JP2010521830A - Ｒｆスイッチ及びｒｆスイッチを備える装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、高周波（ＲＦ）スイッチ及びＲＦスイッチを備える装置に関する。本発明の一形態では、ＲＦスイッチは、一端が入力端子または出力端子に接続され、他端が信号ラインに接続されてＲＦ信号を伝送する伝送線路と、入力端子と伝送線路との間、または出力端子と伝送線路との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御するダイオードと、を備える。また、本発明の他の形態では、ＲＦスイッチは、一端が入力端子に接続され、他端が出力端子に接続された伝送線路と、入力端子と伝送線路との間、または出力端子と伝送線路との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御するダイオードと、を備える。ここで、伝送線路として右手/左手系複合（ＣＲＬＨ）伝送線を利用する。

Description

本発明は高周波（ＲＦ）スイッチ及び前記ＲＦスイッチを備える装置に係り、さらに詳しくは、高出力でも高い線形性と隔離度、短いスイッチング時間を有しながらも、小型化が図れる、二重帯域特性を有するＲＦスイッチ及び前記ＲＦスイッチを備える装置に関する。

ＲＦスイッチはＲＦ信号のための電気的なオン−オフスイッチであり、「オン」となったときに入力端子に加えられたＲＦ信号が出力端子に正常に伝送できるようにし、「オフ」となったときにはこのようなＲＦ信号が出力端子に伝送されることを妨げる役割を果たす。なお、この種のＲＦスイッチの「オン」及び「オフ」は、ＲＦスイッチを制御する直流（ＤＣ）制御電圧の極性の変化に依存する。

このようなＲＦスイッチは種々の形態を有し、最も基礎的な形態としては、一つのＲＦ信号入力と一つのＲＦ信号出力を有する単極単投式（ＳＰＳＴ：Single Pole Single Throw）構造が挙げられ、一つのＲＦ信号入力に多数のＲＦ信号出力を有する単極多投式（ＳＰＭＴ：Single Pole Multiple Throw）の構造もある。

ＲＦスイッチのこのような電気的なスイッチングは、ダイオード、好ましくは、ＰＩＮダイオードと知られているＲＦスイッチングダイオードからなり、ＰＩＮダイオードはＲＦスイッチの電気回路において中心となる大切な役割を果たす構成要素である。当業者の周知のように、ＰＩＮダイオードは２つのターミナルを有する半導体素子であり、他のダイオードと同様に陽極ターミナル（アノード側）から陰極ターミナル（カソード側）へと一方向にのみ電流が流れるようにし、陽電圧がアノードに加えられたときにダイオードが順方向にバイアスされて電流が流れることになる。

電流が流れるようにバイアスされたとき、すなわち、順方向にバイアスされたときにダイオードは極めて少量、或いは、ほとんど０の抵抗を与えて電流が流れるようにする。このような状態を「オン」状態と称する。一方、逆にバイアスされたとき、すなわち、逆方向にバイアスされたときにダイオードは無限大の高い抵抗を与えて開回路（ｏｐｅｎ ｃｉｒｃｕｉｔ）を形成し、これにより電流は正常に通過できなくなる。このような状態を「オフ」状態と称する。

ダイオードは、電圧の変化により、ある状態から他の状態に変わるときに所定の時間を必要とし、ダイオードに関するこのような特性を転移時間（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ）と言い、ダイオードの状態を変えるためには、他の状態にダイオードをバイアスする新たな電圧がダイオードの最小転移時間中に加えられる必要がある。

逆方向にバイアスされた直流制御電圧に付加されたＲＦ電圧のような交流（ＡＣ）信号はＰＩＮダイオードの状態を変えず、これは、その信号の周波数が十分に大きくて、信号の電圧振幅或いはピークの持続時間がダイオードの「オン」状態から「オフ」状態への転移に求められる最小時間を充足できない限り、ＰＩＮダイオードの状態を変えない。しかしながら、ダイオードを順方向にバイアスするように直流制御電圧の極性を変えることにより、ダイオードが状態を変えて交流を含む電流が流れるようにできる。

また、順方向にバイアスされたとき、逆方向にバイアスされたときと同様に、順方向にバイアスされた直流制御電圧に付加された交流信号は十分に大きな周波数を有する限り、ダイオードの状態を変えない。一方、交流の電圧が高過ぎると、付加された信号がダイオードの破壊電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）を超えてダイオードを破壊する恐れがあるため、ＰＩＮダイオードは選択されたダイオードの破壊電圧を付加される交流信号が超えないように選択されなければならない。

また、ＲＦスイッチを構成するにおいて、シャントＲＦスイッチ（ｓｈｕｎｔ ＲＦ ｓｗｉｔｃｈ）はＰＩＮダイオードの電気的特性を利用するのにメリットを有する。ＰＩＮダイオードをＲＦ伝送線路上に分岐されるように位置させ、制御電圧により逆方向にバイアスすることにより、ダイオードは開回路のように機能し、ＲＦ信号が伝送線路に沿って出力端子に伝播される。

しかしながら、ダイオードが順方向にバイアスされて電流が流れると、これはＲＦ信号に対して極めて小さなインピーダンスを有する経路を提供し、ＲＦ信号が伝送線路からダイオードを経由するグラウンドへの分路を形成して、出力端子への伝送線路を迂回（ｂｙｐａｓｓ）させる。このため、ＲＦ信号は伝送線路を通過することができない。図１から図３は、従来の技術におけるＲＦスイッチを示す一例であり、２つの端子１０１、１０２の間に様々な形態のＰＩＮダイオード１０３、１０４、１０５、１０６を備えたＲＦスイッチが示されている。

一方、ＲＦ信号の送受信を１本のアンテナにより行う時分割多重化（ＴＤＭ：Time Division Multiplexing）方式の送受信システムの場合、送信段と受信段をスイッチング可能な単極双投式（ＳＰＤＴ：Single Pole Double Throw）構造のＲＦスイッチが必要となり、このようなシステムは、終段及び初段に位置するＲＦスイッチの場合、１）高出力に対する高い線形性、２）低い挿入損失、３）高い隔離度、及び４）短いスイッチング時間などの特性を必要とする。

しかしながら、従来の技術によるＲＦスイッチは、ハイブリッドマイクロ波集積回路（Ｈ−ＭＩＣ：Hybrid-Microwave Integrated Circuit）技術を用いたＰＩＮダイオードスイッチの形態に製作されて、小型化は可能であるとはいえ、製造工程が複雑であり、中継器などの高出力の使用に制限を有し、かつ任意の二重帯域設計には限界を有するという不都合がある。

図４は、他の従来の技術における、ＰＩＮダイオードを用いたＳＰＤＴ構造のＲＦスイッチを説明するための一例である。ＲＦスイッチ２００は、上述の問題点を解決するための表面実装型ＳＴＤＴ構造のＰＩＮダイオードスイッチであり、２つの端子２０１、２０２の間にＰＩＮダイオード２０３、２０４と−９０度の電気的長さを有する伝送線２０５が存在する。このとき、上述したように、順方向バイアスが印加されると、ＰＩＮダイオード２０３は短絡に近い低インピーダンスを有し、伝送線２０５の電気的長さが−９０度に定められることにより、端子２０１に対する端子２０２のインピーダンスが無限大に近いため、端子２０１を介して入力された信号は並列接続されたＰＩＮダイオード２０３を介してグラウンド２０６に流入し、伝送線２０５にはほとんど流入しない。すなわち、ＰＩＮダイオード２０３は「オフ」状態となる。このようにＰＩＮダイオードと管内波長の１／４線路であるＲＨ伝送線２０５を用いて電力損失を極力抑えることができる。

このようなＲＦスイッチは、高出力でも高い線形性及び高い隔離度、短いスイッチング時間を有する。しかしながら、−９０度の電気的長さを有する伝送線路を利用するため、低周波帯域の設計時に大型化が招かれるという不都合を有し、任意の二重帯域の使用には限界を有するという不都合がある。

本発明は上記の従来の技術の問題点を解決するために、ＲＦスイッチ及び前記ＲＦスイッチを備える装置に関する新規な技術を提案する。

本発明は、ＰＩＮダイオードを通じて、高出力でも高い線形性及び隔離度を有し、短いスイッチング時間を有しながらも、右手/左手系複合（ＣＲＬＨ）伝送線を伝送線路として利用することによりＲＦスイッチの小型化が可能であり、二重帯域の特性を有するＲＦスイッチを設計することを目的とする。

本発明の他の目的は、ＳＰＤＴ構造だけではなく、ＳＰＳＴ構造でも高い隔離度を実現し、単一周波数帯域でも小型化可能なＲＦスイッチを設計することにある。

上記の目的を達成し、且つ、上述した従来の技術の問題点を解決するために、本発明の一実施形態によるＲＦ信号の入出力をスイッチングするＲＦスイッチは、一端が入力端子または出力端子に接続され、他端が信号ラインに接続されてＲＦ信号を伝送する伝送線路と、入力端子と伝送線路との間、または出力端子と伝送線路との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御するダイオードと、を備え、伝送線路としてＣＲＬＨ伝送線を利用する。

本発明の一側面によれば、ＣＲＬＨ伝送線は、２つの直列インダクターと一つの並列キャパシターを有するＲＨ伝送線及び２つの直列キャパシターと一つの並列インダクターを有するＬＨ伝送線の結合により等価化可能な少なくとも一つのセルを備えている。

本発明の他の側面によれば、ＲＨ伝送線は、入力信号に対して、高周波帯域において正の位相遅延を引き起こし、ＬＨ伝送線は、入力信号に対して、低周波帯域において不の位相遅延を引き起こす。

本発明のさらに他の側面によれば、ダイオードは、ダイオードの一端が入力端子または出力端子に接続され、ダイオードの他端がグラウンドに接続されていてもよい。これは、入力端子または出力端子に対する並列接続のためであり、並列接続だけではなく、直列接続を併用する方法も利用可能である。このとき、入力端子または出力端子に直列接続されるダイオードは、ダイオードの一端が入力端子または出力端子に接続され、ダイオードの他端が伝送線路に接続されていてもよい。

本発明によれば、ＰＩＮダイオードを通じて、高出力でも高い線形性及び隔離度を有し、短いスイッチング時間を有しながらも、右手/左手系複合（ＣＲＬＨ）伝送線を伝送線路として利用することにより小型化可能であり、二重帯域の特性を有するＲＦスイッチを設計することができる。

本発明によれば、ＳＰＤＴ構造だけではなく、ＳＰＳＴ構造でも高い隔離度を実現し、単一周波数帯域でも小型化可能なＲＦスイッチを設計することができる。

従来の技術におけるＲＦスイッチを示す一例である。 従来の技術におけるＲＦスイッチを示す一例である。 従来の技術におけるＲＦスイッチを示す一例である。 他の従来の技術における、ＰＩＮダイオードを用いたＳＰＤＴ構造のＲＦスイッチを説明するための一例である。 本発明の一実施形態における、ＣＲＬＨ伝送線を用いて構成されたＲＦスイッチの構造を説明するための図である。 本発明の一実施形態における、ＣＲＬＨ伝送線を構成するセルの内部構成を説明するための図である。 ＣＲＬＨ伝送線の周波数による位相変化を示す図である。 本発明の他の実施形態における、ＣＲＬＨ伝送線を用いて構成されたＲＦスイッチの構造を説明するための図である。

以下、添付図面に基づき、本発明による種々の実施形態を詳述する。本発明は、ＰＩＮダイオード及びＣＲＬＨ伝送線を用いたＲＦスイッチ及び前記ＲＦスイッチを備える装置である。この明細書において、「装置」とは、ＲＦ信号を送受信する装置を言い、無線送信機、無線受信機及び無線送受信機をいずれも含む。また、前記ＰＩＮダイオードを動作させるためのバイアスなどに関する内容は既に従来の技術において説明されており、当業者にとって周知であるため、本発明の一実施形態を説明するに当たっては省略されている。

図５は、本発明の一実施形態における、ＣＲＬＨ伝送線を用いて構成されたＲＦスイッチの構造を説明するための図である。図５に示すように、ＲＦ信号の入出力をスイッチングするＲＦスイッチ３００は、一端が入力端子３０１に接続され、他端がアンテナ３０２の信号ライン３０３に接続されてＲＦ信号を伝送する第１伝送線路３０４と、一端が出力端子３０５に接続され、他端が信号ライン３０３に接続されてＲＦ信号を伝送する第２伝送線路３０６と、入力端子３０１と第１伝送線路３０４との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御する第１ＰＩＮダイオード３０７及び出力端子３０５と第２伝送線路３０６との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御する第２ＰＩＮダイオード３０８を備える。このとき、第１伝送線路３０４及び第２伝送線路３０６としてＣＲＬＨ伝送線を利用することができる。

このようなＣＲＬＨ伝送線は、２つの直列インダクターと一つの並列キャパシターを有するＲＨ伝送線及び２つの直列キャパシターと一つの並列インダクターを有するＬＨ伝送線の結合により等価化可能な少なくとも一つのセルを備えていてもよい。ここで、ＲＨ伝送線は、入力信号に対して高周波帯域において正の位相遅延を引き起こし、ＬＨ伝送線は、入力信号に対して低周波帯域において負の位相遅延を引き起こす。すなわち、ＣＲＬＨ伝送線が有するセルの数を変更することにより、所望の位相遅延を引き起こすことができ、これにより、ＲＦスイッチが二重帯域特性を有するように設計することができる。

また、第１ＰＩＮダイオード３０７及び第２ＰＩＮダイオード３０８は、入力端子３０１及び出力端子３０５にそれぞれ並列接続可能である。例えば、図５のように、第１ＰＩＮダイオード３０７は一端が入力端子３０１に、他端がグラウンド３０９にそれぞれ接続されている。さらに、上述したように、且つ、図３に示すように、ＲＦスイッチ３００のＰＩＮダイオード３０７、３０８は、並列ダイオードと直列ダイオードを併用することも可能である。

すなわち、図５の一実施形態は本発明の好適な一例を示すものであり、種々の変形が可能であることはいうまでもない。例えば、図５の一実施形態においては、ＳＰＤＴ構造のＲＦスイッチについて説明しているが、このようにＰＩＮダイオード及びＣＲＬＨ伝送線を利用する構造はＳＰＳＴ構造にも適用可能であり、ＰＩＮダイオードを多重に接続することにより、さらに高い隔離度を実現することもできる。なお、二重帯域だけではなく、単一周波数帯域の設計時にも小型化可能であるというメリットを有する。

図６に基づき、ＣＲＬＨ伝送線について詳述する。

図６は、本発明の一実施形態における、二重帯域−ＣＲＬＨ伝送線を構成するセルの内部構成を説明するための図である。セル４００は、大きく、２つの直列キャパシターと一つの並列インダクターを有するＬＨ伝送線４０１と、２つの直列インダクターと一つの並列キャパシターを有するＲＨ伝送線４０２との結合により構成される。このとき、ＲＨ伝送線４０２は、マイクロストリップ等分散定数素子である伝送線路を用いて実現可能であり、ＬＨ伝送線４０１は、ＬＣ集中定数素子を用いて実現可能である。優れた性能実現のために、セル４００のサイズは管内波長の１／４以下となることが好ましい。

図６に示すように、セル４００は、ＲＨ伝送線とＬＨ伝送線の伝播定数に対する和であり、近似的に下記の数式１のように表わされる伝播定数（β_CRLH）を有することができる。

ここで、ωは角周波数を意味し、Ｌ_RHはＲＨ伝送線のインダクタンスを、Ｃ_RHはＲＨ伝送線のキャパシタンスをそれぞれ意味する。また、Ｃ_LHはＬＨ伝送線のインダクタンスを、Ｃ_LHはＬＨ伝送線のキャパシタンスをそれぞれ意味する。

上記の数式１から明らかなように、周波数が低い場合、Ｌ_LH及びＣ_LHが優勢な影響を与え、周波数が高い場合にはＬ_RH及びＣ_RHが優勢な影響を与える。このため、低い周波数においてはＬＨ伝送線による負の位相遅延（−９０度）を主として利用し、高い周波数においてはＲＨ伝送線による正の位相遅延（９０度）を主として利用して２つの帯域の両方において必要とされる位相遅延を達成することができる。特に、低周波帯域においてはＬＨ伝送線により位相前進を実現することにより、伝送線路の長さが従来とは異なって波長とは無関係に定められ、低周波信号の波長の１／４以下になりうる。これに対し、高周波に対しては、主としてＲＨ伝送線により位相遅延を実現するため、その長さが高周波信号波長の１／４になりうる。しかしながら、低周波信号の波長の方がさらに長いため、依然としてＬＨ伝送線の利用により回路の小型化が達成される。但し、このような説明は極めて単純化されたものであり、実質的にＬＨ線路とＲＨ線路は複合的に作用し、これについては後述する。

図７は、ＣＲＬＨ伝送線の周波数による位相変化を示す図である。

グラフ５００から明らかなように、ＣＲＬＨ伝送線の周波数に対する位相５０１はＬＨ伝送線の位相５０２とＲＨ伝送線の位相５０３との和で表わされる。このような特性を用いて、ＲＦスイッチにおいて＋９０度及び−９０度の位相を有するように設計することができる。数式１から、２つの使用周波数において位相遅延（Φ_CRLH）を９０度（π／２）または−９０度（−π／２）にするためのＲＨ伝送線とＬＨ伝送線のインダクタンス及びキャパシタンス、そしてＣＲＬＨ伝送線の長さ、及びＣＲＬＨ伝送線を構成するセルの数Ｎに基づいて決定することができる。このような位相遅延による位相変化は、下記の数式２のように表わされる。

このようなＣＲＬＨ伝送線のセル４００に関する解釈は、ＣＲＬＨ伝送線の解釈と同様であり、セルの数Ｎを通じて、通常のＲＨ伝送線路により実現できなかった任意の二重帯域の設計が可能になる。すなわち、ＣＲＬＨ伝送線を用いた二重帯域伝送線は、ＲＨ伝送線とＬＨ伝送線の位相の和により周波数による位相変化が表わされ、これを用いて異なるｆ₁及びｆ₂周波数において実質的に同じ動作特性を有する位相値を有するように設計可能である。このようなＣＲＬＨ伝送線の特性は、下記の数式３のように表わされる。

すなわち、このようなＣＲＬＨ伝送線の特徴を用いた本発明によるＲＦスイッチは、設計周波数ｆ₁において＋９０度、ｆ₂において−９０度を有するように設計可能であり、このために、数式３から、ＬＨ伝送線のインダクタンスＬ_LHとキャパシタンスＣ_LHは下記の数式４及び数式５のようにそれぞれ表わされる。

ここで、ｆ₁＜ｆ₂である。

また、数式４及び数式５を数式３に代入することにより、ＲＨ伝送線の位相を求めることができる。このような設計周波数ｆ₁及びｆ₂は、例えば、ＧＳＭ帯域である８８０ＭＨｚ帯域とＰＣＳ帯域である１．８ＭＨｚ帯域を有するように設計することができる。

図８は、本発明の他の実施形態における、ＣＲＬＨ伝送線を用いて構成されたＲＦスイッチの構造を説明するための図である。ＲＦスイッチ６００は、ＳＰＳＴ構造のスイッチであり、入力端子６０１と出力端子６０２との間へのＲＦ信号の伝送を認可するために利用される。このようなＲＦスイッチ６００は、一端が入力端子６０１に接続され、他端が出力端子６０２に接続された伝送線路６０３、入力端子６０１と伝送線路６０３との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御する第１ＰＩＮダイオード６０４及び出力端子６０２と伝送線路６０３との間に配設されてＲＦ信号の伝送可否を制御する第２ＰＩＮダイオード６０５を備える。このとき、伝送線路６０３は、上述したように、ＳＰＤＴ構造のＲＦスイッチと同様にＣＲＬＨ伝送線を利用する。

ＣＲＬＨ伝送線は、２つの直列インダクターと一つの並列キャパシターを有するＲＨ伝送線及び２つの直列キャパシターと一つの並列インダクターを有するＬＨ伝送線の結合により等価化可能な少なくとも一つのセルを備えることができる。また、ＲＨ伝送線は、入力信号に対して高周波帯域において正の位相遅延を引き起こし、ＬＨ伝送線は、入力信号に対して低周波帯域において負の位相遅延を引き起こす。すなわち、数式１から明らかなように、ＳＰＳＴ構造においても、ＳＰＤＴ構造と同様に、高周波に対しては主としてＲＨ伝送線により位相遅延を実現するため、その長さが高周波信号波長の１／４になるものの、低周波信号の波長の方がさらに長いため、ＬＨ伝送線の利用を通じて回路の小型化が達成され、所望の位相遅延を設計して任意の二重帯域において同様に動作する回路を設計することが可能になる。

第１ＰＩＮダイオード６０４及び第２ＰＩＮダイオード６０５もまた、ＳＰＤＴ構造と同様に、並列接続を使用することもでき、並列接続と直列接続を併用することも可能である。図８に示すように、並列接続を利用する場合、例えば、第１ＰＩＮダイオード６０４は一端が入力端子６０１に接続され、他端がグラウンド６０６に接続されて入力端子６０１と出力端子６０２との間への前記ＲＦ信号の伝送を認可または拒否することができる。これらの第１ＰＩＮダイオード６０４及び第２ＰＩＮダイオード６０５において、ＲＦ信号の伝送可否を決定する方法についての説明は既に詳述されているため、ここではその詳細な説明を省略する。

このように、ＰＩＮダイオードを通じて、高出力でも高い線形性及び隔離度を有し、短いスイッチング時間を有しながらも、右手/左手系複合（ＣＲＬＨ）伝送線を伝送線路として利用することにより小型化が可能であり、二重帯域の特性を有するＲＦスイッチを設計することができる。また、ＳＰＤＴ構造だけではなく、ＳＰＳＴ構造においても高い隔離度を実現し、単一周波数帯域においても小型化可能なＲＦスイッチを設計することができる。

以上、述べたように、本発明においては、具体的な構成要素などの特定の事項と限定された実施形態及び図面により説明されたが、これは本発明のより全般的な理解への一助となるために提供されたものに過ぎず、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明が属する分野において通常の知識を持った者であれば、このような記載から種々の修正及び変形が可能である。

よって、本発明の思想は説明された実施形態に制限されて定められてはならず、特許請求の範囲だけではなく、この特許請求の範囲と均等であるか、あるいは、等価的変形があるあらゆるものは本発明の思想の範疇に属すると言える。

Claims (8)

1. 高周波（ＲＦ）信号の入出力をスイッチングするＲＦスイッチにおいて、
   一端が入力端子または出力端子に接続され、他端が信号ラインに接続されて前記ＲＦ信号を伝送する伝送線路と、
   前記入力端子と前記伝送線路との間、または前記出力端子と前記伝送線路との間に配設されて前記ＲＦ信号の伝送可否を制御するダイオードと、
   を備え、
   前記伝送線路として右手/左手系複合（ＣＲＬＨ）伝送線を利用するＲＦスイッチ。
2. 入力端子と出力端子との間へのＲＦ信号の伝送を認可するＲＦスイッチにおいて、
   一端が前記入力端子に接続され、他端が前記出力端子に接続された伝送線路と、
   前記入力端子と前記伝送線路との間、または前記出力端子と前記伝送線路との間に配設されて前記ＲＦ信号の伝送可否を制御するダイオードと、
   を備え、
   前記伝送線路として右手/左手系複合（ＣＲＬＨ）伝送線を利用するＲＦスイッチ。
3. 前記ＣＲＬＨ伝送線は、２つの直列インダクターと一つの並列キャパシターを有するＲＨ伝送線及び２つの直列キャパシターと一つの並列インダクターを有するＬＨ伝送線の結合により等価化可能な少なくとも一つのセルを備える請求項１または２に記載のＲＦスイッチ。
4. 前記ＲＨ伝送線は、入力信号に対して高周波帯域において正の位相遅延を引き起こし、前記ＬＨ伝送線は、前記入力信号に対して低周波帯域において負の位相遅延を引き起こす請求項３に記載のＲＦスイッチ。
5. 前記ＣＲＬＨ伝送線は、２以上の周波数に対して位相遅延の絶対値が９０度である請求項１または２に記載のＲＦスイッチ。
6. 前記ダイオードは、前記ダイオードの一端がが前記伝送線路に接続され、前記ダイオードの他端がグラウンドに接続される請求項１または２に記載のＲＦスイッチ。
7. 前記ダイオードは、前記ダイオードの一端が前記入力端子または前記出力端子に接続され、前記ダイオードの他端が前記伝送線路に接続される請求項１または２に記載のＲＦスイッチ。
8. 請求項１または２に記載のＲＦスイッチを備える装置。

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