JP2011086865A - 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 - Google Patents
発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011086865A JP2011086865A JP2009240407A JP2009240407A JP2011086865A JP 2011086865 A JP2011086865 A JP 2011086865A JP 2009240407 A JP2009240407 A JP 2009240407A JP 2009240407 A JP2009240407 A JP 2009240407A JP 2011086865 A JP2011086865 A JP 2011086865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- rod
- emitting device
- shaped structure
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/95053—Bonding environment
- H01L2224/95085—Bonding environment being a liquid, e.g. for fluidic self-assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
- H01L2224/95143—Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium
- H01L2224/95145—Electrostatic alignment, i.e. polarity alignment with Coulomb charges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】棒状のn型GaNからなる半導体コア11と、上記半導体コア11の一部を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層12とを有すると共に、半導体コア11の一部の外周面が露出した棒状構造発光素子10と、棒状構造発光素子10の長手方向が実装面に平行になるように棒状構造発光素子10が実装された絶縁性基板16とを備える。
【選択図】図1
Description
棒状の第1導電型の半導体コアと、上記半導体コアを覆うように形成された第2導電型の半導体層とを有すると共に、上記半導体コアの一部の外周面が露出した棒状構造発光素子と、
上記棒状構造発光素子の長手方向が実装面に平行になるように上記棒状構造発光素子が実装された基板と
を備えたことを特徴とする。
上記半導体コアの一端側の外周面が露出している。
上記半導体コアの他端側の端面を上記半導体層により覆っている。
上記半導体コアの露出領域の外周面が、上記半導体層に覆われた領域の最外周面の延長面と略一致している。
上記半導体コアの上記半導体層に覆われた領域の外周面と上記半導体コアの露出領域の外周面とが連続している。
上記棒状構造発光素子の上記半導体コアと上記半導体層との間に量子井戸層を形成した。
上記棒状構造発光素子の上記半導体層を覆うように透明電極を形成した。
上記棒状構造発光素子の上記透明電極上かつ上記基板側に金属層を形成した。
上記棒状構造発光素子は、一端側の外周面が露出した露出部分を有し、
上記基板上に所定の間隔をあけて電極が形成され、
上記基板上の上記一方の電極に上記棒状構造発光素子の一端側の上記露出部分が接続されると共に、上記基板上の上記他方の電極に上記棒状構造発光素子の他端側の上記半導体層が接続され、
上記基板上の上記電極間かつ上記棒状構造発光素子の下側に金属部を形成した。
上記のいずれか1つの発光装置を備えたことを特徴とする。
上記のいずれか1つの発光装置を備えたことを特徴とする。
上記のいずれか1つの発光装置を備えたことを特徴とする。
図1はこの発明の第1実施形態の発光装置の斜視図を示している。この第1実施形態の発光装置は、図1に示すように、絶縁性基板16と、絶縁性基板16上に長手方向が絶縁性基板16の実装面に平行になるように実装された棒状構造発光素子10とを備えている。上記棒状構造発光素子10は、断面がほぼ六角形の棒状のn型GaNからなる半導体コア11と、上記半導体コア11の一部を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層12とを有する。上記半導体コア11は、一端側の外周面が露出する露出部分11aが形成されている。また、半導体コア11の他端側の端面は、半導体層12に覆われている。
図2はこの発明の第2実施形態の発光装置の斜視図を示している。この第2実施形態の発光装置は、図2に示すように、絶縁性基板26と、絶縁性基板26上に長手方向が絶縁性基板26の実装面に平行になるように実装された棒状構造発光素子20とを備えている。上記棒状構造発光素子20は、断面がほぼ六角形の棒状のn型GaNからなる半導体コア21と、上記半導体コア21の一部を覆うように形成されたp型InGaNからなる量子井戸層22と、上記量子井戸層22を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層23とを有する。上記半導体コア21は、一端側の外周面が露出する露出部分21aが形成されている。また、半導体コア21の他端側の端面は、量子井戸層22と半導体層23に覆われている。
図3はこの発明の第3実施形態の発光装置の斜視図を示している。この第3実施形態の発光装置は、図3に示すように、絶縁性基板36と、絶縁性基板36上に長手方向が絶縁性基板36の実装面に平行になるように実装された棒状構造発光素子30とを備えている。上記棒状構造発光素子30は、断面がほぼ六角形の棒状のn型GaNからなる半導体コア31と、上記半導体コア31の一部を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層32と、上記半導体層32を覆うように形成された透明電極33とを備えている。上記半導体コア31は、一端側の外周面が露出する露出部分31aが形成されている。また、半導体コア31の他端側の端面は、半導体層32と透明電極33に覆われている。上記透明電極33は、膜厚200nmのITO(錫添加酸化インジウム)により形成されている。MOCVD装置でp型GaNからなる半導体層32まで形成した後、n型GaNからなる基板ごとMOCVD装置から蒸着装置、あるいはスパッタ装置に移して半導体層32を覆うようにITOを成膜する。ITO膜の成膜後、500℃から600℃で熱処理を行うことにより、p型GaNからなる半導体層32とITOからなる透明電極33間の抵抗を下げることができる。なお、透明電極は、これに限らず、例えば厚さ5nmのAg/Niの積層金属膜などを用いてもよい。Ag/Niの積層金属膜の成膜には蒸着法あるいはスパッタ法を用いることができる。より電極層の抵抗を下げるために、上記ITOを成膜後にAg/Niの積層金属膜を積層してもよい。
図4はこの発明の第4実施形態の発光装置の斜視図を示している。この第4実施形態の発光装置は、図4に示すように、絶縁性基板46と、絶縁性基板46上に長手方向が絶縁性基板46の実装面に平行になるように実装された棒状構造発光素子40とを備えている。上記棒状構造発光素子40は、断面がほぼ六角形の棒状のn型GaNからなる半導体コア41と、上記半導体コア41の一部を覆うように形成されたp型InGaNからなる量子井戸層42と、上記量子井戸層42を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層43と、上記半導体層43を覆うように形成された透明電極44とを備えている。上記半導体コア41は、一端側の外周面が露出する露出部分41aが形成されている。また、半導体コア41の他端側の端面は、量子井戸層42と半導体層43と透明電極44に覆われている。上記透明電極43は、ITO(錫添加酸化インジウム)により形成されている。なお、透明電極は、これに限らず、例えば厚さ5nmのAg/Niの積層金属膜などを用いてもよい。
図5はこの発明の第5実施形態の発光装置の側面図を示している。この第5実施形態の発光装置は、図5に示すように、絶縁性基板56と、絶縁性基板56上に長手方向が絶縁性基板56の実装面に平行になるように実装された棒状構造発光素子50とを備えている。上記棒状構造発光素子50は、断面がほぼ六角形の棒状のn型GaNからなる半導体コア51と、上記半導体コア51の一部を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層52と、上記半導体層52を覆うように形成された透明電極53とを備えている。上記半導体コア51は、一端側の外周面が露出する露出部分51aが形成されている。上記透明電極53上かつ絶縁性基板56側にAlからなる金属層54を形成している。上記金属層54は、透明電極53の外周面の下側略半分を覆っている。また、半導体コア51の他端側の端面は、半導体層52と透明電極53に覆われている。上記透明電極53は、ITOにより形成されている。なお、透明電極は、これに限らず、例えば厚さ5nmのAg/Niの積層金属膜などを用いてもよい。また、金属層54は、Alに限らず、Cu,W,Ag,Auなどを用いてもよい。上記第5実施形態の棒状構造発光素子では、第3実施形態の発光装置の棒状構造発光素子と同様に、MOCVD装置を用いて、n型GaNからなる基板上にn型GaNを結晶成長させて棒状の半導体コア51を形成し、同MOCVD装置内でp型GaNからなる半導体層52まで形成した後、蒸着装置に移して半導体層52を覆うようにITOからなる透明電極53を形成する。ITO膜の成膜後の500℃から600℃で熱処理を行った後、蒸着装置に移し、透明電極53を覆うようにAlを成膜する。次いで、上記第1実施形態と同様に、リフトオフにより半導体コアを覆う半導体層、透明電極、およびAl層、並びにマスクを取り除き、半導体コア51の一部を露出させた後、超音波を利用してn型GaNからなる基板から棒状構造発光素子を切り離す。そして、絶縁性基板56の実装面に棒状構造発光素子の長手方向が平行に配置する。さらに、異方性ドライエッチングにより、上記Alからなる金属層のうち、透明電極53上かつ絶縁性基板56側ではない部分をエッチバックすることで、透明電極53の外周面の下側略半分を覆う金属層54を形成することができる。Alからなる金属層のエッチバックは、半導体プロセスで使用する公知のAlのドライエッチング方法を使用することができる。
図6はこの発明の第6実施形態の発光装置の側面図を示している。この第6実施形態の発光装置は、図6に示すように、絶縁性基板66と、絶縁性基板66上に長手方向が絶縁性基板66の実装面に平行になるように実装された棒状構造発光素子60とを備えている。上記棒状構造発光素子60は、断面がほぼ六角形の棒状のn型GaNからなる半導体コア61と、上記半導体コア61の一部を覆うように形成されたp型InGaNからなる量子井戸層62と、上記量子井戸層62を覆うように形成されたp型GaNからなる半導体層63と、上記半導体層63を覆うように形成された透明電極64とを備えている。上記半導体コア61は、一端側の外周面が露出する露出部分61aが形成されている。上記透明電極64上かつ絶縁性基板66側にAlからなる金属層65を形成している。上記金属層65は、透明電極64の外周面の下側略半分を覆っている。上記透明電極64は、ITOにより形成されている。なお、透明電極は、これに限らず、例えば厚さ5nmのAg/Niの積層金属膜などを用いてもよい。また、金属層65は、Alに限らず、Cu,W,Ag,Auなどを用いてもよい。
図10はこの発明の第7実施形態の発光装置の側面図を示し、図11は上記発光装置の斜視図を示している。この第7実施形態では、上記第1〜第6実施形態の発光装置の棒状構造発光素子のいずれか1つを用いる。図11では、第2実施形態の発光装置の棒状構造発光素子と同一の構成の棒状構造発光素子を示している。
図19はこの発明の第8実施形態の発光装置の側面図を示し、図20は上記発光装置の斜視図を示している。この第8実施形態では、上記第1〜第7実施形態の発光装置の棒状構造発光素子のいずれか1つを用いる。図20では、第2実施形態の発光装置の棒状構造発光素子と同一の構成の棒状構造発光素子を示している。
11a,21a,31a,41a,51a,61a,71a,81a,171a…露出部分
12,23,32,43,52,63,72,83,173…半導体層
22,42,62,82,172…量子井戸層
33,44,53,64,73,84…透明電極
16,26,36,46,56,66,150…絶縁性基板
151,152,161,162,163…金属電極
10,20,30,40,50,60,70,80,160…棒状構造発光素子
200…表示装置
Claims (12)
- 棒状の第1導電型の半導体コアと、上記半導体コアを覆うように形成された第2導電型の半導体層とを有すると共に、上記半導体コアの一部の外周面が露出した棒状構造発光素子と、
上記棒状構造発光素子の長手方向が実装面に平行になるように上記棒状構造発光素子が実装された基板と
を備えたことを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
上記半導体コアの一端側の外周面が露出していることを特徴とする発光装置。 - 請求項2に記載の発光装置において、
上記半導体コアの他端側の端面を上記半導体層により覆っていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1から3までのいずれか1つに記載の発光装置において、
上記半導体コアの露出領域の外周面が、上記半導体層に覆われた領域の最外周面の延長面と略一致していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1から3までのいずれか1つに記載の発光装置において、
上記半導体コアの上記半導体層に覆われた領域の外周面と上記半導体コアの露出領域の外周面とが連続していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1から5までのいずれか1つに記載の発光装置において、
上記棒状構造発光素子の上記半導体コアと上記半導体層との間に量子井戸層を形成したことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から6までのいずれか1つに記載の発光装置において、
上記棒状構造発光素子の上記半導体層を覆うように透明電極を形成したことを特徴とする発光装置。 - 請求項7に記載の発光装置において、
上記棒状構造発光素子の上記透明電極上かつ上記基板側に金属層を形成したことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から8までのいずれか1つに記載の発光装置において、
上記棒状構造発光素子は、一端側の外周面が露出した露出部分を有し、
上記基板上に所定の間隔をあけて電極が形成され、
上記基板上の上記一方の電極に上記棒状構造発光素子の一端側の上記露出部分が接続されると共に、上記基板上の上記他方の電極に上記棒状構造発光素子の他端側の上記半導体層が接続され、
上記基板上の上記電極間かつ上記棒状構造発光素子の下側に金属部を形成したことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から9までのいずれか1つに記載の発光装置を備えたことを特徴とするバックライト。
- 請求項1から9までのいずれか1つに記載の発光装置を備えたことを特徴とする照明装置。
- 請求項1から9までのいずれか1つに記載の発光装置を備えたことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009240407A JP4887414B2 (ja) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 |
KR1020100099883A KR101178468B1 (ko) | 2009-10-19 | 2010-10-13 | 봉형상 구조 발광 소자, 봉형상 구조 발광 소자의 제조 방법, 백라이트, 조명 장치 및 표시 장치 |
US12/904,773 US8872214B2 (en) | 2009-10-19 | 2010-10-14 | Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device |
CN201010516174.5A CN102074631B (zh) | 2009-10-19 | 2010-10-19 | 棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009240407A JP4887414B2 (ja) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011270427A Division JP5242764B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011086865A true JP2011086865A (ja) | 2011-04-28 |
JP4887414B2 JP4887414B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=44079585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009240407A Active JP4887414B2 (ja) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4887414B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9190590B2 (en) | 2010-09-01 | 2015-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element and production method for same, production method for light-emitting device, illumination device, backlight, display device, and diode |
US9287242B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, illuminating device, and backlight |
KR20180009014A (ko) * | 2016-07-15 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
WO2020149475A1 (ko) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US20220052033A1 (en) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
JP7509806B2 (ja) | 2019-07-02 | 2024-07-02 | 三星ディスプレイ株式會社 | 発光素子、その製造方法および表示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006507692A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-03-02 | ナノシス・インコーポレイテッド | 大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用 |
JP2008235444A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-10-19 JP JP2009240407A patent/JP4887414B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006507692A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-03-02 | ナノシス・インコーポレイテッド | 大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用 |
JP2008235444A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9287242B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, illuminating device, and backlight |
US9190590B2 (en) | 2010-09-01 | 2015-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element and production method for same, production method for light-emitting device, illumination device, backlight, display device, and diode |
KR20180009014A (ko) * | 2016-07-15 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
KR102592276B1 (ko) | 2016-07-15 | 2023-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
WO2020149475A1 (ko) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN113330571A (zh) * | 2019-01-15 | 2021-08-31 | 三星显示有限公司 | 发光器件及包括发光器件的显示装置 |
US11967607B2 (en) | 2019-01-15 | 2024-04-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device and display device comprising same |
JP7509806B2 (ja) | 2019-07-02 | 2024-07-02 | 三星ディスプレイ株式會社 | 発光素子、その製造方法および表示装置 |
US20220052033A1 (en) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US11670628B2 (en) * | 2020-08-13 | 2023-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4887414B2 (ja) | 2012-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9287242B2 (en) | Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, illuminating device, and backlight | |
US11855239B2 (en) | Electrode assembly having lower electrode directly on the surface of a base substrate, a first electrode on the lower electrode, and the second electrode formed on and spaced apart from the first electrode | |
US20110089850A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method therefor | |
US8872214B2 (en) | Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device | |
JP5066164B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR20150098246A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드 | |
KR20130136906A (ko) | 나노와이어 led 구조와 이를 제조하기 위한 방법 | |
JP4887414B2 (ja) | 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 | |
KR20120138805A (ko) | 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치, 조명 장치, 백라이트, 액정 패널, 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치 | |
WO2013049008A2 (en) | Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same | |
JP5492822B2 (ja) | 発光装置、照明装置およびバックライト | |
WO2012172986A1 (ja) | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 | |
JP5014477B2 (ja) | 棒状構造発光素子の製造方法および表示装置の製造方法 | |
JP4912454B2 (ja) | 棒状構造発光素子の製造方法、棒状構造発光素子、バックライト、照明装置および表示装置 | |
JP5422712B2 (ja) | 棒状構造発光素子、バックライト、照明装置および表示装置 | |
JP5014403B2 (ja) | 棒状構造発光素子、発光装置、発光装置の製造方法、バックライト、照明装置および表示装置 | |
JP4848464B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5242764B2 (ja) | 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置 | |
JP5422628B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5378184B2 (ja) | 棒状構造発光素子、バックライト、照明装置および表示装置 | |
JP2011198697A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、照明装置およびバックライト | |
JP4897034B2 (ja) | 棒状構造発光素子、発光装置、発光装置の製造方法、バックライト、照明装置および表示装置 | |
JP2011119617A (ja) | 棒状構造発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111212 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4887414 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |