JP2011091724A - 固体撮像素子 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 146
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 20
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】画素からの信号又はこれに応じた信号を増幅する増幅回路の後段の回路が、画素部の電源電圧よりも低い電源電圧で作動するように構成されている場合などであっても、後段の回路に適切に信号を入力させて、後段の回路に適切な信号処理を行わせる。
【解決手段】固体撮像素子1は、入射光を光電変換する画素11と、画素11からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路16とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】固体撮像素子1は、入射光を光電変換する画素11と、画素11からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路16とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像素子に関するものである。
下記特許文献1には、画素アレイのカラムごとに、画素からの信号を増幅する増幅回路(いわゆるカラムアンプ)を持つ固体撮像素子が開示されている。前記増幅回路のゲインは可変とされている。このような従来の固体撮像素子では、前記増幅回路のゲインは1よりも大きく設定されていた。
また、下記特許文献2には、画素アレイのカラムごとに、アナログデジタル変換器(いわゆるカラムADC)を持つことで、高速化を図った固体撮像素子が開示されている。
固体撮像素子の更なる高S/N化を図るには、画素の光電子変換効率や電子電圧変換効率を上げて、画素からの信号振幅を大きくするのが最も効果がある。また、前記増幅回路のゲインを可変にして、低感度設定時はゲインを低く、高感度設定時にはゲインを高くすることにより、低感度時のダイナミックレンジの拡大と高感度時の高S/N化を図っている。
前述したような増幅回路ではそのゲインを1以上にするという技術常識に従うと、以下のように、不都合が生ずる場合があることが判明した。
ところで、前記増幅回路の後段の回路を、画素部の電源電圧より低い電源電圧で作動するように構成することが好ましいことが、判明した。例えば、前記増幅回路の後段の回路としてカラムADCを採用する場合、カラムADCを画素部の電源電圧より低い電源電圧で作動するように構成すると、カラムADCを高速で動作させることができるので好ましい。しかし、この場合、カラムADC等である後段の回路の入力可能な電圧振幅が高出力振幅の画素部からの出力可能な電圧振幅よりも小さくなってしまう。したがって、前記増幅回路のゲインを1よりも大きく設定すると、カラムADC等の後段の回路に適切に信号を入力させることができなくなってしまい、後段の回路での適切な信号処理ができなくなってしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、画素からの信号又はこれに応じた信号を増幅する増幅回路の後段の回路が、画素部の電源電圧よりも低い電源電圧で作動するように構成されていても、後段の回路に適切に信号を入力させて、後段の回路に適切な信号処理を行わせることができる固体撮像素子を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による固体撮像素子は、入射光を光電変換する画素と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路と、を備えたものである。この第1の態様において、前記画素から出力される信号が供給される垂直信号線が前記複数の画素の各列に対応して設けられ、前記増幅回路が前記各列に対応して設けられてもよい。
第2の態様による固体撮像素子は、前記第1の態様において、前記増幅回路のゲインは、前記増幅回路の入力信号の変化分に対する前記増幅回路の出力信号の変化分の比であるものである。
第3の態様による固体撮像素子は、前記第1又は第2の態様において、前記増幅回路のゲインは、互いに異なる複数のゲインに可変であり、前記複数のゲインは、絶対値が1よりも小さいゲインの他に絶対値が1以上のゲインを1つ以上含み、nを0からm(mは1以上の整数)までの整数とし、Aを絶対値が1より小さい所定のゲインであるとしたとき、前記複数のゲインは、2n*Aで表される(m+1)個のゲインを含むものである。なお、前記第1及び第2の態様では、前記増幅回路のゲインは、互いに異なる複数のゲインに可変であり、前記複数のゲインは、絶対値が1よりも小さいゲインの他に絶対値が1以上のゲインを1つ以上含んでいる場合において、必ずしも、前記複数のゲインが2n*Aで表される(m+1)個のゲインを含んでいなくてもよい。
第4の態様による固体撮像素子は、前記第1乃至第3のいずれかの態様において、前記増幅回路は、前記画素からの信号又はこれに応じた信号の入力部と第1の所定電位が印加される部位との間に少なくとも一時的に前記入力部側からその順に直列接続される第1及び第2の分圧容量と、第1の入力端子と第2の所定電位が印加される第2の入力端子とを有する演算増幅器と、前記第1及び第2の分圧容量間の第1のノードと前記第1の入力端子との間に少なくとも一時的に接続される入力容量と、前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間を一時的に短絡にするとともに前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する第1の帰還回路と、を有するものである。
第5の態様による固体撮像素子は、前記第4の態様において、前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に接続されたスイッチを備えたものである。
第6の態様による固体撮像素子は、前記第4の態様において、第1乃至第4の容量並びに第1乃至第5のスイッチを備え、前記第1のスイッチ及び前記第1の容量は前記入力部側からその順に前記入力部と前記第1のノードとの間に直列接続され、前記第2のスイッチは、前記入力部と前記第1のノードとの間に接続され、前記第3のスイッチは前記第1のスイッチと前記第1の容量との間の第2のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、前記第3の容量及び前記第4のスイッチは前記第1のノード側からその順に前記第1のノードと前記部位との間に直列接続され、前記第5のスイッチは前記第3の容量と前記第4のスイッチとの間の第3のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、前記第2の容量は前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、前記第4の容量は前記第1のノードと前記部位との間の容量であり、前記第1の分圧容量は前記第1の容量からなり、前記第2の分圧容量は前記第4の容量からなるかあるいは前記第3の容量と前記第4の容量との並列合成容量からなり、前記入力容量は前記第2の容量からなるかあるいは前記第2の容量と前記第3の容量との並列合成容量からなるものである。
第7の態様による固体撮像素子は、前記第4の態様において、前記増幅回路は、少なくとも一時的に前記出力端子と前記第1のノードとの間に所定容量値を形成する第2の帰還回路を有するものである。
第8の態様による固体撮像素子は、前記第7の態様において、前記第2の帰還回路を構成する少なくとも一部の容量が、前記第1の帰還回路を構成する少なくとも一部の容量と兼用されたものである。
第9の態様による固体撮像素子は、前記第7又は第8の態様において、第1乃至第5の容量並びに第1乃至第7のスイッチを備え、前記第1の容量は前記入力部と前記第1のノードとの間に接続され、前記第1のスイッチ及び前記第2の容量は前記第1のノード側からその順に前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に直列接続され、前記第2のスイッチは前記第1のスイッチと前記第2の容量との間の第2のノードと前記入力部との間に接続され、前記第7のスイッチ及び前記第3の容量は前記第1のノードと前記部位との間に直列接続され、前記第3のスイッチは前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、前記第1の帰還回路は前記第4及び第5の容量並びに前記第5及び第6のスイッチを有し、前記第5のスイッチ及び前記第4の容量は前記第1の入力端子側からその順に前記第1の入力端子と前記出力端子との間に直列接続され、前記第6のスイッチ及び前記第5の容量は前記第1の入力端子と前記出力端子との間に直列接続され、前記第4のスイッチは前記第5のスイッチと前記第4の容量との間の第3のノードと前記第1のノードとの間に接続され、前記第1の分圧容量は前記第1の容量からなり、前記第2の分圧容量は前記第3の容量からなり、前記入力容量は前記第2の容量からなり、前記第2の帰還回路は前記第4の容量及び前記第4のスイッチからなるものである。
前記9の態様において、前記第1の容量の容量値と前記第2の容量の容量値とが等しく、かつ、前記4の容量の容量値と前記第5の容量の容量値が等しくてもよい。
第10の態様の態様による固体撮像素子は、前記第1又は第2の態様において、前記増幅回路は、第1の入力端子と所定電位が印加される第2の入力端子とを有する演算増幅器と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号の入力部と前記第1の入力端子との間に接続され容量値が複数の異なる値に変わり得るように構成された入力容量回路と、前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間を一時的に短絡にするとともに前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する帰還回路と、を有するものである。
第11の態様による固体撮像素子は、入射光を光電変換する画素と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号が入力される増幅回路と、を備えたものである。前記増幅回路は、第1の入力端子と所定電位が印加される第2の入力端子とを有する演算増幅器と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号の入力部と前記第1の入力端子との間に接続され容量値が複数の異なる値に変わり得るように構成された入力容量回路と、前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間を一時的に短絡にするとともに前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する帰還回路と、を有する。
第12の態様による固体撮像素子は、前記第10又は第11の態様において、前記入力容量回路は複数の容量及び1つ以上のスイッチを有し、前記複数の容量及び前記1つ以上のスイッチは、前記入力容量回路の容量値が前記1つ以上のスイッチのオンオフ状態に応じて前記複数の異なる値に変わり得るように、接続されたものである。
本発明によれば、画素からの信号又はこれに応じた信号を増幅する増幅回路の後段の回路が、画素部の電源電圧よりも低い電源電圧で作動するように構成されていても、後段の回路に適切に信号を入力させて、後段の回路に適切な信号処理を行わせることができる固体撮像素子を提供することができる。
以下、本発明による固体撮像素子について、図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子1を示す回路図である。本実施形態による固体撮像素子1は、2次元状に配置された複数の画素11と、垂直走査回路12と、水平走査回路13と、画素11の各列に対応して設けられ対応する列の画素11の出力信号が供給される垂直信号線14と、各垂直信号線14に接続された定電流源15と、各垂直信号線14に対応して設けられ垂直信号線14の信号を入力電圧Vinとして受けて出力電圧Voutを出力する増幅回路16と、各増幅回路16の出力電圧Voutをアナログデジタル変換するAD変換器20と、水平出力バス線21とを有している。図1において、Vddは画素部の電源電位である。
図1は、本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子1を示す回路図である。本実施形態による固体撮像素子1は、2次元状に配置された複数の画素11と、垂直走査回路12と、水平走査回路13と、画素11の各列に対応して設けられ対応する列の画素11の出力信号が供給される垂直信号線14と、各垂直信号線14に接続された定電流源15と、各垂直信号線14に対応して設けられ垂直信号線14の信号を入力電圧Vinとして受けて出力電圧Voutを出力する増幅回路16と、各増幅回路16の出力電圧Voutをアナログデジタル変換するAD変換器20と、水平出力バス線21とを有している。図1において、Vddは画素部の電源電位である。
各画素11は、一般的なCMOS型固体撮像素子と同様に、光電変換部としてのフォトダイオードPDと、電荷電圧変換部としてのフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する増幅部としての増幅トランジスタAMPと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに電荷を転送する電荷転送部としての転送トランジスタTXと、フローティングディフュージョンFDの電位をリセットするリセット部としてのリセットトランジスタRESと、当該画素11を選択するための選択部としての選択トランジスタSELとを有している。
転送トランジスタTX、リセットトランジスタRES、選択トランジスタSELのゲートは、行方向に配置される画素11に共通に接続され、行毎に、垂直走査回路12からの駆動信号φTX、φRES、φSELが供給される。
図2は、図1中の1つの増幅回路16を示す回路図である。各増幅回路16は、入力容量Ciと、演算増幅器OPと、帰還容量Cfと、クランプ制御信号に応答してオンオフするクランプ制御スイッチSfで構成されている。垂直信号線14が増幅回路16の入力部、演算増幅器OPの出力端子が増幅回路16の出力部となっている。演算増幅器OPは差動増幅回路等を用いて構成されている。図2中のVrefは一定電位である。以下の説明では、入力容量Ciの容量値も同じ符号Ciで示すものとする。この点は、帰還容量Cfや、後述する各容量についても同様である。
この増幅回路16のリセット(アンプリセット)は、スイッチSfをオンすることにより行われる。これにより、演算増幅器OPの出力端子が所定電位Vrefにクランプされる。その後の増幅動作時には、スイッチSfがオフした状態で、入力電圧Vinがアンプリセット時の電圧からΔVinだけ変化するとき、出力電圧Voutが電位VrefからΔVoutだけ変化するものとすると、Vout−Vref=ΔVout=−(Ci/Cf)*ΔVinとなる。ここで、ΔVin=Vsig−Vdarkとされる。Vdarkは、アンプリセット時において、画素11のリセットトランジスタがオンした状態に応じて垂直信号線14に得られるいわゆるダーク信号である。Vsigは、アンプリセット後に、フォトダイオードPDからの信号がフローティングディフュージョンFDに転送されたときに垂直信号線14に得られるいわゆる光信号である。ΔVin=Vsig−Vdarkとされる点は、後述する各実施の形態についても同様である。
したがって、増幅回路16のゲイン(ΔVout/ΔVin)は−(Ci/Cf)となる。本実施の形態では、このゲインの絶対値が1よりも小さく設定されている。すなわち、(Ci/Cf)<1に設定されている。これにより、本実施の形態では、増幅回路16は、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有している。
各AD変換器20は、対応する増幅回路16の出力電圧Voutをアナログデジタル変換する。AD変換器20の具体的な構成としては、公知の種々の構成を採用することができる。図面には示していないが、例えば、各AD変換器20は、ランプ信号と入力(ここでは、増幅回路16の出力電圧Vout)とを比較する比較部と、ランプ信号の開始時からの経過時間に応じたカウント値を得るカウンタのカウンタ値を、前記比較部による比較結果に応じてラッチするラッチ部などを備えた構成とされる。このとき、ランプ信号の発生部などは各AD変換器20に共通して設けられる。
本実施の形態では、各AD変換器20は、その微細化を進めてAD変換器20を高速で動作させるために、画素部の電源電圧Vdよりも低い電源電圧で作動するように構成されている。これにより、AD変換器20の入力可能な電圧振幅は、画素11から垂直信号線14へ出力可能な電圧振幅よりも小さくなっている。
水平走査回路13は、列毎に水平走査信号φHを出力し、その信号を各AD変換器20に供給する。これにより、各AD変換器20により変換されたデジタル信号が、所定ビット数の水平出力バス線21へ順次出力され、水平出力バス線21により外部へ出力されるようになっている。
本実施の形態によれば、増幅回路16は絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有しているので、増幅回路16の後段の回路であるAD変換器20が受け取れる電圧振幅が、画素11の出力可能な電圧振幅よりも小さくて、画素11から大きなレベルの電圧が出力される場合であっても、AD変換器20への信号伝達を適切に行うことができる。
なお、本発明では、垂直信号線14と増幅回路16の入力部との間に、バッファ等の信号処理部を介在させ、増幅回路16の入力部に、垂直信号線14の信号(画素11からの信号)に応じた信号が入力されるようにしてもよい。この点は、後述する各実施の形態についても同様である。
[第2の実施の形態]
前記第1の実施の形態では、(Ci/Cf)<1に設定されているので、演算増幅器OPの信号フィードバック量が大きく、アンプの位相余裕が小さくなり、不安定になり易い。したがって、演算増幅器OPの設計によっては、最悪発振するおそれもある。このため、前記増幅回路16では、その安定化を図るためには、演算増幅器OPの回路設計が比較的困難となる。この不都合を解消したのが、本発明の第2の実施の形態である。
前記第1の実施の形態では、(Ci/Cf)<1に設定されているので、演算増幅器OPの信号フィードバック量が大きく、アンプの位相余裕が小さくなり、不安定になり易い。したがって、演算増幅器OPの設計によっては、最悪発振するおそれもある。このため、前記増幅回路16では、その安定化を図るためには、演算増幅器OPの回路設計が比較的困難となる。この不都合を解消したのが、本発明の第2の実施の形態である。
図3は、本発明の第2の実施の形態による固体撮像素子において用いられている増幅回路26を示す回路図である。本実施の形態が前記第1の実施の形態と異なる所は、各増幅回路16が増幅回路26で置き換えられている点のみである。
増幅回路26は、入力電圧Vinが供給される入力部と第1の所定電位が印加される部位Xとの間に、少なくとも一時的に前記入力部側からその順に直列接続される第1の分圧容量C1及び第2の分圧容量Caを有している。本実施の形態では、前記第1の所定電位は接地電位とされ、前記第1の所定電圧が印加される部位は接地部とされている。もっとも、前記第1の所定電位は必ずしも接地電位に限らない。本実施の形態では、第1及び第2の分圧容量C1,Caは、前記入力部と接地部との間に、直列接続されている。
また、増幅回路26は、−入力端子と第2の所定電位Vrefが印加される+入力端子とを有する演算増幅器OPと、分圧容量C1,Ca間の第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に少なくとも一時的に接続される入力容量C2と、演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間を一時的に短絡にするとともに演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する第1の帰還回路とを有している。本実施の形態では、入力容量C2は、ノードN1と−入力端子との間に接続されている。また、本実施の形態では、前記第1の帰還回路は、演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間に並列接続されたスイッチSf及び容量Cfで構成されている。
さらに、増幅回路26は、ノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に接続されたスイッチSrを有している。スイッチSrは、入力容量C2と並列に接続される。
この増幅回路26のリセット(アンプリセット)は、スイッチSr,Sfを両方ともオンすることで行う。その後の増幅動作時には、スイッチSr,Sfがオフした状態で、入力電圧Vinがアンプリセット時の電圧からΔVinだけ変化するとき、ノードN1の電圧VaがΔVaだけ変化し、出力電圧Voutが電位VrefからΔVoutだけ変化するものとする。すると、ΔVaは下記式1で表され、ΔVoutは下記式2で表される。式1を式2に代入することで、式3が得られる。
ΔVa=(C1/(C1+C2+Ca))*ΔVin …式1
ΔVout=−(C2/Cf)*ΔVa …式2
ΔVout=−[(C1*C2)/{Cf*(C1+C2+Ca)}]*ΔVin …式3
したがって、この増幅回路26のゲイン(ΔVout/ΔVin)は−[(C1*C2)/{Cf*(C1+C2+Ca)}]となる。ここで、C1/(C1+C2+Ca)は必ず1よりも小さくなる。よって、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値を1よりも小さくしつつ、(−C2/Cf)の絶対値を1以上に大きくして演算増幅器OPの信号フィードバック量を小さく設定することが簡単にでき、本実施の形態ではそのように設定されている。
ΔVout=−(C2/Cf)*ΔVa …式2
ΔVout=−[(C1*C2)/{Cf*(C1+C2+Ca)}]*ΔVin …式3
したがって、この増幅回路26のゲイン(ΔVout/ΔVin)は−[(C1*C2)/{Cf*(C1+C2+Ca)}]となる。ここで、C1/(C1+C2+Ca)は必ず1よりも小さくなる。よって、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値を1よりも小さくしつつ、(−C2/Cf)の絶対値を1以上に大きくして演算増幅器OPの信号フィードバック量を小さく設定することが簡単にでき、本実施の形態ではそのように設定されている。
本実施の形態では、増幅回路26は、絶対値が1よりも小さいゲイン(ΔVout/ΔVin)で増幅する機能を有しているので、前記第1の実施の形態と同様の利点が得られる。しかも、本実施の形態では、(−C2/Cf)の絶対値を1以上に大きくして演算増幅器OPの信号フィードバック量を小さくしているので、増幅回路26の安定化を図るための演算増幅器OPの回路設計が簡単になる。
なお、増幅回路26が有するスイッチSr,Sfは例えばトランジスタで構成され、そのゲートに制御信号を供給することで、スイッチSr,Sfのオンオフ状態を制御できるようになっている。この点は、後述する各実施の形態の増幅回路が有する各スイッチについても同様である。
[第3の実施の形態]
図4は、本発明の第3の実施の形態による固体撮像素子において用いられている増幅回路36を示す回路図である。本実施の形態が前記第2の実施の形態と異なる所は、各増幅回路26が増幅回路36で置き換えられている点のみである。増幅回路36は、以下に説明する構成を持つように、増幅回路26を改変したものである。
図4は、本発明の第3の実施の形態による固体撮像素子において用いられている増幅回路36を示す回路図である。本実施の形態が前記第2の実施の形態と異なる所は、各増幅回路26が増幅回路36で置き換えられている点のみである。増幅回路36は、以下に説明する構成を持つように、増幅回路26を改変したものである。
増幅回路36は、第1の容量C1と、第2の容量C2と、第3の容量Caと、第4の容量Cbと、第1乃至第5のスイッチS1〜S5と、−入力端子と第2の所定電位Vrefが印加される+入力端子とを有する演算増幅器OPと、演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間を一時的に短絡にするとともに演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する第1の帰還回路とを有している。垂直信号線14が増幅回路36の入力部、演算増幅器OPの出力端子が増幅回路36の出力部となっている。
第1のスイッチS1及び第1の容量C1は、前記入力部側からその順に、前記入力部と第1のノードN1との間に直列接続されている。第2のスイッチS2は、前記入力部と第1のノードN1との間に接続されている。第4の容量Cbは、第1のノードN1と接地部(第1の所定電圧としての接地電位が印加される部位としての接地部)との間に存在する寄生容量である。第3のスイッチS3は、第1のスイッチS1と第1の容量C1との間の第2のノードN2と演算増幅器OPの−入力端子との間に接続されている。第3の容量Ca及び第4のスイッチS4は、第1のノードN1側からその順に、第1のノードN1と接地部との間に直列接続されている。第5のスイッチS5は、第3の容量Caと第4のスイッチS4との間の第3のノードN3と演算増幅器OPの−入力端子との間に接続されている。第2の容量C2は、第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に接続されている。
第1の容量C1は、スイッチS1によって前記入力部と第1のノードN1との間に一時的に接続される第1の分圧容量を構成している。第4の容量Cbは、第4のスイッチS4がオフすることで、第1のノードN1と接地部との間に一時的に接続される第2の分圧容量を構成している。また、第3の容量Caと第4の容量Cbとの並列合成容量は、第4のスイッチS4がオンし第5のスイッチS5がオフすることで、第1のノードN1と接地部との間に一時的に接続される第2の分圧容量を構成している。したがって、この増幅回路36も、前記増幅回路26と同様に、前記入力部と接地部との間に、少なくとも一時的に前記入力部側からその順に直列接続される前記第1の分圧容量及び前記第2の分圧容量を有している。
第2の容量C2は、スイッチS5がオフすることで、第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に一時的に接続される入力容量を構成している。第2の容量C2と前記第3の容量Caとの並列合成容量は、スイッチS5がオンすることで、第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に一時的に接続される入力容量を構成している。したがって、この増幅回路36も、前記増幅回路26と同様に、第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に少なくとも一時的に接続される入力容量を有している。
この増幅回路36では、前記第1の帰還回路は、演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間に並列接続されたスイッチSf及びk個の直列回路で構成されている。各直列回路は、kを1からi(iは2以上の整数)までの整数としたとき、スイッチS7−k及び容量Cf−kからなる直列回路である。前記第1の帰還回路の容量値は、スイッチSfがオフしているときに、スイッチS7−1〜S7−iのオンオフ状態に応じた可変の容量値となる。以下の説明及び表5では、スイッチS7−1〜S7−iのオンオフ状態に応じて定まる前記第1の帰還回路の容量値をCfとする。
図5に、増幅回路36が作動し得る4つのモード(1)〜(4)毎の、アンプリセット時の各スイッチS1〜S5,S7−1〜S7−i,Sfのオンオフ状態と、その後の増幅動作時の各スイッチS1〜S5,S7−1〜S7−i,Sfのオンオフ状態と、得られるゲインΔVout/ΔVinを示す。
増幅回路36では、各スイッチの設定により、モード(1)からモード(4)まで順に、モード(1)の絶対値が最も低いゲインからモード(4)の絶対値が最も高いゲインまで得ることができる。モード(1)の状態は、増幅回路26と実質的に同じ状態となる。よって、増幅回路36のモード(1)において、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値を1よりも小さくしつつ、(−C2/Cf)の絶対値を1以上に大きくして演算増幅器OPの信号フィードバック量を小さく設定することが簡単にでき、本実施の形態ではそのように設定されている。
また、本実施の形態では、増幅回路36のモード(4)において、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値は1よりも大きく設定されている。図5から、そのような設定も容易に行うことができることが理解できる。
このように、本実施の形態によれば、前記第2の実施の形態と同様の利点が得られる上に、絶対値が1よりも小さいゲインの他に、絶対値が1以上のゲインを得ることができる。したがって、例えば、低感度設定時はゲインを低く、高感度設定時にはゲインを高くすることにより、低感度時のダイナミックレンジの拡大と高感度時の高S/N化を図ることができる。
[第4の実施の形態]
前記第3の実施の形態で用いられている増幅回路36では、前述したように種々の利点が得られるが、ゲインの設定が複雑であり、モード変化させ、ゲイン変化させたとき、個々のゲインを関連させながらゲインを所定の値に設計するのは煩雑で難しい。
前記第3の実施の形態で用いられている増幅回路36では、前述したように種々の利点が得られるが、ゲインの設定が複雑であり、モード変化させ、ゲイン変化させたとき、個々のゲインを関連させながらゲインを所定の値に設計するのは煩雑で難しい。
本発明者は、研究の結果、前述した増幅回路36のような回路において、少なくとも一時的に演算増幅器OPの出力端子と前記第1のノードN1との間に所定容量値を形成する第2の帰還回路を設けることで、ゲインの値に関する回路設計が簡単になることを見出した。本発明の第4の実施の形態はこのような知見に基づくものである。
図6は、本発明の第4の実施の形態による固体撮像素子による固体撮像素子において用いられている増幅回路46を示す回路図である。本実施の形態が前記第3の実施の形態と異なる所は、各増幅回路36が増幅回路46で置き換えられている点のみである。
増幅回路46は、第1の容量C1と、第2の容量C2と、第3の容量Caと、第4の容量Cf2と、第5の容量Cf1と、第1乃至第7のスイッチS1〜S7と、−入力端子と第2の所定電位Vrefが印加される+入力端子とを有する演算増幅器OPと、演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間を一時的に短絡にするとともに演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する第1の帰還回路と、少なくとも一時的に前記出力端子と前記第1のノードとの間に所定容量値を形成する第2の帰還回路とを有している。本実施の形態では、前記第2の帰還回路を構成する少なくとも一部の容量が、前記第1の帰還回路を構成する少なくとも一部の容量と兼用されている。垂直信号線14が増幅回路46の入力部、演算増幅器OPの出力端子が増幅回路46の出力部となっている。
第1の容量C1は、前記入力部と第1のノードN1との間に接続されている。第1のスイッチS1及び第2の容量C2は、第1のノードN1側からその順に、第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に直列接続されている。第2のスイッチS2は、第1のスイッチS1と第2の容量C2との間の第2のノードN2と前記入力部との間に接続されている。第7のスイッチS7及び第3の容量Caは、第1のノードN1と接地部(第1の所定電圧としての接地電位が印加される部位としての接地部)との間に直列接続されている。第3のスイッチS3は、第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に接続されている。
前記第1の帰還回路は、第4の容量Cf2、第5の容量Cf1、第5及び第6のスイッチS5,S6並びにスイッチSfを有している。第5のスイッチS5及び第4の容量Cf2は、演算増幅器OPの−入力端子側からその順に、演算増幅器OPの−第1の入力端子と出力端子との間に直列接続されている。第6のスイッチS6及び第5の容量Cf1は、演算増幅器OPの−入力端子と出力端子との間に直列接続されている。スイッチSfは、演算増幅器OPの−入力端子と出力端子との間に直列接続されている。
第4のスイッチS4は、第5のスイッチSと第4の容量Cf2との間の第3のノードN3と第1のノードN1との間に接続されている。前記第2の帰還回路は、第4の容量Cf2及び第4のスイッチS4から構成されている。第4の容量Cf2は、前記第1及び第2の帰還回路として兼用されている。もっとも、両者を兼用せずに、例えば、第4のスイッチS4を第3のノードN3に接続せずに、第1のノードN1と演算増幅器OPの出力端子との間に、第4のスイッチS4と第2の帰還回路専用の容量との直列回路を接続してもよい。
第1の容量C1は、前記入力部と第1のノードN1との間に接続される第1の分圧容量を構成している。第3の容量Caは、スイッチS7によって第1のノードN1と接地部との間に一時的に接続される第2の分圧容量を構成している。第2の容量C2は、スイッチS1によって第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に一時的に接続される入力容量を構成している。
第1の容量C1は、前記入力部と第1のノードN1との間に接続される第1の分圧容量を構成している。第3の容量Caは、スイッチS7によって第1のノードN1と接地部との間に一時的に接続される第2の分圧容量を構成している。第2の容量C2は、スイッチS1によって第1のノードN1と演算増幅器OPの−入力端子との間に一時的に接続される入力容量を構成している。
図7に、増幅回路46が作動し得る5つのモード(1)〜(5)毎の、アンプリセット時の各スイッチS1〜S7,Sfのオンオフ状態と、その後の増幅動作時の各スイッチS1〜S7,Sfのオンオフ状態と、得られるゲインΔVout/ΔVinを示す。
増幅回路46では、各スイッチの設定により、モード(1)からモード(5)まで順に、モード(1)の絶対値が最も低いゲインからモード(5)の絶対値が最も高いゲインまで得ることができる。モード(1)の状態は、増幅回路26と実質的に同じ状態となる。よって、増幅回路36のモード(1)において、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値を1よりも小さくしつつ、(−C2/Cf)の絶対値を1以上に大きくして演算増幅器OPの信号フィードバック量を小さく設定することが簡単にでき、本実施の形態ではそのように設定されている。なお、ここでは、Cfは、第4及び第5の容量Cf2,Cf1の並列合成容量である。
また、モード(2)では、後述する設計例(図8)に示すように、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値を1よりも小さくすることができる。また、モード(2)では、演算増幅器OPのフィードバックループの閉ループゲインは、(−C2/Cf1)*{Cf2/(C1+C2+Ca)}となる。この閉ループゲインが1よりも小さければ、発振を防止して増幅回路46の安定化を図るための演算増幅器OPの回路設計が簡単になる。後述する設計例に示すように、この閉ループゲインを1よりも小さくすることができる。本実施の形態では、モード(2)では、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値が1よりも小さく設定されるとともに、前記閉ループゲインが1よりも小さく設定されている。
本実施の形態では、後述する設計例に示すように、増幅回路46のモード(3)〜(5)において、ゲイン(ΔVout/ΔVin)の絶対値は1よりも大きく設定されている。後述する設計例から、そのような設定も容易に行うことができることが理解できる。
本実施の形態によれば、前述した第3の実施の形態と同様の利点が得られる他、増幅回路46のゲインを簡単な式で設計できるようになり、ゲインの値に関する回路設計が簡単になる。この点を、以下の具体的な設計例を説明することによって明らかにする。
この設計例では、図6に示す増幅回路46において、C1=C2=C0、Cf1=Cf2=a*C0、Ca=b*C0とおいて、a、bの設計値を求める。
このとき、図7に示すモード(3)のゲインは、−1/(2*a)となる。今、画素11の出力(垂直信号線14の信号)の信号振幅とAD変換器20の入力レンジから決まる最低ゲインGmin(ただし、絶対値)が与えられたものとする。このとき、図7に示すモード(3)のゲインを−2*Gminに設定するものとする。したがって、−1/(2*a)=−2*Gminが成立する。よって、a=1/(4*Gmin)となる。
ところで、図7に示すモード(3)では、図2に示す増幅回路16と実質的に同じ状態となる。したがって、図7に示すモード(3)で、演算増幅器OPの信号フィードバック量を小さくし、モード(3)の増幅回路46の安定化を図るための演算増幅器OPの回路設計を簡単にするためには、ゲインの絶対値を1以上にする必要がある。このため、図7に示すモード(3)のゲインを−2*Gminに設定することから、Gmin≧0.5である必要がある。また、前述したように図7に示すモード(3)のゲインは−1/(2*a)であるので、a≦0.5にする必要がある。勿論、0<aでなければならない。よって、0<a≦0.5である必要がある。以上から、結局、Gmin≧0.5が適用範囲である。
図7に示すモード(2)のゲインに、C1=C2=C0及びCf1=Cf2=a*C0、Ca=b*C0を代入すると、図7に示すモード(2)のゲインは、−1/(a2+3*a+a*b)となる。今、図7に示すモード(2)のゲインを−Gminに設定するものとする。ここでは、図7に示すモード(2)のゲインの絶対値を1よりも小さくするので、Gmin<1となる。前述したように、a=1/(4*Gmin)であるので、−Gmin=−1/(4*a)となる。したがって、−1/(a2+3*a+a*b)=−1/(4*a)が成立する。これをbについて解くと、b=1−aとなる。この式に、前述したa=1/(4*Gmin)を代入すると、b=1−{1/(4*Gmin)}となる。なお、図7に示すモード(2)のゲインには、Caが含まれているが、そのCaの設計値は、浮遊容量(寄生容量)分を見積もってその分を差し引いて使用する。
前述したように、図7に示すモード(3)のゲインを−2*Gminと設定し、図7に示すモード(2)のゲインを−Gminと設定した。そして、図7に示すモード(1),(4),(5)の各ゲインに、C1=C2=C0、Cf1=Cf2=a*C0、Ca=b*C0、及び先に求めたa,bを代入すると、これらの各ゲインは図8に示す通りとなる。
以上の結果を整理すると、図7に示すモード(1)〜(5)のゲインは、図8に示す通りとなる。図8中のモード(1)〜(5)は図7中のモード(1)〜(5)とそれぞれ同一である。図6に示す回路において、設計時に、0.5≦Gmin<1の条件下で画素11の出力の信号振幅とAD変換器20の入力レンジからGminを設定し、C1=C2=C0、Cf1=Cf2=a*C0、Ca=b*C0と設定し、a=1/(4*Gmin)、b=1−{1/(4*Gmin)}とすれば、図8中のモード(2)〜(5)のゲインとして、2倍ずつの関係にある−Gmin、−2*Gmin、−4Gmin、−8Gminが得られることがわかる。−Gminの絶対値は1よりも小さく、−2*Gmin絶対値、−4Gminの絶対値及び−8Gminの絶対値は1よりも大きい。このような4個のゲインは、−Gmin=Aとし、nを0からm(ここでは、m=3)までの整数としたとき、2n*Aで表される(m+1)個のゲインとなっている。このような2倍ずつのゲインは、固体撮像素子において感度設定に際し非常に都合が良い。なお、この場合、図8中のモード(1)のゲインは、2倍ずつの関係にないので、必ずしも用いなくてもよい。
前述したように、図7及び図8中のモード(2)では、演算増幅器OPのフィードバックループの閉ループゲインは、(−C2/Cf1)*{Cf2/(C1+C2+Ca)}である。この閉ループゲインにC1=C2=C0、Cf1=Cf2=a*C0、Ca=b*C0、及び先に求めたa,bを代入して、この閉ループゲインを求め、0.5≦Gmin<1であることを考慮すると、この閉ループゲインは、1よりも小さくなる。図7及び図8中のモード(2)において、発振を防止して増幅回路46の安定化を図るための演算増幅器OPの回路設計が簡単になる。
図8中のゲインよりも大きいゲインも得るには、帰還回路における通常の可変容量の手法に従って、例えば、容量Cf1を分割して、Cf1=a*C0*(1/2+1/4+1/8+1/8)として、Cf1/2、Cf1/4等を使用すればよい。
[第5の実施の形態]
図9は、本発明の第5の実施の形態による固体撮像素子101を示す回路図である。図10は、図9中の1つの増幅回路56を示す回路図である。
図9は、本発明の第5の実施の形態による固体撮像素子101を示す回路図である。図10は、図9中の1つの増幅回路56を示す回路図である。
本実施の形態が前記第1の実施の形態と異なる所は、増幅回路16に代えて増幅回路56が設けられている点と、AD変換器20及び水平出力バス線21に代えてサンプリング部17、水平信号線18N,18S、出力アンプAPN,APS及びトランジスタRTHN,RTHSが設けられている点のみである。
増幅回路56は、図2に示す増幅回路16において、帰還容量Cfに代えてスイッチSf1〜Sf4及び容量Cf1,Cf2,Cf31,Cf32,Cf4が設けられ、可変の容量値を得るように構成されている。この増幅回路56は、容量Ci,Cf1,Cf2,Cf31,Cf32,Cf4の容量値を適宜設定することで、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能及び絶対値が1以上のゲインで増幅する機能を有するようになっている。例えば、Ci=Cf4=4*C0、Cf1=Cf2=Cf31=Cf32=C0、Cf4=4*C0と設定することで、スイッチSf1〜Sf4のオンオフ状態に応じて、0.5、1、2、4のゲイン(ΔVout/ΔVin)を得ることができる。
各サンプリング部17は、第1の容量CSと、第2の容量CNとを有している。本実施の形態では、第1の容量CSは、光信号を蓄積する容量である。第2の容量CNは、前記光信号から差し引くべきノイズ成分を含む差分用信号を蓄積する容量である。また、各サンプリング部17は、第1及び第2の入力スイッチTVS,TVNと、第1及び第2の出力スイッチTHS,THNとを有している。各サンプリング部17は、対応する増幅回路56の出力信号Voutを制御信号φTVN,φTVSに従ってサンプリングして保持するとともに、当該保持された信号を水平走査回路13からの水平走査信号φHに従って水平信号線18N,18Sへ供給する。水平信号線18N,18Sに出力された光信号及び差分用信号はそれぞれそれぞれ出力アンプAPS,APNを介して増幅され、外部信号処理部(図示せず)へ出力される。図面には示していないが、この外部信号処理部は、出力アンプAPS,APNの出力間の差分を、差動アンプ等によって得る。これにより相関2重サンプリングが実現される。このサンプリング部17は、増幅回路56のオフセットを取り除くために設けられている。
図11は、本実施の形態による固体撮像素子101の読み出し動作の一例を示すタイミングチャートである。本実施の形態では、メカニカルシャッタ(図示せず)が所定の露光期間だけ開かれて各画素11のフォトダイオードPDの電荷蓄積層に電荷が蓄積された後、1行ずつ順次選択され、各1行について順次同じ動作が行われていく。図11中の各信号がハイレベルのときに、対応するトランジスタ(スイッチ)がオンするようになっている。φSfは増幅回路56のスイッチSfの制御信号であり、φSfのハイレベルの期間がアンプリセット期間である。
なお、図11には示していないが、所望のゲインに応じてスイッチSf1〜Sf4のオンオフ状態を設定する制御信号が供給されることは、言うまでもない。
本実施の形態によれば、増幅回路56は絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有しているので、増幅回路56の後段の回路である外部回路(図示せず)が受け取れる電圧振幅が、画素11の出力可能な電圧振幅に対応する振幅よりも小さくて、画素11から大きなレベルの電圧が出力される場合であっても、前記外部回路への信号伝達を適切に行うことができる。
また、本実施の形態で用いられている増幅回路56では、可変ゲインを得ることができ、絶対値が1よりも小さいゲインの他に、絶対値が1以上のゲインを得ることはできるので、例えば、低感度設定時はゲインを低く、高感度設定時にはゲインを高くすることにより、低感度時のダイナミックレンジの拡大と高感度時の高S/N化を図ることができる。
ただし、前記増幅回路56では、前記増幅回路16と同様に、その安定化を図るためには、演算増幅器OPの回路設計が比較的困難となる。
なお、本実施の形態において、増幅回路56に代えて、前述した増幅回路16,26,36,46のいずれを設けてもよい。また、前記第1の実施の形態において、増幅回路16に代えて、前記増幅回路56及び後述する増幅回路66のいずれを設けてもよい。
[第6の実施の形態]
図12は、本発明の第6の実施の形態による固体撮像素子において用いられている増幅回路66を示す回路図である。本実施の形態が前記第5の実施の形態と異なる所は、各増幅回路56が増幅回路66で置き換えられている点のみである。
図12は、本発明の第6の実施の形態による固体撮像素子において用いられている増幅回路66を示す回路図である。本実施の形態が前記第5の実施の形態と異なる所は、各増幅回路56が増幅回路66で置き換えられている点のみである。
増幅回路66が増幅回路56と異なる所は、スイッチSf4及び容量Cf4が除去されている点と、入力容量Ciに代えて、容量Ci1,Ci2及びスイッチSiが設けられている点のみである。本実施の形態では、容量Ci1,Ci2及びスイッチSiが、入力電圧Vinが印加される入力部と演算増幅器OPの−入力端子との間に接続され容量値が複数の異なる値に変わり得るように構成された入力容量回路を構成している。また、本実施の形態では、スイッチSf1〜Sf3,Sf及び容量Cf1,Cf2,Cf31,Cf32が、演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間を一時的に短絡にするとともに演算増幅器OPの出力端子と−入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する帰還回路を構成している。
この増幅回路66は、容量Ci1,Ci2,Cf1,Cf2,Cf31,Cf32の容量値を適宜設定することで、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能及び絶対値が1以上のゲインで増幅する機能を有するようになっている。例えば、Ci1=Ci2=2*C0、Cf1=Cf2=Cf31=Cf32=C0と設定することで、スイッチSi,Sf1〜Sf3のオンオフ状態に応じて、0.5、1、2、4のゲイン(ΔVout/ΔVin)を得ることができる。
本実施の形態によれば、前記第5の実施の形態と同様の利点の他、同じゲインを得るに際して、増幅回路66の占有面積を増幅回路56の占有面積に比べて低減することができるという利点も得られる。この点について以下に説明する。
前記増幅回路56では、入力容量Ciが固定されているので、比較的小さいゲイン値を得るためには、帰還回路の容量値を大きくしなければならない。したがって、増幅回路56の占有面積が増大してしまう。これに対し、増幅回路66では、入力容量回路が可変容量値を持つので、比較的小さいゲイン値を得る場合には、帰還回路の容量値を大きくすることなく、入力容量回路の容量値を比較的小さい値にすればよい。したがって、増幅回路66の占有面積を低減することができるのである。
例えば、ゲイン0.5、1、2、4を得るための増幅回路56の前述した容量設定例と、同じゲイン0.5、1、2、4を得るための増幅回路66の前述した容量設定例とを比較すると、増幅回路66では増幅回路56のCf4=4*C0が除去されているので、その分の占有面積を低減することができる。なお、入力側の容量について比較すると、増幅回路66のCi1=2*C0及びCi2=2*C0の占有面積と増幅回路56のCi=4*C0の占有面積とほぼ等しい。
ところで、本実施の形態では、増幅回路56は、前述したように、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能及び絶対値が1以上のゲインで増幅する機能を有するように、各容量の容量値が設定されている。しかしながら、本発明では、本実施の形態において、増幅回路56が、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有することなく、絶対値が1以上のゲインで増幅する機能を有するように、各容量の容量値を設定してもよい。この場合、例えば、Ci1=Ci2=4*C0、Cf1=Cf2=Cf31=Cf32=C0と設定することで、1、2、4、8のゲインを得ることができる。この場合、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能に伴う利点は得ることができないものの、同じゲインを得るに際して増幅回路56の占有面積を低減することができるという利点は得られる。
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
1,101 固体撮像素子
11 画素
14 垂直信号線
16,26,36,46,56 増幅回路
20 AD変換器
11 画素
14 垂直信号線
16,26,36,46,56 増幅回路
20 AD変換器
Claims (12)
- 入射光を光電変換する画素と、
前記画素からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が1よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路と、
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記増幅回路のゲインは、前記増幅回路の入力信号の変化分に対する前記増幅回路の出力信号の変化分の比であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記増幅回路のゲインは、互いに異なる複数のゲインに可変であり、
前記複数のゲインは、絶対値が1よりも小さいゲインの他に絶対値が1以上のゲインを1つ以上含み、
nを0からm(mは1以上の整数)までの整数とし、Aを絶対値が1より小さい所定のゲインであるとしたとき、前記複数のゲインは、2n*Aで表される(m+1)個のゲインを含む、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。 - 前記増幅回路は、前記画素からの信号又はこれに応じた信号の入力部と第1の所定電位が印加される部位との間に少なくとも一時的に前記入力部側からその順に直列接続される第1及び第2の分圧容量と、第1の入力端子と第2の所定電位が印加される第2の入力端子とを有する演算増幅器と、前記第1及び第2の分圧容量間の第1のノードと前記第1の入力端子との間に少なくとも一時的に接続される入力容量と、前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間を一時的に短絡にするとともに前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する第1の帰還回路と、を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に接続されたスイッチを備えたことを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
- 第1乃至第4の容量並びに第1乃至第5のスイッチを備え、
前記第1のスイッチ及び前記第1の容量は、前記入力部側からその順に、前記入力部と前記第1のノードとの間に直列接続され、
前記第2のスイッチは、前記入力部と前記第1のノードとの間に接続され、
前記第3のスイッチは、前記第1のスイッチと前記第1の容量との間の第2のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、
前記第3の容量及び前記第4のスイッチは、前記第1のノード側からその順に、前記第1のノードと前記部位との間に直列接続され、
前記第5のスイッチは、前記第3の容量と前記第4のスイッチとの間の第3のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、
前記第2の容量は、前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、
前記第4の容量は、前記第1のノードと前記部位との間の容量であり、
前記第1の分圧容量は前記第1の容量からなり、
前記第2の分圧容量は、前記第4の容量からなるかあるいは前記第3の容量と前記第4の容量との並列合成容量からなり、
前記入力容量は、前記第2の容量からなるかあるいは前記第2の容量と前記第3の容量との並列合成容量からなる、
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。 - 前記増幅回路は、少なくとも一時的に前記出力端子と前記第1のノードとの間に所定容量値を形成する第2の帰還回路を有することを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
- 前記第2の帰還回路を構成する少なくとも一部の容量が、前記第1の帰還回路を構成する少なくとも一部の容量と兼用されたことを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子。
- 第1乃至第5の容量並びに第1乃至第7のスイッチを備え、
前記第1の容量は、前記入力部と前記第1のノードとの間に接続され、
前記第1のスイッチ及び前記第2の容量は、前記第1のノード側からその順に、前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に直列接続され、
前記第2のスイッチは、前記第1のスイッチと前記第2の容量との間の第2のノードと前記入力部との間に接続され、
前記第7のスイッチ及び前記第3の容量は、前記第1のノードと前記部位との間に直列接続され、
前記第3のスイッチは、前記第1のノードと前記第1の入力端子との間に接続され、
前記第1の帰還回路は、前記第4及び第5の容量並びに前記第5及び第6のスイッチを有し、
前記第5のスイッチ及び前記第4の容量は、前記第1の入力端子側からその順に、前記第1の入力端子と前記出力端子との間に直列接続され、
前記第6のスイッチ及び前記第5の容量は、前記第1の入力端子と前記出力端子との間に直列接続され、
前記第4のスイッチは、前記第5のスイッチと前記第4の容量との間の第3のノードと前記第1のノードとの間に接続され、
前記第1の分圧容量は前記第1の容量からなり、
前記第2の分圧容量は前記第3の容量からなり、
前記入力容量は前記第2の容量からなり、
前記第2の帰還回路は、前記第4の容量及び前記第4のスイッチからなる、
ことを特徴とする請求項7又は8記載の固体撮像素子。 - 前記増幅回路は、第1の入力端子と所定電位が印加される第2の入力端子とを有する演算増幅器と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号の入力部と前記第1の入力端子との間に接続され容量値が複数の異なる値に変わり得るように構成された入力容量回路と、前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間を一時的に短絡にするとともに前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する帰還回路と、を有する、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。 - 入射光を光電変換する画素と、
前記画素からの信号又はこれに応じた信号が入力される増幅回路と、
を備え、
前記増幅回路は、第1の入力端子と所定電位が印加される第2の入力端子とを有する演算増幅器と、前記画素からの信号又はこれに応じた信号の入力部と前記第1の入力端子との間に接続され容量値が複数の異なる値に変わり得るように構成された入力容量回路と、前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間を一時的に短絡にするとともに前記演算増幅器の出力端子と前記第1の入力端子との間に一時的に所定容量値を形成する帰還回路と、を有する、
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記入力容量回路は、複数の容量及び1つ以上のスイッチを有し、
前記複数の容量及び前記1つ以上のスイッチは、前記入力容量回路の容量値が前記1つ以上のスイッチのオンオフ状態に応じて前記複数の異なる値に変わり得るように、接続された、
ことを特徴とする請求項10又は11記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009245166A JP2011091724A (ja) | 2009-10-26 | 2009-10-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009245166A JP2011091724A (ja) | 2009-10-26 | 2009-10-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011091724A true JP2011091724A (ja) | 2011-05-06 |
Family
ID=44109531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009245166A Pending JP2011091724A (ja) | 2009-10-26 | 2009-10-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011091724A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2009
- 2009-10-26 JP JP2009245166A patent/JP2011091724A/ja active Pending
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