JP2010090404A

JP2010090404A - METHOD FOR REMOVING Sn PLATING AND Sn PLATING REMOVING DEVICE

Info

Publication number: JP2010090404A
Application number: JP2008258387A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Takashima; 敏之高島
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2008-10-03
Filing date: 2008-10-03
Publication date: 2010-04-22

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for removing Sn plating and an Sn plating removing device which can efficiently and securely remove Sn from an Sn plating-fitted copper material. SOLUTION: In the method for removing Sn plating where Sn is removed from an Sn plating-fitted copper material in which an Sn plating layer is formed on at least a part of the surface of a copper base material composed of copper or a copper alloy, the method includes a dissolution stage S2 where the Sn plating layer formed on the surface of the base material and a Cu-Sn alloy layer formed between the Sn plating layer and the copper base material are dissolved by using an etching liquid at least comprising nitric acid and sulfuric acid. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えばリードフレームやコネクタ等の電子部品材料として用いられるＳｎメッキ付き銅材料のスクラップ屑等からＳｎを除去するＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置に関するものである。 The present invention relates to an Sn plating removing method and an Sn plating removing apparatus for removing Sn from scrap material of Sn-plated copper material used as an electronic component material such as a lead frame and a connector.

一般に、リードフレームやコネクタ等の電子部品材料としては、銅または銅合金からなる銅基材の表面にＳｎメッキを施したＳｎメッキ付き銅材料が用いられている。リードフレームやコネクタは、前述のＳｎメッキ付き銅材料に打ち抜き加工を行うことによって作製されるため、打ち抜き後にスクラップ屑（打ち抜き屑）が発生することになる。また、これ以外でも、Ｓｎメッキ付き銅材料を取り扱う際にはスクラップ屑が発生することがある。 Generally, as an electronic component material such as a lead frame or a connector, a copper material with Sn plating obtained by applying Sn plating to the surface of a copper base material made of copper or a copper alloy is used. Since the lead frame and the connector are manufactured by punching the above-described Sn-plated copper material, scrap scrap (punched scrap) is generated after punching. In addition, scrap scraps may be generated when handling Sn-plated copper materials.

通常、銅材料のスクラップ屑は、銅または銅合金の原料として再利用される。しかしながら、Ｓｎメッキ付き銅材料の場合には、銅基材の表面にＳｎメッキ層が形成されていることから、銅または銅合金中のＳｎの含有量が大幅に上昇してしまうことになるため、原料として再利用することができなかった。このため、従来は、Ｓｎメッキ銅材料のスクラップ屑を溶錬工場に送り、溶錬工程において銅分を回収していた。
しかしながら、溶錬工程で銅分を回収するためには多くのエネルギーを必要する。また、溶錬工程で銅を回収した場合、銅基材に含有される銅以外の元素も除去されてしまうことになる。 Usually, scrap scrap of copper material is reused as a raw material for copper or copper alloy. However, in the case of a copper material with Sn plating, since the Sn plating layer is formed on the surface of the copper base material, the content of Sn in the copper or copper alloy will increase significantly. Could not be reused as raw material. For this reason, conventionally, scrap scraps of Sn-plated copper material were sent to a smelting factory, and the copper content was recovered in the smelting process.
However, much energy is required to recover copper in the smelting process. Moreover, when copper is collect | recovered by a smelting process, elements other than copper contained in a copper base material will also be removed.

一方、Ｓｎメッキ付き銅材料のスクラップ屑からＳｎを除去して銅基材のみを銅および銅合金の原料として再利用することが考えられる。Ｓｎメッキ銅材料からＳｎを除去する方法としては、硫酸銅溶液や過酸化水素を含むはんだ洗浄液によって除去する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開昭６３−６０２４１号公報 On the other hand, it is conceivable to remove Sn from scrap material of Sn-plated copper material and reuse only the copper base material as a raw material for copper and copper alloy. As a method of removing Sn from the Sn-plated copper material, a method of removing with a solder cleaning solution containing a copper sulfate solution or hydrogen peroxide has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
JP 63-60241 A

ところで、前述のＳｎメッキ付き銅材料においては、銅基材とＳｎメッキ層との間に、ＣｕとＳｎとが互いに拡散することでＣｕ−Ｓｎ合金層が形成される。硫酸銅溶液や過酸化水素を含むはんだ洗浄液では、Ｃｕ−Ｓｎ合金層を溶解することが困難であるため、Ｓｎを十分に除去することができなかった。また、Ｓｎメッキ層においても溶解速度が遅く、効率的にＳｎを除去することができなかった。このため、Ｓｎメッキ銅材料のスクラップ屑を、銅及び銅合金の原料として再利用することができなかった。 By the way, in the above-mentioned copper material with Sn plating, a Cu-Sn alloy layer is formed by the diffusion of Cu and Sn between the copper base material and the Sn plating layer. With a solder cleaning solution containing a copper sulfate solution or hydrogen peroxide, it is difficult to dissolve the Cu—Sn alloy layer, and thus Sn could not be removed sufficiently. Also, the Sn plating layer has a low dissolution rate, and Sn could not be removed efficiently. For this reason, the scrap scraps of Sn-plated copper material could not be reused as a raw material for copper and copper alloys.

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、Ｓｎメッキ付き銅材料から効率良く、かつ、確実にＳｎを除去することが可能なＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides an Sn plating removal method and an Sn plating removal apparatus capable of efficiently and reliably removing Sn from a copper material with Sn plating. For the purpose.

この課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明に係るＳｎメッキ除去方法は、銅または銅合金からなる銅基材の表面の少なくとも一部にＳｎメッキ層が形成されたＳｎメッキ付き銅材料からＳｎを除去するＳｎメッキ除去方法であって、少なくとも硝酸と硫酸とを含有するエッチング液を用いて、前記銅基材の表面に形成された前記Ｓｎメッキ層と、前記Ｓｎメッキ層と前記銅基材との間に生成したＣｕ−Ｓｎ合金層とを溶解する溶解工程を備えていることを特徴としている。 In order to solve this problem, the present invention proposes the following means.
The Sn plating removal method according to the present invention is a Sn plating removal method for removing Sn from a copper material with Sn plating in which an Sn plating layer is formed on at least a part of the surface of a copper base material made of copper or a copper alloy. The Sn-plated layer formed on the surface of the copper substrate using an etching solution containing at least nitric acid and sulfuric acid, and the Cu-Sn alloy formed between the Sn-plated layer and the copper substrate It is characterized by comprising a dissolving step for dissolving the layer.

この構成のＳｎメッキ除去方法においては、少なくとも硝酸と硫酸とを含有するエッチング液によってＳｎメッキ層とＣｕ−Ｓｎ合金層とを溶解するように構成している。ここで、硝酸はＣｕおよびＳｎの両方を溶解する作用を有しており、硫酸はＣｕよりもＳｎを選択的に溶解する作用を有しているので、硝酸によってＳｎメッキ層のみでなくＣｕ−Ｓｎ合金層も効率的に溶解することができるとともに、硫酸によってＳｎメッキ層を選択的に溶解することができる。つまり、このエッチング液によれば、Ｓｎが存在している間はエッチングが効率的に行われ、Ｓｎが溶解されるとエッチングの進行が遅くなり、銅基材の必要以上の溶解を防止できるのである。 In the Sn plating removal method having this configuration, the Sn plating layer and the Cu—Sn alloy layer are dissolved by an etching solution containing at least nitric acid and sulfuric acid. Here, nitric acid has an action of dissolving both Cu and Sn, and sulfuric acid has an action of selectively dissolving Sn rather than Cu, so that not only the Sn plating layer but also Cu— The Sn alloy layer can also be efficiently dissolved, and the Sn plating layer can be selectively dissolved with sulfuric acid. That is, according to this etching solution, the etching is efficiently performed while Sn is present, and when the Sn is dissolved, the progress of the etching is slowed, and the copper base material can be prevented from being dissolved more than necessary. is there.

ここで、前記エッチング液は、前記硝酸の含有量が前記硫酸の含有量よりも少なくされていることが好ましい。
硝酸は、前述のようにＣｕおよびＳｎの両方を溶解する作用を有しているので、Ｓｎを選択的に溶解する硫酸の含有量を多くすることで、原料として再利用する銅基材を必要以上に溶解することがなくなり、Ｓｎメッキ層およびＣｕ−Ｓｎ層を効率的に溶解することができる。また、硝酸の含有量を少なくすることで、溶解工程における窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生を抑制することができる。
なお、硝酸の含有量Ｘ１と硫酸の含有量Ｘ２との比率Ｘ１／Ｘ２は、１／４≦Ｘ１／Ｘ２＜１の範囲内とすることが好ましい。 Here, it is preferable that the nitric acid content of the etching solution is smaller than the sulfuric acid content.
Since nitric acid has the effect of dissolving both Cu and Sn as described above, it is necessary to increase the content of sulfuric acid that selectively dissolves Sn, thereby requiring a copper base material to be reused as a raw material. No longer being dissolved, the Sn plating layer and the Cu—Sn layer can be efficiently dissolved. Moreover, generation | occurrence | production of the nitrogen oxide (NOx) in a melt | dissolution process can be suppressed by reducing content of nitric acid.
The ratio X1 / X2 between the nitric acid content X1 and the sulfuric acid content X2 is preferably in the range of 1/4 ≦ X1 / X2 <1.

また、前記エッチング液は、水分を含有しており、水分の含有量Ｙは、前記硝酸と前記硫酸の含有量Ｘ（＝Ｘ１＋Ｘ２）との比率Ｘ／Ｙが１≦Ｘ／Ｙ≦４の範囲内となるように設定されていることが好ましい。
エッチング液における水分の含有量Ｙと前記硝酸と前記硫酸の含有量Ｘとの比率Ｘ／Ｙが１以上とされているので、このエッチング液と接触する構造物の劣化を防止できる。また、前記比率Ｘ／Ｙが４以下とされているので、硝酸および硫酸によるＳｎの溶解性を確保することができる。 The etching solution contains moisture, and the moisture content Y is such that the ratio X / Y between the nitric acid and the sulfuric acid content X (= X1 + X2) is 1 ≦ X / Y ≦ 4. It is preferable that it is set to be inside.
Since the ratio X / Y between the moisture content Y and the nitric acid / sulfuric acid content X in the etching solution is 1 or more, deterioration of the structure in contact with the etching solution can be prevented. Further, since the ratio X / Y is 4 or less, the solubility of Sn by nitric acid and sulfuric acid can be ensured.

さらに、前記エッチング液は、特に接液部にステンレス鋼を用いた設備である場合、過酸化水素を含有していることが好ましい。
エッチング液貯留槽等エッチング液と接触する構造物をステンレス鋼で構成している場合には、過酸化水素によってこれら構造物の表面に不働態膜が生成することになり、構造物の劣化を確実に抑制することができる。 Furthermore, it is preferable that the etching solution contains hydrogen peroxide, particularly in the case of equipment using stainless steel in the wetted part.
When structures that come into contact with the etchant, such as an etchant storage tank, are made of stainless steel, a passive film is generated on the surface of these structures by hydrogen peroxide, ensuring the deterioration of the structure. Can be suppressed.

また、前記溶解工程において発生する窒素酸化物を回収して硝酸として再生する回収再生工程を備えていることが好ましい。
この場合、エッチング液に含有された硝酸によって生成する窒素酸化物（ＮＯｘ）を回収して硝酸として再生する回収再生工程を備えているので、窒素酸化物を大気に放出することがなくなり、環境負荷を大幅に低減することができる。また、硝酸として再生するので、硝酸の使用コストを低減することができる。 Moreover, it is preferable to provide the collection | regeneration reproduction | regeneration process which collect | recovers the nitrogen oxides generate | occur | produced in the said melt | dissolution process, and regenerates as nitric acid.
In this case, there is provided a recovery and regeneration step of recovering nitrogen oxide (NOx) produced by nitric acid contained in the etching solution and regenerating as nitric acid, so that nitrogen oxide is not released to the atmosphere, and the environmental load is reduced. Can be greatly reduced. Moreover, since it reproduces | regenerates as nitric acid, the use cost of nitric acid can be reduced.

本発明に係るＳｎメッキ除去装置は、銅または銅合金からなる銅基材の表面の少なくとも一部にＳｎメッキ層が形成されたＳｎメッキ付き銅材料からＳｎを除去する際に使用されるＳｎメッキ除去装置であって、少なくとも硝酸と硫酸とを含有するエッチング液を前記Ｓｎメッキ付き銅材料の表面に供給して前記Ｓｎを溶解するエッチング部を備えていることを特徴としている。 The Sn plating removing apparatus according to the present invention is an Sn plating used when removing Sn from a copper material with Sn plating in which an Sn plating layer is formed on at least a part of the surface of a copper base material made of copper or a copper alloy. It is a removal apparatus, and is characterized by comprising an etching section for supplying an etching solution containing at least nitric acid and sulfuric acid to the surface of the Sn-plated copper material to dissolve the Sn.

この構成のＳｎメッキ除去装置においては、少なくとも硝酸と硫酸とを含有するエッチング液をＳｎメッキ付き銅材料の表面に供給するエッチング部を有しているので、Ｓｎメッキ付き銅材料の表面に形成されたＳｎメッキ層とＣｕ−Ｓｎ合金層とをエッチング液によって溶解することができる。なお、エッチング液をＳｎメッキ付き銅材料の表面に対してシャワーリングするような構成とすると、新たなエッチング液が常にＳｎメッキ付き銅材料の表面に供給されるとともに酸素の取り込みと反応ガスの放出が容易となり液中浸漬での反応よりも強く反応することになり、さらに効率良くＳｎメッキ層とＣｕ−Ｓｎ合金層とを溶解することができる。 Since the Sn plating removing apparatus having this configuration has an etching portion that supplies an etching solution containing at least nitric acid and sulfuric acid to the surface of the Sn-plated copper material, it is formed on the surface of the Sn-plated copper material. Further, the Sn plating layer and the Cu—Sn alloy layer can be dissolved by the etching solution. If the etching solution is showered against the surface of the Sn-plated copper material, a new etching solution is always supplied to the surface of the Sn-plated copper material, and oxygen is taken in and reaction gas is released. And the reaction is stronger than the reaction by immersion in the liquid, and the Sn plating layer and the Cu—Sn alloy layer can be dissolved more efficiently.

ここで、前記エッチング液から発生する窒素酸化物を回収して硝酸として再生する回収再生部を備えていることが好ましい。
この場合、窒素酸化物（ＮＯｘ）を回収して硝酸として再生する回収再生部を備えているので、窒素酸化物を大気に放出することがなくなり、環境負荷を大幅に低減することができる。なお、回収再生部としては、酸素ガス供給手段を備えた温水及び冷水スクラバーを利用することが好ましい。 Here, it is preferable to provide a recovery / regeneration unit that recovers nitrogen oxides generated from the etching solution and regenerates them as nitric acid.
In this case, since the recovery / regeneration unit that recovers nitrogen oxide (NOx) and regenerates it as nitric acid is provided, the nitrogen oxide is not released to the atmosphere, and the environmental load can be greatly reduced. In addition, as a collection | recovery reproduction | regeneration part, it is preferable to utilize the hot water and cold water scrubber provided with the oxygen gas supply means.

また、前記Ｓｎメッキ付き銅材料がコイル状に巻き取られた条材である場合には、Ｓｎメッキ除去装置を、前記Ｓｎメッキ付き銅材料を前記エッチング部に送り出すアンコイラーと、前記エッチング部で前記Ｓｎメッキが除去された前記銅基材を巻き取るコイラーと、を備え、前記Ｓｎメッキ付き銅材料からの前記Ｓｎメッキの除去を連続的に行うように構成してもよい。
この場合には、コイル状に巻き取られたＳｎメッキ付き銅材料を連続的に処理することができ、Ｓｎの除去を効率的に行うことが可能となる。 In addition, when the Sn-plated copper material is a strip wound in a coil shape, the Sn-plating removing device includes an uncoiler that sends the Sn-plated copper material to the etching portion, and the etching portion A coiler that winds up the copper substrate from which the Sn plating has been removed, and the Sn plating may be continuously removed from the Sn-plated copper material.
In this case, the Sn-plated copper material wound in a coil shape can be continuously processed, and Sn can be efficiently removed.

また、前記Ｓｎメッキ付き銅材料が小片状である場合には、Ｓｎメッキ除去装置を、前記エッチング部が、前記Ｓｎメッキ付き銅材料を収容するとともに前記エッチング液が流通可能な連通孔を有する収納容器と、該収納容器に収容された前記Ｓｎメッキ付き銅材料を攪拌する攪拌手段とを有するものとすることが好ましい。
この場合には、攪拌手段によって収納容器内に収容された小片状のＳｎメッキ付き銅材料を攪拌することで、Ｓｎメッキ付き銅材料の表面に確実にエッチング液を供給することができ、効率的にＳｎを除去することができる。 If the Sn-plated copper material is in the form of a small piece, the Sn plating removing device may include a communicating hole in which the etching portion accommodates the Sn-plated copper material and allows the etching solution to flow. It is preferable to have a storage container and a stirring means for stirring the Sn-plated copper material stored in the storage container.
In this case, it is possible to reliably supply the etching solution to the surface of the Sn-plated copper material by stirring the small piece-shaped Sn-plated copper material accommodated in the storage container by the stirring means. Thus, Sn can be removed.

本発明によれば、Ｓｎメッキ付き銅材料から効率良く、かつ、確実にＳｎを除去することが可能なＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the Sn plating removal method and Sn plating removal apparatus which can remove Sn efficiently and reliably from the copper material with Sn plating can be provided.

以下に本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。
図１及び図２に本発明の第１の実施形態であるＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置を示す。
本実施形態であるＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置２０は、例えばリードフレームやコネクタ等の電子部品材料として用いられるＳｎメッキ付き銅材料１０のスクラップ屑等からＳｎを除去するためのものである。また、本実施形態においては、Ｓｎメッキ付き銅材料１０はコイル状に巻取り可能な条材とされている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
1 and 2 show a Sn plating removal method and a Sn plating removal apparatus according to a first embodiment of the present invention.
The Sn plating removal method and the Sn plating removal apparatus 20 according to the present embodiment are for removing Sn from scrap scraps or the like of a copper material 10 with Sn plating used as an electronic component material such as a lead frame or a connector. . In the present embodiment, the Sn-plated copper material 10 is a strip that can be wound in a coil shape.

まず、このＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置２０によって処理されるＳｎメッキ付き銅材料１０について図３を用いて説明する。
このＳｎメッキ付き銅材料１０は、銅または銅合金からなる銅基材１１とこの銅基材１１の表面に形成されたＳｎメッキ層１２とを備えている。そして、銅基材１１とＳｎメッキ層１２との間には、ＳｎとＣｕとが相互に拡散することによりＣｕ−Ｓｎの金属間化合物からなるＣｕ−Ｓｎ合金層１３が形成されている。 First, the Sn plated copper material 10 processed by the Sn plating removing method and the Sn plating removing apparatus 20 will be described with reference to FIG.
The copper material 10 with Sn plating includes a copper base 11 made of copper or a copper alloy, and an Sn plating layer 12 formed on the surface of the copper base 11. And between the copper base material 11 and the Sn plating layer 12, the Cu-Sn alloy layer 13 which consists of an intermetallic compound of Cu-Sn is formed by Sn and Cu diffusing mutually.

ここで、銅基材１１の厚さｔ１は０．１ｍｍ≦ｔ１≦１．０ｍｍの範囲内に、Ｓｎメッキ層１２の厚さｔ２は０．２μｍ≦ｔ２≦３．０μｍの範囲内に、Ｃｕ−Ｓｎ合金層１３の厚さｔ３は０．１μｍ≦ｔ３≦３．０μｍの範囲内に設定されている。このようにＳｎメッキ層があるため、Ｓｎメッキ付き銅材料１０をそのまま原料として再利用することはできない。 Here, the thickness t1 of the copper substrate 11 is in the range of 0.1 mm ≦ t1 ≦ 1.0 mm, and the thickness t2 of the Sn plating layer 12 is in the range of 0.2 μm ≦ t2 ≦ 3.0 μm. The thickness t3 of the Sn alloy layer 13 is set in the range of 0.1 μm ≦ t3 ≦ 3.0 μm. Since there is the Sn plating layer in this way, the Sn-plated copper material 10 cannot be reused as a raw material as it is.

次に、第１の実施形態であるＳｎメッキ除去装置２０について図２を参照にして説明する。
このＳｎメッキ除去装置２０は、コイル状に巻き取られたＳｎメッキ付き銅材料１０を送り出すアンコイラー２１と、Ｓｎメッキ付き銅材料１０の表面に付着した機械油等を除去する脱脂部２２と、Ｓｎメッキ層１２及びＣｕ−Ｓｎ合金層１３を溶解するエッチング部２３と、Ｓｎメッキ層１２及びＣｕ−Ｓｎ合金層１３が除去された銅基材１１に付着したエッチング液３２を除去する洗浄部２４と、銅基材１１を乾燥する乾燥部２５と、乾燥された銅基材１１を巻き取るコイラー２６と、を備えている。 Next, the Sn plating removal apparatus 20 which is 1st Embodiment is demonstrated with reference to FIG.
The Sn plating removing device 20 includes an uncoiler 21 that sends out the Sn-plated copper material 10 wound in a coil shape, a degreasing portion 22 that removes machine oil and the like attached to the surface of the Sn-plated copper material 10, and Sn. An etching unit 23 for dissolving the plating layer 12 and the Cu—Sn alloy layer 13; a cleaning unit 24 for removing the etching solution 32 attached to the copper base material 11 from which the Sn plating layer 12 and the Cu—Sn alloy layer 13 have been removed; A drying unit 25 for drying the copper base material 11 and a coiler 26 for winding the dried copper base material 11 are provided.

脱脂部２２においては、Ｓｎメッキ付き銅材料１０の表面に付着した機械油等を除去する脱脂液３１を噴出するシャワーノズル２２Ａが上下に配置されている。
エッチング部２３においては、Ｓｎメッキ層１２及びＣｕ−Ｓｎ合金層１３を溶解するエッチング液３２を噴出するシャワーノズル２３Ａが上下に配置されている。
洗浄部２４においては、銅基材１１に付着したエッチング液３２を除去する洗浄液３３を噴出するシャワーノズル２４Ａが上下に配置されている。
本実施形態では、図２に示すように、アンコイラー２１から送り出されるＳｎメッキ付き銅材料１０が、脱脂部２２、エッチング部２３、洗浄部２４、乾燥部２５を連続的に通過してコイラー２６に巻き取られるように構成されている。 In the degreasing unit 22, shower nozzles 22A for ejecting a degreasing liquid 31 for removing machine oil and the like attached to the surface of the Sn-plated copper material 10 are arranged vertically.
In the etching unit 23, shower nozzles 23 A that eject an etching solution 32 that dissolves the Sn plating layer 12 and the Cu—Sn alloy layer 13 are arranged vertically.
In the cleaning unit 24, shower nozzles 24 A for ejecting a cleaning solution 33 that removes the etching solution 32 attached to the copper base material 11 are arranged above and below.
In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the Sn-plated copper material 10 delivered from the uncoiler 21 passes through the degreasing unit 22, the etching unit 23, the cleaning unit 24, and the drying unit 25 continuously to the coiler 26. It is configured to be wound up.

エッチング部２３にて噴出されるエッチング液３２は、少なくとも硝酸と硫酸とを含有している。ここで、硝酸の含有量Ｘ１は硫酸の含有量Ｘ２よりも少なく（Ｘ１＜Ｘ２）されていることが好ましく、その比率Ｘ１／Ｘ２は、１／４≦Ｘ１／Ｘ２＜１の範囲内とすることが好ましい。また、硝酸と硫酸の含有量Ｘ（＝Ｘ１＋Ｘ２）に対して水分量Ｙは、その比率Ｘ／Ｙが１≦Ｘ／Ｙ≦４の範囲内となるように設定することが好ましい。 The etching solution 32 ejected by the etching unit 23 contains at least nitric acid and sulfuric acid. Here, the content X1 of nitric acid is preferably smaller than the content X2 of sulfuric acid (X1 <X2), and the ratio X1 / X2 is within the range of 1/4 ≦ X1 / X2 <1. It is preferable. Further, the moisture content Y is preferably set so that the ratio X / Y falls within the range of 1 ≦ X / Y ≦ 4 with respect to the content X (= X1 + X2) of nitric acid and sulfuric acid.

より具体的には、硝酸の含有量Ｘ１は１０ｖｏｌ％≦Ｘ１≦３０ｖｏｌ％の範囲内に、硫酸の含有量Ｘ２は１５ｖｏｌ％≦Ｘ２≦４５ｖｏｌ％の範囲内（但し、Ｘ１＜Ｘ２）に、水分量Ｙは２５ｖｏｌ％≦Ｙ≦７５ｖｏｌ％の範囲内（但し、１≦Ｘ／Ｙ≦４）とすることが好ましい。
本実施形態におけるエッチング液３２は、図１に示すように、硝酸が２０ｖｏｌ％、硫酸が３０ｖｏｌ％、水分が５０ｖｏｌ％とされている。 More specifically, the nitric acid content X1 is within the range of 10 vol% ≦ X1 ≦ 30 vol%, and the sulfuric acid content X2 is within the range of 15 vol% ≦ X2 ≦ 45 vol% (provided that X1 <X2). The amount Y is preferably in the range of 25 vol% ≦ Y ≦ 75 vol% (where 1 ≦ X / Y ≦ 4).
As shown in FIG. 1, the etching solution 32 in the present embodiment is 20 vol% nitric acid, 30 vol% sulfuric acid, and 50 vol% water.

また、本実施形態であるＳｎメッキ除去装置２０は、図２に示すように、エッチング部２３で発生する窒素酸化物（ＮＯｘ）を回収して硝酸に再生する脱窒装置２７を備えている。 In addition, as shown in FIG. 2, the Sn plating removal apparatus 20 according to the present embodiment includes a denitrification apparatus 27 that recovers nitrogen oxide (NOx) generated in the etching unit 23 and regenerates it into nitric acid.

次に、このＳｎメッキ除去装置２０を用いたＳｎメッキ除去方法について図１及び図２を参照にして説明する。
まず、アンコイラー２１からＳｎメッキ付き銅材料１０を連続的に送り出す。送り出されたＳｎメッキ付き銅材料１０は、脱脂部２２内を通過し、脱脂液３１によって表面に付着した機械油等が除去される（脱脂工程Ｓ１）。このように脱脂することによって、エッチング部２３においてエッチング液３２のはじきを防止することが可能となる。 Next, the Sn plating removal method using this Sn plating removal apparatus 20 is demonstrated with reference to FIG.1 and FIG.2.
First, the copper material 10 with Sn plating is continuously sent out from the uncoiler 21. The fed Sn-plated copper material 10 passes through the degreasing portion 22, and the machine oil and the like adhering to the surface is removed by the degreasing liquid 31 (degreasing step S1). By degreasing in this way, it becomes possible to prevent the etchant 32 from repelling in the etching part 23.

次に、脱脂部２２を通過したＳｎメッキ付き銅材料１０はエッチング部２３内を通過する。ここで、少なくとも硝酸と硫酸とを含有するエッチング液３２によってＳｎメッキ層１２及びＣｕ−Ｓｎ合金層１３が溶解される（溶解工程Ｓ２）。これにより、銅基材１１のみが次の工程へと搬送されることになる。 Next, the Sn-plated copper material 10 that has passed through the degreasing portion 22 passes through the etching portion 23. Here, the Sn plating layer 12 and the Cu—Sn alloy layer 13 are dissolved by the etching solution 32 containing at least nitric acid and sulfuric acid (dissolution step S2). Thereby, only the copper base material 11 will be conveyed to the next process.

エッチング部２３を通過した銅基材１１は、洗浄部２４内を通過し、表面に付着しているエッチング液３２が洗浄液３３によって除去される（洗浄工程Ｓ３）。
そして、乾燥部２５を通過して乾燥され（乾燥工程Ｓ４）、コイラー２６に巻き取られるのである。 The copper base material 11 that has passed through the etching part 23 passes through the cleaning part 24, and the etching liquid 32 adhering to the surface is removed by the cleaning liquid 33 (cleaning step S3).
Then, it passes through the drying unit 25 and is dried (drying step S4), and is wound around the coiler 26.

また、エッチング部２３においては、硝酸を含有するエッチング液３２によってＳｎメッキ層１２及びＣｕ−Ｓｎ合金層１３を溶解しているため、窒素酸化物（ＮＯｘ）が発生する。ここで、本実施形態では、この窒素酸化物を回収して硝酸に再生する（回収再生工程Ｓ５）。
このようにして、Ｓｎメッキ付き銅材料１０のＳｎが除去され、銅基材１１のみが回収されることになる。 Moreover, in the etching part 23, since the Sn plating layer 12 and the Cu-Sn alloy layer 13 are dissolved by the etching solution 32 containing nitric acid, nitrogen oxide (NOx) is generated. Here, in this embodiment, this nitrogen oxide is recovered and regenerated into nitric acid (recovery regeneration step S5).
In this way, Sn of the copper material 10 with Sn plating is removed, and only the copper base material 11 is recovered.

このような構成とされた本実施形態であるＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置２０によれば、硝酸と硫酸とを含有するエッチング液３２によってＳｎメッキ層１２とＣｕ−Ｓｎ合金層１３とを溶解するように構成しているので、硝酸によってＳｎメッキ層１２のみでなくＣｕ−Ｓｎ合金層１３も効率的に溶解することができるとともに、硫酸によってＳｎメッキ層１２を選択的に溶解することができる。 According to the Sn plating removal method and the Sn plating removal apparatus 20 of the present embodiment having such a configuration, the Sn plating layer 12 and the Cu—Sn alloy layer 13 are formed by the etching solution 32 containing nitric acid and sulfuric acid. Since it is configured to dissolve, not only the Sn plating layer 12 but also the Cu—Sn alloy layer 13 can be efficiently dissolved by nitric acid, and the Sn plating layer 12 can be selectively dissolved by sulfuric acid. it can.

また、エッチング液３２は、硝酸の含有量Ｘ１が硫酸の含有量Ｘ２よりも少なくされており、本実施形態では、Ｘ１＝２０ｖｏｌ％、Ｘ２＝３０ｖｏｌ％とされているので、Ｓｎを選択的に溶解する硫酸の含有量Ｘ２が多くなり、銅基材１１を必要以上に溶解することがなくなり、Ｓｎメッキ層１２およびＣｕ−Ｓｎ層を選択的に溶解することができる。また、硝酸の含有量Ｘ１を少なくすることで、エッチング部２３（溶解工程Ｓ２）における窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生を抑制することができる。 Further, in the etching solution 32, the content X1 of nitric acid is smaller than the content X2 of sulfuric acid. In this embodiment, X1 = 20 vol% and X2 = 30 vol%. The content X2 of the sulfuric acid to be dissolved increases, so that the copper base material 11 is not dissolved more than necessary, and the Sn plating layer 12 and the Cu—Sn layer can be selectively dissolved. Moreover, generation | occurrence | production of the nitrogen oxide (NOx) in the etching part 23 (dissolution process S2) can be suppressed by reducing content X1 of nitric acid.

また、エッチング液３２において、硝酸と硫酸の含有量Ｘに対して水分量Ｙは、その比率Ｘ／Ｙが１≦Ｘ／Ｙ≦４の範囲内となるように設定されており、より具体的には、水分量Ｙは２５ｖｏｌ％≦Ｙ≦７５ｖｏｌ％の範囲内に設定されているので、エッチング液３２によるエッチングの劣化を防止できるとともに、硝酸および硫酸によるＳｎの溶解性を確保することができる。 In the etching solution 32, the water content Y with respect to the content X of nitric acid and sulfuric acid is set so that the ratio X / Y falls within the range of 1 ≦ X / Y ≦ 4. Since the moisture content Y is set in the range of 25 vol% ≦ Y ≦ 75 vol%, it is possible to prevent the etching deterioration by the etching solution 32 and to secure the solubility of Sn by nitric acid and sulfuric acid. .

さらに、エッチング部２３（溶解工程Ｓ２）において発生する窒素酸化物（ＮＯｘ）を回収して硝酸として再生する脱窒装置２７（回収再生工程Ｓ５）を備えているので、窒素酸化物を大気に放出することがなくなり、環境負荷を大幅に低減することができる。また、再生した硝酸を再利用するので、硝酸の使用コストを低減することができる。 Further, since the denitrification device 27 (recovery regeneration step S5) for recovering nitrogen oxide (NOx) generated in the etching unit 23 (dissolution step S2) and regenerating as nitric acid is provided, the nitrogen oxide is released to the atmosphere. The environmental load can be greatly reduced. Moreover, since the regenerated nitric acid is reused, the cost of using nitric acid can be reduced.

また、コイル状に巻き取られたＳｎメッキ付き銅材料１０を送り出すアンコイラー２１と、Ｓｎメッキ層１２及びＣｕ−Ｓｎ合金層１３が除去された銅基材１１を巻き取るコイラー２６と、を備え、脱脂部２２、エッチング部２３、洗浄部２４、乾燥部２５を連続的に通過するように構成しているので、コイル状に巻き取られたＳｎメッキ付き銅材料１０を連続的に処理することができ、Ｓｎの除去を効率的に行うことが可能となる。
さらに、脱脂部２２、エッチング部２３、洗浄部２４が、それぞれ脱脂液３１、エッチング液３２、洗浄液３３が噴出されるシャワーノズル２２Ａ、２３Ａ、２４Ａを備えているので、常に新たな脱脂液３１、エッチング液３２、洗浄液３３がＳｎメッキ付き銅材料１０又は銅基材１１に供給されることになり、脱脂工程、エッチング工程、洗浄工程を効率的に行うことが可能となる。 In addition, an uncoiler 21 that sends out the Sn-plated copper material 10 wound in a coil shape, and a coiler 26 that winds up the copper base material 11 from which the Sn plating layer 12 and the Cu-Sn alloy layer 13 have been removed, are provided. Since the degreasing unit 22, the etching unit 23, the cleaning unit 24, and the drying unit 25 are configured to pass continuously, the Sn-plated copper material 10 wound in a coil shape can be continuously processed. In addition, Sn can be efficiently removed.
Further, since the degreasing unit 22, the etching unit 23, and the cleaning unit 24 include shower nozzles 22A, 23A, and 24A from which the degreasing solution 31, the etching solution 32, and the cleaning solution 33 are ejected, respectively, a new degreasing solution 31, The etching liquid 32 and the cleaning liquid 33 are supplied to the Sn-plated copper material 10 or the copper base material 11, and the degreasing process, the etching process, and the cleaning process can be performed efficiently.

次に、本発明の第２の実施形態であるＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置について図４及び図５を参照して説明する。
本実施形態であるＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置７０は、例えばリードフレームやコネクタ等の電子部品材料として用いられるＳｎメッキ付き銅材料のスクラップ屑等からＳｎを除去するためのものであり、特に、小片状のスクラップ屑を処理するものである。 Next, the Sn plating removal method and Sn plating removal apparatus which are the 2nd Embodiment of this invention are demonstrated with reference to FIG.4 and FIG.5.
The Sn plating removal method and the Sn plating removal apparatus 70 according to the present embodiment are for removing Sn from scrap material of a copper material with Sn plating used as an electronic component material such as a lead frame and a connector, for example. In particular, small scrap scraps are processed.

本実施形態であるＳｎメッキ除去装置７０は、Ｓｎメッキ付き銅材料の表面に付着した機械油等を除去するための脱脂液８１が貯留された脱脂槽７２と、Ｓｎメッキ層及びＣｕ−Ｓｎ合金層を溶解するエッチング液８２が貯留されたエッチング槽７３と、洗浄液８３が貯留された洗浄槽７４と、銅基材を乾燥させる乾燥部７５と、を備えている。 The Sn plating removal apparatus 70 according to the present embodiment includes a degreasing tank 72 in which a degreasing liquid 81 for removing machine oil and the like attached to the surface of the copper material with Sn plating is stored, an Sn plating layer, and a Cu—Sn alloy. An etching tank 73 in which an etching solution 82 for dissolving a layer is stored, a cleaning tank 74 in which a cleaning liquid 83 is stored, and a drying unit 75 that dries the copper base material are provided.

そして、小片状のＳｎメッキ付き銅材料を収容するとともに、脱脂液８１、エッチング液８２、洗浄液８３が流通可能な連通孔７９を有する収納容器７８を備えている。この収納容器７８は、例えばステンレス鋼で構成されており、この収納容器７８にＳｎメッキ付き銅材料を収容した状態で、脱脂槽７２、エッチング槽７３、洗浄槽７４、乾燥部７５へと装入されるように構成されている。
また、エッチング槽７３には、収納容器７８内に収容された小片状のＳｎメッキ付き銅材料を攪拌するための攪拌手段として超音波発生器７３Ａが設けられている。 And the container 78 which has the communicating hole 79 which can distribute | circulate the degreasing liquid 81, the etching liquid 82, and the washing | cleaning liquid 83 while accommodating small copper material with Sn plating is provided. The storage container 78 is made of, for example, stainless steel, and is charged into the degreasing tank 72, the etching tank 73, the cleaning tank 74, and the drying unit 75 with the Sn-plated copper material stored in the storage container 78. It is configured to be.
Further, the etching tank 73 is provided with an ultrasonic generator 73 A as stirring means for stirring the small piece of Sn-plated copper material accommodated in the storage container 78.

この第２の実施形態においてエッチング槽７３に貯留されるエッチング液８２は、硝酸と硫酸と水分とを含有しており、さらに過酸化水素を含有している。
より具体的には、硝酸の含有量Ｘ１は１０ｖｏｌ％≦Ｘ１≦３０ｖｏｌ％の範囲内に、硫酸の含有量Ｘ２は１５ｖｏｌ％≦Ｘ２≦４５ｖｏｌ％の範囲内（但し、Ｘ１＜Ｘ２）に、水分量Ｙは２５ｖｏｌ％≦Ｙ≦７５ｖｏｌ％の範囲内（但し、１≦Ｘ／Ｙ≦４）とすることが好ましい。また、過酸化水素の含有量Ｚは、硝酸Ｘ１、硫酸Ｘ２、水分Ｙの合計を１００ｖｏｌ％としたときに０．３ｖｏｌ％≦Ｚ≦３０ｖｏｌ％の範囲内となるように設定されている。
本実施形態におけるエッチング液８２は、硝酸が３５ｖｏｌ％、硫酸が４５ｖｏｌ％、水分が１９．５ｖｏｌ％、過酸化水素が０．５ｖｏｌ％とされている。 In the second embodiment, the etching solution 82 stored in the etching tank 73 contains nitric acid, sulfuric acid, and moisture, and further contains hydrogen peroxide.
More specifically, the nitric acid content X1 is within the range of 10 vol% ≦ X1 ≦ 30 vol%, and the sulfuric acid content X2 is within the range of 15 vol% ≦ X2 ≦ 45 vol% (provided that X1 <X2). The amount Y is preferably in the range of 25 vol% ≦ Y ≦ 75 vol% (where 1 ≦ X / Y ≦ 4). Further, the content Z of hydrogen peroxide is set to be in the range of 0.3 vol% ≦ Z ≦ 30 vol% when the total of nitric acid X1, sulfuric acid X2, and moisture Y is 100 vol%.
In this embodiment, the etching solution 82 includes nitric acid at 35 vol%, sulfuric acid at 45 vol%, moisture at 19.5 vol%, and hydrogen peroxide at 0.5 vol%.

また、本実施形態であるＳｎメッキ除去装置７０は、図５に示すように、エッチング槽７３で発生する窒素酸化物（ＮＯｘ）を回収して硝酸に再生する脱窒装置７７を備えている。本実施形態では、この脱窒装置７７で再生された硝酸は、脱脂槽７２の脱脂液８１として再利用される。 Further, as shown in FIG. 5, the Sn plating removal apparatus 70 according to the present embodiment includes a denitrification apparatus 77 that recovers nitrogen oxide (NOx) generated in the etching tank 73 and regenerates it into nitric acid. In the present embodiment, the nitric acid regenerated by the denitrification device 77 is reused as the degreasing liquid 81 in the degreasing tank 72.

次に、このＳｎメッキ除去装置７０を用いたＳｎメッキ除去方法について図４及び図５を参照にして説明する。
まず、小片状のＳｎメッキ付き銅材料を収納容器７８内に収容し、脱脂槽７２内に浸漬する。このとき、連通孔７９を通じて収納容器７８内に脱脂液８１が供給され、脱脂液８１によって表面に付着した機械油等が除去される（脱脂工程Ｓ’１）。 Next, an Sn plating removal method using the Sn plating removal apparatus 70 will be described with reference to FIGS.
First, a small piece of Sn-plated copper material is accommodated in the storage container 78 and immersed in the degreasing tank 72. At this time, the degreasing liquid 81 is supplied into the storage container 78 through the communication hole 79, and the machine oil or the like attached to the surface is removed by the degreasing liquid 81 (degreasing step S′1).

次に、収納容器７８を脱脂槽７２から取り出し、エッチング槽７３内に浸漬する。エッチング槽７３では、硝酸と硫酸と過酸化水素を含有するエッチング液８２が連通孔７９を通じて収納容器７８内に供給され、このエッチング液８２によってＳｎメッキ層及びＣｕ−Ｓｎ合金層が溶解される（溶解工程Ｓ’２）。このとき、エッチング槽７３には攪拌手段として超音波発生器７３Ａが設けられており、超音波をエッチング液８２に伝達することで小片状のＳｎメッキ付き銅材料が攪拌され、エッチング液８２がＳｎメッキ付き銅材料の表面に確実に供給されることになる。 Next, the storage container 78 is taken out from the degreasing tank 72 and immersed in the etching tank 73. In the etching tank 73, an etching solution 82 containing nitric acid, sulfuric acid, and hydrogen peroxide is supplied into the storage container 78 through the communication hole 79, and the Sn plating layer and the Cu—Sn alloy layer are dissolved by the etching solution 82 ( Dissolution step S′2). At this time, the etching tank 73 is provided with an ultrasonic generator 73A as a stirring means. By transmitting ultrasonic waves to the etching solution 82, the small piece of Sn-plated copper material is stirred, and the etching solution 82 is supplied. It is surely supplied to the surface of the Sn-plated copper material.

次に、収納容器７８をエッチング槽７３から取り出し、洗浄槽７４に浸漬する。この洗浄槽７４にでは、洗浄液８３が連通孔７９を通じて収納容器７８内に供給され、この洗浄液８３によって銅基材に付着したエッチング液８２が除去される（洗浄工程Ｓ’３）。
その後、乾燥部７５に装入して銅基材の乾燥を行う（乾燥工程Ｓ’４）。 Next, the storage container 78 is taken out from the etching tank 73 and immersed in the cleaning tank 74. In the cleaning tank 74, the cleaning solution 83 is supplied into the storage container 78 through the communication hole 79, and the etching solution 82 attached to the copper base material is removed by the cleaning solution 83 (cleaning step S'3).
Then, it inserts into the drying part 75 and dries a copper base material (drying process S'4).

また、エッチング槽７３においては、硝酸を含有するエッチング液８２によってＳｎメッキ層及びＣｕ−Ｓｎ合金層を溶解しているため、窒素酸化物（ＮＯｘ）が発生する。ここで、本実施形態では、この窒素酸化物を回収して硝酸に再生し（回収再生工程Ｓ’５）、再生された硝酸を脱脂工程Ｓ’１へと供給する。
このようにして、Ｓｎメッキ付き銅材料のＳｎが除去され、銅基材のみが回収されることになる。 Further, in the etching tank 73, the Sn plating layer and the Cu—Sn alloy layer are dissolved by the etching solution 82 containing nitric acid, so that nitrogen oxide (NOx) is generated. Here, in this embodiment, this nitrogen oxide is recovered and regenerated into nitric acid (recovery regeneration step S′5), and the regenerated nitric acid is supplied to the degreasing step S′1.
In this way, Sn of the copper material with Sn plating is removed, and only the copper base material is recovered.

このような構成とされた本実施形態であるＳｎメッキ除去方法およびＳｎメッキ除去装置７０によれば、エッチング槽７３に、攪拌手段として超音波発生器７３Ａが設けられているので、収納容器７８内に収容された小片状のＳｎメッキ付き銅材料の表面にエッチング液８２を確実に供給することができ、つまり、小片状のＳｎメッキ付き銅材料同士が重なり合った部分にもエッチング液８２を供給することができ、Ｓｎの除去を促進することができる。 According to the Sn plating removal method and the Sn plating removal apparatus 70 of the present embodiment having such a configuration, the ultrasonic generator 73A is provided as an agitation means in the etching tank 73. The etching solution 82 can be reliably supplied to the surface of the small piece of Sn-plated copper material accommodated in the copper plate, that is, the etching solution 82 is also applied to the portion where the small pieces of Sn-plated copper material overlap each other. It can be supplied and can facilitate the removal of Sn.

また、エッチング液８２が過酸化水素を含有しているので、ステンレス鋼で構成された収納容器７８の表面に過酸化水素によって不働態膜が生成し、収納容器７８が硝酸や硫酸によって消耗劣化することを防止できる。これにより、Ｓｎ，Ｃｕ及びそれらの合金のみを選択的に溶解し、鉄系合金（ステンレス鋼等）の溶解を著しく低減できるため収納容器７８の寿命延長を図ることが可能となる。 Further, since the etching solution 82 contains hydrogen peroxide, a passive film is generated by the hydrogen peroxide on the surface of the storage container 78 made of stainless steel, and the storage container 78 is consumed and deteriorated by nitric acid or sulfuric acid. Can be prevented. As a result, only Sn, Cu and their alloys can be selectively melted, and the melting of the iron-based alloy (stainless steel or the like) can be significantly reduced, so that the life of the storage container 78 can be extended.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態においては、エッチング部及びエッチング槽から発生する窒素酸化物を回収して硝酸に再生する脱窒装置を備えたものとして説明したが、これに限定されることはなく、単に窒素酸化物を回収する回収装置を備えたものであってもよい。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
For example, in the present embodiment, it has been described as including a denitrification device that recovers nitrogen oxide generated from the etching unit and the etching tank and regenerates it into nitric acid, but is not limited thereto, and is simply nitrogen. It may be provided with a recovery device for recovering the oxide.

さらに、第２の実施形態においては、小片状のＳｎメッキ付き銅材料を収納容器に収容した状態で脱脂槽、エッチング槽、洗浄槽、乾燥部に逐次装入する構成として説明したが、これに限定されることはなく、収納容器を備えた固定槽に小片状のＳｎメッキ付き銅材料を収容し、固定槽内に脱脂液、エッチング液、洗浄液等を逐次入れ替えるように構成してもよい。 Furthermore, in 2nd Embodiment, although demonstrated as a structure which inserts sequentially into a degreasing tank, an etching tank, a washing tank, and a drying part in the state accommodated in the container with small piece-like Sn plating copper material, However, the present invention is not limited to this, and it is also possible to accommodate a small piece of Sn-plated copper material in a fixed tank equipped with a storage container and sequentially replace the degreasing liquid, etching liquid, cleaning liquid, etc. in the fixed tank. Good.

また、本実施形態では、図３に示すように、銅基材の片面にＳｎメッキ層を形成したものとして説明したが、銅基材の両面にＳｎメッキ層が形成されていてもよく、処理されるＳｎメッキ付き銅材料に特に限定はない。また、下地メッキ層として、Ｃｕ若しくはＣｕ合金層、またはＮｉ若しくはＮｉ合金層が形成されていても適用することができる。 Moreover, in this embodiment, as shown in FIG. 3, although demonstrated as what formed the Sn plating layer in the single side | surface of a copper base material, the Sn plating layer may be formed in both surfaces of a copper base material, and processing. There is no particular limitation on the Sn plated copper material. In addition, the present invention can be applied even when a Cu or Cu alloy layer, or a Ni or Ni alloy layer is formed as the base plating layer.

本発明の第１の実施形態であるＳｎメッキ除去方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the Sn plating removal method which is the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態であるＳｎメッキ除去装置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the Sn plating removal apparatus which is the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態であるＳｎメッキ除去方法及びＳｎメッキ除去装置にて処理されるＳｎメッキ付き銅材料の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the copper material with Sn plating processed with the Sn plating removal method and Sn plating removal apparatus which are the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態であるＳｎメッキ除去方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the Sn plating removal method which is the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態であるＳｎメッキ除去装置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the Sn plating removal apparatus which is the 2nd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１０Ｓｎメッキ付き銅材料
１１銅基材
１２Ｓｎメッキ層
１３Ｃｕ−Ｓｎ合金層
２０、７０Ｓｎメッキ除去装置
２１アンコイラー
２３エッチング部
２６コイラー
２７、７７脱窒装置
３２、８２エッチング液
７３エッチング槽（エッチング部）
７３Ａ超音波発生器（攪拌手段）
７８収納容器
７９連通孔
Ｓ２、Ｓ’２溶解工程
Ｓ５、Ｓ’５回収再生工程 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Copper material with Sn plating 11 Copper base material 12 Sn plating layer 13 Cu-Sn alloy layer 20, 70 Sn plating removal apparatus 21 Uncoiler 23 Etching part 26 Coiler 27, 77 Denitrification apparatus 32, 82 Etching liquid 73 Etching tank (Etching Part)
73A Ultrasonic generator (stirring means)
78 Storage container 79 Communication hole S2, S'2 Dissolution process S5, S'5 Recovery and regeneration process

Claims

A Sn plating removal method for removing Sn from a copper material with Sn plating in which an Sn plating layer is formed on at least a part of the surface of a copper base material made of copper or a copper alloy,
Using an etching solution containing at least nitric acid and sulfuric acid, the Sn plating layer formed on the surface of the copper base material, and a Cu-Sn alloy layer formed between the Sn plating layer and the copper base material A method for removing Sn plating, comprising: a dissolution step of dissolving

2. The Sn plating removal method according to claim 1, wherein the nitric acid content of the etching solution is less than the sulfuric acid content.

The etching solution contains moisture, and the moisture content Y is set so that the ratio X / Y between the nitric acid and the sulfuric acid content X is in the range of 1 ≦ X / Y ≦ 4. The Sn plating removal method according to claim 1, wherein the Sn plating is removed.

The Sn plating removal method according to any one of claims 1 to 3, wherein the etching solution contains hydrogen peroxide.

The Sn plating removal method according to any one of claims 1 to 4, further comprising a recovery / regeneration step of recovering nitrogen oxide generated in the dissolution step and regenerating it as nitric acid.

An Sn plating removing apparatus used when removing Sn from a copper material with Sn plating in which an Sn plating layer is formed on at least a part of the surface of a copper base material made of copper or a copper alloy,
An Sn plating removing apparatus, comprising: an etching unit that supplies an etching solution containing at least nitric acid and sulfuric acid to the surface of the copper material with Sn plating to dissolve the Sn.

The Sn plating removing apparatus according to claim 6, further comprising a recovery / regeneration unit that recovers nitrogen oxide generated from the etching unit and regenerates it as nitric acid.

The copper material with Sn plating is a strip wound in a coil shape,
An uncoiler that feeds the Sn-plated copper material to the etching part, and a coiler that winds up the copper base material from which the Sn has been removed in the etching part,
The Sn plating removing apparatus according to claim 6 or 7, wherein the Sn is continuously removed from the Sn-plated copper material.

The Sn-plated copper material is in the form of small pieces,
While containing the Sn-plated copper material, a storage container having a communication hole through which the etching solution can flow,
8. The Sn plating removing apparatus according to claim 6, wherein the etching unit includes a stirring unit that stirs the copper material with Sn plating stored in the storage container. 9.