JP2011100820A

JP2011100820A - 基板処理装置

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Publication number: JP2011100820A
Application number: JP2009253885A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Konya; 忠司紺谷; Naoki Matsumoto; 尚樹松本
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2009-11-05
Filing date: 2009-11-05
Publication date: 2011-05-19

Abstract

【課題】バルブや継ぎ手などのガス供給系部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理を行う基板処理室と、前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口２７１ａと加熱ガス排気口２７１ｂを有する加熱容器２７１と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段２７２とを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）等の基板を処理するための基板処理装置で使用されるガス配管の加熱技術に関し、例えば、ウエハに所望の膜を形成するために、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）などの熱処理を行う基板処理装置に利用して有効な技術に関する。

半導体ウエハの表面に薄膜を形成する場合、内部にウエハ載置部を備えた反応炉を有する基板処理装置が使用される。反応炉には原料ガス等を導入するガス配管が接続されており、原料を収納した原料供給用タンクからガス配管を経由して、原料ガスが反応炉内に導入される。
例えば、ＡｌＯ（酸化アルミニウム）膜形成のため、ＡｌＣｌ₃（三塩化アルミニウム）のような常温常圧において固体である物質を原料として使用し、外部より原料ガスとして反応炉内へ供給する場合、固体原料を収納したタンクを設け、該タンク内で原料を加熱して昇華させ、ガス配管を通して反応炉へ原料ガスとして供給するようにしている。ＡｌＣｌ₃は、常温常圧において、約１８０℃で昇華する。このように、固体のＡｌＣｌ₃から気体のＡｌＣｌ₃ガスを得るには、固体のＡｌＣｌ₃を加熱するための加熱気化機構が必要であるとともに、気体のＡｌＣｌ₃ガスが固化しないように、ガス配管やガス配管の途中に設けられた開閉バルブ等を加熱するための加熱機構が必要である。

従来の加熱機構について、図６ないし図８を用いて説明する。図６ないし図８は、従来の加熱機構を示す図である。図６において、６０はガス配管である。６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅは、バルブ（開閉弁）である。本明細書では、６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅを総称して６１と表現することもある。６２は、配管の継ぎ手である。６３は、帯状又はひも状の形状をしたリボンヒータである。図６では、ガス配管６０、バルブ６１、継ぎ手６２の周囲を、リボンヒータ６３で巻き回しているが、図６に示すように、継ぎ手６２付近の段差やバルブ６１周辺などの複雑な形状の場所に施工する場合、リボンヒータ６３との間の隙間６４が生じるため、密着性に問題があり、温度むらが発生しやすく、加熱が不十分となる場合がある。

図７は、バルブを熱伝導率の優れたアルミブロックで覆い、ロッドヒータで加熱する場合である。図７において、図６と同じ部品は同符号で示す。７１は、棒状のロッドヒータである。７２は、ヒータケーブルであり、図示しない電源に接続される。７３は、アルミブロックであり、ガス配管６０、バルブ６１、継ぎ手６２、ロッドヒータ７１に密着するように形状を加工している。７４は、アルミブロック７３を覆う保温材である。図７のやり方だと、部品が密集している部分、例えばバルブ６１ｃには、ヒータ設置が困難となる。また、アルミブロック７３を加工するコスト等も問題となる。

図８は、ガス配管やバルブ全体を熱伝導率の優れたアルミブロックで覆い、外部から面状のジャケットヒータで加熱する場合である。図８において、図６と同じ部品は同符号で示す。８１は、アルミブロックであり、ガス配管６０、バルブ６１、継ぎ手６２の形状に応じて加工している。８２は、ジャケットヒータである。８３は、ヒータケーブルであり、図示しない電源に接続される。図８のやり方でも、ガス配管６０、バルブ６１、継ぎ手６２の形状が３次元的に複雑な場合、アルミブロック８１の製作が困難となる。その場合、アルミブロック８１の取り付けや取り外しを考慮すると、図８に示すように、アルミブロック８１との間の隙間８４を生じないように製作することができない場合がある。
特許文献１には、反応管に連通するガス供給系やガス排気系の配管が配管加熱装置により加熱される半導体製造装置に於いて、溝を刻設した２つの高伝熱性金属加熱ブロックにより被加熱配管を溝に嵌込んで挾持し、加熱ブロックに加熱手段を設けて加熱することが開示されている。

特開２０００−２５２２２３号公報

最近は、基板処理装置を小型化するため、バルブや継ぎ手などの各部品が密集状態となり、また、加熱したい部品の形状も様々であるため、ヒータを密着して取り付けることが困難な場合が増加しており、そのため、加熱したい部品を均一に加熱できないことがある。
本発明の目的は、ガス配管やバルブの加熱が必要とされる基板処理装置等において、ガス配管やバルブの加熱を安定して行う加熱機構、該加熱機構を用いたガス供給システム、該加熱機構を用いた基板処理装置を提供することにある。

本発明の代表的な構成は、次のとおりである。
基板を収容し処理を行う基板処理室と、
前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、
前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口と加熱ガス排気口を有する加熱容器と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段とを有することを特徴とする基板処理装置。

上記の構成によれば、バルブや継ぎ手などの各部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる。

本発明の実施例に係るバッチ式縦型成膜装置を示す斜視図である。本発明の実施例に係るバッチ式縦型成膜装置の処理炉の垂直断面図である。本発明の第１実施例に係る加熱機構を示す図である。本発明の第２実施例に係る加熱機構を示す図である。本発明の第３実施例に係る加熱機構を示す図である。従来の加熱機構を示す図である。従来の加熱機構を示す図である。従来の加熱機構を示す図である。

以下、本発明の１実施形態を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の１実施形態に係るバッチ式縦型成膜装置を示す斜視図である。図２は、本発明の１実施形態に係るバッチ式縦型成膜装置の処理炉の垂直断面図である。
［基板処理装置の概略］
まず、図１、図２を参照して、本実施形態に係る基板処理装置１００を概略的に説明する。図１に示すように、基板処理装置１００の筐体１０１内部の前面側には、カセットステージ１０５が設けられている。カセットステージ１０５は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う。カセットステージ１０５の後方には、カセット搬送機１１５が設けられている。カセット搬送機１１５の後方には、カセット１００を保管するためのカセット棚１０９が設けられる。また、カセットステージ１０５の上方には、カセット１００を保管するための予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方には、クリーンユニット１１８が設けられている。クリーンユニット１１８は、クリーンエアを筐体１０１の内部を流通させる。

筐体１０１の後部上方には、処理炉（処理炉）２０２が設けられている。処理炉２０２の下方には、ボートエレベータ１２１が設けられている。ボートエレベータ１２１は、ウエハ２００を搭載したボート２１７を、処理炉２０２の内と外の間で昇降させる。ボート２１７は、ウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持具である。ボートエレベータ１２１には、処理炉２０２の下端を塞ぐための蓋体としてのシールキャップ２１９が取り付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持する。
ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には、ウエハ２００を搬送するウエハ移載機１１２が設けられている。ボートエレベータ１２１の横には、処理炉２０２の下端を気密に閉塞するための炉口シャッタ１１６が設けられている。炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が処理炉２０２の外にあるときに、処理炉２０２の下端を閉塞することができる。

ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５に搬入される。さらに、カセット１００は、カセット搬送機１１５により、カセットステージ１０５からカセット棚１０９または予備カセット棚１１０に搬送される。カセット棚１０９には、ウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３がある。ボート２１７に対してウエハ２００が移載されるカセット１００は、カセット搬送機１１５により移載棚１２３に移載される。カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２により、移載棚１２３から降下状態のボート２１７に、ウエハ２００を移載する。

ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されると、ボートエレベータ１２１により、ボート２１７が処理炉２０２内に挿入され、シールキャップ２１９により、処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内では、ウエハ２００が加熱されると共に、処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に加熱等の処理がなされる。
ウエハ２００の処理が完了すると、上記した動作の逆の手順により、ウエハ２００は、ウエハ移載機１１２により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００は、カセット搬送機１１５により、移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により、筐体１０１の外部に搬出される。
ボート２１７が降下状態において、炉口シャッタ１１６は、処理炉２０２の下端を気密に閉塞し、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。

［処理炉］
図１、図２に示されているように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、処理炉２０２を備えており、処理炉２０２は、石英製の反応管２０３を備えている。反応管２０３は、基板（本例ではウエハ２００）を収容し、加熱処理する反応容器である。反応管２０３は、加熱部（本例では抵抗ヒータ２０７）の内側に設けられている。反応管２０３は、その下端開口をシールキャップ２１９により、気密部材（本例ではＯリング２２０）を介して気密に閉塞される。
ヒータ２０７、反応管２０３およびシールキャップ２１９により、処理炉２０２が形成されている。また、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により、基板処理室２０１が形成されている。シールキャップ２１９の上には、基板保持部材（ボート２１７）が、石英キャップ２１８を介して立設されている。石英キャップ２１８は、ボート２１７を保持する保持体である。ボート２１７は、処理炉２０２内に、処理炉２０２の下端開口から挿入される。ボート２１７には、バッチ処理される複数のウエハ２００が、それぞれ水平姿勢で管軸方向（垂直方向）に多段に積載される。ヒータ２０７は、処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を、所定の温度に加熱する。

［ガス供給系］
図２に示すように、処理室２０１へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給するガス供給系としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられている。ガス供給管２３２ａ、２３２ｂの端部は、マニホールド２０９の下部を貫通するように設けられている。
第１のガス供給管２３２ａからは、第１のガス供給源２４０ａから、流量制御手段としてのＭＦＣ(マスフローコントローラ)２４１ａ、及び開閉弁であるバルブ２５１ａを介し、更に処理室２０１内に設置された多孔ノズル２３３を通して、処理室２０１に反応ガスとして例えばオゾン（Ｏ₃）が供給される。オゾンガスを供給しているのは、ＡｌＯ膜を成膜する場合を想定しているためであり、オゾンガスの代わりに、Ｈ₂ＯやＨ₂＋ＣＯ₂ガス等を供給しても良い。
ガス供給管２３２ａの途中には、不活性ガス供給管２３２ｄが、バルブ２５１ａの下流側に接続されている。不活性ガス供給管２３２ｄには、上流側から順に、不活性ガス供給源２４０ｄ、ＭＦＣ２４１ｄ、開閉バルブ２５１ｄが設けられている。

また、第２のガス供給管２３２ｂの他端には、固体原料容器を含む加熱気化装置２６０が接続されており、この加熱気化装置２６０で昇華された原料ガスとして、例えばＡｌＣｌ₃ガスが、バルブ２５１ｂ、及び多孔ノズル２３３を介して処理室２０１に供給される。加熱気化装置２６０からマニホールド２０９までのガス供給管２３２ｂには、原料ガスの再固化による管内壁への原料の付着を防止するため、ヒータ２８１が設けられ、ガス供給管２３２ｂを加熱可能としている。
また、加熱気化装置２６０には、不活性ガス供給管２３０が接続されている。不活性ガス供給管２３０には、上流側から順に、不活性ガス供給源２４０ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、開閉バルブ２５２が設けられている。
ガス供給管２３２ｂの途中には、不活性ガス供給管２３２ｃが、バルブ２５１ｂの下流側に接続されている。不活性ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に、不活性ガス供給源２４０ｃ、ＭＦＣ２４１ｃ、開閉バルブ２５１ｃが設けられている。

上記のバルブ２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、２５１ｄ、２５２は、後述する加熱容器２７１内に収容されている。加熱容器２７１には、加熱容器２７１内に高温ガスを導入する導入口２７１ａと、加熱容器２７１内から高温ガスを排気する排気口２７１ｂが設けられている。導入口２７１ａには、ガス配管２３２ｅが接続されており、ガス配管２３２ｅには、上流から順に、ガス供給源２４０ｅ、ＭＦＣ２４１ｅ、ガス加熱部である熱交換器２７２、バルブ２５１ｅが設けられている。ガス供給源２４０ｅには、大気圧よりも高圧の不活性ガス、例えば空気や窒素ガスを用いることができる。ガス供給源２４０ｅから供給されたガスは、ＭＦＣ２４１ｅにより流量を所定値に制御され、熱交換器２７２により所定の温度に加熱される。加熱された高温ガスは、バルブ２５１ｅを経て、加熱容器２７１の導入口２７１ａから、加熱容器２７１内に導入される。加熱容器２７１内でガス配管６０やバルブ６１等を加熱した高温ガスは、排気口２７１ｂから排気される。
なお、上記の例では、バルブ２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、２５１ｄ、２５２を加熱容器２７１内に収容したが、処理ガスの種類により、加熱する必要のあるバルブが異なるのは勿論である。

反応管２０３内の中央部には、複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７はボートエレベータ機構１２１（図１参照）により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転するための回転装置（回転手段）であるボート回転機構２２７が設けてあり、このボート回転機構２２７によってボート支持台２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。

［排気部］
基板処理室２０１には、基板処理室２０１内のガスを排気するガス排気管２３１の一端が接続されている。ガス排気管２３１の他端は、真空ポンプ２４６（排気装置）にＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ２５５を介して接続されている。基板処理室２０１内は、真空ポンプ２４６によって排気される。
なお、ＡＰＣバルブ２５５は、弁の開閉により基板処理室２０１の排気および排気停止を行なうことができる開閉弁であり、かつまた、弁開度の調節により圧力を調整することができる圧力調整弁である。

［制御部］
コントローラ２８０（制御部）は、ＭＦＣ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｅ、バルブ２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、２５１ｄ、２５１ｅ、２５２、ＡＰＣバルブ２５５、ヒータ２０７、熱交換器２７２、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２２７、ボートエレベータ１２１等、基板処理装置１００の各構成部に電気的に接続されている。
コントローラ２８０は、ＭＦＣ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、２４１ｅの流量調整、バルブ２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、２５１ｄ、２５１ｅ、２５２の開閉動作、ＡＰＣバルブ２５５の開閉および圧力調整動作、ヒータ２０７、熱交換器２７２の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２２７の回転速度調節、ボートエレベータ１２１の昇降動作制御等、基板処理装置１００の各構成部の制御を行う。

［ガス供給系加熱手段］
本実施形態のガス供給系加熱手段（加熱機構）について、第１実施例を図３を用いて説明する。図３は、第１実施例のガス供給系加熱手段を示す図である。図３において、６０はガス配管である。６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅは、バルブ（開閉弁）である。２７１は、バルブ６１や配管６０を加熱する加熱容器である。２７１ａは、加熱容器２７１内へ高温ガスを導入する導入口である。２７１ｂは、加熱容器２７１内の雰囲気を排気する排気口である。２７１ｃは、加熱容器２７１内の雰囲気である。２７１ｄは、加熱容器２７１を形成するケース（筐体）である。２７１ｅは、ケース２７１ｄを覆う保温材である。２７２は、図２に示すガス供給源２４０ｅから供給される空気又は窒素ガス等の不活性ガスを加熱する加熱部としての熱交換器である。２４１ｅは、熱交換器２７２へ供給するガスの流量を制御するＭＦＣである。２５１ｅは、開閉バルブである。２３２ｅは、図２に示すガス供給源２４０ｅからのガスを加熱容器２７１へ供給するガス配管である。このように、第１実施例のガス供給系加熱手段は、主に、加熱容器２７１、加熱部としての熱交換器２７２、ＭＦＣ２４１ｅ等を備える。

図２に示すガス供給源２４０ｅからのガスが、ＭＦＣ２４１ｅで所定の流量に制御されて熱交換器２７２に供給されると、熱交換器２７２において所定の温度に加熱される。所定の温度に加熱された高温ガス（加熱ガス）が、導入口２７１ａから加熱容器２７１内に導入されると、加熱容器２７１内の空間の雰囲気２７１ｃが加熱ガスに置き換えられて、この置き換えられた加熱ガスにより、加熱容器２７１内のバルブ６１、継ぎ手６２、配管６０が所定の温度に加熱される。加熱容器２７１内のバルブ６１、継ぎ手６２、配管６０を加熱することにより、温度が低下した加熱ガスは、排気口２７１ｂから排気される。
このように、第１実施例のガス供給系加熱手段では、加熱対象箇所をケースで覆い、ケース内部に、熱交換器等で加熱した高温の気体を供給するようにしているので、複雑な配管構造に対応でき、加熱対象箇所をむらなく加熱することができる。さらに、ケースを保温材で覆うことにより、安定した温度管理が可能となる。

次に、第２実施例のガス供給系加熱手段について、図４を用いて説明する。図４は、第２実施例のガス供給系加熱手段を示す図である。図４において、図３と同じ部品は同符号で示し、説明を省略する。図４において、２７１ｆは、断熱材等の素材を用いたブロックである。加熱容器２７１内の加熱領域（雰囲気２７１ｃの領域）が広い場合、導入口２７１ａから導入された高温ガスは、徐々に温度が低下するが、図４に示すように、加熱容器２７１内にブロック２７１ｆを設置することにより、加熱容器２７１内の加熱領域を狭めることができ、加熱容器２７１内のバルブ等を効率よく加熱することができる。
なお、ブロック２７１ｆの素材は、断熱材でなくてもよいが、断熱材を用いる方が熱のロスが少ない。

次に、第３実施例のガス供給系加熱手段について、図５を用いて説明する。図５は、第３実施例のガス供給系加熱手段を示す図である。図５において、図３と同じ部品は同符号で示し、説明を省略する。図５において、２７１ｇは、アルミブロックのケースである。２７１ｈは、面状のジャケットヒータである。図５に示すように、第３実施例の加熱容器２７１は、アルミブロック２７１ｇで形成され、該アルミブロック２７１ｇを面状のジャケットヒータ２７１ｈで覆うとともに、前記アルミブロック２７１ｇは、加熱容器２７１内の雰囲気領域２７１ｃを小さくするよう凹凸を有する。このように、加熱容器２７１のケースを熱伝導率の優れたアルミブロック２７１ｇとし、外部からジャケットヒータ２７１ｈにより加熱することで、第１実施例の効果に加え、更に十分な加熱効果が得られる。また、ケースをアルミブロック２７１ｇとすることで、加熱容器２７１内の加熱領域を狭めることができ、第２実施例の効果も得ることができる。

なお、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、本発明は、密集したバルブ構成を必要とする固体原料を用いた装置に対して有効であるが、固体原料に限らず、液体原料を用いた装置であっても、密集、あるいは複雑なバルブ構成を有する場合に有効である。また、ＡｌＯ膜を形成する処理に限らず、他の薄膜を形成する処理であってもよい。
前記実施形態においては、バッチ式縦型成膜装置について説明したが、本発明は、枚葉装置にも適用することができる。
前記実施例では、ウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。

以上の、本明細書の記載に基づき、次の発明を把握することができる。すなわち、第１の発明は、
基板を収容し処理を行う基板処理室と、
前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、
前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口と加熱ガス排気口を有する加熱容器と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、ガス供給系をむらなく十分に加熱することができ、安定した温度の原料ガスを基板処理装置に供給することが容易となる。

第２の発明は、前記第１の発明における基板処理装置であって、
前記加熱容器内に、加熱容器内の雰囲気領域を小さくするための断熱材を収容することを特徴とする基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、加熱容器内の加熱領域を狭めることができ、加熱容器内のバルブ等を効率よく加熱することができる。

第３の発明は、前記第１の発明又は第２の発明における基板処理装置であって、
前記加熱容器は、アルミブロックで形成され、該アルミブロックを面状ヒータで覆うとともに、前記アルミブロックは、加熱容器内の雰囲気領域を小さくするよう凹凸を有することを特徴とする基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、ガス供給系をむらなく十分に加熱することができ、安定した温度の原料ガスを基板処理装置に供給することが容易となり、さらに、加熱容器内の加熱領域を狭めることができ、加熱容器内のバルブ等を効率よく加熱することができる。

１００…基板処理装置、２００…ウエハ、２０１…基板処理室、２０２…処理炉、２０３…反応管、２０７…ヒータ、２１７…ボート、２１８…石英キャップ、２１９…シールキャップ、２２０…Ｏリング、２２７…ボート回転機構、２３１…ガス排気管、２３２ａ…第１のガス供給管、２３２ｂ…第２のガス供給管、２３２ｃ…不活性ガス供給管、２３２ｄ…不活性ガス供給管、２３３…ノズル、２４０ａ…第１の処理ガス供給源、２４０ｂ…第２の処理ガス供給源、２４０ｃ…不活性ガス供給源、２４０ｄ…不活性ガス供給源、２４０ｅ…不活性ガス供給源、２４１ａ…マスフローコントローラ、２４１ｂ…マスフローコントローラ、２４１ｃ…マスフローコントローラ、２４１ｄ…マスフローコントローラ、２４１ｅ…マスフローコントローラ、２４６…真空ポンプ、２４７…ヒータ、２５１ａ…開閉バルブ、２５１ｂ…開閉バルブ、２５１ｃ…開閉バルブ、２５１ｄ…開閉バルブ、２５１ｅ…開閉バルブ、２５２…開閉バルブ、２５５…ＡＰＣバルブ、２６０…加熱気化装置、２７１…加熱容器、２７１ａ…導入口、２７１ｂ…排気口、２７１ｃ…雰囲気、２７１ｄ…ケース、２７１ｅ…保温材、２７１ｆ…ブロック、２７１ｇ…アルミブロック、２７１ｈ…ジャケットヒータ、２７２…熱交換器、２８０…コントローラ。

Claims

基板を収容し処理を行う基板処理室と、
前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、
前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口と加熱ガス排気口を有する加熱容器と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段とを有することを特徴とする基板処理装置。