[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2011058861A - 焦電型赤外線検出器 - Google Patents

焦電型赤外線検出器 Download PDF

Info

Publication number
JP2011058861A
JP2011058861A JP2009206641A JP2009206641A JP2011058861A JP 2011058861 A JP2011058861 A JP 2011058861A JP 2009206641 A JP2009206641 A JP 2009206641A JP 2009206641 A JP2009206641 A JP 2009206641A JP 2011058861 A JP2011058861 A JP 2011058861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared detector
amplifier
pyroelectric
pyroelectric infrared
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009206641A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Kimura
教夫 木村
Shigeo Masai
茂雄 政井
Yasuhiro Nakanonishi
保弘 中野西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2009206641A priority Critical patent/JP2011058861A/ja
Priority to US12/763,803 priority patent/US8309927B2/en
Publication of JP2011058861A publication Critical patent/JP2011058861A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J1/46Electric circuits using a capacitor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/0205Mechanical elements; Supports for optical elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/0225Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
    • G01J5/023Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/04Casings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • G01J5/0875Windows; Arrangements for fastening thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16151Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

【課題】従来の焦電型赤外線検出器における焦電素子と信号取り出し回路の結合形態では、結合部に外来雑音が混入すると、雑音はそのまま出力として取り出されてしまう。
【解決手段】焦電素子に第1の電極および第2の電極を形成した焦電素子容量部と、第1の電極に接続され、第1の電極からの信号を増幅する第1の増幅器と、第2の電極に接続され、第2の電極からの信号を増幅する第2の増幅器とを具備する。それぞれ増幅された電荷(信号)を平衡信号(差動)出力することにより、出力を2倍にすることができるとともに、容量部に混入した外部からの雑音を低減することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、焦電型赤外線検出器に係り、焦電素子容量部の対向する2つの電極に発生する電荷を有効に利用し、高感度で良質な信号の平衡出力を持つ平衡信号出力焦電型赤外線検出器に関する。
焦電型赤外線検出器は、焦電素子への入射赤外線エネルギーの変化に伴って、素子自身に温度変化が生じ、焦電素子の表裏面の電荷量(誘起電荷)が変化する。
この焦電素子の表裏両面に電極を設け、電極間に負荷を接続すると、前述した誘起電荷はこの負荷を通して電流(焦電流)として流れる。
この負荷抵抗を高くして使用する場合を電圧モード、負荷抵抗を小さくして焦電流を検出する場合を電流(電荷)モードと呼ぶ。
焦電型赤外線検出器は人体を対象にした近接センサの検出部として多用されている。
人体はおおむね310K程度の熱放射源と考えられ、焦電素子部の大きさが数mm角の面積とした場合、素子部への入力エネルギーは〜10μW程度と考えられる。
このエネルギーの変化から一般に多用されるPZTやPbTiO等を焦電素子とした場合、焦電素子部に発生する電荷量を見積もると〜0.1pC程度の値であり(素子部容量の両端の電圧として見積もると〜1mV程度の電圧値であり)、焦電素子部に発生する信号は極めて微弱な信号である。従って、外来雑音からの耐性が大きな課題となる。
外来雑音の要因は、焦電素子と信号取り出し回路への飛び込みと、取り出された信号の伝送路上への飛び込みが考えられる。
焦電素子と信号取り出し回路の結合形態として、特許文献1に示される図1と図12がある。
図8に示すのは、特許文献1の図1に示された信号取り出し回路である。この回路は、前述した誘起電荷の時間変化である焦電流を増幅器の帰還容量により電流電圧変換し、信号を取り出すものである。誘起電荷を焦電素子容量と帰還容量で電荷増幅を行っていると考えることもできる。
図9に示すのは、特許文献1の図12に示された信号取り出し回路である。この回路は、焦電素子に高抵抗を接続し、その両端の電圧をFETのソースフォロアーバッファーで信号電圧を取り出している。
特開平10−281866号公報
上記の焦電素子と信号取り出し回路の結合形態においては、結合部に外来雑音が混入すると、雑音はそのまま取り出されてしまうという課題がある。
また、取り出された信号を伝送する場合に、外来雑音が信号線に混入するという課題がある。
また、焦電素子容量部の二つの電極の一方はいずれも基準電位(接地電位)に接続されており、両電極の誘起電荷が有効に利用されていないという課題もある。
本発明は、焦電素子容量部に混入したノイズを低減することに加え、信号品質を向上できる平衡信号出力焦電型赤外線検出器を提供することを目的とする。
尚、本発明においては、上記全ての課題を解決しなければならないわけではなく、これらの課題のうち、少なくとも一つを解決できればよいものとする。また、本発明においては、上記全ての目的を達成しなければならないわけではなく、これらの目的のうち、少なくとも一つを達成できればよいものとする。
本発明の焦電型赤外線検出器は、焦電素子に表面電極(以下第1の電極)および裏面電極(以下第2の電極)を具備した焦電素子容量部(以下容量部)と、第1の電極に接続され、第1の電極からの信号を増幅する第1の増幅器と、第2の電極に接続され、第2の電極からの信号を増幅する第2の増幅器とを具備している。
この構成によれば、第1の電極と第2の電極がそれぞれ有する電荷(誘起電荷)をそれぞれ別の増幅器に送ることができる。そのため、第1の電極が有する電荷と第2の電極が有する電荷を有効に利用することができるという効果がある。
さらに詳述すると、焦電素子への入射赤外線エネルギーの変化に伴って、素子自身に温度変化が生じ、焦電素子の表裏面の電荷量(誘起電荷)が変化し、焦電素子の特性から各電極には相補(大きさが同じで符号が逆)の電荷が誘起することになる。そして、増幅された電荷(信号)も同様に相補な信号となる。
一方、容量部に外部からのノイズが混入した場合には、各電極のノイズ信号は同位相となる。従って、これらの信号を平衡信号(差動)出力し、平衡(差動)接続して利用(一方の信号からもう一方の信号を減算)することにより、出力(差動接続出力)を2倍にすることができるとともに容量部に混入した外部からの雑音を低減することができるという効果がある。
また、本発明の焦電型赤外線検出器は、容器をさらに具備し、容量部と、第1の増幅器及び第2の増幅器は、容器内に収納されていることが好ましい。
この構成によれば、外来からのノイズを低減することができるという効果がある。また、容量部と前記第1および第2の増幅器を容器内に収納することで、外付け部品が不要で小型化が可能であり、接続損失もなく信頼性の高い出力特性を得ることが可能となる。
また、本発明の焦電型赤外線検出器は、容器が、容量部を搭載する基板と、容量部を搭載した基板を覆う蓋体とで構成されており、蓋体に赤外線を容量部に伝達するための赤外線透過窓を有していることが好ましい。
この構成によれば、小型で実装性に優れた焦電型赤外線検出器を得ることができる。
また、本発明の焦電型赤外線検出器は、容量部と、第1の増幅器及び第2の増幅器は、基板の第1の面上に搭載され、第1の増幅器の出力端子と、第2の増幅器の出力端子と、電圧供給端子と接地端子が、基板の第2の面に実装されていることが好ましい。
この構成によれば、小型で実装性に優れた焦電型赤外線検出器を得ることができる。
また、本発明の焦電型赤外線検出器は、蓋体が金属からなり、接地端子は、基板を通して蓋体と電気的に接続していることが好ましい。
このような構成にすることで、接地端子が蓋体と電気的に接続することになり、容器の外から電磁的な雑音が入るのを低減することができるという効果がある。
また、本発明の焦電型赤外線検出器は、容量部が複数個存在していてもよい。
本発明の焦電型赤外線検出器は、複数個存在する容量部の第1の電極の信号は、それぞれ同一の第1の増幅器の入力端子に接続されており、複数個存在する容量部の前記第2の電極の信号は、それぞれ同一の第2の増幅器の入力端子に接続されることが好ましい。
このような構成とすることで、焦電型赤外線検出器全体の大きさを低減することができる。また、複数個の容量部を並列接続して用いることにより、出力(感度)を高めることができ、小型で高感度の焦電型赤外線検出器を形成可能である。
また、両電極に発生した信号を効率的に増幅する手段として用いられる第1及び第2の増幅器は、容量結合型電荷増幅器を使用することが好ましい。容量結合型電荷増幅器は、焦電素子部の容量と増幅器の入力端子と出力端子に接続された帰還容量で増幅度が決定できる増幅器であり、シンプルな構成で実現できるからである。
ここで、容量部、第1の増幅器及び第2の増幅器を同一のプリント基板の第1面上に搭載し、容量部の第1の電極と第1の増幅器をボンディングワイヤ等で接続し、容量部の第2の電極と第2の増幅器をボンディングワイヤ等で接続し、第1の増幅器の出力端子と第2の増幅器の出力端子と増幅器への電圧供給端子と接地端子(基準電位端子)を外部への接続端子としてプリント基板の第2面に配置し、容量部、第1の増幅器及び第2の増幅器を覆うように金属キャップを基板に貼り付けることで、センサーユニットを形成してもよい。
また、容量部、第1の増幅器及び第2の増幅器が収納されている容器全体をセンサーユニットと呼ぶこともできる。このセンサーユニットは、近接センサなどの基板に貼り付けられ、センサーとして機能することとなる。
ここで、キャップには、容量部に赤外線を導入する赤外線透過窓が設けられることが好ましい。このセンサーユニットは、搭載可能なパッケージとも呼ぶことができる。
また本発明は、上記焦電型赤外線検出器において、前記第1および第2の増幅器がICで構成されたものを含む。この構成によれば、さらなる小型化が可能となる。
また本発明は、上記焦電型赤外線検出器において、前記第1の増幅器の前記第1の出力端子と、前記第2の増幅器の前記第2の出力端子の出力信号は、互いに逆位相であるものを含む。
また本発明は、上記焦電型赤外線検出器において、前記第1の電極が基準電位(接地電位)に接続されていないものを含む。
また本発明は、上記焦電型赤外線検出器において、前記第2の電極が基準電位(接地電位)に接続されていないものを含む。
また、本発明の平衡信号焦電型赤外線検出器を用いて、前記第1の増幅器からの出力信号と、前記第2の増幅器からの出力信号を、第3の増幅器を具備して減算した信号を出力する構成とすることもできる。
このような構成とすることで、小型で高出力の不平衡出力焦電型赤外線検出器を得ることもできる。
また、第1、第2と第3の増幅器をICで構成することでさらなる小型化が可能となる。
また、本発明の平衡信号焦電型赤外線検出器を用いて、前記第1の増幅器からの出力信号と、前記第2の増幅器からの出力信号をアナログ−デジタル変換するアナログ−デジタル変換器に接続し、出力信号がデジタル信号であるデジタル信号出力焦電型赤外線検出器を構成することもできる。
なお、ここでデジタル信号出力は、焦電型赤外線検出器に入力された赤外線入力信号を”1”、”0”のデジタル信号として出力する検出器をいうものとする。
また、本発明のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器は、前記第1の増幅器、前記第2の増幅器及びアナログ−デジタル変換器がICで構成されたものを含む。
また、本発明のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器に用いた、アナログ−デジタル変換記はΔシグマ変調器であることが望ましい。
また、本発明のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器の出力はPDM(パルス密度変調)方式のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器を含む。
なお、以上の特徴を矛盾が生じないように適宜組み合わせることが出来ることはいうまでもない。例えば、複数のMEMS素子、第1の増幅器及び第2の増幅器が一つの容器内に収納されているような構成も当然可能である。
また、それぞれの特徴において、効果が複数期待できるときも、全ての効果を発揮できなければいけないわけではない。
本発明によれば、焦電素子容量部の両電極に生成される相補関係にある信号を用いることで、混入外来ノイズを低減できる焦電型赤外線検出器を提供することができる。さらに、上記相補関係にある信号を有効利用できる接続構成により、損失を低減するとともに感度の向上をはかることができる。
本発明の第1の実施の形態における平衡信号出力型赤外線検出器の接続構成を示す図 本発明の第1の実施の形態における平衡信号出力型赤外線検出器の焦電素子の概略図と等価回路の一例を示す図 本発明の第1の実施の形態における平衡信号出力型赤外線検出器の実装構成の一例を示す図 本発明の第1の実施の形態における平衡信号出力型赤外線検出器の実装構成の変形例を示す図 本発明の第1の実施の形態における特性を示す図 本発明の第2の実施の形態における平衡信号出力型赤外線検出器の接続構成を示す図 本発明の第3の実施の形態におけるデジタル信号出力赤外線検出器の接続構成を示す図 従来の赤外線検出器の接続構成を示す図 従来の赤外線検出器の接続構成を示す図
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1〜図4を参照して詳細に説明する。また、本発明で使用している、材料、数値は好ましい例を例示しているだけであり、この形態に限定されることはない。
また、本発明の思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに加えるならば、他の実施の形態との組み合わせなども可能である。
<回路構成>
図1は、本発明の第1の実施の形態における平衡信号出力焦電型赤外線検出器の等価回路の概略図である。
図1に示すように、平衡信号出力焦電型赤外線検出器は、焦電素子100の表面電極(第1の電極)101と裏面電極(第2の電極)102とを具備した焦電素子容量部105と、焦電素子部の第1の電極101に接続され第1の電極101からの信号を増幅する第1の増幅器201と、第2の電極102に接続され第2の電極102からの信号を増幅する第2の増幅器202を主な構成とする。
焦電素子容量部105は分極操作によって、自発分極を持たせた強誘電体の1種であり、焦電特性をもっているものであって、よく用いられるものとしてはPbTiOやPZTがある。
焦電素子容量部105が赤外線エネルギ−を熱として吸収し、自身の温度が変化すると自発分極の大きさも変化し、両電極に誘起電荷が焦出する。
第1の電極101は、第1の電極端子111を通して、第1の増幅器201の反転入力端子212に接続されている。第2の電極102は、第2の電極端子112を通して、第2の増幅器202の反転入力端子221に接続している。
ここで、第1の増幅器201と第2の増幅器202は同一の性能のものである。また、第1の増幅器201の非反転入力端子211と第2の増幅器202の非反転入力端子222は基準電位(接地電位)に接続されている。
ここで、第1及び2の増幅器201、202は、高入力インピーダンス増幅器であって、高入力インピーダンスを達成するためのCMOS型であることが好ましい。また、動作電源として正・負2電源を使用してもよいが、単電源動作をするような高入力インピーダンスCMOS型増幅器であることが好ましい。
第1及び第2の増幅器201、202のそれぞれに接続されている帰還抵抗213、223はそれぞれの増幅器が飽和するのを防ぐための放電抵抗であり、第1及び第2の増幅器201、202のそれぞれに接続している帰還容量214、224は電荷の増幅度合いを決定するものである。
ここで、増幅器、帰還抵抗、帰還容量を有する構造を容量結合型電荷増幅器と呼ぶこともできる。
第1及び第2の増幅器201、202からの出力信号は、外部の平衡信号出力端子120、123へとそれぞれ導かれる。また、端子121は増幅器への電圧供給端子であり、端子122は接地端子(基準電位)である。接地端子はシールドをかねる容器構成体300にも接続されて、外部からの電磁雑音が混入するのを低減する効果がある。
赤外線を透過するような部材からなる赤外線透過窓130は、容器構成体300の蓋体に取り付けられ、可視光を遮断して赤外線を透過し、焦電素子容量部105に導く働きをするものである。赤外線透過窓130には、使用波長域の選択性をもたせることもできる。
人体が発する赤外線は10μm近傍となるので、2μmから15μmの赤外線を透過するシリコン窓を好適に用いることができる。
図2(a)は、本発明の第1の実施の形態に係る焦電素子容量部の形状の概略図を示し、図2(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る焦電素子容量部の等価回路の概略図を示している。
図2(a)に示す焦電素子容量部は、焦電素子材料に前述した強誘電体セラミックを用いたものである。分極操作を行った焦電材料であるセラミックを研磨して素子片100とし、素子片の表面に表面電極101と裏面電極102を蒸着する。表面電極には熱の吸収効率を上げるために、金黒やニクロム等を蒸着電極材料に用いる。
表面電極101上には、電極端子111として、部分的にアルミや金などの金属膜を蒸着する。
裏面の裏面電極102と電極端子112には、全面にアルミや金などの金属膜を蒸着する。
このように、素子片に電極を蒸着して、焦電素子容量部105を形成する。
上記材料の加工時には、自発分極方向を電極面とするように加工・研磨する。
また、焦電素子容量部の保持方法により、検出器ベースへの熱伝導度合いを変えることができる。
さらに、電気的絶縁構造体で素子端部を支持することで、焦電素子容量部は接地電位に接続されないフローティング構成とすることができる。
一般的に、素子大きさは数ミリ角で、厚みは50μm前後がよく用いられる。
焦電素子部の容量Cは、表裏電極の面積と素子片の厚みと素子材料の固有特性に依存し、次式で表される。
Figure 2011058861
ただし、C[F]:容量、ε[F/m]:真空中の誘電率、ε:焦電材料の比誘電率、
A[m]:電極面積、t[m]:素子厚み である。
次に、焦電素子容量部の回路図について、図2(b)を用いて説明する。
一定の温度にある焦電素子容量部の内部自発分極電荷による表裏電極上の電荷は、通常大気中の浮遊電荷を捕獲して電気的平衡状態(表面電極総電荷量ΣQfrontと裏面電極総電荷量ΣQbackは平衡していて、ΣQfront=ΣQback=0)になっている。
時間t=t[sec]で、前述の平衡状態にある焦電素子容量部が赤外線エネルギーを吸収し、Δt[sec]の間に素子自身の温度がΔT[K]変化すると、焦電効果により新たな平衡状態に達するまでの時間中に、表面電極上に+Δq[C]、裏面電極上に−Δq[C] の電荷(焦電荷)が表れる。+Δq[C]と−Δq[C]は、それぞれ次式で表される。
Figure 2011058861
ただし、λ[C/mK]:焦電係数、A[m]:電極面積、ΔT[K]:Δt[sec]の時間における素子自身の温度変化である。
焦電素子容量部の表裏面電極に生じる電荷の読み取り回路では、前述した従来例で示されるように、一方の電極は接地電位に接続されており、両電極の焦電荷を有効に利用する考察はこれまで論じられたことはない。
本発明の第1の実施の形態に係る平衡信号出力焦電型赤外線検出器は、容量部の両電極に生じた信号電荷を有効に利用することができる点に特徴がある。
また、従来は表面電極(第1の電極)もしくは裏面電極(第2の電極)を基準電位(接地電位)に接続していたため、一方の電極の信号だけしか利用しておらず、信号利用率(効率)は50%であったと考えられる。
従って、第1の電極が接地電位に接続していない構成及び第2の電極が接地電位に接続していない構成にすることで、信号利用率が100%となるという効果がある。これは、出力が約2倍となる効果があるということもできる。
ここで、焦電素子容量部105を信号源として、第1及び第2の増幅器201、202の平衡信号出力端子120、123の出力電圧について考えることにする。ここで第1及び第2の増幅器は、反転型の容量結合電荷増幅器である。
第1及び第2の増幅器201と202において、反転入力端子212と221は、非反転入力端子211と222との間で、通常の反転増幅器と同じように仮想短絡が発生する。
この仮想短絡により、反転入力端子212と221の入力インピーダンスは無限大となり、反転入力端子には電流は流れ込まない。また、上記仮想短絡により、第2の電極端子112は仮想接地されて、第2の増幅器202は第1の増幅器201へ影響を与えない。
同様に、第1の電極端子111は仮想接地されて、第1の増幅器201は第2の増幅器202へ影響を与えない。
従って、第1の電極101上の電極の電荷は帰還容量214と帰還抵抗213へ、第2の電極102上の電荷は帰還容量224と帰還抵抗223へと流れ込む。
帰還容量214、224の容量値をC、帰還抵抗213、223の抵抗値をRとすると、焦電素子容量部の信号電荷と容量から平衡信号出力120と123は次式で表される。
出力120:
Figure 2011058861
出力123:
Figure 2011058861
ただし、Δv=AλΔT/Cである。
さらに、帰還抵抗と帰還容量で決定できる低域カットオフフィルターが形成されるため上式は以下で述べるカットオフ周波数fcutより高い周波数領域で成り立つ。低域カットオフ周波数fcutは、焦電型赤外線検出器の使用帯域を勘案して決定できる。
Figure 2011058861
上式からわかるように、上記接続構成により、二つの平衡信号出力端子120と123には、第1の電極101と第2の電極102に生じた相補な信号電荷に対応した相補な信号(位相が逆で大きさは同じ信号)を得ることができる。
相補な信号を平衡接続処理(減算処理)すれば、2倍の大きさの信号が得られるとともに、焦電型赤外線検出器に同相で入力される外来ノイズは相殺・低減することができる。
次に、平衡信号出力端子に表れる雑音について検討する。
前述したように、仮想短絡により第2の増幅器202は第1の増幅器201へ影響を与えない。同様に、第1の増幅器201は第2の増幅器202へ影響を与えない。そのため、平衡信号出力端子120に表れる雑音要因は、焦電素子容量部の容量Cm、第1の増幅器201の雑音、帰還容量Cfと帰還抵抗Rfとなる。
また、平衡信号出力端子123に表れる雑音要因は、焦電素子容量部の容量Cm、第2の増幅器202の雑音、帰還容量Cfと帰還抵抗Rfであり、要因が同じであるため雑音の大きさは同じとなる。
従って、平衡接続(減算処理後)信号の大きさは2倍で、雑音は√2倍であるため、信号対雑音比は√2倍(3dB)改善され、品質のよい平衡信号を供給できることとなる。
<実装構造>
次に、本発明の第1の実施の形態に係る平衡信号型出力焦電型赤外線検出器の実装概観図について説明する。図3(a)〜(e)は、本発明の第1の実施の形態に係る平衡信号出力型焦電型赤外線検出器の実装概観図である。
図3(a)は平衡信号出力型焦電型赤外線検出器(モジュール)の上側面図を表し、図3(b)は同右側面図を表し、図3(c)は平衡信号出力型焦電型赤外線検出器(モジュール)の金属キャップを外した状態の平面図を表し、図3(d)は平行信号出力型焦電型赤外線検出器(モジュール)の断面図を表し、図3(e)は同下面図を表している。
図3(a)〜(e)に示すように、平衡信号出力型焦電型赤外線検出器は、プリント基板301と金属キャップ302から構成される容器300内に、一つのICの中に第1の増幅器201と第2の増幅器202が集積化されているIC250と、焦電素子容量部303とが収納されていることで構成されている。
プリント基板301の第1面には、焦電素子容量部303と、第1及び第2の増幅器201、202が集積化されたIC250とを接着材で接着実装する。焦電素子容量部303は、図2で説明した焦電素子容量部が、複数の絶縁体により端部を支持されてプリント基板301上に浮いた状態で固定されるフローティング構造を有している。
これによりプリント基板301からの熱の影響を受けにくい断熱構造となっている。
IC250内の第1及び第2の増幅器201、202は、それぞれ入力端子、電源端子、出力端子及び接地端子を有しているCMOS型高入力インピーダンス増幅器である。
プリント基板301の第2面には、第1の増幅器の出力端子120、第1の増幅器及び第2の増幅器に電圧を供給する電圧(電源)供給端子121、接地端子122、及び第2の増幅器の出力端子123が形成され、面実装端子構造が形成されている。端子120〜123は、外部とのインターフェース端子となる。
また、接地端子122は、金属キャップ302とプリント基板301を通して電気的に接続され、容器300は、接地電位を有する外部からの電磁的な雑音から容器内部を保護するシールド容器となる。
IC250内の第1の増幅器と焦電素子容量部303の第1の電極、及びIC250内の第2の増幅器と焦電素子容量部303の第2の電極は、それぞれボンディングワイヤ313により接続されている。
また、赤外線エネルギーを導入する赤外線透過窓304が金属キャップ302に形成されている。赤外線透過窓304は、金属キャップ302に孔を設け、その孔をふさぐようにシリコン片を接着したものである。
なお、赤外線透過窓304には、シリコンの他にゲルマニウム(Ge)や、サファイアに光学的フィルタを蒸着したものを有する材料も用いることが可能である。プリント基板301と金属キャップ302は半田リフロー等で結合される。
焦電素子容量部303の大きさが□1.5mm程度で、IC250が1mm×0.5mm程度とすると、図3のように配置をした場合には、その大きさがおおよそ6mm(W)×4mm(D)×2mm(H)の平衡信号出力型焦電型赤外線検出器を構成することができる。上述の数値は、配置構造やチップの大きさにもよるが、さらに小さな数値とすることも可能である。
図4(a)〜(e)に示すのは、図3に示した平衡信号出力型焦電型赤外線検出器の変形例を示す実装概観図である。
図3と異なる点は、赤外線エネルギーを導入する赤外線透過窓304が、金属キャップ302に設けられるのではなく、焦電素子容量部303の下部におけるプリント基板301に設けられている点である。その他の構成は、図3と同様である。
このように、赤外線透過窓304の位置は、熱源の方向に対応して焦電素子容量部303の上下いずれにも形成することが可能である。
<出力信号データ>
次に、本発明の第1の実施の形態に係る平衡信号出力型赤外線検出器を用いて得られた信号の実験データについて説明する。
図5(a)、(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る平衡信号出力型赤外線検出器の実特性を説明する図である。
使用した焦電素子容量部の容量Cmは2[pF]、帰還容量Cfは2.56[pF]、帰還抵抗RfはCMOS ICのMOS ON抵抗を用いており、CMOS型高入力インピーダンス増幅器は発明者らが開発・試作したICを用いている。
図5(a)は、赤外線を発する熱放射源(はんだごて)を試作赤外線検出器上で移動させた場合の信号で、横軸を時間軸に取ったときの信号出力端子120からの出力信号411と信号出力端子123からの出力信号412を示している。
本図から信号出力端子120からの出力信号411と信号出力端子123からの出力信号412は、振幅が同じで位相が逆の信号であることが分かる。
図5(b)は、図5(a)の信号をオシロスコープ上で減算処理を行った信号413を示しており、減算した信号の大きさは2倍の大きさになっていることがわかる。
(第2の実施の形態)
以下、本発明の第2の実施の形態について、図6を参照して詳細に説明する。本発明で使用している、材料、数値は好ましい例を例示しているだけであり、この形態に限定されることはない。また、本発明の思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。
さらに加えるならば、他の実施の形態との組み合わせなども可能である。なお、ここでは、平衡信号出力型赤外線検出器の容量部は、焦電素子容量部である。
また、本発明の第2の実施の形態は、容量部を複数個並列接続する実施形態であるが、特に、容量部が2つある場合の構成について説明する。
図6は、本発明の第2の実施の形態における平衡信号出力型赤外線検出器の等価回路の概略図である。
第1の容量部105aと並列に接続された第2の容量部105bの第1の電極101bは、第1の電極端子111bを通して、第1の増幅器201の反転入力端子212に接続されている。
同様に、第2の容量部105bの第2の電極102bは、第2の電極端子112bを通して、第2の増幅器202の反転入力端子221に接続されている。
その他の構成、接続関係及び効果は、第1の実施の形態における図1の説明と同様なので、説明を省略することとする。
また、第1の実施の形態における図2(a)、(b)に対応する説明は、第2の実施の形態についても同様なので、説明を省略することとする。
このように接続することで、第1の容量素子部105aは第2の容量素子部105bの負荷にならず、同様に、第2の容量素子部105bは第1の容量素子部105aの負荷にはならない。従って、それぞれの容量素子部の信号は損失なく、増幅することができる。
なお、容量部の数がN個の場合には、容量部が2個の場合と同様に、N個の容量部の第1の電極をそれぞれの電極端子を通して、第1の増幅器201の反転入力端子212に接続する。
また、N個の容量部の第2の電極102はそれぞれの電極端子を通して、第2の増幅器202の反転入力端子221に接続する。容量部がN個の場合については、このような構成とすることで、容量部が2個の場合と同様の議論が出来る。
焦電素子容量部が複数個(N個)並列接続されても、第1の実施の形態(N=1)で説明した議論と同じ議論が成立するので、平衡信号出力については2・N倍の大きさを得ることができる。
また、複数個接続の場合においても、N=1の場合と同様に容量部に同相で入力されるノイズは相殺・低減することができる。
(第3の実施の形態)
次に、本発明の実施の形態3について説明する。図7は、本発明の実施の形態におけるデジタル信号出力赤外線検出器の接続構成を示す概略図である。
このデジタル信号出力赤外線検出器は、容器構成体705内で構成され、実施の形態1で説明した平衡信号出力赤外線検出器の第1の増幅器201の平衡信号出力端子120と、第2の増幅器202の平衡信号出力端子123が、アナログ−デジタル変換器704の入力端子702及び701に接続され、アナログ−デジタル変換器の出力はデジタル出力端子703へ導かれる。
アナログ−デジタル変換器704と、第1および第2の増幅器201、202を1チップ上に構成することにより、電源供給端子121および接地端子122を共用することができる。
また、アナログ−デジタル変換器704と、第1および第2の増幅器201、202の共通回路、例えば低電圧発生回路、を1つにすることができ、低消費電力およびチップサイズを小さくすることが可能となり、より安価なデジタル出力赤外線検出器を提供することができる。
焦電型赤外線検出器を用いて構成するデジタル信号出力赤外線検出器のアナログ−デジタル変換器704は、高分解能を特徴とするΔシグマ変調器であることが望ましい。
特に、クロック周波数1M〜4MHz、オーバーサンプリング率50〜64倍、4次のΔシグマ変調器を用いることで、高信号対雑音比を低消費電力で実現することができる。
デジタル信号出力赤外線検出器の出力端子703は、一定幅のパルスの密度より、波形を表すPDM(Pulse Density Modulation)形式で出力し、外部のDSP(Digital Signal Processor)により、例えばオーディオインターフェイスフォーマットのSPDIFフォーマットに変換される。
また、容器構成体705内にDSPを取り込むことで、前記デジタル信号出力センサの出力端子703は、例えばオーディオインターフェイスフォーマットのSPDIFフォーマットで出力することも可能である。
実施の形態1で説明したように、平衡信号出力端子120および123での信号品質が向上するため、平衡信号出力端子120および123と、アナログ−デジタル変換器704の入力端子702および701とを接続をすることにより、デジタル信号出力赤外線検出器の信号品質も向上し、より品質のよいデジタル出力信号を供給できる。
なお、実施の形態2で説明したように複数個の焦電型容量部を並列接続した場合は、信号品質がより向上するため、より品質のよいデジタル出力信号を供給できる。
本発明は、焦電素子容量部の表裏電極の両極信号電荷を有効に使用し、混入外来ノイズを相殺・低減できる平衡信号出力型赤外線検出器であって、感度及び信号品質の向上が図れる点で有用である。
100 焦電素子
101 第1の電極(表面電極)
102 第2の電極(裏面電極)
105 焦電素子容量部
111 第1の電極端子
112 第2の電極端子
120,123 平衡信号出力端子
201 第1の増幅器
202 第2の増幅器
211,222 非反転入力端子
212,221 反転入力端子
213,223 帰還抵抗
214,224 帰還容量
250 IC
300 容器構成体
301 プリント基板
302 金属キャップ
303 焦電素子容量部
304 赤外線透過窓
701,702 入力端子
703 デジタル出力端子
704 アナログ−デジタル変換器
705 容器構成体

Claims (21)

  1. 焦電素子に第1の電極及び前記第1の電極に対向する第2の電極を具備した焦電素子容量部と、
    前記第1の電極に接続され、前記第1の電極からの信号を増幅する第1の増幅器と、
    前記第2の電極に接続され、前記第2の電極からの信号を増幅する第2の増幅器とを具備した焦電型赤外線検出器。
  2. 請求項1に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    容器をさらに具備し、
    前記焦電素子容量部、前記第1の増幅器及び前記第2の増幅器は、前記容器内に収納されていることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  3. 請求項2に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記容器は、前記焦電素子容量部を搭載する基板と、前記焦電素子容量部の搭載された前記基板を覆う蓋体とで構成され、
    前記蓋体に、赤外線を前記容量部に伝達するための赤外線透過窓を有することを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  4. 請求項3に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記焦電素子容量部、前記第1の増幅器及び前記第2の増幅器は、前記基板の第1の面上に搭載され、
    前記第1の増幅器の出力端子と、前記第2の増幅器の出力端子と、電圧供給端子と接地端子が、前記基板の第2の面に実装されていることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  5. 請求項4に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記蓋体は金属からなり、
    前記接地端子は、前記基板を通して前記蓋体と電気的に接続していることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  6. 請求項1乃至5に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記焦電素子容量部は、複数個存在することを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  7. 請求項6に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記複数個存在する焦電素子容量部の前記第1の電極の信号は、それぞれ前記第1の増幅器の入力端子に、
    前記複数個存在する焦電素子容量部の前記第2の電極の信号は、それぞれ前記第2の増幅器の入力端子に接続されることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  8. 請求項1乃至7のいずれかに記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器及び前記第2の増幅器が容量結合型電荷増幅器を構成していることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  9. 請求項1乃至8のいずれかに記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器及び第2の増幅器がICで構成されていることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  10. 請求項1乃至9のいずれかに記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器からの出力信号と、前記第2の増幅器からの出力信号は、実質的に逆位相であることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  11. 請求項1乃至10のいずれかに記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の電極が接地電位に接続されていないことを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  12. 請求項1乃至10に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第2の電極が接地電位に接続されていないことを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  13. 請求項1乃至12に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器からの出力信号と、前記第2の増幅器からの出力信号を減算する機能を有する第3の増幅器が具備された焦電型赤外線検出器。
  14. 請求項13の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器、前記第2の増幅器と前記第3の増幅器がICで構成されていることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  15. 請求項1乃至12に記載の焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器からの出力信号と、前記第2の増幅器からの出力信号をアナログ−デジタル変換するアナログ−デジタル変換器に接続し、出力信号がデジタル信号であるデジタル信号出力焦電型赤外線検出器。
  16. 請求項15に記載のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器であって、
    前記第1の増幅器、前記第2の増幅器およびアナログ−デジタル変換器がICで構成されていることを特徴とするデジタル信号出力焦電型赤外線検出器。
  17. 請求項15乃至16に記載のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器であって、
    アナログ−デジタル変換器がΔシグマ変調器であることを特徴とするデジタル信号出力焦電型赤外線検出器。
  18. 請求項15乃至17に記載のデジタル信号出力焦電型赤外線検出器であって、
    デジタル出力信号がパルス密度変調方式であることを特徴とするデジタル信号出力焦電型赤外線検出器。
  19. 基板と、
    前記基板に搭載された焦電素子容量部と、
    前記焦電素子容量部を覆う蓋体とで構成され、
    前記蓋体に、赤外線を前記容量部に伝達するための赤外線透過窓を有していることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  20. 基板と、
    前記基板に搭載された焦電素子容量部と、
    前記焦電素子容量部を覆う蓋体とで構成され、
    前記基板に、赤外線を前記容量部に伝達するための赤外線透過窓を有していることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
  21. 基板と蓋体からなる容器内に焦電素子容量部を有し、
    前記容器は、赤外線を透過する部材を有していることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
JP2009206641A 2009-09-08 2009-09-08 焦電型赤外線検出器 Withdrawn JP2011058861A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009206641A JP2011058861A (ja) 2009-09-08 2009-09-08 焦電型赤外線検出器
US12/763,803 US8309927B2 (en) 2009-09-08 2010-04-20 Infrared detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009206641A JP2011058861A (ja) 2009-09-08 2009-09-08 焦電型赤外線検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011058861A true JP2011058861A (ja) 2011-03-24

Family

ID=43646975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009206641A Withdrawn JP2011058861A (ja) 2009-09-08 2009-09-08 焦電型赤外線検出器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8309927B2 (ja)
JP (1) JP2011058861A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012002496A1 (ja) * 2010-07-01 2012-01-05 パナソニック電工株式会社 対象物検出装置
JP2018013375A (ja) * 2016-07-20 2018-01-25 株式会社トーキン 焦電型赤外線センサ装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10111333B2 (en) * 2010-03-16 2018-10-23 Intersil Americas Inc. Molded power-supply module with bridge inductor over other components
US9723766B2 (en) * 2010-09-10 2017-08-01 Intersil Americas LLC Power supply module with electromagnetic-interference (EMI) shielding, cooling, or both shielding and cooling, along two or more sides
CN104198037B (zh) * 2014-09-10 2016-03-23 上海理工大学 数字式平衡驱动装置
WO2016142512A1 (en) * 2015-03-12 2016-09-15 Laser Components Gmbh Differential circuit for pyroelectric infrared detector
JP7300375B2 (ja) * 2019-11-26 2023-06-29 日本セラミック株式会社 焦電型赤外線検出器及び集積回路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH655591B (ja) * 1980-10-06 1986-04-30
JPS62282230A (ja) * 1986-05-30 1987-12-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 焦電型赤外線検知器
JPH01116419A (ja) * 1987-10-29 1989-05-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 赤外線検知器
KR100301747B1 (ko) * 1997-03-26 2001-09-03 이마이 기요스케 초전형적외선검출장치
JP3472906B2 (ja) 1997-04-09 2003-12-02 松下電工株式会社 焦電型赤外線検出装置
TW580568B (en) * 2001-11-27 2004-03-21 Matsushita Electric Works Ltd An infrared detecting circuit and an infrared detector
EP1865478A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-12 Optex Co., Ltd. Sensitivity adjustable intrusion detecting system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012002496A1 (ja) * 2010-07-01 2012-01-05 パナソニック電工株式会社 対象物検出装置
JP2018013375A (ja) * 2016-07-20 2018-01-25 株式会社トーキン 焦電型赤外線センサ装置
US11101422B2 (en) 2016-07-20 2021-08-24 Tokin Corporation Pyroelectric infrared sensor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20110057106A1 (en) 2011-03-10
US8309927B2 (en) 2012-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011058861A (ja) 焦電型赤外線検出器
JP5492213B2 (ja) 赤外線センサ
JP5655780B2 (ja) 放射線画像撮影装置
US20110255228A1 (en) Balance signal output type sensor
US7005865B2 (en) Circuit and method for impedance detection
EP1426773A1 (en) Capacitance measuring circuit, capacitance measuring instrument, and microphone device
US4973843A (en) Pyroelectric infrared sensor
US7034551B2 (en) Electrostatic capacitance detection circuit and microphone device
JPH08139342A (ja) 光電変換モジュール
JP2003028649A (ja) センサ回路モジュールおよびそれを用いた電子装置
JP5734292B2 (ja) 小型赤外光検出器およびその製造方法ならびに該赤外光検出器を備えた赤外光検出システム
US3501654A (en) Miniature pressure transducer
US5067006A (en) Semiconductor device
JP2012083170A (ja) 放射線画像撮影装置
JP2003065847A (ja) 受光回路
US20240175757A1 (en) Pyroelectric infrared detector device
JP6868828B2 (ja) 焦電素子及びそれを備える赤外線検出装置
EP0409408A1 (en) A radiation detector
CN110440780B (zh) 一种大带宽、小型化激光陀螺前置放大系统
JP2004279118A (ja) 焦電型赤外線検出器
JP5716584B2 (ja) X線検出器
JP2011112508A (ja) 焦電型赤外線検出装置
JP2818916B2 (ja) 焦電検出器
Riboldi et al. Cryogenic readout techniques for germanium detectors
JP2002222983A (ja) 光通信用受光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120302

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120302

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20121127