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JP2010236986A - 放射線位相画像撮影装置 - Google Patents

放射線位相画像撮影装置 Download PDF

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JP2010236986A JP2009084385A JP2009084385A JP2010236986A JP 2010236986 A JP2010236986 A JP 2010236986A JP 2009084385 A JP2009084385 A JP 2009084385A JP 2009084385 A JP2009084385 A JP 2009084385A JP 2010236986 A JP2010236986 A JP 2010236986A
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Abstract

【課題】放射線源にマルチスリットを用いることなく放射線位相画像撮影装置を構成する。
【解決手段】電子線を射出する複数の電子源15aおよびその電子源15aから射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲット15bを備えた放射線照射部1と、放射線を回折する格子構造が周期的に配置された第1の格子2と、放射線を透過および遮蔽する格子構造が周期的に配置された第2の格子3と、第2の格子3を透過した放射線を検出する放射線画像検出器とを設け、第1の格子2および前記第2の格子3を、放射線の光軸方向において、各電子源に対応する放射線に基づく第1の格子2の像同志を第2の格子3面上で略重ねることができるように配置し、各電子源15bに対応する放射線が、それぞれ同一の被写体の位相画像を放射線画像検出器4上に形成する。
【選択図】図4

Description

本発明は、格子を利用した放射線位相画像撮影装置に関するものである。
従来、X線タルボ干渉計を用いて、被写体に入射するX線の透過経路中の媒質の屈折率の違いによる波面の変化を検出し、画像化する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
この方法は、基本的に単色・平行なX線を必要とする結晶分析体を用いるような他の位相イメージング方法に対して、コーンビームなどのX線源が利用できる可能性があるという特徴がある。
そして、上記のようなタルボ干渉計を用いた方法においては、高度な空間コヒーレント性を必要とするため、たとえば、微小焦点のX線源が用いられるが、このようなX線源は単位時間あたりのX線量が小さいため、従来のX線撮影時間に対して長時間のX線露光が必要となり、わずかな波面の変化を検出する上で、露光期間中における機械的安定性、被撮影者の体動の影響などによって、良好な位相画像が取得できないといった問題があった。
そこで、この問題を解決するためタルボ干渉計を用いた方法を改良したタルボ・ロー干渉計を用いた方法が提案されている(たとえば、非特許文献1)。これは比較的大きな焦点サイズのX線源の焦点の直後にマルチスリットを配置し、それぞれのスリットを独立な発光点とする新たな微小焦点X線源のアレイとすることで、短時間で十分な露光量を確保することができるものである。
国際公開WO2004/058070号公報
しかしながら、タルボ・ロー干渉計を用いた方法においても、高度な空間コヒーレント性を確保するため、第1の格子のピッチに対してX線源の焦点サイズを十分に小さくする必要があり、そのため微小なスリットを構成し、さらにスリットを構成する部材のX線の透過率をできるだけ小さくする必要があり、このようなマルチスリットを製造することは非常に困難であった。
また、たとえば、X線源側から第1の格子、第2の格子を配置してタルボ・ロー干渉計を構成する場合、マルチスリットおよび格子の寸法精度および各光学素子の幾何学的配置を高精度に調整する必要がある。
本発明は、上記の事情に鑑み、上記のようなマルチスリットを用いることなく、放射線位相画像を撮影することができる放射線位相画像撮影装置を提供することを目的とする。
また、格子の寸法精度および各光学素子の幾何学的配置を高精度に調整することなく、放射線位相画像を撮影することができる放射線位相画像撮影装置を提供することを目的とする。
本発明の第1の放射線位相画像撮影装置は、電子線を射出する複数の電子源およびその電子源から射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲットを備えた放射線照射部と、放射線照射部から射出された放射線を回折する格子構造が周期的に配置された第1の格子と、第1の格子により回折された放射線を透過および遮蔽する格子構造が周期的に配置された第2の格子と、第2の格子を透過した放射線を検出する放射線画像検出器とを備え、第1の格子および第2の格子が、放射線の光軸方向において、各電子源に対応する放射線に基づく第1の格子の像同志を第2の格子面上で略重ねることができるように配置され、各電子源に対応する放射線が、それぞれ第1の格子および第2の格子によって同一の被写体の位相画像を放射線画像検出器上に形成するものであることを特徴とする。
また、上記本発明の第1の放射線位相画像撮影装置においては、各電子源に対応する放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔Pと、上記焦点と第1の格子との距離Lと、第1の格子と第2の格子との距離Zと、第2の格子を構成し周期的に配置される遮蔽部材の間隔Pとが下式(1)を満たすように構成することができる。
=P×L/Z ・・・(1)
また、各電子源に対応する放射線の焦点のそれぞれの中心間間隔を、第1の格子を構成する遮蔽部材の延伸方向に直交する方向について10μm〜500μmとすることができる。
また、複数の電子源から射出される電子線のターゲットへの照射を互いに独立して制御する電子線照射制御部をさらに設けることができる。
また、電子線照射制御部を、電子源とターゲットとの間に設けられ、電子線の通過を制限するゲート電極への印加電圧を切り替えることによって電子線のターゲットへの照射を制御するものとすることができる。
また、電子線照射制御部を、電子源とターゲットとの間に設けられた引出電極と電子源と間の電位差を切り替えることによって電子線のターゲットへの照射を制御するものとすることができる。
また、電子線照射制御部を、複数の電子源から射出される電子線のターゲットへの照射を互いに独立して制御することによって、放射線の焦点間隔を変更するものとすることができる。
また、電子線照射制御部を、被写体が存在しない状態で放射線画像検出器により検出された放射線画像におけるモアレ縞のコントラストが最大になるように放射線の焦点間隔を設定するものとすることができる。
また、第1の格子を位相変調型格子とし、第2の格子を振幅変調型格子とすることができる。
また、第1の格子および第2の格子を、振幅変調型格子とすることができる。
本発明の第2の放射線位相画像撮影装置は、電子線を射出する複数の電子源およびその電子源から射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲットを備えた放射線照射部と、放射線照射部から射出された放射線を回折する格子構造が周期的に配置された格子と、格子により回折された放射線の周期情報を検出する周期情報撮像放射線画像検出器とを備え、格子および周期情報撮像放射線画像検出器は、放射線の光軸方向において、各電子源に対応する放射線に基づく格子の像同志を周期情報撮像放射線画像検出器上で略重ねることができるように配置され、各電子源に対応する放射線が、それぞれ格子および周期情報撮像放射線画像検出器の線状電極によって同一の被写体の位相画像を放射線画像検出器内に形成するものであることを特徴とする。
また、上記本発明の第2の放射線位相画像撮影装置においては、各電子源に対応する放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔Pと、上記焦点と格子との距離Lと、格子と周期情報撮像放射線画像検出器との距離Zと、周期情報撮像放射線画像検出器を構成する線状電極の間隔Pとが下式(2)を満たすように構成することができる。
=P×L/Z ・・・(2)
また、各電子源に対応する放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔を、格子を構成する遮蔽部材の延伸方向に直交する方向について10μm〜500μmとすることができる。
また、複数の電子源から射出される電子線のターゲットへの照射を互いに独立して制御する電子線照射制御部をさらに設けることができる。
また、電子線照射制御部を、電子源とターゲットとの間に設けられ、電子線の通過を制限するゲート電極への印加電圧を切り替えることによって電子線のターゲットへの照射を制御するものとすることができる。
また、電子線照射制御部を、電子源とターゲットとの間に設けられた引出電極と電子源と間の電位差を切り替えることによって電子線のターゲットへの照射を制御するものとすることができる。
また、電子線照射制御部を、複数の電子源から射出される電子線のターゲットへの照射を互いに独立して制御することによって、放射線の焦点間隔を変更するものとすることができる。
また、電子線照射制御部を、被写体が存在しない状態で周期情報撮像放射線画像検出器により検出された放射線画像におけるモアレ縞のコントラストが最大になるように放射線の焦点間隔を設定するものとすることができる。
本発明の第1の放射線位相画像撮影装置によれば、電子線を射出する複数の電子源を設け、第1の格子および第2の格子を、各電子源に対応する放射線に基づく第1の格子の像同志を第2の格子面上で略重ねることができるように配置し、各電子源に対応する放射線が、それぞれ第1の格子および第2の格子によって同一の被写体の位相画像を放射線画像検出器上に形成するようにしたので、マルチスリットを用いることなく放射線位相画像撮影装置を構成することができる。
また、複数の電子源から射出される電子線のターゲットへの照射を互いに独立して制御する電子線照射制御部をさらに設けるようにした場合には、放射線源、第1の格子、第2の格子および放射線画像検出器を設置した後に、電子線照射制御部により電子源から射出される電子線のターゲットへの照射を制御することによって、放射線の焦点間隔を、それぞれの焦点からの放射線が第1の格子を介して形成する格子像が、第2の格子の構造と略重なるように変更、設定することができるので、格子の寸法精度および各光学素子の幾何学的配置を高精度に調整することなく、放射線位相画像撮影装置を構成することができる。
また、電子源とターゲットとの間に、電子線の通過を制限するゲート電極を設け、電子線照射制御部によりゲート電極への印加電圧を切り替えることによって電子線のターゲットへの照射を制御したり、また、電子源とターゲットとの間に設けられた引出電極と電子源と間の電位差を電子線照射制御部により切り替えることによって電子線のターゲットへの照射を制御するようにした場合には、放射線の焦点位置の変更をより簡易な構成で行うことができる。
また、電子線照射制御部を、被写体が存在しない状態で放射線画像検出器により検出された放射線画像におけるモアレ縞のコントラストが最大になるように放射線の焦点間隔を設定するものとした場合には、放射線の焦点間隔を自動的に設定することができ、より適切な位相画像を取得することができる。
本発明の第2の放射線位相画像撮影装置によれば、電子線を射出する複数の電子源を設け、格子および周期情報撮像放射線画像検出器を、放射線の光軸方向において、各電子源に対応する放射線に基づく格子の像同志を周期情報撮像放射線画像検出器上で略重ねることができるように配置し、各電子源に対応する放射線が、それぞれ格子および周期情報撮像放射線画像検出器の線状電極によって同一の被写体の位相画像を放射線画像検出器内に形成するようにしたので、上記本発明の第1の放射線位相画像撮影装置と同様に、マルチスリットを用いることなく放射線位相画像撮影装置を構成することができる。また、周期情報撮像放射線画像検出器を用いるようにしたので、格子を1つにすることができ、コストの削減を図ることができる。
本発明の放射線位相画像撮影装置の第1の実施形態の概略構成図 図1に示す放射線位相画像撮影装置の上面図 各放射線源から射出される放射線を示す図 放射線源の概略構成を示す図 第1の格子の概略構成図 第2の格子の概略構成図 放射線の焦点間隔を変更して検出した干渉縞の一例を示す模式図 図7に示す干渉縞を表す放射線画像信号の強度を示す図 放射線源の変形例を示す図 本発明の放射線位相画像撮影装置の第2および第3の実施形態の概略構成図 図14に示す放射線位相画像撮影装置の上面図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の概略構成を示す断面図 周期情報撮像放射線画像検出器の一部平面図 図13に示す周期情報撮像放射線画像検出器の一部の6−6線断面図 図13に示す周期情報撮像放射線画像検出器の一部の7−7線断面図 4画素に対応する単位素子の第1の線状電極群と第2の線状電極群との模式図 第1の線状電極群によって半導体層内に形成される電界を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器の変形例を示す図 (A)本発明の放射線位相画像撮影装置の第3の実施形態における周期情報撮像放射線画像検出器の概略構成を示す断面図、(B)(A)に示す周期情報撮像放射線画像検出器のXZ面断面図、(C)(A)に示す周期情報撮像放射線画像検出器のXY面断面図 本発明の放射線位相画像撮影装置の第3の実施形態における周期情報撮像放射線画像検出器の線状電極の構成を説明するための図 本発明の放射線位相画像撮影装置の第3の実施形態における周期情報撮像放射線画像検出器への放射線画像の記録の作用を説明するための図 本発明の放射線位相画像撮影装置の第3の実施形態における周期情報撮像放射線画像検出器からの画像信号の読取りの作用を説明するための図
以下、図面を参照して本発明の放射線位相画像撮影装置の第1の実施形態について説明する。図1に第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置の概略構成を示す。図2に図1に示す放射線位相画像撮影装置の上面図(X−R断面図)を示す。図2の紙面厚さ方向が図1のY方向である。
放射線位相画像撮影装置は、図1に示すように、放射線を被写体10に向かって照射する放射線照射部1と、被写体10を透過した放射線が照射され、その放射線を回折する第1の格子2と、第1の格子2により回折された放射線を透過および遮蔽するする第2の格子3と、第2の格子3を透過した放射線を検出する放射線画像検出器4と、第1および第2の格子2,3とをそれぞれの面に沿って格子を構成する部材の延伸する方向と直交する方向(図1のX方向)に移動させる移動機構5と、放射線画像検出器4により検出された画像信号に基づいて位相画像を形成する位相画像取得部6とを備えている。
放射線照射部1は、図1に示すように、放射線を射出する多数の放射線源1aが2次元状に平面に沿って配列されたものである。そして、各放射線源1aから射出された放射線は、被写体を透過した後、放射線画像検出器4により検出される。各放射線源1aから射出された被写体を透過した放射線はそれぞれが球面波として伝搬し、被写体中で吸収、散乱、屈折といった相互作用を受ける。各放射線源1aから射出され被写体を透過した各放射線束は、それぞれが第1の格子の格子像を第2の格子の位置に形成する。このとき、各放射線源1aと第1の格子2および第2の格子3の位置を、放射線の光軸方向において所定の間隔で配置することで、各放射線束の間では、ちょうど第1の格子のピッチの整数倍だけX方向にずれて重なりあう。このため、焦点の配置による幾何学的なボケの影響を低減し、複数の放射線束によって信号強度を稼ぐことができ、撮影時間を短縮することができる。なお、図2においては、各放射線源1aから射出される放射線を模式的に矢印のみで示しているが、実際には、図3に示すように、各放射線源1aから射出される放射線は、放射状に広がりをもち、1つの放射線源1aから射出される放射線が被写体全体を覆うように射出される。
図4に、各放射線源1aの概略構成を示す。放射線源1aは、図4に示すように、電子線を射出する電子源15aと、その電子源15aから射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲット15bと、電子源15aから電子線を射出させるとともに加速させる引出電極15cと、電子源15aから射出された電子線を集束させる電子レンズ15dとを備えている。
電子源15aは、たとえば、カーボンナノチューブなどにより形成され、陰極として構成されている。
ターゲット15bは、たとえば、タングステン、モリブデン、銅などの金属材料により形成され、陽極として構成されている。
そして、引出電極15cとターゲット15bとの間には、高電圧を印加する高電圧源(図示省略)が設けられており、この高電圧源によって引出電極15cからターゲット15bに向かって電子が加速されるように電位差を形成するための電圧が印加される。
そして、電子源15aと引出電極15cとの間には、電子源15aから引出電極15cに向かって電子を引き出すための電位差を与えるための電圧源(図示省略)が設けられており、この電圧源によって電子源15aと引出電極15cとの間に電位差を形成するための電圧が印加される。
そして、電子源15aと引出電極15cとの間に電圧が印加されるとともに、引出電極15cとターゲット15bとの間に電圧が印加されることによって、電子源15aから電子線が射出される。
電子レンズ15dは、所定の電圧が印加されることよって電界を形成するものであり、この電界によって電子源15aから出力された電子線をターゲット15b上に集束するものである。
そして、多数の放射線源1aは、図4に示すように、各電子源15aから射出された電子線のターゲット15bへの衝突により発生する放射線の焦点の中心間間隔がPとなるように配置されている。この放射線の焦点の中心間間隔、すなわち本実施形態の場合、放射線の焦点の中心間間隔Pは、たとえば、10μm〜500μm、好ましくは50μm〜200μmとされるが、この間隔は焦点からの第1の格子2および第2の格子3との距離によって決定されるものである。その詳細については後述する。
そして、放射線源1aは、電子源15a、ターゲット15b、1組の引出電極15cおよび1組の電子レンズ15dを、真空の筐体内に配置したものである。

また、放射線照射部1には、図4に示すように、電子線照射制御部16が設けられている。電子線照射制御部16は、複数の電子源15aから射出される電子線のターゲット15bへの照射を互いに独立して制御するものである。本実施形態においては、電子線照射制御部16は、各引出電極15bと各ターゲット15bとの間に印加される高電圧を各引出電極15b毎に互いに独立して制御することによって、各電子源15aからの電子線の射出を互いに独立して制御するものである。
第1の格子2は、多数の放射線源1aが配置された平面と平行な平面に沿って形成されており、図5に示すように、基板21と、基板21に設けられた複数の部材22とを備えている。複数の部材22は、いずれも一方向(図5中紙面の厚さ方向)に延びる線状形状で形成されている。複数の部材22どうしの間隔(つまり、格子の周期)Pは、この実施形態では一定とされている。部材22の素材としては、たとえば、金やシリコン用いることができる。また、部材22としては、照射される放射線に対して約90°または約180°の位相変調を与える、いわゆる位相変調型格子を構成するものであることが望ましい。たとえば、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な金の厚さは1μm〜数μm程度になる。また、振幅変調型格子を用いることもできる。この場合、部材22は放射線を十分に吸収する厚さが必要である。たとえば、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な金の厚さは10μm〜数10μm程度になる。
第2の格子3は、多数の放射線源1aが配置された平面と平行な平面に沿って形成されており、図6に示すように、第1の格子2と同様に、基板31と、基板31に設けられた複数の部材32とを備えている。複数の部材32は、いずれも一方向(図6中紙面の厚さ方向)に延びる線状形状で形成されている。複数の部材32どうしの間隔(つまり、格子の周期)Pは、この実施形態では一定とされている。複数の部材32の素材としては、たとえば、金を用いることができる。第2の格子3については、部材32をより厚くした振幅変調型格子であることが望ましい。このとき、部材32は放射線を十分に吸収する厚さが必要である。たとえば、通常の医療診断用のX線エネルギー領域において必要な金の厚さは10μm〜数10μm程度になる。
ここで、本実施形態においては、放射線源1aの各電子源15aに対応する放射線の焦点位置と、第1の格子2および第2の格子3の位置とが、放射線の光軸方向において所定の間隔で配置されている。
具体的には、各電子源15aに対応する放射線の焦点の間隔Pと、上記焦点と第1の格子2との距離L(図2参照)と、第1の格子2と第2の格子3との距離Z(図2参照)と、第2の格子3を構成する部材の間隔P(図6参照)とが下式(1)を満たすことができるように構成されている。
=P×L/Z ・・・(1)
なお、各電子源15aに対応する放射線の焦点の間隔Pについては、予め全ての電子源15aを上式(1)を満たすような間隔Pで配置するようにしてもよいし、電子線照射制御部16によって全ての電子源15aのうちの一部の電子源15aのみから電子線を射出させることによって、放射線の焦点の間隔がPになるようにしてもよい。
また、予め全ての電子源15aを上式(1)を満たすような間隔Pで設計上配置したとしても、設計誤差により間隔Pからずれる場合がある。その場合にも電子線照射制御部16によって全ての電子源15aのうちの一部の電子源15aのみから電子線を射出させることによって、放射線の焦点の間隔がPになるように調整することができる。なお、一部の電子源15aのみから電子線を射出させるようにする場合の電子源15aの選択方法については後で詳述する。
放射線画像検出器4は、第1の格子2に入射した放射線が形成する第1の格子2の自己像を第2の格子3によって強度変調された画像信号として検出するものである。このような放射線画像検出器4は、直接変換型および間接変換型のフラットパネル検出器,イメージングプレート,増感スクリーンとフィルムの組合せ,など従来の放射線位相画像撮影装置に使われているものと同様でよいので、詳細な説明は省略する。
また、放射線源1a、第1の格子2、第2の格子3および放射線画像検出器4によって放射線位相画像を取得可能な放射線位相画像撮影装置が構成される。本構成をタルボ干渉計として機能させるためには、さらにいくつかの条件をほぼ満たさねばならない。その条件について以下に説明する。
第1の格子2と第2の格子3との距離Zは、第1の格子2が90°の位相変調を与える位相変調型格子である場合、次の条件をほぼ満たさなければならない。
ただし、λは放射線の波長(通常は中心波長)、mは0か正の整数、Pは上述した第1の格子2の格子ピッチである。
また、第1の格子2が180°の位相変調を与える位相変調型格子である場合、または、第1の格子2が振幅変調型格子である場合には、次の条件をほぼ満たさなければならない。
移動機構5は、上述したように第1の格子2または第2の格子3をX方向に移動させるものであるが、たとえば、第2の格子3の格子ピッチピッチPの1/n(nは2以上の整数)ずつ動かして、それぞれのnに対する位置で放射線画像の撮影を行なうことにより第2の格子3によって強度変調されたn種類n枚の画像信号を取得することができる。n枚の画像信号からは、たとえば、“K. A. Stetson and W. R. Brohinsky : Appl. Oct. 24, 3631(1985)”に記載の縞走査法を用いることにより、各画素ごとの位相シフトの微分量、すなわち被写体10によって生じた放射線の屈折角度に応じた量を復元することができ、様々な画像処理とその表現を介して、いわゆる位相コントラスト画像として供することができる。
次に、本実施形態の放射線位相画像撮影装置の作用について説明する。
まず、図1に示すように、放射線照射部1と第1の格子2との間に、被写体10が配置される。次に、放射線照射部1の各放射線源1aにおいて、電子源15aと引出電極15cとの間に電圧が印加されるとともに、引出電極15cとターゲット15bとの間に高電圧が印加され、これにより各電子源15aから電子線が射出される。そして、各電子源15aから射出された電子線は電子レンズ15dにより集束され、各ターゲット15bに衝突し、これにより各ターゲット15bから放射線が射出される。そして、その放射線は被写体10を透過した後、第1の格子2に照射される。照射された放射線は、第1の格子2で回折されることにより、第1の格子2から放射線の光軸方向において所定の距離において、タルボ干渉像を形成する。
これをタルボ効果と呼び、光波が格子を通過したとき、格子から所定の距離において、格子の自己像を形成する。たとえば、第1の格子2が、90°の位相変調を与える位相変調型格子の場合、上式(2)(180°の位相変調型格子や強度変調型格子の場合は上式(3))で与えられる距離において第1の格子2の自己像を形成する一方、被写体10によって、第1の格子2に入射する放射線の波面は歪むため、第1の格子2の自己像はそれに従って変形している。
続いて、放射線は、第2の格子3を通過する。その結果、上記の変形した第1の格子2の自己像は第2の格子3との重ね合わせにより、強度変調を受け、上記波面の歪みを反映した画像信号として放射線画像検出器4により検出される。
続いて順次、移動機構5により第2の格子3がX方向について第2の部材のピッチPの1/n(nは2以上の整数)ずつ動かされ、放射線画像検出器4により、それぞれのnに対する波面の歪みを反映した画像信号が検出される。
n種の波面の歪みを反映した画像信号は位相画像取得部6に入力され、位相画像取得部6は、n種の波面の歪みを反映した画像を解析することにより、位相画像を生成する。波面の歪みは、被写体10による屈折効果によって放射線が曲げられた角度に比例している。したがって、放射線画像検出器4により検出されたn種類の波面の歪みを反映した画像から各画素での位相変調量を解析することにより、被写体10の内部の屈折率分布に依存した量を検出することができる。
ここで、上記実施形態の放射線位相画像撮影装置において、放射線源1aの放射線の焦点の間隔Pがより適切な間隔となるように、すなわち、より適切な位相画像を取得することができるように各放射線源1aの電子源15aからの電子線の射出を制御する方法について説明する。
まず、被写体10が存在しない状態で、上記と同様にして、各放射線源1aから放射線が射出される。なお、このとき電子線を射出させる電子源15aは予め設定されているものとする。
そして、各放射線源1aから射出された放射線は、上記と同様にして、第1の格子2および第2の格子3を透過し、放射線画像検出器4に照射される。なお、このとき第1の格子2および第2の格子3の位置は予め設定された位置に固定されているものとする。
そして、放射線画像検出器4により検出される放射線画像のモアレ縞のコントラストが最大になるように放射線の焦点間隔を変更する。
具体的には、電子線照射制御部16により全ての電子源15aのうちの所定の電子源15aが選択され、その選択された電子源15aのみから電子線を射出させることによって放射線の焦点間隔が順次変更される。そして、各焦点間隔についてそれぞれ放射線画像検出器4により第1の格子の自己像と第2の格子との重ね合わせによるモアレ縞が検出される。
図7(a)〜図7(c)に、放射線の焦点間隔を順次変更して放射線画像検出器4により検出された3種類のモアレ縞の一例を示す。また、図8に、図7(a)〜図7(c)に示すモアレ縞を表す放射線画像信号の強度をそれぞれ示す。図8のaが図7(a)のモアレ縞を表す放射線画像信号であり、図8のbが図7(b)のモアレ縞を表す放射線画像信号であり、図8のcが図7(c)のモアレ縞を表す放射線画像信号である。
そして、図8に示すような、各焦点間隔毎のモアレ縞を表す放射線画像信号は、電子線照射制御部16に入力される。そして、電子線照射制御部16は、各モアレ縞を表す放射線画像信号について、図8に示すような、最大値Smaxと最小値Sminを取得し、この最大値Smaxと最小値Sminに基づいて、下式を算出することによってモアレ縞のコントラストの指標Cmを取得する。
Cm=(Smax−Smin)/(Smax+Smin)
そして、電子線照射制御部16は、上記Cmが最も大きくなったときの放射線の焦点間隔に対応する電子源15aの位置を記憶する。
そして、上述した被写体10の位相画像の撮影の際、上記のようにして記憶した位置の電子源15aからのみ電子線を射出させるよう制御する。
なお、上記説明では、上式で算出されるCmをモアレ縞のコントラストの指標としたが、これに限らず、最大値Smaxと最小値Sminの比Smax/Sminや単なる最大値Smaxをモアレ縞のコントラストの指標とし、これらが最大となったときの放射線の焦点間隔に対応する電子源15aの位置を記憶するようにしてもよい。また、単なる最小値Sminをコントラストの指標とし、これが最小となったときの放射線の焦点間隔に対応する電子源15aの位置を記憶するようにしてもよい。
また、上記第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、電子線照射制御部16が、引出電極15cとターゲット15bとの間に印加される高電圧を選択的に切り替えることによって電子源15aから射出される電子線を制御し、放射線の焦点間隔を制御するようにしたが、これに限らず、たとえば、電子レンズ15dにより形成される電界を制御することによって各電子源15aから射出される電子線の間隔を制御し、これにより放射線の焦点間隔を制御するようにしてもよい。
また、上記第1の実施形態の放射線源1aにおいて、図9に示すように、さらに、各電子源15aと各ターゲット15bとの間にそれぞれゲート電極15eを設け、そのゲート電極15eに負電圧を印加し、その負電圧の強度を制御することによって各電子源15aから射出された電子線の各ターゲット15bへの照射を制御するようにしてもよい。具体的には、各ゲート電極15eに印加される負電圧を制御することにより、各電子源15aから射出された電子線の透過・遮蔽を制御し、ターゲット15bからの放射線の射出を制御する。そして、電子線照射制御部16が、各ゲート電極15eに印加される負電圧を選択的に切り替えることによってターゲット15bに照射される電子線を制御し、これにより放射線の焦点間隔を制御するようにしてもよい。
また、上記実施形態の放射線源1aにおける電子源15aとしては、たとえば、フォトリソグラフィなどのデバイスプロセスによって基板にカーボンナノチューブなどの電極材料をパターニングすることによって形成するようにしてもよい。そして、スピント型、カーボンナノチューブ型、表面伝導型の電子源を用いることができる。
また、上記説明においては、被写体10が放射線照射部1と第1の格子2との間に位置する場合を説明したが、被写体10が第1の格子2と第2の格子3との間に位置する場合であっても、第2の格子3の位置に生成される第1の格子2の自己像が被写体10により変形する。したがって、この場合でも、放射線画像検出器4により被写体10に起因して変調された位相成分の画像信号を検出することができる。すなわち、本実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、被写体10を放射線照射部1と第1の格子2との間に配置してもよいし、第1の格子2と第2の格子3との間に配置するようにしてもよい。
次に、本発明の放射線位相画像撮影装置の第2の実施形態について説明する。図10に第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置の概略構成を示す。図11に図10に示す放射線位相画像撮影装置の上面図(X−R断面図)を示す。図11の紙面厚さ方向が図10のY方向である。
第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置における放射線画像検出器4の代わりに周期情報撮像放射線画像検出器40を用いるようにし、第2の格子3を設けないようにしたものである。
第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、図10に示すように、放射線を被写体10に向かって照射する放射線照射部1と、被写体10を透過した放射線が照射され、その放射線を回折する格子20と、格子20により回折された放射線の周期情報を検出する周期情報撮像放射線画像検出器40と、格子20および周期情報撮像放射線画像検出器40をそれぞれの面に沿って検出器40の有する線状電極に直交する方向(図10のX方向)に移動させる移動機構55と、周期情報撮像放射線画像検出器40により検出された画像信号に基づいて位相画像を形成する位相画像取得部6とを備えている。
放射線照射部1は、上記第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置で説明した構成と同様である。
格子20は、上記第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置における第1の格子を同様の構成である。
第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、格子20と周期情報撮像放射線画像検出器40により放射線位相画像を取得可能な放射線位相画像撮影装置を構成するものである。本構成をタルボ干渉計として機能させるためには、さらにいくつかの条件をほぼ満たさねばならない。その条件について以下で説明する。
格子20から周期情報撮像放射線画像検出器40までの距離Zは、格子20が90°の位相変調を与える位相変調型格子である場合は、次の条件をほぼ満たさなければならない。
ただし、λは放射線の波長(通常は中心波長)、mは0か正の整数、Pは格子20の格子ピッチである。
また、格子20が180°の位相変調を与える位相変調型格子である場合、または、格子20が振幅変調型格子である場合は、次の条件をほぼ満たさなければならない。
次に、本実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器40の構成について詳細に説明する。図12は周期情報撮像放射線画像検出器40の一部断面図である。
周期情報撮像放射線画像検出器40は、図12に示すように、アクティブマトリクス基板70と、このアクティブマトリクス基板70上に積層され、アクティブマトリクス基板70上の略全面に形成された半導体層60と、上部電極50とを備えている。
半導体層60は、電磁波導電性を有するものであり、放射線が照射されると内部に電荷を発生するものである。半導体層60としては、たとえば、セレンを主成分とする膜厚10〜1500μmの非晶質Se膜を用いることができるが、それに限定されることなく、PbI、HgI、Cd(Zn)Te、Bi12TiO20、Bi12Sio20、Bi12GeO20などでもよい。上記半導体層60は、アクティブマトリクス基板70上に真空蒸着法などによって形成される。
上部電極50は、Au、Alなどの低抵抗の導電材料で形成され、照射された放射線を透過する厚さで形成されている。なお、上部電極50と半導体層60の間に、電極からの電荷注入を防止する一方で発生した電荷のうち注入されるのとは反対の極性の電荷が上部電極50に到達できるようにするための電荷輸送層や、非晶質Seの結晶化を防止するための結晶化防止層などの中間層を設けることができる。
アクティブマトリクス基板70は、図12に示すように、被写体の放射線画像を構成する画素に対応する電荷収集電極とスイッチ素子などを含む単位素子72が、ガラス基板71上に2次元状に多数配列されたものである。
ここで、周期情報撮像放射線画像検出器40における各画素あるいはサブ画素ごとの構造の詳細について以下に説明する。なお、本実施形態でサブ画素とは、配列周期の位相が互いに逆位相となるように交互に配列された2つの線状電極群の組のことをいう。図13は周期情報撮像放射線画像検出器40の平面図、図14は図13に示す周期情報撮像放射線画像検出器40の6−6線断面図、図15は図13に示す周期情報撮像放射線画像検出器40の7−7線断面図である。
周期情報撮像放射線画像検出器40は、半導体層60において発生した電荷を収集する第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとから構成される電荷収集電極と、第1の線状電極群81aによって収集された電荷を蓄積する第1の蓄積容量41aと、第2の線状電極群81bによって収集された電荷を蓄積する第2の蓄積容量41bと、第1の蓄積容量41aに蓄積された電荷を読み出すための第1のTFTスイッチ42aと、第2の蓄積容量41bに蓄積された電荷を読み出すための第2のTFTスイッチ42bとを備えている。
図16に、4画素に対応する単位素子72の第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとの模式図を示す。第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとは、ともに多数の線状電極をピッチPで周期的に配列したものである。そして、第1の線状電極群81aの線状電極間に、第2の線状電極群81bの線状電極が配置されるように形成され、第1の線状電極群81aの線状電極の配列周期の位相と第2の線状電極群81bの線状電極の配列周期の位相とがπ(180°= ピッチの半分に相当)だけずれるように形成されている。また、図16に示すように、第1の線状電極群81aの線状電極どうしは接続されており、第2の線状電極群81bの線状電極どうしも接続されている。なお、線状電極間の接続線が電極として機能しないように、接続線を線状電極とは異なる面に配置する方が望ましいが、接続線の幅が狭ければ実質的な影響を問題にならないレベルに抑えることができる。
そして、第1の線状電極群81aの線状電極の配列ピッチPと、第2の線状電極群81bの線状電極の配列ピッチPは、2μm以上15μm以下とされる。なお、第1の線状電極群81aの各線状電極の幅と第2の線状電極群81bの各線状電極の幅は、1μm以上14μm以下である。
ここで、本実施形態においては、放射線源1aの各電子源15aに対応する放射線の焦点位置と、格子20および周期情報撮像放射線画像検出器40の位置とが、放射線の光軸方向において所定の間隔で配置されている。
具体的には、各電子源15aに対応する放射線の焦点の間隔Pと、上記焦点と格子20との距離L(図11参照)と、格子20と周期情報撮像放射線画像検出器40との距離Z(図11参照)と、周期情報撮像放射線画像検出器を構成する線状電極の間隔P(図16参照)とが下式(6)を満たすことができるように構成されている。
=P×L/Z ・・・(6)
なお、各電子源15aに対応する放射線の焦点の間隔Pについては、予め全ての電子源15aを上式(6)を満たすような間隔Pで配置するようにしてもよいし、電子線照射制御部16によって全ての電子源15aのうちの一部の電子源15aのみから電子線を射出させることによって、放射線の焦点の間隔がPになるようにしてもよい。
また、予め全ての電子源15aを上式(6)を満たすような間隔Pで設計上配置したとしても、設計誤差により間隔Pからずれる場合がある。その場合にも電子線照射制御部16によって全ての電子源15aのうちの一部の電子源15aのみから電子線を射出させることによって、放射線の焦点の間隔がPになるように調整することができる。なお、一部の電子源15aのみから電子線を射出させるようにする場合の電子源15aの選択方法については、上記第1の実施形態の放射線位相画像撮影装置と同様である。
また、第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとは、たとえば、非晶質透明導電酸化膜から形成するようにすればよい。
また、第1の線状電極群81aおよび第2の線状電極群81bと半導体層60との間に電極からの電荷注入を防止する一方で、半導体層60で発生した電荷を第1の線状電極群81aおよび第2の線状電極群81bで収集するための電荷輸送層や非晶質Seの結晶化を防止する結晶化防止層などの中間層を設けても良い。
第1の蓄積容量41aは、接続電極83aとゲート絶縁膜85と電荷蓄積容量電極84とから構成され、ゲート絶縁膜85が誘電体として作用し、接続電極83aと電荷蓄積容量電極84との間に電荷が蓄積される。また、第2の蓄積容量41bは、接続電極83bとゲート絶縁膜85と電荷蓄積容量電極84とから構成され、ゲート絶縁膜85が誘電体として作用し、接続電極83bと電荷蓄積容量電極84との間に電荷が蓄積される。
第1のTFT42aは、後述する走査配線73から延伸して形成されたゲート電極43aと、接続電極83aから延伸して形成されたドレイン電極43bと、後述するデータ配線74から延伸して形成されたソース電極43cと、ゲート絶縁膜85と、半導体膜88aなどから構成されている。また、第2のTFT42bは、走査配線73から延伸して形成されたゲート電極44aと、接続電極83bから延伸して形成されたドレイン電極44bと、データ配線74から延伸して形成されたソース電極44cと、ゲート絶縁膜85と、半導体膜88bなどから構成されている。ゲート絶縁膜85は、たとえば、SiNや、SiOなどから形成される。また、半導体膜88a,88bは、第1および第2のTFTスイッチ42a,42bのチャネル部であり、データ配線74と接続電極83a,83bとを結ぶ電流の通路である。
そして、絶縁保護膜87が、第1の蓄積容量41aと第2の蓄積容量41b、第1のTFTスイッチ42aと第2のTFTスイッチ42b、およびデータ配線74などを覆うように形成されている。絶縁保護膜87には、第1の線状電極群81aと接続電極83aの接続部分および第2の線状電極群81bと接続電極83bの接続部分において、コンタクトホール86が形成されている。
そして、絶縁保護膜87の上面に層間絶縁膜82が形成されており、層間絶縁膜82には、コンタクトホール86が貫通しており、そのコンタクトホール86を介して第1の線状電極群81aと接続電極83aとが接続され、第2の線状電極群81bと接続電極83bとが接続されている。層間絶縁膜82は、有機絶縁膜であり、第1および第2のTFTスイッチ42a,42bの電気的な絶縁分離を図っている。有機絶縁膜の材料としては、たとえば、アクリル樹脂を用いることができる。
走査配線73およびデータ配線74は、図15に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点近傍に第1のTFTスイッチ42aおよび第2のTFTスイッチ42bが形成されている。そして、第1のTFTスイッチ42aと第2のTFTスイッチ42bとには、それぞれ別の走査配線73が接続されており、第1のTFTスイッチ42aと第2のTFTスイッチ42bとは別個にON/OFF制御されるように構成されている。
そして、データ配線74の終端には、データ配線74に流れ出した信号電荷を検出するアンプからなる読出回路(図示省略)が接続され、走査配線73には、第1のTFTスイッチ42aおよび第2のTFTスイッチ42bをそれぞれ独立にON/OFF制御するための制御信号を出力するゲートドライバ(図示省略)が接続されている。
移動機構55は、上述したように格子20または周期情報撮像放射線画像検出器40をX方向に移動させるものであるが、たとえば、周期情報撮像放射線画像検出器40の線状電極の配列ピッチPの1/n(nは2以上の整数)ずつ動かして、それぞれの位置で放射線画像の撮影を行なうことにより、n種類の位相成分の画像信号を取得することができる。n種類の画像信号からは、第1の実施形態と同様に、各画素ごとに位相シフトの微分量、すなわち被写体10によって生じた放射線の屈折角度に応じた量を復元することができ、様々な画像処理とその表現を介して、いわゆる位相コントラスト画像として供することができる。たとえば、4種類の位相成分または6種類の位相成分の画像信号を取得するように周期情報撮像放射線画像検出器40を移動させることが望ましいが、本実施形態のように、電荷収集電極を第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとから構成する場合には、配列ピッチPの1/2だけ動かすことにより4種類の位相成分に対応する画像信号を取得することができ、配列ピッチPの1/3ずつ動かすことにより6種類の位相成分に対応する画像信号を取得することができる。なお、2種類の位相成分に対応する画像信号で位相画像を構成する場合には、移動機構55は設ける必要はない。
次に、上記実施形態の放射線位相画像撮影装置による周期情報撮像放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用について説明する。
まず、放射線照射部1と格子20との間に被写体10が配置される(図11参照)。なお、本実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、放射線照射部1と格子20との間に被写体10を配置するようにしたが、格子20と周期情報撮像放射線画像検出器40との間に配置するようにしてもよい。その場合、被写体から周期情報撮像放射線画像検出器40までの距離が近くなるとともに、拡大率が小さくなるので既存の放射線撮影室内に設置し易くなる。
そして、次に、放射線照射部1の各放射線源1aにおいて、引出電極15cとターゲット15bとの間に高電圧が印加されるとともに、電子源15aと引出電極15cとの間に電圧が印加され、これにより各電子源15aから電子線が射出される。そして、各電子源15aから射出された電子線は電子レンズ15dにより集束され、各ターゲット15bに衝突し、これにより各ターゲット15bから放射線が射出される。そして、その放射線は被写体10を透過した後、格子20に照射される。照射された放射線は、第格子20で回折されることにより、格子20から放射線の光軸方向における所定の距離において、格子の自己像を形成する。
たとえば、格子20が、90°の位相変調を与える位相変調型格子の場合、上式(4)(180°の位相変調型格子や強度変調型格子の場合は、上式(5))で与えられる距離において格子20の自己像を形成する。一方、被写体10によって、格子20に入射する放射線の波面は歪むため、格子20の自己像はそれに従って変形している。
そして、電圧源によって周期情報撮像放射線画像検出器40の上部電極50に正の電圧を印加した状態において、上記のようにして格子20によって形成された自己像を担持した放射線が、周期情報撮像放射線画像検出器40の上部電極50側から照射される。なお、本実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、周期情報撮像放射線画像検出器40は、上部電極50が放射線照射部1側を向くように配置されているとともに、アクティブマトリクス基板70の第1および第2の線状電極群81a,81bの各線状電極の長さ方向が、格子20の部材22の長さ方向とが同じ方向になるように配置されている。
そして、周期情報撮像放射線画像検出器40に照射された放射線は、上部電極50を透過し、半導体層60に照射される。そして、その放射線の照射によって半導体層60において電荷対が発生し、そのうち負の電荷は上部電極50に帯電した正の電荷と結合して消滅し、正の電荷は各単位素子72の第1および第2の線状電極群81a,81bに収集され、第1および第2の蓄積容量41a,41bに蓄積される。
ここで、本放射線位相画像撮影装置の周期情報撮像放射線画像検出器40においては、半導体層60において発生した電荷を収集する電荷収集電極が、第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとから構成されている。したがって、上記のようにして上部電極50に電圧を印加すると、図17の点線矢印で示すように、半導体層60内に、第1および第2の線状電極群81a,81bの各線状電極に向かってほぼ平行な、すなわち上部電極50の面にほぼ垂直な電界が形成される。半導体層60内に発生した電荷はその電界に沿って拡散することなく各線状電極に収集されるので、第1および第2の線状電極群81a,81bは、実質的に振幅変調型格子とその後に設置された検出器の組合せと同等の機能を果たすことになる。したがって、第1の蓄積容量41aには、上記変形した格子20の自己像と第1の線状電極群81aによって形成される実質的な格子との重ね合わせにより強度変調を受け、波面の歪みを反映した信号として電荷が蓄積され、第2の蓄積容量41bには、上記変形した格子20の自己像と第2の線状電極群81bによって形成される実質的な格子との重ね合わせにより強度変調を受け、波面の歪みを反映した信号として電荷が蓄積される。そして、第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとは、上述したように互いにπだけ位相がずれているので、互いにπだけ位相がずれた2種類の位相成分に対応する信号が周期情報撮像放射線画像検出器40により検出される。
そして、次に、図示省略したゲートドライバから第1のTFTスイッチ42aに接続された各走査配線73に第1のTFTスイッチ42aをONするための制御信号が順次出力される。そして、ゲートドライバから出力された制御信号に応じて第1のTFTスイッチ42aがONし、各単位素子72の第1の蓄積容量41aからデータ配線74に蓄積電荷が読み出される。そして、データ配線74に流れ出した電荷信号は、図示省略した読出回路のチャージアンプにより第1の位相成分に対応する画像信号として検出される。
ついで、図示省略したゲートドライバから第2のTFTスイッチ42bに接続された各走査配線73に第2のTFTスイッチ42bをONするための制御信号が順次出力される。そして、ゲートドライバから出力された制御信号に応じて第2のTFTスイッチ42bがONし、各単位素子72の第2の蓄積容量41bからデータ配線74に蓄積電荷が読み出される。そして、データ配線74に流れ出した電荷信号は、図示省略した読出回路のチャージアンプにより第2の位相成分に対応する画像信号として検出される。
そして、移動機構55による周期情報撮像放射線画像検出器40の移動にともなって、上述した周期情報撮像放射線画像検出器40への記録と画像信号の読取りがそれぞれ所定の位置について行なわれ、それぞれ所定の位置毎について第1および第2の位相成分に対応する画像信号が検出される。
そして、上記のようにして検出された画像信号は位相画像取得部6に入力される。そして、位相画像取得部6は、複数の位相成分の画像信号に基づいて位相画像を生成する。
次に、上記第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器40の変形例について説明する。
図16に示した周期情報撮像放射線画像検出器40の第1の線状電極群81aおよび第2の線状電極群81bに加えて、図18に示すように、各単位素子72の第1および第2の線状電極群81a,81bからなる電荷収集電極を囲むように、格子状に定電位線状電極90を設けるようにしてもよい。電荷収集電極間に隙間があると電界が曲げられ、線状電極がない部分からも電荷が集まり、位相成分のコンタミが起こる。そこで、上述したように定電位が印加される定電位線状電極90を設けることによって、電界を安定させることができ、上記のようなコンタミの発生を防止することができる。定電位線状電極90には、周囲の電荷収集電極との間の電位差が大きくならないような電位が印加される。つまり、電荷収集電極とほぼ同電位の電位とされ、具体的には、接地またはそれに近い電位とされる。なお、上記のように定電位線状電極90を設ける場合には、第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bは、図18に示すように構成および配置することが望ましい。
また、上記実施形態の周期情報撮像放射線画像検出器40においては、各単位素子72に、電荷収集電極として、互いにπだけ位相のずれた第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとを設けるようにしたが、電荷収集電極の形状としてはこれに限らない。
たとえば、図19に示すように、線状電極をピッチPで多数配列した第1〜第6の線状電極群101〜106を、各線状電極群の線状電極の配列周期の位相がπ/3ずつずれるように配置するようにしてもよい。具体的には、第1の線状電極群101の位相を0とすると、第2の線状電極群102の位相はπ/3、第3の線状電極群103の位相は2π/3、第4の線状電極群104の位相はπ、第5の線状電極群105の位相は4π/3、第6の線状電極群106の位相は5π/3となるように配置するようにしてもよい。
図19に示すように電荷収集電極を構成し、第1〜第6の線状電極群101〜106によって収集された電荷を各線状電極群毎に読み出すようにすることによって、一度の放射線画像の撮影により、互いに位相の異なる6種類の位相成分に対応する画像信号を取得することができる。したがって、移動機構55を設ける必要がない。
また、図20に示すように、1つの単位素子72に対応する画素を複数(ここでは、3つ)のサブ画素に区分し、このサブ画素毎に、互いに位相の異なる線状電極群を配置するようにしてもよい。なお、本実施形態においては、上記サブ画素は、上述したように配列周期の位相が互いに逆位相となるように交互に配列された2つの線状電極群の組を意味している。
具体的には、図20に示す変形例では、サブ画素SP1に、線状電極がピッチPで配列された第1の線状電極群111と第2の線状電極群112とを互いに位相がπだけずれるように配置し、サブ画素SP2に、線状電極がピッチPで配列された第3の線状電極群113と第4の線状電極群114とを互いに位相がπだけずれるように配置し、サブ画素SP3に、線状電極がピッチPで配列された第5の線状電極群115と第6の線状電極群116とを互いに位相がπだけずれるように配置している。そして、サブ画素SP1とサブ画素SP2の隣接する線状電極群がピッチ(7/6)・Pだけ離れるように配置し、サブ画素SP2とサブ画素SP3の隣接する線状電極群がピッチ(7/6)・Pだけ離れるように配置することによってサブ画素間で位相が4π/3ずれるように配置している。図20に示すように1画素の中に線状電極群を配置することによって、第1の線状電極群111の位相を0とすると、第2の線状電極群112の位相はπ、第3の線状電極群113の位相は4π/3、第4の線状電極群114の位相はπ/3、第5の線状電極群115の位相は2π/3、第6の線状電極群116の位相は5π/3となる。なお、線状電極群117と線状電極群118は、隣接画素の線状電極群である。
図20に示すように電荷収集電極を構成し、第1〜第6の線状電極群111〜116によって収集された電荷を各線状電極群毎に読み出すようにすることによって、一度の放射線画像の撮影により、6種類の位相成分に対応する画像信号を取得することができる。図19に示す電荷収集電極の構成でも6種類の位相成分に対応する画像信号を取得することができるが、図20に示すように電荷収集電極を構成することによって、線状電極の幅を図19の場合に比べて広くすることができる。図20に示す構成とすると空間分解能は低下するが、線状電極の接続も容易である。
また、図20に示した第1〜第6の線状電極群111〜116に加えて、図21に示すように、各単位素子72の第1〜第6の線状電極群111〜116からなる電荷収集電極を囲むように、格子状に定電位電極119を設けるようにしてもよい。この定電位電極119の作用効果は、図18における説明と同様である。定電位電極119にも、周囲の電荷収集電極との間の電位差が大きくならないような電位が印加される。つまり、電荷収集電極とほぼ同電位の電位とされ、具体的には、接地またはそれに近い電位とされる。なお、図21に示すように、定電位電極119を設ける場合には、線状電極に直交する方向に隣接する画素間の線状電極群、具体的には、線状電極群116と線状電極群117とのピッチは(10/6)・Pとされる。
また、図21に示すように定電位電極119を各画素を囲むように設けるのではなく、図22に示すように定電位電極120を各サブ画素を囲むように設けるようにしてもよい。
また、図23に示すように、1つの単位素子72に対応する画素を2つのサブ画素に区分し、このサブ画素毎に、互いに位相の異なる線状電極群を配置するようにしてもよい。具体的には、図23に示す変形例では、サブ画素SP1に、線状電極がピッチPで配列された第1の線状電極群131と第2の線状電極群132とを互いに位相がπだけずれるように配置し、サブ画素SP2に、線状電極がピッチPで配列された第3の線状電極群133と第4の線状電極群134とを互いに位相がπだけずれるように配置している。そして、サブ画素SP1とサブ画素SP2の隣接する線状電極群がピッチ5P/4だけ離れるように配置すると、第1の線状電極群131の位相を0とすると、第2の線状電極群132の位相はπ、第3の線状電極群133の位相は3π/2、第4の線状電極群134の位相はπ/2となり、第1〜第4の線状電極群はπ/2ずつ異なる位相に対応した線状電極群となる。なお、線状電極群135〜138は、隣接画素の線状電極群であり、線状電極群135が、第1の線状電極群131と同じ位相の信号を検出するものであり、線状電極群136が、第2の線状電極群132と同じ位相の信号を検出するものであり、線状電極群137が、第3の線状電極群133と同じ位相の信号を検出するものであり、線状電極群138が、第4の線状電極群134と同じ位相の信号を検出するものである。
図23に示すように電荷収集電極を構成し、第1〜第4の線状電極群131〜134によって収集された電荷を各線状電極群毎に読み出すようにすることによって、一度の放射線画像の撮影により、4種類の位相成分に対応する画像信号を取得することができる。
また、図20および図23では、1つの単位素子72に対応する画素を3つまたは2つのサブ画素に区分した場合を示したが、これに限らず、n個(n≧4)のサブ画素に区分してもよい。この場合、隣接するサブ画素における隣接する線状電極群のピッチを、(2n+1)P/2nにするとπ/nずつ異なる位相に対応した線状電極群とすることができる。
2つ〜3つ程度のサブ画素に区分すれば4つ〜6つの位相成分のデータが一度の撮影で取得され、好ましい位相画像を形成することができる。サブ画素に分割しないで4つ〜6つの位相成分のデータを一度の撮影で得るためには、図19の構成が考えられるが、各線状電国の幅が狭くなり、製造上の問題が生じるおそれがある。一方、画素サイズを維持したままn≧4とすると、個々の線状電極群の線状電極の数が少なくなり、位相成分のデータとして精度が低下することになる。
また、上記のように複数のサブ画素に区分する場合には、図20〜22に示すように、サブ画素内の線状電極群の組の線状電極の長さ方向についての幅を、線状電極群の組の長さ方向に直交する方向についての幅よりも大きくすることが望ましい。
また、上述した変形例は、各単位素子72に複数の線状電極群を設けるようにした例であるが、たとえば、図24に示すように、各単位素子72に、線状電極がピッチPで配列された線状電極群121を1つだけ設けるようしてもよい。なお、図24は隣接する4つの単位素子72の線状電極群121を示している。なお、図24に示すように、単位素子72の電荷収集電極を1つの線状電極群によって構成するとともに、互いに位相の異なる複数種類の位相成分に対応する画像信号を取得する場合には、周期情報撮像放射線画像検出器40および格子20をそれぞれの面に沿って線状電極と直交する方向(図24の矢印A方向)に移動させる移動機構を設け、その移動機構による移動にともなって放射線画像の撮影を複数回行なうようにすればよい。たとえば、ピッチPの1/3ずつ動かして、それぞれの位置での放射線画像の撮影を行なうことにより3種類の位相成分に対応する画像信号が取得でき、また、ピッチPの1/6ずつ動かして、それぞれの位置で放射線画像の撮影を行なうことにより6種類の位相成分に対応する画像信号が取得できる。
また、図24に示す線状電極群121からなる電荷収集電極に、さらに、図25に示すように、定電位線状電極122を設けるようにしてもよい。定電位線状電極122は、線状電極群121の各線状電極間に配置されるとともに、各単位素子72を囲むように格子状に配置されている。この定電位線状電極122の作用効果は、図18における説明と同様である。定電位線状電極122にも、周囲の電荷収集電極との間の電位差が大きくならないような電位が印加される。つまり、電荷収集電極とほぼ同電位の電位とされ、具体的には、接地またはそれに近い電位とされる。
また、図16においては、各単位素子72に、互いに位相がπだけずれた第1の線状電極群81aと第2の線状電極群81bとを設ける場合について説明したが、これに限らず、たとえば、各単位素子72に位相が2π/3ずつずれた3つの線状電極群を設けるようにしてもよい。また、各単位素子72の電荷収集電極を、上記のように3つの線状電極群から構成するとともに、周期情報撮像放射線画像検出器および格子を、たとえば、ピッチPの1/2ずつ動かして、それぞれの位置で放射線画像の撮影を行なうことにより6種類の位相成分に対応する画像信号が取得できる。
なお、上記第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、TFTスイッチを備えた放射線画像検出器を用いるようにしたが、スイッチ素子としてはTFTだけでなく、CMOSやCCDなどを利用するようにしてもよい。
また、上記第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、放射線画像の記録時に正電圧が印加される周期情報撮像放射線画像検出器40を用いるようにしたが、これに限らず、放射線画像の記録時に負の電圧が印加されるTFT読取方式の放射線画像検出器を用いるようにしてもよい。
次に、本発明の放射線位相画像撮影装置の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置におけるTFT読取方式の周期情報撮像放射線画像検出器の代わりに、光読取方式の周期情報撮像放射線画像検出器を用いたものである。第3の実施形態の放射線位相画像撮影装置は、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置と周期情報撮像放射線画像検出器の構成のみが異なるものであるため、以下のその周期情報撮像放射縁画像検出器の構成について説明する。図26(A)は周期情報撮像放射線画像検出器の斜視図、図26(B)は図26(A)に示す周期情報撮像放射線画像検出器のXZ面断面図、図26(C)は図26(A)に示す周期情報撮像放射線画像検出器のXY面断面図である。
第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置における周期情報撮像放射線画像検出器200は、図26(A)〜(C)に示すように、放射線を透過する第1の電極層201、第1の電極層201を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層202、記録用光導電層202において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層204、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層205、および第2の電極層206をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層202と電荷輸送層204との界面近傍には、記録用光導電層202内で発生した電荷を蓄積する蓄電部203が形成される。なお、上記各層は、ガラス基板207上に第2の電極層206から順に形成されている。
第1の電極層1としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜(SnO2)、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、アモルファス状光透過性酸化膜であるIDIXO(Idemitsu Indium X-metal Oxide ;出光興産(株))などを50〜200nm厚にして用いることができ、また、100nm厚のAlやAuなども用いることもできる。
第2の電極層206は、読取光を透過する複数の透明線状電極206aと読取光を遮光する複数の遮光線状電極206bとを有するものである。透明線状電極206aと遮光線状電極206bとは、周期情報撮像放射線画像検出器200の画像形成領域の一方の端部から他方の端部まで連続して直線状に延びるものである。そして、透明線状電極206aと遮光線状電極206bとは、図26(A),(B)に示すように、所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。
透明線状電極206aは読取光を透過するとともに、導電性を有する材料から形成されている。たとえば、第1の電極層1と同様に、ITO、IZOやIDIXOを用いることができる。そして、その厚さは100〜200nm程度である。
遮光線状電極206bは読取光を遮光するとともに、導電性を有する材料から形成されている。消去光は透過することが望ましいので、たとえば、上記の透明導電材料とカラーフィルターを組み合せて用いることができる。透明導電材料の厚さは100〜200nm程度である。
そして、後述するように隣接する透明線状電極206aと遮光線状電極206bを1組として画像信号が読み出されるが、本実施形態の周期情報撮像放射線画像検出器200においては、図27に示すように、透明線状電極206aと遮光線状電極206bの組が、放射線画像を構成する1画素の幅の中に20組配置されるように構成されている。つまり、1画素の幅の中に第1の線状電極組211、第2の線状電極組212、第3の線状電極組213、第4の線状電極組214、・・・など第20の線状電極組までが配置されている。
そして、図27に示すように、第1の線状電極組211と第3の線状電極組213との間隔と、第2の線状電極組212と第4の線状電極組214との間隔、など1組おきの間隔がそれぞれピッチPとなるように配置されている。このピッチPは2μm以上15μm以下に設定される。そして、第2n−1(nは1以上10以下の整数)の線状電極組から第1の線状電極群が構成され、第2n(nは1以上10以下の整数)の線状電極組から第2の線状電極群が構成される。
ここで、本実施形態においても、第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置と同様に、放射線源1aの各電子源15aに対応する放射線の焦点位置と、格子20および周期情報撮像放射線画像検出器200の位置とが、放射線の光軸方向において所定の間隔で配置されている。
具体的には、各電子源15aに対応する放射線の焦点の間隔Pと、上記焦点と格子20との距離L(図11参照)と、格子20と周期情報撮像放射線画像検出器200との距離Z(図11参照)と、第1の線状電極群の線状電極組の間隔および第2の線状電極群の線状電極組の間隔P(図27参照)とが下式(7)を満たすように構成されている。
=P×L/Z ・・・(7)
そして、上述した1画素幅内の第1および第2の線状電極群が、線状電極の長さ方向に直交する方向に交互に繰り返して配置される。この場合、第1の線状電極群と第2の線状電極群とは、線状電極組の配列周期の位相がπだけずれるように配置される。なお、図示していないが、第1の線状電極群の透明線状電極206aどうしは導線などの接続線により物理的に接続されており、第2の線状電極群の透明線状電極206aどうしも導線などの接続線により物理的に接続されている。
記録用光導電層202は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているa−Seを主成分とするものを使用する。厚さは10μm以上1500μm以下が適切である。また、特にマンモグラフィ用途である場合には、150μm以上250μm以下であることが好ましく、一般撮影用途である場合には、500μm以上1200μm以下であることが好ましい。
電荷輸送層204としては、たとえば、放射線画像の記録の際に第1の電極層201に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい程良く(例えば10以上、望ましくは10以上)、たとえば、ポリN−ビニルカルバゾール(PVK)、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン(TPD)やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはTPDのポリマー(ポリカーボネート、ポリスチレン、PVK)分散物,Clを10〜200ppmドープしたa−Se、AsSe等の半導体物質が適当である。厚さは0.2〜2μm程度が適切である。
読取用光導電層205としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、たとえば、a−Se、Se−Te、Se−As−Te、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、MgPc(Magnesium phtalocyanine),VoPc(phaseII of Vanadyl phthalocyanine)、CuPc(Cupper phtalocyanine)などのうち少なくとも1つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは5〜20μm程度が適切である。
次に、上記第3の実施形態の放射線画像装置の周期情報撮像放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用について説明する。
放射線照射部1からの放射線の射出から格子20による自己像の形成までは上記第2の実施形態の放射線位相画像撮影装置の作用と同様であるので説明を省略する。
そして、図28(A)に示すように高圧電源300によって周期情報撮像放射線画像検出器200の第1の電極層201に負の電圧を印加した状態において、格子20に形成された格子20の自己像を担持した放射線が、周期情報撮像放射線画像検出器200の第1の電極層201側から照射される。
そして、周期情報撮像放射線画像検出器200に照射された放射線は、第1の電極層201を透過し、記録用光導電層202に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層202において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第1の電極層201に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層202と電荷輸送層204との界面に形成される蓄電部203に蓄積される(図28(B)参照)。
ここで、本放射線位相画像撮影装置の周期情報撮像放射線画像検出器200においては、記録用光導電層202において発生した電荷を蓄電部203に収集するために用いられる第2の電極層206が、透明線状電極206aと遮光線状電極206bとから構成されている。したがって、上記のようにして第1の電極層201に電圧を印加すると、記録用光導電層202内に、透明線状電極206aおよび遮光線状電極206bの各線状電極から第1の電極層201に向かってほぼ平行な、すなわち第1の電極層201の面にほぼ垂直な電界が形成される。記録用光導電層202内に発生した負電荷はその電界に沿って拡散することなく各線状電極方向に移動して蓄電部203に収集されるので、透明線状電極206aおよび遮光線状電極206bは、その後に設置された検出器の組合せと実質的に振幅変調型格子と同等の機能を果たすことになる。したがって、図41に示した第2n−1(nは1以上10以下の整数)の線状電極組からなる第1の線状電極群の上部の蓄電部203には、変形した格子20の自己像と上記第1の線状電極群によって形成される実質的な格子との重ね合わせにより強度変調を受け、波面の歪みを反映した信号として電荷が蓄積され、図27に示した第2n(nは1以上10以下の整数)の線状電極組からなる第2の線状電極群の上部の蓄電部203には、変形した格子20の自己像と上記第2の線状電極群によって形成される実質的な格子との重ね合わせにより強度変調を受け、波面の歪みを反映した信号として電荷が蓄積される。そして、第1の線状電極群と第2の線状電極群とは、上述したように互いにπだけ位相がずれているので、互いにπだけ位相がずれた2種類の位相成分に対応する画像信号が周期情報撮像放射線画像検出器200に記録される。
そして、次に、図29に示すように、第1の電極層201が接地された状態において、第2の電極層206側から読取光L1が照射され、読取光L1は透明線状電極206aを透過して読取用光導電層205に照射される。読取光L1の照射により読取用光導電層205において発生した正の電荷が蓄電部204における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、遮光線状電極206bに接続されたチャージアンプ305を介して遮光線状電極206bに帯電した正の電荷と結合する。
そして、読取用光導電層205において発生した負の電荷と遮光線状電極206bに帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ305に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出される。
このとき、図27に示す第1の線状電極組211と第3の線状電極組213からなる第1の線状電極群から流れ出した電荷はチャージアンプ305により第1の位相成分に対応する画像信号として検出される。一方、図41に示す第2の線状電極組212と第4の線状電極組214からなる第2の線状電極群から流れ出した電荷はチャージアンプ305により第2の位相成分に対応する画像信号として検出される。
そして、移動機構55による周期情報撮像放射線画像検出器200の移動にともなって、上述した周期情報撮像放射線画像検出器200への記録と画像信号の読取りがそれぞれ所定の位置について行なわれ、それぞれ所定の位置毎について第1および第2の位相成分に対応する画像信号が検出される。
そして、上記のようにして検出された画像信号は位相画像取得部6に入力される。そして、位相画像取得部6は、複数の位相成分の画像信号に基づいて位相画像を生成する。
なお、上記第3の実施形態の放射線位相画像撮影装置において、移動機構55により周期情報撮像放射線画像検出器200および格子20をそれぞれの面に沿って線状電極と直交する方向に、たとえば、ピッチPの1/3ずつ動かして、それぞれの位置で放射線画像の撮影を行なうことにより6種類の位相成分に対応する画像信号が取得できる。
また、上記第3の実施形態の放射線位相画像撮影装置においても、上記第2の実施形態の周期情報撮像放射線画像検出器と同様に、それぞれの線状電極群が順番に配列された線状電極群の組を異なる位置に互いに位相が異なるように配置することができる。そうすることによって上述した移動機構がなくても位相画像を形成するのに十分な数の位相成分に対応する画像を同時に得ることができる。
また、上記第3の実施形態の放射線位相画像撮影装置においては、放射線画像の記録時に負電圧が印加される周期情報撮像放射線画像検出器200を用いるようにしたが、これに限らず、放射線画像の記録時に正の電圧が印加される光読取方式の周期情報撮像放射線画像検出器を用いるようにしてもよい。
また、上記第2および第3の実施形態の放射線位相画像撮影装置の説明においては、被写体10が放射線照射部1と格子20との間に位置する場合を説明したが、被写体10が格子20と周期情報撮像放射線画像検出器40,200との間に位置する場合であっても、周期情報撮像放射線画像検出器40,200の位置に生成される格子20の自己像が被写体10により変形する。したがって、この場合でも、周期情報撮像放射線画像検出器40,200により被写体10に起因して変調された位相成分の画像信号を検出することができる。すなわち、上記第2および第3の放射線位相画像撮影装置においては、被写体10を放射線照射部1と格子20との間に配置してもよいし、格子20と周期情報撮像放射線画像検出器40,200との間に配置するようにしてもよい。
1 放射線照射部
1a 放射線源
2 第1の格子
3 第2の格子
4 放射線画像検出器
5 移動機構
6 位相画像取得部
10 被写体
15a 電子源
15b ターゲット
15c 引出電極
15d 電子レンズ
15e ゲート電極
16 電子線照射制御部
20 格子
40 周期情報撮像放射線画像検出器
200 周期情報撮像放射線画像検出器

Claims (18)

  1. 電子線を射出する複数の電子源および該電子源から射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲットを備えた放射線照射部と、
    該放射線照射部から射出された放射線を回折する格子構造が周期的に配置された第1の格子と、
    該第1の格子により回折された放射線を透過および遮蔽する格子構造が周期的に配置された第2の格子と、
    該第2の格子を透過した放射線を検出する放射線画像検出器とを備え、
    前記第1の格子および前記第2の格子が、前記放射線の光軸方向において、前記各電子源に対応する放射線に基づく前記第1の格子の像同志を前記第2の格子面上で略重ねることができるように配置され、
    前記各電子源に対応する前記放射線が、それぞれ前記第1の格子および前記第2の格子によって同一の被写体の位相画像を前記放射線画像検出器上に形成するものであることを特徴とする放射線位相画像撮影装置。
  2. 前記各電子源に対応する放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔Pと、前記焦点と前記第1の格子との距離Lと、前記第1の格子と前記第2の格子との距離Zと、前記第2の格子を構成し周期的に配置される遮蔽部材の周期間隔Pとが下式(1)を満たすように構成されていることを特徴とする請求項1記載の放射線位相画像撮影装置。
    =P×L/Z ・・・(1)
  3. 前記各電子源に対応する前記放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔が、前記第1の格子を構成する遮蔽部材の延伸方向に直交する方向について10μm〜500μmであること特徴とする請求項1または2記載の放射線位相画像撮影装置。
  4. 前記複数の電子源から射出される電子線の前記ターゲットへの照射を互いに独立して制御する電子線照射制御部を備えたことを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の放射線位相画像撮影装置。
  5. 前記電子線照射制御部が、前記電子源と前記ターゲットとの間に設けられ、前記電子線の通過を制限するゲート電極への印加電圧を切り替えることによって前記電子線のターゲットへの照射を制御するものであることを特徴とする請求項4記載の放射線位相画像撮影装置。
  6. 前記電子線照射制御部が、前記電子源と前記ターゲットとの間に設けられた引出電極と前記電子源と間の電位差を切り替えることによって前記電子線のターゲットへの照射を制御するものであることを特徴とする請求項4記載の放射線位相画像撮影装置。
  7. 前記電子線照射制御部が、前記複数の電子源から射出される電子線の前記ターゲットへの照射を互いに独立して制御することによって、前記放射線の焦点間隔を変更するものであることを特徴とする請求項4から6いずれか1項記載の放射線位相画像撮影装置。
  8. 前記電子線照射制御部が、被写体が存在しない状態で前記放射線画像検出器により検出された放射線画像におけるモアレ縞のコントラストが最大になるように前記放射線の焦点間隔を設定するものであることを特徴とする請求項7記載の放射線位相画像撮影装置。
  9. 前記第1の格子が位相変調型格子であり、前記第2の格子が振幅変調型格子であることを特徴とする請求項1から8いずれか1項記載の放射線位相画像撮影装置。
  10. 前記第1の格子と前記第2の格子とが振幅変調型格子であることを特徴とする請求項1から8いずれか1項記載の放射線位相画像撮影装置。
  11. 電子線を射出する複数の電子源および該電子源から射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲットを備えた放射線照射部と、
    該放射線照射部から射出された放射線を回折する格子構造が周期的に配置された格子と、
    該格子により回折された放射線の周期情報を検出する周期情報撮像放射線画像検出器とを備え、
    前記格子および前記周期情報撮像放射線画像検出器が、前記放射線の光軸方向において、前記各電子源に対応する放射線に基づく前記格子の像同志を前記周期情報撮像放射線画像検出器上で略重ねることができるように配置され、
    前記各電子源に対応する前記放射線が、それぞれ前記格子および前記周期情報撮像放射線画像検出器の線状電極によって同一の被写体の位相画像を前記周期情報撮像放射線画像検出器内に形成するものであることを特徴とする放射線位相画像撮影装置。
  12. 前記各電子源に対応する放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔Pと、前記焦点と前記格子との距離Lと、前記格子と前記周期情報撮像放射線画像検出器との距離Zと、前記周期情報撮像放射線画像検出器を構成する線状電極の間隔Pとが下式(2)を満たすように構成されていることを特徴とする請求項11記載の放射線位相画像撮影装置。
    =P×L/Z ・・・(2)
  13. 前記各電子源に対応する前記放射線のそれぞれの焦点の中心間間隔が、前記格子を構成する遮蔽部材の延伸方向に直交する方向について10μm〜500μmであることを特徴とする請求項11または12記載の放射線位相画像撮影装置。
  14. 前記複数の電子源から射出される電子線の前記ターゲットへの照射を互いに独立して制御する電子線照射制御部を備えたことを特徴とする請求項11から13いずれか1項記載の放射線位相画像撮影装置。
  15. 前記電子線照射制御部が、前記電子源と前記ターゲットとの間に設けられ、前記電子線の通過を制限するゲート電極への印加電圧を切り替えることによって前記電子線のターゲットへの照射を制御するものであることを特徴とする請求項14記載の放射線位相画像撮影装置。
  16. 前記電子線照射制御部が、前記電子源と前記ターゲットとの間に設けられた引出電極と前記電子源と間の電位差を切り替えることによって前記電子線のターゲットへの照射を制御するものであることを特徴とする請求項14記載の放射線位相画像撮影装置。
  17. 前記電子線照射制御部が、前記複数の電子源から射出される電子線の前記ターゲットへの照射を互いに独立して制御することによって、前記放射線の焦点間隔を変更するものであることを特徴とする請求項14から16いずれか1項記載の放射線位相画像撮影装置。
  18. 前記電子線照射制御部が、被写体が存在しない状態で前記周期情報撮像放射線画像検出器により検出された放射線画像におけるモアレ縞のコントラストが最大になるように前記放射線の焦点間隔を設定するものであることを特徴とする請求項17記載の放射線位相画像撮影装置。
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