JP2012178398A - チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整を行ったチップ抵抗器において、耐サージ特性を向上させることができるものを提供する。
【解決手段】抵抗体２０が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の領域Ｐ１と領域Ｐ１の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の領域Ｐ２とを有し、抵抗体２０には、辺部２０ａからトリミング溝Ｔ１が形成され、該トリミング溝Ｔ１は、辺部２０ａから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部２０ａに近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる円弧状部分Ｔ１ａと、円弧状部分Ｔ１ａの終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分Ｔ１ｂを有し、直線状部分Ｔ１ｂの終端が、領域Ｐ１内に形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。

従来におけるチップ抵抗器の抵抗値調整用のトリミング溝として、図９に示すようにＬ字状のトリミング溝が存在する。つまり、図９においては、一対の電極部１３２間に抵抗体１２０が接続され、この抵抗体１２０にＬ字状のトリミング溝Ｔ１０が形成されている。Ｌ字状のトリミング溝Ｔ１０においては、図９に示すコーナー部１２２と終端部１２４に電流が集中するため、コーナー部１２２や終端部１２４が破損しやすいという問題があった。

Ｌ字状のトリミング溝における上記の問題を解消するために、図１０に示すように、トリミング溝を円弧状に形成するものが存在する（特許文献１）。つまり、図１０においては、一対の電極部１３２間に抵抗体１２０が接続され、この抵抗体１２０に円弧状のトリミング溝Ｔ１２が形成されている。図１０に示すトリミング溝Ｔ１２の場合には、トリミング溝Ｔ１２の始端位置（始端位置は辺部１２０ａ側に位置する）から円弧状にトリミング溝が形成され、抵抗体１２０のトリミング溝の始端位置側の辺部から遠ざかるように形成されるが、トリミング溝の方向が電極間方向（Ｘ１−Ｘ２の方向）になると、トリミング溝の始端位置側の辺部１２０ａに近づくように形成される。

また、従来のチップ抵抗器における抵抗体の厚みとしては、約１０μｍであるのが一般的である。

実開昭５９−１８３００３号公報

しかし、図１０に示す円弧状のトリミング溝Ｔ１２の場合でも、トリミング溝Ｔ１２の終端に電流が集中するので、サージ電流により抵抗体１２０における該終端位置の箇所が破損するおそれがある。特に、図１０に示すトリミング溝Ｔ１２は、トリミング溝の始端位置から円弧状にトリミング溝が形成され、トリミング溝の方向が電極間方向になると、辺部１２０ａに近づくように形成されるが、厚膜で形成された抵抗体は、印刷した抵抗体ペーストを焼成して形成されるので、抵抗体の辺部側にいくほど薄く形成されており、トリミング溝Ｔ１２が辺部１２０ａに近づくように形成すると、トリミング溝の終端位置は、抵抗体１２０における厚みの薄い箇所に形成されてしまい、サージ電流により該終端位置の箇所が破損するおそれがある。さらに、抵抗体の厚みが約１０μｍの場合には、サージ耐量に限界があり、抵抗体１２０における該終端位置の箇所が破損するおそれがある。抵抗体１２０におけるトリミング溝Ｔ１２の終端位置の箇所が破損すると、抵抗体の抵抗値が変化してしまう。

そこで、本発明は、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整を行ったチップ抵抗器において、耐サージ特性を向上させることができるものを提供するとともに、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、抵抗体が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有し、抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分を有し、直線状部分の終端が、第１領域内に形成されていることを特徴とする。

第１の構成においては、直線状部分の終端が膜厚が１５μｍ以上の第１領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。

なお、上記第１の構成において、抵抗体が、第１領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有し、直線状部分が、中央領域と傾斜領域の境界位置に沿って形成されていることを特徴とするものとしてもよい。

また、第２には、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、抵抗体が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有し、抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分で、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみにより形成され、湾曲部分の終端が、第１領域内に形成されていることを特徴とする。

第２の構成においては、湾曲部分の終端が膜厚が１５μｍ以上の第１領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。

なお、上記第２の構成において、該湾曲部分の終端が電極間方向を向いていることを特徴とするものとしてもよい。

また、第３には、上記第１又は第２の構成において、抵抗体が、第１領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有し、湾曲部分の終端が、中央領域と傾斜領域の境界位置に形成されていることを特徴とする。

よって、トリミング溝の終端を抵抗体の最大膜厚の領域の近傍に位置させることができるので、トリミング溝の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

なお、上記各チップ抵抗器の構成において、トリミング溝における湾曲部分の始端は、電極間方向に対して直角方向を向いているものとしてもよい。また、上記各チップ抵抗器の構成において、湾曲部分が、略円弧状又は略楕円弧状としてもよい。

また、第４には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体・上面電極形成工程と、抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から電極間方向に直線状に形成された直線状部分とからなるトリミング溝で、直線状部分の終端が第１領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、を有することを特徴とする。

第４の構成のチップ抵抗器の製造方法により製造されたチップ抵抗器においては、直線状部分の終端が膜厚が１５μｍ以上の第１領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。

なお、上記第４の構成において、抵抗体・上面電極形成工程において、第１領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有する抵抗体を形成し、トリミング工程において、直線状部分を中央領域と傾斜領域の境界位置に沿って形成することを特徴とするものとしてもよい。

また、第５には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体・上面電極形成工程と、抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成された湾曲部分のみにより形成されたトリミング溝で、トリミング溝の終端が第１領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、を有することを特徴とする。

第５の構成のチップ抵抗器の製造方法により製造されたチップ抵抗器においては、直線状部分の終端が膜厚が１５μｍ以上の第１領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。

また、第６には、上記第４又は第５の構成において、抵抗体・上面電極形成工程において、第１領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有する抵抗体を形成し、トリミング溝の終端を中央領域と傾斜領域の境界位置に形成することを特徴とする。

よって、トリミング溝の終端を抵抗体の最大膜厚の領域の近傍に位置させることができるので、トリミング溝の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

なお、上記の各チップ抵抗器の製造方法において、トリミング溝における湾曲部分の始端を電極間方向に対して直角方向に形成することを特徴とするものとしてもよい。また、上記各チップ抵抗器の製造方法において、湾曲部分が、略円弧状又は略楕円弧状としてもよい。

また、上記の各チップ抵抗器の製造方法において、上記抵抗体・上面電極形成工程において、抵抗体と上面電極の接続領域において上面電極を抵抗体の上面に積層して形成することにより、上面電極と抵抗体とを接続させ、抵抗値調整工程の後に、抵抗体における上面電極に被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割する一次分割工程と、基板素体を分割してなる短冊状基板の電極間方向の側面に側面電極を形成する側面電極形成工程で、側面電極の上側部分が、上面電極における保護膜に被覆されていない領域を被覆するように側面電極を形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とするものとしてもよい。

本発明に基づくチップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法によれば、トリミング溝の終端が膜厚が１５μｍ以上の第１領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。

本実施例のチップ抵抗器の構成を示す図であり、（ａ）は（ｃ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は（ｃ）のＢ−Ｂ断面図である。 抵抗体における電極間方向の膜厚を説明するための説明図である。 抵抗体における電極間方向と直角方向の膜厚を説明するための説明図である。 トリミング溝における湾曲部分を円弧状とする場合のトリミング溝の形成方法を説明するための説明図である。 トリミング溝における湾曲部分を楕円弧状とする場合のトリミング溝の形成方法を説明するための説明図である。 チップ抵抗器の製造方法を説明するためのフローチャートである。 チップ抵抗器の製造方法を説明するための説明図である。 チップ抵抗器を配線基板に実装した状態を示す断面図である。 従来におけるチップ抵抗器を示す説明図である。 従来におけるチップ抵抗器を示す説明図である。

本発明に基づくチップ抵抗器５は、図１〜図３に示すように構成され、絶縁基板（基板）１０と、抵抗体２０と、一対の電極部３０と、カバーコート（一次コート）７０と、保護膜（二次コート）８０と、を有している。チップ抵抗器５の大きさは、平面視において、長辺の最大長さが０．６〜１．６ｍｍで、短辺の最大長さが０．３〜０．８ｍｍであり、例えば、長辺の最大長さが１．６ｍｍで、短辺の最大長さが０．８ｍｍである。

ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器５の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。なお、チップ抵抗器５はいわゆる１６０８タイプのサイズであり、絶縁基板１０の大きさは、平面視において、例えば、長辺（電極間方向の辺）が１．４９ｍｍ〜１．５１ｍｍ（好適には、１．５０ｍｍ）で、短辺が０．７８ｍｍ〜０．８０ｍｍ（好適には、０．７９４ｍｍ）となっている。なお、チップ抵抗器５がいわゆる１００５タイプのサイズであり、絶縁基板１０の長辺が０．８９ｍｍ〜０．９１ｍｍ（好適には、０．９０ｍｍ）で、短辺が０．４８ｍｍ〜０．５０ｍｍ（好適には、０．４９ｍｍ）としてもよい。また、絶縁基板１０の大きさはこれに限定されることなく他のサイズであってもよく、また、絶縁基板１０の長辺と短辺の長さは、上記の長さに限定されず他の長さであってもよい。

また、抵抗体２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の上面に層状に設けられ、長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）（電極間方向（抵抗体２０における一対の上面電極３２との接続位置を結ぶ方向、他においても同じ）、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において方形状（略方形状としてもよい）（具体的には、長方形状（略長方形状としてもよい））に形成されている。この抵抗体２０の電極間方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の電極間方向の端部と絶縁基板１０の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。また、抵抗体２０の短手方向（Ｙ１−Ｙ２方向）（幅方向）の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の幅方向の端部と絶縁基板１０の幅方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。抵抗体２０の短手方向とは、電極間方向に対して直角な方向である。この抵抗体２０は、厚膜（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、抵抗体２０の膜厚は、最大膜厚が１８〜２２μｍ（好適には、２０μｍ）であり、図４、図５に示すように、抵抗体２０においては、平面視における中央領域Ｍが、略均一の膜厚に形成されてその上面がほぼ平坦に形成されていて、膜厚が最も大きく形成され、該中央領域Ｍから抵抗体２０における周囲の辺部２０ａ〜２０ｄに行くに従い膜厚が小さくなるように形成され、上面が外側に行くに従い下方となるように傾斜している。つまり、中央領域Ｍの周囲の領域には、傾斜領域Ｐが存在している。また、膜厚１５μｍ以上の領域Ｎ（第１領域）は、傾斜領域Ｐの一部（中央領域Ｍの周囲の領域）と中央領域Ｍを含む領域となる。つまり、傾斜領域Ｐにおいて、膜厚１５μｍ以上の領域を領域Ｐ１とし、膜厚１５μｍ未満の領域を領域Ｐ２（第２領域）とした場合に、領域Ｎは、中央領域Ｍと、中央領域Ｍの周囲に形成された領域Ｐ１とから構成され、領域Ｐ２は、領域Ｐ１の周囲に形成される。領域Ｎは、長手方向には長さｎ１、短手方向には長さｎ２に形成されている。

すなわち、長手方向には、図２に示すように、中央領域Ｍがほぼ平坦に形成され、この中央領域Ｍの膜厚が最大膜厚（略最大膜厚としてもよい）に形成され、中央領域Ｍの両側の領域は、両側の端部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域Ｐとなる。つまり、傾斜領域Ｐは、外側に行くに従い下方に傾斜した傾斜面となっている。この中央領域Ｍの長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）の長さｍ１は、抵抗体２０の長手方向の長さの５０〜６０％の長さとなっている。

また、抵抗体２０は、短手方向（Ｙ１−Ｙ２方向）には、図３に示すように、中央領域Ｍがほぼ平坦に形成され、この中央領域Ｍの膜厚が最大膜厚に形成され、中央領域Ｍの両側の領域は、両側の端部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域Ｐとなる。つまり、傾斜領域Ｐは、外側に行くに従い下方に傾斜した傾斜面となっている。この中央領域Ｍの短手方向の長さｍ２は、抵抗体２０の短手方向の長さの３０〜３５％の長さとなっている。

なお、抵抗体２０の最大膜厚は１８μｍ以上に形成されているので、膜厚１５μｍ以上の領域Ｎを形成することができ、また、２２μｍ以下に形成されているので、抵抗体としての物理的強度を保つことができる。なお、図２は、図１（ｃ）のＡ−Ａ断面における膜厚を示す図であり、図３は、図１（ｃ）のＣ−Ｃ断面における膜厚を示す図である。

また、抵抗体２０には、トリミング溝Ｔ１が形成されている。このトリミング溝Ｔ１は、抵抗体２０における上面電極３２に接続された辺部と隣接する辺部２０ａ（短手方向の側の辺部）（抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成されたトリミング溝形成辺部）から形成され、円弧状部分（湾曲部分）（略円弧状部分としてもよい）Ｔ１ａを有する形状に形成されている。つまり、トリミング溝Ｔ１は、抵抗体２０の長手辺から形成され、トリミング溝Ｔ１の始端では短手方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に形成され、その後、所定の径で円弧状（略円弧状としてもよい）に形成していく。

なお、トリミング溝Ｔ１の終端が膜厚１５μｍ以上の領域Ｎ内に形成するために、円弧状部分Ｔ１ａの径（半径）の大きさｖ１（このｖ１は、溝の幅の中心位置と円弧の中心（円弧を含む円の中心）間の長さである）は、抵抗体２０の辺部２０ａから膜厚が１５μｍの領域までの長さｗ１以上の大きさとし、また、円弧状の径の大きさｖ１は、トリミング溝Ｔ１を形成する辺部から中央領域Ｍまでの長さｑ１と同一又は略同一とする。

また、円弧状に形成されたトリミング溝Ｔ１は、トリミング溝の方向が長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）となった場合（図４（ａ）の状態）には、その後は、円弧状に形成せずに、長手方向に直線状にトリミング溝を形成していく（図４（ｂ）参照）。つまり、トリミング溝Ｔ１は、円弧状に形成された円弧状部分（湾曲部分）Ｔ１ａと、円弧状部分Ｔ１ａから連設され長手方向に直線状に形成された直線状部分Ｔ１ｂとから形成されている。円弧状部分Ｔ１ａは、辺部２０ａから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、円弧状部分Ｔ１ａの終端で長手方向を向く場合以外は辺部２０ａから遠ざかる方向に形成し、よって、円弧状部分Ｔ１ａは、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部２０ａに近づかない方向にのみ形成することになり、トリミング溝Ｔ１全体としても、辺部２０ａに近づく方向には形成されない。

また、トリミング溝Ｔ１における円弧状部分Ｔ１ａの終端と直線状部分Ｔ１ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分Ｔ１ｂは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されている。よって、トリミング溝Ｔ１の終端は、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝Ｔ１の終端を抵抗体２０の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝Ｔ１の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

なお、図４（ｂ）の例では、トリミング溝Ｔ１は、円弧状部分Ｔ１ａと直線状部分Ｔ１ｂとを有する形状に形成されているが、円弧状部分を形成する段階で所望の抵抗値に達した場合には、円弧状部分のみにより形成される場合もある。また、図４（ａ）では、円弧状部分Ｔ１ａの終端は長手方向を向いているが、円弧状部分Ｔ１ａの終端が長手方向を向く前の位置（例えば、図４（ａ）のｇの位置）でトリミングが終了する場合もある。なお、円弧状部分Ｔ１ａのみによりトリミング溝Ｔ１が形成される場合にも、円弧状部分Ｔ１ａの終端が長手方向を向く前の位置となる場合も含めて、トリミング溝Ｔ１の終端は、膜厚１５μｍ以上の領域Ｎにあるようにする。また、円弧状部分Ｔ１ａのみによりトリミング溝Ｔ１が形成される場合には、トリミング溝Ｔ１の終端が長手方向を向く時点で所望の抵抗値となるようにするのが好ましい。つまり、トリミング溝Ｔ１の終端が長手方向を向く場合には、トリミング溝Ｔ１の終端は、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝Ｔ１の終端を抵抗体２０の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝Ｔ１の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

以上のようにして、トリミング溝Ｔ１の終端（先端）は、図４（ａ）（ｂ）に示すように、抵抗体２０において膜厚が１５μｍ以上の領域Ｎ内に形成され、また、トリミング溝Ｔ１における円弧状部分Ｔ１ａの終端と直線状部分Ｔ１ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置に形成されている。なお、円弧状部分Ｔ１ａの終端と直線状部分Ｔ１ｂとを中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置付近に形成してもよい。

また、上記の説明では、トリミング溝Ｔ１は、円弧状部分を有する形状であるとして説明したが、円弧状部分の代わりに楕円弧状部分（略楕円弧状部分としてもよい）を有する形状としてもよい。すなわち、図５に示すトリミング溝Ｔ２は、楕円弧状部分（湾曲部分Ｔ２ａ）を有する形状に形成されている。つまり、トリミング溝Ｔ２は、抵抗体２０の長手辺から形成され、トリミング溝Ｔ２の始端では短手方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に形成され、その後、所定の径で楕円弧状（略楕円弧状としてもよい）に形成していく。なお、トリミング溝Ｔ２の終端が膜厚１５μｍ以上の領域Ｎ内に形成するために、楕円弧状の径（つまり、短軸）の大きさｖ２（このｖ２は、溝の幅の中心位置と楕円弧の中心（楕円弧を含む楕円の中心）間の長さである）は、抵抗体２０の辺部２０ａから膜厚が１５μｍの領域までの長さｗ１以上の大きさとし、また、楕円弧状の径の大きさｖ２は、トリミング溝Ｔ２を形成する辺部から中央領域Ｍまでの長さｑ１と同一又は略同一とする。

また、楕円弧状に形成されたトリミング溝Ｔ２は、トリミング溝の方向が長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）となった場合（図５（ａ）の状態）には、その後は、楕円弧状に形成せずに、長手方向にトリミング溝を形成していく（図５（ｂ）参照）。つまり、トリミング溝Ｔ２は、楕円弧状に形成された楕円弧状部分（湾曲部分）Ｔ２ａと、楕円弧状部分Ｔ２ａから連設され長手方向に直線状に形成された直線状部分Ｔ２ｂとから形成されている。楕円弧状部分Ｔ２ａは、辺部２０ａから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、楕円弧状部分Ｔ２ａの終端で長手方向を向く場合以外は辺部２０ａから遠ざかる方向に形成し、よって、楕円弧状部分Ｔ２ａは、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部２０ａに近づかない方向にのみ形成することになり、トリミング溝Ｔ２全体としても、辺部２０ａに近づく方向には形成されない。

また、トリミング溝Ｔ２における楕円弧状部分Ｔ２ａの終端と直線状部分Ｔ２ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分Ｔ２ｂは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されている。よって、トリミング溝Ｔ２の終端は、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝Ｔ２の終端を抵抗体２０の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝Ｔ２の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

なお、図５（ｂ）の例では、トリミング溝Ｔ２は、楕円弧状部分Ｔ２ａと直線状部分Ｔ２ｂとを有する形状に形成されているが、楕円弧状部分を形成する段階で所望の抵抗値に達した場合には、楕円弧状部分のみにより形成される場合もある。また、図５（ａ）では、楕円弧状部分Ｔ２ａの終端は長手方向を向いているが、楕円弧状部分Ｔ２ａの終端が長手方向を向く前の位置（例えば、図５（ａ）のｇの位置）でトリミングが終了する場合もある。なお、楕円弧状部分Ｔ２ａのみによりトリミング溝Ｔ２が形成される場合にも、楕円弧状部分Ｔ２ａの終端が長手方向を向く前の位置となる場合も含めて、トリミング溝Ｔ２の終端は、膜厚１５μｍ以上の領域Ｎにあるようにする。また、楕円弧状部分Ｔ２ａのみによりトリミング溝Ｔ２が形成される場合には、トリミング溝Ｔ２の終端が長手方向を向く時点で所望の抵抗値となるようにするのが好ましい。つまり、トリミング溝Ｔ２の終端が長手方向を向く場合には、トリミング溝Ｔ２の終端は、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝Ｔ２の終端を抵抗体２０の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝Ｔ２の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

なお、上記の例では、辺部２０ａから長手方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分として、円弧状部分Ｔ１ａと楕円弧状部分Ｔ２ａを例にとって説明したが、円弧状や楕円弧状でなくても、辺部２０ａから長手方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲形状であればよい。

以上のようにして、トリミング溝Ｔ２の終端（先端）は、図５（ａ）（ｂ）に示すように、抵抗体２０において膜厚が１５μｍ以上の領域Ｎ内に形成され、また、トリミング溝Ｔ２における円弧状部分Ｔ２ａの終端と直線状部分Ｔ２ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置に形成されている。なお、円弧状部分Ｔ２ａの終端と直線状部分Ｔ２ｂとを中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置付近に形成してもよい。

また、電極部３０は、絶縁基板１０における電極間方向の端部にそれぞれ設けられ、上面電極３２と、下面電極４０と、側面電極５０と、メッキ６０とを有している。

上面電極３２は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に層状に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極３２は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極３２は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極３２の幅方向の長さ（短手方向の長さ）は、抵抗体２０の幅方向の長さ（短手方向の長さ）よりも大きく、絶縁基板１０の幅方向の長さ（短手方向の長さ）よりも小さく形成され、上面電極３２と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されているが、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成してもよい。この上面電極３２は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、上面電極３２の幅方向の長さは、抵抗体２０の幅方向の長さと同一（略同一としてもよい）としてもよい。

また、上面電極３２の抵抗体２０側の端部領域は、抵抗体２０の端部領域の上面に積層して形成されている。つまり、上面電極３２における外側の領域（絶縁基板１０の端部（電極間方向の端部）側の領域）は、絶縁基板１０の上面に形成されているが、内側の領域は、抵抗体２０の上面に積層して形成されている。なお、抵抗体２０の端部領域が上面電極３２の端部領域の上面に積層した構成としてもよい。

また、下面電極４０は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向の両端部領域に層状に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。この下面電極４０の長さ（電極間方向の長さ）は、上面電極３２の長さより長く形成されているが、下面電極４０の長さは任意としてもよい。また、下面電極４０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、この下面電極４０の構成を省略して、側面電極５０の下側部分により下面電極の代わりとしてもよい。

また、側面電極５０は、上面電極３２の一部（つまり、保護膜８０に被覆されていない領域）と、保護膜８０の一部と、下面電極４０の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極５０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極５０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）又は樹脂銀系厚膜により形成され、略均一の厚膜に形成されている。

また、メッキ６０は、側面電極５０の外側と下面電極４０の露出領域の外側に側面電極５０と下面電極４０の露出部分とを被覆して形成されている。つまり、メッキ６０は、側面電極５０の外側と下面電極４０の露出領域の外側に側面電極５０と下面電極４０の露出部分とを被覆して形成されたニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）６２と、ニッケルメッキ６２の外側にニッケルメッキ６２を被覆して形成された錫メッキ（Ｓｎメッキ）６４とから構成されていて、Ｘ１側の端部領域とＸ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の電極部の表面にメッキ６０が設けられていて、内側層がニッケルメッキで、外側層が錫メッキとなっている。ニッケルメッキ６２と錫メッキ６４とは、それぞれ略均一の厚膜に形成されている。ニッケルメッキ６２と錫メッキ６４は、例えば、電気メッキにより形成される。なお、メッキ６０の保護膜８０側の端部は、保護膜８０に積層している。

また、カバーコート７０は、抵抗体２０の上面に層状に形成され、抵抗体２０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコート７０は、電極間方向には、トリミング溝形成位置の領域を被覆するとともに上面電極３２に接して形成し、これにより、抵抗体２０は、上面電極３２とカバーコート７０により被覆される。また、カバーコート７０の幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成する。このカバーコート７０は、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。なお、抵抗体２０とカバーコート７０には、トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）が形成されている。

また、保護膜８０は、カバーコート７０と、上面電極３２の一部を被覆するように設けられている。この保護膜８０の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、絶縁基板１０の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、抵抗体２０の長さと略同一に形成され、保護膜８０の電極間方向の端部位置は、抵抗体２０の電極間方向の端部位置と水平方向において略同一の位置となっている。この保護膜８０は、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜又はエポキシ樹脂系厚膜により形成されている。以上のように、保護膜８０は、主として、抵抗体２０を保護するものである。

上記構成のチップ抵抗器５の製造方法について図６、図７を使用して説明すると、まず、上面と下面に一次スリットＳ１と二次スリットＳ２とが形成されたアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート（含有率９６％程度のアルミナを含有するグリーンシート）を予め焼成したものである（図７（ａ）参照））（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極４０を形成する（Ｓ１１、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。この下面電極の形成に際しては、一枚のスクリーンで縦横に複数個印刷する。なお、アルミナ基板には、上面と下面に一次スリットと二次スリットが形成されているとしたが、上面のみに一次スリットと二次スリットが予め形成されたものでもよい。また、上面のみに一次スリットと二次スリットが形成されたアルミナ基板を用いる代わりに、下面電極の形成後にアルミナ基板の上面に一次スリットと二次スリットとをレーザースクライブにより形成してもよい。

次に、上記アルミナ基板の上面に抵抗体２０を形成する（Ｓ１２、抵抗体形成工程）（図７（ｂ）参照）。つまり、抵抗体ペースト（例えば、酸化ルテニウム系ペースト（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体２０を形成する。抵抗体２０を形成する際には、抵抗体ペーストを最大膜厚が１８〜２２μｍとなるように印刷する。なお、最大膜厚を１８〜２２μｍとなるように印刷するには、スクリーン印刷におけるレジストを従来（つまり、膜厚１０μｍの抵抗体を形成する際のレジスト）よりも厚くするか、あるいは、従来のレジストを用いて複数回（例えば、２回）印刷する方法がある。また、抵抗体２０の最大膜厚を１８〜２２μｍに形成するので、傾斜領域を形成しやすいという利点がある。

次に、アルミナ基板の上面に上面電極３２を形成する（Ｓ１３、上面電極形成工程）。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）である。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。

次に、トリミングによる抵抗値調整の前にカバーコート７０を形成する（Ｓ１４）。つまり、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート７０を形成する。この場合、カバーコート７０は、電極間方向とは直角の方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成する。このように、帯状にカバーコートを形成することにより、チップ抵抗器５において、カバーコート７０は、絶縁基板１０の幅方向の端部にまで形成されることになる。

次に、抵抗体２０にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整する（Ｓ１５、トリミング工程（抵抗体調整工程としてもよい））。つまり、レーザートリミングにより抵抗体２０にトリミング溝を形成する。

トリミング溝の形成に際しては、抵抗体２０の長手辺から短手方向に形成を開始し、その後、円弧状（又は楕円弧状）に形成して、トリミング溝の方向が長手方向になった場合には、長手方向に形成していく。

その際、円弧状又は楕円弧状の径は、辺部から中央領域Ｍまでの長さｑ１と略同一として形成し、トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）の終端（先端）は、図４、図５に示すように、抵抗体２０において膜厚が１５μｍ以上の領域Ｎ内に形成される。つまり、トリミング溝Ｔ１の場合には、円弧状部分Ｔ１ａの終端と直線状部分Ｔ１ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置するようにし、トリミング溝Ｔ２の場合には、楕円弧状部分Ｔ２ａの終端と直線状部分Ｔ２ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置するようにする。なお、トリミング溝は、長手方向に向けて曲線状にカーブした湾曲部分を有し、さらに、直線状部分を形成する場合には、該直線状部分は長手方向に形成されるので、抵抗値の調整度合いは、トリミング溝を形成していくに従い、粗調整から徐々に微調整になっていく。

トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）の形成に当たっては、実際には、図１に示すように、抵抗体２０の外側の絶縁基板１０の上面の領域から辺部２０ａに向けて辺部２０ａに対して直角方向（略直角方向としてもよい）に直線状にトリミング溝Ｔｚを形成し、抵抗体２０の辺部２０ａに到達したら、トリミング溝Ｔｚに連続してトリミング溝Ｔ１（Ｔ２）を形成する。

なお、トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）を形成していき所望の抵抗値になった際にトリミングを終了するが、トリミング溝の終端が、少なくとも膜厚が１５μｍの領域Ｎ内に位置するように、予め抵抗体の大きさ（長さと幅）や材質等を調整しておくようにし、好ましくは、トリミング溝の円弧状部分Ｔ１ａや楕円弧状部分Ｔ２ａの終端が長手方向を向いた状態となるように予め抵抗体の大きさ（長さと幅）や材質等を調整しておくようにする。つまり、少なくともトリミング溝を円弧状部分Ｔ１ａや楕円弧状部分Ｔ２ａの終端が長手方向を向いた状態となるまで形成しないと所望の抵抗値にならないように調整しておく。これにより、所望の抵抗値に達した際のトリミング溝は、円弧状部分Ｔ１ａと直線状部分Ｔ１ｂとを有する（楕円弧とする場合には、楕円弧状部分Ｔ２ａと直線状部分Ｔ２ｂとを有する）構成であるか、あるいは、円弧状部分や楕円弧状部分のみから構成される場合でも、その終端は、長手方向を向いた状態となる。

このようにすることにより、少なくとも、トリミング溝の終端が膜厚が１５μｍの領域Ｎ内に位置し、また、トリミング溝の円弧状部分Ｔ１ａや楕円弧状部分Ｔ２ａの終端が長手方向を向いた状態となることにより、トリミング溝が直線状部分を有するか否かに拘わらず、トリミング溝の終端位置を中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置させることができる。

なお、円弧状及び楕円弧状以外の湾曲形状のトリミング溝を形成する場合には、円弧状部分Ｔ１ａや楕円弧状部分Ｔ２ａの代わりに当該形状の湾曲部分を形成することになる。

次に、保護膜８０を形成する（Ｓ１６、保護膜形成工程）。つまり、カバーコート７０の全体と上面電極３２の一部（内側の領域）とを覆うように保護膜を形成する。つまり、保護膜用ペースト（ホウ珪酸鉛ガラスペースト又はエポキシ系の樹脂ペースト）を印刷し、乾燥・硬化させる。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。その後は、一次スリットに沿って一次分割して短冊状基板とする（Ｓ１７、一次分割工程）。

次に、上記短冊状基板に対して、側面電極５０を形成する（Ｓ１８、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペースト（銀系ペースト又は樹脂銀ペースト）を短冊状基板に印刷し、乾燥・硬化させる。

その後、二次スリットに沿って二次分割する（二次分割工程）。次に、メッキ６０を形成する（メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器５を形成する。

上記構成のチップ抵抗器５の使用状態について説明すると、通常のチップ抵抗器と同様に、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、図８に示すように、チップ抵抗器５は、配線基板２００上に形成されたランド２０２に下面電極４０がランド２０２側としてランド２０２に対向するようにして、ハンダフィレット２１０を介して実装される。なお、チップ抵抗器５をハンダフィレット２１０を介して実装した状態では、錫メッキ６４はハンダフィレット２１０と一体になるので、図８において、錫メッキ６４は描かれていない。

本実施例のチップ抵抗器５によれば、トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）の終端（先端）は、抵抗体２０において膜厚が１５μｍ以上の領域Ｎ内に形成されるので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。なお、トリミング溝の終端が膜厚１５μｍ未満の領域に形成される場合には、膜厚が十分厚くないので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を十分防止することができない。

また、湾曲部分、すなわち、円弧状部分Ｔ１ａや楕円弧状部分Ｔ２ａは、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部２０ａから遠ざかる方向に（少なくとも辺部２０ａに近づかない方向にのみ）形成され、トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）全体としても、辺部２０ａに近づく方向には形成されないため、トリミング溝Ｔ１（Ｔ２）の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。

また、トリミング溝Ｔ１における円弧状部分Ｔ１ａの終端と直線状部分Ｔ１ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分Ｔ１ｂは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されているので、トリミング溝Ｔ１の終端は、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝Ｔ１の終端を抵抗体２０の最大膜厚（つまり、膜厚１８〜２２μｍ）の領域の近傍に位置させることができるので、トリミング溝Ｔ１の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。同様に、トリミング溝Ｔ２における楕円弧状部分Ｔ２ａの終端と直線状部分Ｔ２ｂとは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分Ｔ２ｂは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されているので、トリミング溝Ｔ２の終端は、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝Ｔ２の終端を抵抗体２０の最大膜厚（つまり、膜厚１８〜２２μｍ）の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝Ｔ２の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。

また、トリミング溝における湾曲部分と直線状部分とは、中央領域Ｍと傾斜領域Ｐの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分は、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されているので、膜厚が厚い中央領域Ｍを電流経路として確保しておくことができる。また、抵抗体２０の最大膜厚が１８〜２２μｍであり、特に１８μｍ以上であることから、サージエネルギーを十分分散することができる。

また、トリミング溝Ｔ１が円弧状部分Ｔ１ａと該円弧状部分Ｔ１ａから連設された直線状部分Ｔ１ｂとを有するので、Ｌ字状に形成した場合のコーナー部が形成されないので、サージ電流による破損を防止することができる。トリミング溝Ｔ２が楕円弧状部分Ｔ２ａと該楕円弧状部分Ｔ２ａから連設された直線状部分Ｔ２ｂとを有する場合にも、Ｌ字状に形成した場合のコーナー部が形成されないので、サージ電流による破損を防止することができる。

５ チップ抵抗器
１０ 絶縁基板
２０ 抵抗体
３０ 電極部
３２ 上面電極
４０ 下面電極
５０ 側面電極
６０ メッキ
６２ ニッケルメッキ
６４ 錫メッキ
７０ カバーコート
８０ 保護膜
Ｔ１、Ｔ２ トリミング溝
Ｔ1ａ 円弧状部分
Ｔ２ａ 楕円弧状部分
Ｔ１ｂ、Ｔ２ｂ 直線状部分
Ｍ 中央領域
Ｐ 傾斜領域
Ｎ 膜厚１５μｍ以上の領域

Claims (6)

1. 絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、
   抵抗体が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有し、
   抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分を有し、直線状部分の終端が、第１領域内に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. 絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、
   抵抗体が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有し、
   抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分で、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみにより形成され、湾曲部分の終端が、第１領域内に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
3. 抵抗体が、第１領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有し、湾曲部分の終端が、中央領域と傾斜領域の境界位置に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。
4. チップ抵抗器の製造方法であって、
   チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体・上面電極形成工程と、
   抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、
   抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から電極間方向に直線状に形成された直線状部分とからなるトリミング溝で、直線状部分の終端が第１領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
5. チップ抵抗器の製造方法であって、
   チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の第１領域と第１領域の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の第２領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体・上面電極形成工程と、
   抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、
   抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成された湾曲部分のみにより形成されたトリミング溝で、トリミング溝の終端が第１領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
6. 抵抗体・上面電極形成工程において、第１領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有する抵抗体を形成し、トリミング溝の終端を中央領域と傾斜領域の境界位置に形成することを特徴とする請求項４又は５に記載のチップ抵抗器の製造方法。

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