JP2012004224A - 電子部品接合体の製造方法及び電子部品接合体 - Google Patents

Abstract

【課題】接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得る電子部品接合体の製造方法の提供。
【解決手段】電子部品接合体を製造する方法で、基板又は他の電子部品３の表面絶縁層２上に、接着剤４を塗布する工程（１）と、電子部品３を積層する工程（２）と、フィレットを形成する工程（３）と、接着剤４を硬化する工程（４）とを有し、工程（４）の後の接着剤厚みをｄｔ、電子部品３の厚みをＤｅ、外周長さをＬ、接合する領域の面積をＡ、接合する領域から開口部までの距離の平均値をＤｄ、工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、工程（２）の直後に接着剤４が濡れ拡がる領域の面積をＳ、工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。（ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ），（ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ）
【選択図】図１

Description

本発明は、接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得ることのできる電子部品接合体の製造方法に関する。また、本発明は、該電子部品接合体の製造方法を用いて製造される電子部品接合体に関する。

半導体パッケージの製造においては、例えば、接着剤を用いて、半導体チップ等の電子部品同士、又は、電子部品と基板とを接合する工程が行われる。ところが、従来、接着剤を硬化する際に接着剤中に含まれる液状成分が滲み出す、いわゆるブリード現象が発生し、滲み出した液状成分が基板又は電子部品の電極部等を汚染して、半導体パッケージの信頼性を低下させることが問題となっている。

ブリード現象の抑制を目的とした接着剤として、例えば、特許文献１には、特定構造で表される数平均分子量が６００〜１０００であるエポキシ樹脂等を含有する絶縁ペーストが記載されている。また、特許文献２には、常温で液状であるエポキシ樹脂、末端基として特定構造で表される二級アミノ基を少なくとも１個以上有するポリエーテル系化合物等を含有する液状エポキシ樹脂組成物が記載されており、この液状エポキシ樹脂組成物を、フリップチップを用いた半導体パッケージのアンダーフィル材に用いることが記載されている。更に、特許文献３には、少なくとも１種類以上の熱硬化性樹脂であるアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物等を含有し、２５℃における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓである半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物が記載されている。

しかしながら、近年ますます半導体パッケージの小型化が求められており、より厳密にブリード現象を抑制する必要性が高まっている。すなわち、半導体パッケージの小型化に伴い、例えば、基板又は電子部品において、電子部品を接合する領域から電極部までの距離が短くなっていることから、より厳密にブリード現象を抑制しなければ、電極部が汚染されてワイヤーボンディング不良等が発生することがある。

また、このように基板又は電子部品において、電子部品を接合する領域から電極部までの距離が短くなっていることにより、電子部品を接合するために用いられる接着剤のはみ出し部分、いわゆるフィレットと呼ばれる部分の体積、形状等を調整することも重要となっている。例えば、特許文献４には、半導体チップを基板又は他の半導体チップに接合する方法であって、半導体チップと基板との間又は半導体チップ間に接着剤組成物を塗布し、室温又は硬化に適した条件で接着剤組成物をアンダーフィル材と同様に拡がらせて充填し、かつ、半導体チップ側面へ接着剤組成物のはい上がり（フィレット）を形成させない方法が記載されている。

しかしながら、特許文献４に記載の方法では、フィレットの形成が不充分かつ厳密に制御できないことから、温度サイクル試験等の熱履歴がかかる際に、充分な信頼性が確保できないという懸念がある。また、特許文献４には、詳細な接合方法、使用する接着剤等については充分に記載されておらず、フィレットの体積、形状、ブリード現象による液状成分の滲み出し等を厳密に制御し、基板又は電子部品の電極部等の汚染を充分に抑制することのできる新たな方法が求められている。

特開２０００−１７８３４２号公報 特開２００９−２５６５８３号公報 特開２００８−２８３１９９号公報 米国特許第７６４５６３７号明細書

本発明は、接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得ることのできる電子部品接合体の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該電子部品接合体の製造方法を用いて製造される電子部品接合体を提供することを目的とする。

本発明は、電子部品と、基板又は他の電子部品とを接合して電子部品接合体を製造する方法であって、電極部と、前記電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板又は他の電子部品の前記表面絶縁層上に、接着剤を塗布する工程（１）と、前記接着剤を介して、前記基板又は他の電子部品上に電子部品を積層する工程（２）と、前記接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する工程（３）と、前記接着剤を硬化する工程（４）とを有し、前記工程（４）の後の所望の接着剤厚みをｄｔとするとき、前記電子部品の厚みをＤｅ、前記電子部品の外周長さをＬ、前記電子部品を接合する領域の面積をＡ、前記電子部品を接合する領域から前記開口部までの距離の平均値をＤｄ、前記工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、前記工程（２）の直後に前記接着剤が濡れ拡がる領域の面積をＳ、前記工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う電子部品接合体の製造方法である。
（ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ）
（ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ）
以下、本発明を詳述する。

本発明の電子部品接合体の製造方法は、電子部品と、基板又は他の電子部品とを接合して電子部品接合体を製造する方法である。すなわち、本発明の電子部品接合体の製造方法では、基板に対して電子部品を接合してもよいし、例えば、基板に接合された電子部品等の他の電子部品に対して、更に電子部品を接合してもよい。

本発明の電子部品接合体の製造方法は、電極部と、電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板又は他の電子部品の表面絶縁層上に、接着剤を塗布する工程（１）と、上記接着剤を介して、上記基板又は他の電子部品上に電子部品を積層する工程（２）と、上記接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する工程（３）と、上記接着剤を硬化する工程（４）とを有する。
なお、本明細書においてフィレットとは、電子部品を接合する領域からの接着剤のはみ出し部分を意味し、電子部品を接合する領域とは、基板又は他の電子部品の表面絶縁層上の領域であって、本発明の電子部品接合体の製造方法によって接合される新たな電子部品が、接着剤を介して接する領域を意味する。また、本明細書において、電子部品を接合する領域からはみ出したフィレットの平均長さを、単にフィレットの平均長さといい、基板又は他の電子部品からのフィレットの平均高さを、単にフィレットの平均高さという。

通常、上記フィレットを形成することで、得られる電子部品接合体の接合信頼性を高めることができる。しかしながら、上記フィレットの体積が必要以上に増大すると、該フィレット又は上記接着剤の液状成分の滲み出しによって上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。これに対し、本発明者らは、上記工程（１）〜（４）を有する電子部品接合体の製造方法を、以下に示す式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行うことにより、上記基板又は他の電子部品の電極等の汚染を抑制しながら、信頼性の高い電子部品接合体が得られることを見出した。

本発明の電子部品接合体の製造方法は、前記工程（４）の後の所望の接着剤厚みをｄｔとするとき、前記電子部品の厚みをＤｅ、前記電子部品の外周長さをＬ、前記電子部品を接合する領域の面積をＡ、前記電子部品を接合する領域から前記開口部までの距離の平均値をＤｄ、前記工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、前記工程（２）の直後に前記接着剤が濡れ拡がる領域の面積をＳ、前記工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。
（ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ）
（ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ）

なお、本明細書において、電子部品を接合する領域から開口部までの距離の平均値Ｄｄとは、図２に示すように、基板又は他の電子部品５の表面絶縁層上において、電子部品を接合する領域６の各辺から、電子部品を接合する領域６の外周部に略平行に設けられている電極開口部（電極部１）の端へ垂直に引いた線の長さの平均値を意味し、平均値とは、電子部品を接合する領域６の四辺それぞれについて、電極開口部（電極部１）の端までの距離を測定し、得られた距離を平均した値を意味する。電子部品を接合する領域の同一辺に略平行に、複数の電極開口部が異なる距離で設けられている場合には、最も短い距離を採用する。

例えば、図２に示す基板又は他の電子部品の場合、電子部品を接合する領域から開口部までの距離の平均値Ｄｄは、下記式により求められる。
Ｄｄ＝（Ｄｄ１＋Ｄｄ２＋Ｄｄ３＋Ｄｄ４）／４
上記式中、Ｄｄ１、Ｄｄ２、Ｄｄ３及びＤｄ４は、それぞれ、電子部品を接合する領域の各辺から電極開口部の端へ垂直に引いた線の長さを表す。

また、本明細書において電子部品間距離ｄ１及びｄ２とは、電子部品同士を接合する場合には２つの電子部品の間の距離を意味し、電子部品と基板とを接合する場合には電子部品と基板との間の距離を意味する。

上記式（ｘ）について、図１を参照しながら説明する。なお、図１において、電子部品の厚みはＤｅ、電子部品を接合する領域の面積はＡ、電子部品を接合する領域から開口部までの距離の平均値はＤｄである。
図１（ａ）は、上記工程（２）の直後の状態の一例を模式的に示す断面図及び上面図である。図１（ａ）においては、接着剤４を介して、電極部１と、該電極部１に対応して開口部が形成された表面絶縁層２とを有する基板上に電子部品３が積層されており、このときの電子部品間距離はｄ１、接着剤４の濡れ拡がった領域の面積はＳである。

本発明の電子部品接合体の製造方法では、上記工程（２）の後、上記工程（３）を行うことにより、上記接着剤が濡れ拡がり、上記電子部品が沈み込んで電子部品間距離が縮まるとともに、上記接着剤が上記電子部品を接合する領域からはみ出して、フィレットを形成する。更に、続いて上記工程（４）を行うことによって上記接着剤が硬化し、電子部品接合体が得られる。ここで、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を抑制するためには、上記工程（３）において濡れ拡がる接着剤の体積を調整することが重要である。
図１（ｂ）は、上記工程（４）の後の状態の一例を模式的に示す断面図及び上面図である。図１（ｂ）においては、接着剤４が基板上の電子部品３を接合する領域からはみ出してフィレットを形成しており、このときの所望の接着剤厚みはｄｔである。図１（ｂ）においては、フィレットの平均長さは、電子部品を接合する領域から開口部までの距離の平均値Ｄｄと同一となっている。

上記式（ｘ）の左辺（ｄ１−ｄ２）×Ｓは、上記工程（２）の直後の接着剤（図１（ａ）参照）のうち、上記工程（３）において濡れ拡がる部分の体積を示す。上記式（ｘ）の右辺｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝は、上記工程（４）の後の接着剤（図１（ｂ）参照）のうち、上記電子部品が、その上面がフィレットの平均高さと同一となるまで接着剤中に沈み込む場合に、上記工程（３）及び（４）を経る過程で濡れ拡がる部分の体積を示す。
本発明の電子部品接合体の製造方法では、上記工程（４）の後の所望の接着剤厚みｄｔに応じて、上記式（ｘ）の左辺の値が右辺の値以下となるように、上記工程（３）において濡れ拡がる接着剤の体積を調整することにより、上記基板又は他の電子部品の電極等の汚染を抑制しながら、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。一方、上記式（ｘ）を満たさない場合には、形成されるフィレット又は上記接着剤からの液状成分の滲み出しによって上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生してしまう。

上記式（ｙ）について、図１を参照しながら説明する。
上記式（ｙ）の左辺（ｄ１−ｄ２）×Ｓは、上記式（ｘ）の左辺と同様に、上記工程（２）の直後の接着剤（図１（ａ）参照）のうち、上記工程（３）において濡れ拡がる部分の体積を示す。上記式（ｙ）の右辺（Ａ−Ｓ）×ｄ２は、上記工程（３）の直後の接着剤のうち、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤が行き渡る場合に、上記工程（３）において濡れ拡がる部分の体積を示す。
本発明の電子部品接合体の製造方法では、上記式（ｙ）の左辺の値が右辺の値を超えるように、上記工程（３）において濡れ拡がる接着剤の体積を調整することにより、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤を行き渡らせ、上記電子部品の側面にフィレットを形成して、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。なお、上記フィレットの平均高さは、上記電子部品の側面において、上記電子部品の厚み方向の１０〜９５％であることが好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。

上記工程（１）〜（４）において、例えば、使用する接着剤の組成及び物性、接着剤の塗布方法、電子部品の積層方法、接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する方法等を適宜調整することにより、本発明の電子部品接合体の製造方法を上記式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行うことができる。
以下、上記工程（１）〜（４）について説明する。

本発明の電子部品接合体の製造方法では、まず、電極部と、電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板又は他の電子部品の表面絶縁層上に、接着剤を塗布する工程（１）を行う。
上記基板又は他の電子部品は、電極部と、電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有していれば特に限定されず、上記他の電子部品として、例えば、半導体チップ等が挙げられる。

上記基板又は他の電子部品は、例えば、上記表面絶縁層上の電子部品を接合する領域から開口部までの距離が２５〜１０００μｍであってもよい。このような小型化された基板又は他の電子部品を用いる場合であっても、本発明の電子部品接合体の製造方法によれば、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を抑制しながら、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。更に、本発明の電子部品接合体の製造方法は、上記表面絶縁層上の電子部品を接合する領域から開口部までの距離が５０〜３００μｍである基板又は他の電子部品に対して、特に好適に用いられる。

上記接着剤を塗布する方法は特に限定されず、例えば、精密ノズルを取り付けたシリンジ等とディスペンサ等を組み合わせて用いて塗布する方法、ジェットディスペンサーを用いて塗布する方法、スクリーン印刷、インクジェット印刷等が挙げられる。

上記接着剤を塗布する領域は、上記電子部品を接合する領域の４０〜９０％であることが好ましい。
上記接着剤を塗布する領域が、上記電子部品を接合する領域の４０％未満であると、後の工程において、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤が行き渡らず、得られる電子部品接合体の接合信頼性が低下することがある。上記接着剤を塗布する領域が、上記電子部品を接合する領域の９０％を超えると、後の工程において、形成されるフィレット又は上記接着剤からの液状成分の滲み出しによって上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。上記接着剤を塗布する領域は、上記電子部品を接合する領域の６０％以上であることがより好ましい。
なお、本明細書において接着剤を塗布する領域とは、塗布した接着剤の最外部を直線で描いたとき、その直線によって形成される１以上の多角形内部の面積の合計を意味する。

上記接着剤を塗布する形状は特に限定されず、例えば、クロス形状、ダブルクロス形状、トリプルクロス形状、スノークロス形状、ダブルワイ形状等が挙げられる。
なお、本明細書においてクロス形状とは十字型の形状を意味し、ダブルクロス形状とは、２つの十字型の形状が重なった形状を意味し、トリプルクロス形状とは、３つの十字型の形状が重なった形状を意味する。また、本明細書においてスノークロス形状とは、ダブルクロス形状の一方の端部がＹ字状になった形状を意味し、ダブルワイ形状とは、２つのＹ字状の端部を結合した形状を意味する。

上記接着剤を塗布する形状がクロス形状又はダブルクロス形状である場合には、上記接着剤を塗布する領域を上記範囲とするために、上記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さを、上記電子部品を接合する領域の対角線の長さの７０〜９０％とすることが好ましい。

上記接着剤の塗布量Ｖ（体積）は、上記工程（４）の後の所望の接着剤厚みをｄｔとするとき、上記電子部品の厚みをＤｅ、上記電子部品の外周長さをＬ、上記電子部品を接合する領域の面積をＡ、上記電子部品を接合する領域から上記開口部までの距離の平均値をＤｄとして、下記式を満たすことが好ましい。
Ａ×ｄｔ＜Ｖ＜［Ａ×ｄｔ＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝］×Ｋ
上記式中、Ｋは１〜１．２であり、より好ましくは１〜１．１である。
上記接着剤の塗布量Ｖ（体積）が上記式を満たすことにより、上記基板又は他の電子部品の電極等の汚染を抑制しながら、上記電子部品の側面にフィレットを形成して、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。

上記接着剤は、上記基板又は他の電子部品の上記表面絶縁層上に直径２００〜６００μｍのドット形状に塗布された直後の接触角が、２０〜８０°であることが好ましい。上記接触角が２０°未満であると、後の工程において、形成されるフィレット又は上記接着剤からの液状成分の滲み出しによって上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。上記接触角が８０°を超えると、後の工程において、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤が行き渡らず、得られる電子部品接合体の接合信頼性が低下することがある。上記接触角のより好ましい下限は４５°である。

また、上記接着剤は、上記基板又は他の電子部品の上記表面絶縁層上に直径２００〜６００μｍのドット形状に塗布され、室温で１分〜４時間放置されるか又は３０〜１８０℃の条件に１分〜２時間曝された後の接触角が、１５〜７０°であることが好ましい。上記接触角が１５°未満であると、後の工程において、上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。上記接触角が７０°を超えると、後の工程において、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤が行き渡らず、得られる電子部品接合体の接合信頼性が低下することがある。上記接触角のより好ましい下限は３０°である。

更に、上記接着剤は、上記基板又は他の電子部品の上記表面絶縁層上に直径２００〜６００μｍのドット形状に塗布され、室温で１分〜４時間放置されるか又は３０〜１８０℃の条件に１分〜２時間曝された後、ドット形状の直径の増加分が３００μｍ以下、ブリード幅が３０μｍ以下であることが好ましい。上記ドット形状の直径の増加分が３００μｍを超えるか、上記ブリード幅が３０μｍを超えると、後の工程において、上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。上記ブリード幅は１０μｍ以下であることがより好ましい。
また、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を充分に抑制するためには、上記ブリード幅は上記表面絶縁層の厚み以下であることがより好ましく、上記表面絶縁層の厚みと上記電極部の厚みとの差以下であることが更に好ましい。なお、近年の小型化された基板等においては、通常、上記表面絶縁層の厚みは１０〜５０μｍ程度、上記表面絶縁層の厚みと上記電極部の厚みとの差は５〜３０μｍ程度であり、この厚みの差よりも上記ブリード幅が小さいことが好ましい。

上記接着剤は、硬化性化合物を含有することが好ましい。
上記硬化性化合物は特に限定されず、例えば、付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、又は、開環重合等の反応により硬化する化合物が挙げられ、より具体的には、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、エピスルフィド樹脂等の熱硬化性化合物が挙げられる。なかでも、得られる電子部品接合体が信頼性及び接合強度に優れることから、エポキシ樹脂、エピスルフィド樹脂が好ましい。

上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、繰り返し単位中に芳香環を有する１０量体以下の分子構造を持ち、２５℃で結晶性固体であり、かつ、５０〜８０℃の温度においてＥ型粘度計で測定した場合の粘度が１Ｐａ・ｓ以下となるエポキシ化合物（Ａ）を含有することが好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）は、繰り返し単位中に芳香環を有する１０量体以下の分子構造を持つ。
上記エポキシ化合物（Ａ）は、極めて結晶性が高く２５℃で結晶性固体となるとともに、２５℃より高い温度領域においては粘度が急激に低下するという性質を有する。これは、上記エポキシ化合物（Ａ）が１０量体以下と低分子量であることから、２５℃では結晶性固体であるが、２５℃を超えて加熱されることで結晶構造が壊れて粘度が低下するためと考えられる。より具体的には、上記エポキシ化合物（Ａ）は、２５℃で結晶固体であり、５０〜８０℃の温度においてＥ型粘度計で測定した場合の粘度の上限が１Ｐａ・ｓである。
なお、通常の電子部品接合体の製造において、接着剤の塗布が室温で行われることを考慮して、上記エポキシ化合物（Ａ）が結晶性固体となる温度を２５℃とした。また、通常の電子部品接合体の製造において、電子部品を加熱加圧する際の温度条件を考慮して、上記エポキシ化合物（Ａ）の粘度の上限が１Ｐａ・ｓとなる温度を５０〜８０℃とした。

これに対し、１０量体を超える分子構造を持つエポキシ化合物は、５０〜８０℃の温度における粘度が高くなり、このようなエポキシ化合物を含有する接着剤は、後述するスペーサー粒子を含有する場合にも、電子部品接合体における電子部品間距離を該スペーサー粒子の粒子径によって正確に制御することができないことがある。
上記エポキシ化合物（Ａ）は、繰り返し単位中に芳香環を有する３量体以下の分子構造を持つことがより好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）を含有することで、得られる接着剤は、電子部品接合体における電子部品間距離を正確に制御し、信頼性を高めることができる。
すなわち、上記エポキシ化合物（Ａ）を含有することで、得られる接着剤は２５℃での粘度が高く、上記接着剤を塗布する工程（１）の後の塗布形状の流延を抑制することができる。また、上記エポキシ化合物（Ａ）を含有することで、得られる接着剤は加熱されると粘度が低下し、後述するスペーサー粒子を含有する場合には、電子部品と該スペーサー粒子との間の接着剤の残留を抑制し、電子部品間距離を該スペーサー粒子の粒子径と実質的に等しい距離に保つことができる。更に、上記エポキシ化合物（Ａ）を含有することで、得られる接着剤は、加熱後温度を２５℃に戻すことで粘度が上昇し、接着剤の流延を抑制することができる。

ここで、従来のスペーサー粒子を含有する接着剤においては、電子部品とスペーサー粒子との間の接着剤を充分に排除して電子部品間距離を水平に保つために、希釈剤を添加することで低粘度化が図られていた。しかしながら、このような希釈剤には、通常、揮発性成分が多く含まれていたため、従来の希釈剤のみを添加することで低粘度化していた接着剤は、硬化時の加熱によりボイドが発生するという問題があった。
これに対し、上記エポキシ化合物（Ａ）を含有させることで加熱時の低粘度化を実現できることから、上記エポキシ化合物（Ａ）を含有することで、得られる接着剤はボイドの発生を抑制することができる。また、上記エポキシ化合物（Ａ）は耐熱性に優れることから、上記エポキシ化合物（Ａ）を含有する接着剤もまた、耐熱性に優れたものとなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）は、１分子中に２以上のエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ化合物（Ａ）がこのような分子構造を有することで、得られる接着剤の接着性が向上する。
上記１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ａ）として、例えば、フェノール型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、ビフェニル型エポキシ、レゾルシノール型エポキシ等が挙げられ、市販品として、例えば、ＥＸ−２０１（長瀬産業社製）、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（東都化成社製）等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に占める好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が５重量部未満であると、上記エポキシ化合物（Ａ）を添加する効果が充分に得られないことがある。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が５０重量部を超えると、得られる接着剤は所望とする粘度特性が得られないことがある。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は、上記硬化性化合物１００重量部に占めるより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。

また、上記硬化性化合物は、柔軟な骨格を有するエポキシ化合物（Ｂ）を含有することが好ましい。本明細書において柔軟な骨格とは、その骨格のみからなる樹脂のガラス転移温度が２５℃以下となる骨格を意味する。
上記エポキシ化合物（Ｂ）を含有することで、得られる接着剤は、硬化物が常温領域での低弾性率を達成しつつ、接着性にも優れる。

上記エポキシ化合物（Ｂ）において、上記柔軟な骨格部分の数平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限が５０、好ましい上限が１０００である。上記柔軟な骨格部分の数平均分子量が５０未満であると、得られる接着剤は、硬化物の常温領域における柔軟性が不充分となることがある。上記柔軟な骨格部分の数平均分子量が１０００を超えると、得られる接着剤は接着性が不充分となることがある。上記柔軟な骨格部分の数平均分子量のより好ましい下限は１００、より好ましい上限は５００である。

上記エポキシ化合物（Ｂ）は、分子の両端にエポキシ基を有し、かつ、該両端のエポキシ基の間に上記範囲の数平均分子量の柔軟な骨格を有することが好ましい。
上記分子の両端にエポキシ基を有し、かつ、該両端のエポキシ基の間に上記範囲の数平均分子量の柔軟な骨格を有するエポキシ化合物（Ｂ）は特に限定されず、例えば、１，２−ポリブタジエン変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、１，４−ポリブタジエン変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ポリプロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ポリエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、アクリルゴム変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ウレタン樹脂変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ポリエステル樹脂変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、１，２−ポリブタジエン変性グリシジルエーテル、１，４−ポリブタジエン変性グリシジルエーテル、ポリプロピレンオキサイド変性グリシジルエーテル、ポリエチレンオキサイド変性グリシジルエーテル、アクリルゴム変性グリシジルエーテル、ウレタン樹脂変性グリシジルエーテル、ポリエステル樹脂変性グリシジルエーテル、及び、これらの水添化物等が挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、上記柔軟な骨格が、ブタジエンゴム、プロピレンオキサイド、エチレンオキサイド、アクリルゴム及びこれらの水添加物からなる群より選択される少なくとも１種に由来するエポキシ化合物が好ましい。

また、上記エポキシ化合物（Ｂ）は、反応速度が速くなることから、芳香族骨格を有することが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ｂ）は特に限定されず、例えば、１，２−ポリブタジエン変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、１，４−ポリブタジエン変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ポリプロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ポリエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、アクリルゴム変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ウレタン樹脂変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル、ポリエステル樹脂変性ビスフェノールＡグリシジルエーテル等が挙げられる。
上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ｂ）は、反応速度が更に速くなることから、芳香環とグリシジル基とが直接つながっていることが好ましい。このようなエポキシ化合物（Ｂ）の市販品として、例えば、ＥＰＢ−１３（日本曹達社製）、ＥＸＡ−４８５０（ＤＩＣ社製）等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ｂ）の含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に占める好ましい下限が５重量部、好ましい上限が３０重量部である。上記エポキシ化合物（Ｂ）の含有量が５重量部未満であると、上記エポキシ化合物（Ｂ）を添加する効果が充分に得られないことがある。上記エポキシ化合物（Ｂ）の含有量が３０重量部を超えると、得られる接着剤は所望とする粘度特性が得られないことがある。上記エポキシ化合物（Ｂ）の含有量は、上記硬化性化合物１００重量部に占めるより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は２０重量部である。

更に、上記硬化性化合物は、その他のエポキシ化合物（Ｃ）を含有してもよい。
上記エポキシ化合物（Ｃ）を含有することで、得られる接着剤の粘度及びガラス転移温度を調節することができる。上記エポキシ化合物（Ｃ）は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ｃ）の含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に占める好ましい下限が１０重量部、好ましい上限が６０重量部である。上記エポキシ化合物（Ｃ）の含有量が１０重量部未満であると、上記エポキシ化合物（Ｃ）を添加する効果が充分に得られないことがある。上記エポキシ化合物（Ｃ）の含有量が６０重量部を超えると、得られる接着剤は所望とする粘度特性が得られないことがある。上記エポキシ化合物（Ｃ）の含有量は、上記硬化性化合物１００重量部に占めるより好ましい下限は２０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。

上記接着剤は、硬化剤を含有することが好ましい。
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物硬化剤、フェノール系硬化剤等が挙げられる。なかでも、酸無水物が好ましい。

上記酸無水物硬化剤は特に限定されないが、常温で液体の２官能酸無水物硬化剤が好ましい。
上記常温で液体の２官能酸無水物硬化剤は特に限定されず、例えば、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水マレイン酸等の２官能酸無水物等が挙げられる。

また、上記硬化剤として、常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子も好ましい。
このような常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子を含有することで、得られる接着剤は、硬化物が、低弾性率の海成分と高弾性率の島成分とからなる海島構造を有することとなり、高温領域で適度な柔軟性を有するとともに、接着性にも優れ、得られる電子部品接合体において電子部品に大きなソリが発生することを防止することができる。

上記常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子は特に限定されず、３官能の酸無水物硬化剤として、例えば、酸無水物無水トリメリット酸等が挙げられ、４官能以上の酸無水物硬化剤として、例えば、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。

上記常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子は、融点の好ましい下限が８０℃である。上記融点が８０℃未満であると、上記硬化性化合物との相溶性が悪い酸無水物硬化剤粒子を選択して混合しなければ、比較的低温で液状となり、上記接着剤中に広がってしまうことがある。ただし、上記硬化性化合物との相溶性が悪くなるように選択することで、融点が８０℃未満の常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子についても使用することができる。

上記常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の平均粒子径は、好ましい下限が０．１μｍ、好ましい上限が１０μｍである。上記平均粒子径が０．１μｍ未満であると、得られる接着剤を硬化して海島構造を形成させたとしても、島成分が小さくなりすぎ、高温領域での高弾性率が達成できないことがある。上記平均粒子径が１０μｍを超えると、得られる接着剤を硬化すると島成分が大きくなりすぎ、常温領域での柔軟性が不足して、得られる電子部品接合体における電子部品のソリを充分に防止できないことがある。

上記硬化剤が、上記常温で液体の２官能酸無水物硬化剤と上記常温で固体の３官能以上の酸無水物硬化剤粒子とを含有する場合、これらの配合比は特に限定されないが、上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量（重量）を上記２官能酸無水物硬化剤の含有量（重量）で除した値の好ましい下限が０．１、好ましい上限が１０である。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量（重量）を上記２官能酸無水物硬化剤の含有量（重量）で除した値が０．１未満であると、得られる接着剤を硬化しても上述した島成分が形成されないことがある。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量（重量）を上記２官能酸無水物硬化剤の含有量（重量）で除した値が１０を超えると、得られる接着剤の硬化物全体の強度が不充分となることがある。上記３官能以上の酸無水物硬化剤粒子の含有量（重量）を上記２官能酸無水物硬化剤の含有量（重量）で除した値のより好ましい下限は０．２、より好ましい上限は５である。

上記フェノール系硬化剤は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノール、ビフェニルジメチレン型フェノール、アラルキルフェノール、トリスフェノール、テトラキスフェノール、レゾール型フェノール、フェノール樹脂−シリカハイブリッド、及び、その誘導体、変性体等が挙げられる。なかでも、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノール、ビフェニルジメチレン型フェノール、フェノール樹脂−シリカハイブリッド、及び、その誘導体、変性体が好ましい。

上記硬化剤の含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対して、好ましい下限が３０重量部、好ましい上限が７０重量部である。上記硬化剤の含有量が３０重量部未満であると、得られる接着剤は充分に硬化しないことがある。上記硬化剤の含有量が７０重量部を超えると、得られる接着剤は接着信頼性が低下する場合がある。上記硬化剤の含有量は、上記硬化性化合物１００重量部に対して、より好ましい下限は４０重量部、より好ましい上限は６０重量部である。
また、例えば、上記硬化性化合物がエポキシ樹脂であり、上記硬化剤がアミン系硬化剤、酸無水物硬化剤又はフェノール系硬化剤である場合、上記エポキシ樹脂のエポキシ基のモル数に対して、上記硬化剤の反応性基のモル数が０．７〜１．３倍であることが好ましい。

上記接着剤は、硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、更に、硬化促進剤を含有することが好ましい。
上記硬化促進剤は特に限定されないが、上記硬化性化合物がエポキシ樹脂である場合、例えば、イミダゾール化合物、イミダゾールの包摂化合物、イミダゾールのマイクロカプセル、第三級アミン化合物、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン等のリン化合物等が挙げられる。なかでも、硬化速度又は硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール化合物（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対して、好ましい下限が１重量部、好ましい上限が２０重量部である。上記硬化促進剤の含有量が１重量部未満であると、得られる接着剤は充分に硬化しないことがある。上記硬化促進剤の含有量が２０重量部を超えると、得られる接着剤は接着信頼性が低下することがある。

上記接着剤は、無機微粒子を含有してもよい。
上記無機微粒子の種類は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコン等が挙げられる。
上記無機微粒子の形状は特に限定されないが、球形であることが好ましい。

上記無機微粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以下である。また、上記接着剤は、平均粒子径の異なる無機微粒子を２種類以上含有してもよい。平均粒子径の異なる無機微粒子を２種類併用することで、得られる接着剤の溶融粘度の増加を抑えることができる。

上記無機微粒子は、表面処理されていることが好ましい。
上記無機微粒子を表面処理するために用いられる表面処理剤として、フェニル基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤が好ましく、上記硬化性化合物が上記エポキシ樹脂である場合には、エポキシ基を有するシランカップリング剤が更に好ましい。

また、上記接着剤は、疎水化度（Ｍ値）の異なる無機微粒子を２種類以上含有することが好ましい。これにより、極性の異なる基板等の表面においても、上記接着剤からの液状成分の滲み出しを抑制することができる。すなわち、例えば、上記基板又は他の電子部品の表面での上記接着剤の液状成分の滲み出しと、該基板又は他の電子部品に接合される電子部品の表面での上記接着剤の液状成分の滲み出しとを同時に抑制することができる。疎水化度（Ｍ値）の異なる無機微粒子を２種類併用する場合、２種類の無機微粒子の疎水化度（Ｍ値）の差は、好ましくは１０以上であり、更に好ましくは２０以上である。
なお、本明細書において無機微粒子の疎水化度（Ｍ値）とは、無機微粒子がメタノール水溶液に濡れ始めるときの、メタノール水溶液中のメタノールの体積％の値である。

上記接着剤は、上記硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマー（以下、反応可能な官能基を有するポリマーともいう）を含有してもよい。
上記反応可能な官能基を有するポリマーを含有することで、得られる接着剤の硬化物は靭性をもち、優れた耐衝撃性を発現することができる。

上記反応可能な官能基を有するポリマーは特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマー等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有するポリマーが好ましい。
上記エポキシ基を有するポリマーを含有することで、得られる接着剤の硬化物は優れた靭性を発現し、上記硬化性化合物に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有するポリマーに由来する優れた靭性とを兼備して、高い接合信頼性、接続信頼性を発現することができる。

上記エポキシ基を有するポリマーは、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有するポリマーであれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂、エポキシ基含有スチレン樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含み、得られる接着剤の硬化物の機械的強度、耐熱性等をより高められることから、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有スチレン樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有するポリマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記反応可能な官能基を有するポリマーとして、上記エポキシ基を有するポリマー、特にエポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有スチレン樹脂を用いる場合、該エポキシ基を有するポリマーのエポキシ当量の好ましい下限は２００、好ましい上限は２０００である。上記エポキシ当量が２００未満であると、得られる接着剤の硬化物が堅く、脆くなることがある。上記エポキシ当量が２０００を超えると、得られる接着剤の硬化物の機械的強度、耐熱性等が不充分となることがある。上記エポキシ当量のより好ましい上限は１０００である。

上記反応可能な官能基を有するポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限が８０００、好ましい上限が１０万であり、より好ましい下限が９０００、より好ましい上限が６万である。

上記反応可能な官能基を有するポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、好ましい下限が０℃、好ましい上限が１５０℃である。上記ガラス転移温度が０℃未満であると、温度サイクル試験で不良が発生することがある。上記ガラス転移温度が１５０℃を超えると、得られる接着剤の最低溶融粘度が高くなりすぎることがある。上記ガラス転移温度のより好ましい下限は５０℃、より好ましい上限は１００℃である。

上記反応可能な官能基を有するポリマーの含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対して、好ましい下限が１重量部、好ましい上限が５００重量部である。上記反応可能な官能基を有するポリマーの含有量が１重量部未満であると、得られる接着剤の硬化物は、熱によるひずみが発生する際、靭性が不充分となり、接合信頼性が劣ることがある。上記反応可能な官能基を有するポリマーの含有量が５００重量部を超えると、得られる接着剤の硬化物の耐熱性が低下することがある。

上記接着剤は、粒子径のＣＶ値が１０％以下のスペーサー粒子を含有することが好ましい。
上記接着剤がこのようなスペーサー粒子を含有することにより、得られる電子部品接合体における電子部品間距離を、上記スペーサー粒子の粒子径によって正確に制御することができる。
上記粒子径のＣＶ値が１０％を超えると、スペーサー粒子は電子部品間距離を一定に保つことが困難となり、スペーサー粒子としての機能を充分に果たせないことがある。上記粒子径のＣＶ値の好ましい上限は６％、より好ましい上限は４％である。

なお、本明細書において粒子径のＣＶ値とは、下記式により求められる値を意味する。
粒子径のＣＶ値（％）＝（σ２／Ｄｎ２）×１００
上記式中、σ２は粒子径の標準偏差を表し、Ｄｎ２は数平均粒子径を表す。

上記スペーサー粒子の平均粒子径は特に限定されず、所望の電子部品間距離を達成することができるように適宜選択されるが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記スペーサー粒子の平均粒子径が５μｍ未満であると、スペーサー粒子の粒子径程度にまで電子部品間距離を縮めることが困難となることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径が２００μｍを超えると、電子部品間距離が必要以上に大きくなることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径のより好ましい下限は９μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。

上記スペーサー粒子の平均粒子径は、上記接着剤に含まれる上記スペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の１．１倍以上であることが好ましい。上記スペーサー粒子の平均粒子径が上記固形成分の１．１倍未満であると、スペーサー粒子の粒子径程度にまで電子部品間距離を縮めることが困難となることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径は、上記固形成分の平均粒子径の１．２倍以上であることが好ましい。

上記スペーサー粒子は、下記式で表されるＫ値の好ましい下限が９８０Ｎ／ｍｍ^２、好ましい上限が４９００Ｎ／ｍｍ^２である。
Ｋ＝（３／√２）×Ｆ×Ｓ^−３／２×Ｒ^−１／２
上記式中、Ｆ及びＳは、それぞれ、スペーサー粒子の１０％圧縮変形における荷重値（ｋｇｆ）及び圧縮変位（ｍｍ）を表し、Ｒはスペーサー粒子の半径（ｍｍ）を表す。

上記Ｋ値は、以下の測定方法により測定することができる。
まず、平滑表面を有する鋼板の上にスペーサー粒子を散布した後、その中から１個のスペーサー粒子を選び、微小圧縮試験機を用いてダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の平滑な端面で圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を差動トランスによる変位として電気的に検出する。そして、得られた圧縮変位−圧縮荷重の関係から１０％圧縮変形における荷重値及び圧縮変位をそれぞれ求め、得られた結果からＫ値を算出する。

上記スペーサー粒子は、２０℃、１０％の圧縮変形状態から解放した時の圧縮回復率の好ましい下限が２０％である。このような圧縮回復率を有するスペーサー粒子を用いることで、電子部品間に平均粒子径よりも大きなスペーサー粒子が存在しても、圧縮変形により形状を回復してギャップ調整材として働かせることができ、電子部品間距離をより安定して一定かつ水平に保つことができる。

上記圧縮回復率は、以下の測定方法により測定することができる。
上記Ｋ値の測定の場合と同様の手法によって圧縮変位を差動トランスによる変位として電気的に検出し、反転荷重値まで圧縮したのち荷重を減らしていき、その際の荷重と圧縮変位との関係を測定し、得られた測定結果から圧縮回復率を算出する。ただし、除荷重における終点は荷重値ゼロではなく、０．１ｇ以上の原点荷重値とする。

上記スペーサー粒子の材質は特に限定されないが、上記スペーサー粒子は、樹脂粒子であることが好ましい。上記樹脂粒子を構成する樹脂は特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール等が挙げられる。
なお、本明細書において（メタ）アクリレートとは、アクリレートとメタクリレートとの両方を意味する。

また、得られるスペーサー粒子の硬さ及び圧縮回復率を調整しやすく、耐熱性を向上させることもできることから、上記樹脂粒子を構成する樹脂は、架橋樹脂であることが好ましい。
上記架橋樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体、トリアリルイソシアヌレート重合体、ベンゾグアナミン重合体等の網目構造を有する樹脂が挙げられる。なかでも、接着剤の硬化工程、電子部品接合体の半田リフロー工程等の熱処理工程への耐性に優れることから、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体等が好ましい。

上記スペーサー粒子は、必要に応じて表面処理がなされていることが好ましい。
上記スペーサー粒子に表面処理を施すことにより、得られる接着剤に所望とする粘度特性を付与することができる。
上記表面処理は特に限定されないが、例えば、上記接着剤が全体として疎水性を示す場合には、上記スペーサー粒子の表面に親水基を付与することが好ましい。上記スペーサー粒子の表面に疎水性を付与する方法は特に限定されないが、例えば、上記スペーサー粒子が上記樹脂粒子である場合、親水基を有するカップリング剤で上記樹脂粒子の表面を処理する方法等が挙げられる。

上記スペーサー粒子は、球状であることが好ましい。また、上記スペーサー粒子のアスペクト比の好ましい上限は１．１である。上記スペーサー粒子のアスペクト比を１．１以下とすることで、得られる接着剤を用いて、電子部品間距離を安定して一定に保つことができる。なお、本明細書においてアスペクト比とは、スペーサー粒子の短径の長さに対する長径の長さの比（長径の長さを短径の長さで割った値）を意味し、アスペクト比の値が１に近いほどスペーサー粒子の形状は真球に近くなる。

上記スペーサー粒子の含有量は特に限定されないが、上記接着剤中の好ましい下限は０．０１重量％、好ましい上限は１０重量％である。上記スペーサー粒子の含有量が０．０１重量％未満であると、得られる電子部品接合体における電子部品間距離を、上記スペーサー粒子の粒子径によって正確に制御できないことがある。上記スペーサー粒子の含有量が１０重量％を超えると、得られる接着剤の接着信頼性が低下することがある。

上記接着剤が、上記スペーサー粒子以外に上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の径を有する固形成分を含有する場合には、該固形成分の含有量の好ましい上限は１重量％であり、該固形成分の融点は上記接着剤の硬化温度以下であることが好ましく、更に、該固形成分の最大粒子径は上記スペーサー粒子の平均粒子径の１．１〜１．５倍であることが好ましく、１．１〜１．２倍であることがより好ましい。

上記接着剤は、本発明の効果を阻害しない範囲内で、希釈剤を含有していてもよい。
上記希釈剤は、上記接着剤の加熱硬化時に硬化物に取り込まれる反応性希釈剤であることが好ましい。なかでも、上記硬化物の接着信頼性を悪化させないために、１分子中に２以上の官能基を持つ反応性希釈剤が好ましい。
上記１分子中に１以上の官能基を持つ反応性希釈剤として、例えば、脂肪族型エポキシ、エチレンオキサイド変性エポキシ、プロピレンオキサイド変性エポキシ、シクロヘキサン型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ、フェノール型エポキシ等が挙げられる。

上記接着剤が上記希釈剤を含有する場合、上記希釈剤の含有量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対して、好ましい下限は１重量部、好ましい上限は５０重量部である。上記希釈剤の含有量が１重量部未満であると、上記希釈剤を添加する効果が充分に得られないことがある。上記希釈剤の含有量が５０重量部を超えると、得られる接着剤の接着信頼性が劣ったり、所望とする粘度特性が得られなかったりすることがある。上記希釈剤の含有量は、上記硬化性化合物１００重量部に対するより好ましい下限は５重量部、より好ましい上限は２０重量部である。

上記接着剤は、必要に応じて、溶媒を含有してもよい。
上記溶媒は特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素類、塩化芳香族炭化水素類、塩化脂肪族炭化水素類、アルコール類、エステル類、エーテル類、ケトン類、グリコールエーテル（セロソルブ）類、脂環式炭化水素類、脂肪族炭化水素類等が挙げられる。

上記接着剤は、上記基板又は他の電子部品の上記表面絶縁層に対する接触角を調整するため、シリコン系、アクリル系等の表面調整剤を含有してもよい。
上記表面調整剤として、例えば、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエーテル変性メチルアルキルシロキサン、ポリエーテル変性ポリメチルシロキサン、ポリエーテル変性ポリメチルアルキルシロキサン、ポリエーテル変性シロキサン、ポリエステル変性水酸基含有ポリジメチルシロキサン、ポリエーテル変性水酸基含有ポリジメチルシロキサン、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエーテル変性アクリル基を有するポリジメチルシロキサン、シリコン変性アクリル、フッ素変性ポリマー、水酸基含有シリコン変性アクリル、水酸基含有ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、アルコールアルコキシレート等を成分として含有する表面調整剤が挙げられる。

上記接着剤は、必要に応じて、接着性付与剤、消泡剤、イオントラッパー、フラックス、着色剤、カップリング剤、ゴム成分、ゴム粒子、レベリング剤、難燃剤等の添加剤を含有してもよい。

上記接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したときに、０．５ｒｐｍにおける粘度の好ましい下限が２０Ｐａ・ｓ、好ましい上限が１０００Ｐａ・ｓである。上記接着剤の粘度が２０Ｐａ・ｓ未満であると、接着剤は形状保持性に欠けることがある。上記接着剤の粘度が１０００Ｐａ・ｓを超えると、接着剤は吐出安定性に欠けることがある。
また、上記接着剤は、３０〜１８０℃に、なかでも５０〜８０℃に加熱された場合の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、５Ｐａ・ｓ以下であることが更に好ましい。

上記接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃、５ｒｐｍの条件で測定した粘度をＴ_１、Ｅ型粘度計を用いて２５℃、０．５ｒｐｍの条件で測定した粘度をＴ_２としたときに、Ｔ_２／Ｔ_１の好ましい下限が１．５、好ましい上限が８である。上記Ｔ_２／Ｔ_１が上記範囲内にあることで、上記接着剤は、塗布に好適なチクソ性を有することとなる。上記Ｔ_２／Ｔ_１のより好ましい上限は３である。

上記接着剤は、硬化物の２５℃における弾性率の好ましい下限が１０ＭＰａ、好ましい上限が４ＧＰａである。上記２５℃における弾性率が１０ＭＰａ未満であると、接着剤の硬化物は、充分な耐熱性が得られないことがある。上記２５℃における弾性率が４ＧＰａを超えると、得られる電子部品接合体は、温度サイクル等に曝される場合の信頼性が低下することがある。上記２５℃における弾性率のより好ましい上限は１ＧＰａである。
なお、本明細書において、接着剤の硬化物の２５℃における弾性率とは、接着剤の硬化物について、粘弾性測定機（型式「ＤＶＡ−２００」、アイティー計測制御社製）を用いて、昇温速度３℃／分、設定歪み１０％、引っ張り、つかみ幅２４ｍｍ、１０Ｈｚで−６０℃から３００℃まで昇温し、２５℃にて測定して得られる値である。

上記接着剤を製造する方法は特に限定されず、例えば、上述した硬化性化合物、硬化剤、硬化促進剤、無機微粒子、希釈剤、その他の添加剤等を所定量配合して混合した後、スペーサー粒子を配合する場合には、該スペーサー粒子を配合する方法等が挙げられる。
上記混合する方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を使用する方法が挙げられる。

本発明の電子部品接合体の製造方法では、次いで、上記接着剤を介して、上記基板又は他の電子部品上に電子部品を積層する工程（２）を行う。
上記電子部品を積層する方法は特に限定されず、上記基板又は他の電子部品に対し、上記電子部品を位置合わせすることにより積層すればよい。

上記電子部品を積層する際には、上記電子部品を押圧することが好ましい。
上記押圧は特に限定されないが、０．０１〜１．０ＭＰａの圧力で０．１〜５秒間行うことが好ましい。上記範囲の圧力及び時間で上記電子部品を押圧することにより、上記接着剤を後述する領域に濡れ拡がらせることができる。上記押圧は、０．０５〜０．５ＭＰａの圧力で行うことがより好ましい。

また、上記電子部品を積層する際には、上記電子部品を押圧することによって、得られる電子部品接合体における所望の電子部品間距離の１〜３倍に電子部品間距離を縮めることが好ましく、１．２〜２倍に電子部品間距離を縮めることがより好ましい。これにより、上記接着剤が上記スペーサー粒子を含有する場合には、得られる電子部品接合体における電子部品間距離を、該スペーサー粒子の粒子径によって正確に制御することができる。
なお、上記接着剤が上記スペーサー粒子を含有し、かつ、上記工程（２）の直後の電子部品間距離が該スペーサー粒子の粒子径より大きい場合は、後の工程において上記接着剤を濡れ拡がらせることにより、得られる電子部品接合体における電子部品間距離と上記スペーサー粒子の粒子径との差を２０μｍ以下にすることが好ましく、５〜２０μｍにすることがより好ましい。

上記電子部品を積層する際には、加熱してもよい。加熱することで、上記接着剤の粘度が下がり、上記接着剤を後述する領域に濡れ拡がらせることができる。
上記加熱の条件として、３０〜１８０℃に加熱する条件が好ましく、５０〜８０℃に加熱する条件がより好ましい。

上記工程（２）の直後に上記接着剤が濡れ拡がる領域は、上記電子部品を接合する領域の６０％以上１００％未満であることが好ましい。
上記接着剤が濡れ拡がる領域が、上記電子部品を接合する領域の６０％未満であると、後の工程において、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤が行き渡らず、得られる電子部品接合体の接合信頼性が低下することがある。上記接着剤が濡れ拡がる領域が、上記電子部品を接合する領域の１００％を超えると、後の工程において、形成されるフィレット又は上記液状成分の滲み出しによって上記基板又は他の電子部品の電極部等が汚染され、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。

本発明の電子部品接合体の製造方法では、次いで、上記接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する工程（３）を行う。これにより、上記接着剤が濡れ拡がって上記電子部品が沈み込み、電子部品間距離が縮まるとともに、上記接着剤が上記電子部品を接合する領域からはみ出して、フィレットを形成する。
上記接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する方法として、上記接着剤を室温で１分〜４時間放置する方法、又は、上記接着剤を３０〜１８０℃の条件に１分〜２時間曝す方法が好ましい。

上記接着剤は、上記接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する温度において、上記基板又は他の電子部品の上記表面絶縁層に対する接触角が１５〜７０°であることが好ましい。上記接触角が１５°未満であると、上記フィレットが上記基板又は他の電子部品の電極部等を汚染してしまい、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。上記接触角が７０°を超えると、上記電子部品を接合する領域全体に上記接着剤が行き渡らず、得られる電子部品接合体の接合信頼性が低下することがある。上記接触角のより好ましい下限は３０°である。

上記フィレットの平均長さは特に限定されないが、好ましい下限が３０μｍ、好ましい上限が３００μｍである。上記フィレットの平均長さが３０μｍ未満であると、上記フィレットを形成する効果が充分に得られず、得られる電子部品接合体の接合信頼性が低下することがある。上記フィレットの平均長さが３００μｍを超えると、上記フィレットが上記基板又は他の電子部品の電極部等を汚染してしまい、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。上記フィレットの平均長さのより好ましい下限は１００μｍ、更に好ましい下限は１５０μｍである。

上記フィレットの平均高さは特に限定されないが、上記電子部品の側面において、上記電子部品の厚み方向の１０〜９５％であることが好ましく、３０〜６０％であることが更に好ましい。このようなフィレットを形成することで、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。

上記フィレットは、その一部又は全てが、上記基板又は他の電子部品の上記電極部には接触しないが、上記電極部に対応して形成された上記表面絶縁層の開口部にまで及んでいてもよい。このようなフィレットを形成することで、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を抑制しながら、充分に信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。
なお、上記工程（３）の直後の状態の一例を模式的に示す図１（ｂ）においては、フィレットは電極部１には接触せず、かつ、表面絶縁層２の開口部にまで及んでいる。

本発明の電子部品接合体の製造方法では、次いで、上記接着剤を硬化する硬化工程（４）を行う。
上述のようなフィレットを形成した後、上記接着剤を硬化して上記電子部品と上記基板又は他の電子部品とを接合することにより、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を抑制しながら、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。

上記接着剤を硬化する方法は特に限定されず、使用する接着剤の硬化特性に合わせた硬化条件を適宜選択して用いることができ、例えば、１２０℃で３０分、１７０℃で３０分加熱する方法、実質的に硬化が始まらない温度から硬化する温度に昇温する方法等が挙げられる。

本発明の電子部品接合体の製造方法を用いて多層の電子部品接合体を製造する場合、得られる電子部品接合体における電子部品間距離のばらつきは、３σで５μｍ未満であることが好ましい。上記電子部品間距離のばらつきが３σで５μｍ以上であると、得られる電子部品接合体の傾きにより、ワイヤーボンディング不良等が発生することがある。
なお、σは標準偏差を表す。

本発明の電子部品接合体の製造方法によれば、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を抑制しながら、信頼性の高い電子部品接合体を得ることができる。
本発明の電子部品接合体の製造方法を用いて製造される電子部品接合体であって、電極部と、前記電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板又は他の電子部品の前記表面絶縁層上に、接着剤層を介して電子部品が接合されており、前記接着剤層は、前記基板又は他の電子部品の電極部には接触しないが、前記電極部に対応して形成された前記表面絶縁層の開口部にまで及んでいる電子部品接合体もまた、本発明の１つである。このような接着剤層、すなわちフィレットを有することで、得られる電子部品接合体は、上記基板又は他の電子部品の電極部等の汚染を抑制しながら、充分に高い信頼性を有することができる。

本発明によれば、接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得ることのできる電子部品接合体の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、該電子部品接合体の製造方法を用いて製造される電子部品接合体を提供することができる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、工程（２）の直後及び工程（４）の後の状態の一例を模式的に示す断面図及び上面図である。 図２は、本発明の電子部品接合体の製造方法で用いられる基板又は他の電子部品の一例を模式的に示す上面図である。

以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。

（実施例１〜７、比較例１〜４）
（１）接着剤の調製
表１、２に従って、以下に示す各材料をホモディスパーを用いて攪拌混合して接着剤を調製した。

１．エポキシ基を有するポリマー
エポキシ基含有アクリル樹脂（ブレンマーＣＰ−３０、日油社製）
２．エポキシ樹脂
２−１．エポキシ化合物（Ａ）
レゾルシノール型エポキシ樹脂（ＥＸ−２０１、ナガセケムテックス社製）
２−２．エポキシ化合物（Ｂ）
ポリエーテル型エポキシ樹脂（エポゴーセーＰＴ、四日市合成社製）
２−３．その他
水添ビスフェノールＡ型エピスルフィド（ＹＬ−７００７、ジャパンエポキシレジン社製）
３．硬化剤
酸無水物（ＹＨ−３０６、ジャパンエポキシレジン社製）
４．硬化促進剤
イミダゾール化合物（２ＭＡ−ＯＫ、四国化成工業社製）
５．接着性付与剤
イミダゾールシランカップリング剤（ＳＰ−１０００、日鉱マテリアル社製）
６．無機微粒子
ヒュームドシリカ（ＭＴ−１０、トクヤマ社製、Ｍ値４７）
ヒュームドシリカ（ＰＭ−２０Ｌ、トクヤマ社製、Ｍ値６５）
球状シリカ（ＳＥ４０００ＳＰＥ、アドマテックス社製、平均粒子径１μｍ、最大粒子径５μｍ、Ｍ値３０）
ヒュームドシリカ（ＵＦＰ−８０、電気化学工業社製、表面エポキシ処理無機微粒子）
７．スペーサー粒子
樹脂粒子（ミクロパールＳＰ−２２５、積水化学工業社製、平均粒子径２５μｍ、ＣＶ値４％）
８．表面調整剤
ＢＹＫ３４９（ＢＹＫ社製）

（２）接着剤の評価
得られた接着剤について、以下の評価を行った。結果を表１及び２に示す。
１．粘度測定
Ｅ型粘度測定装置（商品名「ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２」、ＴＯＫＩ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．ＬＴＤ社製、使用ローターφ１５ｍｍ、設定温度２５℃）を用いて、得られた接着剤の回転数０．５ｒｐｍにおける粘度（Ａ）及び５ｒｐｍにおける粘度（Ｂ）を求め、２５℃におけるチクソ比（０．５ｒｐｍ／５ｒｐｍ）（Ａ／Ｂ）を求めた。
また、Ｅ型粘度測定装置（商品名「ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２」、ＴＯＫＩ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．ＬＴＤ社製、使用ローターφ１５ｍｍ、設定温度６０℃）を用いて、得られた接着剤の回転数０．５ｒｐｍにおける粘度を求めた。

２．弾性率測定
得られた接着剤を硬化後、ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御社製）を用いて、周波数１０Ｈｚ、設定歪み１０％、引っ張り、つかみ幅２４ｍｍ、昇温速度３℃／分の条件で剪断法にて動的粘弾性に基づく２５℃における貯蔵弾性率を測定した。

３．ブリード幅（液状成分の滲出距離）及びドット形状の直径の増加分の測定
得られた接着剤０．２ｍｇを、基板に塗布して直径５００μｍのドット形状の接着剤層を形成した後、１７０℃のオーブンに１０分間入れ、接着剤層を硬化して硬化物を作製した。作製した硬化物について、ブリード幅（液状成分の滲出距離）をマイクロスコープＶＨＸ−１００（キーエンス社製）を用いて測定した。また、｛（硬化後のドット形状の直径）−（硬化前のドット形状の直径）｝の値を、ドット形状の直径の増加分とした。なお、ブリード幅及びドット形状の直径の増加分は、１０回の評価の平均値として求めた。

４．接触角測定
得られた接着剤０．２ｍｇを、基板に塗布して直径５００μｍのドット形状の接着剤層を形成した後、６０℃のオーブンに５分間入れ、接着剤層を硬化して硬化物を作製した。塗布直後と、接着剤層を硬化して硬化物を作製した後とについて、接着剤層の横方向からマイクロスコープＶＨＸ−１００（キーエンス社製）を用いて観察し、接触角を求めた。なお、接触角は、１０回の評価の平均値として求めた。

（３）電子部品接合体の製造
得られた接着剤を用いて、以下に従って電子部品接合体を製造した。なお、各実施例及び比較例において１５個の電子部品接合体を製造し、後述する評価においては、１５個の電子部品接合体に対して評価を行い、平均値を求めた。

（３−１）工程（１）
得られた接着剤を１０ｍＬシリンジ（岩下エンジニアリング社製）に充填し、シリンジ先端に精密ノズル（岩下エンジニアリング社製、ノズル先端径０．３ｍｍ）を取り付け、ディスペンサ装置（ＳＨＯＴ ＭＡＳＴＥＲ３００、武蔵エンジニアリング社製）を用いて、吐出圧０．４ＭＰａ、基板とニードルとのギャップ２００μｍ、塗布量４．９ｍｇ（比重１．４）にて、基板（アーム電子社製）上にダブルクロス形状に塗布した。このときの、半導体チップ（工程（２）以降で使用する）を接合する領域に対する、接着剤を塗布した領域の割合（％）を表１に示す。
なお、使用した基板は、電極部と該電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板であり、電極部の材質が金、表面絶縁層の厚みが３０μｍ、表面絶縁層の上面から電極部表面までの距離が１０μｍであった。

（３−２）工程（２）
まず、以下の方法にて、塗布した接着剤の濡れ性を確認した。
塗布した接着剤を介して、ガラスチップ（厚みＤｅ＝１００μｍ、１１ｍｍ×１１ｍｍ角、ガラスチップの外周長さＬ＝４４ｍｍ、ガラスチップを接合する領域の面積Ａ＝１２１ｍｍ^２）を、ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２（キャノンマシナリー社製）を用いて基板上に積層した。このとき、マイクロスコープＶＨＸ−１００（キーエンス社製）を用いて接着剤を観察し、接着剤が濡れ拡がった領域が、ガラスチップを接合する領域の５０〜１００％となるように、条件を設定した。例えば、実施例１では、３Ｎ、０．５秒、２５℃の条件にてガラスチップの積層を行った。
また、同様にレーザー変位計ＫＳ−１１００（キーエンス社製）を用いて電子部品間距離を観察し、ガラスチップのコーナー４点とガラスチップ中央部とにおける電子部品間距離の平均値を、電子部品間距離ｄ１とした。電子部品間距離は、基板表面からガラスチップ表面までの距離から、ガラスチップの厚みを引くことで算出した。
なお、基板上のガラスチップを接合する領域から開口部までの距離の平均値Ｄｄは０．２ｍｍであった。

次に、塗布した接着剤を介して、チップ表面に、ペリフェラル状に８０μｍ角のアルミパッド開口部を１７２個有する半導体チップ（厚みＤｅ＝１００μｍ、１１ｍｍ×１１ｍｍ角、半導体チップの外周長さＬ＝４４ｍｍ、半導体チップを接合する領域の面積Ａ＝１２１ｍｍ^２）を、この半導体チップの裏面と基板とが対向するように、上述のようにしてガラスチップを用いて求めた条件にて、基板上に積層した。
なお、基板上の半導体チップを接合する領域から開口部までの距離の平均値Ｄｄは０．２ｍｍであった。

（３−３）工程（３）
６０℃５分間加熱することによって接着剤を濡れ拡がらせ、フィレットを形成した。次いで、マイクロスコープＶＨＸ−１００（キーエンス社製）を用い、フィレットの平均長さＤｆを求めた。また、電極部に対応した開口部がない箇所にて、フィレットの最大長さＤｆＭを求めた。更に、半導体チップの外周長さに対して、半導体チップのフィレットが形成されている辺の長さを、フィレットの形成率（％）として求めた。
なお、電子部品間距離ｄ２は、レーザー変位計ＫＳ−１１００（キーエンス社製）を用いて、半導体チップの辺中央部と、半導体チップのコーナー部とにおける電子部品間距離の測定値を平均することで求めた。

（３−４）工程（４）
１７０℃１５分間加熱することによって接着剤を硬化した。次いで、マイクロスコープＶＨＸ−１００（キーエンス社製）を用い、フィレットの平均長さＤｆａを求めた。また、電極部に対応した開口部がない箇所にて、フィレットの最大長さＤｆａＭを求めた。更に、工程（４）の後の電子部品間距離ｄ３を、レーザー変位計ＫＳ−１１００（キーエンス社製）を用いて、半導体チップの辺中央部と、半導体チップのコーナー部とにおける電子部品間距離の測定値を平均することで求めた。更に、半導体チップの辺中央部と、半導体チップの中心を通る面とにて、断面研磨を行い、フィレットの平均高さを求めた。

（４）電子部品接合体の評価
得られた電子部品接合体について、以下の評価を行った。結果を表１及び２に示す。
１．接着剤の充填性評価
基板−半導体チップ間について、半導体チップを接合した領域における接着剤の充填性を超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて評価した。
接着剤が充填されている領域が、半導体チップを接合した領域の９９％以上であった場合を○、９９％未満であった場合を×とした。

２．ワイヤーボンディング不良の発生評価
ワイヤーボンダー（ＵＴＣ３０００、新川社製）を用い、２３μｍ径の金ワイヤーにて、得られた電子部品接合体のワイヤーボンディングを行った。
基板の１０個の電極のうち、金ワイヤーをボンディングできた電極が１０個であった場合を○、９個以下であった場合を×とした。

３．耐リフロー試験
得られた電子部品接合体を１２５℃で６時間乾燥し、続いて８５℃、８５％の湿潤条件で４８時間処理した後、ハンダリフロー時と同様の２６０℃、３０秒の条件で加熱処理を行った。そして、このような加熱処理を３回行った後の電子部品接合体について、層間剥離が発生しているか否かを観察した。層間剥離の観察は、超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて行った。
層間剥離がほとんど観察されなかった場合を○、層間剥離がわずかに観察された場合を△、層間の目立った剥離が観察された場合を×とした。

４．温度サイクル試験
耐リフロー試験後、電子部品接合体に、−５５℃〜１２５℃、２回／１時間にて１０００サイクル熱履歴を与えた後、電子部品接合体について、層間剥離が発生しているか否かを観察した。層間剥離の観察は、超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて行った。
層間剥離がほとんど観察されなかった場合を○、層間剥離がわずかに観察された場合を△、層間の目立った剥離が観察された場合を×とした。

本発明によれば、接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得ることのできる電子部品接合体の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、該電子部品接合体の製造方法を用いて製造される電子部品接合体を提供することができる。

１ 電極部
２ 表面絶縁層
３ 電子部品
４ 接着剤
５ 基板又は他の電子部品
６ 電子部品を接合する領域

Claims (5)

1. 電子部品と、基板又は他の電子部品とを接合して電子部品接合体を製造する方法であって、
   電極部と、前記電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板又は他の電子部品の前記表面絶縁層上に、接着剤を塗布する工程（１）と、
   前記接着剤を介して、前記基板又は他の電子部品上に電子部品を積層する工程（２）と、
   前記接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する工程（３）と、
   前記接着剤を硬化する工程（４）とを有し、
   前記工程（４）の後の所望の接着剤厚みをｄｔとするとき、前記電子部品の厚みをＤｅ、前記電子部品の外周長さをＬ、前記電子部品を接合する領域の面積をＡ、前記電子部品を接合する領域から前記開口部までの距離の平均値をＤｄ、前記工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、前記工程（２）の直後に前記接着剤が濡れ拡がる領域の面積をＳ、前記工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う
   ことを特徴とする電子部品接合体の製造方法。
   （ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ）
   （ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ）
2. 接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する工程（３）において、前記接着剤を室温で１分〜４時間放置するか、又は、前記接着剤を３０〜１８０℃の条件に１分〜２時間曝すことを特徴とする請求項１記載の電子部品接合体の製造方法。
3. 接着剤を濡れ拡がらせてフィレットを形成する工程（３）において、前記接着剤は、フィレットを形成する温度における基板又は他の電子部品の表面絶縁層に対する接触角が１５〜７０°であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品接合体の製造方法。
4. 基板又は他の電子部品は、表面絶縁層上の電子部品を接合する領域から開口部までの距離が２５〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電子部品接合体の製造方法。
5. 請求項１、２、３又は４記載の電子部品接合体の製造方法を用いて製造される電子部品接合体であって、
   電極部と、前記電極部に対応して開口部が形成された表面絶縁層とを有する基板又は他の電子部品の前記表面絶縁層上に、接着剤層を介して電子部品が接合されており、
   前記接着剤層は、前記基板又は他の電子部品の電極部には接触しないが、前記電極部に対応して形成された前記表面絶縁層の開口部にまで及んでいる
   ことを特徴とする電子部品接合体。

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