JP2012069188A - 光検出処理回路、再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ホモダイン方式を採用する再生装置において、フォトディテクタを含む光検出処理回路のＳＮＲを従来よりも向上させる。
【解決手段】第１のＰＤ（フォトダイオード）のアノードに対して第２のＰＤのカソードを接続し、第１のＰＤのカソードからの出力電流と第２のＰＤのアノードからの出力電流とを合成した第１の合成電流について電流−電圧変換を行う第１の電流−電圧変換部と、第１のＰＤのアノードからの出力電流と第２のＰＤのカソードからの出力電流とを合成した第２の合成電流について電流−電圧変換を行う第２の電流−電圧変換部とを備えると共に、上記第１の電流−電圧変換部による出力と上記第２の電流−電圧変換部による出力との差分信号を生成する差分信号生成部を備える。第１のＰＤのアノードと第２のＰＤのカソードの出力電流の合成電流のみでなく、第１のＰＤのカソードと第２のＰＤのアノードの出力電流の合成電流も用いて再生信号を得ることができるため、再生信号レベルを増大でき、ＳＮＲの向上が図られる。
【選択図】図６

Description

本発明は、いわゆるホモダイン検波による信号再生を行う場合に好適な光検出処理回路と、当該光検出処理回路を備えて光記録媒体に記録された情報の再生を行う再生装置とに関する。

特開２００８−６５９６１号公報

光の照射により信号の記録／再生が行われる光記録媒体として、例えばＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）などのいわゆる光ディスク記録媒体（単に光ディスクとも称する）が普及している。

このような光ディスクに関し、検出信号（再生信号）のＳＮＲ（信号対雑音比）の低下を改善するための手法として上記特許文献１などに開示されるようなホモダイン方式（ホモダイン検波方式）が提案されている。
周知のようにホモダイン方式は、検出対象とする光（信号光）に対し、参照光としてのコヒーレントな光（ＤＣ光）を干渉させた光を検波することで、信号増幅を図る技術である。
このようなホモダイン方式に対しては、いわゆる差動検出という手法が組み合わされる。具体的には、信号光に対し、それと同位相による参照光を干渉させた光と、逆位相による参照光を干渉させた光とをそれぞれ個別に受光し、それらの受光信号の差分をとることで、信号増幅とノイズの抑制の双方が図られるようにするというものである。

図８は、ホモダイン方式が採用される場合の光学系の構成の概要を示している。
ホモダイン方式を採用する場合の光学系としては、光ディスクＤからの反射光（信号光）を得るための構成に加えて、上述の参照光を得るためのミラー系が設けられる点が特徴となる。
具体的に、この場合において光源であるレーザ１００より出射されたレーザ光は、コリメーションレンズ１０１を介して平行光となるようにされた後、１／２波長板１０２を介して偏光ビームスプリッタ１０３に入射する。レーザ光は、例えばそのＳ偏光成分が偏光ビームスプリッタ１０３にて反射され、Ｐ偏光成分が偏光ビームスプリッタ１０３を透過する。このとき、１／２波長板１０２の作用によって、偏光ビームスプリッタ１０３による分光比は１：１となるようにされている。

偏光ビームスプリッタ１０３にて反射されたレーザ光は、１／４波長板１０４→対物レンズ１０５を介して、光ディスクＤの記録面（反射面）に集光し、これに応じて光ディスクＤに記録された信号を反映した信号光が得られる。光ディスクＤより得られた信号光は、対物レンズ１０５→１／４波長板１０４を介して偏光ビームスプリッタ１０３に入射する。

信号光は、１／４波長板１０４による作用と光ディスクＤでの反射時の作用とにより、偏光ビームスプリッタ１０３に対してＰ偏光で入射する。このため信号光は偏光ビームスプリッタ１０３を透過することになる（図中実線矢印）。

一方、偏光ビームスプリッタ１０３を透過したレーザ光（Ｐ偏光）は、参照光として機能することになる（図中の破線）。偏光ビームスプリッタ１０３を透過した参照光は、１／４波長板１０６を介してミラー１０７に入射する。そして、当該ミラー１０７にて反射された参照光が、１／４波長板１０６を介して偏光ビームスプリッタ１０３に入射する。このように偏光ビームスプリッタ１０３に入射する参照光（復路光）は、先の信号光の場合と同様に、１／４波長板１０６による作用とミラー１０７での反射時の作用とによって、その偏光方向が往路側と９０°異なる（この場合はＳ偏光となる）ようにされ、その結果、上記参照光は偏光ビームスプリッタ１０３にて反射される。

上記のようにして偏光ビームスプリッタ１０３は、信号光と参照光とを出力するようにされる。偏光ビームスプリッタ１０３から出力された信号光と参照光は、１／２波長板２０８及び偏光ビームスプリッタ１０９と、集光レンズ１１０及び第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１と、集光レンズ１１１及び第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２とを備えて成るホモダイン検波用光学系に導かれる。
図示するようにこのホモダイン検波用光学系では、信号光及び参照光が１／２波長板１０８を介して偏光ビームスプリッタ１０９に入射する。偏光ビームスプリッタ１０９は、先の偏光ビームスプリッタ１０３と同様にＰ偏光を透過しＳ偏光を反射するように構成されている。この偏光ビームスプリッタ１０９を透過した光は、集光レンズ１１０を介して第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１の受光面上に集光し、また偏光ビームスプリッタ１０９にて反射された光は集光レンズ１１１を介して第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２の受光面上に集光する。

このとき、１／２波長板１０８は、偏光ビームスプリッタ１０３側より入射する信号光と参照光の偏光方向を、光の進行方向に対し時計回りに４５°回転させるようにその取り付け角度（回転角度）が調整されており、その結果、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１に対しては、同位相の信号光・参照光が照射される。一方、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２に対しては、信号光と、該信号光に対し位相が１８０°（π）異なるようにされた参照光とが照射される。
以下、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１側で得られる受光信号（同位相の関係となる信号光＋参照光の受光信号）については受光信号Ｄ_hm1、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２側で得られる受光信号（逆位相の関係となる信号光＋参照光の受光信号）については受光信号Ｄ_hm2と表記する。

なお、周知のようにホモダイン方式は、光の干渉効果を利用したものであり、その実現のためには信号光と参照光の光路長を一致させることを要する。このため実際には、ミラー１８を光軸方向に駆動して信号光と参照光との光路長が一致するように制御するための光路長サーボ系が設けられるものとなるが、図８ではその図示は省略している。

図９は、上記のようなホモダイン検波用光学系によって得られる受光信号に基づき差動検出を行う従来の光検出処理回路の構成例を示している。
先ず、図のように第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２は、それぞれフォトダイオードで構成される。以下、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１としてのフォトディテクタを第１フォトディテクタＰＤ１と、また第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２としてのフォトダイオードを第２フォトダイオードＰＤ２と称する。
図示するようにこれら第１フォトダイオードＰＤ１、第２フォトダイオードＰＤ２のそれぞれには、電流モードでの使用のために逆方向のバイアス電圧（Ｖ）が与えられている。

第１フォトダイオードＰＤ１による受光信号（受光電流）Ｄ_hm1は、オペアンプＯＰと帰還抵抗Ｒ１とを備えたＩ−Ｖ変換回路１２１に入力されて電流−電圧変換が為された後、コンパレータ１２３に対して入力される。
同様に、第２フォトダイオードＰＤ２による受光信号（受光電流）Ｄ_hm2は、オペアンプＯＰ２と帰還抵抗Ｒ２とを備えたＩ−Ｖ変換回路１２２に入力されて電流−電圧変換が為された後、コンパレータ１２３に対して入力される。

コンパレータ１２３は、電流−電圧変換後の受光信号Ｄ_hm1と受光信号Ｄ_hm2との差分信号を生成する。つまりこれにより、前述の差動検出が行われることになる。
この差動検出により、信号光の二乗検波信号成分や参照光の二乗検波信号成分など不要な成分が除去（相殺）されて、参照光の光強度に応じて増幅された信号光の成分が抽出される。
このような差動検出により得られた信号光についての再生信号を、以下、ＲＦ信号と称する。

また、図１０は、ホモダイン検波用光学系にて得られる受光信号に基づく差動検出を行う従来の光検出処理回路の他の構成例を示している。
この図１０に示す光検出処理回路の構成例は、上記特許文献１の図７において開示されているものである。
具体的に、この場合の光検出処理回路では、第１フォトダイオードＰＤ１のアノードと第２フォトダイオードＰＤ２のカソードとを接続している。これら第１フォトダイオードＰＤ１と第２フォトダイオードＰＤ２との直列接続回路に対し、電流モードでの使用のための逆方向バイアス電圧が与えられている。
そして、これら第１フォトダイオードＰＤ１と第２フォトダイオードＰＤ２との接続点からの出力信号（電流）を、オペアンプＯＰと帰還抵抗Ｒとを備えたＩ−Ｖ変換回路１２４に入力するものとしている。

ここで、この図１０に示す構成例は、フォトダイオードのアノード側の出力電流とカソード側の出力電流とが逆位相の関係となることを利用して差動検出を行うものとなる。すなわち、図１０の構成によれば、第１フォトダイオードＰＤ１のアノード側に得られる受光信号Ｄ_hm1と、第２フォトダイオードＰＤ２のカソード側に得られる受光信号Ｄ_hm2’（図９の場合における受光信号Ｄ_hm2とは逆位相の信号となる）とが合成（加算）されて、Ｉ−Ｖ変換回路１２４による電流−電圧変換が行われることになるが、このことにより、図９に示したＲＦ信号（受光信号Ｄ_hm1−受光信号Ｄ_hm2）と同等の信号が得られるようになる。換言すれば、図９に示したコンパレータ１２３を省略して、差動検出を行うことができるものである。

また、図１０に示す構成例によれば、図９に示す構成例とする場合よりもＳＮＲ（信号対雑音比）の向上が図られる。
ここで、ホモダイン方式を採用しない通常の再生動作を行った場合における再生信号のレベルを「１」（１ｓ）とおくと、図９及び図１０の場合でホモダイン検波及び差動検出の作用によって得られるＲＦ信号のレベルは、「２」と表現することができる。
これに対し、ノイズについては、Ｉ−Ｖ変換回路における電流−電圧変換ノイズが支配的なものとなる。このため、Ｉ−Ｖ変換回路を２つ有する図９の回路の場合では、ノイズレベルは「√２」（√２＊ｎ）と表記できる。これに対し、図１０の回路ではＩ−Ｖ変換回路を１つ削減できるため、そのノイズレベルは「１」と表記することができる。

上記のようにして、図１０に示した構成例によれば、図９の構成例に対してＳＮＲの向上が図られる。
しかしながら、ＳＮＲについてはこれを向上できるに越したことはなく、その更なる向上が要請されていると言える。

本発明はかかる課題に鑑み為されたもので、ホモダイン方式を採用する場合において、フォトディテクタを含む光検出処理系におけるＳＮＲのさらなる向上を図ることをその目的とする。

このため本発明では、光検出処理回路として以下のように構成することとした。
すなわち、第１のフォトダイオードと、上記第１のフォトダイオードのアノードに対してそのカソードが接続された第２のフォトダイオードとを備える。
また、上記第１のフォトダイオードのカソードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのアノードからの出力電流とを合成した第１の合成電流について電流−電圧変換を行う第１の電流−電圧変換部を備える。
また、上記第１のフォトダイオードのアノードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのカソードからの出力電流とを合成した第２の合成電流について電流−電圧変換を行う第２の電流−電圧変換部を備える。
また、上記第１の電流−電圧変換部による出力と上記第２の電流−電圧変換部による出力との差分信号を生成する差分信号生成部を備えるようにした。

また、本発明では再生装置として以下のように構成することとした。
つまり、第１のフォトダイオードと、上記第１のフォトダイオードのアノードに対してそのカソードが接続された第２のフォトダイオードと、上記第１のフォトダイオードのカソードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのアノードからの出力電流とを合成した第１の合成電流について電流−電圧変換を行う第１の電流−電圧変換部と、上記第１のフォトダイオードのアノードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのカソードからの出力電流とを合成した第２の合成電流について電流−電圧変換を行う第２の電流−電圧変換部と、上記第１の電流−電圧変換部による出力と上記第２の電流−電圧変換部による出力との差分信号を生成する第１の差分信号生成部とを備える第１の光検出処理回路を備える。
また、光源より出射された光を分光して得た第１の光と第２の光について、上記第１の光を対物レンズを介して光記録媒体の記録層に照射し、上記第２の光をミラーに対して照射することによって、上記記録層から得られる上記第１の光の反射光を信号光、上記ミラーによる上記第２の光の反射光を参照光としてそれぞれ得ると共に、上記第１のフォトダイオードと上記第２のフォトダイオードのうちの一方に対して、互いの位相が一致するように調整された上記信号光と上記参照光とを受光させ、他方に対してその位相差が１８０°となるように調整された上記信号光と上記参照光とを受光させるように構成された光学系を備える。
また、上記第１の差分信号生成部により得られた上記差分信号に基づき、上記記録層に記録された情報についての再生信号を得る再生部を備えるようにした。

上記本発明の光検出処理回路によれば、第１のフォトダイオードのアノードと第２のフォトダイオードのカソードの出力電流の合成電流のみでなく、第１のフォトダイオードのカソードと第２のフォトダイオードのアノードの出力電流の合成電流も用いて再生信号を得ることができるため、図１０に示した構成例と比較して、再生信号の信号レベルを略２倍とすることができる。またノイズレベルについては、電流−電圧変換部を２つ有するため、図１０の構成例と比較として√２倍となる。
従って、図１０に示した構成例の場合の信号レベルが前述のように「２」、ノイズレベルが「１」であるとすると、本発明の光検出処理回路の信号レベルは「４」、ノイズレベルは「√２」となり、この結果、図１０の構成例の場合よりもＳＮＲ（信号対雑音比）の向上が図られる。

上記のように本発明によれば、ホモダイン方式を採用する再生装置において、その光検出処理回路のＳＮＲを従来よりも向上することができる。

実施の形態で再生対象とする光記録媒体の断面構造を示した図である。 実施の形態の再生装置が備える主に光学系の構成について説明するための図である。 実施の形態としての再生装置全体の内部構成について説明するための図である。 具体的な光路長サーボの手法について説明するための図である。 実施の形態の光検出処理回路の構成について説明するための図である。 実施の形態の光検出処理回路のＳＮＲについて説明するための図である。 光路長サーボ用の光検出系に適用した場合の光検出処理回路の構成を示した図である。 ホモダイン方式が採用される場合の光学系の構成の概要を示した図である。 従来の光検出処理回路の構成例を示した図である。 従来の光検出処理回路の他の構成例を示した図である。るための図である。

以下、発明を実施するための形態（以下実施の形態とする）について説明していく。
なお、説明は以下の順序で行うものとする。

＜１．再生対象とする光記録媒体＞
＜２．再生装置の構成＞
＜３．光路長サーボの具体的手法について＞
＜４．光検出処理回路の構成＞
＜５．変形例＞

＜１．再生対象とする光記録媒体＞

図１は、実施の形態において再生対象とする光記録媒体１の断面構造を示した図である。
光記録媒体１は、ディスク状の光記録媒体とされ、回転駆動される光記録媒体１に対するレーザ光照射が行われて記録信号の再生が行われる。なお、光記録媒体とは、光の照射により情報の再生が行われる記録媒体を総称したものである。
本例の場合、光記録媒体１は、ピット（エンボスピット）の形成により情報が記録されたいわゆるＲＯＭ型（再生専用型）の光記録媒体であるとする。

図１に示されるように光記録媒体１には、上層側から順にカバー層２、記録層（反射膜）３、基板４が形成されている。
ここで、本明細書において「上層側」とは、後述する実施の形態としての再生装置側からのレーザ光が入射する面を上面としたときの上層側を指す。つまりこの場合、光記録媒体１に対しては、カバー層２側からレーザ光が入射することになる。

光記録媒体１において、基板４は、例えばポリカーボネートやアクリルなどの樹脂で構成され、図示するようにその上面側にはピットの形成に伴う凹凸の断面形状が与えられている。
このようにピットが形成された基板４は、例えばスタンパを用いた射出成形などにより生成される。
そして、上記凹凸形状が与えられた基板４の上面側に対して、例えば金属などによる反射膜が成膜され、これにより記録層３が形成される。

記録層３の上層側に形成されるカバー層２は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法等により塗布した後、紫外線照射による硬化処理を施すことで形成されたものとなる。
カバー層２は、記録層３の保護のために設けられている。

＜２．再生装置の構成＞

図２は、上記により説明した光記録媒体１についてホモダイン方式による信号再生を行う実施の形態としての再生装置が備える主に光学ピックアップＯＰの内部構成について説明するための図である。
なお図中において、光記録媒体１とスピンドルモータ（ＳＰＭ）４０とを除いた部分が、光学ピックアップＯＰとなる。

ここで、以下、再生装置の構成の説明から光路長サーボの説明までにおいては、説明の便宜上、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２を含む光検出処理回路の構成は、先の図９に示したものと同様の構成が採られているとする。つまり、フォトディテクタごとに１対１の関係でＩ−Ｖ変換回路が設けられた構成である。
なお、このことは、第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３、第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４を含む光検出処理回路側についても同様とする。

図２において、光記録媒体１は、再生装置に装填されると、図中のスピンドルモータ４０によって回転駆動される。
光学ピックアップＯＰは、このように回転駆動される光記録媒体１についての再生を行うためのレーザ光を照射するように構成されている。

光学ピックアップＯＰ内には、再生のためのレーザ光源となるレーザ（半導体レーザ）１０が設けられている。
該レーザ１０より出射されたレーザ光は、コリメーションレンズ１１を介して平行光となるようにされた後、１／２波長板１２を介して偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１３に入射する。

このとき、上記偏光ビームスプリッタ１３は、例えばＰ偏光を透過しＳ偏光を反射するように構成されているとする。その上で、上記１／２波長板１２の取り付け角度（レーザ光の入射面内において光軸を中心した回転角度）は、上記偏光ビームスプリッタ１３を透過して出力される光（Ｐ偏光成分）と反射して出力される光（Ｓ偏光成分）との比率（すなわち偏光ビームスプリッタ１３による分光比）が１：１となるように調整されているとする。

偏光ビームスプリッタ１３にて反射されたレーザ光は、１／４波長板１４を介した後、２軸アクチュエータ１６により保持された対物レンズ１５を介して、光記録媒体１の記録層３に集光するようにして照射される。

２軸アクチュエータ１６は、対物レンズ１５をフォーカス方向（光記録媒体１に対して接離する方向）及びトラッキング方向（光記録媒体１の半径方向に平行な方向：上記フォーカス方向とは直交関係となる方向）に変位可能に保持する。
この場合の２軸アクチュエータ１６にはフォーカスコイル、トラッキングコイルが備えられており、これらフォーカスコイル、トラッキングコイルにそれぞれ後述するフォーカスドライブ信号ＦＤ、トラッキングドライブ信号ＴＤが供給されることで、対物レンズ１５を上記フォーカス方向、上記トラッキング方向にそれぞれ変位させる。

記録層３に対してレーザ光が照射されることに応じては、該記録層３からの反射光（信号光）が得られる。該反射光は、対物レンズ１５→１／４波長板１４を介して、偏光ビームスプリッタ１３に入射する。

このように偏光ビームスプリッタ１３に入射する反射光（復路光）は、上記１／４波長板１４による作用と記録層３における反射時の作用とにより、その偏光方向が、レーザ１０側から入射し該偏光ビームスプリッタ１３にて反射された光（往路光とする）の偏光方向に対して９０°異なったものとなっている。すなわち、上記反射光はＰ偏光で偏光ビームスプリッタ１３に入射する。
このため、復路光としての上記反射光は偏光ビームスプリッタ１３を透過することになる。
なお、以下、このように偏光ビームスプリッタ１３を透過することになる光記録媒体１の記録信号を反映した反射光のことを、信号光とも称する。

また、本実施の形態の再生装置において、レーザ１０より出射され偏光ビームスプリッタ１３を透過したレーザ光（Ｐ偏光）は、ホモダイン方式における参照光として機能する。
偏光ビームスプリッタ１３を透過した参照光は、図中の１／４波長板１７を介して、１軸アクチュエータ１９により保持されたミラー１８に入射する。

１軸アクチュエータ１９は、ミラー１８を、当該ミラー１８に入射する参照光の光軸に平行な方向に変位可能に保持しており、図中の駆動信号Ｄdsにより駆動制御される。
この１軸アクチュエータ１９は、後述する光路長サーボを実現するために設けられたものとなる。
なお、１軸アクチュエータ１９としては、例えばボイスコイルモータ等の電磁方式によるものやピエゾ素子を用いたものなどを挙げることができる。

ミラー１８にて反射された参照光は、１／４波長板１７を介して偏光ビームスプリッタ１３に入射する。
ここで、このように偏光ビームスプリッタ１３に入射する参照光（復路光）は、１／４波長板１７による作用とミラー１８での反射時の作用とにより、その偏光方向が、往路光としての参照光とは９０°異なるものとされる（つまりＳ偏光となる）。従って、上記復路光としての参照光は、偏光ビームスプリッタ１３にて反射されることになる。

図中では、このように偏光ビームスプリッタ１３にて反射された参照光を破線矢印により示している。
また図中では、前述のように偏光ビームスプリッタ１３を透過した信号光を実線矢印により示している。

これら偏光ビームスプリッタ１３から出力される信号光及び参照光は、ビームスプリッタ（無偏光ビームスプリッタ）２０に入射し、該ビームスプリッタ２０にてその一部が透過、一部が反射される。

ここで、ビームスプリッタ２０にて反射された信号光及び参照光は、図のように参照光除去部２１に導かれ、参照光が除去されて信号光のみとされた後、当該信号光が集光レンズ２２を介して位置制御用受光部２３の受光面上に集光する。
これら参照光除去部２１、集光レンズ２２、位置制御用受光部２３から成る光学系は、対物レンズ１５のフォーカスサーボ、トラッキングサーボを行うためのフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号を生成するための受光系として設けられたものとなる。
ここで、フォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号については、光記録媒体１に記録された情報信号についての再生信号（ＲＦ信号）と比較してその周波数帯域が非常に低いため、検出光量が小であってもＳＮＲ（信号対ノイズ比）の悪化が抑制される。このため本例では、上記の受光系によって、エラー信号の検出用に信号光のみを分離してこれを独立に検出するものとしている。
なお、当該受光系において、参照光除去部２１は、例えば偏光板や偏光ビームスプリッタ等で構成することができる。
また、図示されているように、位置制御用受光部２３にて得られた受光信号については、受光信号Ｄ_psと表記する。

ビームスプリッタ２０を透過した信号光及び参照光は、ビームスプリッタ（無偏光ビームスプリッタ）２４に入射し、該ビームスプリッタ２４にてその一部が透過、一部が反射される。
ビームスプリッタ２４を透過した信号光及び参照光は、１／２波長板２５及び偏光ビームスプリッタ２６と、集光レンズ２７及び第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１と、集光レンズ２８及び第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２とを備えて成るホモダイン検波用光学系に導かれる。
また、ビームスプリッタ２４にて反射された信号光及び参照光は、１／４波長版２９及び１／２波長板３０及び偏光ビームスプリッタ３１と、集光レンズ３２及び第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３と、集光レンズ３３及び第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４とを備えて成る光路長サーボ用受光系に導かれる。

先ず、上記ホモダイン検波用光学系に関して、ビームスプリッタ２４にて反射された信号光及び参照光は、１／２波長板２５を介した後、偏光ビームスプリッタ２６に入射する。該偏光ビームスプリッタ２６は、先の偏光ビームスプリッタ１３と同様にＰ偏光を透過しＳ偏光を反射するように構成されている。
図のように偏光ビームスプリッタ２６を透過した光は、集光レンズ２７を介して第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１の受光面上に集光し、また偏光ビームスプリッタ２６にて反射された光は、集光レンズ２８を介して第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２の受光面上に集光する。

ここで、先に説明したように偏光ビームスプリッタ１３を透過した信号光（Ｐ偏光）と偏光ビームスプリッタ１３にて反射された参照光（Ｓ偏光）は、その偏光方向が互いに直交する関係となっており、この時点では光の干渉は生じない。

ホモダイン検波用光学系において、１／２波長板２５は、ビームスプリッタ２４側より入射する信号光と参照光の偏光方向を、光の進行方向に対し時計回りに４５°回転させるようにその取り付け角度（回転角度）が調整されている。
またホモダイン検波用光学系において、偏光ビームスプリッタ２６によっては、その透過光と反射光とによって、信号光・参照光の双方が、それぞれ偏光方向の直交する光に分光されることになる。

このとき、偏光ビームスプリッタ２６を透過した信号光・参照光は、共にＰ偏光であり、従ってこれらの光は同位相の光として集光レンズ２７を介して第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１に集光される。つまりこの結果、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１側では、信号光に対し、該信号光と同位相の参照光が合成された（干渉した）光が受光されることになる。
図示するように、当該第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１による受光信号については、受光信号Ｄ_hm1と表記する。

一方、偏光ビームスプリッタ２６にて反射された信号光・参照光については、上述のように１／２波長板２５によりそれらの光の偏光方向が時計回りに４５°回転されることと、該偏光ビームスプリッタ２６の分光面上での反射時の作用とにより、参照光の位相が、信号光の位相に対して１８０°（π）異なるようにされる。
このことで、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２側では、信号光に対して、該信号光とは逆位相となる参照光が合成された（干渉した）光が受光されることになる。
当該第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２による受光信号については、受光信号Ｄ_hm2と表記する。

また、上述のように、ビームスプリッタ２４にて反射された信号光及び参照光は、光路長サーボ用受光系に導かれる。
光路長サーボ用受光系において、ビームスプリッタ２４にて反射された信号光及び参照光は、１／４波長板２９及び１／２波長板３０を介した後、偏光ビームスプリッタ３１に入射する。この偏光ビームスプリッタ３１としても、先の偏光ビームスプリッタ１３,２６と同様にＰ偏光を透過しＳ偏光を反射するように構成されている。
図のように偏光ビームスプリッタ３１を透過した光は、集光レンズ３２を介して第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３の受光面上に集光し、また偏光ビームスプリッタ３１にて反射された光は、集光レンズ３３を介して第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４の受光面上に集光する。

ここで、このような光路長サーボ用受光系の構成と先のホモダイン検波用光学系の構成とを比較すると、光路長サーボ用受光系は、ホモダイン検波用光学系の構成に対して１／４波長板２９を追加したものとなっていることが分かる。この１／４波長板２９は信号光（Ｐ偏光）と参照光（Ｓ偏光）の偏光方向は変えずに、参照光又は信号光の位相を９０°遅らせるように調整されている。なお、１／２波長板３０としても、先の１／２波長板２５と同様に、ビームスプリッタ２４側より入射する信号光と参照光の偏光方向を光の進行方向に対し時計回りに４５°回転させるように調整されている。
このような１／４波長板２９の追加によって、第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３が受光する信号光及び参照光の合成光は、先の第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１が受光する同合成光に対して位相が９０°ずれたものとなり、同様に、第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４が受光する信号光及び参照光の合成光は、先の第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２が受光する同合成光に対して位相が９０°ずれたものとなる。
換言すれば、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１が「位相０°の信号光」と「位相０°の参照光」との合成光を受光し、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２が「位相０°の信号光」と「位相１８０°の参照光」との合成光を受光するものであると表現すると、上記第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３は「位相９０°の信号光」と「位相９０°の参照光」との合成光を受光し、上記第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４は「位相９０°の信号光」と「位相２７０°の参照光」との合成光を受光するものである。

図示するように、第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３による受光信号については受光信号Ｄ_ds1と、また第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４による受光信号については受光信号Ｄ_ds2とそれぞれ表記する。

図３は、実施の形態の再生装置全体の内部構成について説明するための図である。
なお図３において、光学ピックアップＯＰについては、２軸アクチュエータ１６、１軸アクチュエータ１９のみを抽出して示している。
またこの図では、スピンドルモータ４０の図示は省略している。

図示するように光学ピックアップＯＰの外部には、図２に示した第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１による受光信号Ｄ_hm1と第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２による受光信号Ｄ_hm2とに基づき再生データを得るための構成として、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２、コンパレータ４３、及び再生処理部４４が設けられる。
また、位置制御用受光部２３による受光信号Ｄ_psに基づき２軸アクチュエータ１６（対物レンズ１５）についてのサーボ制御を行うための構成として、エラー信号生成回路４５、サーボ回路４６が設けられる。
さらに、光路長サーボを行うための構成として第１信号生成回路４７、第２信号生成回路４８、減算部４９、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５０、加算部５１、光路長サーボ回路５２が設けられている。
なお、当該光路長サーボ系の構成については、後に改めて説明する。
ここで、前述した通り、後の光路長サーボについての説明までの間は、光検出処理回路の構成は先の図９に示した構成が採られているものとして扱う。

第１Ｉ−Ｖ変換回路４１は、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１からの受光信号Ｄ_hm1を入力し電流−電圧変換を行って、信号光に対して同位相の参照光が干渉した光についての再生信号を得る。
また、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２は、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２からの受光信号Ｄ_hm2を入力し電流−電圧変換を行って、信号光に対して逆位相の参照光が干渉した光についての再生信号を得る。

第１Ｉ−Ｖ変換回路４１、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２により得られたそれぞれの再生信号は、コンパレータ４３に供給される。
コンパレータ４３は、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１より供給される再生信号と第２Ｉ−Ｖ変換回路４２より供給される再生信号との差分信号を生成する。換言すれば、当該コンパレータ４３は、「信号光に同位相の参照光が干渉した光についての再生信号」−「信号光に逆位相の参照光が干渉した光についての再生信号」による演算を行うことに相当する。
このようなコンパレータ４３の演算により、いわゆる差動検出が行われたことになる。当該差動検出によって、ＤＣ成分としての参照光成分が除去（相殺）され、増幅された信号光の成分を得ることができる。

ここで、ホモダイン検波で検出される受光信号Ｄ_hm1、Ｄ_hm2をそれぞれ数式により表すと、以下のようになる。
なお下記［式１］［式２］においては、ビームスプリッタ２４が入射光の５０％を反射し５０％を透過するという前提の下で、ビームスプリッタ２４を透過した後の信号光の電界を1/2|Ｅ_sig｜、参照光の電界を1/2|Ｅ_ref｜としている。


Ｄ_hm1＝1/4|Ｅ_sig｜²＋1/4|Ｅ_ref｜²＋1/2|Ｅ_sig｜|Ｅ_ref｜cos(Δφ)
・・・［式１］


Ｄ_hm2＝1/4|Ｅ_sig｜²＋1/4|Ｅ_ref｜²−1/2|Ｅ_sig｜|Ｅ_ref｜cos(Δφ)
・・・［式２］


これら[式１][式２]において、右辺の第１項目、第２項目はそれぞれ信号光の二乗検波信号、参照光の二乗検波信号である。そして第３項目が、ホモダインによる信号光と参照光の干渉信号（つまり抽出したい信号）である。

上述のように受光信号Ｄ_hm1,Ｄ_hm2については差動検出が行われ、その結果は、


Ｄ_hm1−Ｄ_hm2＝|Ｅ_sig｜|Ｅ_ref｜cos(Δφ) ・・・［式３］


と表される。
この［式３］より、ホモダイン検波（及び差動検出）による再生動作によれば、参照光（|Ｅ_ref｜²）などのホモダイン信号以外の成分が除去されて、参照光の強度に応じて増幅された信号光が抽出されることが分かる。

説明を図３に戻す。
上記のようなコンパレータ４３による差動検出で得られた再生信号については、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２で得られる再生信号と区別する意味で、ＲＦ信号と表記する。

再生処理部４４は、コンパレータ４３によって得られたＲＦ信号について、２値化処理や記録変調符号の復号化・エラー訂正処理など、記録データを得るために必要とされる再生処理を行い、上記記録データを再生した再生データを得る。

エラー信号生成回路４５は、図２に示した位置検出用受光部２３からの受光信号Ｄ_psに基づき、フォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥを生成する。

サーボ回路４６は、エラー信号生成回路４５にて生成されたフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥに基づき、フォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号をそれぞれ生成する。そして、これらフォーカスサーボ信号、トラッキングエラー信号から生成したフォーカスドライブ信号ＦＤ、トラッキングドライブ信号ＴＤにより、光学ピックアップＯＰ内の２軸アクチュエータ１６のフォーカスコイル、トラッキングコイルをそれぞれ駆動する。
これにより、対物レンズ２０についてのフォーカスサーボループ、トラッキングサーボループが形成される。

＜３．光路長サーボの具体的手法について＞

ここで、ホモダイン方式は、信号光に対して参照光を干渉させて信号増幅を図る手法であるため、信号光と参照光との光路長差は、可干渉距離内で且つ位相差を０とすることが望ましいものとされている。当該条件が満たされれば、ディテクタ上で検出される光強度が最大となるためである。
この点より、ホモダイン方式を採用する場合には、信号光と参照光との光路長差を上記の条件が満たされるように一定に保つために、光路長サーボを行うようにされる。

ここで具体的に、可干渉距離内で位相差を０とするにあたっては、ディテクタ上で検出される光強度（つまり受光信号Ｄ_hm1やＤ_hm2の信号レベル）が最大となるようにすればよい。つまりは、「Ｄ_hm1−Ｄ_hm2」と表記することのできるＲＦ信号の振幅が最大となるようにすればよい。
但し、サーボ制御にあたり、入力信号の最大値を目標値とするのは安定したサーボ制御を実現する上で好ましくない。
そこで本例では、光路長サーボのエラー信号としては、「Ｄ_hm1−Ｄ_hm2」によるＲＦ信号ではなく、これに対し９０°の位相差を有するようにされた信号を用いるものとしている。

図４は、この点について説明するための図であり、図４（ａ）では信号光と参照光の光路長差を変化させたときのＲＦ信号（Ｄ_hm1−Ｄ_hm2）の波形を示し、図４（ｂ）ではＲＦ信号に対し位相が９０°ずれたものとなる「Ｄ_ds1−Ｄ_ds2」の波形を示している。
この図４を参照して分かるように、受光信号Ｄ_ds1と受光信号Ｄ_ds2との差動検出結果である「Ｄ_ds1−Ｄ_ds2」を光路長エラー信号として用いれば、光路長サーボ制御の目標値は、「０」とすることができる。

この点を踏まえた上で、図３に示す光路長サーボ系について説明する。
光路長サーボ系において、第３Ｉ−Ｖ変換回路４７は、図２に示した第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３からの受光信号Ｄ_ds1を入力し電流−電圧変換を行って、信号光（位相９０°）に対して同位相の参照光が干渉した光についての再生信号を得る。
また、第４Ｉ−Ｖ変換回路４８は、第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４からの受光信号Ｄ_ds2を入力し電流−電圧変換を行って、信号光（位相９０°）に対して逆位相の参照光が干渉した光についての再生信号を得る。

第３Ｉ−Ｖ変換回路４７、第２Ｉ−Ｖ変換回路４８により得られたそれぞれの再生信号は、コンパレータ４９に供給される。
コンパレータ４９は、第３Ｉ−Ｖ変換回路４７より供給される再生信号と第４Ｉ−Ｖ変換回路４８より供給される再生信号との差分信号を生成する。すなわち、これらの再生信号についての差動検出を行っているものであり、この結果、ＤＣ成分としての参照光成分が除去され、参照光の強度に応じて増幅された信号光の成分を得ることができる。
コンパレータ４９の出力信号（差動検出結果）については、図のように信号ＤＥｏと表記する。

当該信号ＤＥｏは、ローパスフィルタ５０を介して光路長サーボ回路５１に入力される。
ここで、ローパスフィルタ５０は、信号ＤＥｏとして得られる再生信号（ＲＦ信号との位相差が９０°となる再生信号）の高周波成分を除去する。このローパスフィルタ５０は、光路長サーボの周波数特性（サーボ帯域）がフォーカスサーボの周波数特性と同程度となるようにするために設けられる。すなわち、信号光と参照光の光路長差は主にディスクの面振れに伴って生じるので、これに応じ光路長サーボの周波数特性はフォーカスサーボの周波数特性と同程度とすることが要求されるものである。
以下、当該ローパスフィルタ５０の出力を、光路長エラー信号ＤＥと称する。

光路長サーボ回路５２は、ローパスフィルタ５０からの光路長エラー信号ＤＥを入力し、当該光路長エラー信号ＤＥの値が、所定の目標値で一定となるように１軸アクチュエータ１９を駆動するための駆動信号Ｄdsを生成する。具体的にこの場合は、光路長エラー信号ＤＥの値が０で一定となるようにするための駆動信号Ｄdsを生成し、当該駆動信号Ｄdsに基づき１軸アクチュエータ１９を駆動制御する。
これにより、ＲＦ信号の振幅を最大とする光路長サーボ制御が実現される。

＜４．光検出処理回路の構成＞

これまでで説明した前提を踏まえた上で、本実施の形態の再生装置が備える光検出処理回路の構成について説明する。
図５は、実施の形態の光検出処理回路の構成について説明するための図として、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１、及び第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２を含む光検出処理回路の回路構成を示している。

先ず、図のように第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２は、それぞれフォトダイオードで構成される。以下では、第１ホモダイン検波用ディテクタＰＤ１としてのフォトダイオードを第１フォトダイオードＰＤ１と、第２ホモダイン検波用ディテクタＰＤ２としてのフォトダイオードを第２フォトダイオードＰＤ２と表記する。

本実施の形態の光検出処理回路においては、先の図１０に示した光検出処理回路と同様に、第１フォトダイオードＰＤ１のアノードと第２フォトダイオードＰＤ２のカソードとが接続され、これら第１フォトダイオードＰＤ１と第２フォトダイオードＰＤ２との直列接続回路に対し、第１フォトダイオードＰＤ１、第２フォトダイオードＰＤ２をそれぞれ電流モードで使用するための逆方向バイアス電圧が与えられている。
そして、これら第１フォトダイオードＰＤ１と第２フォトダイオードＰＤ２との接続点からの出力信号（電流）が、先の図３にも示した第２Ｉ−Ｖ変換回路４２に入力される。ここで、図のように第１フォトダイオードＰＤ１のアノードからの出力信号は「Ｄ_hm1」である。また、第２フォトダイオードＰＤ２のカソードからの出力信号については、「Ｄ_hm2’」とする。上記接続点からは、これら信号Ｄ_hm1と信号Ｄ_hm2’の合成信号が出力される。

また、本実施の形態の光検出処理回路においては、第１フォトダイオードＰＤ１のカソードからの出力信号（Ｄ_hm1’とする）と、第２フォトダイオードＰＤ２のアノードからの出力信号Ｄ_hm2とをそれぞれカップリングコンデンサＣＣを介して合成し、当該合成された信号を第１Ｉ−Ｖ変換回路４１に入力するものとしている。
具体的には、信号Ｄ_hm1’についてはカップリングコンデンサＣＣ１を介し、信号Ｄ_hm2についてはカップリングコンデンサＣＣ２を介して、これらの信号を合成している。

このようにして得られる合成信号（合成電流）「Ｄ_hm1’＋Ｄ_hm2」が、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１に入力される。図示するように第１Ｉ−Ｖ変換回路４１は帰還抵抗Ｒ１とオペアンプＯＰ１とを備えており、上記合成信号「Ｄ_hm1’＋Ｄ_hm2」について、電流−電圧変換を行ってコンパレータ４３に出力する。

また、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２は、オペアンプＯＰ２と帰還抵抗Ｒ２とを備えて構成され、先に説明したようにして入力される合成信号（合成電流）「Ｄ_hm1＋Ｄ_hm2’」について電流−電圧変換を行ってコンパレータ４３に出力する。

前述もしたようにコンパレータ４３は、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１の出力と第２Ｉ−Ｖ変換回路４２の出力との差分信号を生成する。具体的には、

（Ｄ_hm1’＋Ｄ_hm2）−（Ｄ_hm1＋Ｄ_hm2’）

による差分信号を生成するものである。

図６は、図５に示す光検出処理回路のＳＮＲ（信号対雑音比）について説明するための図である。
先ず、第１フォトダイオードＰＤ１側で受光される光の強度は、先の［式１］に示したものと見ることができる。同様に、第２フォトダイオードＰＤ２側で受光される光の強度については先の［式２］に示すものとみることができる。
図６においては、これら［式１］［式２］における信号光・参照光の二乗検波信号成分（＝1/4|Ｅ_sig｜²＋1/4|Ｅ_ref｜²）を「Ａ」とおき、検出対象であるホモダイン信号成分（＝1/2|Ｅ_sig｜|Ｅ_ref｜cos(Δφ)）を「Ｂ・cosθ」としている。
従って、第１フォトダイオードＰＤ１側で受光される光の強度は、図のように「Ａ＋Ｂ・cosθ」と表記し、第２フォトダイオードＰＤ２側で受光される光の強度は「Ａ−Ｂ・cosθ」と表記している。

また、この前提によると、第１フォトダイオードＰＤ１のアノードからの出力電流Ｄ_hm1については「Ａ＋Ｂ・cosθ」と表記できる。一方、第１フォトダイオードＰＤ１のカソードからの出力電流Ｄ_hm1’については、出力電流Ｄ_hm1と逆位相となることから、図のように「−１^*(Ａ＋Ｂ・cosθ)」と表記できる。

同様にして、第２フォトダイオードＰＤ２のアノードからの出力電流Ｄ_hm2は「Ａ−Ｂ・cosθ」となり、第２フォトダイオードＰＤ２のカソードからの出力電流Ｄ_hm2’は「−１^*(Ａ−Ｂ・cosθ)」と表記できる。

ここで、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１の出力は、「Ｄ_hm１’＋Ｄ_hm2」と考えればよい。従って当該第１Ｉ−Ｖ変換回路４１の出力は、「−１^*(Ａ＋Ｂ・cosθ)＋(Ａ−Ｂ・cosθ)」より「−２^*Ｂ・cosθ」と表すことができる。
一方、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２の出力は、「Ｄ_hm1＋Ｄ_hm2’」と考えればよく、従って「(Ａ＋Ｂ・cosθ)＋{−１^*(Ａ−Ｂ・cosθ)}」より「２^*Ｂ・cosθ」と表すことができる。
この結果、コンパレータ４３より出力されるＲＦ信号の信号レベルは、図のように｜４^*Ｂ・cosθ｜と表すことができる。

上記説明からも理解されるように、本実施の形態の光検出処理回路では、「Ｄ_hm１’＋Ｄ_hm2」の合成信号についてのＩ−Ｖ変換、及び「Ｄ_hm1＋Ｄ_hm2’」の合成信号についてのＩ−Ｖ変換によってそれぞれ実質的な差動検出が行われた上で、さらに、コンパレータ４３によってこれら差動検出後の信号の差分をとることで、合計で２段階の差動検出が行われるものとなる。
このとき、検出すべき「Ｂ・cosθ」はこれらの差動検出ごとに２倍となり、結果としてＲＦ信号の信号レベルは、ホモダイン方式を採用しない場合のレベルを「１」（１ｓ）とおくと、「４」と表記することができる。

一方、本実施の形態の光検出処理回路は、Ｉ−Ｖ変換回路は２つ有するものとなっている。ここで、前述のように光検出処理回路におけるノイズとしては電流−電圧変換ノイズが支配的なものとなり、本実施の形態の光検出処理回路のノイズレベルは先の図９に示した構成例の場合と同様の「√２」（√２＊ｎ）と表すことができる。

以上の点より、本実施の形態の光検出処理回路のＳＮＲについては、「４／√２」と表記できる。これは、前述の図１０に示した構成例の場合のＳＮＲ＝「２」と比較して向上されていることが分かる。

このようにして本実施の形態の光検出処理回路によれば、ホモダイン方式を採用する再生装置において、光検出処理回路のＳＮＲを従来よりも向上することができる。

ここで、上記ではＲＦ信号の生成側のみに実施の形態としての光検出処理回路の構成を適用する場合を例示したが、実施の形態の光検出処理回路の構成は、光路長サーボ側が有する光検出処理回路の構成としても好適に適用できる。
確認のため、図７に、その場合の光検出処理回路の構成を示しておく。
先の図５と対比して分かるように、この場合は図５における第１フォトダイオードＰＤ１が第１光路長サーボ用ディテクタＰＤ３（図のようにフォトダイオードで構成される：以下、第３フォトダイオードＰＤ３とする）に置き換えられ、第２フォトダイオードＰＤ２が第２光路長サーボ用ディテクタＰＤ４（以下、第４フォトダイオードＰＤ４とする）に置き換えられる。そして、第１Ｉ−Ｖ変換回路４１が第３Ｉ−Ｖ変換回路４７に、第２Ｉ−Ｖ変換回路４２が第４Ｉ−Ｖ変換回路４８に置き換えられ、コンパレータ４３がコンパレータ４９に置き換えられたものとなる。
なお、第３Ｉ−Ｖ変換回路４７は第１Ｉ−Ｖ変換回路４１と同様に帰還抵抗Ｒ１とオペアンプＯＰ１とを備えて構成され、第４Ｉ−Ｖ変換回路４８は第２Ｉ−Ｖ変換回路４２と同様に帰還抵抗Ｒ２とオペアンプＯＰ２とを備えて構成される。
図のように第３フォトダイオードＰＤ３のアノードの出力電流が「Ｄ_hm3」、第４フォトダイオードＰＤ４のアノードの出力電流が「Ｄ_hm4」である。また、図５における「Ｄ_hm1’」「Ｄ_hm2’」に対応させて、第３フォトダイオードＰＤ３のカソードの出力電流を「Ｄ_hm3’」、第４フォトダイオードＰＤ４のカソードの出力電流を「Ｄ_hm4’」と表記している。

＜５．変形例＞

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明としてはこれまでで説明した具体例に限定されるべきものではない。
例えば光学系の構成は、実際の実施形態に応じて適宜最適とされる構成が採られればよく、本発明の範囲内において適宜変更が可能である。

また、再生対象とする光記録媒体については、ＲＯＭ型の光記録媒体を例示したが、本発明としては、光記録媒体一般に広く好適に適用可能なものであり、例えば、下記の参考文献１に記載されるようなバルク状の記録層に空包などによるマークが深さ方向の複数位置に形成される多層記録媒体（バルク型記録媒体）に対しても好適に適用できる。

参考文献１・・・特開２００８−１７６９０２号公報

１ 光記録媒体、２ カバー層、３ 記録層、４ 基板、１０ レーザ、１１ コリメーションレンズ、１２,２５,３０ １／２波長板、１３,２６,３１ 偏光ビームスプリッタ、１４,１７,２９ １／４波長板、１５ 対物レンズ、１６ ２軸アクチュエータ、１８,６２ ミラー、１９,６３ １軸アクチュエータ、２０,２４ （無偏光）ビームスプリッタ、２１ 参照光除去部、２２,２７,２８,３２,３３ 集光レンズ、２３ 位置制御用受光部、ＰＤ１ 第１ホモダイン検波用ディテクタ（第１フォトダイオード）、ＰＤ２ 第２ホモダイン検波用ディテクタ（第２フォトダイオード）、ＰＤ３ 第１光路長サーボ用ディテクタ（第３フォトダイオード）、ＰＤ４ 第２光路長サーボ用ディテクタ（第４フォトダイオード）、４０ スピンドルモータ（ＳＰＭ）、４１ 第１Ｉ−Ｖ変換回路、４２ 第２Ｉ−Ｖ変換回路、４３,４９ コンパレータ、４４ 再生処理部、４５ エラー信号生成回路、４６ サーボ回路、４７ 第３Ｉ−Ｖ変換回路、４８ 第４Ｉ−Ｖ変換回路、５０ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、５１ 光路長サーボ回路、ＯＰ 光学ピックアップ

Claims (6)

1. 第１のフォトダイオードと、
   上記第１のフォトダイオードのアノードに対してそのカソードが接続された第２のフォトダイオードと、
   上記第１のフォトダイオードのカソードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのアノードからの出力電流とを合成した第１の合成電流について電流−電圧変換を行う第１の電流−電圧変換部と、
   上記第１のフォトダイオードのアノードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのカソードからの出力電流とを合成した第２の合成電流について電流−電圧変換を行う第２の電流−電圧変換部と、
   上記第１の電流−電圧変換部による出力と上記第２の電流−電圧変換部による出力との差分信号を生成する差分信号生成部と
   を備える光検出処理回路。
2. 上記第１のフォトダイオードのカソードと上記第１の電流−電圧変換部との間、及び上記第２のフォトダイオードのアノードと上記第２の電流−電圧変換部との間のそれぞれにカップリングコンデンサが挿入されている
   請求項１に記載の光検出処理回路。
3. 第１のフォトダイオードと、
   上記第１のフォトダイオードのアノードに対してそのカソードが接続された第２のフォトダイオードと、
   上記第１のフォトダイオードのカソードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのアノードからの出力電流とを合成した第１の合成電流について電流−電圧変換を行う第１の電流−電圧変換部と、
   上記第１のフォトダイオードのアノードからの出力電流と上記第２のフォトダイオードのカソードからの出力電流とを合成した第２の合成電流について電流−電圧変換を行う第２の電流−電圧変換部と、
   上記第１の電流−電圧変換部による出力と上記第２の電流−電圧変換部による出力との差分信号を生成する第１の差分信号生成部と
   を備える第１の光検出処理回路と、
   光源より出射された光を分光して得た第１の光と第２の光について、上記第１の光を対物レンズを介して光記録媒体の記録層に照射し、上記第２の光をミラーに対して照射することによって、上記記録層から得られる上記第１の光の反射光を信号光、上記ミラーによる上記第２の光の反射光を参照光としてそれぞれ得ると共に、上記第１のフォトダイオードと上記第２のフォトダイオードのうちの一方に対して、互いの位相が一致するように調整された上記信号光と上記参照光とを受光させ、他方に対してその位相差が１８０°となるように調整された上記信号光と上記参照光とを受光させるように構成された光学系と、
   上記第１の差分信号生成部により得られた上記差分信号に基づき、上記記録層に記録された情報についての再生信号を得る再生部と
   を備える再生装置。
4. 上記第１のフォトダイオードのカソードと上記第１の電流−電圧変換部との間、及び上記第２のフォトダイオードのアノードと上記第２の電流−電圧変換部との間のそれぞれにカップリングコンデンサが挿入されている
   請求項３に記載の再生装置。
5. 第３のフォトダイオードと、
   上記第３のフォトダイオードのアノードに対してそのカソードが接続された第４のフォトダイオードと、
   上記第３のフォトダイオードのカソードからの出力電流と上記第４のフォトダイオードのアノードからの出力電流とを合成した第３の合成電流について電流−電圧変換を行う第３の電流−電圧変換部と、
   上記第３のフォトダイオードのアノードからの出力電流と上記第４のフォトダイオードのカソードからの出力電流とを合成した第４の合成電流について電流−電圧変換を行う第４の電流−電圧変換部と、
   上記第３の電流−電圧変換部による出力と上記第４の電流−電圧変換部による出力との差分信号を生成する第２の差分信号生成部と
   を備える第２の光検出処理回路をさらに備え、
   上記光学系が、
   上記第３のフォトダイオードと上記第４のフォトダイオードのうちの一方に対して、上記第１及び第２のフォトダイオードが受光する上記信号光とは位相が９０°ずれるように調整された上記信号光と、当該信号光と位相が一致するように調整された上記参照光とを受光させ、他方に対して、上記第１及び第２のフォトダイオードが受光する上記信号光とは位相が９０°ずれるように調整された上記信号光と、当該信号光との位相差が１８０°となるように調整された上記参照光とを受光させるように構成されていると共に、
   上記光学系が備える上記ミラーを当該ミラーへの上記第２の光の入射光軸に平行な方向に駆動する１軸アクチュエータと、
   上記第２の光検出処理回路が備える上記第２の差分信号生成部が生成した上記差分信号に基づき、上記信号光と上記参照光との光路長を一致させるように上記１軸アクチュエータを駆動制御する光路長サーボ制御部とをさらに備える
   請求項３に記載の再生装置。
6. 上記第３のフォトダイオードのカソードと上記第３の電流−電圧変換部との間、及び上記第４のフォトダイオードのアノードと上記第４の電流−電圧変換部との間のそれぞれにカップリングコンデンサが挿入されている
   請求項５に記載の再生装置。

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