JP2010108533A - 磁気記録ヘッドおよび記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】個々の磁性ドットに向かって集中的に磁界を作用させることができる磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気記録ヘッド４５では主磁極４６は１対の磁性体５４、５４を区画する。その一方で、補助磁極４７は１対の補助磁性体５６、５６を区画する。各磁性体５４は対応の補助磁性体５６に向き合わせられる。その結果、浮上面２８では、磁性体５４と補助磁性体２３との間で磁界が集中的にやり取りされる。各磁性体５４および対応の補助磁性体５６は例えば個々の磁性ドット６３に集中的に磁界を作用させることができる。磁性ドット６３に高い精度で磁気情報が書き込まれる。しかも、磁性体５４、５４同士の間で磁界の強度は著しく弱められる。いわゆるイレーズ磁界の発生は回避される。磁性ドット６３で磁気情報の上書きは回避される。
【選択図】図１０

Description

本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置に組み込まれる磁気記録ヘッドに関する。

いわゆるビットパターンドメディアといった磁気ディスクは広く知られる。この磁気ディスクにはダウントラック方向に複数筋の記録トラックが規定される。記録トラックは、ダウントラック方向に並列に延びる２筋のサブトラックを備える。サブトラック同士の間ではダウントラック方向に交互にずれて磁性ドットが配置される。磁性ドット同士は非磁性体で相互に隔てられる。磁気情報の書き込みにあたって磁性ドットには書き込み素子の主磁極が向き合わせられる。主磁極から漏れ出る磁界は磁性ドットに作用する。その結果、各磁性ドットでは例えば磁気ディスクの表面に直交する上向きまたは下向きに磁化が規定される。
特開２００２−１０９７１２号公報 特開２００３−１５１１０３号公報 特開２００２−２７９６０６号公報 特開２００６−１３９８４８号公報 特開２００４−３４２１６４号公報 特開２００６−１９６１４２号公報

書き込み素子では主磁極よりトレーリング側にトレーリングシールドが配置される。主磁極のトレーリング端およびトレーリングシールドのリーディング端の間で浮上面から磁界は漏れ出る。浮上面に規定される主磁極の先端面は、例えばリーディング側からトレーリング側に向かって幅を増大させる逆台形形状に規定される。その結果、主磁極のトレーリング縁から満遍なく磁界が漏れ出る。したがって、主磁極が記録トラック上で２筋のサブトラックに向き合わせられても、主磁極のトレーリング縁から各サブトラックの個々の磁性ドットに向かって磁界は集中的に漏れ出ることはできない。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、個々の磁性ドットに向かって集中的に磁界を作用させることができる磁気記録ヘッドを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、磁気記録ヘッドは、浮上面で先端面を規定し、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する主磁極と、前記浮上面で先端面を規定し、前記基準線を挟んで前記磁性体に向き合わせられる１対の補助磁性体を区画する補助磁極とを備えることを特徴とする。

こうした磁気記録ヘッドによれば、主磁極は１対の磁性体を区画する。その一方で、補助磁極は１対の補助磁性体を区画する。各磁性体は対応の補助磁性体に向き合わせられる。その結果、浮上面では、磁性体と補助磁性体との間で磁界が集中的にやり取りされる。例えば各磁性体および対応の補助磁性体は個々の磁性ドットに集中的に磁界を作用させることができる。磁性ドットに高い精度で磁気情報が書き込まれる。しかも、磁性体同士の間で磁界の強度は著しく弱められる。いわゆるイレーズ磁界の発生は回避される。磁性ドットで磁気情報の上書きは回避される。

磁気記録ヘッドは、浮上面で先端面を規定し、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する主磁極と、前記浮上面で前記主磁極に向き合わせられるリーディング端から前記基準線に沿って窪む凹部を区画する補助磁極とを備えることを特徴とする。

こうした磁気記録ヘッドによれば、主磁極は、基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する。その一方で、補助磁極は凹部を区画する。凹部は基準線に沿って窪む。こうして補助磁極は、凹部を挟んでリーディング端で磁性体に向き合わせられる。その結果、浮上面では、磁性体と補助磁極のリーディング端との間で磁界が集中的にやり取りされる。例えば各磁性体および補助磁極は個々の磁性ドットに集中的に磁界を作用させることができる。磁性ドットに高い精度で磁気情報が書き込まれる。しかも、磁性体同士の間で磁界の強度は著しく弱められる。いわゆるイレーズ磁界の発生は回避される。磁性ドットで磁気情報の上書きは回避される。

以上のように、磁気記録ヘッドは個々の磁性ドットに向かって集中的に磁界を作用させることができる。

以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。

図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。

収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の駆動軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば４２００ｒｐｍや５４００ｒｐｍ、７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。すなわち、磁気ディスク１４上の記録磁性層では磁化容易軸は磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に設定される。

収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌから成型されればよい。

個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１にはフレキシャが貼り付けられる。ヘッドサスペンション２１の先端でフレキシャにはジンバルが区画される。ジンバルに磁気ヘッドスライダすなわち浮上ヘッドスライダ２２が搭載される。ジンバルの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対して姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ２２には磁気ヘッドすなわち電磁変換素子が搭載される。

磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。

キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このボイスコイルモータ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジアーム１９が支軸１８回りで揺動すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。

図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成される基材すなわちスライダ本体２５を備える。スライダ本体２５の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜２６が積層される。この素子内蔵膜２６に電磁変換素子２７が組み込まれる。電磁変換素子２７の詳細は後述される。

スライダ本体２５は例えばＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成される。素子内蔵膜２６は例えばＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成される。スライダ本体２５は媒体対向面すなわち浮上面２８で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面２８には平坦なベース面２９すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体２５の前端から後端に向かって浮上面２８には気流３１が作用する。

浮上面２８には、前述の気流３１の上流側すなわち空気流入側でベース面２９から立ち上がる１筋のフロントレール３２が形成される。フロントレール３２はベース面２９の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面２８には、気流３１の下流側すなわち空気流出側でベース面２９から立ち上がるリアセンターレール３３が形成される。リアセンターレール３３はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアセンターレール３３は素子内蔵膜２６に至る。浮上面２８には左右１対のリアサイドレール３４、３４がさらに形成される。リアサイドレール３４は空気流出側でスライダ本体２５の側端に沿ってベース面２９から立ち上がる。リアサイドレール３４、３４同士の間にリアセンターレール３３は配置される。

フロントレール３２、リアセンターレール３３およびリアサイドレール３４、３４の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）３５、３６、３７、３７が規定される。空気軸受け面３５、３６、３７の空気流入端は段差でフロントレール３２、リアセンターレール３３およびリアサイドレール３４の頂上面にそれぞれ接続される。気流３１が浮上面２８に受け止められると、段差の働きで空気軸受け面３５、３６、３７には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３２の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。

空気軸受け面３６の空気流出側でリアセンターレール３３には電磁変換素子２７が埋め込まれる。電磁変換素子２７は例えば読み出し素子と磁気記録ヘッドすなわち書き込み素子とを備える。読み出し素子にはトンネル接合磁気抵抗効果（ＴｕＭＲ）素子が用いられる。ＴｕＭＲ素子では磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から情報は読み出される。書き込み素子にはいわゆる単磁極ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで磁界を生成する。この磁界の働きで磁気ディスク１４に情報は書き込まれる。電磁変換素子２７は素子内蔵膜２６の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。ただし、空気軸受け面３６の空気流出側で素子内蔵膜２６の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜２６の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が用いられればよい。

図３に示されるように、読み出し素子３８では、上下１対の導電層すなわち下部電極３９および上部電極４１にトンネル接合磁気抵抗効果膜４２が挟み込まれる。下部電極３９および上部電極４１は例えばＦｅＮ（窒化鉄）やＮｉＦｅ（ニッケル鉄）、ＮｉＦｅＢ（ニッケル鉄ボロン）、ＣｏＦｅＢ（コバルト鉄ボロン）といった高透磁率材料から形成されればよい。こうして下部電極３９および上部電極４１は下部シールド層および上部シールド層として機能することができる。その結果、下部電極３９および上部電極４１の間隔は磁気ディスク１４上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。

同時に、下部電極３９および上部電極４１の間には１対の磁区制御膜４３が配置される。トンネル接合磁気抵抗効果膜４２は浮上面２８に沿って磁区制御膜４３同士の間に配置される。磁区制御膜４３は例えばＣｏＣｒＰｔ（コバルトクロム白金）といった硬磁性材料から形成される。磁区制御膜４３は浮上面２８に沿って一方向に磁化を確立する。磁区制御膜４３と下部電極３９との間、および、磁区制御膜４３とトンネル接合磁気抵抗効果膜４２との間には絶縁膜４４が挟み込まれる。絶縁膜４４は例えばＡｌ_２Ｏ_３から形成される。磁区制御膜４３は下部電極３９およびトンネル接合磁気抵抗効果膜４２から絶縁される。したがって、たとえ磁区制御膜４３が導電性を有していても、上部電極４１と下部電極３９との間ではトンネル接合磁気抵抗効果膜４２のみで導通が確立される。

書き込み素子４５すなわち単磁極ヘッドは、リアセンターレール３３の表面すなわち浮上面２８で先端面を露出する主磁極４６および補助磁極４７を備える。浮上面２８で補助磁極４７のリーディング端にはトレーリングシールド４８が区画される。トレーリングシールド４８は主磁極４６に向き合わせられる。主磁極４６、補助磁極４７およびトレーリングシールド４８は例えばＦｅＮやＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＢ、ＣｏＦｅＢといった磁性材料から形成される。図４を併せて参照し、補助磁極４７の後端は主磁極４６に磁性連結片４９で接続される。磁性連結片４９周りで磁気コイルすなわち薄膜コイルパターン５１が形成される。こうして主磁極４６、補助磁極４７、トレーリングシールド４８および磁性連結片４９は、薄膜コイルパターン５１の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。なお、図４は、図３の４−４線に沿った断面図である。

図５は本発明の第１実施形態に係る書き込み素子４５の構造を概略的に示す。主磁極４６の先端面は逆台形形状に規定される。すなわち、主磁極４６の先端面はリーディング端からトレーリング端に向かうにつれて幅を増大させる。主磁極４６は、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線５２すなわち中心線に沿ってトレーリング端からリーディング側に窪む凹部すなわち溝５３を区画する。溝５３に基づき主磁極４６には１対の磁性体５４、５４が区画される。磁性体５４、５４は、基準線５２を挟んで並列に配置される。ここでは、磁性体５４、５４同士は主磁極本体５５で相互に接続される。図６を併せて参照し、溝５３は、浮上面２８から後方に向かって所定の距離で途切れる。溝５３内にはアルミナすなわち非磁性体が充填される。

トレーリングシールド４８は１対の補助磁性体５６、５６を区画する。補助磁性体５６、５６はトレーリングシールド４８のリーディング端からリーディング側すなわち主磁極４６に向かって突き出る。各補助磁性体５６は基準線５２を挟んで対応の磁性体５４に向き合わせられる。トレーリングシールド４８のリーディング端は、基準線５２に直交する仮想直線に沿って規定される。ここでは、補助磁性体５６のリーディング端は、基準線５２に直交する仮想直線に沿って規定される。同様に、磁性体５４すなわち主磁極４６のトレーリング端は、基準線５２に直交する仮想直線に沿って規定される。

図７は一具体例に係る磁気ディスク１４の構造を概略的に示す。磁気ディスク１４の表裏面には磁気ディスク１４の周方向すなわちダウントラック方向に沿って複数筋の記録トラック６１、６１…が延びる。記録トラック６１は同心円状に形成される。図８に示されるように、各記録トラック６１は、ダウントラック方向に並列に延びる１対のサブトラック６２を備える。各サブトラック６２では等間隔でダウントラック方向に複数の磁性ドット６３が配列される。個々の磁性ドット６３は、例えば磁気ディスク１４の表面に直交する中心軸を有する角柱すなわち磁性ピラーから形成される。各磁性ドット６３では、磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に上向き（垂直方向に外向き）の磁化または下向き（垂直方向に内向き）の磁化が確立される。こうして各磁性ドット６３に磁気情報が記録される。磁性ドット６３同士は非磁性体６４で磁気的に分離される。

任意のサブトラック６２の磁性ドット６３は、隣接するサブトラック６２の磁性ドット６３に対してダウントラック方向にずれて配置される。ここでは、任意のサブトラック６２上でダウントラック方向に相互に隣接する磁性ドット６３の中心軸同士の中間位置上を通過する半径線上に、隣接するサブトラック６２の磁性ドット６３の中心軸が配置される。相互に隣接するサブトラック６２、６２同士の間には境界線６５が規定される。相互に隣接するサブトラック６２、６２同士の間で磁性ドット６３は境界線６５に沿って交互に配列される。境界線６５は磁気ディスク１４のダウントラック方向に延びる。ここでは、境界線６５は記録トラック６１の中心線を規定する。

図９に示されるように、磁気ディスク１４は基板７１を備える。基板７１は例えばガラス基板から形成される。基板７１の表面には裏打ち層７２が広がる。裏打ち層７２は例えば炭化鉄タンタル（ＦｅＴａＣ）膜やニッケル鉄膜といった軟磁性体から形成される。裏打ち層７２では、基板７１の表面に平行に規定される面内方向に磁化容易軸は確立される。裏打ち層７２の表面にはタンタル（Ｔａ）密着層７３が広がる。タンタル密着層７３は非晶質構造を有する。タンタル密着層７３の表面にはルテニウム（Ｒｕ）下地層７４が広がる。ルテニウム下地層７４は多結晶構造を有する。隣接する結晶同士は密着する。

ルテニウム下地層７４の表面には記録磁性層７５が広がる。記録磁性層７５に前述の磁性ドット６３および非磁性体６４が形成される。磁性ドット６３および非磁性体６４の間に規定される境界面は基板７１の表面に直交する垂直方向に規定される。記録磁性層７５では、基板７１の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸は確立される。磁性ドット６３は例えばコバルトクロム白金（ＣｏＣｒＰｔ）から形成される。記録磁性層７５の表面は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜といった保護膜７６やパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜といった潤滑膜７７で被覆される。

いま、浮上ヘッドスライダ２２が浮上面２８で磁気ディスク１４の表面に向き合わせられると、図１０に示されるように、書き込み素子４５は１記録トラック６１上で境界線６５上を辿る。書き込み素子４５の基準線５２が境界線６５上に位置決めされると、オントラックが実現される。一方の磁性体５４および対応の補助磁性体５６は一方のサブトラック６２上に配置される。他方の磁性体５４および対応の補助磁性体５６は他方のサブトラック６２上に配置される。その一方で、読み出し素子３８のトンネル接合磁気抵抗効果膜４２は両方のサブトラック６２、６２すなわち記録トラック６１上に配置される。ここでは、トンネル接合磁気抵抗効果膜４２のコア幅は記録トラック６１のトラック幅程度に設定される。

磁気情報の書き込みにあたって、主磁極４６では磁性体５４、５４のトレーリング端から磁気ディスク１４に向かって磁界が漏れ出る。漏れ出る磁界は磁性ドット６３で記録磁性層７５に作用する。記録磁性層７５には、記録磁性層７５の表面に直交する垂直方向に磁界は誘導される。磁界は裏打ち層７２からトレーリングシールド４８の補助磁性体５６、５６に循環する。記録磁性層７５では１個の磁性ドット６３ごとに上向き（垂直方向に外向き）の磁化または下向き（垂直方向に内向き）の磁化が確立される。磁性ドット６３は境界線６５に沿って交互に配列されることから、書き込み素子４５は各磁性ドット６３に順番に個別に磁気情報を書き込むことができる。

その一方で、磁気情報の読み出しにあたって、記録磁性層７５の磁性ドット６３から漏れ出る磁界はトンネル接合磁気抵抗効果膜４２のトンネル接合膜に作用する。磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から磁気情報は読み出される。前述と同様に、磁性ドット６３は境界線６５に沿って交互に配列されることから、読み出し素子３８は各磁性ドット６３から順番に個別に磁気情報を読み出すことができる。

以上のようなＨＤＤ１１によれば、書き込み素子４５の主磁極４６は１対の磁性体５４、５４を区画する。その一方で、補助磁極４７のトレーリングシールド４８は１対の補助磁性体５６、５６を区画する。各磁性体５４は対応の補助磁性体５６に向き合わせられる。その結果、浮上面２８では、磁性体５４のトレーリング端と補助磁性体５６のリーディング端との間で磁界が集中的にやり取りされる。各磁性体５４および対応の補助磁性体５６は各サブトラック６２、６２上に配置されることから、各サブトラック６２、６２では個々の磁性ドット６３に集中的に磁界が作用することができる。磁性ドット６３に高い精度で磁気情報が書き込まれる。しかも、磁性体５４、５４同士の間すなわち溝５３で磁界の強度は著しく弱められる。書き込み素子４５の基準線５２が境界線６５上から外れた場合、主磁極４６は例えば溝５３で磁性ドット６３上に配置される。溝５３では磁界の強度は弱められることから、いわゆるイレーズ磁界の発生は回避される。磁性ドット６３で磁気情報の上書きは回避される。

発明者は本発明の効果を検証した。検証にあたってシミュレーションが実施された。シミュレーションでは具体例および比較例が用意された。図１１に示されるように、具体例には前述の書き込み素子４５が用いられた。図１２に示されるように、比較例では書き込み素子４５で補助磁性体５６の形成が省略された。このとき、媒体対向面から漏れ出る磁界の分布が算出された。図１１および図１２のグラフは等磁界曲線を示す。等磁界曲線は、基準線５２で分割された２分の１の主磁極のモデルに基づき算出された。図中、細線から太線に向かうにつれて磁界強度は増大する。

その結果、比較例では主磁極のトレーリング端で満遍なく磁界のピークが観察された。磁性体５４、５４同士の間すなわち溝５３でも比較的に高い強度の磁界が観察された。例えばオフトラック時、こうした磁界はイレーズ磁界を構成してしまう。その一方で、具体例では磁性体５４のトレーリング端で磁界のピークが観察された。この磁界のピークは磁性ドット６３の位置に対応する。同時に、溝５３で磁界の強度は著しく弱められた。本発明によれば磁性ドット６３に集中的に磁界が作用することが確認された。イレーズ磁界の発生は回避されることが確認された。

図１３は本発明の第２実施形態に係る書き込み素子４５ａの構造を概略的に示す。この書き込み素子４５ａでは、補助磁性体５６、５６は、トレーリングシールド４８のリーディング端からトレーリング側に窪む凹部８１内に配置される。ここでは、補助磁性体５６のリーディング端は、トレーリングシールド４８のリーディング端に沿って規定される仮想直線上に規定されればよい。なお、磁性体５４のトレーリング端と補助磁性体５６のリーディング端との距離は前述の書き込み素子４５と同様に設定されればよい。その他、前述の書き込み素子４５と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした書き込み素子４５ａによれば前述と同様の作用効果が実現される。

図１４は本発明の第３実施形態に係る書き込み素子４５ｂの構造を概略的に示す。この書き込み素子４５ｂの主磁極４６では前述の主磁極本体５５が省略される。磁性体５４、５４は主磁極本体５５のリーディング端まで延びる。こうして主磁極４６は先端で溝５３に基づき磁性体５４、５４に分割される。なお、磁性体５４のトレーリング端と補助磁性体５６のリーディング端との距離は前述と同様に設定されればよい。図１５を併せて参照し、溝５３は、前述と同様に、浮上面２８から後方に向かって所定の距離で途切れる。その他、前述の書き込み素子４５と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした書き込み素子４５ｂによれば前述と同様の作用効果が実現される。

図１６は本発明の第４実施形態に係る書き込み素子４５ｃの構造を概略的に示す。この書き込み素子４５ｃのトレーリングシールド４８には、リーディング端から基準線５２に沿ってトレーリング側に窪む凹部８２が形成される。凹部８２は溝５３に向き合わせられる。磁性体５４、５４は凹部８２の外側でトレーリングシールド４８のリーディング端に向き合わせられる。なお、磁性体５４のトレーリング端とトレーリングシールド４８のリーディング端との距離は前述と同様に設定されればよい。その他、前述の書き込み素子４５と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした書き込み素子４５ｃによれば、磁性体５４のトレーリング端とトレーリングシールド４８のリーディング端との間で磁界が集中的にやり取りされる。

なお、前述の実施形態は相互に組み合わせられてもよい。例えば第３実施形態に係る主磁極４６が、第２実施形態に係るトレーリングシールド４８や第４実施形態に係るトレーリングシールド４８と組み合わせられてもよい。こうした組み合わせによれば、前述と同様の作用効果が実現される。

本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。 一具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大斜視図である。 媒体対向面から観察される電磁変換素子を概略的に示す電磁変換素子の正面図である。 図３の４−４線に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態に係る書き込み素子を概略的に示す書き込み素子の正面図である。 本発明に係る主磁極の構造を概略的に示す拡大斜視図である。 磁気ディスクの構造を概略的に示す平面図である。 磁気ディスクの構造を概略的に示す部分拡大平面図である。 図８の９−９線に沿った断面図である。 磁気ディスクと電磁変換素子との関係を示す部分拡大平面図である。 具体例に係る書き込み素子の磁界分布を示す図である。 比較例に係る書き込み素子の磁界分布を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る書き込み素子を概略的に示す書き込み素子の正面図である。 本発明の第３実施形態に係る書き込み素子を概略的に示す書き込み素子の正面図である。 本発明に係る主磁極の構造を概略的に示す拡大斜視図である。 本発明の第４実施形態に係る書き込み素子を概略的に示す書き込み素子の正面図である。

符号の説明

１１ 記憶装置（ハードディスク駆動装置）、２８ 浮上面、４５ 磁気記録ヘッド（書き込み素子）、４６ 主磁極、４７ 補助磁極、５２ 基準線、５４ 磁性体、５６ 補助磁性体、８２ 凹部。

Claims (4)

1. 浮上面で先端面を規定し、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する主磁極と、
   前記浮上面で先端面を規定し、前記基準線を挟んで前記磁性体に向き合わせられる１対の補助磁性体を区画する補助磁極とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド。
2. 浮上面で先端面を規定し、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する主磁極と、前記浮上面で先端面を規定し、前記基準線を挟んで前記磁性体に向き合わせられる１対の補助磁性体を区画する補助磁極とを備える磁気記録ヘッドが組み込まれたことを特徴とする記憶装置。
3. 浮上面で先端面を規定し、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する主磁極と、
   前記浮上面で前記主磁極に向き合わせられるリーディング端から前記基準線に沿って窪む凹部を区画する補助磁極とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド。
4. 浮上面で先端面を規定し、リーディング側からトレーリング側に向かって延びる基準線を挟んで並列に配置される１対の磁性体を区画する主磁極と、前記浮上面で前記主磁極に向き合わせられる外縁から前記基準線に沿って窪む凹部を区画する補助磁極とを備える磁気記録ヘッドが組み込まれたことを特徴とする記憶装置。

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