JP2011187968A - Laser irradiation method and laser irradiating apparatus - Google Patents
Laser irradiation method and laser irradiating apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011187968A JP2011187968A JP2011091649A JP2011091649A JP2011187968A JP 2011187968 A JP2011187968 A JP 2011187968A JP 2011091649 A JP2011091649 A JP 2011091649A JP 2011091649 A JP2011091649 A JP 2011091649A JP 2011187968 A JP2011187968 A JP 2011187968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical lens
- laser
- lens
- laser light
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
本明細書で開示する発明は、例えば、レーザー光の照射によるアニール処理を行う装置
(レーザーアニール装置)等のレーザーを用いた光学装置に関する。特に、大面積ビーム
を照射するレーザーアニール装置等において、均一な照射効果が得られるような装置に関
する。このようなレーザーーニール装置は、半導体製造工程等に使用される。
The invention disclosed in the present specification relates to an optical apparatus using a laser such as an apparatus (laser annealing apparatus) that performs an annealing process by laser light irradiation. In particular, the present invention relates to an apparatus capable of obtaining a uniform irradiation effect in a laser annealing apparatus or the like that irradiates a large area beam. Such a laser-neil device is used in a semiconductor manufacturing process or the like.
また、大面積レーザービームは半導体回路等の微細な回路パターンを形成するための露
光装置等にも使用される。特に、サブミクロンのデザインルールの回路を形成するには、
紫外線レーザー光が用いられる。
The large area laser beam is also used for an exposure apparatus for forming a fine circuit pattern such as a semiconductor circuit. In particular, to form a circuit with a submicron design rule,
Ultraviolet laser light is used.
従来より、非晶質珪素膜に対するレーザー光の照射による結晶化の技術が知られている
。また、不純物イオンの注入によって損傷した珪素膜の結晶性の回復や注入された不純物
イオンの活性化のためにレーザー光を照射する技術が知られている。これらはレーザーア
ニール技術と称される。
Conventionally, a technique of crystallization by irradiating laser light to an amorphous silicon film is known. In addition, a technique for irradiating a laser beam to recover the crystallinity of a silicon film damaged by implantation of impurity ions or to activate the implanted impurity ions is known. These are called laser annealing techniques.
後者の技術の代表的な例として、薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域に対する
アニールの例を挙げることができる。これは、当該領域に対するリンやボロンで代表され
る不純物イオンの注入の後に、当該領域のアニールをレーザー光の照射で行うものである
。
As a typical example of the latter technique, an example of annealing the source and drain regions of a thin film transistor can be given. In this method, after the impurity ions represented by phosphorus or boron are implanted into the region, the region is annealed by laser light irradiation.
このようなレーザー光の照射によるプロセスは、基板に対する熱ダメージがほとんど無
いという特徴を有している。
基板に対する熱ダメージの問題がないという特徴は、処理すべき材料の制約を低減し、
例えば、ガラス等の耐熱性の低い基板上に半導体素子を形成する際に有利である。特に、
近年その利用範囲が拡大しているアクティブマトリスク型の液晶表示装置を作製する場合
に重要となる。
Such a process by irradiation with laser light has a feature that there is almost no thermal damage to the substrate.
The feature that there is no problem of thermal damage to the substrate reduces the constraints on the material to be processed,
For example, it is advantageous when forming a semiconductor element on a substrate having low heat resistance such as glass. In particular,
This is important when manufacturing an active matrix type liquid crystal display device whose use range has expanded in recent years.
アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、コストの問題及び大面積化の要求
から基板としてガラス基板を利用することが望まれている。
ガラス基板は600℃以上、あるいは700℃以上というような高温度での加熱処理に
は耐えることができない。この問題を回避する技術としては、上述の珪素膜の結晶化や不
純物イオンの後のアニールをレーザー光の照射で行う技術が有効である。
In an active matrix liquid crystal display device, it is desired to use a glass substrate as a substrate because of cost problems and a demand for a large area.
The glass substrate cannot withstand heat treatment at a high temperature of 600 ° C. or higher, or 700 ° C. or higher. As a technique for avoiding this problem, a technique in which the above-described crystallization of the silicon film and annealing after impurity ions are performed by laser light irradiation is effective.
レーザー光の照射による方法においては、基板としてガラス基板を用いた場合でも、ガ
ラス基板への熱ダメージはほとんどない。従って、ガラス基板を用いても結晶性珪素膜を
用いた薄膜トランジスタを作製することができる。
また、レーザー光がコヒーレント光であることを利用して、微細な回路パターンを形成
するための光源として用いることも提案されている。特に紫外線レーザーを用いることに
より、サブミクロン以下の微細なパターンが得られる。
In the method using laser light irradiation, even when a glass substrate is used as the substrate, there is almost no thermal damage to the glass substrate. Accordingly, a thin film transistor using a crystalline silicon film can be manufactured using a glass substrate.
It has also been proposed to use the laser light as a light source for forming a fine circuit pattern by utilizing the fact that the laser light is coherent light. In particular, by using an ultraviolet laser, a fine pattern of submicron or less can be obtained.
しかしながら、一般に、レーザー光はレーザー装置から発生した状態(以下、原ビーム
、と言う)では、ビーム面積が小さいため、大面積に対してはレーザー光を走査すること
により処理する方法が一般的であるが、この場合、処理効果の面内均一性が低い、処理に
時間がかかる、等の問題を有する。特に、一般的な原ビームは、光強度分布が一様でない
ので、そのまま用いると、処理効果の均一性の点で著しく問題がある。
However, in general, laser light is generated from a laser device (hereinafter referred to as an original beam), and the beam area is small. Therefore, a method of processing a laser beam with a large area is generally used. However, in this case, there are problems such as low in-plane uniformity of the processing effect and time-consuming processing. In particular, since a general original beam has a non-uniform light intensity distribution, there is a significant problem in terms of uniformity of processing effects if it is used as it is.
そこで、原ビームを加工して、可能な限り均一なビームとし、さらには、処理面積の形
状等にあわせてビームの大きさも変更する技術が提唱されている。ビームの形状としては
、方形状や線状が一般的である。かくすることにより、大面積にわたり均一なレーザーア
ニールを施すことができる。
Therefore, a technique has been proposed in which the original beam is processed to make it as uniform as possible, and further, the beam size is changed in accordance with the shape of the processing area. The beam shape is generally rectangular or linear. Thus, uniform laser annealing can be performed over a large area.
原ビームの加工をおこなうレーザー照射装置の一例を図1(A)に示す。レーザー発振
器は、例えば、エキシマレーザー等が用いられる。これは、所定のガスを高周波放電によ
って分解し、エキシマ状態と呼ばれる励起状態を作りだすことにより、レーザー光を発振
させる。
An example of a laser irradiation apparatus for processing an original beam is shown in FIG. For example, an excimer laser or the like is used as the laser oscillator. This oscillates a laser beam by decomposing a predetermined gas by high-frequency discharge and creating an excited state called an excimer state.
例えばKrFエキシマレーザーは、KrとFを原料ガスとして、高圧放電により、Kr
F* という励起状態を得る。この励起状態は、寿命が数nsec〜数μsecというよう
に安定なものではないが、これに対する基底状態、KrFは、さらに不安定な状態であり
、励起状態の密度の方が基底状態の密度よりも高いという逆転分布が生じる。この結果、
誘導放射が発生し、比較的高効率のレーザー光を得ることができる。
For example, a KrF excimer laser uses Kr and F as raw material gases and high pressure discharge,
An excited state of F * is obtained. This excited state is not as stable as a lifetime of several nsec to several μsec, but the ground state and KrF for this are more unstable states, and the density of the excited state is higher than the density of the ground state. The reversal distribution is also high. As a result,
Stimulated radiation is generated, and a relatively highly efficient laser beam can be obtained.
もちろん、レーザー発振器は、エキシマレーザーに限らず、その他のパルスレーザー、
連続レーザーでもよい。一般に高エネルギー密度を得るという目的ではパルスレーザーが
適している。
図1(A)に示されるようにレーザー発振器から放射された原ビームは、凹レーズや凸
レンズによって構成されたビームエキスパンダーにより、適当な大きさに加工される。
Of course, laser oscillators are not limited to excimer lasers, but other pulse lasers,
A continuous laser may be used. In general, a pulsed laser is suitable for the purpose of obtaining a high energy density.
As shown in FIG. 1A, the original beam emitted from the laser oscillator is processed into an appropriate size by a beam expander constituted by a concave laser or a convex lens.
次に、ビームは、ホモジナイザーと称される光学装置に入る。これは、多数のシリンド
リカルレンズ(一般に放物面形状を有している)を有する少なくとも1枚のレンズ装置(
マルチシリンドリカルレンズ)を有する。従来のマルチシリンドリカルレンズは、図1(
B)に示すように、複数のシリンドリカルレンズ1〜5(いずれも凸レンズ)を1枚のガ
ラス上に形成したものである。
The beam then enters an optical device called a homogenizer. This consists of at least one lens device having a large number of cylindrical lenses (generally having a paraboloid shape) (
Multi-cylindrical lens). A conventional multi-cylindrical lens is shown in FIG.
As shown in B), a plurality of
一般には、マルチシリンドリカルレンズを2枚使用し、互いに直交するように配置され
る。もちろん、マルチシリンドリカルレンズは、1つでも、3つ以上でもよい。マルチシ
リンドリカルレンズが1つの場合は、原ビームの1つの方向の不均一性が分散される。ま
た、マルチシリンドリカルレンズを同じ向きに2枚以上形成すると、シリンドリカルレン
ズの数を増加させたのと同じ効果を得ることもできる。
Generally, two multi-cylindrical lenses are used and arranged so as to be orthogonal to each other. Of course, the number of multi-cylindrical lenses may be one, or three or more. In the case of a single multi-cylindrical lens, the non-uniformity in one direction of the original beam is dispersed. Further, when two or more multi-cylindrical lenses are formed in the same direction, the same effect as that obtained by increasing the number of cylindrical lenses can be obtained.
マルチシリンドリカルレンズを通過することにより、ビームはエネルギー密度の分散し
た均一性の高いビームを得ることができる。この原理は後述する。その後、ビームは、収
束レンズにより目的とする形状に加工され、あるいは、必要によってミラーによって方向
が変えられ、試料に照射される。(図1(A))
By passing through the multi-cylindrical lens, it is possible to obtain a highly uniform beam in which the energy density is dispersed. This principle will be described later. Thereafter, the beam is processed into a target shape by a converging lens, or the direction is changed by a mirror as necessary, and the sample is irradiated. (Fig. 1 (A))
次に、従来のホモジナイザー(マルチシリンドリカルレンズ)の原理と、問題点につい
て述べる。この問題点こそ、本発明の解決すべき課題である。以下では、煩雑さを避ける
ため、1つの面における光学的な考察をおこなう。マルチシリンドリカルレンズを透過し
たレーザー光は、図2(A)のようになる。
Next, the principle and problems of a conventional homogenizer (multi-cylindrical lens) will be described. This is the problem to be solved by the present invention. In the following, in order to avoid complexity, optical considerations on one surface will be made. The laser light transmitted through the multi-cylindrical lens is as shown in FIG.
ここでは、マルチシリンドリカルレンズLは5つの凸シリンドリカルレンズlを有し、
それぞれのシリンドリカルレンズに入射した光は、各シリンドリカルレンズで屈折する。
焦点で収束した後、ビームは拡散する。その際、各シリンドリカルレンズを透過した光が
、全て混合する部分(混合領域)が得られる。
Here, the multi-cylindrical lens L has five convex cylindrical lenses l,
The light incident on each cylindrical lens is refracted by each cylindrical lens.
After converging at the focal point, the beam diffuses. At that time, a portion (mixed region) where all the light transmitted through each cylindrical lens is mixed is obtained.
ところで、ビームに光強度の分布に偏りがあり、各シリンドリカルレンズに入射する光
の強度がそれぞれ異なっていたとする。しかし、混合領域では、各シリンドリカルレンズ
を透過した光が混合されるので、その偏りは分散してしまう。すなわち、光強度の均一化
が図られる。このようにして光強度の分布の少ないビームを得ることができる。(図2(
A))
By the way, it is assumed that the light intensity distribution of the beam is biased and the intensity of light incident on each cylindrical lens is different. However, since the light transmitted through each cylindrical lens is mixed in the mixed region, the deviation is dispersed. That is, the light intensity is made uniform. In this way, a beam with a small light intensity distribution can be obtained. (Fig. 2 (
A))
ところで、マルチシリンドリカルレンズを透過した光路に着目すると、これは、等間隔
(距離a)に配列した点光源F(すなわち、焦点)から放射される光である。(図2(B
))
When attention is paid to the optical path transmitted through the multi-cylindrical lens, this is light emitted from the point light sources F (that is, the focal points) arranged at equal intervals (distance a). (Fig. 2 (B
))
同様な効果は、ガラス基板の両面に間隔aだけ離して、一方の面に凸シリンドリカルレ
ンズl1 、他方の面に凸シリンドリカルレンズl2 を配置した場合にも得られる。図3(
A)では、シリンドリカルレンズl1 を通過した光路を実線で、シリンドリカルレンズl
2 を通過した光路を破線で示す。この場合も、図2の場合と同様に、混合領域が得られる
。(図3(A))
A similar effect on both surfaces of the glass substrates apart by a distance a, the convex cylindrical lens l 1 on one side, also obtained in the case of arranging the convex cylindrical lens l 2 on the other surface. FIG.
In A), the optical path that passed through the cylindrical lens l 1 is indicated by a solid line, and the
The optical path passing through 2 is indicated by a broken line. In this case as well, a mixed region is obtained as in the case of FIG. (Fig. 3 (A))
さらに、マルチシリンドリカルレンズを透過した光路に着目すると、図3(B)に示す
ように、2種類の点光源F1 、F2 (すなわち、焦点)から放射される光である。(図3
(B))
Furthermore, focusing on the optical path transmitted through the multi-cylindrical lens, as shown in FIG. 3B, the light is emitted from two types of point light sources F 1 and F 2 (that is, the focal point). (Fig. 3
(B))
上記に示した従来のマルチシリンドリカルレンズにおいては、各シリンドリカルレンズ
の端部(他のシリンドリカルレンズとの境界)が屈折しているので、該部分において、光
が散乱し、光の損失が発生した。このことは、レーザー光を有効に利用できないことを意
味し、ビーム強度の低下を招く。
In the conventional multi-cylindrical lens described above, the end portion of each cylindrical lens (boundary with another cylindrical lens) is refracted, so that light is scattered and loss of light occurs in the portion. This means that the laser beam cannot be used effectively, leading to a reduction in beam intensity.
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものである。本発明においては、マルチシリン
ドリカルレンズにおいて、凸シリンドリカルレンズだけでなく、凹シリンドリカルレンズ
をも使用し、凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズとを交互に配置し、かつ
、各シリンドリカルレンズ間を滑らかに連続せしめることを特徴とする。
The present invention has been made in view of the above problems. In the present invention, in the multi-cylindrical lens, not only a convex cylindrical lens but also a concave cylindrical lens is used, the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens are alternately arranged, and the respective cylindrical lenses are smoothly continuous. It is characterized by that.
本発明の第1は、線状もしくは方形状のビーム形状を有するレーザー光を形成する装置
において、レーザー発振装置と被照射物の間に挿入して用いられるホモジナイザーにおい
て、上記の構成のマルチシリンドリカルレンズを用いるものである。
A first aspect of the present invention is a multi-cylindrical lens having the above-described configuration in a homogenizer used by inserting between a laser oscillation device and an object to be irradiated in an apparatus for forming a laser beam having a linear or rectangular beam shape. Is used.
また、本発明の第2は、レーザー発振装置と、レーザー発振装置より発せられたレーザ
ー光が入力されるホモジナイザーとを有するレーザー光学装置において、ホモジナイザー
において用いられるマルチシリンドリカルレンズを上記の構成のものとするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a laser optical device having a laser oscillation device and a homogenizer to which laser light emitted from the laser oscillation device is input. The multi-cylindrical lens used in the homogenizer has the above configuration. To do.
上記のマルチシリンドリカルレンズにおいては、凸シリンドリカルレンズの曲面状態と
凹シリンドリカルレンズの曲面状態とが同じとしてもよい。また、ホモジナイザーにおい
てマルチシリンドリカルレンズは少なくとも2つ配置し、前記2つのマルチシリンドリカ
ルレンズの方向を直交して配置してもよい。
In the above multi-cylindrical lens, the curved state of the convex cylindrical lens and the curved state of the concave cylindrical lens may be the same. In the homogenizer, at least two multi-cylindrical lenses may be arranged, and the directions of the two multi-cylindrical lenses may be arranged orthogonally.
本発明のマルチシリンドリカルレンズの形態は、図1(C)に示されるようになる。こ
れは、従来のマルチシリンドリカルレンズが、いずれも凸シリンドリカルレンズ1〜5か
ら構成されていた(図1(B))のに対し、凸シリンドリカルレンズ1と3、3と5の間
に凹シリンドリカルレンズ2と4を有することであり、かつ、これらのシリンドリカルレ
ンズの境界が滑らかに連続していることである。(図1(C))
The form of the multi-cylindrical lens of the present invention is as shown in FIG. This is because the conventional multi-cylindrical lenses are all composed of convex
各シリンドリカルレンズを相互に滑らかに接続させるには、隣接する凹シリンドリカル
レンズの曲率と凸シリンドルカルレンズの曲率(曲面形状)を同じとすればよい。シリン
ドリカルレンズが放物面レンズの場合には、向きの異なる放物面を組み合わせた構造とな
る。このようなマルチシリンドリカルレンズにおけるレーザー光の光路を、図2および図
3に示したのと同様に示すと、図4のようになる。
In order to smoothly connect the cylindrical lenses to each other, the curvature of the adjacent concave cylindrical lens and the curvature (curved surface shape) of the convex cylindrical lens may be the same. When the cylindrical lens is a parabolic lens, it has a structure in which parabolic surfaces having different directions are combined. FIG. 4 shows the optical path of laser light in such a multi-cylindrical lens in the same manner as shown in FIGS.
ここでは、マルチシリンドリカルレンズLは、図1(C)に示されるように、3つの凸
シリンドリカルレンズl1 と2つの凹シリンドリカルレンズl2 を有する。凸シリンドリ
カルレンズに入射した光は、焦点で収束した後、拡散する。一方、凹シリンドリカルレン
ズに入射した光は、ある点から拡散するように、一方的に拡散する。この結果、各シリン
ドリカルレンズを透過した光が、全て混合する部分(混合領域)が得られる。
Here, the multi-cylindrical lens L has three convex cylindrical lenses l 1 and two concave cylindrical lenses l 2 as shown in FIG. The light incident on the convex cylindrical lens is diffused after being converged at the focal point. On the other hand, the light incident on the concave cylindrical lens diffuses unilaterally so as to diffuse from a certain point. As a result, a portion (mixed region) where all the light transmitted through each cylindrical lens is mixed is obtained.
上記の効果は、凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズの曲率(焦点距離を
決定する要素、またはレンズの曲面形状)が異なる場合でも同様に得られる。しかも、こ
のような構成のマルチシリンドリカルレンズにおいては、光が散乱するような構造(突起
等の滑らかでない部分)がないので、光の損失は低減できる。(図4(A))
The above effect can be obtained in the same manner even when the curvatures of the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens are different (elements that determine the focal length, or curved surface shape of the lens). In addition, since the multi-cylindrical lens having such a configuration does not have a structure that scatters light (non-smooth portions such as protrusions), light loss can be reduced. (Fig. 4 (A))
マルチシリンドリカルレンズを透過した光路に着目すると、これは図3(B)に示され
たものと同様に、2種類の点光源F1 、F2 (すなわち、焦点)から放射される光と見な
せる。(図4(B))
When attention is paid to the optical path transmitted through the multi-cylindrical lens, this can be regarded as light emitted from two types of point light sources F 1 and F 2 (that is, a focal point), similar to that shown in FIG. (Fig. 4 (B))
ところで、凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズの曲率が同じ場合には、
凹シリンドリカルレンズを透過する光の光路の境界は、隣接する凸シンドリカルレンズの
焦点F1 を透過する。以下、そのことを説明する。凸シリンドリカルレンズと凹シリンド
リカルレンズの曲率が同じということは、平行光線が入射した場合の、前者における収束
角度(焦点通過後の拡がり角度)と後者における拡がり角度が同じということである。
By the way, when the curvature of the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens are the same,
The boundary of the optical path of the light passing through the concave cylindrical lens is transmitted through the focal point F 1 of the adjacent convex cylindrical lens. This will be described below. The same curvature of the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens means that the convergence angle in the former (expansion angle after passing through the focal point) and the expansion angle in the latter when the parallel rays are incident are the same.
すなわち、図5(A)に示すように、凸シリンドリカルレンズl1 の焦点距離をxとす
ると、凹シリンドリカルレンズl2 と透過する平行光線は、図5(B)に示すように、入
射側に距離xだけ離れた点F2 から放射された光と見なせる。ここで、凸シリンドリカル
レンズl1 の下端を通過する光の光路F1 Aと、凹シリンドリカルレンズl2 の上端を通
過する光の光路F2 Aとに着目すると、両レンズを透過する光の拡がり角度・収束角度は
同じであるので、直線F2 Aは直線F1 Aと重なる。すなわち、凹シリンドリカルレンズ
を透過する光の光路の境界は、隣接する凸シンドリカルレンズの焦点F1 を透過する。(
図5)
That is, as shown in FIG. 5 (A), when the focal length of the convex cylindrical lens l 1 is x, parallel rays transmitted through the concave cylindrical lens l 2 are incident on the incident side as shown in FIG. 5 (B). It can be regarded as light emitted from a point F 2 separated by a distance x. Here, focusing on the optical path F 1 A of light passing through the lower end of the convex cylindrical lens l 1 and the optical path F 2 A of light passing through the upper end of the concave cylindrical lens l 2 , the spread of the light transmitted through both lenses Since the angle and the convergence angle are the same, the straight line F 2 A overlaps the straight line F 1 A. That is, the boundary of the optical path of the light passing through the concave cylindrical lens transmits the focal point F 1 of the adjacent convex cylindrical lens. (
(Fig. 5)
本明細書で開示する発明を利用することにより、半導体装置の作製等に利用されるレー
ザープロセスにおいて必要な、大面積・均一レーザー光を得ることができる。
By utilizing the invention disclosed in this specification, a large-area, uniform laser beam necessary for a laser process used for manufacturing a semiconductor device or the like can be obtained.
本実施例の光学系について説明する。本実施例のレーザー照射装置の基本構成は図1(
A)と同様である。ホモジナイザー入射前のレーザー光の形状は、6cm×5cmである
。本実施例では、ホモジナイザーには、1枚のマルチシリンドリカルレンズを用いた。以
下では、マルチシリンドリカルレンズについてのみ説明する。
The optical system of the present embodiment will be described. The basic configuration of the laser irradiation apparatus of this embodiment is shown in FIG.
Same as A). The shape of the laser beam before entering the homogenizer is 6 cm × 5 cm. In this example, a single multi-cylindrical lens was used as the homogenizer. Only the multi-cylindrical lens will be described below.
本実施例に示す構成においては、マルチシリンドリカルレンズは6個の凹シリンドリカ
ルレンズ(幅5mm)と、5個の凸シリンドリカルレンズ(幅5mm)を交互に配置して
構成し、入射するレーザー光をおよそ10分割するものとしている。シリンドリカルレン
ズの長尺方向の長さは7cmとした。マルチシリンドリカルレンズは石英製である。
In the configuration shown in the present embodiment, the multi-cylindrical lens is configured by alternately arranging six concave cylindrical lenses (width 5 mm) and five convex cylindrical lenses (width 5 mm), and the incident laser light is approximately It shall be divided into 10 parts. The length of the cylindrical lens in the longitudinal direction was 7 cm. The multi-cylindrical lens is made of quartz.
本実施例においては、最終的に照射される線状のレーザー光の長尺方向の長さは12c
m、幅0.5mmである。このため、ホモジナイザーを通過した後に、レーザー光を長尺
方向に2倍拡大し、それに垂直な方向に1/100に縮小した。凸シリンドリカルレンズ
と凹シリンドリカルレンズは、いずれも球面レンズとし、その曲率は同じとした。そして
、凸シリンドリカルレンズの焦点距離は5cmとした。(図1(A)参照)
In this embodiment, the length of the linear laser beam finally irradiated is 12c in the longitudinal direction.
m and a width of 0.5 mm. For this reason, after passing through the homogenizer, the laser beam was enlarged twice in the longitudinal direction and reduced to 1/100 in the direction perpendicular thereto. Both the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens are spherical lenses, and their curvatures are the same. The focal length of the convex cylindrical lens was 5 cm. (See Fig. 1 (A))
Claims (8)
前記発振されたレーザー光を、第1のマルチシリンドリカルレンズに入射させ、
前記第1のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、第2のマルチシリンドリカルレンズに入射させ、
前記第2のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、収束レンズに入射させ、
前記収束レンズを通過したレーザー光を、被照射物に照射し、
前記第1のマルチシリンドリカルレンズと前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、それぞれ凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズとが交互に配置され、
前記凸シリンドリカルレンズと前記凹シリンドリカルレンズとの境界は、滑らかに連続し、
前記第1のマルチシリンドリカルレンズと前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、互いに直交し、
前記凸シリンドリカルレンズおよび前記凹シリンドリカルレンズは、いずれも曲率が等しく、
前記凸シリンドリカルレンズの幅と前記凹シリンドリカルレンズの幅が等しいことを特徴とするレーザー照射方法。 Laser light is emitted from the laser oscillator,
The oscillated laser light is incident on the first multi-cylindrical lens,
The laser beam that has passed through the first multi-cylindrical lens is incident on a second multi-cylindrical lens;
The laser beam that has passed through the second multi-cylindrical lens is incident on a converging lens;
Irradiate the irradiated object with laser light that has passed through the converging lens,
In the first multi-cylindrical lens and the second multi-cylindrical lens, convex cylindrical lenses and concave cylindrical lenses are alternately arranged, respectively.
The boundary between the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens is smoothly continuous,
The first multi-cylindrical lens and the second multi-cylindrical lens are orthogonal to each other;
The convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens both have the same curvature,
A laser irradiation method, wherein a width of the convex cylindrical lens is equal to a width of the concave cylindrical lens.
前記第1のマルチシリンドリカルレンズは、前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を、第1の方向に収束または発散し、
前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、前記第1のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、前記第1の方向と直角の方向に収束または発散することを特徴とするレーザー照射方法。 In claim 1,
The first multi-cylindrical lens converges or diverges laser light oscillated from the laser oscillator in a first direction,
The laser irradiation method, wherein the second multi-cylindrical lens converges or diverges the laser light that has passed through the first multi-cylindrical lens in a direction perpendicular to the first direction.
前記発振されたレーザー光を、ビームエキスパンダーに入射させ、
前記ビームエキスパンダーを通過したレーザー光を、第1のマルチシリンドリカルレンズに入射させ、
前記第1のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、第2のマルチシリンドリカルレンズに入射させ、
前記第2のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、収束レンズに入射させ、
前記収束レンズを通過したレーザー光を、被照射物に照射し、
前記第1のマルチシリンドリカルレンズと前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、それぞれ凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズとが交互に配置され、
前記凸シリンドリカルレンズと前記凹シリンドリカルレンズとの境界は、滑らかに連続し、
前記第1のマルチシリンドリカルレンズと前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、互いに直交し、
前記凸シリンドリカルレンズおよび前記凹シリンドリカルレンズは、いずれも曲率が等しく、
前記凸シリンドリカルレンズの幅と前記凹シリンドリカルレンズの幅が等しいことを特徴とするレーザー照射方法。 Laser light is emitted from the laser oscillator,
The oscillated laser light is incident on a beam expander,
The laser beam that has passed through the beam expander is incident on the first multi-cylindrical lens,
The laser beam that has passed through the first multi-cylindrical lens is incident on a second multi-cylindrical lens;
The laser beam that has passed through the second multi-cylindrical lens is incident on a converging lens;
Irradiate the irradiated object with laser light that has passed through the converging lens,
In the first multi-cylindrical lens and the second multi-cylindrical lens, convex cylindrical lenses and concave cylindrical lenses are alternately arranged, respectively.
The boundary between the convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens is smoothly continuous,
The first multi-cylindrical lens and the second multi-cylindrical lens are orthogonal to each other;
The convex cylindrical lens and the concave cylindrical lens both have the same curvature,
A laser irradiation method, wherein a width of the convex cylindrical lens is equal to a width of the concave cylindrical lens.
前記第1のマルチシリンドリカルレンズは、前記ビームエキスパンダーを通過したレーザー光を、第1の方向に収束または発散し、
前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、前記第1のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、前記第1の方向と直角の方向に収束または発散することを特徴とするレーザー照射方法。 In claim 3,
The first multi-cylindrical lens converges or diverges the laser light that has passed through the beam expander in a first direction,
The laser irradiation method, wherein the second multi-cylindrical lens converges or diverges the laser light that has passed through the first multi-cylindrical lens in a direction perpendicular to the first direction.
前記第1のマルチシリンドリカルレンズ及び前記第2のマルチシリンドリカルレンズは、石英製のマルチシリンドリカルレンズであることを特徴とするレーザー照射方法。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The laser irradiation method, wherein the first multi-cylindrical lens and the second multi-cylindrical lens are quartz multi-cylindrical lenses.
前記被照射物に照射されるレーザー光は、線状または方形状のビーム形状を有することを特徴とするレーザー照射方法。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
2. The laser irradiation method according to claim 1, wherein the irradiated laser beam has a linear or rectangular beam shape.
前記レーザー発振器は、エキシマレーザー発振器であることを特徴とするレーザー照射方法。 In any one of Claims 1 thru | or 6,
The laser irradiation method, wherein the laser oscillator is an excimer laser oscillator.
前記第1のマルチシリンドリカルレンズ及び第2のマルチシリンドリカルレンズは、前記凸シリンドリカルレンズのみから構成されるマルチシリンドリカルレンズよりも透過する光の損失を低減することを特徴とするレーザー照射方法。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
The laser irradiation method, wherein the first multi-cylindrical lens and the second multi-cylindrical lens reduce a loss of transmitted light more than a multi-cylindrical lens composed of only the convex cylindrical lens.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091649A JP5292436B2 (en) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091649A JP5292436B2 (en) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006272424A Division JP4799353B2 (en) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | Laser irradiation device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187968A true JP2011187968A (en) | 2011-09-22 |
JP5292436B2 JP5292436B2 (en) | 2013-09-18 |
Family
ID=44793797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011091649A Expired - Lifetime JP5292436B2 (en) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5292436B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013213896A (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Sony Corp | Illumination device and display apparatus |
CN111344627A (en) * | 2017-12-05 | 2020-06-26 | 松下知识产权经营株式会社 | Light beam conversion optical system and light source device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022144007A (en) | 2021-03-18 | 2022-10-03 | 株式会社ニッキ | regulator |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156218A (en) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Nec Corp | Two-dimensional exit lens |
JPS6280617A (en) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Komatsu Ltd | Integrator |
JPH02317A (en) * | 1987-12-23 | 1990-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Thin film working method |
JPH0627455A (en) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Toray Ind Inc | Microlens array and liquid crystal display using the same |
JPH0743501A (en) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Toray Ind Inc | Microlens array sheet and liquid crystal display formed by using the same |
JPH0741814U (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | 株式会社小糸製作所 | Lens for variable light distribution lighting device |
JPH07307304A (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser processing method for semiconductor device |
JPH088168A (en) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | Scanning exposure system, and manufacture of device |
JPH08213341A (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser annealing and irradiation with laser beam |
JPH08304732A (en) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Kowa Co | Slit light irradiation optical system |
-
2011
- 2011-04-18 JP JP2011091649A patent/JP5292436B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156218A (en) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Nec Corp | Two-dimensional exit lens |
JPS6280617A (en) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Komatsu Ltd | Integrator |
JPH02317A (en) * | 1987-12-23 | 1990-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Thin film working method |
JPH0627455A (en) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Toray Ind Inc | Microlens array and liquid crystal display using the same |
JPH0743501A (en) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Toray Ind Inc | Microlens array sheet and liquid crystal display formed by using the same |
JPH0741814U (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | 株式会社小糸製作所 | Lens for variable light distribution lighting device |
JPH07307304A (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser processing method for semiconductor device |
JPH088168A (en) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | Scanning exposure system, and manufacture of device |
JPH08213341A (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser annealing and irradiation with laser beam |
JPH08304732A (en) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Kowa Co | Slit light irradiation optical system |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013213896A (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Sony Corp | Illumination device and display apparatus |
US9347626B2 (en) | 2012-04-02 | 2016-05-24 | Sony Corporation | Illumination device including uniformization optical member including a plurality of unit cells and display unit including the illumination device |
CN111344627A (en) * | 2017-12-05 | 2020-06-26 | 松下知识产权经营株式会社 | Light beam conversion optical system and light source device |
JPWO2019111705A1 (en) * | 2017-12-05 | 2020-12-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Beam conversion optics and light source device |
CN111344627B (en) * | 2017-12-05 | 2022-02-18 | 松下知识产权经营株式会社 | Light beam conversion optical system and light source device |
US11366331B2 (en) | 2017-12-05 | 2022-06-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Beam converting optical system and light source device |
JP7117611B2 (en) | 2017-12-05 | 2022-08-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Beam conversion optical system and light source device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5292436B2 (en) | 2013-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10253916A (en) | Laser optical device | |
CN104882371B (en) | Laser anneal method and device | |
US5959779A (en) | Laser irradiation apparatus | |
US6157492A (en) | Apparatus and method for laser radiation | |
KR101268107B1 (en) | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device | |
JP4865382B2 (en) | Beam homogenizer and laser irradiation device | |
TW200414339A (en) | Beam homogenizer and laser irradiation apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JPH10270379A (en) | Method and device for laser irradiation | |
JP5292436B2 (en) | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus | |
JP5178046B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
TW201540408A (en) | Laser annealing dodging apparatus | |
US20160327801A1 (en) | Customized pupil stop shape for control of edge profile in laser annealing systems | |
JP4799353B2 (en) | Laser irradiation device | |
JP2007073978A (en) | Laser irradiation method | |
JP2003279884A (en) | Optical device provided with multi cylindrical lens | |
JP2003262823A (en) | Laser optical device | |
JP2009160613A (en) | Method and apparatus for irradiating laser beam | |
JP2000202673A (en) | Laser irradiation device | |
JP2008091811A (en) | Laser annealing method and laser annealer | |
WO2020184153A1 (en) | Laser annealing device | |
JP2008053317A (en) | Irradiation optical system | |
JP2004134785A (en) | Beam homogenizer, laser irradiator and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2003289052A (en) | Crystallizing method of semiconductor and laser irradiation device used for the same | |
JP2000052079A (en) | Laser light radiation method and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2008016712A (en) | Laser optical system and laser annealing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |