JP2010100451A - 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 - Google Patents
融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010100451A JP2010100451A JP2008271201A JP2008271201A JP2010100451A JP 2010100451 A JP2010100451 A JP 2010100451A JP 2008271201 A JP2008271201 A JP 2008271201A JP 2008271201 A JP2008271201 A JP 2008271201A JP 2010100451 A JP2010100451 A JP 2010100451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- melt surface
- furnace
- relative distance
- furnace structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 187
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 54
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 63
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】CZ法により、ルツボ5a内に収容したシリコン融液2から単結晶3を引き上げる際に、融液面と単結晶3を包囲している炉内構造物10の下端部との相対距離を測定する方法であって、少なくとも、単結晶3と融液面との接点である単結晶3の成長点と炉内構造物10の下端部とを炉外からCCDカメラ11で撮影し、得られた画像から、単結晶3の直径が最大となる成長点の位置と炉内構造物10の内径が最大となる位置とを検出し、単結晶3の直径が最大となる成長点の位置と炉内構造物10の内径が最大となる位置を融液面上に投射した位置との差を求めて、求めた位置の差を画像上における縦方向の位置の差とし、縦方向の位置の差とCCDカメラ11の鉛直方向に対する設置角度とを用いて、融液面と炉内構造物10の下端部との相対距離を算出する。
【選択図】図1
Description
これにより、単結晶の直径が最大となる成長点は、CCDカメラの撮影方向から直角のところに位置する。そのため、CCDカメラで撮影して得られた画像から、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出する際に近似する必要がなく、より正確に測定することができる。
y=x/tanθ・・・・・(1)
このように、2台のCCDカメラで得られた画像から、縦方向の位置の差の平均値を用いて融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで、より正確に測定することができる。
前述のように、本発明の融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法によれば、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離をより正確に測定することができる。そして、本発明では、この測定結果に基づいて、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を制御するので、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を高精度に制御することができるため、単結晶の成長軸方向の結晶軸温度勾配を極めて高精度に制御することができ、高品質のシリコン単結晶を効率的に高い生産性で製造することができる。
このように、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を所定値に対し±1mm以内に制御することで、融液面と遮熱部材との間隔を精度良く所定の間隔になるように制御できるため、単結晶の成長軸方向の結晶軸温度勾配を極めて高精度に制御することが可能となり、所望の高品質のシリコン単結晶を効率的により高い生産性で製造することができる。
これにより、CCDカメラは、単結晶の直径が最大となる成長点に対して直角のところに位置する。そのため、CCDカメラで撮影して得られた画像から、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出する際に近似する必要がなく、より正確に測定することができる装置とすることができる。
y=x/tanθ・・・・・(1)
このように、2台のCCDカメラで得られた画像から、縦方向の位置の差の平均値を用いて融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで、より正確に測定することができる装置とすることができる。
このように、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を所定値に対し±1mm以内に制御することで、融液面と遮熱部材との間隔を精度良く所定の間隔になるように制御できるため、単結晶の成長軸方向の結晶軸温度勾配を極めて高精度に制御することが可能となり、所望の高品質のシリコン単結晶を効率的に高い生産性で製造することができる装置とすることができる。
前述のように、従来は、炉内に基準反射体を配置し、該基準反射体の実像と融液面に反射した基準反射体の鏡像の相対距離を測定することにより、基準反射体と融液面の距離を測定することが行われていたが、基準反射体には使用限度があるため、定期的に交換する必要があった。また、測定視野を確保するために、炉内構造の一部に切り欠きをつける加工が必要であり、この加工を施すことで標準の炉内構造物と比べて品質にズレを生じてしまうという問題があり、そのため、新たな品質の合わせ込みを行う必要があった。
その結果、算出された融液面と炉内構造物の下端部との距離は、実際の融液面位置に一致することがわかった。
そして、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離(y)は、縦方向の位置の差(x)、CCDカメラの設置角度(θ)を用いて、下記式(1)によって算出することができることもわかった。
y=x/tanθ・・・・・(1)
まず、種結晶が融液面に接触しているときなどにCCDカメラの設置角度(θ)を維持したまま水平方向に移動させ、ルツボと種結晶を同時に操作して融液面と種結晶を一定量上方または下方に移動させ、このときのCCDカメラの画像で捕らえた移動量(または電圧等の測定データ)から融液面位置1mm移動当たりのCCDカメラの画像で捕らえた移動量(または電圧等の測定データ)を算出する。その後、CCDカメラの設置角度(θ)を維持したまま水平方向に移動させて、単結晶の直径が最大となる成長点の位置に正対するように設置する。そして、CCDカメラで得られた融液面と前記炉内構造物の下端部の縦方向の位置の差(または電圧等の測定データ)を前記融液面位置1mm移動当たりのCCDカメラの画像で捕らえた移動量(または電圧等の測定データ)を用いて融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を換算する。
このとき、前記融液面位置1mm移動当たりのCCDカメラの画像で捕らえた移動量(または電圧等の測定データ)を算出するために移動させるCCDカメラは1台であっても構わない。
図1は本発明の単結晶の製造装置の一例を示す概略図である。
ここで、図2は本発明における単結晶とCCDカメラとの上面構成例を模式的に示す図である。図2のように、単結晶の直径が最大となる成長点bは、CCDカメラの撮影方向から直角のところに位置する。そのため、融液面の位置が変化した場合のCCDカメラで撮影して得られた画像は、縦方向のみが変化して、横方向には変化しない(図5参照)。よって、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出する際に近似する必要がなく、より正確に測定することができる。
y=x/tanθ・・・・・(1)
図2のように、2台のCCDカメラを設置し、そのCCDカメラで得られた画像から、縦方向の位置の差の平均値を用いて融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで、より正確に測定することができる。
このように、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を所定値に対し±1mm以内に制御することで、融液面と遮熱部材との間隔を精度良く所定の間隔になるように制御できるため、単結晶の成長軸方向の結晶軸温度勾配を極めて高精度に制御することが可能となり、高品質のシリコン単結晶を効率的に高い生産性で製造することができる。
図3のような画像から、炉内構造物の内径が最大となる位置aと単結晶の直径が最大となる成長点の位置bとを検出する。そして、位置aを融液面上に投射した位置と位置bとの差を求め、その求めた位置の差をCCDカメラの画像上における縦方向の位置の差とする。なお、この縦方向の位置の差は、図4におけるxである。このとき、例えば、予め単結晶製造装置をセットする前に、スケールを炉内に置いて、スケールを移動させ、スケールの移動量とxとの関係を求めておくことによって、CCDカメラで撮影して得られた画像から、縦方向の位置の差xを求めることができる。また、この縦方向の位置の差とCCDカメラの鉛直方向に対する設置角度θとを用いて、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離(図4におけるy)を算出する。これにより、融液面と炉内構造物の下端部との距離を間接的に測定することができる。
これにより、単結晶の直径が最大となる成長点は、CCDカメラの撮影方向から直角のところに位置する。そのため、CCDカメラで撮影して得られた画像から、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出する際に近似する必要がなく、より正確に測定することができる。
このように、2台のCCDカメラで得られた画像から、縦方向の位置の差の平均値を用いて融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで、より正確に測定することができる。
y=x/tanθ・・・・・(1)
(実施例1)
図1に示す単結晶製造装置を用いて、ルツボ内に多結晶シリコン原料を充填し、その多結晶シリコン原料をヒーターで溶解して、シリコン融液とした。
このとき、ルツボを一定の速度1mm/minで、10mm下降および上昇させて、シリコン単結晶を引上げて、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を測定した。なお、単結晶製造装置は、炉内構造物を設置した後、単結晶を製造して3か月以上経過しているものを使用した。
単結晶製造装置の炉内に基準反射体を設置した場合においても、上記実施例と同様にシリコン融液を形成した後、ルツボを一定の速度1mm/minで、10mm下降および上昇させた。そして、実施例とは異なり、融液面と基準反射体との距離を測定した。
次に、実施例1で使用した単結晶製造装置を用いて、直径300mmのシリコン単結晶を引上げた。
このとき、シリコン単結晶を引上げる際に、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を測定した。
測定は、2台のCCDカメラを用いて融液面と炉内構造物の下端部とを炉外から撮影した画像を用いて、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで行った。
そして、この測定結果に基づいて、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を制御しつつ(遮熱部材と湯面との間隔:40mm)、欠陥のない無欠陥シリコン単結晶の引上げを行った。
比較例1で使用した基準反射体を設置してから3か月経過している単結晶製造装置を用いて、直径300mmのシリコン単結晶を引上げた。
融液面と基準反射体との距離の測定結果に基づいて、融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を制御しつつ(遮熱部材と湯面との間隔:40mm)、シリコン単結晶の引上げを行った。
Claims (12)
- チョクラルスキー法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げる際に、融液面と単結晶を包囲している炉内構造物の下端部との相対距離を測定する方法であって、少なくとも、前記単結晶と融液面との接点である単結晶の成長点と前記炉内構造物の下端部とを炉外からCCDカメラで撮影し、該撮影して得られた画像から、前記単結晶の直径が最大となる成長点の位置と前記炉内構造物の内径が最大となる位置とを検出し、前記検出した単結晶の直径が最大となる成長点の位置と前記検出した炉内構造物の内径が最大となる位置を前記融液面上に投射した位置との差を求めて、該求めた位置の差を前記画像上における縦方向の位置の差とし、該縦方向の位置の差と前記CCDカメラの鉛直方向に対する設置角度とを用いて、前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで測定することを特徴とする融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法。
- 前記単結晶の成長点と前記炉内構造物の下端部との撮影は、前記単結晶の直径が最大となる成長点の位置に正対するように設置したCCDカメラを用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法。
- 前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離(y)は、前記縦方向の位置の差(x)、前記CCDカメラの設置角度(θ)を用いて、下記式(1)によって算出することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法。
y=x/tanθ・・・・・(1) - 前記単結晶の成長点と前記炉内構造物の下端部との撮影は、前記単結晶の直径が最大となる成長点の両端の位置に正対するように設置した2台のCCDカメラを用いて行い、前記2台のCCDカメラで得られた各画像から求めた前記縦方向の位置の差の平均値を用いて、前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を算出することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法。
- 少なくとも、請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の方法により融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を測定し、該測定結果に基づいて、前記融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を所定値に対し±1mm以内に制御することを特徴とする融液面位置の制御方法。
- 少なくとも、請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の方法により融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を測定し、該測定結果に基づいて、前記融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を制御しつつ、単結晶を引き上げて製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
- 前記融液面と炉内構造物の下端部との相対距離を所定値に対し±1mm以内に制御することを特徴とする請求項6に記載の単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げてシリコン単結晶を製造する単結晶製造装置であって、少なくとも、前記シリコン融液を収容するルツボと、前記単結晶を包囲する炉内構造物と、前記単結晶と融液面との接点である単結晶の成長点と前記炉内構造物の下端部とを炉外から撮影するCCDカメラと、前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を制御する融液面位置制御装置とを備え、前記CCDカメラで得られた画像から、前記単結晶の直径が最大となる成長点の位置と前記炉内構造物の内径が最大となる位置とを検出し、前記検出した単結晶の直径が最大となる成長点の位置と前記検出した炉内構造物の内径が最大となる位置を前記融液面上に投射した位置との差を求めて、該求めた位置の差を前記画像上における縦方向の位置の差とし、該縦方向の位置の差と前記CCDカメラの鉛直方向に対する設置角度とを用いて、前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を算出することで測定し、該測定結果に基づいて、前記融液面位置制御装置によって前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を制御するものであることを特徴とする単結晶製造装置。
- 前記CCDカメラは、前記単結晶の直径が最大となる成長点の位置に正対するように設置したものであることを特徴とする請求項8に記載の単結晶製造装置。
- 前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離(y)は、前記縦方向の位置の差(x)、前記CCDカメラの設置角度(θ)を用いて、下記式(1)によって算出するものであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の単結晶製造装置。
y=x/tanθ・・・・・(1) - 前記CCDカメラは、前記単結晶の直径が最大となる成長点の両端の位置に正対するように2台設置したものであり、該2台のCCDカメラで得られた各画像から求めた前記縦方向の位置の差の平均値を用いて、前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離を算出するものであることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の単結晶製造装置。
- 前記融液面と前記炉内構造物の下端部との相対距離は、前記融液面位置制御装置によって所定値に対し±1mm以内に制御するものであることを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008271201A JP4930487B2 (ja) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008271201A JP4930487B2 (ja) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010100451A true JP2010100451A (ja) | 2010-05-06 |
JP4930487B2 JP4930487B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=42291449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008271201A Active JP4930487B2 (ja) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4930487B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013125157A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置 |
KR101444519B1 (ko) | 2012-01-27 | 2014-09-24 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장 장치 및 맬트갭 측정 방법 |
KR101464565B1 (ko) | 2013-01-25 | 2014-11-24 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 성장 장치 |
CN110552059A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-10 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种液口距定位装置、方法及单晶炉 |
CN110592662A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 热场测量机构及校正方法 |
CN111020701A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-17 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种快速确定稳温埚位的方法 |
CN112522779A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-19 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 液位测量方法及拉单晶方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110685007B (zh) * | 2019-10-11 | 2021-02-12 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06116083A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-26 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | るつぼ中の溶融材料の溶融レベル制御方法および装置 |
JP2002527341A (ja) * | 1998-10-14 | 2002-08-27 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | シリコン結晶成長を制御するための方法およびシステム |
JP2005187291A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 単結晶引上げ装置の融液表面位置検出装置及びその単結晶引上げ装置 |
JP2007290906A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 |
-
2008
- 2008-10-21 JP JP2008271201A patent/JP4930487B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06116083A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-26 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | るつぼ中の溶融材料の溶融レベル制御方法および装置 |
JP2002527341A (ja) * | 1998-10-14 | 2002-08-27 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | シリコン結晶成長を制御するための方法およびシステム |
JP2005187291A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 単結晶引上げ装置の融液表面位置検出装置及びその単結晶引上げ装置 |
JP2007290906A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101444519B1 (ko) | 2012-01-27 | 2014-09-24 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장 장치 및 맬트갭 측정 방법 |
WO2013125157A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置 |
JP2013170097A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置 |
US9587325B2 (en) | 2012-02-21 | 2017-03-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus |
DE112013001066B4 (de) | 2012-02-21 | 2021-09-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Berechnen einer Höhenposition einer Oberfläche einer Siliziumschmelze, Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls, und Silizium-Einkristall-Ziehvorrichtung |
KR101464565B1 (ko) | 2013-01-25 | 2014-11-24 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 성장 장치 |
CN110552059A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-10 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种液口距定位装置、方法及单晶炉 |
CN110592662A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 热场测量机构及校正方法 |
CN111020701A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-17 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种快速确定稳温埚位的方法 |
CN112522779A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-19 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 液位测量方法及拉单晶方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4930487B2 (ja) | 2012-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4929817B2 (ja) | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 | |
JP5167651B2 (ja) | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、及びその距離の制御方法 | |
JP4930487B2 (ja) | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | |
KR102157388B1 (ko) | 실리콘 단결정 제조 방법 및 장치 | |
US9708731B2 (en) | Method of producing silicon single crystal | |
KR101289400B1 (ko) | 실리콘 단결정의 제조방법 | |
JP5577873B2 (ja) | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2009057216A (ja) | シリコン単結晶引上方法 | |
CN109750352B (zh) | 单晶的制造方法及装置 | |
TW201634764A (zh) | 單結晶之製造方法 | |
TWI656247B (zh) | 單結晶之製造方法 | |
TW202140865A (zh) | 單結晶製造裝置及單結晶的製造方法 | |
TW201300590A (zh) | 用於晶體生長裝置之自動檢視系統 | |
TWI651441B (zh) | 單結晶之製造方法 | |
JP2010100453A (ja) | 単結晶直径の検出方法、及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに単結晶製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4930487 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |