[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2011514648A - レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法 - Google Patents

レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011514648A
JP2011514648A JP2011500768A JP2011500768A JP2011514648A JP 2011514648 A JP2011514648 A JP 2011514648A JP 2011500768 A JP2011500768 A JP 2011500768A JP 2011500768 A JP2011500768 A JP 2011500768A JP 2011514648 A JP2011514648 A JP 2011514648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tube
dispenser
conduit
target material
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011500768A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5593485B2 (ja
JP2011514648A5 (ja
Inventor
ゲオルギー オー ヴァスチェンコ
アレクサンダー エヌ ビカノフ
ノルベルト エル ボーヴェリンク
ディヴィッド シー ブラント
アレクサンダー アイ アーショフ
ロドニー ディー シモンズ
オリー ヴィー コーディキン
イゴー ヴィー フォーメンコフ
Original Assignee
サイマー インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サイマー インコーポレイテッド filed Critical サイマー インコーポレイテッド
Publication of JP2011514648A publication Critical patent/JP2011514648A/ja
Publication of JP2011514648A5 publication Critical patent/JP2011514648A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5593485B2 publication Critical patent/JP5593485B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/006Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有するEUV反射光学系を含むことができる装置を本明細書に開示する。光学系は、水平面に対してゼロ以外の角度で軸を傾かせ、かつ水平面内の領域の境界を示す周縁の垂直射影を水平面に確立するように位置決めすることができる。装置は、水平面にかつ周縁射影によって境界が示された領域外に位置するターゲット材料放出点を有してターゲット材料を送出するシステムと、ターゲット材料を照射してEUV放射を発生させるためのレーザビームを発生させるシステムとを更に含むことができる。
【選択図】図7

Description

本出願は、代理人整理番号第2006−0067−01号である2008年3月17日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の現在特許出願中の米国特許仮出願出願番号第61/069818号、及び代理人整理番号第2006−0067−02号である2008年6月19日出願の「レーザ生成プラズマEUV光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願出願番号第12/214、736号に対する優先権を請求するものであり、これらの特許の開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
本出願は、ターゲット材料から作り出されて、例えば、リソグラフィスキャナ/ステッパによるEUV光源チャンバ外での利用に向けて集光されて中間領域に誘導されるEUV光をプラズマから供給する極紫外線(EUV)光源に関する。
極紫外線、例えば、約50nm又はそれ未満の波長(軟X線とも呼ばれることもある)を有し、かつ約13.5nmの波長の光を含む電磁放射線は、フォトリソグラフィ処理において使用して、基板、例えば、シリコンウェーハ内に極めて小さな特徴部を生成することができる。
これらの処理に対しては、平坦な加工物、例えば、ウェーハを加工物が水平に配向されている間に照射することが一般的に好都合である。明らかに、水平に加工物を配向すると、加工物の取り扱い及びクランピングを容易にすることができる。この加工物の配向により、次に、スキャナ光学系、例えば、射影光学系、マスク、調整光学系などの配向及び位置を御することができ、一部の場合には、リソグラフィツールの光源によって生成される初期光ビームの選択的な配向を確立することができる。言うまでもなく、一般的に、各光学系は、光の強度を低減すると共にビームに収差を導入する可能性を有するので、光源とウェーハの間の経路に沿った光学系の数を最小にすることも好ましい。これを念頭に置くと、水平方向に対して実質的に傾斜した光のビームを生成する光源が一部の場合に好ましいということが起こるであろう。
方向付けされたEUV光ビームを生成する方法には、以下に限定されるものではないが、1つ又はそれよりも多くの輝線がEUV範囲にあって、少なくとも1つの元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有する材料をプラズマ状態に変換することがある。レーザ−生成−プラズマ(LPP)いうことが多い1つのこのような方法においては、所要のプラズマは、所要の線放出元素を有するターゲット材料をレーザビームで照射することによって生成することができる。
1つの特定のLPP技術は、ターゲット材料液滴の流れを生成してレーザ光パルス、例えば、ゼロ、1つ、又はそれよりも多くの予備パルス、次に、主パルスで液滴の一部又は全てを照射することを伴っている。より理論的には、LPP光源は、キセノン(Xe)、錫(Sn)、又はリチウム(Li)のような少なくとも1つのEUV放射元素を有するターゲット材料内にレーザエネルギを入れることによってEUV放射線を生成し、数十eVの電子温度を有する高電離プラズマが作り出される。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成される高エネルギ放射線は、全方向にプラズマから出射される。1つの一般的な構成においては、近垂直入射ミラー(「集光ミラー」ということが多い)は、中間位置、例えば、焦点に光を集めて誘導する(かつ一部の配置において集束させる)ために、プラズマから比較的短い距離、例えば10〜50cmの場所に位置決めされる。集光された光は、次に、中間位置から1組のスキャナ光学系に、最終的にはウェーハまで中継することができる。近垂直入射でEUV光を効率的に反射するために、精巧かつ比較的高価な多層コーティングを有するミラーが一般的に使用される。集光ミラー表面を清浄に保ち、かつプラズマ生成デブリから表面を保護することは、EUV光源開発者が直面する大きな課題のうちの1つである。
定量的には、中間位置で約100Wを生成することを目的として現在開発中である1つの構成では、順次約10、000〜200、000個/秒の錫液滴を照射するように液滴発生器と同期化されるパルス集束10〜12kWCO2駆動レーザの使用が考えられている。この目的のために、比較的高い繰返し数(例えば10〜200kHz又はそれよりも多く)で安定した液滴流を生成し、比較的長い期間にわたるタイミング及び位置に関して高精度及び良好な反復性で照射部位に液滴を送出する必要性が存在する。
1つの以前に開示した配置においては、実質的に垂直な液滴の流れが生成され、偏長な長球(すなわち、長軸周りに回転させた惰円の一部)として成形された集光ミラーの2つの焦点の一方を通過するように誘導される。垂直流を用いると、ミラーは、液滴の経路から外して位置決めすることができる。しかし、この位置決めでは、水平方向に沿って又は水平方向の近くに整列した円錐形EUV出力ビームが生成される。上述のように、状況によっては、水平方向に対して実質的に傾斜したEUV光源出力ビームを生成することが望ましい場合がある。
更に、垂直に配向された液滴流及び支持装置は、集光ミラーと加工物、例えば、ウェーハとの間にビーム経路の垂直に配向された掩蔽をもたらす場合がある。一部のスキャナ設計に対しては、非垂直掩蔽は、液滴関連の掩蔽を既存のスキャナ掩蔽と整列させること、及び/又は走査方向に対して整列した掩蔽を生成し、これが走査にわたって「平均化される」ウェーハで強度変動を作り出すことになり、かつ線量調節により補償することができることのような1つ又はそれよりも多くの理由から垂直配向掩蔽よりも好ましい場合がある。
米国特許仮出願出願番号第61/069818号 米国特許出願出願番号第12/214、736号 米国特許出願出願番号第11/174、299号 米国特許出願出願番号第11/580、414号 米国特許第6、625、191号 米国特許第6、549、551号 米国特許第6、567、450号 米国特許出願出願番号第11/406、216号 米国特許出願出願番号第11/505、177号 米国特許出願出願番号第11/827、803号 米国特許出願出願番号第11/358、988号 米国特許出願出願番号第11/067、124号 米国特許出願出願番号第11/174、443号
上記を念頭に置いて、本出願人は、レーザ生成プラズマEUV光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法、及び対応する使用方法を開示する。
一態様では、回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有するEUV反射光学系を含むことができる装置を開示する。光学系は、水平面に対してゼロ以外の角度で軸を傾かせ、かつ水平面内の領域の境界を示す周縁の垂直射影を水平面に確立するように位置決めすることができる。装置は、水平面内にかつ周縁射影により境界が示された領域外に位置するターゲット材料放出点を有してターゲット材料を送出するシステムと、ターゲット材料を照射してEUV放射を発生させるためのレーザビームを発生させるシステムとを更に含むことができる。
この態様の一実施形態では、回転面は、回転惰円とすることができ、惰円は、1対の焦点を定め、かつ各焦点を通過する惰円軸回りに回転される。
別の態様では、照射領域とターゲット材料放出点の間の非垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴源と、EUV反射光学系と、EUV放射線を生成するプラズマを生成するために照射領域で液滴を照射するビームを生成するレーザと、反射光学系を保護するためにターゲット材料を受け取るように位置決めされた捕獲部とを含むことができる装置を開示する。
一実施形態では、捕獲部は、チューブを含むことができ、特定的な実施形態では、照射領域は、チューブ内に位置することができ、チューブは、照射領域から反射光学系にEUVに放射線を通すにオリフィスと共に形成することができる。チューブをチューブが経路に沿って位置する位置からチューブがEUV反射光学系から反射されたEUV光を妨害しない位置まで移動させるための原位置機構を設けることもできる。
一構成においては、チューブは、反射光学系を非垂直経路から外れるターゲット材料から保護する遮蔽体とすることができる。一設定においては、チューブは、チューブが少なくとも部分的にターゲット材料放出点を取り囲む位置から放出点と照射領域の間に位置決めされたチューブ終点まで延びることができる。
一実施例では、捕獲部は、反射光学系の作動可能表面にわたって延長可能な格納式カバーを含むことができる。
この態様の別の実施形態では、捕獲部は、照射領域を通過したターゲット材料を受け取って受け取った材料が跳ね返って反射光学系に到達することを防止するように位置決めされた構造体を含むことができる。例えば、構造体は、細長チューブを含むことができる。
別の態様では、EUV光源のための原材料分注器を開示し、これは、壁を有してオリフィスが形成された原材料導管と、壁上に堆積された導電コーティングと、導電コーティング上に堆積された絶縁コーティングと、熱を生成するために導電コーティングに電流を通す電源と、絶縁コーティングに接触し、かつ壁を変形させて分注器からの原材料の放出を調節するように作動可能な電気作動式要素とを含むことができる。
一構成においては、導管は、チューブを含むことができ、特定の構成においては、チューブは、ガラスから作られ、導電コーティングは、ニッケル−コバルト−鉄合金を含むことができる。
この態様の一実施形態では、絶縁コーティングは、金属酸化物を含むことができる。
原材料分注器に対して、電気作動式要素は、圧電材料、電歪材料、又は磁気歪材料で製造することができる。
この態様に対して、原材料は、液体Snを含む。
別の態様では、EUV光源のための原材料分注器を開示し、これは、熱膨張率(CTEガラス)を有する管状ガラス部分と、ガラス部分に結合され、摂氏25〜250度の温度の範囲にわたってCTEガラスと5ppm/度摂氏未満だけ異なる熱膨張率(CTE金属)を有する金属とを含む原材料導管を含むことができる。
一実施形態では、接合金属は、ニッケル−コバルト−鉄合金を含むことができ、別の実施形態では、金属は、モリブデンを含むことができる。
別の態様では、EUV光源のための原材料液滴を生成する原材料分注器を開示し、これは、原材料受け取り端部と原材料出口端部とを有する原材料導管と、液滴流不安定性を低減するために導管の原材料出口端部の移動を制限する閉込め構造体とを含むことができる。
特定的な実施形態では、原材料は、摂氏25度を超えて加熱された溶融材料、例えば、液体錫又はリチウムを含むことができ、閉込め構造体は、導管の作動温度で導管と部材間に間隙を設けるようにサイズ設定された剛性部材を含むことができる。
一設定においては、部材は、熱膨張率(CTEフェルール)を有する材料で製造されたフェルールとすることができ、導管は、フェルールと導管間の間隙距離が温度上昇と共に減少するような熱膨張率(CTE導管)を有する材料で製造することができ、別の設定においては、部材は、熱膨張率(CTEフェルール)を有する材料で製造されたフェルールとすることができ、導管は、フェルールと導管間の間隙距離が温度上昇と共に増加するような熱膨張率(CTE導管)を有する材料で製造される。
別の実施形態では、閉込め構造体は、導管の作動温度で導管と接触するようにサイズ設定された可撓性フェルールを含むことができる。
レーザ生成プラズマEUV光源の略示概略図である。 略示液滴源の概略断面図である。 電気作動式要素を流体に結合してオリフィスを出る流れ内に外乱を作り出す異なる技術を示す断面図である。 電気作動式要素を流体に結合してオリフィスを出る流れ内に外乱を作り出す異なる技術を示す断面図である。 電気作動式要素を流体に結合してオリフィスを出る流れ内に外乱を作り出す異なる技術を示す断面図である。 電気作動式要素を流体に結合してオリフィスを出る流れ内に外乱を作り出す異なる技術を示す断面図である。 硼珪酸ガラスの熱膨張率に密接に適合する熱膨張率を有するように選択され、硼珪酸ガラス部分及び金属部分を結合する接合金属を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部の断面図である。 液滴流不安定性を低減するために原材料出口端部の移動を制限する閉込め構造体を有するEUV光源のための原材料液滴を生成する原材料分注器の各部を示す図である。 毛細管が室温である時に毛細管の外面に接触するようにサイズ設定された剛性フェルール214を示す図4の線4A−4Aに沿って見た時の断面図である。 膨張して高温、例えば、作動温度で剛性フェルールと毛細管の間の間隙を確立するようにサイズ設定された剛性フェルール214を示す図4の線4A−4Aに沿って見た時の断面図である。 高温作動温度で毛細管と接触するようにサイズ設定された可撓性フェルールを有する閉込め構造体を示す図4の線4A−4Aに沿って見た時の断面図である。 液滴流不安定性を低減するために閉込め構造体が原材料出口端部の移動を制限するように毛細管に対して配置かつ位置決めされた4つの部材を含むことができる別の実施形態を示す図4の線4A−4Aに沿って見た時の断面図である。 導管を加熱する導電材料の層で被覆された導管、例えば、毛細管を有する原材料分注器の各部を示す断面図である。 導管を加熱する導電材料の層及び絶縁材料の層で被覆された導管壁を示す断面図である。 導管を加熱する導電材料の層で被覆された導管、例えば、毛細管を有する原材料分注器の各部、及び導管を加熱するために電流が導電導管部分及び導電コーティングに通される構成を示す断面図である。 水平面に対してゼロ以外の角度で軸を傾かせて水平面内の領域の境界を示す周縁の垂直射影を水平面に確立し、かつ水平面内に及び周縁射影により境界が示された領域外に位置するターゲット材料放出点を有するように位置決めされた回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有するEUV反射光学系を示す側面平面図である。 水平面に対してゼロ以外の角度で軸を傾かせて水平面内の領域の境界を示す周縁の垂直射影を水平面に確立し、かつ水平面内に及び周縁射影により境界が示された領域外に位置するターゲット材料放出点を有するように位置決めされた回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有するEUV反射光学系を示す図7の線8−8に沿って見た時の断面図である。 水平面に対してゼロ以外の角度で軸を傾かせて水平面内の領域の境界を示す周縁の垂直射影を水平面に確立し、かつ水平面内に及び周縁射影により境界が示された領域外に位置するターゲット材料放出点を有するように位置決めされた回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有するEUV反射光学系を示す側面平面図である。 水平面に対してゼロ以外の角度で軸を傾かせて水平面内の領域の境界を示す周縁の垂直射影を水平面に確立し、かつ水平面内に及び周縁射影により境界が示された領域外に位置するターゲット材料放出点を有するように位置決めされた回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有するEUV反射光学系を示す図9の線10−10に沿って見た時の断面図である。 垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴源と、経路から外れるターゲット材料を受け取るように位置決めされた捕獲部とを有する装置の側面平面図である。 非垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴源と、ターゲット材料照射中に所定の位置のままとすることができ、経路から外れるターゲット材料を受け取るように位置決めされた遮蔽体の形態である第1の捕獲部と、照射領域を通過したターゲット材料を受け取るように位置決めされ、受け取った材料が反射光学系に跳ね返って到達することを防止するように設計された構造体の形態である第2の捕獲部とを有する装置の側面平面図である。 捕獲部にオリフィスが形成されていることを示す図12の線13−13に沿って見た時の断面図である。 非垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴源と、経路から外れるターゲット材料を受け取るように位置決めされた遮蔽体の形態の第1の捕獲部とを有し、かつ捕獲部に気体を通すシステムを含む装置の側面平面図である。 カバーが反射光学系の作動可能表面の一部又は全ての上に位置決めされた第1の伸張位置(図15)と、カバーが反射光学系の上に位置決めされていない第2の収縮位置(図16)との間で移動可能なカバーを含む捕獲部を示す図である。 カバーが反射光学系の作動可能表面の一部又は全ての上に位置決めされた第1の伸張位置(図15)と、カバーが反射光学系の上に位置決めされていない第2の収縮位置(図16)との間で移動可能なカバーを含む捕獲部を示す図である。 非垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴源と、チューブが少なくとも部分的にターゲット材料放出点を取り囲む位置から放出点と照射領域の間に位置決めされたチューブ終点まで延びるチューブを含み、経路から外れるターゲット材料を受け取るように位置決めされた遮蔽体の形態である捕獲部とを有する装置の側面平面図である。 ターゲット材料放出点から〜300mm隔てて取られた非垂直液滴流の画像である。 ターゲット材料放出点から〜300mm隔てて取られた非垂直液滴流の画像である。
最初に図1を参照すると、実施形態の一態様によるEUV光源、例えば、レーザ生成プラズマEUV光源20の概略図が示されている。図1に示すと共に以下でより詳細に説明するように、LPP光源20は、一連の光パルスを生成して、チャンバ26内に光パルスを送出するシステム22を含むことができる。以下で詳細するように、各光パルスは、システム12からのビーム経路に沿って進んでチャンバ26内に入って照射領域でそれぞれのターゲット液滴を照射することができる。
図1に示すシステム22において使用する適切なレーザには、パルスレーザ装置、例えば、比較的高電力、例えば、10kW又はそれよりも高く及び高パルス繰返し数、例えば、50kHz又はそれよりも高く作動するDC又はRF励起で、例えば、9.3μm又は10.6μmで放射線を生成するパルス気体放電CO2レーザ装置を含むことができる。1つの特定的な例では、レーザは、増幅の複数の段を備えたMOPA構成を有し、かつ例えば100kHz作動が可能である低エネルギ及び高繰返し数を有するQスイッチ式主発振器(MO)により開始されるシードパルスを有する軸流RF励起CO2レーザとすることができる。MOから、レーザパルスは、次に、照射領域28に入る前に増幅、整形、及び集束させることができる。連続励起CO2増幅器をシステム22に使用することができる。例えば、発振器及び3つの増幅器(O−PA1−PA2−PA3構成)を有する適切なCO2レーザ装置は、代理人整理番号第2005−0044−01号である2005年6月29日出願の「LPP−EUV光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/174、299号に開示されており、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。代替的に、レーザは、液滴が光キャビティの1つのミラーとして機能するいわゆる「自己ターゲット式」レーザシステムとして構成することができる。一部の「自己ターゲット式」構成においては、主発振器は、不要とすることができる。自己ターゲット式レーザシステムは、代理人整理番号第2006−0025−01号である2006年10月13日出願の「EUV光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/580、414号に開示かつ特許請求されており、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
用途により、他の形式のレーザ、例えば、高電力及び高パルス繰返し数で作動するエキシマ又は分子フッ素レーザも適切とすることができる。他の例には、例えば、ファイバ状、ロッド状、又は円板状活性媒体を有する固体レーザ、特許の開示内容全体が本明細書において引用により組み込まれている例えば米国特許第6、625、191号、米国特許第6、549、551号、及び米国特許第6、567、450号に示すような例えばMOPA構成エキシマレーザシステム、1つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振チャンバ及び1つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ(増幅チャンバは並列又は直列)、主発振器/電力発振器(MOPO)構成、主発振器/電力リング増幅器(MOPRA)構成、電力発振器/電力増幅器(POPA)構成を有するエキシマレーザがあり、又は1つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバにシード光を送出する固体レーザが適切とすることができる。他の設計も可能である。
図1に更に示すように、EUV光源20は、例えば、照射領域28に至るチャンバ26の内部にターゲット材料の液滴を送出するターゲット材料送出システム24を含むことができ、液滴は、1つ又はそれよりも多くの光パルス、例えば、1つ又はそれよりも多くの予備パルスと、次に、1つ又はそれよりも多くの主パルスと相互作用して最終的にプラズマを生成してEUV光を生成する。ターゲット材料には、錫、リチウム、キセノン、又はその組合せを含む材料を含むことができるが、必ずしもこれらに限定されるわけではない。EUV放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノンなどは、液滴及び/又は液滴内に含まれた固体粒子の形とすることができる。例えば、元素錫は、純粋な錫として、錫化合物、例えば、SnBr4、SnBr2、SnH4として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はその組合せとして使用することができる、使用する材料に基づいて、ターゲット材料は、室温を含む様々な温度で、又は室温の近くで(例えば、錫合金、SnBr4)、高温で(例えば、純粋な錫)、又は室温よりも低い温度で(例えば、SnH4)照射領域28に送出することができ、一部の場合には、比較的揮発性のもの、例えば、SnBr4とすることができる。LPP−EUV源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、代理人整理番号第2006−0003−01号である2006年4月17日出願の「EUV光源のための代替燃料」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/406、216号で呈示されており、この特許の内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
引き続き図1に関して、EUV光源は、光学系30、例えば、モリブデン及びシリコンの交互層を有する漸変多層コーティング、及び一部の場合には、1つ又はそれよりも多くの高温拡散障壁層、平滑化層、キャップ層、及び/又はエッチストップ層を有する偏長な長球(すなわち、長軸回りに回転される惰円)の形態の反射面を有する近垂直入射集光ミラーを含むことができる。図1は、システム22によって生成された光パルスが通過して照射領域28到達することを可能にする開口を光学系30に形成することができることを示している。図示のように、光学系30は、例えば、照射領域28内又はその近くに第1の焦点、及びEUV光を光源20から出力してEUV光を利用する装置、例えば、集積回路リソグラフィツール(図示せず)に入力することができるいわゆる中間領域40で第2の焦点を有する偏長長球ミラーとすることができる。楕円面ミラーの代わりに、EUV光を利用する装置へのその後の送出に向けて光を集光して中間位置に誘導する他の光学系を使用することもできることは認められるものとする。例えば、光学系は、長軸回りに回転されるパラボラアンテナとすることができ、又は環状断面を有するビームを中間位置に送出するように形成することができ、例えば、特許の内容全体が本明細書において引用により組み込まれている代理人整理番号第2006−0027−01号である2006年8月16日出願の「EUV光学系」という名称の米国特許出願出願番号第11/505、177号を参照されたい。
引き続き図1を参照すると、EUV光源は、システム22内の1つ又はそれよりも多くのランプ及び/又はレーザ要素をトリガさせることによってチャンバ26内への送出に向けて光パルスを生成する発射制御システム65を含むことができる。EUV光源は、例えば、照射領域28に対して1つ又はそれよりも多くの液滴の位置及び/又はタイミングを示す出力を送出する1つ又はそれよりも多くの液滴撮像器70、例えば、CCD及び/又はバックライトストロボスコープ照明及び/又は光カーテンを使用して画像を捕捉するシステムを含むことができる液滴位置検知システムを含むことができる。撮像器70は、液滴位置検出フィードバックシステム62にこの出力を送出することができ、液滴位置検出フィードバックシステム62は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができる例えば液滴位置及び軌道を計算することができる。液滴位置誤差は、次に、ソースタイミング回路を制御するために、及び/又は例えばチャンバ26内の照射領域28に送出されている光パルスの位置及び/又は集束力を変えるようにビーム位置及び成形システムを制御するために、システム22に位置、方向、及び/又はタイミング補正信号を送出することができるコントローラ60への入力として送出することができる。
EUV光源20は、光源20によって生成されたEUV光の様々な特性を測定する1つ又はそれよりも多くのEUV測定計器を含むことができる。これらの特性には、例えば、強度(例えば、全体的強度又は特定のスペクトル帯域内での強度)、スペクトル帯域幅、偏光、ビーム位置、指向性などを含むことができる。EUV光源は、計器類が、例えば、ピックオフミラーを使用してEUV出力の一部をサンプリングするか、又は「未集光」EUV光をサンプリングすることによって下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオンラインにある間に作動するように形成することができ、及び/又は例えば、EUV光源20のEUV出力全体を測定することにより、下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオフラインである間に作動させることができる。
図1に更に示すように、EUV光源20は、例えば、原材料分注器92からのターゲット材料の放出点を修正し、及び/又は液滴形成タイミングを修正して望ましい照射領域28に到達する液滴の誤差を補正し、及び/又は液滴の生成をパルスレーザシステム22と同期させるためにコントローラ60からの信号(一部の実施例では上述の液滴誤差又はそこから導出された何らかの数量を含むことができる)に応答して作動可能な液滴制御システム90を含むことができる。
図2は、本明細書で説明する一部の実施形態又は全てにおいて使用することができる略示原材料分注器92の構成要素を概略図で示している。図10に示すように、原材料分注器92は、例えば、図示の例に対しては圧力P下で流体96、例えば、溶融錫を保持するリザーバ94である導管を含むことができる。また、図示のように、リザーバ94には、オリフィス98を形成することができ、加圧流体98がオリフィスを通ることができ、その後に複数の液滴102a、bに分解する連続流100が確立される。
引き続き図2に対して、原材料分注器92は、流体98と作動可能に結合されている電気作動式要素104、及び電気作動式要素104を駆動する信号発生器106を有する流体内に外乱を生成するサブシステムを更に含む。図2A〜図2Dは、液滴を作り出すように1つ又はそれよりも多くの電気作動式要素を流体と作動可能に結合することができる様々な方法を示している。図2A〜図2Dに示す結合方法は、本明細書で説明する一部の実施形態又は全てにおいて使用することができる。図2Aから始めると、流体を圧力を掛けて強制的にリザーバ108から、比較的小さい直径及び約10〜50mmの長さを有するチューブ110、例えば、毛細管を通過させてチューブ110のオリフィス114を出る連続流112を作り出し、連続流112が、その後液滴116a、bに分解する構成が示されている。図示のように、電気作動式要素118は、導管に結合することができる。例えば、電気作動式要素は、導管110に結合して、導管110を偏向させて流れ112を乱すことができる。図2Bは、リザーバ120、導管122、及び各々がそれぞれの頻度で導管122を偏向させるために導管122に結合された1対の電気作動式要素124、126を有する類似の構成を示している。図2Cは、プレート128が、流体を強制的にオリフィス132に通過させて液滴136a、bに分解する流れ134を作り出すように移動可能なリザーバ130内に位置決めされている別の変形を示している。図示のように、力をプレート128に印加することができ、1つ又はそれよりも多くの電気作動式要素138を板に結合して流れ134を乱すことができる。毛細管は、図2Cに示す実施形態と共に使用することができることは認められるものとする。図2Dは、流体を圧力を掛けてリザーバ140から強制的にチューブ142を通過させて、チューブ142のオリフィス146を出る連続流144が作り出され、連続流144が、次に、液滴148a、bに分解する別の変形を示している。図示のように、例えばリング状又は管状の形状を有する電気作動式要素150をチューブ142回りに位置決めすることができる。駆動された時、電気作動式要素142は、選択的にチューブ142を圧搾して流れ144を乱すことができる。2つ又はそれよりも多い電気作動式要素を使用してそれぞれの頻度で選択的にチューブ142を圧搾することができることは認められるものとする。
様々な液滴分注構成及びそれらの相対的利点に関する更なる詳細は、代理人整理番号第2007−0030−01号である2007年7月13日出願の「変調妨害波を使用して生成した液滴流を有するレーザ生成プラズマEUV光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/827、803号、代理人整理番号第2005−0085−01号である2006年2月21日出願の「予備パルスによるレーザ生成プラズマEUV光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/358、988号、代理人整理番号第2004−0008−01号である2005年2月25日出願の「EUVプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/067、124号、及び代理人整理番号第2005−0003−01号である2005年6月29日出願の「LPP−EUV光源材料ターゲット送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第11/174、443号に見ることができ、これらの各々の内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
図3は、電気作動式要素130、ガラス部分132、例えば、硼珪酸ガラスのような石英系ガラス又は水晶、及びフランジとして示す金属部分134を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示している。例えば、ガラス部分132は、成形出口オリフィスノズルを有するガラスの毛細管とすることができる。図示のように、分注器は、更に、ガラス部分及び金属部分を結合する接合金属から成る密封接合部136を含む。
この構成に対して、接合金属は、一般的に、作動温度範囲、例えば、ターゲット材料としての液体錫に対して摂氏25〜260度にわたってガラス(CTEガラス)の熱膨張率に密接に適合する熱膨張率(CTE金属)を有するように選択する。一部の場合には、熱膨張率(CTEガラス)を有する管状ガラス部分は、摂氏25〜260度の温度の範囲にわたってCTEガラスと5ppm/度摂氏未満だけ異なる熱膨張率を有するガラス部分に結合された金属と共に使用される。ガラスのコバール及びガラスのMoに加えて、摂氏25〜250度の温度の範囲にわたって5ppm/度摂氏未満のCTE差を有する他の組合せには、不変鋼/水晶、モリブデン/アルミニウム、コバール/アルミニウム、白金/ソーダ石灰ガラス、モリブデン/水晶、タングステン/硼珪酸ガラス、及びステンレス鋼/アルカリバリウムガラス(コーニング9010)がある。
例えば、接合金属は、コバールのようなニッケル−コバルト−鉄合金から成ることができ、又は接合金属は、モリブデン又はタングステンから成ることができる。この構成では、例えば、加工温度(溶融錫での作業に関しては250〜260C)までノズルを加熱した後のガラスの毛細管の割れを回避することができる。
本明細書で使用する時、コバールという名称は、特定の熱膨張特性を有するFeNi合金に関する一般用語として使用しており、かつ温度範囲にわたって直接の機械式連結を可能にする硼珪酸ガラスの熱膨張特性(30℃と200℃の間では〜5x106/℃、800℃では〜10xl06/℃まで)と適合するようになっているニッケルコバルト合金鉄を含む。1つの特定のコバール合金は、約29%ニッケル、17%コバルト、0.2%シリコン、0.3%マンガン、及び53.5%鉄(重量比)から成る。
図3Aは、面シール、例えば、VCR密封構成要素として示す硼珪酸ガラス部分140、例えば、ガラスの毛細管及び部分142、及び開放面シール、例えば、VCR密封構成要素を固定して別の面シール、例えば、VCR密封構成要素(図示せず)に密封するのに使用されるナット144を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示している。図3Aに示す構成に対して、部分142、例えば、開放面シール、例えば、VCR密封構成要素は、ガラスの熱膨張率(CTEガラス)に密接に適合する熱膨張率(CTE金属)を有するように選択される材料で製造することができる。例えば、材料は、コバールのようなニッケル−コバルト−鉄合金から成ることができ、又は材料は、モリブデン又はタングステンから成ることができる。この構成では、例えば、加工温度(溶融錫での作業に関しては250〜260C)までノズルを加熱した後のガラスの毛細管の割れを回避することができる。図3Aに示す構成に対して、部分142は、部分142の本体から延び、かつ毛細管(ガラス部分140)が突起の上に摺って突起に付着することを可能にする円形中空突起146を形成することができる。一実施例では、約1100〜1700℃までガラス毛細管端部を加熱して毛細管が冷却するまで図示の位置に保持することによって図3Aに示す構成を準備することができる。
図3B〜図3Fは、ガラス部分、例えば、ガラス毛細管及び開放面シール、例えば、VCR密封構成要素を結合する他の構成の例を示しており、上述のように、開放面シール、例えば、VCR密封構成要素は、一般的にガラスの熱膨張率(CTEガラス)に密接に適合する熱膨張率(CTE金属)を有するように選択される材料で製造することができる。例えば、材料は、ニッケル−コバルト−鉄合金、モリブデン、又はタングステンから成ることができる。
更に詳しくいえば、図3Aは、図3に示すと共に上述した同じ構成を使用する開放面シール、例えばVCR密封構成要素として示すガラス部分150、例えば、導管部分152に結合されたガラスの毛細管を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示す(すなわち、部分152は、部分152の本体から延び、かつ毛細管(ガラス部分150)が突起の上に摺って突起に付着することを可能にする円形中空突起154を形成することができる)。更に、図示のように、部分152には、部分152の本体から延びる円形中空突起146を形成すると共に、液体原材料、例えば、錫が部分152から部分150に流動する時に不純物(捕捉しなければ比較的小さい毛細出口オリフィスを閉塞させる場合がある例えば固形物)を捕捉する際に有用とすることができる捕捉領域158を確立することができる。
図3Cは、導管部分162に導管部分162の出力オリフィス内に位置する円形凹部164を形成すると共に毛細管(ガラス部分160)の一端を凹部に摺動させて凹部の円形壁に付着することを可能にするようにサイズ設定することができる開放面シール、例えばVCR密封構成要素)として示すガラス部分160、例えば、導管部分162に結合されたガラスの毛細管を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示している。
図3Dは、部分172が、出力オリフィス174の円形の壁に付着し、かつ不純物捕捉部176を確立する毛細管(ガラス部分170)の一端が出力オリフィス174を通って摺動して部分172の本体内に摺動することを可能にするようにサイズ設定された(図3Bを参照して上述したように)円形出力オリフィス174を形成することができる開放面シール、例えば、VCR密封構成要素として示すガラス部分170、例えば、導管部分172に結合されたガラス毛細管を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示している。
図3Eは、ガラス部分170、円形出力オリフィス174が形成された導管部分172を含み、かつ配置されなければ毛細出口オリフィスを閉塞させる場合がある不純物、例えば、固形物を除去するために導管部分172の本体内に配置された例えば焼結金属、金網、及び/又はグラファイト繊維で製造された多孔質フィルタ178を更に含む図3Dに示す構成と共通の1つ又はそれよりも多くの構成要素を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示している。フィルタ178は、例えば、図3、図3A〜Cに示す他の実施形態内に組み込むことができることは認められるものとする。
図3Fは、導管部分182が、毛細管(ガラス部分180)の一端が出力オリフィス184を通って摺動して部分182の本体内に摺動し、出力オリフィス184の円形壁に付着することを可能にするようにサイズ設定された円形出力オリフィス174を形成することができる開放面シール、例えば、VCR密封構成要素として示す硼珪酸ガラス部分180、例えば、導管部分182に結合されたガラス毛細管を含む原材料導管を有するEUV光源のための原材料分注器の各部を示している。図示のように、ガラス部分180の端部は、部分182の内壁188に対して付着する当接部186を形成することができる。同じく図示のように、図3Eを参照して上述したようなフィルタ190を用いることができる。
図4は、図示の場合に関して、分注器部分204に剛性に固定される原材料受止め端部202、例えば、開放面シール、例えば、VCR密封構成要素を有するガラス毛細管200を含む原材料導管を含むEUV光源のための原材料液滴を生成する原材料分注器の各部を示している。この固定は、ろう付、接合、例えば、エポキシ樹脂処理、CTE適合接合金属206(図3及び上述の対応する説明を参照されたい)の使用により、又は図3A〜図3Fに示すと共に上述した結合構成の1つによって達成することができる。図4は、毛細管200に原材料出口端部208が形成され、かつ分注器は、電気作動式要素210、例えば、PZT、及び液滴流不安定性を低減するために原材料出口端部208の移動を制限する閉込め構造体212を含むことができることを示している。例えば、毛細管200は、約10〜50mmの長さ「b」を有することができる。閉込め構造体212がない場合、自由端208は、ノズルを振動させる恐れがあり、この振動は、液滴流の不安定性を引き起こす場合がある。
図4に示すように、閉込め構造体は、リング状フェルール214及びマウントアセンブリ216を含むことができる。高温原材料、例えば、液体錫又はリチウムに対して、閉込め構造体は、図4、図4A及び図4Bに示すような剛性フェルールを使用することができる。1つの設計においては、剛性フェルール214は、図4Aに示すように、毛細管200が未加熱状態、例えば、室温である時に毛細管200の外面に接触するようにサイズ設定することができる。毛細管200が作動温度、例えば約250〜260℃に到達した時、小さい間隙218が、図4Bに示すように、剛性フェルール214と毛細管200の間に確立される。
例えば、ガラスは、8〜10ppm/℃の典型的なCTEを有し、300シリーズステンレス鋼のCTEは、14〜19ppm/℃の範囲であり、400シリーズステンレスは、10〜12ppm/℃である。従って、約10ppm/℃のCTE不整合がある場合がある。1mmの一般的な毛細管直径及び〜250℃の温度変化に対して、CTE不整合により引き起こされる最大材料変位は、以下とすることができる。
1mm*10ppm/C*250C=2.5ミクロン
従って、剛性フェルール214と毛細管200の間には最大2.5ミクロンまでの間隙があることになる。この間隙により、(a+b)/bの比率に比例してターゲットで液滴流不安定性が発生し、ここで、「a」は、毛細管200と照射領域220の間の距離であり、「b」は、毛細管の長さである。例えば、毛細管が1インチであり、毛細管200と照射領域220の間の距離が2インチである場合、2.5ミクロン間隙により、許容されるプラズマ時の液滴変位は、約7.5ミクロンだけである。これは、問題のないものと考えられ、その理由は、例えば、約100〜150ミクロンとすることができるLPPレーザビームサイズより遙かに小さいからである。
図4Cは、閉込め構造体が、液体錫が原材料として使用された時に作動温度、例えば〜250〜260℃で導管、例えば、毛細管200’に接触するようにサイズ設定された可撓性フェルール214’例えば、準拠材料で製造されたフェルールを含むことができる別の実施形態を示している。この構成に対して、可撓性フェルール214’は、冷たい時、例えば、室温で毛細管200を若干圧搾する(その破損点未満で)ようにサイズ設定することができる。毛細管200が高温である時、可撓性フェルールは、依然として毛細管に接触してそれを固く保持する。この構成では、間隙はなく、毛細管200’は、バネ荷重式とすることができる。一実施例では、バネ荷重は、抑制された毛細管200’の共振周波数が自由懸垂毛細管よりも大幅に高いように毛細管200自体よりも剛性にすることができる。
図4Dは、閉込め構造体が、液滴流不安定性を低減するために原材料出口端部(図4を参照されたい)の移動を制限するために毛細管200に対して配置かつ位置決めされた複数の(この事例においては4つの)部材222a〜dを含むことができる別の実施形態を示している。高温原材料、例えば、液体錫又はリチウムに対して、部材222a〜dは、選択した作動温度で膨張してそれぞれの部材と毛細管200の間に所定の間隙を確立するように設計することができ、又は部材の1つ、一部、又は全ては、選択した作動温度で膨張し、毛細管200に接触して選択した力を毛細管200に印加するように設計することができる。
また代替的に、400ステンレス及びガラス、又は更により良好な適合材料のようなより良好なCTE適合材料を使用して剛性フェルールの場合に間隙を低減することができ、例えば、フェルールは、コバール又はモリブデン製とすることができる。
図5Aは、図示の場合に関して、分注器部分254に剛性に固定される原材料受け取り端部252、例えば、フランジ、又は開放面シール、例えば、VCR密封構成要素を有するガラスの毛細管250を含む原材料導管を含むEUV光源のための原材料液滴を生成する原材料分注器の各部を示している。この固定は、ろう付、接合、例えば、エポキシ樹脂処理、CTE適合接合金属206(図3及び上述の対応する説明を参照されたい)の使用により、又は図3A〜図3Fに示すと共に上述した結合構成の1つによって達成することができる。図5Aは、毛細管250が原材料出口端部256が形成され、かつ分注器が電気作動式要素258、例えば、圧電変調装置(毛細管250の壁を変形させて分注器からの原材料の放出を調節するように作動可能)を含むことができることも示している。
図5Bに示すように、導電コーティング層262は、毛細管250の壁を覆い、かつ一部の場合には、接触するように堆積させることができ、絶縁コーティング264は、導電コーティング層262と電気作動式要素258の間に挿入することができる。例えば、絶縁コーティング264は、導電コーティングを覆い、一部の場合には、接触するように堆積させることができる。
図5A及び図5Bは、導体268a、b(例えば、ワイヤ))を通じて電流を導電コーティングに通してオーム加熱を通じて熱を生成することを可能にする導電コーティング層262を有する電流源266を電気回路内に設けることができることを示している。図5Aに示す構成においては、電気エネルギは、毛細管250の先端で層262に接続した導体268a、及び電気作動式要素258基部で層262に接続した導体268bによって毛細管に送出される。この構成では、毛細管250の上部は、金属分注器部分254を通じて導電により加熱することができる。導体268a、bは、ろう付、半田付けにより、例えば、高融点性合金で層262に装着するか、又は例えば高温導電エポキシで接合することができる。
図示の配置に対して、液体Snは、高温、例えば、約250℃で毛細管250を通る原材料として使用することができる。毛細管250を加熱すると、流量を増大させると共に凝固による閉塞を防止することができる。一構成においては、毛細管250は、ガラス製とすることができ、導電コーティングは、モリブデン又はニッケル−コバルト−鉄合金、例えばコバールから成ることができ、絶縁コーティングは、金属酸化物から成ることができる。原材料分注器に対して、電気作動式要素258は、圧電材料、電歪材料、又は磁気歪材料で製造することができる。
電流を送出して毛細管250を加熱することに加えて、導体268bは、毛細管250の先端を支持し、かつ毛細管250を出るターゲット材料流の空間安定度を増大させることができる。導電層262の材料は、以下の要件、すなわち、高い抵抗、ガラスに非常に近い熱膨脹率、ガラス面への良好な接着性、高い溶融温度を満たすように選択することができる。例えば、ニッケル−コバルト−鉄合金コバール、モリブデン及びタングステンのような材料は、硼珪酸ガラス(8〜10ppm/K)にかなり近い約4〜6ppm/Kの熱膨脹率を有し、かつガラスと組み合わせた高温用途に使用することができる。更に、ニッケル−コバルト−鉄合金、例えば、コバールの抵抗率は、約4.9・107Ω・mであり、モリブデンは、約5.34・108Ω・mである。従って、40mm長の1mm毛細管250上に堆積されたニッケル−コバルト−鉄合金、例えば、コバールの5μm厚みの層は、約1.24Ωの毛細管250の加熱に向けて適切な抵抗を有する。
毛細管250のガラスの表面上の導電層262の堆積は、(例えば)陽極材料として必要な金属を使用して真空アーク堆積により行うことができる。比較的薄い(1〜2μm)の絶縁体層264(例えば、金属酸化物)は、電気作動式要素258、例えば、圧電チューブの内部電極の絶縁に向けて導電層262上に堆積させることができる。この構成では、毛細管250の温度は、電気作動式要素258、例えば、一般的により低い作動温度を必要とする圧電チューブの温度よりも高いとすることができる。温度が高いほど、圧電材料の脱ポーリングが速く、かつ熱応力が増大すると考えられる。絶縁コーティングを本明細書で説明しているが、他の絶縁体、例えば、コーティング以外を用いて、電気作動式要素258を導電層262から絶縁することができることは認められるものとする。
図6は、図示の場合に関して、分注器部分254に剛性に固定されたコーティング層262、264を有するガラス毛細管250(図5Bを参照して上述したような)、電気作動式要素258、電流源266、及び電流を導電コーティング262に通してオーム加熱を通じて熱を生成することを可能にする導体268a、b(例えば、ワイヤ)を含む原材料導管を含む図5に示すと共に上述した構成と共通の1つ又はそれよりも多くの構成要素を有するEUV光源のための原材料液滴を生成する原材料分注器の別の実施形態の各部を示している。図6に示す構成においては、分注器部分254は、導電材料で製造することができ、導電コーティング262は、例えば、毛細管250の各部からの絶縁コーティング264の除去により、分注器部分254と接触して設けることができる。この構成では、電気エネルギは、分注器部分254に接続した導体268a及び電気作動式要素258基部で層262に接続した導体268bによって毛細管に送出することができる。
図7をここで参照すると、EUV反射光学系300、例えば、モリブデン及びシリコンの交互層、かつ一部の場合には、1つ又はそれよりも多くの高温拡散障壁層、平滑化層、キャップ層、及び/又はエッチストップ層を備えた例えば漸変多層コーティングを有する回転楕円の形態の反射面を有する近垂直入射集光ミラーを有する装置が示されている。図8で最も分るように、光学系300は、回転軸302と円形周縁304とを定める反射回転面によって形成される。図7及び図8に示すように、光学系300は、水平面306に対してゼロ以外の角度、例えば、10〜90度で回転軸302を傾かせるように位置決めすることができる。図9及び図10は、周縁304の垂直射影が水平位置306内にあることを示し、かつ周縁射影は、水平面306内の領域308の境界を示すことができることを示している。図7〜図10は、装置は、水平面306内に及び周縁射影により境界が示された領域308外に位置するターゲット材料放出点312を有するターゲット材料310、例えば、ターゲット材料液滴の流れを送出するシステムを更に含むことができることを示している。照射領域314(図7を参照されたい)でターゲット材料を照射してEUV光を生成するレーザビームを発生させるシステム(図1を参照されたい)を設けることもできる。
この構成では、EUV光は、水平に対して傾斜されている軸302に沿って光学系300から誘導される。上述のように、この配向は、恐らく望ましいと考えられる。また、この構成は、使用されたものまでの非垂直液滴流を可能にし、これは、一部の場合には、垂直液滴流に対して光学系300の汚れを低減することができる。特に、非常に小さい速度で液滴発生器から出射されるターゲット材料(すなわち、液滴発生器の偶発的な漏れの場合)は、重力によりEUV集光器の方へ引かれたりせず、集光器の汚れの確率は、大幅に低減される。更に、垂直に配向された液滴流及び支持装置により、集光ミラーの垂直に配向された掩蔽が発生する場合がある。以下のEUV光学系の設計によっては、これは、光学系の性能に関してより好ましくない掩蔽の配向である場合がある。
この構成においては、液滴発生器が水平面上の集光光学系の射影の外側に位置決めされた状態で、水平方向に速度vで発生器によって生成された液滴は、以下によって示される量dだけ液滴発生器Lから隔てて元の経路から垂直方向に偏向される。
d=(g/2)(L/v)2
ここで、gは、重力加速度である。従って、20m/sの液滴速度及びL=30mmの液滴発生器からの距離の場合、水平方向dからの片寄りは、1.1のmmのみである。従って、実際的な液滴速度に対して、水平方向に発射された液滴は、殆ど直線的な水平線でプラズマ点に到着する。類似の論拠を液滴発生器の他の垂直以外の配向に適用することができる。
図7に示すように、ターゲット材料310を送出するシステムは、ターゲット材料310を送出するシステムを異なる方向に傾かせることができるステアリング機構315上に取り付けて、集光ミラーの焦点に対して液滴の位置を調節することができ、かつ流れ軸に沿って小さい区分で液滴発生器を平行移動させることができる。図7に更に示すように、プラズマ生成に使用されない液滴及びレーザ照射に露光されかつ直線的な経路から偏向された材料は、照射領域314を超えて何らかの距離を進むことが許容され、図示の場合に関して、構造体、例えば、細長チューブ316(円形、長楕円形、卵形、正方形のような断面を有する)を含む捕獲部により妨害される。更に詳しくいえば、細長チューブ316は、照射領域を通過したターゲット材料を受け取り、かつ受け取った材料が跳ね返って反射光学系に到達することを防止するように位置決めすることができる。一部の場合には、跳ね返りの影響は、例えば、約3より大きい比較的大きな縦横比L/Wを有するチューブを使用することによって低減/防止することができ、ここで、Lは、チューブ長であり、Wは、Lに垂直な最大チューブ内寸である。チューブ316の内壁に衝突すると、ターゲット材料液滴は、速度を失い、ターゲット材料は、次に、図示のように専用容器318内に回収することができる。
図11をここで参照すると、照射領域350とターゲット材料放出点354との間に非垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴源を有する装置が示されている。図示のように、装置は、EUV反射光学系356(例えば、光学系300に関して上述したような)と、図示の実施形態に関して、経路から外れるターゲット材料、例えば、経路364に沿った材料を受け取るチューブ360を含む第1の捕獲部と、図示の場合に関して、構造体、例えば、照射領域を通過したターゲット材料を受け取り、かつ受け取った材料が跳ね返って反射光学系に到達することを防止するように位置決めされた細長チューブ362を含む第2の捕獲部とを含むことができる。
また、図11に示すように、チューブ360が経路に沿って配置された位置からチューブ360がEUV反射光学系から反射されたEUV光を妨害しない位置までチューブ360を移動させる機構366、例えば、電動アームを設けることもできる。使用時には、チューブ360は、液滴開始及び/又はアラインメント及び/又は液滴終了中には図示のように設け、かつ例えば液滴照射前に電動アーム機構366を使用して除去することができる。
図12及び図13は、照射領域402とターゲット材料放出点406との間に非垂直経路404に沿って照射領域402にターゲット材料を送出するターゲット材料液滴400源を有する装置を示している。図示のように、装置は、EUV反射光学系408(例えば、光学系300に関して上述したような)と、図示の実施形態に関して、経路から外れるターゲット材料、例えば、経路364に沿った材料を受け取るチューブ412を含む第1の捕獲部と、図示の場合に関して、構造体、例えば、照射領域を通過したターゲット材料を受け取り、かつ受け取った材料が跳ね返って反射光学系に到達することを防止するように位置決めされた細長チューブ414を含む第2の捕獲部とを含むことができる。
図12及び図13は、照射領域402がチューブ412内に位置するように、チューブ412を位置決めすることができることを示し、図13は、チューブ412は、ターゲット材料を照射するレーザビームが、照射領域に至るチューブ412に入ることを可能にし、かつチューブ412内で生成されたEUV光がチューブ412を出て光学系408に到達することを可能にするオリフィス416を形成することができることを示している。この構成に対して、チューブ412は、システム上に恒久的に据え付けることができる(すなわち、ターゲット材料照射中に図12に示す位置のままとすることができる)。更に、レーザビームダンプ418は、図示のように、オリフィス416の反対にあるチューブ412の側に取り付けられるか、又はオリフィス416の反対にあるチューブ412の側にチューブ412と一体に形成することができる。また、図示のように、チューブ412、414の一方又は両方は、重力が捕獲部内に蓄積したターゲット材料を排出されることを可能にするために、水平方向に対して若干傾かせることができる。経路414からターゲット材料を受け取るように位置決めされた回収リザーバ420を図示のように設けることができる。
図12及び図13に示す第1及び第2の捕獲部の各部又は全ては、二重壁チューブを有することができ、チューブ壁間の空間は、捕獲部の効率的な熱管理に向けて、水、錫、ガリウム、錫−ガリウム合金のような1つ又はそれよりも多くの熱交換流体で満たすか、又は1つ又はそれよりも多くの熱交換流体を通過させるように設計することができる。各捕獲部及び/又はリザーバの各部又は全ては、加熱して、回収リザーバへの容易な移送をもたらすために、又はターゲット材料堆積による捕獲部の閉塞を回避するためにターゲット材料を融解温度より上に保つことができる。液滴リザーバへの(使用済み)ターゲット材料の移送を助けるために、プラズマから出射されるエネルギにより及び/又は液滴発生器又は加熱液滴リザーバとの熱接触により間接的に加熱されることも捕獲部に有利であると考えられる。捕獲チューブ412、414の製造のための材料には、殆どのターゲット材料及び比較的高い溶融温度での適合性(反応なし)のために、チタン、タングステン、及び/又はモリブデンを含むことができるが、必ずしもこれらに限定されるわけではない。捕獲チューブ412の直径は、例えば、約1mmから3mmの一般的な肉厚で、20mm〜100mmの範囲とすることができる。捕獲チューブは、断面が円形、卵形、長楕円形、楕円形、正方形、矩形、又は他の形状を有することができる。プラズマ放射のためのオリフィス416及びポンプレーザビーム入力部は、プラズマから集光光学系408の外縁までEUV光に対して殆ど掩蔽がないようにサイズ設定及び成形し、すなわち、集光光学系408の受入れ角度に適合するか又は超えるように設計することができる。
図14は、捕獲部が、経路404’から外れ及び/又は照射領域402を通過するターゲット材料を受け取るチューブ412を含む別の実施形態を示している。図14は、照射領域402’がチューブ412’内に位置するようにチューブ412’を位置決めすることができ、チューブ412’は、ゲット材料を照射するレーザビームが照射領域に至るチューブ412に入り、かつチューブ412内で生成されたEUV光がチューブ412’を出ることを可能にするオリフィス416を形成することができることを示している。この構成に対して、チューブ412’は、システム上に恒久的に据え付けることができる(すなわち、ターゲット材料照射中に図12に示す位置のままとすることができる)。更に、レーザビームダンプ418’は、図示のように、オリフィス416’の反対にあるチューブ412’の側に取り付けられるか、又はオリフィス416’の反対にあるチューブ412’の側にチューブ412’と一体に形成することができる。
図14は、H2、He、Ar、HBr、HCl、又はその組合せのような1つ又はそれよりも多くの気体、例えば緩衝気体、エッチャント気体などをチューブ412’に通すシステムを設けることができることを更に示している。図示のように、このシステムは、チューブ412に気体を送出する気体源422を含むことができ、一部の場合には、チューブから気体を除去する任意的なポンプ424、例えば、真空ポンプを設けることもできる。1つ又はそれよりも多くの比較的狭い診断チューブ426a、b(端部428a、bを密封することができる)をチューブ412’に装着し、1つ又はそれよりも多くの診断計器類(図示せず)によるプラズマ及び/又は液滴へのアクセスを可能にすることができる。
ポンプ開口部は、EUV光オリフィス416と比較して直径が大きい場合がある。この構成では、気体は、プラズマ位置にかなり近く導入されてEUV光オリフィスの方へ(ある程度)誘導され、かなり効率的に排出される(又は再循環ループで循環させる)ことができ、その理由は、オリフィス416からチャンバの残りまで気体の圧力勾配があるとすることができるからである。低い方の圧力をEUV光源チャンバの主要部分の捕獲チューブ412の外側で維持することができる。それによってチャンバ背景気体によるEUV吸収量が低減される。最高気体圧の領域は、気体入口、プラズマ、及び捕獲チューブ回りでかなり小さい容積に制限される。気体流量に関しては、この構成は、ポンプ送出のための開口部(すなわち、直径)が全体を通じて最大化されるように最適化することができ、一方、EUV光のための開口部(及び他の必要な開口部)は、最小にされる。同時に、遮蔽体/捕獲器チューブによる(チューブ径)及びEUV光開口部によるEUV光路の掩蔽は、この構成によりEUV光学的損失を最小化にするように最小にされる。
図15及び図16は、カバー450を含む捕獲部を示している。また、図示のように、システム452は、カバー450に結合し、カバー450が反射光学系454の作動可能表面の一部又は全ての上に位置決めされる第1の伸張位置(図15)と、カバー450が反射光学系454の上には位置決めされない第2の収縮位置(図16)との間でカバー450を伸張及び収縮させることができる。この構成では、カバー450は、ターゲット材料456を送出するシステムから放出された外れた液滴/ターゲット材料から光学系454を保護するために、例えば、起動、停止、及び/又は装置保守中に配備することができる。
図17は、照射領域502とターゲット材料放出点506の間の非垂直経路に沿って照射領域にターゲット材料500を送出するターゲット材料液滴源を有する装置を示している。図示のように、装置は、EUV反射光学系508(例えば、光学系300に関して上述したような)と、図示の実施形態に関して、望ましい経路から外れるターゲット材料、例えば、経路512に沿った材料を受け取るチューブ510を含む捕獲部とを含むことができる。使用時には、チューブ510は、EUV光を生成するためにターゲット材料の照射中に所定の位置のままとすることができる(すなわち、通常の光源作動中に据え付けられたままとすることができる)。
更に図示するように、チューブ510は、チューブが少なくとも部分的にターゲット材料放出点を取り囲む位置から放出点506と照射領域502の間に位置決めされたチューブ終点まで延びることができる。また、図示のように、チューブ510は、望ましい経路504に沿って中心がある開口部516が形成された閉鎖端を終点に有することができる。この構成では、経路504に沿って進むターゲット材料は、チューブ510を出て、一方、経路504から外れたターゲット材料は、捕捉されて閉鎖端のチューブ510内に保持される。
図18及び図19をここで参照すると、一部の光源構成に関して、液滴発生器は、比較的高い、例えば、50kHz又はそれより高い繰返し数でサイズが約10〜100μmの液滴ターゲットを生成するのに必要とすることができる。一部の場合には、液滴速度は、LPPプラズマでの条件を最適化するのに使用することができるパラメータの1つである。例えば、約20m/s〜100m/sまで又はそれより高い液滴速度を用いることができる。図18は、水平液滴流の画像を示し、特に、異なる速度で水平配向で放出される錫の液滴の画像を示している。液滴速度の関数として小さい垂直変位(〜1mm)のみがこの実験において観測された。液滴は、約80kHzで生成され、写真は、ノズルから約300mm離れて撮られたものである。ノズルから距離Lで速度vで進む液滴の重力関連の垂直変位dは、以下のように求めることができる。
d=(g/2)(L/v)2
ここで、gは、垂直重力加速度である。従って、例えば、20m/sで進む液滴は、ノズルから300mmの距離で水平経路から〜1.1mmだけずれる。図18に示す画像では、垂直変位の推定値が確認されると共に、示唆されているのは、液滴速度に対する液滴流位置の単に小さな依存性である。これは、それが、集束したCO2レーザビームにターゲット位置を適合させるという観点から、EUVのLPP光源に対して実行可能な液滴配向とすることができることを示している。
水平方向に生成された錫の液滴の1つの研究は、非垂直配向の液滴流が液滴の特性に殆ど影響を与えないと考えられることを示している。図19は、30分の時間間隔にわたって得られた100μm液滴の多くの画像の重ね合わせを示している。画像は、液滴発生器ノズルから〜300mm離れて取られたものである。この実験における液滴速度は、30m/sであった。液滴の非常に良好な長期間安定性を図19から示唆することができる。液滴の最大垂直変位は、能動安定化によりステアリング装置によって補償することができる±50μmであった。それに反して、水平配向の液滴の短期的位置安定性は、垂直配向で生成された液滴の特性に同等の10μm台であった。
「35U.S.C.§112」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の1つ又はそれよりも多くの上述の目的を、及び上述の実施形態により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的のために解決すべき問題を完全に達成することができるが、上述の実施形態は、本出願によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。単数形での以下の請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「1つ及び1つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「1つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる上述の実施形態の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び/又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び/又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態として本明細書で説明したデバイス又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において説明した各及び全て問題に対処又は解決することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「行為」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「35U.S.C.§112」第6項の規定に基づいて解釈されないものとする。
300 EUV反射光学系
310 ターゲット材料
312 ターゲット材料放出点
314 照射領域

Claims (25)

  1. 回転軸と円形の周縁とを定める回転面を有し、水平面に対してゼロ以外の角度で該軸を傾かせて該水平面内の領域の境界を示す該周縁の垂直射影を該水平面に確立するように位置決めされたEUV反射光学系と、
    前記水平面にかつ前記周縁射影によって境界が示された前記領域外に位置するターゲット材料放出点を有し、ターゲット材料を送出するシステムと、
    前記ターゲット材料を照射してEUV放射を発生させるためのレーザビームを発生させるシステムと、
    を含むことを特徴とする装置。
  2. 前記回転面は、1対の焦点を定めて各焦点を通過する軸の回りに回転される回転惰円であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. ターゲット材料を照射領域に該照射領域とターゲット材料放出点の間の非垂直経路に沿って送出するターゲット材料液滴源と、
    EUV反射光学系と、
    EUV放射線を生成するプラズマを発生させるために液滴を前記照射領域で照射するビームを生成するレーザと、
    前記反射光学系を保護するためにターゲット材料を受け取るように位置決めされた捕獲部と、
    を含むことを特徴とする装置。
  4. 前記捕獲部は、チューブを含むことを特徴とする請求項3に記載の装置。
  5. 前記照射領域は、前記チューブに位置し、該チューブは、前記EUV放射線を該照射領域から前記反射光学系まで通すオリフィスと共に形成されることを特徴とする請求項4に記載の装置。
  6. 前記チューブを該チューブが前記経路に沿って配置された位置から該チューブが前記EUV反射光学系から反射されたEUV光を妨害しない位置まで移動するための原位置機構を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の装置。
  7. 前記チューブは、前記非垂直経路から外れるターゲット材料から前記反射光学系を保護する遮蔽体であることを特徴とする請求項4に記載の装置。
  8. 前記チューブは、該チューブが少なくとも部分的に前記ターゲット材料放出点を取り囲む位置から該放出点と前記照射領域の間に位置決めされたチューブ終点まで延びることを特徴とする請求項7に記載の装置。
  9. 前記捕獲部は、前記反射光学系の作動可能表面にわたって延長可能な格納式カバーを含むことを特徴とする請求項3に記載の装置。
  10. 前記捕獲部は、前記照射領域を通過したターゲット材料を受け取って受け取った材料が跳ね返って前記反射光学系に到達することを防止するように位置決めされた構造体を含むことを特徴とする請求項3に記載の装置。
  11. 前記構造体は、細長チューブを含むことを特徴とする請求項10に記載の装置。
  12. EUV光源のための原材料分注器であって、
    壁を有し、かつオリフィスが形成された原材料導管と、
    前記壁上に堆積された導電コーティングと、
    前記導電コーティング上に堆積された絶縁コーティングと、
    熱を生成するために前記導電コーティングに電流を通す電源と、
    前記絶縁コーティングに接触し、かつ前記壁を変形させて分注器からの原材料の放出を調節するように作動可能な電気作動式要素と、
    を含むことを特徴とする分注器。
  13. 前記導管は、チューブを含むことを特徴とする請求項12に記載の分注器。
  14. 前記チューブは、ガラスから作られ、前記導電コーティングは、ニッケル−コバルト−鉄合金を含むことを特徴とする請求項13に記載の分注器。
  15. 前記絶縁コーティングは、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項12に記載の分注器。
  16. 前記電気作動式要素は、圧電材料、電歪材料、及び磁気歪材料から成る要素の群から選択されることを特徴とする請求項12に記載の分注器。
  17. 前記原材料は、液体Snを含むことを特徴とする請求項12に記載の分注器。
  18. EUV光源のための原材料分注器であって、
    熱膨張率(CTEガラス)を有する管状ガラス部分と、該ガラス部分に結合され、摂氏25から250度の温度の範囲にわたってCTEガラスから5ppm/度摂氏未満だけ異なる熱膨張率(CTE金属)を有する金属とを含む原材料導管、
    を含むことを特徴とする分注器。
  19. 前記接合金属は、ニッケル−コバルト−鉄合金を含むことを特徴とする請求項18に記載の分注器。
  20. 前記接合金属は、モリブデンを含むことを特徴とする請求項18に記載の分注器。
  21. EUV光源のための原材料液滴を生成する原材料分注器であって、
    原材料受け取り端部と原材料出口端部とを有する原材料導管と、
    液滴流不安定性を低減するために前記導管の前記原材料出口端部の移動を制限する閉込め構造体と、
    を含むことを特徴とする分注器。
  22. 前記原材料は、摂氏25度を超えて加熱された溶融材料を含み、前記閉込め構造体は、前記導管の作動温度で該導管と部材間に間隙を設けるようにサイズ設定された剛性部材を含むことを特徴とする請求項21に記載の分注器。
  23. 前記部材は、熱膨張率(CTEフェルール)を有する材料で製造されたフェルールであり、前記導管は、該フェルール及び導管の間の間隙距離が温度上昇と共に減少するような熱膨張率(CTE導管)を有する材料で製造されることを特徴とする請求項22に記載の分注器。
  24. 前記部材は、熱膨張率(CTEフェルール)を有する材料で製造されたフェルールであり、前記導管は、該フェルール及び導管の間の間隙距離が温度上昇と共に増加するような熱膨張率(CTE導管)を有する材料で製造されることを特徴とする請求項22に記載の分注器。
  25. 前記閉込め構造体は、前記導管の作動温度で該導管と接触するようにサイズ設定された可撓性フェルールを含むことを特徴とする請求項21に記載の分注器。
JP2011500768A 2008-03-17 2009-02-17 レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のための装置 Active JP5593485B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US6981808P 2008-03-17 2008-03-17
US61/069,818 2008-03-17
US12/214,736 2008-06-19
US12/214,736 US7872245B2 (en) 2008-03-17 2008-06-19 Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
PCT/US2009/000994 WO2009117048A2 (en) 2008-03-17 2009-02-17 System and methods for target material delivery in a laser produced plasma euv light source

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011514648A true JP2011514648A (ja) 2011-05-06
JP2011514648A5 JP2011514648A5 (ja) 2012-04-05
JP5593485B2 JP5593485B2 (ja) 2014-09-24

Family

ID=41061999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011500768A Active JP5593485B2 (ja) 2008-03-17 2009-02-17 レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のための装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7872245B2 (ja)
EP (1) EP2266375B1 (ja)
JP (1) JP5593485B2 (ja)
KR (1) KR101551751B1 (ja)
CN (1) CN101978792B (ja)
TW (1) TWI430713B (ja)
WO (1) WO2009117048A2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013073733A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置
JP2013191699A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置
WO2014024865A1 (ja) * 2012-08-08 2014-02-13 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP2014523147A (ja) * 2011-08-12 2014-09-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源
JP2014175474A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置のチャンバ及び極端紫外光生成装置
WO2015063825A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2015087454A1 (ja) * 2013-12-13 2015-06-18 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP2015532521A (ja) * 2012-10-16 2015-11-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置
WO2016006162A1 (ja) * 2014-07-09 2016-01-14 ウシオ電機株式会社 デブリトラップ装置及び極端紫外光光源装置
JP2016515755A (ja) * 2013-04-05 2016-05-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ソースコレクタ装置、リソグラフィ装置及び方法
US9854658B2 (en) 2013-12-27 2017-12-26 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
JP2019502149A (ja) * 2015-12-17 2019-01-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euvソースのためのノズル及び液滴発生器
JP2019505833A (ja) * 2015-12-17 2019-02-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 液滴ジェネレータ及びレーザ生成プラズマ放射源
JP2022501633A (ja) * 2018-09-24 2022-01-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ターゲット形成装置
JP2022504135A (ja) * 2018-10-29 2022-01-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ターゲット材料送達システムの寿命を延長する装置及び方法
JP2022008595A (ja) * 2015-08-12 2022-01-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8653437B2 (en) 2010-10-04 2014-02-18 Cymer, Llc EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods
US8654438B2 (en) 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
US8530871B2 (en) * 2007-07-13 2013-09-10 Cymer, Llc Laser produced plasma EUV light source
US8158960B2 (en) * 2007-07-13 2012-04-17 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8513629B2 (en) 2011-05-13 2013-08-20 Cymer, Llc Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
KR101549412B1 (ko) * 2008-07-07 2015-09-02 코닌클리케 필립스 엔.브이. 부식 방지 물질을 포함하는 극자외선 방사 발생 장치
JP5576079B2 (ja) * 2008-09-29 2014-08-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
TWI457715B (zh) * 2008-12-27 2014-10-21 Ushio Electric Inc Light source device
JP5455661B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
NL2004085A (en) * 2009-03-11 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
US8969838B2 (en) * 2009-04-09 2015-03-03 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for protecting an EUV light source chamber from high pressure source material leaks
US8304752B2 (en) * 2009-04-10 2012-11-06 Cymer, Inc. EUV light producing system and method utilizing an alignment laser
JPWO2010137625A1 (ja) * 2009-05-27 2012-11-15 ギガフォトン株式会社 ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置
US20120280148A1 (en) * 2010-01-07 2012-11-08 Asml Netherlands B.V. Euv radiation source and lithographic apparatus
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5841655B2 (ja) * 2010-03-18 2016-01-13 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置および極端紫外光生成装置
US8263953B2 (en) * 2010-04-09 2012-09-11 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source
US9066412B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for cooling an optic
US8517585B1 (en) * 2010-06-30 2013-08-27 Kla-Tencor Corporation Full numerical aperture pump of laser-sustained plasma
US8258485B2 (en) * 2010-08-30 2012-09-04 Media Lario Srl Source-collector module with GIC mirror and xenon liquid EUV LPP target system
US8462425B2 (en) 2010-10-18 2013-06-11 Cymer, Inc. Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source
US8810902B2 (en) 2010-12-29 2014-08-19 Asml Netherlands B.V. Multi-pass optical apparatus
JP5511705B2 (ja) * 2011-02-10 2014-06-04 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
US8633459B2 (en) 2011-03-02 2014-01-21 Cymer, Llc Systems and methods for optics cleaning in an EUV light source
TWI580316B (zh) * 2011-03-16 2017-04-21 Gigaphoton Inc Extreme UV light generation device
US8604452B2 (en) 2011-03-17 2013-12-10 Cymer, Llc Drive laser delivery systems for EUV light source
JP6057221B2 (ja) 2011-04-05 2017-01-11 イーティーエイチ・チューリッヒ 液滴供給装置および該液滴供給装置を備える光源
US9029813B2 (en) 2011-05-20 2015-05-12 Asml Netherlands B.V. Filter for material supply apparatus of an extreme ultraviolet light source
US9516730B2 (en) 2011-06-08 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source
NL2009358A (en) * 2011-09-23 2013-03-26 Asml Netherlands Bv Radiation source.
US9279445B2 (en) * 2011-12-16 2016-03-08 Asml Netherlands B.V. Droplet generator steering system
US8816305B2 (en) 2011-12-20 2014-08-26 Asml Netherlands B.V. Filter for material supply apparatus
JP6116593B2 (ja) 2012-02-08 2017-04-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源及びリソグラフィ装置
US9860966B2 (en) 2012-05-21 2018-01-02 Asml Netherlands B.V. Radiation source
US9753383B2 (en) * 2012-06-22 2017-09-05 Asml Netherlands B.V. Radiation source and lithographic apparatus
KR20140036538A (ko) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 극자외선 생성 장치, 이를 포함하는 노광 장치 및 이러한 노광 장치를 사용해서 제조된 전자 디바이스
CN103079327B (zh) * 2013-01-05 2015-09-09 中国科学院微电子研究所 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置
JP6151926B2 (ja) * 2013-02-07 2017-06-21 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP6166551B2 (ja) * 2013-02-25 2017-07-19 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
US9699876B2 (en) * 2013-03-14 2017-07-04 Asml Netherlands, B.V. Method of and apparatus for supply and recovery of target material
KR102115543B1 (ko) * 2013-04-26 2020-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 광원 장치
CN103281855B (zh) * 2013-05-16 2015-10-14 中国科学院光电研究院 一种用于激光光源的液态金属靶产生装置
US9544984B2 (en) 2013-07-22 2017-01-10 Kla-Tencor Corporation System and method for generation of extreme ultraviolet light
US9241395B2 (en) * 2013-09-26 2016-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source
US9497840B2 (en) * 2013-09-26 2016-11-15 Asml Netherlands B.V. System and method for creating and utilizing dual laser curtains from a single laser in an LPP EUV light source
US10237960B2 (en) * 2013-12-02 2019-03-19 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US9301382B2 (en) * 2013-12-02 2016-03-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
WO2015086232A1 (en) 2013-12-09 2015-06-18 Asml Netherlands B.V. Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2015097820A1 (ja) 2013-12-26 2015-07-02 ギガフォトン株式会社 ターゲット生成装置
EP3457430B1 (en) * 2014-05-15 2023-10-25 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with dual focus regions
US10186416B2 (en) 2014-05-15 2019-01-22 Excelitas Technologies Corp. Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp
US9741553B2 (en) 2014-05-15 2017-08-22 Excelitas Technologies Corp. Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps
CN105573060B (zh) * 2014-10-16 2017-12-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置、校准装置和校准方法
JP6448661B2 (ja) 2014-11-20 2019-01-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9576785B2 (en) * 2015-05-14 2017-02-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single CW laser driven xenon lamp
US10008378B2 (en) 2015-05-14 2018-06-26 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with improved stability
US10057973B2 (en) 2015-05-14 2018-08-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp
JP6541785B2 (ja) 2015-07-30 2019-07-10 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9826615B2 (en) * 2015-09-22 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV collector with orientation to avoid contamination
US9888554B2 (en) * 2016-01-21 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector
EP3244705B1 (en) * 2016-05-11 2019-07-03 ETH Zürich Method and light source for providing uv or x-ray light
WO2018022738A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Molex, Llc Capillary for use in a droplet generator
US10128017B1 (en) * 2017-05-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of controlling debris in an EUV light source
US10585215B2 (en) 2017-06-29 2020-03-10 Cymer, Llc Reducing optical damage on an optical element
US10149374B1 (en) * 2017-08-25 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Receptacle for capturing material that travels on a material path
US10437162B2 (en) 2017-09-21 2019-10-08 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatuses for protecting a seal in a pressure vessel of a photolithography system
US10824083B2 (en) 2017-09-28 2020-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Light source, EUV lithography system, and method for generating EUV radiation
TWI821231B (zh) 2018-01-12 2023-11-11 荷蘭商Asml荷蘭公司 用於控制在液滴串流中液滴聚結之裝置與方法
US10109473B1 (en) 2018-01-26 2018-10-23 Excelitas Technologies Corp. Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same
KR102746923B1 (ko) 2018-03-28 2024-12-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 액적 생성기 성능을 모니터링 및 제어하는 장치 및 방법
US10631392B2 (en) * 2018-04-30 2020-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV collector contamination prevention
US11550233B2 (en) 2018-08-14 2023-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and operation method thereof
NL2023633A (en) * 2018-09-25 2020-04-30 Asml Netherlands Bv Laser system for target metrology and alteration in an euv light source
NL2023879A (en) 2018-09-26 2020-05-01 Asml Netherlands Bv Apparatus for and method of controlling introduction of euv target material into an euv chamber
NL2024324A (en) 2018-12-31 2020-07-10 Asml Netherlands Bv Apparatus for controlling introduction of euv target material into an euv chamber
CN113875317A (zh) * 2019-05-09 2021-12-31 Asml荷兰有限公司 引导装置
TW202116113A (zh) * 2019-09-06 2021-04-16 荷蘭商Asml荷蘭公司 噴嘴裝置
IL291764A (en) * 2019-10-17 2022-06-01 Asml Netherlands Bv Droplet generator nozzle
KR20220119034A (ko) 2019-12-20 2022-08-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 소스 재료 전달 시스템, euv 방사선 시스템, 리소그래피 장치 및 그 방법
US11297710B2 (en) * 2020-02-11 2022-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet lithography system with heated tin vane bucket having a heated cover
WO2021233645A1 (en) 2020-05-22 2021-11-25 Asml Netherlands B.V. Hybrid droplet generator for extreme ultraviolet light sources in lithographic radiation systems
IL297796A (en) 2020-05-29 2022-12-01 Asml Netherlands Bv High pressure and vacuum level sensor in metrology radiation systems
TW202209933A (zh) 2020-06-29 2022-03-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 在euv源之液滴產生器中加速液滴之方法及其設備
JP7515326B2 (ja) 2020-07-13 2024-07-12 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
KR20230062831A (ko) 2020-09-10 2023-05-09 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 리소그래피 장치를 위한 포드 핸들링 시스템 및 방법
JP7553296B2 (ja) 2020-09-16 2024-09-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
KR20220044006A (ko) * 2020-09-29 2022-04-06 삼성전자주식회사 극자외선 광원 시스템
CN117203456A (zh) * 2021-03-09 2023-12-08 Asml荷兰有限公司 靶材传输系统部件及其制造方法
US20240292510A1 (en) 2021-06-25 2024-08-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for producing droplets of target material in an euv source
WO2023126107A1 (en) 2021-12-28 2023-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, illumination system, and connection sealing device with protective shield
EP4312469A1 (en) * 2022-07-25 2024-01-31 ASML Netherlands B.V. Droplet generator nozzle
WO2024104842A1 (en) 2022-11-16 2024-05-23 Asml Netherlands B.V. A droplet stream alignment mechanism and method thereof
WO2024170295A1 (en) 2023-02-17 2024-08-22 Asml Netherlands B.V. Target material storage and delivery system for an euv radiation source

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000509190A (ja) * 1996-04-25 2000-07-18 ジェテック、アクチボラグ X線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置
JP2005235883A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Canon Inc 光発生装置及び露光装置
JP2006216394A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ノズル
JP2007012603A (ja) * 2005-06-27 2007-01-18 Xtreme Technologies Gmbh 極紫外線を発生するための装置および方法
JP2007019031A (ja) * 2002-10-03 2007-01-25 Asml Netherlands Bv 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007528607A (ja) * 2004-03-10 2007-10-11 サイマー インコーポレイテッド Euv光源

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6398374B1 (en) 1998-12-31 2002-06-04 The Regents Of The University Of California Condenser for ring-field deep ultraviolet and extreme ultraviolet lithography
US6549551B2 (en) 1999-09-27 2003-04-15 Cymer, Inc. Injection seeded laser with precise timing control
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
FR2799667B1 (fr) 1999-10-18 2002-03-08 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US6324256B1 (en) 2000-08-23 2001-11-27 Trw Inc. Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source
US6625251B2 (en) * 2000-09-22 2003-09-23 Ntt Advanced Technology Corporation Laser plasma x-ray generation apparatus
US7439530B2 (en) 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7405416B2 (en) 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US7843632B2 (en) 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US7372056B2 (en) 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7491954B2 (en) 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US7378673B2 (en) * 2005-02-25 2008-05-27 Cymer, Inc. Source material dispenser for EUV light source
US7465946B2 (en) 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
US7476886B2 (en) * 2006-08-25 2009-01-13 Cymer, Inc. Source material collection unit for a laser produced plasma EUV light source
US20060255298A1 (en) 2005-02-25 2006-11-16 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse
US7217940B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Collector for EUV light source
JP4120502B2 (ja) * 2003-07-14 2008-07-16 株式会社ニコン 集光光学系、光源ユニット、照明光学装置および露光装置
US7196342B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000509190A (ja) * 1996-04-25 2000-07-18 ジェテック、アクチボラグ X線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置
JP2007019031A (ja) * 2002-10-03 2007-01-25 Asml Netherlands Bv 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2005235883A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Canon Inc 光発生装置及び露光装置
JP2007528607A (ja) * 2004-03-10 2007-10-11 サイマー インコーポレイテッド Euv光源
JP2006216394A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ノズル
JP2007012603A (ja) * 2005-06-27 2007-01-18 Xtreme Technologies Gmbh 極紫外線を発生するための装置および方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014523147A (ja) * 2011-08-12 2014-09-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源
JP2013073733A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置
JP2013191699A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置
WO2014024865A1 (ja) * 2012-08-08 2014-02-13 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP2015532521A (ja) * 2012-10-16 2015-11-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置
JP2014175474A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置のチャンバ及び極端紫外光生成装置
JP2016515755A (ja) * 2013-04-05 2016-05-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ソースコレクタ装置、リソグラフィ装置及び方法
WO2015063825A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9894744B2 (en) 2013-10-28 2018-02-13 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
JPWO2015063825A1 (ja) * 2013-10-28 2017-03-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2015087454A1 (ja) * 2013-12-13 2015-06-18 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JPWO2015087979A1 (ja) * 2013-12-13 2017-03-16 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
US9648715B2 (en) 2013-12-13 2017-05-09 Gigaphoton Inc. Target supply device
WO2015087979A1 (ja) * 2013-12-13 2015-06-18 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
US9854658B2 (en) 2013-12-27 2017-12-26 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
WO2016006162A1 (ja) * 2014-07-09 2016-01-14 ウシオ電機株式会社 デブリトラップ装置及び極端紫外光光源装置
JP2016018701A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 ウシオ電機株式会社 デブリトラップ装置及び極端紫外光光源装置
JP2022008595A (ja) * 2015-08-12 2022-01-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御
JP7241143B2 (ja) 2015-08-12 2023-03-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御
JP2019502149A (ja) * 2015-12-17 2019-01-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euvソースのためのノズル及び液滴発生器
JP2019505833A (ja) * 2015-12-17 2019-02-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 液滴ジェネレータ及びレーザ生成プラズマ放射源
JP2022501633A (ja) * 2018-09-24 2022-01-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ターゲット形成装置
JP7473534B2 (ja) 2018-09-24 2024-04-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ターゲット形成装置
JP2022504135A (ja) * 2018-10-29 2022-01-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ターゲット材料送達システムの寿命を延長する装置及び方法
JP7503049B2 (ja) 2018-10-29 2024-06-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ターゲット材料送達システムの寿命を延長する装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7872245B2 (en) 2011-01-18
WO2009117048A2 (en) 2009-09-24
TW200944061A (en) 2009-10-16
CN101978792A (zh) 2011-02-16
WO2009117048A3 (en) 2009-12-30
JP5593485B2 (ja) 2014-09-24
CN101978792B (zh) 2014-05-14
TWI430713B (zh) 2014-03-11
KR101551751B1 (ko) 2015-09-09
EP2266375B1 (en) 2014-05-14
EP2266375A4 (en) 2012-01-25
US20090230326A1 (en) 2009-09-17
KR20100126795A (ko) 2010-12-02
EP2266375A2 (en) 2010-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5593485B2 (ja) レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のための装置
US8263953B2 (en) Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source
JP6784737B2 (ja) レーザ生成プラズマeuv光源におけるソース材料送出の装置及び方法
US7378673B2 (en) Source material dispenser for EUV light source
US8969838B2 (en) Systems and methods for protecting an EUV light source chamber from high pressure source material leaks
US8445877B2 (en) Extreme ultraviolet light source apparatus and target supply device
US9632418B2 (en) Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source
JP5921879B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
JP5511705B2 (ja) ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
US20130032640A1 (en) Target supply unit, mechanism for cleaning nozzle thereof, and method for cleaning the nozzle
US10237960B2 (en) Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source
JPWO2018138918A1 (ja) 極端紫外光生成装置
JP6734918B2 (ja) タンク、ターゲット生成装置、及び、極端紫外光生成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140604

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20140704

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20140704

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140715

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5593485

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250