JP2012156510A - Thermal processing furnace and liner for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、全般的には半導体基板の処理装置に関し、特に縦型熱処理炉とその中で使用されるライナーとに関する。 The present invention generally relates to a semiconductor substrate processing apparatus, and more particularly to a vertical heat treatment furnace and a liner used therein.
一般に、熱処理炉または反応炉は、シリコン集積回路のいくつかの製造段階において半導体ウェーハのバッチ処理に使用されている。炉が使用されうる処理工程として、酸化、拡散、アニール、および化学気相成長(CVD chemical vapor deposition)とパルス式原子層堆積(ALD pulsed atomic layer deposition )とが挙げられる。 In general, heat treatment furnaces or reaction furnaces are used for batch processing of semiconductor wafers in several manufacturing stages of silicon integrated circuits. Processing steps in which the furnace may be used include oxidation, diffusion, annealing, and chemical vapor deposition (CVD) and pulsed atomic layer deposition (ALD pulsed atomic layer deposition).
従来の縦型熱処理炉は、電源から給電される熱抵抗性加熱コイルを含みうる。この加熱コイルの内側に、ベルジャー形状の外側反応管とこの外側反応管内に同軸に配設された内側反応管とを配設しうる。内側反応管は一般にライナーと称される。外側反応管の下端は開放端にしうるが、外側反応管の上端は、一般にドーム形構造によって、閉じられうる。ライナーは、その下端と上端の両方を開放端にしうる。外側反応管とライナーの両方の下端はフランジに支持されうる。フランジは、ライナーの内側によって形成された反応室に複数のウェーハを保持したウェーハボートが出入りするときに通過しうる中心炉口を画成しうる。ウェーハボートは熱絶縁性の台座に支持されうる。この台座は、フランジの中心炉口を封鎖するために機能しうるドアプレートに支持されうる。フランジには、ライナーの内側に配設されたガスインジェクタに接続されるガス供給導管と、ライナーの外壁と外側反応管の内壁との間に存在するガス流路の下端に真空ポンプを接続する際に介在しうるガス排出導管とをさらに設けうる。 A conventional vertical heat treatment furnace may include a heat resistant heating coil fed from a power source. A bell jar-shaped outer reaction tube and an inner reaction tube disposed coaxially in the outer reaction tube can be disposed inside the heating coil. The inner reaction tube is commonly referred to as a liner. The lower end of the outer reaction tube can be an open end, but the upper end of the outer reaction tube can be closed by a generally dome-shaped structure. The liner can be open at both its lower and upper ends. The lower ends of both the outer reaction tube and the liner can be supported on the flange. The flange may define a central furnace port through which a wafer boat holding a plurality of wafers enters and exits a reaction chamber formed by the inside of the liner. The wafer boat can be supported on a thermally insulating pedestal. This pedestal can be supported on a door plate that can function to seal the central furnace port of the flange. When connecting a vacuum pump to the flange, a gas supply conduit connected to a gas injector disposed inside the liner and a lower end of a gas flow path existing between the outer wall of the liner and the inner wall of the outer reaction tube And a gas discharge conduit that may be interposed between the gas exhaust line and the gas exhaust line.
運転時、ウェーハボートは反応室に導入され、次に反応室が排気されうる。その後、プロセスガスがガス供給導管とガスインジェクタとを経由して反応室に供給されうる。プロセスガスは内側反応管の内部に設けられたウェーハに接触しながら、内側反応管内を上方に流れうる。プロセスガスは内側反応管の上端を出て外側反応管の閉じた上端に達すると、その方向を反転し、内側および外側反応管の間のガス流路を通って下方に流れ、真空ポンプによって反応室からガス排出導管を経由して排出されうる。 In operation, the wafer boat can be introduced into the reaction chamber and then the reaction chamber can be evacuated. Thereafter, process gas can be supplied to the reaction chamber via a gas supply conduit and a gas injector. The process gas can flow upward in the inner reaction tube while contacting a wafer provided in the inner reaction tube. When the process gas exits the upper end of the inner reaction tube and reaches the closed upper end of the outer reaction tube, it reverses its direction and flows downward through the gas flow path between the inner and outer reaction tubes and reacts by a vacuum pump. It can be discharged from the chamber via a gas discharge conduit.
熱処理炉に伴う一般的な問題は、細かい粒子による反応室雰囲気の汚染である。処理中のウェーハ上に到達した粒子は、製造に用いられるダイを動作不能にしうる。反応室雰囲気の汚染は、さまざまな原因を有しうる。 A common problem with heat treatment furnaces is contamination of the reaction chamber atmosphere with fine particles. Particles that reach the wafer being processed can render the die used for manufacturing inoperable. Contamination of the reaction chamber atmosphere can have a variety of causes.
特許文献1は、石英製ベルジャー形外側反応管のドームは加熱されたときに著しい数の微粒子を発生させるという考えを表明している。運転時、これらの粒子が内側反応管の上部開放端に入り、そこからウェーハボートとこれに支持されているウェーハの上に落ちる可能性がある。これを防止するために、特許文献1は、内側反応管の上端に配設されるカバーの使用を教示している。このカバーは、ドームから内側反応管の内部に落ちる粒子の大半を阻止する一方で、プロセスガスの十分な上昇流の通過を可能にするために、複数の渦巻状通路など複数の開口を含みうる。 Patent Document 1 expresses the idea that the dome of a quartz bell jar type outer reaction tube generates a significant number of fine particles when heated. In operation, these particles can enter the upper open end of the inner reaction tube and fall from there onto the wafer boat and the wafers supported by it. In order to prevent this, Patent Document 1 teaches the use of a cover disposed at the upper end of the inner reaction tube. This cover may include multiple openings, such as multiple spiral passages, to prevent the majority of particles falling from the dome into the interior of the inner reaction tube, while allowing sufficient upward flow of process gas. .
特許文献2は、汚染源候補として熱処理炉の炉口部、より具体的には炉口部のOリングの脱ガス、シールからの漏れ、およびウェーハボート回転機構を特定している。炉口部は反応室内においてプロセスガス流の上流に位置するため、反応室に導入されるプロセスガスは、炉口部の上記汚染源によって生成された汚染物質のキャリアとして働きうる。したがって、これらの汚染物質は反応室内に存在する何れのウェーハにも堆積および/または付着しうる。これにより膜の成長が妨げられ、プロセス反応が抑止され、膜質低下の原因が形成されうることは言うまでもない。反応室の汚染を防止するために、特許文献2は、炉内の炉口部側の反応室と炉口部空間との間に配設される逆拡散防止体の使用を教示している。また、2つの個別に動作可能なガス排気系、すなわち、プロセスガスを反応室から排出するためのプロセスガス排気系と、パージガスを炉口部空間から排出するためのパージガス排気系と、が設けられる。これにより、汚染源となる炉口部が逆拡散防止体により反応室から切り離される一方で、反応室と炉口部空間の両方にそれぞれ専用のガス流管理機構が設けられる。これらの特徴をこのように組み合わせたことにより、炉口部空間から反応室への、さらにはウェーハへの、汚染物質の拡散の防止が可能になる。
出願者の熱処理炉の性能をさらに向上させるための出願者による研究により、反応室雰囲気の汚染原因として未だ認識されていない別の汚染原因が存在することが明らかになった。 Applicant's work to further improve Applicant's heat treating furnace performance has revealed that there are other sources of contamination that are not yet recognized as sources of contamination in the reaction chamber atmosphere.
この汚染源は、フランジとガス排出導管とを含む相対的に冷たい炉下部を経由してプロセスガスが排出されるときに、プロセスガスが堆積物を形成する傾向があるという事実に部分的にあると思われる。例えば、二酸化ケイ素(SiO2)膜の低圧化学気相成長において前駆体として用いられうるTEOS(オルトケイ酸テトラエチルSi(OC2H5)4)が反応副生成物と共に反応室から排出されるときに、固体および/または粘液状の副生成物の形成が観察される。これらの副生成物は、炉の下流部における低温での複合化学(表面)反応の結果であり、フランジ上とガス排出導管内とに堆積する。炉の下流部での堆積物の蓄積が報告されている別のプロセスは、シリコン窒化物の低圧化学気相成長である。 This source of contamination is partly due to the fact that process gas tends to form deposits when it is exhausted via a relatively cool lower furnace section that includes flanges and gas exhaust conduits. Seem. For example, when TEOS (tetraethylorthosilicate Si (OC 2 H 5 ) 4 ), which can be used as a precursor in low-pressure chemical vapor deposition of a silicon dioxide (SiO 2 ) film, is discharged from the reaction chamber together with reaction byproducts. The formation of solid and / or viscous liquid by-products is observed. These by-products are the result of low temperature combined chemical (surface) reactions in the downstream part of the furnace and accumulate on the flange and in the gas exhaust conduit. Another process that has been reported to deposit deposits downstream of the furnace is low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride.
ガス排出路の下流端近く、すなわちフランジ上およびガス排出導管内、での副生成物の堆積自体は反応室の汚染を引き起こさない。ただし、ガス排出路の下流端に堆積した材料が巻き上げられ、再循環ガス流によってガス流路経由で反応室に輸送されうると思われる。熱処理炉の通常運転中は、複数のプロセスが一般に低圧で実施され、かつ真空ポンプによって圧力勾配がガス排出路に沿って与えられて維持されるため、このような再循環ガス流は発生しにくい。ただし、これらの要素が堆積物の逆流を防止しない状況が存在する。例えば、処理済みのウェーハを保持した1つのウェーハボートが反応室から排出された後に新しい一回分のウェーハを保持した別のウェーハボートが反応室に装填されるときに、反応室が大気圧になることもあり、真空ポンプのスイッチが一時的に切られることもある。新しい、相対的に冷たいウェーハボートとこれに保持された同様に冷たい未処理のウェーハとが相対的に暖かい反応室に導入されると、著しい温度勾配が反応室の内部に、特に外側反応管、ライナー、およびウェーハボートの間に、引き起こされうる。これらの温度勾配は圧力勾配を誘発しうるので、結果としてライナーの表面に対流が引き起こされうる。これらの対流は粒子を排出路の下流端からガス流路経由で反応室に輸送しうる。このようにして、粒子はウェーハ、特にウェーハボートの上端近くのウェーハ、に到達しうる。 By-product deposition itself near the downstream end of the gas exhaust path, ie on the flange and in the gas exhaust conduit, does not cause contamination of the reaction chamber. However, it appears that the material deposited at the downstream end of the gas discharge path can be rolled up and transported to the reaction chamber via the gas flow path by the recirculated gas flow. During normal operation of the heat treatment furnace, such a recirculated gas flow is unlikely to occur because multiple processes are generally performed at low pressure and a pressure gradient is provided and maintained along the gas discharge path by a vacuum pump. . However, there are situations where these elements do not prevent sediment backflow. For example, when one wafer boat holding processed wafers is ejected from the reaction chamber and another wafer boat holding a new batch of wafers is loaded into the reaction chamber, the reaction chamber is at atmospheric pressure. Sometimes the vacuum pump is temporarily switched off. When a new, relatively cool wafer boat and similarly cold unprocessed wafers held in it are introduced into the relatively warm reaction chamber, a significant temperature gradient is created inside the reaction chamber, in particular the outer reaction tube, It can be triggered between the liner and the wafer boat. These temperature gradients can induce pressure gradients and can result in convection on the surface of the liner. These convections can transport particles from the downstream end of the discharge path to the reaction chamber via the gas flow path. In this way, the particles can reach wafers, particularly those near the top of the wafer boat.
本発明の1つの目的は、ガス排出路の下流端に堆積した材料の上記逆流の問題が克服または軽減される熱処理炉を提供することである。 One object of the present invention is to provide a heat treatment furnace in which the above-described backflow problem of material deposited at the downstream end of the gas discharge path is overcome or reduced.
本発明の別の目的は、ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題を克服または軽減するように、従来の熱処理炉に(場合によっては本来設置されていたライナーの交換品として)設置されうるライナーを提供することである。 Another object of the present invention is to provide a conventional heat treatment furnace (possibly as a replacement for the liner originally installed) so as to overcome or reduce the problem of backflow of material deposited at the downstream end of the gas exhaust. It is to provide a liner that can be installed.
本発明の1つの側面は熱処理炉に関する。この熱処理炉は、中心軸を有する略ベルジャー形状の外側反応管を含みうる。この熱処理炉は、複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式の内側反応管をさらに含みうる。内側反応管は、外側反応管の内部にほぼ同軸に配設され、内側反応管の外壁と外側反応管の内壁との間にガス流路を画成する。内側反応管の外壁および外側反応管の内壁の少なくとも一方に、当該壁から半径方向にガス流路内に突出する流れデフレクタが設けられうる。 One aspect of the present invention relates to a heat treatment furnace. The heat treatment furnace can include a substantially bell jar shaped outer reaction tube having a central axis. The heat treatment furnace may further include an open-ended inner reaction tube for accommodating a wafer boat holding a plurality of substrates. The inner reaction tube is disposed substantially coaxially inside the outer reaction tube, and defines a gas flow path between the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube. At least one of the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube may be provided with a flow deflector that protrudes radially from the wall into the gas flow path.
本発明の別の側面は、二重管式の熱処理炉に設置して使用される内側反応管に関する。この内側反応管は、中心軸を有する略管状の壁を備えうる。この管状壁に、そこから半径方向外側に突出する流れデフレクタを設けうる。 Another aspect of the present invention relates to an inner reaction tube used by being installed in a double tube heat treatment furnace. The inner reaction tube can comprise a generally tubular wall having a central axis. The tubular wall may be provided with a flow deflector projecting radially outward therefrom.
本発明による熱処理炉においては、外側反応管の内壁および/またはライナーの外壁に流れデフレクタを設けうる。この流れデフレクタは、適した形態(例えば1つ以上の突起、隆起、(カンチレバー状の)そらせ板など)であれば何れの形態でもよく、当該壁からガス流路内に、炉の中心軸からほぼ半径方向に、突出しうる。この流れデフレクタの第一の目的は、汚染粒子を担持してガス流路を上方に反応室に向かう、やや乱流的または不規則な、ガス流を阻止する、例えば偏向させる、または弱める、ことである。 In the heat treatment furnace according to the present invention, a flow deflector can be provided on the inner wall of the outer reaction tube and / or the outer wall of the liner. The flow deflector can be of any suitable form (eg, one or more protrusions, ridges, (cantilever-like) deflector plates, etc.) from the wall into the gas flow path and from the furnace central axis. It can protrude almost radially. The primary purpose of this flow deflector is to carry pollutant particles and move the gas flow path upwards into the reaction chamber, somewhat turbulent or irregular, to block, eg deflect or weaken the gas flow. It is.
1つの実施形態においては、ガス流路内を中心軸の上向き方向に流れるガス流が、中心軸に対するガス流の角度位置に拘らず、上記流れデフレクタによって少なくとも1回阻止されるように、流れデフレクタは―中心軸の方向に見て―内側反応管を取り巻きうる。 In one embodiment, the flow deflector is such that the gas flow flowing in the upward direction of the central axis in the gas flow path is blocked at least once by the flow deflector regardless of the angular position of the gas flow with respect to the central axis. Can—in the direction of the central axis—can surround the inner reaction tube.
別の実施形態において、流れデフレクタは、ガス流の十分な阻止を保証するように、当該壁から半径方向に、ガス流路の局所的幅の少なくとも75%の距離だけ、突出しうる。流れデフレクタが内側反応管を取り巻く一実施形態において、流れデフレクタは、好ましくは、ガス流路の局所的幅の75%の上記距離だけ、少なくとも1周にわたって当該壁から突出しうる。 In another embodiment, the flow deflector can protrude radially from the wall by a distance of at least 75% of the local width of the gas flow path to ensure sufficient blockage of the gas flow. In one embodiment where the flow deflector surrounds the inner reaction tube, the flow deflector may preferably protrude from the wall over at least one turn by the above distance of 75% of the local width of the gas flow path.
さらに別の実施形態において、ガス流路の軸線方向に延在して全体としてその全長をカバーする等しい長さの3つの部分の全てに流れデフレクタが延在する(すなわち存在)するように、流れデフレクタは内側反応管の軸線方向の長さに沿って延在するか、または内側反応管の軸線方向の長さ全体にわたって分散しうる。ガス流路の軸線方向の長さ全体にわたってこのような流れデフレクタを分散または拡張すると、流れデフレクタが存在しない場合に上方に向かう強いガス流が発達しうる軸線方向のガス流路部分の大きさを最小化するために役立つ。 In yet another embodiment, the flow deflector extends (ie, exists) in all three equal length sections that extend in the axial direction of the gas flow path and cover the entire length of the gas flow path as a whole. The deflector can extend along the axial length of the inner reaction tube or can be distributed over the entire axial length of the inner reaction tube. Dispersing or expanding such a flow deflector over the entire axial length of the gas flow path reduces the size of the axial gas flow path section where a strong upward gas flow can develop in the absence of the flow deflector. Help to minimize.
本発明の上記および他の特徴および利点は、本発明を限定ではなく例示することを目的とした添付図面と組み合わせた、本発明の特定の実施形態についての以下の詳細な説明からさらに深く理解されるであろう。 The above and other features and advantages of the present invention will be more fully understood from the following detailed description of specific embodiments of the invention, taken in conjunction with the accompanying drawings, which are intended to illustrate the invention rather than to limit it. It will be.
本発明による熱処理炉およびそのライナーによれば、ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題が克服または軽減される。 The heat treatment furnace and its liner according to the present invention overcome or reduce the problem of backflow of material deposited at the downstream end of the gas exhaust passage.
図1は、本発明による例示的縦型熱処理炉または反応炉1を側断面図で模式的に示す。炉1は、二重管式であり、略ベルジャー形状の外側反応管30と開端式内側反応管40とを含む。内側反応管40は、ライナーとも称されうる。外側反応管30は、電源(図示せず)によって給電される熱抵抗性加熱コイル22などの加熱手段によって囲まれうる。加熱手段は、外側反応管30を囲む熱絶縁性スリーブ(図示せず)にさらに固定されうる。両反応管30、40は、略管状、例えば円形または多角形の、断面形状を有しうる。内側の管40の外径は、外側反応管30の内径より小さくしうる。したがって、内側反応管40は、外側反応管30の内部に少なくとも部分的に配設可能であり、共通の中心軸Lの周囲に外側反応管30とほぼ同軸に延在しうる。外側反応管30の内壁32と内側反応管40の外壁41との間にガス流路20が画成されうる。反応管30、40が同様の断面形状を有する場合、ガス流路20はその軸線方向の長さに沿って均一な幅を有し得る。このガス流路の(平均)幅は、一般に数センチメートル台、例えば1〜5センチメートルの範囲内、にしうる。両管30、40は、石英、炭化ケイ素、シリコン、または別の適した耐熱材料で作製されうる。
FIG. 1 schematically shows an exemplary vertical heat treatment furnace or reactor 1 according to the invention in a side sectional view. The furnace 1 is a double tube type and includes a substantially bell jar-shaped
図1に示す構成において、内側反応管40は、ウェーハボート26を受け入れ可能な反応室2の境界を定めうる。外側および内側の両反応管30、40は、それぞれの下端において、フランジ8に支持されうる。フランジ8はステンレス鋼で作製されうる。ウェーハボート26は、フランジ8に設けられた中心炉口10を通って反応室2に進入および/または退出しうる。複数の、例えば50と150の間の、半導体ウェーハ27を保持するために同数のスロットを含みうるウェーハボート26は、(スリーブレス)台座28に搭載されうる。台座28自体はシールキャップまたはドアプレート12に搭載されうる。台座28は、ドアプレート12とフランジ8の両方に対して熱シールドとして機能し、炉1の下部からの熱損失を減らしうる。一部の実施形態において、ウェーハボート26と台座28とはモータ手段(図示せず)により回転可能にしうる。
In the configuration shown in FIG. 1, the
反応室2を確実に気密に密閉するために、いくつかの弾性Oリング14を炉1の下部に、特に外側反応管30とフランジ8の間、およびフランジ8とドアプレート12の間に、使用しうる。弾性Oリングおよび他の密封機構は頻繁または連続的に高温にさらされることによりその信頼性が低下しうるので、炉1の下部は好ましくは反応室2の中心部および上部の温度より低温に維持されうる。
Several elastic O-
炉1は、ガスインジェクタ4をさらに含みうる。ガスインジェクタ4は反応室2の内部に配設され、ウェーハボート26の高さまたは軸線方向の長さ全体にわたって設けられた複数のガス噴出孔6を備えうる。ガス噴出孔6から反応室2内へのプロセスガス、例えば前駆体ガスおよび/またはパージガス、の導入を可能にするように、場合によってはガス供給導管18をフランジ8を介してガスインジェクタ4に接続しうる。
The furnace 1 may further include a
反応室2からガスを放出または排出するために、ガス排出導管16をガス流路20の下端または下流端に、場合によっては(図1に模式的に示されているように)フランジ8を介して、連通させうる。真空ポンプ24の吸い込み側にガス排出導管16の下流端を接続しうる。
In order to release or discharge gas from the
通常運転中、ガスインジェクタ4の孔6から反応室2に導入されたガスは、反応室の内部をほぼ上方に流れる。ガスは内側の管40の上端開口部で向きを変え、次に外側および内側の管30、40の間のガス流路20を通って下方に流れて真空ポンプ24に接続されたガス排出導管16に向かう。図1では、このガス排出路は参照符号21で示されている。排出中、反応性ガスは、相対的に冷たい炉1の下部、すなわちフランジ8とガス排出導管16(図1の実施形態ではフランジ8の一部)とを含む部分、を通過するときに堆積物を形成しうる。
During normal operation, the gas introduced into the
ガス排出路21の下流端近くでの副生成物の堆積はそれ自体では反応室2の汚染を引き起こさない。ただし、特定の条件下において、ガス排出路21の下流端に堆積した材料が巻き上げられ、再循環ガス流によってガス流路20を経由して反応室2に輸送されうる。例えば、処理済みのウェーハ27を保持した1つのウェーハボート26が反応室2から排出された後に新しい一回分のウェーハ27を保持した別のウェーハボートが反応室2に装填されるときに、反応室2が大気圧になることもあり、真空ポンプ24のスイッチが一時的に切られることもある。新しい、相対的に冷たいウェーハボート26とこれに保持された同様に冷たい未処理のウェーハ27とが相対的に暖かい反応室2に導入されると、著しい温度勾配が反応室の内部に、特に外側反応管40、内側反応管30、およびウェーハボート26の間に、引き起こされうる。これらの温度勾配は圧力勾配および/またはガス密度勾配を誘発しうるので、結果として内側反応管30の表面に対流が引き起こされうる。これらの対流は粒子を排出路21の下流端からガス流路20を経由して反応室2に輸送しうる。このようにして、粒子はウェーハ27、特に新しく導入されたウェーハボート26の上端近くに配設されたウェーハ27、に到達しうる。
By-product accumulation near the downstream end of the
このような堆積物の逆流を防ぐために、内側反応管40の外壁41および/または外側反応管30の内壁32に流れデフレクタ50を設けうる。流れデフレクタ50は、当該壁からガス流路20内に、反応管30、40の中心軸Lに対してほぼ半径方向に、突出しうる。
In order to prevent such a backflow of deposits, a
図1の加熱炉1には、ガス流路20内に半径方向に突出する単一の環状そらせ板52の形態の流れデフレクタ50が外側反応管30と内側反応管40の両方に設けられている。これらの流れデフレクタ50は、ガス流路20の軸線方向の長さのほぼ中間地点に、ガスが通過しうる狭いZ字形状のギャップをデフレクタ自体と壁32、41との間に画成するようにデフレクタ同士を十分に近接させて設けられている。中心軸に対するガス流の角度位置に拘らず、ガス流路20内の中心軸Lの方向へのガス流を必然的に阻止するように、これらの流れデフレクタ50のそらせ板52は内側反応管40を取り巻くか、または取り囲む。
In the heating furnace 1 of FIG. 1, a
図1の実施形態における環状そらせ板52が内側反応管40を取り巻くことは明らかであろう。ただし、より精巧な流れデフレクタの実施形態を視野に入れると、以下に注目される。流れデフレクタが内側反応管40を(少なくとも1回)取り巻くか否かは、二重管構造30、40を中心軸Lの方向に見ることによって最適に判断されうる。このように軸線方向に見ると、内側の管40を取り巻く流れデフレクタが通常見え、軸線Lの周囲360°の角度にわたって延在することが分かる。したがって、内側の管40を取り巻くために、図1のそらせ板52のように、流れデフレクタを単一の軸線方向位置において管40の周囲に延在させる必要はない。流れデフレクタを単一の部品で構成する必要もない。図2および図3を参照して説明するように、上で定義された意味で内側の管40を全体として取り巻く、それぞれ異なる軸線方向位置に設けられうる複数の部品、例えば複数のそらせ板、で流れデフレクタを構成しうる。
It will be apparent that the
逆流の効率的阻止を保証するために、好ましくは流れデフレクタ50をガス流路20内に十分深くまで突出させてもよい。厳密には「十分に深く」とは、特にガス流路20の(局所的)幅、すなわち外側反応管30の内壁32と内側反応管40の外壁41との間の(局所的)距離、に応じて異なりうる。一般的に、流れデフレクタ50は、好ましくは、流れデフレクタ50が設けられる壁から半径方向に、ガス流路20の局所的幅の少なくとも75%の半径方向距離にわたって突出しうる。例えば、外側および内側反応管30、40が中心軸Lに沿って25ミリメートルの均一幅を有するシリンダジャケット形状のガス流路20を画成する場合、流れデフレクタ50は、好ましくは少なくとも19ミリメートル(すなわち0.75×25mm)の半径方向距離だけガス流路20内に延在しうる。内側反応管40が僅かに、例えば5mm、軸外に配設されてガス流路20の幅が接線方向に20mmと30mmの間で変化する場合、流れデフレクタ50がガス流路20内に突出する距離は相応に、例えば15mmと23mmの間で、変動しうる。
The
外側および内側反応管30、40は、通常は個別に製造され、後段階で組み立てられて炉1の二重管構造が形成される。内側反応管40を外側反応管30内に慎重に移動させるこのような組み立てを可能にするには、少なくとも数ミリメートルの隙間がこの2つの構成要素間にあることが望ましい。この隙間は、好ましくは少なくとも2ミリメートル、より好ましくは2〜8ミリメートルの範囲内、にしうる。したがって、流れデフレクタは、好ましくは、ガス流路20の局所的幅から少なくとも2ミリメートル、または所望される隙間に応じて好ましくは2〜8ミリメートル、を引いた値以下の半径方向距離にわたって、流れデフレクタが設けられる壁から半径方向に突出しうる。
The outer and
上記のように、流れデフレクタは複数のそらせ板を備えうる。これらのそらせ板は外側および/または内側反応管30、40の壁32、41に設けられうる。次に図2および図3を参照して、このような流れデフレクタ50のいくつかの実施形態を説明する。なお、図2および図3に示されている実施形態においては、流れデフレクタ50のそらせ板52はライナー40の外壁41に設けられており、ライナーは単独で示されていることに予め留意されたい。ただし、当業者は同様のそらせ板パターンを、代わりに、またはさらに、外側反応管30の内壁32にも設けうることを理解されるであろう。
As described above, the flow deflector can comprise a plurality of baffles. These baffles can be provided on the
図2は、ライナー40の2つの実施形態を模式的に示す。各実施形態は、それぞれ異なる軸線方向位置においてライナーの外壁41から半径方向に突出し、かつライナーの外壁41に沿ってほぼ接線方向に延在する複数の同じそらせ板52を備えた流れデフレクタ50を特徴とする。この2つの実施形態はいくつかの特性を共有する。
FIG. 2 schematically illustrates two embodiments of the
両実施形態において、各そらせ板52は中心軸Lに対して約35度の角度αにわたって接線方向にライナー40の外壁41に沿って延在する。ただし、他の実施形態においては、少なくとも一部のそらせ板52の角度範囲αは、35度より小さくても大きくてもよく、例えば10〜90度の範囲内にしうると考えらる。さらに、両実施形態のそらせ板52は、ほぼ接線方向に延在する、すなわち、軸線方向Lには全く、または少なくとも大きくは、延在しない。ただし、他の実施形態においては、1つ以上のそらせ板52を接線方向成分と軸線方向成分の両方を有する方向に外壁41に沿って延在させうる(図3の実施形態を参照のこと)。
In both embodiments, each
図2のどちらの実施形態においても、そらせ板52は、等距離に相隔てられた、ライナー40の軸線方向の長さまたは高さにわたって散在する離散数(6)の軸線方向位置に配設されている。この結果、ライナー40が図1と同様の加熱炉1に組み込まれると、流れデフレクタ50は、少なくとも、ガス流路20の軸線方向に延在して全体としてガス流路20の全長をカバーする3つの等しい長さの部分(例えば図示の向きにおいては、ガス流路20の下部、中間部、および上部)の全てに延在するように、ガス流路20の全長にわたってほぼ均一に分散される。
In either embodiment of FIG. 2,
図2の各実施形態における各軸線方向位置は、接線方向に等距離に相隔てられた同数のそらせ板52、すなわち図2Aの実施形態では6つ、図2Bの実施形態では3つ、から成る連なりを特徴とする。したがって、それぞれ異なる軸線方向位置におけるそらせ板52の構成は同じであるが、特定の軸線方向位置に存在するそらせ板の連なりは隣接する軸線方向位置に存在するそらせ板の連なりに対して回転方向に位置がずれている。それぞれ異なる軸線方向位置に存在するそらせ板52の連なりは、互いに回転方向に位置がずれており、軸線方向Lに見ると、流れデフレクタ50が―すなわち全てのそらせ板52を一体として考えると―ライナー40を完全に取り巻くように、(軸線方向Lに見て)互いに部分的に重なり合いうる。実際に、そらせ板52はライナー40を複数回取り巻くと見なされうる。図2Aの実施形態においては、(軸線方向に)隣接するそらせ板52の連なりは各2つの連なりが全体としてライナー40を取り巻き、図2Bの実施形態においては、隣接する4つの軸線方向位置から成る各セットのそらせ板52は全体として完全に一周している。
Each axial position in each embodiment of FIG. 2 consists of the same number of
ライナー40を複数回を取り巻くように流れデフレクタ50が構成されている事実により、ライナー40の外壁41に沿って軸線方向Lに移動するガス流は、流れデフレクタ50のさまざまなそらせ板52によって複数回阻止されうる。さらに、流れデフレクタ50はライナー40の軸線方向の長さ全体にわたってほぼ均一に分散されているため、そらせ板52がなく、そのために相対的に強い逆流を発達させやすい軸線方向に延在する外壁41部分が特にない。代わりに、流れデフレクタ50は、軸線方向に向かって発達して堆積物を輸送しうる流れを散乱させる複数の流れ遮断/偏向そらせ板52で構成された迷路のようなもとして見なされうる。
Due to the fact that the
図3は、本発明によるライナー40の別の2つの例示的実施形態を模式的に示す。図示されている両ライナー40は、中心軸Lを中心としてライナーの外壁41に沿って螺旋状に延在するいくつかのそらせ板52を含む流れデフレクタ50を特徴とする。各そらせ板52がライナー40の軸線方向の長さのほぼ全体に沿って延在するため、ライナー40が図1に示されているように加熱炉に組み込まれると、流れデフレクタ50は、ガス流路20の軸線方向に延在して全体としてガス流路20の全長をカバーする3つの等しい長さの部分の全てに確実に延在する。
FIG. 3 schematically shows two other exemplary embodiments of a
図3Aの実施形態のライナー40は4つのそらせ板52を含み、図3Bの実施形態のライナーは2つのそらせ板のみを含む。両実施形態のそらせ板52は、中心軸Lの方向に見て、流れデフレクタ50がライナー40を取り巻くように配置される。さらに、そらせ板52の数は、両実施形態において、中心軸の方向に見て、中心軸Lに対する単一のそらせ板52の角度範囲αに関係する。例えば、図3Aの4つのそらせ板を有する実施形態においては、各そらせ板52の角度範囲αは(360/4=)90度であり、図3Bの2つのそらせ板を有する実施形態においては、各そらせ板の角度範囲αは(360/2=)180度である。一般的に、螺旋状に延在するそらせ板52を複数個n含む流れデフレクタ50では、中心軸Lに対する各そらせ板の角度範囲は少なくとも360/n度であるので、逆流防止のために極めて有効に見える。特に、設ける必要があるそらせ板の数nが相対的に少ない、例えば4つ以下、であるため、そらせ板52は経済的にも製造されうる。
The
逆流防止の観点から、相対的に多数のそらせ板52を有する流れデフレクタ50を構成および使用したくなりうる。ただし、多数のそらせ板52は、排出路21に沿った流れ抵抗の増加を意味しうるため、熱処理炉1の真空ポンプ24に対する要求が増大しうる。図3に示すように控えめな数の螺旋状に延在するそらせ板52(すなわち最大4つのそらせ板)の存在により引き起こされる流れ抵抗の増加は相対的に小さく、大半の用途にとって実質的に問題にならないことが数値シミュレーションにより示された。
From the perspective of preventing backflow, it may be desirable to configure and use a
本発明の例示的実施形態について一部添付図面を参照して上で説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。当業者は図面、開示内容、および添付の特許請求の範囲を検討することによって、開示された実施形態の変形例を理解し、本願発明の実施の際に実現可能である。本明細書の全体にわたって「1つの実施形態」または「一実施形態」への言及は、その実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体にわたってさまざまな箇所での「1つの実施形態において」または「一実施形態において」という句の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているとは限らない。さらに、1つ以上の実施形態の特定の特徴、構造、または特性は、新しい、明示されていない実施形態を形成するために何れか適した方法で組み合わせうる。 Although exemplary embodiments of the present invention have been described above with some reference to the accompanying drawings, it should be understood that the present invention is not limited to these embodiments. Those skilled in the art will understand variations of the disclosed embodiments by studying the drawings, the disclosure, and the appended claims, and can be implemented in the practice of the invention. Throughout this specification, reference to “an embodiment” or “an embodiment” refers to a particular feature, structure, or characteristic described in connection with that embodiment, which is at least one embodiment of the invention. It is included in. Thus, the appearances of the phrases “in one embodiment” or “in one embodiment” in various places throughout this specification are not necessarily all referring to the same embodiment. Furthermore, the particular features, structures, or characteristics of one or more embodiments may be combined in any suitable manner to form new, unspecified embodiments.
1 熱処理炉/反応炉
2 反応室
4 ガスインジェクタ
6 ガス噴出孔
8 フランジ
10 中心炉口
12 ドアプレート
14 Oリング
16 ガス排出導管
18 ガス供給導管
20 ガス流路
21 ガス排出路
22 加熱コイル
24 真空ポンプ
26 ウェーハボート
27 基板/ウェーハ
28 台座
30 外側反応管
32 外側反応管の内壁
40 内側反応管/ライナー
41 内側反応管の外壁
50 流れデフレクタ
52 流れデフレクタのそらせ板
L 内側および外側の両反応管の中心軸
n 流れデフレクタのそらせ板の数
α 流れデフレクタのそらせ板の角度範囲
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat processing furnace /
Claims (17)
複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式内側反応管であって、前記内側反応管は前記外側反応管内にほぼ同軸に配設され、これにより前記内側反応管の外壁と前記外側反応管の内壁との間にガス流路が画成される、内側反応管と、
を備える熱処理炉において、
前記内側反応管の前記外壁と前記外側反応管の前記内壁の少なくとも一方に、当該壁から前記ガス流路内に半径方向に突出する流れデフレクタが設けられることを特徴とする熱処理炉。 A substantially bell jar shaped outer reaction tube having a central axis (L);
An open-end inner reaction tube for accommodating a wafer boat holding a plurality of substrates, wherein the inner reaction tube is disposed substantially coaxially in the outer reaction tube, whereby the outer wall of the inner reaction tube and the outer wall An inner reaction tube in which a gas flow path is defined between the inner wall of the reaction tube;
In a heat treatment furnace comprising:
At least one of the outer wall of the inner reaction tube and the inner wall of the outer reaction tube is provided with a flow deflector that projects radially from the wall into the gas flow path.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016178136A (en) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
CN110791749A (en) * | 2019-12-09 | 2020-02-14 | 苏州拓升智能装备有限公司 | Inter-electrode isolation structure, vapor deposition apparatus, and graphite boat |
JP2020027941A (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | Vertical furnace for substrate processing and liner used therein |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11791176B2 (en) | 2018-10-28 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with annealing mini-environment |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4638762A (en) * | 1985-08-30 | 1987-01-27 | At&T Technologies, Inc. | Chemical vapor deposition method and apparatus |
JPH01241819A (en) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Device for heat-treating substrate |
JPH0468528A (en) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Tokyo Electron Sagami Ltd | Vertical heat treatment apparatus |
JPH04157716A (en) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Nec Corp | Vapor growth apparatus |
JPH04192519A (en) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Corp | Vertical process for semiconductor heat processing tube structure |
JPH06208958A (en) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | Thin film forming device |
JPH0778771A (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Semiconductor thin film vapor growth method and device |
JPH09260300A (en) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Kokusai Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JP2002043229A (en) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor manufacturing device |
JP2003257872A (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | Cooling device and thermal treating device using the same |
US20100064970A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Samsung Electronics Co., Ltd | Apparatus and method of forming semiconductor devices |
-
2012
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- 2012-01-20 JP JP2012023474A patent/JP2012156510A/en active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4638762A (en) * | 1985-08-30 | 1987-01-27 | At&T Technologies, Inc. | Chemical vapor deposition method and apparatus |
JPH01241819A (en) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Device for heat-treating substrate |
JPH0468528A (en) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Tokyo Electron Sagami Ltd | Vertical heat treatment apparatus |
JPH04157716A (en) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Nec Corp | Vapor growth apparatus |
JPH04192519A (en) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Corp | Vertical process for semiconductor heat processing tube structure |
JPH06208958A (en) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | Thin film forming device |
JPH0778771A (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Semiconductor thin film vapor growth method and device |
JPH09260300A (en) * | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Kokusai Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JP2002043229A (en) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor manufacturing device |
JP2003257872A (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | Cooling device and thermal treating device using the same |
US20100064970A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Samsung Electronics Co., Ltd | Apparatus and method of forming semiconductor devices |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016178136A (en) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
JP2020027941A (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | Vertical furnace for substrate processing and liner used therein |
CN110828331A (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | Asm Ip控股有限公司 | Shaft furnace for processing substrate and liner tube used therein |
JP7467045B2 (en) | 2018-08-09 | 2024-04-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | Vertical furnace for treating substrates and liners for use therein |
CN110828331B (en) * | 2018-08-09 | 2024-05-10 | Asmip控股有限公司 | Shaft furnace for treating substrates and liner tube therefor |
CN110791749A (en) * | 2019-12-09 | 2020-02-14 | 苏州拓升智能装备有限公司 | Inter-electrode isolation structure, vapor deposition apparatus, and graphite boat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120085210A (en) | 2012-07-31 |
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