JP2011017628A

JP2011017628A - Dynamic quantity sensor and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP2011017628A
Application number: JP2009162623A
Authority: JP
Inventors: Keisuke Goto; 敬介五藤
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2009-07-09
Filing date: 2009-07-09
Publication date: 2011-01-27
Anticipated expiration: 2029-07-09
Also published as: JP5606696B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dynamic quantity sensor capable of suppressing an unnecessary use of a sensor substrate and reducing packaging area, and to provide a method of manufacturing the dynamic quantity sensor.SOLUTION: A circuit board 50 includes a first circuit board 60 and a second circuit board 70. Also, the first and second circuit boards 60, 70 are stacked. Electric signals output from sensing units 21, 31 are processed by the first circuit board 60. The electric signal processed by the first circuit board 60 is output to the outside of the circuit board 50 in the second circuit board 70, thus reducing dimensions in a plane direction of the circuit board 50 as compared with a conventional dynamic quantity sensor thereby increasing a part not composing the sensing unit in the sensor substrate 14 and suppressing an unnecessary use of the sensor substrate 14, thereby reducing a packaging area.

Description

本発明は、物理量に応じた電気信号を出力するセンシング部に、当該センシング部から出力された電気信号を処理する回路基板を接合してなる力学量センサおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a mechanical quantity sensor obtained by joining a circuit board that processes an electrical signal output from the sensing section to a sensing section that outputs an electrical signal corresponding to a physical quantity, and a method for manufacturing the same.

従来より、加速度に応じた電気信号を出力するセンシング部を構成するセンサ基板に、センシング部から出力された電気信号を処理する回路基板を接合してなる力学量センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、このような力学量センサでは、センサ基板に、可動電極を有する可動部、固定電極を有する固定部、可動部および固定部の外側に位置する周辺部が形成されており、センシング部は可動電極および固定電極を有した構成とされている。そして、センサ基板のうちセンシング部の外側の部分に回路基板が接合されることにより、センサ基板と回路基板との間に封止空間が形成され、当該封止空間にセンシング部が備えられている。 Conventionally, a mechanical quantity sensor formed by joining a circuit board that processes an electrical signal output from a sensing unit to a sensor board that configures a sensing unit that outputs an electrical signal corresponding to acceleration is known (for example, Patent Document 1). Specifically, in such a mechanical quantity sensor, a movable part having a movable electrode, a fixed part having a fixed electrode, a movable part, and a peripheral part located outside the fixed part are formed on the sensor substrate. The part has a movable electrode and a fixed electrode. Then, by joining the circuit board to a portion of the sensor board outside the sensing unit, a sealed space is formed between the sensor board and the circuit board, and the sensing unit is provided in the sealed space. .

上記力学量センサでは、例えば、Ｃ／Ｖ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路、フィルタリング回路、補正回路、増幅回路等が一枚の回路基板に形成されている。そして、回路基板は、センシング部から加速度に応じた電気信号が入力されると、この電気信号に対して各回路にて所定の処理を施した後、外部に処理を施した電気信号を出力する。 In the mechanical quantity sensor, for example, a C / V conversion circuit, an A / D conversion circuit, a filtering circuit, a correction circuit, an amplification circuit, and the like are formed on a single circuit board. When the electrical signal corresponding to the acceleration is input from the sensing unit, the circuit board performs predetermined processing on each electrical signal and then outputs the processed electrical signal to the outside. .

このような力学量センサは、例えば、複数のセンシング部が形成されている半導体ウェハと、複数の回路素子が形成されている回路ウェハとを接合してウェハレベルパッケージ構造体を構成し、当該ウェハレベルパッケージ構造体をチップ単位に分割することにより製造される。 Such a mechanical quantity sensor includes, for example, a wafer level package structure formed by bonding a semiconductor wafer on which a plurality of sensing units are formed and a circuit wafer on which a plurality of circuit elements are formed, and the wafer. The level package structure is manufactured by dividing it into chips.

特開２００８−２０４０３号公報JP 2008-20403 A

しかしながら、このような力学量センサでは、Ｃ／Ｖ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路、フィルタリング回路、補正回路、増幅回路等が一枚の回路基板に形成されており、回路基板に各回路素子を形成するのに必要とされる面積が、センサ基板にセンシング部を形成するのに必要とされる面積より大きくなる。このため、センサ基板のうちセンシング部を構成しない部分の平面方向の寸法を大きくしてセンサ基板と回路基板との平面方向の寸法を一致させたり、センサ基板の平面方向の寸法を回路基板の平面方向の寸法に対して小さくしたりしている。 However, in such a mechanical quantity sensor, a C / V conversion circuit, an A / D conversion circuit, a filtering circuit, a correction circuit, an amplification circuit, etc. are formed on a single circuit board, and each circuit element is provided on the circuit board. The area required for forming becomes larger than the area required for forming the sensing part on the sensor substrate. For this reason, the dimension in the planar direction of the portion of the sensor board that does not constitute the sensing unit is increased to match the dimension in the planar direction of the sensor board and the circuit board, or the dimension in the planar direction of the sensor board is set to the plane of the circuit board. It is made smaller than the direction dimension.

センサ基板と回路基板との平面方向の寸法を一致させた力学量センサは、上記のようにウェハレベルパッケージ構造体をチップ単位に分割することにより製造される。しかしながら、このような力学量センサでは、センサ基板のうちセンシング部を構成しない部分の平面方向の寸法を大きくしてセンサ基板の平面方向の寸法と回路基板の平面方向の寸法とを一致させなければならず、センサ基板を無駄に用いなければならないという問題がある。特に固定電極および可動電極を有するセンシング部を形成する場合には、センサ基板としてＳＯＩ基板を用いることが多く、ＳＯＩ基板を無駄に使用することはコストの増加に繋がるという問題がある。さらに、回路基板が平面方向に大きいため、力学量センサを実装基板に実装する際には、実装面積が大きくなるという問題がある。 A mechanical quantity sensor in which the dimensions of the sensor board and the circuit board in the planar direction are matched is manufactured by dividing the wafer level package structure into chips as described above. However, in such a mechanical quantity sensor, the dimension in the planar direction of the portion of the sensor board that does not constitute the sensing unit must be increased so that the dimension in the planar direction of the sensor board matches the dimension in the planar direction of the circuit board. In other words, there is a problem that the sensor substrate must be used wastefully. In particular, when forming a sensing portion having a fixed electrode and a movable electrode, an SOI substrate is often used as a sensor substrate, and there is a problem that wasteful use of the SOI substrate leads to an increase in cost. Further, since the circuit board is large in the plane direction, there is a problem that the mounting area becomes large when the mechanical quantity sensor is mounted on the mounting board.

一方、センサ基板の平面方向の寸法を回路基板の平面方向の寸法に対して小さくした力学量センサは、センサ基板のうちセンシング部を構成しない部分を大きくする必要がないため、センサ基板を無駄に用いることを抑制することはできる。しかしながら、このような力学量センサは、実装基板に実装される際に、センサ基板および回路基板のうち一般的に力学量センサの安定性を保持するために平面方向の寸法が大きい方の基板が実装基板に対して接合される。従って、回路基板の平面方向の寸法がセンサ基板に対して大きいと実装面積が大きくなるという問題がある。 On the other hand, a mechanical quantity sensor in which the dimension in the plane direction of the sensor board is smaller than the dimension in the plane direction of the circuit board does not require the sensor board to be wasted because it is not necessary to enlarge the portion of the sensor board that does not constitute the sensing unit. Use can be suppressed. However, when such a mechanical quantity sensor is mounted on a mounting board, a board having a larger dimension in the planar direction is generally used to maintain the stability of the mechanical quantity sensor among the sensor board and the circuit board. Bonded to the mounting substrate. Therefore, there is a problem that the mounting area increases when the dimension of the circuit board in the planar direction is larger than the sensor board.

なお、上記では、加速度に応じて電気信号を出力するセンシング部がセンサ基板に形成されている例について説明したが、角速度に応じて電気信号を出力するセンシング部や圧力に応じて電気信号を出力するセンシング部等がセンサ基板に形成されている場合も同様の問題となる。 In the above description, an example in which a sensing unit that outputs an electrical signal according to acceleration is formed on the sensor substrate has been described. However, a sensing unit that outputs an electrical signal according to angular velocity or an electrical signal according to pressure is output. The same problem occurs when a sensing unit or the like is formed on the sensor substrate.

本発明は上記点に鑑みて、センサ基板を無駄に使用することを抑制することができると共に、実装面積を低減することのできる力学量センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a mechanical quantity sensor capable of suppressing wasteful use of a sensor substrate and reducing a mounting area, and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、回路基板（５０）を第１回路基板（６０）および第２回路基板（７０）を有した構成にすると共に、第１、第２回路基板（６０、７０）を積層し、第１回路基板（６０）にてセンシング部（２１、３１）から出力された電気信号を処理し、第２回路基板（７０）にて、第１回路基板（６０）にて処理された当該電気信号を回路基板（５０）の外部に出力することを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the circuit board (50) includes the first circuit board (60) and the second circuit board (70), and the first and second circuit boards (50) are provided. The circuit boards (60, 70) are stacked, the electrical signals output from the sensing units (21, 31) are processed by the first circuit board (60), and the first circuit is processed by the second circuit board (70). The electrical signal processed by the substrate (60) is output to the outside of the circuit substrate (50).

このような力学量センサでは、回路基板（５０）を第１回路基板（６０）および第２回路基板（７０）を有した構成にすると共に、第１回路基板（６０）と第２回路基板（７０）とを積層している。したがって、従来の力学量センサと比較して、回路基板（５０）の平面方向の寸法を小さくすることができる。このため、センサ基板（１４）のうちセンシング部（２１、３１）を構成しない部分を大きくしてセンサ基板（１４）を無駄に使用することを抑制できる。また、回路基板（５０）の平面方向の寸法を従来の力学量センサより小さくすることができるため、実装面積の低減を図ることができる。 In such a mechanical quantity sensor, the circuit board (50) includes the first circuit board (60) and the second circuit board (70), and the first circuit board (60) and the second circuit board ( 70). Therefore, the dimension of the circuit board (50) in the planar direction can be reduced as compared with the conventional mechanical quantity sensor. For this reason, it can suppress using the sensor board | substrate (14) wastefully by enlarging the part which does not comprise the sensing part (21, 31) among sensor board | substrates (14). Moreover, since the dimension of the circuit board (50) in the planar direction can be made smaller than that of the conventional mechanical quantity sensor, the mounting area can be reduced.

例えば、請求項２に記載の発明のように、第１回路基板（６０）のうち第２回路基板（７０）側にセンシング部（２１、３１）から出力される電気信号を処理する回路素子（６１）を形成し、第２回路基板（７０）のうち、第１回路基板（６０）側に、第１回路基板（６０）にて処理された当該電気信号を回路基板（５０）の外部に出力する回路素子（７１）を形成することにより、第１回路基板（６０）の回路素子（６１）と、第２回路基板（７０）の回路素子（７１）とを向かい合わせることができる。 For example, as in the second aspect of the invention, a circuit element that processes an electrical signal output from the sensing unit (21, 31) on the second circuit board (70) side of the first circuit board (60) ( 61) and the electric signal processed by the first circuit board (60) is transferred to the outside of the circuit board (50) on the first circuit board (60) side of the second circuit board (70). By forming the circuit element (71) to output, the circuit element (61) of the first circuit board (60) and the circuit element (71) of the second circuit board (70) can face each other.

また、請求項３に記載の発明のように、センサ基板（１４）を、支持基板（１１）と、支持基板（１１）の表面に配置された埋込絶縁膜（１２）と、埋込絶縁膜（１２）を挟んで支持基板（１１）と反対側に配置された半導体層（１３）と、を備えたＳＯＩ基板とすることもできる。センサ基板（１４）としてＳＯＩ基板を用いる場合には、センサ基板（１４）を無駄に使用することを抑制することにより、コストの低減を図ることができる。 According to a third aspect of the present invention, a sensor substrate (14) includes a support substrate (11), a buried insulating film (12) disposed on the surface of the support substrate (11), and a buried insulation. It can also be set as the SOI substrate provided with the semiconductor layer (13) arrange | positioned on the opposite side to a support substrate (11) on both sides of a film | membrane (12). In the case where an SOI substrate is used as the sensor substrate (14), it is possible to reduce costs by suppressing wasteful use of the sensor substrate (14).

そして、請求項４に記載の発明のように、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の力学量センサの製造方法では、チップ単位に分割した際に、センサ基板（１４）を構成する半導体ウェハ、第１回路基板（６０）を構成する第１ウェハおよび第２回路基板（７０）を構成する第２ウェハを用意する工程と、半導体ウェハ、第１ウェハおよび第２ウェハを接合してウェハレベルパッケージ構造体を構成する工程と、ウェハレベルパッケージ構造体をチップ単位に分割し、センサ基板（１４）、第１回路基板（６０）および第２回路基板（７０）を形成する工程と、を含むことができる。 Then, as in the invention described in claim 4, in the method of manufacturing a mechanical quantity sensor described in any one of claims 1 to 3, the sensor substrate (14) is configured when divided into chips. Preparing a semiconductor wafer, a first wafer constituting the first circuit board (60) and a second wafer constituting the second circuit board (70), and bonding the semiconductor wafer, the first wafer and the second wafer; Forming a wafer level package structure, dividing the wafer level package structure into chips, and forming a sensor substrate (14), a first circuit substrate (60), and a second circuit substrate (70); Can be included.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態における力学量センサの断面構成を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional structure of the mechanical quantity sensor in 1st Embodiment of this invention. 図１に示す加速度検出部の平面図である。It is a top view of the acceleration detection part shown in FIG. 図１に示す回路基板の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the circuit board shown in FIG. 図１に示す力学量センサを実装基板に実装したときの断面構成を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional structure when the mechanical quantity sensor shown in FIG. 1 is mounted in the mounting substrate. 図１に示す力学量センサを実装基板に実装したときの断面構成を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional structure when the mechanical quantity sensor shown in FIG. 1 is mounted in the mounting substrate.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は本実施形態の力学量センサの断面図であり、この図に基づいて説明する。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of a mechanical quantity sensor according to the present embodiment, which will be described based on this figure.

図１に示されるように、本実施形態の力学量センサは、加速度検出部１０と、加速度検出部１０からの電気信号を処理する回路基板５０とを有した構成とされており、加速度検出部１０にはセンシング部が備えられている。 As shown in FIG. 1, the mechanical quantity sensor of this embodiment is configured to include an acceleration detection unit 10 and a circuit board 50 that processes an electrical signal from the acceleration detection unit 10, and the acceleration detection unit 10 includes a sensing unit.

まず、本実施形態の加速度検出部１０について説明する。 First, the acceleration detection unit 10 of the present embodiment will be described.

本実施形態の加速度検出部１０は、支持基板１１と、支持基板１１の表面に配置された埋込絶縁膜１２と、埋込絶縁膜１２を挟んで支持基板１１と反対側に配置された半導体層１３と、を有するＳＯＩ基板１４を用いて構成されている。なお、本実施形態ではＳＯＩ基板１４がセンサ基板に相当している。 The acceleration detection unit 10 of this embodiment includes a support substrate 11, a buried insulating film 12 disposed on the surface of the support substrate 11, and a semiconductor disposed on the opposite side of the support substrate 11 with the buried insulating film 12 interposed therebetween. The SOI substrate 14 having the layer 13 is used. In the present embodiment, the SOI substrate 14 corresponds to a sensor substrate.

図２は、本実施形態の加速度検出部１０の平面図である。なお、図１は、図２に示す加速度検出部１０に回路基板５０を接合した際のＡ−Ａ断面図に相当している。図１および図２に示されるように、ＳＯＩ基板１４のうち一面側の半導体層１３にはセンシング部が備えられている。 FIG. 2 is a plan view of the acceleration detection unit 10 of the present embodiment. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA when the circuit board 50 is bonded to the acceleration detection unit 10 shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor layer 13 on one side of the SOI substrate 14 is provided with a sensing unit.

具体的には、図２に示されるように、半導体層１３には、変位可能な可動部２０および固定支持された固定部３０よりなる梁構造体と、当該梁構造体の周囲を取り囲む周辺部４０とが形成され、各部２０〜４０は互いに溝１５により絶縁されていると共に離間されて形成されている。そして、可動部２０には後述する可動電極２１が備えられており、固定部３０には後述する固定電極３１が備えられている。本実施形態では、可動電極２１および固定電極３１が本発明のセンシング部に相当している。また、埋込絶縁膜１２には梁構造体に対応する領域が矩形状に除去されて開口部１６が形成されている。 Specifically, as shown in FIG. 2, the semiconductor layer 13 includes a beam structure including a movable portion 20 that can be displaced and a fixed portion 30 that is fixedly supported, and a peripheral portion that surrounds the periphery of the beam structure. 40, and the respective parts 20 to 40 are insulated from each other by the groove 15 and are separated from each other. The movable portion 20 is provided with a movable electrode 21 described later, and the fixed portion 30 is provided with a fixed electrode 31 described later. In the present embodiment, the movable electrode 21 and the fixed electrode 31 correspond to the sensing unit of the present invention. In the buried insulating film 12, an opening 16 is formed by removing a region corresponding to the beam structure in a rectangular shape.

可動部２０は、矩形状の錘部２２の両端を、梁部２３を介してアンカー部２４ａ、２４ｂに一体に連結した構成とされている。これらアンカー部２４ａ、２４ｂは、埋込絶縁膜１２における開口部１６の開口縁部のうち１組の対向辺部に固定されている。これにより、錘部２２及び梁部２３は、開口部１６に臨んだ状態とされている。 The movable portion 20 is configured such that both ends of the rectangular weight portion 22 are integrally connected to the anchor portions 24 a and 24 b via the beam portion 23. These anchor portions 24 a and 24 b are fixed to one set of opposing side portions of the opening edge portion of the opening portion 16 in the buried insulating film 12. Thereby, the weight portion 22 and the beam portion 23 are in a state of facing the opening portion 16.

また、梁部２３は、平行な２本の梁がその両端で連結された矩形枠状とされており、２本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を備えている。詳しくは、梁部２３は、図２中の矢印Ｘ方向の成分を含む加速度を受けたときに錘部２２を矢印Ｘ方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。これにより、錘部２２は、加速度の印加に応じて、半導体層１３に平行な面内にて、梁部２３と一体的に上記矢印Ｘ方向へ変位可能となっている。 The beam portion 23 has a rectangular frame shape in which two parallel beams are connected at both ends thereof, and has a spring function of being displaced in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the two beams. Specifically, the beam portion 23 displaces the weight portion 22 in the arrow X direction when receiving an acceleration including a component in the arrow X direction in FIG. 2 and restores the original state according to the disappearance of the acceleration. It has become. Thereby, the weight part 22 can be displaced in the direction of the arrow X integrally with the beam part 23 in a plane parallel to the semiconductor layer 13 in accordance with the application of acceleration.

そして、この変位方向の軸Ｘを中心とした錘部２２の両側面には、それぞれ、櫛歯状の可動電極２１が、変位方向の軸Ｘと直交する方向において、互いに反対方向へ突出するように備えられており、可動電極２１は開口部１６に臨んだ状態とされている。このように、錘部２２に備えられた可動電極２１は、錘部２２および梁部２３とともにＸ方向へ変位可能となっている。 Then, on both side surfaces of the weight portion 22 with the axis X in the displacement direction as the center, the comb-like movable electrodes 21 protrude in opposite directions in the direction perpendicular to the axis X in the displacement direction. The movable electrode 21 faces the opening 16. Thus, the movable electrode 21 provided in the weight part 22 can be displaced in the X direction together with the weight part 22 and the beam part 23.

また、固定部３０は、開口部１６の開口縁部における対向辺部のうち、アンカー部２４ａ、２４ｂが支持されていないもう１組の対向辺部に支持されており、錘部２２を挟んで２個設けられている。そして、各固定部３０は、埋込絶縁膜１２における開口部１６の開口縁部に固定されて半導体層１３に支持された配線部３２と、可動電極２１の側面と対向するように配置された複数個の固定電極３１とを有した構成とされている。 The fixing portion 30 is supported by another set of opposing sides where the anchor portions 24a and 24b are not supported among the opposing sides at the opening edge of the opening 16 with the weight portion 22 interposed therebetween. Two are provided. Each fixed portion 30 is fixed to the opening edge of the opening 16 in the buried insulating film 12 and disposed so as to face the wiring portion 32 supported by the semiconductor layer 13 and the side surface of the movable electrode 21. The configuration includes a plurality of fixed electrodes 31.

本実施形態のセンシング部は、上記のように、加速度の印加に応じて変位する可動電極２１および可動電極２１と対向するように配置された固定電極３１を備えた構成とされている。このため、センシング部では、加速度が印加されると可動電極２１が変位して可動電極２１と固定電極３１との電極間の距離が変化することにより静電容量が変化し、静電容量の変化に基づいた電気信号が出力される。 As described above, the sensing unit of the present embodiment is configured to include the movable electrode 21 that is displaced according to the application of acceleration and the fixed electrode 31 that is disposed so as to face the movable electrode 21. For this reason, in the sensing unit, when acceleration is applied, the movable electrode 21 is displaced and the distance between the movable electrode 21 and the fixed electrode 31 changes, whereby the capacitance changes, and the capacitance changes. An electrical signal based on the signal is output.

また、可動部２０、固定部３０および周辺部４０には、それぞれ後述する貫通電極６３と接触する接触領域２６、３３、４１が備えられている。具体的には、可動部２０には、一方のアンカー部２４ａと連結された状態の可動電極用配線部２５が形成されており、可動電極用配線部２５に接触領域２６が備えられている。また、各固定部３０には、それぞれの配線部３２の所定位置に接触領域３３が備えられている。そして、周辺部４０には所定位置に接触領域４１が備えられている。 Further, the movable portion 20, the fixed portion 30, and the peripheral portion 40 are provided with contact regions 26, 33, and 41 that are in contact with a through electrode 63, which will be described later. Specifically, the movable portion 20 is formed with a movable electrode wiring portion 25 connected to one anchor portion 24a, and the movable electrode wiring portion 25 is provided with a contact region 26. Each fixing portion 30 is provided with a contact area 33 at a predetermined position of each wiring portion 32. The peripheral portion 40 is provided with a contact area 41 at a predetermined position.

可動部２０および固定部３０に備えられた接触領域２６、３３は、後述する貫通電極６３を介して回路基板５０とセンシング部とを電気的に接続するものである。そして、周辺部４０に備えられた接触領域４１は、後述する貫通電極６３を介して周辺部４０に電位が印加されることにより、例えば、周辺部４０と固定部３０に備えられた配線部３２との間の寄生容量や、周辺部４０と支持基板１１との間の寄生容量を抑制する、または無くすためのものである。 The contact areas 26 and 33 provided in the movable part 20 and the fixed part 30 are for electrically connecting the circuit board 50 and the sensing part via a through electrode 63 described later. The contact region 41 provided in the peripheral portion 40 is applied with a potential to the peripheral portion 40 via a through electrode 63 described later, for example, and the wiring portion 32 provided in the peripheral portion 40 and the fixed portion 30, for example. The parasitic capacitance between the peripheral portion 40 and the supporting substrate 11 is suppressed or eliminated.

そして、図１に示されるように、このようなＳＯＩ基板１４のうち半導体層１３には、センシング部からの電気信号を処理する回路基板５０が絶縁膜６４を介して接合されている。具体的には、回路基板５０は、本発明の第１回路基板に相当するアナログ回路基板６０および本発明の第２回路基板に相当するデジタル回路基板７０を有しており、アナログ回路基板６０にてセンシング部から出力された電気信号を処理し、デジタル回路基板７０にて、アナログ回路基板６０にて処理された当該電気信号を回路基板５０の外部に出力している。また、回路基板５０は、アナログ回路基板６０とデジタル回路基板７０とが、接着フィルム８０や図示しないバンプ等を介して電気的、機械的に接合された状態で積層された構成とされている。 As shown in FIG. 1, a circuit substrate 50 that processes an electrical signal from the sensing unit is bonded to the semiconductor layer 13 of the SOI substrate 14 via an insulating film 64. Specifically, the circuit board 50 includes an analog circuit board 60 corresponding to the first circuit board of the present invention and a digital circuit board 70 corresponding to the second circuit board of the present invention. The electrical signal output from the sensing unit is processed, and the digital circuit board 70 outputs the electrical signal processed by the analog circuit board 60 to the outside of the circuit board 50. The circuit board 50 has a configuration in which an analog circuit board 60 and a digital circuit board 70 are laminated in a state where they are electrically and mechanically bonded via an adhesive film 80, a bump (not shown), or the like.

そして、回路基板５０のうちアナログ回路基板６０がＳＯＩ基板１４の半導体層１３に、例えば、直接接合等にて接合されることにより、ＳＯＩ基板１４とアナログ回路基板６０との間に気密が保持された封止空間５１が形成され、当該封止空間５１に、センシング部が配置されている。これにより、センシング部に異物が付着することを防止することができる。すなわち、アナログ回路基板６０は、センシング部からの電気信号を処理する機能と共に、センシング部を保護するキャップとしての機能も有している。 The analog circuit board 60 of the circuit board 50 is bonded to the semiconductor layer 13 of the SOI substrate 14 by, for example, direct bonding, so that airtightness is maintained between the SOI substrate 14 and the analog circuit board 60. A sealed space 51 is formed, and a sensing unit is disposed in the sealed space 51. Thereby, it can prevent that a foreign material adheres to a sensing part. In other words, the analog circuit board 60 has a function as a cap for protecting the sensing unit as well as a function of processing an electrical signal from the sensing unit.

また、本実施形態では、ＳＯＩ基板１４、アナログ回路基板６０、デジタル回路基板７０は、後述するようにウェハレベルパッケージ構造体をチップ単位に分割することにより製造されるため、平面方向の寸法が互いに一致する寸法とされている。ここで、本明細書において、平面方向の寸法が互いに一致する寸法とは、平面方向の寸法が同じ寸法および許容範囲の製造誤差を含んだ寸法を意味している。 In this embodiment, the SOI substrate 14, the analog circuit substrate 60, and the digital circuit substrate 70 are manufactured by dividing the wafer level package structure into chips as will be described later. The dimensions are the same. Here, in the present specification, the dimension in which the dimensions in the planar direction coincide with each other means a dimension having the same dimension in the planar direction and a dimension including a manufacturing error within an allowable range.

図３は、本実施形態の回路基板５０の構成を示すブロック図である。図３に示されるように、アナログ回路基板６０には、Ｃ／Ｖ変換回路やＡ／Ｄ変換回路等が備えられている。Ｃ／Ｖ変換回路は、センシング部から加速度に応じた静電容量の差に相当する電気信号が入力されると、この電気信号を電圧信号に変換するものである。また、Ａ／Ｄ変換回路は、アナログ信号をデジタル信号に変換するものである。 FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of the circuit board 50 of the present embodiment. As shown in FIG. 3, the analog circuit board 60 includes a C / V conversion circuit, an A / D conversion circuit, and the like. The C / V conversion circuit converts an electrical signal into a voltage signal when an electrical signal corresponding to a difference in capacitance according to acceleration is input from the sensing unit. The A / D conversion circuit converts an analog signal into a digital signal.

そして、図１に示されるように、アナログ回路基板６０には、デジタル回路基板７０と接合される側の一面にＣ／Ｖ変換回路やＡ／Ｄ変換回路等の回路素子６１が備えられている。また、当該デジタル回路基板７０と接合される側の一面には回路素子６１と電気的に接続される図示しない配線および表面保護膜等が備えられている。 As shown in FIG. 1, the analog circuit board 60 is provided with a circuit element 61 such as a C / V conversion circuit or an A / D conversion circuit on one surface to be joined to the digital circuit board 70. . Further, on one surface to be joined to the digital circuit board 70, wiring (not shown) and a surface protective film that are electrically connected to the circuit element 61 are provided.

さらに、アナログ回路基板６０にはＳＯＩ基板１４に接合される側の一面から配線に達する複数の貫通孔６２が形成されており、各貫通孔６２には、側壁に図示しない絶縁膜が配置されていると共に、内部にＡｌやＣｕ等で構成される貫通電極６３が埋め込まれている。これら貫通電極６３それぞれは、一端部が配線を介して回路素子６１と電気的に接続され、他端部が可動部２０、固定部３０および周辺部４０に備えられた各接触領域２６、３３、４１と電気的に接続されている。また、アナログ回路基板６０には、可動電極２１がアナログ回路基板６０に接触することを防止する凹部６５がＳＯＩ基板１４と接合される一面であって、センシング部に対応する領域に形成されている。 Further, the analog circuit board 60 is formed with a plurality of through holes 62 reaching the wiring from one surface bonded to the SOI substrate 14, and an insulating film (not shown) is disposed on the side wall of each through hole 62. In addition, a through electrode 63 made of Al, Cu or the like is embedded therein. Each of the through electrodes 63 has one end portion electrically connected to the circuit element 61 via a wiring, and the other end portion connected to each of the contact regions 26, 33 provided in the movable portion 20, the fixed portion 30, and the peripheral portion 40. 41 is electrically connected. Further, the analog circuit board 60 has a recess 65 for preventing the movable electrode 21 from coming into contact with the analog circuit board 60, which is formed on an area corresponding to the sensing unit, which is joined to the SOI substrate 14. .

デジタル回路基板７０には、図３に示されるように、フィルタリング回路、補正回路、増幅回路等が備えられている。フィルタリング回路は、デジタル信号がアナログ回路基板６０から入力されると、所定の周波数帯域に含まれる周波数成分を抽出するものである。また、補正回路は、オフセット補正や温度補正等の補正をするものである。そして、増幅回路は、補正後のデジタル信号を増幅するものである。 As shown in FIG. 3, the digital circuit board 70 includes a filtering circuit, a correction circuit, an amplifier circuit, and the like. When a digital signal is input from the analog circuit board 60, the filtering circuit extracts a frequency component included in a predetermined frequency band. The correction circuit performs correction such as offset correction and temperature correction. The amplifier circuit amplifies the corrected digital signal.

そして、図１に示されるように、デジタル回路基板７０には、アナログ回路基板６０と接合される側の一面にフィルタリング回路、補正回路、増幅回路等の回路素子７１が備えられている。これにより、アナログ回路基板６０の回路素子６１と、デジタル回路基板７０の回路素子７１とが向かい合う状態になっている。また、当該アナログ回路基板６０と接合される側の一面には回路素子７１と電気的に接続される図示しない配線および表面保護膜等が備えられている。 As shown in FIG. 1, the digital circuit board 70 is provided with circuit elements 71 such as a filtering circuit, a correction circuit, and an amplifier circuit on one surface joined to the analog circuit board 60. As a result, the circuit element 61 of the analog circuit board 60 and the circuit element 71 of the digital circuit board 70 face each other. Further, on one surface to be joined to the analog circuit board 60, wiring (not shown) and a surface protective film that are electrically connected to the circuit element 71 are provided.

さらに、デジタル回路基板７０には、アナログ回路基板６０に接合される側の一面と反対側の一面から配線に達する複数の貫通孔７２が形成されており、各貫通孔７２には、側壁に図示しない絶縁膜が配置されていると共に、内部にＡｌやＣｕ等で構成される貫通電極７３が埋め込まれている。これら貫通電極７３それぞれは、一端部が配線を介して回路素子７１と電気的に接続され、他端部が、実装基板に実装される際に配置されるバンプ等と電気的に接続される。 Further, the digital circuit board 70 is formed with a plurality of through holes 72 reaching the wiring from one side opposite to the one side to be joined to the analog circuit board 60. Each through hole 72 is illustrated on the side wall. A non-insulating film is disposed, and a through electrode 73 made of Al, Cu or the like is embedded therein. Each of the through electrodes 73 is electrically connected at one end to the circuit element 71 via a wiring, and is electrically connected to a bump or the like disposed when the other end is mounted on the mounting substrate.

以上のように本実施形態の力学量センサが構成されており、このような力学量センサは、例えば、次のように実装基板に実装される。図４は、力学量センサを実装基板に実装したときの断面構成を示す図である。図４に示されるように、デジタル回路基板７０と実装基板９０との間にはバンプ９１が配置されており、力学量センサはバンプ９１を介して実装基板９０に実装されている。 As described above, the mechanical quantity sensor of the present embodiment is configured, and such a mechanical quantity sensor is mounted on a mounting board as follows, for example. FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional configuration when the mechanical quantity sensor is mounted on a mounting board. As shown in FIG. 4, bumps 91 are arranged between the digital circuit board 70 and the mounting board 90, and the mechanical quantity sensor is mounted on the mounting board 90 via the bumps 91.

次に上記力学量センサの製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the mechanical quantity sensor will be described.

まず、チップ単位に分割した際にＳＯＩ基板１４を構成するＳＯＩウェハを用意する。そして、ＳＯＩウェハに対して、周知のエッチング等を行うことにより、上記形状のセンシング部を備えた加速度検出部１０を複数形成する。なお、本実施形態では、ＳＯＩウェハが本発明の半導体ウェハに相当している。 First, an SOI wafer constituting the SOI substrate 14 when being divided into chips is prepared. Then, by performing well-known etching or the like on the SOI wafer, a plurality of acceleration detection units 10 including the sensing unit having the above shape are formed. In the present embodiment, the SOI wafer corresponds to the semiconductor wafer of the present invention.

その後、複数の上記回路素子６１や貫通電極６３を備え、チップ単位に分割した際に上記構造のアナログ回路基板６０となる第１ウェハを用意する。そして、第１ウェハのうちＳＯＩウェハと接合される一面側に、絶縁膜６４を備えると共に複数の凹部６５を形成する。 Thereafter, a plurality of the circuit elements 61 and the through electrodes 63 are provided, and a first wafer is prepared which becomes the analog circuit board 60 having the above structure when divided into chips. Then, an insulating film 64 and a plurality of recesses 65 are formed on one surface side of the first wafer to be bonded to the SOI wafer.

続いて、ＳＯＩウェハと第１ウェハとを接合することにより、ＳＯＩウェハと第１ウェハとの間に気密性が保たれている封止空間５１を形成し、各センシング部がそれぞれ封止空間５１に配置されるようにする。ＳＯＩウェハと第１ウェハとの接合は特に限定されるものではないが、例えば、次のように行うことができる。すなわち、まずＳＯＩウェハと第１ウェハとを真空室内に配置する。そして、ＳＯＩウェハおよび第１ウェハのうちそれぞれ接合させる部分に不活性イオンビームまたはプラズマを照射して表面を活性化させ、ＳＯＩウェハと第１ウェハとを接触させて接合する直接接合により、ＳＯＩウェハと第１ウェハとを接合することができる。なお、本実施形態では、真空室内でＳＯＩウェハと第１ウェハとを接合しているため、封止空間５１内が真空とされているが、もちろん接合時の圧力を調整して封止空間５１の圧力を任意に調整することができる。また、封止空間５１内を、例えば、Ｈ_２やＮ_２等の所定のガスにより充填することもできる。 Subsequently, the SOI wafer and the first wafer are bonded to form a sealed space 51 in which airtightness is maintained between the SOI wafer and the first wafer, and each sensing unit has a sealed space 51. To be placed in. The bonding of the SOI wafer and the first wafer is not particularly limited, but can be performed as follows, for example. That is, first, the SOI wafer and the first wafer are placed in a vacuum chamber. Then, the SOI wafer and the first wafer are respectively irradiated with an inert ion beam or plasma to activate the surface thereof, and the SOI wafer is directly bonded so that the SOI wafer and the first wafer are brought into contact with each other. Can be bonded to the first wafer. In this embodiment, since the SOI wafer and the first wafer are bonded in the vacuum chamber, the sealing space 51 is evacuated. Of course, the sealing space 51 is adjusted by adjusting the bonding pressure. The pressure of can be adjusted arbitrarily. Further, the inside of the sealed space 51 can be filled with a predetermined gas such as H ₂ or N ₂ .

次に、複数の回路素子７１や貫通電極７３を備え、チップ単位に分割した際に上記構造のデジタル回路基板７０となる第２ウェハを用意する。そして、第１ウェハと第２ウェハとを電気的、機械的に接続する。第１ウェハと第２ウェハとの接合は、例えば、接着フィルム８０により第１ウェハと第２ウェハとを機械的に接合すると共に、接着フィルム８０に貫通孔を設けておき、当該貫通孔にバンプ等の導電性部材を配置して互いの回路素子６１、７１を電気的に接続することにより行うことができる。 Next, a second wafer is prepared which includes a plurality of circuit elements 71 and through electrodes 73 and becomes the digital circuit board 70 having the above structure when divided into chips. Then, the first wafer and the second wafer are electrically and mechanically connected. For example, the first wafer and the second wafer may be joined by mechanically joining the first wafer and the second wafer by the adhesive film 80 and providing a through hole in the adhesive film 80, and bumping the through hole. It can be performed by arranging conductive members such as those and electrically connecting the circuit elements 61 and 71 to each other.

以上の工程を行うことにより、ウェハレベルパッケージ構造体が製造され、当該ウェハレベルパッケージ構造体をチップ単位に分割することにより、本実施形態の力学量センサが製造される。 By performing the above steps, a wafer level package structure is manufactured, and by dividing the wafer level package structure into units of chips, the mechanical quantity sensor of this embodiment is manufactured.

このような力学量センサでは、回路基板５０は、アナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０を有すると共に、アナログ回路基板６０とデジタル回路基板７０とが積層され、アナログ回路基板６０がＳＯＩ基板１４に接合されている。すなわち、このような力学量センサでは、従来の力学量センサと比較して、回路基板５０の平面方向の寸法を小さくすることができる。このため、ＳＯＩ基板１４のうちセンシング部を構成しない部分を大きくしてＳＯＩ基板１４を無駄に使用することを抑制できる。また、回路基板５０の平面方向の寸法を従来の力学量センサより小さくすることができるため、実装面積の低減を図ることができる。そして、本実施形態のようにセンサ基板としてＳＯＩ基板１４を用いた場合には、コストの低減を図ることができる。 In such a mechanical quantity sensor, the circuit board 50 includes an analog circuit board 60 and a digital circuit board 70, and the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 are laminated, and the analog circuit board 60 is bonded to the SOI substrate 14. Has been. That is, in such a mechanical quantity sensor, the dimension in the planar direction of the circuit board 50 can be reduced as compared with the conventional mechanical quantity sensor. For this reason, it is possible to prevent the SOI substrate 14 from being wasted by enlarging the portion of the SOI substrate 14 that does not constitute the sensing unit. Moreover, since the dimension of the circuit board 50 in the planar direction can be made smaller than that of the conventional mechanical quantity sensor, the mounting area can be reduced. When the SOI substrate 14 is used as the sensor substrate as in this embodiment, the cost can be reduced.

さらに、本実施形態では、封止空間５１を気密封止し、アナログ回路基板６０とデジタル回路基板７０との間は気密封止していない構成としている。すなわち、アナログ回路基板６０とデジタル回路基板７０とを接合する際に、アナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０の特別な表面処理を必要としないので回路基板５０をアナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０を有する構成としても製造工程が大幅に増大することはない。 Furthermore, in this embodiment, the sealing space 51 is hermetically sealed, and the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 are not hermetically sealed. That is, when the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 are joined, no special surface treatment of the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 is required, so that the circuit board 50 is replaced with the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70. Even if it has the structure which has this, a manufacturing process does not increase significantly.

また、デジタル回路基板７０の回路素子７１は、アナログ回路基板６０側に形成されているため、アナログ回路基板６０側と反対側に回路素子７１が形成されている場合と比較して外部環境に曝されることを抑制することができる。そして、アナログ回路基板６０の回路素子６１は、デジタル回路基板７０側に形成されているため、デジタル回路基板７０側と反対側（ＳＯＩ基板１４側）に回路素子６１が形成されている場合と比較して、直接接合を行うための表面処理が行いやすくなる。 Further, since the circuit element 71 of the digital circuit board 70 is formed on the analog circuit board 60 side, it is exposed to the external environment as compared with the case where the circuit element 71 is formed on the opposite side to the analog circuit board 60 side. It can be suppressed. Since the circuit element 61 of the analog circuit board 60 is formed on the digital circuit board 70 side, it is compared with the case where the circuit element 61 is formed on the side opposite to the digital circuit board 70 side (SOI substrate 14 side). Thus, it becomes easy to perform surface treatment for direct bonding.

（他の実施形態）
上記第１実施形態では、ＳＯＩ基板１４、アナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０の平面方向の寸法が一致する寸法とされている例について説明したが、アナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０の平面方向の寸法をＳＯＩ基板１４の平面方向の寸法より小さくすることもできる。 (Other embodiments)
In the first embodiment, the example in which the dimensions in the planar direction of the SOI substrate 14, the analog circuit board 60, and the digital circuit board 70 are the same is described, but the plane of the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 is described. The dimension in the direction can be made smaller than the dimension in the planar direction of the SOI substrate 14.

また、上記第１実施形態では、アナログ回路基板６０にＣ／Ｖ変換回路およびＡ／Ｄ変換回路等の回路素子６１を形成し、デジタル回路基板７０にフィルタリング回路、補正回路および増幅回路等の回路素子７１を形成する例について説明したが、例えば、アナログ回路基板６０にフィルタリング回路を形成することもできる。すなわち、回路基板５０をアナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０を有した構成とすることにより、従来の力学量センサより回路基板５０の平面方向の寸法を小さくすることができるため、アナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０に形成される回路は特に限定されるものではなく、適宜変更可能である。 In the first embodiment, circuit elements 61 such as a C / V conversion circuit and an A / D conversion circuit are formed on the analog circuit board 60, and circuits such as a filtering circuit, a correction circuit, and an amplification circuit are formed on the digital circuit board 70. Although an example in which the element 71 is formed has been described, for example, a filtering circuit can be formed on the analog circuit board 60. That is, since the circuit board 50 includes the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70, the size of the circuit board 50 in the plane direction can be made smaller than that of the conventional mechanical quantity sensor. The circuit formed on the digital circuit board 70 is not particularly limited and can be changed as appropriate.

さらに、上記第１実施形態では、バンプ９１を介して力学量センサを実装基板９０に実装する例について説明したが、もちろんこれに限定されるものではない。図５は、他の実施形態にかかる力学量センサを実装基板９０に実装したときの断面構成を示す図である。図５に示されるように、ＳＯＩ基板１４と実装基板９０とを接着剤等により接合し、デジタル回路基板７０と実装基板９０とをボンディングワイヤ９２により電気的に接続することもできる。 Further, in the first embodiment, the example in which the mechanical quantity sensor is mounted on the mounting substrate 90 via the bump 91 has been described, but the present invention is not limited to this. FIG. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration when the mechanical quantity sensor according to another embodiment is mounted on the mounting substrate 90. As shown in FIG. 5, the SOI substrate 14 and the mounting substrate 90 can be bonded together with an adhesive or the like, and the digital circuit substrate 70 and the mounting substrate 90 can be electrically connected by a bonding wire 92.

また、上記第１実施形態では、加速度に応じて電気信号を出力するセンシング部がＳＯＩ基板１４に形成されている例について説明したが、もちろん角速度に応じて電気信号を出力するセンシング部や圧力に応じて電気信号を出力するセンシング部をＳＯＩ基板１４に形成することもできる。そして、センサ基板はもちろんＳＯＩ基板１４に限定されるものではなく、例えば、Ｓｉ基板を用いることもできる。 In the first embodiment, the example in which the sensing unit that outputs an electrical signal according to the acceleration is formed on the SOI substrate 14 has been described. Of course, the sensing unit or the pressure that outputs the electrical signal according to the angular velocity Accordingly, a sensing unit that outputs an electrical signal can be formed on the SOI substrate 14. Of course, the sensor substrate is not limited to the SOI substrate 14, and for example, a Si substrate can be used.

さらに、上記第１実施形態では、ＳＯＩウェハと第１ウェハとを接合した後に、第１ウェハと第２ウェハとを接合してウェハレベルパッケージ構造体を製造する例について説明したが、第１ウェハと第２ウェハとを接合した後、ＳＯＩウェハと第１ウェハとを接合してウェハレベルパッケージ構造体を製造することもできる。 Further, in the first embodiment, the example in which the wafer level package structure is manufactured by bonding the first wafer and the second wafer after bonding the SOI wafer and the first wafer has been described. After bonding the first wafer and the second wafer, the wafer level package structure can be manufactured by bonding the SOI wafer and the first wafer.

また、アナログ回路基板６０とデジタル回路基板７０との間を気密封止することもできる。このような力学量センサとした場合には、アナログ回路基板６０およびデジタル回路基板７０のそれぞれに形成された各回路素子６１、７１が外部環境に曝されることを防止することができるので、耐環境性を向上させることができる。また、アナログ回路基板６０のうちＳＯＩ基板１４側に回路素子６１を形成することもできるし、デジタル回路基板７０のうちアナログ回路基板６０と反対側に回路素子６１を形成することもできる。 Further, the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 can be hermetically sealed. In the case of such a mechanical quantity sensor, it is possible to prevent the circuit elements 61 and 71 formed on the analog circuit board 60 and the digital circuit board 70 from being exposed to the external environment. Environmental performance can be improved. Further, the circuit element 61 can be formed on the side of the SOI substrate 14 in the analog circuit board 60, and the circuit element 61 can be formed on the opposite side of the digital circuit board 70 from the analog circuit board 60.

１０加速度検出部
１４ＳＯＩ基板
２１可動電極
３１固定電極
５０回路基板
５１封止空間
６０アナログ回路基板
６１回路素子
７０デジタル回路基板
７１回路素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Acceleration detection part 14 SOI substrate 21 Movable electrode 31 Fixed electrode 50 Circuit board 51 Sealing space 60 Analog circuit board 61 Circuit element 70 Digital circuit board 71 Circuit element

Claims

A sensor substrate (14) provided on one side with a sensing unit (21, 31) for outputting an electrical signal corresponding to a physical quantity;
A circuit board (50) for processing the electrical signal output from the sensing unit (21, 31),
The circuit board (50) is bonded to the one surface side of the sensor board (14) to form a sealed space (51) between the circuit board (50) and the sensor board (14). A mechanical quantity sensor in which the sensing unit (21, 31) is disposed in the sealed space (51),
The circuit board (50) has a first circuit board (60) and a second circuit board (70), and the first and second circuit boards (60, 70) are laminated,
The first circuit board (60) processes the electrical signal output from the sensing unit (21, 31), and the second circuit board (70) is processed by the first circuit board (60). A mechanical quantity sensor that outputs the electrical signal to the outside of the circuit board (50).

A circuit element (61) for processing an electrical signal output from the sensing unit (21, 31) is formed on the first circuit board (60) on the second circuit board (70) side. On the circuit board (70), on the first circuit board (60) side, a circuit element (outputting the electric signal processed by the first circuit board (60) to the outside of the circuit board (50)). 71), the circuit element (61) of the first circuit board (60) and the circuit element (71) of the second circuit board (70) face each other. Item 2. The mechanical quantity sensor according to Item 1.

The sensor substrate (14) includes a support substrate (11), a buried insulating film (12) disposed on a surface of the support substrate (11), and the support substrate sandwiching the buried insulating film (12). 3. The mechanical quantity sensor according to claim 1, wherein the mechanical quantity sensor is an SOI substrate including a semiconductor layer (13) disposed on the opposite side to (11).

A method for manufacturing a mechanical quantity sensor according to any one of claims 1 to 3,
A semiconductor wafer that constitutes the sensor substrate (14), a first wafer that constitutes the first circuit board (60), and a second wafer that constitutes the second circuit board (70) when divided into chips. A process to prepare;
Bonding the semiconductor wafer, the first wafer and the second wafer to form a wafer level package structure;
Dividing the wafer level package structure into chips, and forming the sensor substrate (14), the first circuit substrate (60), and the second circuit substrate (70). Manufacturing method of mechanical quantity sensor.