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JP2012156510A - Thermal processing furnace and liner for the same - Google Patents

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JP2012156510A
JP2012156510A JP2012023474A JP2012023474A JP2012156510A JP 2012156510 A JP2012156510 A JP 2012156510A JP 2012023474 A JP2012023474 A JP 2012023474A JP 2012023474 A JP2012023474 A JP 2012023474A JP 2012156510 A JP2012156510 A JP 2012156510A
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reaction tube
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wall
inner reaction
central axis
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JP2012023474A
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Japanese (ja)
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Lucian C Jdira
ルシアン セー. イェーディラ,
Noureddine Adjeroud
ノウレッディネ アドイェラウト,
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Original Assignee
ASM International NV
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermal processing furnace that overcomes or mitigates a problem of backflow of material deposited near the downstream end of a gas exhaust path, and also provide a liner that may be installed in a conventional thermal processing furnace (possibly as a replacement for the originally installed liner) so as to overcome or mitigate the problem of backflow.SOLUTION: A thermal processing furnace comprises: a generally bell jar-shaped outer reaction tube having a central axis; and an open-ended inner reaction tube for accommodating a wafer boat holding a plurality of substrates. The inner reaction tube is substantially coaxially disposed within the outer reaction tube, thereby defining a gas passage between an outer wall of the inner reaction tube and an inner wall of the outer reaction tube. At least one of the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube is provided with a flow deflector that protrudes radially from the respective wall into the gas passage.

Description

本発明は、全般的には半導体基板の処理装置に関し、特に縦型熱処理炉とその中で使用されるライナーとに関する。   The present invention generally relates to a semiconductor substrate processing apparatus, and more particularly to a vertical heat treatment furnace and a liner used therein.

一般に、熱処理炉または反応炉は、シリコン集積回路のいくつかの製造段階において半導体ウェーハのバッチ処理に使用されている。炉が使用されうる処理工程として、酸化、拡散、アニール、および化学気相成長(CVD chemical vapor deposition)とパルス式原子層堆積(ALD pulsed atomic layer deposition )とが挙げられる。   In general, heat treatment furnaces or reaction furnaces are used for batch processing of semiconductor wafers in several manufacturing stages of silicon integrated circuits. Processing steps in which the furnace may be used include oxidation, diffusion, annealing, and chemical vapor deposition (CVD) and pulsed atomic layer deposition (ALD pulsed atomic layer deposition).

従来の縦型熱処理炉は、電源から給電される熱抵抗性加熱コイルを含みうる。この加熱コイルの内側に、ベルジャー形状の外側反応管とこの外側反応管内に同軸に配設された内側反応管とを配設しうる。内側反応管は一般にライナーと称される。外側反応管の下端は開放端にしうるが、外側反応管の上端は、一般にドーム形構造によって、閉じられうる。ライナーは、その下端と上端の両方を開放端にしうる。外側反応管とライナーの両方の下端はフランジに支持されうる。フランジは、ライナーの内側によって形成された反応室に複数のウェーハを保持したウェーハボートが出入りするときに通過しうる中心炉口を画成しうる。ウェーハボートは熱絶縁性の台座に支持されうる。この台座は、フランジの中心炉口を封鎖するために機能しうるドアプレートに支持されうる。フランジには、ライナーの内側に配設されたガスインジェクタに接続されるガス供給導管と、ライナーの外壁と外側反応管の内壁との間に存在するガス流路の下端に真空ポンプを接続する際に介在しうるガス排出導管とをさらに設けうる。   A conventional vertical heat treatment furnace may include a heat resistant heating coil fed from a power source. A bell jar-shaped outer reaction tube and an inner reaction tube disposed coaxially in the outer reaction tube can be disposed inside the heating coil. The inner reaction tube is commonly referred to as a liner. The lower end of the outer reaction tube can be an open end, but the upper end of the outer reaction tube can be closed by a generally dome-shaped structure. The liner can be open at both its lower and upper ends. The lower ends of both the outer reaction tube and the liner can be supported on the flange. The flange may define a central furnace port through which a wafer boat holding a plurality of wafers enters and exits a reaction chamber formed by the inside of the liner. The wafer boat can be supported on a thermally insulating pedestal. This pedestal can be supported on a door plate that can function to seal the central furnace port of the flange. When connecting a vacuum pump to the flange, a gas supply conduit connected to a gas injector disposed inside the liner and a lower end of a gas flow path existing between the outer wall of the liner and the inner wall of the outer reaction tube And a gas discharge conduit that may be interposed between the gas exhaust line and the gas exhaust line.

運転時、ウェーハボートは反応室に導入され、次に反応室が排気されうる。その後、プロセスガスがガス供給導管とガスインジェクタとを経由して反応室に供給されうる。プロセスガスは内側反応管の内部に設けられたウェーハに接触しながら、内側反応管内を上方に流れうる。プロセスガスは内側反応管の上端を出て外側反応管の閉じた上端に達すると、その方向を反転し、内側および外側反応管の間のガス流路を通って下方に流れ、真空ポンプによって反応室からガス排出導管を経由して排出されうる。   In operation, the wafer boat can be introduced into the reaction chamber and then the reaction chamber can be evacuated. Thereafter, process gas can be supplied to the reaction chamber via a gas supply conduit and a gas injector. The process gas can flow upward in the inner reaction tube while contacting a wafer provided in the inner reaction tube. When the process gas exits the upper end of the inner reaction tube and reaches the closed upper end of the outer reaction tube, it reverses its direction and flows downward through the gas flow path between the inner and outer reaction tubes and reacts by a vacuum pump. It can be discharged from the chamber via a gas discharge conduit.

熱処理炉に伴う一般的な問題は、細かい粒子による反応室雰囲気の汚染である。処理中のウェーハ上に到達した粒子は、製造に用いられるダイを動作不能にしうる。反応室雰囲気の汚染は、さまざまな原因を有しうる。   A common problem with heat treatment furnaces is contamination of the reaction chamber atmosphere with fine particles. Particles that reach the wafer being processed can render the die used for manufacturing inoperable. Contamination of the reaction chamber atmosphere can have a variety of causes.

特許文献1は、石英製ベルジャー形外側反応管のドームは加熱されたときに著しい数の微粒子を発生させるという考えを表明している。運転時、これらの粒子が内側反応管の上部開放端に入り、そこからウェーハボートとこれに支持されているウェーハの上に落ちる可能性がある。これを防止するために、特許文献1は、内側反応管の上端に配設されるカバーの使用を教示している。このカバーは、ドームから内側反応管の内部に落ちる粒子の大半を阻止する一方で、プロセスガスの十分な上昇流の通過を可能にするために、複数の渦巻状通路など複数の開口を含みうる。   Patent Document 1 expresses the idea that the dome of a quartz bell jar type outer reaction tube generates a significant number of fine particles when heated. In operation, these particles can enter the upper open end of the inner reaction tube and fall from there onto the wafer boat and the wafers supported by it. In order to prevent this, Patent Document 1 teaches the use of a cover disposed at the upper end of the inner reaction tube. This cover may include multiple openings, such as multiple spiral passages, to prevent the majority of particles falling from the dome into the interior of the inner reaction tube, while allowing sufficient upward flow of process gas. .

特許文献2は、汚染源候補として熱処理炉の炉口部、より具体的には炉口部のOリングの脱ガス、シールからの漏れ、およびウェーハボート回転機構を特定している。炉口部は反応室内においてプロセスガス流の上流に位置するため、反応室に導入されるプロセスガスは、炉口部の上記汚染源によって生成された汚染物質のキャリアとして働きうる。したがって、これらの汚染物質は反応室内に存在する何れのウェーハにも堆積および/または付着しうる。これにより膜の成長が妨げられ、プロセス反応が抑止され、膜質低下の原因が形成されうることは言うまでもない。反応室の汚染を防止するために、特許文献2は、炉内の炉口部側の反応室と炉口部空間との間に配設される逆拡散防止体の使用を教示している。また、2つの個別に動作可能なガス排気系、すなわち、プロセスガスを反応室から排出するためのプロセスガス排気系と、パージガスを炉口部空間から排出するためのパージガス排気系と、が設けられる。これにより、汚染源となる炉口部が逆拡散防止体により反応室から切り離される一方で、反応室と炉口部空間の両方にそれぞれ専用のガス流管理機構が設けられる。これらの特徴をこのように組み合わせたことにより、炉口部空間から反応室への、さらにはウェーハへの、汚染物質の拡散の防止が可能になる。   Patent Document 2 specifies a furnace port portion of a heat treatment furnace as a contamination source candidate, more specifically, degassing of an O-ring in the furnace port portion, leakage from a seal, and a wafer boat rotation mechanism. Since the furnace port is located upstream of the process gas flow in the reaction chamber, the process gas introduced into the reaction chamber can serve as a carrier for contaminants generated by the contamination source in the furnace port. Thus, these contaminants can deposit and / or adhere to any wafer present in the reaction chamber. Needless to say, this can hinder film growth, inhibit process reaction, and cause film quality degradation. In order to prevent contamination of the reaction chamber, Patent Document 2 teaches the use of a back diffusion preventer disposed between the reaction chamber on the furnace port side in the furnace and the space of the furnace port. Also, two individually operable gas exhaust systems, that is, a process gas exhaust system for exhausting the process gas from the reaction chamber, and a purge gas exhaust system for exhausting the purge gas from the furnace opening space are provided. . Thereby, while the furnace port part used as a contamination source is cut off from the reaction chamber by the back diffusion preventing body, a dedicated gas flow management mechanism is provided in both the reaction chamber and the furnace port space. Combining these features in this way makes it possible to prevent the diffusion of contaminants from the furnace opening space to the reaction chamber and even to the wafer.

米国特許第7,736,437号US Pat. No. 7,736,437 米国特許第6,503,079号US Pat. No. 6,503,079

出願者の熱処理炉の性能をさらに向上させるための出願者による研究により、反応室雰囲気の汚染原因として未だ認識されていない別の汚染原因が存在することが明らかになった。   Applicant's work to further improve Applicant's heat treating furnace performance has revealed that there are other sources of contamination that are not yet recognized as sources of contamination in the reaction chamber atmosphere.

この汚染源は、フランジとガス排出導管とを含む相対的に冷たい炉下部を経由してプロセスガスが排出されるときに、プロセスガスが堆積物を形成する傾向があるという事実に部分的にあると思われる。例えば、二酸化ケイ素(SiO)膜の低圧化学気相成長において前駆体として用いられうるTEOS(オルトケイ酸テトラエチルSi(OC)が反応副生成物と共に反応室から排出されるときに、固体および/または粘液状の副生成物の形成が観察される。これらの副生成物は、炉の下流部における低温での複合化学(表面)反応の結果であり、フランジ上とガス排出導管内とに堆積する。炉の下流部での堆積物の蓄積が報告されている別のプロセスは、シリコン窒化物の低圧化学気相成長である。 This source of contamination is partly due to the fact that process gas tends to form deposits when it is exhausted via a relatively cool lower furnace section that includes flanges and gas exhaust conduits. Seem. For example, when TEOS (tetraethylorthosilicate Si (OC 2 H 5 ) 4 ), which can be used as a precursor in low-pressure chemical vapor deposition of a silicon dioxide (SiO 2 ) film, is discharged from the reaction chamber together with reaction byproducts. The formation of solid and / or viscous liquid by-products is observed. These by-products are the result of low temperature combined chemical (surface) reactions in the downstream part of the furnace and accumulate on the flange and in the gas exhaust conduit. Another process that has been reported to deposit deposits downstream of the furnace is low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride.

ガス排出路の下流端近く、すなわちフランジ上およびガス排出導管内、での副生成物の堆積自体は反応室の汚染を引き起こさない。ただし、ガス排出路の下流端に堆積した材料が巻き上げられ、再循環ガス流によってガス流路経由で反応室に輸送されうると思われる。熱処理炉の通常運転中は、複数のプロセスが一般に低圧で実施され、かつ真空ポンプによって圧力勾配がガス排出路に沿って与えられて維持されるため、このような再循環ガス流は発生しにくい。ただし、これらの要素が堆積物の逆流を防止しない状況が存在する。例えば、処理済みのウェーハを保持した1つのウェーハボートが反応室から排出された後に新しい一回分のウェーハを保持した別のウェーハボートが反応室に装填されるときに、反応室が大気圧になることもあり、真空ポンプのスイッチが一時的に切られることもある。新しい、相対的に冷たいウェーハボートとこれに保持された同様に冷たい未処理のウェーハとが相対的に暖かい反応室に導入されると、著しい温度勾配が反応室の内部に、特に外側反応管、ライナー、およびウェーハボートの間に、引き起こされうる。これらの温度勾配は圧力勾配を誘発しうるので、結果としてライナーの表面に対流が引き起こされうる。これらの対流は粒子を排出路の下流端からガス流路経由で反応室に輸送しうる。このようにして、粒子はウェーハ、特にウェーハボートの上端近くのウェーハ、に到達しうる。   By-product deposition itself near the downstream end of the gas exhaust path, ie on the flange and in the gas exhaust conduit, does not cause contamination of the reaction chamber. However, it appears that the material deposited at the downstream end of the gas discharge path can be rolled up and transported to the reaction chamber via the gas flow path by the recirculated gas flow. During normal operation of the heat treatment furnace, such a recirculated gas flow is unlikely to occur because multiple processes are generally performed at low pressure and a pressure gradient is provided and maintained along the gas discharge path by a vacuum pump. . However, there are situations where these elements do not prevent sediment backflow. For example, when one wafer boat holding processed wafers is ejected from the reaction chamber and another wafer boat holding a new batch of wafers is loaded into the reaction chamber, the reaction chamber is at atmospheric pressure. Sometimes the vacuum pump is temporarily switched off. When a new, relatively cool wafer boat and similarly cold unprocessed wafers held in it are introduced into the relatively warm reaction chamber, a significant temperature gradient is created inside the reaction chamber, in particular the outer reaction tube, It can be triggered between the liner and the wafer boat. These temperature gradients can induce pressure gradients and can result in convection on the surface of the liner. These convections can transport particles from the downstream end of the discharge path to the reaction chamber via the gas flow path. In this way, the particles can reach wafers, particularly those near the top of the wafer boat.

本発明の1つの目的は、ガス排出路の下流端に堆積した材料の上記逆流の問題が克服または軽減される熱処理炉を提供することである。   One object of the present invention is to provide a heat treatment furnace in which the above-described backflow problem of material deposited at the downstream end of the gas discharge path is overcome or reduced.

本発明の別の目的は、ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題を克服または軽減するように、従来の熱処理炉に(場合によっては本来設置されていたライナーの交換品として)設置されうるライナーを提供することである。   Another object of the present invention is to provide a conventional heat treatment furnace (possibly as a replacement for the liner originally installed) so as to overcome or reduce the problem of backflow of material deposited at the downstream end of the gas exhaust. It is to provide a liner that can be installed.

本発明の1つの側面は熱処理炉に関する。この熱処理炉は、中心軸を有する略ベルジャー形状の外側反応管を含みうる。この熱処理炉は、複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式の内側反応管をさらに含みうる。内側反応管は、外側反応管の内部にほぼ同軸に配設され、内側反応管の外壁と外側反応管の内壁との間にガス流路を画成する。内側反応管の外壁および外側反応管の内壁の少なくとも一方に、当該壁から半径方向にガス流路内に突出する流れデフレクタが設けられうる。   One aspect of the present invention relates to a heat treatment furnace. The heat treatment furnace can include a substantially bell jar shaped outer reaction tube having a central axis. The heat treatment furnace may further include an open-ended inner reaction tube for accommodating a wafer boat holding a plurality of substrates. The inner reaction tube is disposed substantially coaxially inside the outer reaction tube, and defines a gas flow path between the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube. At least one of the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube may be provided with a flow deflector that protrudes radially from the wall into the gas flow path.

本発明の別の側面は、二重管式の熱処理炉に設置して使用される内側反応管に関する。この内側反応管は、中心軸を有する略管状の壁を備えうる。この管状壁に、そこから半径方向外側に突出する流れデフレクタを設けうる。   Another aspect of the present invention relates to an inner reaction tube used by being installed in a double tube heat treatment furnace. The inner reaction tube can comprise a generally tubular wall having a central axis. The tubular wall may be provided with a flow deflector projecting radially outward therefrom.

本発明による熱処理炉においては、外側反応管の内壁および/またはライナーの外壁に流れデフレクタを設けうる。この流れデフレクタは、適した形態(例えば1つ以上の突起、隆起、(カンチレバー状の)そらせ板など)であれば何れの形態でもよく、当該壁からガス流路内に、炉の中心軸からほぼ半径方向に、突出しうる。この流れデフレクタの第一の目的は、汚染粒子を担持してガス流路を上方に反応室に向かう、やや乱流的または不規則な、ガス流を阻止する、例えば偏向させる、または弱める、ことである。   In the heat treatment furnace according to the present invention, a flow deflector can be provided on the inner wall of the outer reaction tube and / or the outer wall of the liner. The flow deflector can be of any suitable form (eg, one or more protrusions, ridges, (cantilever-like) deflector plates, etc.) from the wall into the gas flow path and from the furnace central axis. It can protrude almost radially. The primary purpose of this flow deflector is to carry pollutant particles and move the gas flow path upwards into the reaction chamber, somewhat turbulent or irregular, to block, eg deflect or weaken the gas flow. It is.

1つの実施形態においては、ガス流路内を中心軸の上向き方向に流れるガス流が、中心軸に対するガス流の角度位置に拘らず、上記流れデフレクタによって少なくとも1回阻止されるように、流れデフレクタは―中心軸の方向に見て―内側反応管を取り巻きうる。   In one embodiment, the flow deflector is such that the gas flow flowing in the upward direction of the central axis in the gas flow path is blocked at least once by the flow deflector regardless of the angular position of the gas flow with respect to the central axis. Can—in the direction of the central axis—can surround the inner reaction tube.

別の実施形態において、流れデフレクタは、ガス流の十分な阻止を保証するように、当該壁から半径方向に、ガス流路の局所的幅の少なくとも75%の距離だけ、突出しうる。流れデフレクタが内側反応管を取り巻く一実施形態において、流れデフレクタは、好ましくは、ガス流路の局所的幅の75%の上記距離だけ、少なくとも1周にわたって当該壁から突出しうる。   In another embodiment, the flow deflector can protrude radially from the wall by a distance of at least 75% of the local width of the gas flow path to ensure sufficient blockage of the gas flow. In one embodiment where the flow deflector surrounds the inner reaction tube, the flow deflector may preferably protrude from the wall over at least one turn by the above distance of 75% of the local width of the gas flow path.

さらに別の実施形態において、ガス流路の軸線方向に延在して全体としてその全長をカバーする等しい長さの3つの部分の全てに流れデフレクタが延在する(すなわち存在)するように、流れデフレクタは内側反応管の軸線方向の長さに沿って延在するか、または内側反応管の軸線方向の長さ全体にわたって分散しうる。ガス流路の軸線方向の長さ全体にわたってこのような流れデフレクタを分散または拡張すると、流れデフレクタが存在しない場合に上方に向かう強いガス流が発達しうる軸線方向のガス流路部分の大きさを最小化するために役立つ。   In yet another embodiment, the flow deflector extends (ie, exists) in all three equal length sections that extend in the axial direction of the gas flow path and cover the entire length of the gas flow path as a whole. The deflector can extend along the axial length of the inner reaction tube or can be distributed over the entire axial length of the inner reaction tube. Dispersing or expanding such a flow deflector over the entire axial length of the gas flow path reduces the size of the axial gas flow path section where a strong upward gas flow can develop in the absence of the flow deflector. Help to minimize.

本発明の上記および他の特徴および利点は、本発明を限定ではなく例示することを目的とした添付図面と組み合わせた、本発明の特定の実施形態についての以下の詳細な説明からさらに深く理解されるであろう。   The above and other features and advantages of the present invention will be more fully understood from the following detailed description of specific embodiments of the invention, taken in conjunction with the accompanying drawings, which are intended to illustrate the invention rather than to limit it. It will be.

本発明による熱処理炉およびそのライナーによれば、ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題が克服または軽減される。   The heat treatment furnace and its liner according to the present invention overcome or reduce the problem of backflow of material deposited at the downstream end of the gas exhaust passage.

本発明による熱処理炉の一例示的実施形態の概略側断面図である。1 is a schematic cross-sectional side view of an exemplary embodiment of a heat treatment furnace according to the present invention. さまざまな軸線方向位置に配設された、ほぼ接線方向に延在する複数のそらせ板を含む流れデフレクタが設けられたライナーの一例示的実施形態の略斜視図である。1 is a schematic perspective view of an exemplary embodiment of a liner provided with a flow deflector including a plurality of generally tangentially deflecting baffles disposed at various axial positions. FIG. さまざまな軸線方向位置に配設された、ほぼ接線方向に延在する複数のそらせ板を含む流れデフレクタが設けられたライナーの別の例示的実施形態の略斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view of another exemplary embodiment of a liner provided with a flow deflector including a plurality of generally tangentially deflecting baffles disposed at various axial positions. 4つのそらせ板を含む流れデフレクタが設けられ、各そらせ板がライナーの中心軸の周囲に外壁に沿って螺旋状に延在するライナーの一例示的実施形態の略斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view of an exemplary embodiment of a liner provided with a flow deflector including four baffles, each baffle extending helically along the outer wall around the central axis of the liner. 2つのそらせ板を含む流れデフレクタが設けられ、各そらせ板がライナーの中心軸の周囲に外壁に沿って螺旋状に延在するライナーの一例示的実施形態の略斜視図である。2 is a schematic perspective view of an exemplary embodiment of a liner provided with a flow deflector including two baffles, each baffle extending helically along the outer wall around the central axis of the liner. FIG.

図1は、本発明による例示的縦型熱処理炉または反応炉1を側断面図で模式的に示す。炉1は、二重管式であり、略ベルジャー形状の外側反応管30と開端式内側反応管40とを含む。内側反応管40は、ライナーとも称されうる。外側反応管30は、電源(図示せず)によって給電される熱抵抗性加熱コイル22などの加熱手段によって囲まれうる。加熱手段は、外側反応管30を囲む熱絶縁性スリーブ(図示せず)にさらに固定されうる。両反応管30、40は、略管状、例えば円形または多角形の、断面形状を有しうる。内側の管40の外径は、外側反応管30の内径より小さくしうる。したがって、内側反応管40は、外側反応管30の内部に少なくとも部分的に配設可能であり、共通の中心軸Lの周囲に外側反応管30とほぼ同軸に延在しうる。外側反応管30の内壁32と内側反応管40の外壁41との間にガス流路20が画成されうる。反応管30、40が同様の断面形状を有する場合、ガス流路20はその軸線方向の長さに沿って均一な幅を有し得る。このガス流路の(平均)幅は、一般に数センチメートル台、例えば1〜5センチメートルの範囲内、にしうる。両管30、40は、石英、炭化ケイ素、シリコン、または別の適した耐熱材料で作製されうる。   FIG. 1 schematically shows an exemplary vertical heat treatment furnace or reactor 1 according to the invention in a side sectional view. The furnace 1 is a double tube type and includes a substantially bell jar-shaped outer reaction tube 30 and an open-end inner reaction tube 40. The inner reaction tube 40 can also be referred to as a liner. The outer reaction tube 30 may be surrounded by a heating means such as a heat resistant heating coil 22 that is powered by a power source (not shown). The heating means can be further fixed to a heat insulating sleeve (not shown) surrounding the outer reaction tube 30. Both reaction tubes 30, 40 may have a cross-sectional shape that is generally tubular, for example, circular or polygonal. The outer diameter of the inner tube 40 can be smaller than the inner diameter of the outer reaction tube 30. Accordingly, the inner reaction tube 40 can be disposed at least partially within the outer reaction tube 30 and can extend approximately coaxially with the outer reaction tube 30 around a common central axis L. A gas flow path 20 may be defined between the inner wall 32 of the outer reaction tube 30 and the outer wall 41 of the inner reaction tube 40. When the reaction tubes 30 and 40 have the same cross-sectional shape, the gas flow path 20 may have a uniform width along its axial length. The (average) width of this gas channel can generally be in the order of a few centimeters, for example in the range of 1 to 5 centimeters. Both tubes 30, 40 can be made of quartz, silicon carbide, silicon, or another suitable refractory material.

図1に示す構成において、内側反応管40は、ウェーハボート26を受け入れ可能な反応室2の境界を定めうる。外側および内側の両反応管30、40は、それぞれの下端において、フランジ8に支持されうる。フランジ8はステンレス鋼で作製されうる。ウェーハボート26は、フランジ8に設けられた中心炉口10を通って反応室2に進入および/または退出しうる。複数の、例えば50と150の間の、半導体ウェーハ27を保持するために同数のスロットを含みうるウェーハボート26は、(スリーブレス)台座28に搭載されうる。台座28自体はシールキャップまたはドアプレート12に搭載されうる。台座28は、ドアプレート12とフランジ8の両方に対して熱シールドとして機能し、炉1の下部からの熱損失を減らしうる。一部の実施形態において、ウェーハボート26と台座28とはモータ手段(図示せず)により回転可能にしうる。   In the configuration shown in FIG. 1, the inner reaction tube 40 can delimit the reaction chamber 2 that can receive the wafer boat 26. Both the outer and inner reaction tubes 30, 40 can be supported by the flange 8 at their lower ends. The flange 8 can be made of stainless steel. The wafer boat 26 can enter and / or exit the reaction chamber 2 through the central furnace port 10 provided in the flange 8. A plurality of, for example between 50 and 150, wafer boats 26 that may include the same number of slots to hold semiconductor wafers 27 may be mounted on a (sleeveless) pedestal 28. The pedestal 28 itself can be mounted on a seal cap or door plate 12. The pedestal 28 functions as a heat shield for both the door plate 12 and the flange 8, and can reduce heat loss from the lower part of the furnace 1. In some embodiments, wafer boat 26 and pedestal 28 may be rotatable by motor means (not shown).

反応室2を確実に気密に密閉するために、いくつかの弾性Oリング14を炉1の下部に、特に外側反応管30とフランジ8の間、およびフランジ8とドアプレート12の間に、使用しうる。弾性Oリングおよび他の密封機構は頻繁または連続的に高温にさらされることによりその信頼性が低下しうるので、炉1の下部は好ましくは反応室2の中心部および上部の温度より低温に維持されうる。   Several elastic O-rings 14 are used in the lower part of the furnace 1, in particular between the outer reaction tube 30 and the flange 8, and between the flange 8 and the door plate 12 in order to ensure that the reaction chamber 2 is hermetically sealed. Yes. The lower part of the furnace 1 is preferably kept cooler than the temperature at the center and upper part of the reaction chamber 2 because elastic O-rings and other sealing mechanisms can be unreliable due to frequent or continuous exposure to high temperatures. Can be done.

炉1は、ガスインジェクタ4をさらに含みうる。ガスインジェクタ4は反応室2の内部に配設され、ウェーハボート26の高さまたは軸線方向の長さ全体にわたって設けられた複数のガス噴出孔6を備えうる。ガス噴出孔6から反応室2内へのプロセスガス、例えば前駆体ガスおよび/またはパージガス、の導入を可能にするように、場合によってはガス供給導管18をフランジ8を介してガスインジェクタ4に接続しうる。   The furnace 1 may further include a gas injector 4. The gas injector 4 is disposed inside the reaction chamber 2 and may include a plurality of gas ejection holes 6 provided over the entire height or the axial length of the wafer boat 26. In some cases, a gas supply conduit 18 is connected to the gas injector 4 via a flange 8 so as to allow introduction of process gas, for example precursor gas and / or purge gas, into the reaction chamber 2 from the gas outlet 6. Yes.

反応室2からガスを放出または排出するために、ガス排出導管16をガス流路20の下端または下流端に、場合によっては(図1に模式的に示されているように)フランジ8を介して、連通させうる。真空ポンプ24の吸い込み側にガス排出導管16の下流端を接続しうる。   In order to release or discharge gas from the reaction chamber 2, a gas discharge conduit 16 is connected to the lower or downstream end of the gas flow path 20, possibly via a flange 8 (as schematically shown in FIG. 1). Can communicate. The downstream end of the gas discharge conduit 16 can be connected to the suction side of the vacuum pump 24.

通常運転中、ガスインジェクタ4の孔6から反応室2に導入されたガスは、反応室の内部をほぼ上方に流れる。ガスは内側の管40の上端開口部で向きを変え、次に外側および内側の管30、40の間のガス流路20を通って下方に流れて真空ポンプ24に接続されたガス排出導管16に向かう。図1では、このガス排出路は参照符号21で示されている。排出中、反応性ガスは、相対的に冷たい炉1の下部、すなわちフランジ8とガス排出導管16(図1の実施形態ではフランジ8の一部)とを含む部分、を通過するときに堆積物を形成しうる。   During normal operation, the gas introduced into the reaction chamber 2 from the hole 6 of the gas injector 4 flows almost upward in the reaction chamber. The gas turns at the top opening of the inner tube 40 and then flows down through the gas flow path 20 between the outer and inner tubes 30, 40 to connect to the vacuum pump 24. Head for. In FIG. 1, this gas discharge path is indicated by reference numeral 21. During discharge, the reactive gas deposits as it passes through the lower part of the furnace 1, i.e. the part containing the flange 8 and the gas discharge conduit 16 (part of the flange 8 in the embodiment of FIG. 1). Can be formed.

ガス排出路21の下流端近くでの副生成物の堆積はそれ自体では反応室2の汚染を引き起こさない。ただし、特定の条件下において、ガス排出路21の下流端に堆積した材料が巻き上げられ、再循環ガス流によってガス流路20を経由して反応室2に輸送されうる。例えば、処理済みのウェーハ27を保持した1つのウェーハボート26が反応室2から排出された後に新しい一回分のウェーハ27を保持した別のウェーハボートが反応室2に装填されるときに、反応室2が大気圧になることもあり、真空ポンプ24のスイッチが一時的に切られることもある。新しい、相対的に冷たいウェーハボート26とこれに保持された同様に冷たい未処理のウェーハ27とが相対的に暖かい反応室2に導入されると、著しい温度勾配が反応室の内部に、特に外側反応管40、内側反応管30、およびウェーハボート26の間に、引き起こされうる。これらの温度勾配は圧力勾配および/またはガス密度勾配を誘発しうるので、結果として内側反応管30の表面に対流が引き起こされうる。これらの対流は粒子を排出路21の下流端からガス流路20を経由して反応室2に輸送しうる。このようにして、粒子はウェーハ27、特に新しく導入されたウェーハボート26の上端近くに配設されたウェーハ27、に到達しうる。   By-product accumulation near the downstream end of the gas discharge path 21 does not cause contamination of the reaction chamber 2 by itself. However, under certain conditions, the material deposited at the downstream end of the gas discharge passage 21 can be rolled up and transported to the reaction chamber 2 via the gas passage 20 by the recirculation gas flow. For example, when one wafer boat 26 holding a processed wafer 27 is discharged from the reaction chamber 2 and another wafer boat holding a new batch of wafers 27 is loaded into the reaction chamber 2, the reaction chamber 2 is loaded. 2 may become atmospheric pressure, and the vacuum pump 24 may be temporarily switched off. When a new, relatively cold wafer boat 26 and a similarly cold unprocessed wafer 27 held in it are introduced into the relatively warm reaction chamber 2, a significant temperature gradient is created inside the reaction chamber, particularly outside. It can be caused between the reaction tube 40, the inner reaction tube 30 and the wafer boat 26. These temperature gradients can induce pressure gradients and / or gas density gradients, which can result in convection on the surface of the inner reaction tube 30. These convections can transport particles from the downstream end of the discharge path 21 to the reaction chamber 2 via the gas flow path 20. In this way, the particles can reach the wafers 27, in particular the wafers 27 arranged near the upper end of the newly introduced wafer boat 26.

このような堆積物の逆流を防ぐために、内側反応管40の外壁41および/または外側反応管30の内壁32に流れデフレクタ50を設けうる。流れデフレクタ50は、当該壁からガス流路20内に、反応管30、40の中心軸Lに対してほぼ半径方向に、突出しうる。   In order to prevent such a backflow of deposits, a flow deflector 50 may be provided on the outer wall 41 of the inner reaction tube 40 and / or the inner wall 32 of the outer reaction tube 30. The flow deflector 50 can protrude from the wall into the gas flow path 20 in a substantially radial direction with respect to the central axis L of the reaction tubes 30 and 40.

図1の加熱炉1には、ガス流路20内に半径方向に突出する単一の環状そらせ板52の形態の流れデフレクタ50が外側反応管30と内側反応管40の両方に設けられている。これらの流れデフレクタ50は、ガス流路20の軸線方向の長さのほぼ中間地点に、ガスが通過しうる狭いZ字形状のギャップをデフレクタ自体と壁32、41との間に画成するようにデフレクタ同士を十分に近接させて設けられている。中心軸に対するガス流の角度位置に拘らず、ガス流路20内の中心軸Lの方向へのガス流を必然的に阻止するように、これらの流れデフレクタ50のそらせ板52は内側反応管40を取り巻くか、または取り囲む。   In the heating furnace 1 of FIG. 1, a flow deflector 50 in the form of a single annular baffle plate 52 projecting radially in the gas flow path 20 is provided in both the outer reaction tube 30 and the inner reaction tube 40. . These flow deflectors 50 define a narrow Z-shaped gap through which the gas can pass between the deflector itself and the walls 32 and 41 at approximately the midpoint of the axial length of the gas flow path 20. The deflectors are provided close enough to each other. Regardless of the angular position of the gas flow with respect to the central axis, the deflecting plates 52 of these flow deflectors 50 are arranged on the inner reaction tube 40 so as to inevitably block the gas flow in the direction of the central axis L in the gas flow path 20. Surrounding or surrounding.

図1の実施形態における環状そらせ板52が内側反応管40を取り巻くことは明らかであろう。ただし、より精巧な流れデフレクタの実施形態を視野に入れると、以下に注目される。流れデフレクタが内側反応管40を(少なくとも1回)取り巻くか否かは、二重管構造30、40を中心軸Lの方向に見ることによって最適に判断されうる。このように軸線方向に見ると、内側の管40を取り巻く流れデフレクタが通常見え、軸線Lの周囲360°の角度にわたって延在することが分かる。したがって、内側の管40を取り巻くために、図1のそらせ板52のように、流れデフレクタを単一の軸線方向位置において管40の周囲に延在させる必要はない。流れデフレクタを単一の部品で構成する必要もない。図2および図3を参照して説明するように、上で定義された意味で内側の管40を全体として取り巻く、それぞれ異なる軸線方向位置に設けられうる複数の部品、例えば複数のそらせ板、で流れデフレクタを構成しうる。   It will be apparent that the annular baffle plate 52 in the embodiment of FIG. 1 surrounds the inner reaction tube 40. However, in view of more elaborate flow deflector embodiments, the following will be noted. Whether the flow deflector surrounds the inner reaction tube 40 (at least once) can be optimally determined by looking at the double tube structures 30, 40 in the direction of the central axis L. Viewed in this axial direction, it can be seen that the flow deflector surrounding the inner tube 40 is normally visible and extends over a 360 ° angle around the axis L. Thus, it is not necessary to extend the flow deflector around the tube 40 in a single axial position, like the baffle plate 52 of FIG. 1, to surround the inner tube 40. There is also no need to construct the flow deflector with a single piece. As described with reference to FIGS. 2 and 3, with a plurality of components, such as a plurality of baffles, that surround the inner tube 40 as a whole in the sense defined above and that can be provided at different axial positions, respectively. A flow deflector may be configured.

逆流の効率的阻止を保証するために、好ましくは流れデフレクタ50をガス流路20内に十分深くまで突出させてもよい。厳密には「十分に深く」とは、特にガス流路20の(局所的)幅、すなわち外側反応管30の内壁32と内側反応管40の外壁41との間の(局所的)距離、に応じて異なりうる。一般的に、流れデフレクタ50は、好ましくは、流れデフレクタ50が設けられる壁から半径方向に、ガス流路20の局所的幅の少なくとも75%の半径方向距離にわたって突出しうる。例えば、外側および内側反応管30、40が中心軸Lに沿って25ミリメートルの均一幅を有するシリンダジャケット形状のガス流路20を画成する場合、流れデフレクタ50は、好ましくは少なくとも19ミリメートル(すなわち0.75×25mm)の半径方向距離だけガス流路20内に延在しうる。内側反応管40が僅かに、例えば5mm、軸外に配設されてガス流路20の幅が接線方向に20mmと30mmの間で変化する場合、流れデフレクタ50がガス流路20内に突出する距離は相応に、例えば15mmと23mmの間で、変動しうる。   The flow deflector 50 may preferably protrude deep enough into the gas flow path 20 to ensure efficient prevention of backflow. Strictly speaking, “sufficiently deep” means in particular the (local) width of the gas flow path 20, ie the (local) distance between the inner wall 32 of the outer reaction tube 30 and the outer wall 41 of the inner reaction tube 40. It can vary depending on the situation. In general, the flow deflector 50 may preferably protrude radially from the wall in which the flow deflector 50 is provided over a radial distance of at least 75% of the local width of the gas flow path 20. For example, if the outer and inner reaction tubes 30, 40 define a cylinder jacket-shaped gas flow path 20 having a uniform width of 25 millimeters along the central axis L, the flow deflector 50 is preferably at least 19 millimeters (ie Can extend into the gas flow path 20 by a radial distance of 0.75 × 25 mm). The flow deflector 50 protrudes into the gas flow path 20 when the inner reaction tube 40 is slightly disposed, for example, 5 mm, off-axis and the width of the gas flow path 20 changes between 20 mm and 30 mm in the tangential direction. The distance can correspondingly vary, for example between 15 mm and 23 mm.

外側および内側反応管30、40は、通常は個別に製造され、後段階で組み立てられて炉1の二重管構造が形成される。内側反応管40を外側反応管30内に慎重に移動させるこのような組み立てを可能にするには、少なくとも数ミリメートルの隙間がこの2つの構成要素間にあることが望ましい。この隙間は、好ましくは少なくとも2ミリメートル、より好ましくは2〜8ミリメートルの範囲内、にしうる。したがって、流れデフレクタは、好ましくは、ガス流路20の局所的幅から少なくとも2ミリメートル、または所望される隙間に応じて好ましくは2〜8ミリメートル、を引いた値以下の半径方向距離にわたって、流れデフレクタが設けられる壁から半径方向に突出しうる。   The outer and inner reaction tubes 30, 40 are usually manufactured separately and assembled at a later stage to form the double tube structure of the furnace 1. In order to allow such an assembly to carefully move the inner reaction tube 40 into the outer reaction tube 30, it is desirable that a gap of at least a few millimeters be between the two components. This gap may preferably be at least 2 millimeters, more preferably in the range of 2-8 millimeters. Thus, the flow deflector preferably flows over a radial distance less than or equal to the local width of the gas flow path 20 minus at least 2 millimeters, or preferably 2-8 millimeters depending on the desired gap. Can protrude radially from the wall on which is provided.

上記のように、流れデフレクタは複数のそらせ板を備えうる。これらのそらせ板は外側および/または内側反応管30、40の壁32、41に設けられうる。次に図2および図3を参照して、このような流れデフレクタ50のいくつかの実施形態を説明する。なお、図2および図3に示されている実施形態においては、流れデフレクタ50のそらせ板52はライナー40の外壁41に設けられており、ライナーは単独で示されていることに予め留意されたい。ただし、当業者は同様のそらせ板パターンを、代わりに、またはさらに、外側反応管30の内壁32にも設けうることを理解されるであろう。   As described above, the flow deflector can comprise a plurality of baffles. These baffles can be provided on the walls 32, 41 of the outer and / or inner reaction tubes 30, 40. Several embodiments of such a flow deflector 50 will now be described with reference to FIGS. It should be noted in advance that in the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, the deflector plate 52 of the flow deflector 50 is provided on the outer wall 41 of the liner 40 and the liner is shown alone. . However, those skilled in the art will appreciate that a similar baffle pattern may be provided on the inner wall 32 of the outer reaction tube 30 instead or in addition.

図2は、ライナー40の2つの実施形態を模式的に示す。各実施形態は、それぞれ異なる軸線方向位置においてライナーの外壁41から半径方向に突出し、かつライナーの外壁41に沿ってほぼ接線方向に延在する複数の同じそらせ板52を備えた流れデフレクタ50を特徴とする。この2つの実施形態はいくつかの特性を共有する。   FIG. 2 schematically illustrates two embodiments of the liner 40. Each embodiment features a flow deflector 50 that includes a plurality of the same baffle plates 52 that project radially from the outer wall 41 of the liner at different axial positions and extend substantially tangentially along the outer wall 41 of the liner. And The two embodiments share some characteristics.

両実施形態において、各そらせ板52は中心軸Lに対して約35度の角度αにわたって接線方向にライナー40の外壁41に沿って延在する。ただし、他の実施形態においては、少なくとも一部のそらせ板52の角度範囲αは、35度より小さくても大きくてもよく、例えば10〜90度の範囲内にしうると考えらる。さらに、両実施形態のそらせ板52は、ほぼ接線方向に延在する、すなわち、軸線方向Lには全く、または少なくとも大きくは、延在しない。ただし、他の実施形態においては、1つ以上のそらせ板52を接線方向成分と軸線方向成分の両方を有する方向に外壁41に沿って延在させうる(図3の実施形態を参照のこと)。   In both embodiments, each baffle plate 52 extends along the outer wall 41 of the liner 40 in a tangential direction over an angle α of about 35 degrees with respect to the central axis L. However, in other embodiments, the angle range α of at least some of the baffle plates 52 may be smaller or larger than 35 degrees, and may be within a range of 10 to 90 degrees, for example. Furthermore, the baffle plate 52 of both embodiments extends substantially in the tangential direction, that is, does not extend in the axial direction L at all or at least largely. However, in other embodiments, one or more baffles 52 may extend along the outer wall 41 in a direction having both a tangential component and an axial component (see the embodiment of FIG. 3). .

図2のどちらの実施形態においても、そらせ板52は、等距離に相隔てられた、ライナー40の軸線方向の長さまたは高さにわたって散在する離散数(6)の軸線方向位置に配設されている。この結果、ライナー40が図1と同様の加熱炉1に組み込まれると、流れデフレクタ50は、少なくとも、ガス流路20の軸線方向に延在して全体としてガス流路20の全長をカバーする3つの等しい長さの部分(例えば図示の向きにおいては、ガス流路20の下部、中間部、および上部)の全てに延在するように、ガス流路20の全長にわたってほぼ均一に分散される。   In either embodiment of FIG. 2, baffle plates 52 are disposed at discrete (6) axial positions that are spaced equidistantly and scattered over the axial length or height of liner 40. ing. As a result, when the liner 40 is incorporated in the heating furnace 1 similar to FIG. 1, the flow deflector 50 extends at least in the axial direction of the gas flow path 20 and covers the entire length of the gas flow path 20 as a whole. It is distributed substantially uniformly over the entire length of the gas flow path 20 so as to extend to all two equal length portions (eg, in the illustrated orientation, the lower, middle and upper portions of the gas flow path 20).

図2の各実施形態における各軸線方向位置は、接線方向に等距離に相隔てられた同数のそらせ板52、すなわち図2Aの実施形態では6つ、図2Bの実施形態では3つ、から成る連なりを特徴とする。したがって、それぞれ異なる軸線方向位置におけるそらせ板52の構成は同じであるが、特定の軸線方向位置に存在するそらせ板の連なりは隣接する軸線方向位置に存在するそらせ板の連なりに対して回転方向に位置がずれている。それぞれ異なる軸線方向位置に存在するそらせ板52の連なりは、互いに回転方向に位置がずれており、軸線方向Lに見ると、流れデフレクタ50が―すなわち全てのそらせ板52を一体として考えると―ライナー40を完全に取り巻くように、(軸線方向Lに見て)互いに部分的に重なり合いうる。実際に、そらせ板52はライナー40を複数回取り巻くと見なされうる。図2Aの実施形態においては、(軸線方向に)隣接するそらせ板52の連なりは各2つの連なりが全体としてライナー40を取り巻き、図2Bの実施形態においては、隣接する4つの軸線方向位置から成る各セットのそらせ板52は全体として完全に一周している。   Each axial position in each embodiment of FIG. 2 consists of the same number of baffles 52 spaced equidistantly in the tangential direction, ie six in the embodiment of FIG. 2A and three in the embodiment of FIG. 2B. Characterized by a series. Therefore, the configuration of the deflecting plates 52 at different axial positions is the same, but the series of deflecting plates present at specific axial positions is in the rotational direction with respect to the series of deflecting plates present at adjacent axial positions. The position is shifted. The series of baffle plates 52 present at different axial positions are displaced from each other in the rotational direction. When viewed in the axial direction L, the flow deflector 50—that is, considering all the baffle plates 52 as one unit— They may partially overlap each other (as viewed in the axial direction L) so as to completely surround 40. Indeed, the baffle plate 52 can be considered to surround the liner 40 multiple times. In the embodiment of FIG. 2A, the series of adjacent baffle plates 52 (in the axial direction) each surrounds the liner 40 as a whole, and in the embodiment of FIG. 2B, consists of four adjacent axial positions. The baffle plates 52 of each set make a complete round as a whole.

ライナー40を複数回を取り巻くように流れデフレクタ50が構成されている事実により、ライナー40の外壁41に沿って軸線方向Lに移動するガス流は、流れデフレクタ50のさまざまなそらせ板52によって複数回阻止されうる。さらに、流れデフレクタ50はライナー40の軸線方向の長さ全体にわたってほぼ均一に分散されているため、そらせ板52がなく、そのために相対的に強い逆流を発達させやすい軸線方向に延在する外壁41部分が特にない。代わりに、流れデフレクタ50は、軸線方向に向かって発達して堆積物を輸送しうる流れを散乱させる複数の流れ遮断/偏向そらせ板52で構成された迷路のようなもとして見なされうる。   Due to the fact that the flow deflector 50 is configured to surround the liner 40 multiple times, the gas flow moving in the axial direction L along the outer wall 41 of the liner 40 can be caused by the various deflectors 52 of the flow deflector 50 multiple times. Can be blocked. Furthermore, since the flow deflector 50 is substantially uniformly distributed over the entire axial length of the liner 40, there is no baffle plate 52, and therefore an outer wall 41 extending in the axial direction that tends to develop a relatively strong backflow. There is no particular part. Alternatively, the flow deflector 50 can be viewed as a labyrinth made up of a plurality of flow blocking / deflecting baffles 52 that scatter in the axial direction and develop a stream that can transport sediment.

図3は、本発明によるライナー40の別の2つの例示的実施形態を模式的に示す。図示されている両ライナー40は、中心軸Lを中心としてライナーの外壁41に沿って螺旋状に延在するいくつかのそらせ板52を含む流れデフレクタ50を特徴とする。各そらせ板52がライナー40の軸線方向の長さのほぼ全体に沿って延在するため、ライナー40が図1に示されているように加熱炉に組み込まれると、流れデフレクタ50は、ガス流路20の軸線方向に延在して全体としてガス流路20の全長をカバーする3つの等しい長さの部分の全てに確実に延在する。   FIG. 3 schematically shows two other exemplary embodiments of a liner 40 according to the present invention. Both illustrated liners 40 feature a flow deflector 50 that includes a number of baffles 52 that extend helically along the outer wall 41 of the liner about a central axis L. Since each baffle 52 extends along substantially the entire axial length of the liner 40, when the liner 40 is incorporated into a furnace as shown in FIG. It extends in the axial direction of the passage 20 and extends to all three equal length portions covering the entire length of the gas passage 20 as a whole.

図3Aの実施形態のライナー40は4つのそらせ板52を含み、図3Bの実施形態のライナーは2つのそらせ板のみを含む。両実施形態のそらせ板52は、中心軸Lの方向に見て、流れデフレクタ50がライナー40を取り巻くように配置される。さらに、そらせ板52の数は、両実施形態において、中心軸の方向に見て、中心軸Lに対する単一のそらせ板52の角度範囲αに関係する。例えば、図3Aの4つのそらせ板を有する実施形態においては、各そらせ板52の角度範囲αは(360/4=)90度であり、図3Bの2つのそらせ板を有する実施形態においては、各そらせ板の角度範囲αは(360/2=)180度である。一般的に、螺旋状に延在するそらせ板52を複数個n含む流れデフレクタ50では、中心軸Lに対する各そらせ板の角度範囲は少なくとも360/n度であるので、逆流防止のために極めて有効に見える。特に、設ける必要があるそらせ板の数nが相対的に少ない、例えば4つ以下、であるため、そらせ板52は経済的にも製造されうる。   The liner 40 of the embodiment of FIG. 3A includes four baffles 52, and the liner of the embodiment of FIG. 3B includes only two baffles. The baffle plate 52 of both embodiments is arranged such that the flow deflector 50 surrounds the liner 40 when viewed in the direction of the central axis L. Furthermore, the number of baffle plates 52 in both embodiments relates to the angular range α of a single baffle plate 52 relative to the central axis L when viewed in the direction of the central axis. For example, in the embodiment with four deflectors of FIG. 3A, the angle range α of each deflector 52 is (360/4 =) 90 degrees, and in the embodiment with two deflectors of FIG. 3B, The angle range α of each baffle is (360/2 =) 180 degrees. In general, in the flow deflector 50 including a plurality of baffle plates 52 extending in a spiral shape, the angle range of each baffle plate with respect to the central axis L is at least 360 / n degrees, which is extremely effective for preventing backflow. Looks like. In particular, since the number n of deflecting plates that need to be provided is relatively small, for example, four or less, the deflecting plates 52 can be manufactured economically.

逆流防止の観点から、相対的に多数のそらせ板52を有する流れデフレクタ50を構成および使用したくなりうる。ただし、多数のそらせ板52は、排出路21に沿った流れ抵抗の増加を意味しうるため、熱処理炉1の真空ポンプ24に対する要求が増大しうる。図3に示すように控えめな数の螺旋状に延在するそらせ板52(すなわち最大4つのそらせ板)の存在により引き起こされる流れ抵抗の増加は相対的に小さく、大半の用途にとって実質的に問題にならないことが数値シミュレーションにより示された。   From the perspective of preventing backflow, it may be desirable to configure and use a flow deflector 50 having a relatively large number of baffles 52. However, the large number of baffle plates 52 may mean an increase in flow resistance along the discharge path 21, so that the demand for the vacuum pump 24 of the heat treatment furnace 1 may increase. The increase in flow resistance caused by the presence of a modest number of helically extending baffles 52 (ie, up to four baffles) as shown in FIG. 3 is relatively small and is a substantial problem for most applications. It was shown by numerical simulation that it was not.

本発明の例示的実施形態について一部添付図面を参照して上で説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。当業者は図面、開示内容、および添付の特許請求の範囲を検討することによって、開示された実施形態の変形例を理解し、本願発明の実施の際に実現可能である。本明細書の全体にわたって「1つの実施形態」または「一実施形態」への言及は、その実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体にわたってさまざまな箇所での「1つの実施形態において」または「一実施形態において」という句の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているとは限らない。さらに、1つ以上の実施形態の特定の特徴、構造、または特性は、新しい、明示されていない実施形態を形成するために何れか適した方法で組み合わせうる。   Although exemplary embodiments of the present invention have been described above with some reference to the accompanying drawings, it should be understood that the present invention is not limited to these embodiments. Those skilled in the art will understand variations of the disclosed embodiments by studying the drawings, the disclosure, and the appended claims, and can be implemented in the practice of the invention. Throughout this specification, reference to “an embodiment” or “an embodiment” refers to a particular feature, structure, or characteristic described in connection with that embodiment, which is at least one embodiment of the invention. It is included in. Thus, the appearances of the phrases “in one embodiment” or “in one embodiment” in various places throughout this specification are not necessarily all referring to the same embodiment. Furthermore, the particular features, structures, or characteristics of one or more embodiments may be combined in any suitable manner to form new, unspecified embodiments.

1 熱処理炉/反応炉
2 反応室
4 ガスインジェクタ
6 ガス噴出孔
8 フランジ
10 中心炉口
12 ドアプレート
14 Oリング
16 ガス排出導管
18 ガス供給導管
20 ガス流路
21 ガス排出路
22 加熱コイル
24 真空ポンプ
26 ウェーハボート
27 基板/ウェーハ
28 台座
30 外側反応管
32 外側反応管の内壁
40 内側反応管/ライナー
41 内側反応管の外壁
50 流れデフレクタ
52 流れデフレクタのそらせ板
L 内側および外側の両反応管の中心軸
n 流れデフレクタのそらせ板の数
α 流れデフレクタのそらせ板の角度範囲
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat processing furnace / reaction furnace 2 Reaction chamber 4 Gas injector 6 Gas ejection hole 8 Flange 10 Central furnace port 12 Door plate 14 O-ring 16 Gas discharge conduit 18 Gas supply conduit 20 Gas flow path 21 Gas discharge path 22 Heating coil 24 Vacuum pump 26 Wafer boat 27 Substrate / wafer 28 Pedestal 30 Outer reaction tube 32 Inner wall of outer reaction tube 40 Inner reaction tube / liner 41 Outer wall of inner reaction tube 50 Flow deflector 52 Baffle plate of flow deflector L Center of both inner and outer reaction tubes Axis n Number of flow deflector deflectors α Angular range of flow deflector deflectors

Claims (17)

中心軸(L)を有する略ベルジャー形状の外側反応管と、
複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式内側反応管であって、前記内側反応管は前記外側反応管内にほぼ同軸に配設され、これにより前記内側反応管の外壁と前記外側反応管の内壁との間にガス流路が画成される、内側反応管と、
を備える熱処理炉において、
前記内側反応管の前記外壁と前記外側反応管の前記内壁の少なくとも一方に、当該壁から前記ガス流路内に半径方向に突出する流れデフレクタが設けられることを特徴とする熱処理炉。
A substantially bell jar shaped outer reaction tube having a central axis (L);
An open-end inner reaction tube for accommodating a wafer boat holding a plurality of substrates, wherein the inner reaction tube is disposed substantially coaxially in the outer reaction tube, whereby the outer wall of the inner reaction tube and the outer wall An inner reaction tube in which a gas flow path is defined between the inner wall of the reaction tube;
In a heat treatment furnace comprising:
At least one of the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube is provided with a flow deflector that projects radially from the wall into the gas flow path.
前記ガス流路内の前記中心軸の方向へのガス流が前記流れデフレクタによって少なくとも1回阻止されるように、前記流れデフレクタは―前記中心軸(L)の方向に見て―前記内側反応管を取り巻く、請求項1に記載の熱処理炉。   The flow deflector—as viewed in the direction of the central axis (L) —is the inner reaction tube so that a gas flow in the direction of the central axis in the gas flow path is blocked at least once by the flow deflector. The heat treatment furnace according to claim 1, which surrounds 前記流れデフレクタは当該壁から半径方向に、前記ガス流路の局所的幅の少なくとも75%の距離にわたって突出する、請求項1に記載の熱処理炉。   The heat treatment furnace of claim 1, wherein the flow deflector protrudes radially from the wall over a distance of at least 75% of the local width of the gas flow path. 前記流れデフレクタは当該壁から半径方向に、前記ガス流路の局所的幅から2ミリメートル、好ましくは2〜8ミリメートル、の隙間を引いた値以下の距離にわたって突出する、請求項3に記載の熱処理炉。   The heat treatment according to claim 3, wherein the flow deflector protrudes radially from the wall over a distance less than or equal to a local width of the gas flow path minus 2 millimeters, preferably 2-8 millimeters. Furnace. 前記流れデフレクタは、前記ガス流路の軸線方向に延在して全体として前記ガス流路の全長をカバーする同じ長さの3つの部分の全てに延在する、請求項1に記載の熱処理炉。   2. The heat treatment furnace according to claim 1, wherein the flow deflector extends in all three portions of the same length that extend in an axial direction of the gas flow path and cover the entire length of the gas flow path as a whole. . 前記流れデフレクタは少なくとも1つのそらせ板を含む、請求項1乃至5の何れか1項に記載の熱処理炉。   The heat treatment furnace according to claim 1, wherein the flow deflector includes at least one baffle. 前記流れデフレクタはほぼ接線方向に延在する複数のそらせ板を備える、請求項6に記載の熱処理炉。   The heat treatment furnace of claim 6, wherein the flow deflector comprises a plurality of baffles extending substantially tangentially. 前記ほぼ接線方向に延在するそらせ板は、少なくとも2つのそらせ板の連なりとして配置され、前記同じ連なりに含まれる前記そらせ板は同じ軸線方向位置に延在し、そらせ板の少なくとも2つの連なりはそれぞれ異なる軸線方向位置に設けられる、請求項7に記載の熱処理炉。   The baffle plates extending in a substantially tangential direction are arranged as a series of at least two baffle plates, the baffle plates included in the same series extend at the same axial position, and at least two series of baffle plates are The heat treatment furnace according to claim 7, which is provided at different axial positions. 前記流れデフレクタは、前記中心軸(L)に対して螺旋状に延在する少なくとも1つのそらせ板を備える、請求項6に記載の熱処理炉。   The heat treatment furnace according to claim 6, wherein the flow deflector comprises at least one baffle extending spirally with respect to the central axis (L). 前記流れデフレクタは、前記中心軸(L)に対して螺旋状に延在する複数個nのそらせ板を備え、前記複数のそらせ板の各々の角度範囲は―前記中心軸の方向に見て―少なくとも(360/n)度である、請求項9に記載の熱処理炉。   The flow deflector includes a plurality of n baffles extending spirally with respect to the central axis (L), and the angular range of each of the baffles is as viewed in the direction of the central axis. The heat treatment furnace according to claim 9, which is at least (360 / n) degrees. 中心軸(L)を有する略管状壁を備えた、熱処理炉に使用される内側反応管において、前記管状壁から半径方向外側に突出する流れデフレクタが前記管状壁に設けられることを特徴とする内側反応管。   An inner reaction tube for use in a heat treatment furnace having a substantially tubular wall having a central axis (L), wherein the tubular wall is provided with a flow deflector projecting radially outward from the tubular wall. Reaction tube. 前記流れデフレクタは―前記中心軸(L)の方向に見て―前記内側反応管を取り巻く、請求項11に記載の内側反応管。   The inner reaction tube of claim 11, wherein the flow deflector—as viewed in the direction of the central axis (L) —around the inner reaction tube. 前記流れデフレクタは、前記内側反応管の軸線方向に延在して全体として前記内側反応管の全長をカバーする同じ長さの3つの前記内側反応管の部分の全てから突出する、請求項11に記載の内側反応管。   The flow deflector protrudes from all three portions of the inner reaction tube of the same length extending in the axial direction of the inner reaction tube and covering the entire length of the inner reaction tube as a whole. Inner reaction tube as described. 前記流れデフレクタは、ほぼ接線方向に延在する少なくとも1つのそらせ板を備える、請求項11乃至13の何れか1項に記載の内側反応管。   14. An inner reaction tube according to any one of claims 11 to 13, wherein the flow deflector comprises at least one baffle extending substantially tangentially. 前記流れデフレクタは、少なくとも2つのそらせ板の連なりとして配置された、ほぼ接線方向に延在する複数のそらせ板を備え、同じ連なりの前記そらせ板は同じ軸線方向位置に延在し、そらせ板の少なくとも2つの連なりがそれぞれ異なる軸線方向位置に設けられる、請求項14に記載の内側反応管。   The flow deflector comprises a plurality of generally tangentially extending baffles arranged as a series of at least two baffle plates, wherein the baffle plates in the same series extend to the same axial position, 15. The inner reaction tube according to claim 14, wherein at least two series are provided at different axial positions. 前記流れデフレクタは、前記中心軸に対して螺旋状に延在する少なくとも1つのそらせ板を備える、請求項11乃至13の何れか1項に記載の内側反応管。   The inner reaction tube according to any one of claims 11 to 13, wherein the flow deflector includes at least one baffle extending spirally with respect to the central axis. 前記流れデフレクタは、前記中心軸(L)に対して螺旋状に延在する複数個nのそらせ板を備え、前記複数のそらせ板の各々の角度範囲は―前記中心軸の方向に見て―少なくとも(360/n)度である、請求項16に記載の内側反応管。   The flow deflector includes a plurality of n baffles extending spirally with respect to the central axis (L), and the angular range of each of the baffles is as viewed in the direction of the central axis. The inner reaction tube of claim 16, wherein the inner reaction tube is at least (360 / n) degrees.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016178136A (en) * 2015-03-19 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus
CN110791749A (en) * 2019-12-09 2020-02-14 苏州拓升智能装备有限公司 Inter-electrode isolation structure, vapor deposition apparatus, and graphite boat
JP2020027941A (en) * 2018-08-09 2020-02-20 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ Vertical furnace for substrate processing and liner used therein

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11791176B2 (en) 2018-10-28 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Processing chamber with annealing mini-environment

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4638762A (en) * 1985-08-30 1987-01-27 At&T Technologies, Inc. Chemical vapor deposition method and apparatus
JPH01241819A (en) * 1988-03-23 1989-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device for heat-treating substrate
JPH0468528A (en) * 1990-07-10 1992-03-04 Tokyo Electron Sagami Ltd Vertical heat treatment apparatus
JPH04157716A (en) * 1990-10-19 1992-05-29 Nec Corp Vapor growth apparatus
JPH04192519A (en) * 1990-11-27 1992-07-10 Nec Corp Vertical process for semiconductor heat processing tube structure
JPH06208958A (en) * 1993-01-11 1994-07-26 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk Thin film forming device
JPH0778771A (en) * 1993-09-07 1995-03-20 Furukawa Electric Co Ltd:The Semiconductor thin film vapor growth method and device
JPH09260300A (en) * 1996-03-21 1997-10-03 Kokusai Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2002043229A (en) * 2000-07-25 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc Semiconductor manufacturing device
JP2003257872A (en) * 2002-02-28 2003-09-12 Tokyo Electron Ltd Cooling device and thermal treating device using the same
US20100064970A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of forming semiconductor devices

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4638762A (en) * 1985-08-30 1987-01-27 At&T Technologies, Inc. Chemical vapor deposition method and apparatus
JPH01241819A (en) * 1988-03-23 1989-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device for heat-treating substrate
JPH0468528A (en) * 1990-07-10 1992-03-04 Tokyo Electron Sagami Ltd Vertical heat treatment apparatus
JPH04157716A (en) * 1990-10-19 1992-05-29 Nec Corp Vapor growth apparatus
JPH04192519A (en) * 1990-11-27 1992-07-10 Nec Corp Vertical process for semiconductor heat processing tube structure
JPH06208958A (en) * 1993-01-11 1994-07-26 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk Thin film forming device
JPH0778771A (en) * 1993-09-07 1995-03-20 Furukawa Electric Co Ltd:The Semiconductor thin film vapor growth method and device
JPH09260300A (en) * 1996-03-21 1997-10-03 Kokusai Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2002043229A (en) * 2000-07-25 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc Semiconductor manufacturing device
JP2003257872A (en) * 2002-02-28 2003-09-12 Tokyo Electron Ltd Cooling device and thermal treating device using the same
US20100064970A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of forming semiconductor devices

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016178136A (en) * 2015-03-19 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus
JP2020027941A (en) * 2018-08-09 2020-02-20 アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ Vertical furnace for substrate processing and liner used therein
CN110828331A (en) * 2018-08-09 2020-02-21 Asm Ip控股有限公司 Shaft furnace for processing substrate and liner tube used therein
JP7467045B2 (en) 2018-08-09 2024-04-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Vertical furnace for treating substrates and liners for use therein
CN110828331B (en) * 2018-08-09 2024-05-10 Asmip控股有限公司 Shaft furnace for treating substrates and liner tube therefor
CN110791749A (en) * 2019-12-09 2020-02-14 苏州拓升智能装备有限公司 Inter-electrode isolation structure, vapor deposition apparatus, and graphite boat

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