JP2010214859A - Mold for nanoimprinting and manufacturing method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ナノインプリントに用いるモールドの凹凸パターン表面に離型処理を施したナノインプリント用モールド、およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a nanoimprint mold in which a mold release process is performed on the surface of a concavo-convex pattern of a mold used for nanoimprint, and a method for producing the same.
近年、特に半導体デバイスについては、微細化の一層の進展により高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムLSIという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。このような中、半導体デバイスのパターンを作製する要となるリソグラフィ技術は、パターンの微細化が進むにつれ、露光装置などが極めて高価になってきており、また、それに用いるマスク価格も高価になっている。 In recent years, especially for semiconductor devices, high-speed operation and low power consumption operation are required due to further progress in miniaturization, and high technology such as integration of functions called system LSIs is required. Under such circumstances, the lithography technology that is necessary for producing the pattern of the semiconductor device has become very expensive as the exposure apparatus and the like as the pattern becomes finer, and the price of the mask used therefor also becomes expensive. Yes.
これに対して、1995年Princeton大学のChouらによって提案されたナノインプリント法は、装置価格や使用材料などが安価でありながら、10nm程度の高解像度を有する微細パターン形成技術として注目されている(非特許文献1、特許文献1参照)。 On the other hand, the nanoimprint method proposed by Chou et al. At Princeton University in 1995 is attracting attention as a fine pattern formation technology having a high resolution of about 10 nm, although the apparatus price and the materials used are low (non- (See Patent Document 1 and Patent Document 1).
ナノインプリント法は、予め表面にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したモールド(テンプレート、スタンパ、金型とも呼ばれる)を、被加工材表面に塗布形成された樹脂に押し付けて力学的に変形させて微細パターンを精密に転写し、パターン形成された樹脂をレジストマスクとして被加工材を加工する技術である。一度モールドを作製すれば、ナノ構造が簡単に繰り返して成型できるため高いスループットが得られて経済的であるとともに、有害な廃棄物が少ないナノ加工技術であるため、近年、半導体デバイスに限らず、さまざまな分野への応用が期待されている。 In the nanoimprint method, a fine pattern is formed by pressing a mold (also called a template, stamper, or mold) with a nanometer-size uneven pattern on the surface in advance against the resin that is formed on the surface of the workpiece. Is a technique for processing a workpiece using a resin with a pattern formed as a resist mask. Once the mold is made, the nanostructure can be easily and repeatedly molded, resulting in high throughput and economics, and because it is a nano-processing technology with little harmful waste, not only semiconductor devices in recent years, Application to various fields is expected.
このようなナノインプリント法には、熱可塑性樹脂を用いて熱により凹凸パターンを転写する熱ナノインプリント法や、光硬化性樹脂を用いて光により凹凸パターンを転写する光ナノインプリント法(例えば、特許文献2参照)などが知られている。 In such a nanoimprint method, a thermal nanoimprint method in which a concavo-convex pattern is transferred by heat using a thermoplastic resin, or a photo nanoimprint method in which a concavo-convex pattern is transferred by light using a photocurable resin (see, for example, Patent Document 2) ) Etc. are known.
ナノインプリント法で用いられるモールドには、パターン寸法の安定性、耐薬品性、加工特性などが求められる。光ナノインプリント法の場合を例に取ると、一般的には石英ガラスが用いられている。しかし、石英ガラスなどによるモールドはパターン転写材料である樹脂との離型性が低く、転写パターンを形成した樹脂からモールドを剥離する際に樹脂がモールド側に密着してしまうため、樹脂の凹凸パターンに欠けを生じ、パターン精度が低下しやすいという問題があった。このため、離型性を向上させる方法として、モールドの凹凸パターン表面にフッ素樹脂などの離型剤の薄膜を塗布形成する方法が提案されている(例えば、特許文献3参照)。特許文献3には、硬質層上に気相蒸着やディッピングによりオルガノシリコン系列の単分子膜(SAM;Self Assembled Monolayer:自己組織化膜)を離型層として形成したモールドの記載がある。 Molds used in the nanoimprint method are required to have pattern dimension stability, chemical resistance, processing characteristics, and the like. Taking the case of the optical nanoimprint method as an example, quartz glass is generally used. However, a mold made of quartz glass or the like has low releasability from the resin that is the pattern transfer material, and the resin adheres to the mold side when the mold is peeled off from the resin on which the transfer pattern is formed. There was a problem that the pattern accuracy was liable to be reduced. For this reason, as a method for improving the releasability, a method of applying and forming a thin film of a release agent such as a fluororesin on the surface of the concave / convex pattern of the mold has been proposed (for example, see Patent Document 3). Patent Document 3 describes a mold in which an organosilicon series monomolecular film (SAM; Self Assembled Monolayer) is formed as a release layer on a hard layer by vapor deposition or dipping.
しかしながら、上記の特許文献3に記載されるように、シランカップリング剤系離型剤を気相蒸着やディッピングあるいはスピンコートで形成した従来の膜は、たとえ単分子膜であったとしても分子の配向性が悪く、分子のパッキングもばらばらであった。したがって、従来の膜では離型する際のモールドと塗布したナノインプリント用樹脂との付着力や摩擦力が大きくなって離型性が悪く、依然として被加工材表面に塗布形成された樹脂の引き抜き欠陥が発生し易いという問題が解決しなかった。
一方、無機系の膜を離型層とする場合では、離型層の膜厚が厚くなりパターン寸法が大きく変わってしまうために、ナノレベルのパターニングには使用できず、またインプリント後に劣化した膜を剥離して、再度、膜付けする場合にはコストがかかるという問題があった。
However, as described in Patent Document 3 above, a conventional film formed by vapor deposition, dipping or spin coating of a silane coupling agent release agent is a molecular film even if it is a monomolecular film. The orientation was poor and the packing of the molecules was also scattered. Therefore, in the conventional film, the adhesive force and frictional force between the mold at the time of mold release and the applied nanoimprint resin are increased and the releasability is poor, and there is still a resin drawing defect formed on the surface of the workpiece. The problem of being easily generated has not been solved.
On the other hand, when an inorganic film is used as a release layer, it cannot be used for nano-level patterning because the thickness of the release layer increases and the pattern dimensions change significantly, and it deteriorates after imprinting. When the film is peeled off and then attached again, there is a problem that costs are increased.
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ナノインプリント用モールドの凹凸パターン表面に、離型性と耐久性に優れ、凹凸パターン寸法にほとんど影響を与えない離型層を有し、高精度で微細なナノインプリント用樹脂のパターン形成が可能なナノインプリント用モールド、およびその製造方法を提供することである。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems. That is, the object of the present invention is to provide a highly accurate and fine resin for nanoimprinting, which has a release layer that has excellent releasability and durability and hardly affects the size of the unevenness pattern on the surface of the unevenness pattern of the nanoimprinting mold. It is providing the mold for nanoimprint which can form pattern of this, and its manufacturing method.
上記の課題を解決するために、請求項1の発明に係るナノインプリント用モールドは、 基板表面に凹凸パターンを有し、前記凹凸パターンが離型層で被覆されているナノインプリント用モールドにおいて、前記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜であって、前記離型層が、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤からなり、前記離型剤の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させた単分子膜で形成されたものであることを特徴とするものである。 In order to solve the above problems, a nanoimprint mold according to the invention of claim 1 is a nanoimprint mold having a concavo-convex pattern on a substrate surface, and the concavo-convex pattern is covered with a release layer. At least the surface is a silicon oxide film or a metal oxide film, and the release layer comprises a release agent of an amphiphilic silane coupling agent, and the hydrophobic group of the release agent is defined as the uneven pattern side. It is formed by a monomolecular film oriented on the opposite side.
請求項2の発明に係るナノインプリント用モールドは、請求項1に記載のナノインプリント用モールドにおいて、前記離型層が、前記単分子膜を重合および/または架橋して形成されたものであることを特徴とするものである。
A nanoimprint mold according to the invention of
請求項3の発明に係るナノインプリント用モールドは、請求項2に記載のナノインプリント用モールドにおいて、前記離型剤が、重合官能基を少なくとも一つ以上有することを特徴とするものである。 A nanoimprint mold according to a third aspect of the present invention is the nanoimprint mold according to the second aspect, wherein the mold release agent has at least one polymerized functional group.
請求項4の発明に係るナノインプリント用モールドは、請求項3に記載のナノインプリント用モールドにおいて、前記重合性官能基が、ビニル基、エポキシ基、ジエン基、ジアセチレン基、アクリル基、メタクリル基、イソシアネート基の内のいずれかの官能基であることを特徴とするものである。 The nanoimprint mold according to the invention of claim 4 is the nanoimprint mold according to claim 3, wherein the polymerizable functional group is vinyl group, epoxy group, diene group, diacetylene group, acrylic group, methacryl group, isocyanate. It is a functional group of any one of the groups.
請求項5の発明に係るナノインプリント用モールドは、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のナノインプリント用モールドにおいて、前記離型剤の疎水基の表面張力が、25mN/m以下であることを特徴とするものである。 The nanoimprint mold according to the invention of claim 5 is the nanoimprint mold according to any one of claims 1 to 4, wherein the surface tension of the hydrophobic group of the release agent is 25 mN / m or less. It is characterized by being.
請求項6の発明に係るナノインプリント用モールドは、請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のナノインプリント用モールドにおいて、前記疎水基が、フッ素を有することを特徴とするものである。 A nanoimprint mold according to a sixth aspect of the present invention is the nanoimprint mold according to any one of the first to fifth aspects, wherein the hydrophobic group has fluorine.
請求項7の発明に係るナノインプリント用モールドの製造方法は、基板表面に凹凸パターンを有し、前記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなり、前記凹凸パターンが離型層で被覆されているナノインプリント用モールドの製造方法であって、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、前記単分子膜の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させて、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取り離型層とする工程と、を含むことを特徴とするものである。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for producing a mold for nanoimprinting, wherein a substrate surface has an uneven pattern, at least the surface of the uneven pattern is made of a silicon oxide film or a metal oxide film, and the uneven pattern is covered with a release layer. A method for producing a mold for nanoimprinting, comprising: developing a release agent of an amphiphilic silane coupling agent on a water surface to form a monomolecular film; and forming the hydrophobic group of the monomolecular film with the irregularities And a step of orienting it on the opposite side of the pattern side and transferring the monomolecular film onto the concave-convex pattern of the mold to form a release layer.
請求項8の発明に係るナノインプリント用モールドの製造方法は、請求項7に記載のナノインプリント用モールドの製造方法において、前記単分子膜の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させて、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取る工程の後に、前記凹凸パターン上に移し取られた前記単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて離型層とする工程、を含むことを特徴とするものである。 The method for producing a nanoimprint mold according to the invention of claim 8 is the method for producing a nanoimprint mold according to claim 7, wherein the hydrophobic group of the monomolecular film is oriented on the side opposite to the concavo-convex pattern side, After the step of transferring the monomolecular film onto the concavo-convex pattern of the mold, the monomolecular film transferred onto the concavo-convex pattern is polymerized and / or cross-linked by heating, ultraviolet rays or ionizing radiation, and a release layer. The process of including is characterized by including.
請求項9の発明に係るナノインプリント用モールドの製造方法は、請求項7または請求項8に記載のナノインプリント用モールドの製造方法において、前記離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取る工程とが、ラングミュアーブロジェット法によることを特徴とするものである。 The method for producing a nanoimprint mold according to the invention of claim 9 is a method for producing a nanoimprint mold according to claim 7 or claim 8, wherein the mold release agent is spread on a water surface to form a monomolecular film. And the step of transferring the monomolecular film onto the concavo-convex pattern of the mold is characterized by the Langmuir-Blodget method.
請求項10の発明に係るナノインプリント用モールドの製造方法は、請求項9に記載のナノインプリント用モールドの製造方法において、前記ラングミュアーブロジェット法が、水平付着法であることを特徴とするものである。
A method for producing a mold for nanoimprint according to the invention of
請求項11の発明に係るナノインプリント用モールドの製造方法は、請求項10に記載のナノインプリント用モールドの製造方法において、前記水平付着法が、前記水面下にあらかじめ前記モールドを沈めておき、前記離型剤を水面上に展開して単分子膜とした後に、前記モールドを徐々に浮上させて前記単分子膜を前記凹凸パターン上に移し取る方法であることを特徴とするものである。
The method for producing a mold for nanoimprinting according to the invention of
本発明のナノインプリント用モールドによれば、ナノインプリント用モールドの凹凸パターン表面に、離型剤を単分子膜として配向性よく緻密に形成して離型層とすることにより、離型性と耐久性に優れ、凹凸パターン寸法にほとんど影響を与えず、被加工材表面に塗布形成されたナノインプリント用樹脂の引き抜き欠陥を低減でき、高精度で微細な樹脂のパターン形成が可能なナノインプリント用モールドを得ることができる。 According to the mold for nanoimprinting of the present invention, the mold release agent is densely formed with good orientation as a monomolecular film on the uneven pattern surface of the nanoimprinting mold to provide a mold release layer and durability. It is possible to obtain a nanoimprint mold capable of forming a fine resin pattern with high accuracy, which can reduce the pull-out defect of the nanoimprint resin applied and formed on the surface of the work material, with little effect on the uneven pattern dimensions. it can.
本発明のナノインプリント用モールドの製造方法によれば、離型層の形成に高価な大型設備が不要であり、離型層が有機系の単分子膜であるので、モールド表面の離型層を再生する場合には、離型層を簡便に剥離し、単分子膜の再膜付けで離型層として再生することができ、コスト的にも有利である。 According to the method for producing a mold for nanoimprinting of the present invention, an expensive large-scale facility is not required for forming a release layer, and the release layer is an organic monomolecular film. In this case, the release layer can be easily peeled off and regenerated as a release layer by re-forming the monomolecular film, which is advantageous in terms of cost.
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(ナノインプリント用モールド)
図1は、本発明のナノインプリント用モールドの一例を示す部分断面模式図である。図1において、ナノインプリント用モールド10は、基板11の一表面に凹凸パターン12を有し、凹凸パターン12の少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜であって、凹凸パターン12が離型層13で被覆されており、上記の離型層13が、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤からなり、離型剤の疎水基を凹凸パターン側とは反対側の被インプリント側に配向させた単分子膜を重合および/または架橋して形成されたものである。
(Mold for nanoimprint)
FIG. 1 is a partial cross-sectional schematic view showing an example of a nanoimprint mold of the present invention. In FIG. 1, a
基板11は、凹凸パターン12を保持する部材である。本発明において、基板11を構成する材料としては、特に材質に制約はされず、例えば、半導体材料としては、シリコン(Si)などが挙げられ、また、金属材料としては、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、銅(Cu)などが挙げられる。さらに、光学研磨された合成石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどが挙げられる。基板11と凹凸パターン12は同一材料であってもよいし、異なる材料を接合したものであってもよい。いずれの材料を用いるにしても、本発明においては、凹凸パターン12表面とシランカップリング剤とを反応させるために、凹凸パターン12の少なくとも表面はシリコン酸化膜または金属酸化膜であることが必要になる。基板材料として合成石英ガラスは、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、基板11と凹凸パターン12を一体化した光透過性の構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるので、より好ましい。
The
本発明における離型層13は、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤からなるものである。本発明で用いられるシランカップリング剤が有する親水性基としては、具体的には、分子中の基板側と結合する部分に、例えば、Si−OCH3 、Si−OC2H5、Si−OH、Si−OClなどの官能基を有するものが好ましい。親水性の高い官能基が離型剤分子の末端にある場合、分子は反応性末端が基板側を向き、疎水性の有機鎖が外側を向いて基板に吸着する。これらの官能基は、下式(化1)に示されるように、基板の凹凸パターンの酸化膜の酸素と化学反応を起こし吸着するものと考えられる。分子の吸着には、基板と末端官能基との間で化学反応が起こることが必要であることから、いったん基板の凹凸パターン表面が有機分子でおおわれ単分子膜ができあがると、それ以降は分子の吸着は起こらない。その結果、分子が密に集合し、配向性のそろった有機単分子膜ができるものである。このような単分子膜としては、例えばラングミュアーブロジェット膜(LB膜)が挙げられる。
The
本発明で用いられる両親媒性のシランカップリング剤が有する疎水性基としては、CH3(CH2)n−で表されるアルキル基、CF3(CF2)n−で表されるフルオロメチル基、エポキシ基などが挙げられる(n=0,1,…)。 Examples of the hydrophobic group possessed by the amphiphilic silane coupling agent used in the present invention include an alkyl group represented by CH 3 (CH 2 ) n — and fluoromethyl represented by CF 3 (CF 2 ) n —. Group, epoxy group and the like (n = 0, 1,...).
本発明において形成される離型層の膜厚は、その単分子膜の種類により決定されるものであるが、通常1nm〜5nm程度の範囲である。したがって、離型層を形成することによるモールドの凹凸パターン寸法への影響を極めて小さくすることが可能である。膜厚測定は原子間力顕微鏡(AFM)により行うことができる。 The film thickness of the release layer formed in the present invention is determined by the type of the monomolecular film, but is usually in the range of about 1 nm to 5 nm. Accordingly, it is possible to extremely reduce the influence on the uneven pattern size of the mold by forming the release layer. The film thickness can be measured with an atomic force microscope (AFM).
ここで、モールドとインプリント用樹脂(以下、レジストと称する)との離型の程度を示す付着性について述べる。図2は、モールドとレジストとの付着仕事を求めるための説明図である。図面上の凹凸パターンは省略してある。図2において、21はモールド、22はレジスト、23は大気を示す。図2(a)に示すように、接触している2つの媒質であるモールド21とレジスト22の単位面積を、図2(b)に示すように、引き離すのに必要な自由エネルギーの変化を示す付着仕事W132は、大気も考慮すると、次の数式(1)で表される。
W132=W12+W33−W13−W23 …(1)
ここで、W12:モールドとレジスト界面の付着仕事、W33:大気中での凝集仕事、W13:モールドと大気界面の付着仕事、W23:レジストと大気界面の付着仕事を示す。
Here, the adhesiveness indicating the degree of release between the mold and the imprinting resin (hereinafter referred to as resist) will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram for obtaining the adhesion work between the mold and the resist. The uneven pattern on the drawing is omitted. In FIG. 2, 21 indicates a mold, 22 indicates a resist, and 23 indicates air. As shown in FIG. 2A, the change in free energy required to separate the unit areas of the
W 132 = W 12 + W 33 −W 13 −W 23 (1)
Here, W 12 : work of adhesion between the mold and the resist interface, W 33 : work of cohesion in the atmosphere, W 13 : work of adhesion between the mold and the air interface, and W 23 : work of adhesion between the resist and the air interface.
また、大気中において、モールドと大気との界面エネルギーをγmold /air、レジストと大気との界面エネルギーをγresist/air、モールドとレジストとの界面エネルギーをγmold/resistとすると、モールド表面からレジストを引き離す付着仕事W132(Wmold/air/resistと記す)は、次の数式(2)で表される。
Wmold/air/resist =γmold /air+γresist/air−γmold/resist …(2)
Also, in the atmosphere, if the interface energy between the mold and the atmosphere is γ mold / air , the interface energy between the resist and the atmosphere is γ resist / air , and the interface energy between the mold and the resist is γ mold / resist , An adhesion work W 132 (denoted as W mold / air / resist ) for separating the resist is expressed by the following formula (2).
W mold / air / resist = γ mold / air + γ resist / air −γ mold / resist … (2)
真空中においては、モールドの界面エネルギーをγmold 、レジストの界面エネルギーをγresistとすると、モールド表面からレジストを引き離す付着仕事W12(Wmold/resistと記す)は、次の数式(3)で表される。
Wmold/resist =γmold +γresist−γmold/resist …(3)
In vacuum, if the mold interface energy is γ mold and the resist interface energy is γ resist , the adhesion work W 12 (W mold / resist ) for separating the resist from the mold surface is expressed by the following equation (3). expressed.
W mold / resist = γ mold + γ resist −γ mold / resist (3)
一方、インプリント用樹脂(レジスト)とモールドの固体表面との間の現象は、簡単にはレジストの固体表面への濡れの程度で表される。図3は、モールド表面のレジストに働く力を説明する模式図である。図3に示すように、モールド31の表面にレジスト32が形成されたとき、濡れ性つまり親水性、疎水性の程度を表す接触角に関して、図2と同じ符号であるモールドの表面エネルギーをγmold、モールドとレジスト間の界面エネルギーをγmold/resist、レジストの表面エネルギーをγresist、接触角をθとすると、3つの矢印で示す力関係が釣り合い、次のヤング−デュプレ(Young-Dupre)の式(4)が成り立つ。
γmold =γresistcosθ+γmold/resist …(4)
On the other hand, the phenomenon between the imprinting resin (resist) and the solid surface of the mold is simply expressed by the degree of wetting of the resist on the solid surface. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the force acting on the resist on the mold surface. As shown in FIG. 3, when the resist 32 is formed on the surface of the
γ mold = Γ resist cosθ + γ mold / resist (4)
上記の数式(3)、数式(4)より、付着仕事Wmold/resistは、次の数式(5)で表される。したがって、γresistとθがわかれば、モールド表面からレジストを引き離す付着仕事Wmold/resistを求めることができる。γresistとθは計測により求めることができる。
Wmold/resist =γresist(1+cosθ) …(5)
From the above formulas (3) and (4), the adhesion work W mold / resist is expressed by the following formula (5). Therefore, if γ resist and θ are known, the adhesion work W mold / resist for separating the resist from the mold surface can be obtained. γ resist and θ can be obtained by measurement.
W mold / resist = γ resist (1 + cosθ) (5)
したがって、モールド表面からレジストを容易に引き離すには、数式(5)より付着仕事Wmold/resistを小さくすること、すなわちレジストの表面エネルギーγresist(表面張力)の小さい材料を使用すること、また数式(4)よりモールドの表面エネルギーγmoldを小さくすること、例えば、モールド表面に表面エネルギーの小さい離型層を設ければよいことになる。代表的な溶媒、樹脂および官能基の表面張力は知られており、表1にその値を示す。 Therefore, in order to easily separate the resist from the mold surface, it is necessary to reduce the adhesion work W mold / resist from Equation (5), that is, to use a material having a small resist surface energy γ resist (surface tension). (4) To reduce the surface energy γ mold of the mold, for example, a release layer having a low surface energy may be provided on the mold surface. The surface tensions of typical solvents, resins and functional groups are known and are shown in Table 1.
本発明の好ましい実施形態としては、凹凸パターン上に移し取られた配向性のそろった緻密な単分子膜の機械的強度をさらに上げるために、重合官能基を有する離型剤を用い、移し取られた離型剤の単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて離型層とすることができる。本実施形態に用いる離型剤は、重合官能基を少なくとも一つ以上有するものが好ましく、重合性官能基は、ビニル基、エポキシ基、ジエン基、ジアセチレン基、アクリル基、メタクリル基、イソシアネート基の内のいずれかの官能基を有するシランカップリング剤が好ましい。 As a preferred embodiment of the present invention, in order to further increase the mechanical strength of the dense monomolecular film with uniform orientation transferred onto the concavo-convex pattern, a transfer agent having a polymerization functional group is used for transfer. The obtained monomolecular film of the release agent can be polymerized and / or crosslinked by heating, ultraviolet rays or ionizing radiation to form a release layer. The release agent used in the present embodiment preferably has at least one polymerization functional group, and the polymerizable functional group is a vinyl group, an epoxy group, a diene group, a diacetylene group, an acrylic group, a methacryl group, or an isocyanate group. Of these, a silane coupling agent having any functional group is preferred.
ビニル基を有するシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルジメトキシシラン、ビニルトリクロルシランなどが挙げられる。ジエン基を有するシランカップリング剤としては、例えば、ブタジエン・トリメトキシシランなどが挙げられる。エポキシ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。アクリル基を有するシランカップリング剤としては、例えば、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。メタクリル基を有するシランカップリング剤としては、例えば、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。イソシアネート基を有するシランカップリング剤としては、例えば、(OC2H5)3Si−CH2−C(NCO)H−(CH2)15−CH3で示される化合物などが挙げられる。ジアセチレン基を有するシランカップリング剤としては、例えば、CH3−(CH2)8−CC−CC−(CH2)5−Si(OCH3)3で示される化合物などが挙げられる。 Examples of the silane coupling agent having a vinyl group include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyldimethoxysilane, and vinyltrichlorosilane. Examples of the silane coupling agent having a diene group include butadiene / trimethoxysilane. Examples of the silane coupling agent having an epoxy group include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, β- (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-glycine. Examples thereof include sidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and γ-glycidoxypropyltriethoxysilane. Examples of the silane coupling agent having an acrylic group include 3-acryloxypropyltrimethoxysilane. Examples of the silane coupling agent having a methacryl group include γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, and the like. Is mentioned. The silane coupling agent having an isocyanate group, for example, include compounds represented by (OC 2 H 5) 3 Si -CH 2 -C (NCO) H- (CH 2) 15 -CH 3. Examples of the silane coupling agent having a diacetylene group include compounds represented by CH 3 — (CH 2 ) 8 —CC—CC— (CH 2 ) 5 —Si (OCH 3 ) 3 .
さらに、上記に示したように、本発明においては、離型層の表面エネルギーを小さくする離型剤が好ましく、具体的には、離型剤の疎水基の表面張力が25mN/m以下である離型剤が好ましい。表面張力が25mN/mを超えると、インプリント時にモールドとインプリントレジストとの離型性が低下してくるからである。さらに、表1に示すように、離型剤の疎水基はフッ素基であるものがより好ましい。フッ素基は表面張力が低く、例えば、ジフルオロメチル基(−CF2H)は15mN/m、トリフルオロメチル基(−CF3)は6mN/mである。図4は、合成石英の凹凸パターン上にフルオロアルキル基を有する離型剤の単分子膜が形成された状態の一例を示す模式図である。 Furthermore, as described above, in the present invention, a release agent that reduces the surface energy of the release layer is preferable, and specifically, the surface tension of the hydrophobic group of the release agent is 25 mN / m or less. A release agent is preferred. This is because when the surface tension exceeds 25 mN / m, the releasability between the mold and the imprint resist decreases during imprinting. Furthermore, as shown in Table 1, the hydrophobic group of the release agent is more preferably a fluorine group. The fluorine group has a low surface tension, for example, the difluoromethyl group (—CF 2 H) is 15 mN / m, and the trifluoromethyl group (—CF 3 ) is 6 mN / m. FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a state in which a monomolecular film of a release agent having a fluoroalkyl group is formed on an uneven pattern of synthetic quartz.
フッ素基を有する両親媒性のシランカップリング剤の離型剤としては、フルオロアルキル基を有する離型剤が好ましく、例えば、CF3Si(OCH2CH3)3、CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH2CH3)3、CF3(CH2)5Si(OCH3)3などを挙げることができる。 As a release agent for an amphiphilic silane coupling agent having a fluorine group, a release agent having a fluoroalkyl group is preferable. For example, CF 3 Si (OCH 2 CH 3 ) 3 , CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3, CF 3 (CH 2) such as 5 Si (OCH 3) 3 can be exemplified.
上記のシランカップリング剤は、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、トリフルオロエタンなどのハロゲン化脂肪族溶媒などの溶媒に溶解して所定の濃度の溶液とし、後述するように、水面上に展開してLB法により単分子膜を形成することができる。 The above silane coupling agent is dissolved in a solvent such as a halogenated aliphatic solvent such as methylene chloride, chloroform, trifluoroethane, etc. to give a solution of a predetermined concentration, and is developed on the water surface as described later. A monomolecular film can be formed by the LB method.
本発明のナノインプリント用モールドは、上記離型層が単分子膜であることにより、上記離型層を均一かつ緻密な層とすることができ、凹凸パターン部を均一かつ高精細に形成することが可能となる。 In the nanoimprint mold of the present invention, since the release layer is a monomolecular film, the release layer can be a uniform and dense layer, and the uneven pattern portion can be formed uniformly and with high definition. It becomes possible.
本発明の離型層は有機単分子膜で形成されているので、インプリント後に劣化した膜を有機溶剤を含む薬液やアルカリを含む薬液などで処理することにより離型層をモールドから剥離して、再度、新たな単分子膜を膜付けするのが容易であり、安価なコストで離型層を再作製できるという利点がある。 Since the release layer of the present invention is formed of an organic monomolecular film, the release layer is peeled off from the mold by treating a film deteriorated after imprinting with a chemical solution containing an organic solvent or a chemical solution containing an alkali. It is easy to form a new monomolecular film again, and there is an advantage that the release layer can be re-created at a low cost.
(ナノインプリント用モールドの製造方法)
本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、基板の一表面に凹凸パターンを有し、上記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなり、凹凸パターンが離型層で被覆されているナノインプリント用モールドの製造方法であり、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、上記の単分子膜の疎水基を凹凸パターン側とは反対側に配向させて、単分子膜をモールドの凹凸パターン上に移し取り離型層とする工程と、を含むものである。
(Manufacturing method of nanoimprint mold)
The method for producing a mold for nanoimprinting of the present invention has a concavo-convex pattern on one surface of a substrate, at least the surface of the concavo-convex pattern is made of a silicon oxide film or a metal oxide film, and the concavo-convex pattern is covered with a release layer. It is a method for producing a mold for nanoimprinting, a step of developing a release agent of an amphiphilic silane coupling agent on the water surface to form a monomolecular film, and the uneven pattern side of the hydrophobic group of the monomolecular film And a step of orienting it on the opposite side and transferring the monomolecular film onto the concavo-convex pattern of the mold to form a release layer.
さらに、本発明の好ましい形態としては、単分子膜をモールドの凹凸パターン上に移し取る工程の後に、凹凸パターン上に移し取られた単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて離型層とする工程、を含むものである。 Furthermore, as a preferable embodiment of the present invention, after the step of transferring the monomolecular film onto the concave / convex pattern of the mold, the monomolecular film transferred onto the concave / convex pattern is polymerized and / or polymerized by heating, ultraviolet rays or ionizing radiation. A step of crosslinking to form a release layer.
上記の製造方法において、離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、この単分子膜をモールドの凹凸パターン上に移し取る工程との実施形態について説明する。 In the above manufacturing method, an embodiment of a step of developing a mold release agent on a water surface to form a monomolecular film and a step of transferring the monomolecular film onto an uneven pattern of a mold will be described.
本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、前記離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取る工程とが、ラングミュアーブロジェット法(以後、LB法と記す)によるものである。 In the method for producing a mold for nanoimprinting according to the present invention, the step of developing the release agent on a water surface to form a monomolecular film, and the step of transferring the monomolecular film onto the uneven pattern of the mold include Langmuir This is based on the Blodgett method (hereinafter referred to as LB method).
(第1の実施形態)
LB法による場合は、垂直浸漬法と水平付着法が採用される。本実施形態は、垂直浸漬法による場合である。まず基板の一表面に凹凸パターンを有し、凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなるモールド基板を準備する。
(First embodiment)
In the case of the LB method, a vertical dipping method and a horizontal adhesion method are employed. This embodiment is a case by the vertical immersion method. First, a mold substrate having a concavo-convex pattern on one surface of the substrate and having at least the surface of the concavo-convex pattern made of a silicon oxide film or a metal oxide film is prepared.
図5は、垂直浸漬法によるLB膜の形成方法を示す一例である。図5(a)に示すように、下層水53の水面上に離型剤である有機分子の疎水基51と親水基52からなる単分子膜を形成し、水表面にピストン圧54を付加した状態で、モールドの凹凸パターン表面に酸化膜を有する基板55を、凹凸パターン側を単分子膜側に面して、液面に垂直に浸漬し、引き上げるときに、離型剤の単分子膜が親水基52面を基板55側に向けて基板に移し取られ(図5(b))、モールドの凹凸パターン表面に、離型剤の単分子膜の疎水基51を凹凸パターン側とは反対側に配向させた単分子膜が形成される(図5(c))。
FIG. 5 is an example showing a method of forming the LB film by the vertical immersion method. As shown in FIG. 5 (a), a monomolecular film composed of a
次に、上記の凹凸パターン上に移し取られた離型剤の単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて離型層とする。本実施形態の製造方法によるモールドは、凹凸パターンの最表面に離型剤単分子膜の疎水基が配向性よく緻密に形成されているので、ナノインプリント用レジストとの離型性が良く、凹凸パターン寸法にほとんど影響を与えずに、高精度のインプリントが可能となる。 Next, the monomolecular film of the release agent transferred onto the concavo-convex pattern is polymerized and / or crosslinked by heating, ultraviolet rays or ionizing radiation to form a release layer. In the mold according to the manufacturing method of this embodiment, the hydrophobic group of the release agent monomolecular film is densely formed with good orientation on the outermost surface of the concavo-convex pattern, so that the releasability from the nanoimprint resist is good, and the concavo-convex pattern High-precision imprinting can be performed with almost no influence on the dimensions.
(第2の実施形態)
本実施形態は、図6に示すように、水平付着法によるLB膜の形成方法を示す一例である。第1の実施形態と同様に、基板の一表面に凹凸パターンを有し、凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなるモールド基板を準備する。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 6, the present embodiment is an example showing a method for forming an LB film by a horizontal deposition method. As in the first embodiment, a mold substrate having a concavo-convex pattern on one surface of the substrate and having at least the surface of the concavo-convex pattern made of a silicon oxide film or a metal oxide film is prepared.
図6(a)に示すように、第1隔壁66によって区画した水面上に形成した有機分子の疎水基61と親水基62からなる単分子膜にピストン圧64を加えて、有機分子の疎水基61と親水基62からなる単分子膜を水面上に形成する。次いで、基板65の第1隔壁66に接触する部分とは反対の部分に第2隔壁67を移動し、モールド基板65を上方から単分子膜に水平に接触させると(図6(b))、モールド基板65の親水面に接触した単分子膜は反転して、親水基62を基板65面に付着させる(図6(c))。次に、基板65を引き上げ、凹凸パターン表面に、離型剤の単分子膜の疎水基61を凹凸パターン側とは反対側に配向させた単分子膜で離型層が形成されたモールド基板を作製する(図6(d))。
As shown in FIG. 6 (a), a
(第3の実施形態)
図7は、水平付着法によるLB膜の形成方法を示す他の実施形態の例である。第1の実施形態と同様に、基板の一表面に凹凸パターンを有し、凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜よりなるモールド基板を準備する。
(Third embodiment)
FIG. 7 is an example of another embodiment showing a method of forming an LB film by the horizontal adhesion method. As in the first embodiment, a mold substrate having a concavo-convex pattern on one surface of the substrate and having at least the surface of the concavo-convex pattern made of a silicon oxide film or a metal oxide film is prepared.
本実施形態の水平付着法の場合は、図7に示すように、下層水73の水面下に、あらかじめモールド基板75を沈めておき、次に、第1隔壁76によって区画した下層水73の水面上に形成した離型剤の有機分子にピストン圧74を加えて、有機分子の疎水基71と親水基72からなる単分子膜を水面上に形成する(図7(a))。次いで、上記の基板75を徐々に浮上78させて単分子膜と水平に接触させて、親水基72を基板75に付着させた後、基板75の第1隔壁76に接触する部分とは反対の部分に第2隔壁77を移動し(図7(b))、基板75を引き上げ、凹凸パターン表面に、離型剤の単分子膜の疎水基71を凹凸パターン側とは反対側に配向させた単分子膜が形成されたモールド基板を作製する(図7(c))。水平付着法は単分子膜の流動による変形を避ける効果がある。
In the case of the horizontal adhesion method of the present embodiment, as shown in FIG. 7, the
次に、上記の凹凸パターン上に移し取られた離型剤の単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて離型層とする。本実施形態の製造方法によるモールドは、実施形態1と同様に、離型剤単分子膜の疎水基が配向性よく緻密に形成され、離型性が良くプリントの耐久性に優れ、凹凸パターン寸法にほとんど影響を与えずに、高精度のインプリントが可能となる。 Next, the monomolecular film of the release agent transferred onto the concavo-convex pattern is polymerized and / or crosslinked by heating, ultraviolet rays or ionizing radiation to form a release layer. In the mold according to the manufacturing method of the present embodiment, the hydrophobic group of the release agent monomolecular film is densely formed with good orientation, good releasability, excellent print durability, and uneven pattern dimensions, as in the first embodiment. High-precision imprinting can be performed without substantially affecting the image quality.
本発明の製造方法で用いているLB法は、分子オーダーの有機薄膜が得られること、分子配向および分子配列の制御が可能であること、容易に異なる分子を交互に並べたヘテロ膜の形成が可能であること、常温、常圧で成膜できること、などの利点を有するものである。 The LB method used in the production method of the present invention can obtain an organic thin film of molecular order, can control the molecular orientation and molecular arrangement, and can easily form a hetero film in which different molecules are arranged alternately. It has advantages such as being possible, and being able to form a film at room temperature and normal pressure.
本発明に用いられるLB膜は、基板上に形成されてしまえば形態上は上記の特許文献3に記載された自己組織化単分子膜(SAM)との大きな相違はないが、LB膜はその形成方法とそれに起因する高度な2次元分子パッキング性(高配向性、高秩序性)に、自己組織化単分子膜には無い特長を有している。すなわち、LB膜形成分子は気液界面上に先ず展開され、その展開膜がトラフによって凝縮されて高度にパッキングした凝縮膜としての単分子膜に変化する。本発明では、この高配向、高秩序の単分子膜を基板上に移し取り、好ましくは、さらに凹凸パターン上に移し取られた単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて強固な離型層とし、離型性と耐久性に優れたナノインプリント用モールドとするものである。 The LB film used in the present invention is not significantly different from the self-assembled monomolecular film (SAM) described in Patent Document 3 in terms of form if it is formed on a substrate. The formation method and the advanced two-dimensional molecular packing properties (high orientation and high order) resulting from the formation method have features that are not found in self-assembled monolayers. That is, the LB film-forming molecule is first developed on the gas-liquid interface, and the developed film is condensed by the trough to be changed into a monomolecular film as a highly packed condensed film. In the present invention, this highly oriented, highly ordered monomolecular film is transferred onto the substrate, and preferably, the monomolecular film transferred onto the concavo-convex pattern is polymerized and / or crosslinked by heating, ultraviolet rays or ionizing radiation. Thus, a strong release layer is obtained, and a mold for nanoimprinting having excellent release properties and durability is obtained.
(実施例1)
光学研磨された合成石英基板の一表面をパターニングして、凹部ラインパターン幅40nm、深さ40nm、ピッチ80nmの凹凸のライン&スペースパターンを設けたインプリント用モールド基板を作製した。一方、シランカップリング剤の離型剤としてエポキシ基を有するメトキシシラン化合物(下式化2)をクロロホルムに溶解し、5×10-4M/lの溶液を得た。これを水面上に展開し、図6に示すLB法水平付着法により、表面圧40mN/mで単分子膜を、モールド基板上に形成した。次に、単分子膜を形成したモールド基板を、ホットプレート上にて80℃、5分間、加熱乾燥を行った。次いで、モールド基板上の単分子膜全面に高圧水銀灯により紫外線を照射し、単分子膜を重合/架橋させて離型層とした。
Example 1
One surface of the optically polished synthetic quartz substrate was patterned to prepare an imprint mold substrate provided with concave and convex line & space patterns having a concave line pattern width of 40 nm, a depth of 40 nm, and a pitch of 80 nm. On the other hand, a methoxysilane compound (formula 2) having an epoxy group as a releasing agent for the silane coupling agent was dissolved in chloroform to obtain a 5 × 10 −4 M / l solution. This was developed on the water surface, and a monomolecular film was formed on the mold substrate at a surface pressure of 40 mN / m by the LB method horizontal adhesion method shown in FIG. Next, the mold substrate on which the monomolecular film was formed was heat-dried on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. Next, the entire surface of the monomolecular film on the mold substrate was irradiated with ultraviolet rays from a high-pressure mercury lamp, and the monomolecular film was polymerized / crosslinked to form a release layer.
上記のLB法による単分子膜を重合/架橋させた離型層を設けたモールド基板を用いてインプリントを行い、被加工材表面に高精度で微細なインプリント用樹脂(レジスト)のパターンを形成し、レジストの引き抜き欠陥の無いパターンを連続して形成することができた。 Imprinting is performed using a mold substrate provided with a release layer obtained by polymerizing / crosslinking a monomolecular film by the above-mentioned LB method, and a highly accurate and fine imprinting resin (resist) pattern is formed on the surface of the workpiece. As a result, it was possible to continuously form a pattern without a resist drawing defect.
(比較例1)
実施例1と同様に、合成石英基板の一表面をパターニングして、ライン&スペースパターンを設けたインプリント用モールド基板を準備した。次に、実施例1と同様のシランカップリング剤メトキシシラン化合物のクロロホルム溶液を用い、上記のモールド基板に自己組織化単分子膜を形成した。
上記の自己組織化単分子膜を設けたモールド基板を用いてインプリントを行ったところ、被加工材表面にレジストの引き抜き欠陥がすぐに発生してしまい、以後のプリントができなくなった。
(Comparative Example 1)
Similarly to Example 1, an imprint mold substrate provided with a line & space pattern by patterning one surface of a synthetic quartz substrate was prepared. Next, the same silane coupling agent methoxysilane compound chloroform solution as in Example 1 was used to form a self-assembled monolayer on the mold substrate.
When imprinting was performed using a mold substrate provided with the above self-assembled monomolecular film, a resist pull-out defect immediately occurred on the surface of the workpiece, and subsequent printing was impossible.
10 ナノインプリント用モールド
11 基板
12 凹凸パターン
13 離型層
21、31 モールド
22、32 レジスト
23 大気
51、61、71 疎水基
52、62、72 親水基
53、63、73 下層水
54、64、74 ピストン圧
55、65、75 モールド基板
66、76 第1隔壁
67、77 第2隔壁
78 浮上
10
Claims (11)
前記凹凸パターンの少なくとも表面がシリコン酸化膜または金属酸化膜であって、
前記離型層が、両親媒性のシランカップリング剤の離型剤からなり、前記離型剤の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させた単分子膜で形成されたものであることを特徴とするナノインプリント用モールド。 In the mold for nanoimprint having a concavo-convex pattern on the substrate surface, and the concavo-convex pattern is covered with a release layer,
At least the surface of the concavo-convex pattern is a silicon oxide film or a metal oxide film,
The release layer is composed of a release agent of an amphiphilic silane coupling agent, and is formed of a monomolecular film in which the hydrophobic group of the release agent is oriented on the side opposite to the uneven pattern side. A mold for nanoimprinting, characterized by being.
両親媒性のシランカップリング剤の離型剤を水面上に展開して単分子膜とする工程と、
前記単分子膜の疎水基を前記凹凸パターン側とは反対側に配向させて、前記単分子膜を前記モールドの凹凸パターン上に移し取り離型層とする工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。 A method for producing a mold for nanoimprinting having a concavo-convex pattern on a substrate surface, wherein at least the surface of the concavo-convex pattern is made of a silicon oxide film or a metal oxide film, and the concavo-convex pattern is covered with a release layer,
Developing a release agent of an amphiphilic silane coupling agent on the water surface to form a monomolecular film;
Orienting the hydrophobic group of the monomolecular film on the side opposite to the concave / convex pattern side, transferring the monomolecular film onto the concave / convex pattern of the mold, and forming a release layer;
A method for producing a mold for nanoimprinting, comprising:
前記凹凸パターン上に移し取られた前記単分子膜を、加熱、紫外線または電離放射線で重合および/または架橋させて離型層とする工程、
を含むことを特徴とする請求項7に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。 After the step of orienting the hydrophobic group of the monomolecular film on the side opposite to the concave / convex pattern side and transferring the monomolecular film onto the concave / convex pattern of the mold,
A step of polymerizing and / or crosslinking the monomolecular film transferred onto the concavo-convex pattern with heating, ultraviolet rays or ionizing radiation to form a release layer;
The manufacturing method of the mold for nanoimprints of Claim 7 characterized by the above-mentioned.
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011133750A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Fujitsu Ltd | Member with protective film for forming resist pattern, and method for producing the same, and method for producing resist pattern |
JP2012164787A (en) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Mold for imprint, and imprint method |
KR20120116348A (en) | 2011-04-12 | 2012-10-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Nanoimprint-mold release agent, surface treatment method, and nanoimprint mold |
JP2013039757A (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Fujifilm Corp | Mold release processing method for nanoimprinting mold, manufacturing method and the mold employing the mold release processing method, nanoimprinting method and method for manufacturing patterned substrate |
WO2013047712A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Fujifilm Corporation | Nanoimprinting mold, method for producing the nanoimprinting mold, nanoimprinting method using the nanoimprinting mold, and method for producing patterned substrates |
JP2014241321A (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | Hoya株式会社 | Mold for imprinting, substrate for making patterned medium and patterned medium, and method for manufacturing the same |
KR101548849B1 (en) | 2011-03-31 | 2015-08-31 | 후지필름 가부시키가이샤 | Method for producing molds |
JP2015166704A (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 大日本印刷株式会社 | Surface state inspection method, and manufacturing method and imprint method of imprint mold |
US9164377B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for cleaning imprinting mask |
JP2017055108A (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | Pretreatment of substrate for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
JP2019511123A (en) * | 2016-03-31 | 2019-04-18 | キヤノン株式会社 | Curing of substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
JP2019516249A (en) * | 2016-06-28 | 2019-06-13 | キヤノン株式会社 | Imprint resist and substrate pretreatment to reduce filling time in nanoimprint lithography |
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
US10668677B2 (en) | 2015-09-08 | 2020-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0954421A (en) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Dainippon Printing Co Ltd | Phase shift photomask blank, phase shift photomask and their production |
JPH0954440A (en) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Dainippon Printing Co Ltd | Forming method of resist pattern and production of photomask |
JPH10202741A (en) * | 1997-01-28 | 1998-08-04 | Nikon Corp | Mold for fine processing by transfer and production thereof |
JP2008068612A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Mold for nano imprint and its manufacturing method |
JP2008137306A (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Kazufumi Ogawa | Mold, its manufacturing method and molding produced with it |
JP2008178984A (en) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Hitachi Ltd | Nano-imprinting stamper, its manufacturing method and surface treatment agent of nano-imprinting stamper |
-
2009
- 2009-03-18 JP JP2009066117A patent/JP5316132B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0954421A (en) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Dainippon Printing Co Ltd | Phase shift photomask blank, phase shift photomask and their production |
JPH0954440A (en) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Dainippon Printing Co Ltd | Forming method of resist pattern and production of photomask |
JPH10202741A (en) * | 1997-01-28 | 1998-08-04 | Nikon Corp | Mold for fine processing by transfer and production thereof |
JP2008068612A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Mold for nano imprint and its manufacturing method |
JP2008137306A (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Kazufumi Ogawa | Mold, its manufacturing method and molding produced with it |
JP2008178984A (en) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Hitachi Ltd | Nano-imprinting stamper, its manufacturing method and surface treatment agent of nano-imprinting stamper |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011133750A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Fujitsu Ltd | Member with protective film for forming resist pattern, and method for producing the same, and method for producing resist pattern |
JP2012164787A (en) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Mold for imprint, and imprint method |
KR101548849B1 (en) | 2011-03-31 | 2015-08-31 | 후지필름 가부시키가이샤 | Method for producing molds |
KR101869982B1 (en) * | 2011-04-12 | 2018-06-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Nanoimprint-mold release agent, surface treatment method, and nanoimprint mold |
US9090502B2 (en) | 2011-04-12 | 2015-07-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Nanoimprint-mold release agent, surface treatment method, and nanoimprint mold |
KR20120116348A (en) | 2011-04-12 | 2012-10-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Nanoimprint-mold release agent, surface treatment method, and nanoimprint mold |
JP2013039757A (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Fujifilm Corp | Mold release processing method for nanoimprinting mold, manufacturing method and the mold employing the mold release processing method, nanoimprinting method and method for manufacturing patterned substrate |
US9505165B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-11-29 | Fujifilm Corporation | Nanoimprinting mold, method for producing the nanoimprinting mold, nanoimprinting method using the nanoimprinting mold, and method for producing patterned substrates |
JP2013077695A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Fujifilm Corp | Mold for nanoimprint, method of manufacturing the same, and nanoimprint method using mold, and method of manufacturing patterned substrate |
WO2013047712A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Fujifilm Corporation | Nanoimprinting mold, method for producing the nanoimprinting mold, nanoimprinting method using the nanoimprinting mold, and method for producing patterned substrates |
US9164377B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for cleaning imprinting mask |
JP2014241321A (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | Hoya株式会社 | Mold for imprinting, substrate for making patterned medium and patterned medium, and method for manufacturing the same |
JP2015166704A (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 大日本印刷株式会社 | Surface state inspection method, and manufacturing method and imprint method of imprint mold |
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
JP2017055108A (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | Pretreatment of substrate for reducing fill time in nanoimprint lithography |
JP2017152705A (en) * | 2015-09-08 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | Pretreatment of substrate for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10668677B2 (en) | 2015-09-08 | 2020-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
KR20180116333A (en) * | 2016-03-31 | 2018-10-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | Removal of substrate pretreatment composition in nanoimprint lithography |
JP2019511123A (en) * | 2016-03-31 | 2019-04-18 | キヤノン株式会社 | Curing of substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
JP2019511124A (en) * | 2016-03-31 | 2019-04-18 | キヤノン株式会社 | Substrate pretreatment composition removal in nanoimprint lithography |
JP2019512888A (en) * | 2016-03-31 | 2019-05-16 | キヤノン株式会社 | Imprint resist and substrate pretreatment to reduce filling time in nanoimprint lithography |
US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
KR102097884B1 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | Removal of substrate pretreatment composition in nanoimprint lithography |
US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
JP2019516249A (en) * | 2016-06-28 | 2019-06-13 | キヤノン株式会社 | Imprint resist and substrate pretreatment to reduce filling time in nanoimprint lithography |
US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5316132B2 (en) | 2013-10-16 |
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