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JP2010114212A - 光学素子駆動装置、鏡筒、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

光学素子駆動装置、鏡筒、露光装置及びデバイスの製造方法 Download PDF

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JP2010114212A
JP2010114212A JP2008284557A JP2008284557A JP2010114212A JP 2010114212 A JP2010114212 A JP 2010114212A JP 2008284557 A JP2008284557 A JP 2008284557A JP 2008284557 A JP2008284557 A JP 2008284557A JP 2010114212 A JP2010114212 A JP 2010114212A
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Kuniari Fukai
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Abstract

【課題】光学素子を迅速に且つ複数の方向に移動又は変位させることができる光学素子駆動装置、鏡筒、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子駆動装置42は、第1ミラー28の周縁部に配置される3つの駆動装置41A,41B,41Cを備えている。これら各駆動装置41A〜41Cは、第1ミラー28の光軸28aに平行な第1の方向への第1電磁気力と、前記第1の方向に交差すると共に、第1ミラー28の周縁部に沿った第2の方向への第2電磁気力とを発生する駆動源45をそれぞれ有している。
【選択図】図2

Description

本発明は、レンズやミラーなどの光学素子を駆動するための光学素子駆動装置、該光学素子駆動装置を備える鏡筒、該鏡筒を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
この種の露光装置における光学系は、レンズやミラーなどの光学素子を有し、この光学素子は、光学素子保持装置で保持されている。そして、露光装置が備える光学系のうち、投影光学系は、その光学特性が調整可能に構成されている。例えば、投影光学系を構成する複数の光学素子のうち、任意の光学素子は、光学素子駆動装置によりその姿勢が調整可能になっている。
近年、例えば半導体素子は、著しい高集積度化要求に伴って、回路パターンがますます微細化してきている。このため、半導体製造用露光装置では、露光精度の向上及び高解像度化の要求が高まってきている。また、半導体素子を安価に製造するためには、フォトリソグラフィ工程における露光装置のスループットが重要である。こうした要求に伴って、投影光学系の光学特性の調整を迅速に行うことが要求されている。
以上の要求に対応すべく、光学素子を迅速に位置調整する光学素子駆動装置を備え、光学系の光学特性制御の迅速性を向上しようとする露光装置も提案されてきている。このような光学素子駆動装置としては、例えば台盤の支持面と光学素子を保持する光学素子保持盤の案内面との間に光学素子保持盤を台盤上に非接触状態で支持する静圧軸受を設け、3個のZリニアモータにより光学素子保持盤を支持面に平行な軸に沿って移動するようになっている(特許文献1参照)。この光学素子駆動装置では、光学素子を移動させる際における機械的な損失がなく、光学素子を迅速に駆動させることができる。
特開平10−206714号公報
ところが、上記従来構成における3個のZリニアモータは、光学素子をその光軸方向に変位させるのみであった。したがって、この構成では補正可能な光学特性の成分が限られてしまうという問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学素子を迅速に且つ複数の方向に移動又は変位させることができる光学素子駆動装置、鏡筒、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図10に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明は、光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)を駆動する光学素子駆動装置(42)において、前記光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)の周縁部に配置される複数の駆動装置(41A,41B,41C)を有し、前記各駆動装置(41A,41B,41C)は、前記光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)の光軸(33a)に平行な第1の方向への第1電磁気力と、前記第1の方向に交差すると共に、前記光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)の周縁部に沿った第2の方向への第2電磁気力とを発生する駆動源(45)をそれぞれ有することを要旨とする。
上記発明によれば、光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)を電磁気力によって少なくとも第1の方向及び第2の方向に変位させることができる。そのため、光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)の姿勢や位置を変更する際に、駆動源(45)から加えられる駆動力が機械的損失を受けずに、光学素子(19,21,22,23,24,28,29,30,31,32,33)を複数の方向に変位させることができる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明によれば、光学素子を迅速に且つ複数の方向に移動又は変位させることができる。
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図1〜図6に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ13(図1では二点鎖線で囲まれた部分)を備えており、該チャンバ13内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRと、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWとが設置される。なお、本実施形態の光源装置12としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置12は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を露光光ELとして射出するようになっている。
チャンバ13内には、該チャンバ13外に配置される光源装置12から射出された露光光ELが入射するようになっている。そして、チャンバ13内に入射した露光光ELは、照明光学系14を介してレチクルステージ15にて保持されるレチクルRを照明し、該レチクルRで反射した露光光ELは、投影光学系16を介してウエハステージ17に保持されるウエハWを照射するようになっている。
照明光学系14は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18(図1で一点鎖線で囲まれた部分)を備えている。この筐体18内には、光源装置12から射出された露光光ELを集光するコリメート用ミラー19が設けられており、該コリメート用ミラー19は、入射した露光光ELを略平行に変換して射出するようになっている。そして、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系20(図1では破線で囲まれた部分)に入射するようになっている。このフライアイ光学系20は、一対のフライアイミラー21,22を備えており、該各フライアイミラー21,22のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー21は、レチクルRの被照射面Ra(即ち、図1における下面であって、パターン形成面)とは共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー21で反射された露光光ELは、射出側に配置される射出側フライアイミラー22に入射するようになっている。
また、照明光学系14には、射出側フライアイミラー22から射出された露光光ELを筐体18外に射出するコンデンサミラー23が設けられている。そして、コンデンサミラー23から射出された露光光ELは、後述する鏡筒27内に設置された折り返し用の反射ミラー24により、レチクルステージ15に保持されるレチクルRに導かれる。なお、照明光学系14を構成する各ミラー19,21,22,23,24の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成されている。
レチクルステージ15は、投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着する吸着面25aを有する静電チャック25と、レチクルRをY軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部と、静電チャック25を支持する支持ステージ26とを備えている。レチクルステージ駆動部は、レチクルRをX軸方向(図1において紙面と直交する方向)及びθz方向(Z軸周りの回転方向)にも移動可能に構成されている。なお、レチクルRの被照射面Raに露光光ELが照明される場合、該被照射面Raの一部には、X軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
投影光学系16は、露光光ELでレチクルRの被照射面Raを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率(例えば1/4倍)に縮小させる光学系であって、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒27を備えている。この鏡筒27内には、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー28,29,30,31,32,33が収容されている。これら各ミラー28〜33は、後述するミラー保持装置を介して鏡筒27に対して変位可能な状態でそれぞれ保持されている。なお、各ミラー28〜33は、それらの光軸がZ軸方向に延びるようにそれぞれ配置されている。
そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー28、第2ミラー29、第3ミラー30、第4ミラー31、第5ミラー32、第6ミラー33の順に反射され、ウエハステージ17に保持されるウエハWの被照射面Wa(即ち、図1における上面)に導かれる。こうした各ミラー28〜33の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成されている。
ウエハステージ17は、ウエハWを静電吸着する吸着面34aを有する静電チャック34と、ウエハWをY軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハWをX軸方向及びZ軸方向(図1における上下方向)にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ17には、静電チャック34を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。さらに、ウエハステージ17には、投影光学系16から射出された露光光ELの波面収差を計測するための波面収差測定装置35が設けられている。そして、波面収差測定装置35による計測結果に基づき、図示しない制御装置は、投影光学系16の各ミラー28〜33の姿勢や位置を調整すべく、上記各ミラー保持装置を制御するようになっている。
本実施形態の露光装置11を用いてウエハWにパターンの像を投影する場合、レチクルRは、上記レチクルステージ駆動部の駆動によって、Y軸方向に所定ストローク毎に移動する。すると、レチクルRにおける照明領域は、該レチクルRの被照射面Raの−Y方向側から+Y方向側(図1では左側から右側)に沿って移動する。すなわち、レチクルRのパターンが−Y方向側から+Y方向側に順にスキャンされる。また、ウエハWは、上記ウエハステージ駆動部の駆動によって、レチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系16の縮小倍率に応じた速度比で−Y方向側から+Y方向側に同期して移動する。その結果、ウエハWの一つのショット領域には、レチクルR及びウエハWの同期移動に伴って、レチクルR上のパターンを所定の縮小倍率に縮小した形状のパターンが形成される。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
次に、本実施形態の投影光学系16においてミラー28〜33を保持するミラー保持装置のうち、第1ミラー28を保持するミラー保持装置について図2〜図6に基づき説明する。なお、第1ミラー28以外の他のミラー29〜33を保持するミラー保持装置に関しては、その構成が第1ミラー28用のミラー保持装置とほぼ同等の構成であるため、それらの説明は省略するものとする。また、図3〜図6では、鏡筒27の図示を省略している。
図2に示すように、本実施形態のミラー保持装置40は、第1ミラー28の周縁部にほぼ等間隔をおいて配置される複数(本実施形態では3つ)の駆動装置41A,41B,41Cを有する光学素子駆動装置42と、各駆動装置41A,41B,41Cの可動側の部材(後述する可動子46)が固定される円環状部材43とを備えている。なお、各駆動装置41A,41B,41Cのうち、最も+Y方向側(図2における右側)に位置する駆動装置を、第1駆動装置41Aというと共に、図2において第1駆動装置41Aの時計方向側に位置する駆動装置を、第2駆動装置41Bといい、さらに、図2において第1駆動装置41Aの反時計方向側に位置する駆動装置を、第3駆動装置41Cというものとする。
円環状部材43は、ステンレスなどの剛性を有する材料から構成されている。また、円環状部材43は、図3及び図4に示すように、その−Z方向側(図3では下側)の部位の内径の方が、その+Z方向側(図3では上側)の部位の内径よりも大きくなるように形成されている。こうした円環状部材43の−Z方向側の部位における内周側には、第1ミラー28の+Z方向側部位が収容されている。すなわち、第1ミラー28は、円環状部材43の内周側に配置されている。
また、円環状部材43の−Z方向側部位の内周側には、第1ミラー28の光軸28aを中心とした周方向において等間隔に配置される複数(本実施形態では3つ)のフレクシャ部44が設けられている。本実施形態では、各フレクシャ部44は、周方向において各駆動装置41A,41B,41Cと略同一位置にそれぞれ配置されている。そして、各フレクシャ部44は、第1ミラー28の線膨張係数と円環状部材43の線膨張係数の違いに起因する相対的な位置変化に応じて変位するようにそれぞれ構成されている。そのため、第1ミラー28への露光光ELの入射などにより該第1ミラー28に熱エネルギーが蓄熱された場合、第1ミラー28は、円環状部材43に対して熱膨張可能である。また、第1ミラー28への露光光ELへの入射を停止することにより第1ミラー28の熱エネルギーが減少した場合、第1ミラー28は、円環状部材43に対して収縮可能である。
駆動装置41A,41B,41Cは、図5及び図6に示すように、第1ミラー28の光軸28aに平行な第1の方向への第1電磁気力と、第1ミラー28の中心と駆動装置41A,41B,41Cとを結ぶ仮想線S1,S2,S3(図2では一点鎖線で示す線であって、第1ミラー28の中心から放射状に延びる線)と略直交すると共に上記第1の方向と略直交する第2の方向への第2電磁気力とを発生可能な駆動源45をそれぞれ備えている。なお、本実施形態では、第1の方向とは、Z軸方向のことを示すと共に、第2の方向とは、円環状部材43の接線に沿った方向(接線方向ともいう。)のことを示している。
駆動源45は、円環状部材43の周縁部に固定される可動子46と、鏡筒27の側壁のうち可動子46に対応する位置に固定される四角環状の固定子47とを備えている。そして、可動子46の図6における上面、下面、右側面、左側面のそれぞれには、固定子47が非接触状態で設けられている。
可動子46は、第1の方向であるZ軸方向に沿って配置される略直方体状の磁石48,49を2つ備えており、各磁石48,49は、一方の極性であるS極と、一方の極性とは異なる他方の極性であるN極とをそれぞれ有している。具体的には、各磁石48,49のうち+Z方向側に位置する第1磁石48は、極性がS極である部位が+Z方向側に位置すると共に、極性がN極である部位が−Z方向側に位置するように配置されている。また、−Z方向側に位置する第2磁石49は、極性がN極である部位が+Z方向側に位置すると共に、極性がS極である部位が−Z方向側に位置するように配置されている。
こうした各磁石48,49は、N極同士が対向すると共に、S極がそれぞれ表出するように接合されている。そして、N極同士の接合面から可動子46の外方へ出た磁力線は、可動子46の表面に表出した2つのS極にそれぞれ向かう曲線(図6では一点鎖線で示す。)を描くことになる。すなわち、可動子46は、極性がS極である第1極部50、極性がN極である第2極部51、極性がS極である第3極部52がZ軸方向に沿って順に配置された永久磁石である。なお、本実施形態において、略直方体状をなす可動子46の+Z方向側の面46a及び−Z方向側の面46bは、第1の方向に延びる図示しない仮想線と直交する、即ち第2の方向と平行となるようにそれぞれ形成されている。
固定子47は、四角環状の固定子ケース53を備えている。この固定子ケース53内には、可動子46における磁力線の出口となる位置、即ち可動子46の第2の方向における両端側に配置される第1コイル部54と、可動子46における磁力線の入口となる位置、即ち可動子46の第1の方向における両端側に配置される第2コイル部55とが設けられている。第1コイル部54は、可動子46においてN極同士が対向した部位、即ち第2極部51を挟んで配置される一対の第1のコイル54a,54bを有している。これら一対の第1のコイル54a,54bは、第1の方向に沿って延びる筒状のボビン(図示略)にコイル線を巻装することによりそれぞれ形成されている。また、第2コイル部55は、可動子46においてS極が表出する各面46a,46bに対向する一対の第2のコイル55a,55bを有している。これら一対の第2のコイル55a,55bは、第2の方向に沿って延びる筒状のボビン(図示略)にコイル線を巻装することによりそれぞれ形成されている。こうした各コイル54a,54b,55a,55bには、図示しない電流供給部から電流がそれぞれ供給される。
そして、第1コイル部54の両第1のコイル54a,54bに図5に示す第1矢印方向Aへの電流が供給された場合、固定子47は、フレミング左手の法則に基づき、第1の方向における一方側(+Z方向側のことであって、+第1の方向側ともいう。)に移動する。これは、両第1のコイル54a,54bにおいて可動子46に近い部分における電流の流れる方向と該部分における磁力の方向との関係から、+第1の方向側への第1電磁気力が固定子47に付与されるためである。また、第1コイル部54の両第1のコイル54a,54bに図5に示す第1矢印方向Aとは逆方向の第2矢印方向Bへの電流が供給された場合、固定子47は、可動子46に対して、第1の方向における他方側(−Z方向側のことであって、−第1の方向側という。)への第1電磁気力が付与される。その結果、固定子47は、−第1の方向側に移動する。
第2コイル部55の両第2のコイル55a,55bに図5に示す第3矢印方向Cへの電流が供給された場合、固定子47は、可動子46に対して、第2の方向における一方側(図6及び図7における左方側であって、+第2の方向側という。)への第2電磁気力が付与される。その結果、固定子47は、+第2の方向側に移動する。また、第2コイル部55の両第2のコイル55a,55bに図5に示す第3矢印方向Cとは逆方向の第4矢印方向Dへの電流が供給された場合、固定子47は、可動子46に対して、第2の方向における他方側(図6及び図7における右方側であって、−第2の方向側という。)への第2電磁気力が付与される。その結果、固定子47は、−第2の方向側に移動する。
次に、本実施形態の露光装置11の作用のうち、第1ミラー28の変位に関する部分の作用を中心に説明する。
さて、各駆動装置41A,41B,41Cの全ての第1のコイル54a,54bに第1矢印方向Aへの電流が供給されると、各可動子46は、該各可動子46に個別対応する各固定子47からの+第1の方向への第1電磁気力に基づき、+第1の方向側にそれぞれ移動する。その結果、円環状部材43及び各フレクシャ部44を介して各可動子46に連結される第1ミラー28は、各可動子46の+第1の方向側への移動に伴い、+第1の方向側に変位する。一方、全ての第1のコイル54a,54bに第2矢印方向Bへの電流が供給されると、各可動子46は、該各可動子46に個別対応する各固定子47からの−第1の方向への第1電磁気力に基づき、−第1の方向側にそれぞれ移動する。その結果、第1ミラー28は、各可動子46の−第1の方向側への移動に伴い、−第1の方向側に変位する。
また、各駆動装置41A,41B,41Cの全ての第2のコイル55a,55bに第3矢印方向Cへの電流が供給されると、各可動子46は、該各可動子46に個別対応する各固定子47からの+第2の方向への第2電磁気力に基づき、第1ミラー28の光軸28aを中心とした周方向における一方側(図2では時計方向であって、+θz方向側という。)にそれぞれ回転する。その結果、第1ミラー28は、各可動子46の回転に伴い、光軸28aを軸中心とした+θz方向側に回転する。また、全ての第2のコイル55a,55bに第4矢印方向Dへの電流が供給されると、各可動子46は、該各可動子46に個別対応する各固定子47からの−第2の方向への第2電磁気力に基づき、第1ミラー28の光軸28aを中心とした周方向における他方側(図2では反時計方向であって、−θz方向側という。)にそれぞれ回転する。その結果、第1ミラー28は、各可動子46の回転に伴い、光軸28aを軸中心とした−θz方向側に回転する。
このように、本実施形態では、各駆動装置41A,41B,41Cの各第1のコイル54a,54b及び各第2のコイル55a,55bへの電流の供給態様を個別に調整することにより、第1ミラー28を複数の方向に変位させることが可能である。すなわち、本実施形態のミラー保持装置40は、Z軸方向やθz方向だけではなく、X軸方向、Y軸方向、θx方向(X軸周りの回転方向)及びθy方向(Y軸周りの回転方向)にも第1ミラー28を変位させることが可能である。
そのため、ウエハWへの露光に先立って、投影光学系16から射出される露光光ELの波面収差が波面収差測定装置35によって測定されると、該測定結果は、図示しない記憶装置に記憶される。そして、ウエハWへの露光が開始されると、その露光の途中、例えば一つのショット領域への露光が完了してから次のショット領域への露光が開始されるまでの間で、投影光学系16から射出される現時点の露光光ELの波面収差が波面収差測定装置35によって計測される。そして、現時点の波面収差と記憶装置に記憶された波面収差との変化が算出(又は予測)されると、該算出結果(又は予測結果)が0(零)に限りなく接近するように、各ミラー保持装置のうち少なくとも一つのミラー保持装置(例えば、第1ミラー28)用のミラー保持装置40が制御される。その結果、各ミラー28〜33のうち少なくとも一つのミラー(例えば第1ミラー28)の姿勢や位置が調整され、投影光学系16の光学特性が補正される。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)ミラー28〜33を第1電磁気力及び第2電磁気力によって少なくとも第1の方向及び第2の方向に変位させることができる。そのため、ミラー28〜33の姿勢や位置を変更する際に、駆動源45から加えられる駆動力が機械的損失を受けずに、ミラー28〜33を複数の方向に変位させることができる。
(2)本実施形態では、ミラー28〜33の光軸を中心とした周方向に沿って配置される複数(3つ)の駆動装置41A〜41Cの第1電磁気力及び第2電磁気力の発生態様を個別に調整することにより、ミラー28〜33を、6自由度方向に任意に変位させることができる。そのため、ミラー28〜33の移動方向が制限される場合に比して、投影光学系16の波面収差を容易に調整することができる。したがって、露光装置11における露光性能を大きく向上させることができる。
(3)駆動源45は、2つの磁石48,49をN極同士が対向すると共にS極がそれぞれ表出するように接合した永久磁石(即ち、可動子46)を有している。そのため、一体化した1つの永久磁石で容易に異なる2つの方向への磁力線を発生させることができる。
(4)駆動源45は、可動子46における磁力線の出口に沿うように配置された一対の第1のコイル54a,54bと、可動子46における磁力線の2つの入口を挟むように配置された一対の第2のコイル55a,55bとを有している。このため、可動子46が発生する異なる2つの方向への磁力線を利用することができる簡素な構成で、異なる2方向への電磁気力を発生させることができる。
(5)本実施形態では、可動子46が各磁石48,49から構成されている。そのため、可動子46が複数のコイル54a,54b,55a,55bから構成される場合とは異なり、可動子46に配線を接続する必要がない分、ミラー28〜33の位置や姿勢を、容易に調整することができる。
(6)ミラー28〜33は、円環状部材43などを介して光学素子駆動装置42に保持される。そのため、光学素子駆動装置42がミラー28〜33に直接取り付けられる場合とは異なり、固定子47から発生する各電磁気力に基づく負荷がミラー28〜33に直接伝達することを回避できる。その結果、光学素子駆動装置42の駆動によってミラー28〜33が不必要に変形することを抑制できる。
(7)また、本実施形態では、可動子46が固定子47の内縁側に配置されているため、各可動子46の移動できる範囲が限られる。そのため、コイル54a,54b,55a,55bに不用意に過大な電流が供給されたとしても、第1ミラー28が必要以上に大きく変位することを抑制できる。
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、ミラー保持装置40は、図7に示すように、円環状部材43及び各フレクシャ部44を省略し、各駆動装置41A〜41Cによって第1ミラー28を直接保持させる構成であってもよい。この場合、上記実施形態の場合に比して、円環状部材43及び各フレクシャ部44を省略できる分、可動側を軽量化でき、結果として、ミラー保持装置40の省電力化に貢献できる。
・また、各駆動装置41A〜41Cは、図7に示すように、複数のコイル54a,54b,55a,55bを有し且つ第1ミラー28側に取り付けられる可動子60と、該可動子60を構成する各コイル54a,54b,55a,55bに包囲され且つ鏡筒27の側壁に取り付けられる永久磁石を有する固定子61とを備えた構成であってもよい。このように、上記実施形態とは逆にコイル54a,54b,55a,55b側を移動させる駆動装置41A〜41Cであっても、第1ミラー28の姿勢や位置を変更する際に、駆動源45から加えられる駆動力が機械的損失を受けずに、第1ミラー28を複数の方向に変位させることができる。
・実施形態において、可動子46は、極性がN極である第1極部、極性がS極である第2極部、極性がN極である第3極部が第1の方向に沿って配置される構成であってもよい。この場合、第1のコイル54a,54bに対して第1矢印方向Aへの電流が供給されると、可動子46には、−第1の方向側への第1電磁気力が付与される一方、第1のコイル54a,54bに対して第2矢印方向Bへの電流が供給されると、可動子46には、+第1の方向側への第1電磁気力が付与される。また、第2のコイル55a,55bに対して第3矢印方向Cへの電流が供給されると、可動子46には、−第2の方向側への第2電磁気力が付与される一方、第2のコイル55a,55bに対して第4矢印方向Dへの電流が供給されると、可動子46には、+第2の方向側への第2電磁気力が付与される。
・実施形態において、可動子46は、図8に示すように、極性がN極である第1極部50A、極性がS極である第2極部51A、極性がN極である第3極部52Aが第2の方向に沿って配置される構成であってもよい。こうした可動子46は、+第2の方向側の極性がN極であると共に−第2の方向側の極性がS極である第1磁石65と、+第2の方向側の極性がS極であると共に−第2の方向側の極性がN極である第2磁石66とから構成される永久磁石であってもよい。この場合、略直方体状をなす可動子46の+第2の方向側の面46a及び−第2の方向側の面46bは、第2の方向に延びる図示しない仮想線と直交する、即ち第1の方向と平行となるようにそれぞれ形成されている。このように構成しても、上記実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
もちろん、可動子46は、極性がS極である第1極部、極性がN極である第2極部、極性がS極である第3極部が第2の方向に沿って配置される構成であってもよい。
・実施形態において、可動子46は、S極に着磁される第1極部、N極に着磁される第2極部、S極に着磁される第3極部が第1の方向に沿って配置される一つの磁石から構成されるものであってもよい。
・実施形態において、可動子46の+Z方向側の面46a及び−Z方向側の面46bは、第2の方向と平行な面でなくてもよい。また、可動子46は、+Z方向側の面46a及び−Z方向側の面46bが互いに平行ではない構成であってもよい。
・実施形態において、光学素子駆動装置42は、ミラー28〜33の光軸を中心とした周方向に沿って配置される3つ以外の任意数(例えば4つ)の駆動装置41A〜41Cを備えた構成であってもよい。
・実施形態において、投影光学系16は、各ミラー28〜33のうち少なくとも1つのミラー(例えば第1ミラー28)に対してのみ光学素子駆動装置42を設けた構成であってもよい。
・実施形態において、駆動源45は、ローレンツ力を用いた電磁式リニアモータを備える構成であってもよい。この場合、駆動源45は、その可動側に対して第1の方向への第1電磁気力及び第2の方向への第2電磁気力を付与する構成であることが望ましい。
・実施形態において、光学素子駆動装置を、照明光学系14を構成するミラー19,21〜24に第1電磁気力及び第2電磁気力を付与可能な装置に具体化してもよい。
・実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・また、露光装置11を、レチクルRとウエハWとが相対移動した状態でレチクルRのパターンをウエハWへ転写し、ウエハWを順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパに具体化してもよい。
・実施形態において、光源装置12は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、Fレーザ(157nm)、Krレーザ(146nm)、Arレーザ(126nm)等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
こうした光源を使用する場合、照明光学系14及び投影光学系16は、透過型の光学素子(レンズ)を使用することになる。こうした場合、本発明を、透過型の光学素子に対して第1電磁気力及び第2電磁気力を付与する光学素子駆動装置に具体化してもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図9は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図10は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
本実施形態における露光装置を示す概略構成図。 本実施形態のミラー保持装置を模式的に示す平面図。 ミラー保持装置を示す斜視図。 図3とは異なる方向からミラー保持装置を見た場合の斜視図。 一つの駆動装置の要部を模式的に示す斜視図。 一つの駆動装置の要部を模式的に示す断面図。 別の実施形態のミラー保持装置を模式的に示す斜視図。 他の別の実施形態の駆動装置の要部を模式的に示す断面図。 デバイスの製造例のフローチャート。 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
符号の説明
11…露光装置、18…筐体、19,21〜24,28〜33…光学素子としてのミラー、27…鏡筒、28a…光軸、41A〜41C…駆動装置、42…光学素子駆動装置、43…円環状部材、45…駆動源、46a,46b…面、48,49,65,66…磁石、50,50A…第1極部、51,51A…第2極部、52,52A…第3極部、54…第1コイル部、54a,54b…第1のコイル、55…第2コイル部、55a,55b…第2のコイル、EL…放射ビームとしての露光光、W…基板としてのウエハ。

Claims (13)

  1. 光学素子を駆動する光学素子駆動装置において、
    前記光学素子の周縁部に配置される複数の駆動装置を有し、
    前記各駆動装置は、前記光学素子の光軸に平行な第1の方向への第1電磁気力と、前記第1の方向に交差すると共に、前記光学素子の周縁部に沿った第2の方向への第2電磁気力とを発生する駆動源をそれぞれ有することを特徴とする光学素子駆動装置。
  2. 前記駆動源は、一方の極性の第1極部、前記一方の極性とは異なる他方の極性の第2極部及び前記一方の極性の第3極部が前記第1の方向又は前記第2の方向に沿って順に配置される永久磁石と、該永久磁石における磁力線の出口に配置される第1コイル部と、前記永久磁石における磁力線の入り口に配置される第2コイル部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の光学素子駆動装置。
  3. 前記永久磁石は、2つの磁石を前記他方の極性同士が対向すると共に前記一方の極性がそれぞれ表出するように接合した構成であることを特徴とする請求項2に記載の光学素子駆動装置。
  4. 前記永久磁石は、前記一方の極性が表出している2つの面が互いに平行に形成され、かつ前記2つの面が前記第2の方向と平行になるように、前記光学素子側に取り付けられることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の光学素子駆動装置。
  5. 前記永久磁石は、前記一方の極性が表出している2つの面が互いに平行に形成され、かつ前記2つの面が前記第1の方向と平行になるように、前記光学素子側に取り付けられることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の光学素子駆動装置。
  6. 前記第1コイル部は、前記他方の極性同士が対向した部位を挟んで設けられる一対のコイルを有し、前記第2コイル部は、前記一方の極性が表出した面を挟んで設けられる一対のコイルを有することを特徴とする請求項2〜請求項5のうち何れか一項に記載の光学素子駆動装置。
  7. 前記駆動源は、前記第1コイル部に電流が供給される場合には前記永久磁石との間で前記第1電磁気力を発生させ、前記第2コイル部に電流が供給される場合には前記永久磁石との間で前記第2電磁気力を発生させることを特徴とする請求項2〜請求項6のうち何れか一項に記載の光学素子駆動装置。
  8. 前記駆動装置は、前記光学素子の周縁部にほぼ等角度間隔をおいて3つ配置されている請求項1〜請求項7のうち何れか一項に記載の光学素子駆動装置。
  9. 前記光学素子は、円環状部材の内周側に配置され、
    前記駆動装置は、前記円環状部材に取り付けられることを特徴とする請求項1〜請求項8のうち何れか一項に記載の光学素子駆動装置。
  10. 前記第2の方向は、前記円環状部材の接線方向であることを特徴とする請求項9に記載の光学素子駆動装置。
  11. 複数の光学素子を保持する鏡筒において、
    前記複数の光学素子のうち少なくとも一つの光学素子を保持する装置として、請求項1〜請求項10のうち何れか一項に記載の光学素子駆動装置を設けた鏡筒。
  12. 請求項11に記載の鏡筒を備え、
    該鏡筒に保持される前記各光学素子を介して放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射し、該基板に所定のパターンを形成する露光装置。
  13. リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
    前記リソグラフィ工程は、請求項12に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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