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JP2011253949A - Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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JP2011253949A
JP2011253949A JP2010127025A JP2010127025A JP2011253949A JP 2011253949 A JP2011253949 A JP 2011253949A JP 2010127025 A JP2010127025 A JP 2010127025A JP 2010127025 A JP2010127025 A JP 2010127025A JP 2011253949 A JP2011253949 A JP 2011253949A
Authority
JP
Japan
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adhesive layer
semiconductor
film
adhesion
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2010127025A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Yasuda
浩幸 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film for semiconductor which enables the manufacture of a highly reliable semiconductor device, while improving the easiness of picking up a workpiece and preventing the occurrence of a trouble with a semiconductor element, and to provide a semiconductor device manufacturing method using the film for semiconductor.SOLUTION: A film 10 for semiconductor has: a support film 4; a second adhesive layer 2; a first adhesive layer 1 and an adhesion layer 3, which are stacked in this order. The adhesion layer 3 includes, as a constituent, (meta) acrylic acid ester copolymer having a glass transition point of 0°C or below. The adhesion forces between the adhesion layer 3 and the first adhesive layer 1 at 23°C and 60°C are 30 N/m or below. A semiconductor wafer 7 is stacked on the adhesion layer 3 of the film 10 for semiconductor. When dicing the semiconductor wafer 7 into workpieces, the film for semiconductor supports the semiconductor wafer 7, and the adhesion layer 3 is exfoliated from the first adhesive layer 1 at picking up the resultant workpieces.

Description

本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor film and a method for manufacturing a semiconductor device.

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。   In response to the recent increase in functionality of electronic devices and expansion to mobile applications, there is an increasing demand for higher density and higher integration of semiconductor devices, and IC packages are increasing in capacity and density.

これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離(個片化)する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板(例えばテープ基板、有機硬質基板等)に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。   In these semiconductor device manufacturing methods, first, an adhesive sheet is attached to a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, etc., and the semiconductor wafer is separated into individual semiconductors by a dicing process while fixing the periphery of the semiconductor wafer with a wafer ring. The device is cut and separated (divided into individual pieces). Next, an expanding process for separating the individual semiconductor elements separated from each other and a pickup process for picking up the separated semiconductor elements are performed. Thereafter, the picked-up semiconductor element is transferred to a die bonding process for mounting on a metal lead frame or a substrate (for example, a tape substrate, an organic hard substrate, etc.). Thereby, a semiconductor device is obtained.

また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、1つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。   In the die bonding process, the picked-up semiconductor element is stacked on another semiconductor element, whereby a chip stack type semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are mounted in one package can be obtained.

このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に第1の粘接着剤層と第2の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。   As an adhesive sheet used in such a method for manufacturing a semiconductor device, one obtained by laminating a first adhesive layer and a second adhesive layer in this order on a base film is known. (For example, refer to Patent Document 1).

この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと2層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと2層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された2層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた2層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム(または基板)との間の接着を担うこととなる。   This adhesive sheet is subjected to the dicing process described above in a state of being attached to a semiconductor wafer. In the dicing step, the semiconductor wafer and the two adhesive layers are separated into a plurality of parts by providing a cut so that the tip of the dicing blade reaches the base film. In the pickup process, peeling occurs at the interface between the base film and the two adhesive layers, and the separated semiconductor element is picked up together with the separated two adhesive layers. Is done. The two adhesive layers picked up are responsible for adhesion between the separated semiconductor element and the metal lead frame (or substrate) in the die bonding step.

ところで、ピックアップ工程では、ダイボンダと呼ばれる装置が用いられる。
図5は、ダイボンダを用いて半導体素子をピックアップし、基板上に載置する様子を示す図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図5中の上側を「上」、下側を「下」という。
Incidentally, a device called a die bonder is used in the pickup process.
FIG. 5 is a diagram (longitudinal sectional view) showing a state in which a semiconductor element is picked up using a die bonder and placed on a substrate. In the following description, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図5に示す積層体200は、下側から基材フィルム211と第1の粘接着剤層212と第2の粘接着剤層213とがこの順で積層されてなる接着シート210と、接着シート210上に重ねられた半導体ウエハー220とを積層してなるものである。この積層体200についてダイシング工程を行うと、半導体ウエハー220、第1の粘接着剤層212および第2の粘接着剤層213が個片化され、個片230が得られる。   A laminated body 200 shown in FIG. 5 includes an adhesive sheet 210 in which a base film 211, a first adhesive layer 212, and a second adhesive layer 213 are laminated in this order from the lower side, A semiconductor wafer 220 stacked on the adhesive sheet 210 is laminated. When the dicing process is performed on the stacked body 200, the semiconductor wafer 220, the first adhesive layer 212, and the second adhesive layer 213 are separated into individual pieces 230.

ここで、図5に示すダイボンダ250は、ダイシング工程を経て得られた個片230をピックアップした後、基板240上に移送するものである。   Here, the die bonder 250 shown in FIG. 5 picks up the individual pieces 230 obtained through the dicing process and then transfers them onto the substrate 240.

このダイボンダ250は、個片230を吸着するコレット(チップ吸着部)260と、基板240を下方から加熱するヒーター270と、コレット260を自在に移動可能なように支持する装置本体280とを有する。コレット260は、個片230を吸着した状態で、積層体200の載置部から基板240の載置部まで移動し得るようになっている。   The die bonder 250 includes a collet (chip adsorbing unit) 260 that adsorbs the individual pieces 230, a heater 270 that heats the substrate 240 from below, and an apparatus main body 280 that supports the collet 260 so as to be freely movable. The collet 260 can move from the placement portion of the stacked body 200 to the placement portion of the substrate 240 in a state where the individual pieces 230 are adsorbed.

ピックアップ工程では、コレット260により個片230をピックアップし、この個片230を基板240上に載置する。そして、ヒーター270で加熱しつつ個片230を基板240に圧着することにより、個片230を基板240に接着する。   In the pickup process, the individual piece 230 is picked up by the collet 260, and the individual piece 230 is placed on the substrate 240. Then, the individual piece 230 is bonded to the substrate 240 by pressing the individual piece 230 to the substrate 240 while being heated by the heater 270.

ところが、このような従来のピックアップ工程では、ピックアップの効率および歩留まりが低いという問題があった。その結果、最終的に得られる半導体装置の生産性が低いことが問題となっていた。   However, such a conventional pickup process has a problem that the pickup efficiency and the yield are low. As a result, there has been a problem that the productivity of the finally obtained semiconductor device is low.

また、ダイボンダ250により個片230をピックアップした後、個片230を基板240に圧着するというプロセスを繰り返していると、ヒーター270の熱が個片230を介してコレット260に伝達され、蓄熱される。これにより、コレット260が熱を帯びてしまい、本来は常温で行うことを想定しているピックアップ工程が、この熱の影響により高温で行われることとなる。その結果、コレット260の熱が積層体200にも伝達され、積層体200中の第1の粘接着剤層212や第2の粘接着剤層213の粘接着性が増強されることとなる。このような状態になると、ダイシング工程を経て一旦は互いに分離した個片230同士が再び接着されてしまったり、あるいは、ピックアップ工程において剥離すべき基材フィルム211と2層の粘接着剤層との界面において密着力が増強され、円滑なピックアップが困難になる(ピックアップ性が低下する)という問題が生じる。そして、かかる問題は、ピックアップ時の半導体素子の割れや欠け等の不具合を招いていた。   When the process of picking up the piece 230 by the die bonder 250 and then pressing the piece 230 to the substrate 240 is repeated, the heat of the heater 270 is transmitted to the collet 260 through the piece 230 and stored. . As a result, the collet 260 is heated, and the pickup process that is supposed to be performed at room temperature is performed at a high temperature due to the influence of the heat. As a result, the heat of the collet 260 is also transmitted to the laminate 200, and the adhesiveness of the first adhesive layer 212 and the second adhesive layer 213 in the laminate 200 is enhanced. It becomes. In such a state, the individual pieces 230 once separated from each other through the dicing process are bonded again, or the base film 211 to be peeled off in the pickup process and the two adhesive layers Adhesive strength is enhanced at the interface, and smooth pickup becomes difficult (pickup property is lowered). Such problems have led to problems such as cracking and chipping of the semiconductor element during pickup.

特開2004−43761号公報JP 2004-43761 A

本発明の目的は、ピックアップ性の向上を図り、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve a pickup property and prevent the occurrence of a problem with a semiconductor element, and to manufacture a highly reliable semiconductor device and a semiconductor device using the semiconductor film. It is to provide a method.

このような目的は、下記(1)〜(14)の本発明により達成される。
(1) 接着層と少なくとも1層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層の構成材料として、ガラス転移点が0℃以下の(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含み、
23℃および60℃における、前記接着層と前記粘着層との間の密着力が、30N/m以下であることを特徴とする半導体用フィルム。
Such an object is achieved by the present inventions (1) to (14) below.
(1) An adhesive layer, at least one adhesive layer, and a support film are laminated in this order, and a semiconductor wafer is laminated on the surface of the adhesive layer opposite to the adhesive layer, and in this state, the semiconductor wafer And a film for semiconductor used when cutting the adhesive layer into individual pieces, and picking up the obtained individual pieces from the support film,
As a constituent material of the adhesive layer, it includes a (meth) acrylic acid ester copolymer having a glass transition point of 0 ° C. or lower,
The film for semiconductors characterized by the adhesive force between the said adhesion layer and the said adhesion layer in 23 degreeC and 60 degreeC being 30 N / m or less.

(2) 前記(メタ)アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、10万以上である上記(1)に記載の半導体用フィルム。   (2) The film for a semiconductor according to (1), wherein the (meth) acrylic acid ester copolymer has a weight average molecular weight of 100,000 or more.

(3) 前記接着層の構成材料として、フェノキシ樹脂を含む上記(1)または(2)に記載の半導体用フィルム。   (3) The film for a semiconductor according to (1) or (2) above, which contains a phenoxy resin as a constituent material of the adhesive layer.

(4) 前記フェノキシ樹脂のガラス転移点は、90℃以上である上記(3)に記載の半導体用フィルム。   (4) The film for semiconductor according to (3), wherein the glass transition point of the phenoxy resin is 90 ° C. or higher.

(5) 前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、30,000〜80,000である上記(3)または(4)に記載の半導体用フィルム。   (5) The film for semiconductors as described in said (3) or (4) whose weight average molecular weights of the said phenoxy resin are 30,000-80,000.

(6) 前記粘着層は、複数の層で構成されている上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の半導体用フィルム。   (6) The film for a semiconductor according to any one of (1) to (5), wherein the adhesive layer is composed of a plurality of layers.

(7) 前記複数の層は、前記半導体ウエハー側に位置する第1粘着層と、この第1粘着層の前記支持フィルム側に隣接し、前記第1粘着層よりも粘着性の大きい第2粘着層とを含んでいる上記(6)に記載の半導体用フィルム。   (7) The plurality of layers are a first adhesive layer located on the semiconductor wafer side and a second adhesive that is adjacent to the support film side of the first adhesive layer and has a higher adhesiveness than the first adhesive layer. The film for semiconductor as described in said (6) containing the layer.

(8) 前記接着層の外周縁および前記第1粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第2粘着層の外周縁よりも内側に位置している上記(7)に記載の半導体用フィルム。   (8) The film for a semiconductor according to (7), wherein the outer peripheral edge of the adhesive layer and the outer peripheral edge of the first adhesive layer are respectively positioned on the inner side of the outer peripheral edge of the second adhesive layer.

(9) 前記第2粘着層の硬度は、前記第1粘着層の硬度より小さい上記(7)または(8)に記載の半導体用フィルム。   (9) The film for a semiconductor according to (7) or (8), wherein the hardness of the second adhesive layer is smaller than the hardness of the first adhesive layer.

(10) 前記第1粘着層のショアD硬度は、20〜60である上記(7)ないし(9)のいずれかに記載の半導体用フィルム。   (10) The film for semiconductor according to any one of (7) to (9), wherein the Shore D hardness of the first adhesive layer is 20 to 60.

(11) 前記粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の半導体用フィルム。   (11) Any one of the above (1) to (10), wherein a region of the adhesive layer side surface of the adhesive layer on which the semiconductor wafer is laminated is irradiated with ultraviolet rays prior to lamination with the semiconductor wafer. Film for semiconductor as described in 2.

(12) 上記(1)ないし(11)のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第1の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第2の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(12) A laminate is prepared by laminating the semiconductor film and the semiconductor wafer so that the adhesive layer of the semiconductor film according to any one of (1) to (11) is in contact with the semiconductor wafer. A first step of:
A second step of obtaining a plurality of semiconductor elements by dividing the semiconductor wafer into pieces by providing a cut in the stacked body from the semiconductor wafer side;
And a third step of picking up the semiconductor element.

(13) 前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる上記(12)に記載の半導体装置の製造方法。   (13) The method for manufacturing a semiconductor device according to (12), wherein the cut is provided so that a deepest portion thereof is located in the adhesive layer.

(14) 1本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、5×10−5〜300×10−5mmである上記(12)または(13)に記載の半導体装置の製造方法。 (14) In the one notch, the cross-sectional area of the tip side of the interface between the adhesive layer and the adhesive layer is 5 × 10 −5 to 300 × 10 −5 mm 2 above (12) or (13) A manufacturing method of a semiconductor device given in (13).

本発明によれば、たとえ個片のピックアップ時に個片に熱が伝わったとしても、ピックアップ性の低下を防止することができる。したがって、本発明によれば、半導体装置の製造歩留まりを高めるとともに、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルムが得られる。   According to the present invention, even if heat is transmitted to an individual piece at the time of picking up the individual piece, it is possible to prevent the pickup property from being deteriorated. Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor film capable of increasing the manufacturing yield of a semiconductor device and manufacturing a highly reliable semiconductor device.

本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図(縦断面図)である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a preferred embodiment of a semiconductor film of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図(縦断面図)である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a preferred embodiment of a semiconductor film of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図(縦断面図)である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a preferred embodiment of a semiconductor film of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention. 本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the method to manufacture the film for semiconductors of this invention. ダイボンダを用いて半導体素子をピックアップし、基板上に載置する様子を示す図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal section) showing signs that a semiconductor element is picked up using a die bonder and placed on a substrate.

以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the film for semiconductor and the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

図1ないし図3は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図(縦断面図)、図4は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図1ないし図4中の上側を「上」、下側を「下」という。   1 to 3 are diagrams (longitudinal sectional views) for explaining a preferred embodiment of the semiconductor film of the present invention and the method of manufacturing the semiconductor device of the present invention, and FIG. 4 is a diagram of the semiconductor film of the present invention. It is a figure for demonstrating the method to manufacture. In the following description, the upper side in FIGS. 1 to 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

[半導体用フィルム]
図1に示す半導体用フィルム10は、支持フィルム4と、第1粘着層1と、第2粘着層2と、接着層3とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム10は、支持フィルム4上に、第2粘着層2と、第1粘着層1と、接着層3とをこの順で積層してなるものである。
[Semiconductor film]
A semiconductor film 10 shown in FIG. 1 has a support film 4, a first adhesive layer 1, a second adhesive layer 2, and an adhesive layer 3. More specifically, the semiconductor film 10 is obtained by laminating the second adhesive layer 2, the first adhesive layer 1, and the adhesive layer 3 on the support film 4 in this order.

このような半導体用フィルム10は、図1(a)に示すように、接着層3の上面に半導体ウエハー7を積層させ、半導体ウエハー7をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー7を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー7(半導体素子71)をピックアップする際に、第1粘着層1と接着層3との間が選択的に剥離することにより、ピックアップした半導体素子71を絶縁基板5上に接着するための接着層31を提供する機能を有するものである。すなわち、半導体ウエハー7および接着層3をそれぞれ個片化し、半導体素子71と接着層31とを積層してなる個片83をピックアップするのに半導体用フィルム10が用いられる。   As shown in FIG. 1A, such a semiconductor film 10 supports a semiconductor wafer 7 when the semiconductor wafer 7 is laminated on the upper surface of the adhesive layer 3 and the semiconductor wafer 7 is separated into individual pieces by dicing. At the same time, when the separated semiconductor wafer 7 (semiconductor element 71) is picked up, the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 are selectively peeled off, so that the picked-up semiconductor element 71 is insulated from the insulating substrate. 5 has a function of providing an adhesive layer 31 for adhering onto the substrate 5. That is, the semiconductor film 10 and the adhesive layer 3 are separated into individual pieces, and the semiconductor film 10 is used to pick up the individual pieces 83 formed by laminating the semiconductor element 71 and the adhesive layer 31.

また、支持フィルム4の外周部41および第2粘着層2の外周部21は、それぞれ第1粘着層1の外周縁11を越えて外側に存在している。   Further, the outer peripheral portion 41 of the support film 4 and the outer peripheral portion 21 of the second adhesive layer 2 exist outside the outer peripheral edge 11 of the first adhesive layer 1, respectively.

このうち、外周部21には、ウエハーリング9が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー7が確実に支持されることとなる。   Among these, the wafer ring 9 is attached to the outer peripheral portion 21. Thereby, the semiconductor wafer 7 is reliably supported.

以下、半導体用フィルム10の各部の構成について順次詳述する。
(第1粘着層)
第1粘着層1は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第1粘着層1は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第1樹脂組成物で構成されている。
Hereinafter, the configuration of each part of the semiconductor film 10 will be described in detail.
(First adhesive layer)
The first adhesive layer 1 is composed of a general adhesive. Specifically, the 1st adhesion layer 1 is comprised by the 1st resin composition containing an acrylic adhesive, a rubber-type adhesive, etc.

アクリル系粘着剤としては、例えば(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体(例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等)との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を2種類以上混合してもよい。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, And a copolymer with styrene, acrylonitrile, etc.). Two or more of these resins may be mixed.

また、これらの中でも(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、第1粘着層1が粘着する相手(被着体)との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Of these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and selected from hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate Preferred are copolymers with one or more of the above. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with the other party (adherent body) which the 1st adhesion layer 1 adheres becomes easy.

また、第1樹脂組成物には、粘着性(接着性)を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート)等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。   In addition, the first resin composition includes urethane acrylate, acrylate monomer, polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.

さらに、第1樹脂組成物には、第1粘着層1を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。   Further, in the first resin composition, when the first adhesive layer 1 is cured by ultraviolet rays or the like, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone as a photopolymerization initiator, Acetophenone compounds such as 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzophenone compounds, benzoin compounds, benzoin isobutyl ether compounds, methyl benzoin benzoate compounds, benzoin Benzoic acid compounds, benzoin methyl ether compounds, benzylfinyl sulfide compounds, benzyl compounds, dibenzyl compounds, diacetyl compounds and the like may be added.

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。   Also, for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength, tackifying rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic petroleum resin, etc. Materials and the like may be added.

このような第1粘着層1の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100μm程度であるのが好ましく、特に3〜50μm程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第1粘着層1が得られる。   The average thickness of the first adhesive layer 1 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, more preferably about 3 to 50 μm. If the thickness is less than the lower limit value, it may be difficult to ensure sufficient adhesive strength. If the thickness exceeds the upper limit value, the characteristics are not significantly affected, and no advantage is obtained. When the thickness is within the above range, the first adhesive layer 1 having excellent dicing properties and pick-up properties can be obtained because it does not peel off particularly during dicing and can be peeled off relatively easily with a tensile load during pick-up. can get.

(第2粘着層)
第2粘着層2は、前述した第1粘着層1よりも粘着性が高いものである。これにより、第1粘着層1と接着層3との間よりも、第2粘着層2とウエハーリング9との間が強固に粘着することとなり、第2の工程においては、半導体ウエハー7をダイシングして個片化する際に、第2粘着層2とウエハーリング9との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー7の位置ずれが確実に防止され、半導体素子71の寸法精度の低下を防止することができる。
(Second adhesive layer)
The second adhesive layer 2 has higher adhesiveness than the first adhesive layer 1 described above. As a result, the adhesion between the second adhesive layer 2 and the wafer ring 9 is more tightly adhered than between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3, and in the second step, the semiconductor wafer 7 is diced. Thus, when separating into pieces, the space between the second adhesive layer 2 and the wafer ring 9 is securely fixed. As a result, the positional deviation of the semiconductor wafer 7 is reliably prevented, and the dimensional accuracy of the semiconductor element 71 can be prevented from being lowered.

第2粘着層2には、前述した第1粘着層1と同様のものを用いることができる。具体的には、第2粘着層2は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第2樹脂組成物で構成されている。   As the second adhesive layer 2, the same material as the first adhesive layer 1 described above can be used. Specifically, the second adhesive layer 2 is composed of a second resin composition containing an acrylic adhesive, a rubber adhesive, and the like.

アクリル系粘着剤としては、例えば(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体(例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等)との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を2種類以上混合してもよい。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, Copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.) are used. Two or more kinds of these copolymers may be mixed.

また、これらの中でも(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、第2粘着層2が粘着する相手(被着体)との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Of these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and selected from hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate Preferred are copolymers with one or more of the above. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with the other party (adhered body) which the 2nd adhesion layer 2 adheres becomes easy.

また、第2樹脂組成物には、粘着性(接着性)を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート)等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。   In addition, the second resin composition includes urethane acrylate, an acrylate monomer, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.

さらに、第2樹脂組成物には、第1樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。   Furthermore, you may add the photoinitiator similar to a 1st resin composition to a 2nd resin composition.

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。   Also, for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength, tackifying rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic petroleum resin, etc. Materials and the like may be added.

このような第2粘着層2の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100μm程度であるのが好ましく、特に3〜20μm程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第2粘着層2は、第1粘着層1によりも柔軟性が高いため、第2粘着層2の平均厚さが前記範囲内であれば、第2粘着層2の形状追従性が確保され、半導体用フィルム10の半導体ウエハー7に対する密着性をより高めることができる。   The average thickness of the second adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, and more preferably about 3 to 20 μm. If the thickness is less than the lower limit, it may be difficult to ensure sufficient adhesive force, and even if the thickness exceeds the upper limit, a particularly excellent effect cannot be obtained. In addition, since the second adhesive layer 2 is higher in flexibility than the first adhesive layer 1, the shape following property of the second adhesive layer 2 is ensured if the average thickness of the second adhesive layer 2 is within the above range. Thus, the adhesion of the semiconductor film 10 to the semiconductor wafer 7 can be further enhanced.

(接着層)
接着層3は、熱可塑性樹脂を含む第3樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。
(Adhesive layer)
The adhesive layer 3 is composed of a third resin composition containing a thermoplastic resin. Such a resin composition is excellent in film forming ability, adhesiveness, and heat resistance after curing.

本発明では、接着層3の構成材料(熱可塑性樹脂)として、ガラス転移点が0℃以下の(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含んでおり、かつ、23℃および60℃における、接着層3と粘着層(第1粘着層)との間の密着力が、30N/m以下である点に特徴を有している。   In the present invention, as a constituent material (thermoplastic resin) of the adhesive layer 3, the adhesive layer contains a (meth) acrylic acid ester copolymer having a glass transition point of 0 ° C. or lower, and at 23 ° C. and 60 ° C. 3 and the adhesion layer (1st adhesion layer) have the characteristics in the point which is 30 N / m or less.

このような構成とすることにより、ダイマウント時のピックアップの際に、コレットに溜まった熱によって接着層3がタック性(粘着性)を帯びるのを防止することができ、連続してピックアップすることができる。その結果、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルムを提供することができる。   By adopting such a configuration, it is possible to prevent the adhesive layer 3 from being tacky (adhesive) due to heat accumulated in the collet during pick-up at the time of die mounting, and picking up continuously. Can do. As a result, it is possible to provide a semiconductor film capable of manufacturing a highly reliable semiconductor device while preventing the occurrence of defects in the semiconductor element.

(メタ)アクリル酸エステル共重合体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等のモノマー成分を用いた共重合体や、これらモノマー成分と他のモノマー成分との共重合体等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid ester copolymer include acrylic acid esters such as acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, and ethyl acrylate, methacrylic acid esters such as methyl methacrylate and ethyl methacrylate, acrylonitrile, and acrylamide. And a copolymer of these monomer components and copolymers of these monomer components with other monomer components.

また、(メタ)アクリル酸エステル共重合体としては、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物(共重合モノマー成分)を有するものを用いるのが好ましい。これにより、半導体素子71等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。   Further, as the (meth) acrylic acid ester copolymer, it is preferable to use a copolymer having a compound having a functional group such as an epoxy group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or a nitrile group (copolymerization monomer component). Thereby, the adhesiveness to adherends, such as semiconductor element 71, can be improved more. Specific examples of the compound having a functional group include glycidyl methacrylate having a glycidyl ether group, hydroxy methacrylate having a hydroxyl group, carboxy methacrylate having a carboxyl group, and acrylonitrile having a nitrile group.

また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、(メタ)アクリル酸エステル共重合体全体の0.5〜40質量%程度であるのが好ましく、特に5〜30質量%程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。   Further, the content of the compound having the functional group is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 40% by mass of the entire (meth) acrylic acid ester copolymer, and particularly about 5 to 30% by mass. It is more preferable that When the content is less than the lower limit, the effect of improving the adhesion may be reduced, and when the content exceeds the upper limit, the adhesive force is too strong and the effect of improving the workability may be reduced.

本発明において、(メタ)アクリル酸エステル共重合体のガラス転移点は、0℃以下であるが、−35〜−5℃であるのがより好ましく、−25〜−10℃であるのが更に好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。なお、(メタ)アクリル酸エステル共重合体のガラス転移点は、上述のモノマーの配合比によって制御することが可能である。例えば、側鎖の鎖長が長くなるようなモノマーの含有比率を高くし、ニトリル基を持つアクリロニトリルの含有比率を低くすることで、ガラス転移点を下げることが可能である。より具体的には、モノマー単位としてエチルアクリレート、ブチルアクリレートの配合量を(メタ)アクリル酸エステル共重合体中で70mol%以上含み、アクリロニトリルの配合量を30mol%以下にすることでガラス転移点を0℃以下にすることができる。   In the present invention, the glass transition point of the (meth) acrylic acid ester copolymer is 0 ° C. or less, more preferably −35 to −5 ° C., and further preferably −25 to −10 ° C. preferable. Thereby, the effect of this invention can be made more remarkable. The glass transition point of the (meth) acrylic acid ester copolymer can be controlled by the mixing ratio of the above-mentioned monomers. For example, the glass transition point can be lowered by increasing the content ratio of the monomer that increases the side chain length and decreasing the content ratio of acrylonitrile having a nitrile group. More specifically, the blending amount of ethyl acrylate and butyl acrylate as monomer units is 70 mol% or more in the (meth) acrylic acid ester copolymer, and the blending amount of acrylonitrile is 30 mol% or less, thereby setting the glass transition point. It can be 0 ° C. or lower.

このような(メタ)アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、10万以上であるのが好ましく、15万〜100万であるのがより好ましい。これにより、ピックアップ性をより高いものとすることができるとともに、接着層3の成膜性を向上することができる。   The weight average molecular weight of such a (meth) acrylic acid ester copolymer is preferably 100,000 or more, and more preferably 150,000 to 1,000,000. Thereby, the pick-up property can be further improved, and the film-forming property of the adhesive layer 3 can be improved.

また、熱可塑性樹脂としては、上記(メタ)アクリル酸エステル共重合体の他に、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、フェノキシ樹脂等が含んでいてもよい。これらの中でもフェノキシ樹脂を含んでいるのが好ましい。これにより、ピックアップ性をより高いものとすることができる。   Examples of the thermoplastic resin include, in addition to the above (meth) acrylic acid ester copolymer, polyimide resins such as polyimide resins and polyetherimide resins, polyamide resins such as polyamide resins and polyamideimide resins, and phenoxy. Resin or the like may be contained. Among these, it is preferable to contain a phenoxy resin. Thereby, the pick-up property can be further improved.

また、フェノキシ樹脂を含む場合、フェノキシ樹脂のガラス転移点は、90℃以上であるのが好ましく、100〜130℃であるのがより好ましい。これにより、ピックアップ性をさらに優れたものとすることができる。また、有機基板への密着に優れたものとすることができる。   Moreover, when a phenoxy resin is included, it is preferable that the glass transition point of a phenoxy resin is 90 degreeC or more, and it is more preferable that it is 100-130 degreeC. Thereby, the pickup property can be further improved. Moreover, it can be excellent in adhesion to the organic substrate.

また、接着層3の構成材料(第3樹脂組成物)として熱硬化性樹脂が含んでいてもよい。   Further, a thermosetting resin may be included as a constituent material (third resin composition) of the adhesive layer 3.

熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層3の耐熱性および密着性をより向上することができる。   Examples of thermosetting resins include phenol novolac resins, cresol novolac resins, novolac phenol resins such as bisphenol A novolac resins, phenol resins such as resole phenol resins, bisphenol epoxy resins such as bisphenol A epoxy resins and bisphenol F epoxy resins. , Novolac epoxy resins, cresol novolac epoxy resins, novolac epoxy resins, biphenyl epoxy resins, stilbene epoxy resins, triphenolmethane epoxy resins, alkyl-modified triphenolmethane epoxy resins, triazine nucleus-containing epoxy resins, dicyclo Epoxy resins such as pentadiene-modified phenolic epoxy resins, urea (urea) resins, resins having a triazine ring such as melamine resins, unsaturated poly Steal resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, resin having a benzoxazine ring, cyanate ester resin, etc. may be mentioned, and one or a mixture of two or more of these may be used. Good. Of these, epoxy resins or phenol resins are preferred. According to these resins, the heat resistance and adhesion of the adhesive layer 3 can be further improved.

また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂100質量部に対して1〜400質量部程度であるのが好ましく、特に3〜300質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。   Further, the content of the thermosetting resin is not particularly limited, but is preferably about 1 to 400 parts by mass, more preferably about 3 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. . If the content exceeds the upper limit, chipping and cracking may occur, or the effect of improving the adhesion may be reduced.If the content is lower than the lower limit, the adhesive force is too strong and pickup failure is caused. This may occur or the effect of improving workability may be reduced.

また、第3樹脂組成物は、さらに硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタン、およびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
Moreover, the third resin composition may further contain a curing agent.
Examples of the curing agent include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), diaminodiphenylsulfone ( DDS) and other aromatic polyamines, dicyandiamide (DICY), amine-based curing agents such as polyamine compounds containing organic acid dihydralazide, and the like, alicyclic acids such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA) and methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) Acid anhydride curing agents such as anhydrides (liquid acid anhydrides), trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), and benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA), phenolic resins Phenolic Agents, and the like. Among these, a phenolic curing agent is preferable, and specifically, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane (common name: tetramethylbisphenol F), 4,4′-sulfonyldiphenol, 4,4′- Isopropylidenediphenol (commonly called bisphenol A), bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane, and bis (4- Hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane, a mixture of three types (for example, bisphenol FD manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) Bisphenols, 1,2-benzenediol, 1,3-benzenedio Dihydroxybenzenes such as 1,4-benzenediol, trihydroxybenzenes such as 1,2,4-benzenetriol, various isomers of dihydroxynaphthalene such as 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,2′-biphenol , Compounds such as various isomers of biphenols such as 4,4′-biphenol.

また、硬化剤(特にフェノール系硬化剤)の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂100質量部に対して1〜200質量部であるのが好ましく、特に3〜150質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層3の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層3の保存性が低下する場合がある。   Further, the content of the curing agent (particularly phenol-based curing agent) is not particularly limited, but is preferably 1 to 200 parts by mass, particularly 3 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. Is more preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the heat resistance of the adhesive layer 3 may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability of the adhesive layer 3 may be reduced.

また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量(例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量)の比が0.5〜1.5であることが好ましく、特に0.7〜1.3であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。   Further, when the thermosetting resin described above is an epoxy resin, it can be determined by calculating the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the curing agent. The epoxy equivalent of the epoxy resin and the equivalent of the functional group of the curing agent (for example, phenol resin) If present, the ratio of hydroxyl equivalent) is preferably 0.5 to 1.5, particularly preferably 0.7 to 1.3. When the content is less than the lower limit value, the storage stability may be lowered, and when the content exceeds the upper limit value, the effect of improving the heat resistance may be lowered.

また、第3樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒(硬化促進剤)を含んでいてもよい。これにより、接着層3の硬化性を向上することができる。   Further, the third resin composition is not particularly limited, but may further contain a curing catalyst (curing accelerator). Thereby, the sclerosis | hardenability of the contact bonding layer 3 can be improved.

硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。   Examples of the curing catalyst include amine catalysts such as imidazoles and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene, phosphorus catalysts such as triphenylphosphine, and the like. Of these, imidazoles are preferred. Thereby, especially quick curability and preservability can be made compatible.

イミダゾール類としては、例えば1−ベンジル−2メチルイミダゾール、1−ベンジル−2フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。   Examples of imidazoles include 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole Null acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino -6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, etc. Can be mentioned. Among these, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole or 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole is preferable. Thereby, the storage stability can be particularly improved.

また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂100質量部に対して0.01〜30質量部程度であるのが好ましく、特に0.5〜10質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。   Further, the content of the curing catalyst is not particularly limited, but is preferably about 0.01 to 30 parts by mass, particularly about 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. More preferred. If the content is less than the lower limit, the curability may be insufficient, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability may decrease.

また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、10μm以下であることが好ましく、特に1〜5μmであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。   The average particle diameter of the curing catalyst is not particularly limited, but is preferably 10 μm or less, and more preferably 1 to 5 μm. When the average particle size is within the above range, the reactivity of the curing catalyst is particularly excellent.

また、第3樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含んでいてもよい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。   The third resin composition is not particularly limited, but may further contain a coupling agent. Thereby, the adhesiveness of resin, a to-be-adhered body, and a resin interface can be improved more.

前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。   Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and an aluminum coupling agent. Of these, silane coupling agents are preferred. Thereby, heat resistance can be improved more.

このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファンなどが挙げられる。   Among these, as the silane coupling agent, for example, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyl Dimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysila N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, bis (3 -Triethoxysilylpropyl) tetrasulfane and the like.

カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂100質量部に対して0.01〜10質量部程度であるのが好ましく、特に0.5〜10質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。   Although content of a coupling agent is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.01-10 mass parts with respect to 100 mass parts of thermoplastic resins, and it is more about 0.5-10 mass parts especially. preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of adhesion may be insufficient, and if it exceeds the upper limit, it may cause outgassing or voids.

接着層3を成膜するにあたっては、このような第3樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層3を得ることができる。   In forming the adhesive layer 3, such a third resin composition is dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone, acetone, toluene, dimethylformaldehyde and the like to form a varnish, followed by a comma coater, a die coater, The adhesive layer 3 can be obtained by coating on a carrier film using a gravure coater or the like and drying.

接着層3の平均厚さは、特に限定されないが、3〜100μm程度であるのが好ましく、特に5〜70μm程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。   The average thickness of the adhesive layer 3 is not particularly limited, but is preferably about 3 to 100 μm, and more preferably about 5 to 70 μm. When the thickness is within the above range, it is particularly easy to control the thickness accuracy.

また、第3樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層3の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。   Moreover, the 3rd resin composition may contain the filler as needed. By including the filler, the mechanical properties and adhesive strength of the adhesive layer 3 can be improved.

このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。   Examples of the filler include particles of silver, titanium oxide, silica, mica, and the like.

また、フィラーの平均粒径は、0.1〜25μm程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。   Moreover, it is preferable that the average particle diameter of a filler is about 0.1-25 micrometers. If the average particle size is less than the lower limit, the effect of filler addition is reduced, and if it exceeds the upper limit, the adhesive strength as a film may be reduced.

フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂100質量部に対して0.1〜100質量部程度であるのが好ましく、特に5〜90質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層3の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。   Although content of a filler is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.1-100 mass part with respect to 100 mass parts of thermoplastic resins, and it is more preferable that it is especially about 5-90 mass parts. Thereby, the adhesive force can be further increased while enhancing the mechanical properties of the adhesive layer 3.

(支持フィルム)
支持フィルム4は、以上のような第1粘着層1、第2粘着層2および接着層3を支持する支持体である。
(Support film)
The support film 4 is a support that supports the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the adhesive layer 3 as described above.

このような支持フィルム4の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上の混合物が挙げられる。   Examples of the constituent material of the support film 4 include polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, and ethylene vinyl acetate copolymer. , Ionomer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, vinyl polyisoprene, polycarbonate, etc., and one or a mixture of two or more of these Is mentioned.

支持フィルム4の平均厚さは、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、30〜150μm程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム4は、適度な剛性を有するものとなるため、第1粘着層1、第2粘着層2および接着層3を確実に支持して、半導体用フィルム10の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム10が適度に湾曲することで、半導体ウエハー7との密着性を高めることができる。   The average thickness of the support film 4 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 200 μm, and more preferably about 30 to 150 μm. Thereby, since the support film 4 has moderate rigidity, the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the adhesive layer 3 are reliably supported to facilitate the handling of the semiconductor film 10. At the same time, when the semiconductor film 10 is appropriately curved, adhesion to the semiconductor wafer 7 can be enhanced.

(半導体用フィルムの特性)
第1粘着層1、第2粘着層2および接着層3は、それぞれ異なる密着力(粘着力)を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
(Characteristics of semiconductor film)
Although the 1st adhesion layer 1, the 2nd adhesion layer 2, and the contact bonding layer 3 have mutually different adhesive force (adhesion force), it is preferable that they have the following characteristics.

まず、第1粘着層1の接着層3に対する密着力は、第2粘着層2のウエハーリング9に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第3の工程において、個片83をピックアップした際に、第2粘着層2とウエハーリング9との間は剥離することなく、接着層3と第1粘着層1との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング9により積層体8を確実に支持し続けることができる。   First, the adhesive force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 is preferably smaller than the adhesive force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9. Thereby, in the 3rd process mentioned later, when picking up the piece 83, between the adhesion layer 3 and the 1st adhesion layer 1 without peeling between the 2nd adhesion layer 2 and the wafer ring 9, Peels selectively. When dicing, the laminated body 8 can be reliably supported by the wafer ring 9.

すなわち、本実施形態では、第1粘着層1および第2粘着層2の2層の粘着層を用いているため、それぞれの粘着力を異ならせることで、上記のように、積層体8の確実な固定と個片83の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。   That is, in this embodiment, since the two adhesive layers of the 1st adhesion layer 1 and the 2nd adhesion layer 2 are used, by making each adhesive force differ, as above-mentioned, it is reliable of the laminated body 8. Therefore, it is possible to achieve both the simple fixing and the easy pickup of the piece 83. In other words, both dicing properties and pickup properties can be achieved.

本発明では、23℃および60℃における、接着層3と第1粘着層1との間の密着力が、上述したように、30N/m以下となっている。このため、ダイマウント時のピックアップの際に、コレットに溜まった熱によって接着層3の温度が意図せずに上昇した場合であっても、連続して円滑にピックアップすることができる。その結果、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルムを提供することができる。   In the present invention, the adhesion between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 at 23 ° C. and 60 ° C. is 30 N / m or less as described above. For this reason, even when the temperature of the adhesive layer 3 is unintentionally raised due to the heat accumulated in the collet at the time of picking up at the time of die mounting, it is possible to pick up continuously and smoothly. As a result, it is possible to provide a semiconductor film capable of manufacturing a highly reliable semiconductor device while preventing the occurrence of defects in the semiconductor element.

なお、第1粘着層1の接着層3に対する密着力や第2粘着層2のウエハーリング9に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類(組成)、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。   The adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 and the adhesion force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9 are the kind (composition) of the acrylic resin, the kind of monomer, and the content, respectively. It can be adjusted by changing the hardness or the like.

なお、上記密着力の単位である「N/m」は、第1粘着層1の表面に接着層3を貼り付けたサンプルを25mm幅の短冊状にし、その後、23℃(室温)において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角180°でかつ引っ張り速度1000mm/minで引き剥がしたときの荷重(単位N)を1m幅当たりに換算した(1000mm/25mm=40倍した)値である。すなわち、ここでは、第1粘着層1の接着層3に対する密着力は、180°ピール強度として説明する。   In addition, “N / m”, which is a unit of the above-mentioned adhesion strength, is a 25 mm wide strip of a sample in which the adhesive layer 3 is pasted on the surface of the first adhesive layer 1, and then at 23 ° C. (room temperature) In the laminated film, the load (unit N) when the adhesive layer portion was peeled off at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min was a value converted per 1 m width (1000 mm / 25 mm = 40 times). That is, here, the adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 will be described as 180 ° peel strength.

上記のような特性を有する第1粘着層1の組成としては、例えば、アクリル系樹脂100質量部に対して、アクリレートモノマー1〜50質量部と、イソシアネート化合物0.1〜10質量部とを配合したものが挙げられる。   As a composition of the 1st adhesion layer 1 which has the above characteristics, 1-50 mass parts of acrylate monomers and 0.1-10 mass parts of isocyanate compounds are mix | blended with respect to 100 mass parts of acrylic resins, for example. The thing which was done is mentioned.

一方、第2粘着層2のウエハーリング9に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で100〜2,000N/m程度であるのが好ましく、特に400〜1,200N/m程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体8を引き伸ばしたり(エキスパンド)、積層体8をダイシングした際に、第1粘着層1と第2粘着層2との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子71の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング9により積層体8を確実に支持することができる。   On the other hand, the adhesion force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9 is not particularly limited, but is preferably about 100 to 2,000 N / m on the average of the adhesion interface, particularly about 400 to 1,200 N / m. More preferably. When the adhesion is within the above range, when the laminate 8 is expanded (expanded) as described later, or when the laminate 8 is diced, the interface between the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 is peeled off. As a result, the semiconductor element 71 is reliably prevented from falling off. Further, the laminated body 8 can be reliably supported by the wafer ring 9.

なお、上記密着力の単位である「N/m」は、ウエハーリング9の上面に第2粘着層2が接するように、25mm幅の短冊状の第2粘着層2を積層した支持フィルム4を23℃(室温)で貼り付け、その後、23℃(室温)において、この第2粘着層2を積層した支持フィルム4を、剥離角180°でかつ引っ張り速度1000mm/minでウエハーリング9から引き剥がしたときの荷重(単位N)を1m幅当たりに換算した(1000mm/25mm=40倍した)値である。すなわち、ここでは、第2粘着層2のウエハーリング9に対する密着力は、180°ピール強度として説明する。   In addition, “N / m”, which is a unit of the above-mentioned adhesion force, is a support film 4 in which a strip-shaped second adhesive layer 2 having a width of 25 mm is laminated so that the second adhesive layer 2 is in contact with the upper surface of the wafer ring 9. At 23 ° C. (room temperature), the support film 4 on which the second adhesive layer 2 was laminated was peeled off from the wafer ring 9 at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min. The load (unit N) is a value converted per 1 m width (1000 mm / 25 mm = 40 times). That is, here, the adhesion force of the second adhesive layer 2 to the wafer ring 9 will be described as 180 ° peel strength.

上記のような特性を有する第2粘着層2の組成としては、例えば、アクリル系樹脂100質量部に対して、ウレタンアクリレート1〜50質量部と、イソシアネート化合物0.5〜10質量部とを配合したものが挙げられる。   As a composition of the 2nd adhesion layer 2 which has the above characteristics, 1-50 mass parts of urethane acrylate and 0.5-10 mass parts of isocyanate compounds are blended with respect to 100 mass parts of acrylic resin, for example. The thing which was done is mentioned.

なお、第1粘着層1の接着層3に対する密着力をAとし、第2粘着層2の第1粘着層1に対する密着力をAとしたとき、A/Aは、特に限定されないが、5〜200程度であるのが好ましく、10〜50程度であるのがより好ましい。これにより、第1粘着層1、第2粘着層2および接着層3は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。 Incidentally, the adhesion to the first adhesive layer 3 of the adhesive layer 1 and A 1, when the adhesion to the first adhesive layer 1 of the second adhesive layer 2 and the A 2, A 2 / A 1 is not particularly limited However, it is preferable that it is about 5-200, and it is more preferable that it is about 10-50. Thereby, the 1st adhesion layer 1, the 2nd adhesion layer 2, and the contact bonding layer 3 become the thing especially excellent in dicing property and pick-up property.

また、第1粘着層1の接着層3に対する密着力は、接着層3の半導体ウエハー7に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片83をピックアップした際に、半導体ウエハー7と接着層3との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第1粘着層1と接着層3との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。   Further, the adhesion force of the first adhesive layer 1 to the adhesive layer 3 is preferably smaller than the adhesion force of the adhesive layer 3 to the semiconductor wafer 7. Thereby, when the piece 83 is picked up, it is possible to prevent the interface between the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 from being unintentionally peeled off. That is, peeling can be selectively caused at the interface between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3.

なお、接着層3の半導体ウエハー7に対する密着力は、特に限定されないが、50〜500N/m程度であるのが好ましく、特に80〜250N/m程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子71が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。   The adhesion force of the adhesive layer 3 to the semiconductor wafer 7 is not particularly limited, but is preferably about 50 to 500 N / m, and more preferably about 80 to 250 N / m. When the adhesion force is within the above range, it is possible to sufficiently prevent the occurrence of so-called “chip jump” in which the semiconductor element 71 flies off due to vibration or impact particularly during dicing.

ここで、上記密着力の単位である「N/m」は、半導体ウエハー7の上面に接着層3が接するように、25mm幅の短冊状の接着層3とポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)とを積層した積層体を23℃(室温)で貼り付け、その後、23℃(室温)において、この積層体を、剥離角180°でかつ引っ張り速度1000mm/minで半導体ウエハー7から引き剥がしたときの荷重(単位N)を1m幅当たりに換算した(1000mm/25mm=40倍した)値である。すなわち、ここでは、接着層3の半導体ウエハー7に対する密着力は、180°ピール強度として説明する。   Here, “N / m”, which is a unit of the above-mentioned adhesion force, is a strip-shaped adhesive layer 3 having a width of 25 mm and a polyethylene terephthalate film (PET film) so that the adhesive layer 3 is in contact with the upper surface of the semiconductor wafer 7. The laminated laminate is pasted at 23 ° C. (room temperature), and then the load when the laminate is peeled off from the semiconductor wafer 7 at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min at 23 ° C. (room temperature). This is a value obtained by converting (unit N) per 1 m width (1000 mm / 25 mm = 40 times). That is, here, the adhesion force of the adhesive layer 3 to the semiconductor wafer 7 will be described as 180 ° peel strength.

また、第1粘着層1の接着層3に対する密着力は、第1粘着層1の第2粘着層2に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片83をピックアップした際に、第1粘着層1と第2粘着層2との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第1粘着層1と接着層3との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。   Moreover, it is preferable that the adhesive force with respect to the adhesive layer 3 of the 1st adhesive layer 1 is smaller than the adhesive force with respect to the 2nd adhesive layer 2 of the 1st adhesive layer 1. FIG. Thereby, when the piece 83 is picked up, it can prevent that the interface of the 1st adhesion layer 1 and the 2nd adhesion layer 2 peels unintentionally. That is, peeling can be selectively caused at the interface between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3.

なお、第1粘着層1の第2粘着層2に対する密着力は、特に限定されないが、100〜1,000N/m程度であるのが好ましく、特に300〜600N/m程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。   In addition, although the adhesive force with respect to the 2nd adhesion layer 2 of the 1st adhesion layer 1 is not specifically limited, It is preferable that it is about 100-1,000 N / m, and it is more preferable that it is especially about 300-600 N / m. . When the adhesion is within the above range, the dicing property and the pickup property are particularly excellent.

ここで、上記密着力の単位である「N/m」は、支持フィルム4上の第2粘着層2の表面に第1粘着層1を積層して貼り付けたサンプルを25mm幅の短冊状にし、その後、23℃(室温)において、この積層フィルムにおいて第1粘着層1部分を剥離角180°でかつ引っ張り速度1000mm/minで引き剥がしたときの荷重(単位N)を1m幅当たりに換算した(1000mm/25mm=40倍した)値である。すなわち、ここでは、第1粘着層1の第2粘着層2に対する密着力は、180°ピール強度として説明する。   Here, “N / m”, which is a unit of the above-mentioned adhesion, is a 25 mm wide strip formed by laminating the first adhesive layer 1 on the surface of the second adhesive layer 2 on the support film 4. Then, at 23 ° C. (room temperature), the load (unit N) when the first adhesive layer 1 part was peeled off at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min in this laminated film was converted per 1 m width. (1000 mm / 25 mm = 40 times). That is, here, the adhesion force of the first adhesive layer 1 to the second adhesive layer 2 will be described as 180 ° peel strength.

(半導体用フィルムの製造方法)
以上説明したような半導体用フィルム10は、例えば以下のような方法で製造される。
(Manufacturing method of semiconductor film)
The semiconductor film 10 as described above is manufactured, for example, by the following method.

まず、図4(a)に示す基材4aを用意し、この基材4aの一方の面上に第1粘着層1を成膜する。これにより、基材4aと第1粘着層1との積層体61を得る。第1粘着層1の成膜は、前述した第1樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第1樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。   First, the base material 4a shown in FIG. 4A is prepared, and the first adhesive layer 1 is formed on one surface of the base material 4a. Thereby, the laminated body 61 of the base material 4a and the 1st adhesion layer 1 is obtained. The first adhesive layer 1 is formed by applying the above-described resin varnish containing the first resin composition by various application methods and then drying the applied film, or laminating a film made of the first resin composition. It can be performed by a method or the like. Further, the coating film may be cured by irradiating radiation such as ultraviolet rays.

上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。   Examples of the coating method include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method.

また、積層体61と同様にして、図4(a)に示すように、用意した基材4bの一方の面上に接着層3を成膜し、これにより、基材4bと接着層3との積層体62を得る。   Further, similarly to the laminated body 61, as shown in FIG. 4A, the adhesive layer 3 is formed on one surface of the prepared base material 4b, whereby the base material 4b and the adhesive layer 3 are formed. The laminate 62 is obtained.

さらに、各積層体61、62と同様にして、図4(a)に示すように、用意した支持フィルム4の一方の面上に第2粘着層2を成膜し、これにより、支持フィルム4と第2粘着層2との積層体63を得る。   Further, in the same manner as each of the laminates 61 and 62, as shown in FIG. 4A, the second adhesive layer 2 is formed on one surface of the prepared support film 4, and thereby the support film 4 And the second adhesive layer 2 are obtained.

次いで、図4(b)に示すように、第1粘着層1と接着層3とが接するように積層体61と積層体62とを積層し、積層体64を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。   Next, as illustrated in FIG. 4B, the stacked body 61 and the stacked body 62 are stacked so that the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 are in contact with each other to obtain a stacked body 64. This lamination can be performed by, for example, a roll lamination method.

次いで、図4(c)に示すように、積層体64から基材4aを剥離する。そして、図4(d)に示すように、前記基材4aを剥離した積層体64に対して、基材4bを残して、前記接着層3および前記第1粘着層1の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー7の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング9の内径よりも小さい領域を指す。   Next, as shown in FIG. 4C, the base material 4 a is peeled from the laminate 64. And as shown in FIG.4 (d), the outer side part of the effective area | region of the said adhesive layer 3 and the said 1st adhesion layer 1 leaves the base material 4b with respect to the laminated body 64 which peeled the said base material 4a. Is removed in a ring shape. Here, the effective area refers to an area whose outer periphery is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9.

次いで、図4(e)に示すように、第1粘着層1の露出面に第2粘着層2が接するように、基材4aを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体64と積層体63を積層する。その後、基材4bを剥離することにより、図4(f)に示す半導体用フィルム10が得られる。   Next, as shown in FIG. 4 (e), a laminate in which the base 4 a is peeled off and the outer portion of the effective area is removed in a ring shape so that the second adhesive layer 2 is in contact with the exposed surface of the first adhesive layer 1. 64 and the laminated body 63 are laminated. Then, the film 10 for semiconductors shown in FIG.4 (f) is obtained by peeling the base material 4b.

[半導体装置の製造方法]
次に、上述したような半導体用フィルム10を用いて半導体装置100を製造する方法(本発明の半導体装置の製造方法の第1実施形態)について説明する。
[Method for Manufacturing Semiconductor Device]
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 100 using the semiconductor film 10 as described above (first embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention) will be described.

図1ないし図3に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー7と半導体用フィルム10とを積層し、積層体8を得る第1の工程と、半導体用フィルム10の外周部21をウエハーリング9に貼り付けた状態で、半導体ウエハー7側から積層体8に切り込み81を設ける(ダイシングする)ことにより、半導体ウエハー7および接着層3を個片化し、半導体素子71および接着層31からなる複数の個片83を得る第2の工程と、個片83の少なくとも1つをピックアップする第3の工程と、ピックアップされた個片83を絶縁基板5上に載置し、半導体装置100を得る第4の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。   The semiconductor device manufacturing method shown in FIGS. 1 to 3 includes a first step of laminating a semiconductor wafer 7 and a semiconductor film 10 to obtain a laminated body 8, and an outer peripheral portion 21 of the semiconductor film 10 with a wafer ring 9. The semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 are separated into individual pieces by providing a cut 81 in the laminated body 8 from the side of the semiconductor wafer 7 (dicing), and a plurality of semiconductor elements 71 and adhesive layers 31 are formed. A second step of obtaining the piece 83; a third step of picking up at least one of the pieces 83; and a fourth step of obtaining the semiconductor device 100 by placing the picked piece 83 on the insulating substrate 5. It has these processes. Hereinafter, each step will be described in detail.

[1]
[1−1]まず、半導体ウエハー7および半導体用フィルム10を用意する。
半導体ウエハー7は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー7としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。
[1]
[1-1] First, a semiconductor wafer 7 and a semiconductor film 10 are prepared.
The semiconductor wafer 7 has a plurality of circuits formed on its surface in advance. Examples of the semiconductor wafer 7 include a silicon semiconductor, a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide and gallium nitride.

このような半導体ウエハー7の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは0.01〜1mm程度、より好ましくは0.03〜0.5mm程度とされる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー7に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。   The average thickness of the semiconductor wafer 7 is not particularly limited, and is preferably about 0.01 to 1 mm, more preferably about 0.03 to 0.5 mm. According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor wafer 7 having such a thickness can be cut into pieces easily and reliably without causing defects such as chipping and cracking. .

[1−2]次に、図1(a)に示すように、上述したような半導体用フィルム10の接着層3と、半導体ウエハー7とを密着させつつ、半導体用フィルム10と半導体ウエハー7とを積層する(第1の工程)。なお、図1に示す半導体用フィルム10では、接着層3の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー7の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング9の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー7の下面全体が接着層3の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー7が半導体用フィルム10で支持されることとなる。   [1-2] Next, as shown in FIG. 1A, the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are bonded to each other while the adhesive layer 3 of the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are brought into close contact with each other. Are stacked (first step). Note that in the semiconductor film 10 shown in FIG. 1, the size and shape of the adhesive layer 3 in plan view are set in advance to be larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9. Has been. For this reason, the entire lower surface of the semiconductor wafer 7 is in close contact with the entire upper surface of the adhesive layer 3, whereby the semiconductor wafer 7 is supported by the semiconductor film 10.

上記積層の結果、図1(b)に示すように、半導体用フィルム10と半導体ウエハー7とが積層されてなる積層体8が得られる。   As a result of the above lamination, as shown in FIG. 1B, a laminated body 8 in which the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 are laminated is obtained.

[2]
[2−1]次に、ウエハーリング9を用意する。続いて、第2粘着層2の外周部21の上面とウエハーリング9の下面とが密着するように、積層体8とウエハーリング9とを積層する。これにより、積層体8の外周部がウエハーリング9により支持される。
[2]
[2-1] Next, a wafer ring 9 is prepared. Subsequently, the stacked body 8 and the wafer ring 9 are stacked so that the upper surface of the outer peripheral portion 21 of the second adhesive layer 2 and the lower surface of the wafer ring 9 are in close contact with each other. Thereby, the outer peripheral part of the laminated body 8 is supported by the wafer ring 9.

ウエハーリング9は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体8の変形を確実に防止することができる。   Since the wafer ring 9 is generally made of various metal materials such as stainless steel and aluminum, the wafer ring 9 has high rigidity and can surely prevent the laminate 8 from being deformed.

半導体用フィルム10が上述したように粘着性の異なる2層の粘着層(第1粘着層1および第2粘着層2)を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。   By having two adhesive layers (first adhesive layer 1 and second adhesive layer 2) having different adhesiveness as described above, the semiconductor film 10 utilizes the difference in adhesiveness, Both dicing and pickup properties can be achieved.

[2−2]次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム4とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体8を載置する。   [2-2] Next, a dicer table (not shown) is prepared, and the laminate 8 is placed on the dicer table so that the dicer table and the support film 4 are in contact with each other.

続いて、図1(c)に示すように、ダイシングブレード82を用いて積層体8に複数の切り込み81を形成する(ダイシング)。ダイシングブレード82は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体8の半導体ウエハー7側の面に押し当てることで切り込み81が形成される。そして、半導体ウエハー7に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード82を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー7が複数の半導体素子71に個片化される(第2の工程)。また、接着層3も同様に、複数の接着層31に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー7に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー7の下面が半導体用フィルム10で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー7における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 1C, a plurality of cuts 81 are formed in the laminate 8 using a dicing blade 82 (dicing). The dicing blade 82 is composed of a disk-shaped diamond blade or the like, and a cut 81 is formed by pressing the dicing blade 82 against the surface of the laminated body 8 on the semiconductor wafer 7 side. Then, the semiconductor wafer 7 is separated into a plurality of semiconductor elements 71 by relatively moving the dicing blade 82 along the gap between the circuit patterns formed on the semiconductor wafer 7 (second step). ). Similarly, the adhesive layer 3 is divided into a plurality of adhesive layers 31. During such dicing, vibration and impact are applied to the semiconductor wafer 7, but the lower surface of the semiconductor wafer 7 is supported by the semiconductor film 10, so that the vibration and impact are alleviated. As a result, the occurrence of defects such as cracks and chippings in the semiconductor wafer 7 can be reliably prevented.

切り込み81の深さは、半導体ウエハー7と接着層3とを貫通し得る深さであれば特に限定されない。すなわち、切り込み81の先端は、第1粘着層1、第2粘着層2および支持フィルム4のいずれかに達していればよい。これにより、半導体ウエハー7と接着層3とが確実に個片化され、それぞれ半導体素子71と接着層31とが形成されることとなる。   The depth of the notch 81 is not particularly limited as long as it can penetrate the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3. That is, the tip of the cut 81 only needs to reach any of the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4. Thereby, the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 are surely separated into individual pieces, and the semiconductor element 71 and the adhesive layer 31 are formed, respectively.

なお、本実施形態では、図1(c)に示すように、切り込み81の先端を第1粘着層1内に留める場合について後に説明する。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1C, the case where the tip of the cut 81 is fastened in the first adhesive layer 1 will be described later.

[3]
[3−1]次に、複数の切り込み81が形成された積層体8を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす(エキスパンド)。これにより、図1(d)に示すように、積層体8に形成された切り込み81の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子71同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子71同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子71をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
[3]
[3-1] Next, the laminate 8 in which the plurality of cuts 81 are formed is radially expanded (expanded) by an expanding device (not shown). Thereby, as shown in FIG.1 (d), the width | variety of the notch 81 formed in the laminated body 8 spreads, and the space | interval of the semiconductor elements 71 separated into pieces is also expanded in connection with it. As a result, there is no possibility that the semiconductor elements 71 interfere with each other, and the individual semiconductor elements 71 can be easily picked up. Note that the expanding device is configured to maintain such an expanded state even in a process described later.

[3−2]次に、図2に示すダイボンダ250により、個片化された半導体素子71のうちの1つを吸着して上方に引き上げる。その結果、図2(e)に示すように、接着層31と第1粘着層1との界面が選択的に剥離し、半導体素子71と接着層31とが積層されてなる個片83がピックアップされる(第3の工程)。   [3-2] Next, the die bonder 250 shown in FIG. 2 attracts and pulls up one of the separated semiconductor elements 71 upward. As a result, as shown in FIG. 2 (e), the interface between the adhesive layer 31 and the first adhesive layer 1 is selectively peeled off, and an individual piece 83 formed by laminating the semiconductor element 71 and the adhesive layer 31 is picked up. (Third step).

[4]
[4−1]次に、半導体素子71(チップ)を搭載(マウント)するための絶縁基板5を用意する。
[4]
[4-1] Next, the insulating substrate 5 for mounting (mounting) the semiconductor element 71 (chip) is prepared.

この絶縁基板5としては、半導体素子71を搭載し、半導体素子71と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。   Examples of the insulating substrate 5 include an insulating substrate on which a semiconductor element 71 is mounted and wiring and terminals for electrically connecting the semiconductor element 71 and the outside are provided.

具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板、ビスマレイミド−トリアジン(BT)基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板5に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
Specifically, flexible substrates such as polyester copper-clad film substrates, polyimide copper-clad film substrates, aramid copper-clad film substrates, glass-based copper-clad laminates such as glass cloth and epoxy copper-clad laminates, and glass nonwoven fabrics -Composite copper-clad laminates such as epoxy copper-clad laminates, heat-resistant and thermoplastic substrates such as polyetherimide resin substrates, polyetherketone resin substrates, polysulfone resin substrates, alumina substrates, aluminum nitride substrates And ceramic substrates such as silicon carbide substrates, bismaleimide-triazine (BT) substrates, and the like.
Instead of the insulating substrate 5, a lead frame or the like may be used.

次いで、図2(f)に示すように、ピックアップされた個片83を、ダイボンダ250により絶縁基板5上に載置する。   Next, as shown in FIG. 2 (f), the picked-up pieces 83 are placed on the insulating substrate 5 by the die bonder 250.

ここで、ダイボンダ250について説明する。
図2に示すダイボンダ250は、ダイシング工程を経て得られた個片83をピックアップした後、後述する絶縁基板5上に移送するものである。
Here, the die bonder 250 will be described.
The die bonder 250 shown in FIG. 2 picks up the piece 83 obtained through the dicing process and then transfers it onto the insulating substrate 5 described later.

このダイボンダ250は、個片83を吸着するコレット(チップ吸着部)260と、絶縁基板5を下方から加熱するヒーター270と、コレット260を支持する装置本体280とを有する。コレット260は、個片83を吸着した状態で、積層体8の載置部から絶縁基板5の載置部まで移動し得るようになっている。   The die bonder 250 includes a collet (chip adsorbing portion) 260 that adsorbs the pieces 83, a heater 270 that heats the insulating substrate 5 from below, and an apparatus main body 280 that supports the collet 260. The collet 260 can move from the placement portion of the stacked body 8 to the placement portion of the insulating substrate 5 in a state where the individual pieces 83 are adsorbed.

本工程では、図2(e)に示すように、コレット260により個片83をピックアップし、この個片83を絶縁基板5上に載置する。そして、ヒーター270で加熱しつつ個片83を絶縁基板5に圧着することにより、個片83を絶縁基板5に接着する(図2(f)参照)。   In this step, as shown in FIG. 2 (e), the piece 83 is picked up by the collet 260, and the piece 83 is placed on the insulating substrate 5. Then, the pieces 83 are bonded to the insulating substrate 5 by pressing the pieces 83 to the insulating substrate 5 while being heated by the heater 270 (see FIG. 2F).

なお、このようなピックアップの際に、接着層31と第1粘着層1との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第2粘着層2の粘着性が第1粘着層1の粘着性が高いため、支持フィルム4と第2粘着層2との界面の密着力、および、第2粘着層2の第1粘着層1との界面の密着力は、第1粘着層1と接着層3との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子71を上方にピックアップした場合、これらの3箇所のうち、最も密着力の小さい第1粘着層1と接着層3との界面が選択的に剥離することとなる。   Note that the reason why the interface between the adhesive layer 31 and the first adhesive layer 1 is selectively peeled during such pickup is that the adhesiveness of the second adhesive layer 2 is the first adhesive layer 1 as described above. Therefore, the adhesive force at the interface between the support film 4 and the second adhesive layer 2 and the adhesive force at the interface between the second adhesive layer 2 and the first adhesive layer 1 are the same as those of the first adhesive layer 1. This is because the adhesive strength with the adhesive layer 3 is greater. That is, when the semiconductor element 71 is picked up, the interface between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 having the smallest adhesion force among these three locations is selectively peeled off.

また、個片83をピックアップする際には、半導体用フィルム10の下方から、ピックアップすべき個片83を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体8から個片83が突き上げられるため、前述した個片83のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片83の突き上げには、半導体用フィルム10を下方から突き上げる図示しない針状体(ニードル)等が用いられる。すなわち、ダイボンダ250は、この針状体を有していてもよい。   Further, when picking up the individual piece 83, the individual piece 83 to be picked up may be selectively pushed up from below the semiconductor film 10. Thereby, since the piece 83 is pushed up from the laminated body 8, the pickup of the piece 83 mentioned above can be performed more easily. In order to push up the individual piece 83, a needle-like body (needle) (not shown) that pushes up the semiconductor film 10 from below is used. That is, the die bonder 250 may have this needle-like body.

[4−2]次に、図3(g)に示すように、絶縁基板5上に載置された個片83を加熱・圧着する。これにより、接着層31を介して半導体素子71と絶縁基板5とが接着(ダイボンディング)される(第4の工程)。   [4-2] Next, as shown in FIG. 3G, the pieces 83 placed on the insulating substrate 5 are heated and pressure-bonded. As a result, the semiconductor element 71 and the insulating substrate 5 are bonded (die bonding) via the adhesive layer 31 (fourth step).

加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は100〜300℃程度であるのが好ましく、100〜200℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は1〜10秒程度であるのが好ましく、1〜5秒程度であるのがより好ましい。   As conditions for heating and pressure bonding, for example, the heating temperature is preferably about 100 to 300 ° C, and more preferably about 100 to 200 ° C. Further, the pressure bonding time is preferably about 1 to 10 seconds, and more preferably about 1 to 5 seconds.

また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは100〜300℃程度、より好ましくは150〜250℃程度とされ、加熱時間が好ましくは1〜240分程度、より好ましくは10〜60分程度とされる。   Moreover, you may heat-process after that. The heating conditions in this case are such that the heating temperature is preferably about 100 to 300 ° C., more preferably about 150 to 250 ° C., and the heating time is preferably about 1 to 240 minutes, more preferably about 10 to 60 minutes. The

その後、半導体素子71の端子(図示せず)と絶縁基板5上の端子(図示せず)とをワイヤ84により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ84に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。   Thereafter, a terminal (not shown) of the semiconductor element 71 and a terminal (not shown) on the insulating substrate 5 are electrically connected by a wire 84. For this connection, instead of the wire 84, a conductive paste, a conductive film, or the like may be used.

そして、絶縁基板5上に載置された個片83およびワイヤ84を樹脂材料で被覆し、モールド層85を形成する。このモールド層85を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。   Then, the individual pieces 83 and the wires 84 placed on the insulating substrate 5 are covered with a resin material to form a mold layer 85. Examples of the resin material constituting the mold layer 85 include various mold resins such as an epoxy resin.

さらに、絶縁基板5の下面に設けられた端子(図示せず)にボール状電極86を接合することにより、半導体素子71をパッケージ内に収納してなる図3(h)に示すような半導体装置100が得られる。   Further, a semiconductor device as shown in FIG. 3 (h) in which a semiconductor element 71 is accommodated in a package by bonding a ball-shaped electrode 86 to a terminal (not shown) provided on the lower surface of the insulating substrate 5. 100 is obtained.

以上のような方法によれば、第3の工程において、半導体素子71に接着層31が付着した状態、すなわち個片83の状態でピックアップされることから、第4の工程において、この接着層31をそのまま絶縁基板5との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置100の製造効率をより高めることができる。   According to the method as described above, in the third step, the adhesive layer 31 is picked up in the state where the adhesive layer 31 is attached to the semiconductor element 71, that is, in the state of the piece 83. Can be used for bonding to the insulating substrate 5 as they are. For this reason, it is not necessary to separately prepare an adhesive or the like, and the manufacturing efficiency of the semiconductor device 100 can be further increased.

ところで、ダイボンダ250により個片83をピックアップした後、個片83を絶縁基板5に圧着するというプロセスを繰り返していると、ヒーター270の熱が個片83を介してコレット260に伝達され、徐々に蓄熱される。これにより、コレット260が熱を帯びてしまい、本来は常温で行うことを想定しているピックアップが、この熱の影響により高温で行われることとなる。この際、熱を帯びたコレット260の温度は、ヒーター270の温度にもよるが、一般に60℃を超える温度まで上昇する。   By the way, when the process of picking up the piece 83 by the die bonder 250 and then pressing the piece 83 to the insulating substrate 5 is repeated, the heat of the heater 270 is transmitted to the collet 260 through the piece 83 and gradually. Heat is stored. As a result, the collet 260 is heated, and the pickup that is supposed to be performed at room temperature is performed at a high temperature due to the influence of the heat. At this time, the temperature of the heated collet 260 generally rises to a temperature exceeding 60 ° C., although it depends on the temperature of the heater 270.

コレット260の温度が上昇すると、今度は、ピックアップの際にコレット260の温度が積層体8にも伝達され、積層体8中の接着層3の接着性が不本意にも増強されてしまうおそれがある。これにより、ダイシングにより一旦は分離されたはずの個片83同士が接着層3の接着性増強または低粘度化に伴って再び接着されて(付着して)しまったり、あるいは、ピックアップの際に剥離すべき接着層3と第1粘着層1との界面の密着力が増強されてしまい、円滑なピックアップが困難になるという問題が生じるおそれがある。   If the temperature of the collet 260 rises, this time, the temperature of the collet 260 is also transmitted to the laminate 8 at the time of pickup, and the adhesiveness of the adhesive layer 3 in the laminate 8 may be unintentionally enhanced. is there. As a result, the individual pieces 83 that should have been separated by dicing may be adhered (attached) again as the adhesive layer 3 is increased in adhesion or reduced in viscosity, or peeled off during pickup. There is a possibility that the adhesion force at the interface between the adhesive layer 3 and the first pressure-sensitive adhesive layer 1 to be strengthened may cause a problem that smooth pickup becomes difficult.

かかる問題に対し、本発明者は、たとえ積層体8の温度が意図せず上昇したとしても、円滑なピックアップを可能にする半導体用フィルムについて鋭意検討した結果、上述したような接着層を有する半導体用フィルムを用いることにより、上記問題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。   In response to this problem, the present inventor has intensively studied a semiconductor film that enables smooth pickup even if the temperature of the laminated body 8 rises unintentionally. As a result, the semiconductor having the adhesive layer as described above. The present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by using a film for use, and have completed the present invention.

すなわち、半導体用フィルム10(本発明の半導体用フィルム)は、接着層3の構成材料(熱可塑性樹脂)として、ガラス転移点が0℃以下の(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含んでおり、かつ、23℃および60℃における、接着層3と粘着層(第1粘着層)との間の密着力が、30N/m以下であることを特徴とするものである。   In other words, the semiconductor film 10 (semiconductor film of the present invention) contains a (meth) acrylic acid ester copolymer having a glass transition point of 0 ° C. or less as a constituent material (thermoplastic resin) of the adhesive layer 3. And the adhesive force between the contact bonding layer 3 and the adhesion layer (1st adhesion layer) in 23 degreeC and 60 degreeC is 30 N / m or less, It is characterized by the above-mentioned.

このような半導体用フィルム10によれば、常温下ではもちろん、仮にピックアップの際にコレット260の温度が上昇し、それによって積層体8の温度が上昇したとしても、個片83のピックアップを円滑に行うことができる。このため、ピックアップの際に半導体素子71に割れや欠け等の不具合(ピックアップ不良)が発生するのを確実に抑制することができる。すなわち、信頼性の高い半導体装置100を高い製造歩留まりで製造することができる。   According to such a film 10 for semiconductors, even if the temperature of the collet 260 rises at the time of picking up at room temperature, and the temperature of the laminated body 8 thereby rises, the picking up of the pieces 83 is smoothly performed. It can be carried out. For this reason, it is possible to reliably suppress the occurrence of problems (pickup defects) such as cracks and chips in the semiconductor element 71 during pickup. That is, the highly reliable semiconductor device 100 can be manufactured with a high manufacturing yield.

これに対して、各温度における密着力が前記上限値を上回った場合には、常温時に円滑なピックアップができなくなる。   On the other hand, when the adhesion at each temperature exceeds the upper limit, smooth pickup cannot be performed at room temperature.

以上のような半導体用フィルム10によれば、ダイボンダ250のコレット260の温度が上昇し、それに伴って積層体8の温度が上昇したとしても、接着層3の接着性の著しい上昇を抑制し、ピックアップ性が低下するのを防止することができる。   According to the semiconductor film 10 as described above, even if the temperature of the collet 260 of the die bonder 250 is increased, and the temperature of the laminated body 8 is increased accordingly, the significant increase in the adhesiveness of the adhesive layer 3 is suppressed, It is possible to prevent the pickup property from deteriorating.

ところで、上述したような半導体用フィルム10を用いて半導体ウエハー7をダイシングする工程を有する本発明の半導体装置の製造方法は、特に第2の工程に特徴を有する。   By the way, the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention including the step of dicing the semiconductor wafer 7 using the semiconductor film 10 as described above is particularly characterized in the second step.

まず、この特徴の説明に先立って、従来のダイシング工程について説明する。
従来のダイシング工程は、ダイシングブレードの先端が半導体ウエハー、接着層および各粘着層をそれぞれ貫通し、支持フィルムに到達するように行われていた。
First, prior to the description of this feature, a conventional dicing process will be described.
The conventional dicing process is performed such that the tip of the dicing blade penetrates the semiconductor wafer, the adhesive layer, and each adhesive layer, and reaches the support film.

ところが、ダイシングブレードの先端が支持フィルムに到達した結果、支持フィルムが削られることとなり、その削り屑が発生する。そして、この削り屑は、支持フィルム周辺に留まることなく、各粘着層の周辺、接着層の周辺および半導体ウエハーの周辺に移動して、種々の不具合をもたらすこととなる。具体的には、半導体素子のピックアップの際に引っ掛かりを生じたり、後述する第4の工程において絶縁基板と半導体素子との間に削り屑が侵入したり、半導体ウエハーに形成された回路に削り屑が付着し、ワイヤボンディングに支障を来す等の不具合が挙げられる。   However, as a result of the tip of the dicing blade reaching the support film, the support film is scraped, and shavings are generated. And this shavings will move to the periphery of each adhesion layer, the periphery of an adhesive layer, and the periphery of a semiconductor wafer, without staying around a support film, and will bring about various malfunctions. Specifically, when picking up a semiconductor element, the chip is caught, or in the fourth process described later, shavings enter between the insulating substrate and the semiconductor element, or the chips formed on the semiconductor wafer are scraped. May cause problems such as sticking and hindering wire bonding.

これに対し、本発明では、第2の工程において、ダイシングブレード82の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定する。換言すれば、切り込み81の先端が支持フィルム4に到達することなく、第1粘着層1内に留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム4の削り屑は発生し得ないため、上述したような削り屑に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子71をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子71を絶縁基板5にマウントする際には、異物の侵入およびワイヤボンディング不良の発生が防止される。その結果、半導体装置100の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置100を得ることができる。   In contrast, in the present invention, in the second step, the cutting depth is set so that the tip of the dicing blade 82 remains in the adhesive layer. In other words, the dicing is performed so that the tip of the cut 81 does not reach the support film 4 and remains in the first adhesive layer 1. If it does in this way, since the shavings of the support film 4 cannot generate | occur | produce, the problem accompanying the shavings as mentioned above will be eliminated reliably. That is, when the semiconductor element 71 is picked up, the occurrence of catching or the like is prevented, and when the picked-up semiconductor element 71 is mounted on the insulating substrate 5, the entry of foreign matters and the occurrence of defective wire bonding are prevented. As a result, the manufacturing yield of the semiconductor device 100 can be improved, and the highly reliable semiconductor device 100 can be obtained.

また、特に、切り込み81の先端が第1粘着層1内に位置するようにダイシングを行うことにより、第2粘着層2の成分が切り込み81を介して、接着層3の周辺や半導体ウエハー7の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層3と第1粘着層1との間の密着力を高めてしまうのを防止して、個片83のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子71の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。   In particular, by performing dicing so that the front end of the notch 81 is positioned in the first adhesive layer 1, the components of the second adhesive layer 2 can pass through the notch 81 and the periphery of the adhesive layer 3 or the semiconductor wafer 7. It is prevented from oozing out to the periphery. As a result, it is possible to prevent the exuded substance from unintentionally increasing the adhesion between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 and to prevent a problem that hinders the pickup of the piece 83. Can do. Furthermore, it is possible to prevent the exuded substance from causing deterioration or deterioration of the semiconductor element 71.

このような成分の染み出しは、第2粘着層2の粘着性が第1粘着層1の粘着性よりも強いことから、必然的に、第2粘着層2は第1粘着層1よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第2粘着層2に含まれる物質は流動性や流出性が第1粘着層1よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層3側の粘着層(図1では第1粘着層1)よりも支持フィルム4側の粘着層(図1では第2粘着層2)の粘着性が強い場合には、図1(c)に示すように切り込み81の先端を第1粘着層1内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。   Such exudation of the component inevitably causes the second adhesive layer 2 to be more flexible than the first adhesive layer 1 because the adhesiveness of the second adhesive layer 2 is stronger than the adhesiveness of the first adhesive layer 1. Therefore, the substance contained in the second adhesive layer 2 is considered to be a phenomenon caused by the fact that the fluidity and the outflow property are higher than those of the first adhesive layer 1. That is, as in this embodiment, the adhesive layer is composed of a plurality of layers, and the adhesive layer on the support film 4 side (in FIG. 1, the first adhesive layer 1 in FIG. 1) (the adhesive layer 3 side in FIG. 1). When the adhesiveness of the second adhesive layer 2) is strong, as shown in FIG. 1C, it is particularly effective to prevent the above-mentioned problems to keep the tip of the notch 81 in the first adhesive layer 1. .

なお、上記の観点から、第2粘着層2の硬度は、第1粘着層1の硬度より小さいのが好ましい。これにより、第2粘着層2は、第1粘着層1に比べて確実に粘着性が高いものとなる一方、第1粘着層1は、ピックアップ性に優れたものとなる。   From the above viewpoint, the hardness of the second adhesive layer 2 is preferably smaller than the hardness of the first adhesive layer 1. Thereby, the second adhesive layer 2 is surely higher in adhesiveness than the first adhesive layer 1, while the first adhesive layer 1 is excellent in pick-up property.

また、第1粘着層1のショアD硬度は、20〜60程度であるのが好ましく、30〜50程度であるのがより好ましい。このような硬度の第1粘着層1は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第1粘着層1に切り込み81が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第1粘着層1からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。   Moreover, it is preferable that the Shore D hardness of the 1st adhesion layer 1 is about 20-60, and it is more preferable that it is about 30-50. The first pressure-sensitive adhesive layer 1 having such hardness is moderately suppressed in adhesiveness, but relatively low in fluidity and flowability of components, so that the notch 81 is formed in the first pressure-sensitive adhesive layer 1. In addition, it is possible to achieve both improvement in pick-up property and prevention of troubles due to leaching of the substance from the first adhesive layer 1.

また、第2粘着層2のショアA硬度は、20〜90程度であるのが好ましく、30〜80程度であるのがより好ましい。このような硬度の第2粘着層2は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性(ダイシングにおける積層体8とウエハーリング9との固定性)の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。   Moreover, it is preferable that the Shore A hardness of the 2nd adhesion layer 2 is about 20-90, and it is more preferable that it is about 30-80. Since the second adhesive layer 2 having such hardness has sufficient adhesiveness, the fluidity and flowability of the components can be relatively suppressed, so that the dicing property (fixing of the laminate 8 and the wafer ring 9 in dicing) Property) and prevention of defects due to the exudation of substances.

また、上記のような観点から、1本の切り込み81のうち、接着層3と第1粘着層1との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード82の厚さや各粘着層1、2の厚さに応じて異なるものの、5〜300(×10−5mm)程度であるのが好ましく、10〜200(×10−5mm)程度であるのがより好ましい。切り込み81のうち、接着層3と第1粘着層1との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、接着層3を確実に個片化するとともに、第1粘着層1に対する切り込み部分の横断面積を最小限に抑えることができる。その結果、個片83の確実なピックアップと、第1粘着層1からの成分の染み出しの抑制とを高度に両立することができる。 From the above viewpoint, the cross-sectional area of the portion of the notch 81 on the tip side from the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 is the thickness of the dicing blade 82, the adhesive layers 1, Although it differs depending on the thickness of 2, it is preferably about 5 to 300 (× 10 −5 mm 2 ), more preferably about 10 to 200 (× 10 −5 mm 2 ). Of the cuts 81, by setting the cross-sectional area of the portion on the tip side from the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 within the above range, the adhesive layer 3 is surely separated into pieces and the first adhesive The cross-sectional area of the cut portion with respect to the layer 1 can be minimized. As a result, it is possible to achieve both a reliable pickup of the individual pieces 83 and a suppression of the exudation of components from the first adhesive layer 1 at a high level.

また、第1粘着層1の膜厚をtとしたとき、切り込み81のうちの第1粘着層1内に位置する部分の深さは、0.2t〜0.8tであるのが好ましく、0.3t〜0.7tであるのがより好ましい。これにより、個片83の確実なピックアップと、第1粘着層1からの成分の染み出しの抑制とを、より高度に両立させることができる。   Moreover, when the film thickness of the 1st adhesion layer 1 is set to t, it is preferable that the depth of the part located in the 1st adhesion layer 1 among the notches 81 is 0.2t-0.8t, 0 More preferably, it is 3 to 0.7 t. Thereby, reliable pick-up of the piece 83 and suppression of the exudation of the component from the 1st adhesion layer 1 can be made to make compatible both more highly.

以上のように、切り込み81の先端を第1粘着層1内に留めたり、そうでなくても切り込み81のうちの接着層3と第1粘着層1との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内としたりした場合には、第1粘着層1や第2粘着層2からの成分の染み出しが最小限に抑えられることから、この成分の染み出しが第1粘着層1と接着層3との密着力に及ぼす影響も最小限に抑えられることとなる。その結果、この密着力が意図せず高まってしまい、個片83のピックアップ性が阻害されるのを防止することができる。   As described above, the front end of the notch 81 is retained in the first adhesive layer 1, or even if not, the cross-sectional area of the front end side portion of the notch 81 from the interface between the adhesive layer 3 and the first adhesive layer 1 In the above range, the exudation of the component from the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 can be minimized, so that the exudation of this component adheres to the first adhesive layer 1. The influence on the adhesion with the layer 3 is also minimized. As a result, it is possible to prevent the close contact force from increasing unintentionally and hindering the pick-up property of the piece 83.

具体的には、切り込み81の深さや横断面積等を制御することにより、第1粘着層1と接着層3との密着力は、前述した数値範囲内に確実に収まる。これにより、個片83のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子71に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置100を高い歩留まりで製造することができる。   Specifically, by controlling the depth, cross-sectional area, and the like of the notch 81, the adhesion between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is reliably within the numerical range described above. As a result, the pick-up property of the individual piece 83 is particularly improved, and it is possible to prevent the semiconductor element 71 from suffering defects such as cracks, chips and burrs during pick-up. As a result, the highly reliable semiconductor device 100 can be finally manufactured with a high yield.

特に、半導体ウエハー7の厚さが薄い(例えば200μm以下)の場合には、第1粘着層1と接着層3との密着力を前記範囲内とすることで、半導体素子71に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。   In particular, when the thickness of the semiconductor wafer 7 is thin (for example, 200 μm or less), the adhesive force between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is within the above range, so that the semiconductor element 71 has the above-described state. The effect of preventing various problems becomes remarkable.

また、第1粘着層1と接着層3との密着力は、個々の個片83の中央部と縁部(エッジ部)とで異なる場合が多い。これは、縁部では、個片83の端面に第1粘着層1中の成分が這い上がる等して、中央部に比べて密着力が大きくなり易いことに起因するものである。このため、個片83をピックアップする際には、中央部と縁部とで密着力が大きく異なり、それによって半導体素子71の割れや欠け等を招くおそれがある。   In addition, the adhesion between the first adhesive layer 1 and the adhesive layer 3 is often different between the central portion and the edge portion (edge portion) of each individual piece 83. This is due to the fact that, at the edge, the component in the first adhesive layer 1 crawls up on the end face of the piece 83 and the adhesive force tends to increase compared to the central portion. For this reason, when picking up the individual piece 83, the adhesive force is greatly different between the center portion and the edge portion, which may cause cracking or chipping of the semiconductor element 71.

これに対し、本発明によれば、切り込み81の先端が第1粘着層1内に留まるように、ダイシングの深さ制御を行うことにより、個片83における密着力のバラツキの範囲を、小さく抑えることが可能になる。このため、個片83をピックアップする際に、半導体素子71に割れや欠け等が発生するのを防止することができる。   On the other hand, according to the present invention, by controlling the dicing depth so that the tip of the notch 81 stays in the first adhesive layer 1, the range of variation in the adhesion force of the individual pieces 83 is kept small. It becomes possible. For this reason, when picking up the individual piece 83, it is possible to prevent the semiconductor element 71 from being cracked or chipped.

ここで、個片83を引き剥がす際に、個片83の縁部にかかる荷重(縁部の密着力)をaとし、個片83の中央部にかかる荷重(中央部の密着力)をbとしたとき、a/bは、1以上4以下であるのが好ましく、1〜3程度であるのがより好ましく、1〜2程度であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子71の部分ごとの荷重のバラつきが比較的狭い範囲に抑制されることになるため、ピックアップの際に半導体素子71の割れや欠け等の不具合が発生するのを確実に抑制することができる。そして、このような半導体用フィルム10を用いることにより、半導体装置100の製造歩留まりが向上するとともに、最終的に信頼性の高い半導体装置100を得ることができる。   Here, when the piece 83 is peeled off, the load applied to the edge of the piece 83 (edge contact force) is defined as a, and the load applied to the center of the piece 83 (center contact force) is defined as b. The a / b is preferably 1 or more and 4 or less, more preferably about 1 to 3, and still more preferably about 1 to 2. As a result, the variation in the load of each part of the semiconductor element 71 is suppressed to a relatively narrow range, so that the occurrence of defects such as cracking and chipping of the semiconductor element 71 during pickup is surely suppressed. be able to. By using the semiconductor film 10 as described above, the manufacturing yield of the semiconductor device 100 can be improved, and the highly reliable semiconductor device 100 can be finally obtained.

なお、密着力aおよび密着力bは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。
まず、半導体用フィルム10と半導体ウエハー7とを積層して積層体8を得た後、半導体ウエハー7を10mm×10mm角に個片化した後の状態で、第3の工程を行う前の積層体8の上面に、1cm幅の短冊状の粘着フィルムを23℃(室温)で貼り付ける。
The adhesion force a and the adhesion force b are measured in detail as follows.
First, after laminating the semiconductor film 10 and the semiconductor wafer 7 to obtain the laminated body 8, the lamination before performing the third step in a state after the semiconductor wafer 7 is separated into 10 mm × 10 mm squares. A strip-shaped adhesive film having a width of 1 cm is attached to the upper surface of the body 8 at 23 ° C. (room temperature).

次いで、23℃(室温)において、積層体8から第1粘着層1、第2粘着層2、支持フィルム4を剥離角90°でかつ引っ張り速度50mm/minで引き剥がす。この際、第1粘着層1、第2粘着層2、支持フィルム4を引き剥がしつつ、第1粘着層1、第2粘着層2、支持フィルム4にかかる引っ張り荷重(単位N)の大きさを測定する。そして、個片83の縁部が第1粘着層1から離れる際に第1粘着層1、第2粘着層2、支持フィルム4にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力a」に相当し、個片83の中央部(縁部以外の部分)が第1粘着層1から離れる際に第1粘着層1、第2粘着層2、支持フィルム4にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力b」に相当する。   Next, at 23 ° C. (room temperature), the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2 and the support film 4 are peeled off from the laminate 8 at a peeling angle of 90 ° and a pulling speed of 50 mm / min. At this time, the magnitude of the tensile load (unit N) applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4 while peeling off the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4 is determined. taking measurement. And the average value of the tensile load applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4 when the edge of the piece 83 is separated from the first adhesive layer 1 corresponds to the “adhesion force a”. The average value of the tensile load applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4 when the central portion (portion other than the edge portion) of the piece 83 is separated from the first adhesive layer 1 is “adhesion force b”. Is equivalent to.

すなわち、半導体用フィルム10によれば、個片83の縁部が第1粘着層1から離れようとするとき、および、個片83の中央部が第1粘着層1から離れようとするとき、第1粘着層1、第2粘着層2、支持フィルム4にかかる引っ張り荷重の大きさの差が比較的小さく抑えられるため、仮にピックアップの際に半導体素子71に反りが生じた場合でも、その反りの程度が最小限に抑えられることとなる。その結果、半導体素子71の割れや欠け等の不具合が最小限に抑えられることとなる。   That is, according to the semiconductor film 10, when the edge of the piece 83 is about to be separated from the first adhesive layer 1, and when the center portion of the piece 83 is about to be separated from the first adhesive layer 1, Since the difference in the magnitude of the tensile load applied to the first adhesive layer 1, the second adhesive layer 2, and the support film 4 can be suppressed to be relatively small, even if the semiconductor element 71 is warped during pick-up, the warp Will be minimized. As a result, problems such as cracks and chipping of the semiconductor element 71 can be minimized.

また、個片83の中央部(縁部以外の部分)の密着力bは、前述した第1粘着層1と接着層3との密着力の範囲にあることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the adhesive force b of the center part (parts other than an edge part) of the piece 83 exists in the range of the adhesive force of the 1st adhesion layer 1 and the contact bonding layer 3 mentioned above.

特に、半導体ウエハー7の厚さが薄い(例えば200μm以下)の場合には、密着力bを前記範囲内とすることで、半導体素子71に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。   In particular, when the thickness of the semiconductor wafer 7 is thin (for example, 200 μm or less), the effect of preventing the above-described problems occurring in the semiconductor element 71 becomes remarkable by setting the adhesion force b within the above range.

なお、個片83の縁部とは、半導体素子71の外縁から、半導体素子71の幅の10%以下の領域を指すものとする。一方、個片83の中央部とは、前記縁部以外の領域を指すものとする。すなわち、半導体素子71の形状が、例えば平面視において10mm角の正方形である場合、外縁から1mm幅の領域が縁部であり、残りの領域が中央部となる。   The edge of the piece 83 refers to a region that is 10% or less of the width of the semiconductor element 71 from the outer edge of the semiconductor element 71. On the other hand, the central portion of the piece 83 refers to a region other than the edge portion. That is, when the shape of the semiconductor element 71 is, for example, a 10 mm square in a plan view, a region 1 mm wide from the outer edge is an edge, and the remaining region is a center.

また、本実施形態では、切り込み81の先端を第1粘着層1内に留めることにより、半導体ウエハー7および接着層3は確実に個片化される一方、第1粘着層1および第2粘着層2は個片化されない。したがって、第3の工程において、個片83をピックアップする際に、第1粘着層1や第2粘着層2が支持フィルム4側に残すべきところ、不本意にも個片83側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第1粘着層1および第2粘着層2を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第1粘着層1と第2粘着層2との密着力、および、第2粘着層2と支持フィルム4との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第1粘着層1と第2粘着層2との密着力、および、第2粘着層2と支持フィルム4との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。   Further, in the present embodiment, the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 are surely separated into pieces by retaining the tip of the cut 81 in the first adhesive layer 1, while the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 is not singulated. Therefore, when picking up the piece 83 in the third step, the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 should be left on the support film 4 side, but unintentionally stuck to the piece 83 side. Picking up in a state can be prevented. This is because, since the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 are not separated into individual pieces, the connection in the surface direction is maintained, so that the adhesion between the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 is maintained. This is because a decrease in the adhesion between the second adhesive layer 2 and the support film 4 is prevented. That is, the adhesive force between the first adhesive layer 1 and the second adhesive layer 2 and the adhesive force between the second adhesive layer 2 and the support film 4 have sufficient resistance against the upward pulling force in the pickup. Because.

以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。   As mentioned above, although the film for semiconductors of this invention and the manufacturing method of a semiconductor device were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to these.

例えば、パッケージの形態は、BGA(Ball Grid Array)、LGA(Land Grid Array)等のCSP(Chip Size Package)、TCP(Tape Carrier Package)のような表面実装型のパッケージ、DIP(Dual Inline Package)、PGA(Pin Grid Array)のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。   For example, the package form is a CSP (Chip Size Package) such as BGA (Ball Grid Array) or LGA (Land Grid Array), a surface mount type package such as TCP (Tape Carrier Package), or DIP (Dual Inline Package). Further, it may be an insertion type package such as PGA (Pin Grid Array), and is not particularly limited.

また、前述した実施形態では、絶縁基板5上に個片83をマウントする場合について説明したが、この個片83は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、ピックアップ不良のおそれや半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。   In the above-described embodiment, the case where the piece 83 is mounted on the insulating substrate 5 has been described. However, the piece 83 may be mounted on another semiconductor element. That is, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention can also be applied to manufacturing a chip stack type semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are stacked. Thereby, there is no possibility of pick-up failure or the possibility of chips entering between the semiconductor elements, and a highly reliable chip stack type semiconductor device can be manufactured with a high manufacturing yield.

また、前述した実施形態では、先端が第1粘着層1内に留まるように切り込み81を形成する場合について説明しているが、先端が第2粘着層2内に留まるように切り込み81を形成する場合でも、物質の染み出しを抑制する効果はやや薄れるものの、前記第2実施形態とほぼ同様の作用・効果が得られる。   In the above-described embodiment, the case where the cut 81 is formed so that the tip remains in the first adhesive layer 1 is described. However, the cut 81 is formed so that the tip stays in the second adhesive layer 2. Even in this case, although the effect of suppressing the exudation of the substance is slightly reduced, the same operation and effect as those of the second embodiment can be obtained.

また、前述した実施形態では、粘着層が2層の構成のものについて説明したが、これに限定されず、1層でもよいし、3層以上であってもよい。   In the above-described embodiment, the adhesive layer has a two-layer structure. However, the present invention is not limited to this, and may be one layer or three or more layers.

また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。   Moreover, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, an optional step can be added as necessary.

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
1.半導体装置の製造
(実施例1)
<1>第1粘着層の形成
アクリル酸2−エチルヘキシル30質量%と酢酸ビニル70質量%とを共重合して得られた重量平均分子量300,000の共重合体100質量部と、分子量が700の5官能アクリレートモノマー45質量部と、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン5質量部と、トリレンジイソシアネート(コロネートT−100、日本ポリウレタン工業(株)製)3質量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80℃で5分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線500mJ/cmを照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第1粘着層を成膜した。
なお、得られた第1粘着層のショアD硬度は、40であった。
Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.
1. Manufacturing of a semiconductor device (Example 1)
<1> Formation of First Adhesive Layer 100 parts by mass of a copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 30% by mass of 2-ethylhexyl acrylate and 70% by mass of vinyl acetate, and a molecular weight of 700 Peeling treatment of 45 parts by mass of pentafunctional acrylate monomer, 5 parts by mass of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, and 3 parts by mass of tolylene diisocyanate (Coronate T-100, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) It apply | coated so that the thickness after drying might be set to 10 micrometers with respect to the 38-micrometer-thick polyethylene terephthalate film, and it dried at 80 degreeC after that for 5 minutes. And the ultraviolet-ray 500mJ / cm < 2 > was irradiated with respect to the obtained coating film, and the 1st adhesion layer was formed into a film on the polyethylene terephthalate film.
In addition, the Shore D hardness of the obtained 1st adhesion layer was 40.

<2>第2粘着層の形成
アクリル酸ブチル70質量%とアクリル酸2−エチルヘキシル30質量%とを共重合して得られた重量平均分子量500,000の共重合体100質量部と、トリレンジイソシアネート(コロネートT−100、日本ポリウレタン工業(株)製)3質量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80℃で5分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第2粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ100μmのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第2粘着層のショアA硬度は、80であった。
<2> Formation of Second Adhesive Layer 100 parts by mass of a copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70% by mass of butyl acrylate and 30% by mass of 2-ethylhexyl acrylate, and tolylene 3 parts by mass of isocyanate (Coronate T-100, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was applied to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm which was subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 10 μm. And dried at 80 ° C. for 5 minutes. And the 2nd adhesion layer was formed into a film on the polyethylene terephthalate film. Thereafter, a polyethylene sheet having a thickness of 100 μm was laminated as a support film.
In addition, the Shore A hardness of the obtained 2nd adhesion layer was 80.

<3>接着層の形成
(メタ)アクリル酸エステル共重合体としての、アクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン(MEK)/トルエン溶解品、ナガセケムテックス社製、SG−70L、ガラス転移点:−17℃、重量平均分子量:800,000)の固形成分として100質量部と、フェノキシ樹脂(YX6954、Mw:40,000、三菱化学株式会社製、ガラス転移点:130℃)10質量部と、無機充填剤(フィラー)としての球状シリカ(SC1050、平均粒径0.3μm、アドマテックス社製)115質量部と、カップリング剤としてのγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業社製)1.1質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分20質量%の樹脂ワニスを得た。
<3> Formation of Adhesive Layer Acrylic ester copolymer (ethyl acrylate-butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid-hydroxyethyl methacrylate copolymer methyl ethyl ketone (MEK) / toluene as (meth) acrylic ester copolymer Dissolved product, Nagase ChemteX Corp. SG-70L, glass transition point: -17 ° C, weight average molecular weight: 800,000) as a solid component, 100 parts by mass, phenoxy resin (YX6954, Mw: 40,000, Mitsubishi) 10 parts by mass made by Kagaku Co., Ltd., glass transition point: 130 ° C., 115 parts by mass of spherical silica (SC1050, average particle size 0.3 μm, manufactured by Admatex) as an inorganic filler (filler), and coupling agent Γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM4 3E, a Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 1.1 parts by weight, and dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a resin solid content of 20% by weight of the resin varnish.

次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポン社製、品番ピューレックスA43、厚さ38μm)に塗布した後、150℃、3分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ20μmの接着層を成膜した。   Next, the obtained resin varnish was applied to a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, product number Purex A43, thickness 38 μm) with a comma coater, and then dried at 150 ° C. for 3 minutes to form a polyethylene terephthalate film. An adhesive layer having a thickness of 20 μm was formed.

<4>半導体用フィルムの製造
第1粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第1粘着層と接着層とが接するようにラミネート(積層)し、第1粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。
<4> Manufacture of a film for semiconductor A film in which a first adhesive layer is formed and a film in which an adhesive layer is formed are laminated (laminated) so that the first adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other. The layer-side polyethylene terephthalate film was peeled off to obtain a laminate.

次にロール状の金型を用いて、第1粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第2積層体を得た。   Next, using a roll-shaped die, the first adhesive layer and the adhesive layer are punched out to be larger than the outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than the inner diameter of the wafer ring, and then unnecessary portions are removed, and the second laminated body is removed. Got.

さらに第2粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第2積層体の第1粘着層と第2粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート(支持フィルム)、第2粘着層、第1粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムの5層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。   Further, the polyethylene terephthalate film on one surface side of the second adhesive layer is peeled off. And these were laminated | stacked so that the 1st adhesion layer and 2nd adhesion layer of a said 2nd laminated body might contact | connect. Thereby, the film for semiconductors obtained by laminating five layers of the polyethylene sheet (support film), the second adhesive layer, the first adhesive layer, the adhesive layer, and the polyethylene terephthalate film in this order was obtained.

<5>半導体装置の製造
次に、厚さ100μm、8インチのシリコンウエハーを用意した。
<5> Manufacturing of Semiconductor Device Next, a silicon wafer having a thickness of 100 μm and 8 inches was prepared.

そして、半導体用フィルムからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを60℃で積層した。これにより、ポリエチレンシート(支持フィルム)、第2粘着層、第1粘着層、接着層およびシリコンウエハーの5層がこの順で積層してなる積層体を得た。   And the polyethylene terephthalate film was peeled from the film for semiconductors, and the silicon wafer was laminated | stacked at 60 degreeC on the peeling surface. Thereby, the laminated body formed by laminating | stacking 5 layers of a polyethylene sheet (support film), a 2nd adhesion layer, a 1st adhesion layer, an adhesion layer, and a silicon wafer in this order was obtained.

次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー(DFD6360、(株)ディスコ製)を用いて以下の条件でダイシング(切断)した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。   Next, the laminate was diced (cut) from the silicon wafer side using a dicing saw (DFD6360, manufactured by DISCO Corporation) under the following conditions. As a result, the silicon wafer was singulated, and a semiconductor element having the following dicing size was obtained.

<ダイシング条件>
・ダイシングサイズ :10mm×10mm角
・ダイシング速度 :50mm/sec
・スピンドル回転数 :40,000rpm
・ダイシング最大深さ :0.130mm(シリコンウエハーの表面からの切り込み量)
・ダイシングブレードの厚さ:15μm
・切り込みの横断面積 :7.5×10−5mm(接着層と第1粘着層との界面より先端側の部分の横断面積)
<Dicing conditions>
・ Dicing size: 10 mm × 10 mm square ・ Dicing speed: 50 mm / sec
・ Spindle speed: 40,000 rpm
・ Maximum depth of dicing: 0.130 mm (the amount of cut from the surface of the silicon wafer)
・ Dicing blade thickness: 15μm
・ Cross sectional area: 7.5 × 10 −5 mm 2 (cross sectional area at the tip side from the interface between the adhesive layer and the first adhesive layer)

なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が第1粘着層内に達していた。   In addition, the notch formed by this dicing had the front-end | tip reached in the 1st adhesion layer.

ここで、半導体素子のピックアップ性を評価するため、接着層と第1粘着層間の180°ピール強度(密着力)を測定した。このピール強度は、半導体用接着フィルムを25mm幅の短冊状にし、その後、23℃(室温)において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角180°でかつ引っ張り速度1000mm/minで引き剥がしたときの荷重とした。なお、積層体中における剥離は、第1粘着層と接着層との界面で生じた。
この測定の結果、23℃でのピール強度(密着力)は16N/mであった。
Here, in order to evaluate the pickup property of the semiconductor element, 180 ° peel strength (adhesion force) between the adhesive layer and the first adhesive layer was measured. This peel strength is obtained when the adhesive film for a semiconductor is made into a strip having a width of 25 mm, and then the adhesive layer portion is peeled off at 23 ° C. (room temperature) at a peeling angle of 180 ° and a pulling speed of 1000 mm / min. Load. Note that peeling in the laminate occurred at the interface between the first adhesive layer and the adhesive layer.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 23 ° C. was 16 N / m.

次いで、積層体の温度を60℃に昇温し、23℃の場合と同様にしてピール強度を測定した。
この測定の結果、60℃でのピール強度(密着力)は6N/mであった。
Next, the temperature of the laminate was raised to 60 ° C., and the peel strength was measured in the same manner as in the case of 23 ° C.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 60 ° C. was 6 N / m.

その後、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に上記半導体素子をダイボンター(ASM社製、AD898)を用いて、ダイマウント温度を23℃および130℃の各温度において、100個の半導体素子を連続でピックアップしたときの良否を評価した。   Thereafter, the above semiconductor element was used on a bismaleimide-triazine resin substrate (circuit level difference: 5 to 10 μm) coated with a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., trade name: AUS308) using a die bonder (manufactured by ASM, AD898). The quality when 100 semiconductor elements were picked up continuously was evaluated at a die mount temperature of 23 ° C. and 130 ° C., respectively.

その結果、23℃および130℃のダイマウント温度条件の双方において、100個全てのピックアップが良好であった。   As a result, all 100 pickups were good under both the die mount temperature conditions of 23 ° C. and 130 ° C.

次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に、温度130℃、荷重5Nで、1.0秒間圧着して、ダイボンディングした。   Next, the picked-up piece is applied to a bismaleimide-triazine resin substrate (circuit level difference: 5 to 10 μm) coated with a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., trade name: AUS308) at a temperature of 130 ° C. and a load of 5 N. For 1.0 second and die bonded.

次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂EME−G760(住友ベークライト(株)製、商品名)で封止し、さらに温度175℃で2時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。なお、本実施例では、かかる半導体装置を100個作製した。
Next, the semiconductor element and the resin substrate were electrically connected by wire bonding.
Then, the semiconductor element and the bonding wire on the resin substrate were sealed with a sealing resin EME-G760 (trade name, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), and further subjected to a heat treatment at a temperature of 175 ° C. for 2 hours. Thereby, the sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. Note that 100 semiconductor devices were manufactured in this example.

(実施例2)
接着層中のフェノキシ樹脂としてjER1256(三菱化学株式会社製、Mw:55,000、ガラス転移点:98℃)を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造した。
(Example 2)
A semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that jER1256 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Mw: 55,000, glass transition point: 98 ° C.) was used as the phenoxy resin in the adhesive layer.

ところで、半導体用接着フィルムについて、実施例1と同様にして、接着層と第1粘着層間の180°ピール強度(密着力)を測定した。
この測定の結果、23℃でのピール強度(密着力)は27N/mであった。
By the way, about the adhesive film for semiconductors, it carried out similarly to Example 1, and measured 180 degree peel strength (adhesion force) between an adhesive layer and a 1st adhesion layer.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 23 ° C. was 27 N / m.

次いで、積層体の温度を40℃、60℃と順次昇温した。そして、各温度において、23℃の場合と同様にしてピール強度を測定した。
この測定の結果、60℃でのピール強度(密着力)は20N/mであった。
Next, the temperature of the laminate was sequentially raised to 40 ° C. and 60 ° C. At each temperature, the peel strength was measured in the same manner as at 23 ° C.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 60 ° C. was 20 N / m.

また、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に上記半導体素子をダイボンター(ASM社製、AD898)を用いて、ダイマウント温度を23℃および130℃の各温度において、100個の半導体素子を連続でピックアップしたときの良否を評価した。   Moreover, the said semiconductor element was used for the bismaleimide-triazine resin board | substrate (circuit level | step difference 5-10 micrometers) which coated the soldering resist (The Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. brand name: AUS308) using the die bonder (ASM company make, AD898). The quality when 100 semiconductor elements were picked up continuously was evaluated at a die mount temperature of 23 ° C. and 130 ° C., respectively.

その結果、23℃および130℃のダイマウント温度条件の双方において、100個全てのピックアップが良好であった。   As a result, all 100 pickups were good under both the die mount temperature conditions of 23 ° C. and 130 ° C.

(実施例3)
接着層中のアクリル酸エステル共重合体としてエチルアクリレート52mol%、ブチルアクリレート24mol%、アクリロニトリル20mol%、アクリル酸2.0mol%、ヒドロキシエチルメタクリレート2.0mol%の重合比となるもの(ガラス転移点:−10℃、重量平均分子量:750,000)を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造した。
(Example 3)
An acrylic ester copolymer in the adhesive layer having a polymerization ratio of 52 mol% ethyl acrylate, 24 mol% butyl acrylate, 20 mol% acrylonitrile, 2.0 mol% acrylic acid, and 2.0 mol% hydroxyethyl methacrylate (glass transition point: A semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that −10 ° C. and weight average molecular weight: 750,000) were used.

ところで、半導体用接着フィルムについて、実施例1と同様にして、接着層と第1粘着層間の180°ピール強度(密着力)を測定した。
この測定の結果、23℃でのピール強度(密着力)は22N/mであった。
By the way, about the adhesive film for semiconductors, it carried out similarly to Example 1, and measured 180 degree peel strength (adhesion force) between an adhesive layer and a 1st adhesion layer.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 23 ° C. was 22 N / m.

次いで、積層体の温度を40℃、60℃と順次昇温した。そして、各温度において、23℃の場合と同様にしてピール強度を測定した。
この測定の結果、60℃でのピール強度(密着力)は25N/mであった。
Next, the temperature of the laminate was sequentially raised to 40 ° C. and 60 ° C. At each temperature, the peel strength was measured in the same manner as at 23 ° C.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 60 ° C. was 25 N / m.

また、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に上記半導体素子をダイボンター(ASM社製、AD898)を用いて、ダイマウント温度を23℃および130℃の各温度において、100個の半導体素子を連続でピックアップしたときの良否を評価した。   Moreover, the said semiconductor element was used for the bismaleimide-triazine resin board | substrate (circuit level | step difference 5-10 micrometers) which coated the soldering resist (The Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. brand name: AUS308) using the die bonder (ASM company make, AD898). The quality when 100 semiconductor elements were picked up continuously was evaluated at a die mount temperature of 23 ° C. and 130 ° C., respectively.

その結果、23℃および130℃のダイマウント温度条件の双方において、100個全てのピックアップが良好であった。   As a result, all 100 pickups were good under both the die mount temperature conditions of 23 ° C. and 130 ° C.

(実施例4)
接着層中のアクリル酸エステル共重合体としてエチルアクリレート62mol%、ブチルアクリレート24mol%、アクリロニトリル10mol%、アクリル酸2.0mol%、ヒドロキシエチルメタクリレート2.0mol%の重合比となるもの(ガラス転移点:−20℃、重量平均分子量:750,000)を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造した。
Example 4
An acrylic ester copolymer in the adhesive layer having a polymerization ratio of 62 mol% ethyl acrylate, 24 mol% butyl acrylate, 10 mol% acrylonitrile, 2.0 mol% acrylic acid, and 2.0 mol% hydroxyethyl methacrylate (glass transition point: A semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that −20 ° C. and weight average molecular weight: 750,000) were used.

ところで、半導体用接着フィルムについて、実施例1と同様にして、接着層と第1粘着層間の180°ピール強度(密着力)を測定した。
この測定の結果、23℃でのピール強度(密着力)は25N/mであった。
By the way, about the adhesive film for semiconductors, it carried out similarly to Example 1, and measured 180 degree peel strength (adhesion force) between an adhesive layer and a 1st adhesion layer.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 23 ° C. was 25 N / m.

次いで、積層体の温度を40℃、60℃と順次昇温した。そして、各温度において、23℃の場合と同様にしてピール強度を測定した。
この測定の結果、60℃でのピール強度(密着力)は16N/mであった。
Next, the temperature of the laminate was sequentially raised to 40 ° C. and 60 ° C. At each temperature, the peel strength was measured in the same manner as at 23 ° C.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 60 ° C. was 16 N / m.

また、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に上記半導体素子をダイボンター(ASM社製、AD898)を用いて、ダイマウント温度を23℃および130℃の各温度において、100個の半導体素子を連続でピックアップしたときの良否を評価した。   Moreover, the said semiconductor element was used for the bismaleimide-triazine resin board | substrate (circuit level | step difference 5-10 micrometers) which coated the soldering resist (The Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. brand name: AUS308) using the die bonder (ASM company make, AD898). The quality when 100 semiconductor elements were picked up continuously was evaluated at a die mount temperature of 23 ° C. and 130 ° C., respectively.

その結果、23℃および130℃のダイマウント温度条件の双方において、100個全てのピックアップが良好であった。   As a result, all 100 pickups were good under both the die mount temperature conditions of 23 ° C. and 130 ° C.

(比較例1)
接着層中のアクリル酸エステル共重合体としてSG−708−6(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン(MEK)溶解品、ナガセケムテックス(株)製、ガラス転移点:6℃、重量平均分子量:500,000)を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造した。
(Comparative Example 1)
SG-708-6 (ethyl acrylate-butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid-hydroxyethyl methacrylate copolymer methyl ethyl ketone (MEK) dissolved product, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) as an acrylate ester copolymer in the adhesive layer A semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that glass transition point: 6 ° C., weight average molecular weight: 500,000) was used.

ところで、半導体用接着フィルムについて、実施例1と同様にして、接着層と第1粘着層間の180°ピール強度(密着力)を測定した。
この測定の結果、23℃でのピール強度(密着力)は14N/mであった。
By the way, about the adhesive film for semiconductors, it carried out similarly to Example 1, and measured 180 degree peel strength (adhesion force) between an adhesive layer and a 1st adhesion layer.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 23 ° C. was 14 N / m.

次いで、積層体の温度を60℃に昇温し、23℃の場合と同様にしてピール強度を測定した。
この測定の結果、60℃でのピール強度(密着力)は40N/mであった。
Next, the temperature of the laminate was raised to 60 ° C., and the peel strength was measured in the same manner as in the case of 23 ° C.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 60 ° C. was 40 N / m.

また、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に上記半導体素子をダイボンター(ASM社製、AD898)を用いて、ダイマウント温度を23℃および130℃の各温度において、100個の半導体素子を連続でピックアップしたときの良否を評価した。   Moreover, the said semiconductor element was used for the bismaleimide-triazine resin board | substrate (circuit level | step difference 5-10 micrometers) which coated the soldering resist (The Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. brand name: AUS308) using the die bonder (ASM company make, AD898). The quality when 100 semiconductor elements were picked up continuously was evaluated at a die mount temperature of 23 ° C. and 130 ° C., respectively.

その結果、ダイマウント温度23℃においては、100個全てのピックアップが良好であったが、ダイマウント温度130℃においては、全数ピックアップ不良が発生した。   As a result, at the die mount temperature of 23 ° C., all 100 pickups were good, but at the die mount temperature of 130 ° C., all pickup failures occurred.

(比較例2)
接着層中のアクリル酸エステル共重合体としてSG−708−6(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン(MEK)溶解品、ナガセケムテックス(株)製、ガラス転移点:6℃、重量平均分子量:500,000)を用いるようにした以外は、実施例2と同様にして半導体装置を製造した。
(Comparative Example 2)
SG-708-6 (ethyl acrylate-butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid-hydroxyethyl methacrylate copolymer methyl ethyl ketone (MEK) dissolved product, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) as an acrylate ester copolymer in the adhesive layer A semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 2 except that glass transition point: 6 ° C., weight average molecular weight: 500,000) was used.

ところで、半導体用接着フィルムについて、実施例1と同様にして、接着層と第1粘着層間の180°ピール強度(密着力)を測定した。
この測定の結果、23℃でのピール強度(密着力)は10N/mであった。
By the way, about the adhesive film for semiconductors, it carried out similarly to Example 1, and measured 180 degree peel strength (adhesion force) between an adhesive layer and a 1st adhesion layer.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 23 ° C. was 10 N / m.

次いで、積層体の温度を60℃に昇温し、23℃の場合と同様にしてピール強度を測定した。
この測定の結果、60℃でのピール強度(密着力)は32N/mであった。
Next, the temperature of the laminate was raised to 60 ° C., and the peel strength was measured in the same manner as in the case of 23 ° C.
As a result of this measurement, the peel strength (adhesion strength) at 60 ° C. was 32 N / m.

また、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に上記半導体素子をダイボンター(ASM社製、AD898)を用いて、ダイマウント温度を23℃および130℃の各温度において、100個の半導体素子を連続でピックアップしたときの良否を評価した。   Moreover, the said semiconductor element was used for the bismaleimide-triazine resin board | substrate (circuit level | step difference 5-10 micrometers) which coated the soldering resist (The Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. brand name: AUS308) using the die bonder (ASM company make, AD898). The quality when 100 semiconductor elements were picked up continuously was evaluated at a die mount temperature of 23 ° C. and 130 ° C., respectively.

その結果、ダイマウント温度23℃においては、100個全てのピックアップが良好であったが、ダイマウント温度130℃においては、全数ピックアップ不良が発生した。   As a result, at the die mount temperature of 23 ° C., all 100 pickups were good, but at the die mount temperature of 130 ° C., all pickup failures occurred.

2.ダイシング性およびピックアップ性の評価
各実施例および各比較例における接着層の製造条件とピックアップの評価結果を表1に示す。
2. Evaluation of Dicing Property and Pickup Property Table 1 shows the production conditions of the adhesive layer and the evaluation result of the pickup in each example and each comparative example.

Figure 2011253949
Figure 2011253949

各実施例および各比較例におけるダイシング性はいずれも良好であった。すなわち、ダイシングの際には、半導体素子の欠けや剥離等が生じることはなかった。   The dicing property in each example and each comparative example was good. That is, no chipping or peeling of the semiconductor element occurred during dicing.

また、表1から明らかなように、各実施例では、いずれも安定的に半導体素子(個片)のピックアップを行い得ることがわかった。また、ピックアップする際のダイマウント温度(23℃または130℃)によらず、安定したピックアップが可能であった。したがって、各実施例によれば、ダイボンダのコレットが熱を帯びてしまい、これによりピックアップの際に積層体の温度が上昇したとしても、熱によって接着層の接着性が著しく増強されるのを抑制し、ピックアップ不良が生じるのを防止し得ることが明らかとなった。   Further, as apparent from Table 1, it was found that in each of the examples, the semiconductor element (piece) can be stably picked up. Further, stable pickup was possible regardless of the die mount temperature (23 ° C. or 130 ° C.) at the time of pickup. Therefore, according to each embodiment, even if the die bonder collet is heated, and the temperature of the laminated body rises at the time of pick-up, it is possible to suppress the adhesion of the adhesive layer from being significantly enhanced by heat. As a result, it has been clarified that a pickup failure can be prevented.

一方、各比較例では、高温でダイマウントした際、多くのピックアップ不良が発生した。このことは、比較例の場合、ダイボンダのコレットが熱を帯びた場合には、多数のピックアップ不良を発生させ得ることを示すものである。   On the other hand, in each comparative example, many pick-up defects occurred when die-mounted at a high temperature. This indicates that in the comparative example, when the collet of the die bonder is heated, a large number of pickup failures can occur.

1 第1粘着層
11 外周縁
2 第2粘着層
21 外周部
3、31 接着層
4 支持フィルム
41 外周部
4a、4b 基材
5 絶縁基板
61〜64 積層体
7 半導体ウエハー
71 半導体素子
8 積層体
81 切り込み
82 ダイシングブレード
83 個片
84 ワイヤ
85 モールド層
86 ボール状電極
9 ウエハーリング
10 半導体用フィルム
100 半導体装置
200 積層体
210 接着シート
211 基材フィルム
212 第1の粘接着剤層
213 第2の粘接着剤層
220 半導体ウエハー
230 個片
240 基板
250 ダイボンダ
260 コレット
270 ヒーター
280 装置本体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st adhesion layer 11 Outer periphery 2 2nd adhesion layer 21 Outer peripheral part 3, 31 Adhesive layer 4 Support film 41 Outer peripheral part 4a, 4b Base material 5 Insulating substrate 61-64 Laminated body 7 Semiconductor wafer 71 Semiconductor element 8 Laminated body 81 Notch 82 Dicing blade 83 pieces 84 Wire 85 Mold layer 86 Ball-shaped electrode 9 Wafer ring 10 Semiconductor film 100 Semiconductor device 200 Laminate 210 Adhesive sheet 211 Base film 212 First adhesive layer 213 Second viscosity Adhesive layer 220 Semiconductor wafer 230 Pieces 240 Substrate 250 Die bonder 260 Collet 270 Heater 280 Device body

Claims (14)

接着層と少なくとも1層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層の構成材料として、ガラス転移点が0℃以下の(メタ)アクリル酸エステル共重合体を含み、
23℃および60℃における、前記接着層と前記粘着層との間の密着力が、30N/m以下であることを特徴とする半導体用フィルム。
An adhesive layer, at least one adhesive layer and a support film are laminated in this order, and a semiconductor wafer is laminated on the surface of the adhesive layer opposite to the adhesive layer, and in this state, the semiconductor wafer and the adhesive film are laminated. It is a film for a semiconductor that is used when a layer is cut into individual pieces, and the obtained individual pieces are picked up from the support film,
As a constituent material of the adhesive layer, it includes a (meth) acrylic acid ester copolymer having a glass transition point of 0 ° C. or lower,
The film for semiconductors characterized by the adhesive force between the said adhesion layer and the said adhesion layer in 23 degreeC and 60 degreeC being 30 N / m or less.
前記(メタ)アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、10万以上である請求項1に記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductor according to claim 1, wherein the (meth) acrylic acid ester copolymer has a weight average molecular weight of 100,000 or more. 前記接着層の構成材料として、フェノキシ樹脂を含む請求項1または2に記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductors of Claim 1 or 2 containing a phenoxy resin as a constituent material of the said contact bonding layer. 前記フェノキシ樹脂のガラス転移点は、90℃以上である請求項3に記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductor according to claim 3, wherein the glass transition point of the phenoxy resin is 90 ° C. or higher. 前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、30,000〜80,000である請求項3または4に記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductor according to claim 3 or 4, wherein the phenoxy resin has a weight average molecular weight of 30,000 to 80,000. 前記粘着層は、複数の層で構成されている請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体用フィルム。   The film for a semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive layer is composed of a plurality of layers. 前記複数の層は、前記半導体ウエハー側に位置する第1粘着層と、この第1粘着層の前記支持フィルム側に隣接し、前記第1粘着層よりも粘着性の大きい第2粘着層とを含んでいる請求項6に記載の半導体用フィルム。   The plurality of layers include a first adhesive layer located on the semiconductor wafer side, and a second adhesive layer adjacent to the support film side of the first adhesive layer and having higher adhesiveness than the first adhesive layer. The film for semiconductors of Claim 6 which contains. 前記接着層の外周縁および前記第1粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第2粘着層の外周縁よりも内側に位置している請求項7に記載の半導体用フィルム。   The film for a semiconductor according to claim 7, wherein an outer peripheral edge of the adhesive layer and an outer peripheral edge of the first adhesive layer are respectively located on an inner side than an outer peripheral edge of the second adhesive layer. 前記第2粘着層の硬度は、前記第1粘着層の硬度より小さい請求項7または8に記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductor according to claim 7 or 8, wherein the hardness of the second adhesive layer is smaller than the hardness of the first adhesive layer. 前記第1粘着層のショアD硬度は、20〜60である請求項7ないし9のいずれかに記載の半導体用フィルム。   The film for a semiconductor according to any one of claims 7 to 9, wherein the first adhesive layer has a Shore D hardness of 20 to 60. 前記粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体用フィルム。   The film for semiconductor according to any one of claims 1 to 10, wherein a region where the semiconductor wafer is laminated on a surface of the adhesive layer on the adhesive layer side is irradiated with ultraviolet rays in advance prior to lamination with the semiconductor wafer. . 請求項1ないし11のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第1の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第2の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
A first step of preparing a laminate formed by laminating the semiconductor film and the semiconductor wafer so that the adhesive layer of the semiconductor film according to claim 1 and the semiconductor wafer are in contact with each other. ,
A second step of obtaining a plurality of semiconductor elements by dividing the semiconductor wafer into pieces by providing a cut in the stacked body from the semiconductor wafer side;
And a third step of picking up the semiconductor element.
前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる請求項12に記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the cut is provided so that a deepest portion thereof is located in the adhesive layer. 1本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、5×10−5〜300×10−5mmである請求項12または13に記載の半導体装置の製造方法。 14. The cross-sectional area of a portion on the tip side from the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer in one notch is 5 × 10 −5 to 300 × 10 −5 mm 2 . A method for manufacturing a semiconductor device.
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