JP2010276901A - Exposure device, chuck position detection method of exposure device, and manufacturing method of panel substrate for display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行う露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特にレーザー測長系を用いて基板を搭載したチャックの位置を検出する露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus for exposing a substrate, a chuck position detection method for the exposure apparatus, and a method for manufacturing a display panel substrate using them in manufacturing a display panel substrate such as a liquid crystal display device, and more particularly to a laser. The present invention relates to an exposure apparatus that detects the position of a chuck on which a substrate is mounted using a length measurement system, a chuck position detection method for the exposure apparatus, and a method for manufacturing a display panel substrate using them.
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。 Manufacturing of TFT (Thin Film Transistor) substrates, color filter substrates, plasma display panel substrates, organic EL (Electroluminescence) display panel substrates, and the like of liquid crystal display devices used as display panels is performed using photolithography using an exposure apparatus. This is performed by forming a pattern on the substrate by a technique. Conventionally, as an exposure apparatus, a projection method in which a mask pattern is projected onto a substrate using a lens or a mirror, and a minute gap (proximity gap) is provided between the mask and the substrate to transfer the mask pattern to the substrate. There was a proximity method to transfer. The proximity method is inferior in pattern resolution performance to the projection method, but the configuration of the irradiation optical system is simple, the processing capability is high, and it is suitable for mass production.
特許文献1には、プロキシミティ露光装置において、レーザー測長系を用いて基板を搭載したチャックの位置を検出し、基板の位置決めを高精度に行う技術が開示されている。また、特許文献2には、基板をチャックに搭載する前に、基板のθ方向の傾きを検出し、チャックを検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転することにより、基板がチャックに対してθ方向に回転した姿勢でチャックに搭載されるのを防止する技術が開示されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 discloses a technique for detecting the position of a chuck on which a substrate is mounted using a laser length measurement system and positioning the substrate with high accuracy in a proximity exposure apparatus. Further, in
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。この様な露光装置として、例えば、特許文献3、特許文献4、及び特許文献5に記載のものがある。
In recent years, an exposure apparatus has been developed that irradiates a substrate coated with a photoresist with a light beam, scans the substrate with the light beam, and draws a pattern on the substrate. Since the substrate is scanned by the light beam and the pattern is directly drawn on the substrate, an expensive mask is not required. Further, by changing the drawing data and the scanning program, various types of display panel substrates can be supported. Examples of such an exposure apparatus include those described in
レーザー測長系によるチャックの位置検出は、特許文献1及び特許文献2に記載されている様に、チャックにミラーを取り付け、光源からのレーザー光をミラーへ照射し、光源からのレーザー光とミラーにより反射されたレーザー光との干渉を干渉計で測定して行われる。ミラーの反射面を完全に平坦に加工することは困難であり、チャックに取り付けたミラーに歪みがあると、チャックの位置の検出結果には、ミラーの歪みによる誤差が含まれることとなる。
As described in
また、レーザー測長系によるチャックの位置検出を開始する前には、チャックの各辺をX方向又はY方向と平行にする平行出し作業を行う必要がある。平行出し作業では、ステージによりチャックを移動し、レーザー測長系によりチャックの位置を2箇所以上で検出して、チャックのθ方向の傾きを検出する。その際、レーザー測長系のミラーに歪みがあると、チャックのθ方向の傾きを精度良く検出できないという問題があった。 Further, before starting the position detection of the chuck by the laser length measurement system, it is necessary to perform a parallel operation for making each side of the chuck parallel to the X direction or the Y direction. In the paralleling operation, the chuck is moved by the stage, the position of the chuck is detected at two or more positions by the laser length measurement system, and the inclination of the chuck in the θ direction is detected. At that time, if the laser length measurement mirror is distorted, the tilt of the chuck in the θ direction cannot be detected accurately.
本発明の課題は、レーザー測長系を用いてチャックの位置を精度良く検出することである。また、本発明の課題は、レーザー測長系を用いてチャックのθ方向の傾きを精度良く検出することである。さらに、本発明の課題は、基板の位置を精度良く調整して、高品質な表示用パネル基板を製造することである。 An object of the present invention is to accurately detect the position of a chuck using a laser length measurement system. Another object of the present invention is to accurately detect the inclination of the chuck in the θ direction using a laser length measuring system. Another object of the present invention is to manufacture a high-quality display panel substrate by accurately adjusting the position of the substrate.
本発明の露光装置は、基板を搭載するチャックと、チャックを移動するステージと、レーザー光を発生する光源、チャックに取り付けられたミラー、及び光源からのレーザー光をミラーへ照射し、光源からのレーザー光とミラーにより反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計を有し、干渉計の測定結果からチャックの位置を検出するレーザー測長系と、ステージ及びレーザー測長系を制御する制御手段とを備え、制御手段が、予め、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系の干渉計によりミラーの歪みを測定し、レーザー測長系によりチャックの位置を検出したとき、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正するものである。 An exposure apparatus of the present invention irradiates a mirror with a chuck on which a substrate is mounted, a stage that moves the chuck, a light source that generates laser light, a mirror attached to the chuck, and laser light from the light source. Laser interferometer that measures the interference between the laser beam and the laser beam reflected by the mirror, and a laser length measurement system that detects the position of the chuck from the measurement result of the interferometer, and a control that controls the stage and the laser length measurement system And the control means moves in advance the chuck by the stage, measures the distortion of the mirror by the laser measuring system interferometer, and detects the position of the chuck by the laser measuring system in advance. The detection result of the laser measurement system is corrected according to the distortion of the mirror.
また、本発明の露光装置のチャック位置検出方法は、基板をチャックに搭載し、レーザー光を発生する光源、チャックに取り付けられたミラー、及び光源からのレーザー光をミラーへ照射し、光源からのレーザー光とミラーにより反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計を有し、干渉計の測定結果からチャックの位置を検出するレーザー測長系を用い、予め、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系の干渉計によりミラーの歪みを測定し、レーザー測長系によりチャックの位置を検出したとき、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正するものである。 Further, the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention includes mounting a substrate on a chuck, irradiating the mirror with a light source that generates laser light, a mirror attached to the chuck, and laser light from the light source. It has an interferometer that measures the interference between the laser beam and the laser beam reflected by the mirror, and uses a laser length measurement system that detects the position of the chuck from the measurement result of the interferometer. Measures the distortion of the mirror with a laser measurement system interferometer, and corrects the detection result of the laser measurement system according to the mirror distortion measured in advance when the position of the chuck is detected by the laser measurement system It is.
予め、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系の干渉計によりミラーの歪みを測定し、レーザー測長系によりチャックの位置を検出したとき、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正するので、チャックに取り付けられたミラーに歪みがあっても、チャックの位置が精度良く検出される。 When the chuck is moved in advance, the distortion of the mirror is measured by the interferometer of the laser length measurement system, and the position of the chuck is detected by the laser length measurement system, the laser measurement is performed according to the mirror distortion measured in advance. Since the detection result of the long system is corrected, the position of the chuck can be accurately detected even if the mirror attached to the chuck is distorted.
さらに、本発明の露光装置は、ステージの移動量を検出する検出手段を備え、制御手段が、検出手段が検出したステージの移動量から、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定し、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量を算出して、レーザー測長系の検出結果を補正するものである。また、本発明の露光装置のチャック位置検出方法は、ステージの移動量を検出し、検出したステージの移動量から、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定し、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量を算出して、レーザー測長系の検出結果を補正するものである。 Further, the exposure apparatus of the present invention includes a detecting means for detecting the amount of movement of the stage, and the control means is irradiated with laser light from the interferometer of the laser length measurement system based on the amount of movement of the stage detected by the detecting means. The position on the mirror is determined, the correction amount at the position is calculated from the previously measured distortion of the mirror, and the detection result of the laser length measurement system is corrected. Further, the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention detects the moving amount of the stage, and the position on the mirror irradiated with the laser light from the laser measuring system interferometer from the detected moving amount of the stage. The correction amount at the position is calculated from the mirror distortion measured in advance, and the detection result of the laser length measurement system is corrected.
レーザー測長系の検出結果を補正するためには、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定し、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量を算出する必要がある。レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定する際、レーザー測長系によるチャックの位置の検出結果を用いると、検出結果にはミラーの歪みによる誤差が含まれるので、当該位置を正確に決定することができない。そこで、レーザー測長系によるチャックの位置検出とは別に、ステージの移動量を検出し、検出したステージの移動量から、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定する。チャックに取り付けられたミラーに歪みがあっても、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置が正確に決定される。従って、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量が精度良く算出され、チャックの位置がさらに精度良く検出される。 In order to correct the detection results of the laser length measurement system, the position on the mirror irradiated with the laser light from the laser length measurement interferometer is determined, and the correction at that position is determined from the previously measured mirror distortion. The amount needs to be calculated. When determining the position on the mirror to which the laser beam from the laser measuring system interferometer is irradiated, if the detection result of the chuck position by the laser measuring system is used, the detection result contains an error due to the distortion of the mirror. Since it is included, the position cannot be determined accurately. Therefore, separately from the chuck position detection by the laser length measurement system, the amount of movement of the stage is detected, and the detected amount of movement of the stage is used on the mirror irradiated with the laser light from the laser length measurement system interferometer. Determine the position. Even if the mirror attached to the chuck is distorted, the position on the mirror irradiated with the laser light from the laser measuring system interferometer is accurately determined. Therefore, the correction amount at the position is accurately calculated from the mirror distortion measured in advance, and the position of the chuck is detected with higher accuracy.
さらに、本発明の露光装置は、制御装置が、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系によりチャックの位置を2箇所以上で検出し、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正して、チャックのθ方向の傾きを検出するものである。また、本発明の露光装置のチャック位置検出方法は、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系によりチャックの位置を2箇所以上で検出し、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正して、チャックのθ方向の傾きを検出するものである。チャックの位置が2箇所以上で精度良く検出されるので、チャックのθ方向の傾きが精度良く検出される。 Furthermore, in the exposure apparatus of the present invention, the control device moves the chuck by the stage, detects the position of the chuck at two or more locations by the laser length measurement system, and performs laser length measurement according to the mirror distortion measured in advance. The inclination of the chuck in the θ direction is detected by correcting the detection result of the system. Also, the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention moves the chuck by the stage, detects the chuck position at two or more locations by the laser length measurement system, and performs laser measurement according to the mirror distortion measured in advance. By correcting the detection result of the long system, the inclination of the chuck in the θ direction is detected. Since the chuck position is accurately detected at two or more locations, the inclination of the chuck in the θ direction can be accurately detected.
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは上記のいずれかの露光装置のチャック位置検出方法を用いて基板の位置を調整し、基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光装置のチャック位置検出方法を用いることにより、レーザー測長系を用いてチャックの位置が精度良く検出されるので、基板の位置を精度良く調整して、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。 The method for producing a display panel substrate of the present invention is to expose a substrate using any of the above exposure apparatuses, or adjust the position of the substrate using the chuck position detection method of any of the above exposure apparatuses. The substrate is exposed. By using the above exposure apparatus or the chuck position detection method of the exposure apparatus, the position of the chuck can be detected with high accuracy using a laser length measurement system. A panel substrate can be manufactured.
本発明の露光装置及び露光装置のチャック位置検出方法によれば、予め、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系の干渉計によりミラーの歪みを測定し、レーザー測長系によりチャックの位置を検出したとき、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正することにより、レーザー測長系を用いてチャックの位置を精度良く検出することができる。 According to the exposure apparatus and the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention, the chuck is moved in advance by the stage, the distortion of the mirror is measured by the interferometer of the laser measurement system, and the position of the chuck is measured by the laser measurement system. Is detected, the position of the chuck can be accurately detected using the laser length measurement system by correcting the detection result of the laser length measurement system in accordance with the mirror distortion measured in advance.
さらに、本発明の露光装置及び露光装置のチャック位置検出方法によれば、ステージの移動量を検出し、検出したステージの移動量から、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定し、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量を算出して、レーザー測長系の検出結果を補正することにより、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を正確に決定することができるので、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量を精度良く算出することができ、チャックの位置をさらに精度良く検出することができる。 Further, according to the exposure apparatus and the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention, the amount of movement of the stage is detected, and laser light from the interferometer of the laser length measurement system is irradiated from the detected amount of movement of the stage. The laser from the laser measuring system interferometer by determining the position on the mirror and calculating the correction amount at the position from the mirror distortion measured in advance and correcting the detection result of the laser measuring system. Since the position on the mirror irradiated with light can be accurately determined, the correction amount at the position can be calculated with high accuracy from the previously measured distortion of the mirror, and the position of the chuck can be detected with higher accuracy. can do.
さらに、本発明の露光装置及び露光装置のチャック位置検出方法によれば、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系によりチャックの位置を2箇所以上で検出し、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正して、チャックのθ方向の傾きを検出することにより、レーザー測長系を用いてチャックのθ方向の傾きを精度良く検出することができる。 Furthermore, according to the exposure apparatus and the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention, the chuck is moved by the stage, the position of the chuck is detected at two or more positions by the laser length measurement system, and the pre-measured mirror distortion is detected. Accordingly, by correcting the detection result of the laser length measurement system and detecting the inclination of the chuck in the θ direction, the inclination of the chuck in the θ direction can be accurately detected using the laser length measurement system.
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、レーザー測長系を用いてチャックの位置を精度良く検出することができるので、基板の位置を精度良く調整して、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。 According to the display panel substrate manufacturing method of the present invention, the position of the chuck can be accurately detected using a laser length measurement system. A substrate can be manufactured.
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図3は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。本実施の形態は、基板にパターンを描画する露光装置の例を示している。露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック10、ゲート11、光ビーム照射装置20、リニアスケール31,33、エンコーダ32,34、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70を含んで構成されている。なお、図2及び図3では、レーザー測長系のレーザー光源41、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板1をチャック10へ搬入し、また基板1をチャック10から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a side view of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a front view of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. The present embodiment shows an example of an exposure apparatus that draws a pattern on a substrate. The exposure apparatus includes a
なお、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。 Note that the XY directions in the embodiments described below are examples, and the X direction and the Y direction may be interchanged.
図1及び図2において、チャック10は、基板1の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板1がチャック10へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板1がチャック10から搬出される。チャック10は、基板1の裏面を真空吸着して支持する。基板1の表面には、フォトレジストが塗布されている。
1 and 2, the
基板1の露光を行う露光位置の上空に、ベース3をまたいでゲート11が設けられている。ゲート11には、複数の光ビーム照射装置20が搭載されている。なお、本実施の形態は、8つの光ビーム照射装置20を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、7つ以下又は9つ以上の光ビーム照射装置を用いてもよい。
A
図4は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置20は、光ファイバー22、レンズ23、ミラー24、DMD(Digital Micromirror Device)25、投影レンズ26、及びDMD駆動回路27を含んで構成されている。光ファイバー22は、レーザー光源ユニット21から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置20内へ導入する。光ファイバー22から射出された光ビームは、レンズ23及びミラー24を介して、DMD25へ照射される。DMD25は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。DMD25により変調された光ビームは、投影レンズ26を含むヘッド部20aから照射される。DMD駆動回路27は、主制御装置70から供給された描画データに基づいて、DMD25の各ミラーの角度を変更する。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the light beam irradiation apparatus. The light
図2及び図3において、チャック10は、θステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。
2 and 3, the
θステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1は、直交する二辺がX方向及びY方向へ向く様に回転される。Xステージ5のX方向への移動により、チャック10は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Xステージ5のX方向への移動により、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームが、基板1をX方向へ走査する。また、Yステージ7のY方向への移動により、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームによる基板1の走査領域が、Y方向へ移動される。図1において、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、θステージ8のθ方向へ回転、Xステージ5のX方向への移動、及びYステージ7のY方向への移動を行う。
By rotation of the
図1及び図2において、ベース3には、X方向へ伸びるリニアスケール31が設置されている。リニアスケール31には、Xステージ5のX方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Xステージ5には、Y方向へ伸びるリニアスケール33が設置されている。リニアスケール33には、Yステージ7のY方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
1 and 2, the
図1及び図3において、Xステージ5の一側面には、リニアスケール31に対向して、エンコーダ32が取り付けられている。エンコーダ32は、リニアスケール31の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。また、図1及び図2において、Yステージ7の一側面には、リニアスケール33に対向して、エンコーダ34が取り付けられている。エンコーダ34は、リニアスケール33の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。主制御装置70は、エンコーダ32のパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量を検出し、エンコーダ34のパルス信号をカウントして、Yステージ7のY方向への移動量を検出する。
1 and 3, an
図5は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図5においては、図1に示したゲート11及び光ビーム照射装置20が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源41、レーザー干渉計42,44、及びバーミラー43,45を含んで構成されている。バーミラー43は、チャック10のY方向の一側面に取り付けられている。また、バーミラー45は、チャック10のX方向の一側面に取り付けられている。
FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the laser length measurement system. In FIG. 5, the
レーザー干渉計42は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー43へ照射し、バーミラー43により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー43により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Y方向の2箇所で行う。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計42の測定結果から、チャック10のX方向の位置を検出する。
The
一方、レーザー干渉計44は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー45へ照射し、バーミラー45により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー45により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計44の測定結果から、チャック10のY方向の位置を検出する。
On the other hand, the
以下、本発明の一実施の形態による露光装置のチャック位置検出方法について説明する。本実施の形態では、基板の露光を開始する前に、チャック10の平行出し作業と、バーミラー43,45の歪みの測定とを行う。図6及び図7は、平行出し作業を説明する図である。主制御装置70は、レーザー干渉計44からのレーザー光がバーミラー45の両端の所定の位置へ照射される様に、ステージ駆動回路60を制御して、Xステージ5によりチャック10を移動させる。レーザー干渉計44は、バーミラー45の両端の所定の位置において、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー45により反射されたレーザー光との干渉をそれぞれ測定する。レーザー測長系制御装置40は、レーザー干渉計44の2つの測定結果から、チャック10のY方向の位置を2個所で検出し、主制御装置70は、2つの検出結果の違いから、チャック10のθ方向の傾きを検出する。主制御装置70は、検出したチャック10のθ方向の傾きに基づき、チャック10の各辺がX方向又はY方向と平行になる様に、ステージ駆動回路60を制御して、θステージ8によりチャック10を回転させる。
Hereinafter, a chuck position detection method of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, before starting the exposure of the substrate, the parallel alignment work of the
チャック10の平行出し作業が終了した後、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Xステージ5によりチャック10を移動させ、レーザー干渉計44によりバーミラー45の歪みを複数箇所で測定する。主制御装置70は、測定結果から、チャック10のY方向の位置の検出結果を補正する補正用データを作成して、後述するメモリ76に記憶する。続いて、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Yステージ7によりチャック10を移動させ、レーザー干渉計42によりバーミラー43の歪みを複数箇所で測定する。主制御装置70は、測定結果から、チャック10のX方向の位置の検出結果を補正する補正用データを作成して、後述するメモリ76に記憶する。
After the parallel alignment operation of the
図1において、主制御装置70は、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ描画データを供給する描画制御部を有する。図8は、描画制御部の一例の概略構成を示す図である。描画制御部71は、メモリ72,76、バンド幅設定部73、中心点座標決定部74、座標決定部75、XY位置補正部77、及び走行誤差検出部78を含んで構成されている。メモリ72は、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データを、そのXY座標をアドレスとして記憶している。
In FIG. 1, the
バンド幅設定部73は、メモリ72から読み出す描画データのY座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射される光ビームのY方向のバンド幅を設定する。
The
メモリ76は、主制御装置70がバーミラー43,45の歪みの測定結果から作成した、チャック10のXY方向の位置の検出結果を補正する補正用データを記憶している。図9は、メモリに記憶された補正用データを説明する図である。図9(a)はY方向の位置の検出結果を補正する補正用データを示す。Y方向の位置の検出結果を補正する補正用データは、バーミラー45上の歪みを測定した各測定点のX座標X(n)と、レーザー干渉計44からのレーザー光がバーミラー45上の各測定点へ照射されたときに、チャック10のY方向の位置の検出結果を補正する補正値ΔY(n)とから成る。また、図9(b)はX方向の位置の検出結果を補正する補正用データを示す。X方向の位置の検出結果を補正する補正用データは、バーミラー43上の歪みを測定した各測定点のY座標Y(n)と、レーザー干渉計42からのレーザー光がバーミラー43上の各測定点へ照射されたときに、チャック10のX方向の位置の検出結果を補正する補正値ΔX(n)とから成る。
The
図8において、XY位置補正部77は、メモリ76に記憶された補正用データを用いて、レーザー測長系制御装置40の検出結果を補正する。図10は、XY位置補正部の動作を示すフローチャートである。XY位置補正部77は、まず、レーザー測長系制御装置40が検出したチャック10のX方向の位置及びY方向の位置を入力し(ステップ301)、入力したチャック10のX方向の位置から、レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置を決定する(ステップ302)。続いて、XY位置補正部77は、決定したバーミラー45上の位置の前後のX座標を、メモリ76に記憶された各測定点のX座標から検索し(ステップ303)、前後のX座標及び前後のX座標における補正値を読み出す(ステップ304)。そして、XY位置補正部77は、読み出した各X座標及び各補正値から、一次近似式により、決定したバーミラー45上の位置におけるチャック10のY方向の位置の補正値ΔYを算出し(ステップ305)、算出した補正値ΔYにより、入力したY方向の位置を補正する(ステップ306)。
In FIG. 8, the XY
次に、XY位置補正部77は、補正したチャック10のY方向の位置から、レーザー干渉計42からのレーザー光が照射されているバーミラー43上の位置を決定する(ステップ307)。続いて、XY位置補正部77は、決定したバーミラー43上の位置の前後のY座標をメモリ76に記憶された各測定点のY座標から検索し(ステップ308)、前後のY座標及び前後のY座標における補正値を読み出す(ステップ309)。そして、XY位置補正部77は、読み出した各Y座標及び各補正値から、一次近似式により、決定したバーミラー43上の位置におけるチャック10のX方向の位置の補正値ΔXを算出し(ステップ310)、算出した補正値ΔXにより、入力したX方向の位置を補正する(ステップ311)。
Next, the XY
予め、Xステージ5及びYステージ7によりチャック10を移動して、レーザー測長系のレーザー干渉計42,44によりバーミラー43,45の歪みを測定し、レーザー測長系によりチャック10の位置を検出したとき、予め測定したバーミラー43,45の歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正するので、チャック10に取り付けられたバーミラー43,45に歪みがあっても、チャック10のXY方向の位置が精度良く検出される。
The
図11は、描画制御部の他の例の概略構成を示す図である。本例のXY位置補正部77’は、図10のステップ302において、エンコーダ32からのパルス信号をカウントして、Xステージ5の移動量を検出し、検出したXステージ5の移動量から、レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置を決定する。それ以降の動作は、図10のフローチャートと同様である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic configuration of another example of the drawing control unit. In
レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置を決定する際、レーザー測長系によるチャック10のX方向の位置の検出結果を用いると、検出結果にはバーミラー43の歪みによる誤差が含まれるので、当該位置を正確に決定することができない。本例では、レーザー測長系によるチャック10のX方向の位置検出とは別に、Xステージ5の移動量を検出し、検出したXステージ5の移動量から、レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置を決定するので、チャック10に取り付けられたバーミラー43に歪みがあっても、レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置が正確に決定される。従って、予め測定したバーミラー45の歪みから、当該位置におけるY方向の位置の補正量ΔYが精度良く算出され、チャック10のY方向の位置がさらに精度良く検出される。
When determining the position on the
例えば、特許文献2に記載の技術を用いて、基板1をチャック10に搭載する前に、基板1のθ方向の傾きを検出し、チャック10を検出した基板1の傾き分だけθ方向へ回転する場合、チャック10をθ方向へ大きく回転すると、レーザー干渉計42,44がチャックに取り付けたバーミラー43,45で反射されたレーザー光を受光できないため、レーザー測長系によるチャック10の位置検出が中断される。その場合、基板1をチャック10に搭載した後、チャック10の回転を元に戻してから、レーザー測長系によるチャックの位置検出を再開するわけであるが、その際、チャック10の平行出し作業を再度行う必要がある。
For example, before mounting the
図6及び図7において、主制御装置70は、バーミラー43,45の歪みを測定して補正用データを作成した後、チャック10の平行出し作業を行う場合、Xステージ5によりチャック10を移動して、レーザー測長系によりチャック10のY方向の位置を2箇所以上で検出し、XY位置補正部77,77’によりレーザー測長系の検出結果を補正して、チャック10のθ方向の傾きを検出する。チャック10のY方向の位置が2箇所以上で精度良く検出されるので、チャック10のθ方向の傾きが精度良く検出される。
6 and 7, the
図8及び図11において、レーザー測長系制御装置40は、露光位置における基板1の露光を開始する前のチャック10のXY方向の位置を検出し、XY位置補正部77,77’は、メモリ76に記憶された補正用データを用いて、レーザー測長系制御装置40の検出結果を補正する。中心点座標決定部74は、XY位置補正部77,77’が補正したチャック10のXY方向の位置から、基板1の露光を開始する前のチャック10の中心点のXY座標を決定する。図1において、光ビーム照射装置20からの光ビームにより基板1の走査を行う際、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Xステージ5によりチャック10をX方向へ移動させる。基板1の走査領域を移動する際、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Yステージ7によりチャック10をY方向へ移動させる。
8 and 11, the laser measurement
図8及び図11において、レーザー測長系制御装置40は、チャック10のXY方向の位置を検出し、XY位置補正部77,77’は、メモリ76に記憶された補正用データを用いて、レーザー測長系制御装置40の検出結果を補正する。走行誤差検出部78は、XY位置補正部77,77’が補正したチャック10のXY方向の位置から、Xステージ5がX方向へ移動する際の横揺れやヨーイング等の走行誤差を検出する。レーザー測長系を用いて、チャック10の位置を検出することにより、チャック10の位置を精度良く検出することができるので、Xステージ5の走行誤差を精度良く検出することができる。
8 and 11, the laser length measurement
中心点座標決定部74は、エンコーダ32,34からのパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量及びYステージ7のY方向への移動量を検出し、チャック10の中心点のXY座標を決定する。そして、中心点座標決定部74は、走行誤差検出部78の検出結果に基づき、決定したチャック10の中心点のXY座標を補正する。
The center point coordinate
座標決定部75は、中心点座標決定部74が補正したチャック10の中心点のXY座標に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データのXY座標を決定する。メモリ72は、座標決定部75が決定したXY座標をアドレスとして入力し、入力したXY座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ出力する。
The coordinate
Xステージ5の走行誤差を検出し、Xステージ5の走行誤差の検出結果に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給するので、Xステージ5に横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画が精度良く行われる。
The travel error of the
図12〜図15は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図12〜図15は、8つの光ビーム照射装置20からの8本の光ビームにより、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示している。図12〜図15においては、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aが破線で示されている。各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームは、Y方向にバンド幅Wを有し、Xステージ5のX方向への移動によって、基板1を矢印で示す方向へ走査する。
12 to 15 are diagrams for explaining scanning of the substrate by the light beam. 12 to 15 show an example in which the
図12は、1回目の走査を示し、X方向への1回目の走査により、図12に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。1回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図13は、2回目の走査を示し、X方向への2回目の走査により、図13に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。2回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図14は、3回目の走査を示し、X方向への3回目の走査により、図14に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。3回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図15は、4回目の走査を示し、X方向への4回目の走査により、図15に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板1全体の走査が終了する。
FIG. 12 shows the first scan, and the pattern is drawn in the scan area shown in gray in FIG. 12 by the first scan in the X direction. When the first scanning is completed, the
複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビームにより基板1を走査する際も、各光ビーム照射装置20からの光ビームにより描画されるパターンがXステージ5の走行誤差により互いにずれるのを防止することができるので、パターンの描画を精度良く行うことができる。そして、複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビームにより基板1の走査を並行して行うことにより、基板1全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
Even when the
なお、図12〜図15では、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板1のX方向の走査を3回以下又は5回以上行って、基板1全体を走査してもよい。
12 to 15 illustrate an example in which the
以上説明した実施の形態によれば、予め、Xステージ5及びYステージ7によりチャック10を移動して、レーザー測長系のレーザー干渉計42,44によりバーミラー43,45の歪みを測定し、レーザー測長系によりチャック10の位置を検出したとき、予め測定したバーミラー43,45の歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正することにより、レーザー測長系を用いてチャック10のXY方向の位置を精度良く検出することができる。
According to the embodiment described above, the
さらに、図11に示した例によれば、Xステージ5の移動量を検出し、検出したXステージ5の移動量から、レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置を決定し、予め測定したバーミラー45の歪みから、当該位置におけるY方向の位置の補正量を算出して、レーザー測長系のY方向の位置の検出結果を補正することにより、レーザー干渉計44からのレーザー光が照射されているバーミラー45上の位置を正確に決定することができるので、予め測定したバーミラー45の歪みから、当該位置におけるY方向の位置の補正量を精度良く算出することができ、チャック10のY方向の位置をさらに精度良く検出することができる。
Further, according to the example shown in FIG. 11, the movement amount of the
さらに、Xステージ5によりチャック10を移動して、レーザー測長系によりチャック10のY方向の位置を2箇所以上で検出し、予め測定したバーミラー45の歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正して、チャック10のθ方向の傾きを検出することにより、レーザー測長系を用いてチャック10のθ方向の傾きを精度良く検出することができる。
Further, the
なお、以上説明した実施の形態では、基板にパターンを描画する露光装置の例を示したが、本発明は、レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出するプロキシミティ露光装置にも適用することができる。 In the embodiment described above, an example of an exposure apparatus that draws a pattern on a substrate has been shown. However, the present invention is also applicable to a proximity exposure apparatus that detects the position of a chuck using a laser length measurement system. be able to.
本発明の露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは本発明の露光装置のチャック位置検出方法を用いて基板の位置を調整して、基板の露光を行うことにより、レーザー測長系を用いてチャックの位置を精度良く検出することができるので、基板の位置を精度良く調整して、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。 The laser length measurement system is used by exposing the substrate using the exposure apparatus of the present invention or adjusting the position of the substrate using the chuck position detection method of the exposure apparatus of the present invention and exposing the substrate. Thus, the position of the chuck can be detected with high accuracy, so that a high-quality display panel substrate can be manufactured by adjusting the position of the substrate with high accuracy.
例えば、図16は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。 For example, FIG. 16 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device. In the thin film formation step (step 101), a thin film such as a conductor film or an insulator film, which becomes a transparent electrode for driving liquid crystal, is formed on the substrate by sputtering, plasma chemical vapor deposition (CVD), or the like. In the resist coating process (step 102), a photoresist is applied by a roll coating method or the like to form a photoresist film on the thin film formed in the thin film forming process (step 101). In the exposure step (step 103), a pattern is formed on the photoresist film using an exposure apparatus. In the development step (step 104), a developer is supplied onto the photoresist film by a shower development method or the like to remove unnecessary portions of the photoresist film. In the etching process (step 105), a portion of the thin film formed in the thin film formation process (step 101) that is not masked by the photoresist film is removed by wet etching. In the stripping step (step 106), the photoresist film that has finished the role of the mask in the etching step (step 105) is stripped with a stripping solution. Before or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary. These steps are repeated several times to form a TFT array on the substrate.
また、図17は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。 FIG. 17 is a flowchart showing an example of the manufacturing process of the color filter substrate of the liquid crystal display device. In the black matrix forming step (step 201), a black matrix is formed on the substrate by processing such as resist coating, exposure, development, etching, and peeling. In the colored pattern forming step (step 202), a colored pattern is formed on the substrate by a dyeing method, a pigment dispersion method, or the like. This process is repeated for the R, G, and B coloring patterns. In the protective film forming step (step 203), a protective film is formed on the colored pattern, and in the transparent electrode film forming step (step 204), a transparent electrode film is formed on the protective film. Before, during or after each of these steps, a substrate cleaning / drying step is performed as necessary.
図16に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図17に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光装置のチャック位置検出方法を適用することができる。 In the TFT substrate manufacturing process shown in FIG. 16, in the exposure process (step 103), in the color filter substrate manufacturing process shown in FIG. 17, in the black matrix forming process (step 201) and the colored pattern forming process (step 202). In this exposure process, the exposure apparatus of the present invention or the chuck position detection method of the exposure apparatus can be applied.
1 基板
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
10 チャック
11 ゲート
20 光ビーム照射装置
20a ヘッド部
21 レーザー光源ユニット
22 光ファイバー
23 レンズ
24 ミラー
25 DMD(Digital Micromirror Device)
26 投影レンズ
27 DMD駆動回路
31,33 リニアスケール
32,34 エンコーダ
40 レーザー測長系制御装置
41 レーザー光源
42,44 レーザー干渉計
43,45 バーミラー
60 ステージ駆動回路
70 主制御装置
71 描画制御部
72,76 メモリ
73 バンド幅設定部
74 中心点座標決定部
75 座標決定部
77,77’ XY位置補正部
78 走行誤差検出部
DESCRIPTION OF
26
Claims (8)
前記チャックを移動するステージと、
レーザー光を発生する光源、前記チャックに取り付けられたミラー、及び前記光源からのレーザー光を前記ミラーへ照射し、前記光源からのレーザー光と前記ミラーにより反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計を有し、干渉計の測定結果から前記チャックの位置を検出するレーザー測長系と、
前記ステージ及び前記レーザー測長系を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、予め、前記ステージにより前記チャックを移動して、前記レーザー測長系の干渉計により前記ミラーの歪みを測定し、前記レーザー測長系により前記チャックの位置を検出したとき、予め測定した前記ミラーの歪みに応じて、前記レーザー測長系の検出結果を補正することを特徴とする露光装置。 A chuck for mounting a substrate;
A stage for moving the chuck;
A light source for generating laser light, a mirror attached to the chuck, and laser light from the light source are irradiated onto the mirror, and interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the mirror is measured. A laser length measuring system that has an interferometer and detects the position of the chuck from the measurement result of the interferometer;
Control means for controlling the stage and the laser length measurement system,
The control means moves the chuck by the stage in advance, measures the distortion of the mirror by the interferometer of the laser length measurement system, and detects the position of the chuck by the laser length measurement system in advance. An exposure apparatus that corrects a detection result of the laser length measurement system in accordance with the measured distortion of the mirror.
前記制御手段は、前記検出手段が検出した前記ステージの移動量から、前記レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されている前記ミラー上の位置を決定し、予め測定した前記ミラーの歪みから、当該位置における補正量を算出して、前記レーザー測長系の検出結果を補正することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 A detection means for detecting the amount of movement of the stage;
The control means determines the position on the mirror irradiated with the laser light from the interferometer of the laser length measurement system from the amount of movement of the stage detected by the detection means, and determines the position of the mirror measured in advance. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a correction amount at the position is calculated from the distortion, and the detection result of the laser length measurement system is corrected.
レーザー光を発生する光源、チャックに取り付けられたミラー、及び光源からのレーザー光をミラーへ照射し、光源からのレーザー光とミラーにより反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計を有し、干渉計の測定結果からチャックの位置を検出するレーザー測長系を用い、
予め、ステージによりチャックを移動して、レーザー測長系の干渉計によりミラーの歪みを測定し、
レーザー測長系によりチャックの位置を検出したとき、予め測定したミラーの歪みに応じて、レーザー測長系の検出結果を補正することを特徴とする露光装置のチャック位置検出方法。 Mount the substrate on the chuck,
A light source that generates laser light, a mirror attached to the chuck, and an interferometer that irradiates the laser light from the light source to the mirror and measures the interference between the laser light from the light source and the laser light reflected by the mirror Using a laser length measurement system that detects the position of the chuck from the measurement results of the interferometer,
Move the chuck with the stage in advance, measure the distortion of the mirror with the laser measuring system interferometer,
A chuck position detection method for an exposure apparatus, wherein when a chuck position is detected by a laser length measurement system, a detection result of the laser length measurement system is corrected according to a mirror distortion measured in advance.
検出したステージの移動量から、レーザー測長系の干渉計からのレーザー光が照射されているミラー上の位置を決定し、予め測定したミラーの歪みから、当該位置における補正量を算出して、レーザー測長系の検出結果を補正することを特徴とする請求項4に記載の露光装置のチャック位置検出方法。 Detect the amount of stage movement,
From the detected amount of movement of the stage, determine the position on the mirror irradiated with the laser light from the laser measuring system interferometer, and calculate the correction amount at the position from the distortion of the mirror measured in advance, 5. The chuck position detection method for an exposure apparatus according to claim 4, wherein the detection result of the laser length measurement system is corrected.
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