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JP2011227290A - Material for forming protective film and forming method for resist pattern - Google Patents

Material for forming protective film and forming method for resist pattern Download PDF

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JP2011227290A
JP2011227290A JP2010096930A JP2010096930A JP2011227290A JP 2011227290 A JP2011227290 A JP 2011227290A JP 2010096930 A JP2010096930 A JP 2010096930A JP 2010096930 A JP2010096930 A JP 2010096930A JP 2011227290 A JP2011227290 A JP 2011227290A
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protective film
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carbon atoms
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Pending
Application number
JP2010096930A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuriko Shirai
由利子 白井
Masaaki Yoshida
正昭 吉田
Takumi Namiki
拓海 並木
Kiyoshi Ishikawa
清 石川
Atsushi Koshiyama
淳 越山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material for forming a protective film which is capable of improving water repellency while suppressing a deterioration in alkali solubility of the protective film, and to provide a forming method for a resist pattern using the material for forming a protective film.SOLUTION: A material for forming a protective film contains an alkali-soluble polymer having a structural unit derived from a monomer represented by formula (A-1). In the formula, Rrepresents a group expressed by formula (a-1) or formula (a-2), Qrepresents a divalent linkage group which may have a single bond or a fluorine atom, and Rrepresents an organic group which may have a fluorine atom.

Description

本発明は、レジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたレジストパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a protective film forming material for forming a protective film laminated on a resist film, and a resist pattern forming method using the protective film forming material.

従来より、新たなリソグラフィー技術として、液浸露光プロセスが注目されている(非特許文献1〜3参照)。この液浸露光プロセスによれば、従来の露光光路空間を、いわゆる液浸露光用液体(純水等)で置換することにより、同じ露光波長の光源を用いても、より高解像度で焦点深度にも優れるレジストパターンを形成することができる。   Conventionally, an immersion exposure process has attracted attention as a new lithography technique (see Non-Patent Documents 1 to 3). According to this immersion exposure process, the conventional exposure optical path space is replaced with a so-called immersion exposure liquid (pure water, etc.), so that even with a light source having the same exposure wavelength, a higher resolution and depth of focus can be achieved. It is possible to form an excellent resist pattern.

この液浸露光プロセスでは、レジスト膜上に液浸露光用液体を介在させた状態で露光を行うことから、当然のことながら、液浸露光用液体によるレジスト膜の変質、レジスト膜からの溶出成分による液浸露光用液体自体の変質に伴う屈折率変動等が懸念される。   In this immersion exposure process, since the exposure is performed with the immersion exposure liquid interposed on the resist film, as a matter of course, the resist film is altered by the immersion exposure liquid, and the elution component from the resist film. There is a concern about the refractive index fluctuation accompanying the alteration of the liquid for immersion exposure due to.

このような状況下、レジスト膜上にフッ素含有樹脂を用いた保護膜を形成し、この保護膜上に液浸露光用液体を介在させることによって、液浸露光用液体によるレジスト膜の変質、液浸露光用液体自体の変質に伴う屈折率変動を同時に防止することを目的とした技術が提案されている(特許文献1参照)。   Under such circumstances, by forming a protective film using a fluorine-containing resin on the resist film and interposing an immersion exposure liquid on the protective film, the resist film can be altered and liquid by the immersion exposure liquid. There has been proposed a technique aimed at simultaneously preventing refractive index fluctuations accompanying alteration of the immersion exposure liquid itself (see Patent Document 1).

また、レジストパターン形成工程の簡略化、製造効率の向上等の観点から、アルカリ可溶性ポリマーを用いた保護膜を用いることによって、液浸露光後のアルカリ現像時に、保護膜の除去と不要なレジスト膜の除去とを同時に行ってレジストパターンを得る技術が提案されている(特許文献2参照)。   In addition, from the viewpoints of simplifying the resist pattern formation process and improving production efficiency, by using a protective film using an alkali-soluble polymer, removal of the protective film and unnecessary resist film during alkali development after immersion exposure A technique has been proposed in which a resist pattern is obtained by simultaneously removing the resist (see Patent Document 2).

国際公開第2004/074937号パンフレットInternational Publication No. 2004/074937 Pamphlet 特開2005−157259号公報JP 2005-157259 A

「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー B(Journal of Vacuum Science & Technology B)」、(米国)、1999年、第17巻、6号、3306−3309頁"Journal of Vacuum Science & Technology B", (USA), 1999, Vol. 17, No. 6, pp. 3306-3309 「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー B(Journal of Vacuum Science & Technology B)」、(米国)、2001年、第19巻、6号、2353−2356頁"Journal of Vacuum Science & Technology B", (USA), 2001, Vol. 19, No. 6, pp. 2353-2356 「プロシーディングス・オブ・エスピーアイイー(Proceedings of SPIE)」、(米国)、2002年、第4691巻、459−465頁“Proceedings of SPIE” (USA), 2002, 4691, pages 459-465.

ところで、近年、高速で走査させる露光用レンズと、レジスト膜上に保護膜を形成した基板との間のみを液浸露光用液体で満たす局所液浸露光プロセスが検討されている。局所液浸露光プロセスでは、例えば、保護膜/レジスト膜を形成した基板をウェーハステージ上に載置し、保護膜の上方に所定間隔を空けて露光用レンズを配置し、露光用レンズを高速でスキャニング移動させながら、液浸露光用液体を一方のノズルから保護膜上に連続滴下すると同時に他方のノズルから吸引して露光する。   By the way, in recent years, a local liquid immersion exposure process in which only a space between an exposure lens that scans at a high speed and a substrate on which a protective film is formed on a resist film is filled with liquid for liquid immersion exposure has been studied. In the local liquid immersion exposure process, for example, a substrate on which a protective film / resist film is formed is placed on a wafer stage, an exposure lens is arranged above the protective film at a predetermined interval, and the exposure lens is moved at a high speed. While performing scanning movement, the liquid for immersion exposure is continuously dropped from one nozzle onto the protective film, and at the same time, the liquid is sucked from the other nozzle and exposed.

この局所液浸露光プロセスにおいては、スキャニング移動する露光用レンズに液浸露光用液体が追従する必要がある。このため、保護膜には高い撥水性が要求される。特に最近は、スループット向上のために液浸露光機のスキャン速度が年々高速化しているため、より撥水性の高い保護膜が求められている。   In this local liquid immersion exposure process, the liquid for immersion exposure needs to follow the scanning exposure lens. For this reason, the protective film is required to have high water repellency. Particularly recently, since the scanning speed of the immersion exposure machine has been increasing year by year in order to improve the throughput, a protective film with higher water repellency has been demanded.

しかしながら、アルカリ可溶性ポリマーを用いた保護膜の場合、撥水性とアルカリ溶解性とがトレードオフの関係にあるため、撥水性を向上させるとアルカリ溶解性が低下してしまうという問題があった。この原因の1つとしては、アルカリ可溶性ポリマーの構成単位のうち主として撥水性に寄与する構成単位の、アルカリ溶解性に与える影響が大きいことが挙げられる。したがって、この構成単位のアルカリ溶解性に与える影響を下げることができれば、保護膜のアルカリ溶解性の低下を抑えながら、撥水性を向上させることができると考えられるが、そのような保護膜形成用材料はこれまで知られていないのが現状であった。   However, in the case of a protective film using an alkali-soluble polymer, water repellency and alkali solubility are in a trade-off relationship, and thus there is a problem that alkali solubility is lowered when water repellency is improved. One of the causes is that the influence of the structural unit mainly contributing to water repellency among the structural units of the alkali-soluble polymer on the alkali solubility is great. Therefore, if it is possible to reduce the influence of this structural unit on the alkali solubility, it is considered that the water repellency can be improved while suppressing the decrease in the alkali solubility of the protective film. The material has not been known so far.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、保護膜のアルカリ溶解性の低下を抑えながら、撥水性を向上させることが可能な保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a protective film-forming material capable of improving water repellency while suppressing a decrease in alkali solubility of the protective film, and the protective film-forming material. It is an object of the present invention to provide a used resist pattern forming method.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた。その結果、特定の構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを保護膜形成用材料に含有させることで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。   The inventors of the present invention have made extensive studies to achieve the above object. As a result, it has been found that the above problem can be solved by including an alkali-soluble polymer having a specific structural unit in the protective film forming material, and the present invention has been completed. Specifically, the present invention provides the following.

本発明の第一の態様は、レジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成用材料であって、下記式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料である。

Figure 2011227290
[式中、Rは下記式(a−1)又は式(a−2)で表される基を示し、Qはフッ素原子を有していてもよい2価の連結基を示し、Rはフッ素原子を有していてもよい有機基を示し、nは0又は1を示す。
Figure 2011227290
(式中、R01は水素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を示し、R02は水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を示し、Zは炭素数1若しくは2のアルキレン基又は酸素原子を示し、mは0〜3の整数を示す。)] A first aspect of the present invention is a protective film-forming material for forming a protective film laminated on a resist film, the structural unit derived from a monomer represented by the following formula (A-1) A protective film-forming material containing an alkali-soluble polymer.
Figure 2011227290
[Wherein, R 0 represents a group represented by the following formula (a-1) or (a-2), Q 0 represents a divalent linking group optionally having a fluorine atom, and R 1 represents an organic group which may have a fluorine atom, and n represents 0 or 1.
Figure 2011227290
(In the formula, R 01 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group, R 02 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group, Z represents an alkylene group having 1 or 2 carbon atoms or an oxygen atom, and m represents an integer of 0 to 3)]

なお、本件出願において「構成単位」とは、高分子化合物(重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
また、連結基又は有機基が「フッ素原子を有していてもよい」とは、当該連結基又は有機基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよいことを意味する。
In the present application, “structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (polymer, copolymer).
Moreover, the linking group or the organic group “may have a fluorine atom” means that part or all of the hydrogen atoms of the linking group or the organic group may be substituted with a fluorine atom. .

本発明の第二の態様は、液浸露光プロセスを用いたレジストパターン形成方法であって、基板上にレジスト膜を設ける工程と、このレジスト膜上に本発明に係る保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成する工程と、上記基板の少なくとも上記保護膜上に液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体及び上記保護膜を介して、上記レジスト膜を選択的に露光する工程と、現像液により上記保護膜を除去して、露光後の上記レジスト膜を現像する現像工程と、を有するレジストパターン形成方法である。   A second aspect of the present invention is a resist pattern forming method using an immersion exposure process, wherein a resist film is provided on a substrate, and the protective film forming material according to the present invention is used on the resist film. Forming a protective film, and placing an immersion exposure liquid on at least the protective film of the substrate, and selectively exposing the resist film through the immersion exposure liquid and the protective film. And a developing step of developing the resist film after exposure by removing the protective film with a developer.

本発明によれば、保護膜のアルカリ溶解性の低下を抑えながら、撥水性を向上させることが可能な保護膜形成用材料、及びこの保護膜形成用材料を用いたレジストパターン形成方法を提供することができる。   The present invention provides a protective film forming material capable of improving water repellency while suppressing a decrease in alkali solubility of the protective film, and a resist pattern forming method using the protective film forming material. be able to.

≪保護膜形成用材料≫
本発明に係る保護膜形成用材料は、特定の構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有している。以下、本発明に係る保護膜形成用材料に含有される各成分について説明する。
≪Material for protective film formation≫
The material for forming a protective film according to the present invention contains an alkali-soluble polymer having a specific structural unit. Hereinafter, each component contained in the material for forming a protective film according to the present invention will be described.

<(a)アルカリ可溶性ポリマー>
[式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位]
アルカリ可溶性ポリマーは、少なくとも下記式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位を有する。アルカリ可溶性ポリマーがこのような構成単位を有することにより、形成される保護膜のアルカリ溶解性の低下を抑えながら、撥水性を向上させることができる。
<(A) Alkali-soluble polymer>
[Structural Unit Derived from Monomer Represented by Formula (A-1)]
The alkali-soluble polymer has at least a structural unit derived from a monomer represented by the following formula (A-1). When the alkali-soluble polymer has such a structural unit, water repellency can be improved while suppressing a decrease in alkali solubility of the protective film to be formed.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−1)中、Rは下記式(a−1)又は式(a−2)で表される基を示す。 In the above formula (A-1), R 0 represents a group represented by the following formula (a-1) or formula (a-2).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(a−1)中、R01は水素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を示す。
炭素数1〜5のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基としては、上記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
このR01は、水素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基若しくはフッ素化アルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。
In the above formula (a-1), R 01 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group.
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, and neopentyl group. A linear or branched alkyl group is mentioned.
Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
R 01 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and further preferably a methyl group.

上記式(a−2)中、R02は水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を示す。
炭素数1〜6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基が挙げられる。
炭素数1〜6のハロゲン化アルキル基としては、上記炭素数1〜6のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。該ハロゲン化アルキル基としては、撥水性向上の観点から、水素原子の全部がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基が好ましい。
このR02は、水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基若しくはフッ素化アルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることがさらに好ましい。
In the formula (a-2), R 02 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogenated alkyl group.
Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, cyclopentyl group, n -A linear, branched, or cyclic alkyl group such as a hexyl group, an isohexyl group, or a cyclohexyl group.
Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the above alkyl group having 1 to 6 carbon atoms have been substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable. The halogenated alkyl group is preferably a perfluoroalkyl group in which all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms from the viewpoint of improving water repellency.
R 02 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a fluorinated alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, More preferably.

上記式(a−2)中、Zは炭素数1若しくは2のアルキレン基又は酸素原子を示し、メチレン基が好ましい。
mは0〜3の整数を示し、m=0が好ましい。
In said formula (a-2), Z shows a C1-C2 alkylene group or an oxygen atom, and a methylene group is preferable.
m represents an integer of 0 to 3, and m = 0 is preferable.

上記式(A−1)中、Qはフッ素原子を有していてもよい2価の連結基を示す。
2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、その両方を含む基であってもよい。
In the above formula (A-1), Q 0 represents a divalent linking group which may have a fluorine atom.
Examples of the divalent linking group include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a group containing both.

脂肪族炭化水素基は、飽和、不飽和のいずれであってもよいが、飽和であることが好ましい。より具体的には、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜12であることが好ましく、1〜8がより好ましく、1〜5がさらに好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCHCH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルプロピレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルブチレン基;等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, but is preferably saturated. More specifically, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like can be given.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably 1 to 5 carbon atoms.
The linear aliphatic hydrocarbon group is preferably a linear alkylene group, and specific examples include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, and a pentylene group.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 An alkylethylene group such as CH 3 ) 2 CH 2 —; an alkylpropylene group such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 —; —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - , etc. Rukirubuchiren group, alkyl alkylene group such as and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The chain aliphatic hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から2個の水素原子を除いた基)、該環状の脂肪族炭化水素基が上記の鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、単環式基、多環式基のいずれであってもよい。
単環式基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとして具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), the cyclic aliphatic hydrocarbon group is the above-mentioned Examples thereof include a group bonded to the terminal of a chain aliphatic hydrocarbon group or interposed in the middle of a chain aliphatic hydrocarbon group.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The monocyclic group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a C 3-6 monocycloalkane. Specific examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane.
As the polycyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等の、1価の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素の核からさらに1個の水素原子を除いた2価の芳香族炭化水素基;該2価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された芳香族炭化水素基;ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等で、かつ、その芳香族炭化水素の核からさらに1個の水素原子を除いた芳香族炭化水素基;等が挙げられる。
芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group includes, for example, one more aromatic hydrocarbon nucleus of a monovalent aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. A divalent aromatic hydrocarbon group excluding a hydrogen atom; part of the carbon atoms constituting the ring of the divalent aromatic hydrocarbon group is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom Aromatic hydrocarbon group: arylalkyl group such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., and the aromatic hydrocarbon Aromatic hydrocarbon group in which one hydrogen atom is further removed from the nucleus of
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

で示される2価の連結基は、ヘテロ原子を含む2価の基を含んでいてもよい。該2価の基として具体的には、−O−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−O−、−NH−、−NR−、−NH−C(=O)−、=N−、−S−、−S(=O)、−S(=O)−O−等が挙げられる。上記Rは、アルキル基、アシル基等の置換基である。該置換基は、炭素数1〜10であることが好ましく、1〜8であることがより好ましく、1〜5であることがさらに好ましい。 The divalent linking group represented by Q 0 may contain a divalent group containing a hetero atom. Specific examples of the divalent group include —O—, —C (═O) —, —C (═O) —O—, —O—C (═O) —O—, —NH—, — NR-, —NH—C (═O) —, ═N—, —S—, —S (═O) 2 , —S (═O) 2 —O— and the like can be mentioned. R is a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably 1 to 5 carbon atoms.

上記式(A−1)中、Rはフッ素原子を有していてもよい有機基を示す。
有機基の構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
有機基は、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10であることがさらに好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
この有機基は、撥水性向上の観点から、フッ素化率が25%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、60%以上であることがさらに好ましい。「フッ素化率」は、該有機基における(水素原子及びフッ素原子の合計数)に対する(フッ素原子数)の割合(%)である。
In the above formula (A-1), R 1 represents an organic group which may have a fluorine atom.
The structure of the organic group may be linear, branched or cyclic, but is preferably linear or branched.
The organic group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, still more preferably 1 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
From the viewpoint of improving water repellency, this organic group preferably has a fluorination rate of 25% or more, more preferably 50% or more, and further preferably 60% or more. The “fluorination rate” is the ratio (%) of (number of fluorine atoms) to (total number of hydrogen atoms and fluorine atoms) in the organic group.

としては、メチル基、エチル基、置換基を有していてもよいフッ素化炭化水素基が好ましく挙げられる。 R 1 is preferably a methyl group, an ethyl group, or a fluorinated hydrocarbon group which may have a substituent.

置換基を有していてもよいフッ素化炭化水素基について、炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれであってもよいが、脂肪族炭化水素基であることが好ましい。脂肪族炭化水素基は、飽和、不飽和のいずれであってもよいが、飽和であることが好ましい。すなわち、Rとしては、フッ素化飽和炭化水素基又はフッ素化不飽和炭化水素基であることがより好ましく、フッ素化飽和炭化水素基、すなわちフッ素化アルキル基であることがさらに好ましい。
フッ素化アルキル基としては、下記に挙げる無置換のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
Regarding the fluorinated hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be either an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, but may be an aliphatic hydrocarbon group. preferable. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, but is preferably saturated. That is, R 1 is more preferably a fluorinated saturated hydrocarbon group or a fluorinated unsaturated hydrocarbon group, and further preferably a fluorinated saturated hydrocarbon group, that is, a fluorinated alkyl group.
Examples of the fluorinated alkyl group include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted alkyl group described below are substituted with fluorine atoms.

無置換のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基と環状のアルキル基との組み合わせであってもよい。
無置換の直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。
無置換の分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、3〜8であることが好ましい。分岐鎖状のアルキル基としては、第3級アルキル基が好ましい。
無置換の環状のアルキル基としては、例えば、モノシクロアルカン、又はビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のモノシクロアルキル基;アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基等のポリシクロアルキル基等が挙げられる。
無置換の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基と環状のアルキル基との組み合わせとしては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基に置換基として環状のアルキル基が結合した基、環状のアルキル基に置換基として直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が結合した基等が挙げられる。
The unsubstituted alkyl group may be linear, branched or cyclic, and may be a combination of a linear or branched alkyl group and a cyclic alkyl group.
The unsubstituted linear alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 8 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, and an n-decanyl group.
The unsubstituted branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and preferably 3 to 8 carbon atoms. As the branched alkyl group, a tertiary alkyl group is preferable.
Examples of the unsubstituted cyclic alkyl group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane, or a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane. Specific examples include monocycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; polycycloalkyl groups such as adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, tricyclodecanyl group, and tetracyclododecanyl group.
As the combination of an unsubstituted linear or branched alkyl group and a cyclic alkyl group, a group in which a cyclic alkyl group is bonded as a substituent to a linear or branched alkyl group, or a cyclic alkyl Examples include a group in which a linear or branched alkyl group is bonded as a substituent to the group.

フッ化炭化水素基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基等が挙げられる。   Examples of the substituent that the fluorinated hydrocarbon group may have include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

において、フッ素化アルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。特に、下記式(a−3)又は式(a−4)で表される基が好ましく、中でも式(a−3)で表される基が好ましい。 In R 1 , the fluorinated alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group. In particular, a group represented by the following formula (a-3) or formula (a-4) is preferable, and among them, a group represented by formula (a-3) is preferable.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(a−3)中、R12は無置換の炭素数1〜9のアルキレン基を示し、R13は炭素数1〜9のフッ素化アルキル基を示す。ただし、R12とR13との炭素数の合計は10以下である。また、上記式(a−4)中、R14〜R16はそれぞれ独立に炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基を示し、R14〜R16の少なくとも1つはフッ素原子を有するアルキル基である。 In the above formula (a-3), R 12 represents an unsubstituted alkylene group having 1 to 9 carbon atoms, and R 13 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. However, the total number of carbon atoms of R 12 and R 13 is 10 or less. In the formula (a-4), R 14 to R 16 each independently represent a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and at least one of R 14 to R 16 is an alkyl having a fluorine atom. It is a group.

上記式(a−3)中、R12のアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状が好ましい。また、その炭素数は1〜5が好ましい。R12としては、特に、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が好ましい。
上記式(a−3)中、R13としては、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。中でも、−CF、−CH、−Cが好ましい。
上記式(a−4)中、R14〜R16のアルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。R14〜R16のアルキル基のうち、いずれか1つがフッ素化アルキル基であればよく、全てがフッ素化アルキル基であってもよい。
In the above formula (a-3), the alkylene group for R 12 may be linear, branched or cyclic, but is preferably linear or branched. Moreover, as for the carbon number, 1-5 are preferable. R 12 is particularly preferably a methylene group, an ethylene group, or a propylene group.
In the above formula (a-3), R 13 is preferably a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a perfluoroalkyl group. Of these, -CF 3, -C 2 F 4 H, -C 2 F 5 are preferred.
In the above formula (a-4), the alkyl group of R 14 to R 16, preferably a methyl group or an ethyl group, more preferably a methyl group. Of the alkyl groups of R 14 to R 16 , any one may be a fluorinated alkyl group, and all may be fluorinated alkyl groups.

上記式(A−1)中、nは0又は1を示す。
n=0である場合、上記式(A−1)で表されるモノマーとしては、Rがメチル基又はエチル基であるものが好ましい。
n=1である場合、上記式(A−1)で表されるモノマーとしては、下記式(A−1−1)で表されるモノマー、又は後述の式(A−1−2)で表されるモノマーが好ましい。
In the above formula (A-1), n represents 0 or 1.
When n = 0, the monomer represented by the formula (A-1) is preferably one in which R 1 is a methyl group or an ethyl group.
When n = 1, the monomer represented by the formula (A-1) is represented by the monomer represented by the following formula (A-1-1) or the formula (A-1-2) described later. Monomers are preferred.

・式(A−1−1)で表されるモノマー

Figure 2011227290
-Monomer represented by formula (A-1-1)
Figure 2011227290

上記式(A−1−1)中、Rは上記式(A−1)と同義であり、Q01はフッ素原子を有さない2価の連結基を示し、R11はフッ素原子を有する有機基を示す。Q01としては、上記式(A−1)におけるQのうち、フッ素原子を有さないものが挙げられる。また、R11としては、上記式(A−1)におけるRのうち、フッ素原子を有するものが挙げられる。 In the formula (A-1-1), R 0 has the same meaning as the formula (A-1), Q 01 represents a divalent linking group having no fluorine atom, and R 11 has a fluorine atom. An organic group is shown. Examples of Q 01 include those having no fluorine atom among Q 0 in formula (A-1). As the R 11, of R 1 in the above formula (A-1), those having a fluorine atom.

上記式(A−1−1)で表されるモノマーのうち好適なものとしては、下記式(A−1−11)〜(A−1−16)で表されるモノマーが挙げられる。   Among the monomers represented by the above formula (A-1-1), monomers represented by the following formulas (A-1-11) to (A-1-16) are preferable.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−1−11)〜(A−1−16)中、Rは上記式(A−1)と同義であり、R11は上記式(A−1−1)と同義である。R50は置換基を示し、R51,R52はそれぞれ独立して炭素数1〜10のアルキル基を示し、R53,R54はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基を示す。a1〜a3,a5,a7はそれぞれ独立して1〜5の整数を示し、a4,a6,a8はそれぞれ独立して0〜5の整数を示す。d1〜d3はそれぞれ独立して0又は1を示し、eは0〜2の整数を示し、Aは炭素数3〜20の環状のアルキレン基を示す。 In the formulas (A-1-11) to (A-1-16), R 0 has the same meaning as the formula (A-1), and R 11 has the same meaning as the formula (A-1-1). . R 50 represents a substituent, R 51 and R 52 each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 53 and R 54 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Indicates. a1 to a3, a5 and a7 each independently represent an integer of 1 to 5, and a4, a6 and a8 each independently represent an integer of 0 to 5. d1 to d3 each independently represents 0 or 1, e represents an integer of 0 to 2, and A 1 represents a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms.

上記式(A−1−11)中、a1は1〜3の整数が好ましく、1又は2がより好ましい。
上記式(A−1−12)中、a2,a3はそれぞれ独立して1〜3の整数が好ましく、1又は2がより好ましい。
d1は0であることが好ましい。
In the above formula (A-1-11), a1 is preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.
In the formula (A-1-12), a2 and a3 are each independently preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.
d1 is preferably 0.

上記式(A−1−13)中、a4は0〜3の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、1又は2がさらに好ましい。
a5は1〜3の整数が好ましく、1又は2がより好ましい。
50の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
eとしては0又は1であることが好ましく、特に工業上、0であることが好ましい。
d2は0であることが好ましい。
In the above formula (A-1-13), a4 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and even more preferably 1 or 2.
a5 is preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.
Examples of the substituent for R 50 include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (= O). Can be mentioned. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
e is preferably 0 or 1, and particularly preferably 0 from an industrial viewpoint.
d2 is preferably 0.

上記式(A−1−14)中、a6は0〜3の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、0又は1がさらに好ましい。
a7は1〜3の整数が好ましく、1又は2がより好ましい。
d3は0であることが好ましい。
50及びeは上記式(A−1−13)と同義である。
In the above formula (A-1-14), a6 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and even more preferably 0 or 1.
a7 is preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.
d3 is preferably 0.
R 50 and e are as defined in the above formula (A-1-13).

上記式(A−1−15)中、a8は0〜3の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、0又は1がさらに好ましい。
51,R52はそれぞれ独立して直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は1〜6であることが好ましく、1〜4であることがより好ましく、メチル基又はエチル基がさらに好ましい。
53,R54はそれぞれ独立して水素原子、又は直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状の炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましい。R53,R54における直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状の炭素数1〜10のアルキル基は、上記R51,R52と同様である。
In the formula (A-1-15), a8 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and still more preferably 0 or 1.
R 51 and R 52 are preferably each independently a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, tert-pentyl, cyclopentyl, cyclohexyl, norbornyl, isobornyl, tri A cyclodecanyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecanyl group, etc. are mentioned. The alkyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably a methyl group or an ethyl group.
R 53 and R 54 are preferably each independently a hydrogen atom, or a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in R 53 and R 54 is the same as R 51 and R 52 described above.

上記式(A−1−16)中、Aは炭素数3〜12の環状のアルキレン基が好ましい。
環状のアルキレン基は単環式基、多環式基のいずれであってもよい。
単環式基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとして具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状のアルキレン基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
In Formula (A-1-16), A 1 is preferably a cyclic alkylene group having 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic alkylene group may be either a monocyclic group or a polycyclic group.
The monocyclic group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a C 3-6 monocycloalkane. Specific examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane.
As the polycyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
The cyclic alkylene group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

以下、上記式(A−1−11)〜(A−1−16)で表されるモノマーの具体例を示す。なお、Rは上記式(A−1)と同義である。 Hereinafter, specific examples of the monomers represented by the formulas (A-1-11) to (A-1-16) will be shown. R 0 has the same meaning as in the above formula (A-1).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−1−1)で表されるモノマーとしては、上記式(A−1−11)〜(A−1−16)で表されるモノマーから選択される少なくとも1種が好ましく、上記式(A−1−11)〜(A−1−14)で表されるモノマーから選択される少なくとも1種がより好ましく、上記式(A−1−11)〜(A−1−13)で表されるモノマーから選択される少なくとも1種がさらに好ましく、上記式(A−1−11)で表されるモノマーが特に好ましい。   The monomer represented by the formula (A-1-1) is preferably at least one selected from monomers represented by the formulas (A-1-11) to (A-1-16). At least one selected from monomers represented by formulas (A-1-11) to (A-1-14) is more preferable, and in the above formulas (A-1-11) to (A-1-13) At least one selected from the monomers represented is more preferred, and a monomer represented by the above formula (A-1-11) is particularly preferred.

・式(A−1−2)で表されるモノマー

Figure 2011227290
-Monomer represented by Formula (A-1-2)
Figure 2011227290

上記式(A−1−2)中、R,Rは上記式(A−1)と同義であり、Q02はフッ素原子を有する2価の連結基を示す。Q02としては、上記式(A−1)におけるQのうち、フッ素原子を有するものが挙げられる。 In the above formula (A-1-2), R 0 and R 1 have the same meaning as in the above formula (A-1), and Q 02 represents a divalent linking group having a fluorine atom. Examples of Q 02 include those having a fluorine atom among Q 0 in formula (A-1).

上記式(A−1−2)で表されるモノマーのうち好適なものとしては、下記式(A−1−21),(A−1−22)で表されるモノマーが挙げられる。   Among the monomers represented by the above formula (A-1-2), preferable examples include monomers represented by the following formulas (A-1-21) and (A-1-22).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−1−21),(A−1−22)中、Rは上記式(A−1)と同義である。
60,R61はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、又はフッ素化アルキル基を示し、互いに結合して環を形成していてもよい。
In the formulas (A-1-21) and (A-1-22), R 0 has the same meaning as the formula (A-1).
R 60 and R 61 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a fluorinated alkyl group, and may be bonded to each other to form a ring.

60,R61におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合、炭素数は1〜5であることが好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。
環状のアルキル基の場合、炭素数は4〜15であることが好ましく、4〜12であることがより好ましく、5〜10であることがさらに好ましい。具体的には、モノシクロアルカン、又はビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。より具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のモノシクロアルキル基;アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基等のポリシクロアルキル基;等が挙げられる。中でもアダマンチル基が好ましい。
The alkyl group in R 60 and R 61 may be linear, branched or cyclic, but is preferably linear or branched.
In the case of a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 5, more preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly preferably an ethyl group.
In the case of a cyclic alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 4-15, more preferably 4-12, and even more preferably 5-10. Specific examples include groups in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane or a polycycloalkane such as a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane. More specifically, monocycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; polycycloalkyl groups such as adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, tricyclodecanyl group and tetracyclododecanyl group; Of these, an adamantyl group is preferred.

60,R61におけるフッ素化アルキル基は、上記のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されている基である。 The fluorinated alkyl group for R 60 and R 61 is a group in which part or all of the hydrogen atoms in the above alkyl group are substituted with fluorine atoms.

60,R61は互いに結合して環を形成していてもよい。このような環としては、上記モノシクロアルカン又はポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いたものが挙げられる。この環は4〜10員環であることが好ましく、5〜7員環であることがより好ましい。 R 60 and R 61 may be bonded to each other to form a ring. Examples of such a ring include those obtained by removing two hydrogen atoms from the monocycloalkane or polycycloalkane. This ring is preferably a 4- to 10-membered ring, more preferably a 5- to 7-membered ring.

上記の中でも、R60,R61は水素原子又はアルキル基であることが好ましい。 Among the above, R 60 and R 61 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

上記式(A−1−21),(A−1−22)中、R62はフッ素原子又はフッ素化アルキル基を示す。
62におけるフッ素化アルキル基において、フッ素原子で置換されていない状態のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合、炭素数は1〜5であることが好ましく、1〜3であることがより好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。
フッ素化アルキル基においては、撥水性向上の観点から、フッ素化率が30〜100%であることが好ましく、50〜100%であることがより好ましい。
The formula (A-1-21), shows the (A-1-22) in, R 62 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group.
In the fluorinated alkyl group for R 62 , the alkyl group not substituted with a fluorine atom may be linear, branched or cyclic.
In the case of a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 or 2.
In the fluorinated alkyl group, from the viewpoint of improving water repellency, the fluorination rate is preferably 30 to 100%, and more preferably 50 to 100%.

上記式(A−1−21)中、R17はフッ素原子を有する有機基を示し、上記式(A−1)におけるRのうち、フッ素原子を有するものが挙げられる。
17としてはフッ素化炭化水素基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。具体的には、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がさらに好ましく、−CH−CF、−CH−CF−CF、−CH(CF、−CH−CF−CF−CFが特に好ましく、−CH−CFが最も好ましい。
In the formula (A-1-21), R 17 represents an organic group having a fluorine atom, and examples of R 1 in the formula (A-1) include those having a fluorine atom.
R 17 is preferably a fluorinated hydrocarbon group, more preferably a fluorinated alkyl group. Specifically, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and —CH 2 —CF 3 , —CH 2 —CF 2 —CF 3 , —CH (CF 3 ) 2 , —CH 2 —CF 2 are used. —CF 2 —CF 3 is particularly preferred, and —CH 2 —CF 3 is most preferred.

上記式(A−1−22)中、R18はアルキル基を示す。
18におけるアルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがより好ましく、1〜5であることがさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、中でもメチル基又はエチル基が好ましい。
In the above formula (A-1-22), R 18 represents an alkyl group.
The alkyl group for R 18 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and still more preferably 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. preferable.

以下、上記式(A−1−21),(A−1−22)で表されるモノマーの具体例を示す。なお、Rは上記式(A−1)と同義である。 Hereinafter, specific examples of monomers represented by the above formulas (A-1-21) and (A-1-22) are shown. R 0 has the same meaning as in the above formula (A-1).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−1)で表されるモノマーは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The monomer represented by the above formula (A-1) may be used alone or in combination of two or more.

上記式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位の割合は、アルカリ可溶性ポリマー中、5〜70モル%が好ましく、10〜50モル%がより好ましく、15〜25モル%がさらに好ましい。上記範囲内であることにより、形成される保護膜の撥水性とアルカリ溶解性とを両立させることができる。   The proportion of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (A-1) is preferably 5 to 70 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, and further preferably 15 to 25 mol% in the alkali-soluble polymer. preferable. By being in the said range, the water repellency and alkali solubility of the protective film formed can be made compatible.

[式(A−2)で表されるモノマーに由来する構成単位]
アルカリ可溶性ポリマーは、下記式(A−2)で表されるモノマーに由来する構成単位を有することが好ましい。アルカリ可溶性ポリマーがこのような構成単位を有することにより、形成される保護膜のアルカリ溶解性を向上させることができる。
[Structural Unit Derived from Monomer Represented by Formula (A-2)]
The alkali-soluble polymer preferably has a structural unit derived from a monomer represented by the following formula (A-2). When the alkali-soluble polymer has such a structural unit, the alkali solubility of the protective film to be formed can be improved.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−2)中、Rは上記式(A−1)と同義である。
はフッ素原子を有していてもよい2価の連結基を示す。Qとしては、上記式(A−1)におけるQと同様の基が挙げられる。
In said formula (A-2), R0 is synonymous with said formula (A-1).
Q 1 represents a divalent linking group which may have a fluorine atom. Examples of Q 1 include the same groups as Q 0 in formula (A-1).

上記式(A−2)中、R,Rはそれぞれ独立に炭素数1〜15のアルキル基又はフッ素化アルキル基(ただし、アルキル基又はフッ素化アルキル基はエーテル結合が介在していてもよく、さらにはアルキル基又はフッ素化アルキル基の水素原子又はフッ素原子の一部が水酸基により置換されていてもよい。)を示し、かつ、R,Rの少なくとも一方はフッ素化アルキル基を示す。 In the above formula (A-2), R 2 and R 3 are each independently an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a fluorinated alkyl group (however, the alkyl group or fluorinated alkyl group may have an ether bond interposed therebetween). In addition, a hydrogen atom or a part of the fluorine atom of the alkyl group or the fluorinated alkyl group may be substituted with a hydroxyl group), and at least one of R 2 and R 3 represents a fluorinated alkyl group. Show.

,Rにおける炭素数1〜15のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−デシル基、n−ペンタデシル基等の直鎖状のアルキル基;イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基等の分岐鎖状のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状のアルキル基;等が挙げられる。
炭素数1〜15のフッ素化アルキル基としては、上記炭素数1〜15のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
なお、R,Rの少なくとも一方はフッ素化アルキル基であり、R,Rがともにフッ素化アルキル基であるものが好ましい。
The alkyl group having 1 to 15 carbon atoms in R 2 and R 3 may be linear, branched or cyclic, but is preferably linear or branched.
Specific examples of the alkyl group include a linear alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-decyl group, and an n-pentadecyl group; an isopropyl group, Branched alkyl groups such as isobutyl group and tert-butyl group; cyclic alkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; and the like.
Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 15 carbon atoms are substituted with fluorine atoms.
In addition, it is preferable that at least one of R 2 and R 3 is a fluorinated alkyl group, and both R 2 and R 3 are fluorinated alkyl groups.

上記式(A−2)で表されるモノマーのうち好適なものとしては、下記式(A−2−1),(A−2−2)で表されるモノマーが挙げられる。   Preferable monomers among the monomers represented by the above formula (A-2) include monomers represented by the following formulas (A-2-1) and (A-2-2).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−2−1),(A−2−2)中、R01,R02,Z,mは上記式(a−1),(a−2)と同義である。また、R,Rは上記式(A−2)と同義である。
上記式(A−2−1)中、R70は炭素数1〜10のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。
70における炭素数1〜10のアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよい。R70としては、特に、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基が好ましい。
炭素数1〜10のフッ素化アルキル基としては、上記炭素数1〜10のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
In the above formulas (A-2-1) and (A-2-2), R 01 , R 02 , Z, m are synonymous with the above formulas (a-1) and (a-2). R 2 and R 3 have the same meaning as in the above formula (A-2).
In the above formula (A-2-1), R 70 is an alkylene group or from 1 to 10 carbon atoms shows a fluorinated alkylene group.
The alkylene group having 1 to 10 carbon atoms in R 70 may be linear or branched. R 70 is particularly preferably a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, or an isopropylene group.
Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms have been substituted with fluorine atoms.

上記式(A−2−2)中、R71は炭素数1〜10のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。アルキレン基又はフッ素化アルキレン基としては、上記R70と同様の基が挙げられる。このアルキル基又はフッ素化アルキル基は、エーテル結合が介在していてもよい。 In said formula (A-2-2), R71 shows a C1-C10 alkylene group or a fluorinated alkylene group. Alkylene group or a fluorinated alkylene group include the same groups as the above R 70. This alkyl group or fluorinated alkyl group may have an ether bond interposed.

上記式(A−2−2)で表されるモノマーのうち好適なものとしては、下記式(A−2−21)で表されるモノマーが挙げられる。   Among the monomers represented by the above formula (A-2-2), a monomer represented by the following formula (A-2-21) is preferable.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(A−2−21)中、R02,Z,mは上記式(a−2)と同義であり、R,Rは上記式(A−2)と同義である。
上記式(A−2−21)中、R72〜R74はそれぞれ独立に炭素数1〜6のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。R72〜R74の炭素数の合計は2〜10が好ましい。
上記式(A−2−21)中、mは0又は1であり、0であることが好ましい。
In the above formula (A-2-21), R 02 , Z, m have the same meanings as in the above formula (a-2), R 2 , R 3 are as defined in the above formula (A-2).
In the above formula (A-2-21), alkylene group or 1 to 6 carbon atoms R 72 to R 74 each independently represents a fluorinated alkylene group. The total number of carbon atoms of R 72 to R 74 is preferably 2 to 10.
In the above formula (A-2-21), m is 0 or 1, and is preferably 0.

上記式(A−2)で表されるモノマーは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   As the monomer represented by the above formula (A-2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

上記式(A−2)で表されるモノマーに由来する構成単位の割合は、アルカリ可溶性ポリマー中、30〜95モル%が好ましく、50〜90モル%がより好ましく、75〜85モル%がさらに好ましい。   The proportion of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (A-2) is preferably 30 to 95 mol%, more preferably 50 to 90 mol%, and even more preferably 75 to 85 mol% in the alkali-soluble polymer. preferable.

[その他のモノマーに由来する構成単位]
アルカリ可溶性ポリマーは、上記式(A−1),(A−2)で表されるモノマーに由来する構成単位のほかに、従来公知のアルカリ可溶性ポリマーに用いられるモノマーに由来する構成単位を、本発明の効果に影響を与えない範囲で有していてもよい。このようなその他のモノマーに由来する構成単位の割合は、アルカリ可溶性ポリマー中、30モル%以下が好ましく、20モル%以下がより好ましい。このような割合にすることで、本発明の効果を損なわず、保護膜形成用材料を所望の特性に調整することができる。
その他のモノマーとしては、例えば、下記式(A−3−1)〜(A−3−3)で表されるモノマーが挙げられる。

Figure 2011227290
[Structural units derived from other monomers]
In addition to the structural units derived from the monomers represented by the above formulas (A-1) and (A-2), the alkali-soluble polymer includes structural units derived from monomers used in conventionally known alkali-soluble polymers. You may have in the range which does not affect the effect of invention. The proportion of structural units derived from such other monomers is preferably 30 mol% or less, more preferably 20 mol% or less in the alkali-soluble polymer. By setting it as such a ratio, the material for protective film formation can be adjusted to a desired characteristic, without impairing the effect of this invention.
Examples of the other monomer include monomers represented by the following formulas (A-3-1) to (A-3-3).
Figure 2011227290

上記式(A−3−1)〜(A−3−3)中、Rは上記式(A−1)と同義であり、R80は単結合又はエステル結合を示し、R81は単結合、又は炭素数1〜6のアルキレン基若しくはフルオロアルキレン基を示し、R82は炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基又はフルオロアルキル基(ただし、アルキル基の一部がエーテル結合を介してもよく、さらにはアルキル基又はフルオロアルキル基の水素原子又はフッ素原子の一部が水酸基により置換されていてもよい。)を示す。 In the formulas (A-3-1) to (A-3-3), R 0 has the same meaning as the formula (A-1), R 80 represents a single bond or an ester bond, and R 81 represents a single bond. Or an alkylene group or a fluoroalkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and R 82 is a linear, branched, or cyclic alkyl group or fluoroalkyl group having 1 to 15 carbon atoms (provided that one alkyl group) Part may be via an ether bond, and a part of the hydrogen atom or fluorine atom of the alkyl group or fluoroalkyl group may be substituted with a hydroxyl group.

以上説明したアルカリ可溶性ポリマーは、単一のポリマーとして用いてもよく、複数のポリマーを混合して用いてもよい。また、本発明の効果を阻害しない範囲で、上記式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーと、上記式(A−1)で表されるモノマー由来する構成単位を有さないアルカリ可溶性ポリマーとを混合して用いてもよい。   The alkali-soluble polymer described above may be used as a single polymer or a mixture of a plurality of polymers. Moreover, in the range which does not inhibit the effect of this invention, it originates in the monomer represented by the alkali-soluble polymer which has a structural unit derived from the monomer represented by the said Formula (A-1), and the said Formula (A-1). You may mix and use the alkali-soluble polymer which does not have a structural unit.

このようなアルカリ可溶性ポリマーは、公知の方法によって合成することができる。また、このアルカリ可溶性ポリマーのGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は、特に限定されるものではないが、2000〜80000であることが好ましく、3000〜50000であることがより好ましく、3000〜30000であることがさらに好ましい。   Such an alkali-soluble polymer can be synthesized by a known method. Moreover, the polystyrene conversion mass average molecular weight (Mw) by GPC (gel permeation chromatography) of this alkali-soluble polymer is not particularly limited, but is preferably 2000 to 80000, and preferably 3000 to 50000. Is more preferable, and it is more preferable that it is 3000-30000.

アルカリ可溶性ポリマーの配合量は、保護膜形成用材料の全体量に対して0.1〜20質量%程度とすることが好ましく、0.3〜10質量%とすることがより好ましい。   The blending amount of the alkali-soluble polymer is preferably about 0.1 to 20% by mass, and more preferably 0.3 to 10% by mass with respect to the total amount of the protective film forming material.

<(b)溶剤>
本発明に係る保護膜形成用材料は、アルカリ可溶性ポリマーを溶解させる溶剤を含有することが好ましい。この溶剤としては、例えば(b−1)アルキルアルコール類、(b−2)水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたフッ素化アルキルアルコール類、(b−3)エーテル類、(b−4)水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたフッ素化アルキルエーテル類及びフッ素化アルキルエステル類、等が挙げられる。
<(B) Solvent>
The protective film-forming material according to the present invention preferably contains a solvent that dissolves the alkali-soluble polymer. Examples of the solvent include (b-1) alkyl alcohols, (b-2) fluorinated alkyl alcohols in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, (b-3) ethers, (b -4) Fluorinated alkyl ethers and fluorinated alkyl esters in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

上記(b−1)アルキルアルコール類としては、炭素数が1〜10であることが好ましい。具体的には、エタノール、プロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、n−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2−オクタノール等が挙げられる。中でも、イソブタノール、4−メチル−2−ペンタノールが好ましい。   The (b-1) alkyl alcohols preferably have 1 to 10 carbon atoms. Specific examples include ethanol, propanol, n-butanol, isobutanol, n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, and 2-octanol. Of these, isobutanol and 4-methyl-2-pentanol are preferable.

上記(b−2)水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されたフッ素化アルキルアルコール類としては、炭素数が4〜12であることが好ましい。具体的には、CCHCHOH、CCHOHが好ましい。 The (b-2) fluorinated alkyl alcohols in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms preferably have 4 to 12 carbon atoms. Specifically, C 4 F 9 CH 2 CH 2 OH, is C 3 F 7 CH 2 OH preferable.

上記(b−3)エーテル類としては、アルキルエーテル類、多価アルコールのモノアルキルエーテル類、エーテル結合を有するテルペン系溶剤等を用いることができる。
アルキルエーテル類は炭素数が2〜10であることが好ましく、3〜8であることがより好ましい。このようなアルキルエーテル類としては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジイソアミルエーテル等が挙げられる。中でも、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジイソアミルエーテルが好ましい。
多価アルコールのモノアルキルエーテル類としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等が挙げられる。中でも、プロピレングリコールモノブチルエーテルが好ましい。
エーテル結合を有するテルペン系溶剤としては、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ピネンオキサイド等が挙げられる。中でも、1,4−シネオール、1,8−シネオールが、工業的な入手の容易さ等から好ましい。
As the (b-3) ethers, alkyl ethers, monoalkyl ethers of polyhydric alcohols, terpene solvents having an ether bond, and the like can be used.
The alkyl ethers preferably have 2 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 8 carbon atoms. Examples of such alkyl ethers include dimethyl ether, diethyl ether, methyl ethyl ether, dipropyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, diamyl ether, diisoamyl ether and the like. Of these, diisopropyl ether, dibutyl ether, diamyl ether, and diisoamyl ether are preferable.
Examples of monoalkyl ethers of polyhydric alcohols include monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether of polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol. Of these, propylene glycol monobutyl ether is preferable.
Examples of the terpene solvent having an ether bond include 1,4-cineole, 1,8-cineole, and pinene oxide. Among these, 1,4-cineole and 1,8-cineole are preferable from the viewpoint of industrial availability.

上記(b−4)水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されたフッ素化アルキルエーテル類及びフッ素化アルキルエステル類としては、炭素数が3〜15であるものが好ましく用いられる。   As the (b-4) fluorinated alkyl ethers and fluorinated alkyl esters in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, those having 3 to 15 carbon atoms are preferably used.

上記フッ素化アルキルエーテル類は、ROR(R及びRはそれぞれ独立にアルキル基を示し、両アルキル基の炭素数の合計が3〜15であり、少なくともその水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されている。)で表されるフッ素化アルキルエーテルの中から選ばれる少なくとも1種を用いることができる。 In the fluorinated alkyl ethers, R A OR B (R A and R B each independently represents an alkyl group, the total number of carbon atoms of both alkyl groups is 3 to 15, and at least a part of the hydrogen atoms or All of them are substituted with fluorine atoms.) At least one selected from fluorinated alkyl ethers represented by the following formula can be used.

上記フッ素化アルキルエステル類は、RCOOR(R及びRはそれぞれ独立にアルキル基を示し、両アルキル基の炭素数の合計が3〜15であり、少なくともその水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されている。)で表されるフッ素化アルキルエステル類の中から選ばれる少なくとも1種を用いることができる。 In the fluorinated alkyl esters, R A COOR B (R A and R B each independently represents an alkyl group, the total number of carbon atoms of both alkyl groups is 3 to 15, and at least a part of the hydrogen atoms or All of them are substituted by fluorine atoms.) At least one selected from fluorinated alkyl esters represented by the following formula can be used.

上記フッ素化アルキルエーテルの好適例としては、下記式(B−1)で表される化合物が挙げられる。また、上記フッ素化アルキルエステルの好適例としては、下記式(B−2),(B−3)で表される化合物等が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。   Preferable examples of the fluorinated alkyl ether include compounds represented by the following formula (B-1). In addition, preferred examples of the fluorinated alkyl ester include compounds represented by the following formulas (B-2) and (B-3). However, it is not limited to these.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

これらの溶剤は、単独又は必要に応じて2種以上を組み合わせて用いることができる。さらに、本発明の効果を阻害しない範囲において、n−ヘプタン等のパラフィン系溶剤、フルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン等のフッ素系溶剤と組み合わせて用いることも可能である。   These solvents can be used alone or in combination of two or more as required. Furthermore, it can be used in combination with a paraffinic solvent such as n-heptane and a fluorine solvent such as fluoro-2-butyltetrahydrofuran as long as the effects of the present invention are not impaired.

<(c)架橋剤>
本発明に係る保護膜形成用材料は、必要に応じて、さらに架橋剤を含有していてもよい。この架橋剤としては、水素原子がヒドロキシアルキル基及びアルコキシアルキル基の中から選ばれる少なくとも1種の置換基で置換されたアミノ基を有する含窒素化合物、及び水素原子がヒドロキシアルキル基及びアルコキシアルキル基の中から選ばれる少なくとも1種の置換基で置換されたイミノ基を有する含窒素化合物、の中から選ばれる少なくとも1種の含窒素化合物を用いることができる。
<(C) Crosslinking agent>
The material for forming a protective film according to the present invention may further contain a crosslinking agent as necessary. Examples of the crosslinking agent include a nitrogen-containing compound having an amino group in which a hydrogen atom is substituted with at least one substituent selected from a hydroxyalkyl group and an alkoxyalkyl group, and a hydrogen atom having a hydroxyalkyl group and an alkoxyalkyl group. At least one nitrogen-containing compound selected from among nitrogen-containing compounds having an imino group substituted with at least one substituent selected from among them can be used.

これら含窒素化合物としては、例えばアミノ基の水素原子がメチロール基及び/又はアルコシキメチル基で置換された、メラミン系誘導体、尿素系誘導体、グアナミン系誘導体、アセトグアナミン系誘導体、ベンゾグアナミン系誘導体、スクシニルアミド系誘導体や、イミノ基の水素原子が置換されたグリコールウリル系誘導体、エチレン尿素系誘導体等が挙げられる。   Examples of these nitrogen-containing compounds include melamine derivatives, urea derivatives, guanamine derivatives, acetoguanamine derivatives, benzoguanamine derivatives, succinyl, in which a hydrogen atom of an amino group is substituted with a methylol group and / or alkoxymethyl group. Examples thereof include amide derivatives, glycoluril derivatives in which a hydrogen atom of an imino group is substituted, and ethylene urea derivatives.

これらの含窒素化合物は、例えば、上述の含窒素化合物を沸騰水中においてホルマリンと反応させてメチロール化することにより、或いはこれにさらに低級アルコール、具体的にはメタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール等を反応させてアルコキシル化することにより得られる。中でも好適な架橋剤は、テトラブトキシメチル化グリコールウリルである。   These nitrogen-containing compounds are obtained by, for example, reacting the above-mentioned nitrogen-containing compounds with formalin in boiling water to form methylol, or further to this, lower alcohols, specifically methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, It can be obtained by reacting n-butanol, isobutanol or the like to be alkoxylated. Among them, a preferable crosslinking agent is tetrabutoxymethylated glycoluril.

さらに、架橋剤として、水酸基及びアルコキシ基の中から選ばれる少なくとも1種の置換基で置換された炭化水素化合物と、モノヒドロキシモノカルボン酸化合物と、の縮合反応物も好適に用いることができる。上記モノヒドロキシモノカルボン酸としては、水酸基とカルボキシル基とが、同一の炭素原子、又は隣接する2つの炭素原子のそれぞれに結合しているものが好ましい。   Furthermore, as a crosslinking agent, a condensation reaction product of a hydrocarbon compound substituted with at least one substituent selected from a hydroxyl group and an alkoxy group and a monohydroxymonocarboxylic acid compound can also be suitably used. As the monohydroxymonocarboxylic acid, those in which a hydroxyl group and a carboxyl group are bonded to the same carbon atom or two adjacent carbon atoms are preferable.

架橋剤を配合する場合、その配合量は、アルカリ可溶性ポリマーの配合量に対して0.5〜10質量%程度とすることが好ましい。   When the crosslinking agent is blended, the blending amount is preferably about 0.5 to 10% by mass with respect to the blending amount of the alkali-soluble polymer.

<(d)酸性化合物>
本発明に係る保護膜形成用材料は、必要に応じて、さらに酸性化合物を配合していてもよい。この酸性化合物を添加することにより、レジストパターンの形状改善の効果が得られ、さらには液浸露光を行った後、現像する前にレジスト膜が微量のアミンを含有する雰囲気中に曝された場合であっても(露光後の引き置き)、保護膜の介在によってアミンによる悪影響を効果的に抑制することができる。これにより、その後の現像によって得られるレジストパターンの寸法に大きな狂いを生じることを未然に防止することができる。
<(D) acidic compound>
The protective film-forming material according to the present invention may further contain an acidic compound as necessary. When this acidic compound is added, the effect of improving the shape of the resist pattern can be obtained. Further, after immersion exposure, the resist film is exposed to an atmosphere containing a small amount of amine before development. Even in this case (reservation after exposure), adverse effects due to amines can be effectively suppressed by the interposition of the protective film. As a result, it is possible to prevent a large deviation in the dimensions of the resist pattern obtained by subsequent development.

このような酸性化合物としては、例えば下記式(D−1),(D−2),(D−3),(D−4)の中から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。   Examples of such an acidic compound include at least one selected from the following formulas (D-1), (D-2), (D-3), and (D-4).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(D−1),(D−2),(D−3),(D−4)中、sは1〜5の整数を示し、tは10〜15の整数を示し、uは2又は3を示し、vはそれぞれ独立に2又は3を示し、Rd1はそれぞれ独立に炭素数1〜15のアルキル基又はフッ素化アルキル基(水素原子又はフッ素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、又はアミノ基により置換されていてもよい。)を示す。 In the above formulas (D-1), (D-2), (D-3), and (D-4), s represents an integer of 1 to 5, t represents an integer of 10 to 15, and u represents 2 Or v is independently 2 or 3, and R d1 is independently an alkyl group or fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms (a hydrogen atom or a part of the fluorine atom is a hydroxyl group, an alkoxy group, Which may be substituted by a carboxyl group or an amino group).

このような酸性化合物は、いずれも重要新規利用規則(SNUR)の対象となっておらず、人体に対する悪影響がないとされている。   None of these acidic compounds are subject to the Important New Use Rules (SNUR) and have no adverse effects on the human body.

上記式(D−1)で表される酸性化合物としては、具体的には、(CSONH、(CSONH等が好ましく、上記式(D−2)で表される酸性化合物としては、具体的には、C1021COOH等が好ましい。 Specifically, as the acidic compound represented by the above formula (D-1), (C 4 F 9 SO 2 ) 2 NH, (C 3 F 7 SO 2 ) 2 NH, and the like are preferable. As the acidic compound represented by -2), specifically, C 10 F 21 COOH and the like are preferable.

また、上記式(D−3),(D−4)で表される酸性化合物としては、具体的には、それぞれ下記式(D−5),(D−6)で表される化合物が好ましい。   As the acidic compounds represented by the above formulas (D-3) and (D-4), specifically, compounds represented by the following formulas (D-5) and (D-6) are preferable, respectively. .

Figure 2011227290
Figure 2011227290

酸性化合物を配合する場合、その配合量は、保護膜形成用材料の全体量に対して0.1〜10質量%程度とすることが好ましく、0.1〜3.0質量%程度とすることがより好ましい。   When the acidic compound is blended, the blending amount is preferably about 0.1 to 10% by mass, and preferably about 0.1 to 3.0% by mass with respect to the total amount of the protective film forming material. Is more preferable.

<(e)酸の存在下で酸を発生する酸発生補助剤>
本発明に係る保護膜形成用材料は、必要に応じて、さらに酸発生補助剤を配合してもよい。この酸発生補助剤とは、単独で酸を発生する機能はないものの、酸の存在化で酸を発生させるものをいう。これにより、レジスト膜中の酸発生剤から発生した酸が保護膜に拡散した場合であっても、この酸により保護膜中の酸発生補助剤から発生した酸が、レジスト膜中の酸の不足分を補填し、レジストパターンの解像性の劣化や、焦点深度幅の低下を抑制することが可能となり、より微細なレジストパターン形成が可能となる。
<(E) Acid generation auxiliary agent that generates acid in the presence of acid>
The protective film-forming material according to the present invention may further contain an acid generation auxiliary as required. The acid generation auxiliary agent is an agent that does not have a function of generating an acid alone but generates an acid by the presence of the acid. As a result, even if the acid generated from the acid generator in the resist film diffuses into the protective film, the acid generated from the acid generating auxiliary agent in the protective film due to this acid may cause a shortage of acid in the resist film. Therefore, it is possible to compensate for the deterioration of the resolution of the resist pattern and the reduction of the depth of focus range, and it is possible to form a finer resist pattern.

このような酸発生補助剤は、分子内にカルボニル基及びスルフォニル基を共に有する脂環式炭化水素化合物であることが好ましい。   Such an acid generation aid is preferably an alicyclic hydrocarbon compound having both a carbonyl group and a sulfonyl group in the molecule.

このような酸発生補助剤は、具体的には、下記式(E−1),(E−2)で表される化合物の中から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。   Specifically, such an acid generation auxiliary agent is preferably at least one selected from compounds represented by the following formulas (E-1) and (E-2).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

上記式(E−1),(E−2)中、Re1,Re2,Re3,Re4は、それぞれ独立して水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖若しくは分枝鎖状のアルキル基を示し、Xはスルフォニル基を有する求電子基を示す。 In the above formulas (E-1) and (E-2), R e1 , R e2 , R e3 , and R e4 are each independently a hydrogen atom, or a straight or branched chain having 1 to 10 carbon atoms. X represents an alkyl group, and X represents an electrophilic group having a sulfonyl group.

ここで、「炭素数1〜10の直鎖状又は分枝状のアルキル基」としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、アミル基、イソアミル基、tert−アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、2−エチルヘキシル基、tert−オクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基等の直鎖又は分岐鎖状の飽和炭化水素基が挙げられる。   Here, examples of the “linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms” include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert. -Butyl group, amyl group, isoamyl group, tert-amyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group, tert-octyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, etc. A linear or branched saturated hydrocarbon group may be mentioned.

また、Xは、「スルフォニル基を有する求電子基」である。ここで、「スルフォニル基を有する求電子基」は、−O−SO−Yであることが好ましい。Yは、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基である。中でも、Yがフルオロアルキル基であることが好ましい。 X is “electrophilic group having a sulfonyl group”. Here, the “electrophilic group having a sulfonyl group” is preferably —O—SO 2 —Y. Y is a C1-C5 alkyl group or a C1-C10 halogenated alkyl group. Of these, Y is preferably a fluoroalkyl group.

上記式(E−1),(E−2)で表される化合物としては、具体的には、下記式(E−3)〜(E−10)で表される化合物が挙げられる。   Specific examples of the compounds represented by the above formulas (E-1) and (E-2) include compounds represented by the following formulas (E-3) to (E-10).

Figure 2011227290
Figure 2011227290

酸発生補助剤を配合する場合、その配合量は、アルカリ可溶性ポリマー100質量部に対し、0.1〜50質量部とすることが好ましく、1〜20質量部とすることがより好ましい。このような範囲とすることにより、塗布むらを発生することなく、レジスト膜から溶出した酸に対して効果的に酸を発生させ、レジストパターン形状を改善することが可能となる。   When mix | blending an acid generation adjuvant, it is preferable that the compounding quantity shall be 0.1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of alkali-soluble polymers, and it is more preferable to set it as 1-20 mass parts. By setting it as such a range, it becomes possible to generate an acid effectively with respect to the acid eluted from a resist film, and to improve a resist pattern shape, without generating a coating nonuniformity.

<(f)その他>
本発明に係る保護膜形成用材料は、必要に応じて、さらに界面活性剤を配合してもよい。この界面活性剤としては、「XR−104」(商品名:大日本インキ化学工業社製)等が挙げられるが、これに限定されるものでない。このような界面活性剤を配合することにより、塗膜性や溶出物の抑制能をより一層向上させることができる。
<(F) Other>
The protective film-forming material according to the present invention may further contain a surfactant as necessary. Examples of the surfactant include “XR-104” (trade name: manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), but are not limited thereto. By blending such a surfactant, the coating properties and the ability to suppress the eluate can be further improved.

界面活性剤を配合する場合、その配合量は、アルカリ可溶性ポリマー100質量部に対して0.001質量部から10質量部とすることが好ましい。   When the surfactant is blended, the blending amount is preferably 0.001 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble polymer.

(保護膜の水に対する接触角)
本発明に係る保護膜形成用材料を用いて得られる保護膜の撥水性は、水に対する接触角、例えば静的接触角(水平状態のレジスト膜上の水滴表面とレジスト膜表面とのなす角度)、動的接触角(レジスト膜を傾斜させていった際に水滴が転落し始めたときの接触角。水滴の転落方向前方の端点における接触角(前進角)、転落方向後方の端点における接触角(後退角)とがある。)、転落角(レジスト膜を傾斜させていった際に水滴が転落し始めたときのレジスト膜の傾斜角度)、動的後退接触角(レジスト膜を水平に等速移動した際の、水滴の移動方向後方の端点における接触角)等を測定することにより評価できる。例えば保護膜の撥水性が高いほど、静的接触角、前進角、後退角、及び動的後退接触角は大きくなり、一方、転落角は小さくなる。
(Contact angle of protective film against water)
The water repellency of the protective film obtained using the material for forming a protective film according to the present invention is a contact angle with water, for example, a static contact angle (an angle formed between a water droplet surface on a horizontal resist film and the resist film surface). , Dynamic contact angle (Contact angle when water drops start to fall when the resist film is tilted. Contact angle (advance angle) at the front end point of the water drop direction, Contact angle at the end point behind the drop direction) (Fallback angle)), fall angle (inclination angle of the resist film when the water droplet starts to fall when the resist film is tilted), dynamic receding contact angle (resist film horizontally, etc.) It can be evaluated by measuring the contact angle at the end point behind the direction of movement of the water droplet when moving fast. For example, the higher the water repellency of the protective film, the larger the static contact angle, advancing angle, receding angle, and dynamic receding contact angle, while the falling angle becomes smaller.

動的接触角及び静的接触角は、所望の条件で形成した保護膜に対して、DROP MASTER−700(製品名、協和界面科学社製)、AUTO SLIDING ANGLE:SA−30DM(製品名、協和界面科学社製)、AUTO DISPENSER:AD−31(製品名、協和界面科学社製)等の市販の測定装置を用いることにより測定することができる。また、動的後退接触角は動的後退接触角測定器を用いることにより測定することができる。   The dynamic contact angle and the static contact angle are DROP MASTER-700 (product name, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.), AUTO SLIDING ANGLE: SA-30DM (product name, Kyowa) for the protective film formed under desired conditions. It can be measured by using a commercially available measuring apparatus such as Interface Science Co., Ltd., AUTO DISPENSER: AD-31 (product name, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). The dynamic receding contact angle can be measured by using a dynamic receding contact angle measuring device.

露光及び現像を行う前の保護膜の前進角の測定値は、100度以下であることが好ましく、70〜100度であることがより好ましく、80〜95度であることがさらに好ましい。前進角が100度以下であると、露光時に高速でスキャンを行った際に生じ、現像後のレジストパターンのディフェクトの要因となるバブルの巻き込みを抑制することができ、リソグラフィー特性等が良好である。   The measured value of the advance angle of the protective film before the exposure and development is preferably 100 degrees or less, more preferably 70 to 100 degrees, and further preferably 80 to 95 degrees. When the advancing angle is 100 degrees or less, it is possible to suppress bubble entrainment that occurs when scanning is performed at high speed during exposure and causes defects in the resist pattern after development, and lithography characteristics and the like are good. .

露光及び現像を行う前の保護膜の表面の後退角の測定値は60度以上であることが好ましく、60〜150度であることがより好ましく、70〜130度であることがさらに好ましく、70〜100度であることが特に好ましい。後退角が下限値以上であると、液浸露光用液体のレンズ追随性が向上し、露光時に高速でスキャンを行っても液浸露光用液体の基板上の液滴の残留等が低減されるとともに、液浸露光時の物質溶出抑制効果が向上する。また、後退角が上限値以下であると、リソグラフィー特性が良好である。   The measured value of the receding angle of the surface of the protective film before exposure and development is preferably 60 degrees or more, more preferably 60 to 150 degrees, still more preferably 70 to 130 degrees, 70 It is particularly preferable that the angle is -100 degrees. If the receding angle is equal to or greater than the lower limit, the lens followability of the liquid for immersion exposure is improved, and residual liquid droplets on the substrate for liquid immersion exposure liquid are reduced even when scanning is performed at high speed during exposure. In addition, the substance elution suppression effect at the time of immersion exposure is improved. Further, when the receding angle is not more than the upper limit value, the lithography characteristics are good.

露光及び現像を行う前の保護膜の転落角の測定値は、30度以下であることが好ましく、0.1〜30度であることがより好ましく、0.1〜20度であることがさらに好ましく、0.1〜10度であることが特に好ましい。転落角が上限値以下であると、液浸露光時の物質溶出抑制効果が向上する。また、転落角が下限値以上であると、リソグラフィー特性等が良好である。   The measured value of the falling angle of the protective film before exposure and development is preferably 30 degrees or less, more preferably 0.1 to 30 degrees, and further preferably 0.1 to 20 degrees. Preferably, it is 0.1 to 10 degrees. When the falling angle is less than or equal to the upper limit value, the substance elution suppression effect during immersion exposure is improved. Further, when the sliding angle is at least the lower limit value, the lithography properties and the like are good.

露光及び現像を行う前の保護膜の静的接触角の測定値は70度以上であることが好ましく、70〜100度であることがより好ましく、75〜100度であることがさらに好ましい。静的接触角が70度以上であると、液浸露光時の保護膜からの物質溶出抑制効果が向上する。   The measured value of the static contact angle of the protective film before exposure and development is preferably 70 degrees or more, more preferably 70 to 100 degrees, and further preferably 75 to 100 degrees. When the static contact angle is 70 degrees or more, the substance elution suppression effect from the protective film during immersion exposure is improved.

露光及び現像を行う前の保護膜の動的後退接触角の測定値は、60度以上であることが好ましく、60〜90度であることがより好ましく、65〜90度であることが特に好ましい。動的後退接触角が60度以上であると、リソグラフィー特性が良好である。   The measured value of the dynamic receding contact angle of the protective film before exposure and development is preferably 60 degrees or more, more preferably 60 to 90 degrees, and particularly preferably 65 to 90 degrees. . When the dynamic receding contact angle is 60 degrees or more, the lithography characteristics are good.

上述の各種角度(静的接触角、動的接触角(前進角、後退角)、転落角、動的後退接触角)の大きさは、保護膜形成用材料の組成、例えばアルカリ可溶性ポリマーにおける上記式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位の種類や含有量、式(A−1)で表されるモノマーと共重合させるモノマーの種類や含有量等を調整することにより調整できる。   The above-mentioned various angles (static contact angle, dynamic contact angle (advance angle, receding angle), drop angle, dynamic receding contact angle) are determined according to the composition of the protective film forming material, for example, the alkali-soluble polymer. Adjustment by adjusting the type and content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (A-1), the type and content of the monomer to be copolymerized with the monomer represented by the formula (A-1) it can.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明に係るレジストパターン形成方法は、基板上にレジスト膜を設ける工程と、このレジスト膜上に本発明に係る保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成する工程と、基板の少なくとも保護膜上に液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体及び保護膜を介して、レジスト膜を選択的に露光する工程と、現像液により上記保護膜を除去して、露光後のレジスト膜を現像する現像工程と、を有する。
≪Resist pattern formation method≫
The resist pattern forming method according to the present invention includes a step of providing a resist film on a substrate, a step of forming a protective film on the resist film using the protective film forming material according to the present invention, and at least a protective film of the substrate A liquid for immersion exposure is disposed on the resist film, a step of selectively exposing the resist film via the liquid for immersion exposure and the protective film, and a resist after the exposure by removing the protective film with a developer. A developing step for developing the film.

まず、基板上にレジスト膜を設ける。具体的には、シリコンウェーハ等の基板に、公知のレジスト組成物を、スピンナー等の公知の方法を用いて塗布した後、プレベーク(PAB処理)を行ってレジスト膜を形成する。なお、基板上に有機系又は無機系の反射防止膜(下層反射防止膜)を設けてからレジスト膜を形成してもよい。   First, a resist film is provided on the substrate. Specifically, a known resist composition is applied to a substrate such as a silicon wafer by using a known method such as a spinner, and then prebaked (PAB treatment) to form a resist film. Note that the resist film may be formed after an organic or inorganic antireflection film (lower antireflection film) is provided on the substrate.

レジスト組成物は、特に限定されるものでなく、ネガ型及びポジ型レジスト組成物を含めて、アルカリ水溶液で現像可能なレジスト組成物を任意に使用できる。
このようなレジスト組成物としては、(i)ナフトキノンジアジド化合物及びノボラック樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、(ii)露光により酸を発生する酸発生剤、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物、及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、(iii)露光により酸を発生する酸発生剤、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、並びに(iv)露光により酸を発生する酸発生剤、架橋剤、及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レジスト組成物、等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
The resist composition is not particularly limited, and any resist composition that can be developed with an alkaline aqueous solution, including negative and positive resist compositions, can be used.
As such a resist composition, (i) a positive resist composition containing a naphthoquinone diazide compound and a novolac resin, (ii) an acid generator that generates an acid upon exposure, and a solubility in an alkaline aqueous solution that is decomposed by an acid. A positive resist composition containing an increasing compound and an alkali-soluble resin; (iii) an acid generator that generates an acid upon exposure; and an alkali-soluble resin having a group that decomposes by acid and increases solubility in an aqueous alkali solution And (iv) a negative resist composition containing an acid generator that generates an acid upon exposure, a crosslinking agent, and an alkali-soluble resin. However, the present invention is not limited to these. Absent.

次に、レジスト膜上に本発明に係る保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成する。具体的には、レジスト膜の表面に、本発明に係る保護膜形成用材料を上述と同様の方法で均一に塗布し、ベークして硬化させることにより保護膜を形成する。   Next, a protective film is formed on the resist film using the protective film forming material according to the present invention. Specifically, the protective film is formed by uniformly applying the protective film-forming material according to the present invention to the surface of the resist film by the same method as described above, and baking and curing.

次に、基板の少なくとも保護膜上に液浸露光用液体を配置する。液浸露光用液体は、空気の屈折率よりも大きく、かつ、使用されるレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する液体であれば、特に限定されるものでない。このような液浸露光用液体としては、水(純水、脱イオン水)、フッ素系不活性液体等が挙げられるが、近い将来に開発が見込まれる高屈折率特性を有する液浸露光用液体も使用可能である。フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体が挙げられる。これらのうち、コスト、安全性、環境問題、及び汎用性の観点からは、水(純水、脱イオン水)を用いることが好ましいが、157nmの波長の露光光(例えばFエキシマレーザー等)を用いる場合は、露光光の吸収が少ないという観点から、フッ素系溶剤を用いることが好ましい。 Next, an immersion exposure liquid is disposed on at least the protective film of the substrate. The immersion exposure liquid is not particularly limited as long as it is a liquid having a refractive index larger than that of air and smaller than that of a resist film to be used. Examples of such immersion exposure liquids include water (pure water, deionized water), fluorine-based inert liquids, etc., but immersion exposure liquids having high refractive index characteristics that are expected to be developed in the near future. Can also be used. Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Liquid. Among these, from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, and versatility, it is preferable to use water (pure water, deionized water), but exposure light having a wavelength of 157 nm (eg, F 2 excimer laser). When using, it is preferable to use a fluorine-based solvent from the viewpoint of low exposure light absorption.

次に、液浸露光用液体及び保護膜を介して、レジスト膜を選択的に露光する。このとき、レジスト膜は、保護膜によって液浸露光用液体から遮断されているため、液浸露光用液体の侵襲を受けて膨潤等の変質を被ることや、逆に液浸露光用液体中に成分を溶出させて液浸露光用液体自体の屈折率等の光学的特性が変化してしまうことが防止される。   Next, the resist film is selectively exposed through the immersion exposure liquid and the protective film. At this time, since the resist film is shielded from the immersion exposure liquid by the protective film, the resist film may be affected by the invasion of the immersion exposure liquid and suffer from alteration such as swelling, or conversely in the immersion exposure liquid. It is prevented that the optical characteristics such as the refractive index of the immersion exposure liquid itself are changed by elution of the components.

露光に用いる波長は、特に限定されるものではなく、レジスト膜の特性によって適宜選択される。例えば、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、極紫外線(EUV)、真空紫外線(VUV)、電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。 The wavelength used for exposure is not particularly limited, and is appropriately selected depending on the characteristics of the resist film. For example, it can be performed using radiation such as ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, extreme ultraviolet (EUV), vacuum ultraviolet (VUV), electron beam, X-ray, soft X-ray.

なお、保護膜上への液浸露光用液体の配置とレジスト膜の露光とは、同時に行うことが好ましい。すなわち、露光用レンズを高速でスキャニング移動させながら、液浸露光用液体を一方のノズルから保護膜上に連続滴下すると同時に他方のノズルから吸引して露光することが好ましい。   In addition, it is preferable that the placement of the immersion exposure liquid on the protective film and the exposure of the resist film be performed simultaneously. That is, it is preferable that the exposure exposure liquid is continuously dropped from one nozzle onto the protective film while the exposure lens is scanned at a high speed, and at the same time, the exposure is preferably performed by suction from the other nozzle.

液浸状態での露光が完了したら、レジスト膜上に保護膜を積層したまま、レジスト膜に対してポストベーク(PEB処理)を行うことが好ましい。   When the exposure in the immersion state is completed, it is preferable to perform post-baking (PEB treatment) on the resist film while the protective film is stacked on the resist film.

次に、アルカリ現像液により保護膜を除去して、露光後のレジスト膜を現像する。アルカリ現像液は公知の現像液を適宜選択して用いることができる。このアルカリ現像処理により、保護膜はレジスト膜の可溶部分と同時に溶解除去される。   Next, the protective film is removed with an alkali developer, and the exposed resist film is developed. As the alkaline developer, a known developer can be appropriately selected and used. By this alkali development treatment, the protective film is dissolved and removed simultaneously with the soluble portion of the resist film.

最後に、純水等を用いてリンスを行う。このリンスは、例えば、基板を回転させながら基板表面に水を滴下又は噴霧して、基板上の現像液、及びこの現像液によって溶解した保護膜成分とレジスト組成物とを洗い流す。そして、乾燥を行うことにより、レジスト膜がマスクパターンに応じた形状にパターニングされた、レジストパターンが得られる。   Finally, rinsing is performed using pure water or the like. In this rinsing, for example, water is dropped or sprayed on the surface of the substrate while rotating the substrate to wash away the developer on the substrate and the protective film component and resist composition dissolved by the developer. And by drying, the resist pattern by which the resist film was patterned in the shape according to the mask pattern is obtained.

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these Examples.

<実施例1>
溶剤としてプロピレングリコールモノブチルエーテルを用いて、下記式(X−1)で表されるアルカリ可溶性ポリマー(質量平均分子量:8900、分散度:1.8)の含有量が1.6質量%、下記式(Y−1)で表される酸性化合物(株式会社ジェムコ製、EF−N301)の含有量が0.5質量%となるようにそれぞれ溶解させて、保護膜形成用材料を調製した。
<Example 1>
Using propylene glycol monobutyl ether as a solvent, the content of an alkali-soluble polymer (mass average molecular weight: 8900, dispersity: 1.8) represented by the following formula (X-1) is 1.6% by mass, The material for forming a protective film was prepared by dissolving each so that the content of the acidic compound represented by (Y-1) (GEM Co., Ltd., EF-N301) was 0.5% by mass.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

Figure 2011227290
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次に、有機系反射防止膜組成物「ARC−95」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて300mmシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚90nmの有機系反射防止膜を形成した。該反射防止膜上に、アクリル系樹脂を含有するレジスト組成物であるTArF−6a−554(東京応化工業社製)を塗布し、110℃にて60秒間加熱し、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。   Next, an organic antireflection film composition “ARC-95” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) was applied onto a 300 mm silicon wafer using a spinner and baked on a hot plate at 205 ° C. for 60 seconds. By drying, an organic antireflection film having a thickness of 90 nm was formed. A TArF-6a-554 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), which is a resist composition containing an acrylic resin, is applied on the antireflection film and heated at 110 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 100 nm. Formed.

上記レジスト膜上に、上記で調製した保護膜形成用材料を、スピンナーを用いて塗布した後に、90℃で60秒間加熱し、膜厚35nmの保護膜を形成した。   On the resist film, the material for forming a protective film prepared above was applied using a spinner, and then heated at 90 ° C. for 60 seconds to form a protective film having a thickness of 35 nm.

上記保護膜表面上に水50μLを滴下し、協和界面科学株式会社製DROP MASTER−700を用いて、静的接触角、転落角、前進角、及び後退角を測定し、下記評価基準により評価した。
静的接触角:○(70.0度以上)、×(70.0度未満)
転落角:◎(10.0度未満)、○(10.0度以上30.0度以下)、×(30.0度超)
前進角:○(100.0度以下)、×(100.0度超)
後退角:○(60.0度以上)、×(60.0度未満)
また、上記保護膜表面上に水50μLを盛り、上記保護膜が形成されたシリコンウェーハを水平に等速移動させ、動的後退接触角測定器を用いて動的後退接触角を測定し、下記評価基準により評価した。
動的後退接触角:◎(65.0度以上)、○(60.0度以上65.0度未満)、×(60.0度未満)
なお、本実施例においては、静的接触角、転落角、前進角、後退角、及び動的後退接触角をまとめて接触角等ということがある。
50 μL of water was dropped on the surface of the protective film, and the static contact angle, the falling angle, the advancing angle, and the receding angle were measured using DROP MASTER-700 manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., and evaluated according to the following evaluation criteria. .
Static contact angle: ○ (70.0 degrees or more), × (less than 70.0 degrees)
Tumble angle: ◎ (less than 10.0 degrees), ◯ (10.0 degrees or more and 30.0 degrees or less), x (more than 30.0 degrees)
Advance angle: ○ (100.0 degrees or less), × (over 100.0 degrees)
Receding angle: ○ (60.0 degrees or more), × (less than 60.0 degrees)
Further, 50 μL of water is placed on the surface of the protective film, the silicon wafer on which the protective film is formed is moved horizontally at a constant speed, and the dynamic receding contact angle is measured using a dynamic receding contact angle measuring instrument. Evaluation was based on the evaluation criteria.
Dynamic receding contact angle: ◎ (65.0 degrees or more), ○ (60.0 degrees or more and less than 65.0 degrees), × (less than 60.0 degrees)
In this embodiment, the static contact angle, the falling angle, the advancing angle, the receding angle, and the dynamic receding contact angle may be collectively referred to as a contact angle.

また、参考例として、上記保護膜を設けない状態のレジスト積層体表面、つまりレジスト膜表面の接触角等を、上記と同様にして測定した。   As a reference example, the surface of the resist laminate without the protective film, that is, the contact angle of the resist film surface was measured in the same manner as described above.

さらに、保護膜を有する基板を2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に60秒間接触させ、アルカリ現像液に対する溶解性を評価した。評価はアルカリ現像液接触による保護膜溶解速度を測定することにより、下記評価基準により行った。
保護膜溶解速度:◎(20.0mm/秒以上)、○(1.0mm/秒以上20.0mm/秒未満)、×(1.0mm/秒未満)
接触角等及び保護膜溶解速度の評価結果及び測定値を表1に示す。
Furthermore, the substrate having a protective film was brought into contact with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, and the solubility in an alkali developer was evaluated. The evaluation was performed according to the following evaluation criteria by measuring the dissolution rate of the protective film by contact with an alkali developer.
Protective film dissolution rate: ◎ (20.0 mm / second or more), ○ (1.0 mm / second or more and less than 20.0 mm / second), × (less than 1.0 mm / second)
Table 1 shows the evaluation results and measured values of the contact angle and the protective film dissolution rate.

<実施例2>
上記式(X−1)で表されるアルカリ可溶性ポリマーを下記式(X−2)で表されるアルカリ可溶性ポリマー(質量平均分子量:12600、分散度:2.0)に変更したほかは実施例1と同様にして、保護膜形成用材料を調製した。さらに、実施例1と同様に接触角等及び保護膜溶解速度を測定し、評価した。結果を表1に示す。
<Example 2>
Example except that the alkali-soluble polymer represented by the above formula (X-1) was changed to an alkali-soluble polymer represented by the following formula (X-2) (mass average molecular weight: 12600, dispersity: 2.0) In the same manner as in No. 1, a protective film forming material was prepared. Furthermore, the contact angle and the protective film dissolution rate were measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

<比較例1>
上記式(X−1)で表されるアルカリ可溶性ポリマーを下記式(X−3)で表されるアルカリ可溶性ポリマー(質量平均分子量:14900、分散度:1.7)に変更したほかは実施例1と同様にして、保護膜形成用材料を調製した。さらに、実施例1と同様に接触角等及び保護膜溶解速度を測定し、評価した。結果を表1に示す。
<Comparative Example 1>
Example except that the alkali-soluble polymer represented by the above formula (X-1) was changed to an alkali-soluble polymer represented by the following formula (X-3) (mass average molecular weight: 14900, dispersity: 1.7) In the same manner as in No. 1, a protective film forming material was prepared. Furthermore, the contact angle and the protective film dissolution rate were measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

<比較例2>
上記式(X−1)で表されるアルカリ可溶性ポリマーを下記式(X−4)で表されるアルカリ可溶性ポリマー(質量平均分子量:8200、分散度:1.6)に変更したほかは実施例1と同様にして、保護膜形成用材料を調製した。さらに、実施例1と同様に接触角等及び保護膜溶解速度を測定し、評価した。結果を表1に示す。
<Comparative example 2>
Example except that the alkali-soluble polymer represented by the above formula (X-1) was changed to an alkali-soluble polymer represented by the following formula (X-4) (mass average molecular weight: 8200, dispersity: 1.6) In the same manner as in No. 1, a protective film forming material was prepared. Furthermore, the contact angle and the protective film dissolution rate were measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2011227290
<実施例3>
溶剤としてジイソアミルエーテルを用いて、下記式(X−5)で表されるアルカリ可溶性ポリマー(質量平均分子量:4600、分散度:1.4)の含有量が2.4質量%、上記式(Y−1)で表される酸性化合物(株式会社ジェムコ製、EF−N301)の含有量が0.7質量%となるようにそれぞれ溶解させて、保護膜形成用材料を調製した。さらに、実施例1と同様に接触角等及び保護膜溶解速度を測定し、評価した。結果を表1に示す。
Figure 2011227290
<Example 3>
Using diisoamyl ether as a solvent, the content of an alkali-soluble polymer (mass average molecular weight: 4600, dispersity: 1.4) represented by the following formula (X-5) is 2.4% by mass, and the above formula ( Y-1) was dissolved so that the content of the acidic compound represented by Y-1) (manufactured by Gemco Co., Ltd., EF-N301) was 0.7% by mass to prepare a protective film forming material. Furthermore, the contact angle and the protective film dissolution rate were measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2011227290
Figure 2011227290

Figure 2011227290
Figure 2011227290

表1から分かるように、式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位を有さないアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いた比較例1は、動的後退接触角が良好である一方、保護膜溶解速度が不良であった。また、比較例1における保護膜溶解速度を向上させるために、アルカリ可溶性ポリマー中のアルカリ易溶性モノマーの構成比を上げた比較例2は、保護膜溶解速度が良好である一方、動的接触後退角が不良であった。このことから、動的後退接触角及び保護膜溶解速度をいずれも良好に保つことは困難であることが理解される。
これに対して、式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いた実施例1〜3は、比較例1,2と比べて、動的後退接触角及び保護膜溶解速度がいずれも良好であった。特に、式(A−1)中、Rが式(a−2)で表される基であるモノマーに由来する構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いた実施例3は、保護膜溶解速度が非常に良好であった。
As can be seen from Table 1, Comparative Example 1 using a protective film-forming material containing an alkali-soluble polymer having no structural unit derived from the monomer represented by the formula (A-1) is a dynamic receding contact. While the corner was good, the protective film dissolution rate was poor. In addition, in order to improve the dissolution rate of the protective film in Comparative Example 1, Comparative Example 2 in which the constituent ratio of the alkali-soluble monomer in the alkali-soluble polymer was increased was good in the protective film dissolution rate, while the dynamic contact retreat The corner was bad. From this, it is understood that it is difficult to keep both the dynamic receding contact angle and the protective film dissolution rate good.
On the other hand, Examples 1-3 using the protective film-forming material containing an alkali-soluble polymer having a structural unit derived from the monomer represented by the formula (A-1) are Comparative Examples 1, 2 and In comparison, the dynamic receding contact angle and the protective film dissolution rate were both good. In particular, an example using a protective film-forming material containing an alkali-soluble polymer having a structural unit derived from a monomer in which R 0 is a group represented by formula (a-2) in formula (A-1) No. 3 had a very good dissolution rate of the protective film.

Claims (6)

レジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成用材料であって、
下記式(A−1)で表されるモノマーに由来する構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料。
Figure 2011227290
[式中、Rは下記式(a−1)又は式(a−2)で表される基を示し、Qはフッ素原子を有していてもよい2価の連結基を示し、Rはフッ素原子を有していてもよい有機基を示し、nは0又は1を示す。
Figure 2011227290
(式中、R01は水素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を示し、R02は水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を示し、Zは炭素数1若しくは2のアルキレン基又は酸素原子を示し、mは0〜3の整数を示す。)]
A protective film forming material for forming a protective film laminated on a resist film,
The protective film formation material containing the alkali-soluble polymer which has a structural unit derived from the monomer represented by a following formula (A-1).
Figure 2011227290
[Wherein, R 0 represents a group represented by the following formula (a-1) or (a-2), Q 0 represents a divalent linking group optionally having a fluorine atom, and R 1 represents an organic group which may have a fluorine atom, and n represents 0 or 1.
Figure 2011227290
(In the formula, R 01 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group, R 02 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogenated alkyl group, Z represents an alkylene group having 1 or 2 carbon atoms or an oxygen atom, and m represents an integer of 0 to 3)]
前記式(A−1)で表されるモノマーが、下記式(A−1−1)又は式(A−1−2)で表されるモノマーである請求項1記載の保護膜形成用材料。
Figure 2011227290
[式中、Rは前記式(A−1)と同義であり、Q01はフッ素原子を有さない2価の連結基を示し、R11はフッ素原子を有する有機基を示す。]
Figure 2011227290
[式中、R,Rは前記式(A−1)と同義であり、Q02はフッ素原子を有する2価の連結基を示す。]
The material for forming a protective film according to claim 1, wherein the monomer represented by the formula (A-1) is a monomer represented by the following formula (A-1-1) or formula (A-1-2).
Figure 2011227290
[Wherein, R 0 has the same meaning as in formula (A-1), Q 01 represents a divalent linking group having no fluorine atom, and R 11 represents an organic group having a fluorine atom. ]
Figure 2011227290
[Wherein, R 0 and R 1 have the same meanings as those in formula (A-1), and Q 02 represents a divalent linking group having a fluorine atom. ]
前記Rが下記式(a−3)又は式(a−4)で表される基である請求項1又は2記載の保護膜形成用材料。
Figure 2011227290
[式中、R12は無置換の炭素数1〜9のアルキレン基を示し、R13は炭素数1〜9のフッ素化アルキル基を示す。ただし、R12とR13との炭素数の合計は10以下である。R14〜R16はそれぞれ独立に炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基を示し、R14〜R16の少なくとも1つはフッ素原子を有するアルキル基である。]
The protective film-forming material according to claim 1 or 2, wherein R 1 is a group represented by the following formula (a-3) or formula (a-4).
Figure 2011227290
[Wherein, R 12 represents an unsubstituted alkylene group having 1 to 9 carbon atoms, and R 13 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. However, the total number of carbon atoms of R 12 and R 13 is 10 or less. R 14 to R 16 each independently represent a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and at least one of R 14 to R 16 is an alkyl group having a fluorine atom. ]
前記アルカリ可溶性ポリマーが、下記式(A−2)で表されるモノマーに由来する構成単位をさらに有する請求項1から3のいずれか1項記載の保護膜形成用材料。
Figure 2011227290
[式中、Rは前記式(A−1)と同義であり、Qはフッ素原子を有していてもよい2価の連結基を示し、R,Rはそれぞれ独立に炭素数1〜15のアルキル基又はフッ素化アルキル基(ただし、アルキル基又はフッ素化アルキル基はエーテル結合が介在していてもよく、さらにはアルキル基又はフッ素化アルキル基の水素原子又はフッ素原子の一部が水酸基により置換されていてもよい。)を示し、かつ、R,Rの少なくとも一方はフッ素化アルキル基を示す。]
The protective film-forming material according to any one of claims 1 to 3, wherein the alkali-soluble polymer further has a structural unit derived from a monomer represented by the following formula (A-2).
Figure 2011227290
[Wherein, R 0 has the same meaning as in the above formula (A-1), Q 1 represents a divalent linking group optionally having a fluorine atom, and R 2 and R 3 each independently represents the number of carbon atoms. 1 to 15 alkyl groups or fluorinated alkyl groups (however, the alkyl group or fluorinated alkyl group may have an ether bond interposed therebetween, and further, a hydrogen atom or a part of the fluorine atom of the alkyl group or fluorinated alkyl group) May be substituted with a hydroxyl group), and at least one of R 2 and R 3 represents a fluorinated alkyl group. ]
液浸露光プロセスに用いられるものである請求項1から4のいずれか1項記載の保護膜形成用材料。   The material for forming a protective film according to any one of claims 1 to 4, which is used in an immersion exposure process. 液浸露光プロセスを用いたレジストパターン形成方法であって、
基板上にレジスト膜を設ける工程と、
このレジスト膜上に請求項1から5のいずれか1項記載の保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成する工程と、
前記基板の少なくとも前記保護膜上に液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体及び前記保護膜を介して、前記レジスト膜を選択的に露光する工程と、
現像液により前記保護膜を除去して、露光後の前記レジスト膜を現像する現像工程と、
を有するレジストパターン形成方法。
A resist pattern forming method using an immersion exposure process,
Providing a resist film on the substrate;
Forming a protective film on the resist film using the protective film-forming material according to any one of claims 1 to 5;
Disposing an immersion exposure liquid on at least the protective film of the substrate and selectively exposing the resist film through the immersion exposure liquid and the protective film;
A developing step of developing the resist film after exposure by removing the protective film with a developer;
A resist pattern forming method comprising:
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012097256A (en) * 2010-10-05 2012-05-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Fluorinated ester-type monomer, making method of the same, fluorinated ester-type polymer, and difluorohydroxycarboxylic acid compound
WO2013047072A1 (en) * 2011-09-28 2013-04-04 Jsr株式会社 Composition for forming overcoat film for immersion exposure and method for resist pattern formation
JP5713011B2 (en) * 2010-05-20 2015-05-07 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, resist pattern forming method, polymer and compound
CN111699546A (en) * 2018-02-13 2020-09-22 中央硝子株式会社 Water-repellent protective film forming agent, chemical solution for forming water-repellent protective film, and method for surface treatment of wafer
WO2023054069A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 富士フイルム株式会社 Method for examining light-sensitive composition, and method for producing light-sensitive composition

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009134174A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Protective film forming material and photoresist pattern forming method
JP2009192784A (en) * 2008-02-14 2009-08-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Resist material, resist protective film material and pattern forming method
JP2010106139A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Polymer compound, resist protective film material and patterning method
JP2010271708A (en) * 2009-04-21 2010-12-02 Central Glass Co Ltd Top coating composition
JP2010275498A (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Central Glass Co Ltd Fluorine-containing compound, fluorine-containing polymer, resist composition, topcoat composition, and method for forming pattern
JP2011085919A (en) * 2009-09-15 2011-04-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Material for forming protective film and method for forming photoresist pattern
WO2011127014A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-13 Promerus Llc Norbornene-type polymers, comositions thereof and lithographic process using such compositions

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009134174A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Protective film forming material and photoresist pattern forming method
JP2009192784A (en) * 2008-02-14 2009-08-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Resist material, resist protective film material and pattern forming method
JP2010106139A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Polymer compound, resist protective film material and patterning method
JP2010271708A (en) * 2009-04-21 2010-12-02 Central Glass Co Ltd Top coating composition
JP2010275498A (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Central Glass Co Ltd Fluorine-containing compound, fluorine-containing polymer, resist composition, topcoat composition, and method for forming pattern
JP2011085919A (en) * 2009-09-15 2011-04-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Material for forming protective film and method for forming photoresist pattern
WO2011127014A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-13 Promerus Llc Norbornene-type polymers, comositions thereof and lithographic process using such compositions

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5713011B2 (en) * 2010-05-20 2015-05-07 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, resist pattern forming method, polymer and compound
US9040221B2 (en) 2010-05-20 2015-05-26 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
US9261780B2 (en) 2010-05-20 2016-02-16 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
JP2012097256A (en) * 2010-10-05 2012-05-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Fluorinated ester-type monomer, making method of the same, fluorinated ester-type polymer, and difluorohydroxycarboxylic acid compound
JP2014122356A (en) * 2010-10-05 2014-07-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Fluorinated ester polymer compound
WO2013047072A1 (en) * 2011-09-28 2013-04-04 Jsr株式会社 Composition for forming overcoat film for immersion exposure and method for resist pattern formation
JPWO2013047072A1 (en) * 2011-09-28 2015-03-26 Jsr株式会社 Composition for forming liquid immersion upper layer film and method for forming resist pattern
CN111699546A (en) * 2018-02-13 2020-09-22 中央硝子株式会社 Water-repellent protective film forming agent, chemical solution for forming water-repellent protective film, and method for surface treatment of wafer
CN111699546B (en) * 2018-02-13 2023-09-12 中央硝子株式会社 Water-repellent protective film forming agent and chemical solution for forming water-repellent protective film
WO2023054069A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 富士フイルム株式会社 Method for examining light-sensitive composition, and method for producing light-sensitive composition

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