[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2011507471A - 調整付き低電圧チャージポンプ - Google Patents

調整付き低電圧チャージポンプ Download PDF

Info

Publication number
JP2011507471A
JP2011507471A JP2010538076A JP2010538076A JP2011507471A JP 2011507471 A JP2011507471 A JP 2011507471A JP 2010538076 A JP2010538076 A JP 2010538076A JP 2010538076 A JP2010538076 A JP 2010538076A JP 2011507471 A JP2011507471 A JP 2011507471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
charge pump
voltage
plate
series
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010538076A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011507471A5 (ja
Inventor
パン,フォン
エイチ. ハイン,ジョナサン
ビ グエン,キ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SanDisk Corp
Original Assignee
SanDisk Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SanDisk Corp filed Critical SanDisk Corp
Publication of JP2011507471A publication Critical patent/JP2011507471A/ja
Publication of JP2011507471A5 publication Critical patent/JP2011507471A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

低出力電圧、高電流能力のチャージポンプを提供する技術を説明する。このチャージポンプは切替回路と複数のコンデンサを有する。初期化段階には各コンデンサの第1の極板がレギュレータ電圧を受け取るように接続され、各コンデンサの第2の極板は接地へ接続される。移動段階にはコンデンサが直列に接続され、第1のコンデンサより後ろの各コンデンサでは第2の極板が直列内の先行コンデンサの第1の極板へ接続される。ポンプの出力電圧は、直列内の最終コンデンサの第1の極板から供給される。ポンプの出力電圧レベルに応じた値を得るため、調整回路は基準電圧からレギュレータ電圧を生成する。

Description

本発明は、一般的にはチャージポンプの分野に関し、より具体的には相対的に低出力電圧、高電力効率、および高電流が要求されるチャージポンプに関する。
チャージポンプは切替処理によりDC入力電圧より大きいDC出力電圧を提供する。チャージポンプは通常、入力と出力との間にスイッチに結合されたコンデンサを有する。1クロックの半サイクルにあたる充電半サイクルのときには、コンデンサが入力へ並列に結合し、入力電圧まで充電する。第2のクロックサイクルにあたる移動半サイクルのときには、充電されたコンデンサが入力電圧と直列に結合し、入力電圧レベルの2倍の出力電圧を提供する。このプロセスは図1aおよび図1bに示されている。充電半サイクルを示す図1aではコンデンサ5が、入力電圧VINと並列に配置されている。移動半サイクルを示す図1bでは、充電されたコンデンサ5が入力電圧と直列に配置されている。図1bに見られるように、充電されたコンデンサ5の正端子は接地に対して2*VINになる。
チャージポンプは様々な状況で利用される。例えば、フラッシュ等の不揮発性メモリの周辺回路として利用され、プログラミング電圧や消去電圧等の様々に必要な作動電圧を低電源電圧から生成する。当該技術分野では従来のディクソン型ポンプ等の数々のチャージポンプ設計が知られている。しかし、チャージポンプへの普遍的依存のため、特にレイアウト面積とポンプの電流消費の縮減の点でポンプ設計の改善が引き続き求められている。
米国特許第5,436,587号 米国特許第6,370,075号 米国特許第6,922,096号 米国特許第7,135,910号 米国特許出願第10/842,910号 米国特許出願第11/295,906号 米国特許出願第11/303,387号 米国特許出願第11/497,465号 米国特許出願第11/523,875号 米国特許出願第11/845,903号 米国特許出願第11/845,939号
"Charge Pump Circuit Design" by Pan and Samaddar, McGraw-Hill, 2006 ウェブページ「www.eecg.toronto.edu/〜kphang/ece1371/chargepumps.pdf」で入手できる"Charge Pumps: An Overview", Pylarinos and Rogers, Department of Electrical and Computer Engineering University of Toronto
出力電圧を生成するチャージポンプを説明する。このチャージポンプは切替回路と複数のコンデンサを有する。コンデンサは、第1の初期化段階と第2の移動段階とで交互に接続可能である。第1の段階には各コンデンサの第1の極板がレギュレータ電圧を受け取るように接続され、各コンデンサの第2の極板は接地へ接続される。第2の段階にはコンデンサが直列に接続され、第1のコンデンサより後ろの各コンデンサでは第2の極板が直列内の先行コンデンサの第1の極板へ接続される。ポンプの出力電圧は、直列内の最終コンデンサの第1の極板から供給される。ポンプの出力電圧レベルに応じた値を得るため、調整回路は基準電圧からレギュレータ電圧を生成する。
以下の本発明の例示的な例の説明には本発明の様々な態様、利点、特徴、および実施形態が含まれているが、この説明は添付の図面と併せて解釈すべきものである。本願明細書において参照する特許、特許出願、記事、その他の出版物、文書、事物はどれも、その全体が本願明細書においてあらゆる目的のために参照により援用されている。援用されている出版物、文書、または事物のいずれかと本願との間で用語の定義または使用に矛盾や食い違いがある場合には、本願の定義または使用が優先するものとする。
本発明の様々な態様と特徴は、以下の図を考査することでより良く理解できる。
汎用チャージポンプにおける充電半サイクルの簡易回路図である。 汎用チャージポンプにおける移動半サイクルの簡易回路図である。 調整型チャージポンプのトップレベルブロック図である。 第1の実施形態のチャージポンプの初期化モードを示す。 第1の実施形態のチャージポンプの移動モードを示す。 代替の実施形態のチャージポンプの初期化モードを示す。 代替の実施形態のチャージポンプの移動モードを示す。
ここで説明するチャージポンプは、高効率、最小限のレイアウト面積要件、および高電流能力が好ましい用途に特に適している。例示的な実施形態は、先行技術よりもレイアウト面積と電流消費を抑え、高出力電流能力により3V〜6.5V範囲の出力を提供するのに適している。説明する設計は、例えば不揮発性メモリ回路上の周辺回路として応用できる。
ディクソン型ポンプをはじめとする先行技術のチャージポンプやチャージポンプ全般については、例えば"Charge Pump Circuit Design" by Pan and Samaddar, McGraw-Hill, 2006 (非特許文献1)やウェブページ「www.eecg.toronto.edu/〜kphang/ece1371/chargepumps.pdf」で入手できる"Charge Pumps: An Overview", Pylarinos and Rogers, Department of Electrical and Computer Engineering University of Toronto(非特許文献2)で詳細を確認できる。米国特許第5,436,587号(特許文献1)、第6,370,075号(特許文献2)、第6,922,096号(特許文献3)、第7,135,910号(特許文献4)、ならびに2004年10月5日に出願された米国特許出願第10/842,910号(特許文献5)、2005年12月6日に出願された米国特許出願第11/295,906号(特許文献6)、2005年12月16日に出願された米国特許出願第11/303,387号(特許文献7)、2006年7月31日に出願された米国特許出願第11/497,465号(特許文献8)、2006年9月19日に出願された米国特許出願第11/523,875号(特許文献9)、2007年8月28日に出願された米国特許出願第11/845,903号(特許文献10)および第11/845,939号(特許文献11)では様々なチャージポンプの態様および設計について詳しい情報を確認できる。
図2は、典型的なチャージポンプ構成のトップレベルブロック図である。ここで説明する設計は、ポンプ部201の詳細が先行技術とは異なる。図2に見られるように、ポンプ201は入力としてクロック信号と電圧Vregを得、出力Voutを提供する。ハイ(Vdd)接続とロー(接地)接続は明示されていない。電圧Vregはレギュレータ203によって提供され、レギュレータは入力として外部電圧源からの基準電圧Vrefと出力電圧Voutを得る。レギュレータブロック203は、所望のVout値が得られるようにVregの値を調整する。ポンプ部201は通常、例示的な実施形態で後述するようなクロスカップル型素子を有する。(「チャージポンプ」はポンプ部201のみを指す場合もあるが、レギュレータがある場合はポンプ部分201とレギュレータ203の両方を指すものとして通常解釈される。)
Vrefは、例えば1.2ボルトのバンドギャップジェネレータ(図示せず)やその他の外部電圧源から提供される固定基準電圧である。Clock_Highはポンプ201へ入力されるクロック(図示せず)である。Clock_High(φ)の「1」電圧レベルは、好ましくは電荷移動に用いるスイッチでの降下を最小限に抑えるにあたって十分な高さにするべきである。
図3A、図3Bおよび図4A、図4Bに1組の例示的な実施形態を示す。いずれの場合も、移動段階またはモードでは、複数(N個、ここではN=3個)のコンデンサが直列に接続され、初期化段階またはモードでは、低電圧レベル(通常は接地)とレギュレータ電圧との間でそれぞれのコンデンサが接続される。レギュレータ電圧はフィードバックに基づきレギュレータ回路から提供され、各内部ステージノードのプレチャージ制御に役立てることができる。
図3Aおよび図3Bは、第1の実施形態のチャージポンプの初期化段階と移動段階をそれぞれ示している。これらの例に見られるステージ数Nは便宜上N=3だが、これ以外の数でも適宜使用できることが理解できるはずである。図3Aの初期化段階で各コンデンサの「下」極板(C1 311、C2 313、C3 315)は0Vに設定され、「上」極板は調整済み電圧Vregに基づくレベルにリセットされる。Vregはレギュレータ303から供給され、クロック信号CLKに基づきこれを果たすスイッチは模式的に図に示されている。スイッチとレギュレータ回路はいずれも当該技術分野で公知の標準的技術で実施できる。
図3Bには第2の作動段階、すなわち移動段階が示される。N個のステージは、電圧源からのVddレベルと出力を供給する出力ノードとの間で直列に接続されている。この出力はレギュレータ303にも供給される。このため、調整フィードバックをもとに内部ステージノードのプレチャージレベルを制御でき(図3Aで説明)、クロックはVddレベルで常時作動できる。出力はVout=N*K*Vreg+Vddまで上昇する。Kは、作動時の電荷共有効率に基づく係数である。これはスイッチ(模式的に図に示す)にまたがるいかなる降下も無視した理想的レベルである。好ましくは、いかなる降下も最小限に抑えるレベルでスイッチを駆動する。上極板にVddを印加するだけでなく、初期化段階に調整電圧を使って上極板をプレチャージすることにより、調整された出力を得ることができ、図3Bの直列構成で高電力効率および高電流要求が達成される。
図4Aおよび図4Bは、チャージポンプの代替の実施形態の初期化段階と移動段階をそれぞれ示している。種々の素子は、図3Aおよび図3Bと同様にラベル付けされ、同様の働きをする。主な違いとして、クロック振幅のみならず内部ステージノードのプレチャージレベル制御に調整フィードバックを役立てることができることが挙げられる。図4Bの移動段階では、VddではなくVregと出力ノードとの間でコンデンサが直列に接続される。その結果、出力電圧は(理想的には)Vout=N*K*Vreg+Vregまで上昇する。この場合にはレギュレータ回路403からのフィードバックによって全ての出力電圧を調整できる。
正の電圧出力を生成する場合について、図3A、図3Bおよび図4A、図4Bの構成を説明したが、同様の構成で負の電圧を生成することもできる。さらに具体的には、それには、簡潔に述べれば図3A、図3Bおよび図4A、図4Bの実施形態を接続の点で「逆さ」にし、対応する負の調整電圧を使用すればよい。
これまで特定の実施形態を参照しながら本発明を説明してきたが、この説明は本発明の一応用例に過ぎず、制限として解釈すべきものではない。開示した実施形態の特徴の様々な適応ならびに組み合わせは、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲内にある。

Claims (7)

  1. 出力電圧を生成するチャージポンプ回路であって、
    第1の極板と第2の極板とを各々有する複数のコンデンサと、
    切替回路であって、それによってコンデンサは第1の段階と第2の段階とで交互に接続され、第1の段階ではコンデンサの第1の極板がレギュレータ電圧を受け取るように接続され、コンデンサの第2の極板は接地へ接続され、第2の段階ではコンデンサが直列に接続され、直列内の第1のコンデンサより後ろの各コンデンサでは第2の極板が直列内の先行コンデンサの第1の極板へ接続され、最終コンデンサの第1の極板はチャージポンプ回路の出力電圧を供給するように接続される切替回路と、
    基準電圧とチャージポンプからの出力電圧を受け取り、かつ前記基準電圧からレギュレータ電圧を生成するように接続可能な調整回路であって、レギュレータ電圧値は出力電圧レベルに応答する調整回路と、
    を備えるチャージポンプ回路。
  2. 請求項1記載のチャージポンプ回路において、
    直列内の第1のコンデンサの第2の極板は、第2の段階中に電圧源から電圧レベルを受け取るように接続されるチャージポンプ回路。
  3. 請求項1記載のチャージポンプ回路において、
    直列内の第1のコンデンサの第2の極板は、第2の段階中にレギュレータ電圧を受け取るように接続されるチャージポンプ回路。
  4. 請求項1記載のチャージポンプ回路において、
    チャージポンプ回路は、不揮発性メモリ回路上の周辺回路の一部であるチャージポンプ回路。
  5. 出力電圧を生成する方法であって、
    第1の極板と第2の極板とを各々有する複数のコンデンサを設けるステップと、
    第1の段階と第2の段階とで交互にコンデンサを接続するステップであって、前記第1の段階は、
    レギュレータ電圧を受け取るようにコンデンサの第1の極板を接続することと、
    第2の極板を接地へ接続することと、を含み、前記第2の段階は、
    直列内の第1のコンデンサより後ろの各コンデンサでは第2の極板が直列内の先行コンデンサの第1の極板へ接続されるように直列のコンデンサを接続することと、
    直列内の最終コンデンサの第1の極板からチャージポンプ回路の出力電圧を供給することと、を含む接続するステップと、
    基準電圧から調整電圧を生成するステップであって、レギュレータ電圧値は出力電圧レベルに応答する生成するステップと、
    を含む方法。
  6. 請求項5記載の方法において、
    前記第2の段階は、電圧源から電圧レベルを受け取るように直列内の第1のコンデンサを接続することをさらに含む方法。
  7. 請求項5記載の方法において、
    前記第2の段階は、レギュレータ電圧を受け取るように直列内の第1のコンデンサを接続することをさらに含む方法。
JP2010538076A 2007-12-12 2008-12-08 調整付き低電圧チャージポンプ Pending JP2011507471A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/955,221 US7586362B2 (en) 2007-12-12 2007-12-12 Low voltage charge pump with regulation
PCT/US2008/085827 WO2009076277A1 (en) 2007-12-12 2008-12-08 Low voltage charge pump with regulation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011507471A true JP2011507471A (ja) 2011-03-03
JP2011507471A5 JP2011507471A5 (ja) 2011-12-15

Family

ID=40506475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010538076A Pending JP2011507471A (ja) 2007-12-12 2008-12-08 調整付き低電圧チャージポンプ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7586362B2 (ja)
EP (1) EP2223419A1 (ja)
JP (1) JP2011507471A (ja)
KR (1) KR20100099685A (ja)
CN (1) CN101897110A (ja)
TW (1) TWI463774B (ja)
WO (1) WO2009076277A1 (ja)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7880531B2 (en) * 2008-01-23 2011-02-01 Micron Technology, Inc. System, apparatus, and method for selectable voltage regulation
US7969235B2 (en) 2008-06-09 2011-06-28 Sandisk Corporation Self-adaptive multi-stage charge pump
US8710907B2 (en) * 2008-06-24 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Clock generator circuit for a charge pump
US7973592B2 (en) * 2009-07-21 2011-07-05 Sandisk Corporation Charge pump with current based regulation
US8339183B2 (en) * 2009-07-24 2012-12-25 Sandisk Technologies Inc. Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories
US20110148509A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Feng Pan Techniques to Reduce Charge Pump Overshoot
US8305807B2 (en) 2010-07-09 2012-11-06 Sandisk Technologies Inc. Detection of broken word-lines in memory arrays
US8514630B2 (en) 2010-07-09 2013-08-20 Sandisk Technologies Inc. Detection of word-line leakage in memory arrays: current based approach
US8432732B2 (en) 2010-07-09 2013-04-30 Sandisk Technologies Inc. Detection of word-line leakage in memory arrays
US8106701B1 (en) 2010-09-30 2012-01-31 Sandisk Technologies Inc. Level shifter with shoot-through current isolation
US8294509B2 (en) * 2010-12-20 2012-10-23 Sandisk Technologies Inc. Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances
US8339185B2 (en) 2010-12-20 2012-12-25 Sandisk 3D Llc Charge pump system that dynamically selects number of active stages
US8537593B2 (en) 2011-04-28 2013-09-17 Sandisk Technologies Inc. Variable resistance switch suitable for supplying high voltage to drive load
US8379454B2 (en) 2011-05-05 2013-02-19 Sandisk Technologies Inc. Detection of broken word-lines in memory arrays
US8750042B2 (en) 2011-07-28 2014-06-10 Sandisk Technologies Inc. Combined simultaneous sensing of multiple wordlines in a post-write read (PWR) and detection of NAND failures
US8775901B2 (en) 2011-07-28 2014-07-08 SanDisk Technologies, Inc. Data recovery for defective word lines during programming of non-volatile memory arrays
US8726104B2 (en) 2011-07-28 2014-05-13 Sandisk Technologies Inc. Non-volatile memory and method with accelerated post-write read using combined verification of multiple pages
US8699247B2 (en) 2011-09-09 2014-04-15 Sandisk Technologies Inc. Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program
US8514628B2 (en) 2011-09-22 2013-08-20 Sandisk Technologies Inc. Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps
US8400212B1 (en) 2011-09-22 2013-03-19 Sandisk Technologies Inc. High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment
US8395434B1 (en) 2011-10-05 2013-03-12 Sandisk Technologies Inc. Level shifter with negative voltage capability
US8730722B2 (en) 2012-03-02 2014-05-20 Sandisk Technologies Inc. Saving of data in cases of word-line to word-line short in memory arrays
US8710909B2 (en) 2012-09-14 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps
US9810723B2 (en) 2012-09-27 2017-11-07 Sandisk Technologies Llc Charge pump based over-sampling ADC for current detection
US9164526B2 (en) 2012-09-27 2015-10-20 Sandisk Technologies Inc. Sigma delta over-sampling charge pump analog-to-digital converter
US8836412B2 (en) 2013-02-11 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple
US8981835B2 (en) 2013-06-18 2015-03-17 Sandisk Technologies Inc. Efficient voltage doubler
US9024680B2 (en) 2013-06-24 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. Efficiency for charge pumps with low supply voltages
US9077238B2 (en) 2013-06-25 2015-07-07 SanDisk Technologies, Inc. Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
US9007046B2 (en) 2013-06-27 2015-04-14 Sandisk Technologies Inc. Efficient high voltage bias regulation circuit
US9165683B2 (en) 2013-09-23 2015-10-20 Sandisk Technologies Inc. Multi-word line erratic programming detection
US9083231B2 (en) 2013-09-30 2015-07-14 Sandisk Technologies Inc. Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency
US9154027B2 (en) 2013-12-09 2015-10-06 Sandisk Technologies Inc. Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption
US9653126B2 (en) 2014-01-27 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Digital ramp rate control for charge pumps
US9514835B2 (en) 2014-07-10 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks
US9460809B2 (en) 2014-07-10 2016-10-04 Sandisk Technologies Llc AC stress mode to screen out word line to word line shorts
US9443612B2 (en) 2014-07-10 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Determination of bit line to low voltage signal shorts
US9484086B2 (en) 2014-07-10 2016-11-01 Sandisk Technologies Llc Determination of word line to local source line shorts
US9330776B2 (en) 2014-08-14 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. High voltage step down regulator with breakdown protection
US9240249B1 (en) 2014-09-02 2016-01-19 Sandisk Technologies Inc. AC stress methods to screen out bit line defects
US9202593B1 (en) 2014-09-02 2015-12-01 Sandisk Technologies Inc. Techniques for detecting broken word lines in non-volatile memories
US9449694B2 (en) 2014-09-04 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations
US9917507B2 (en) 2015-05-28 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents
US9647536B2 (en) 2015-07-28 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc High voltage generation using low voltage devices
US9659666B2 (en) 2015-08-31 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Dynamic memory recovery at the sub-block level
US9520776B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Selective body bias for charge pump transfer switches
CN105529917A (zh) * 2016-01-21 2016-04-27 中山芯达电子科技有限公司 一种高效率快速电压发生电路
US9698676B1 (en) 2016-03-11 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Charge pump based over-sampling with uniform step size for current detection
WO2018023695A1 (en) 2016-08-05 2018-02-08 The University Of Hong Kong High-efficiency switched-capacitor power supplies and methods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007020268A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Casio Comput Co Ltd 電源回路
JP2007202267A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Rohm Co Ltd 電源装置及びこれを用いた電気機器

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697860A (en) * 1971-03-15 1972-10-10 Westinghouse Electric Corp Dc static switch circuit with a main switch device and a power sharing circuit portion
US4511811A (en) * 1982-02-08 1985-04-16 Seeq Technology, Inc. Charge pump for providing programming voltage to the word lines in a semiconductor memory array
US4583157A (en) * 1985-02-08 1986-04-15 At&T Bell Laboratories Integrated circuit having a variably boosted node
US4636748A (en) * 1985-06-26 1987-01-13 Data General Corporation Charge pump for use in a phase-locked loop
US4736121A (en) * 1985-09-10 1988-04-05 Sos Microelettronica S.p.A. Charge pump circuit for driving N-channel MOS transistors
US4888738A (en) * 1988-06-29 1989-12-19 Seeq Technology Current-regulated, voltage-regulated erase circuit for EEPROM memory
US5392205A (en) * 1991-11-07 1995-02-21 Motorola, Inc. Regulated charge pump and method therefor
US5436587A (en) * 1993-11-24 1995-07-25 Sundisk Corporation Charge pump circuit with exponetral multiplication
US5508971A (en) * 1994-10-17 1996-04-16 Sandisk Corporation Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems
US5563779A (en) * 1994-12-05 1996-10-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for a regulated supply on an integrated circuit
US5596532A (en) * 1995-10-18 1997-01-21 Sandisk Corporation Flash EEPROM self-adaptive voltage generation circuit operative within a continuous voltage source range
DE19612443C2 (de) * 1996-03-28 1998-02-05 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Versorgung eines elektronischen Lastkreises
US5625544A (en) * 1996-04-25 1997-04-29 Programmable Microelectronics Corp. Charge pump
JP2917914B2 (ja) * 1996-05-17 1999-07-12 日本電気株式会社 昇圧回路
US5818288A (en) * 1996-06-27 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Charge pump circuit having non-uniform stage capacitance for providing increased rise time and reduced area
US5818289A (en) * 1996-07-18 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
US6023187A (en) * 1997-12-23 2000-02-08 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Voltage pump for integrated circuit and operating method thereof
KR100273278B1 (ko) * 1998-02-11 2001-01-15 김영환 반도체 소자의 펌핑회로
US6606267B2 (en) * 1998-06-23 2003-08-12 Sandisk Corporation High data rate write process for non-volatile flash memories
US5969986A (en) * 1998-06-23 1999-10-19 Invox Technology High-bandwidth read and write architectures for non-volatile memories
KR100292565B1 (ko) * 1998-04-09 2001-06-01 니시무로 타이죠 내부 전압 발생 회로와 반도체 메모리
US6344959B1 (en) * 1998-05-01 2002-02-05 Unitrode Corporation Method for sensing the output voltage of a charge pump circuit without applying a load to the output stage
JP2000082294A (ja) * 1998-06-23 2000-03-21 Invox Technol 不揮発メモリ及び不揮発メモリへの書込み方法
US6208542B1 (en) * 1998-06-30 2001-03-27 Sandisk Corporation Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory
US6249898B1 (en) * 1998-06-30 2001-06-19 Synopsys, Inc. Method and system for reliability analysis of CMOS VLSI circuits based on stage partitioning and node activities
US6198645B1 (en) * 1998-07-02 2001-03-06 National Semiconductor Corporation Buck and boost switched capacitor gain stage with optional shared rest state
JP3237654B2 (ja) * 1999-05-19 2001-12-10 日本電気株式会社 半導体装置
US6169444B1 (en) 1999-07-15 2001-01-02 Maxim Integrated Products, Inc. Pulse frequency operation of regulated charge pumps
JP2001075536A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Nec Corp 昇圧回路、電源回路及び液晶駆動装置
TW578377B (en) * 2000-05-10 2004-03-01 Sanyo Electric Co Charge-pump circuit and method for controlling the same
DE60028030T2 (de) * 2000-08-22 2006-12-14 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Hocheffiziente elektronische Schaltung zur Erzeugung und Regelung einer Versorgungsspannung
US6525949B1 (en) * 2000-12-22 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit
US6577535B2 (en) * 2001-02-16 2003-06-10 Sandisk Corporation Method and system for distributed power generation in multi-chip memory systems
US6486728B2 (en) * 2001-03-16 2002-11-26 Matrix Semiconductor, Inc. Multi-stage charge pump
JP2002315308A (ja) * 2001-04-10 2002-10-25 Fujitsu Ltd Dc−dcコンバータ及び記憶装置
US6424570B1 (en) * 2001-06-26 2002-07-23 Advanced Micro Devices, Inc. Modulated charge pump with uses an analog to digital converter to compensate for supply voltage variations
JP4152094B2 (ja) * 2001-09-03 2008-09-17 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置の制御方法及び半導体記憶装置
JP3557186B2 (ja) * 2001-09-26 2004-08-25 三洋電機株式会社 Dc−dcコンバータ
JP4222768B2 (ja) * 2002-03-27 2009-02-12 三洋電機株式会社 昇圧装置及びこれを用いた撮像装置
US6861894B2 (en) * 2002-09-27 2005-03-01 Sandisk Corporation Charge pump with Fibonacci number multiplication
ITMI20022268A1 (it) * 2002-10-25 2004-04-26 Atmel Corp Circuito pompa di cariche variabile con carico dinamico
US6975135B1 (en) * 2002-12-10 2005-12-13 Altera Corporation Universally programmable output buffer
US6734718B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Sandisk Corporation High voltage ripple reduction
US6891764B2 (en) * 2003-04-11 2005-05-10 Intel Corporation Apparatus and method to read a nonvolatile memory
US7023260B2 (en) * 2003-06-30 2006-04-04 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit incorporating corresponding parallel charge pump stages and method therefor
FR2858725B1 (fr) * 2003-08-06 2005-10-07 St Microelectronics Sa Dispositif autoreparable pour generer une haute tension, et procede de reparation d'un dispositif pour generer une haute tension.
US6922096B2 (en) * 2003-08-07 2005-07-26 Sandisk Corporation Area efficient charge pump
US6859091B1 (en) * 2003-09-18 2005-02-22 Maxim Integrated Products, Inc. Continuous linear regulated zero dropout charge pump with high efficiency load predictive clocking scheme
US7030683B2 (en) * 2004-05-10 2006-04-18 Sandisk Corporation Four phase charge pump operable without phase overlap with improved efficiency
JP2006158132A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Renesas Technology Corp チャージポンプ方式電源回路
DE112004003022B4 (de) * 2004-11-30 2012-04-05 Spansion Llc (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Steuern desselben
US7120051B2 (en) * 2004-12-14 2006-10-10 Sandisk Corporation Pipelined programming of non-volatile memories using early data
TWI298828B (en) * 2005-06-29 2008-07-11 Novatek Microelectronics Corp Charge pump for generating arbitrary voltage level
US7276960B2 (en) * 2005-07-18 2007-10-02 Dialog Semiconductor Gmbh Voltage regulated charge pump with regulated charge current into the flying capacitor
US20070126494A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Sandisk Corporation Charge pump having shunt diode for improved operating efficiency
US7372320B2 (en) * 2005-12-16 2008-05-13 Sandisk Corporation Voltage regulation with active supplemental current for output stabilization
US20070139099A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Sandisk Corporation Charge pump regulation control for improved power efficiency
US7397677B1 (en) * 2006-02-08 2008-07-08 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for charge pump control with adjustable series resistance
US20070229149A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Sandisk Corporation Voltage regulator having high voltage protection
US7554311B2 (en) * 2006-07-31 2009-06-30 Sandisk Corporation Hybrid charge pump regulation
US7440342B2 (en) * 2006-12-29 2008-10-21 Sandisk Corporation Unified voltage generation method with improved power efficiency
US7477092B2 (en) * 2006-12-29 2009-01-13 Sandisk Corporation Unified voltage generation apparatus with improved power efficiency
US7515488B2 (en) * 2007-03-30 2009-04-07 Sandisk 3D Llc Method for load-based voltage generation
US7558129B2 (en) * 2007-03-30 2009-07-07 Sandisk 3D Llc Device with load-based voltage generation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007020268A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Casio Comput Co Ltd 電源回路
JP2007202267A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Rohm Co Ltd 電源装置及びこれを用いた電気機器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI463774B (zh) 2014-12-01
CN101897110A (zh) 2010-11-24
US20090153230A1 (en) 2009-06-18
EP2223419A1 (en) 2010-09-01
TW200937819A (en) 2009-09-01
WO2009076277A1 (en) 2009-06-18
US7586362B2 (en) 2009-09-08
KR20100099685A (ko) 2010-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011507471A (ja) 調整付き低電圧チャージポンプ
US8044705B2 (en) Bottom plate regulation of charge pumps
US7683700B2 (en) Techniques of ripple reduction for charge pumps
US8699247B2 (en) Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program
Pelliconi et al. Power efficient charge pump in deep submicron standard CMOS technology
US7579902B2 (en) Charge pump for generation of multiple output-voltage levels
JP4336489B2 (ja) 半導体集積回路
US20090315616A1 (en) Clock Generator Circuit for a Charge Pump
US9077238B2 (en) Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
TW200934079A (en) Diode connected regulation of charge pumps
US8896367B1 (en) Charge pump system
JPH11273378A (ja) 高電圧発生回路
JP2009509481A (ja) 広範囲の供給電圧のための効率的なチャージポンプ
JP4209878B2 (ja) チャージポンプ回路とこれを利用した直流変換装置
JP2009060702A (ja) チャージポンプ式昇圧回路
US20090302930A1 (en) Charge Pump with Vt Cancellation Through Parallel Structure
JP2007089242A (ja) チャージポンプ式昇圧回路を有する半導体装置
US20140232452A1 (en) Internal voltage generation circuit
JP5185908B2 (ja) チャージポンプ回路
CN102263499B (zh) 时钟产生电路和电荷泵系统
JP2005044203A (ja) 電源回路
JP3713267B2 (ja) チャージポンプ回路
Rana et al. Single charge-pump generating high positive and negative voltages driving common load
JP2005117830A (ja) チャージポンプ回路
JP2008011649A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111026

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111026

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20111026

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20111201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120223

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120301

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120731