JP2010056361A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】単一の光源から出射した光を用いて露光と位置決めを行う場合と比較して露光用光源の交換時期を長くし、高精度な位置決めが可能な露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】この露光装置は、反射型マスクに露光光を照射する露光用光源と、前記反射型マスクに位置決め光を照射する位置決め用光源と、前記露光用光源から前記反射型マスクに至る前記露光光の光路と前記位置決め用光源から前記反射型マスクに至る前記位置決め光の光路との少なくとも一部が共通するように構成された光学素子とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置及び露光方法に関する。

近年、半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴い、露光光として波長が５〜１００ｎｍの極端紫外光（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ光）を使用した露光装置の開発が行われている。ＥＵＶ光は、物質による吸収が非常に大きいため、光学系にレンズを使用できず、ミラー等の反射型の光学素子を使用し、フォトマスクも反射型マスクを使用している（例えば、特許文献１、２参照。）。また、このような露光装置では、高精度な位置決めが要求されている。

特許文献１に記載された露光装置は、露光用のＥＵＶ光の光路とは異なる光路を介して反射型マスク上のアライメントマークに紫外線を照射し、その反射光をセンサで検出してマスクステージのアライメントを行っている。

特許文献２に記載された露光装置は、単一のレーザ光源から露光用のＥＵＶ光、紫外光、可視光及びその他の波長の光を出射し、それらの光のうち波長選択装置で選択した光を反射型マスクに照射し、その反射光をウェハステージに設けたセンサで検出し、ウェハステージのアライメントを行っている。

特許文献３には、露光光と同一光源から、露光光と同一波長のアライメント光が照射される露光装置が記載されている。

特開２００５−３２８８９号公報 特開２０００−１００６９７号公報 特開２００４−２２８２１５号公報

本発明の目的は、単一の光源から出射した光を用いて露光と位置決めを行う場合と比較して露光用光源の交換時期を長くし、高精度な位置決めが可能な露光装置及び露光方法を提供することにある。

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、反射型マスクに露光光を照射する露光用光源と、前記反射型マスクに位置決め光を照射する位置決め用光源と、前記露光用光源から前記反射型マスクに至る前記露光光の光路と前記位置決め用光源から前記反射型マスクに至る前記位置決め光の光路との少なくとも一部が共通するように構成された光学素子と、を備えたことを特徴とする露光装置を提供する。

また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するため、位置決め用光源から位置決め光を、パターン形成用露光光の光路の少なくとも一部と共通する光路を通るように反射型マスクに照射し、前記反射型マスクで反射した前記位置決め光を光検出器により検出する第１の工程と、前記光検出器による前記位置決め光の検出結果に基づいて前記反射型マスク又は前記反射型マスクで反射させた前記露光光が照射される被照射材の位置決めを行う第２の工程と、露光用光源から前記露光光を前記共通する光路を介して前記反射型マスクに照射し、前記反射型マスクで反射した前記露光光を前記被照射材に照射する第３の工程とを含む露光方法を提供する。

本発明によれば、単一の光源から出射した光を用いて露光と位置決めを行う場合と比較して露光用光源の交換時期を長くし、高精度な位置決めが可能となる。

図１は、本発明の実施の形態に係る露光装置の概略の構成を示す図である。同図において、Ｘ、Ｙ、Ｚは、互いに直交する方向を示す（他の図も同様。）。

この露光装置１は、反射型マスク２０が配置されるマスクステージ２と、受光素子（光検出器）３を有するとともに、レジスト（被照射材）が塗布されたウェハ（被加工材）４０が配置されるウェハステージ（被加工材ステージ）４と、露光光５０を出射する露光用光源５と、位置決め光６０を出射する位置決め用光源６と、露光用光源５からの露光光５０、又は位置決め光源６からの位置決め光６０を反射型マスク２０に照射する照明光学系７と、反射型マスク２０で反射した露光光５０又は位置決め光６０をマスクステージ２上に投影する投影光学系８と、マスクステージ２を駆動するマスクステージ駆動部９と、ウェハステージ４を駆動するウェハステージ駆動部１０と、アライメントに用いられる顕微鏡１１と、この装置１の各部を制御する制御部１２とを備える。

また、露光装置１は、露光光５０と位置決め光６０とが共通する光路を介して反射型マスク２０に照射するように構成されている。ここで、「共通する光路」とは、露光光５０の光束が通過する空間内に位置決め光６０の主光線がある場合、あるいは反対に、位置決め光６０の光束が通過する空間内に露光光５０の主光線がある場合をいう。

また、本実施の形態の露光光５０は、後述するように波長５〜２０ｎｍの極端紫外光を用いる。極端紫外光は、大気雰囲気中では大気分子に衝突して散乱してしまう性質を有するため、少なくとも露光用光源５、照明光学系７、反射型マスク２０、投影光学系８及びウェハ４０を真空雰囲気内に配置している。

マスクステージ２は、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、マスクステージ２には、反射型マスク２０をＸ方向及びＹ方向に移動させるマスクステージ駆動部９が接続されている。また、マスクステージ２は、上記反射型マスク２０を静電吸着により固定できるように構成されている。

ウェハステージ４は、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に構成されており、ウェハステージ４には、ウェハ４０をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させるウェハステージ駆動部１０が接続されている。また、ウェハステージ４は、上記ウェハ４０を静電吸着により固定できるように構成されている。

制御部１２は、この装置１の各部を制御するＣＰＵと、データ、プログラム等が記憶されたメモリ等から構成されている。制御部１２は、反射型マスク２０及びウェハ４０を、投影光学系８の縮小倍率に比例した速度比（例えば４：１）で同期してＸ及びＹ方向に走査するようにマスクステージ駆動部９及びウェハステージ駆動部１０を制御する。

（露光用光源）
露光用光源５は、例えば、波長５〜２０ｎｍ（具体的には波長１３．５ｎｍ）の極端紫外光の露光光５０を出射するＥＵＶ光源を用いる。ＥＵＶ光源として、例えば、レーザ光でプラズマを励起するレーザ励起型プラズマ光源や、放電によりプラズマを励起する放電型プラズマ光源等を用いることができる。本実施の形態は、放電型プラズマ光源よりもパワーの大きいレーザ励起型プラズマ光源を用いる。波長５〜２０ｎｍ程度のＥＵＶ光源を用いることにより、５０ｎｍ以下の微細加工が可能になる。

露光用光源５から出射した露光光５０は、照明光学系７を介して反射型マスク２０の表面に垂直な方向に対して傾斜した角度（例えば６°）で入射し、反射型マスク２０で反射した後、投影光学系８からウェハ４０に垂直に入射するように構成されている。位置決め光６０も露光光５０と同じ光路を進み、反射型マスク２０に対して傾斜した角度（例えば６°）で入射し、受光素子３に垂直に入射するように構成されている。露光用光源５の詳細の構成は、後述する。

（位置決め用光源）
位置決め用光源６は、例えば、露光光５０と同一の波長のＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源を用いることができる。ＥＵＶ光源として、レーザ励起型プラズマ光源や放電型プラズマ光源等を用いることができる。本実施の形態は、レーザ励起型プラズマ光源よりも寿命が長く、パワーの小さい放電型プラズマ光源を用いる。これにより、位置決め用光源６の長寿命化が期待できる。

なお、位置決め用光源６は、露光光５０と波長が同一で露光光５０よりも低パワーの位置決め光６０を出射するのなら、露光用光源５との同種の光源を低パワーで用いてもよい。また、位置決め用光源６は、ＥＵＶ光とは異なる他の波長の光を出射する光源、例えば、波長２００ｎｍ程度の遠紫外光（Deep Ultraviolet）を発生するＤＵＶ光源、波長２５０ｎｍ程度の紫外光を発生するエキシマーレーザ、波長６３３ｎｍ程度の可視光を発生するＨｅ・Ｎｅレーザ等を用いてもよい。

（反射型マスク）
反射型マスク２０には、アライメントマーク２１が形成され、このアライメントマーク２１を基準にパターンが形成されている。また、反射型マスク２０は、石英ガラス等からなる基板と、この基板上に屈折率の異なる薄膜が交互に積層されて構成され、露光光５０及び位置決め光６０を反射する反射多層膜と、この反射多層膜上の一部に形成され、露光光５０及び位置決め光６０を吸収する吸収体層とを備え、吸収体層の有無によってパターン及びアライメントマーク２１が形成されている。反射多層膜は、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ等を用いることができる。吸収体層は、例えば、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等を用いることができる。

（照明光学系）
照明光学系７は、露光用光源５の光軸５ａ上に配置されたフィルタ（第２の光学素子）７０と、第１乃至第４のミラー７１Ａ〜７１Ｄと、露光用光源５の光軸５ａ上であって、フィルタ７０の前段に配置され、露光光５０又は位置決め光６０を選択して反射型マスク２０に照射する可動ミラー（光学素子）７２と、可動ミラー７２を駆動する可動ミラー駆動部７３とを備える。

フィルタ７０は、露光光５０及び位置決め光６０の波長（１３．５ｎｍ）を含む所定の波長帯域（例えば５〜２０ｎｍ）を透過させ、それ以外の波長をカットする特性を有する。なお、フィルタ７０は、露光用光源５や位置決め用光源６に内蔵してもよい。ここで、フィルタ７０のかわりに選択的に光を反射するミラー（第２の光学素子）を用いても良い。すなわち、露光光５０及び位置決め光６０の波長を含む特定の波長の光に対する反射率を高め、一方で、その他の波長の光に対する反射率を低くするミラーを用いることができる。このミラーで反射した光は、反射型マスク２０へと導かれる。さらには、フィルタとミラーを混在させた素子（第２の光学素子）を用いて、露光光５０及び位置決め光６０の波長を含む特定の波長の光を選択的に反射型マスク２０に導入することも可能である。

可動ミラー７２は、露光光５０の光路上の第１の位置Ｐ_１と光路から退避した第２の位置Ｐ_２との間を平行移動可能に設けられている。なお、可動ミラー７２は、回転可能に設けられていてもよい。可動ミラー７２が第１の位置Ｐ_１に位置するときは、可動ミラー７２は、位置決め用光源６からの位置決め光６０を反射型マスク２０側に反射し、露光用光源５からの露光光５０を反射型マスク２０側と異なる方向に反射する。可動ミラー７２が第２の位置Ｐ_２に位置するときは、可動ミラー７２は、位置決め用光源６からの位置決め光６０を反射型マスク２０側とは異なる方向に反射し、露光用光源５からの露光光５０を反射型マスク２０側に通過させる。

可動ミラー駆動部７３は、例えば、モータ、ソレノイド等を用いることができ、制御部１２により制御される。

第１及び第２のミラー７１Ａ，７１Ｂの反射面は、同図では平坦面であるが、凹面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。第３及び第４のミラー７１Ｃ，７１Ｄの反射面は、同図では凹面であるが、平坦面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。また、ミラー７１Ａ〜７１Ｄの数は、同図では４枚であるが、６枚等でもよい。

（投影光学系）
投影光学系８は、第１乃至第６のミラー８０Ａ〜８０Ｅを備える。第１乃至第６のミラー８０Ａ〜８０Ｅの反射面は、同図では凹面であるが、平坦面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。ミラー８０Ａ〜８０Ｅの数は、同図では６枚であるが、４枚、８枚等でもよい。ミラーの枚数が少ない程、光の利用効率を高くすることができ、ミラーの枚数が多い程、ＮＡ（開口数）を大きくすることができる。本実施の形態の投影光学系８のＮＡは、例えば０．２５、縮小倍率は、例えば１／４である。

図２は、露光用光源５の構成例を示す図である。露光用光源５は、真空チャンバー５１と、真空チャンバー５１内にノズル５２ａを介してキセノン（Ｘｅ）ガス、Ｓｎドロップレット（液滴）等のターゲット５３をジェットの状態で供給するターゲット供給部５２と、真空チャンバー５１内に供給されたターゲット５３に集光レンズ５４及び窓５１ａを介してレーザ光５５ａを照射してターゲット５３を励起するレーザ発振器５５と、ターゲット５３が励起されてプラズマ５６とともに発生したＥＵＶ光５７を二次光源５８の位置に集光するコレクタミラー５９とを備える。二次光源５８の位置に集光したＥＵＶ光５７は、露光光５０として窓５１ｂを介して反射型マスク２０側に出射される。

コレクタミラー５９は、中央にレーザ光５５ａを通過させるための穴５９ａが形成され、内面にＥＵＶ光５７を反射する多層膜コート５９ｂが形成されている。コレクタミラー５９の多層膜コート５９ｂには、ＥＵＶ光５７とともにプラズマ５６も到達する。プラズマ５６は、かなりの高エネルギーの粒子であるため、多層膜コード５９ｂに損傷を与える。具体的には、膜が徐々に削れていき、反射率が低下し、最後にはミラーとして役に立たなくなる。露光用光源５は、コレクタミラー５９が真空チャンバー５１に収容されて一体化された構造になっているため、コレクタミラー５９の寿命が露光用光源５の寿命となる。

図３は、反射型マスク２０の一例を示す平面図である。反射型マスク２０は、図３（ａ）に示すように、吸収体層からなるマスクパターンが形成されたマスクパターン形成領域２２と、マスクパターン形成領域２２の周辺に形成されたアライメントマーク２１とを備える。アライメントマーク２１は、ｘ方向位置決め用のアライメントマーク２１ａと、ｙ方向位置決め用のアライメントマーク２１ｂとから構成されている。

ｘ方向位置決め用のアライメントマーク２１ａは、図３（ｂ）に示すように、反射多層膜が露出して構成された複数（例えば６個）白パターン２４と、吸収体層からなる黒地２３の部分とから構成されている。白パターン２４は、長辺と短辺からなるＹ方向に延びる矩形パターンであり、ｘ方向位置決め用のアライメントマーク２１ａは、複数の白パターン２４がＸ方向に配列されている。

ｙ方向位置決め用のアライメントマーク２１ｂは、ｘ方向位置決め用のアライメントマーク２１ａを９０度回転させたパターン形状を有する。

図４は、受光素子３の一例を示す平面図である。受光素子３は、例えば、矩形状の受光面を有するフォトダイオードと、受光面の全面にｘ方向スリット（受光窓）３１とｙ方向スリット（受光窓）３２が形成された遮光板３０を配置した構造を有する。ｘ方向スリット３１は、Ｘ方向に延びる矩形状の開口であり、ｙ方向スリット３２は、Ｙ方向に延びる矩形状の開口である。

（アライメントシーケンス）
重ね合わせ露光をする際、前の工程で加工されたウェハ上に正確に位置合わせする必要がある。次に、この重ね合わせ露光する際のアライメントシーケンスについて説明する。

（１）ウェハ上のアライメントマークの位置検出
まず、重ね合わせ露光をするための反射型マスク２０をマスクステージ２に静電吸着により固定する。反射型マスク２０は、公知の位置決め方法でマスクステージ２上に位置決めされる。例えば、位置決め光６０をアライメントマーク２１に照射し、露光装置１内に設置された検出センサ（図示せず）で検出し、その検出結果に基づいてマスクステージ２をＸ方向及びＹ方向に移動して位置決めしてもよい。また、反射型マスク２０上の十字マークに露光装置１内に設置された十字マーク検出センサ（図示せず）から２４８ｎｍの紫外線を照射し、その反射光を十字マーク検出センサで検出し、その検出結果に基づいて反射型マスク２０を位置決めしてもよい。

次に、露光装置１内に設置された顕微鏡１１で観察しながら、ウェハステージ４をウェハステージ駆動部１０によりＸ方向及びＹ方向に移動させ、顕微鏡１１の直下にウェハ４０上のアライメントマーク４１が来るようにする。次に、ウェハステージ４のＸ方向及びＹ方向の座標位置をレーザ干渉計（図示せず）で測定する。ウェハステージの座標位置をアライメントマーク４１の座標位置（基準位置）とする。

（２）ベースラインの測定
顕微鏡１１から下方に照明光１１０を出射させ、顕微鏡１１の直下に受光素子３のｘ方向スリット３１及びｙ方向スリット３２を移動させる。ウェハステージ４のＸ方向及びＹ方向の座標位置をレーザ干渉計で測定する。これにより、基準位置に対する、顕微鏡１１の光軸１１ａのＸ方向及びＹ方向の座標位置を検出することができる。

次に、可動ミラー７２を可動ミラー駆動部７３により第１の位置Ｐ_１に位置させる。位置決め用光源６から位置決め光６０を出射させ、位置決め光６０を照明光学系７を介して反射型マスク２０上のアライメントマーク２１に照射し、その反射光が投影光学系８を介して受光素子３のｘ方向スリット３１に入射するように、マスクステージ２をマスクステージ駆動部９によりＸ方向及びＹ方向に移動させる。反射型マスク２０からの反射光がｘ方向スリット３１に入射したときの、ウェハステージ４のＹ方向の座標位置をレーザ干渉計で測定する。これと同様に、ｙ方向スリット３２を用いて射型マスク２０からの反射光がｘ方向スリット３１に入射したときの、ウェハステージ４のＸ方向の座標位置をレーザ干渉計で測定する。これにより、顕微鏡１１の光軸１１ａに対する投影光学系８の光軸８ａのＸ方向及びＹ方向の座標位置を検出することができ、顕微鏡１１の光軸１１ａと投影光学系８の光軸８ａとの距離であるベースライン１３を測定することができる。また、ベースライン１３の測定値を用いて投影光学系８の光軸８ａに対してウェハ４０を所望の位置に位置決めすることができる。

（３）フォーカス方向の位置決め
図５は、フォーカス方向の位置決めを説明するための図であり、受光素子３が検出した光量検出信号とウェハステージ４の座標位置との関係を示す図である。

位置決め光源６から位置決め光６０を出射させ、位置決め光６０を照明光学系７を介して反射型マスク２０のアライメントマーク２１に照射させる。アライメントマーク２１は、例えば、ｘ方向アライメントマーク２１ａを用いる。位置決め光６０は、反射型マスク２０のｘ方向アライメントマーク２１ａで反射した後、投影光学系８を介してウェハステージ４上に照射する。このとき、ウェハステージ４のＺ方向の位置を所定の位置に保ちつつ、ウェハステージ４を例えばＸ方向に走査させて受光素子３で光量を検出する。この動作をウェハステージ４をＺ方向に所定の距離毎に移動させて行う。受光素子３が検出する光量は、ｙ方向スリット３２を透過した光量である。

このようにして例えば、図５に示す光量検出信号が得られる。図５の破線で示す波形は、受光素子３がベストフォーカス位置でない場合を示し、図５の実線で示す波形は、受光素子３がベストフォーカス位置に近い場合を示す。受光素子３がベストフォーカス位置でない場合は、光量検出信号の立上りと立下りの傾斜が緩やかとなり、受光素子３がベストフォーカス位置に近づくと、光量検出信号と立上りと立下りの傾斜が急峻となる。光量検出信号の立上りと立下りの傾斜が最も急峻となるウェハステージ４のＺ方向の位置がベストフォーカス位置となる。ウェハ４０の上面と受光素子３の上面とがオフセットされている場合には、そのオフセット分だけウェハステージ４をＺ方向に移動することにより、ウェハ４０の上面がベストフォーカス位置となる。なお、光量検出は、反射型マスク２０のｙ方向アライメントマーク２１ｂと受光素子３のｘ方向スリット３１を用いて行ってもよい。

その後は、次のように露光工程が行われる。すなわち、可動ミラー７２を可動ミラー駆動部７３により第２の位置Ｐ_２に位置させ、露光用光源３から露光光５０を出射させる。制御部１２は、測定されたベースラインに基づいて、反射型マスク２０及びウェハ４０を、投影光学系８の縮小倍率に比例した速度比（例えば４：１）で同期してＸ及びＹ方向に走査するようにマスクステージ駆動部９及びウェハステージ駆動部１０を制御する。この制御により、反射型マスク２０のパターンの像がウェハ４０上のレジストに投影される。

（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（ａ）位置決め用として露光用光源５とは別に位置決め用光源６を用いているので、単一の光源から出射する光を露光と位置決めに用いる場合と比較して、露光用光源５の交換時期を長くすることができる。
（ｂ）反射型マスク２０に入射する光路の一部は、位置決め光６０と露光光５０とで同一であり、位置決め光６０として、露光光５０と同一の波長を用いているので、吸収、反射、散乱等の特性が露光光５０とほぼ同一となり、高精度な位置決めを行うことができる。
（ｃ）フィルタを介して露光光及び位置決め光を反射型マスクに照射しているので、高精度なパターンの像の転写及び位置決めを行うことができる。
（ｄ）位置決め光をスリットを介して検出することにより、ＣＣＤを用いなくても高い分解能でベストフォーカス位置を検出することができる。

（光学系の変形例１）
図１に示す構成において、露光用光源５と位置決め用光源６とを入替えて配置してもよい。この場合、露光用光源５からの露光光５０を用いるときは、可動ミラー７２を第１の位置Ｐ_１に移動させ、位置決め用光源６からの位置決め光６０を用いるときは、可動ミラー７２を第２の位置Ｐ_２に移動させる。

（光学系の変形例２）
図１に示す構成において、可動ミラー７２の配置位置をフィルタ７０の後段とし、可動ミラー７２の配置位置の変更に伴って位置決め用光源６の配置位置を変更してもよい。例えば、可動ミラー７２をミラー７１Ｄと反射型マスク２０との間に配置してもよい。

（光学系の変形例３）
位置決め光として露光光と異なる波長のものを用い、光学素子としてミラーの代わりに、露光光を透過させるとともに位置決め光を反射させ、又は露光光を反射させるとともに、位置決め光を透過させるビームスプリッタを用いてもよい。これにより、光学素子の位置調整が容易になる。

図１は、本発明の実施の形態に係る露光装置の概略の構成を示す図である。 図２は、露光用光源の構成例を示す図である。 図３（ａ）は、反射型マスクの一例を示す平面図、図３（ｂ）は、ｘ方向位置決め用のアライメントマークを示す平面図である。 図４は、受光素子の一例を示す平面図である。 図５は、フォーカス方向の位置決めを説明するための図であり、受光素子が検出した光量検出信号とウェハステージの座標位置との関係を示す図である。

符号の説明

１…露光装置、２…マスクステージ、３…受光素子、４…ウェハステージ、５…露光用光源、５ａ…光軸、６…位置決め用光源、７…照明光学系、８…投影光学系、８ａ…光軸、９…マスクステージ駆動部、１０…ウェハステージ駆動部、１１…顕微鏡、１１ａ…光軸、１２…制御部、１３…ベースライン、２０…反射型マスク、２１…アライメントマーク、２１ａ…ｘ方向アライメントマーク、２１ｂ…ｙ方向アライメントマーク、２２…マスクパターン形成領域、２３…黒地、２４…白パターン、３０…遮光板、３１…ｘ方向スリット、３２…ｙ方向スリット、４０…ウェハ、４１…アライメントマーク、５０…露光光、５１…真空チャンバー、５１ａ，５１ｂ…窓、５２…ターゲット供給部、５２ａ…ノズル、５３…ターゲット、５４…集光レンズ、５５…レーザ発振器、５５ａ…レーザ光、５６…プラズマ、５７…ＥＵＶ光、５８…二次光源、５９…コレクタミラー、５９ａ…穴、５９ｂ…多層膜コート、６０…位置決め光、７０…フィルタ、７１Ａ〜７１Ｄ…ミラー、７２…可動ミラー、７３…可動ミラー駆動部、８０Ａ〜８０Ｅ…ミラー、１１０…照明光

Claims (5)

1. 反射型マスクに露光光を照射する露光用光源と、
   前記反射型マスクに位置決め光を照射する位置決め用光源と、
   前記露光用光源から前記反射型マスクに至る前記露光光の光路と前記位置決め用光源から前記反射型マスクに至る前記位置決め光の光路との少なくとも一部が共通するように構成された光学素子と、
   を備えたことを特徴とする露光装置。
2. 前記位置決め用光源は、前記露光光よりも波長が小さい前記位置決め光を出射する請求項１に記載の露光装置。
3. 前記露光用光源から前記反射型マスクに至る前記露光光の光路上に設けられ、前記露光光及び前記位置決め光の波長を含む所定の波長領域の波長を選択して前記反射型マスクへ導く第２の光学素子を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
4. 位置決め用光源から位置決め光を、パターン形成用露光光の光路の少なくとも一部と共通する光路を通るように反射型マスクに照射し、前記反射型マスクで反射した前記位置決め光を光検出器により検出する第１の工程と、
   前記光検出器による前記位置決め光の検出結果に基づいて前記反射型マスク又は前記反射型マスクで反射させた前記露光光が照射される被照射材の位置決めを行う第２の工程と、
   露光用光源から前記露光光を前記共通する光路を介して前記反射型マスクに照射し、前記反射型マスクで反射した前記露光光を前記被照射材に照射する第３の工程とを含む露光方法。
5. 前記第２の工程は、前記光検出器による前記位置決め光の検出結果に基づいて、前記被照射材が載せられる前記被加工材ステージを光軸方向に移動させることによりフォーカス方向の位置決めを行う請求項４に記載の露光方法。

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