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JP2011143533A - 研磨パッドおよび半導体ウエハの研磨方法 - Google Patents

研磨パッドおよび半導体ウエハの研磨方法 Download PDF

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JP2011143533A JP2010269958A JP2010269958A JP2011143533A JP 2011143533 A JP2011143533 A JP 2011143533A JP 2010269958 A JP2010269958 A JP 2010269958A JP 2010269958 A JP2010269958 A JP 2010269958A JP 2011143533 A JP2011143533 A JP 2011143533A
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Yoshihiro Naruse
恵寛 成瀬
Kosaku Takeuchi
康作 竹内
Tomoyuki Horiguchi
智之 堀口
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Abstract

【課題】本発明は、長時間研磨しても織物からなる研磨層と支持体が剥がれることなく、従来の研磨パッドに比べて研磨対象物へのスクラッチが起こりにくく、高平坦・高平滑に研磨することが可能な研磨パッドを提供する。
【解決手段】本発明の研磨パッドは、目開きが10〜100μmの織物または開放型格子構造からなる研磨層と支持体とからなり、研磨層と支持体とが化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層を介して接着積層されてなる研磨パッドである。
【選択図】 図1

Description

本発明は、織物または開放型格子構造を研磨層とする研磨パッドおよびその研磨パッドを用いた半導体ウエハの研磨方法に関するものである。
従来、シリコンウエハなどの半導体ウエハを始めとする各種基板の研磨は、研磨パッドを回転可能な下定盤に貼り付け、研磨対象物である各種基板を上定盤側に保持して、研磨スラリーを供給しながら、研磨対象物と研磨パッドを加圧した状態で、互いに相対的に摺動させることにより行われてきた。ここで、研磨パッドとしては、従来からポリエステル繊維から成る不織布にポリウレタン(PU)を含浸したPU含浸不織布パッドや、発泡PU樹脂を板状に仕上げた硬質発泡PUパッドが用いられてきた。
このような従来の研磨パッドは、研磨層とクッション層を積層する目的のため、あるいは定盤と貼り付ける目的のため、両面テープが用いられている。基板の研磨時には、研磨スラリーを研磨パッドに供給しながら研磨するが、この研磨スラリーは水系のもので、通常そこにアルカリや酸などが添加されている。両面テープに使用されている粘着剤は一般的にアクリル酸エステルやアクリル酸を主成分とするアクリル系粘着剤であるため、水やアルカリに対する耐性が良いものとは言い難く、長時間研磨により粘着力が弱まり、研磨層が剥がれてくる場合があった。
この課題を解決するために、例えば、硬質発泡PUからなる研磨層を不織布またはプラスチックフィルムからなるクッション層と、反応性ホットメルト接着剤を介して熱融着する方法が提案されている(特許文献1参照。)。しかしながら、特許文献1のホットメルト接着剤では接着剤を溶融させながら研磨層に対して接着剤を塗布するために、塗布厚みを均一にするには限界があった。また、最近では、従来のPU含浸不織布パッドや硬質発泡PUパッドにおいて、粘着剤層に研磨スラリーが浸透しないように、止水層として両面テープの上に熱接着フィルムを使用したものが提案されている(特許文献2参照。)。しかしながら、特許文献2においては、研磨層の剥離は抑制できるものの、従来の研磨層を使用しているため、研磨性能の更なる改善が求められていた。
ところで、従来のPU含浸不織布や硬質発泡PUパッドとは構造の異なるものとして、織物からなる研磨層と硬質の支持体を積層した研磨パッドが提案されている(特許文献3参照。)。この特許文献3には、2層積層パッドによりウエハエッジ部への研磨パッドからの応力集中を抑制し、研磨対象物の縁ダレを抑制する技術的思想が記載されている。
しかしながら、この特許文献3においても研磨層と支持体を積層するために両面テープが使用されており、特に織物を研磨層とする研磨パッドでは、従来の研磨パッドに比べて研磨層が織物であるために研磨スラリーが浸み込みやすく、長時間研磨していると研磨層側から粘着剤層に研磨スラリーが浸透して粘着力が弱まり、研磨層とクッション層が剥がれてくる場合があり、接着に対する更なる改善が望まれていた。さらに、研磨層となる織物の目開きが大きい場合には、両面テープの粘着剤が研磨スラリーにより溶出あるいは膨潤し、織物の表面に粘着剤が染み出してきて、そこに研磨屑や凝集砥粒などが固定されると研磨対象物にスクラッチが入る場合があり、更なる改善が望まれていた。また、織物はフィルムや樹脂シートなどに比べて腰がなく、剛直性に乏しいため、ロールコーターなどを用いて接着剤を織物に対して均一に塗布することは難しいという課題があった。
他方、研磨層が従来のものとは異なる新規な研磨パッドとして、研磨フィラメントを積層した開放型格子構造からなる研磨パッドが提案されている(特許文献4参照)。このような構造を研磨層にすることで、研磨屑を除去するのに効果的なスラリー流れを形成させて研磨スラリーの供給や研磨屑の排出を促進することができるため、スクラッチなどの欠陥がない基板を作製することが可能になる。また、研磨対象物との実接触面積が増大することで研磨レートが向上する旨が記載されており、従来のPU含浸不織布や硬質発泡PUパッドに比べて優れた研磨特性を有する研磨パッドの検討がなされている。
特開平8−174405号公報 特開2009−95944号公報 特開2008−207319号公報 特開2009−56586号公報
しかしながら、この特許文献4においても研磨層と支持体とを積層するために両面テープが使用されているため、研磨スラリーが浸み込みやすく、長時間研磨していると研磨スラリーが浸透して粘着力が弱まり、研磨層と支持体が剥がれてくる場合があり、接着に対する更なる改善が望まれていた。
このように、織物または開放型格子構造を研磨層とする研磨パッドでは、研磨層と支持体との接着方法についてはいまだ十分検討されたとは言えず、改善すべき余地が十分残されていた。
本発明の目的は、長時間研磨しても研磨層と支持体が剥がれることなく、従来の研磨パッドに比べて研磨対象物へのスクラッチが起こりにくい新規な研磨パッドを提供することにある。
本発明の上記目的は、目開き10〜100μmの織物または開放型格子構造からなる研磨層が、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層を介して支持体と接着積層されてなる研磨パッドにより達成される。
本発明の研磨パッドの好ましい態様によれば、前記の接着剤は、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂およびポリウレタン系樹脂からなる群から選ばれた樹脂である。
本発明の研磨パッドの好ましい態様によれば、前記の接着層の厚みは前記の研磨層の厚みの90%以下である。
本発明の研磨パッドの好ましい態様によれば、前記の織物の織密度は130本/インチ以上である。
本発明の研磨パッドの好ましい態様によれば、前記の織物はマルチフィラメント撚糸織物であり、マルチフィラメント撚糸の撚数は1500〜4000T/mである。
本発明の研磨パッドの好ましい態様によれば、前記の研磨パッドは半導体ウエハの鏡面加工用である。
また、本発明では前記研磨パッドを定盤に固定し、固定された研磨パッドを定盤と共に回転させ、その上に研磨砥粒の研磨スラリーを常時供給しながら、半導体ウエハを研磨パッドに押し付けて研磨を行う半導体ウエハの研磨方法である。
本発明によれば、研磨層の剥がれがなく、研磨対象物へのスクラッチを抑制することができる、研磨耐久性に優れた研磨パッドを提供することができる。
図1は、本発明の研磨パッドの構成を例示する概略側面図である。 図2は、本発明で研磨層に用いられる織物の目開き部分を示す図面代用写真である。 本発明の研磨層が開放型格子構造からなる研磨パッドの一例を示す正面図である。 本発明の研磨層が開放型格子構造からなる研磨パッドの一例を示す斜視図である。 本発明の研磨層が開放型格子構造からなる研磨パッドの一例を示す斜視図である。
以下、さらに詳しく本発明の研磨パッドについて説明する。
まず、本発明の研磨パッドは、目開き10〜100μmの織物または開放型格子構造からなる研磨層が、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層を介して支持体と接着積層されてなることを特徴とするものである。
図1は、本発明の研磨パッドの構成を例示する概略側面図である。本発明の研磨パッドは、図1に示したように、研磨層1と支持体3とが、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層2を介して接着積層されている。また、研磨定盤に本発明の研磨パッドを固定するため、必要に応じて、支持体3の下部に両面テープなどの粘着層4を設けることもできる。
ここで支持体3とは、次のように定義される。すなわち、支持体3とは、研磨層である織物または開放型格子構造と化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層2および研磨定盤との粘着層4に挟まれ、研磨層の横方向の変形を防止するために設けられる層のことを言う。支持体3は、単層でも良いし、異なる物性の2層および3層などの多層構造でも良いが、多層間での平坦性のばらつきや接着による支持体の平坦性悪化や製造の効率化を考慮すると、支持体3は単層であることが好ましい。
次に、本発明の研磨層について説明する。
本発明で研磨層として用いられる織物は、経糸および緯糸から形成され、その構造や組織によって10〜100μmサイズの目開きを有するものである。また、本発明で研磨層として用いられる開放型格子構造は、研磨フィラメントが複数本配列して研磨フィラメント層を形成し、その研磨フィラメント層が連続的に積層された層状の格子構造を有するものである。そのため、研磨層と支持体の接着に両面テープを用いた場合には、研磨時のスラリーが研磨層から粘着剤層に浸透し、粘着剤が研磨スラリーのアルカリ性により変質して、長時間研磨により研磨層が剥がれてくる場合があった。
また、両面テープの粘着剤が研磨スラリーにより溶出あるいは膨潤し、研磨層の表面に粘着剤が染み出してきて、そこに研磨屑や凝集砥粒などが固定され、研磨対象物にスクラッチが起こりやすくなるという課題があった。さらに、研磨時の研磨対象物による研磨パッドへの横方向のせん断力に対して、粘着剤はゲル状であるために流動しやすく、研磨層との接着面が浮き上がるなど、長時間の研磨によって研磨パッド自身の平坦性が損なわれて、研磨後の研磨対象物の平坦性・平滑性が悪化するという課題もあった。
そこで、本発明では接着層に化学反応型の接着剤を用いることにより、上記課題を解決するものである。これにより、研磨スラリーが硬化後の接着剤に接触しても粘着剤のように溶出や膨潤が起こらないため、研磨層が剥がれることを抑制できるばかりでなく、硬化後の接着剤には両面テープのような粘着性はないため、研磨屑や凝集砥粒が固定されることがなく、研磨対象物へのスクラッチを抑制することができる。さらに、硬化後の接着剤では粘着剤のように研磨パッドへの横方向のせん断力に対して流動による変形がないために、研磨層との接着面が浮き上がることがなく、長時間の研磨によっても研磨パッド自身の平坦性が維持できるために、研磨後の研磨対象物の平坦性・平滑性を長時間にわたって良好とすることができる。
本発明で用いられる織物としては、平織、綾織(ツイル)および朱子織(サテン)などの織組織のものが代表例として挙げられ、織組織を変えることによって、目的とする特性に合った研磨層を自由に設計することが可能となる。
例えば、平織とした場合、経緯の糸の拘束点が他の組織に比べて多くなるために、研磨層の耐久性が向上する。また、サテンとした場合には、組織点が平織やツイルのように規則的に連続せず、経糸または緯糸のみが表面に多く表れるため、織物としては表面がなめらかであり、すなわち研磨層の表面平滑性が向上する。さらに、ツイルとした場合には、平織とサテンの中間のような織組織となるため、耐久性と表面平滑性のバランスが取れた研磨層とすることができる。
本発明では、目開きの大きい織物または開放型格子構造を支持体に接着積層する際に、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層を用いて接着積層することが有用であり効果的である。これにより、前述の両面テープなどの粘着層を用いた場合の研磨層の剥離や、粘着剤の染み出しによる研磨対象物へのスクラッチを効率的に抑制することができる。
本発明では織物の目開きが大きいことが好ましいのであるが、本発明で言う目開きとは、経糸および緯糸に囲まれた細孔を意味するものであり、この細孔は織物の厚み方向に貫通しているものである(図2)。図2は、本発明で研磨層に用いられる織物の目開き部分5を示す図面代用写真であり、目開き部分5が○印の位置で示されている。目開きによる細孔は、研磨スラリーのポケットであり、その流れを制御したり、研磨クズなどを一時貯蔵したり排出する役割を果たす。
本発明で用いられる織物の目開きは、10〜100μmであることが重要である。研磨パッド表面設計として、織物を用いて10〜100μmオーダーの研磨スラリーを保持するためのポケット構造を、2次元的に規則的・周期的に研磨層に配列することにより、巨視的にも微視的にも均一な研磨スラリー流れを形成させることができる。このような均一な研磨スラリー流れを形成させることにより、研磨物の凸部に優先的に砥粒が衝突・作用し、研磨物の平滑化および平坦化速度を向上することができる。
目開きサイズは90μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは60μm以下である。一方、研磨スラリー流れを均一化させる観点からは、目開きサイズは15μm以上であることが好ましい。
目開きおよびそのサイズは、研磨パッドの織物表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した像から特定することができる。観察倍率については、目開きサイズや繊維直径の大きさから50〜300倍の中で適当なものを選ぶものとする。また、場合によりSEM観察が困難な場合はレーザー顕微鏡を用いても良い。これでも難しい場合は、ピント合わせが難しいが通常の光学顕微鏡を用いても良い。また、目開きサイズは同一織物内で異なる20カ所を測定した平均値を用いるものとする。
また、本発明において、目開きの大きさを均一に制御するために、織物の織密度は130本/インチ以上であることが好ましい。ここで言う織密度とは、織物の経糸または緯糸の1インチ当たりの本数のことである。本発明では、経糸または緯糸のいずれかもしくはその両方の織密度が130本/インチ以上あれば良いのであるが、本発明の技術的思想によれば、経糸も緯糸も130本/インチ以上であることが好ましい。織密度を130本/インチ以上にすることにより、織物の目開きサイズをより小さく設計することができるため、単位面積当たりに存在する研磨スラリーを保持するポケットの数をより多くすることができ、その結果、研磨後の研磨対象物表面の平滑性や平坦性を向上させることができる。織密度は、より好ましくは150本/インチ以上であり、さらに好ましくは200本/インチ以上であり、特に好ましくは250本/インチ以上である。
織密度は高ければ高いほど好ましいが、織物の経糸あるいは緯糸に過剰な張力がかかったり、織物を織る際に経糸と緯糸が擦れて毛羽になるため、織密度の上限値は600本/インチ程度であり、通常は500本/インチ以下である。
ここで、織密度の測定は、JIS L1096(2005)に記載されている単位長さあたりの糸本数の測定に準じて行う。具体的には、デンシメーターを用い、デンシメーターを織物上に置いたときに現れる干渉バンドの数を測定して求めることができる。また、デンシメーターでは、織密度を測定しにくい織物の場合には、織物から糸を引き出してして測定する分解法、織物分解鏡を用いる方法および移動式糸数計測器(実体顕微鏡)を用いる方法で織密度を測定しても良い。
また、本発明で用いられる織物の経糸あるいは緯糸を構成する繊維は、モノフィラメントおよびマルチフィラメントのいずれでも良いが、マルチフィラメントが撚糸されたものであることが好ましい。繊維がマルチフィラメントからなり、さらにその繊維を強く撚って集束させることにより繊維の開繊を抑制し、研磨スラリーを保持するためのポケット(目開き)のサイズを均一に制御することが可能となる。
さらに、マルチフィラメント中の各単繊維1本1本は細いため、研磨時の摩擦により単繊維が摩耗や切断を起こす場合があるが、撚糸することにより耐久性を向上させることができる。ここで言う撚糸(強撚)とは、糸長1m辺り1000回以上撚られたもの(撚数1000T/M以上)のことを指し、マルチフィラメント中の各単繊維の収束性や耐久性を向上させるために、撚数は1500T/M以上であることが好ましく、より好ましくは2000T/M以上であり、さらに好ましくは3000T/M以上である。撚数の上限値については、マルチフィラメントを撚りすぎるとその応力により単繊維切れや撚り戻りによる収束後の繊維のねじれが起こるため、その上限値は5000T/M程度である。マルチフィラメント撚糸の好ましい撚数は、1500〜4000T/Mである。
撚数については、例えば、織物の表層を光学顕微鏡やSEMなどで観察し、織物を構成する繊維の撚線の数を計測して求めることができる。
ここで、撚数が同じ繊維であっても繊維(織糸の総繊維直径)の大きさによって繊維のねじれ角の程度が変わるため、撚りの状態を比較するために、撚りの程度を次の撚係数で定義するのが一般的である。
・撚係数K=T×D
T:糸長1m当たりの撚数
D:繊維(マルチフィラメントからなる織糸)の総直径。
繊維の収束性や耐久性を向上させるために、上記の撚係数Kは20000以上であることが好ましく、より好ましくは50000以上であり、さらに好ましくは100000以上である。撚係数Kの上限は、200000以下であることが好ましい。
本発明では、織物を構成する織糸の総繊維直径が10〜100μmであることが好ましい。織糸の総繊維直径を上記範囲内にすることにより、織物の厚みを小さく設計することができるため、研磨層となる織物の厚み方向への変形が抑制され、研磨パッドに保持された研磨スラリーの流れを均一にすることができる。さらに、織糸の総繊維直径を上記範囲内にすることにより、織糸に撚りを入れやすくなり、繊維の収束性が向上する。織糸の総繊維直径は、より好ましくは70μm以下であり、さらに好ましくは50μm以下である。
本発明で研磨層として用いられる開放型格子構造は、研磨フィラメントが複数本配列して研磨フィラメント層を形成し、その研磨フィラメント層が連続的に積層された層状の格子構造を有するものである。図3〜図5に本発明の研磨層が開放型格子構造からなる研磨パッドの一例を示す。また、研磨フィラメントとは繊維状物のことであり、それらが3次元的に構成されることで開放型格子構造を形成する。さらに、各研磨フィラメント層内の研磨フィラメントは少なくとも2本以上から構成されており、同一層内の研磨フィラメント同士は互いに平行に配置されている。
研磨層が開放型格子構造であることによって、研磨層の内部に多数の連通した空隙が形成され、これにより研磨スラリーの供給や研磨屑の排出を促進することができる。
各研磨フィラメント層間のフィラメントの角度に制限はなく、例えば、各研磨フィラメント層間を90°で積層すると、研磨層内の空隙の体積が増大して研磨屑の排出をより促進させることができるため好ましい。また、90°未満であると、研磨フィラメント同士の交点における接触面積が増大して接着性が向上するため好ましい。
研磨フィラメントが細いと研磨層の体積あたりの表面積が増加して熱放散を促進するため好ましく、研磨フィラメントの断面積が100mm以下であることが好ましく、4mm以下であることがさらに好ましい。フィラメントが細すぎると研磨層全体の剛性が低下するため、断面積は0.01mm以上であることが好ましい。研磨フィラメントの断面積は任意の研磨フィラメントの断面積を10ヶ所測定し、その平均値により求める。
研磨フィラメント層内におけるピッチ(研磨フィラメントの中心間距離)が大きいと研磨屑の排出が促進される。そのため、1.0mm以上であることが好ましく、2.0mm以上であることがより好ましい。また、ピッチが小さいと研磨層全体の剛性が増加して研磨対象物の平坦性が向上する。そのため、5.0mm以下であることが好ましく、4.0mm以下であることがより好ましい。
各研磨フィラメント層内あるいは層間でピッチが一定である必要はないが、一定の値で規則的に配置されているほうが研磨スラリーの供給や研磨屑の排出を研磨面全体で均一に制御できるため好ましい。
本発明の開放型格子構造を研磨層とする研磨パッドは、研磨フィラメントの幅やピッチ、そして研磨フィラメントの本数を変更することで、研磨層が研磨対象物と接触する面積の割合(接触面積率)を容易に制御できる。ここで、正方形断面の研磨フィラメントの幅をw、ピッチをpとすると、研磨層が研磨対象物に接触する面積の割合、つまり接触面積率は(w/p)で表される。対象となる研磨対象物の種類にもよるが、接触面積率は0.2〜0.8であることが好ましい。接触面積率が大きい場合は研磨フィラメントが研磨スラリーを保持しやすくなり、研磨レートを向上させることができるため、0.3以上であることが好ましい。また、接触面積率が小さい場合は研磨スラリーの供給や研磨屑の排出が促進されないため、0.7以下であることが好ましい。
上記の範囲内で研磨フィラメントの太さやピッチ、接触面積率を変更することで研磨パッド全体のせん断や曲げ、圧縮などの特性を制御することができる。本発明の開放型格子構造を研磨層とする研磨パッドは、パッド全体では剛性があって変形しにくく、局所的には研磨フィラメントが変形しやすい構造となる。そのため、研磨対象物の平坦性が向上し、スクラッチを抑制する優れた研磨パッドとなる。
本発明で用いられる単繊維または研磨フィラメントは、その数平均直径が1〜25μmであることが好ましい。研磨対象物の表面平滑性を向上させるには、研磨パッドの単繊維の数平均直径も細い方が良く、好ましくは20μm以下であり、より好ましくは17μm以下であり、さらに好ましくは13μm以下である。また、繊維径が小さすぎると、研磨層中の単繊維自身の強力が小さくなるため、研磨パッド表面の耐久性が問題となる場合がある。また、より細い単繊維は製造時の歩留まり低下が起こるためにコストアップし易いという問題もある。このため、単繊維直径の下限としては5μm以上とすることが好ましく、より好ましくは10μmである。
また、単繊維または研磨フィラメントの断面形状としては、丸断面だけでなく、三葉、十字型、六葉および八葉などの多葉断面、三角や四角、楕円や星型および扁平などの異型断面などを採用することができる。
さらに、本発明で用いられる織物または開放型格子構造を構成する繊維または研磨フィラメントの材質としては、有機ポリマーなど目的に応じて適宜選定すればよい。
例えば、有機ポリマーとしては、ポリビニルアルコール(PVA)やポリアクリロニトリル(PAN)などの湿式紡糸可能な有機ポリマーも挙げられるが、湿式紡糸は低吐出量の紡糸設備がまれであるため、低吐出量でモノフィラメントおよびマルチフィラメントを製造しやすいといった観点からは、溶融紡糸可能な熱可塑性ポリマーであることが好ましい。
ここで言う熱可塑性ポリマーとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリトリメチレンテレフタレート(PTT)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)およびポリ乳酸(PLA)などのポリエステル類、ナイロン6(N6)、ナイロン66(N66)、ナイロン11(N11)、ナイロン12(N12)、ナイロン610(N610)、ナイロン46(N46)およびナイロン56(N56)などのポリアミド類、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)およびポリメチルペンテン(PMP)などのポリオレフィン類、さらにはポリエーテルエステルや熱可塑性PUなどのエラストマー類、液晶ポリエステルおよびポリフェニレンスルフィド(PPS)等が挙げられる。
上記ポリマーの中でも、性能と汎用性のバランスを考慮すると、PET、N6、N66、N12およびPPが特に好ましいポリマーである。
本発明で用いられる支持体の種類は、平坦なシート状のもので良く、フィルム、不織布、ガラス板、金属板、セラミックス板および発泡フォームなどを用いることができる。ガラス板や金属板は、高硬度であることや表面平坦性を制御しやすいという利点があるが、織物または開放型格子構造との接着や研磨時のスラリーに対する耐薬品性において問題のない材質のものを選択することが課題である。
この点、ゴムシートは、適度な硬度や耐薬品性を得やすく、また比較的ゴムシート表面の平坦性も制御しやすいため好ましく用いられる。また、定盤からの振動を吸収して研磨精度を向上させるという観点からも、ゴムシートであることが好ましい。ゴムシートの材質としては、天然ゴム(NR)、クロロプレンゴム(CR)、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)、エチレンプロピレンゴム(EPT)、イソブチレンイソプレンゴム(IIR)、クロロスルホン化ポリエチレンゴム(CSM)、スチレンブタジエンゴム(SBR)、ブタジエンゴム(BR)、シリコーンゴム(SR)、フッ素ゴム(FR)およびウレタンゴム(UR)などが挙げられるが、機械的強度、反発弾性および耐薬品性などを考慮するとウレタンゴム(UR)が好ましく用いられる。
また、現状、汎用性やゴムシートの平坦性から、ゴムシートの材質としては、ウレタンゴム(UR)とアクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)が好ましく用いられる。
支持体の厚みは、厚くすると研磨定盤のブレや振動の影響を吸収しやすくなり、薄くすると研磨パッドのコスト低減に役立つ。この観点から、支持体の厚みは0.5〜30mmであることが好ましく、より好ましくは0.8〜10mmであり、さらに好ましくは0.8〜5mmである。
次に、接着剤による研磨層と支持体の接着について説明する。
本発明において、研磨層と支持体とを、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層を介して接着積層することが重要であるが、化学反応型の接着剤としては、その目的と用途に応じて適宜選択することができる。ここで化学反応型とは、熱、光および湿気などにより、重合や架橋により硬化するもののことを指す。具体的には、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、αオレフィン−無水マレイン酸系樹脂、水性高分子−イソシアネート系樹脂、反応形アクリル系樹脂、変性アクリル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、シリコーン系樹脂、およびシリル化ウレタン系樹脂などの化学反応型の接着剤が挙げられる。
例えば、シリコンウエハを研磨する際の研磨スラリーは、シリコンとのケミカルな作用を狙い、通常、弱アルカリ性(pH=10〜11)に調整されているが、このような弱アルカリに対する接着層の耐久性を出すためには、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂およびポリウレタン系樹脂の接着剤を用いることが好ましい。
本発明において、化学反応型の接着剤としては、溶剤型でも無溶剤型でも良いが、環境を考慮すると無溶剤型の方が好ましい。また、化学反応型の接着剤には1液型のものと、主剤と硬化剤に分かれた2液型のものがあるが、硬化後の接着力や研磨時のせん断力による耐久性の観点から、2液型のものが好ましい。化学反応型の接着剤の市販品としては、コニシ(株)製のKU10(ポリウレタン系樹脂)、E200(エポキシ系樹脂)、セメダイン(株)製のEP001(エポキシ系樹脂)、ディーエイチマテリアル(株)製のXC−503(ウレタンアクリレート系樹脂)、スリーボンド(株)製の2087(エポキシ系樹脂)、日本合成化学(株)製のポリエスターTP−220(ポリエステル系樹脂)、東洋インキ(株)製のダイナレオVA9020(ポリエステル系樹脂)などが挙げられる。
接着層の厚みは、研磨層の厚みに応じて適宜選択することが可能であるが、接着層の厚みが研磨層の厚みと同等、あるいはそれよりも大きい厚みになると、接着剤が織物の目開き部分や開放型格子構造の空隙部分を埋めてしまうため、研磨スラリーのポケットとしての機能が低下し、研磨パッド本来の性能を損なう場合がある。そこで、少なくとも研磨層の厚みよりも接着層の厚みが小さい方が好ましく、接着層の厚みが、研磨層の厚みの90%以下であることが好ましい態様である。接着層の厚みはより好ましくは70%以下であり、さらに好ましくは50%以下である。接着層の厚みの下限としては、薄すぎると織物または開放型格子構造との接着力が不十分になるため、研磨層の厚みの25%以上であることが好ましい。
また、通常の研磨層の厚みは300μm以下であるため、接着層の厚みは200μm以下であることが好ましく、より好ましくは100μm以下であり、さらに好ましくは50μm以下である。接着層の厚みの下限としては、薄すぎると研磨層の接着力が不十分になるため、5μm以上であることが好ましい。特に、本発明で研磨層として好ましく用いられるマルチフィラメント撚糸織物は、その厚さが100μm以下であるため、この場合、接着層の厚みは80μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは50μm以下である。
次に、本発明の研磨パッドの製造方法について述べる。
本発明の研磨層を構成する織糸または研磨フィラメントは、公知の紡糸方法により製造することができ、その単繊維直径や断面形状を制御するには溶融紡糸法を採用することができる。
また、研磨層が強撚糸織物の場合、織糸であるマルチフィラメントを撚糸するには公知の撚糸方法を用いることができ、強撚糸についてはイタリー式撚糸機やダブルツイスターにより製造することができる。
さらに、本発明の織物を作製するには、公知の織機を採用することができるが、高密度の織物については、グリッパー織機やレピア織機、ウォータージェット織機により製造することができる。
本発明の開放型格子構造は、研磨層サイズの樹脂の内部を切削加工することにより作製することができる。切削の方法としては、精密切削加工機を用いる方法やレーザーや流体を噴射して加工する方法など、公知の精密加工技術を採用することができる。また、予め公知の溶融紡糸などの紡糸技術により研磨フィラメントを得た後、そのフィラメント同士を接着により格子状に積層して組み上げることにより開放型格子構造を製造することができる。
本発明の研磨パッドの構成は、図1に示したように、上から研磨層1、化学反応型の接着剤が硬化した接着層2、支持体3および粘着層4のように積層されている。
図1は、本発明の研磨パッドの構成を例示する概略側面図である。本発明の研磨パッドの構成は、図1に示したように、上から研磨層1、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層2、支持体3および粘着層4の順に積層されている。
織物または開放型格子構造からなる研磨層に化学反応型の接着剤を塗布し、これを支持体に貼り付けて、接着剤を硬化させることにより接着積層する。また、支持体に化学反応型の接着剤を塗布し、この上に研磨層を貼り付けて接着剤を硬化させることにより接着積層することができる。
接着剤を研磨層あるいは支持体に塗布する場合、研磨層あるいは支持体に直接塗布しても良いし、予め紙やフィルム製の離型シートに接着剤を塗布しておき、それを研磨層あるいは支持体に転写しても良い。接着剤の塗布方法としては、刷毛やブラシ、ヘラ、ハンドコーターおよびバーコーターによる手作業でも良いが、塗布厚みの均一性や精度を向上させるには、スリットコーター、ダイコーター、リップコーター、コンマコーター、グラビアコーターおよびナイフコーターなどによる機械作業による塗布が好ましい。
接着剤を硬化させる方法としては、接着剤を塗布後に常温で放置しても構わないが、接着剤の種類によってはオーブンや熱ローラーなどにより熱をかけて硬化させたり、インキュベーターなどの温湿度を制御した環境下で硬化させることができる。
研磨層と支持体を積層する方法としては、それぞれを研磨パッドを作製できる大きさのカットシート状で枚葉でバッチ方式で積層を行うことも可能であるが、生産性の観点からも、研磨層と支持体のそれぞれをロール状で同時に投入して、連続式で積層を行うことが好ましい。その際、それぞれのロール状物の張力をコントロールして投入すると、積層状態が均一となる。
本発明の研磨パッドは、シリコンウエハなどの半導体ウエハを始めとする各種基板を研磨する際、両面粘着テープなどを用いて研磨機の回転可能な定盤に貼り付けて固定し、使用する。次に、セラミックス製プレートに、市販のPUスエードをバッキング材としたテンプレートを固定し、テンプレートに研磨対象物である半導体ウエハなどの各種基板を水貼りし、固定する。定盤に固定された研磨パッドは定盤と共に回転し、その上にコロイダルシリカなどの研磨砥粒のスラリーを常時供給しながら、セラミックスプレートにテンプレートで保持された半導体ウエハなどの研磨対象物を研磨パッドに押し付け、研磨パッドと半導体ウエハなどの研磨対象物を摺動させて研磨を行う。
本発明の研磨パッドを用いると、従来の研磨パッドを用いるよりも研磨対象物の平坦性・平滑性を向上することができ、半導体の微細化などに寄与することができる。本発明の研磨パッドは半導体ウエハの鏡面加工用であることが好ましい。
本発明の研磨パッドは、半導体ウエハとしてシリコン(Si)ウエハ、アニールウエハ、エピウエハ、SOIウエハ、埋め込みウエハ、貼り合せウエハおよび再生ウエハなどだけでなく、ガリウムナイトライド(GaN)、ガリウム砒素(GaAs)、シリコンカーバイド(SiC)およびサファイアなどの化合物半導体ウエハにも用いることができる。また、本発明の研磨パッドは、半導体ウエハの研磨方法に好ましく用いられるが、半導体ウエハの研磨用のみに限らず、酸化膜や金属膜などを形成した後のCMPや素子形成後のバックグラインドに用いることも可能である。さらに、本発明の研磨パッドは、アルミディスクやガラスディスクなどのハードディスク用基板の研磨用、さらに液晶ディスプレイ用ガラスや光学ガラスやフォトマスクなどのガラス研磨用途に好適に用いることができる。
以下、本発明の研磨パッドについて、実施例を用いて詳細に説明する。実施例中の特性等の測定方法は、次の方法を用いた。
A.織密度
織密度(経密度と緯密度)の測定は、JIS L1096(2005)に記載されている単位長さあたりの糸本数の測定に準じて行った。すなわち、デンシメーターを用い、デンシメーターを織物上に置いたときに現れる干渉バンドの数を測定し、これを3箇所で行いその平均値を求めた。
B.SEM観察
サンプルに白金を蒸着し、超高分解能電解放射型走査型電子顕微鏡で観察した。SEM装置には、日立製作所(株)製UHR−FE−SEM S−5000を用いた。
C.織物の目開き
研磨パッド表面を、SEM装置により100倍で観察することにより目開きを特定し、目開き面積を異なる20カ所で測定し、その平方根の平均値を目開きサイズとした。
D.織物の厚み
織物の厚み(mm)は、ダイヤルシックネスゲージ((株)尾崎製作所製、商品名“ピーコックH”)により、無作為に10箇所測定してその平均値から求めた。
E.織物の撚数
撚数は、織物の表層をSEMで100倍で観察し、織物を構成する経糸または緯糸の撚線の数を計測した。計測する糸の本数を10本とし、その平均値より撚数を求めた。
F.織糸の総繊維直径
上記のSEM装置を用いて倍率50倍で観察し、その観察画像から、三谷商事(株)製の画像処理ソフト(WINROOF)を用いて、経糸または緯糸の長手方向に対して垂直な方向の最大繊維幅を織糸の総繊維直径として算出した(ただし、織物の経糸と緯糸の交錯点では織糸がつぶされて見かけ上繊維幅が大きく見えるため、交錯点以外の部分を測定するものとする)。この際、同一横断面内で無作為に抽出した20本の織糸の直径を測定し、これを3カ所で行い、合計60本の織糸の直径を測定して、これを単純平均して数平均直径を求めた。
G.単繊維の数平均直径
上記SEM装置で倍率200倍で観察し、その観察画像から、三谷商事(株)製の画像処理ソフト(WINROOF)を用いて、単繊維直径を算出した。この際、同一横断面内で無作為に抽出した20本の単繊維の直径を測定し、これを3カ所で行い、合計60本の単繊維の直径を測定して、これを単純平均して数平均直径を求めた。
H.研磨評価
研磨機は、ラップマスターSFT株式会社製の片面研磨機である“ラップマスターLM−15E”(登録商標)を用いた。研磨パッドは、実施例および比較例で作製した研磨パッドをそれぞれ用い、研磨スラリーにはコロイダルシリカの水分散体である株式会社フジミインコーポレーテッド製“GLANZOX1302”(登録商標)を用いた。半導体ウエハには、4インチのシリコンエッチドウエハを用い、研磨を行なった。このときの研磨条件は、下記のとおりである。
<研磨条件>
・定盤回転数 : 50rpm
・ウエハ回転数: 50rpm
・研磨圧力 : 255gf/cm
・研磨時間 : 30時間(2時間毎にウエハを交換し、交換時に高圧水洗を実施)
・スラリー濃度 : 1%
・スラリー供給量 : 35mL/分。
研磨する際には、セラミックス製プレートに市販のPUスエードをバッキング材としたテンプレートを貼り付けて、それに水貼りで半導体ウエハを保持した。また、研磨終了後、研磨と同条件にて研磨パッド上に研磨スラリーの代わりに純水を流しながら半導体ウエハを5分間水ポリッシングした。研磨は2時間毎に半導体ウエハを交換するが、交換時に30秒間の高圧水洗(圧力7MPa、流量7L/分)によるパッド洗浄を行った。
I.研磨後の半導体ウエハの平坦性・平滑性の評価
Zygo社の白色干渉顕微鏡である“New View 6300”(登録商標)を用い、中間レンズ1倍、対物レンズとして50倍、2.5倍で評価を行った。測定は研磨物の中心、それから端までの中間点4カ所の合計5カ所の測定を行い、Raとしてはその平均値で評価を行った。2.5倍のRaを平坦性の指標とし、50倍のRaを平滑性の指標とした。2.5倍のRaでは10nm以下を平坦性が高いとし、50倍のRaでは5nm以下を平滑性が高いとした。
J.研磨パッドの耐久性評価
上記H.研磨評価の30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で30時間後も研磨層(織物)が剥がれず、半導体ウエハに目視でキズが入らなかったものを○とし、30時間後も研磨層が剥がれないが、30時間までに半導体ウエハに目視でキズが入ってしまったものを△とし、30時間未満で研磨層が剥がれたり、30時間までに半導体ウエハに目視でキズがはいってしまったものを×として評価し、○と△を合格とした。
(実施例1)
研磨層に用いる織物として、17dtex−12フィラメント(三角断面)、撚数1700T/MのPETマルチフィラメントを、経密度158本/インチ、緯密度180本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸平織物(表1)を準備し、支持体として、アスカーA硬度90、厚み1mmのPU樹脂板を準備した。次に、支持体にエポキシ系樹脂の2液硬化型接着剤(コニシ(株)製EP001)をリップコーターで塗布厚みが40μmとなるように塗布し、その上に上記の平織物を重ね押し付けて、そのまま常温で24時間放置して接着剤を硬化させ接着積層した。さらに、支持体の裏側に定盤接着用の両面粘着テープ(厚み110μm、定盤接着用で基材はポリエステルフィルム)を貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを用いて、両面粘着テープの離型紙を剥して研磨機の定盤に貼り付けて固定した。次に、セラミックス製プレートに、市販のPUスエードをバッキング材としたテンプレートを固定し、テンプレートに4インチのシリコンエッチドウエハを水貼りし、固定した。次に、定盤の上にセラミックスプレートごと研磨パッド上に置き、その上に所定の荷重を載せた。その後、コロイダルシリカスラリーを流しながら定盤を回転させ、連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)が入ることもなく、耐久性に優れるものであった。また、2.5倍のRaは2.1nmであり、50倍のRaは1.0nmであり、ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができた。結果を表1に示す。
(実施例2)
研磨層に用いる織物として、17dtex−12フィラメント(三角断面)、撚数3000T/MのPETマルチフィラメントを、経密度295本/インチ、緯密度300本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸ツイル織物(2/2ツイル)(表1)を準備し、支持体として、アスカーA硬度90、厚み1mmのPU樹脂板を準備した。次に、支持体にエポキシ系樹脂の2液硬化型接着剤(コニシ(株)製EP001)をリップコーターで塗布厚みが30μmとなるように塗布し、その上に上記のツイル織物を重ね、そのまま常温で24時間放置して接着剤を硬化させ接着積層した。さらに支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面粘着テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)が入ることもなく、耐久性に優れるものであった。また、2.5倍のRaは3.9nmであり、50倍のRaは1.1nmであり、半導体ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができた。結果を表1に示す。
(実施例3)
研磨層に用いる織物として、単繊維直径27μm、経密度508本/インチ、緯密度508本/インチで織ったPETモノフィラメントツイル織物(2/2ツイル)(表1)を準備し、支持体としてアスカーA硬度60、厚み1mmのPU樹脂板を準備した。次に、支持体にエポキシ系樹脂の接着剤(スリーボンド(株)製2087)をリップコーターで塗布厚みが25μmとなるように塗布し、その上に上記のツイル織物を重ね、そのまま常温で24時間放置して接着剤を硬化させ接着積層した。さらに支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面粘着テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズが入ることもなく、耐久性に優れるものであった。また、2.5倍のRaは2.4nmであり、50倍のRaは0.9nmであり、半導体ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができた。結果を表1に示す。
(実施例4)
研磨層に用いる織物として、17dtex−12フィラメント(三角断面)、撚数3000T/MのPETマルチフィラメントを経密度314本/インチ、緯密度202本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸サテン織物(5枚朱子)(表1)を準備し、支持体としてアスカーA硬度70、厚み1mmの熱硬化性のPU樹脂板を準備した。次に、支持体にエポキシ系樹脂の2液硬化型接着剤(コニシ(株)製EP001)をリップコーターで塗布厚みが35μmとなるように塗布し、その上に上記のサテン織物を重ね、そのまま常温で24時間放置して接着剤を硬化させ接着積層した。さらに支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面粘着テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズが入ることもなく、耐久性に優れるものであった。また、2.5倍のRaは4.4nmであり、50倍のRaは1.3nmであり、半導体ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができた。結果を表1に示す。
(実施例5)
研磨層に用いる織物として、17dtex−12フィラメント(三角断面)、撚数3000T/MのPETマルチフィラメントを、経密度295本/インチ、緯密度200本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸ツイル織物(2/2ツイル)(表1)を準備し、支持体として、アスカーA硬度90、厚み1mmのPU樹脂板を準備した。次に、支持体にエポキシ系樹脂の接着剤(スリーボンド(株)製2087)をリップコーターで塗布厚みが25μmとなるように塗布し、その上に上記のツイル織物を重ね、そのまま常温で24時間放置して接着剤を硬化させ接着積層した。さらに支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)が入ることもなく、耐久性に優れるものであった。また、2.5倍のRaは3.8nmであり、50倍のRaは1.2nmであり、半導体ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができた。結果を表1に示す。
(実施例6)
研磨層に用いる織物として、8dtex−5フィラメント(丸断面)、撚数4000T/MのN6マルチフィラメントを、経密度209本/インチ、緯密度194本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸平織物(表1)を準備し、支持体として、アスカーA硬度90、厚み1mmのPU樹脂板を準備した。次に、支持体にエポキシ系樹脂の接着剤(スリーボンド(株)製2087)をリップコーターで塗布厚みが30μmとなるように塗布し、その上に上記の平織物を重ね、そのまま常温で24時間放置して接着剤を硬化させ接着積層した。さらに支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面粘着テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)が入ることもなく、耐久性に優れるものであった。また、2.5倍のRaは4.7nmであり、50倍のRaは1.4nmであり、半導体ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができた。結果を表1に示す。
(実施例7)
断面積が1.0mmの正方形断面からなる研磨フィラメントをピッチ3.0mm、接触面積率0.5で研磨フィラメント層を形成した。このフィラメント層を5層積層して開放型格子構造からなる研磨層を作製し、実施例1と同様にして2液硬化型接着剤を用いて支持体と積層し研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で研磨層と支持体との接着部分で剥がれることはなく、半導体ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)が入ることもなく、耐久性に優れるものであった。結果を表1に示す。
(比較例1)
研磨層として、17dtex−12フィラメント(三角断面)、撚数3000T/MのPETマルチフィラメントを経密度158本/インチ、緯密度180本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸平織物(表1)と、支持体としてアスカーA硬度90、厚み1mmのPU樹脂板を準備し、支持体に研磨パッド固定用両面粘着テープ(厚み130μm、中間接着用で基材は不織布、粘着剤はアクリル系の粘着剤)を用いて織物を押し付けて貼り、さらに支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面粘着テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、2時間経過後に研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分が部分的に剥がれが生じ、半導体ウエハに目視で確認できるキズも入るため、耐久性に劣るものであった。また、2.5倍のRaは9.1nmであり、50倍のRaは5.4nmであり、ウエハの平坦性・平滑性に劣るものであった。結果を表1に示す。
(比較例2)
研磨層に用いる織物として、17dtex−12フィラメント(三角断面)、撚数1700T/MのPETマルチフィラメントを、経密度120本/インチ、緯密度100本/インチで織ったマルチフィラメント撚糸平織物(表1)を準備し、実施例1と同様にしてエポキシ系樹脂の接着剤により支持体と接着積層した。さらに、支持体の裏側に実施例1と同様に定盤接着用の両面テープを貼り付け、研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分で剥がれることはなかったが、ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)が入り、耐久性に劣るものであった。また、2.5倍のRaは10.6nmであり、50倍のRaは5.4nmであり、ウエハを高平坦・高平滑に研磨することができなかった。目開きが大きいために平坦性に劣るものであった。スクラッチが入り、研磨性能に劣る理由として、織物の目開きが実施例1に比べて大きいために、接着時に接着剤が織物表面に染み出したためと考えられた。結果を表1に示す。
(比較例3)
実施例7の開放型格子構造からなる研磨層を用い、比較例1と同様にして両面粘着テープを用いて支持体に研磨層を積層し研磨パッドを作製した。
この研磨パッドを実施例1と同様に研磨機の定盤に固定し、研磨スラリーを流しながら実施例1と同様にしてシリコンウエハを用いて連続研磨を行ったところ、30時間連続研磨において、2時間経過後に研磨や高圧水洗で織物と支持体との接着部分が部分的に剥がれが生じ、半導体ウエハに目視で確認できるキズ(スクラッチ)も入るため、耐久性に劣るものであった。結果を表1に示す。
1:研磨層
2:接着層
3:支持体
4:粘着層
5:目開き部分
6:研磨フィラメント
7:研磨面
8:開放型格子構造からなる研磨層

Claims (8)

  1. 目開き10〜100μmの織物または開放型格子構造からなる研磨層が、化学反応型の接着剤の硬化してなる接着層を介して支持体と接着積層されてなることを特徴とする研磨パッド。
  2. 接着剤が、エポキシ系樹脂系、ポリエステル系樹脂およびポリウレタン系樹脂からなる群から選ばれる樹脂である請求項1記載の研磨パッド。
  3. 接着層の厚みが、前記研磨層の厚みの90%以下である請求項1または2記載の研磨パッド。
  4. 織物の織密度が、130本/インチ以上である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
  5. 織物が、マルチフィラメント撚糸織物である請求項1〜4のいずれかに記載の研磨パッド。
  6. マルチフィラメント撚糸の撚数が、1500〜4000T/mである請求項5記載の研磨パッド。
  7. 半導体ウエハの鏡面加工用である請求項1〜6のいずれかに記載の研磨パッド。
  8. 請求項1〜6の研磨パッドを定盤に固定し、固定された研磨パッドを定盤と共に回転させ、その上に研磨砥粒の研磨スラリーを常時供給しながら、半導体ウエハを研磨パッドに押し付けて研磨を行う半導体ウエハの研磨方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013067001A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc 開口網状研磨パッドの形成方法
JP2013067003A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc 構造化開口網状研磨パッドの形成方法
JP2013067002A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc 積層開口網状研磨パッドの形成方法
JP2017177274A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056920A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Toray Ind Inc 研磨パッド
JP2005303121A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Psiloquest Inc 耐剥離性研磨パッド
JP2008062324A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Nitta Haas Inc 研磨用パッドおよびメッキ用パッド
JP2008207319A (ja) * 2007-01-30 2008-09-11 Toray Ind Inc 研磨パッド
JP2008254171A (ja) * 2002-09-25 2008-10-23 Ppg Ind Ohio Inc 平坦化するための研磨パッド
WO2008137033A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Stacked polishing pad for high temperature applications
JP2009000751A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Teijin Fibers Ltd 研磨布用織物およびその製造方法および研磨布
JP2009056586A (ja) * 2007-08-16 2009-03-19 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 化学機械研磨のための層状フィラメント格子
JP2009160704A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Toray Ind Inc 研磨布

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008254171A (ja) * 2002-09-25 2008-10-23 Ppg Ind Ohio Inc 平坦化するための研磨パッド
JP2005056920A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Toray Ind Inc 研磨パッド
JP2005303121A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Psiloquest Inc 耐剥離性研磨パッド
JP2008062324A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Nitta Haas Inc 研磨用パッドおよびメッキ用パッド
JP2008207319A (ja) * 2007-01-30 2008-09-11 Toray Ind Inc 研磨パッド
WO2008137033A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Stacked polishing pad for high temperature applications
JP2009000751A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Teijin Fibers Ltd 研磨布用織物およびその製造方法および研磨布
JP2009056586A (ja) * 2007-08-16 2009-03-19 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 化学機械研磨のための層状フィラメント格子
JP2009160704A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Toray Ind Inc 研磨布

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013067001A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc 開口網状研磨パッドの形成方法
JP2013067003A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc 構造化開口網状研磨パッドの形成方法
JP2013067002A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc 積層開口網状研磨パッドの形成方法
JP2017177274A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド

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