JP2010093285A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】受光部または発光部を有する光半導体素子14が封止樹脂により封止された光半導体装置10Aに於いて、光半導体素子の表面を覆い、光半導体素子に入射するまたは光半導体素子から発光される光に対して透明な材料からなる被覆層12が設けられ、封止樹脂は、フィラーが混入され、被覆層上面に対応する封止樹脂は、凹状で、被覆層が封止樹脂から露出している事で解決するものである。
【選択図】図2
Description
受光部または発光部を有する光半導体素子が封止樹脂により封止された光半導体装置に於いて、
前記光半導体素子の表面を覆い、前記光半導体素子に入射するまたは前記光半導体素子から発光される光に対して透明な材料からなる被覆層が設けられ、
前記封止樹脂は、フィラーが混入され、
前記被覆層上面に対応する前記封止樹脂は、凹状で、前記被覆層が前記封止樹脂から露出している事で解決するものである。
図1から図7を参照して、本実施の形態に係る半導体装置10Aの構成および製造方法を説明する。先ず、図1から図3を参照して、光半導体装置10Aの構成を説明する。図1(A)は光半導体装置10Aの斜視図であり、図1(B)はその裏面図である。図2(A)(B)および図3(A)(B)は、図1(A)のX−X線に於ける断面図である。
図8から図10を参照して、本実施の形態に係る半導体装置10Bの構成および製造方法を説明する。先ず、図8および図9を参照して、本実施の形態に係る光半導体装置10Bの構成を説明する。
図11および図12を参照して、本実施の形態に係る半導体装置10Cの構成および製造方法を説明する。先ず、図11を参照して、本実施の形態に係る光半導体装置10Cの構成を説明する。
図13から図16を参照して、本実施の形態に係る半導体装置10Dの構成および製造方法を説明する。先ず、図13を参照して、本実施の形態に係る光半導体装置10Dの構成を説明する。
図17から図20を参照して、本実施の形態に係る光半導体装置10Eの構成および製造方法を説明する。先ず、図17および図18を参照して、本実施の形態に係る光半導体装置10Eの構成を説明する。
図21から図25を参照して、上記各実施の形態に於いて、光半導体装置10に内蔵される光半導体素子14の構成およびその製造方法に関して説明する。先ず、本実施の形態に係る半導体装置10Eの構成および製造方法を説明する。
次に、図24を参照して、ウェハ45の表面に形成された各回路を保護するために、各回路の上部に被覆層12を張り合わせる。被覆層12のメタル配線14Bに対応する箇所は、メタル配線14Bと干渉しないように加工が施されている。また、被覆層12の張り合わせは、エポキシ樹脂等の接着剤を用いて行われる。
図26および図27を参照して、本実施の形態に係る光半導体装置10Fの構成および製造方法を説明する。光半導体装置10Fは、受光部または発光部を有する光半導体素子14と、光半導体素子14の表面を被覆する被覆層12と、光半導体素子14と電気的に接続された半導体素子17と、半導体素子17と電気的に接続されて外部との電気信号の入出力を行う外部電極と、光半導体素子14および半導体素子17を封止する封止樹脂13とを具備し、被覆層12が封止樹脂13から露出する構成と成っている。外部電極としては、例えば、一端が封止樹脂17から露出するリード等を外部電極として採用することができる。
11 リード
12 被覆層
13 封止樹脂
14 光半導体素子
15 金属細線
16 ランド
17 半導体素子
18 被覆樹脂
19 外部電極
20 導電路
21A、21B 導電パターン
22 被覆樹脂
23 外部電極
24 分離溝
25 筐体
26 透明樹脂
27 空洞部
Claims (3)
- 受光部または発光部を有する光半導体素子が封止樹脂により封止された光半導体装置に於いて、
前記光半導体素子の表面を覆い、前記光半導体素子に入射するまたは前記光半導体素子から発光される光に対して透明な材料からなる被覆層が設けられ、
前記封止樹脂は、フィラーが混入され、
前記被覆層上面に対応する前記封止樹脂は、凹状で、前記被覆層が前記封止樹脂から露出している事を特徴とした光半導体装置。 - 前記光半導体素子は、導電部材から成るアイランドの上に固着され、前記アイランドの周囲に位置するリードと電気的に接続される請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記光半導体素子は、実装基板に設けられ、前記実装基板の導電路と金属細線で接続される請求項1に記載の光半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015043403A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、それを備えた発光装置、およびその発光装置を備えた発光表示装置 |
JP2015511066A (ja) * | 2012-03-06 | 2015-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 照明モジュール及び照明モジュールを製造する方法 |
JP2018174267A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイス |
JP2021073765A (ja) * | 2021-01-06 | 2021-05-13 | 株式会社ニコン | 電子機器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01215068A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサ組み込み半導体装置 |
JPH0360136A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
JPH05291434A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
JPH1034699A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-02-10 | Apic Yamada Kk | Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
JP2000183205A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-30 | Analog Devices Inc | 半導体ウェハデバイスのカバ―キャップ |
JP2002198470A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-07-12 | Greatek Electronics Inc | Icパッケージング構造 |
-
2009
- 2009-12-09 JP JP2009279617A patent/JP2010093285A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01215068A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサ組み込み半導体装置 |
JPH0360136A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
JPH05291434A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
JPH1034699A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-02-10 | Apic Yamada Kk | Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
JP2000183205A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-30 | Analog Devices Inc | 半導体ウェハデバイスのカバ―キャップ |
JP2002198470A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-07-12 | Greatek Electronics Inc | Icパッケージング構造 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015511066A (ja) * | 2012-03-06 | 2015-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 照明モジュール及び照明モジュールを製造する方法 |
US9777890B2 (en) | 2012-03-06 | 2017-10-03 | Philips Lighting Holding B.V. | Lighting module and method of manufacturing a lighting module |
JP2015043403A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、それを備えた発光装置、およびその発光装置を備えた発光表示装置 |
JP2018174267A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイス |
JP2021073765A (ja) * | 2021-01-06 | 2021-05-13 | 株式会社ニコン | 電子機器 |
JP7283488B2 (ja) | 2021-01-06 | 2023-05-30 | 株式会社ニコン | 撮像素子及び電子機器 |
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