JP2010175572A - 光検出回路及び自動調光回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】外光の明るさを検出する光検出回路において、アナログ信号ラインにスイッチを挿入することなく検出レンジを切り換えることにより、スイッチングノイズやスイッチのオン抵抗の影響を排除しつつ、周囲照度の変化を広い範囲において検出する。
【解決手段】この光検出回路は、光電変換素子11と、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段12〜13と、制御信号が第1の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第1の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第2の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第2の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段21〜25とを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】この光検出回路は、光電変換素子11と、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段12〜13と、制御信号が第1の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第1の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第2の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第2の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段21〜25とを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、外光の明るさを検出する光検出回路に関し、さらに、外光の明るさに対応して液晶表示パネル(liquid crystal display:LCD)のバックライト輝度を変化させる
自動調光回路に関する。
自動調光回路に関する。
腕時計や携帯電話等の小型機器の表示部において、液晶表示パネルが広く利用されている。また、近年においては、液晶表示パネルのバックライトの明るさを手動で調整することが行われている。さらに、液晶表示パネルのバックライトの明るさを外光の明るさに対応して自動的に調整することも考えられるが、そのためには、外光の明るさを正確に検出することが必要となる。以下に、外光の明るさを検出するための従来の光検出回路について説明する。
図8に、従来の光検出回路の第1の例を示す。図8に示す光検出回路においては、電源電位VDDと接地電位との間に、フォトダイオード1と抵抗2とが直列に接続されている。フォトダイオード1は、PN接合に逆方向のバイアス電圧が印加された状態において、光が照射されることによって起電力を発生し、検出電流IPDを出力する光電変換素子である。ここで、抵抗2の抵抗値をRPDとすると、検出電圧VPDは次式(1)で表される。
VPD=RPD×IPD ・・・(1)
しかしながら、この光検出回路はバイアス依存性が大きく、電源電位VDDが変化すると検出電圧VPDも変化してしまうので、外光の明るさを正確に検出することができない。
VPD=RPD×IPD ・・・(1)
しかしながら、この光検出回路はバイアス依存性が大きく、電源電位VDDが変化すると検出電圧VPDも変化してしまうので、外光の明るさを正確に検出することができない。
図9に、従来の光検出回路の第2の例を示す。図9に示す光検出回路においては、NPNバイポーラトランジスタ3と抵抗2とが直列に接続されており、トランジスタ3のコレクタとベースとの間に、フォトダイオード1が接続されている。ここで、抵抗2の抵抗値をRPDとし、トランジスタ3の直流電流増幅率をhFEとすると、検出電圧VPDは次式(2)で表される。
VPD=RPD×hFE×IPD ・・・(2)
しかしながら、この光検出回路も逆バイアス依存性が大きく、さらに、トランジスタの直流電流増幅率hFEは製造ばらつきや温度によって変化するので、外光の明るさを正確に検出することができない。
VPD=RPD×hFE×IPD ・・・(2)
しかしながら、この光検出回路も逆バイアス依存性が大きく、さらに、トランジスタの直流電流増幅率hFEは製造ばらつきや温度によって変化するので、外光の明るさを正確に検出することができない。
上記の第1及び第2の例における欠点を改良したのが、図10に示す従来の光検出回路の第3の例である。図10に示す光検出回路においては、オペアンプ4が用いられる。オペアンプ4の反転入力端子と接地電位との間に、フォトダイオード1が接続されており、オペアンプ4の非反転入力端子には、参照電圧VREFが接続されている。また、オペアンプ4の出力端子と反転入力端子との間には、帰還抵抗2が接続されており、負帰還によって、フォトダイオード1の両端電位を一定値(参照電圧VREF)に保つことができる。ここで、抵抗2の抵抗値をRPDとすると、検出電圧VPDは次式(3)で表される。
VPD=RPD×IPD+VREF ・・・(3)
しかしながら、この光検出回路も、以下のような課題を抱えている。
VPD=RPD×IPD+VREF ・・・(3)
しかしながら、この光検出回路も、以下のような課題を抱えている。
液晶表示パネルにおいて、バックライトの輝度調整が必要となる周囲照度の範囲は、一般的に、10ルクス(lx)〜10000ルクス(lx)である。周囲照度がこの範囲で変化すると、フォトダイオードの検出電流IPDは、数nA〜数μAの範囲で3桁変化し、オペアンプ4によって増幅された検出電圧VPDも、数mV〜数Vの範囲で3桁変化する。
ここで、検出電圧VPDが数mVと小さいときには、判定部において周囲照度を判定する際に基準となる判定基準電圧の製造ばらつきや、検出電圧VPDと判定基準電圧とを比較する比較回路の入力オフセット電圧の製造ばらつきの影響が相対的に大きくなり、周囲照度を正確に検出することが困難である。
一方、検出電圧が数Vと大きいときには、フォトダイオードの出力を増幅するオペアンプに高い電源電圧を供給する必要があり、また、周囲照度を判定する判定部においても高い電源電圧が必要となる。さらに、周囲照度とは無関係な参照電圧VREFの項が検出電圧VPDに含まれてしまうので、比較回路において検出電圧VPDと判定基準電圧とを比較する際の誤差要因が大きくなる。
関連する技術として、下記の特許文献1には、出力電流のレンジを変更することができ、かつ、高精度で高価な電流検出抵抗を1つのみとして製造コストを低減させた定電流装置が開示されている。この定電流装置は、入力される電圧に基づいて一定電流である出力電流を出力する電流制御回路と、前記出力電流を電圧に変換し、その電圧を出力する電流検出回路と、出力される電圧を切替可能に形成すると共に、前記出力される電圧は前記電流検出回路が出力する電圧に対応して変動する倍率切替回路とを有し、前記電流制御回路に入力される電圧は、前記倍率切替回路が出力する電圧が基準電圧を補正することによって形成される。図2を参照すると、この定電流装置においては、アナログ信号ラインに複数のスイッチS1〜S3が設けられている。しかしながら、アナログ信号ラインにスイッチを挿入すると、スイッチングノイズやスイッチのオン抵抗が問題になることがある。
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、外光の明るさを検出する光検出回路において、アナログ信号ラインにスイッチを挿入することなく検出レンジを切り換えることにより、スイッチングノイズやスイッチのオン抵抗の影響を排除しつつ、周囲照度の変化を広い範囲において検出することを目的とする。さらに、本発明は、そのような光検出回路を用いて、外光の明るさに対応して液晶表示パネルのバックライト輝度を変化させる自動調光回路を提供することを目的とする。
以上の課題を解決するため、本発明に係る光検出回路は、光が照射されることによって検出電流を出力する光電変換素子と、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段と、制御信号が第1の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第1の増幅率で増幅して、増幅された電圧を参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第2の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第1の増幅率と絶対値が異なる第2の増幅率で増幅して、増幅された電圧を参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段とを具備する。
ここで、光電変換素子が、フォトダイオードを含み、第1の増幅手段が、フォトダイオードのカソードに接続された反転入力端子と参照電圧が印加される非反転入力端子とを有するオペアンプと、オペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還用の抵抗とを含み、フォトダイオードのカソード・アノード間に、参照電圧が逆方向バイアス電圧として印加されるようにしても良い。
また、第2の増幅手段が、第1の増幅手段の出力端子に接続された第2の抵抗と、第1の増幅手段の出力端子に第2の抵抗を介して接続された反転入力端子と参照電圧が印加される非反転入力端子とを有し、制御信号が第1の状態であるときに活性化される第2のオペアンプと、第2のオペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された第3の抵抗と、第2のオペアンプの出力端子に接続された反転入力端子と参照電圧が印加される非反転入力端子とを有し、制御信号が第2の状態であるときに活性化される第3のオペアンプと、第3のオペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された第4の抵抗とを含み、第3のオペアンプの出力端子と第4の抵抗との接続点から検出電圧を出力するようにしても良い。
さらに、本発明の第1の観点に係る自動調光回路は、上記いずれかの光検出回路と、判定基準電圧に対してアナログ演算処理を施すことにより、判定基準電圧に比例する電圧を参照電圧に加算して比較用電圧を生成するアナログ演算処理手段と、光検出回路から出力される検出電圧をアナログ演算処理手段から出力される比較用電圧と比較して比較結果を求める比較手段と、判定基準電圧を変化させながら比較手段によって求められた比較結果に基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成する制御手段とを具備する。
また、本発明の第2の観点に係る自動調光回路は、上記いずれかの光検出回路と、光検出回路から出力される検出電圧を比較用電圧と比較して比較結果を求める比較手段と、第2の増幅手段の増幅率を第1の増幅率に設定するように光検出回路に制御信号を出力し、比較手段に検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較させて、比較結果が反転したことに基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成すると共に、比較結果が反転しなかった場合に、第2の増幅手段の増幅率を第2の増幅率に設定するように光検出回路に制御信号を出力し、比較手段に検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較させて、比較結果が反転したことに基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成する制御手段とを具備する。
本発明に係る光検出回路によれば、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段と、制御信号に従って、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第1又は第2の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段とを用いて、アナログ信号ラインにスイッチを挿入することなく検出レンジを切り換えることにより、スイッチングノイズやスイッチのオン抵抗の影響を排除しつつ、周囲照度の変化を広い範囲において検出することができる。
また、本発明の第1の観点に係る自動調光回路によれば、判定基準電圧に比例する電圧を参照電圧に加算して比較用電圧を生成するアナログ演算処理手段を用いて、光検出回路から出力される検出電圧をアナログ演算処理手段から出力される比較用電圧と比較することにより、参照電圧の影響を排除して正確に比較結果を求め、外光の明るさに対応して液晶表示パネルのバックライト輝度を変化させることができる。
さらに、本発明の第2の観点に係る自動調光回路によれば、第2の増幅手段の増幅率を第1の増幅率に設定して検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較し、比較結果が反転したことに基づいてバックライト調光制御信号を生成すると共に、比較結果が反転しなかった場合に、第2の増幅手段の増幅率を第2の増幅率に設定して検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較することにより、外光の明るさを正確に測定し、これに対応して液晶表示パネルのバックライト輝度を変化させることができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光検出回路の構成を示す回路図である。本発明に係る光検出回路においては、光電変換素子としてフォトダイオードやフォトトランジスタ等を用いることができるが、本実施形態においては、光電変換素子としてフォトダイオードが用いられている。図1に示すフォトダイオード11は、PN接合に逆方向のバイアス電圧が印加された状態において、光が照射されることによって起電力を発生し、検出電流IPDを出力する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光検出回路の構成を示す回路図である。本発明に係る光検出回路においては、光電変換素子としてフォトダイオードやフォトトランジスタ等を用いることができるが、本実施形態においては、光電変換素子としてフォトダイオードが用いられている。図1に示すフォトダイオード11は、PN接合に逆方向のバイアス電圧が印加された状態において、光が照射されることによって起電力を発生し、検出電流IPDを出力する。
図1に示すように、光検出回路110は、フォトダイオード11と、フォトダイオード11から出力される検出電流IPDに比例する電圧を参照電圧VREFに加算して出力する第1の増幅段12〜13と、アンプ切換制御信号の状態に従って、第1の増幅段12〜13から出力される電圧と参照電圧VREFとの差を第1の増幅率又は第2の増幅率で増幅して、増幅された電圧を参照電圧VREFに加算して出力する第2の増幅段21〜25と、アンプ切換制御信号を反転するインバータ26とを有している。
第1の増幅段は、フォトダイオード11のカソードに接続された反転入力端子と参照電圧VREFが印加される非反転入力端子とを有するオペアンプ12と、オペアンプ12の出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還用の抵抗13とを含んでいる。帰還用の抵抗13を介する負帰還動作により、オペアンプ12の反転入力端子の電位は、非反転入力端子の電位とほぼ等しくなり、フォトダイオード11のカソード・アノード間に、参照電圧VREFが逆方向バイアス電圧として印加される。
第2の増幅段は、オペアンプ12の出力端子に接続された抵抗21と、オペアンプ12の出力端子に抵抗21を介して接続された反転入力端子と参照電圧VREFが印加される非反転入力端子とを有し、アンプ切換制御信号が第1の状態(本実施形態においてはハイレベル)であるときに活性化されるオペアンプ22と、オペアンプ22の出力端子と反転入力端子との間に接続された抵抗23とを含んでいる。
さらに、第2の増幅段は、オペアンプ22の出力端子に接続された反転入力端子と参照電圧VREFが印加される非反転入力端子とを有し、アンプ切換制御信号が第2の状態(本実施形態においてはローレベル)であるときに活性化されるオペアンプ24と、オペアンプ24の出力端子と反転入力端子との間に接続された抵抗25とを含んでいる。光検出回路110の検出電圧VPDは、オペアンプ24の出力端子と抵抗25との接続点から出力される。
オペアンプ22及び24は、制御端子ENに印加される信号がハイレベルであるときに活性化される。また、オペアンプ22及び24は、制御端子ENに印加される信号がローレベルであるときに非活性化されて、出力端子をハイ・インピーダンス状態にする。これにより、光検出回路110は、アンプ切換制御信号がハイレベルであるときに、図2に示す回路を構成し、アンプ切換制御信号がローレベルであるときに、図3に示す回路を構成する。
図1に示す回路において、抵抗13の抵抗値をRPDとすると、オペアンプ12の出力電位V1は次式(4)で表される。
V1=RPD×IPD+VREF ・・・(4)
アンプ切換制御信号がハイレベルであるときには、オペアンプ24が非活性化されているので、図2に示すように、オペアンプ22の出力電位V2が、抵抗25を介して出力される。ここで、抵抗21及び23の抵抗値をそれぞれR1及びR2とすると、光検出回路110の検出電圧VPDは次式(5)で表される。
VPD=−R2/R1×RPD×IPD+VREF ・・・(5)
V1=RPD×IPD+VREF ・・・(4)
アンプ切換制御信号がハイレベルであるときには、オペアンプ24が非活性化されているので、図2に示すように、オペアンプ22の出力電位V2が、抵抗25を介して出力される。ここで、抵抗21及び23の抵抗値をそれぞれR1及びR2とすると、光検出回路110の検出電圧VPDは次式(5)で表される。
VPD=−R2/R1×RPD×IPD+VREF ・・・(5)
一方、アンプ切換制御信号がローレベルであるときには、オペアンプ22が非活性化されているので、図3に示すように、オペアンプ12の出力電位V1が、抵抗21及び23を介して、オペアンプ24に入力される。ここで、抵抗25の抵抗値をR3とすると、光検出回路110の検出電圧VPDは次式(6)で表される。
VPD=−R3/(R1+R2)×RPD×IPD+VREF ・・・(6)
ここで、例えば、R2/R1=20×R3/(R1+R2)となるように抵抗値R1〜R3を設定することにより、20倍の比を有する2つの増幅率を実現することができる。
VPD=−R3/(R1+R2)×RPD×IPD+VREF ・・・(6)
ここで、例えば、R2/R1=20×R3/(R1+R2)となるように抵抗値R1〜R3を設定することにより、20倍の比を有する2つの増幅率を実現することができる。
このように、本実施形態に係る光検出回路110においては、適切な抵抗値を設定することにより、アナログ信号経路にスイッチを介在させること無く、アンプ切換制御信号の状態に従って複数種類の増幅率を実現することができる。また、非活性化されているオペアンプに電流を流さないようにすることにより、消費電流を削減することができる。
次に、本発明の一実施形態に係る自動調光回路について説明する。
図4は、本発明の一実施形態に係る自動調光回路及びその周辺部を示すブロック図である。自動調光回路100は、先に説明した本発明の一実施形態に係る光検出回路110と、外光の明るさ(周囲照度)を判定するために用いられる判定基準電圧VBを設定すると共に、光検出回路110及びバックライト駆動用基準電圧作成部200を制御する制御部120と、制御部120から出力される判定基準電圧VBに基づいてアナログ演算を行うことにより比較用電圧VCOMPを生成するアナログ演算部130と、光検出回路110から出力される検出電圧VPDとアナログ演算部130から出力される比較用電圧VCOMPとに基づいて外光の明るさを判定する判定部140とを有している。
図4は、本発明の一実施形態に係る自動調光回路及びその周辺部を示すブロック図である。自動調光回路100は、先に説明した本発明の一実施形態に係る光検出回路110と、外光の明るさ(周囲照度)を判定するために用いられる判定基準電圧VBを設定すると共に、光検出回路110及びバックライト駆動用基準電圧作成部200を制御する制御部120と、制御部120から出力される判定基準電圧VBに基づいてアナログ演算を行うことにより比較用電圧VCOMPを生成するアナログ演算部130と、光検出回路110から出力される検出電圧VPDとアナログ演算部130から出力される比較用電圧VCOMPとに基づいて外光の明るさを判定する判定部140とを有している。
判定部140は、検出電圧VPDを比較用電圧VCOMPと比較して比較結果を求める比較回路141と、比較回路141から出力される比較結果に基づいて外光の明るさに関する情報を生成し、これを制御部120にフィードバックするディジタル処理部142とを有している。
図5に、図4に示すアナログ演算部の構成を示す。アナログ演算部130は、制御部120(図4)から出力される判定基準電圧VBのボルテージフォロアとして動作するオペアンプ31と、オペアンプ31の出力電位を反転増幅して比較用電圧VCOMPを生成するオペアンプ32と、抵抗33〜36とを含んでいる。オペアンプ32の非反転入力端子には、参照電圧VREFを抵抗33及び34によって分圧して得られる電圧が印加される。オペアンプ32の反転入力端子は、抵抗35を介してオペアンプ31の出力端子に接続されており、オペアンプ32の出力端子と反転入力端子との間には、抵抗36が接続されている。
抵抗33、34、35、36の抵抗値をそれぞれR4、R5、R6、R7とおくと、比較用電圧VCOMPは次式(7)で表される。
VCOMP=−R7/R6×VB
+{R5/(R4+R5)}{(R6+R7)/R6}×VREF ・・・(7)
ここで、R5/(R4+R5)=R6/(R6+R7)を満たすように抵抗値R4及びR5を定めると、次式(8)が成立する。
VCOMP=−R7/R6×VB+VREF ・・・(8)
このように、式(8)においては、参照電圧VREFの項の係数が「1」となっている。
VCOMP=−R7/R6×VB
+{R5/(R4+R5)}{(R6+R7)/R6}×VREF ・・・(7)
ここで、R5/(R4+R5)=R6/(R6+R7)を満たすように抵抗値R4及びR5を定めると、次式(8)が成立する。
VCOMP=−R7/R6×VB+VREF ・・・(8)
このように、式(8)においては、参照電圧VREFの項の係数が「1」となっている。
従って、式(5)又は式(6)で表される検出電圧VPDを、式(8)で表される比較用電圧VCOMPと比較するようにすれば、両式に含まれている参照電圧VREFの項が互いにキャンセルされて、比較が容易かつ正確になる。即ち、図4に示す判定部140は、式(5)における検出電流IPDの項(−R2/R1×RPD×IPD)、又は、式(6)における検出電流IPDの項(−R3/(R1+R2)×RPD×IPD)と、式(8)における判定基準電圧VBの項(−R7/R6×VB)との比較を等価的に行うことになる。
次に、図4に示す制御部の動作について説明する。検出電圧VPDを表す式(5)及び式(6)において、R2/R1=A1、また、R3/(R1+R2)=A2と置くと、検出電圧VPDは次式のように表される。ただし、A1>A2とする。
VPD=−A1×RPD×IPD+VREF (アンプ切換制御信号がハイレベルのとき)
VPD=−A2×RPD×IPD+VREF (アンプ切換制御信号がローレベルのとき)
VPD=−A1×RPD×IPD+VREF (アンプ切換制御信号がハイレベルのとき)
VPD=−A2×RPD×IPD+VREF (アンプ切換制御信号がローレベルのとき)
まず、制御部120は、光検出回路110のフォトダイオード11(図1)から出力される検出電流IPDが小さい領域に対応して、その検出電流を正確に測定するために、アンプ切換制御信号をハイレベルとして、光検出回路110における増幅率の絶対値を大きくする。さらに、制御部120は、判定基準電圧VBを生成し、これを変化させることにより、検出電圧VPDと比較される複数の比較用電圧VCOMP(1)〜VCOMP(N)をアナログ演算部130に順次作成させる。
図6に、アンプ切換制御信号がハイレベルであるときの検出電圧VPDと比較用電圧VCOMP(1)〜VCOMP(N)との関係を示す。制御部120は、比較用電圧VCOMP(1)、VCOMP(2)、・・・となるに従って、比較用電圧VCOMPの値を小さくする。比較回路141は、検出電圧VPDを比較用電圧VCOMP(1)、VCOMP(2)、・・・と順次比較し、比較用電圧VCOMPが検出電圧VPDよりも小さくなると、出力信号をハイレベルからローレベルに反転する。
ディジタル処理部142は、それぞれの時点における判定基準電圧VB又はそれに対応する明るさに関する情報(データ)を制御部120から受け取っており、比較回路141の出力信号の反転に基づいて、外光の明るさに関する情報(データ)を生成してラッチすると共に、これを制御部120にフィードバックする。
検出電流IPDが大きい領域に存在することにより、アンプ切換制御信号がハイレベルであるときに比較回路141の出力信号がハイレベルからローレベルに反転しない場合には、制御部120は、検出電流IPDの測定範囲を拡大するために、アンプ切換制御信号をローレベルとして、光検出回路110における増幅率の絶対値を小さくする。さらに、制御部120は、判定基準電圧VBを変化させることにより、検出電圧VPDと比較される複数の比較用電圧VCOMP(1)〜VCOMP(N)をアナログ演算部130に順次作成させる。
図7に、アンプ切換制御信号がローレベルであるときの検出電圧VPDと比較用電圧VCOMP(1)〜VCOMP(N)との関係を示す。制御部120は、比較用電圧VCOMP(1)、VCOMP(2)、・・・となるに従って、比較用電圧VCOMPの値を小さくする。比較回路141は、検出電圧VPDを比較用電圧VCOMP(1)、VCOMP(2)、・・・と順次比較し、比較用電圧VCOMPが検出電圧VPDよりも小さくなると、出力信号をハイレベルからローレベルに反転する。
ディジタル処理部142は、それぞれの時点における判定基準電圧VB又はそれに対応する明るさに関する情報(データ)を制御部120から受け取っており、比較回路141の出力信号の反転に基づいて、外光の明るさに関する情報(データ)を生成してラッチすると共に、これを制御部120にフィードバックする。アンプ切換制御信号がローレベルであるときに比較回路141の出力信号がハイレベルからローレベルに反転しなければ、ディジタル処理部142は、外光の明るさに関する情報を最上位のランクに設定する。
制御部120は、ディジタル処理部142から供給される外光の明るさに関する情報に基づいて、バックライトの調光を制御するために用いられる調光制御信号を生成して、この調光制御信号をバックライト駆動用基準電圧作成部200に出力する。バックライト駆動用基準電圧作成部200は、調光制御信号に従って、バックライト駆動用基準電圧を発生させる。バックライトドライバ部300は、バックライト駆動用基準電圧に基づいて、液晶表示パネル400に設けられたバックライト部410を駆動する。これにより、外光の明るさに対応して、液晶表示パネル400のバックライト輝度を変化させることができる。
液晶表示パネルにおいて、バックライトの輝度調整が必要となる周囲照度の範囲は、一般的に、10ルクス(lx)〜10000ルクス(lx)である。周囲照度がこの範囲で変化すると、フォトダイオードの検出電流IPDは、数nA〜数μAの範囲で3桁変化し、オペアンプ4によって増幅された検出電圧VPDも、数mV〜数Vの範囲で3桁変化する。しかしながら、本実施形態によれば、フォトダイオードの検出電流IPDが1000倍変化したとしても、2つの増幅率の比A1/A2を、例えば20倍とすることにより、光検出回路110から出力される検出電圧VPDの変化を50倍に圧縮することができるので、広範囲の周囲照度を正確に検出することができる。
11 フォトダイオード、 12、22、24、31、32 オペアンプ、 13、21、23、25、33〜36 抵抗、 26 インバータ、 100 自動調光回路、 110 光検出回路、 120 制御部、 130 アナログ演算部、 140 判定部、 141 比較回路、 142 ディジタル処理部、 200 バックライト駆動用基準電圧作成部、 300 バックライトドライバ部、 400 液晶表示パネル、 410 バックライト部。
Claims (5)
- 光が照射されることによって検出電流を出力する光電変換素子と、
前記光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段と、
制御信号が第1の状態であるときに、前記第1の増幅手段から出力される電圧と前記参照電圧との差を第1の増幅率で増幅して、増幅された電圧を前記参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第2の状態であるときに、前記第1の増幅手段から出力される電圧と前記参照電圧との差を第1の増幅率と絶対値が異なる第2の増幅率で増幅して、増幅された電圧を前記参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段と、を具備する光検出回路。 - 前記光電変換素子が、フォトダイオードを含み、
前記第1の増幅手段が、前記フォトダイオードのカソードに接続された反転入力端子と前記参照電圧が印加される非反転入力端子とを有するオペアンプと、前記オペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還用の抵抗とを含み、
前記フォトダイオードのカソード・アノード間に、前記参照電圧が逆方向バイアス電圧として印加される、請求項1記載の光検出回路。 - 前記第2の増幅手段が、
前記第1の増幅手段の出力端子に接続された第2の抵抗と、
前記第1の増幅手段の出力端子に前記第2の抵抗を介して接続された反転入力端子と前記参照電圧が印加される非反転入力端子とを有し、制御信号が第1の状態であるときに活性化される第2のオペアンプと、
前記第2のオペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された第3の抵抗と、
前記第2のオペアンプの出力端子に接続された反転入力端子と前記参照電圧が印加される非反転入力端子とを有し、制御信号が第2の状態であるときに活性化される第3のオペアンプと、
前記第3のオペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された第4の抵抗と、を含み、前記第3のオペアンプの出力端子と前記第4の抵抗との接続点から前記検出電圧を出力する、請求項2記載の光検出回路。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の光検出回路と、
判定基準電圧に対してアナログ演算処理を施すことにより、前記判定基準電圧に比例する電圧を前記参照電圧に加算して比較用電圧を生成するアナログ演算処理手段と、
前記光検出回路から出力される検出電圧を前記アナログ演算処理手段から出力される比較用電圧と比較して比較結果を求める比較手段と、
前記判定基準電圧を変化させながら前記比較手段によって求められた比較結果に基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成する制御手段と、を具備する自動調光回路。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の光検出回路と、
前記光検出回路から出力される検出電圧を比較用電圧と比較して比較結果を求める比較手段と、
前記第2の増幅手段の増幅率を第1の増幅率に設定するように前記光検出回路に制御信号を出力し、前記比較手段に前記検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較させて、比較結果が反転したことに基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成すると共に、比較結果が反転しなかった場合に、前記第2の増幅手段の増幅率を第2の増幅率に設定するように前記光検出回路に制御信号を出力し、前記比較手段に前記検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較させて、比較結果が反転したことに基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成する制御手段と、を具備する自動調光回路。
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