電極は、前記第１絶縁層および前記金属層に覆われていない露出面を有し、
    前記複数種類の発光素子のうち前記第１絶縁層および前記金属層を有する発光素子は、前記第１電極の露出面から、前記第１絶縁層の表面および前記第２絶縁層の表面に渡って形成されたパッド電極を有する
    請求項５に記載の発光ユニット。
  7. 前記第１電極は、前記第１絶縁層および前記金属層に覆われていない露出面を有し、
    前記複数種類の発光素子のうち前記第１絶縁層および前記金属層を有する発光素子は、前記第１電極の露出面に電気的に接続されると共に、前記第１電極との対向領域および前記金属層の一部との対向領域に形成されたパッド電極を有する
    請求項５に記載の発光ユニット。
  8. 前記複数種類の発光素子は、青色光を発する発光素子、緑色光を発する発光素子および赤色光を発する発光素子を含み、
    これら３種類の発光素子のうち少なくとも青色光を発する発光素子および緑色光を発する発光素子が、前記半導体層、前記第１電極、前記第２電極、前記第１絶縁層および前記金属層を有する
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
  9. 各発光素子を同一部材で囲む絶縁体をさらに備えた
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
  10. 複数の発光ユニットを有する表示パネルと、
    映像信号に基づいて各発光ユニットを駆動する駆動回路と
    を備え、
    各発光ユニットは、発光波長の互いに異なる複数種類の発光素子を有し、
    前記複数種類の発光素子のうち少なくとも１つの種類の発光素子は、
    第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなり、かつ前記第１導電型層、前記活性層および前記第２導電型層が露出した側面を有する半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続された第２電極と、
    前記半導体層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面に接する第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の表面のうち少なくとも前記活性層の露出面との対向面に接し、かつ前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された金属層と
    を有する
    表示装置。
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