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JP2011215414A - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and pattern forming method using the same - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and pattern forming method using the same Download PDF

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JP2011215414A
JP2011215414A JP2010084199A JP2010084199A JP2011215414A JP 2011215414 A JP2011215414 A JP 2011215414A JP 2010084199 A JP2010084199 A JP 2010084199A JP 2010084199 A JP2010084199 A JP 2010084199A JP 2011215414 A JP2011215414 A JP 2011215414A
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Japan
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group
sensitive
radiation
alkyl
resin composition
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Withdrawn
Application number
JP2010084199A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Yoshitome
正洋 吉留
Shuji Hirano
修史 平野
Michihiro Shirakawa
三千紘 白川
Yusuke Iizuka
裕介 飯塚
Hidetomo Takahashi
秀知 高橋
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Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in coating defect performance, coating film thickness uniformity, and PEBS performance, and provide a pattern forming method using the composition.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes a structure part (S1) that is decomposed by action of acid to generate alkaline soluble group, resin (P) containing a repeating unit (A) having a structure part (S2) that is decomposed by action of alkali developing solution to increase the dissolution rate into the alkali developing solution, compound for generating acid by irradiation of active light or radiation, and a solvent. At least one kind of solvents listed in the following X group and Y group is contained. The X group includes alkylene glycol monoalkyl ethers, alkyl lactate esters, alkoxy acetic acid alkyls, alkoxy propionic acid alkyls, pyruvic acid alkyls, and acetic acid alkyl ester. The Y group includes cyclic lactones, and alkylene carbonates.

Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関する。より詳細には、本発明は、超LSI及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法に関する。特には、本発明は、波長が300nm以下の遠紫外線光を光源とする液浸式投影露光装置を用いた露光に好適な組成物、及びそれを用いたパターン形成方法に関する。   The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a pattern forming method using the same. More specifically, the present invention relates to an ultra-microlithographic process applicable to a manufacturing process of a VLSI and a high-capacity microchip, a process for producing a mold for nanoimprinting, a manufacturing process of a high-density information recording medium, and other photofabrication. The present invention relates to a composition suitably used in a process, and a pattern forming method using the composition. In particular, the present invention relates to a composition suitable for exposure using an immersion projection exposure apparatus that uses far ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less as a light source, and a pattern forming method using the same.

なお、ここで「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外(EUV)線、X線又は電子線(EB)を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。   Here, “active light” or “radiation” means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV) rays, X rays or electron rays (EB). Yes. In the present invention, “light” means actinic rays or radiation.

また、ここで「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。   In addition, “exposure” means not only light irradiation with a mercury lamp, far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., but also drawing with particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. .

化学増幅レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。   The chemically amplified resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction changes the solubility of the active radiation irradiated area and non-irradiated area in the developer. And a pattern forming material for forming a pattern on the substrate.

KrFエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。   When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, a resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption mainly in the 248 nm region is used as a main component. A pattern is formed, which is a better system than the conventional naphthoquinone diazide / novolak resin system.

一方、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。   On the other hand, when a further short wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source, the compound having an aromatic group exhibits a large absorption in the 193 nm region. It wasn't.

このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。ところが、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、酸発生剤、添加剤及び溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことは極めて困難である。特には、線幅が100nm以下の微細なパターンを形成する際には、ラインパターンのラフネス特性及び解像力の改良が求められていた。   For this reason, an ArF excimer laser resist containing a resin having an alicyclic hydrocarbon structure has been developed. However, it is extremely difficult to find an appropriate combination of resin, acid generator, additive, solvent, and the like used from the viewpoint of the overall performance as a resist. In particular, when forming a fine pattern with a line width of 100 nm or less, improvement in roughness characteristics and resolution of the line pattern has been demanded.

近年、上記の脂環炭化水素構造を有する樹脂に、特定のラクトン構造を備えた繰り返し単位を含有させることにより、ラインエッジラフネス(Line Edge Roughness)等のラフネス特性を向上させ得ることが見出されている。   In recent years, it has been found that by incorporating a repeating unit having a specific lactone structure into a resin having the alicyclic hydrocarbon structure, roughness characteristics such as line edge roughness can be improved. ing.

例えば、特許文献1には、ノルボルナン骨格の特定の位置に酸分解性基が結合した構造を有する繰り返し単位を含んだ樹脂、及びそれを含んだレジスト組成物が記載されている。同文献には、このような組成物を用いることにより、パターン形状及び露光マージン等を改善することができる旨が記載されている。   For example, Patent Document 1 describes a resin containing a repeating unit having a structure in which an acid-decomposable group is bonded to a specific position of a norbornane skeleton, and a resist composition containing the same. This document describes that the use of such a composition can improve the pattern shape, exposure margin, and the like.

また、特許文献2には、電子求引性基を備えた特定のラクトン構造を有する繰り返し単位を含んだ高分子化合物、及びそれを含んだレジスト組成物が記載されている。同文献には、このような高分子化合物は、溶媒への溶解性及び加水分解性等に優れている旨が記載されている。   Patent Document 2 describes a polymer compound containing a repeating unit having a specific lactone structure having an electron withdrawing group, and a resist composition containing the same. This document describes that such a polymer compound is excellent in solubility in a solvent and hydrolyzability.

しかしながら、レジストとしての製造適性の観点から、上記性能に加え、塗布欠陥、塗布膜厚均一性、加熱加工後(PEB)における温度依存性(PEBS性能)を同時に満足させることが望まれている。   However, from the viewpoint of manufacturing suitability as a resist, in addition to the above performance, it is desired to simultaneously satisfy coating defects, coating film thickness uniformity, and temperature dependency (PEBS performance) after heat processing (PEB).

特許第4288518号公報Japanese Patent No. 4288518 特開2008−231059号公報JP 2008-231059 A

本発明は、塗布欠陥、塗布膜厚均一性、PEBS性能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in coating defects, coating film thickness uniformity and PEBS performance, and a pattern forming method using the same.

本発明は、例えば、以下の通りである。   For example, the present invention is as follows.

(1) 酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位(S1)と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位(S2)とを備えた繰り返し単位(A)を含む樹脂(P)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、前記溶剤として、下記X群およびY群に列挙された溶剤のうち少なくとも1種を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(X群)アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシ酢酸アルキル類、アルコキシプロピオン酸アルキル類、ピルビン酸アルキル類、酢酸アルキルエステル類;
(Y群)環状ラクトン類、アルキレンカーボネート類。
(1) A structural part (S1) that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group, and a structural part (S2) that decomposes by the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer. The resin (P) containing the repeating unit (A), a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a solvent, An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing at least one of the solvents listed in the following groups X and Y.
(Group X) alkylene glycol monoalkyl ethers, alkyl lactates, alkyl alkoxyacetates, alkyl alkoxypropionates, alkyl pyruvates, alkyl acetates;
(Group Y) Cyclic lactones and alkylene carbonates.

(2) さらにアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類を含む(1)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(3) (2)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、X群から選択される少なくとも1種の溶剤と、Y群から選択される少なくとも1種の溶剤と、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類との少なくとも3種の溶剤を含有する(2)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(2) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (1), further comprising an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate.
(3) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (2), wherein at least one solvent selected from Group X and at least one solvent selected from Group Y; The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (2), which contains at least three solvents with alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates.

(4) 前記X群及びY群から選択される溶剤の合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して92質量%以上である(1)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (4) The total content of the solvent selected from the X group and the Y group is 92% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

(5) 前記溶剤の合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して95質量%以上である(4)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (5) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin according to (4), wherein the total content of the solvent is 95% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Composition.

(6) 前記X群及びY群から選択される溶剤及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートの合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して92質量%以上である(2)又は(3)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (6) The total content of the solvent selected from the X group and the Y group and the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate is 92% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (2) or (3).

(7) 前記溶剤の合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して95質量%以上である(6)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (7) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin according to (6), wherein the total content of the solvent is 95% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Composition.

(8) 前記構造部位(S2)は、ラクトン構造を含んでいる(1)〜(7)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (8) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (7), wherein the structural portion (S2) includes a lactone structure.

(9) 前記構造部位(S1)は、前記ラクトン構造を構成しているエステル基に隣接した2つの炭素原子の少なくとも一方に結合している(1)〜(8)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (9) The sensation according to any one of (1) to (8), wherein the structural site (S1) is bonded to at least one of two carbon atoms adjacent to the ester group constituting the lactone structure. Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

(10) 前記繰り返し単位(A)は、下記一般式により表される構造を備えている(9)に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

Figure 2011215414
(10) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (9), wherein the repeating unit (A) has a structure represented by the following general formula.
Figure 2011215414

式(1)中、R2は、n≧2の場合には各々独立に、鎖状又は環状アルキレン基を表す。R3は、k≧2の場合には各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。k≧2の場合、前記Rの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Yは、m≧2の場合には各々独立に、前記構造単位(S1)を表す。Zは、n≧2の場合には各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。kは、0〜5の整数を表す。mは、m+k≦6なる関係を満たす1〜5の整数を表す。nは、0〜5の整数を表す。 In Formula (1), R 2 independently represents a chain or cyclic alkylene group when n ≧ 2. R < 3 > represents an alkyl group or a cycloalkyl group each independently when k> = 2. When k ≧ 2, at least two of R 3 may be bonded to each other to form a ring. X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom. Y represents the structural unit (S1) independently when m ≧ 2. Z each independently represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond when n ≧ 2. k represents an integer of 0 to 5. m represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + k ≦ 6. n represents an integer of 0 to 5.

(11) 疎水性樹脂を更に含む(1)〜(10)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   (11) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (10), further comprising a hydrophobic resin.

(12) (1)〜(11)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。   (12) A resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (11).

(13) (1)〜(11)のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。   (13) Forming a film using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (11), exposing the film, and developing the exposed film A pattern forming method including:

(14) 前記露光は、液浸液を介して行われる(13)に記載のパターン形成方法。   (14) The pattern forming method according to (13), wherein the exposure is performed through an immersion liquid.

本発明によると、塗布欠陥、塗布膜厚均一性、PEBS性能に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in coating defect, coating film thickness uniformity, and PEBS performance, and a pattern forming method using the same.

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有しているアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
Embodiments of the present invention are described in detail below.
Here, the groups and atomic groups that do not explicitly indicate substitution or non-substitution include both those that do not have a substituent and those that have a substituent. For example, an “alkyl group” that does not clearly indicate substitution or unsubstituted is not only an alkyl group that does not have a substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group that has a substituent (substituted alkyl group) Is also included.

[1]樹脂(P)
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位(S1)と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位(S2)とを備えた繰り返し単位(A)を含んだ樹脂(P)を含有している。このような樹脂を組成物に含有させると、ラフネス特性、露光ラチチュード、焦点深度、現像欠陥性能及びパターン形状を改善することが可能となる。
[1] Resin (P)
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention includes a structural site (S1) that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group, and decomposes by the action of an alkali developer, And a resin (P) containing a repeating unit (A) having a structural site (S2) that increases the dissolution rate in the aqueous solution. When such a resin is contained in the composition, it is possible to improve roughness characteristics, exposure latitude, depth of focus, development defect performance, and pattern shape.

〔繰り返し単位(A)〕
繰り返し単位(A)が備えている構造部位(S2)は、特に限定されないが、例えば、アリールエステル構造又はラクトン構造を含んでいる。構造部位(S2)は、ラクトン構造を含んでいることがより好ましい。構造部位(S2)としてラクトン構造を含んだ構成を採用することにより、例えば、基板密着性を更に改善することが可能となる。
[Repeating unit (A)]
The structural site (S2) provided in the repeating unit (A) is not particularly limited, but includes, for example, an aryl ester structure or a lactone structure. The structural site (S2) more preferably contains a lactone structure. By adopting a structure including a lactone structure as the structural portion (S2), for example, it is possible to further improve the substrate adhesion.

構造単位(S2)がラクトン構造を含んでいる場合、構造部位(S1)は、下記一般式(4)に示すように、ラクトン構造を含んだ環(以下、ラクトン環ともいう)に結合していることが好ましい。このような構成を採用すると、例えば、樹脂の加水分解性及び組成物の現像欠陥性能を向上させることができる。

Figure 2011215414
When the structural unit (S2) contains a lactone structure, the structural site (S1) is bonded to a ring containing a lactone structure (hereinafter also referred to as a lactone ring) as shown in the following general formula (4). Preferably it is. When such a configuration is employed, for example, the hydrolyzability of the resin and the development defect performance of the composition can be improved.
Figure 2011215414

式中、S1は、構造部位(S1)に対応した基を表す。破線部は、エステル基と共にラクトン環を形成するために必要な原子団を表す。   In the formula, S1 represents a group corresponding to the structural moiety (S1). A broken line part represents an atomic group necessary for forming a lactone ring together with the ester group.

構造部位(S2)がラクトン構造を含んでいる場合、構造部位(S1)は、上記ラクトン構造を構成しているエステル基に隣接した2つの炭素原子の少なくとも一方に結合していることが好ましい。即ち、繰り返し単位(A)は、下記一般式(4−1)又は一般式(4−2)により表される構造を含んでいることが好ましい。なお、繰り返し単位(A)は、下記一般式(4−1)により表される構造を含んでいることがより好ましい。

Figure 2011215414
When the structural site (S2) contains a lactone structure, the structural site (S1) is preferably bonded to at least one of the two carbon atoms adjacent to the ester group constituting the lactone structure. That is, it is preferable that the repeating unit (A) includes a structure represented by the following general formula (4-1) or general formula (4-2). In addition, it is more preferable that the repeating unit (A) includes a structure represented by the following general formula (4-1).
Figure 2011215414

式中、S1は、構造部位(S1)に対応した基を表す。破線部は、エステル基と共にラクトン環を形成するために必要な原子団を表す。
以上のような構成を採用することにより、例えば、樹脂の加水分解性及び組成物の現像欠陥性能を更に向上させることが可能となる。
In the formula, S1 represents a group corresponding to the structural moiety (S1). A broken line part represents an atomic group necessary for forming a lactone ring together with the ester group.
By adopting the above configuration, for example, the hydrolyzability of the resin and the development defect performance of the composition can be further improved.

構造部位(S1)は、例えば、「−(連結基)−(酸分解性基)」により表される。ここで、酸分解性基は、「−(アルカリ可溶性基から水素原子を除いた基)−(酸の作用により脱離する基)」で表される基が好ましい。   The structural moiety (S1) is represented by, for example, “-(linking group)-(acid-decomposable group)”. Here, the acid-decomposable group is preferably a group represented by “— (group obtained by removing a hydrogen atom from an alkali-soluble group) — (group capable of leaving by the action of an acid)”.

アルカリ可溶性基としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシ基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基及びトリス(アルキルスルホニル)メチレン基が挙げられる。   Examples of alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxy groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl). ) Imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group and tris (alkylsulfonyl) methylene Groups.

好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシ基、フッ素化アルコール基及びスルホン酸基が挙げられる。フッ素化アルコール基としては、ヘキサフルオロイソプロパノール基が特に好ましい。   Preferred alkali-soluble groups include carboxy groups, fluorinated alcohol groups, and sulfonic acid groups. As the fluorinated alcohol group, a hexafluoroisopropanol group is particularly preferable.

酸の作用により脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)及び−C(R01)(R02)(OR39)により表される基が挙げられる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成していてもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include -C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ) and -C (R 01 ) ( R 02 ) (OR 39 ).
In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring. R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.

好ましい酸分解性基としては、例えば、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基及び第3級のアルキルエステル基が挙げられる。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基が挙げられる。   Preferred acid-decomposable groups include, for example, cumyl ester groups, enol ester groups, acetal ester groups and tertiary alkyl ester groups. More preferably, a tertiary alkyl ester group is mentioned.

酸分解性基は、脂環構造を含んでいることが好ましい。即ち、樹脂(P)は、脂環構造を含んだ酸分解性基を備えた繰り返し単位(A)を含んでいることが好ましい。このような構成を採用すると、例えば、エッチング耐性及び解像性を更に向上させることが可能となる。なお、この脂環構造は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。   The acid-decomposable group preferably contains an alicyclic structure. That is, the resin (P) preferably contains a repeating unit (A) having an acid-decomposable group containing an alicyclic structure. When such a configuration is adopted, for example, etching resistance and resolution can be further improved. The alicyclic structure may be monocyclic or polycyclic.

構造部位(S1)としては、特に限定されないが、下記一般式(S1−1)で表される基がより好ましい。

Figure 2011215414
The structural site (S1) is not particularly limited, but a group represented by the following general formula (S1-1) is more preferable.
Figure 2011215414

式中、
21は、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、上記2以上の基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子又はアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、及びこれらを組み合わせた基からなる群より選択される連結基を介して連結されていてもよい。
は、アルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。RとRとは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
Where
Z 21 represents a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or And represents a combination of these.
L 2 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same or different from each other. Further, the two or more groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group And may be linked via a linking group selected from the group consisting of a combination thereof.
R 4 represents an alkyl group.
R 5 and R 6 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. R 5 and R 6 may be bonded to each other to form a ring.

21としての−NR−において、Rにより表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、このアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rにより表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基などの炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。Rとしては、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。 In —NR— as Z 21 , the alkyl group represented by R may be linear or branched. Moreover, this alkyl group may have a substituent. Examples of the alkyl group represented by R include carbon such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group. An alkyl group having a number of 20 or less is exemplified, an alkyl group having a carbon number of 8 or less is more preferred, and an alkyl group having a carbon number of 3 or less is particularly preferred. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

また、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味する。具体的には、例えば、下記構造の2価の連結基が挙げられる。

Figure 2011215414
The divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, preferably 3 to 8 members. Specific examples include divalent linking groups having the following structure.
Figure 2011215414

21としては、単結合、−O−、−OCO−、−COO−、−OSO−、−SO−、−CONR−、又は、−CO−と2価の窒素含有非芳香族複素環基とを組み合わせた基が好ましく、単結合、−COO−、−SO−又は−CONR−がより好ましく、単結合又は−COO−が特に好ましい。 Z 21 includes a single bond, —O—, —OCO—, —COO—, —OSO 2 —, —SO 3 —, —CONR—, or —CO— and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic ring. A group in combination with a group is preferable, a single bond, —COO—, —SO 3 — or —CONR— is more preferable, and a single bond or —COO— is particularly preferable.

におけるアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基などの炭素数1〜8のものが挙げられる。Lにおけるアルキレン基は、炭素数1〜6のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数1〜4のアルキレン基であることが特に好ましい。 The alkylene group in L 2 may be linear or branched. As this alkylene group, Preferably, C1-C8 things, such as a methylene group, ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group, are mentioned. The alkylene group in L 2 is more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

におけるアルケニレン基としては、上で説明したアルキレン基の任意の位置に二重結合を有する基が挙げられる。 Examples of the alkenylene group in L 2 include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group described above.

におけるシクロアルキレン基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキレン基としては、好ましくは、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基及びジアマンタニレン基などの炭素数3〜17のものが挙げられる。Lにおけるシクロアルキレン基は、炭素数5〜12のシクロアルキレン基であることがより好ましく、炭素数6〜10のシクロアルキレン基であることが特に好ましい。 The cycloalkylene group in L 2 may be monocyclic or polycyclic. Preferred examples of the cycloalkylene group include those having 3 to 17 carbon atoms such as a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, and a diamantylene group. The cycloalkylene group in L 2 is more preferably a cycloalkylene group having 5 to 12 carbon atoms, and particularly preferably a cycloalkylene group having 6 to 10 carbon atoms.

における2価の芳香環基としては、フェニレン基、トリレン基及びナフチレン基などの炭素数6〜14のアリーレン基、又は、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール及びチアゾールなどのヘテロ環を含んだ2価の芳香環基が挙げられる。これら2価の芳香環基は、置換基を有していてもよい。 Examples of the divalent aromatic ring group in L 2 include arylene groups having 6 to 14 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group, or thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, and imidazole. , Divalent aromatic ring groups containing heterocycles such as benzimidazole, triazole, thiadiazole and thiazole. These divalent aromatic ring groups may have a substituent.

としては、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルキレン基とシクロアルキレン基とを組み合わせた基、又はアルキレン基と2価の芳香環基とを組み合わせた基が好ましく、単結合、アルキレン基又はシクロアルキレン基がより好ましく、単結合又はアルキレン基が特に好ましい。 L 2 is preferably a single bond, an alkylene group, a cycloalkylene group, a group in which an alkylene group and a cycloalkylene group are combined, or a group in which an alkylene group and a divalent aromatic ring group are combined. Alternatively, a cycloalkylene group is more preferable, and a single bond or an alkylene group is particularly preferable.

一般式(1)において、Z21及びLの双方が単結合であることも好ましい。即ち、構造部位(S1)は、下式(S1−2)により表される基であることも好ましい。このような構成を採用すると、樹脂のガラス転移温度(Tg)が高くなり、例えば、露光ラチチュードを更に向上させることが可能となる。

Figure 2011215414
In the general formula (1), it is also preferable that both Z 21 and L 2 are single bonds. That is, the structural site (S1) is also preferably a group represented by the following formula (S1-2). When such a configuration is adopted, the glass transition temperature (Tg) of the resin is increased, and for example, the exposure latitude can be further improved.
Figure 2011215414

式(S1−2)中、R、R及びRの各々は、先に一般式(S1−1)について説明したものと同義である。 In formula (S1-2), each of R 4 , R 5 and R 6 has the same meaning as that described above for general formula (S1-1).

以下、式(S1−1)及び(S1−2)におけるR乃至Rについて説明する。 Hereinafter, R 4 to R 6 in Formulas (S1-1) and (S1-2) will be described.

、R又はRにおけるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、これらアルキル基は、置換基を有していてもよい。R又はRにおけるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基などの炭素数20以下のアルキル基、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。 The alkyl group in R 4 , R 5 or R 6 may be linear or branched. Moreover, these alkyl groups may have a substituent. Examples of the alkyl group in R 4 or R 5 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, an octyl group, and a dodecyl group. And an alkyl group having 20 or less carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms, and particularly preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms.

又はRのシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、アダマンチル基、ジアダマンチル基、テトラシクロデカニル基、及びテトラシクロドデカニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、炭素数3〜20のものが好ましく、炭素数5〜10のものがより好ましい。 The cycloalkyl group for R 5 or R 6 may be monocyclic or polycyclic. Examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, an adamantyl group, a diadamantyl group, a tetracyclodecanyl group, and a tetracyclododecanyl group. As a cycloalkyl group, a C3-C20 thing is preferable and a C5-C10 thing is more preferable.

とRとが互いに結合して形成し得る環としては、炭素数3〜20のものが好ましく、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基などの単環式のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基及びテトラシクロドデカニル基などの多環式のものであってもよい。RとRとが互いに結合して環を形成する場合、Rは炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。 The ring that R 5 and R 6 may be bonded to each other is preferably a ring having 3 to 20 carbon atoms, and may be monocyclic such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, or a norbornyl group, Polycyclic ones such as an adamantyl group, a tetracyclodecanyl group and a tetracyclododecanyl group may be used. When R 5 and R 6 are bonded to each other to form a ring, R 4 is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.

及びRの一方は、アダマンチル基であることが好ましい。即ち、構造部位(S1)は、下式により表される構造を有していることが好ましい。なお、下式は、Rがアダマンチル基である場合の構造を示している。

Figure 2011215414
One of R 5 and R 6 is preferably an adamantyl group. That is, the structural site (S1) preferably has a structure represented by the following formula. The following formula shows the structure when R 6 is an adamantyl group.
Figure 2011215414

式中、R及びRは、一般式(S1−1)及び(S1−2)における各々と同義である。 Wherein, R 4 and R 5 are as defined above in connection with general formula (S1-1) and (S1-2).

とRとは、互いに結合して環を形成していることも好ましい。この環は、例えば、下式により表される構造を有している。

Figure 2011215414
R 5 and R 6 are also preferably bonded to each other to form a ring. This ring has a structure represented by the following formula, for example.
Figure 2011215414

式中、Rは、一般式(S1−1)及び(S1−2)におけるRと同義である。
nは、1〜5の整数である。nは、好ましくは、3又は4である。即ち、RとRとが互いに結合して形成される環は、5員環又は6員環であることが好ましい。
構造部位(S1)の具体例を以下に示す。

Figure 2011215414
Wherein, R 4 has the same meaning as R 4 in the general formula (S1-1) and (S1-2).
n is an integer of 1-5. n is preferably 3 or 4. That is, the ring formed by combining R 5 and R 6 with each other is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring.
Specific examples of the structural site (S1) are shown below.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

構造部位(S2)がラクトン構造を含んでいる場合、このラクトン構造は、好ましくは5〜7員環ラクトン構造である。また、この5〜7員環ラクトン構造に、ビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で、他の環構造が縮環していてもよい。   When the structural site (S2) contains a lactone structure, the lactone structure is preferably a 5- to 7-membered lactone structure. In addition, another ring structure may be condensed with this 5- to 7-membered ring lactone structure so as to form a bicyclo structure or a spiro structure.

ラクトン構造としては、例えば、下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)で表される構造が挙げられる。これらのうち、(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)又は(LC1−14)で表される構造がより好ましく、(LC1−4)又は(LC1−5)により表される構造が特に好ましい。

Figure 2011215414
Examples of the lactone structure include structures represented by the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17). Among these, a structure represented by (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13) or (LC1-14) is more preferable, (LC1 -4) or the structure represented by (LC1-5) is particularly preferable.
Figure 2011215414

上記ラクトン構造は、構造部位(S1)以外の置換基を更に有していてもよい。好ましい置換基としては、例えば、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、水酸基、及びシアノ基が挙げられる。   The lactone structure may further have a substituent other than the structural site (S1). Preferred substituents include, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxy group, and a halogen. An atom, a hydroxyl group, and a cyano group are mentioned.

なお、ラクトン構造を備えた繰り返し単位には、通常は光学異性体が存在するが、何れの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度が90%ee以上のものが好ましく、95%ee以上のものがより好ましい。   The repeating unit having a lactone structure usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity thereof is preferably 90% ee or more, more preferably 95% ee or more.

繰り返し単位(A)は、下記一般式(1)により表される構造を備えていることが好ましい。

Figure 2011215414
The repeating unit (A) preferably has a structure represented by the following general formula (1).
Figure 2011215414

式中、Rは、k≧2の場合には各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。k≧2の場合、前記Rの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。
Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Yは、m≧2の場合には各々独立に、先に説明した構造単位(S1)を表す。
kは、0〜5の整数を表す。
mは、m+k≦6なる関係を満たす1〜5の整数を表す。
In the formula, each R 3 independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group when k ≧ 2. When k ≧ 2, at least two of R 3 may be bonded to each other to form a ring.
X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom.
Y represents the structural unit (S1) described above independently when m ≧ 2.
k represents an integer of 0 to 5.
m represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + k ≦ 6.

は、上述した通り、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアルキル基又はシクロアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。
のアルキル基としては、炭素数が1〜30であることが好ましく、炭素数が1〜15であることがより好ましい。Rのアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。
直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基及びn−オクタデシル基が挙げられる。
分岐鎖アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
R 3 represents an alkyl group or a cycloalkyl group as described above. These alkyl groups or cycloalkyl groups may further have a substituent.
The alkyl group for R 3 preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more preferably 1 to 15 carbon atoms. The alkyl group for R 3 may be linear or branched.
Examples of the linear alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, an n-octyl group, an n-dodecyl group, an n-tetradecyl group, and the like. An n-octadecyl group is mentioned.
Examples of the branched alkyl group include isopropyl group, isobutyl group, t-butyl group, neopentyl group, and 2-ethylhexyl group.

のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。また、Rのシクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
のシクロアルキル基は、炭素数が3〜20であることが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基が挙げられる。
The cycloalkyl group for R 3 may be monocyclic or polycyclic. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group represented by R 3 may be substituted with a heteroatom such as an oxygen atom.
The cycloalkyl group represented by R 3 preferably has 3 to 20 carbon atoms. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group.

のアルキル基又はシクロアルキル基が有し得る置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子;メルカプト基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基及びベンジルオキシ基のアルコキシ基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基;シアノ基;ニトロ基;スルホニル基;シリル基;エステル基;アシル基;ビニル基;及びアリール基が挙げられる。 Examples of the substituent that the alkyl group or cycloalkyl group of R 3 may have include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom and bromine atom; mercapto group; hydroxy group; methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t -Butoxy group and alkoxy group of benzyloxy group; alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, pentyl group and hexyl group; cyclopropyl group, Cyclobutyl groups such as cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and cycloheptyl group; cyano group; nitro group; sulfonyl group; silyl group; ester group; acyl group; vinyl group;

なお、k≧2の場合、Rの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。Rの少なくとも2つが互いに結合することにより形成される基は、好ましくは、シクロアルキレン基である。 When k ≧ 2, at least two of R 3 may be bonded to each other to form a ring. The group formed by bonding at least two of R 3 to each other is preferably a cycloalkylene group.

Xは、上述した通り、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。このアルキレン基は、置換基を更に有していてもよい。   X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom as described above. This alkylene group may further have a substituent.

Xのアルキレン基としては、炭素数が1又は2のものが好ましい。即ち、Xのアルキレン基は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。   The alkylene group for X is preferably one having 1 or 2 carbon atoms. That is, the alkylene group of X is preferably a methylene group or an ethylene group.

Xのアルキレン基が有し得る置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子;メルカプト基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基及びベンジルオキシ基のアルコキシ基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基;シアノ基;ニトロ基;スルホニル基;シリル基;エステル基;アシル基;ビニル基;及びアリール基が挙げられる。   Examples of the substituent which the alkylene group of X may have include, for example, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom and bromine atom; mercapto group; hydroxy group; methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group and benzyl Alkoxy group of oxy group; alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, pentyl group and hexyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group Cycloalkyl group such as cyclohexyl group and cycloheptyl group; cyano group; nitro group; sulfonyl group; silyl group; ester group; acyl group; vinyl group;

Yは、先に説明した構造部位(S1)を表す。構造部位(S1)は、上述した通り、一般式(S1−1)又は(S1−2)により表されることが好ましい。   Y represents the structural part (S1) described above. As described above, the structural site (S1) is preferably represented by the general formula (S1-1) or (S1-2).

kは、上述した通り、0〜5の整数を表す。kは、好ましくは、0〜3の整数である。   k represents an integer of 0 to 5 as described above. k is preferably an integer of 0 to 3.

mは、上述した通り、m+k≦6なる関係を満たす1〜5の整数を表す。mは、好ましくは1〜3の整数であり、特に好ましくは1である。   As described above, m represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + k ≦ 6. m is preferably an integer of 1 to 3, particularly preferably 1.

なお、上記一般式(1)により表される構造において、Yは、ラクトン構造を構成しているエステル基に隣接した2つの炭素原子の少なくとも一方に結合していることが好ましい。特には、Yの少なくとも1つは、上記エステル基のカルボニル炭素のα位に結合していることが好ましい。即ち、上記一般式(1)により表される構造は、下記一般式(1α)により表されることが特に好ましい。

Figure 2011215414
In the structure represented by the general formula (1), Y is preferably bonded to at least one of two carbon atoms adjacent to the ester group constituting the lactone structure. In particular, at least one of Y is preferably bonded to the α-position of the carbonyl carbon of the ester group. That is, the structure represented by the general formula (1) is particularly preferably represented by the following general formula (1α).
Figure 2011215414

一般式(1α)中、R3、X、Y、k及びmは、一般式(1)における各々と同義である。
繰り返し単位(A)は、下記一般式(A1)により表される繰り返し単位であることが特に好ましい。

Figure 2011215414
In general formula (1α), R 3, X, Y, k and m have the same meanings as in general formula (1).
The repeating unit (A) is particularly preferably a repeating unit represented by the following general formula (A1).
Figure 2011215414

式中、
11は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。
Where
R 11 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom.

は、n≧2の場合には各々独立に、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。上記組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、上記2以上の基は、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子又はアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、及びこれらを組み合わせた基からなる群より選択される連結基を介して連結されていてもよい。 L 1 each independently represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more of these when n ≧ 2. In the combined group, two or more groups to be combined may be the same or different from each other. Further, the two or more groups, -O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group And may be linked via a linking group selected from the group consisting of a combination thereof.

11及びZ12は、各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NR−(Rは水素原子若しくはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
nは、0〜5の整数を表す。
、X、Y、k及びmは、一般式(1)における各々と同義である。
Z 11 and Z 12 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent nitrogen-containing non- An aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining them is represented.
n represents an integer of 0 to 5.
R 3 , X, Y, k, and m have the same meaning as in General Formula (1).

11におけるアルキル基としては、炭素数が1〜5のものが好ましく、メチル基が特に好ましい。Rのアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、並びに、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基及びベンジルオキシ基等のアルコキシ基が挙げられる。Rは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基であることがより好ましい。 As an alkyl group in R < 11 >, a C1-C5 thing is preferable and a methyl group is especially preferable. The alkyl group of R 1 may further have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxy group, and an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, an isopropoxy group, a t-butoxy group, and a benzyloxy group. R 1 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and more preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, or a trifluoromethyl group.

におけるアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基などの炭素数1〜8のものが挙げられる。Lにおけるアルキレン基は、炭素数1〜6のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数1〜4のアルキレン基であることが特に好ましい。 The alkylene group in L 1 may be linear or branched. As this alkylene group, Preferably, C1-C8 things, such as a methylene group, ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group, are mentioned. The alkylene group in L 1 is more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

におけるアルケニレン基としては、上で説明したアルキレン基の任意の位置に二重結合を有する基が挙げられる。 Examples of the alkenylene group in L 1 include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group described above.

におけるシクロアルキレン基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキレン基としては、好ましくは、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基及びジアマンタニレン基などの炭素数3〜17のものが挙げられる。Lにおけるシクロアルキレン基は、炭素数5〜12のシクロアルキレン基であることがより好ましく、炭素数6〜10のシクロアルキレン基であることが特に好ましい。 The cycloalkylene group in L 1 may be monocyclic or polycyclic. Preferred examples of the cycloalkylene group include those having 3 to 17 carbon atoms such as a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, and a diamantylene group. The cycloalkylene group in L 1 is more preferably a cycloalkylene group having 5 to 12 carbon atoms, and particularly preferably a cycloalkylene group having 6 to 10 carbon atoms.

における2価の芳香環基としては、フェニレン基、トリレン基及びナフチレン基などの炭素数6〜14のアリーレン基、又は、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール及びチアゾールなどのヘテロ環を含んだ2価の芳香環基が挙げられる。これら2価の芳香環基は、置換基を有していてもよい。 Examples of the divalent aromatic ring group in L 1 include arylene groups having 6 to 14 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group, or thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole. , Divalent aromatic ring groups containing heterocycles such as benzimidazole, triazole, thiadiazole and thiazole. These divalent aromatic ring groups may have a substituent.

としては、単結合、シクロアルキレン基、シクロアルキレン基とアルキレン基とを組み合わせた基、2価の芳香環基、又は、2価の芳香環基とアルキレン基とを組み合わせた基が好ましく、単結合、シクロアルキレン基又は2価の芳香環基がより好ましく、単結合又はシクロアルキレン基が特に好ましい。 L 1 is preferably a single bond, a cycloalkylene group, a group obtained by combining a cycloalkylene group and an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining a divalent aromatic ring group and an alkylene group, A single bond, a cycloalkylene group or a divalent aromatic ring group is more preferred, and a single bond or a cycloalkylene group is particularly preferred.

11及びZ12としての−NR−において、Rにより表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、このアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rにより表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基などの炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。Rとしては、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。 In —NR— as Z 11 and Z 12 , the alkyl group represented by R may be linear or branched. Moreover, this alkyl group may have a substituent. Examples of the alkyl group represented by R include carbon such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group. An alkyl group having a number of 20 or less is exemplified, an alkyl group having a carbon number of 8 or less is more preferred, and an alkyl group having a carbon number of 3 or less is particularly preferred. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

また、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味する。具体的には、例えば、先に一般式(S1−1)におけるZ21について挙げたのと同様の2価の連結基が挙げられる。 The divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, preferably 3 to 8 members. Specifically, for example, the same divalent linking groups as mentioned above for Z 21 in formula (S1-1) can be given.

11としては、単結合、−COO−、−OCO−、−SO−、−CONR−、又は、−CO−と2価の窒素含有非芳香族複素環基とを組み合わせた基が好ましく、単結合、−COO−、−CONR−、又は、−CO−と2価の窒素含有非芳香族複素環基とを組み合わせた基がより好ましく、−COO−又は−CONR−が特に好ましい。 Z 11 is preferably a single bond, —COO—, —OCO—, —SO 3 —, —CONR—, or a combination of —CO— and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, A single bond, -COO-, -CONR-, or a combination of -CO- and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group is more preferred, and -COO- or -CONR- is particularly preferred.

12としては、単結合、−O−、−OCO−、−COO−、−OSO−、−CONR−、又は−NRCO−が好ましく、単結合、−O−、−OCO−、−COO−又は−CONR−がより好ましく、単結合、−O−、−OCO−又は−COO−が特に好ましい。 Z 12 is preferably a single bond, —O—, —OCO—, —COO—, —OSO 2 —, —CONR—, or —NRCO—, and is preferably a single bond, —O—, —OCO—, —COO—. Or -CONR- is more preferable, and a single bond, -O-, -OCO- or -COO- is particularly preferable.

nは、0〜5の整数を表し、0であっても、1〜5の整数であってもよい。前者の場合、樹脂(P)のガラス転移温度(Tg)が高くなり、例えば、露光ラチチュードを更に向上させることが可能となる。後者の場合、樹脂(P)の現像液に対する溶解性を更に向上させることが可能となる。nは、好ましくは、0〜3の整数である。   n represents an integer of 0 to 5, and may be 0 or an integer of 1 to 5. In the former case, the glass transition temperature (Tg) of the resin (P) is increased, and for example, the exposure latitude can be further improved. In the latter case, it is possible to further improve the solubility of the resin (P) in the developer. n is preferably an integer of 0 to 3.

繰り返し単位(A)は、下記一般式(A2)により表されることが更に好ましい。

Figure 2011215414
The repeating unit (A) is more preferably represented by the following general formula (A2).
Figure 2011215414

一般式(A2)中、
X、R及びkは、一般式(1)における各々と同義である。
21、L、R、R及びRは、一般式(S1−1)における各々と同義である。
11、L、Z11、Z12及びnは、一般式(A1)における各々と同義である。
In general formula (A2),
X, R 3 and k have the same meanings as in general formula (1).
Z 21 , L 2 , R 4 , R 5 and R 6 have the same meanings as those in General Formula (S1-1).
R 11 , L 1 , Z 11 , Z 12 and n are as defined in general formula (A1).

一般式(A2)により表される繰り返し単位を含んだ樹脂(P)は、一般式(A2)に対応する化合物を重合させるか、又は、この化合物と他の単量体とを共重合させることにより得られる。   The resin (P) containing the repeating unit represented by the general formula (A2) is made to polymerize a compound corresponding to the general formula (A2), or to copolymerize this compound and another monomer. Is obtained.

一般式(A2)に対応する化合物は、常法に従って合成することができる。例えば、下記一般式(3M)で表される重合性化合物は、以下のスキームにより合成できる。

Figure 2011215414
The compound corresponding to the general formula (A2) can be synthesized according to a conventional method. For example, the polymerizable compound represented by the following general formula (3M) can be synthesized by the following scheme.
Figure 2011215414

なお、一般式(3M)中、R1aは、一般式(A2)におけるR11と同義である。R、R、R、R、X、k、及びnは、一般式(A2)における各々と同義である。lは、1〜5の整数を表す。nが1〜5の整数である場合、lは1であることが好ましい。 In General Formula (3M), R 1a has the same meaning as R 11 in General Formula (A2). R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , X, k, and n are as defined in general formula (A2). l represents an integer of 1 to 5. When n is an integer of 1 to 5, l is preferably 1.

上記のスキームでは、まず、上式により表されるシアノラクトンを加水分解することにより、シアノ基をカルボキシ基に変換する。これにより、一般式(3M−1)により表されるカルボン酸を得る。   In the above scheme, first, a cyano group is converted to a carboxy group by hydrolyzing the cyanolactone represented by the above formula. Thereby, the carboxylic acid represented by the general formula (3M-1) is obtained.

次に、一般式(3M−1)により表されるカルボン酸とアルコールとを反応させることにより、一般式(3M−2)により表される化合物を得る。
この反応は、例えば、溶媒中、一般式(3M−1)により表されるカルボン酸と、アルコールと、塩基と、縮合剤とを順次又は同時に加えることにより行う。この際、必要に応じて、反応系を冷却又は加熱してもよい。
この反応の溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル及びアセトニトリルが挙げられる。塩基としては、例えば、4−ジメチルアミノピリジンが挙げられる。縮合剤としては、例えば、N,N'-ジシクロヘキシルカルボジイミド、1-エチル-3-(3-ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩、N,N'-ジイソプロピルカルボジイミド、N-(tert-ブチル)-N'-エチルカルボジイミド、及び、N,N'-ジ(ter-ブチル) カルボジイミドが挙げられる。
Next, the compound represented by the general formula (3M-2) is obtained by reacting the carboxylic acid represented by the general formula (3M-1) with an alcohol.
This reaction is performed, for example, by sequentially or simultaneously adding a carboxylic acid represented by the general formula (3M-1), an alcohol, a base, and a condensing agent in a solvent. At this time, the reaction system may be cooled or heated as necessary.
Examples of the solvent for this reaction include tetrahydrofuran, chloroform, dichloroethane, ethyl acetate, and acetonitrile. Examples of the base include 4-dimethylaminopyridine. Examples of the condensing agent include N, N′-dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride, N, N′-diisopropylcarbodiimide, N- (tert-butyl) -N ′. -Ethylcarbodiimide and N, N'-di (ter-butyl) carbodiimide.

続いて、一般式(3M−2)により表されるアルコールと重合性部位とを反応させることにより、一般式(3M−3)により表されるエステルを得る。この重合性部位は、公知の方法により容易に導入できる。   Subsequently, the alcohol represented by the general formula (3M-2) is reacted with the polymerizable site to obtain an ester represented by the general formula (3M-3). This polymerizable site can be easily introduced by a known method.

例えば、重合性部位がメタクリル酸クロリド及びノルボルネンカルボン酸クロリド等の酸クロリドである場合、上記の反応は、例えば、以下のようにして行う。即ち、上記の反応は、例えば、溶媒中、一般式(3M−2)により表されるアルコールと、上記の酸クロリドと、塩基とを順次又は同時に加えることにより行う。この際、必要に応じて、反応系を冷却又は加熱してもよい。
この反応の溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、酢酸エチル、ジイソプロピルエーテル及びメチルエチルケトンが挙げられる。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、及び4−ジメチルアミノピリジンが挙げられる。
For example, when the polymerizable site is an acid chloride such as methacrylic acid chloride and norbornenecarboxylic acid chloride, the above reaction is performed, for example, as follows. That is, the above reaction is performed, for example, by sequentially or simultaneously adding an alcohol represented by the general formula (3M-2), the above acid chloride, and a base in a solvent. At this time, the reaction system may be cooled or heated as necessary.
Examples of the solvent for this reaction include tetrahydrofuran, acetonitrile, ethyl acetate, diisopropyl ether, and methyl ethyl ketone. Examples of the base include triethylamine, pyridine, and 4-dimethylaminopyridine.

或いは、重合性部位がメタクリル酸及びノルボルネンカルボン酸等のカルボン酸である場合、上記の反応は、例えば、以下のようにして行う。即ち、上記の反応は、例えば、溶媒中、一般式(3M−2)により表されるアルコールと、上記のカルボン酸と、無機酸及び/又は有機酸とを混合して加熱することにより行う。この反応は、反応により生じる水を系外に除きながら行ってもよい。
この反応の溶媒としては、例えば、トルエン及びヘキサンが挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸及び過塩素酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、p−トルエンスルホン酸及びベンゼンスルホン酸が挙げられる。
Alternatively, when the polymerizable site is carboxylic acid such as methacrylic acid and norbornene carboxylic acid, the above reaction is performed, for example, as follows. That is, said reaction is performed by mixing and heating the alcohol represented by general formula (3M-2), said carboxylic acid, and an inorganic acid and / or organic acid in a solvent, for example. This reaction may be performed while removing water generated by the reaction from the system.
Examples of the solvent for this reaction include toluene and hexane. Examples of inorganic acids include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and perchloric acid. Examples of the organic acid include p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid.

次いで、一般式(3M−3)により表されるエステルを加水分解する。このようにして、一般式(3M−4)により表されるカルボン酸が得られる。
この加水分解反応は、例えば、溶媒中、一般式(3M−3)により表されるエステルと塩基とを順次又は同時に加えることにより行う。この際、必要に応じて、反応系を冷却又は加熱してもよい。
この反応の溶媒としては、例えば、アセトン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル及び水が挙げられる。塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム及び炭酸カリウムが挙げられる。
Next, the ester represented by the general formula (3M-3) is hydrolyzed. In this way, the carboxylic acid represented by the general formula (3M-4) is obtained.
This hydrolysis reaction is performed, for example, by sequentially or simultaneously adding an ester represented by the general formula (3M-3) and a base in a solvent. At this time, the reaction system may be cooled or heated as necessary.
Examples of the solvent for this reaction include acetone, tetrahydrofuran, acetonitrile, and water. Examples of the base include sodium hydroxide and potassium carbonate.

その後、一般式(3M−4)により表されるカルボン酸の酸部位を酸クロリドに変換させて、一般式(3M−5)により表される酸クロリドを得る。この反応は、例えば、一般式(3M−4)により表されるカルボン酸と、塩化チオニルとを順次又は同時に加えることにより行う。この際、必要に応じて、反応系を冷却又は加熱してもよい。また、ベンゼン及びジクロロメタン等の溶媒、及び/又は、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド及びピリジン等の触媒を更に加えてもよい。   Then, the acid site | part of the carboxylic acid represented by general formula (3M-4) is converted into an acid chloride, and the acid chloride represented by general formula (3M-5) is obtained. This reaction is performed, for example, by sequentially or simultaneously adding a carboxylic acid represented by the general formula (3M-4) and thionyl chloride. At this time, the reaction system may be cooled or heated as necessary. Further, a solvent such as benzene and dichloromethane and / or a catalyst such as dimethylformamide, hexamethylphosphoric triamide and pyridine may be further added.

最後に、一般式(3M−5)により表される酸クロリドと対応するアルコールとを反応させて、一般式(3M)により表される化合物を得る。この酸クロリドとアルコールとの反応は、先に説明した一般式(3M−3)により表される化合物の合成と同様にして行うことができる。   Finally, the acid chloride represented by the general formula (3M-5) is reacted with the corresponding alcohol to obtain the compound represented by the general formula (3M). The reaction between the acid chloride and the alcohol can be performed in the same manner as the synthesis of the compound represented by the general formula (3M-3) described above.

繰り返し単位(A)の含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、15〜100mol%であることが好ましく、20〜100mol%であることがより好ましく、30〜100mol%であることが更に好ましい。   The content of the repeating unit (A) is preferably 15 to 100 mol%, more preferably 20 to 100 mol%, still more preferably 30 to 100 mol%, based on all repeating units in the resin. .

以下に、繰り返し単位(A)の具体例を挙げる。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又はハロゲン原子を表す。Rは、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。

Figure 2011215414
Specific examples of the repeating unit (A) are given below. In the specific examples below, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom. R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a trifluoromethyl group or a halogen atom.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

〔繰り返し単位(B)〕
樹脂(P)は、繰り返し単位(A)とは異なる、酸の作用により分解して、アルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位(B)(以下、「酸分解性基を有する繰り返し単位」と称することがある)を有していてもよい。
[Repeating unit (B)]
The resin (P) is different from the repeating unit (A) and is decomposed by the action of an acid to generate an alkali-soluble group (B) (hereinafter referred to as “a repeating unit having an acid-decomposable group”). May have).

アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。   Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホン酸基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。   A preferable group as the acid-decomposable group is a group obtained by substituting the hydrogen atom of these alkali-soluble groups with a group capable of leaving with an acid.

酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。 As the acid eliminable group, there can be, for example, -C (R 36) (R 37) (R 38), - C (R 36) (R 37) (OR 39), - C (R 01) (R 02 ) (OR 39 ) and the like.

式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。 R 01 and R 02 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。
繰り返し単位(B)としては、下記一般式(V)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 2011215414
The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.
As the repeating unit (B), a repeating unit represented by the following general formula (V) is more preferable.
Figure 2011215414

一般式(V)において、R51、R52、R53は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R52はLと結合して環(好ましくは、5員もしくは6員環)を形成していてもよく、その場合のR52はアルキレン基を表わす。
は、単結合または2価の連結基を表し、R52と環を形成する場合には3価の連結基を表す。
54はアルキル基を表し、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基または1価の芳香環基を表す。R55及びR56は互いに結合して環を形成してもよい。但し、R55とR56とが同時に水素原子であることはない。
In the general formula (V), R 51 , R 52 and R 53 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 52 may be bonded to L 5 to form a ring (preferably a 5-membered or 6-membered ring), in which case R 52 represents an alkylene group.
L 5 represents a single bond or a divalent linking group, and in the case of forming a ring with R 52 , represents a trivalent linking group.
R 54 represents an alkyl group, and R 55 and R 56 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a monovalent aromatic ring group. R 55 and R 56 may combine with each other to form a ring. However, no and R 55 and R 56 are hydrogen atoms at the same time.

一般式(V)について、更に詳細に説明する。
一般式(V)におけるR51〜R53のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。
The general formula (V) will be described in more detail.
As the alkyl group of R 51 to R 53 in the general formula (V), a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, which may preferably have a substituent, Examples thereof include alkyl groups having 20 or less carbon atoms such as hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group, more preferably alkyl groups having 8 or less carbon atoms, and particularly preferably alkyl groups having 3 or less carbon atoms.

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R51〜R53におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 The alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group is preferably the same as the alkyl group in the above R 51 to R 53 .

シクロアルキル基としては、単環型でも、多環型でもよい。好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. Preferable examples include a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。   Preferred substituents in each of the above groups include, for example, alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, amino groups, amide groups, ureido groups, urethane groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, alkoxy groups, thioether groups, acyls. Groups, acyloxy groups, alkoxycarbonyl groups, cyano groups, nitro groups and the like, and the substituent preferably has 8 or less carbon atoms.

またR52がアルキレン基でありLと環を形成する場合、アルキレン基としては、好ま
しくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8のアルキレン基が挙げられる。炭素数1〜4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜2のアルキレン基が特に好ましい。
When R 52 is an alkylene group and forms a ring with L 5 , the alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, or an octylene group. Groups. An alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is particularly preferable.

式(V)におけるR51及びR53としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF)、ヒドロキシメチル基(−CH−OH)、クロロメチル基(−CH−Cl)、フッ素原子(−F)が特に好ましい。R52としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルキレン基(Lと環を形成)がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF)、ヒドロキシメチル基(−CH−OH)、クロロメチル基(−CH−Cl)、フッ素原子(−F)、メチレン基(Lと環を形成)、エチレン基(Lと環を形成)が特に好ましい。 R 51 and R 53 in Formula (V) are more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ), a hydroxymethyl group (—CH 3 ). 2- OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), and a fluorine atom (—F) are particularly preferable. R 52 is more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkylene group (forming a ring with L 5 ), a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ), a hydroxymethyl group Particularly preferred are (—CH 2 —OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), a fluorine atom (—F), a methylene group (forms a ring with L 5 ), and an ethylene group (forms a ring with L 5 ). .

で表される2価の連結基としては、アルキレン基、2価の芳香環基、−COO−L−、−O−L−、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、Lはアルキレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、アルキレン基と2価の芳香環基を組み合わせた基を表す。 Examples of the divalent linking group represented by L 5, an alkylene group, a divalent aromatic ring group, -COO-L 1 -, - O-L 1 -, a group formed by combining two or more of these Etc. Here, L 1 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group in which an alkylene group and a divalent aromatic ring group are combined.

は、単結合、−COO−L−で表される基又は2価の芳香環基が好ましい。ArFエキシマレーザーで露光する場合には、193nm領域の吸収低減の観点から、単結合又は−COO−L−であることが好ましい。Lは炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、メチレン、プロピレン基がより好ましい。 L 5 is preferably a single bond, a group represented by —COO—L 1 —, or a divalent aromatic ring group. In the case of exposure with an ArF excimer laser, a single bond or —COO—L 1 — is preferable from the viewpoint of reducing absorption in the 193 nm region. L 1 is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methylene or propylene group.

54〜R56のアルキル基としては炭素数1〜20のものが好ましく、より好ましくは炭素数1〜10のものであり、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが特に好ましい。 The alkyl group for R 54 to R 56 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group. Particularly preferred are those having 1 to 4 carbon atoms such as a group, an isobutyl group and a t-butyl group.

55及びR56で表されるシクロアルキル基としては、炭素数3〜20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。 The cycloalkyl group represented by R 55 and R 56, preferably one having 3 to 20 carbon atoms, cyclopentyl, may be of monocyclic and cyclohexyl group, norbornyl group, adamantyl group, Polycyclic ones such as a tetracyclodecanyl group and a tetracyclododecanyl group may be used.

また、R55及びR56が互いに結合して形成される環としては、炭素数3〜20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。R55及びR56が互いに結合して環を形成する場合、R54は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。 The ring formed by combining R 55 and R 56 with each other preferably has 3 to 20 carbon atoms, and may be monocyclic such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a norbornyl group. A polycyclic group such as an adamantyl group, a tetracyclodecanyl group, or a tetracyclododecanyl group. When R 55 and R 56 are bonded to each other to form a ring, R 54 is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.

55及びR56で表される1価の芳香環基としては、炭素数6〜20のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R55及びR56のどちらか一方が水素原子の場合、他方は1価の芳香環基であることが好ましい。 The monovalent aromatic ring groups represented by R 55 and R 56, preferably has 6 to 20 carbon atoms, for example, a phenyl group, a naphthyl group, and the like. When one of R 55 and R 56 is a hydrogen atom, the other is preferably a monovalent aromatic ring group.

ArFエキシマレーザーで露光する場合には、193nm領域の吸収低減の観点から、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基であることが好ましい。 In the case of exposure with an ArF excimer laser, R 55 and R 56 are preferably each independently a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group from the viewpoint of reducing absorption in the 193 nm region.

一般式(V)で表される繰り返し単位に相当するモノマーの合成方法としては、一般的な重合性基含有エステルの合成法を適用することが可能であり、特に限定されることはない。
以下に、繰り返し単位(B)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

Figure 2011215414
As a method for synthesizing a monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (V), a general method for synthesizing a polymerizable group-containing ester can be applied and is not particularly limited.
Specific examples of the repeating unit (B) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

樹脂(P)が繰り返し単位(B)を含んでいる場合、本発明の樹脂(P)中における繰り返し単位(B)の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対して、1〜70モル%の範囲が好ましく、5〜50モル%の範囲がより好ましい。   When the resin (P) contains the repeating unit (B), the content of the repeating unit (B) in the resin (P) of the present invention is 1 to 4 with respect to all the repeating units in the resin (P). The range of 70 mol% is preferable, and the range of 5 to 50 mol% is more preferable.

〔繰り返し単位(C)〕
樹脂(P)は、繰り返し単位(A)とは異なる、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位(C)を有していてもよい。
[Repeating unit (C)]
The resin (P) may have a repeating unit (C) having a group which is different from the repeating unit (A) and decomposes under the action of an alkali developer to increase the dissolution rate in the alkali developer.

アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基としては、ラクトン構造、フェニルエステル構造などが挙げられる。
繰り返し単位(C)としては、下記一般式(AII)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 2011215414
Examples of the group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer include a lactone structure and a phenyl ester structure.
As the repeating unit (C), a repeating unit represented by the following general formula (AII) is more preferable.
Figure 2011215414

一般式(AII)中、
Rbは、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
Rbのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rbのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rbとして、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an optionally substituted alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).
Preferable substituents that the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Rb 0 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、−Ab−CO−で表される2価の連結基である。
Abは、直鎖又は分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。
Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, or a divalent linking group obtained by combining these. Preferably a single bond, -Ab 1 -CO 2 - is a divalent linking group represented by.
Ab 1 is a linear or branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexylene group, an adamantylene group, or a norbornylene group.

Vは、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を表す。好ましくはエステル結合を有する基であり、中でもラクトン構造を有する基がより好ましい。   V represents a group that decomposes under the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer. A group having an ester bond is preferable, and a group having a lactone structure is more preferable.

ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。Vとしては、先に挙げた一般式(LC1−1)〜(LC1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、樹脂(P)は、繰り返し単位(C)以外に更にラクトン構造が主鎖に直接結合した繰り返し単位を含有していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)である。特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥性能が良好になる。   As the group having a lactone structure, any group having a lactone structure can be used, but a 5- to 7-membered ring lactone structure is preferable, and a bicyclo structure or a spiro structure is added to the 5- to 7-membered ring lactone structure. Those in which other ring structures are condensed in the form to be formed are preferred. V is more preferably a group having a lactone structure represented by any of the general formulas (LC1-1) to (LC1-17) listed above. In addition to the repeating unit (C), the resin (P) may further contain a repeating unit in which a lactone structure is directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), and (LC1-14). By using a specific lactone structure, line edge roughness and development defect performance are improved.

なお、上記ラクトン構造は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基、及びアルコキシ基などを置換基として有していてもよい。   The lactone structure may have an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group, an alkoxy group, or the like as a substituent.

一般式(AII)により表される繰り返し単位は、下記一般式(III−1)で表される繰り返し単位であることが好ましい。

Figure 2011215414
The repeating unit represented by the general formula (AII) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (III-1).
Figure 2011215414

一般式(III−1)に於いて、
は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合

Figure 2011215414
In general formula (III-1),
R 0 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or a combination thereof independently when there are a plurality of R 0 .
When there are a plurality of Zs, each independently represents an ether bond, an ester bond, an amide bond, or a urethane bond.
Figure 2011215414

又はウレア結合

Figure 2011215414
Or urea bond
Figure 2011215414

を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。
nは、−R−Z−で表される構造の繰り返し数であり、0〜5の整数を表す。
7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Represents. Here, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
n is the repetition number of the structure represented by -R 0 -Z-, represents an integer of 0 to 5.
R 7 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.

のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
The alkylene group and cycloalkylene group represented by R 0 may have a substituent.
Z is preferably an ether bond or an ester bond, and particularly preferably an ester bond.

9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。 R 9 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a hydroxyl group or an alkoxy group, when there are a plurality of R 9 s , May be formed.

Xは、アルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。
mは、置換基数であって、0〜5の整数を表す。mは0または1であることが好ましい。
X represents an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 5. m is preferably 0 or 1.

9のアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることがさらに好ましい。 The alkyl group for R 9 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl groups. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, and a butoxy group. These groups may have a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group such as a hydroxy group, a methoxy group, and an ethoxy group, and a halogen atom such as a cyano group and a fluorine atom. R 9 is more preferably a methyl group, a cyano group or an alkoxycarbonyl group, and even more preferably a cyano group.

Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがさらに好ましい。   Examples of the alkylene group for X include a methylene group and an ethylene group. X is preferably an oxygen atom or a methylene group, more preferably a methylene group.

mが1以上である場合、少なくとも1つのRはラクトンのカルボニル基のα位またはβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。 When m is 1 or more, at least one R 9 is preferably substituted at the α-position or β-position of the carbonyl group of the lactone, particularly preferably at the α-position.

樹脂(P)が繰り返し単位(C)を含んでいる場合、樹脂(P)中の繰り返し単位(C)の含有率は、全繰り返し単位に対して、1〜60モル%の範囲が好ましく、より好ましくは2〜50モル%の範囲であり、さらに好ましくは5〜50モル%の範囲である。繰り返し単位(C)は1種類であってもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   When the resin (P) contains the repeating unit (C), the content of the repeating unit (C) in the resin (P) is preferably in the range of 1 to 60 mol% with respect to all the repeating units. Preferably it is the range of 2-50 mol%, More preferably, it is the range of 5-50 mol%. One type of repeating unit (C) may be used, or two or more types may be used in combination.

以下に、樹脂(P)中の繰り返し単位(C)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH,CHOH,またはCFを表す。

Figure 2011215414
Although the specific example of the repeating unit (C) in resin (P) is shown below, this invention is not limited to this. In the formula, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

〔繰り返し単位(D)〕
樹脂(P)は、前述の繰り返し単位(A)、繰り返し単位(B)及び繰り返し単位(C)以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を更に有していても良い。これにより基板密着性、現像液親和性を向上させることができる。
[Repeating unit (D)]
The resin (P) may further have a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group other than the above-mentioned repeating unit (A), repeating unit (B) and repeating unit (C). As a result, substrate adhesion and developer compatibility can be improved.

繰り返し単位(D)は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。

Figure 2011215414
The repeating unit (D) is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferable.
Figure 2011215414

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが水酸基で、残りが水素原子である。
一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2011215414
In the general formulas (VIIa) to (VIIc), R 2c to R 4c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2c to R 4c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2c to R 4c are a hydroxyl group and the remaining is a hydrogen atom. In general formula (VIIa), it is more preferable that two members out of R 2c to R 4c are hydroxyl groups and the remaining are hydrogen atoms.
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 2011215414

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。
In the general formulas (AIIa) to (AIId), R1c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.
R <2c > -R < 4c > is synonymous with R < 2c > -R < 4c > in general formula (VIIa)-(VIIc).

樹脂(P)が繰り返し単位(D)を含んでいる場合、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位(D)の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対し、1〜40mol%が好ましく、より好ましくは2〜30mol%、更に好ましくは5〜25mol%である。   When the resin (P) contains the repeating unit (D), the content of the repeating unit (D) having a hydroxyl group or a cyano group is preferably 1 to 40 mol% with respect to all the repeating units in the resin (P). More preferably, it is 2-30 mol%, More preferably, it is 5-25 mol%.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位(D)の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 2011215414
Specific examples of the repeating unit (D) having a hydroxyl group or a cyano group will be given below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

KrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線(EUVなど)で露光する場合には、芳香環基とアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位であることが好ましく、下記一般式(IV)で表される構造がより好ましい。

Figure 2011215414
In the case of exposure with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray, or high energy light (EUV, etc.) having a wavelength of 50 nm or less, it is preferably a repeating unit having an aromatic ring group and an alkali-soluble group. The structure represented by IV) is more preferable.
Figure 2011215414

ここで、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はAr4と結合して環(好ましくは5員又は6員環)を形成していてもよく、その場合のR42はアルキレン基を表わす。
Arは、2価の芳香環基を表す。nは、1〜4の整数を表す。
式(IV)におけるR41、R42、R43のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、及びアルコキシカルボニル基及びこれらの基が有し得る置換基の具体例としては、一般式(V)における各基と同様の具体例が挙げられる。
Here, R 41 , R 42 and R 43 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 42 may be bonded to Ar 4 to form a ring (preferably a 5-membered or 6-membered ring), and R 42 in this case represents an alkylene group.
Ar 4 represents a divalent aromatic ring group. n represents an integer of 1 to 4.
Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, halogen atom, and alkoxycarbonyl group of R 41 , R 42 , and R 43 in formula (IV) and the substituent that these groups may have include those in general formula (V). Specific examples similar to the respective groups are given.

Arとしての2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。 The divalent aromatic ring group as Ar 4 may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, an anthracenylene group, or, for example, Preferred examples include divalent aromatic ring groups containing heterocycles such as thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, and thiazole.

上記各基における好ましい置換基としては、一般式(V)におけるR51〜R53で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。 Preferable substituents in the above groups are alkoxy groups such as alkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups and the like mentioned as R 51 to R 53 in formula (V). And aryl groups such as a phenyl group.

Arとしては、置換基を有していても良い炭素数6〜18のアリーレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基が特に好ましい。 Ar 4 is more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and particularly preferably a phenylene group, a naphthylene group, or a biphenylene group.

樹脂(P)は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を更に有していてもよい。このような繰り返し単位としては、例えば、一般式(VII)で表される繰り返し単位が挙げられる。

Figure 2011215414
The resin (P) may further have a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and does not exhibit acid decomposability. Examples of such a repeating unit include a repeating unit represented by the general formula (VII).
Figure 2011215414

一般式(VII)中、Rは少なくとも一つの脂環炭化水素構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (VII), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one alicyclic hydrocarbon structure and having neither a hydroxyl group nor a cyano group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する脂環炭化水素構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. Preferable monocyclic hydrocarbon groups are monocyclic hydrocarbon groups having 3 to 7 carbon atoms, and more preferable examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。 The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。 Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護された水酸基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護された水酸基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent, and preferable substituents include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino group protected with a protecting group, and the like. . Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The above alkyl group may further have a substituent, and examples of the substituent that may further have a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protective group, and an amino group protected with a protective group Can be mentioned.

保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the protecting group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

樹脂(P)が、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有する場合、この繰り返し単位の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対し、1〜40モル%が好ましく、より好ましくは2〜20モル%である。   When the resin (P) has a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and does not exhibit acid decomposability, the content of this repeating unit is the total repeating unit in the resin (P). The content is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 2 to 20 mol%.

極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。

Figure 2011215414
Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 2011215414

本発明の樹脂(P)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的に必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。
このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、
(1)塗布溶剤に対する溶解性、
(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、
(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、
(5)未露光部の基板への密着性、
(6)ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
In addition to the above repeating structural units, the resin (P) of the present invention has dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and generally required characteristics of resist, resolving power, heat resistance, sensitivity. Various repeating structural units can be included for the purpose of adjusting the etc.
Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.
Thereby, performance required for the resin used in the composition of the present invention, in particular,
(1) Solubility in coating solvent,
(2) Film formability (glass transition point),
(3) Alkali developability,
(4) Membrane slip (hydrophobic, alkali-soluble group selection),
(5) Adhesion of unexposed part to substrate,
(6) Dry etching resistance,
Etc. can be finely adjusted.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。   As such a monomer, for example, a compound having one addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, etc. Etc.

その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。     In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

本発明の組成物に用いられる樹脂(P)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (P) used in the composition of the present invention, the molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general resist performance required. It is appropriately set to adjust the resolving power, heat resistance, sensitivity and the like.

また、本発明の組成物が、後述する疎水性樹脂を含んでいる場合、樹脂(P)は、疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及びケイ素原子を含んでいないことが好ましい。   Moreover, when the composition of this invention contains the hydrophobic resin mentioned later, it is preferable that resin (P) does not contain a fluorine atom and a silicon atom from a compatible viewpoint with hydrophobic resin.

本発明の樹脂(P)の形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。
樹脂(P)は、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマ
ーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。
The form of the resin (P) of the present invention may be any of random type, block type, comb type, and star type.
The resin (P) can be synthesized, for example, by radical, cation, or anionic polymerization of an unsaturated monomer corresponding to each structure. Also, unsaturated monomers corresponding to the precursors of each structure
It is also possible to obtain a desired resin by polymerizing after polymerization using a polymer.

例えば、一般的合成方法としては、不飽和モノマー及び重合開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤に不飽和モノマーと重合開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。   For example, as a general synthesis method, an unsaturated monomer and a polymerization initiator are dissolved in a solvent, and a batch polymerization method in which polymerization is performed by heating, a solution of an unsaturated monomer and a polymerization initiator in a heating solvent for 1 to 10 hours. The dropping polymerization method etc. which are dropped and added over are mentioned, and the dropping polymerization method is preferable.

重合に使用される溶媒としては、例えば、後述の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤等を挙げることができ、より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   Examples of the solvent used for the polymerization include a solvent that can be used in preparing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition described below, and more preferably the composition of the present invention. Polymerization is preferably carried out using the same solvent as used in the above. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。必要に応じて連鎖移動剤(例えば、アルキルメルカプタンなど)の存在下で重合を行ってもよい。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and the like. If necessary, the polymerization may be performed in the presence of a chain transfer agent (for example, alkyl mercaptan).

反応の濃度は通常5〜70質量%であり、好ましくは10〜50質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは40〜100℃である。   The reaction concentration is usually 5 to 70% by mass, preferably 10 to 50% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 40 ° C to 100 ° C.

反応時間は、通常1〜48時間であり、好ましくは1〜24時間、更に好ましくは1〜12時間である。   The reaction time is usually 1 to 48 hours, preferably 1 to 24 hours, more preferably 1 to 12 hours.

反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒(貧溶媒)を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10〜5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。   After completion of the reaction, the mixture is allowed to cool to room temperature and purified. Purification can be accomplished by a liquid-liquid extraction method that removes residual monomers and oligomer components by combining water and an appropriate solvent, and a purification method in a solution state such as ultrafiltration that extracts and removes only those having a specific molecular weight or less. , Reprecipitation method that removes residual monomer by coagulating resin in poor solvent by dripping resin solution into poor solvent and purification in solid state such as washing filtered resin slurry with poor solvent A normal method such as a method can be applied. For example, the resin is precipitated as a solid by contacting a solvent (poor solvent) in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount of 10 times or less, preferably 10 to 5 times that of the reaction solution.

ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒(沈殿又は再沈殿溶媒)としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール(特に、メタノールなど)又は水を含む溶媒が好ましい。   The solvent (precipitation or reprecipitation solvent) used in the precipitation or reprecipitation operation from the polymer solution may be a poor solvent for the polymer, and may be a hydrocarbon, halogenated hydrocarbon, nitro, depending on the type of polymer. A compound, ether, ketone, ester, carbonate, alcohol, carboxylic acid, water, a mixed solvent containing these solvents, and the like can be appropriately selected for use. Among these, as a precipitation or reprecipitation solvent, a solvent containing at least an alcohol (particularly methanol or the like) or water is preferable.

沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100〜10000質量部、好ましくは200〜2000質量部、更に好ましくは300〜1000質量部である。   The amount of the precipitation or reprecipitation solvent used can be appropriately selected in consideration of efficiency, yield, and the like, but generally 100 to 10000 parts by mass, preferably 200 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer solution, More preferably, it is 300-1000 mass parts.

沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0〜50℃程度、好ましくは室温付近(例えば20〜35℃程度)である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。   The temperature for precipitation or reprecipitation can be appropriately selected in consideration of efficiency and operability, but is usually about 0 to 50 ° C., preferably around room temperature (for example, about 20 to 35 ° C.). The precipitation or reprecipitation operation can be performed by a known method such as a batch method or a continuous method using a conventional mixing vessel such as a stirring tank.

沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下(好ましくは減圧下)、30〜100℃程度、好ましくは30〜50℃程度の温度で行われる。   The precipitated or re-precipitated polymer is usually subjected to conventional solid-liquid separation such as filtration and centrifugation, and dried before use. Filtration is performed using a solvent-resistant filter medium, preferably under pressure. Drying is performed at a temperature of about 30 to 100 ° C., preferably about 30 to 50 ° C. under normal pressure or reduced pressure (preferably under reduced pressure).

なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ(工程a)、樹脂を溶液から分離し(工程b)、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製(工程c)、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量(好ましくは5倍以下の体積量)で、接触させることにより樹脂固体を析出させ(工程d)、析出した樹脂を分離する(工程e)ことを含む方法でもよい。   In addition, once the resin is precipitated and separated, it may be dissolved again in a solvent, and the resin may be brought into contact with a hardly soluble or insoluble solvent. That is, after completion of the radical polymerization reaction, a solvent in which the polymer is hardly soluble or insoluble is brought into contact, the resin is precipitated (step a), the resin is separated from the solution (step b), and dissolved again in the solvent. (Step c), and then contact the resin solution A with a solvent in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount less than 10 times that of the resin solution A (preferably 5 times or less volume). This may be a method including precipitating a resin solid (step d) and separating the precipitated resin (step e).

樹脂(P)は、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、単量体およびオリゴマー成分の残存量が0〜10質量%であることが好ましく、0〜5質量%であることがより好ましく、0〜1質量%であることが更に好ましい。これにより、液中異物の量を減少させ、感度等の経時変化を低減することが可能となる。   As for resin (P), it is natural that there are few impurities, such as a metal, It is preferable that the residual amount of a monomer and an oligomer component is 0-10 mass%, and it is more preferable that it is 0-5 mass%. The content is preferably 0 to 1% by mass. As a result, the amount of foreign matter in the liquid can be reduced, and changes over time such as sensitivity can be reduced.

本発明に係わる樹脂(P)の分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量が1000〜200000の範囲であることが好ましく、2000〜60000の範囲であることがより好ましく、2000〜30000の範囲であることが特に好ましい。重量平均分子量を1000〜200000の範囲とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(キャリア:テトラヒドロフラン(THF))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。   The molecular weight of the resin (P) according to the present invention is not particularly limited, but the weight average molecular weight is preferably in the range of 1000 to 200000, more preferably in the range of 2000 to 60000, and in the range of 2000 to 30000. It is particularly preferred. By setting the weight average molecular weight in the range of 1,000 to 200,000, heat resistance and dry etching resistance can be prevented from being deteriorated, and developability is deteriorated, and viscosity is increased to prevent film formation from being deteriorated. be able to. Here, the weight average molecular weight of the resin indicates a molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (carrier: tetrahydrofuran (THF)).

また分散度(Mw/Mn)は、好ましくは1.00〜5.00、より好ましくは1.03〜3.50であり、更に好ましくは、1.05〜2.50である。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.00 to 5.00, more preferably 1.03 to 3.50, and still more preferably 1.05 to 2.50. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

本発明の樹脂(P)は、1種類単独で、又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂(P)の含有率は、本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中の全固形分を基準にして、30〜99質量%が好ましく、60〜95質量%がより好ましい。   Resin (P) of this invention can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The content of the resin (P) is preferably 30 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass, based on the total solid content in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention.

樹脂(P)のより好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

Figure 2011215414
Although the more preferable specific example of resin (P) is shown below, this invention is not limited to these.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

[2]溶剤
本発明の組成物は、溶剤として、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸アルキルエステル類、環状ラクトン類、アルキレンカーボネート類、アルコキシ酢酸アルキル類、アルコキシプロピオン酸アルキル類、ピルビン酸アルキル類、及び酢酸アルキルエステル類から選択される少なくとも一種の溶剤を含有する。
[2] Solvent The composition of the present invention includes, as a solvent, alkylene glycol monoalkyl ethers, alkyl lactate esters, cyclic lactones, alkylene carbonates, alkyl alkoxyacetates, alkyl alkoxypropionates, alkyl pyruvates, And at least one solvent selected from alkyl acetates.

アルキレングリコールモノアルキルエーテル類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME、別名1−メトキシ−2−プロパノール)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。更に好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルが挙げられ、特に好ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether (PGME, also known as 1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, Preferred is ethylene glycol monoethyl ether. More preferred are propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether, and particularly preferred is propylene glycol monomethyl ether.

乳酸アルキルエステル類としては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。特に好ましくは乳酸エチルが挙げられる。
アルコキシプロピオン酸アルキル類としては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate and butyl lactate. Particularly preferred is ethyl lactate.
Preferred examples of alkyl alkoxypropionates include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, and ethyl 3-methoxypropionate.

環状ラクトン類としては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンが好ましく挙げられる。特に好ましくはγ−ブチロラクトンが挙げられる。   Examples of cyclic lactones include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, γ-octa Neuk lactone and α-hydroxy-γ-butyrolactone are preferred. Particularly preferred is γ-butyrolactone.

アルキレンカーボネート類としては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。特に好ましくはプロピレンカーボネートが挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキル類としては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
Preferred examples of the alkylene carbonates include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate. Particularly preferred is propylene carbonate.
Alkoxyacetic acid alkyls include, for example, 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy acetate. Preferred is 2-propyl.

ピルビン酸アルキル類としては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
酢酸アルキルエステル類としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル等が挙げられる、特に好ましくは酢酸ブチルが挙げられる。
Preferred examples of alkyl pyruvates include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.
Examples of the alkyl acetates include ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, amyl acetate and the like, and particularly preferably butyl acetate.

本発明の一態様において、溶剤は、前記溶剤から選択される少なくとも一種に加え、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類の少なくとも一種を含有する混
アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA、別名1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。
In one embodiment of the present invention, the solvent includes, in addition to at least one selected from the above solvents, mixed alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates containing at least one alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, for example, propylene Glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, also known as 1-methoxy-2-acetoxypropane), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl Ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Preferred is monoethyl ether acetate.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートがより好ましく、特にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。   As the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monoethyl ether acetate are more preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is particularly preferable.

上記混合溶媒における好ましい配合比は以下の通りである。すなわち、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸アルキルエステル類、環状ラクトン類、アルキレンカーボネート類、アルコキシ酢酸アルキル類、アルコキシプロピオン酸アルキル類、ピルビン酸アルキル類、及び酢酸アルキルエステル類から選ばれる溶剤の全溶剤中における合計の配合比は、10〜60質量%の範囲であることが好ましく、20〜60質量%の範囲であることがより好ましい。また、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類の全溶媒中における配合比は、40〜90質量%の範囲であることが好ましく、40〜80質量%の範囲であることがより好ましい。   Preferred blending ratios in the mixed solvent are as follows. That is, all solvents of solvents selected from alkylene glycol monoalkyl ethers, alkyl lactate esters, cyclic lactones, alkylene carbonates, alkyl alkoxyacetates, alkyl alkoxypropionates, alkyl pyruvates, and alkyl acetates The total blending ratio is preferably in the range of 10 to 60% by mass, and more preferably in the range of 20 to 60% by mass. In addition, the blending ratio of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates in all the solvents is preferably in the range of 40 to 90% by mass, and more preferably in the range of 40 to 80% by mass.

本発明の他の態様において、溶剤は、下記X群から選ばれる少なくとも1種の溶剤と、Y群から選ばれる少なくとも1種の溶剤と、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類との少なくとも3種の溶剤を含有する混合溶剤が好ましい。
(X群)アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシ酢酸アルキル類、アルコキシプロピオン酸アルキル類、ピルビン酸アルキル類、及び酢酸アルキルエステル類;
(Y群)環状ラクトン類、アルキレンカーボネート類。
In another embodiment of the present invention, the solvent is at least three kinds of at least one solvent selected from the following group X, at least one solvent selected from group Y, and alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates. A mixed solvent containing a solvent is preferred.
(Group X) alkylene glycol monoalkyl ethers, alkyl lactate esters, alkyl alkoxyacetates, alkyl alkoxypropionates, alkyl pyruvates, and alkyl acetates;
(Group Y) Cyclic lactones and alkylene carbonates.

X群及びY群に含まれる溶媒、及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類の具体例並びに好ましい溶媒は上述した通りである。   Specific examples and preferred solvents of the solvents included in the X group and the Y group, and the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates are as described above.

上記混合溶剤における好ましい配合比は以下の通りである。すなわち、Y群の溶剤の全溶剤中における配合比は、0.5〜10質量%の範囲であることが好ましく、0.5〜4質量%の範囲であることがより好ましく、0.5〜2質量%の範囲であることが更に好ましい。そして、X群の溶剤の配合比とアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類の配合比は、全溶剤からY群の溶剤を除いた混合溶剤を基準として、X群の溶剤は10〜60質量%の範囲であることが好ましく、20〜60質量%の範囲であることがより好ましい。また、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類の配合比は、40〜90質量%の範囲であることが好ましく、40〜80質量%の範囲であることがより好ましい。   The preferable compounding ratio in the mixed solvent is as follows. That is, the blending ratio of the Y group solvent in all the solvents is preferably in the range of 0.5 to 10% by mass, more preferably in the range of 0.5 to 4% by mass, More preferably, it is in the range of 2% by mass. And the compounding ratio of the solvent of the X group and the compounding ratio of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates are 10 to 60% by mass of the solvent of the X group based on the mixed solvent obtained by removing the solvent of the Y group from all the solvents. The range is preferable, and the range of 20 to 60% by mass is more preferable. Further, the blending ratio of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates is preferably in the range of 40 to 90% by mass, and more preferably in the range of 40 to 80% by mass.

本発明において、溶剤の含有率は、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類を含有しない場合は、上記X群及びY群から選択される溶剤の合計の含有率として、本発明の組成物の全質量に対し92質量%以上が好ましく、95質量%以上がより好ましい。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類を含有しない場合は、上記X群及びY群から選択される溶剤とアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類の合計の含有率として、本発明の組成物の全質量に対し92質量%以上が好ましく、95質量%以上がより好ましい。   In the present invention, when the content of the solvent does not contain alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates, the total mass of the composition of the present invention is the total content of the solvent selected from the group X and group Y. Is preferably 92% by mass or more, and more preferably 95% by mass or more. When the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates are not included, the total content of the solvent selected from the group X and the group Y and the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates is included in the total mass of the composition of the present invention. On the other hand, 92 mass% or more is preferable and 95 mass% or more is more preferable.

[3]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明に係る組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(酸発生剤)を含有する。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
[3] Compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation The composition according to the present invention contains a compound that generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation (an acid generator). As an acid generator, photo-initiator of photocation polymerization, photo-initiator of photo-radical polymerization, photo-decoloring agent of dyes, photo-discoloring agent, or irradiation with actinic ray or radiation used for micro-resist etc. Known compounds that generate acids and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

酸発生剤としては、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。   Examples of the acid generator include diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates.

また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63−26653号公報、特開昭55−164824号公報、特開昭62−69263号公報、特開昭63−146038号公報、特開昭63−163452号公報、特開昭62−153853号公報、特開昭63−146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。   Further, a group that generates an acid upon irradiation with these actinic rays or radiation, or a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of the polymer, such as US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. No. 3914407, JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, The compounds described in JP-A-62-153853 and JP-A-63-146029 can be used.

さらに米国特許第3,779,778号明細書、欧州特許第126,712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式(ZI)、(ZII)又は(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。

Figure 2011215414
Furthermore, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712, etc. can also be used.
Preferred examples of the acid generator include compounds represented by the following general formula (ZI), (ZII) or (ZIII).
Figure 2011215414

上記一般式(ZI)において、
201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
-は、非求核性アニオンを表す。
In the general formula (ZI),
R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
The carbon number of the organic group as R 201 , R 202 and R 203 is generally 1-30, preferably 1-20.
Two of R 201 to R 203 may be bonded to form a ring structure, and the ring may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond, or a carbonyl group. The two of the group formed by bonding of the R 201 to R 203, there can be mentioned an alkylene group (e.g., butylene, pentylene).
Z represents a non-nucleophilic anion.

-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。 Examples of the non-nucleophilic anion as Z include a sulfonate anion, a carboxylate anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, and a tris (alkylsulfonyl) methyl anion.

非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。   A non-nucleophilic anion is an anion that has an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion that can suppress degradation over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. This improves the temporal stability of the resist.

スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the sulfonate anion include an aliphatic sulfonate anion, an aromatic sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion.

カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。   Examples of the carboxylate anion include an aliphatic carboxylate anion, an aromatic carboxylate anion, and an aralkylcarboxylate anion.

脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。   The aliphatic moiety in the aliphatic sulfonate anion may be an alkyl group or a cycloalkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms such as methyl. Group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group , Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, bornyl group and the like.

芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。   The aromatic group in the aromatic sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルスルホニル基(好ましくは炭素数1〜15)、アルキルイミノスルホニル基(好ましくは炭素数2〜15)、アリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数6〜20)、アルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数7〜20)、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基(好ましくは炭素数10〜20)、アルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数5〜20)、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基(好ましくは炭素数8〜20)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group in the aliphatic sulfonate anion and aromatic sulfonate anion include, for example, a nitro group, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), carboxy group , Hydroxy group, amino group, cyano group, alkoxy group (preferably having 1 to 15 carbon atoms), cycloalkyl group (preferably having 3 to 15 carbon atoms), aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), alkoxycarbonyl group (Preferably 2 to 7 carbon atoms), acyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), alkoxycarbonyloxy group (preferably 2 to 7 carbon atoms), alkylthio group (preferably 1 to 15 carbon atoms), alkylsulfonyl A group (preferably having a carbon number of 1 to 15), an alkyliminosulfonyl group (preferably having a carbon number of 2 to 15), Reeloxysulfonyl group (preferably having 6 to 20 carbon atoms), alkylaryloxysulfonyl group (preferably having 7 to 20 carbon atoms), cycloalkylaryloxysulfonyl group (preferably having 10 to 20 carbon atoms), alkyloxyalkyloxy group (Preferably having 5 to 20 carbon atoms), a cycloalkylalkyloxyalkyloxy group (preferably having 8 to 20 carbon atoms), and the like. About the aryl group and ring structure which each group has, an alkyl group (preferably C1-C15) can further be mentioned as a substituent.

また、好ましいスルホン酸アニオンとして、下記一般式(I−A)で表される酸を生じるアニオンも挙げることができる。

Figure 2011215414
Moreover, the anion which produces the acid represented with the following general formula (IA) as a preferable sulfonate anion can also be mentioned.
Figure 2011215414

式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R、Rは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、単結合又は2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状構造を有する基を表す。xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。 In the formula, each Xf independently represents a fluorine atom or an alkyl group substituted with at least one fluorine atom. R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, or a group selected from an alkyl group substituted with at least one fluorine atom, and R 1 and R 2 in the case where a plurality of R 1 and R 2 are present. May be the same or different. L represents a single bond or a divalent linking group, and when there are a plurality of L, they may be the same or different. A represents a group having a cyclic structure. x represents an integer of 1 to 20, y represents an integer of 0 to 10, and z represents an integer of 0 to 10.

一般式(I−A)について、更に詳細に説明する。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。具体的にはフッ素原子、CFが好ましい。
General formula (IA) is demonstrated in detail.
The alkyl group in the alkyl group substituted with the fluorine atom of Xf preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group substituted with a fluorine atom of Xf is preferably a perfluoroalkyl group.
Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom and CF 3 are preferable.

、Rのアルキル基、並びに、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、炭素数1〜4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、CFが好ましい。 The alkyl group in R 1 and R 2 and the alkyl group substituted with at least one fluorine atom are preferably those having 1 to 4 carbon atoms. More preferably, it is a C1-C4 perfluoroalkyl group. Specifically, CF 3 is preferable.

yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。xは1〜8が好ましく、中でも1〜4が好ましい。zは0〜8が好ましく、中でも0〜4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基などがあげられる。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O―、―SO−が好ましく、―COO−、−OCO−、―SO−がより好ましい。 y is preferably 0 to 4, and more preferably 0. x is preferably from 1 to 8, and preferably from 1 to 4. z is preferably 0 to 8, particularly preferably 0 to 4. The divalent linking group of L is not particularly limited, and is —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, an alkylene group, a cycloalkylene group, Examples include alkenylene groups. Among these, —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, and —SO 2 — are preferable, and —COO—, —OCO—, and —SO 2 — are more preferable.

Aの環状構造を有する基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環構造を有する基(芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含む)等が挙げられる。   The group having a cyclic structure of A is not particularly limited as long as it has a cyclic structure. The group having an alicyclic group, an aryl group, or a heterocyclic structure (not only those having an aromatic attribute, but also having an aromatic attribute). And the like).

脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB(露光後加熱)工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF(マスクエラーエンハンスメントファクター)向上の観点から好ましい。   The alicyclic group may be monocyclic or polycyclic, and may be a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a cyclooctyl group, a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, or a tetracyclododecane group. A polycyclic cycloalkyl group such as a nyl group and an adamantyl group is preferred. Among them, an alicyclic group having a bulky structure having 7 or more carbon atoms such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, and an adamantyl group is used in the PEB (post-exposure heating) step. It is preferable from the viewpoint of improving MEEF (mask error enhancement factor) because diffusibility in the film can be suppressed.

アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。   Examples of the aryl group include a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, and an anthracene ring. Of these, naphthalene having low absorbance is preferred from the viewpoint of light absorbance at 193 nm.

複素環構造を有する基としては、単環でも多環でもよく、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環、デカヒドロイソキノリン環などが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環、デカヒドロイソキノリン環が好ましい。また、複素環構造としては、ラクトン構造を有する環構造であってもよい。   The group having a heterocyclic structure may be monocyclic or polycyclic, and includes a furan ring, a thiophene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a pyridine ring, a piperidine ring, and a decahydroisoquinoline ring. It is done. Of these, a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a piperidine ring, and a decahydroisoquinoline ring are preferable. Further, the heterocyclic structure may be a ring structure having a lactone structure.

上記環状構造を有する基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基(直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1〜12が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。   The group having the cyclic structure may have a substituent, and the substituent may be an alkyl group (which may be linear, branched or cyclic, preferably having 1 to 12 carbon atoms), Examples thereof include an aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms), a hydroxyl group, an alkoxy group, an ester group, an amide group, a urethane group, a ureido group, a thioether group, a sulfonamide group, and a sulfonic acid ester group.

脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。   Examples of the aliphatic moiety in the aliphatic carboxylate anion include the same alkyl group and cycloalkyl group as in the aliphatic sulfonate anion.

芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。   Examples of the aromatic group in the aromatic carboxylate anion include the same aryl group as in the aromatic sulfonate anion.

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。   The aralkyl group in the aralkyl carboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, naphthylbutyl group, and the like.

脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。   The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion may have a substituent. Examples of the substituent of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group in the aliphatic carboxylate anion, aromatic carboxylate anion and aralkylcarboxylate anion include, for example, the same halogen atom and alkyl as in the aromatic sulfonate anion Group, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like.

スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。   Examples of the sulfonylimide anion include saccharin anion.

ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。   The alkyl group in the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methide anion is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl. Group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group and the like. Examples of substituents for these alkyl groups include halogen atoms, alkyl groups substituted with halogen atoms, alkoxy groups, alkylthio groups, alkyloxysulfonyl groups, aryloxysulfonyl groups, cycloalkylaryloxysulfonyl groups, and the like. Alkyl groups substituted with fluorine atoms are preferred.

なお、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン中の2つのアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。同様に、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン中の複数のアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。   The two alkyl groups in the bis (alkylsulfonyl) imide anion may be the same or different. Similarly, the plurality of alkyl groups in the tris (alkylsulfonyl) methide anion may be the same or different.

特に、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンとしては、下記一般式(A3)又は(A4)で表されるアニオンを挙げることができる。

Figure 2011215414
In particular, examples of the bis (alkylsulfonyl) imide anion and tris (alkylsulfonyl) methyl anion include anions represented by the following general formula (A3) or (A4).
Figure 2011215414

一般式(A3)及び(A4)中、
Yは少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキレン基であり、好ましくは炭素数2〜4のアルキレン基である。アルキレン鎖中に酸素原子を含有していてもよい。更に好ましくは炭素数2〜4のパーフロロアルキレン基であり、最も好ましくはテトラフロロエチレン基、ヘキサフロロプロピレン基、オクタフロロブチレン基である。
In general formulas (A3) and (A4),
Y is an alkylene group substituted with at least one fluorine atom, preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms. An oxygen atom may be contained in the alkylene chain. A perfluoroalkylene group having 2 to 4 carbon atoms is more preferable, and a tetrafluoroethylene group, a hexafluoropropylene group, and an octafluorobutylene group are most preferable.

式(A4)におけるRは、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。なお、アルキル基又はシクロアルキル基中のアルキレン鎖中に酸素原子を含有していてもよい。   R in the formula (A4) represents an alkyl group or a cycloalkyl group. In addition, the alkylene chain in the alkyl group or cycloalkyl group may contain an oxygen atom.

その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。   Examples of other non-nucleophilic anions include fluorinated phosphorus, fluorinated boron, and fluorinated antimony.

上記一般式(ZI)におけるR201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)又は(ZI−4)における対応する基を挙げることができる。 Examples of the organic group represented by R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ZI) include, for example, a compound (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3) or (ZI-4) described later. The corresponding groups can be mentioned.

尚、酸発生剤は、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。 The acid generator may be a compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZI). For example, the general formula at least one of R 201 to R 203 of a compound represented by (ZI), the structures attached to at least one of R 201 to R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.

更に好ましい(ZI)成分として、以下に説明する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)及び(ZI−4)を挙げることができる。   More preferred (ZI) components include compounds (ZI-1), (ZI-2), (ZI-3) and (ZI-4) described below.

化合物(ZI−1)は、上記一般式(ZI)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。 The compound (ZI-1) is at least one of the aryl groups R 201 to R 203 in formula (ZI), arylsulfonium compounds, namely, compounds containing an arylsulfonium as a cation.

アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。 In the arylsulfonium compound, all of R 201 to R 203 may be an aryl group, or a part of R 201 to R 203 may be an aryl group with the remaining being an alkyl group or a cycloalkyl group.

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。   Examples of the arylsulfonium compound include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, aryldialkylsulfonium compounds, diarylcycloalkylsulfonium compounds, and aryldicycloalkylsulfonium compounds.

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。該複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。   The aryl group of the arylsulfonium compound is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be an aryl group having a heterocyclic structure having an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom or the like. Examples of the heterocyclic structure include pyrrole, furan, thiophene, indole, benzofuran, benzothiophene, and the like. When the arylsulfonium compound has two or more aryl groups, the two or more aryl groups may be the same or different.

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。   The alkyl group or cycloalkyl group that the arylsulfonium compound has as necessary is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, Examples thereof include an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.

201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。 Aryl group, alkyl group of R 201 to R 203, cycloalkyl group, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 14 carbon atoms) , An alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxy group, or a phenylthio group may be used as a substituent. Preferred substituents are linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and linear, branched or cyclic alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, more preferably carbon. These are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are an aryl group, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.

次に、化合物(ZI−2)について説明する。   Next, the compound (ZI-2) will be described.

化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。 Compound (ZI-2) is a compound in which R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group having no aromatic ring. Here, the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.

201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。 The organic group having no aromatic ring as R 201 to R 203 generally has 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.

201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2−オキソアルキル基である。 R 201 to R 203 are each independently preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an allyl group, or a vinyl group, more preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group, 2-oxocycloalkyl group, alkoxy group. A carbonylmethyl group, particularly preferably a linear or branched 2-oxoalkyl group.

201〜R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2−オキソシクロアルキル基を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group of R 201 to R 203, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group). More preferred examples of the alkyl group include a 2-oxoalkyl group and an alkoxycarbonylmethyl group. More preferred examples of the cycloalkyl group include a 2-oxocycloalkyl group.

2−オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
The 2-oxoalkyl group may be either linear or branched, and a group having> C = O at the 2-position of the above alkyl group is preferable.
The 2-oxocycloalkyl group is preferably a group having> C═O at the 2-position of the cycloalkyl group.

アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
The alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).
R 201 to R 203 may be further substituted with a halogen atom, an alkoxy group (for example, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxy group, a cyano group, or a nitro group.

化合物(ZI−3)とは、以下の一般式(ZI−3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

Figure 2011215414
The compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.
Figure 2011215414

一般式(ZI−3)に於いて、
1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はフェニルチオ基を表す。
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
x及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
In general formula (ZI-3),
R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a halogen atom or a phenylthio group.
R 6c and R 7c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an aryl group.
R x and R y each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a 2-oxoalkyl group, a 2-oxocycloalkyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an allyl group, or a vinyl group.

1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c〜R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。 Any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure includes an oxygen atom and a sulfur atom. , An ester bond and an amide bond may be included. Examples of the group formed by combining any two or more of R 1c to R 5c , R 6c and R 7c , and R x and R y include a butylene group and a pentylene group.

Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Zc represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

1c〜R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜20個のアルキル基、好ましくは炭素数1〜12個の直鎖及び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基)を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。 The alkyl group as R 1c to R 7c may be either linear or branched, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms ( Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a linear or branched propyl group, a linear or branched butyl group, and a linear or branched pentyl group. Examples of the cycloalkyl group include cyclohexane having 3 to 8 carbon atoms. An alkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group) can be mentioned.

1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。 The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (For example, methoxy group, ethoxy group, linear or branched propoxy group, linear or branched butoxy group, linear or branched pentoxy group), C3-C8 cyclic alkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) ).

好ましくは、R1c〜R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。 Preferably, any of R 1c to R 5c is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or a linear, branched or cyclic alkoxy group, and more preferably the sum of the carbon number of R 1c to R 5c. Is 2-15. Thereby, solvent solubility improves more and generation | occurrence | production of a particle is suppressed at the time of a preservation | save.

6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5〜15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。 The aryl group as R 6c and R 7c preferably has 5 to 15 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.

6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2〜10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。 When R 6c and R 7c are combined to form a ring, the group formed by combining R 6c and R 7c is preferably an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, such as ethylene group, propylene Group, butylene group, pentylene group, hexylene group and the like. The ring formed by combining R 6c and R 7c may have a hetero atom such as an oxygen atom in the ring.

x及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c〜R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。 Examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R x and R y include the same alkyl group and cycloalkyl group as in R 1c to R 7c .

2−オキソアルキル基及び2−オキソシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1〜12のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖(例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。
Examples of the 2-oxoalkyl group and 2-oxocycloalkyl group include a group having> C═O at the 2-position of the alkyl group or cycloalkyl group as R 1c to R 7c .
Examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylalkyl group include the same alkoxy groups as in R 1c to R 5c , and examples of the alkyl group include an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 1 carbon atom. 5 straight chain (for example, methyl group and ethyl group).

アリル基としては、特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。   The allyl group is not particularly limited, but is preferably an allyl group which is unsubstituted or substituted with a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.

ビニル基としては特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular as a vinyl group, It is preferable that it is a vinyl group substituted by the unsubstituted or monocyclic or polycyclic cycloalkyl group.

x及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等)が一般式(ZI−3)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられる。 As the ring structure that R x and R y may be bonded to each other, divalent R x and R y (for example, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and the like) are represented by the general formula (ZI-3). A 5-membered or 6-membered ring formed with a sulfur atom, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring).

x及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。 R x and R y are preferably an alkyl group or cycloalkyl group having 4 or more carbon atoms, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more alkyl groups or cycloalkyl groups.

化合物(ZI−3)のカチオン部分の具体例を以下に挙げる。

Figure 2011215414
Specific examples of the cation moiety of compound (ZI-3) are shown below.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

化合物(ZI−4)は、下記一般式(ZI−4)により表される化合物である。

Figure 2011215414
The compound (ZI-4) is a compound represented by the following general formula (ZI-4).
Figure 2011215414

一般式(ZI−4)中、
13は水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
In general formula (ZI-4),
R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxy group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton. These groups may have a substituent.

14は複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又は単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。 When there are a plurality of R 14 s, each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an alkylsulfonyl group, a cycloalkylsulfonyl group, or a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton. Represents a group having These groups may have a substituent.

15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。 R 15 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or a naphthyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring. These groups may have a substituent.

lは0〜2の整数を表す。   l represents an integer of 0-2.

rは0〜8の整数を表す。   r represents an integer of 0 to 8.

-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。 Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same non-nucleophilic anion as Z − in formula (ZI).

一般式(ZI−4)において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が好ましい。 In the general formula (ZI-4), the alkyl group of R 13 , R 14 and R 15 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a methyl group, an ethyl group, n -Propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n -An octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group etc. can be mentioned. Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, and the like are preferable.

13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルが好ましい。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 13 , R 14 and R 15 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cyclooctadienyl, norbornyl, tricyclo Examples include decanyl, tetracyclodecanyl, adamantyl and the like, and cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl are particularly preferable.

13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基等が好ましい。 The alkoxy group of R 13 and R 14 is linear or branched and preferably has 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n -Butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group and the like can be mentioned. Of these alkoxy groups, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, and the like are preferable.

13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2〜11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、n−ノニルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基等が好ましい。 The alkoxycarbonyl group for R 13 and R 14 is linear or branched and preferably has 2 to 11 carbon atoms, such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, i- Propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, neopentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, Examples include n-heptyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, n-nonyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group and the like. Of these alkoxycarbonyl groups, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and the like are preferable.

13及びR14の単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基としては、例えば、単環もしくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環もしくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。 Examples of the group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton of R 13 and R 14 include a monocyclic or polycyclic cycloalkyloxy group and an alkoxy group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group. Can be mentioned. These groups may further have a substituent.

13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2−エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、iso−アミル基等のアルキル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。 The monocyclic or polycyclic cycloalkyloxy group for R 13 and R 14 preferably has a total carbon number of 7 or more, more preferably a total carbon number of 7 or more and 15 or less, It is preferable to have a cycloalkyl skeleton. The monocyclic cycloalkyloxy group having 7 or more carbon atoms is cyclopropyloxy group, cyclobutyloxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, cycloptyloxy group, cyclooctyloxy group, cyclododecanyloxy group, etc. Optionally substituted with methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, 2-ethylhexyl, isopropyl, sec-butyl, t -Alkyl group such as butyl group and iso-amyl group, hydroxy group, halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, amide group, sulfonamido group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group , Alkoxy groups such as propoxy group, hydroxypropoxy group, butoxy group, meth Monocyclic cycloalkyloxy having substituents such as alkoxycarbonyl groups such as xoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group, acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group, and carboxy group And a group having a total carbon number of 7 or more in combination with an arbitrary substituent on the cycloalkyl group.

また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンタンチルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the polycyclic cycloalkyloxy group having a total carbon number of 7 or more include a norbornyloxy group, a tricyclodecanyloxy group, a tetracyclodecanyloxy group, an adamantantyloxy group, and the like.

13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2−エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso−アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。例えば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。 The alkoxy group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl skeleton of R 13 and R 14 preferably has a total carbon number of 7 or more, more preferably a total carbon number of 7 or more and 15 or less, An alkoxy group having a monocyclic cycloalkyl skeleton is preferable. The alkoxy group having a total of 7 or more carbon atoms and having a monocyclic cycloalkyl skeleton is methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, heptoxy, octyloxy, dodecyloxy, 2-ethylhexyloxy, isopropoxy, A monocyclic cycloalkyl group that may have the above-mentioned substituents is substituted on an alkoxy group such as sec-butoxy, t-butoxy, iso-amyloxy, etc., and the total carbon number including the substituents is 7 or more Represents things. Examples include a cyclohexylmethoxy group, a cyclopentylethoxy group, a cyclohexylethoxy group, and the like, and a cyclohexylmethoxy group is preferable.

また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンタンチルメトキシ基、アダマンタンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。   Examples of the alkoxy group having a polycyclic cycloalkyl skeleton having 7 or more carbon atoms include norbornyl methoxy group, norbornyl ethoxy group, tricyclodecanyl methoxy group, tricyclodecanyl ethoxy group, tetracyclo A decanyl methoxy group, a tetracyclodecanyl ethoxy group, an adamantane methoxy group, an adamantane ethoxy group, etc. are mentioned, and a norbornyl methoxy group, a norbornyl ethoxy group, etc. are preferable.

14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13〜R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。 The alkyl group of the alkyl group of R 14, include the same specific examples as the alkyl group as R 13 to R 15 described above.

14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1〜10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、tert−ブタンスルホニル基、n−ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n−ヘキサンスルホニル基、n−ヘプタンスルホニル基、n−オクタンスルホニル基、2−エチルヘキサンスルホニル基n−ノナンスルホニル基、n−デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n−プロパンスルホニル基、n−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。 The alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group of R 14 are linear, branched, or cyclic, and preferably those having 1 to 10 carbon atoms, such as methanesulfonyl group, ethanesulfonyl group, n-propanesulfonyl. Group, n-butanesulfonyl group, tert-butanesulfonyl group, n-pentanesulfonyl group, neopentanesulfonyl group, n-hexanesulfonyl group, n-heptanesulfonyl group, n-octanesulfonyl group, 2-ethylhexanesulfonyl group n -Nonanesulfonyl group, n-decanesulfonyl group, cyclopentanesulfonyl group, cyclohexanesulfonyl group, etc. can be mentioned. Of these alkylsulfonyl groups and cycloalkylsulfonyl groups, a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group, a cyclohexanesulfonyl group, and the like are preferable.

上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子)、ヒドロキシル基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the substituent that each of the above groups may have include a halogen atom (for example, a fluorine atom), a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and alkoxycarbonyloxy. Groups and the like.

前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, cyclopentyloxy group, Examples thereof include a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as a cyclohexyloxy group.

前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、2−エトキシエチル基等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxyalkyl group include straight chain having 2 to 21 carbon atoms such as methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, and 2-ethoxyethyl group. Examples thereof include a chain, branched or cyclic alkoxyalkyl group.

前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxycarbonyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyl groups having 2 to 21 carbon atoms such as butoxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl and the like.

前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、i−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2〜21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the alkoxycarbonyloxy group include a methoxycarbonyloxy group, an ethoxycarbonyloxy group, an n-propoxycarbonyloxy group, an i-propoxycarbonyloxy group, an n-butoxycarbonyloxy group, a t-butoxycarbonyloxy group, and a cyclopentyloxy group. Examples thereof include linear, branched or cyclic alkoxycarbonyloxy groups having 2 to 21 carbon atoms such as carbonyloxy group and cyclohexyloxycarbonyloxy.

2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式(ZI−4)中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、テトラヒドロチオフェン環)が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式(ZI−4)におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。 The ring structure which two R 15 may combine with each other is a 5-membered or 6-membered ring formed by two divalent R 15 together with the sulfur atom in the general formula (ZI-4). Particularly preferred is a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring), which may be condensed with an aryl group or a cycloalkyl group. The divalent R 15 may have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxycarbonyloxy group, and the like. Groups and the like. R 15 in the general formula (ZI-4) is preferably a methyl group, an ethyl group, a naphthyl group, a divalent group in which two R 15s are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom.

13及びR14が有し得る置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子(特に、フッ素原子)が好ましい。 The substituent that R 13 and R 14 may have is preferably a hydroxy group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, or a halogen atom (particularly a fluorine atom).

lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。
rとしては、0〜2が好ましい。
以下に、化合物(ZI−4)のカチオン部分の具体例を挙げる。

Figure 2011215414
l is preferably 0 or 1, and more preferably 1.
As r, 0-2 are preferable.
Specific examples of the cation moiety of compound (ZI-4) are given below.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

次に、上記一般式(ZII)及び(ZIII)について説明する。
一般式(ZII)、(ZIII)中、R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Next, the general formulas (ZII) and (ZIII) will be described.
In formula (ZII), (ZIII), R 204 ~R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group or a cycloalkyl group.

204〜R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204〜R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基(ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、フラン残基(フランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、チオフェン残基(チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)、インドール残基(インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾフラン残基(ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基)、ベンゾチオフェン残基(ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基)等を挙げることができる。 Phenyl group and a naphthyl group are preferred as the aryl group of R 204 to R 207, more preferably a phenyl group. Aryl group R 204 to R 207 represents an oxygen atom, a nitrogen atom, may be an aryl group having a heterocyclic structure having a sulfur atom and the like. Examples of the aryl group having a heterocyclic structure include a pyrrole residue (a group formed by losing one hydrogen atom from pyrrole) and a furan residue (a group formed by losing one hydrogen atom from furan). Groups), thiophene residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from thiophene), indole residues (groups formed by the loss of one hydrogen atom from indole), benzofuran residues ( A group formed by losing one hydrogen atom from benzofuran), a benzothiophene residue (a group formed by losing one hydrogen atom from benzothiophene), and the like.

204〜R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。 The alkyl group and cycloalkyl group in R 204 to R 207 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group), carbon Examples thereof include cycloalkyl groups of several 3 to 10 (cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group).

204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、フェニルチオ基等を挙げることができる。 Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, cycloalkyl groups may have a substituent. Aryl group, alkyl group of R 204 to R 207, the cycloalkyl group substituent which may be possessed by, for example, an alkyl group (for example, 1 to 15 carbon atoms), a cycloalkyl group (for example, 3 to 15 carbon atoms ), An aryl group (for example, having 6 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxy group, and a phenylthio group.

-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。 Z represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as the non-nucleophilic anion of Z − in formula (ZI).

酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物を挙げることができる。

Figure 2011215414
Examples of the acid generator further include compounds represented by the following general formulas (ZIV), (ZV), and (ZVI).
Figure 2011215414

一般式(ZIV)〜(ZVI)中、
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
In general formulas (ZIV) to (ZVI),
Ar 3 and Ar 4 each independently represents an aryl group.

208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。 R 208 , R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.

Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。   A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group.

酸発生剤の内でより好ましくは、一般式(ZI)〜(ZIII)で表される化合物である。   Among the acid generators, compounds represented by the general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable.

また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、さらに好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaがpKa=−1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。   Further, the acid generator is preferably a compound that generates an acid having one sulfonic acid group or imide group, more preferably a compound that generates monovalent perfluoroalkanesulfonic acid, or a monovalent fluorine atom or fluorine atom. A compound that generates an aromatic sulfonic acid substituted with a group that contains a monovalent fluorine atom or an imido acid that is substituted with a group containing a fluorine atom, and even more preferably, a fluorinated compound It is a sulfonium salt of a substituted alkanesulfonic acid, a fluorine-substituted benzenesulfonic acid, a fluorine-substituted imide acid or a fluorine-substituted methide acid. The acid generator that can be used is particularly preferably a fluorinated substituted alkane sulfonic acid, a fluorinated substituted benzene sulfonic acid or a fluorinated substituted imido acid whose pKa of the generated acid is pKa = -1 or less, and the sensitivity is improved. .

本発明に係る組成物が酸発生剤を含有している場合、この酸発生剤が発生し得る酸は、フッ素原子を有していてもよく、フッ素原子を有していなくてもよい。例えば、酸発生剤がアニオンを備えている場合、このアニオンは、フッ素原子を有していてもよく、フッ素原子を有していなくてもよい。   When the composition according to the present invention contains an acid generator, the acid that can be generated by the acid generator may or may not have a fluorine atom. For example, when the acid generator includes an anion, the anion may have a fluorine atom or may not have a fluorine atom.

酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。

Figure 2011215414
Among acid generators, particularly preferred examples are given below.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
酸発生剤の含有率は、組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜17.5質量%、更に好ましくは1〜15質量%である。
An acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
The content of the acid generator is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 17.5% by mass, still more preferably 1 to 15% by mass, based on the total solid content of the composition. is there.

[4]疎水性樹脂
本発明の組成物は、疎水性樹脂を含有していてもよい。
疎水性樹脂は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有している。
疎水性樹脂に於けるフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかは、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
[4] Hydrophobic resin The composition of the present invention may contain a hydrophobic resin.
The hydrophobic resin has at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
At least one of a fluorine atom and a silicon atom in the hydrophobic resin may be contained in the main chain of the resin or in a side chain.

疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。   When the hydrophobic resin contains a fluorine atom, it may be a resin having an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom as a partial structure having a fluorine atom. preferable.

フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜4であり、さらに他の置換基を有していてもよい。   The alkyl group having a fluorine atom is a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, You may have the substituent of.

フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。   The cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.

フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、さらに他の置換基を有していてもよい。   Examples of the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and may further have another substituent.

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式(F2)〜(F4)のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2011215414
As the alkyl group having a fluorine atom, the cycloalkyl group having a fluorine atom, or the aryl group having a fluorine atom, a group represented by any one of the following general formulas (F2) to (F4) is preferable. However, the present invention is not limited to this.
Figure 2011215414

一般式(F2)〜(F4)中、
57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ及びR65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
In general formulas (F2) to (F4),
R 57 to R 68 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group (straight or branched). Provided that at least one of R 57 to R 61 , at least one of R 62 to R 64 and at least one of R 65 to R 68 are a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. (Preferably having 1 to 4 carbon atoms).

57〜R61及びR65〜R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)が好ましく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。 R 57 to R 61 and R 65 to R 67 are preferably all fluorine atoms. R 62 , R 63 and R 68 are preferably a fluoroalkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), more preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. When R 62 and R 63 is a perfluoroalkyl group, it is preferred that R 64 is a hydrogen atom. R 62 and R 63 may be connected to each other to form a ring.

一般式(F2)で表される基の具体例としては、例えば、p−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the group represented by the general formula (F2) include a p-fluorophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a 3,5-di (trifluoromethyl) phenyl group.

一般式(F3)で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロ(トリメチル)ヘキシル基、2,2,3,3−テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ(2−メチル)イソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。   Specific examples of the group represented by the general formula (F3) include trifluoromethyl group, pentafluoropropyl group, pentafluoroethyl group, heptafluorobutyl group, hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2 -Methyl) isopropyl group, nonafluorobutyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluorohexyl group, nonafluoro-t-butyl group, perfluoroisopentyl group, perfluorooctyl group, perfluoro (trimethyl) hexyl group, 2,2 , 3,3-tetrafluorocyclobutyl group, perfluorocyclohexyl group and the like. Hexafluoroisopropyl group, heptafluoroisopropyl group, hexafluoro (2-methyl) isopropyl group, octafluoroisobutyl group, nonafluoro-t-butyl group and perfluoroisopentyl group are preferable, and hexafluoroisopropyl group and heptafluoroisopropyl group are preferable. Further preferred.

一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、−C(CFOH、−C(COH、−C(CF)(CH)OH、−CH(CF)OH等が挙げられ、−C(CFOHが好ましい。 Specific examples of the group represented by the general formula (F4) include, for example, —C (CF 3 ) 2 OH, —C (C 2 F 5 ) 2 OH, —C (CF 3 ) (CH 3 ) OH, -CH (CF 3) OH and the like, -C (CF 3) 2 OH is preferred.

フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、さらに、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合してもよい。
フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。

Figure 2011215414
The partial structure containing a fluorine atom may be directly bonded to the main chain, and further from the group consisting of an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond and a ureylene bond. You may couple | bond with a principal chain through the group selected or the group which combined these 2 or more.
Suitable examples of the repeating unit having a fluorine atom include those shown below.
Figure 2011215414

式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。 In the formula, R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.

〜Wは、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。 W 3 to W 6 each independently represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

また、疎水性樹脂は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。

Figure 2011215414
In addition to these, the hydrophobic resin may have the following units as a repeating unit having a fluorine atom.
Figure 2011215414

式中、R〜Rは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1〜4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。 In the formula, R 4 to R 7 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and may have a substituent, and examples of the alkyl group having a substituent include a fluorinated alkyl group. it can.

ただし、R〜Rの少なくとも1つはフッ素原子を表す。RとR若しくはRとRは環を形成していてもよい。 However, at least one of R 4 to R 7 represents a fluorine atom. R 4 and R 5 or R 6 and R 7 may form a ring.

は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。 W 2 represents an organic group containing at least one fluorine atom. Specific examples include the atomic groups (F2) to (F4).

は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、−O−、−SO−、−CO−、−N(R)−(式中、Rは水素原子又はアルキルを表す)、−NHSO−又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。 L 2 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group, —O—, —SO 2 —, —CO—, —N (R )-(Wherein R represents a hydrogen atom or alkyl), —NHSO 2 — or a divalent linking group in which a plurality of these are combined.

Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。   Q represents an alicyclic structure. The alicyclic structure may have a substituent, may be monocyclic, may be polycyclic, and may be bridged in the case of polycyclic. As the monocyclic type, a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms is preferable, and examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, for example, an adamantyl group, norbornyl group, dicyclopentyl group. , Tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group and the like. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom. Particularly preferred examples of Q include a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and the like.

疎水性樹脂は、珪素原子を含有してもよい。   The hydrophobic resin may contain a silicon atom.

珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。   The partial structure having a silicon atom preferably has an alkylsilyl structure (preferably a trialkylsilyl group) or a cyclic siloxane structure.

アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。

Figure 2011215414
Specific examples of the alkylsilyl structure or the cyclic siloxane structure include groups represented by the following general formulas (CS-1) to (CS-3).
Figure 2011215414

一般式(CS−1)〜(CS−3)に於いて、
12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
In general formulas (CS-1) to (CS-3),
R 12 to R 26 each independently represent a linear or branched alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms).

〜Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。 L < 3 > -L < 5 > represents a single bond or a bivalent coupling group. The divalent linking group includes an alkylene group, a phenylene group, an ether bond, a thioether bond, a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, or a group of two or more groups selected from the group consisting of a ureylene bond. A combination is mentioned.

nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。   n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 2 to 4.

フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位は(メタ)アクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。   The repeating unit having at least either a fluorine atom or a silicon atom is preferably a (meth) acrylate-based repeating unit.

以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表し、Xは、−F又は−CFを表す。

Figure 2011215414
Hereinafter, although the specific example of the repeating unit which has at least any one of a fluorine atom and a silicon atom is given, this invention is not limited to this. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 , and X 2 represents —F or —CF 3 .
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

疎水性樹脂は、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)を有することが好ましい。   The hydrophobic resin preferably has a repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z).

(x)アルカリ可溶基
(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基(極性変換基)
(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する
繰り返し単位(b)としては、以下の類型が挙げられる。
(X) Alkali-soluble group (y) Group that is decomposed by the action of an alkali developer to increase the solubility in an alkali developer (polar conversion group)
(Z) Decomposition by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer. Examples of the repeating unit (b) include the following types.

・1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b’)
・上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(b*)
・1つの側鎖上に上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b”)
疎水性樹脂は、繰り返し単位(b)として繰り返し単位(b’)を有することがより好ましい。すなわち、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。
A repeating unit (b ′) having at least one of a fluorine atom and a silicon atom and at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) on one side chain
A repeating unit (b *) having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) and having no fluorine atom and no silicon atom
A fluorine atom and silicon on one side chain having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) above and on a side chain different from the side chain in the same repeating unit Repeating unit (b ″) having at least one of atoms
It is more preferable that the hydrophobic resin has a repeating unit (b ′) as the repeating unit (b). That is, it is more preferable that the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z) has at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

なお、疎水性樹脂が、繰り返し単位(b*)を有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(前記繰り返し単位(b’)、(b”)とは異なる繰り返し単位)とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位(b”)における、下記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式(K1)のような位置関係にあることが好ましい。   When the hydrophobic resin has a repeating unit (b *), a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (a repeating unit different from the repeating units (b ′) and (b ″)) In addition, in the repeating unit (b ″), the side chain having at least one group selected from the group consisting of the following (x) to (z), and at least one of a fluorine atom and a silicon atom Are preferably bonded to the same carbon atom in the main chain, that is, in a positional relationship as shown in the following formula (K1).

式中、B1は上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。

Figure 2011215414
In the formula, B1 represents a partial structure having at least one group selected from the group consisting of the above (x) to (z), and B2 represents a partial structure having at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
Figure 2011215414

上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる基は、好ましくは、(x)アルカリ可溶基又は(y)極性変換基であり、(y)極性変換基であることがより好ましい。   The group selected from the group consisting of the above (x) to (z) is preferably (x) an alkali-soluble group or (y) a polar conversion group, and more preferably (y) a polar conversion group.

アルカリ可溶性基(x)としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。   Examples of the alkali-soluble group (x) include phenolic hydroxyl group, carboxylic acid group, fluorinated alcohol group, sulfonic acid group, sulfonamide group, sulfonylimide group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, (alkylsulfonyl) ( Alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) ) And a methylene group.

好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホンイミド基、ビス(カルボニル)メチレン基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), sulfonimide groups, and bis (carbonyl) methylene groups.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。   As the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x), a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a linking group is used. Examples include a repeating unit in which an alkali-soluble group is bonded to the main chain of the resin. Furthermore, a polymerization initiator or a chain transfer agent having an alkali-soluble group can be used at the time of polymerization to be introduced at the end of the polymer chain. Either case is preferred.

繰り返し単位(bx)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bx)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(bx)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bx) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bx) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (bx) is the same as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜50mol%が好ましく、より好ましくは3〜35mol%、更に好ましくは5〜20mol%である。
アルカリ可溶性基(x)を有する繰り返し単位(bx)の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、Xは、水素原子、−CH、−F又は−CFを表す。

Figure 2011215414
The content of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) is preferably 1 to 50 mol%, more preferably 3 to 35 mol%, still more preferably 5 to 20 mol, based on all repeating units in the hydrophobic resin. %.
Specific examples of the repeating unit (bx) having an alkali-soluble group (x) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In specific examples, X 1 represents a hydrogen atom, —CH 3 , —F or —CF 3 .
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

極性変換基(y)としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基(−COO−)、酸無水物基(−C(O)OC(O)−)、酸イミド基(−NHCONH−)、カルボン酸チオエステル基(−COS−)、炭酸エステル基(−OC(O)O−)、硫酸エステル基(−OSOO−)、スルホン酸エステル基(−SOO−)などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。 Examples of the polar conversion group (y) include a lactone group, a carboxylic acid ester group (—COO—), an acid anhydride group (—C (O) OC (O) —), an acid imide group (—NHCONH—), A carboxylic acid thioester group (—COS—), a carbonic acid ester group (—OC (O) O—), a sulfate ester group (—OSO 2 O—), a sulfonic acid ester group (—SO 2 O—), and the like. A lactone group is preferred.

極性変換基(y)は、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基(y)を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。   The polarity converting group (y) is, for example, introduced into the side chain of the resin by being included in a repeating unit of acrylic acid ester or methacrylic acid ester, or a polymerization initiator or chain having the polarity converting group (y). Any form in which a transfer agent is introduced at the end of the polymer chain using the polymerization is preferred.

極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)の具体例としては、後述の式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。   Specific examples of the repeating unit (by) having a polar conversion group (y) include a repeating unit having a lactone structure represented by formulas (KA-1-1) to (KA-1-17) described later. Can do.

更に、極性変換基(y)を有する繰り返し単位(by)は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である(すなわち、前記繰り返し単位(b’)、(b”)に相当する)ことが好ましい。該繰り返し単位(by)を有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。   Further, the repeating unit (by) having the polarity converting group (y) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, the repeating unit (b ′), (b ″) corresponds to the repeating unit (b ′)). The resin having the repeating unit (by) is hydrophobic, but is particularly preferable from the viewpoint of reducing development defects.

繰り返し単位(by)として、例えば、式(K0)で示される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 2011215414
As the repeating unit (by), for example, a repeating unit represented by the formula (K0) can be given.
Figure 2011215414

式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 In the formula, R k1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

k2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。 R k2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group containing a polarity converting group.

但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。 However, at least one of R k1 and R k2 represents a group containing a polarity converting group.

極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。

Figure 2011215414
The polar converting group represents a group that decomposes by the action of the alkali developing image solution and increases the solubility in the alkali developing solution as described above. The polar conversion group is preferably a group represented by X in the partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1).
Figure 2011215414

一般式(KA−1)又は(KB−1)におけるXは、カルボン酸エステル基:−COO−、酸無水物基:−C(O)OC(O)−、酸イミド基:−NHCONH−、カルボン酸チオエステル基:−COS−、炭酸エステル基:−OC(O)O−、硫酸エステル基:−OSOO−、スルホン酸エステル基:−SOO−を表す。
及びYは、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。
X in the general formula (KA-1) or (KB-1) is a carboxylic acid ester group: —COO—, an acid anhydride group: —C (O) OC (O) —, an acid imide group: —NHCONH—, Carboxylic acid thioester group: —COS—, carbonate ester group: —OC (O) O—, sulfate ester group: —OSO 2 O—, sulfonate ester group: —SO 2 O—.
Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an electron-withdrawing group.

なお、繰り返し単位(by)は、一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式(KA−1)で表される部分構造、Y及びYが1価である場合の(KB−1)で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。 The repeating unit (by) has a group that increases the solubility in a preferable alkali developer by having a group having a partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1). Are bonded to each other as in the case of the partial structure represented by the general formula (KA-1) and the partial structure represented by (KB-1) when Y 1 and Y 2 are monovalent When it does not have a hand, the group having the partial structure is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the partial structure.

一般式(KA−1)又は(KB−1)で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結している。
一般式(KA−1)で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。
The partial structure represented by the general formula (KA-1) or (KB-1) is linked to the main chain of the hydrophobic resin through a substituent at an arbitrary position.
The partial structure represented by the general formula (KA-1) is a structure that forms a ring structure with the group as X.

一般式(KA−1)におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(即ち、KA−1としてラクトン環構造を形成する場合)、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。
一般式(KA−1)で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。
X in the general formula (KA-1) is preferably a carboxylic acid ester group (that is, when a lactone ring structure is formed as KA-1), an acid anhydride group, or a carbonic acid ester group. More preferably, it is a carboxylic acid ester group.
The ring structure represented by the general formula (KA-1) may have a substituent, for example, may have nka substituents Z ka1 .

ka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。
ka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。
nkaは0〜10の整数を表す。好ましくは0〜8の整数、より好ましくは0〜5の整数、さらに好ましくは1〜4の整数、最も好ましくは1〜3の整数である。
Z ka1 independently represents a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, a lactone ring group, or an electron-withdrawing group, when there are a plurality of Z ka1 .
Z ka1 may be linked to form a ring. Examples of the ring formed by connecting Z ka1 to each other include a cycloalkyl ring and a hetero ring (a cyclic ether ring, a lactone ring, etc.).
nka represents an integer of 0 to 10. Preferably it is an integer of 0 to 8, more preferably an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 1 to 4, and most preferably an integer of 1 to 3.

ka1としての電子求引性基は、後述のY及びYとしての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。
ka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。
The electron withdrawing group as Z ka1 is the same as the electron withdrawing group as Y 1 and Y 2 described later. The electron withdrawing group may be substituted with another electron withdrawing group.
Z ka1 is preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, an ether group, a hydroxyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group. In addition, as an ether group, the thing substituted by the alkyl group or the cycloalkyl group, ie, the alkyl ether group, etc. are preferable. The electron withdrawing group has the same meaning as described above.

ka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as Z ka1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

ka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30、さらに好ましくは1〜20であり、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3〜30、さらに好ましくは3〜20であり、例えば、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、i−ペンチル基、t−ペンチル基、i−ヘキシル基、t−ヘキシル基、i−ヘプチル基、t−ヘプチル基、i−オクチル基、t−オクチル基、i−ノニル基、t−デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。 The alkyl group as Z ka1 may have a substituent and may be linear or branched. As a linear alkyl group, Preferably it is C1-C30, More preferably, it is 1-20, For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl Group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decanyl group and the like. As a branched alkyl group, Preferably it is C3-C30, More preferably, it is 3-20, for example, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decanoyl group and the like. C1-C4 things, such as a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, are preferable.

ka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

Figure 2011215414
The cycloalkyl group as Z ka1 may have a substituent, and may be monocyclic or polycyclic. In the case of a polycyclic type, the cycloalkyl group may be a bridged type. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group. As the cycloalkyl group, the following structure is also preferable. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.
Figure 2011215414

上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。   Preferred examples of the alicyclic moiety include adamantyl group, noradamantyl group, decalin group, tricyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group, norbornyl group, cedrol group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group. And cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin group, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, and a tricyclodecanyl group.

これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等を挙げることができる。   Examples of the substituent of these alicyclic structures include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group. Preferred examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the substituent that the alkyl group and the alkoxy group may have include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms).

また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。   Further, the above group may further have a substituent, and examples of the further substituent include a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, the above alkyl group, and a methoxy group. , Ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, alkoxy group such as t-butoxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, Aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, cumyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanyl group, acyl group such as valeryl group, acyloxy group such as butyryloxy group, the above alkenyl group , Vinyloxy group, propenyloxy group, allyloxy group, buteni May be mentioned an alkenyloxy group such as oxy group, said aryl group, an aryloxy group such as phenoxy group, aryloxycarbonyl group such as benzoyloxy group.

一般式(KA−1)におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式(KA−1)が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5〜7員環ラクトン環であることが好ましい。   X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, and the partial structure represented by the general formula (KA-1) is preferably a lactone ring, and more preferably a 5- to 7-membered lactone ring.

なお、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるように、一般式(KA−1)で表される部分構造としての5〜7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。
一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。
In addition, as in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), a 5- to 7-membered lactone ring as a partial structure represented by the general formula (KA-1) has a bicyclo structure, a spiro It is preferred that other ring structures are condensed in a form that forms the structure.
As for the peripheral ring structure to which the ring structure represented by the general formula (KA-1) may be bonded, for example, those in the following (KA-1-1) to (KA-1-17), or The thing according to can be mentioned.

一般式(KA−1)が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、(KA−1−1)、(KA−1−4)、(KA−1−5)、(KA−1−6)、(KA−1−13)、(KA−1−14)、(KA−1−17)である。

Figure 2011215414
As a structure containing a lactone ring structure represented by the general formula (KA-1), a structure represented by any one of the following (KA-1-1) to (KA-1-17) is more preferable. The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred structures include (KA-1-1), (KA-1-4), (KA-1-5), (KA-1-6), (KA-1-13), (KA-1- 14) and (KA-1-17).
Figure 2011215414

上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式(KA−1)が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。 The structure containing the lactone ring structure may or may not have a substituent. Preferable substituents include those similar to the substituent Z ka1 that the ring structure represented by the general formula (KA-1) may have.

一般式(KB−1)のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(−COO−)を挙げることができる。
一般式(KB−1)におけるY及びYは、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。
電子求引性基は、下記式(EW)で示す部分構造である。式(EW)における*は(KA−1)に直結している結合手、又は(KB−1)中のXに直結している結合手を表す。

Figure 2011215414
Preferred examples of X in the general formula (KB-1) include a carboxylic acid ester group (—COO—).
Y 1 and Y 2 in formula (KB-1) each independently represent an electron-withdrawing group.
The electron withdrawing group is a partial structure represented by the following formula (EW). * In the formula (EW) represents a bond directly connected to (KA-1) or a bond directly connected to X in (KB-1).
Figure 2011215414

式(EW)中、
ewは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。
In formula (EW),
n ew is the repeating number of the linking group represented by —C (R ew1 ) (R ew2 ) — and represents an integer of 0 or 1. When n ew is 0, it represents a single bond, indicating that Y ew1 is directly bonded.

ew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式(EW)で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。

Figure 2011215414
Y ew1 is a halogen atom, a cyano group, a nitrile group, a nitro group, a halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 , an oxy group, a carbonyl group, a sulfonyl group Examples thereof include a group, a sulfinyl group, and a combination thereof. The electron-withdrawing group may have the following structure, for example. The “halo (cyclo) alkyl group” represents an alkyl group and a cycloalkyl group that are at least partially halogenated, and the “haloaryl group” represents an aryl group that is at least partially halogenated. In the following structural formula, R ew3 and R ew4 each independently represent an arbitrary structure. R ew3 and R ew4 may have any structure, and the partial structure represented by the formula (EW) may have an electron withdrawing property, and may be linked to, for example, the main chain of the resin. An alkyl group and a fluorinated alkyl group;
Figure 2011215414

ew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結していてもよい。
ew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
ew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
When Y ew1 is a divalent or higher group, the remaining bond forms a bond with an arbitrary atom or substituent. At least one group of Y ew1 , R ew1 , and R ew2 may be connected to the main chain of the hydrophobic resin through a further substituent.
Y ew1 is preferably a halogen atom, or a halo (cyclo) alkyl group or haloaryl group represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3 .
R ew1 and R ew2 each independently represent an arbitrary substituent, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
At least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 may be connected to each other to form a ring.

ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。 Here, R f1 represents a halogen atom, a perhaloalkyl group, a perhalocycloalkyl group, or a perhaloaryl group, more preferably a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, or a perfluorocycloalkyl group, still more preferably a fluorine atom or a trialkyl group. Represents a fluoromethyl group.

f2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。 R f2 and R f3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group, and R f2 and R f3 may be linked to form a ring. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an alkoxy group. More preferably, R f2 represents the same group as R f1 or is linked to R f3 to form a ring.

f1〜Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、(ハロ)シクロアルキル環、(ハロ)アリール環等が挙げられる。
f1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
R f1 to R f3 may be linked to form a ring, and examples of the ring formed include a (halo) cycloalkyl ring and a (halo) aryl ring.
Examples of the (halo) alkyl group in R f1 to R f3 include the alkyl group in Z ka1 described above and a structure in which this is halogenated.

f1〜Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環における(パー)ハロシクロアルキル基及び(パー)ハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは−C(n)(2n−2)Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、−C(n)(n−1)で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5〜13のものが好ましく、6がより好ましい。 Examples of the (per) halocycloalkyl group and the (per) haloaryl group in R f1 to R f3 or in the ring formed by linking R f2 and R f3 include, for example, the aforementioned cycloalkyl group in Z ka1 is a halogen atom. And a perfluoroaryl group represented by -C (n) F (n-1) and more preferably a fluorocycloalkyl group represented by -C (n) F (2n-2) H Can be mentioned. Although carbon number n is not specifically limited here, the thing of 5-13 is preferable and 6 is more preferable.

ew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式(KA−1−1)〜(KA−1−17)で表される構造が挙げられる。 The ring that may be formed by linking at least two of R ew1 , R ew2 and Y ew1 preferably includes a cycloalkyl group or a heterocyclic group, and the heterocyclic group is preferably a lactone ring group. Examples of the lactone ring include structures represented by the above formulas (KA-1-1) to (KA-1-17).

なお、繰り返し単位(by)中に、一般式(KA−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KB−1)で表される部分構造を複数、あるいは、一般式(KA−1)で表される部分構造と一般式(KB−1)で表される部分構造の両方を有していてもよい。   In the repeating unit (by), a plurality of partial structures represented by the general formula (KA-1), a plurality of partial structures represented by the general formula (KB-1), or a general formula (KA) It may have both a partial structure represented by -1) and a partial structure represented by the general formula (KB-1).

なお、一般式(KA−1)の部分構造の一部又は全部が、一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式(KA−1)のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式(KB−1)におけるY又はYとしての電子求引性基として機能することもあり得る。 Note that part or all of the partial structure of the general formula (KA-1) may also serve as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). For example, when X in the general formula (KA-1) is a carboxylic acid ester group, the carboxylic acid ester group functions as an electron withdrawing group as Y 1 or Y 2 in the general formula (KB-1). There is also a possibility.

また、繰り返し単位(by)が、上記繰り返し単位(b*)又は繰り返し単位(b”)に該当し、かつ、一般式(KA−1)で表される部分構造を有する場合、一般式(KA−1)で表される部分構造は、極性変換基が、一般式(KA−1)で示す構造における−COO−で表される部分構造であることがより好ましい。
繰り返し単位(by)は、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位でありえる。

Figure 2011215414
In addition, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b *) or the repeating unit (b ″) and has a partial structure represented by the general formula (KA-1), the general formula (KA) As for the partial structure represented by -1), it is more preferable that the polarity conversion group is a partial structure represented by -COO- in the structure represented by Formula (KA-1).
The repeating unit (by) can be a repeating unit having the partial structure shown below.
Figure 2011215414

一般式(bb)において、
は、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数存在する場合、互いに同じでも異なっていても良い。Zは、好ましくはエステル結合を表す。
In general formula (bb),
Z 1 represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of Z 1 s , they may be the same as or different from each other. Z 1 preferably represents an ester bond.

は、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表し、複数存在する場合、互いに同じでも異なっていても良い。Zは、好ましくは、炭素数1若しくは2のアルキレン基又は炭素数5〜10のシクロアルキレン基を表す。 Z 2 represents an alkylene group or a cycloalkylene group, and when a plurality of Z 2 are present, they may be the same as or different from each other. Z 2 preferably represents an alkylene group having 1 or 2 carbon atoms or a cycloalkylene group having 5 to 10 carbon atoms.

Taは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY及びYとしての電子求引性基と同義である)を表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表し、更に好ましくは電子求引性基を表す。Taが複数個ある場合には、Ta同士が結合して、環を形成しても良い。 Ta independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, or an electron withdrawing group (as Y 1 and Y 2 in the general formula (KB-1)). And preferably represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group, and more preferably represents an electron withdrawing group. When there are a plurality of Tas, Tas may be bonded to form a ring.

は、単結合又はm+1価の炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)を表し、好ましくは単結合を表す。Lとしての単結合は、mが1の場合である。Lとしてのm+1価の炭化水素基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、又は、これらの組み合わせから、任意の水素原子をm−1個除いたm+1価の炭化水素基を表す。
Lは、それぞれ独立に、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はエーテル基を表す。
L 0 represents a single bond or an m + 1 valent hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms), and preferably represents a single bond. The single bond as L 0 is when m is 1. The m + 1 valent hydrocarbon group as L 0 represents, for example, an m + 1 valent hydrocarbon group obtained by removing m-1 arbitrary hydrogen atoms from an alkylene group, a cycloalkylene group, a phenylene group, or a combination thereof. .
L each independently represents a carbonyl group, a carbonyloxy group or an ether group.

Tcは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY及びYとしての電子求引性基と同義である)を表す。 Tc is a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group or an electron withdrawing group (electron withdrawing as Y 1 and Y 2 in the general formula (KB-1)) It is synonymous with a sex group.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式(bb)で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式(bb)で表される部分構造が結合していてもよい。なお、主鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中に存在する原子への結合手であり、側鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中以外に存在する原子への結合手である。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, the partial structure represented by the formula (bb) may be directly bonded to the main chain, or the partial structure represented by the formula (bb) may be bonded to the side chain of the resin. The bond to the main chain is a bond to an atom existing in the bond constituting the main chain, and the bond to the side chain is an atom existing outside the bond constituting the main chain. Is a bond to the hand.

mは、1〜28の整数を表し、好ましくは1〜3の整数であり、更に好ましくは1である。
kは、0〜2の整数を表し、好ましくは1である。
qは、基(Z2−Z1)の繰り返し数を示し、0〜5の整数を表し、好ましくは0〜2である。
rは、0〜5の整数を表す。
なお、−(L)r−Tcの代わりに、前記−L−(Ta)mが置換していてもよい。
m represents an integer of 1 to 28, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1.
k represents an integer of 0 to 2, and is preferably 1.
q shows the repeating number of group (Z2-Z1), represents the integer of 0-5, Preferably it is 0-2.
r represents an integer of 0 to 5.
In addition, in place of-(L) r-Tc, the -L 0- (Ta) m may be substituted.

一般式(bb)により表されるラクトン構造のうち上記*から最も離れた位置(介在する原子数が最大である位置)にフッ素原子又はフッ素原子を含んだ基が置換している場合、又は、同一繰り返し単位内の一般式(bb)により表されるラクトン側の側鎖と異なる側鎖上にフッ素原子を有する場合(上記した繰り返し単位(b”)に該当)も好ましい。   When a fluorine atom or a group containing a fluorine atom is substituted at a position farthest from the above * in the lactone structure represented by the general formula (bb) (position where the number of intervening atoms is maximum), or A case where a fluorine atom is present on a side chain different from the side chain on the lactone side represented by the general formula (bb) in the same repeating unit (corresponding to the above-mentioned repeating unit (b ″)) is also preferable.

としてのアルキレン基は、直鎖アルキレン基の場合は好ましくは炭素数1〜30、更に好ましくは1〜20であり、分岐アルキレン基の場合は好ましくは炭素数3〜30、更に好ましくは3〜20である。Rとしてのアルキレン基の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基の具体例から任意の水素原子を1個除いた基を挙げることができる。 The alkylene group as Z 2 preferably has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 in the case of a linear alkylene group, and preferably 3 to 30 carbon atoms, more preferably 3 in the case of a branched alkylene group. ~ 20. Specific examples of the alkylene group as R 2 include a group obtained by removing one arbitrary hydrogen atom from the above-described specific examples of the alkyl group as Zka1.

としてのシクロアルキレン基は、好ましくは炭素数3〜8であり、その具体例としては、上記したZka1としてのシクロアルキル基から任意の水素原子を1個除いた基を挙げることができる。 The cycloalkylene group as Z 2 preferably has 3 to 8 carbon atoms, and specific examples thereof include a group in which one arbitrary hydrogen atom has been removed from the cycloalkyl group as Z ka1 described above. .

Ta及びTcとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。   Preferred carbon numbers and specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as Ta and Tc are the same as those described above for the alkyl group and cycloalkyl group as Zka1.

Taとしてのアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜8であり、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。   The alkoxy group as Ta preferably has 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.

Ta及びTcとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数6〜12のアリール基、例えば、フェニル基及びナフチル基を挙げることができる。   The aryl group as Ta and Tc is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a phenyl group and a naphthyl group.

としてのアルキレン基、シクロアルキレン基の好ましい炭素数及びその具体例は、Zとしての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。
繰り返し単位(bb)の更に具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。

Figure 2011215414
The preferred carbon number of the alkylene group and cycloalkylene group as L 0 and specific examples thereof are the same as those described for the chain alkylene group and cyclic alkylene group as Z 2 .
As a more specific structure of the repeating unit (bb), a repeating unit having the partial structure shown below is preferable.
Figure 2011215414

一般式(ba−2)及び(bb−2)において、
nは、0〜11の整数を表し、好ましくは0〜5の整数、より好ましくは1又は2を表す。
In general formulas (ba-2) and (bb-2),
n represents an integer of 0 to 11, preferably an integer of 0 to 5, more preferably 1 or 2.

pは、0〜5の整数を表し、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは1又は2を表す。   p represents an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, more preferably 1 or 2.

Tbは、独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基(前記一般式(KB−1)におけるY及びYとしての電子求引性基と同義である)を表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表す。Tbが複数個ある場合には、Tb同士が結合して、環を形成しても良い。 Tb is independently an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a nitrile group, a hydroxyl group, an amide group, an aryl group, or an electron withdrawing group (as Y 1 and Y 2 in the general formula (KB-1)). It is synonymous with an electron withdrawing group, and preferably represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an electron withdrawing group. When there are a plurality of Tb, Tb may be bonded to form a ring.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式(ba−2)又は(bb−2)で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式(ba−2)又は(bb−2)で表される部分構造が結合していてもよい。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, the partial structure represented by the formula (ba-2) or (bb-2) may be directly connected to the main chain, or the side chain of the resin may have the formula (ba-2) or (bb-2) The partial structure represented by may be combined.

、Z、Ta、Tc、L、*、m、q、rは、一般式(bb)におけるものと同意であり、好ましいものも同様である。
繰り返し単位(by)は、一般式(KY−0)で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。

Figure 2011215414
Z 1 , Z 2 , Ta, Tc, L, *, m, q, and r are the same as those in the general formula (bb), and preferable ones are also the same.
The repeating unit (by) can be a repeating unit having a partial structure represented by the general formula (KY-0).
Figure 2011215414

一般式(KY−0)に於いて、
は、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。
In the general formula (KY-0),
R 2 represents an alkylene group or a cycloalkylene group, and when there are a plurality of R 2 groups, they may be the same or different.
R 3 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms on the constituent carbons are substituted with fluorine atoms.

は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR−C(=O)−若しくはR−C(=O)O−で表される基(Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。)を表す。Rが複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のRが結合し、環を形成していても良い。 R 4 is a halogen atom, cyano group, hydroxy group, amide group, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, phenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, or R—C (═O) — or R—C ( = O) A group represented by O- (R represents an alkyl group or a cycloalkyl group). If R 4 is a plurality may be the same or different, and two or more R 4 are attached, may form a ring.

Xは、アルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
X represents an alkylene group, a cycloalkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
Z and Za represent a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and when there are a plurality of them, they may be the same or different.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。
oは、置換基数であって、1〜7の整数を表す。
mは、置換基数であって、0〜7の整数を表す。
nは、繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
* Represents a bond to the main chain or side chain of the resin.
o is the number of substituents and represents an integer of 1 to 7.
m is the number of substituents and represents an integer of 0 to 7.
n represents the number of repetitions and represents an integer of 0 to 5.

−R−Z−の構造として好ましくは、−(CH−COO−で表される構造が好ましい(lは1〜5の整数を表す)。
としてのアルキレン基又はシクロアルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式(bb)のZにおけるアルキレン基又はシクロアルキレン基で説明したものと同様である。
The structure represented by —R 2 —Z— is preferably a structure represented by — (CH 2 ) 1 —COO— (l represents an integer of 1 to 5).
The preferred carbon number range and specific examples of the alkylene group or cycloalkylene group as R 2 are the same as those described for the alkylene group or cycloalkylene group in Z 2 of formula (bb).

としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1〜30、更に好ましくは1〜20であり、分岐状の場合、好ましくは3〜30、更に好ましくは3〜20であり、環状の場合、6〜20である。Rの具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。 The linear, branched or cyclic hydrocarbon group as R 3 has preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and preferably 3 carbon atoms when branched. -30, more preferably 3-20, and in the case of a ring, it is 6-20. Specific examples of R 3 include specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.

及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。 Preferred carbon numbers and specific examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 4 and R are the same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group as Z ka1 described above.

としてのアシル基としては、炭素数1〜6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。 The acyl group as R 4 is preferably one having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, and pivaloyl group.

としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。 Examples of the alkyl moiety in the alkoxy group and alkoxycarbonyl group as R 4 include a linear, branched or cyclic alkyl moiety, and the preferred carbon number of the alkyl moiety and specific examples thereof are those described above for Z ka1. The same as those described in the alkyl group and cycloalkyl group.

Xとしてのアルキレン基又はシクロアルキレン基の好ましい炭素数及びその具体例は、Rとしてのアルキレン基又はシクロアルキレン基について説明したものと同様である。
また、繰り返し単位(by)の具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。

Figure 2011215414
Preferable carbon number of the alkylene group or cycloalkylene group as X and specific examples thereof are the same as those described for the alkylene group or cycloalkylene group as R 2 .
Moreover, the repeating unit which has a partial structure shown below as a specific structure of a repeating unit (by) is mentioned.
Figure 2011215414

一般式(rf−1)及び(rf−2)中、
X´は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。
In general formulas (rf-1) and (rf-2),
X ′ represents an electron-withdrawing substituent, preferably a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group, an alkylene group substituted with a fluorine atom, or a cycloalkylene group substituted with a fluorine atom.

Aは、単結合又は−C(Rx)(Ry)−で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6で、フッ素原子等で置換されていてもよい)、又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜12で、フッ素原子等で置換されていてもよい)を表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。   A represents a single bond or a divalent linking group represented by -C (Rx) (Ry)-. Here, Rx and Ry are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group (preferably having 1 to 6 carbon atoms and optionally substituted with a fluorine atom or the like), or a cycloalkyl group (preferably a carbon atom). And may be substituted with a fluorine atom or the like. Rx and Ry are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkyl group substituted with a fluorine atom.

Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY及びYとしての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。 X represents an electron withdrawing group, and specific examples thereof include the above-mentioned electron withdrawing groups as Y 1 and Y 2 , preferably a fluorinated alkyl group or a fluorinated cycloalkyl group. An aryl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, an aralkyl group substituted with a fluorine or fluorinated alkyl group, a cyano group, or a nitro group.

*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。   * Represents a bond to the main chain or side chain of the resin. That is, it represents a bond that is bonded to the main chain of the resin through a single bond or a linking group.

なお、X´がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。   In addition, when X 'is a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group, A is not a single bond.

極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。   When the polarity conversion group is decomposed by the action of an alkali developer and converted in polarity, the receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development can be lowered. It is preferable from the viewpoint of suppressing development defects that the receding contact angle with water of the film after alkali development is lowered.

アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、温度23±3℃、湿度45±5%において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、さらに好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。   The receding contact angle with water of the resin composition film after alkali development is preferably 50 ° or less, more preferably 40 ° or less, and still more preferably 35 ° at a temperature of 23 ± 3 ° C. and a humidity of 45 ± 5%. Hereinafter, it is most preferably 30 ° or less.

後退接触角とは、液滴−基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。   The receding contact angle is a contact angle measured when the contact line at the droplet-substrate interface recedes, and is useful for simulating the ease of movement of the droplet in a dynamic state. It is generally known. In simple terms, it can be defined as the contact angle when the droplet interface recedes when the droplet discharged from the needle tip is deposited on the substrate and then sucked into the needle again. It can be measured by using a contact angle measuring method generally called an expansion / contraction method.

アルカリ現像後における膜の上記後退接触角は、以下に示す膜について、後掲の実施例に記載の拡張収縮法により測定した場合の接触角である。すなわち、シリコンウエハ(8インチ口径)上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い形成された膜厚98nmの反射防止膜上に、本発明の組成物を塗布し、120℃で60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成する。この膜をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得られる膜についての、拡張収縮法による接触角である。   The receding contact angle of the film after alkali development is a contact angle when the film shown below is measured by the expansion / contraction method described in the examples described later. That is, an organic antireflection film ARC29A (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) is applied on a silicon wafer (8-inch diameter) and baked at 205 ° C. for 60 seconds. The composition is applied and baked at 120 ° C. for 60 seconds to form a film having a thickness of 120 nm. This contact angle is determined by the expansion / contraction method for a film obtained by developing this film with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (2.38 mass%) for 30 seconds, rinsing with pure water, and spin drying.

疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることがさらに好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。   The hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer is preferably 0.001 nm / second or more, more preferably 0.01 nm / second or more, further preferably 0.1 nm / second or more, Most preferably, it is 1 nm / second or more.

ここで疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23℃のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)(2.38質量%)に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。   Here, the hydrolysis rate of the hydrophobic resin with respect to the alkaline developer was 23 ° C. when TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) (2.38 mass%) was used to form the resin film with only the hydrophobic resin. This is the rate at which the film thickness decreases.

また、繰り返し単位(by)は、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。   The repeating unit (by) is more preferably a repeating unit having at least two or more polar conversion groups.

繰り返し単位(by)が少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。

Figure 2011215414
When the repeating unit (by) has at least two polar conversion groups, the repeating unit (by) preferably has a group having a partial structure having two polar conversion groups represented by the following general formula (KY-1). Note that when the structure represented by the general formula (KY-1) does not have a bond, it is a group having a monovalent or higher valent group in which at least one arbitrary hydrogen atom in the structure is removed.
Figure 2011215414

一般式(KY−1)において、
ky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
In general formula (KY-1),
R ky1 and R ky4 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl group Represents. Alternatively, R ky1 and R ky4 may be bonded to the same atom to form a double bond. For example, R ky1 and R ky4 are bonded to the same oxygen atom to form a part of a carbonyl group (═O). May be formed.

ky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。 R ky2 and R ky3 are each independently an electron withdrawing group, or R ky1 and R ky2 are linked to form a lactone ring and R ky3 is an electron withdrawing group. As the lactone ring to be formed, the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1), and preferably a halogen atom or the aforementioned —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3. A halo (cyclo) alkyl group or a haloaryl group represented by the formula: Preferably R ky3 halogen atom, or the -C (R f1) (R f2) is represented by the halo (cyclo) alkyl groups or haloaryl groups -R f3, lactone R ky2 is linked to R ky1 An electron withdrawing group that forms a ring or has no halogen atom.

ky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
ky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。
R ky1 , R ky2 , and R ky4 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.
Specific examples of R ky1 and R ky4 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

ky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY、Yと同様のものが挙げられる。 As the lactone ring formed by linking R ky1 and R ky2 , the structures (KA-1-1) to (KA-1-17) are preferable. Examples of the electron withdrawing group include those similar to Y 1 and Y 2 in the formula (KB-1).

一般式(KY−1)で表される構造としては、下記一般式(KY−2)で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式(KY−2)で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。

Figure 2011215414
The structure represented by the general formula (KY-1) is more preferably a structure represented by the following general formula (KY-2). Note that the structure represented by the general formula (KY-2) is a group having a monovalent or higher group obtained by removing at least one arbitrary hydrogen atom in the structure.
Figure 2011215414

式(KY−2)中、
ky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
In formula (KY-2),
R ky6 to R ky10 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, oxycarbonyl group, ether group, hydroxyl group, cyano group, amide group, or aryl. Represents a group.

ky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。 Two or more of R ky6 to R ky10 may be connected to each other to form a monocyclic or polycyclic structure.

ky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y、Yにおけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。 R ky5 represents an electron withdrawing group. Examples of the electron withdrawing group include the same groups as those described above for Y 1 and Y 2 , and preferably a halogen atom or a halo (cyclo (cyclo) represented by —C (R f1 ) (R f2 ) —R f3. ) An alkyl group or a haloaryl group.

ky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。 Specific examples of R ky5 to R ky10 include the same groups as Z ka1 in formula (KA-1).

式(KY−2)で表される構造は、下記一般式(KY−3)で示す部分構造であることがより好ましい。

Figure 2011215414
The structure represented by the formula (KY-2) is more preferably a partial structure represented by the following general formula (KY-3).
Figure 2011215414

式(KY−3)中、Zka1、nkaは各々前記一般式(KA−1)と同義である。Rky5は前記式(KY−2)と同義である。 In formula (KY-3), Z ka1 and nka have the same meanings as those in formula (KA-1). R ky5 has the same meaning as in formula (KY-2).

kyはアルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがさらに好ましい。 L ky represents an alkylene group, a cycloalkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom. Examples of the alkylene group for L ky include a methylene group and an ethylene group. L ky is preferably an oxygen atom or a methylene group, and more preferably a methylene group.

繰り返し単位(b)は、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素−炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、スチレン系繰り返し単位(α位、β位に置換基を有する系統も含む)、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体(マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等)の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。   The repeating unit (b) is not limited as long as it is a repeating unit obtained by polymerization such as addition polymerization, condensation polymerization, addition condensation, etc., but is a repeating unit obtained by addition polymerization of a carbon-carbon double bond. Preferably there is. Examples include acrylate-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), styrene-based repeating units (including those having substituents at the α-position and β-position), vinyl ether-based repeating units, norbornene-based Repeating units, maleic acid derivatives (maleic anhydride and derivatives thereof, maleimides, etc.), and the like, acrylate-based repeating units, styrene-based repeating units, vinyl ether-based repeating units, norbornene-based repeating units Preferred are acrylate repeat units, vinyl ether repeat units, and norbornene repeat units, with acrylate repeat units being most preferred.

繰り返し単位(by)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(by)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   When the repeating unit (by) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, when the repeating unit (by) corresponds to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (by) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位(by)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜100mol%が好ましく、より好ましくは20〜99mol%、更に好ましくは30〜97mol%、最も好ましくは40〜95mol%である。   The content of the repeating unit (by) in the hydrophobic resin is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 20 to 99 mol%, still more preferably 30 to 97 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. Most preferably, it is 40-95 mol%.

アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位(by)の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、上記樹脂(P)の繰り返し単位(A)及び(C)の具体例として挙げたものも、繰り返し単位(by)の具体例として挙げることができる。
Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。

Figure 2011215414
Specific examples of the repeating unit (by) having a group capable of increasing the solubility in an alkali developer are shown below, but are not limited thereto. Moreover, what was mentioned as a specific example of the repeating unit (A) and (C) of the said resin (P) can also be mentioned as a specific example of a repeating unit (by).
Ra represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)は、樹脂(P)について説明した酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。   In the hydrophobic resin, examples of the repeating unit (bz) having a group (z) that is decomposed by the action of an acid are the same as the repeating unit having an acid-decomposable group described for the resin (P).

繰り返し単位(bz)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合(すなわち、前記繰り返し単位(b’)又は(b”)に相当する場合)、繰り返し単位(bz)におけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式(F2)〜(F4)で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位(by)における珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基を挙げることができる。   In the case where the repeating unit (bz) is a repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom (that is, corresponding to the repeating unit (b ′) or (b ″)), the repeating unit (bz) Examples of the partial structure having a fluorine atom include the same ones as mentioned in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom, and preferably represented by the general formulas (F2) to (F4). In this case, the partial structure having a silicon atom in the repeating unit (by) has the same structure as that described in the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom. Preferably, groups represented by the general formulas (CS-1) to (CS-3) can be exemplified.

疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基(z)を有する繰り返し単位(bz)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜80mol%が好ましく、より好ましくは10〜80mol%、更に好ましくは20〜60mol%である。   In the hydrophobic resin, the content of the repeating unit (bz) having a group (z) that decomposes by the action of an acid is preferably 1 to 80 mol%, more preferably, based on all repeating units in the hydrophobic resin. It is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-60 mol%.

以上、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)について説明したが、疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位(b)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜98mol%が好ましく、より好ましくは3〜98mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   Hereinabove, the repeating unit (b) having at least one group selected from the group consisting of (x) to (z) has been described, but the content of the repeating unit (b) in the hydrophobic resin is hydrophobic. It is preferably 1 to 98 mol%, more preferably 3 to 98 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 95 mol% with respect to all repeating units in the conductive resin.

繰り返し単位(b’)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。   The content of the repeating unit (b ′) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 99 mol%, still more preferably 5 to 97 mol%, and most preferably 10 to 10 mol% with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. 95 mol%.

繰り返し単位(b*)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜90mol%が好ましく、より好ましくは3〜80mol%、更に好ましくは5〜70mol%、最も好ましくは10〜60mol%である。繰り返し単位(b*)と共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜99mol%が好ましく、より好ましくは20〜97mol%、更に好ましくは30〜95mol%、最も好ましくは40〜90mol%である。   The content of the repeating unit (b *) is preferably 1 to 90 mol%, more preferably 3 to 80 mol%, still more preferably 5 to 70 mol%, and most preferably 10 to 10 mol% with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. 60 mol%. The content of the repeating unit having at least one of a fluorine atom and a silicon atom used together with the repeating unit (b *) is preferably 10 to 99 mol%, more preferably 20 with respect to all repeating units in the hydrophobic resin. It is -97 mol%, More preferably, it is 30-95 mol%, Most preferably, it is 40-90 mol%.

繰り返し単位(b”)の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1〜100mol%が好ましく、より好ましくは3〜99mol%、更に好ましくは5〜97mol%、最も好ましくは10〜95mol%である。
疎水性樹脂は、更に、下記一般式(III)で表される繰り返し単位を有していてもよい。

Figure 2011215414
The content of the repeating unit (b ″) is preferably from 1 to 100 mol%, more preferably from 3 to 99 mol%, still more preferably from 5 to 97 mol%, and most preferably from 10 to 100 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. 95 mol%.
The hydrophobic resin may further have a repeating unit represented by the following general formula (III).
Figure 2011215414

一般式(III)に於いて、
c31は、水素原子、アルキル基、又はフッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は−CH−O−Rac基を表す。式中、Racは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (III):
R c31 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an alkyl group optionally substituted with fluorine, a cyano group, or a —CH 2 —O—Rac 2 group. In the formula, Rac 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. R c31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

c32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。 R c32 represents a group having an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group or an aryl group. These groups may be substituted with a fluorine atom, a group containing a silicon atom, or the like.

c3は、単結合又は2価の連結基を表す。 L c3 represents a single bond or a divalent linking group.

一般式(III)に於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3〜20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。 In general formula (III), the alkyl group represented by R c32 is preferably a linear or branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms.

シクロアルキル基は、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましい。   The cycloalkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms.

アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。   The alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.

シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。   The cycloalkenyl group is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 20 carbon atoms.

アリール基は、炭素数6〜20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。   The aryl group is preferably a phenyl group or naphthyl group having 6 to 20 carbon atoms, and these may have a substituent.

c32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。 R c32 is preferably an unsubstituted alkyl group or an alkyl group substituted with a fluorine atom.

c3の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。 The divalent linking group of L c3 is preferably an alkylene group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an oxy group, a phenylene group, or an ester bond (a group represented by —COO—).

疎水性樹脂は、更に、下記一般式(BII−AB)で表される繰り返し単位を有することも好ましい。

Figure 2011215414
It is also preferable that the hydrophobic resin further has a repeating unit represented by the following general formula (BII-AB).
Figure 2011215414

式(BII−AB)中、
c11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zc’は、結合した2つの炭素原子(C−C)と共に脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (BII-AB),
R c11 ′ and R c12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom or an alkyl group.
Zc ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure with two bonded carbon atoms (C—C).

一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。   When each group in the repeating unit represented by the general formula (III) or (BII-AB) is substituted with a group containing a fluorine atom or a silicon atom, the repeating unit includes at least the fluorine atom and the silicon atom. It corresponds also to the repeating unit which has either.

以下に一般式(III)、(BII−AB)で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、CF又はCNを表す。なお、RaがCFである場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。

Figure 2011215414
Specific examples of the repeating unit represented by the general formulas (III) and (BII-AB) are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, CF 3 or CN. Note that the repeating unit in the case where Ra is CF 3 also corresponds to the repeating unit having at least one of the fluorine atom and the silicon atom.
Figure 2011215414

疎水性樹脂は、樹脂(P)と同様に、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0〜10質量%であることが好ましく、より好ましくは0〜5質量%、0〜1質量%が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のない組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布(Mw/Mn、分散度ともいう)は、1〜3の範囲が好ましく、より好ましくは1〜2、さらに好ましくは1〜1.8、最も好ましくは1〜1.5の範囲である。   As in the case of the resin (P), the hydrophobic resin is naturally low in impurities such as metals, and the residual monomer or oligomer component is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 0 to 0% by mass. 5 mass% and 0-1 mass% are still more preferable. Thereby, a composition having no change over time such as foreign matter in liquid or sensitivity can be obtained. The molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2, and still more preferably from the viewpoints of resolution, resist shape, resist pattern sidewall, roughness, and the like. It is in the range of 1 to 1.8, most preferably 1 to 1.5.

疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することもできる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。   As the hydrophobic resin, various commercially available products can be used, or they can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and heating is performed, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours. The dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable.

反応溶媒、重合開始剤、反応条件(温度、濃度等)、及び、反応後の精製方法は、樹脂(P)について説明した内容と同様である。   The reaction solvent, polymerization initiator, reaction conditions (temperature, concentration, etc.) and the purification method after the reaction are the same as those described for the resin (P).

以下に疎水性樹脂の具体例を示す。また、後掲の表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比(各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量、分散度を示す。

Figure 2011215414
Specific examples of the hydrophobic resin are shown below. The table below shows the molar ratio of repeating units in each resin (corresponding to each repeating unit in order from the left), weight average molecular weight, and degree of dispersion.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性樹脂を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対する該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is formed from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition by containing a hydrophobic resin containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. When the hydrophobic resin is unevenly distributed on the surface layer of the formed film and the immersion medium is water, the receding contact angle of the film surface with respect to water can be improved, and the immersion water followability can be improved.

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3℃、湿度45±5%において60°〜90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。   After baking the coating film comprising the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention and before exposure, the receding contact angle of the film is the temperature at the time of exposure, usually room temperature 23 ± 3 ° C., humidity 45 ± 5%. 60 ° to 90 °, more preferably 65 ° or more, still more preferably 70 ° or more, and particularly preferably 75 ° or more.

疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。   The hydrophobic resin is unevenly distributed at the interface as described above, but unlike the surfactant, it does not necessarily have a hydrophilic group in the molecule and contributes to uniform mixing of polar / nonpolar substances. It is not necessary.

液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於ける組成物膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能が求められている。   In the immersion exposure process, the immersion head needs to move on the wafer following the movement of the exposure head to scan the wafer at high speed to form the exposure pattern. In this case, the contact angle of the immersion liquid with the composition film is important, and there is a demand for the capability of following the high-speed scanning of the exposure head without remaining droplets.

疎水性樹脂は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣(スカム)、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣(スカム)、BLO欠陥性能が改善される。   Hydrophobic resins are hydrophobic, so that development residues (scum) and BLOB defects are likely to deteriorate after alkali development, but they have three or more polymer chains via at least one branch, compared to linear resins. Further, since the alkali dissolution rate is improved, development residue (scum) and BLO defect performance are improved.

疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、疎水性樹脂の分子量に対し、5〜80質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10〜100質量%であることが好ましく、30〜100質量%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin has a fluorine atom, the fluorine atom content is preferably 5 to 80% by mass and more preferably 10 to 80% by mass with respect to the molecular weight of the hydrophobic resin. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a fluorine atom is 10-100 mass% with respect to all the repeating units in hydrophobic resin, and it is more preferable that it is 30-100 mass%.

疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、疎水性樹脂の分子量に対し、2〜50質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、10〜90質量%であることが好ましく、20〜80質量%であることがより好ましい。   When the hydrophobic resin has silicon atoms, the content of silicon atoms is preferably 2 to 50% by mass and more preferably 2 to 30% by mass with respect to the molecular weight of the hydrophobic resin. Moreover, it is preferable that the repeating unit containing a silicon atom is 10-90 mass% with respect to all the repeating units of hydrophobic resin, and it is more preferable that it is 20-80 mass%.

疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000〜100,000、より好ましくは2,000〜50,000、更に好ましくは3,000〜30,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(キャリア:テトラヒドロフラン(THF))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。   The weight average molecular weight of the hydrophobic resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000, and still more preferably 3,000 to 30,000. Here, the weight average molecular weight of the resin indicates a molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (carrier: tetrahydrofuran (THF)).

疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の疎水性樹脂の含有率は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01〜20質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、更に好ましくは0.1〜10質量%であり、特に好ましくは0.5〜8質量%である。
Hydrophobic resins can be used alone or in combination of two or more.
The content of the hydrophobic resin in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition can be appropriately adjusted and used so that the receding contact angle of the actinic ray or radiation-sensitive resin film falls within the above range. Is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, still more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total solid content of the light-sensitive or radiation-sensitive resin composition. And particularly preferably 0.5 to 8% by mass.

[6]その他の成分
本発明に係る組成物は、塩基性化合物、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物、界面活性剤、カルボン酸オニウム塩、溶解阻止化合物、及び/又は、その他の添加剤を更に含んでいてもよい。
[6] Other components The composition according to the present invention includes a basic compound, a low molecular compound having a nitrogen atom and a group capable of leaving by the action of an acid, a surfactant, a carboxylic acid onium salt, and a dissolution inhibiting compound. And / or other additives may be further included.

(塩基性化合物)
本発明に係る組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式(A)〜(E)により表される構造を有する化合物が挙げられる。

Figure 2011215414
(Basic compound)
The composition according to the present invention may further contain a basic compound. Preferred examples of the basic compound include compounds having structures represented by the following formulas (A) to (E).
Figure 2011215414

一般式(A)及び(E)中、
200、R201及びR202は、各々独立に、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)、又はアリール基(炭素数6〜20)を表す。R201とR202とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
203、R204、R205及びR206は、各々独立に、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
In general formulas (A) and (E),
R 200 , R 201 and R 202 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms), a cycloalkyl group (preferably having 3 to 20 carbon atoms), or an aryl group (having 6 to 6 carbon atoms). 20). R 201 and R 202 may be bonded to each other to form a ring.
R 203 , R 204 , R 205 and R 206 each independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1〜20のシアノアルキル基が好ましい。これらアルキル基は、無置換であることがより好ましい。   About the said alkyl group, as an alkyl group which has a substituent, a C1-C20 aminoalkyl group, a C1-C20 hydroxyalkyl group, or a C1-C20 cyanoalkyl group is preferable. These alkyl groups are more preferably unsubstituted.

好ましい塩基性化合物としては、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン及びピペリジンが挙げられる。更に好ましい塩基性化合物としては、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、並びに水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体が挙げられる。   Preferred basic compounds include guanidine, aminopyrrolidine, pyrazole, pyrazoline, piperazine, aminomorpholine, aminoalkylmorpholine and piperidine. More preferable basic compounds include an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, a trialkylamine structure, an aniline structure or a pyridine structure, an alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond, And aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond.

イミダゾール構造を有する化合物としては、例えば、イミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール及び2−フェニルベンゾイミダゾールが挙げられる。   Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole, and 2-phenylbenzimidazole.

ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、例えば、1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ−5−エン及び1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7−エンが挙げられる。   Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] non-5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5, 4,0] Undecar 7-ene.

オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、例えば、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド及び2−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシドが挙げられる。より具体的には、トリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド及び2−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドが挙げられる。   Examples of the compound having an onium hydroxide structure include tetrabutylammonium hydroxide, triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, and sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group. More specifically, triphenylsulfonium hydroxide, tris (t-butylphenyl) sulfonium hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide and 2-oxopropylthiophenium hydroxy Do.

オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、例えば、アニオンとしてカルボキシレートを備えたオニウムヒドロキシド構造を有する化合物が挙げられる。このカルボキシレートとしては、例えば、アセテート、アダマンタン−1−カルボキシレート及びパーフロロアルキルカルボキシレートが挙げられる。   Examples of the compound having an onium carboxylate structure include a compound having an onium hydroxide structure having a carboxylate as an anion. Examples of the carboxylate include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkylcarboxylate.

トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、例えば、トリ(n−ブチル)アミン及びトリ(n−オクチル)アミンが挙げられる。
アニリン化合物としては、2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジブチルアニリン、及びN,N−ジヘキシルアニリンが挙げられる。
Examples of the compound having a trialkylamine structure include tri (n-butyl) amine and tri (n-octyl) amine.
Examples of aniline compounds include 2,6-diisopropylaniline, N, N-dimethylaniline, N, N-dibutylaniline, and N, N-dihexylaniline.

水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、及びトリス(メトキシエトキシエチル)アミンが挙げられる。
水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、例えば、N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アニリンが挙げられる。
Examples of the alkylamine derivative having a hydroxyl group and / or an ether bond include ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-phenyldiethanolamine, and tris (methoxyethoxyethyl) amine.
Examples of aniline derivatives having a hydroxyl group and / or an ether bond include N, N-bis (hydroxyethyl) aniline.

好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物が挙げられる。   Preferred examples of the basic compound further include an amine compound having a phenoxy group, an ammonium salt compound having a phenoxy group, an amine compound having a sulfonic acid ester group, and an ammonium salt compound having a sulfonic acid ester group.

これら化合物では、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、このアルキル基の鎖中に酸素原子が含まれ、オキシアルキレン基が形成されていることがより好ましい。このオキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上であることが好ましく、3〜9個であることがより好ましく、4〜6個であることが更に好ましい。これらオキシアルキレン基のうち、−CHCHO−、−CH(CH)CHO−又は−CHCHCHO−により表される基が特に好ましい。 In these compounds, it is preferable that at least one alkyl group is bonded to a nitrogen atom. Further, it is more preferable that an oxygen atom is contained in the chain of the alkyl group to form an oxyalkylene group. The number of oxyalkylene groups is preferably one or more in the molecule, more preferably 3 to 9, and still more preferably 4 to 6. Of these oxyalkylene groups, -CH 2 CH 2 O -, - CH (CH 3) CH 2 O- or -CH 2 CH 2 CH 2 O- by a group represented are especially preferred.

これら化合物の具体例としては、例えば、US2007/0224539Aの[0066]に例示されている化合物(C1-1)〜(C3-3)が挙げられる。
塩基性化合物の合計の含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.001〜10質量%であり、より好ましくは0.01〜5質量%である。
Specific examples of these compounds include compounds (C1-1) to (C3-3) exemplified in [0066] of US2007 / 0224539A.
The total content of the basic compounds is preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, based on the total solid content of the composition.

酸発生剤の合計量の塩基性化合物の合計量に対するモル比は、好ましくは2.5〜300であり、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。このモル比を過度に小さくすると、感度及び/又は解像度が低下する可能性がある。このモル比を過度に大きくすると、露光と加熱(ポストベーク)との間において、パターンの太りが生ずる場合がある。   The molar ratio of the total amount of the acid generator to the total amount of the basic compound is preferably 2.5 to 300, more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150. If this molar ratio is too small, sensitivity and / or resolution may be reduced. If this molar ratio is excessively large, pattern thickening may occur between exposure and heating (post-bake).

(窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物)
本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(以下において、「低分子化合物(D)」又は「化合物(D)」ともいう)を含有することができる。
(Low molecular compound having a nitrogen atom and a group capable of leaving by the action of an acid)
The composition of the present invention contains a low molecular compound (hereinafter, also referred to as “low molecular compound (D)” or “compound (D)”) having a nitrogen atom and a group capable of leaving by the action of an acid. can do.

酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。   The group capable of leaving by the action of an acid is not particularly limited, but is preferably an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, or a hemiaminal ether group, and a carbamate group or a hemiaminal ether group. It is particularly preferred.

酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(D)の分子量は、100〜1000が好ましく、100〜700がより好ましく、100〜500が特に好ましい。
化合物(D)としては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。
化合物(D)は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式(d−1)で表すことができる。

Figure 2011215414
The molecular weight of the low molecular weight compound (D) having a group capable of leaving by the action of an acid is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, and particularly preferably 100 to 500.
As the compound (D), an amine derivative having a group capable of leaving by the action of an acid on the nitrogen atom is preferable.
Compound (D) may have a carbamate group having a protecting group on the nitrogen atom. The protecting group constituting the carbamate group can be represented by the following general formula (d-1).
Figure 2011215414

一般式(d−1)において、
R’は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は相互に結合して環を形成していても良い。
R’として好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。
In general formula (d-1),
R ′ each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. R ′ may be bonded to each other to form a ring.
R ′ is preferably a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. More preferably, it is a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group.

このような基の具体的な構造を以下に示す。

Figure 2011215414
The specific structure of such a group is shown below.
Figure 2011215414

化合物(D)は、後述する塩基性化合物と一般式(d−1)で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。
化合物(D)は、下記一般式(A)で表される構造を有するものであることが特に好ましい。
なお、化合物(D)は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。

Figure 2011215414
A compound (D) can also be comprised by combining arbitrarily the structure represented by the basic compound and general formula (d-1) which are mentioned later.
The compound (D) particularly preferably has a structure represented by the following general formula (A).
The compound (D) may correspond to the basic compound as long as it is a low molecular compound having a group capable of leaving by the action of an acid.
Figure 2011215414

一般式(A)において、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)若しくはその誘導体を形成していてもよい。   In the general formula (A), Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras are bonded to each other to form a divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms) or a derivative thereof. May be formed.

Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、−C(Rb)(Rb)(Rb)において、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1−アルコキシアルキル基又はアリール基である。
少なくとも2つのRbが結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3である。
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, or an alkoxyalkyl group. However, in -C (Rb) (Rb) (Rb), when one or more Rb is a hydrogen atom, at least one of the remaining Rb is a cyclopropyl group, a 1-alkoxyalkyl group or an aryl group.
At least two Rb may be bonded to form an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group or a derivative thereof.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and n + m = 3.

一般式(A)において、RaおよびRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。   In general formula (A), the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group represented by Ra and Rb are functional groups such as hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group and oxo group. , An alkoxy group and a halogen atom may be substituted. The same applies to the alkoxyalkyl group represented by Rb.

前記Ra及び/又はRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい)としては、
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group of Ra and / or Rb (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group are substituted with the above functional group, alkoxy group, or halogen atom). As may be)
For example, a group derived from a linear or branched alkane such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, etc., a group derived from these alkanes, for example, A group substituted with one or more cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group,
Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, noradamantane, groups derived from these cycloalkanes, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, a group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like,
Groups derived from aromatic compounds such as benzene, naphthalene, anthracene, etc., and groups derived from these aromatic compounds are, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2 A group substituted with one or more linear or branched alkyl groups such as -methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, and the like;
Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indoline, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched A group substituted with one or more groups derived from an alkyl group or aromatic compound, a group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a phenyl group, a naphthyl group , A group substituted with one or more groups derived from an aromatic compound such as anthracenyl group or the like, or the above substituent is a hydroxyl group, cyano group, amino group, pyrrolidino group, piperidino group, morpholino group, oxo And a group substituted with a functional group such as a group.

また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数1〜20)若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、1,2,3,6−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5−アザベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1,4,7−トリアザシクロノナン、テトラゾール、7−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2−a]ピリジン、(1S,4S)−(+)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デック−5−エン、インドール、インドリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。   Examples of the divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 1 to 20 carbon atoms) or a derivative thereof formed by bonding of Ra to each other include, for example, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1, 4, 5 , 6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzotriazole, 1H-1, 2,3-triazole, 1,4,7-triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine, (1S, 4S)-(+)-2 , 5-diazabicyclo [2.2.1] heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene Groups derived from heterocyclic compounds such as indole, indoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, 1,5,9-triazacyclododecane, groups derived from these heterocyclic compounds A group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a group derived from an aromatic compound, a group derived from a heterocyclic compound, a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino And groups substituted with one or more functional groups such as a group, a morpholino group and an oxo group.

本発明における特に好ましい化合物(D)を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 2011215414
A particularly preferred compound (D) in the present invention is specifically shown, but the present invention is not limited thereto.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

一般式(A)で表される化合物は市販のアミンから、Protective Groups in Organic Synthesis 第四版等に記載の方法で簡便に合成できる。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対してニ炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中Xはハロゲン原子を表す。また、Ra、Rbの定義及び具体例は、上記一般式(A)で記載したものと同様である。

Figure 2011215414
The compound represented by the general formula (A) can be easily synthesized from a commercially available amine by a method described in Protective Groups in Organic Synthesis Fourth Edition. As the most general method, there is a method obtained by reacting a dicarbonate or haloformate with a commercially available amine. In the formula, X represents a halogen atom. The definition and specific examples of Ra and Rb are the same as those described in the general formula (A).
Figure 2011215414

本発明において、(D)窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。   In the present invention, (D) the low molecular weight compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid can be used singly or in combination of two or more.

本発明の組成物は、(D)窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物(D)の含有率は、下記塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001〜20質量%、好ましくは0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%である。   The composition of the present invention may or may not contain (D) a low molecular compound having a nitrogen atom and having a group capable of leaving by the action of an acid. The rate is usually 0.001 to 20% by mass, preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, based on the total solid content of the composition combined with the following basic compound. It is.

酸発生剤と化合物(D)の組成物中の使用割合は、酸発生剤/[化合物(D)+上記塩基性化合物](モル比)=2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/[化合物(D)+上記塩基性化合物](モル比)は、より好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。   The ratio of the acid generator and the compound (D) used in the composition is preferably acid generator / [compound (D) + the above basic compound] (molar ratio) = 2.5 to 300. In other words, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoint of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to the thickening of the resist pattern over time until post-exposure heat treatment. The acid generator / [compound (D) + basic compound] (molar ratio) is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.

(界面活性剤)
本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が250nm以下、特には220nm以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。
(Surfactant)
The composition according to the present invention may further contain a surfactant. By containing a surfactant, when an exposure light source having a wavelength of 250 nm or less, particularly 220 nm or less, is used, it is possible to form a pattern with less adhesion and development defects with good sensitivity and resolution. Become.

界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。
フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップEF301若しくはEF303(新秋田化成(株)製);フロラードFC430、431若しくは4430(住友スリーエム(株)製);メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120若しくはR08(大日本インキ化学工業(株)製);サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105若しくは106(旭硝子(株)製);トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製);GF−300若しくはGF−150(東亜合成化学(株)製)、サーフロンS−393(セイミケミカル(株)製);エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802若しくはEF601((株)ジェムコ製);PF636、PF656、PF6320若しくはPF6520(OMNOVA社製);又は、FTX−204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D若しくは222D((株)ネオス製)を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。
As the surfactant, it is particularly preferable to use a fluorine-based and / or silicon-based surfactant.
Examples of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include surfactants described in [0276] of US Patent Application Publication No. 2008/0248425. Also, F-top EF301 or EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.); Florard FC430, 431 or 4430 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.); Megafac F171, F173, F176, F189, F113, F110, F177, F120 or R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.); Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105 or 106 (Asahi Glass Co., Ltd.); Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.); GF-300 or GF-150 (manufactured by Toa Gosei Chemical Co., Ltd.), Surflon S-393 (manufactured by Seimi Chemical Co., Ltd.); F-top EF121, EF122A, EF122B, RF122C, EF125M, EF135M, EF351, EF352, EF801, EF802 or F601 (manufactured by Gemco); PF636, PF656, PF6320 or PF6520 (manufactured by OMNOVA); or FTX-204G, 208G, 218G, 230G, 204D, 208D, 212D, 218D or 222D (manufactured by Neos) May be used. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)又はオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することができる。   In addition to known surfactants as described above, the surfactant is a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also referred to as a telomer method) or an oligomerization method (also referred to as an oligomer method). You may synthesize. Specifically, a polymer having a fluoroaliphatic group derived from this fluoroaliphatic compound may be used as a surfactant. This fluoroaliphatic compound can be synthesized, for example, by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート若しくはメタクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。   The polymer having a fluoroaliphatic group is preferably a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate or methacrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate. Even if it distributes, block copolymerization may be sufficient.

ポリ(オキシアルキレン)基としては、例えば、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基及びポリ(オキシブチレン)基が挙げられる。また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)及びポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)等の、同じ鎖内に異なる鎖長のアルキレンを有するユニットであってもよい。   Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, and a poly (oxybutylene) group. In addition, units having different chain length alkylene in the same chain, such as poly (block connection body of oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene) and poly (block connection body of oxyethylene and oxypropylene) Also good.

さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体は、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマー及び異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート若しくはメタクリレート等を同時に共重合してなる3元系以上の共重合体であってもよい。   Further, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate or methacrylate has a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups and two or more different (poly (oxyalkylene). )) It may be a ternary or higher copolymer obtained by copolymerizing acrylate or methacrylate simultaneously.

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476及びF−472(大日本インキ化学工業(株)製)が挙げられる。さらに、C613基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C613基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと(ポリ(オキシエチレン))アクリレート若しくはメタクリレートと(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C817基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、及び、C817基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと(ポリ(オキシエチレン))アクリレート若しくはメタクリレートと(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体等が挙げられる。 For example, Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476 and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) are mentioned as commercially available surfactants. Further, a copolymer of an acrylate or methacrylate having a C 6 F 13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate or methacrylate, an acrylate or methacrylate having a C 6 F 13 group and (poly (oxyethylene)) acrylate or methacrylate And a copolymer of (poly (oxypropylene)) acrylate or methacrylate, a copolymer of an acrylate or methacrylate having a C 8 F 17 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate or methacrylate, and C 8 F 17 And a copolymer of an acrylate or methacrylate having a group and (poly (oxyethylene)) acrylate or methacrylate and (poly (oxypropylene)) acrylate or methacrylate. That.

また、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載されているフッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。   Further, surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants described in [0280] of US Patent Application Publication No. 2008/0248425 may be used.

これら界面活性剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に係る組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0〜2質量%、より好ましくは0.0001〜2質量%、更に好ましくは0.0005〜1質量%である。
One of these surfactants may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
When the composition according to the present invention contains a surfactant, the content is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0.0001 to 2% by mass, based on the total solid content of the composition. More preferably, it is 0.0005-1 mass%.

(カルボン酸オニウム塩)
本発明に係る組成物は、カルボン酸オニウム塩を更に含んでいてもよい。カルボン酸オニウム塩を含有させると、波長が220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度及び解像力が更に向上し、疎密依存性及び露光マージンが更に改良される。
(Carboxylic acid onium salt)
The composition according to the present invention may further contain a carboxylic acid onium salt. When carboxylic acid onium salt is contained, transparency to light having a wavelength of 220 nm or less is ensured, sensitivity and resolution are further improved, and density dependency and exposure margin are further improved.

カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩又はスルホニウム塩が好ましい。そのアニオンとしては、例えば、炭素数1〜30の直鎖若しくは分岐鎖アルキル又は単環式若しくは多環式シクロアルキルカルボン酸アニオンを用いることが好ましい。特には、これらアルキル基又はシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたカルボン酸アニオン(以下、フッ素置換カルボン酸アニオンともいう)が好ましい。なお、アルキル又はシクロアルキル鎖中に、酸素原子を含んでいてもよい。   As the carboxylic acid onium salt, an iodonium salt or a sulfonium salt is preferable. As the anion, for example, a linear or branched alkyl having 1 to 30 carbon atoms or a monocyclic or polycyclic cycloalkylcarboxylic acid anion is preferably used. In particular, a carboxylate anion in which some or all of the hydrogen atoms of these alkyl groups or cycloalkyl groups are substituted with fluorine atoms (hereinafter also referred to as fluorine-substituted carboxylate anions) is preferable. Note that an oxygen atom may be contained in the alkyl or cycloalkyl chain.

フッ素置換カルボン酸アニオンとしては、例えば、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、及び2,2−ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオンが挙げられる。   Examples of the fluorine-substituted carboxylate anion include fluoroacetic acid, difluoroacetic acid, trifluoroacetic acid, pentafluoropropionic acid, heptafluorobutyric acid, nonafluoropentanoic acid, perfluorododecanoic acid, perfluorotridecanoic acid, perfluorocyclohexanecarboxylic acid, and 2 , 2-bistrifluoromethylpropionic acid anion.

本発明に係る組成物がカルボン酸オニウム塩を含んでいる場合、その含有率は、組成物の全固形分を基準として、一般的には0.1〜20質量%であり、好ましくは0.5〜10質量%であり、より好ましくは1〜7質量%である。   When the composition according to the present invention contains a carboxylic acid onium salt, the content thereof is generally 0.1 to 20% by mass, preferably 0.8%, based on the total solid content of the composition. It is 5-10 mass%, More preferably, it is 1-7 mass%.

(溶解阻止化合物)
本発明に係る組成物は、溶解阻止化合物を更に含んでいてもよい。ここで「溶解阻止化合物」とは、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の化合物である。
(Dissolution inhibitor compound)
The composition according to the present invention may further contain a dissolution inhibiting compound. Here, the “dissolution inhibiting compound” is a compound having a molecular weight of 3000 or less, which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer.

この溶解阻止化合物としては、波長が220nm以下の光に対する透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996) に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体等の、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。この酸分解性基及び脂環構造としては、例えば、先に説明したのと同様のものが挙げられる。   As this dissolution inhibiting compound, since it does not decrease the transmittance for light having a wavelength of 220 nm or less, acid decomposition such as a cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996) An alicyclic or aliphatic compound containing a functional group is preferred. Examples of the acid-decomposable group and the alicyclic structure include the same ones as described above.

なお、本発明に係る組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか又は電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としては、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含んだ化合物が好ましい。フェノール化合物としては、フェノール骨格を1〜9個含有するものが好ましく、2〜6個含有するものが更に好ましい。   When the composition according to the present invention is exposed with a KrF excimer laser or irradiated with an electron beam, the dissolution inhibiting compound is a compound containing a structure in which the phenolic hydroxyl group of the phenol compound is substituted with an acid-decomposable group. Is preferred. As a phenol compound, what contains 1-9 phenol frame | skeleton is preferable, and what contains 2-6 pieces is still more preferable.

本発明に係る組成物が溶解阻止化合物を含んでいる場合、その含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは3〜50質量%であり、より好ましくは5〜40質量%である。   When the composition according to the present invention contains a dissolution inhibiting compound, the content is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on the total solid content of the composition. is there.

以下に、溶解阻止化合物の具体例を挙げる。

Figure 2011215414
Specific examples of the dissolution inhibiting compound are given below.
Figure 2011215414

(その他の添加剤)
本発明に係る組成物は、必要に応じて、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び/又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、又はカルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物)を更に含んでいてもよい。
(Other additives)
If necessary, the composition according to the present invention contains a dye, a plasticizer, a photosensitizer, a light absorber, and / or a compound that promotes solubility in a developer (for example, a phenol compound having a molecular weight of 1000 or less, or An alicyclic or aliphatic compound containing a carboxy group may further be included.

分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開平2−28531号、米国特許第4,916,210号、及び欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、容易に合成することができる。   For example, phenol compounds having a molecular weight of 1000 or less can be easily obtained with reference to the methods described in JP-A-4-1222938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, European Patent 219294, and the like. Can be synthesized.

カルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物としては、例えば、コール酸、デオキシコール酸及びリトコール酸等のステロイド構造を含んだカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、並びにシクロヘキサンジカルボン酸が挙げられる。   Examples of alicyclic or aliphatic compounds containing a carboxy group include carboxylic acid derivatives containing a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid and lithocholic acid, adamantane carboxylic acid derivatives, adamantane dicarboxylic acid, cyclohexane carboxylic acid, And cyclohexanedicarboxylic acid.

<パターン形成方法>
本発明に係る組成物を用いて膜を形成する場合、この膜の膜厚は、30〜250nmであることが好ましく、30〜200nmであることがより好ましい。こうすると、解像度を更に向上させることが可能となる。このような膜厚を有した膜は、組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定することにより粘度を調節し、塗布性及び製膜性を向上させることによって形成可能である。
<Pattern formation method>
When forming a film | membrane using the composition which concerns on this invention, it is preferable that the film thickness of this film | membrane is 30-250 nm, and it is more preferable that it is 30-200 nm. In this way, the resolution can be further improved. A film having such a film thickness can be formed by adjusting the viscosity by setting the solid content concentration in the composition to an appropriate range and improving the coating property and film forming property.

組成物中の全固形分濃度は、3.5〜8質量%が好ましく、3.5〜5質量%がより好ましい。   The total solid content concentration in the composition is preferably 3.5 to 8% by mass, and more preferably 3.5 to 5% by mass.

本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いる。即ち、上記の各成分を、所定の溶剤(好ましくは上記の混合溶剤)に溶解させ、得られた溶液をフィルター濾過した後、所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは、0.1μm以下であり、より好ましくは0.05μm以下であり、更に好ましくは0.03μm以下である。このフィルターは、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製又はナイロン製であることが好ましい。   The composition according to the present invention is typically used as follows. That is, each of the above components is dissolved in a predetermined solvent (preferably the above mixed solvent), and the obtained solution is filtered and applied onto a predetermined support. The pore size of the filter used for filter filtration is 0.1 μm or less, more preferably 0.05 μm or less, and still more preferably 0.03 μm or less. This filter is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon.

この組成物は、例えば、精密集積回路素子の製造等に使用される基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など)上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜(以下、感光性膜ともいう)を形成する。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。   This composition is applied to a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride and chromium-deposited quartz substrate, etc.) used for the manufacture of precision integrated circuit elements using a spinner and a coater. Is done. Thereafter, this is dried to form an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film (hereinafter also referred to as a photosensitive film). In addition, a known antireflection film can be applied in advance.

次いで、上記の感光性膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行った後、現像する。ベークを行うことにより、更に良好なパターンを得ることが可能となる。   Next, the photosensitive film is irradiated with actinic rays or radiation, preferably baked (heated), and then developed. By performing baking, a more favorable pattern can be obtained.

活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外(EUV)光、X線及び電子線が挙げられる。これらのうち、波長が好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1〜200nmである遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、Fエキシマレーザー(157nm)、EUV光(13nm)、X線又は電子ビームが好ましい。特には、ArFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV光、又は電子ビームが好ましい。 Examples of the actinic ray or radiation include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, extreme ultraviolet (EUV) light, X-rays, and electron beams. Among these, far ultraviolet light having a wavelength of preferably 250 nm or less, more preferably 220 nm or less, particularly preferably 1 to 200 nm, specifically, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 Excimer laser (157 nm), EUV light (13 nm), X-ray or electron beam is preferred. In particular, an ArF excimer laser, an F 2 excimer laser, EUV light, or an electron beam is preferable.

上記の反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。   As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。即ち、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体を満たした状態で、活性光線又は放射線の照射を行ってもよい。これにより、解像性を更に高めることが可能となる。   Liquid immersion exposure may be performed on the film formed using the composition according to the present invention. That is, irradiation with actinic rays or radiation may be performed in a state where a liquid having a higher refractive index than air is filled between the film and the lens. Thereby, it becomes possible to further improve the resolution.

液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。
液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ組成物膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましい。特に、露光光源がArFエキシマレーザー(波長;193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ及び取り扱いのし易さといった点から、水を用いるのが好ましい。
また、更なる短波長化を図るべく、屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液であってもよく、有機溶剤であってもよい。
The immersion liquid used for the immersion exposure will be described below.
The immersion liquid is preferably a liquid that is transparent to the exposure wavelength and has the smallest possible temperature coefficient of refractive index so as to minimize distortion of the optical image projected onto the composition film. In particular, when the exposure light source is an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), it is preferable to use water from the viewpoints of availability and ease of handling in addition to the above-described viewpoints.
In addition, a medium having a refractive index of 1.5 or more can be used in order to further shorten the wavelength. This medium may be an aqueous solution or an organic solvent.

液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上の組成物層を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤(液体)を僅かな割合で添加してもよい。   When water is used as the immersion liquid, the surface tension of the water is decreased and the surface activity is increased, so that the composition layer on the wafer is not dissolved and the influence on the optical coating on the lower surface of the lens element is ignored. A possible additive (liquid) may be added in a small proportion.

その添加剤としては、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的には、メチルアルコール、エチルアルコール及びイソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、組成物上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。   The additive is preferably an aliphatic alcohol having a refractive index substantially equal to that of water, and specific examples include methyl alcohol, ethyl alcohol, and isopropyl alcohol. By adding an alcohol having a refractive index substantially equal to that of water, even if the alcohol component in water evaporates and the concentration of the content changes, the refractive index change of the entire liquid can be made extremely small. On the other hand, when an opaque substance or an impurity having a refractive index significantly different from that of water is mixed with 193 nm light, the optical image projected on the composition is distorted. Therefore, distilled water is preferable as the water to be used. . Further, pure water filtered through an ion exchange filter or the like may be used.

液浸液として用いる水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理がされていることが望ましい。   The electrical resistance of the water used as the immersion liquid is preferably 18.3 MQcm or more, the TOC (organic substance concentration) is preferably 20 ppb or less, and it is desirable that deaeration treatment is performed.

また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を向上させるための添加剤を水に加えてもよく、水の代わりに重水(DO)を用いてもよい。 Moreover, it is possible to improve lithography performance by increasing the refractive index of the immersion liquid. From such a viewpoint, an additive for improving the refractive index may be added to water, and heavy water (D 2 O) may be used instead of water.

組成物膜と液浸液との間には、組成物膜と液浸液との接触を避けるために、液浸液難溶性膜(以下、「トップコート」ともいう)を設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、組成物層上への塗布適正、放射線、特には193nmの波長を有した放射線に対する透明性、及び液浸液難溶性が挙げられる。トップコートとしては、組成物と混合せず、組成物層上に均一に塗布できるものを用いることが好ましい。   In order to avoid contact between the composition film and the immersion liquid, an immersion liquid poorly soluble film (hereinafter also referred to as “top coat”) may be provided between the composition film and the immersion liquid. Functions necessary for the top coat include suitability for application on the composition layer, transparency to radiation, particularly radiation having a wavelength of 193 nm, and poor immersion liquid solubility. As the top coat, it is preferable to use a top coat that can be uniformly applied on the composition layer without being mixed with the composition.

トップコートは、193nmにおける透明性という観点からは、芳香族を含有しないポリマーが好ましい。このようなポリマーとしては、例えば、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー及びフッ素含有ポリマーが挙げられる。上述した疎水性樹脂は、トップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染されるため、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は、少ない方が好ましい。   From the viewpoint of transparency at 193 nm, the topcoat is preferably a polymer that does not contain aromatics. Examples of such polymers include hydrocarbon polymers, acrylic ester polymers, polymethacrylic acid, polyacrylic acid, polyvinyl ether, silicon-containing polymers, and fluorine-containing polymers. The hydrophobic resin described above is also suitable as a top coat. When impurities are eluted from the top coat into the immersion liquid, the optical lens is contaminated. Therefore, it is preferable that the residual monomer component of the polymer contained in the top coat is small.

トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、組成物への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が組成物の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性であることが好ましいが、組成物との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。   When peeling the top coat, a developer may be used, or a separate release agent may be used. As the release agent, a solvent having low penetration into the composition is preferable. In terms that the peeling step can be performed simultaneously with the development processing step of the composition, it is preferable that the peeling step can be performed with an alkali developer. The top coat is preferably acidic from the viewpoint of peeling with an alkaline developer, but may be neutral or alkaline from the viewpoint of non-intermixability with the composition.

トップコートと液浸液との間には、屈折率の差がないか又は小さいことが好ましい。この場合、解像力を向上させることが可能となる。露光光源がArFエキシマレーザー(波長:193nm)の場合には、液浸液として水を用いることが好ましいため、ArF液浸露光用トップコートは、水の屈折率(1.44)に近いことが好ましい。   There is preferably no or small difference in refractive index between the top coat and the immersion liquid. In this case, the resolution can be improved. When the exposure light source is an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), it is preferable to use water as the immersion liquid. Therefore, the top coat for ArF immersion exposure is close to the refractive index of water (1.44). preferable.

また、透明性及び屈折率の観点から、トップコートは、薄膜であることが好ましい。トップコートは、組成物膜と混合せず、さらに液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。また、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。   Moreover, it is preferable that a topcoat is a thin film from a viewpoint of transparency and a refractive index. The top coat is preferably not mixed with the composition film and further not mixed with the immersion liquid. From this point of view, when the immersion liquid is water, the solvent used for the top coat is preferably a water-insoluble medium that is hardly soluble in the solvent used for the composition of the present invention. Further, when the immersion liquid is an organic solvent, the top coat may be water-soluble or water-insoluble.

現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩の水溶液が用いられるが、無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン及び環状アミン等の他のアルカリ水溶液も使用可能である。アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。   As the alkaline developer in the development step, an aqueous solution of a quaternary ammonium salt typified by tetramethylammonium hydroxide is usually used, but an inorganic alkali, primary amine, secondary amine, tertiary amine, alcohol amine, and cyclic amine are used. Other alkaline aqueous solutions such as amines can also be used. An appropriate amount of alcohols and / or surfactant may be added to the alkaline developer.

アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常は0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常は10.0〜15.0である。
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.

リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。   As the rinsing liquid, pure water can be used, and an appropriate amount of a surfactant can be added. Moreover, you may perform the process which removes the developing solution or rinse liquid adhering on a pattern with a supercritical fluid after a development process or a rinse process.

<合成例1:モノマー(1)の合成>
以下のスキームに従って、モノマー(1)を合成した。

Figure 2011215414
<Synthesis Example 1: Synthesis of monomer (1)>
Monomer (1) was synthesized according to the following scheme.
Figure 2011215414

まず、化合物(1)を、国際公開第07/037213号パンフレットに記載の方法で合成した。次いで、35.00質量部の化合物(1)に、150.00質量部の水を加えた後、27.30質量部のNaOHを更に加えた。得られた反応液を、加熱還流条件下、9時間に亘って攪拌した。これに塩酸を加えて酸性とした後、酢酸エチルを用いて生成物を抽出した。有機層を合わせ、濃縮することにより、36.90質量部の化合物(2)を得た(収率93%)。   First, compound (1) was synthesized by the method described in International Publication No. 07/037213 pamphlet. Next, 150.00 parts by mass of water was added to 35.00 parts by mass of the compound (1), and then 27.30 parts by mass of NaOH was further added. The resulting reaction solution was stirred for 9 hours under heating and refluxing conditions. Hydrochloric acid was added to make it acidic, and the product was extracted with ethyl acetate. The organic layers were combined and concentrated to obtain 36.90 parts by mass of compound (2) (yield 93%).

50.87質量部の化合物(2)に300質量部の酢酸エチルを加えた。その後、51.76質量部の1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアルコールと、3.18質量部の4−ジメチルアミノピリジンとを加えて攪拌した。得られた溶液中に、54.20質量部の1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩を加え、5時間に亘って攪拌した。200mLの1N塩酸中に反応溶液を加え、反応を停止させた。有機層を分離した後、1N塩酸を用いて洗浄し、水を用いて更に洗浄し、有機層を濃縮した。次いで、トルエンを用いて水を共沸脱水することにより、67.60質量部の化合物(3)を得た(収率76%)。   To 50.87 parts by mass of compound (2), 300 parts by mass of ethyl acetate was added. Thereafter, 51.76 parts by mass of 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl alcohol and 3.18 parts by mass of 4-dimethylaminopyridine were added and stirred. 54.20 parts by mass of 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride was added to the resulting solution, and the mixture was stirred for 5 hours. The reaction solution was added to 200 mL of 1N hydrochloric acid to stop the reaction. The organic layer was separated, washed with 1N hydrochloric acid, further washed with water, and the organic layer was concentrated. Subsequently, 67.60 mass parts of compound (3) was obtained by azeotropic dehydration of water using toluene (yield 76%).

15.00質量部の化合物(3)を、67.5質量部の脱気処理したアセトニトリルに溶解させ、窒素ガスを用いてバブリングした後、反応液を10℃以下に冷却した。次いで、液温を10℃以下に維持しながら、8.11質量部のメタクリル酸クロライドを加え、7.85質量部のトリエチルアミンを滴下した。その後、反応液を室温で2時間に亘って更に攪拌した。反応終了後、9.0質量部の濃塩酸を675質量部の水で希釈して5℃まで冷却したものの中に、反応溶液を加えた。30分間に亘って攪拌した後、析出した沈殿をろ取し、水を用いて洗浄した。得られた粉体を45.6質量部のアセトニトリルに溶解させ、得られた溶液を、5℃まで冷却した304.0質量部の水中に滴下した。30分間に亘って攪拌した後、析出した沈殿をろ取し、水で洗浄した。得られた粉体に76.1質量部のヘプタンを加え、室温にて1時間に亘って攪拌した。固体をろ取し、乾燥させることにより、13.7質量部の化合物(4)を得た(収率77%)。   15.00 parts by mass of the compound (3) was dissolved in 67.5 parts by mass of deaerated acetonitrile, and after bubbling with nitrogen gas, the reaction solution was cooled to 10 ° C. or lower. Next, while maintaining the liquid temperature at 10 ° C. or lower, 8.11 parts by mass of methacrylic acid chloride was added, and 7.85 parts by mass of triethylamine was added dropwise. Thereafter, the reaction solution was further stirred at room temperature for 2 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was added to a solution in which 9.0 parts by mass of concentrated hydrochloric acid was diluted with 675 parts by mass of water and cooled to 5 ° C. After stirring for 30 minutes, the deposited precipitate was collected by filtration and washed with water. The obtained powder was dissolved in 45.6 parts by mass of acetonitrile, and the obtained solution was dropped into 304.0 parts by mass of water cooled to 5 ° C. After stirring for 30 minutes, the deposited precipitate was collected by filtration and washed with water. 76.1 parts by mass of heptane was added to the obtained powder and stirred at room temperature for 1 hour. The solid was collected by filtration and dried to obtain 13.7 parts by mass of compound (4) (yield 77%).

5.00質量部の化合物(4)を、50質量部のテトラヒドロフランに溶解させた。得られた溶液に50質量部の水と2.16質量部の炭酸カリウムとを加え、室温で1時間に亘って攪拌した。反応終了後、濃塩酸を加えて反応溶液のpHを1以下とした。これに100質量部の酢酸エチルを加えて、生成物を抽出した。分離した有機層を50質量部の1N塩酸を用いて洗浄し、有機層を濃縮することにより、3.01質量部の化合物(5)を得た(収率94%)。   5.00 parts by mass of the compound (4) was dissolved in 50 parts by mass of tetrahydrofuran. 50 parts by mass of water and 2.16 parts by mass of potassium carbonate were added to the resulting solution, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After completion of the reaction, concentrated hydrochloric acid was added to adjust the pH of the reaction solution to 1 or less. To this, 100 parts by mass of ethyl acetate was added to extract the product. The separated organic layer was washed with 50 parts by mass of 1N hydrochloric acid, and the organic layer was concentrated to obtain 3.01 parts by mass of compound (5) (yield 94%).

2.00質量部の化合物(5)に、0.13質量部のジメチルホルムアミドと2.00質量部の塩化チオニルとを加えた。反応溶液を75℃まで加熱し、1時間に亘って攪拌した。反応終了後、減圧下で、未反応の塩化チオニルを除去した。これにより、化合物(6)を得た。
次いで、Journal of Medicinal Chemistry, 1975, Vol.18, No.11, 1065-1070 に記載の方法により、化合物(7)を合成した。0.86質量部の化合物(7)を4.0質量部のアセトニトリルに溶解させた。得られた溶液に、0.84質量部のトリエチルアミンと0.28質量部の4−ジメチルアミノピリジンとを加えた。反応溶液を10℃以下に冷却し、攪拌した。液温を10℃以下に維持しながら、先に合成した化合物(6)を3.5質量部のアセトニトリルに溶解させたものを滴下した。反応終了後、50質量部の酢酸エチルと25質量部の炭酸水素ナトリウム水溶液とを加えて生成物を抽出した。分離した有機層を、飽和重曹水を用いて洗浄し、その後、水を用いて更に洗浄した。有機層を濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、0.54質量部のモノマー(1)を得た(収率21%)。
0.13 parts by mass of dimethylformamide and 2.00 parts by mass of thionyl chloride were added to 2.00 parts by mass of the compound (5). The reaction solution was heated to 75 ° C. and stirred for 1 hour. After completion of the reaction, unreacted thionyl chloride was removed under reduced pressure. This obtained compound (6).
Subsequently, the compound (7) was synthesized by the method described in Journal of Medicinal Chemistry, 1975, Vol. 18, No. 11, 1065-1070. 0.86 parts by mass of the compound (7) was dissolved in 4.0 parts by mass of acetonitrile. To the obtained solution, 0.84 parts by mass of triethylamine and 0.28 parts by mass of 4-dimethylaminopyridine were added. The reaction solution was cooled to 10 ° C. or lower and stirred. While maintaining the liquid temperature at 10 ° C. or lower, a solution prepared by dissolving previously synthesized compound (6) in 3.5 parts by mass of acetonitrile was added dropwise. After completion of the reaction, 50 parts by mass of ethyl acetate and 25 parts by mass of sodium hydrogen carbonate aqueous solution were added to extract the product. The separated organic layer was washed with saturated aqueous sodium hydrogen carbonate, and then further washed with water. The organic layer was concentrated, and the concentrate was purified by column chromatography to obtain 0.54 parts by mass of monomer (1) (yield 21%).

1H-NMR(400 MHz in (CD3)2CO):σ(ppm)=0.83-1.00(3H),1.63-1.77(8H),1.85-2.15(8H),2.18-2.56(1H),2.64(1H),3.55-3.56(1H),4.63(1H),4.69-4.71(1H),5.67(1H),6.10(1H)。 1 H-NMR (400 MHz in (CD 3 ) 2 CO): σ (ppm) = 0.83-1.00 (3H), 1.63-1.77 (8H), 1.85-2.15 (8H), 2.18-2.56 (1H), 2.64 (1H), 3.55-3.56 (1H), 4.63 (1H), 4.69-4.71 (1H), 5.67 (1H), 6.10 (1H).

<合成例2:モノマー(4)の合成>
以下のスキームに従って、モノマー(4)を合成した。

Figure 2011215414
<Synthesis Example 2: Synthesis of monomer (4)>
Monomer (4) was synthesized according to the following scheme.
Figure 2011215414

17.09質量部のグリコール酸メチル〔化合物(10);TCI製〕に30.00質量部のテトラヒドロフランを加えた。これに21.15質量部のトリエチルアミンを加え、0℃まで冷却させた後、20.85質量部のメタクリル酸クロリドを滴下した。室温に戻した後、2時間に亘って攪拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた後、酢酸エチルを用いて生成物を抽出した。有機層を合わせ、MgSOを加え、ろ過し、ろ液を濃縮することにより、28.51質量部の化合物(11)を得た(収率95%)。 30.00 parts by mass of tetrahydrofuran was added to 17.09 parts by mass of methyl glycolate [Compound (10); manufactured by TCI]. To this, 21.15 parts by mass of triethylamine was added and cooled to 0 ° C., and then 20.85 parts by mass of methacrylic acid chloride was added dropwise. After returning to room temperature, the mixture was stirred for 2 hours. After adding aqueous sodium hydrogen carbonate solution, the product was extracted with ethyl acetate. The organic layers were combined, MgSO 4 was added and filtered, and the filtrate was concentrated to obtain 28.51 parts by mass of compound (11) (yield 95%).

28.5質量部の化合物(11)に180mLのアセトンを加え、0℃まで冷却し、180質量部の1N水酸化ナトリウム水溶液を滴下した。30分に亘って攪拌し、塩酸を加えて酸性とした後、酢酸エチルを用いて抽出した。有機層を合わせ、MgSOを加え、ろ過し、ろ液を濃縮することにより、21.2質量部の化合物(12)を得た(収率82%)。 180 mL of acetone was added to 28.5 parts by mass of compound (11), cooled to 0 ° C., and 180 parts by mass of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise. The mixture was stirred for 30 minutes, acidified with hydrochloric acid, and extracted with ethyl acetate. The organic layers were combined, MgSO 4 was added, the mixture was filtered, and the filtrate was concentrated to obtain 21.2 parts by mass of compound (12) (yield 82%).

15.00質量部の化合物(12)に300質量部のトルエンを加えた。これに、7.00質量部の化合物(3)と、3.80質量部のp−トルエンスルホン酸一水和物とを加え、生成する水を共沸により取り除きながら、6時間に亘って還流した。反応液を濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、13.52質量部の化合物(13)を得た(収率71%)。   To 15.00 parts by mass of the compound (12), 300 parts by mass of toluene was added. 7.00 parts by mass of the compound (3) and 3.80 parts by mass of p-toluenesulfonic acid monohydrate were added thereto, and the resulting water was refluxed for 6 hours while removing water by azeotropy. did. The reaction solution was concentrated, and the concentrate was purified by column chromatography to obtain 13.52 parts by mass of compound (13) (yield 71%).

その後、化合物(4)の代わりに化合物(13)を用いたことを除いては、合成例1で述べたのと同様にして、モノマー(4)を合成した(収率18%)。   Thereafter, monomer (4) was synthesized in the same manner as described in Synthesis Example 1 except that compound (13) was used instead of compound (4) (yield 18%).

<合成例3:モノマー(7)の合成>
以下のスキームに従って、モノマー(7)を合成した。

Figure 2011215414
<Synthesis Example 3: Synthesis of monomer (7)>
Monomer (7) was synthesized according to the following scheme.
Figure 2011215414

20.00質量部のシクロヘキシルビニルエーテル(TCI製)を10℃以下に冷却した。液温を10℃以下に維持しながら、4.26質量部の化合物(5)を加えた。室温に戻した後、1時間に亘って攪拌した。反応終了後、減圧下で、未反応のシクロヘキシルビニルエーテルを除去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、1.32質量部のモノマー(7)を得た(収率21%)。   20.00 parts by mass of cyclohexyl vinyl ether (manufactured by TCI) was cooled to 10 ° C. or lower. While maintaining the liquid temperature at 10 ° C. or lower, 4.26 parts by mass of Compound (5) was added. After returning to room temperature, the mixture was stirred for 1 hour. After completion of the reaction, unreacted cyclohexyl vinyl ether was removed under reduced pressure. The obtained crude product was purified by column chromatography to obtain 1.32 parts by mass of monomer (7) (yield 21%).

<合成例4:モノマー(8)の合成>
以下のスキームに従って、モノマー(8)を合成した。

Figure 2011215414
<Synthesis Example 4: Synthesis of Monomer (8)>
Monomer (8) was synthesized according to the following scheme.
Figure 2011215414

上記化合物(18)を、Journal of the Chemical Society, 1925, 127, 475 に記載の方法により合成した。そして、化合物(2)の代わりに化合物(18)を用いたことを除いては、合成例1で述べたのと同様にして、モノマー(8)を合成した(収率11%)。
また、繰り返し単位(A)に対応するその他のモノマーも、上記の合成例1〜4と同様にして合成した。
The compound (18) was synthesized by the method described in Journal of the Chemical Society, 1925, 127, 475. A monomer (8) was synthesized in the same manner as described in Synthesis Example 1 except that the compound (18) was used instead of the compound (2) (yield 11%).
In addition, other monomers corresponding to the repeating unit (A) were synthesized in the same manner as in Synthesis Examples 1 to 4 described above.

<合成例5:ポリマー(1)の合成>

Figure 2011215414
<Synthesis Example 5: Synthesis of Polymer (1)>
Figure 2011215414

窒素気流下、7.12質量部のPGMEA/PGME混合溶媒(質量比:8/2)を3つ口フラスコに入れ、これを85℃に加熱した。この溶媒中に、上記のモノマーを左から順に3.16質量部、0.54質量部、1.04質量部、1.96質量部と、0.344質量部(モノマーに対し0.65mol%)の2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル〔V-601、和光純薬工業(株)製〕とを、3.2質量部のPGMEA/PGME混合溶媒(質量比:8/2)に溶解させた溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85℃で2時間に亘って反応させた。反応液を放冷後、140質量部のヘプタンと60質量部の酢酸エチルとの混合液に20分かけて滴下し、粉体を析出させた。析出した粉体をろ取及び乾燥して、4.6質量部のポリマー(1)を得た。得られたポリマー(1)のGPC法による重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で8260であり、分散度(Mw/Mn)は、1.50であった。   Under a nitrogen stream, 7.12 parts by mass of PGMEA / PGME mixed solvent (mass ratio: 8/2) was placed in a three-necked flask and heated to 85 ° C. In this solvent, the above monomers were added in the order of 3.16 parts by mass, 0.54 parts by mass, 1.04 parts by mass, 1.96 parts by mass, and 0.344 parts by mass (0.65 mol% based on the monomers). ) 2,2′-azobisisobutyric acid dimethyl [V-601, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.] was dissolved in 3.2 parts by mass of a PGMEA / PGME mixed solvent (mass ratio: 8/2). The solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the reaction was further continued at 85 ° C. for 2 hours. After allowing the reaction solution to cool, it was dropped into a mixed solution of 140 parts by mass of heptane and 60 parts by mass of ethyl acetate over 20 minutes to precipitate a powder. The precipitated powder was collected by filtration and dried to obtain 4.6 parts by mass of polymer (1). The weight average molecular weight by GPC method of the obtained polymer (1) was 8260 in terms of standard polystyrene, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.50.

ポリマー(1)と同様にして、下記ポリマー(2)〜(26)を合成した。下記表3に、各々の組成比(モル%;各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量及び分散度を示す。

Figure 2011215414
The following polymers (2) to (26) were synthesized in the same manner as the polymer (1). Table 3 below shows the composition ratio (mol%; corresponding to each repeating unit in order from the left), the weight average molecular weight, and the degree of dispersion.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

<ArFドライ露光>
(レジスト調製)
下記表4に示す成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、溶液を調製した。その後、得られた溶液を、ポアサイズ0.1μmのポリエチレンフィルターを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を調製した。
<ArF dry exposure>
(Resist preparation)
The components shown in Table 4 below were dissolved in the solvents shown in the same table to prepare solutions. Thereafter, the obtained solution was filtered using a polyethylene filter having a pore size of 0.1 μm to prepare a positive resist solution.

(レジスト評価)
8inchシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で60秒間に亘ってベークした。これにより、シリコンウエハー上に、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に、上記のポジ型レジスト溶液を塗布し、90℃で60秒間に亘ってベークした。これにより、膜厚が150nmのレジスト膜を形成した。
得られたレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75)を用いて、パターン露光を行った。なお、レチクルとしては、ラインサイズ=75nmであり且つライン:スペース=1:1である6%ハーフトーンマスクを用いた。次いで、95℃で60秒間加熱し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いた30秒間の現像処理に供した。その後、純水を用いてリンスし、スピン乾燥し、次いで、90℃90秒間加熱しレジストパターンを得た。
(Resist evaluation)
An organic antireflection film ARC29A (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on an 8 inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds. Thereby, an antireflection film having a film thickness of 78 nm was formed on the silicon wafer. On top of this, the above positive resist solution was applied and baked at 90 ° C. for 60 seconds. Thereby, a resist film having a thickness of 150 nm was formed.
The obtained resist film was subjected to pattern exposure using an ArF excimer laser scanner (PAS5500 / 1100, manufactured by ASML, NA0.75). As the reticle, a 6% halftone mask having a line size = 75 nm and a line: space = 1: 1 was used. Subsequently, it heated at 95 degreeC for 60 second, and used for the development process for 30 second using 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Thereafter, the substrate was rinsed with pure water, spin-dried, and then heated at 90 ° C. for 90 seconds to obtain a resist pattern.

〔塗布欠陥〕
感光性樹脂組成物をスピンコーターによりヘキサメチルジシラザン処理を施した8インチのシリコン基板上に塗布し、90℃、60秒間ホットプレート上で加熱、乾燥を行い、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜を、KLA2360機(KLAテンコール(株)製)により欠陥数を測定した。この際,比較例1の欠陥数を1に規格化して表記した。数値が小さいほど欠陥性能が優れることに対応する。
〔塗布膜厚均一性〕
感光性樹脂組成物をスピンコーターによりヘキサメチルジシラザン処理を施した8インチのシリコン基板上に塗布し、90℃、60秒間ホットプレート上で加熱、乾燥を行い、膜厚120nm(ウェハー面内5箇所の平均値)のレジスト膜を形成した。該レジスト膜厚を膜厚計(VM-3110:大日本スクリーン(株製))を用いてウエハ面内29箇所測定し、そのバラツキの分散(3σ)を指標とした。
[Coating defects]
The photosensitive resin composition is applied onto an 8-inch silicon substrate that has been subjected to hexamethyldisilazane treatment by a spin coater, and heated and dried on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 150 nm. did. The number of defects of this resist film was measured using a KLA2360 machine (manufactured by KLA Tencor). At this time, the number of defects in Comparative Example 1 was normalized to 1 and represented. The smaller the value, the better the defect performance.
[Coating film thickness uniformity]
The photosensitive resin composition was applied onto an 8-inch silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment by a spin coater, heated and dried on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds, and a film thickness of 120 nm (5 in wafer surface). An average value of the portions) was formed. The resist film thickness was measured at 29 locations on the wafer surface using a film thickness meter (VM-3110: Dainippon Screen Co., Ltd.), and the dispersion (3σ) of the variation was used as an index.

〔PEB温度依存性〕
マスクサイズ75nmのラインアンドスペース1/1を再現する露光量を最適露光量とし、次に最適露光量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(93℃、97℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。
下記表4に、これらの評価結果を示す。

Figure 2011215414
[PEB temperature dependence]
An exposure amount that reproduces a line and space 1/1 with a mask size of 75 nm is set as an optimal exposure amount, and after performing exposure at the optimal exposure amount, + 2 ° C and -2 ° C (93 ° C, 97 ° C.) was subjected to post-heating, and the obtained line and space was measured, and their line widths L 1 and L 2 were determined. The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per PEB temperature change of 1 ° C., and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ° C.) = | L 1 −L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change.
Table 4 below shows the evaluation results.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
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Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

表4中における略号は以下の通りである。なお、また、これら略号は、後掲の実施例に関しても共通である。   Abbreviations in Table 4 are as follows. These abbreviations are also common to the examples described later.

(酸発生剤)

Figure 2011215414
(Acid generator)
Figure 2011215414

(塩基性化合物)
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
TOA:トリオクチルアミン
PBI:2−フェニルベンゾイミダゾール
DHA:N,N−ジヘキシルアニリン
TEA:トリエタノールアミン
DBA:N,N−ジブチルアニリン

Figure 2011215414
(Basic compound)
DIA: 2,6-diisopropylaniline TBAH: tetrabutylammonium hydroxide TMEA: tris (methoxyethoxyethyl) amine PEA: N-phenyldiethanolamine TOA: trioctylamine PBI: 2-phenylbenzimidazole DHA: N, N-dihexylaniline TEA: Triethanolamine DBA: N, N-dibutylaniline
Figure 2011215414

(界面活性剤)
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素及びシリコン系)
W−3:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製;フッ素系)
W−4:PF656(OMNOVA社製;フッ素系)
W−5:PF6320(OMNOVA社製;フッ素系)。
(Surfactant)
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine-based)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd .; fluorine and silicon)
W-3: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co .; fluorine type)
W-4: PF656 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based)
W-5: PF6320 (manufactured by OMNOVA; fluorine-based).

(溶剤)
A1:プロピレングリコールモノメチルエーテル
A2:酢酸ブチル
A3:ピルビン酸メチル
A4:乳酸エチル
B1:γ−ブチロラクトン
B2:プロピレンカーボネート
C1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
D1:シクロヘキサノン
(溶解阻止化合物)
D−1:リトコール酸t−ブチル。
(solvent)
A1: Propylene glycol monomethyl ether A2: Butyl acetate A3: Methyl pyruvate A4: Ethyl lactate B1: γ-butyrolactone B2: Propylene carbonate C1: Propylene glycol monomethyl ether acetate D1: Cyclohexanone (dissolution inhibitor compound)
D-1: t-butyl lithocholic acid.

<ArF液浸露光>
(レジスト調製)
下記表5に示す成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、溶液を調製した。その後、得られた溶液を、ポアサイズ0.1μmのポリエチレンフィルターを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を調製した。
<ArF immersion exposure>
(Resist preparation)
The components shown in Table 5 below were dissolved in the solvents shown in the same table to prepare solutions. Thereafter, the obtained solution was filtered using a polyethylene filter having a pore size of 0.1 μm to prepare a positive resist solution.

(レジスト評価)
12inchシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で60秒間に亘ってベークした。これにより、シリコンウエハー上に、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に、上記のポジ型レジスト溶液を塗布し、90℃で60秒間に亘ってベークした。これにより、膜厚が150nmのレジスト膜を形成した。
(Resist evaluation)
An organic antireflection film ARC29SR (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on a 12 inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds. As a result, an antireflection film having a film thickness of 98 nm was formed on the silicon wafer. On top of this, the above positive resist solution was applied and baked at 90 ° C. for 60 seconds. Thereby, a resist film having a thickness of 150 nm was formed.

得られたレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.960、インナーシグマ0.709、XY偏向)を用いて、パターン露光を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ=60nmであり且つライン:スペース=1:1である6%ハーフトーンマスクを用いた。また、液浸液としては、超純水を用いた。
次いで、95℃で60秒間加熱し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いた30秒間の現像処理に供した。その後、純水を用いてリンスし、スピン乾燥して、レジストパターンを得た。
The resulting resist film was subjected to pattern exposure using an ArF excimer laser immersion scanner (XT1700i, NA1.20, C-Quad, outer sigma 0.960, inner sigma 0.709, XY deflection manufactured by ASML). As the reticle, a 6% halftone mask having a line size = 60 nm and a line: space = 1: 1 was used. Moreover, ultrapure water was used as the immersion liquid.
Subsequently, it heated at 95 degreeC for 60 second, and used for the development process for 30 second using 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Then, it rinsed using the pure water and spin-dried and obtained the resist pattern.

〔塗布欠陥〕
感光性樹脂組成物をスピンコーターによりヘキサメチルジシラザン処理を施した12インチのシリコン基板上に塗布し、90℃、60秒間ホットプレート上で加熱、乾燥を行い、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜を、KLA2360機(KLAテンコール(株)製)により欠陥数を測定した。この際,比較例1の欠陥数を1に規格化して表記した。数値が小さいほど欠陥性能が優れることに対応する。
〔塗布膜厚均一性〕
感光性樹脂組成物をスピンコーターによりヘキサメチルジシラザン処理を施した12インチのシリコン基板上に塗布し、90℃、60秒間ホットプレート上で加熱、乾燥を行い、150nm(ウェハー面内5箇所の平均値)のレジスト膜を形成した。該レジスト膜厚を膜厚計(VM-3110:大日本スクリーン(株製))を用いてウエハ面内61箇所測定し、そのバラツキの分散(3σ)を指標とした。
値が小さいほど性能変化が良好であることを示す。
[Coating defects]
The photosensitive resin composition is applied onto a 12-inch silicon substrate treated with hexamethyldisilazane by a spin coater, and heated and dried on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds to form a resist film having a thickness of 150 nm. did. The number of defects of this resist film was measured using a KLA2360 machine (manufactured by KLA Tencor). At this time, the number of defects in Comparative Example 1 was normalized to 1 and represented. The smaller the value, the better the defect performance.
[Coating film thickness uniformity]
The photosensitive resin composition was applied on a 12-inch silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment by a spin coater, heated and dried on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds, and 150 nm (at 5 locations on the wafer surface). An average value) resist film was formed. The resist film thickness was measured at 61 points in the wafer surface using a film thickness meter (VM-3110: Dainippon Screen Co., Ltd.), and the dispersion (3σ) of the variation was used as an index.
A smaller value indicates a better performance change.

〔PEB温度依存性〕
マスクサイズ60nmのラインアンドスペース1/1を再現する露光量を最適露光量とし、次に最適露光量で露光を行った後に、後加熱温度に対して、+2℃及び−2℃(93℃、97℃)の2つの温度で後加熱を行い、各々得られたラインアンドスペースを測長し、それらの線幅L1及びL2を求めた。PEB温度依存性をPEB温度変化1℃あたりの線幅の変動と定義し、下記の式により算出した。
PEB温度依存性(nm/℃)=|L1−L2|/4
値が小さいほど温度変化に対する性能変化が小さく良好であることを示す。これらの測定結果を、下記表5に示す。
[PEB temperature dependence]
An exposure amount that reproduces a line and space 1/1 with a mask size of 60 nm is set as an optimal exposure amount, and after performing exposure at the optimal exposure amount, + 2 ° C and -2 ° C (93 ° C, 97 ° C.) was subjected to post-heating, and the obtained line and space was measured, and their line widths L 1 and L 2 were determined. The PEB temperature dependency was defined as the fluctuation of the line width per PEB temperature change of 1 ° C., and was calculated by the following formula.
PEB temperature dependency (nm / ° C.) = | L 1 −L 2 | / 4
The smaller the value, the smaller the performance change with respect to the temperature change. These measurement results are shown in Table 5 below.

なお、表5中の「添加形態」の列には、疎水性樹脂の添加形態を「添加」又は「TC」として記載している。「添加」と記載した例では、疎水性樹脂は、レジスト溶液中に含まれている。「TC」と記載した例では、疎水性樹脂を含んでいないレジスト溶液を用いてレジスト膜を形成した後、その上層に、疎水性樹脂を含んだトップコート(TC)保護膜を設けている。
疎水性樹脂の添加形態が「TC」である場合、レジスト膜を形成した後、下記の操作を行った。なお、「TCの場合の溶媒」の列に挙げた溶媒は、以下の通りである。
S−1:2−エチルブタノール。
In addition, in the column of “addition form” in Table 5, the addition form of the hydrophobic resin is described as “addition” or “TC”. In the example described as “addition”, the hydrophobic resin is contained in the resist solution. In the example described as “TC”, a resist film is formed using a resist solution not containing a hydrophobic resin, and then a top coat (TC) protective film containing a hydrophobic resin is provided on the upper layer.
When the addition form of the hydrophobic resin was “TC”, the following operation was performed after forming the resist film. The solvents listed in the column of “solvent for TC” are as follows.
S-1: 2-ethylbutanol.

<トップコートの形成方法>
表5に示す疎水性樹脂を溶剤に溶解させ、得られた溶液を、スピンコータを用いて、上記レジスト膜上に塗布した。その後、これを115℃で60秒間に亘って加熱乾燥して、膜厚が0.05μmのトップコート層を形成させた。形成後、トップコート層の塗布ムラを観察し、トップコート層が均一に塗布されていることを確認した。

Figure 2011215414
<Formation method of top coat>
The hydrophobic resin shown in Table 5 was dissolved in a solvent, and the resulting solution was applied onto the resist film using a spin coater. Thereafter, this was heated and dried at 115 ° C. for 60 seconds to form a topcoat layer having a thickness of 0.05 μm. After the formation, the application unevenness of the top coat layer was observed to confirm that the top coat layer was uniformly applied.
Figure 2011215414

Figure 2011215414
Figure 2011215414

Figure 2011215414
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Figure 2011215414
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Figure 2011215414
Figure 2011215414

表5中における疎水性樹脂についての略号は、先に挙げた具体例中の式番号に対応している。   The abbreviations for the hydrophobic resins in Table 5 correspond to the formula numbers in the specific examples given above.

Claims (14)

酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位(S1)と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位(S2)とを備えた繰り返し単位(A)を含む樹脂(P)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、前記溶剤として、下記X群およびY群に列挙された溶剤のうち少なくとも1種を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(X群)アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸アルキルエステル類、アルコキシ酢酸アルキル類、アルコキシプロピオン酸アルキル類、ピルビン酸アルキル類、酢酸アルキルエステル類;
(Y群)環状ラクトン類、アルキレンカーボネート類。
Repeating structure comprising a structural part (S1) that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group and a structural part (S2) that decomposes by the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer A resin (P) containing a unit (A), a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a solvent. An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing at least one of the solvents listed in the groups and Y groups.
(Group X) alkylene glycol monoalkyl ethers, alkyl lactates, alkyl alkoxyacetates, alkyl alkoxypropionates, alkyl pyruvates, alkyl acetates;
(Group Y) Cyclic lactones and alkylene carbonates.
さらにアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類を含む請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, further comprising an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate. 請求項2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、X群から選択される少なくとも1種の溶剤と、Y群から選択される少なくとも1種の溶剤と、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート類との少なくとも3種の溶剤を含有する請求項2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   3. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 2, wherein at least one solvent selected from Group X, at least one solvent selected from Group Y, and alkylene glycol mono The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 2, comprising at least three kinds of solvents with alkyl ether carboxylates. 前記X群及びY群から選択される溶剤の合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して92質量%以上である請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive light according to claim 1, wherein the total content of the solvent selected from the X group and the Y group is 92% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Or radiation sensitive resin composition. 前記溶剤の合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して95質量%以上である請求項4に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 4, wherein the total content of the solvent is 95% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. 前記X群及びY群から選択される溶剤及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートの合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して92質量%以上である請求項2又は3に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The total content of the solvent selected from the X group and the Y group and the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate is 92% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. Item 4. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to Item 2 or 3. 前記溶剤の合計の含有率が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全質量に対して95質量%以上である請求項6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 6, wherein the total content of the solvent is 95% by mass or more based on the total mass of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. 前記構造部位(S2)は、ラクトン構造を含んでいる請求項1〜請求項7のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the structural site (S2) contains a lactone structure. 前記構造部位(S1)は、前記ラクトン構造を構成しているエステル基に隣接した2つの炭素原子の少なくとも一方に結合している請求項1〜請求項8のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive property according to any one of claims 1 to 8, wherein the structural site (S1) is bonded to at least one of two carbon atoms adjacent to an ester group constituting the lactone structure. Or a radiation sensitive resin composition. 前記繰り返し単位(A)は、下記一般式により表される構造を備えている請求項9に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011215414
式(1)中、R2は、n≧2の場合には各々独立に、鎖状又は環状アルキレン基を表す。R3は、k≧2の場合には各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。k≧2の場合、前記Rの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Yは、m≧2の場合には各々独立に、前記構造単位(S1)を表す。Zは、n≧2の場合には各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。kは、0〜5の整数を表す。mは、m+k≦6なる関係を満たす1〜5の整数を表す。nは、0〜5の整数を表す。
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 9, wherein the repeating unit (A) has a structure represented by the following general formula.
Figure 2011215414
In Formula (1), R 2 independently represents a chain or cyclic alkylene group when n ≧ 2. R < 3 > represents an alkyl group or a cycloalkyl group each independently when k> = 2. When k ≧ 2, at least two of R 3 may be bonded to each other to form a ring. X represents an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom. Y represents the structural unit (S1) independently when m ≧ 2. Z each independently represents a single bond, an ether bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond when n ≧ 2. k represents an integer of 0 to 5. m represents an integer of 1 to 5 that satisfies the relationship m + k ≦ 6. n represents an integer of 0 to 5.
疎水性樹脂を更に含む請求項1〜10のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10, further comprising a hydrophobic resin. 請求項1〜11のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。   A resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1. 請求項1〜11のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成すること、該膜を露光すること、露光した膜を現像することを含むパターン形成方法。   A pattern forming method comprising forming a film using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to claim 1, exposing the film, and developing the exposed film. . 前記露光は、液浸液を介して行われる請求項13に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 13, wherein the exposure is performed through an immersion liquid.
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