JP2010028800A

JP2010028800A - 構造体，接続端子，パッケージ、並びに電子装置

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Publication number: JP2010028800A
Application number: JP2009125209A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Kitamura; 俊彦北村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2008-06-19
Filing date: 2009-05-25
Publication date: 2010-02-04
Anticipated expiration: 2029-05-25
Also published as: JP5241609B2

Abstract

【課題】インピーダンスの整合を取り易くして高周波信号を効率よく伝送させることができる構造体を提供すること。
【解決手段】構造体８は、誘電体からなる基板１と、基板１上面に設けられ、中心導体２と第１接地導体３とを有するコプレーナ線路と、第１接地導体３と電気的に接続され、基板１上面よりも下方に設けられた第２接地導体４と、を具備し、第２接地導体４は、中心導体２の直下の部位以外に設けられてなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、構造体，接続端子，パッケージ、並びに電子装置に関するものである。

従来、ミリ波帯の高周波信号を伝送させるために用いられる構造体として、誘電体基板の表面の同一面に中心導体と接地導体とが形成されるとともに、誘電体基板の裏面にも接地導体が形成され、前記表面の接地導体と前記裏面の接地導体とが、基板端の側面に形成された内周面に導体が形成された切り欠きによって、電気的に接続されているものがあった（例えば、特許文献１参照）。

特開平９−２３１０６号公報

しかしながら、従来の構造体では、中心導体に高周波信号が伝送されると、中心導体から同一面に形成された接地導体及び中心導体直下の裏面の接地導体にかけて電界が発生する、いわゆるグランデッドコプレーナ線路となっていた。グランデッドコプレーナ線路では、同一面に形成された接地導体及び中心導体直下の裏面の接地導体にかけて電界が発生するために電界方向にバラツキが生じ易く、インピーダンスの整合が取り難いという問題点があった。

特に、高周波信号の周波数が４０ＧＨｚ以上の高周波のものとなると、インピーダンスの不整合が顕著に生ずるようになってきた。

そこで、インピーダンスの整合を取り易くして高周波信号を効率よく伝送させることができる構造体が望まれていた。

本実施態様にかかる構造体は、誘電体からなる基板と、前記基板上面に設けられ、中心導体と第１接地導体とを有するコプレーナ線路と、前記第１接地導体と電気的に接続され、前記基板上面よりも下方に設けられた第２接地導体と、を具備し、前記第２接地導体は、前記中心導体の直下の部位以外に設けられてなることを特徴とする。

本実施態様にかかる接続端子は、上記構成の構造体と、前記基板上面に、前記コプレーナ線路を介して接合された立壁部と、を具備したことを特徴とする。

本実施態様にかかるパッケージは、上記構成の接続端子と、キャビティを有する基体の壁部に前記キャビティに通じる開口部を有した容器体と、を備え、前記開口部に前記接続端子が接合されてなることを特徴とする。

本実施態様にかかる電子装置は、上記構成のパッケージと、前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、前記壁部上面に接合された蓋体と、を具備してなることを特徴とする。

本実施形態にかかる構造体は、誘電体からなる基板と、前記基板下面に設けられ、中心導体と第１接地導体とを有するコプレーナ線路と、前記基板下面よりも上方に設けられた第２接地導体と、を具備し、前記第２接地導体は、前記中心導体の直上の部位以外に設けられてなることを特徴とする。

本実施態様にかかる構造体は、インピーダンスの整合を取り易くして高周波信号を効率よく伝送させることができる。その結果、中心導体を伝送する高周波信号の反射損失を抑制することができる。

本実施態様にかかる接続端子は、上記構成の構造体と、前記基板上面に、前記コプレーナ線路を介して接合された立壁部と、を具備したことから、上記本発明の構造体を用いた高周波信号の反射損失を抑制することができるものとなる。

本実施態様にかかるパッケージは、上記構成の接続端子と、キャビティを有する基体の壁部に前記キャビティに通じる開口部を有した容器体と、を備え、前記開口部に前記接続端子が接合されてなることから、上記本発明の接続端子を用いた高周波信号の反射損失を抑制できるものとなる。

本実施態様にかかる電子装置は、上記構成のパッケージと、前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、前記壁部上面に接合された蓋体と、を具備してなることから、上記本発明のパッケージを用いた高周波信号の反射損失を抑制できるものとなる。

図１（ａ）は本発明の構造体について第１実施形態を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す構造体における側面図、図１（ｃ）は図１（ａ）に示す構造体における下面図である。図２（ａ）は本発明の構造体について第１実施形態の他の例を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す構造体における側面図、図２（ｃ）は図２（ａ）に示す構造体における下面図である。本発明の接続端子について実施の形態の一例を示す斜視図である。図４（ａ）は本発明のパッケージ及び電子装置について実施の形態の一例を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すパッケージ及び電子装置の断面図である。図５（ａ）は本発明の構造体について第２実施形態を示す平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す構造体における側面図、図５（ｃ）は図５（ａ）に示す構造体における下面図である。図６（ａ）は本発明の構造体について第２実施形態の他の例を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す構造体における側面図、図６（ｃ）は図６（ａ）に示す構造体における下面図である。本発明の接続端子について実施の形態の一例を示す斜視図である。図８（ａ）は本発明のパッケージ及び電子装置について実施の形態の一例を示す平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示すパッケージ及び電子装置の断面図である。

＜第１実施形態＞
以下、本実施形態にかかる電子装置１００について、添付図面に基づき説明する。

本実施形態にかかる電子装置１００は、接続端子と容器体とを具備したパッケージ５０と、該容器体のキャビティ内部に搭載された電子素子と、蓋体と、を有する。

また、接続端子は、構造体と立壁部とを備える。この構造体は、誘電体からなる基板と、前記基板上面に設けられ、中心導体と第１接地導体とを有するコプレーナ線路と、前記第１接地導体と電気的に接続され、前記基板上面よりも下方に設けられた第２接地導体と、を具備し、前記第２接地導体は、前記中心導体の直下の部位以外に設けられてなる。

かかる電子装置１００によれば、中心導体を伝送する高周波信号は、コプレーナ線路の伝送モードとなり、従来のグランデッドコプレーナ線路の場合と比較して、電界ベクトルのバラツキを軽減することができるため、インピーダンス整合を取り易い。その結果、中心導体を伝送する高周波信号の反射損失を抑制することができる。

以下、本実施形態にかかる電子装置１００の各構成要素について説明する。

＜構造体＞
本実施形態の構造体８は、誘電体からなる基板１と、基板１上面に設けられ、中心導体２と第１接地導体３とを有するコプレーナ線路と、第１接地導体３と電気的に接続され、基板１上面よりも下方に設けられた第２接地導体４と、を具備し、第２接地導体４は、中心導体２の直下の部位以外に設けられてなるものである。

この構成により、中心導体２を伝送する高周波信号はコプレーナ線路の伝送モードとなり、従来のグランデッドコプレーナ線路の場合と比較して、電界方向のバラツキを軽減することができるため、インピーダンス整合を取り易い。その結果、中心導体２を伝送する高周波信号の反射損失を抑制することができる。

まず、図１に示す構造体８について詳細に説明する。

基板１の材質は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）質焼結体等のセラミックス、ガラス、樹脂等の誘電体を用いることができる。

基板１上面には、中心導体と第１接地導体とを有するコプレーナ線路を有する。

中心導体２の一端は、例えば、ロウ材等の導電性接着材を介してリード端子６が接続され、中心導体２の他端は、電子素子１５の電極にボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続される。

第１接地導体３は、例えば、基板１の上面（中心導体２が形成されている同一面）に、中心導体２の両側に設ければ、中心導体２を伝送する電気信号を安定して接地させることができる。

また、例えば、基板１の下面にも、中心導体２を伝送する電気信号を接地させるための第２接地導体４を形成する。

なお、第２接地導体４の形成部位は、基板１の下面に限定されるものではなく、基板上面よりも下方に設けられればよい。例えば、基板１内部に第２接地導体４を積層してもよい。

中心導体の形状は、リード端子６が接続される箇所を幅広部２ａとすることが好ましい。この場合、中心導体とリード端子６との接合面積を充分に確保し、接合強度を強固なものとできる。なお、幅広部２ａを除く中心導体２は、リード端子６との接合の必要がないことから、幅狭部２ｂとされている。

また、第２接地導体４は幅広部２ａの直下を除く部位に形成され、幅広部２ａの直下では非形成部４ａとされている。即ち、図１の例では、幅広部２ａにおいて、本発明の構造体８の構造となっている。

この構成により、幅広部２ａを伝送する高周波信号はコプレーナ線路の伝送モードに近づけることができる。

本実施形態によれば、従来のグランデッドコプレーナ線路と比較して、中心導体２とリード端子６とが接合し、幅広部２ａにおける導体の体積が増加した場合であっても、電界方向のバラツキを軽減することができるため、インピーダンス整合を取り易い。その結果、中心導体２を伝送する高周波信号の反射損失を抑制することができる。

また、第２接地導体４は、接続導体５を介して第１接地導体３に接続されるため、第１接地導体３の接地電位を強化し、安定なものとすることができる。

幅狭部２ｂにおいては、中心導体２の幅が狭いため、中心導体２から第１接地導体３及び第２接地導体４に向けて発生する電界方向のバラツキが小さくて済み、かつ従来のグランデッドコプレーナ線路の方が接地導体の面積が広いために、中心導体２を伝送する高周波信号を安定に接地させて、インピーダンスの整合を取りながら高周波信号を効率良く伝送させることができる。

次に、本実施形態にかかる構造体８の変形例として、図２に示す構造体８について詳細に説明する。

図２に示す構造体８は、図１に示す構造体８と以下の点で相違する。

すなわち、変形例にかかる構造体８は、基板１は、中心導体２の直下の部位を切り欠いてなるものである。

例えば、基板１を形成する誘電体がＡｌ_２Ｏ_３質焼結体である場合の比誘電率は９、ＡｌＮ質焼結体である場合の比誘電率は１０、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２質焼結体である場合の比誘電率は６．４である。それに対し、空気の比誘電率は１である。

このように、切り欠き部１ｂによって比誘電率を大幅に下げて、幅広部２ａから電界が発生するのを大幅に抑制することができる。

その結果、中心導体２を伝送する電気信号のインピーダンス値を所定のインピーダンス値に整合させることができ、電気信号に反射損失が発生するのを防止して電気信号を効率良く伝送することができる。

なお、図１及び図２に示すような構造体８において、基板１がセラミックスから成る場合、中心導体２，第１接地導体３，第２接地導体４は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の金属層から成り、従来周知のメタライズ法によって被着形成されている。また、基板１がセラミックスやガラスから成る場合、中心導体２，第１接地導体３，第２接地導体４は、薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、中心導体２，第１接地導体３，第２接地導体４は窒化タンタル（Ｔａ_２Ｎ）、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等から形成されている。

また、基板１が樹脂から成る場合、中心導体２，第１接地導体３，第２接地導体４は、銅（Ｃｕ）等の金属層から成り、従来周知のメッキ法等によって被着形成されている。

構造体８において、好ましくは、図１（ｂ）に示すように基板１において中心導体２の直下の部位がポーラス状部１ａであるのがよい。この構成により、中心導体２近傍では、ポーラス状であることから、比誘電率の小さい空気の層が存在する。それゆえ、上述した切り欠き部１ｂを別途設けなくても、中心導体２周りの実効誘電率が低くなり高周波特性に悪影響を与える電気的干渉を低減することができるため好ましい。なお、ポーラス状とは、多孔質の材料からなるものをいう。

リード端子６は、従来周知の導電性材料を用いることができるが、特に抵抗率の小さいＣｕを用いることが望ましい。また、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、例えば厚み０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍの金（Ａｕ）層とを順次メッキ法により被着させておくのがよく、リード端子６が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、リード端子６を中心導体２の幅広部２ａの一端に強固に接合することができる。

また、好ましくは、第１接地導体３と第２接地導体４とは、図１及び図２に示すように、その線路方向と直交する基板１の側面で電気的に接続してなるのがよい。この構成により、第１接地導体３を第２接地導体４に連結することができ、接地導体の面積を広くして、第１接地導体３の接地電位を安定なものとすることができる。また、第２接地導体４を介して、中心導体２の両側に位置する第１接地導体３を同一電位とすることができ、中心導体２から両側の第１接地導体３に向けて発生する電界を均等にすることができ、インピーダンス整合が取り易くなる。その結果、中心導体２における高周波信号の反射損失をより低減させることができる。

（構造体の製造方法）
図１及び図２に示すような構造体８は以下のようにして作製される。

例えば、セラミックグリーンシートに、Ｗ，Ｍｏ，又はＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、中心導体２，第１接地導体３及び第２接地導体４となるメタライズ層を所定パターンに形成する。

しかる後、金型等によって所定形状に切断されたセラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することにより製作される。

なお、図１及び図２においては、中心導体２の両側に第１接地導体３が平行するように設けられる、いわゆるＧ（接地）−Ｓ（信号）−Ｇ（接地）の線路構造の例を示しているが、これに限定されるものではなく、第１接地導体３の間に２本の中心導体２が設けられるＧ−Ｓ−Ｓ−Ｇのコプレーナ線路構造としても構わない。この構成により、２本の中心導体２を差動線路として機能させることができ、これにより２本の高周波伝送線路同士の結合を強固なものとして、電界のバラツキの発生をより一層抑制し、高周波信号をより効率良く伝送させることができる。

＜接続端子＞
次に、本発明の構造体８を用いた接続端子１３について説明する。

本発明の接続端子１３は、図３に示すように、上記構成の構造体８と、基板１上面に、コプレーナ線路を介して接合された立壁部７と、を具備して成るものである。

この構成により、上記本発明の構造体８を用いた高周波信号の反射損失を抑制することができるものとなる。

立壁部７は、接続端子１３をパッケージ５０に取着した際に、接続端子１３部でパッケージ５０内外を気密に遮断するためのものである。また、立壁部７は基板１上面に接合させた際に、中心導体２と第１接地導体３とを互いに絶縁させるため、誘電体から形成されることが好ましい。

立壁部７は、セラミックス、ガラス、樹脂等の誘電体から成り、好ましくは、構造体８と同じ材質から成るのがよい。この構成により、接続端子１３において基板１と立壁部７とを一体に形成することができ、接続端子１３を効率良く製造することが可能となる。構造体８と立壁部７とがセラミックスから成る場合、接続端子１３をセラミックグリーンシート積層法により一体に効率良く製造することができる。

ここで、立壁部７は、中心導体２の幅広部２ａと幅狭部２ｂとの境界部分に接合されることが好ましい。この構成により、所定の誘電率を有する立壁部７によって、上記境界部分における高周波信号の反射を抑制できる。その結果、インピーダンス整合が取り易くなる。

＜パッケージ＞
次に、本発明の接続端子１３を用いたパッケージ５０について説明する。

図４は、本発明にかかる接続端子１３を用いたパッケージ５０及びそれを用いた電子装置１００を示す概略図である。（ａ）はパッケージ５０を上方から平面視した図であり、（ｂ）は電子装置１００の断面を示す概略図である。

本発明にかかるパッケージ５０は、上述した接続端子１３と、キャビティを有する基体の壁部にキャビティに通じる開口部を有した容器体１０と、を備え、開口部に接続端子１３が接合されてなることから、高周波信号の反射損失を抑制できるパッケージ５０を提供することができる。

ここで、容器体１０は、金属や誘電体を所定形状に加工すればよい。

特に、ステンレス鋼（ＳＵＳ），銅（Ｃｕ），銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ），銅（Ｃｕ）−モリブデン（Ｍｏ），鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属から容器体１０を形成した場合は、誘電体の体積増加を抑制できるため、線路導体２を伝送する電気信号に発生する誘電体損失を抑制できるという効果を奏する。

なお、この容器体１０は、金属のインゴットを圧延加工やプレス加工，切削加工等の金属加工を施すことにより所定形状に一体成形してもよいし、容器体１０の底部を成す底板１１と壁部１２とを別々に準備し、この底板１１の上面に銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して壁部１２を接合してもよい。

この場合、壁部１２と底板１１との接合は底板１１上面と壁部１２の下面とを、底板１１上面に敷設したプリフォーム状のＡｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介して接合される。またロウ材を用いて接合する代わりに、シーム溶接法等の溶接法等によって接合してもよい。

底板１１と壁部１２とが別体として形成される場合、底板１１が熱伝導率の高い材料から形成されることで、電子素子１５から発生する熱を効率よく外部に放散させ、壁部１２が切削加工性に優れた材料から形成されることで、開口部の形成が容易となる。そのような構成として、例えば、底板１１がＣｕ−Ｗの焼結材から成り、壁部１２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合があげられる。

壁部１２には、電子素子１５と外部電子回路とを電気的に接続する接続端子１３を挿着するための開口部が形成される。この開口部にＡｇ−ＣｕロウやＡｇロウ等のロウ材やガラス等の封着材を介して接続端子１３を嵌着させる。

なお、例えば電子素子１５として半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の電子素子１５を収納する場合のパッケージ５０においては、壁部１２の一部に電子素子１５と光結合するための光伝送路である光信号入出力窓が形成される。

また、容器体１０は、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍの金（Ａｕ）層とを順次メッキ法により被着させておくのがよく、容器体１０が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、容器体１０上面に電子素子１５を強固に接着固定することができる。

＜電子装置＞
最後に、上述したパッケージ５０を用いた電子装置１００について以下に説明する。

本発明に係るパッケージ５０は、上述したパッケージ５０と、キャビティ内部に搭載された電子素子１５と、壁部１２上面に接合された蓋体２０と、を具備してなるものである。

キャビティ内部に搭載される電子素子１５としては、ＬＤ，ＰＤ，トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の電子素子、または回路基板上にこれら半導体素子やコンデンサ等の受動部品を搭載した電子素子が収納される。

電子素子１５は、その電極が、接続端子１３の基板１上面に被着形成されている中心導体２にボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続される。

キャビティ内部に、電子素子１５を載置固定するとともにその電極を中心導体２にボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続した後、壁部１２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属等から成る蓋体２０を半田付け法やシームウエルド法等により取着することにより製品としての電子装置１００となる。

このような構成によれば、開口部に接続端子１３が接合されてなることから、高周波信号の反射損失を抑制できる電子装置１００を提供することができる。

また、図４においては、接続端子１３が１個設けられた例を示したが、接続端子１３が複数設けられた形態であってもよい。この構成によれば、パッケージ５０の多端子化が可能となる。

＜他の実施形態＞
以下、本発明に係る他の実施形態について説明する。

例えば、本発明の一実施形態にかかるパッケージ５０は、底板と、底板上面の周囲を囲うようにして接合された誘電体基体と、誘電体基体に上記接続端子１３と同様に基板１，立壁部７，中心導体２，第１接地導体３，第２接地導体４を備えてなることから、高周波信号の反射損失を抑制したパッケージ５０を提供することができる。

このような構成によれば、底板の周囲に誘電体基体が位置するため、基板と誘電体基体との位置合わせが容易になる。また、上述したように、高周波信号の反射損失を抑制したものにすることができる。

また、本発明の他の実施形態にかかるパッケージ５０は、誘電体からなる底板と、誘電体からなるとともに、底板上面の周囲を囲うように設けられた誘電体基体と、誘電体基体に上記接続端子１３と同様に基板１，立壁部７，中心導体２，第１接地導体３，第２接地導体４を備えたことを特徴とするパッケージ５０としてもよい。

このような構成によれば、上述した底板を別途用意しなくとも、パッケージ５０を構成することができるため、製造コストを下げることができる。また、上述したように、高周波信号の反射損失を抑制でき、インピーダンス特性の整合性を維持し、線路導体を伝搬する電気信号を信頼性の高いものにすることができる。

以上のような、パッケージ５０を用いることにより、本発明の他の実施形態にかかる電子装置１００を構成することができる。すなわち、本発明の他の実施形態に係るパッケージ５０と、底板上であって誘電体基体で囲まれた領域に載置された電子素子１５と、誘電体基体上面に接合された蓋体２０と、を具備してなるものである。

このような構成によれば、装置の大型化を抑制した電子装置１００を提供することができる。
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態に係る構造体８は、誘電体からなる基板１と、基板１上面に設けられ、中心導体２と第１接地導体３とを有するコプレーナ線路と、第１接地導体３と電気的に接続され、基板１上面よりも下方に設けられた第２接地導体４と、を具備し、第２接地導体４は、中心導体２の直下の部位以外に設けられてなるものである。

これに対して、第２実施形態に係る構造体８Ａは、図５に示すように、誘電体からなる基板１と、基板１の下面に設けられる中心導体２と第１接地導体３とを有するコプレーナ線路と、基板１の下面よりも上方に設けられる第２接地導体４と、を具備し、第２接地導体４は、中心導体の直上の部位以外に設けられてなるものである。以下、第２実施形態に係る構造体８Ａについて、第１実施形態に係る構造体８と異なる点について主に説明する。但し、第１実施形態に係る構造体８と同様な部分については、同じ符号を付して説明を省略する。

図５に示す構造体８Ａは、中心導体２を伝送する高周波信号はコプレーナ線路の伝送モードに近づけることができる。従来のグランデッドコプレーナ線路と比較して、中心導体から発生する電界方向のバラツキを軽減することができるため、インピーダンス整合を取り易い。その結果、中心導体２を伝送する高周波信号の反射損失を抑制することができる。

図５に示す実施形態では、図５（ｃ）に示すように、中心導体２には、リード端子６が接合されており、リード端子６の接合部は、幅広部２ａとされている。このように幅広部とされることにより、中心導体２とリード端子６との接合面積を十分に確保し、接合強度を強固なものにできる。

また、図５（ａ）に示すように、第２接地導体４は、中心導体２の幅広部２ａの直上で非形成部４ａとされている。即ち、図５の例では、幅広部２ａにおいて、本発明の構造体８Ａの構造となっている。

また、図５に示す実施形態では、第２接地導体４は、接続導体５を介して第１接地導体３に接続されるため、第１接地導体３の接地電位を強化し、安定なものとすることができる。

また、図５に示すように、第１接地導体３の中心導体２の両側には、リード端子６が設けられているのがよい。この構成により、構造体８Ａを外部電気回路基板の表面に表面実装し易くすることができ、第１接地導体３を外部電気回路基板の接地導体に接続し易くできる。

次に、図５に示す実施形態にかかる構造体８Ａの変形例として、図６に示す構造体８Ｂについて詳細に説明する。

図６に示す構造体８Ｂは、図５に示す構造体８Ａと以下の点で相違する。

すなわち、変形例にかかる構造体８Ｂは、基板１は、中心導体２の直上の部位を切り欠いてなるものである。

切り欠き部１ｂによって比誘電率を大幅に下げて、幅広部２ａから電界が発生するのを大幅に抑制することができる。

＜接続端子＞
または、本発明の接続端子１３Ａは、図７に示すように、パッケージ５０Ａは、上記構成の構造体８Ａにおいて、基板１の他端の上面に第２コプレーナ線路２ｃを具備し、第２コプレーナ線路２ｃは内部導体２ｄを介してコプレーナ線路２と電気的に接続されているものである。なお、図７に示すように、構造体８の上面に立壁部７を具備していてもよい。

＜パッケージ＞
また、容器体１０が誘電体によって形成される場合、図８に示すように、電子装置１００Ａは、接続端子１３Ａが容器体１０Ａと一体となるように形成されていてもよい。図８に示すように、接続端子１３Ａの下面に線路導体２が配置される場合、容器体１０Ａの下面と接続端子１３Ａの下面を同一面に配置することにより、平板状の外部電気回路基板に容器体１０Ａを載置することで、接続端子１３Ａを外部電気回路基板に電気的に接続することが可能となり、外部電気回路基板との電気的接続が容易となる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等支障ない。

１：基板
１ａ：ポーラス状部
１ｂ：切り欠き部
２：中心導体
２ａ：幅広部
２ｂ：幅狭部
３：第１接地導体
４：第２接地導体
４ａ：非形成部
５：接続導体
５ａ：キャスタレーション
６：リード端子
７：立壁部
８：構造体
１０：容器体
１１：底板
１２：壁部
１３：接続端子
１５：電子素子
２０：蓋体
５０：パッケージ
１００：電子装置

Claims

誘電体からなる基板と、
前記基板上面に設けられ、中心導体と第１接地導体とを有するコプレーナ線路と、
前記基板上面よりも下方に設けられた第２接地導体と、
を具備し、
前記第２接地導体は、前記中心導体の直下の部位以外に設けられてなることを特徴とする構造体。
前記基板は、前記中心導体の直下の部位がポーラス状であることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
前記基板は、前記中心導体の直下の部位を切り欠いてなることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
前記第１接地導体と前記第２接地導体とは、その線路方向と直交する前記基板の側面で電気的に接続してなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の構造体。
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の構造体と、
前記基板上面に、前記コプレーナ線路を介して接合された立壁部と、
を具備した接続端子。
請求項５に記載の接続端子と、
キャビティを有する基体の壁部に前記キャビティに通じる開口部を有した容器体と、
を備え、前記開口部に前記接続端子が接合されてなるパッケージ。
請求項６に記載のパッケージと、
前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、
前記壁部上面に接合された蓋体と、
を具備してなる電子装置。
誘電体からなる基板と、
前記基板下面に設けられ、中心導体と第１接地導体とを有するコプレーナ線路と、
前記基板下面よりも上方に設けられた第２接地導体と、
を具備し、
前記第２接地導体は、前記中心導体の直上の部位以外に設けられてなることを特徴とする構造体。