JP2010268408A - 鋸波発生回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】コンデンサの充放電により鋸波を発生させる回路において、帰還回路の動作遅延によるボトム電圧、周波数のばらつきを低減する。
【解決手段】所定の電流を供給する定電流源Iosc50と、上記定電流源Iosc50に一端が接続された抵抗Roscと、上記抵抗Roscの他端に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサCoscと、上記コンデンサCoscの両端に接続されたスイッチング素子40と、上記コンデンサCoscの出力を用いて上記スイッチング素子40をスイッチングする帰還回路100とを備え、上記定電流源Iosc50と上記抵抗Roscとの間の接続点を出力端子として鋸波を発生する鋸波発生回路。
【選択図】図1
【解決手段】所定の電流を供給する定電流源Iosc50と、上記定電流源Iosc50に一端が接続された抵抗Roscと、上記抵抗Roscの他端に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサCoscと、上記コンデンサCoscの両端に接続されたスイッチング素子40と、上記コンデンサCoscの出力を用いて上記スイッチング素子40をスイッチングする帰還回路100とを備え、上記定電流源Iosc50と上記抵抗Roscとの間の接続点を出力端子として鋸波を発生する鋸波発生回路。
【選択図】図1
Description
本発明は、鋸波信号を発生させるための鋸波発生回路に関する。
DCDCコンバータなどのPWM制御を行う回路では、PWM変調波を発生するために鋸波信号が使用される。例えば特許文献1に記載された鋸波発生回路は、鋸波を用いてパルス幅変調(PWM変調)を行う。図5に示すように、パルス信号発生回路2から発生させたパルス信号を、微分回路3で微分して、この微分信号によってトランジスタTrのオンオフを行い、コンデンサC2の充電・放電を行う。この充放電の繰り返しにより接続点Qに鋸波信号を発生させている。図5の回路では、接続点Qに出力された鋸波信号と入力信号Viとをコンパレータ5で比較してPWM変調を行い、出力端子8にPWM変調後のパルス信号を発生させている。この従来技術では、定電流源4とコンデンサC2との間に抵抗R2を設けることにより、鋸波信号のレベルシフトを行い、出力端子8に所望のPWM変調率のパルス信号を得ている。
しかしながら、上記従来技術では、パルス信号発生回路2によってパルス信号を発生させ、このパルス信号を微分して、トランジスタTrをオンオフするため、回路規模が大きくなるという問題がある。
図6に、他の従来の鋸波発生回路を示す。この鋸波発生回路では、鋸波電圧Voをコンパレータ10、20に帰還入力することで、上記従来技術で用いられるパルス信号発生回路2を無くす構成としている。2つのコンパレータ10、20と、リセット型のフリップフロップ(以下FF)30と、スイッチング素子としてのFET40と、コンデンサCoscによって鋸波発生回路を構成している。図7は、図6の回路構成の各部の動作波形を示すタイムチャートである。
FET40がオフの間は、定電流源50によりコンデンサCoscに電荷が充電され、鋸波電圧Voが上昇する。鋸波電圧Voがコンパレータ10の上限基準電圧VsetHを越えると、コンパレータ10の出力VcompHが上昇開始する。コンパレータ10の出力VcompHがFF30のしきい値V1を越えると、FF30がセットされ、FF30の出力Vswが“HIGH”に立ち上がり、FET40がオンする。これにより、コンデンサCoscの電荷が、FET40を介して放電され、鋸波電圧Voは下降する。この鋸波電圧Voの下降により、コンパレータ10の出力VcompHは下降する。その後、鋸波電圧Voがコンパレータ20の下限基準電圧VsetLを下回ると、コンパレータ20の出力VcompLが上昇開始する。コンパレータ20の出力VcompLがFF30のしきい値V2を越えると、FF30がリセットされ、FF30の出力Vswが“LOW”に立ち下がり、FET40がオフする。これにより、定電流源50によりコンデンサCoscに電荷が再充電される。このような動作が繰り返され、鋸波(鋸波電圧Vo)が発生される。
このように、図6の構成では、コンパレータ10,20の上限基準電圧VsetHと下限基準電圧VsetLとの差Vsetを鋸波の振幅の設計値として設定する。
しかしながら、図6に示す構成では、コンパレータ10,20およびFF30の動作遅延tDelayにより、FET40のオンオフに遅延が発生し、出力される鋸波の振幅は、図7(a)に示されるように、設計値Vsetよりも大きくなる。すなわち、鋸波電圧Voのピーク電圧Vpは上限基準電圧VsetHより大きくなり、鋸波電圧Voのボトム電圧Vbは下限基準電圧VsetLより小さくなる。特に、電荷の放電側に対応する下りスロープは、急峻な変化を示すので、スイッチング遅延の影響を受けやすくボトム電圧Vbが下限基準電圧VsetLよりも大幅に低下してしまうという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、鋸波での急峻な傾きを示す放電側のボトム電圧Vbを、帰還回路の応答速度によらず、設計値に近い値に設定可能にすることにある。
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、所定の電流を供給する定電流源と、上記定電流源に一端が接続された抵抗と、上記抵抗の他端に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサと、上記コンデンサの両端に接続されたスイッチング素子と、上記コンデンサの出力を用いて上記スイッチング素子をスイッチングする帰還回路とを備え、上記定電流源と上記抵抗との間の接続点を出力端子として鋸波を発生する鋸波発生回路である。
請求項2に記載の発明は請求項1に記載の鋸波発生回路において、上記帰還回路は、上限基準電圧と、上記抵抗と上記コンデンサとの接続点電位とを比較し、上記コンデンサの電位が上記上限基準電圧を越えたとき、上記上限基準電圧と上記コンデンサの電位とを比較して出力する上限コンパレータと、下限基準電圧と、上記抵抗と上記コンデンサとの接続点電位とを比較し、上記コンデンサの電位が上記下限基準電圧を下回ったとき、上記下限基準電圧と上記コンデンサの電位とを比較して出力する下限コンパレータと、上記2つのコンパレータの出力に基づいて上記スイッチング素子をオンオフするスイッチング信号を発生するフリップフロップ回路とを有することを特徴とする。
請求項3に記載の発明は請求項2に記載の鋸波発生回路において、上記下限コンパレータの上記下限基準電圧はグランド電圧に近接した値に設定されることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の鋸波発生回路において、上記帰還回路は、上限基準電圧と、上記抵抗と上記コンデンサとの接続点電位とを比較し、上記コンデンサの電位が上記上限基準電圧を越えたとき、上記上限基準電圧と上記コンデンサの電位とを比較して出力する上限コンパレータと、上記上限コンパレータの出力端に、上記上限コンパレータの出力を遅延させる遅延回路とを有することを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の鋸波発生回路において、上記遅延回路は、上記スイッチング素子のオン時間が、上記コンデンサの放電時間よりも大きくなる遅延時間に設定されることを特徴とする。
本発明によれば、コンデンサの充放電により鋸波を発生させる回路において、鋸波での急峻な傾きを示す放電側のボトム電圧Vbを、帰還回路の応答速度によらず、設計値に近い値に設定することを可能にする。また、帰還回路の動作遅延によるボトム電圧、周波数のばらつきを低減できる。また、従来の回路に比べて応答が遅い回路素子を用いることができるので、消費電流を低減することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態にかかる鋸波発生回路の構成を示す図である。図1に示す鋸波発生回路は、電源電圧VDDと、定電流Ioscを出力する定電流源50と、抵抗Roscと、コンデンサCoscと、スイッチング素子としてのFET40と、帰還回路100とを備えて構成され、帰還回路100はさらに、2つのコンパレータ10、20と、セットリセット型のフリップフロップ(以下FF)30とを備えて構成される。
図1は、本発明の第1の実施形態にかかる鋸波発生回路の構成を示す図である。図1に示す鋸波発生回路は、電源電圧VDDと、定電流Ioscを出力する定電流源50と、抵抗Roscと、コンデンサCoscと、スイッチング素子としてのFET40と、帰還回路100とを備えて構成され、帰還回路100はさらに、2つのコンパレータ10、20と、セットリセット型のフリップフロップ(以下FF)30とを備えて構成される。
コンデンサCoscは、一端が抵抗Roscを介して定電流源50に接続され、他端が接地されている。コンデンサCoscは、FET40のドレイン端子に接続されており、FET40がオンオフすることにより充放電される。FET40がオンされると、コンデンサCoscの電荷が放電し、FET40がオフされている間は、定電流源50によってコンデンサCoscに電荷が充電される。
抵抗RoscとコンデンサCoscとの接続点電位であるコンデンサ電圧VRampが、コンパレータ10、20に帰還入力されている。コンパレータ10は、上限基準電圧VsetHとコンデンサ電圧VRampとを比較し、コンデンサ電圧VRampが上限基準電圧VsetHを越えると、その比較出力を出力VcompHとして出力する。コンパレータ20は、下限基準電圧VsetLとコンデンサ電圧VRampとを比較し、コンデンサ電圧VRampが下限基準電圧VsetLを下回ると、その比較出力を出力VcompLとして出力する。コンパレータ20の下限基準電圧VsetLをグランド電圧GNDに近接した値(グランド電圧GNDより少し大きい値)に設定し、コンパレータ10の上限基準電圧VsetHを、下限基準電圧VsetLに出力すべき鋸波の振幅の設計値Vsetを加えた値に設定するものである。
FF30は、コンパレータ10の出力VcompHによってセットされ、コンパレータ20の出力VcompLによってリセットされるセットリセット型のFFであり、その出力VswをFET40のゲート端子にスイッチング信号として入力する。FET40は、ドレイン端子が抵抗RoscとコンデンサCoscとの接続点に接続され、ソース端子が接地されている。FET40は、FF30の出力Vswによってオンオフにスイッチングされ、コンデンサCoscの充放電をしている。
定電流源50と抵抗Roscとの接続点には、出力端子が設けられ、この出力端子から鋸波電圧Voutが出力される。
図2は、図1の鋸波発生回路の動作を示すタイミングチャートであり、(a)はコンデンサCoscの電圧VRamp、(b)はコンパレータ10の出力VcompH、(c)はコンパレータ20の出力VcompL、(d)はFF30の出力Vsw、(e)はコンデンサ電圧VRampと鋸波電圧Voutとの関係をそれぞれ示している。
FET40がオフである間、コンデンサCoscは、定電流源50から供給される一定の電流により充電され、コンデンサ電圧VRamp、鋸波電圧Voutが上昇する(図2(a)(e)上り傾斜)。コンデンサ電圧VRampがコンパレータ10の上限基準電圧VsetHを越えると、コンパレータ10の出力VcompHが下降開始する。コンパレータ10の出力VcompHがFF30のしきい値V1を下回ると、FF30がセットされ、FF30の出力Vswが“HIGH”に立ち上がり、FET40がオンする。これにより、コンデンサCoscの電荷が、FET40を介して放電され、コンデンサ電圧VRamp、鋸波電圧Voutは下降する(図2(a)(e)下り傾斜)。
このコンデンサ電圧VRampが下降し、VRampがコンパレータ10の上限基準電圧VsetHを下回ると、コンパレータ10の出力VcompHは上昇する。その後、コンデンサ電圧VRampの下降により、コンデンサ電圧VRampがコンパレータ20の下限基準電圧VsetLを下回ると、コンパレータ20の出力VcompLが下降開始する。コンパレータ20の出力VcompLがFF30のしきい値V2を下回ると、FF30がリセットされ、FF30の出力Vswが“LOW”に立ち下がり、FET40がオフする。これにより、コンデンサCoscは、定電流源50から供給される一定の電流により再充電される。このような動作が繰り返され、コンデンサCoscと抵抗Roscの接続点にコンデンサ電圧VRampが、出力端子に鋸波電圧Voutが発生される。
この図1に示す構成においても、図6に示した従来技術同様、コンパレータ10,20およびFF30による動作遅延tDelayが発生しており、この動作遅延tDelayによって、FET40のスイッチングに遅延が発生している。
ここで、本実施の形態の鋸波発生回路では、コンパレータ20の下限基準電圧VsetLをグランド電圧GNDに近接した値(グランド電圧GNDより少し大きい値)に設定している。また、定電流源50と、コンデンサCoscとの間に、オフセット電圧Voffsetを発生させるための抵抗Roscを設けている。オフセット電圧Voffsetは、定電流源50の定電流Ioscと抵抗Roscの抵抗値の積で決まる。このような構成によって、急峻な変化を示す電荷の放電側での変位幅を制限している。すなわち、コンデンサ電圧VRampのボトム電圧Vbottomはグランド電圧GNDに制限される。よって、鋸波電圧Voutのボトム電圧Vbottom'は、定電流源50の定電流Ioscと抵抗Roscの抵抗値の積で決まるオフセット電圧Voffsetで設定することができる。また、鋸波電圧Voutはコンデンサ電圧VRampにオフセット電圧Voffsetを加えた値になり、立ち上がりや立下りのタイミングは同一である。
急峻な変化を示す電荷の放電側においては、コンパレータ20の出力VcompLが立ち下がり始めた後、FF30の出力Vswがリセットされるまでには、上述した遅延時間tDelayを要し、従来回路では、この遅延時間tDelayの間に、コンデンサ電圧VRampは下限基準電圧VsetLより大幅に低下していた。
これに対し、本実施の形態では、下限基準電圧VsetLがグランド電圧GNDに近接した値に設定されているので、コンパレータ20の出力が立ち下がり始めた後、コンデンサ電圧VRampは、即座にグランド電圧GNDに到達し、これ以上低下することはない。したがって、急峻な変化を示す電荷の放電側においても、コンデンサ電圧VRampは下限基準電圧VsetLに対し大きく低下することがない。
また、本鋸波発生回路では、コンデンサCoscと定電流源50との間にオフセット抵抗Roscを設けて、この抵抗Roscを介して鋸波電圧Voutを得るように構成されているので、GND近傍ではない、所定の電圧範囲の出力が得られる。すなわち、帰還回路100における遅延があっても、オフセット電圧Voffsetにより決定される所定のボトム電圧Vbottom'を有する鋸波(鋸波電圧Vout)を得ることができる。
このように、本実施の形態では、下限基準電圧VsetLをグランド電圧GNDに近接した値に設定しているので、コンパレータ10,20やFF30などの帰還回路による応答遅延が存在しても、遅延によるボトム電圧、周波数のばらつきを低減できる。また、従来の回路に比べて応答が遅い回路素子を用いることができるので、消費電流を低減することができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、帰還回路110で生じる遅延時間をコンデンサの放電時間に対して十分に長い時間に予め設定することにより、第1の実施形態よりもコンパレータを少なくし、消費電流を低減した構成である。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、帰還回路110で生じる遅延時間をコンデンサの放電時間に対して十分に長い時間に予め設定することにより、第1の実施形態よりもコンパレータを少なくし、消費電流を低減した構成である。
図3は本発明の第2の実施形態にかかる鋸波発生回路の構成を示す図である。第2の実施形態は、第1の実施形態の回路構成において、コンパレータ20と、FF30とを省き、コンパレータ10の出力のみによって、FET40のスイッチングを行う構成とし、さらに、コンパレータ10の出力を遅延する遅延回路60を設けている点で第1の実施形態と異なっている。なお、出力整形回路70は、遅延回路60の出力波形をFET40のスイッチング信号に整形するための回路であり、便宜的に示したものである。
遅延回路60は、遅延回路60の遅延時間に応じて、FET40のオン時間を所定値に制御するものである。コンデンサCoscに蓄積された電荷の放電に必要な時間は、コンデンサ電圧VRampのピーク電圧Vpeak、FET40のオン抵抗およびコンデンサCoscの容量で決定される。コンデンサCoscに蓄積された電荷が放電されるまでの時間より、FET40のオン時間の方が長くなるように、遅延回路60の遅延時間を設定する。このように、遅延回路60の遅延時間を設定することで、コンデンサCoscに蓄積された電荷の放電が完了する前に、次の充電/放電のサイクルが開始するのを防止することができる。これにより、コンデンサ電圧VRampがグランド電圧GNDまで確実に放電されることとなり、鋸波電圧Voutのボトム電圧Vbottom'を一定の値に設定することができる。
図4は、図3の鋸波発生回路の動作を示すタイミングチャートであり、(a)はコンデンサCoscの電圧VRampを示し、(b)はコンパレータ10の出力VcompHを示し、(c)は遅延回路60の出力Vdelayを示し、(d)は波形整形回路70の出力Vswを示し、(e)はコンデンサ電圧VRampと鋸波電圧Voutとの関係を示している。
FET40がオフである間、コンデンサCoscは、定電流源50から供給される一定の電流により充電され、コンデンサ電圧VRamp、鋸波電圧Voutが上昇する(図4(a)(e)上り傾斜)。コンデンサ電圧VRampがコンパレータ10の上限基準電圧VsetHを越えると、コンパレータ10の出力VcompHが“HIGH”に立ち上がり、遅延回路60の出力VDelayが上昇開始する。遅延回路60の出力VDelayの上昇開始後、遅延回路60の出力VDelayが波形整形回路70のしきい値Vopに達すると、波形整形回路70が“HIGH”に立ち上がり、FET40をオンする。これにより、コンデンサCoscの電荷が、FET40を介して放電され、コンデンサ電圧VRamp、鋸波電圧Voutは下降する(図4(a)(e)下り傾斜)。
このコンデンサ電圧VRampの下降により、コンパレータ10の出力VcompHは下降する。その後、コンデンサ電圧VRampの下降により、コンデンサ電圧VRampがコンパレータ10の上限基準電圧VsetHを下回ると、コンパレータ10の出力VcompHが少し遅れて“LOW”に立ち下がる。コンパレータ10の出力VcompHが立ち下った後、予め設定された遅延時間(tDeley1)が経過すると、遅延回路60の出力VDelayが波形整形回路70のしきい値Vopを下回る。すると、波形整形回路70の出力Vswが“LOW”に立ち下がり、FET40をオフする。これにより、コンデンサCoscは、定電流源50から供給される一定の電流により再充電される。このような動作が繰り返され、コンデンサ電圧VRamp、鋸波電圧Voutに鋸波が発生される。
この実施の形態においても、定電流源50と抵抗Roscとの接続点に出力端子が設けられ、コンデンサ電圧VRampに対しオフセット電圧Voffset(=Rosc×Iosc)だけオフセットを与えて、出力端子から鋸波電圧Voutを得る。
この実施の形態では、コンパレータ10の出力を遅延する遅延回路60を設け、帰還回路110で生じる遅延時間をコンデンサの放電時間に対して十分に長い時間に予め設定することにより、コンデンサ電圧VRampがグランド電圧GNDまで確実に降下する。鋸波の振幅は、コンパレータ10の上限基準電圧VsetHとグランド電圧GNDとにより設定されるので、コンパレータ10の上限基準電圧VsetHは、グランド電圧GNDに鋸波の振幅の設計値Vsetを加えた値にほぼ等しい値に決めるようにしている。この構成により、コンパレータ20およびFF30を削除した場合においても、急峻な変化を示す電荷の放電の際に、コンデンサ電圧VRampのボトム電圧Vbottomをグランド電圧GNDに制限して所望の振幅の鋸波を発生させることができ、ボトム電圧、周波数のばらつきを低減できる。また、コンパレータ1個でも構成可能であるので、第1の実施形態に比べてさらに、消費電流を低減することができる。
また、上記第2の実施形態においては、遅延回路60を設けることにより帰還回路110の遅延時間を発生させる態様について説明したが、コンデンサCoscの放電時間がコンパレータ10の応答遅延時間に対して十分に短い場合は、遅延回路60および波形整形回路70を省略した構成としても、上記と同様の効果を得られる。
2 パルス信号発生回路
3 微分回路
4 定電流源
5 コンパレータ
7 増幅器
8 出力端子
10 上限コンパレータ
20 下限コンパレータ
30 セットリセット型フリップフロップ(FF)
40 スイッチング素子(FET)
50 定電流源
60 遅延回路
70 波形整形回路
Cosc コンデンサ
Rosc 抵抗
3 微分回路
4 定電流源
5 コンパレータ
7 増幅器
8 出力端子
10 上限コンパレータ
20 下限コンパレータ
30 セットリセット型フリップフロップ(FF)
40 スイッチング素子(FET)
50 定電流源
60 遅延回路
70 波形整形回路
Cosc コンデンサ
Rosc 抵抗
Claims (5)
- 所定の電流を供給する定電流源と、
前記定電流源に一端が接続された抵抗と、
前記抵抗の他端に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサと、
前記コンデンサの両端に接続されたスイッチング素子と、
前記コンデンサの出力を用いて前記スイッチング素子をスイッチングする帰還回路とを備え、
前記定電流源と前記抵抗との間の接続点を出力端子として鋸波を発生する鋸波発生回路。 - 前記帰還回路は、
上限基準電圧と、前記抵抗と前記コンデンサとの接続点電位とを比較し、前記コンデンサの電位が前記上限基準電圧を越えたとき、前記上限基準電圧と前記コンデンサの電位とを比較して出力する上限コンパレータと、
下限基準電圧と、前記抵抗と前記コンデンサとの接続点電位とを比較し、前記コンデンサの電位が前記下限基準電圧を下回ったとき、前記下限基準電圧と前記コンデンサの電位とを比較して出力する下限コンパレータと、
前記2つのコンパレータの出力に基づいて前記スイッチング素子をオンオフするスイッチング信号を発生するフリップフロップ回路と
を有する請求項1に記載の鋸波発生回路。 - 前記下限コンパレータの前記下限基準電圧はグランド電圧に近接した値に設定される請求項2に記載の鋸波発生回路。
- 前記帰還回路は、
上限基準電圧と、前記抵抗と前記コンデンサとの接続点電位とを比較し、前記コンデンサの電位が前記上限基準電圧を越えたとき、前記上限基準電圧と前記コンデンサの電位とを比較して出力する上限コンパレータと、
前記上限コンパレータの出力端に、前記上限コンパレータの出力を遅延させる遅延回路と
を有する請求項1に記載の鋸波発生回路。 - 前記遅延回路は、前記スイッチング素子のオン時間が、前記コンデンサの放電時間よりも大きくなる遅延時間に設定される請求項4に記載の鋸波発生回路。
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WO2012157801A1 (ko) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | (주)태진기술 | 반도체 파형 발생기 |
CN108777571A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-09 | 无锡雷利电子控制技术有限公司 | 一种信号产生电路结构 |
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2009
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