JP2011061029A - インプリント方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 インプリント装置において、樹脂の塗布及びパターンの転写における移動距離が無視できないほどの距離があり、スループットに影響を与えていた。
【解決手段】 モールドを保持する保持手段と基板に樹脂を塗布する塗布手段が並んでいる方向の複数のショット領域にパターンを転写する際、複数のショット領域に連続して樹脂を塗布（Ｓ１０６）した後、連続してパターンを転写（Ｓ１０８）する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、基板上に樹脂を塗布してモールドのパターンを転写するインプリント方法および装置に関する。

インプリント技術は、微細パターンが形成されたモールドを原版としてシリコンウエハやガラスプレート等の基板上に微細パターンを形成する技術のことである。この微細パターンは、基板上に樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板にモールドのパターンを押し付けた状態で、樹脂を硬化させることによって形成される。

現時点において実用化されているインプリント技術の一つに光硬化法がある。光硬化法では、光硬化型の樹脂を使用し、樹脂を介して基板にモールドのパターンを押し付ける。モールドを押し付けた状態で紫外線等の光を照射して樹脂を硬化させた後、樹脂からモールドを引き離すことにより基板上にパターンが形成される。

従来、上述のインプリント技術で複数のショット領域にパターンを形成する方法としては、樹脂の塗布とパターンの転写を基板上のショット領域毎に対して繰り返し実行する方法が知られている（特許文献１）。

特許第４１８５９４１号

上記のようなインプリント装置においてショット領域にパターンの転写を行うには、まず基板上のショット領域を塗布手段の塗布位置に移動させて、塗布手段により樹脂の塗布を行う。次に樹脂が塗布されたショット領域をモールドヘッドに保持されたモールドが有するパターンを転写する位置（ショット位置）の下へ移動させた後、パターンの転写を行う。このような処理を行うインプリント装置は、樹脂を塗布する塗布手段と、パターンの転写時に上下駆動を行うモールドヘッドとが、水平方向に並んで配置される。そのため、基板上の複数のショット領域に対してパターンを形成する場合には、塗布位置とモールドのパターンのショット位置との間を移動する基板の移動距離が、装置のスループットを考える上で無視することができない程の長さになる。そのため、基板を移動させるための移動量がスループットに影響を与えていた。

本発明は、上記のようなインプリント装置において、樹脂の塗布及びパターンの転写における移動距離を短縮することによってスループットを向上させることを目的とする。

本発明のインプリント方法は、モールドを保持する保持手段と基板に樹脂を塗布する塗布手段を備えたインプリント装置を用いて、前記モールドのパターンを前記基板に塗布された前記樹脂に転写する転写方法であって、前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向と同じ方向に並んでいる前記基板上のｎ個のショット領域に、前記樹脂を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で前記ｎ個のショット領域に前記樹脂を塗布した後、該ｎ個のショット領域に、前記パターンを該ショット領域毎に転写する転写工程と、を有し、前記塗布手段と前記モールドの距離（Ｄ）と、前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向の前記ショット領域の幅（Ｗ）は、下記式を満たし、前記塗布工程と前記転写工程を前記基板上で繰り返す、ことを特徴とする。
Ｄ＞（３／２−１／ｎ）Ｗ

本発明のインプリント方法によれば、ショット領域に樹脂を塗布してパターンの転写を行うために必要な基板の移動距離が短縮され、スループットを向上することができる。

実施例１におけるインプリント装置の構成を示す図 光硬化法によるパターン形成方法を説明する図 実施例１における塗布手段及びモールドの位置関係を示す図 実施例１における処理を示すフローチャート 実施例１におけるショット領域の選択の結果を示す図 実施例１における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 先行技術における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 実施例１における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 先行技術における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 実施例２におけるショット領域の選択の結果を示す図 実施例２における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 実施例２における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 実施例３における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 実施例４における樹脂の塗布とパターンの転写を説明する図 表示装置におけるショット領域の配置の表示内容を示す図

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。

図１を参照しながら本発明の好適な実施形態のインプリント装置ＩＭＰを説明する。インプリント装置ＩＭＰは、モールド１１を保持する保持手段（以下、インプリントヘッド３３）と、基板上に設定された複数のショット領域に対するインプリントの順番を制御する制御部３０１と、ショット領域に樹脂を塗布する塗布手段３２を備える。制御部３０１は、インプリントの順番の制御に加えて、ウエハステージ３１、塗布手段３２、インプリントヘッド３３及び光照射系３４を制御することができる。制御部３０１は、特定のデータを記憶および参照するためのメモリを有している。また、インプリント装置ＩＭＰは、不図示のウエハチャックによって基板（以下、ウエハ１２）を保持するウエハステージ３１と、モールド１１を介して樹脂に光３９を照射する光照射系３４を備えている。なお、図１のインプリント装置ＩＭＰにおいて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の原点はインプリントヘッド３３の中心に一致するように設定されている。ウエハステージ３１は、ＸＹＺ座標系における少なくともＸ方向及びＹ方向の２軸に関してウエハ１２の位置を制御することができる。本発明におけるウエハの移動とはウエハステージの駆動によるものである。

ウエハ上に設定された複数のショット領域のうち、所望のショット領域に樹脂を塗布するには、塗布手段３２による樹脂の吐出と、ウエハステージ３１によるウエハ１２の位置の制御を行う。

インプリントヘッド３３は、交換可能なモールド１１を保持しており、保持した状態で不図示のアクチュエータによって上下方向に駆動する。インプリントヘッド３３がアクチュエータによって下方に駆動されることによってモールド１１がウエハ１２に押し付けられる。インプリントヘッド３３がアクチュエータによって上方に駆動されることによってモールド１１がウエハ１２から引き離される。

図２を参照しながら光硬化法によるパターンの形成方法を説明する。まず、図２（ａ）のように樹脂１３をウエハ１２に塗布し、樹脂１３を介してモールド１１のパターン面１５をウエハ１２に押し付ける。光硬化法では、樹脂１３として紫外線等の光が照射されることによって硬化する樹脂を用い、モールド１１は紫外線等の光を透過する石英等の材料で作成される。また、モールド１１のパターン面１５にはパターン１６が形成されている。モールド１１をウエハ１２に押し付けると樹脂１３がパターン１６の凹部に毛細管現象によって進入する。

次に、図２（ｂ）のようにモールド１１がウエハ１２に押し付けられた状態で、モールド１１を介して樹脂１３に紫外線１４が照射される。紫外線１４が照射されることによって樹脂１３は硬化し、これによってモールド１１のパターン１６がウエハ１２上の樹脂１３に転写される。ここで、モールド１１をウエハ１２に押し付けるとは、モールド１１を樹脂１３を介してウエハ１２に押し付けることであり、図２（ｂ）のようにモールド１１のパターン１６がウエハ１２に接さなくてもよい。

最後に、図２（ｃ）のように樹脂１３からモールド１１が引き離される。樹脂１３は、パターン１６に対応する形状のままでウエハ１２上に留まる。モールド１１を引き離した後の、樹脂１３に転写されたパターンは、従来の露光装置のフォトリソグラフィー工程によって作成されたレジストパターンと同等のものとなっている。半導体デバイスの製造における以降の工程は、露光装置を用いた場合と同様に扱うことができる。本明細書では、インプリント技術によって基板の樹脂にパターンを形成あるいは転写することをインプリントと呼ぶ。

図３を参照しながら本実施例のインプリント装置ＩＭＰにおける樹脂の塗布およびパターンの転写に関係する部位の位置関係を説明する。図３は図１で説明した塗布手段３２とインプリントヘッド３３を−Ｚ方向から見た図である。

モールド１１には、パターンが形成されたパターン領域４３が設けられている。塗布手段３２は、インプリントヘッド３３の中心から＋Ｘ方向側に配置されている。また塗布手段３２は、インプリントヘッド３３の駆動と、塗布手段３２によって吐出される樹脂とが、互いに影響を与えない位置に配置されている。さらに、塗布手段３２には、吐出口４７がＹ方向に複数設けられている。また、ショット領域のＹ軸方向の幅に合わせて吐出口４７を設けることができる。図３には吐出口４７が１列のみ設けられた例を示しているが、複数列の吐出口４７を設けることもできる。

このようなインプリント装置ＩＭＰにおいてウエハ１２を−Ｘ方向へ移動させながら樹脂の塗布を行う場合、始めに対象とするショット領域を樹脂の塗布を開始する位置（塗布位置）４５に移動させる。その後、ウエハ１２を−Ｘ方向へ移動させながら、樹脂を吐出口４７から吐出してショット領域に樹脂を塗布する。樹脂が塗布されたショット領域にパターンの転写を行う場合、樹脂が塗布されたショット領域をパターン領域４３のＺ方向に設定されたパターンを転写する位置（ショット位置）４８にウエハ１２を移動させる。その後、パターンの転写を行う。

本明細書では、塗布手段３２の吐出口４７とモールド１１のパターン領域４３の中心までの距離をＤと定義する。ここで、パターン領域４３とは、ウエハ１２上のショット領域に対応する領域のことであり、この領域内にパターン１６が形成されている。またパターン領域４３に対応するウエハ上に設定されたショット領域のうちＸ方向の幅をＷと定義する。また塗布位置４５及びショット位置４８は、それぞれパターン領域４３と吐出口４７に対してＺ軸が一致した位置に決まればよく、Ｚ方向の高さを限定する必要は無い。

図４を参照しながらインプリント装置ＩＭＰにおけるインプリント動作について説明する。以下に示す一連の処理の流れは、インプリント装置ＩＭＰの制御部３０１で制御される。制御部３０１のメモリには、ウエハ上に設定された複数のショット領域のショット番号やウエハ上の位置等のデータが予め記憶されている。また、以下の説明では、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチで配置された複数のショット領域のうち、Ｘ方向の並びを行と呼び、Ｙ方向の並びを列と呼ぶことにする。

パターンを形成するウエハがウエハステージによって保持され、モールドがモールドヘッドに保持された状態でインプリント動作を開始する（Ｓ１００）。

ステップＳ１０２は、本実施例において制御部３０１の一部である選択手段によって処理される。ステップＳ１０２では、複数のショット領域のうち、１つの行の中でｎ個のショット領域が選択される。選択されたショット領域のショット番号は１組の選択済みのショット領域として組番号と共に制御部３０１のメモリに記憶される。組番号は、ステップＳ１０２において選択された各組を識別できる番号である。例えば、組番号は１から始まり、ステップＳ１０２の実行の度に１ずつ加算される番号でもよい。ステップＳ１０２では、１つの行の中に未選択のショット領域の数がｎに満たない場合には、その全てのショット領域が１組の選択済みのショット領域として組番号と共に制御部３０１のメモリに記憶される。

ステップＳ１０４では、複数のショット領域のうち、未選択のショット領域の有無を判断する。未選択のショット領域が存在する場合には、未選択のショット領域に対してステップＳ１０２による処理が行われる。こうして、ステップＳ１０２による処理はウエハ上の全ての行に対して行われる。未選択のショット領域が存在しない場合には、ステップＳ１０６による処理が行われる。

ステップＳ１０６では、ステップＳ１０２において制御部３０１のメモリに記憶された１組のショット領域に対して、塗布位置に移動して塗布手段によって連続して樹脂の塗布を行う。樹脂の塗布が完了した組については、ステップＳ１０２において記憶されたデータに対して、塗布済みの状態を表すデータが付加される。

ステップＳ１０８では、直前のステップＳ１０６において塗布手段によって連続して樹脂が塗布されたショット領域を、モールドのショット位置に移動させる。移動後に順次パターンの転写を連続して行う。

ステップＳ１１０では、ステップＳ１０２において制御部３０１のメモリに記憶されたショット領域のうち、直前のステップＳ１０６およびＳ１０８による樹脂の塗布とパターンの転写が行われていないショット領域の組の有無を判断する。未処理のショット領域の組が存在する場合には、未処理のショット領域に対して塗布位置への移動とショット位置へ移動し、ステップＳ１０６およびステップＳ１０８による処理が行われる。

こうして、未処理のショット領域の組が無くなると、ウエハ上のショット領域に対して樹脂の塗布とパターンの転写が終了する（Ｓ１１２）。

１組のショット領域として選択されるショット領域の最大個数を示すｎの設定方法の一つとして次の方法がある。ｎは２以上の整数であり、樹脂の特性やウエハ上に設定されたショット領域の配置などに応じて決定される。樹脂の特徴として樹脂がウエハ１２上に塗布された後、その経時変化によって樹脂の状態が変化する可能性がある。そのため、樹脂が塗布されてパターンの転写までの時間が長くなると、樹脂の揮発により転写の結果に影響を与える可能性がある。このような転写の結果に影響が無いようにｎを設定することによって、個々のショット領域に対する樹脂の塗布から転写までの時間を制限することができる。

図５を参照しながら、実際にステップＳ１０２においてｎ個のショット領域が選択手段により選択される結果を説明する。図５はｎを２とした場合の結果を示す図である。ウエハ１２の表面には、ショット領域５１、５２、５３および５４を含む複数のショット領域が配置されている。図５はウエハ１２の表面に６４個のショット領域が配置されていることを示している。点線５５は、ステップＳ１０２において選択されたショット領域の組を表している。図５は３２個のショット領域の組として選択されている。ショット領域５１と５２は同じショット領域の組、ショット領域５３と５４は同じショット領域の組として選択されている。

実際にステップＳ１０６とステップＳ１０８において行われる複数ショット領域の連続塗布と連続転写の動作を説明する。以下、ウエハ上に設定されたショット領域に対して（１）＋Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合と、（２）−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合に分けて説明する。

（１）＋Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合について、図６を参照しながら説明する。ここでは図５で選択されたショット領域５１と５２の組と、ショット領域５３と５４の組に対する樹脂の塗布およびパターンの転写を説明する。

図６（ａ）は、図５で選択されたショット領域５１と５２の組に対する樹脂の塗布を行う直前の状態である。ショット領域５１を図３の樹脂の塗布位置４５に移動させた状態である。この状態から樹脂の塗布動作が開始される。ウエハ１２を−Ｘ方向へ移動させると同時に、塗布手段３２から樹脂の塗布を行い、ショット領域５１に樹脂を塗布する。図６（ｂ）はショット領域５１に樹脂の塗布が終了した状態である。ショット領域５１への樹脂の塗布に続けてショット領域５２に樹脂の塗布をショット領域５１と同じ方法で行う。図６（ｃ）はショット領域５２に樹脂の塗布が終了した状態である。ショット領域５１と５２の組への樹脂の塗布が終了すると、モールド１１のパターン１６の転写を行うためにショット領域５１を図３のパターンを転写するショット位置４８に移動させる。ウエハ１２の移動後、モールド１１のパターン１６の転写を行う。図６（ｄ）はパターン１６の転写が終了した状態である。ショット領域５１のパターンの転写に続けてショット領域５２にパターンの転写を行う。図６（ｅ）はショット領域５２へのパターンの転写が終了した状態である。ショット領域５１と５２の組へのパターンの転写が終了すると、ショット領域５３と５４の組に樹脂の塗布を行うためにウエハ１２を＋Ｘ方向へ移動させ、ショット領域５３を図３の樹脂の塗布位置４５に移動させる。図６（ｆ）はショット領域５３と５４の組に対する樹脂の塗布を行う直前の状態である。この状態から、再び図６（ｂ）〜（ｅ）を行うことによって、ショット領域５３と５４の組に樹脂の塗布とパターンの転写の処理が施される。これを全ショット領域に繰り返すことによって、ウエハ全面のショット領域に対して、樹脂の塗布とパターンの転写が行われる。

このような本実施例において、ｎ個のショット領域に対して連続して樹脂を塗布した後、連続してパターンの転写に要するウエハの移動量を求める。本実施例を含め以下の説明においてショット領域のうちＸ方向の幅Ｗは、パターン１６が形成されたパターン領域４３のＸ方向の幅と、Ｘ方向に隣接するショット領域の中心距離と等しいものとする。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。よってｎ個のショット領域の移動量はｎＷである。ウエハ上に設定されたｎ個のショット領域に対して樹脂の塗布が終了した時点で、以下の２つの場合に分けることができる。

（１−１）Ｄ＋Ｗ／２＞ｎＷの場合（図６（ｇ）、最初の転写の際に−Ｘ方向に移動する場合）を考える。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２−ｎＷである。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）Ｗである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するために移動するウエハの移動量はＤ−Ｗ／２である。よって本発明におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式１．１のように表される。
ｎＷ＋（Ｄ＋Ｗ／２−ｎＷ）＋（ｎ−１）Ｗ＋（Ｄ−Ｗ／２）＝２Ｄ−Ｗ＋ｎＷ …（１．１）

（１−２）Ｄ＋Ｗ／２＜ｎＷの場合（図６（ｈ）、最初の転写の際に＋Ｘ方向に移動する場合）を考える。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はｎＷ−Ｄ−Ｗ／２である。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）Ｗである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するために移動するウエハの移動量はＤ−Ｗ／２である。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式１．２のように表される。
ｎＷ＋（ｎＷ−Ｄ−Ｗ／２）＋（ｎ−１）Ｗ＋（Ｄ−Ｗ／２）＝３ｎＷ−２Ｗ …（１．２）

ここで、本実施例のウエハの移動と比較するために、図７を参照しながら従来技術におけるウエハの移動を説明する。図７（ａ）はショット領域５１に対する樹脂の塗布を行う直前の状態である。この状態から樹脂の塗布動作が開始される。図７（ｂ）はショット領域５１に樹脂の塗布が終了した状態である。ショット領域５１への樹脂の塗布が終了すると、モールド１１のパターン１６の転写を行う。図７（ｃ）はショット領域５１にパターン１６の転写が終了した状態である。ショット領域５１への転写が終了すると、ショット領域５２に対して樹脂の塗布を行うためにウエハを＋Ｘ方向へ移動させる。図７（ｄ）はショット領域５２に対する樹脂の塗布を行う直前の状態である。図７（ｅ）〜（ｇ）はショット領域５２に対する樹脂を塗布とパターンの転写を示した図であり、図７（ｂ）〜（ｄ）に相当する。図７は２個のショット領域について説明したものであるが、図７（ｂ）〜（ｄ）を全ショット領域に繰り返すことによって、ウエハ全面のショット領域に対して、樹脂の塗布とパターンの転写が行われる。

このような従来技術において、ｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量を求める。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。樹脂の塗布後、モールドのパターン下に移動するウエハの移動量はＤ−Ｗ／２である。次のショット領域に樹脂を塗布するために移動させるウエハの移動量はＤ−Ｗ／２である。よってｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式１．３のように表される。
（Ｗ＋（Ｄ−Ｗ／２）＋（Ｄ−Ｗ／２））×ｎ＝２ｎＤ …（１．３）

ここで、従来技術と比較して本実施例のウエハの移動距離が短くなる条件を求める。式１．１と式１．３から次のような条件を求めることができる。
２Ｄ−Ｗ＋ｎＷ＜２ｎＤ
Ｄ＞Ｗ／２ …（１．４）
式１．１の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＞ｎＷの場合であり、ｎは２以上の整数であるから、Ｄ＞３Ｗ／２となり、この場合は必ず本発明におけるウエハの移動距離が短くなる。

一方で、式１．２と式１．３から次のような条件を求めることができる。
３ｎＷ−２Ｗ＜２ｎＤ
Ｄ＞（３／２−１／ｎ）Ｗ …（１．５）
式１．２の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＜ｎＷの場合であり、この場合には本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式１．５を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。本実施例の場合、式１．４と式１．５の条件式を比較すると本実施例の効果を奏するための下限を決めるのは式１．５である。

（２）−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合について、図８と図９を参照しながら説明する。ここでは図５で選択されたショット領域５１と５２の組と、ショット領域５３と５４の組に対する樹脂の塗布およびパターンの転写を説明する。図８および図９は、ショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写が−Ｘ方向に行われる場合におけるウエハの移動を示した図である。

図８の（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ図６の（ａ）〜（ｈ）に相当する。図６と異なる点は、始めにショット領域５３と５４の組に対する樹脂の塗布を行い、−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行うことである。

このような実施例において、ｎ個のショット領域に対して連続して樹脂を塗布した後、連続してパターンの転写に要するウエハの移動量を求める。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。よってｎ個のショット領域の移動量はｎＷである。ウエハ上に設定されたｎ個のショット領域に対して樹脂の塗布が終了した時点で、以下の２つの場合に分けることができる。

（２−１）Ｄ＋Ｗ／２＞ｎＷの場合（図８（ｇ）、最初の転写の際に−Ｘ方向に移動する場合）を考える。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２−ｎＷである。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）Ｗである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するために移動するウエハの移動量はＤ−Ｗ／２＋２ｎＷである。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式２．１のように表される。
ｎＷ＋（Ｄ＋Ｗ／２−ｎＷ）＋（ｎ−１）Ｗ＋（Ｄ−Ｗ／２＋２ｎＷ）＝２Ｄ−Ｗ＋３ｎＷ …（２．１）

（２−２）Ｄ＋Ｗ／２＜ｎＷの場合（図８（ｈ）、最初の転写の際に＋Ｘ方向に移動する場合）を考える。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はｎＷ−Ｄ−Ｗ／２である。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）Ｗである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するために移動するウエハの移動量はＤ−Ｗ／２＋２ｎＷである。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハステージの移動量は、下記の式２．２のように表される。
ｎＷ＋（ｎＷ−Ｄ−Ｗ／２）＋（ｎ−１）Ｗ＋（Ｄ−Ｗ／２＋２ｎＷ）＝５ｎＷ−２Ｗ …（２．２）

ここで、本実施例のウエハの移動と比較するために、図９を参照しながら従来技術におけるウエハの移動を説明する。図９の（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ図７の（ａ）〜（ｇ）に相当する。図７と異なる点は、始めにショット領域５４に対する樹脂の塗布を行い、−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行うことである。

このような従来技術において、ｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量を求める。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。樹脂の塗布後、モールドのパターン下に移動するウエハの移動量はＤ−Ｗ／２である。次のショット領域に樹脂を塗布するために移動させるウエハの移動量はＤ＋３Ｗ／２である。よってｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式２．３のように表される。
（Ｗ＋（Ｄ−Ｗ／２）＋（Ｄ＋３Ｗ／２））×ｎ＝２ｎＤ＋２ｎＷ…（２．３）

ここで、従来技術と比較して本実施例のウエハの移動距離が短くなる条件を求める。式２．１と式２．３から次のような条件を求めることができる。
２Ｄ−Ｗ＋３ｎＷ＜２ｎＤ＋２ｎＷ
Ｄ＞Ｗ／２ …（２．４）
式２．１の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＞ｎＷの場合であり、ｎは２以上の整数であるから、Ｄ＞３Ｗ／２となり、この場合は必ず本実施例におけるウエハの移動距離が短くなる。

一方で、式２．２と式２．３から次のような条件を求めることができる。
５ｎＷ−２Ｗ＜２ｎＤ＋２ｎＷ
Ｄ＞（３／２−１／ｎ）Ｗ …（２．５）
式２．２の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＜ｎＷの場合であり、この場合には本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式２．５を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。本実施例の場合、式２．４と式２．５の条件式を比較すると本発明の効果を奏するための下限を決めるのは式２．５である。

また、図６の（ｂ）と（ｃ）および図８の（ｂ）と（ｃ）では２個のショット領域に対して１ショット領域毎に樹脂を塗布したように説明をしたが、２個のショット領域に対して続けて樹脂を塗布するためにウエハを動かし続けても良い。ウエハステージを加速、減速する回数が減るために、２つのショット領域に対して樹脂の塗布を行う時間を短くすることができる。

以下、本発明の第２の実施例を説明する。２以上の隣接したショット領域に塗布された樹脂に対して、連続して紫外線等の光の照射を伴うパターンの転写を行う場合、光の散乱が隣接するショット領域に影響を与えることがある。散乱光の影響の１つとして考えられるものは、パターン転写前の樹脂の硬化である。使用される樹脂の感度、照射の条件、隣接するショット領域の間隔などの条件によっては、その影響を考慮しなければならない。このような問題点を考慮すると、選択手段において１組のショット領域として選択される各ショット領域の間に、予め設定された間隔を空けることが有用である。本実施例では予め設定された間隔を空けてパターンの転写を行う例を、ｓを用いて説明する。ここでｓとはショット領域の選択の際にｓ個離れたショット領域を選択すると定義する。例えば、ｓ＝１は選択手段によって隣接するショット領域が選択されることを示し、ｓ＝２は選択手段によって１ショット分の間隔を空けながらショット領域が選択されることを示している。このようにショット領域の整数倍の間隔を空けるように、ショット領域をｎ個選択する場合について説明する。

図１０を参照しながら、ステップＳ１０２においてｎ個のショット領域が選択される結果を説明する。図１０はｎを２とし、ｓを２とした場合の結果を示す図である。ウエハ１２の表面には、ショット領域１０１、１０２、１０３、１０４、１０６および１０７を含む複数のショット領域が配置されている。１０５は、ステップＳ１０２において選択された１組のショット領域を表している。ショット領域１０１とショット領域１０３は組１１１、ショット領域１０２とショット領域１０４は組１１２としてそれぞれ別の組として選択されている。本実施例では、選択されたショット領域の間に、別の組に属するショット領域が挟まった状態になる。このように互いに重なり合う関係になる組はｓ＝２の場合２組（組１１１と組１１２）存在する。言い換えると、ｓ組のショット領域が互いに重なり合う関係として存在することになる。なお、ショット領域１０６あるいは１０７はそれぞれ条件を満たさない例外として、単独で樹脂の塗布およびパターンの転写が行われる。

以下、本実施例による効果が現れる条件をウエハ上に設定されたショット領域に対して（１）＋Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合と、（２）−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合に分けて説明する。

（１）＋Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合について、図１１を参照しながら、図１０で組として選択された組１１１と、組１１２に対する樹脂の塗布およびパターンの転写を説明する。

図１１（ａ）は、ショット領域１０１と１０３の組１１１に対する樹脂の塗布を行う直前の状態である。図１１（ｂ）はショット領域１０１に樹脂の塗布が終了した状態である。図１１（ｃ）はショット領域１０１への樹脂の塗布に続けてショット領域１０３に樹脂の塗布を行う直前の状態である。図１１（ｄ）はショット領域１０３に樹脂の塗布が終了した状態である。組１１１への樹脂の塗布が終了するとパターン１６の転写を行う。図１１（ｅ）はショット領域１０１へのパターンの転写が終了した状態である。ショット領域１０１のパターンの転写に続けてショット領域１０３にパターンの転写を行う。図１１（ｆ）はショット領域１０３へのパターンの転写が終了した状態である。ショット領域１０１と１０３の組１１１へのパターンの転写が終了すると、ショット領域１０２と１０４の組１１２に樹脂の塗布を行うためにウエハを移動させる。図１１（ｇ）はショット領域１０２と１０４の組１１２に対する樹脂の塗布を行う直前の状態である。この状態から、再び図１１（ｂ）〜（ｆ）を行うことによって、ショット領域１０２と１０４の組１１２に樹脂の塗布とパターンの転写の処理が施される。これを全ショット領域に繰り返すことによって、ウエハ全面のショット領域に対して、樹脂の塗布とパターンの転写が行われる。

このような本実施例において、ウエハの移動量を求める。対象はｎ個のショット領域に対して連続して樹脂を塗布した後、連続してパターンの転写を行い、それをｓ組の互いに重なり合うショット領域に対する処理に要するウエハの移動量とする。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。ショット領域の中心の距離はｓＷであるから、ｎ個のショット領域の移動量は（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗである。ｎ個のショット領域に対して樹脂の塗布が終了した時点で、以下の２つの場合に分けることができる。

（１−１）Ｄ＋Ｗ／２＞（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗの場合（最初の転写の際に−Ｘ方向に移動する場合）を考える。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２−（ｎ−１）ｓＷ−Ｗである。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷ＋（Ｄ−Ｗ／２）である。ただし、ｓ組終了した時点ではＤ−Ｗ／２となる。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量は、下記の式３．１のように表される。
（（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗ＋Ｄ＋Ｗ／２−（ｎ−１）ｓＷ−Ｗ＋（ｎ−１）ｓＷ）×ｓ＋（（ｎ−１）ｓＷ＋（Ｄ−Ｗ／２））（ｓ−１）＋Ｄ−Ｗ／２＝（ｎ−１）（２ｓ−１）ｓＷ＋２ｓＤ …（３．１）

（１−２）Ｄ＋Ｗ／２＜（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗの場合（最初の転写の際に＋Ｘ方向に移動する場合）を考える。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗ−Ｄ−Ｗ／２である。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷ＋（Ｄ−Ｗ／２）である。ただし、ｓ組終了した時点ではＤ−Ｗ／２となる。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量は、下記の式３．２のように表される。
（（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗ＋（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗ−Ｄ−Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷ）×ｓ＋（（ｎ−１）ｓＷ＋（Ｄ−Ｗ／２））（ｓ−１）＋Ｄ−Ｗ／２＝（４ｎｓ−４ｓ−ｎ＋２）ｓＷ …（３．２）

従来技術におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量を求める。ｎ×ｓ個のショット領域を１ショット毎に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合である。実施例１の図７を用いて求めた式１．３のｎにｎｓを代入することで移動量とすることができる。
２ｎｓＤ …（３．３）

ここで、従来技術と比較して本実施例のウエハの移動距離が短くなる条件を求める。式３．１と式３．３から次のような条件を求めることができる。
（ｎ−１）（２ｓ−１）ｓＷ＋２ｓＤ＜２ｎｓＤ
Ｄ＞（ｓ−１／２）Ｗ …（３．４）
式３．４の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＞（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗの場合であり、この場合で本発明におけるウエハの移動距離が短くなるには式３．４を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。

一方で、式３．２と式３．３から次のような条件を求めることができる。
（４ｎｓ−４ｓ−ｎ＋２）ｓＷ＜２ｎｓＤ
Ｄ＞（２ｓ−２ｓ／ｎ−１／２＋１／ｎ）Ｗ …（３．５）
式３．５の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＜（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗの場合であり、この場合で本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式３．５を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。式３．４、式３．５は本発明の効果の奏する前提条件を示した式である。

ｎおよびｓはショット領域の配置、ショット領域の幅Ｗ、樹脂の特性などによって決めることができる。したがって、式３．４または式３．５を満たすｎとｓを決めれば、本発明の効果を有する。あるいは、予め設定されたｎとｓに基づき式３．４または式３．５によって、本実施例の効果の有無を判別することもできる。

（２）−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合について、図１２を参照しながら説明する。ここでは図１０で選択されたショット領域１０１と１０３の組１１１と、ショット領域１０２と１０４の組１１２に対する樹脂の塗布およびパターンの転写を説明する。

図１２の（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ図１１の（ａ）〜（ｇ）に相当する。図１１と異なる点は、始めにショット領域１０２と１０４の組に対する樹脂の塗布を行い、−Ｘ方向の順に樹脂の塗布とパターンの転写を行うことである。

このような本実施例において、ウエハの移動量を求める。対象はｎ個のショット領域に対して連続して樹脂を塗布した後、連続してパターンの転写を行い、それをｓ組の互いに重なり合うショット領域に対する処理に要するウエハの移動量とする。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。ショット領域の中心の距離はｓＷであるから、ｎ個のショット領域の移動量はＷ＋（ｎ−１）（ｓＷ＋２Ｗ）である。

樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷ−Ｗである。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷである。ｎ個のショット領域に対してパターンの転写が終了した時点で、以下の２つの場合に分けることができる。

（２−１）Ｄ＋Ｗ／２＞（ｎ−１）ｓＷ−Ｗの場合（次の組のショット領域に樹脂の塗布の際に＋Ｘ方向に移動する場合）を考える。パターンの転写後、次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２−（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗである。ただし、ｓ組終了した時点ではＤ＋３Ｗ／２となる。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量は、下記の式４．１のように表される。
（Ｗ＋（ｎ−１）（ｓＷ＋２Ｗ）＋Ｄ＋Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷ−Ｗ＋（ｎ−１）ｓＷ）×ｓ＋（Ｄ＋Ｗ／２−（ｎ−１）ｓＷ＋Ｗ）（ｓ−１）＋（Ｄ＋３Ｗ／２）＝（ｎ−１）（２ｓ−１）ｓＷ＋２ｓＤ＋２ｓＷ（２ｎ−１） …（４．１）

（２−２）Ｄ＋Ｗ／２＜（ｎ−１）ｓＷ−Ｗの場合（次の組のショット領域に樹脂の塗布の際に−Ｘ方向に移動する場合）を考える。パターンの転写後、次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷ−Ｗ−Ｄ−Ｗ／２である。ただし、ｓ組終了した時点ではＤ＋３Ｗ／２となる。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量は、下記の式４．２のように表される。
（Ｗ＋（ｎ−１）（ｓＷ＋２Ｗ）＋Ｄ＋Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷ−Ｗ＋（ｎ−１）ｓＷ）×ｓ＋（（ｎ−１）ｓＷ−Ｗ−Ｄ−Ｗ／２）（ｓ−１）＋（Ｄ＋３Ｗ／２）＝（ｎ−１）（４ｓ＋１）ｓＷ−ｓＷ＋３Ｗ＋２Ｄ …（４．２）

従来技術におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量を求める。ｎ×ｓ個のショット領域を１ショット毎に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合である。実施例２の図９を用いて求めた式２．３のｎにｎｓを代入することで移動量とすることができる。
２ｎｓＤ＋２ｎｓＷ …（４．３）

ここで、従来技術と比較して本実施例のウエハの移動距離が短くなる条件を求める。式４．１と式４．３から次のような条件を求めることができる。
（ｎ−１）（２ｓ−１）ｓＷ＋２ｓＤ＋２ｓＷ（２ｎ−１）＜２ｎｓＤ＋２ｎｓＷ
Ｄ＞（ｓ＋１／２）Ｗ …（４．４）
式４．４の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＞（ｎ−１）ｓＷ−Ｗの場合であり、この場合で本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式４．４を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。

一方で、式４．２と式４．３から次のような条件を求めることができる。
（ｎ−１）（４ｓ＋１）ｓＷ−ｓＷ＋３Ｗ＋２Ｄ＜２ｎｓＤ＋２ｎｓＷ
Ｄ＞（２ｓ−１／２−（（２ｓ＋１）（ｓ−１））／（ｎｓ−１））Ｗ …（４．５）
式４．５の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＜（ｎ−１）ｓＷ−Ｗの場合であり、この場合で本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式４．５を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。式４．４、式４．５は本実施例の効果の奏する前提条件を示した式である。

ｎおよびｓはショット領域の配置、ショット領域の幅Ｗ、樹脂の特性などによって決めることができる。したがって、式４．４または式４．５を満たすｎとｓを決めれば、本発明の効果を有する。あるいは、予め設定されたｎとｓに基づき式４．４または式４．５によって、本実施例の効果の有無を判別することもできる。

実施例１の（２）では樹脂の塗布とパターンの転写が−Ｘ方向に行われる場合のウエハの移動を示した。実施例１の（２）ではウエハを−Ｘ方向へ移動させながら樹脂を塗布する場合を示したが、本実施例ではウエハステージを＋Ｘ方向へ移動させながら樹脂を塗布する場合について説明する。

図１３の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ図８の（ａ）〜（ｆ）に相当する。図１３は連続して樹脂を塗布するショット領域の組を図８と同様でショット領域５３と５４の組に対する樹脂の塗布を行う場合を示した。図８と異なる点は、樹脂の塗布の際にウエハを＋Ｘ方向へ移動させるため、樹脂を塗布するショット領域の順番がショット領域５４から樹脂の塗布を行うことである。また、＋Ｘ方向へ移動させながら樹脂を塗布するため、ショット領域５４は図３で説明した樹脂の塗布位置４５とは異なる位置に移動させる。本実施例では、吐出口４７に対して−Ｘ方向へ位置する場所が樹脂の塗布位置となる。

このような本実施例において、ｎ個のショット領域に対して連続して樹脂を塗布した後、連続してパターンの転写に要するウエハの移動量を求める。１ショット領域に樹脂を塗布する際のウエハの移動量はＷである。よってｎ個のショット領域の移動量はｎＷである。実施例１の（２）ではｎ個のショット領域に対して樹脂の塗布が終了した時点で場合分けを行ったが、本実施例ではその必要は無い。

樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はＤ＋ｎＷ−Ｗ／２である。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）Ｗである。次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２である。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式５．１のように表される。
（ｎＷ＋（Ｄ＋ｎＷ−Ｗ／２）＋（ｎ−１）Ｗ＋（Ｄ＋Ｗ／２）＝２Ｄ−Ｗ＋３ｎＷ …（５．１）

次に、実施例１の（２）と同様に従来技術におけるウエハの移動を説明する。実施例１の（２）の説明で用いた図９と本実施例と異なるのは、ショット領域に対して樹脂を塗布する際にウエハを＋Ｘ方向へ移動させることだけである。そこで、ｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量を求める。１ショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量はＷである。樹脂の塗布後、モールドのパターン下に移動するウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２である。次のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２である。よってｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写に要するウエハの移動量は、下記の式５．２のように表される。
（Ｗ＋（Ｄ＋Ｗ／２）＋（Ｄ＋Ｗ／２））×ｎ＝２ｎＤ＋２ｎＷ… （５．２）
式５．１は実施例１の（２）の式２．１と等しく、式５．２は実施例１の（２）の式２．３と等しい。そのため、従来技術と比較して本実施例でウエハの移動距離が短くなる条件は、式２．１と式２．３から求めた条件である式２．４と等しい。

つまり、本実施例のように樹脂の塗布とパターンの転写が−Ｘ方向に行われ、かつ、樹脂の塗布の際にウエハを＋Ｘ方向へ移動させる場合には、ＤとＷが式２．４を満たせば、本発明におけるウエハの移動距離が短くなる。

実施例２の（２）では樹脂の塗布とパターンの転写が−Ｘ方向へ行われる場合のウエハの移動を示した。実施例２の（２）ではウエハを−Ｘ方向へ移動させながら樹脂を塗布する場合を示したが、本実施例ではウエハステージを＋Ｘ方向へ移動させながら樹脂を塗布する場合について説明する。

図１４の（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ図１２の（ａ）〜（ｇ）に相当する。図１４は連続して樹脂を塗布するショット領域の組を図１２と同様でショット領域１０２と１０４の組に対する樹脂の塗布を行う場合を示した。図８と異なる点は、樹脂の塗布の際にウエハを＋Ｘ方向へ移動させるため、樹脂を塗布するショット領域の順番がショット領域５４から樹脂の塗布を行うことである。また、＋Ｘ方向へ移動させながら樹脂を塗布するため、ショット領域５４は図３で説明した樹脂の塗布位置４５とは異なる位置に移動させる。本実施例では、吐出口４７に対して−Ｘ方向へ位置する場所が樹脂の塗布位置となる。

このような本実施例において、実施例２と同様にウエハの移動量を求める。１ショット領域に樹脂を塗布する際に移動するウエハの移動量はＷである。ショット領域の中心の距離はｓＷであるから、ｎ個のショット領域の移動量はＷ＋（ｎ−１）ｓＷである。樹脂の塗布後、モールドのパターン下にショット領域を移動するウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷである。ｎ個のショット領域に連続してパターンの転写するために移動するウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷである。ｎ個のショット領域に対してパターンの転写が終了した時点で、以下の２つの場合に分けることができる。

（１）Ｄ＋Ｗ／２＞（ｎ−１）ｓＷの場合（次の組のショット領域に樹脂の塗布の際に＋Ｘ方向に移動する場合）を考える。パターンの転写後、次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量はＤ＋Ｗ／２−（ｎ−１）ｓＷである。ただし、ｓ組終了した時点ではＤ＋Ｗ／２となる。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量は、下記の式６．１のように表される。
（Ｗ＋（ｎ−１）ｓＷ＋Ｄ＋Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷ＋（ｎ−１）ｓＷ）×ｓ＋（Ｄ＋Ｗ／２−（ｎ−１）ｓＷ）（ｓ−１）＋（Ｄ＋Ｗ／２）＝（ｎ−１）（２ｓ＋１）ｓＷ＋２ｓＤ＋２ｓＷ …（６．１）

（２）Ｄ＋Ｗ／２＜（ｎ−１）ｓＷの場合（図１４（ｈ）、次の組のショット領域に樹脂の塗布の際に−Ｘ方向に移動する場合）を考える。パターンの転写後、次の組のショット領域に樹脂を塗布するためのウエハの移動量は（ｎ−１）ｓＷ−Ｄ−Ｗ／２である。ただし、ｓ組終了した時点ではＤ＋Ｗ／２となる。よって本実施例におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量は、下記の式６．２のように表される。
（Ｗ＋（ｎ−１）ｓＷ＋Ｄ＋Ｗ／２＋（ｎ−１）ｓＷ＋（ｎ−１）ｓＷ）×ｓ＋（（ｎ−１）ｓＷ−Ｄ−Ｗ／２）（ｓ−１）＋（Ｄ＋Ｗ／２）＝（ｎ−１）（４ｓ−１）ｓＷ＋ｓＷ＋Ｗ＋２Ｄ …（６．２）

従来技術におけるｎ個のショット領域に対する樹脂の塗布とパターンの転写をｓ組の処理に要するウエハの移動量を求める。ｎ×ｓ個のショット領域を１ショット毎に樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合である。実施例３で求めた式５．２のｎにｎｓを代入することで移動量とすることができる。
２ｎｓＤ＋２ｎｓＷ …（６．３）

ここで、従来技術と比較して本実施例のウエハの移動距離が短くなる条件を求める。式６．１と式６．３から次のような条件を求めることができる。
（ｎ−１）（２ｓ＋１）ｓＷ＋２ｓＤ＋２ｓＷ＜２ｎｓＤ＋２ｎｓＷ
Ｄ＞（ｓ−１／２）Ｗ …（６．４）
式６．４の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＞（ｎ−１）ｓＷの場合であり、この場合で本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式６．４を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。

一方で、式６．２と式６．３から次のような条件を求めることができる。
（ｎ−１）（４ｓ−１）ｓＷ＋ｓＷ＋Ｗ＋２Ｄ＜２ｎｓＤ＋２ｎｓＷ
Ｄ＞（２ｓ−３／２−（（２ｓ−１）（ｓ−１））／（ｎｓ−１））Ｗ …（６．５）
式６．５の条件は、Ｄ＋Ｗ／２＜（ｎ−１）ｓＷの場合であり、この場合で本実施例におけるウエハの移動距離が短くなるには式６．５を満たすようにＤとＷを決定する必要がある。式６．４、式６．５は本実施例の効果の奏する前提条件を示した式である。

ｎおよびｓはショット領域の配置、ショット領域の幅Ｗ、樹脂の特性などによって決めることができる。したがって、式６．４または式６．５を満たすｎとｓを決めれば、本実施例の効果を有する。あるいは、予め設定されたｎとｓに基づき式６．４または式６．５によって、本実施例の効果の有無を判別することもできる。

本発明のいずれの実施例も、インプリント装置ＩＭＰはショット領域の配列や選択手段によって選択された各組のショット領域について、不図示の表示装置に表示することが可能である。表示装置はインプリント装置ＩＭＰに備えても良いし、インプリント装置からの出力を外部の表示装置を用いて表示させることもできる。表示方法として、インプリント処理に伴い、樹脂が塗布されたショット領域やパターンの転写が行われたショット領域が識別できるように、対応するショット領域の表示を色や模様あるいは記号などを変えて表示させることができる。これにより、インプリントの処理が行われる前に、ウエハ上のショット領域の配置に加えて、選択手段によって選択されたショット領域の各組の構成を確認することができる。必要に応じて事前にショット領域の組を変更したり、インプリント処理を行わないショット領域を選択したりすることが可能になる。

図１５は表示装置に表示される内容の一例である。表示装置はウエハ１２上のショット領域５０の配置を表示する。また、ショット領域を区別するショット領域毎の番号６０と選択手段によって選択されたショット領域の各組の配置を示す組番号６２を表示している例である。

本発明のいずれの実施例もウエハ１２を保持するウエハステージ３１を動かして樹脂の塗布とパターンの転写を行う場合を説明した。しかし、ウエハ１２を固定させ塗布手段３２とインプリントヘッド３３を動かして樹脂の塗布とパターンの転写を行ってもよい。さらに、塗布手段３２を移動する手段が構成されていなかったが、ショット領域を静止した状態で塗布機構が水平方向に移動しながら樹脂の塗布を行う装置構成であっても同様な効果が得られる。本実施例では塗布手段が１つの場合を説明したが、第２の塗布手段をインプリントヘッドに対して塗布手段３２と概ね対称な位置に設け、２つの塗布手段を選択的に使用しても、同様な効果が得られる。

本発明のいずれの実施例も樹脂の塗布から転写までの時間のバラつきを最小限に抑える為に、複数のショット領域に対する連続した樹脂の塗布と転写は、同じ順番で行うことを前提条件としている。

本発明の各実施例の説明においては、光硬化法を例に説明を行ったが、他の実施形態としては、加熱された樹脂を冷却することにより硬化する特徴を持つ樹脂を用いてウエハ上にパターンを転写することができる。

物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述したインプリント装置（押印装置）を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。

以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。

１１ モールド
１２ ウエハ（基板に対応）
１３ 樹脂
３１ ウエハステージ
３２ 塗布手段、
３３ インプリントヘッド（保持手段に対応）

Claims (9)

1. モールドを保持する保持手段と基板に樹脂を塗布する塗布手段を備えたインプリント装置を用いて、前記モールドのパターンを前記基板に塗布された前記樹脂に転写する転写方法であって、
   前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向と同じ方向に並んでいる前記基板上のｎ個のショット領域に、前記樹脂を塗布する塗布工程と、
   前記塗布工程で前記ｎ個（ｎは２以上の整数）のショット領域に前記樹脂を塗布した後、該ｎ個のショット領域に、前記パターンを該ショット領域毎に転写する転写工程と、有し
   前記塗布手段と前記モールドの距離（Ｄ）と、前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向の前記ショット領域の幅（Ｗ）は、下記式を満たし、
   前記塗布工程と前記転写工程を前記基板上で繰り返す、
   ことを特徴とする転写方法。
   Ｄ＞（３／２−１／ｎ）Ｗ
2. 前記インプリント装置に前記基板上のショット領域を選択する選択手段を有し、前記選択手段は設定された間隔を空けるようにショット領域をｎ個選択することを特徴とする請求項１に記載の転写方法。
3. 前記設定された間隔は、前記ショット領域の幅の整数倍であることを特徴とする請求項２に記載の転写方法。
4. 前記塗布工程で前記ｎ個のショット領域に前記樹脂を塗布した順に、前記転写工程で前記ｎ個のショット領域に前記パターンを転写することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の転写方法。
5. モールドを保持する保持手段と基板に樹脂を塗布する塗布手段を備えたインプリント装置を用いて、前記モールドのパターンを前記基板に塗布された前記樹脂に転写する転写方法であって、
   前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向と同じ方向に並んでいる前記基板上のｎ個（ｎは２以上の整数）のショット領域に、前記樹脂を塗布する塗布工程と、
   前記塗布工程で前記ｎ個のショット領域に前記樹脂を塗布した後、該ｎ個のショット領域に、前記パターンを該ショット領域毎に転写する転写工程と、有し
   前記塗布工程で前記基板を前記保持手段から前記塗布手段へ向かう方向へ移動させながら前記樹脂の塗布を行い、前記転写工程で前記基板上に並んでいるショット領域に対して、前記塗布手段から前記保持手段へ向かう方向の順に前記パターンの転写を行うとき、
   前記塗布手段と前記モールドの距離（Ｄ）と、前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向の前記ショット領域の幅（Ｗ）は、下記式を満たし、
   前記塗布工程と前記転写工程を前記基板上で繰り返す、
   ことを特徴とする転写方法。
   Ｄ＞Ｗ／２
6. 基板上のショット領域に樹脂を塗布して、前記ショット領域の前記樹脂にモールドのパターンを転写するインプリント装置であって、
   前記樹脂を塗布する塗布手段と、
   前記モールドを保持する保持手段と、を備え、
   前記塗布手段と前記モールドの距離（Ｄ）と、前記塗布手段と前記保持手段が並んでいる方向の前記ショット領域の幅（Ｗ）と、が下記式を満たし、
   前記塗布手段と前記保持手段が並んでいる方向と同じ方向に並んでいる前記基板上のｎ個（ｎは２以上の整数）のショット領域に前記樹脂をショット領域毎に塗布した後、前記樹脂が塗布されたｎ個のショット領域に、前記パターンを該ショット領域毎に転写し、前記基板上のｎ個のショット領域に前記樹脂の塗布と、前記樹脂が塗布されたｎ個のショット領域に前記パターンの転写を前記基板上で繰り返すことを特徴とするインプリント装置。
   Ｄ＞（３／２−１／ｎ）Ｗ
7. 基板上のショット領域に樹脂を塗布して、前記ショット領域の前記樹脂にモールドのパターンを転写するインプリント装置であって、
   前記樹脂を塗布する塗布手段と、
   前記モールドを保持する保持手段と、を備え、
   前記塗布手段と前記モールドの距離（Ｄ）と、前記保持手段と前記塗布手段が並んでいる方向の前記ショット領域の幅（Ｗ）は、下記式を満たし、
   前記塗布手段と前記保持手段が並んでいる方向と同じ方向に並んでいる前記基板上のｎ個（ｎは２以上の整数）のショット領域に前記基板を前記保持手段から前記塗布手段へ向かう方向へ移動させながら前記樹脂をショット領域毎に塗布した後、前記樹脂が塗布されたｎ個のショット領域に、前記塗布手段から前記保持手段へ向かう方向の順に前記パターンを該ショット領域毎に転写し、前記基板上のｎ個のショット領域に前記樹脂の塗布と、前記樹脂が塗布されたｎ個のショット領域に前記パターンの転写を前記基板上で繰り返すことを特徴とするインプリント装置。
   Ｄ＞Ｗ／２
8. 基板上に設けられたショット領域の配置を表示する表示手段を備えることを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
9. 請求項６〜８のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成する工程と、
   前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
   を有することを特徴とする物品の製造方法。

Images