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JP2009213946A - Surface treatment apparatus - Google Patents

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JP2009213946A
JP2009213946A JP2008056951A JP2008056951A JP2009213946A JP 2009213946 A JP2009213946 A JP 2009213946A JP 2008056951 A JP2008056951 A JP 2008056951A JP 2008056951 A JP2008056951 A JP 2008056951A JP 2009213946 A JP2009213946 A JP 2009213946A
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Osamu Yoshimoto
修 吉本
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則之 田中
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一郎 藤田
Hiroyoshi Sasaki
啓能 佐々木
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一高 森
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment apparatus which can suppress impairs of members or the like constituting the apparatus, and a processing unevenness of an object to be treated. <P>SOLUTION: The surface treatment apparatus 100 includes a diluent gas supply unit 1 supplying a diluent gas, a fluorine gas supply unit 2 supplying a fluorine gas, a mixer 5 mixing the diluent gas and the fluorine gas to produce a mixed gas, and a reactor vessel 6 contacting the object to be treated with the mixed gas, and is characterized by comprising further a heating means 8 heating the diluent gas. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、フッ素ガスを用いて試料の表面処理、表面改質等を行う表面処理装置に関するものである。   The present invention relates to a surface treatment apparatus that performs surface treatment, surface modification, etc. of a sample using fluorine gas.

従来から、有機物等をフッ素ガスによって処理する表面改質や表面処理が行われており、例えば、下記特許文献に示す表面処理装置が知られている。特許文献1に開示されている表面処理装置は、フッ素ガス源と不活性ガス源とにそれぞれ連絡している供給管を備えたガス調整槽と、前記ガス調整槽とガス導管で連絡されている処理槽と、排ガス処理装置とを備えたものであり、小規模な表面処理や希薄なフッ素ガスを用いて行う表面処理に好適な装置である。   2. Description of the Related Art Conventionally, surface modification or surface treatment for treating an organic substance or the like with a fluorine gas has been performed. The surface treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 is connected by a gas adjustment tank having a supply pipe communicating with a fluorine gas source and an inert gas source, and the gas adjustment tank and a gas conduit. The apparatus includes a treatment tank and an exhaust gas treatment apparatus, and is suitable for small-scale surface treatment and surface treatment performed using dilute fluorine gas.

特開2000−319433号公報JP 2000-319433 A

ここで、容量の大きな処理槽を用いて表面処理を行った場合は、処理槽内における被処理物の詰め位置やガスの流路やガス澱み等の影響で、処理ムラが生じやすいことがあった。この処理ムラを防止する方法として、例えば、加熱した条件において表面処理を行う方法があり、処理槽に被処理物を所定の温度に加熱する加熱手段を備えたものがある。しかしながら、このような装置においても、処理槽内で、被処理物と該被処理物を処理するために供給される混合ガスとの間で温度差が生じて、処理ムラが生じることがあった。また、処理槽へ混合ガスを導入すると、混合ガスに含まれた反応性の高いフッ素ガスによって、混合ガス導入開始直後から反応が開始され、これにより処理ムラが生じやすいことがあった。特に、処理槽の容量が大きい場合には、混合ガスが処理槽内に均一に拡散して処理槽内の条件が均一になる前に、ガス導入部付近から表面処理が開始され、処理ムラが生じるおそれがあった。このような問題を低減させるために、あらかじめ加熱した混合ガスを処理槽へ供給して、被処理物と混合ガスとの温度差が生じにくいようにしていたが、反応器までの短い流路において短時間で混合ガスを加熱する必要があり、さらに、所望する加熱(処理)温度に数十度以上加えた高温によって、ガスが流れる配管の外側から混合ガスを加熱する必要があった。このため、混合ガスに含まれるフッ素ガスの温度が急激に上昇し、フッ素ガスの反応性が高温となって更に高められることによって、ガス導管やバルブ等に使用されている金属製の部材や、これらの内部にパッキン等として使用されている樹脂材が耐食性の高い材質を用いて形成されたとしても、その高い反応性により局部的に腐食等の損傷を受けるおそれがあった。   Here, when surface treatment is performed using a treatment tank with a large capacity, processing unevenness may easily occur due to the influence of the filling position of the object to be treated, the gas flow path, gas stagnation, etc. in the treatment tank. It was. As a method for preventing this processing unevenness, for example, there is a method of performing a surface treatment under a heated condition, and there is a method in which a processing tank is provided with a heating means for heating an object to be processed to a predetermined temperature. However, even in such an apparatus, a temperature difference may occur between the object to be processed and the mixed gas supplied to process the object to be processed in the processing tank, resulting in processing unevenness. . Moreover, when the mixed gas is introduced into the treatment tank, the reaction is started immediately after the start of the mixed gas introduction by the highly reactive fluorine gas contained in the mixed gas, which may cause uneven processing. In particular, when the capacity of the treatment tank is large, the surface treatment is started from the vicinity of the gas introduction part before the mixed gas is uniformly diffused into the treatment tank and the conditions in the treatment tank become uniform, and uneven processing is caused. There was a risk of it occurring. In order to reduce such a problem, a preheated mixed gas is supplied to the treatment tank so that a temperature difference between the object to be treated and the mixed gas is less likely to occur, but in a short flow path to the reactor It is necessary to heat the mixed gas in a short time, and further, it is necessary to heat the mixed gas from the outside of the pipe through which the gas flows at a high temperature added to the desired heating (treatment) temperature by several tens of degrees. For this reason, the temperature of the fluorine gas contained in the mixed gas rises rapidly, and the reactivity of the fluorine gas is further increased to a high temperature, so that a metal member used for a gas conduit or a valve, Even if a resin material used as a packing or the like is formed using a material having high corrosion resistance, there is a risk of local damage such as corrosion due to its high reactivity.

そこで、本発明は、装置を構成している部材等の損傷及び被処理物の処理ムラを抑止することができる表面処理装置を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the surface treatment apparatus which can suppress damage to the member etc. which comprise an apparatus, and the process nonuniformity of a to-be-processed object.

課題を解決するための手段及び効果Means and effects for solving the problems

本発明の表面処理装置は、希釈ガスを供給する希釈ガス供給装置と、フッ素ガスを供給するフッ素ガス供給装置と、前記希釈ガスと、前記フッ素ガスとを混合して混合ガスを生成させる混合器と、前記混合ガスに被処理物を接触させる反応器とを備えた表面処理装置であって、前記希釈ガスを加熱する加熱手段をさらに備えているものである。特に、前記加熱手段が、前記希釈ガスと前記フッ素ガスとを混合する前に、前記希釈ガスを加熱するものであることが好ましい。   A surface treatment apparatus according to the present invention includes a dilution gas supply device that supplies a dilution gas, a fluorine gas supply device that supplies a fluorine gas, and a mixer that generates a mixed gas by mixing the dilution gas and the fluorine gas. And a reactor for contacting the object to be treated with the mixed gas, further comprising a heating means for heating the dilution gas. In particular, it is preferable that the heating means heats the dilution gas before mixing the dilution gas and the fluorine gas.

上記構成によれば、希釈ガスを加熱器で加熱し、加熱した希釈ガスとフッ素ガスとを混合することができるので、フッ素ガスが必要以上に高温となりにくくなり、装置を構成している部材等に腐食等の損傷が生じることを抑止できる。また、加熱された混合ガスを反応器へ供給することができるので、被処理物の処理ムラが生じることを抑止できる表面処理装置を提供することができる。   According to the above configuration, since the diluted gas can be heated by the heater and the heated diluted gas and the fluorine gas can be mixed, the fluorine gas is less likely to be heated to an unnecessarily high temperature, and the members constituting the apparatus. It is possible to prevent damage such as corrosion from occurring. Further, since the heated mixed gas can be supplied to the reactor, it is possible to provide a surface treatment apparatus that can suppress the occurrence of processing unevenness of the object to be processed.

また、本発明の表面処理装置においては、前記希釈ガスを駆動源として、前記フッ素ガスを吸い込むエジェクターをさらに備えていることが好ましい。ここで、エジェクターとは、流速を速くすることにより減圧状態として気体を引き込むことができるものである。   The surface treatment apparatus of the present invention preferably further includes an ejector that sucks in the fluorine gas using the dilution gas as a drive source. Here, the ejector is a device that can draw gas in a reduced pressure state by increasing the flow velocity.

上記構成によれば、エジェクターにより、希釈ガスを駆動源として、フッ素ガスをフッ素ガス供給装置から引き込むことができる。これにより、フッ素ガスの供給圧力を低減することができるので、フッ素ガスの高圧貯蔵を抑止でき、より安全にフッ素ガスを貯蔵及び使用することができる。また、希釈ガスよりも供給量の少ないフッ素ガスをより正確な量で供給できる。   According to the above configuration, the ejector can draw the fluorine gas from the fluorine gas supply device using the dilution gas as the drive source. Thereby, since the supply pressure of fluorine gas can be reduced, high-pressure storage of fluorine gas can be suppressed, and fluorine gas can be stored and used more safely. In addition, it is possible to supply fluorine gas in a more accurate amount, which is less supplied than the dilution gas.

また、本発明の表面処理装置においては、前記希釈ガス供給装置と前記混合器とに配管を介して接続されている第1流量調整手段と、前記第1流量調整手段の上流側及び下流側に設けられている圧力計と、前記希釈ガス供給装置と前記第1流量調整手段の上流側に設けられている圧力計とに配管を介して接続されている圧力調節用バルブとさらに備えていることが好ましい。   In the surface treatment apparatus of the present invention, the first flow rate adjusting means connected to the dilution gas supply device and the mixer via a pipe, and upstream and downstream of the first flow rate adjusting means. A pressure control valve connected via a pipe to the pressure gauge provided and the pressure gauge provided upstream of the dilution gas supply device and the first flow rate adjustment means; Is preferred.

上記構成によれば、圧力調節用バルブによって第1流量調整手段に一定の駆動差圧をかけることができるので、希釈ガス供給装置及び第1流量調整手段の下流側に設けられている配管や、反応器内圧等の圧力による影響に関係なく、一定の流量で希釈ガスを供給することができる。なお、第1流量調整手段としては、例えば、マスフローコントローラー等を用いることができる。ここで、マスフローコントローラーとは、気体の質量流量を電気信号にて正確に制御するものである。従って、希釈ガスの質量流量を制御できるため、温度・供給圧力の影響を受けることなく、より正確で安定した希釈ガスの流量制御が可能なものである。   According to the above configuration, since the first flow rate adjusting unit can be applied with a constant driving differential pressure by the pressure adjusting valve, the piping provided on the downstream side of the dilution gas supply device and the first flow rate adjusting unit, The dilution gas can be supplied at a constant flow rate regardless of the influence of pressure such as the reactor internal pressure. In addition, as a 1st flow volume adjustment means, a mass flow controller etc. can be used, for example. Here, the mass flow controller accurately controls the mass flow rate of gas with an electric signal. Therefore, since the mass flow rate of the dilution gas can be controlled, the flow rate of the dilution gas can be controlled more accurately and stably without being affected by the temperature and supply pressure.

また、本発明の表面処理装置においては、前記圧力調節用バルブと前記第1流量調整手段の上流側に設けられている前記圧力計との間に設けられている圧力緩衝用タンクをさらに備えていることが好ましい。   The surface treatment apparatus of the present invention further includes a pressure buffering tank provided between the pressure adjusting valve and the pressure gauge provided on the upstream side of the first flow rate adjusting means. Preferably it is.

上記構成によれば、圧力緩衝用タンクによって、圧力調節用バルブ及び第1流量調整手段に設けられているバルブとの相互影響を緩和して流量精度をさらに向上させることができる。   According to the above configuration, the pressure buffering tank can relieve the mutual influence between the pressure adjusting valve and the valve provided in the first flow rate adjusting means, thereby further improving the flow rate accuracy.

また、本発明の表面処理装置においては、前記フッ素ガス供給装置と前記混合器とに配管を介して接続されている第2流量調整手段をさらに備えていることが好ましい。   Moreover, in the surface treatment apparatus of this invention, it is preferable to further provide the 2nd flow volume adjustment means connected to the said fluorine gas supply apparatus and the said mixer via piping.

上記構成によれば、第2流量調整手段により、フッ素ガスの質量流量を電気信号にて正確に制御できるため、温度・供給圧力の影響を受けることなく、より正確で安定したフッ素ガスの流量制御が可能なものとなる。第2流量調整手段としては、第1流量調整手段と同様に、例えば、マスフローコントローラー等を用いることができる。   According to the above configuration, since the mass flow rate of the fluorine gas can be accurately controlled by the electric signal by the second flow rate adjusting means, more accurate and stable flow control of the fluorine gas without being affected by the temperature and supply pressure. Is possible. As the second flow rate adjusting means, for example, a mass flow controller or the like can be used in the same manner as the first flow rate adjusting means.

また、本発明の表面処理装置においては、前記混合器に連通している第1連通管と、前記第1連通管の途中に設けられている背圧弁と、前記第1連通間の途中に、前記背圧弁の下流側に設けられているガス放出弁と、前記混合器と前記反応器との間を連結している第2連通管と、前記第2連通管の途中に設けられているガス導入弁とをさらに備えていることが好ましい。   Moreover, in the surface treatment apparatus of the present invention, the first communication pipe communicating with the mixer, the back pressure valve provided in the middle of the first communication pipe, and the middle between the first communication, A gas release valve provided on the downstream side of the back pressure valve, a second communication pipe connecting the mixer and the reactor, and a gas provided in the middle of the second communication pipe It is preferable to further include an introduction valve.

上記構成によれば、エジェクターに十分な真空を発生させるための駆動差圧が生じて希釈ガスの流量が安定するまで、ガス導入弁を閉じるとともにガス放出弁を開いて、第1連通管を通じて希釈ガス、又は希釈ガス及びフッ素ガスを放出することができる。そして、希釈ガスの流量が安定した後に、ガス放出弁を閉じるとともにガス導入弁を開いて、第2連通管を通じて混合ガスを反応器へ導くことができる。これにより、混合ガスを反応器へ供給する際、供給開始直後から流量、濃度が一定に調整された混合ガスを供給することができる。   According to the above configuration, the gas introduction valve is closed and the gas release valve is opened until the drive differential pressure for generating a sufficient vacuum in the ejector is generated and the flow rate of the dilution gas is stabilized, and dilution is performed through the first communication pipe. Gas, or diluent gas and fluorine gas can be released. Then, after the flow rate of the dilution gas is stabilized, the gas release valve is closed and the gas introduction valve is opened, so that the mixed gas can be guided to the reactor through the second communication pipe. Thus, when supplying the mixed gas to the reactor, it is possible to supply the mixed gas whose flow rate and concentration are adjusted to be constant immediately after the start of supply.

また、本発明の表面処理装置においては、前記被処理物を加熱する加熱室をさらに備えているものであることが好ましい。   Moreover, in the surface treatment apparatus of this invention, it is preferable to further provide the heating chamber which heats the said to-be-processed object.

上記構成によれば、被処理物を、混合ガスに接触させる前に予め加熱室で加熱させることができるので、処理むらや不適処理を抑止できる。また、被処理物を予め加熱しておくことによって、反応器内における被処理物の加熱時間を短縮でき、コストを抑えることができるとともに、処理効率をさらに向上させることができる。   According to the above configuration, since the object to be processed can be heated in the heating chamber in advance before being brought into contact with the mixed gas, processing unevenness and inappropriate processing can be suppressed. In addition, by heating the object to be processed in advance, the heating time of the object to be processed in the reactor can be shortened, the cost can be suppressed, and the processing efficiency can be further improved.

また、本発明の表面処理装置においては、前記被処理物を前記反応器へ搬送できる、前記フッ素ガスに対する耐食性を有する可動部材をさらに備えているものであることが好ましい。   Moreover, in the surface treatment apparatus of this invention, it is preferable to further provide the movable member which has the corrosion resistance with respect to the said fluorine gas which can convey the said to-be-processed object to the said reactor.

上記構成によれば、被処理物を反応器への搬送や搬出が容易にでき、なおかつ、混合ガスに含まれるフッ素ガスによって、可動部材から不純物が発生する等の影響が生じることを抑止できる。   According to the said structure, a to-be-processed object can be easily conveyed and carried out to a reactor, and it can suppress that the influence of generation | occurrence | production of an impurity from a movable member, etc. arises with the fluorine gas contained in mixed gas.

また、本発明の表面処理装置において、前記反応器内に、前記被処理物と前記反応器に供給された前記混合ガスとの間に設けられている板状部材をさらに備えているものであることが好ましい。別の観点として、前記板状部材は、前記可動部材の上に、前記被処理物と前記反応器に流入した前記混合ガスとの間に設けられていてもよい。   In the surface treatment apparatus of the present invention, the reactor further includes a plate-like member provided between the object to be treated and the mixed gas supplied to the reactor. It is preferable. As another viewpoint, the plate member may be provided on the movable member between the object to be processed and the mixed gas flowing into the reactor.

上記構成によれば、反応器内の混合ガス導入部の近辺において、混合ガスが被処理物へ直接接触しにくくなるので、被処理物の処理むらが生じることを抑止でき、被処理物への処理を均一に行うことができる。   According to the above configuration, the mixed gas is less likely to come into direct contact with the object to be processed in the vicinity of the mixed gas introduction unit in the reactor. Processing can be performed uniformly.

以下、本発明に係る表面処理装置の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る表面処理装置の主要部の概略構成図であり、図2は、本発明の実施形態に係る表面処理装置の反応器の断面模式図である。   Hereinafter, embodiments of the surface treatment apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a main part of a surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a reactor of the surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

図1において、表面処理装置100は、希釈ガス供給装置1と、フッ素ガス供給装置2と、希釈ガス発生装置1に配管を介して接続されているマスフローコントローラー(第1流量調整手段)3aと、フッ素ガス供給装置2に配管を介して接続されているマスフローコントローラー(第2流量調整手段)3bと、マスフローコントローラー3a、3bとにそれぞれ配管を介して接続されているエジェクター4と、エジェクター4と配管を介して接続され、エジェクター4の下流側に設けられている混合器5と、混合器5から供給される混合ガスによって被処理物を処理する反応器6と、反応器6から導かれたガスに含まれているフッ素ガス及びフッ化水素ガスを除害する除害装置7とを備えているものであり、マスフローコントローラー3aとエジェクター4との間には加熱器(加熱手段)8がさらに設けられている。また、マスフローコントローラー3aの上流側及び下流側にはそれぞれ圧力計9、10が設けられており、圧力計9のさらに上流には圧力調節用バルブ11と、圧力緩衝用タンク12とが設けられている。そして、混合器5と反応器6とに連通している第2連通管16と、第2連通管16の途中に設けられているガス導入弁17と、第2連通管16の途中から分岐して設けられている第1連通管13と、第1連通管13の途中に設けられている背圧弁14及びガス放出弁15とがさらに備えられている。   In FIG. 1, a surface treatment apparatus 100 includes a dilution gas supply device 1, a fluorine gas supply device 2, a mass flow controller (first flow rate adjusting means) 3a connected to the dilution gas generation device 1 via a pipe, A mass flow controller (second flow rate adjusting means) 3b connected to the fluorine gas supply device 2 via piping, an ejector 4 connected to the mass flow controllers 3a and 3b via piping, and the ejector 4 and piping Are connected to each other through a mixer 5 provided on the downstream side of the ejector 4, a reactor 6 that treats an object to be processed with a mixed gas supplied from the mixer 5, and a gas guided from the reactor 6. And a detoxifying device 7 for detoxifying the fluorine gas and hydrogen fluoride gas contained in the mass flow controller 3a Heaters (heating means) 8 is further provided between the ejector 4. In addition, pressure gauges 9 and 10 are provided on the upstream side and the downstream side of the mass flow controller 3a, respectively, and a pressure adjusting valve 11 and a pressure buffering tank 12 are provided further upstream of the pressure gauge 9. Yes. A second communication pipe 16 communicating with the mixer 5 and the reactor 6, a gas introduction valve 17 provided in the middle of the second communication pipe 16, and a branch from the middle of the second communication pipe 16 are branched. And a back pressure valve 14 and a gas release valve 15 provided in the middle of the first communication pipe 13 are further provided.

希釈ガス供給装置1は、フッ素ガスを希釈する不活性ガスを供給する装置である。希釈ガスとしては、例えば、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス等が挙げられるが、これらのガスに限定されるものではない。   The dilution gas supply device 1 is a device that supplies an inert gas for diluting the fluorine gas. Examples of the dilution gas include nitrogen gas, oxygen gas, and argon gas, but are not limited to these gases.

フッ素ガス供給装置2は、フッ素ガスを供給するものであり、例えば、図示しないフッ化水素供給装置等からフッ化水素を供給して電気分解し、フッ素ガスを発生させるフッ素ガス発生装置や、フッ素ガスが充填されたガスボンベ等が挙げられる。   The fluorine gas supply device 2 supplies fluorine gas. For example, a fluorine gas generation device that supplies hydrogen fluoride from a hydrogen fluoride supply device (not shown) or the like to electrolyze and generate fluorine gas, or fluorine Examples thereof include a gas cylinder filled with gas.

マスフローコントローラー(第1流量調整手段、第2流量調整手段)3a、3bは、気体の質量流量を電気信号にて正確に制御するものである。これにより、温度・供給圧力の影響を受けることなく、より正確かつ安定に希釈ガス及びフッ素ガス流量の制御が可能なものとなる。マスフローコントローラー3a、3bは、流量制御するために本体の出入り口ガス圧力差が0.05〜0.10MPa必要である。この圧力差がないと、マスフローコントローラー3a、3b内部の圧力損失のために正確な流量制御が出来なくなる。その為にマスフローコントローラー3a、3bを経由して供給する希釈ガス及びフッ素ガスは、マスフローコントローラー3a、3bよりも下流側に設けられている反応器6の処理圧力(例えば、大気圧)と、マスフローコントローラー3a、3bの圧力損失(例えば、0.05〜0.10MPa)と供給源である希釈ガス供給装置1又はフッ素ガス供給装置2から必要量の希釈ガス又はフッ素ガスを押し出すために必要な差圧(例えば、0.05〜0.10MPa)とを合計した圧力以上の入り口圧力(例えば、大気圧+0.10〜0.20MPa)が発生していないと正常な希釈ガス又はフッ素ガスの供給が出来ないことになる。そこで、エジェクター4とマスフローコントローラー3a、3bを組み合わせると、エジェクター4の吸引能力によってマスフローコントローラー3a、3bの出口圧力を低下することが出来、(この時、反応器6の圧力は影響しないため)結果としてマスフローコントローラー3a、3b入り口の駆動に必要な圧力も低減させることができる。その為に、フッ素ガスの保持・供給圧力もエジェクターの能力分だけ低減することができる。フッ素ガスは反応性の高いガスであり、保持圧力を低減することができると、その分だけ腐食やガス漏れの危険性を低減することができる。   The mass flow controllers (first flow rate adjusting means, second flow rate adjusting means) 3a, 3b are for accurately controlling the mass flow rate of the gas with an electric signal. As a result, the dilution gas and fluorine gas flow rates can be controlled more accurately and stably without being affected by temperature and supply pressure. The mass flow controllers 3a and 3b require a main body inlet / outlet gas pressure difference of 0.05 to 0.10 MPa in order to control the flow rate. Without this pressure difference, the flow rate cannot be accurately controlled due to the pressure loss inside the mass flow controllers 3a and 3b. For this purpose, the dilution gas and the fluorine gas supplied via the mass flow controllers 3a and 3b are used for the treatment pressure (for example, atmospheric pressure) of the reactor 6 provided downstream of the mass flow controllers 3a and 3b, and the mass flow. The pressure loss (for example, 0.05 to 0.10 MPa) of the controllers 3a and 3b and the difference necessary for extruding a necessary amount of dilution gas or fluorine gas from the dilution gas supply device 1 or fluorine gas supply device 2 as the supply source If the inlet pressure (for example, atmospheric pressure +0.10 to 0.20 MPa) equal to or higher than the total pressure (for example, 0.05 to 0.10 MPa) is not generated, normal dilution gas or fluorine gas is supplied. It will not be possible. Therefore, when the ejector 4 and the mass flow controllers 3a and 3b are combined, the outlet pressure of the mass flow controllers 3a and 3b can be lowered by the suction ability of the ejector 4, and the pressure of the reactor 6 does not affect at this time. As a result, the pressure required for driving the mass flow controllers 3a and 3b can be reduced. Therefore, the holding / supply pressure of fluorine gas can be reduced by the capacity of the ejector. Fluorine gas is a highly reactive gas, and if the holding pressure can be reduced, the risk of corrosion and gas leakage can be reduced accordingly.

エジェクター4は、流速を速くすることにより減圧状態として気体を引き込むための器具であり、希釈ガスを駆動源としてフッ素ガスを確実に引き込むことができ、引き込んだガスは混合器5へと導かれる。ここで、エジェクター4の代わりに、例えば、バキュームジェネレーター等を用いてもよい。このエジェクター4を備えていることによって、フッ素ガス供給装置2の圧力上限は200kPa以下からでも問題なくフッ素ガスを供給でき、下限は−65kPa(G)まで使用可能である。   The ejector 4 is an instrument for drawing gas in a reduced pressure state by increasing the flow velocity. The ejector 4 can reliably draw fluorine gas using the dilution gas as a driving source, and the drawn gas is guided to the mixer 5. Here, instead of the ejector 4, for example, a vacuum generator or the like may be used. By providing the ejector 4, the fluorine gas supply device 2 can supply fluorine gas without any problem even when the pressure upper limit is 200 kPa or less, and the lower limit can be used up to -65 kPa (G).

混合器5は、エジェクター4によって引き込まれた希釈ガス及びフッ素ガスを混合して、反応器6へ導くものである。なお、エジェクター4において、希釈ガスを駆動源として、フッ素ガスが引き込まれることによっても混合ガスを生成することができる。   The mixer 5 mixes the dilution gas and the fluorine gas drawn by the ejector 4 and introduces them to the reactor 6. In the ejector 4, the mixed gas can also be generated by drawing in the fluorine gas using the diluent gas as a drive source.

反応器6は、希釈ガス及びフッ素ガスの混合ガスを受け入れて、被処理物の表面処理、改質を行うものである。ここで、図2を用いて詳細に説明すると、反応器6は、混合ガス供給口18と混合ガス排出口19とを有するものであり、反応器6内には、板状部材20と、被処理物21と、可動部材22とが配置されている。また、反応器6に並設して加熱室23が設けられている。   The reactor 6 receives a mixed gas of a dilution gas and a fluorine gas, and performs surface treatment and modification of the object to be processed. Here, the reactor 6 will be described in detail with reference to FIG. 2. The reactor 6 has a mixed gas supply port 18 and a mixed gas discharge port 19. A processed product 21 and a movable member 22 are disposed. A heating chamber 23 is provided in parallel with the reactor 6.

板状部材20は、反応器6内において、混合ガス供給口18と被処理物21との間に、供給されたガスを遮るようにして立設されているものである。なお、板状部材20は、可動部材22に設けられているものでもよく取り外し可能なものでもよい。この板状部材20によって、反応器6内の混合ガス供給口18の近辺において、混合ガスが被処理物21へ直接接触しにくくなり、処理ムラや不適処理が生じることを抑止できる。   The plate-like member 20 is erected in the reactor 6 between the mixed gas supply port 18 and the workpiece 21 so as to block the supplied gas. The plate-like member 20 may be provided on the movable member 22 or may be removable. The plate-like member 20 makes it difficult for the mixed gas to come into direct contact with the workpiece 21 in the vicinity of the mixed gas supply port 18 in the reactor 6, thereby preventing processing unevenness and inappropriate processing from occurring.

可動部材22は、被処理物21を反応器6内又は反応器6外へ移動させることができるものであり、フッ素ガスに対する耐食性を有する金属材、例えばステンレス鋼等を用いたメッシュ又はパンチングメタルが用いられているものが好ましい。また、可動部材22には、車輪が取り付けられているが、一変形例として、車輪などが取り付けられていないものを用いてもよい。また、他の変形例として、上記金属材としてメッシュ又はパンチングメタルと金属フレームと車輪とを有しているものでもよい。   The movable member 22 can move the workpiece 21 into or out of the reactor 6, and is made of a metal material having corrosion resistance against fluorine gas, for example, a mesh or punching metal using stainless steel or the like. Those used are preferred. Moreover, although the wheel is attached to the movable member 22, you may use the thing to which a wheel etc. are not attached as one modification. As another modification, the metal material may have a mesh or punching metal, a metal frame, and a wheel.

加熱室23は、被処理物21と混合ガスとを接触させる前に、予め被処理物21を加熱するために設けられているものである。ここで、被処理物21は加熱された状態で混合ガスと接触して処理されることが好ましいため、加熱室23から反応器6へ被処理物21を早く移送することが好ましい。そこで、加熱室23は反応器6の近辺に設けられているものであることが好ましく、加熱室23と反応器6とが連通しているものでもよい。ここで、一変形例として、加熱室23と反応器6とが隣接して設けられているものや、反応器6内に加熱室23が設けられているものを用いてもよい。   The heating chamber 23 is provided for heating the workpiece 21 in advance before bringing the workpiece 21 into contact with the mixed gas. Here, since the workpiece 21 is preferably processed in contact with the mixed gas in a heated state, the workpiece 21 is preferably transferred from the heating chamber 23 to the reactor 6 quickly. Therefore, the heating chamber 23 is preferably provided in the vicinity of the reactor 6, and the heating chamber 23 and the reactor 6 may communicate with each other. Here, as a modified example, one in which the heating chamber 23 and the reactor 6 are provided adjacent to each other, or one in which the heating chamber 23 is provided in the reactor 6 may be used.

除害装置7は、反応器6の表面処理において被処理物21の表面から生じたフッ化水素ガス及びフッ素ガス等を除去して、ガスを無害化するものである。除害装置7においてフッ素ガス及びフッ化水素ガスの除害されたガスは、表面処理装置100外へ排出される。なお、フッ素ガス及びフッ化水素ガスを除去するため、例えば、ソーダ石灰等が充填されているものを用いてもよい。   The detoxification device 7 removes hydrogen fluoride gas, fluorine gas, and the like generated from the surface of the workpiece 21 in the surface treatment of the reactor 6 to render the gas harmless. The gas from which the fluorine gas and the hydrogen fluoride gas have been removed in the detoxifying apparatus 7 is discharged out of the surface treatment apparatus 100. In addition, in order to remove fluorine gas and hydrogen fluoride gas, for example, one filled with soda lime or the like may be used.

加熱器(加熱手段)8は、希釈ガス供給装置1とエジェクター4とを接続している配管の途中に設けられているものであり、希釈ガス供給装置1から供給された希釈ガスを加熱するものである。なお、希釈ガスの加熱は希釈ガスとフッ素ガスとが混合される前に行われる。加熱器(加熱手段)8として、例えば、ヒーター等を用いることができる。   The heater (heating means) 8 is provided in the middle of a pipe connecting the dilution gas supply device 1 and the ejector 4, and heats the dilution gas supplied from the dilution gas supply device 1. It is. The dilution gas is heated before the dilution gas and the fluorine gas are mixed. As the heater (heating means) 8, for example, a heater or the like can be used.

圧力計9は、マスフローコントローラー3aの上流側の圧力を測定するものであり、マスフローコントローラー3aの上流側に設けられている。圧力計10は、マスフローコントローラー3aの下流側の圧力を測定するものであり、マスフローコントローラー3aの下流側に設けられている。   The pressure gauge 9 measures the pressure on the upstream side of the mass flow controller 3a, and is provided on the upstream side of the mass flow controller 3a. The pressure gauge 10 measures the pressure on the downstream side of the mass flow controller 3a, and is provided on the downstream side of the mass flow controller 3a.

圧力調節用バルブ11は、圧力計9の圧力値と圧力計10の圧力値との差に対応して、マスフローコントローラー3aに一定の駆動差圧をかけるものであり、希釈ガス供給装置1と圧力緩衝用タンク12との間に配管を介して設けられている。これにより、圧力調節用バルブ11には、エジェクター4から下流側にかかる圧力の最大値、エジェクター4の駆動差圧、マスフローコントローラー3aの駆動差圧、表面処理装置100を構成している各要素の圧力損失値の和以上の圧力で、希釈ガスを供給することができる。また、希釈ガス(流量)をマスフローコントローラー3aによって固定して供給する場合、エジェクター4の上流側及び下流側には差圧が発生しておらず、希釈ガスを供給した場合にのみ圧力が発生する。このため、希釈ガス供給前のマスフローコントローラー3aの上流側及び下流側の差圧が駆動差圧を超えることが多く、マスフローコントローラー3aに設けられているバルブ(図示せず)が閉じてしまい、希釈ガスが供給できなくなる場合がある。この場合、圧力調節用バルブ11によって、希釈ガス流量を調整して、マスフローコントローラー3aの上流側及び下流側に一定の駆動差圧をかけて希釈ガスを供給することができる。   The pressure adjusting valve 11 applies a constant driving differential pressure to the mass flow controller 3a in accordance with the difference between the pressure value of the pressure gauge 9 and the pressure value of the pressure gauge 10, and is connected to the dilution gas supply device 1 and the pressure. A pipe is provided between the buffer tank 12 and the buffer tank 12. As a result, the pressure adjusting valve 11 includes the maximum value of the pressure applied to the downstream side from the ejector 4, the drive differential pressure of the ejector 4, the drive differential pressure of the mass flow controller 3 a, and the elements constituting the surface treatment apparatus 100. The dilution gas can be supplied at a pressure equal to or higher than the sum of the pressure loss values. Further, when the dilution gas (flow rate) is supplied by being fixed by the mass flow controller 3a, no differential pressure is generated on the upstream side and the downstream side of the ejector 4, and pressure is generated only when the dilution gas is supplied. . For this reason, the differential pressure on the upstream side and downstream side of the mass flow controller 3a before the dilution gas supply often exceeds the drive differential pressure, and a valve (not shown) provided in the mass flow controller 3a is closed. Gas may not be supplied. In this case, the dilution gas flow rate can be adjusted by the pressure adjusting valve 11, and the dilution gas can be supplied by applying a constant driving differential pressure to the upstream side and the downstream side of the mass flow controller 3a.

ここで、マスフローコントローラー3aに設けられているバルブと圧力調節用バルブ11とのハンチングの現象を詳細に説明する。希釈ガス流量が少ないとき、マスフローコントローラー3aに設けられているバルブが開かれ、流量が増加する一方で、駆動差圧が低下する。これにより、圧力確保のため圧力調節用バルブ11が開かれ、圧力が増加するが、希釈ガス流量が設定値を超えてマスフローコントローラー3aに設けられているバルブ(図示せず)が閉じられる。そうすると、駆動差圧が高くなり、圧力調節用バルブ11が閉められる。その結果、駆動差圧は低下するが、希釈ガス流量もあわせて低下することとなる。   Here, the hunting phenomenon between the valve provided in the mass flow controller 3a and the pressure adjusting valve 11 will be described in detail. When the dilution gas flow rate is small, the valve provided in the mass flow controller 3a is opened, and the flow rate increases while the drive differential pressure decreases. As a result, the pressure adjusting valve 11 is opened to secure the pressure and the pressure increases, but the flow rate of the dilution gas exceeds the set value, and the valve (not shown) provided in the mass flow controller 3a is closed. Then, the drive differential pressure increases and the pressure adjusting valve 11 is closed. As a result, the drive differential pressure decreases, but the dilution gas flow rate also decreases.

圧力緩衝用タンク12は、圧力調節用バルブ11と圧力計9との間に配管を介して設けられており、希釈ガス供給装置1から供給された希釈ガスを貯留することができるものであり、例えば、設定流量、配管系、供給圧力、選定した機器の応答速度の組み合わせ等によって、マスフローコントローラー3aに設けられている図示しないバルブと圧力調節用バルブ11とがハンチングを引き起こした際、希釈ガスの流量精度が低下することを抑止することができるものである。この圧力緩衝用タンク12によって、マスフローコントローラー3aに設けられている図示しないバルブと圧力調節用バルブ11との相互影響が緩和されて、希釈ガスの流量精度をさらに向上させることができる。   The pressure buffer tank 12 is provided between the pressure adjusting valve 11 and the pressure gauge 9 via a pipe, and can store the dilution gas supplied from the dilution gas supply device 1. For example, when a valve (not shown) provided in the mass flow controller 3a and the pressure adjusting valve 11 cause hunting due to a combination of a set flow rate, a piping system, a supply pressure, a response speed of a selected device, and the like, It is possible to suppress a decrease in flow rate accuracy. By this pressure buffering tank 12, the mutual influence between a valve (not shown) provided in the mass flow controller 3a and the pressure adjusting valve 11 is alleviated, and the flow rate accuracy of the dilution gas can be further improved.

第1連通管13は、エジェクター4によって引き込まれ混合器を通過した希釈ガス、又は希釈ガス及びフッ素ガスが通過する管であり、第2連通管16に分岐して設けられているものである。また、第1連通管13の途中において、背圧弁14と、背圧弁14のさらに下流側にガス放出弁15とが設けられている。そして、第1連通管13において、ガス放出弁15のさらに下流側は、除害装置7へと導かれている。   The first communication pipe 13 is a pipe through which the dilution gas drawn by the ejector 4 and passed through the mixer, or the dilution gas and the fluorine gas passes, and is branched from the second communication pipe 16. Further, in the middle of the first communication pipe 13, a back pressure valve 14 and a gas release valve 15 are provided further downstream of the back pressure valve 14. In the first communication pipe 13, the further downstream side of the gas release valve 15 is led to the abatement apparatus 7.

背圧弁14は、弁を通過する流体の圧力を一定に保つための弁であり、背圧弁14によって圧力が調整されたガスは、ガス放出弁15を通過して除害装置7へ導かれる。エジェクター4によって引き込まれ混合器5を通過した希釈ガス及び/又はフッ素ガスは背圧弁14によって圧力が一定に調整される。ここで、背圧弁14の設定圧力値は、好ましくは、マスフローコントローラー3aによって設定した希釈ガスの流量を反応器6へ導入したときのエジェクター4の下流側の圧力安定値をあらかじめ測定しておいた値である。この値を設定すれば、反応器6へ混合ガスを供給する際に、供給開始直後から、流量及び濃度が一定に管理された混合ガスを反応器6へ供給することができる。また、さらに好ましくは、混合ガスの設定流量を反応器6へ導入したときのエジェクター4の下流側の圧力安定値をあらかじめ測定しておいた値である。この値を設定すれば、流量及び濃度の管理精度をさらに向上させることができる。   The back pressure valve 14 is a valve for keeping the pressure of the fluid passing through the valve constant, and the gas whose pressure is adjusted by the back pressure valve 14 passes through the gas release valve 15 and is guided to the abatement device 7. The pressure of the dilution gas and / or fluorine gas drawn by the ejector 4 and passing through the mixer 5 is adjusted to be constant by the back pressure valve 14. Here, the set pressure value of the back pressure valve 14 is preferably measured in advance as a pressure stable value on the downstream side of the ejector 4 when the flow rate of the dilution gas set by the mass flow controller 3a is introduced into the reactor 6. Value. If this value is set, when supplying the mixed gas to the reactor 6, the mixed gas whose flow rate and concentration are controlled to be constant can be supplied to the reactor 6 immediately after the start of supply. More preferably, it is a value obtained by measuring in advance the pressure stable value on the downstream side of the ejector 4 when the set flow rate of the mixed gas is introduced into the reactor 6. If this value is set, the flow and concentration management accuracy can be further improved.

ガス放出弁15は、希釈ガスの流量が安定するまで開かれており、希釈ガスの流量が安定すると閉じられるものである。これは、エジェクター4に十分な真空を発生させるために駆動差圧が必要とされ、希釈ガスが供給された直後は、駆動差圧まで昇圧が徐々に起こるので、希釈ガスの流量が安定するまでに時間を要するからである。なお、フッ素ガスは、フッ素ガス供給装置2において圧力変動が小さいため、供給を開始すると、瞬時に流量が安定する。ガス放出弁15が開かれているときは、希釈ガス及び/又は混合ガスは、除害装置7へと導かれる。一方、ガス放出弁15が閉じられているときは、希釈ガス及び/又は混合ガスが、第2連通管16を通過して反応器6へと導かれる。   The gas release valve 15 is opened until the flow rate of the dilution gas is stabilized, and is closed when the flow rate of the dilution gas is stabilized. This is because the drive differential pressure is required to generate a sufficient vacuum in the ejector 4, and immediately after the dilution gas is supplied, the pressure increase gradually occurs until the drive differential pressure is reached, so that the flow rate of the dilution gas is stabilized. This is because it takes time. Since the pressure fluctuation of the fluorine gas is small in the fluorine gas supply device 2, the flow rate is instantaneously stabilized when the supply is started. When the gas release valve 15 is opened, the dilution gas and / or the mixed gas are guided to the abatement apparatus 7. On the other hand, when the gas release valve 15 is closed, the dilution gas and / or the mixed gas are guided to the reactor 6 through the second communication pipe 16.

第2連通管16は、希釈ガスの流量が安定した後に、希釈ガス及びフッ素ガスを反応器6へと導く管である。   The second communication pipe 16 is a pipe that guides the dilution gas and the fluorine gas to the reactor 6 after the flow rate of the dilution gas is stabilized.

ガス導入弁17は、希釈ガスの流量が安定して、十分な真空度が得られた後に開かれるもので、ガス放出弁15が閉じられると同時に開かれる。なお、希釈ガスの流量が安定するまでは、閉じられている。   The gas introduction valve 17 is opened after the flow rate of the dilution gas is stabilized and a sufficient degree of vacuum is obtained, and is opened at the same time as the gas release valve 15 is closed. It is closed until the flow rate of the dilution gas is stabilized.

ガス放出弁15及びガス導入弁17は、希釈ガスの流量が安定してエジェクター4に十分な真空度が得られると、瞬時に、ガス放出弁15が閉じられてガス導入弁17が開かれ、希釈ガス及びフッ素ガスは、第1連通管13から第2連通管16へと経路を変えて、反応器6へ導かれる。このとき、ガス放出弁15とガス導入弁17との切り替えは瞬時に行われるので、希釈ガスおよびフッ素ガスの流量や真空度の乱れは極めて小さい。なお、フッ素ガス供給装置2においては、圧力変動が小さいため、供給を開始すると、瞬時にフッ素ガスの流量が安定する。従って、ガス放出弁15とガス導入弁17との切り替えと同時にフッ素ガスの供給を開始することが好ましい。この場合、背圧弁14に、マスフローコントローラー3aによって設定した希釈ガスの流量を反応器6へ導入したときのエジェクター4の下流側の圧力安定値をあらかじめ測定しておいたものを、設定しておくことが好ましい。また、最初に希釈ガスのみを供給して、ガス放出弁15とガス導入弁17との切り替えを行う前にフッ素ガスを供給し、流量及び濃度が一定に管理された混合ガスを第1連通管13から放出し、その後、ガス放出弁15を閉じるとともにガス導入弁17を開いてもよい。このようにすると、流量及び濃度の精度がさらによく管理された混合ガスを反応器6へ供給することができる。この場合、背圧弁14に、混合ガスの設定流量を反応器6へ導入したときのエジェクター4の下流側の圧力安定値をあらかじめ測定しておいたものを、設定しておくことが好ましい。   The gas release valve 15 and the gas introduction valve 17 instantaneously close the gas release valve 15 and open the gas introduction valve 17 when the flow rate of the dilution gas is stabilized and a sufficient degree of vacuum is obtained in the ejector 4. Dilution gas and fluorine gas change the path from the first communication pipe 13 to the second communication pipe 16 and are led to the reactor 6. At this time, since the switching between the gas release valve 15 and the gas introduction valve 17 is performed instantaneously, the flow rate of the dilution gas and the fluorine gas and the disturbance in the degree of vacuum are extremely small. In the fluorine gas supply device 2, since the pressure fluctuation is small, when the supply is started, the flow rate of the fluorine gas is instantaneously stabilized. Therefore, it is preferable to start supplying fluorine gas simultaneously with switching between the gas release valve 15 and the gas introduction valve 17. In this case, what has been measured in advance for the pressure stable value downstream of the ejector 4 when the flow rate of the dilution gas set by the mass flow controller 3a is introduced into the reactor 6 is set in the back pressure valve 14. It is preferable. Further, only the dilution gas is supplied first, and the fluorine gas is supplied before switching between the gas release valve 15 and the gas introduction valve 17, and the mixed gas whose flow rate and concentration are controlled to be constant is supplied to the first communication pipe. Then, the gas release valve 15 may be closed and the gas introduction valve 17 may be opened. If it does in this way, the mixed gas by which the precision of the flow volume and the density | concentration was managed further can be supplied to the reactor 6. FIG. In this case, it is preferable to set in the back pressure valve 14 a pressure stable value measured in advance on the downstream side of the ejector 4 when the set flow rate of the mixed gas is introduced into the reactor 6.

次に、表面処理装置100の作動について説明する。希釈ガス供給装置1から供給された希釈ガスは、圧力調節用バルブ11が開かれていると、圧力調節用バルブ11を通過して圧力緩衝用タンク12へと導かれる。そして、一部の希釈ガスが、圧力緩衝用タンク12に貯留され、その他の希釈ガスは、圧力計9を介して、マスフローコントローラー3aへと導かれる。マスフローコントローラー3aでは、質量流量が制御され、流量の調整された希釈ガスが、圧力計10を介して、加熱器8へと導かれる。   Next, the operation of the surface treatment apparatus 100 will be described. The dilution gas supplied from the dilution gas supply device 1 is guided to the pressure buffer tank 12 through the pressure adjustment valve 11 when the pressure adjustment valve 11 is opened. A part of the dilution gas is stored in the pressure buffer tank 12, and the other dilution gas is guided to the mass flow controller 3 a via the pressure gauge 9. In the mass flow controller 3 a, the mass flow rate is controlled, and the diluted gas whose flow rate is adjusted is led to the heater 8 via the pressure gauge 10.

ここで、圧力調節用バルブ11が開かれているときとは、マスフローコントローラー3aの上流側の圧力計9と下流側の圧力計10との圧力値の差が低い場合、すなわち、マスフローコントローラー3aの駆動差圧が生じていない場合である。一方、圧力調節用バルブ11が閉じられているときは、希釈ガス供給装置1から供給される希釈ガスが、圧力調節用バルブ11に遮られ、圧力緩衝用タンク12へ導かれることがない。この圧力調節用バルブ11が閉められているときとは、マスフローコントローラー3aの上流側の圧力計9と下流側の圧力計10との圧力値の差が高い場合、すなわち、マスフローコントローラー3aの駆動差圧が生じている場合である。この場合、圧力緩衝用タンク12に貯留されている希釈ガスが、マスフローコントローラー3aへ導かれていく。   Here, when the pressure adjusting valve 11 is open, the difference in pressure value between the pressure gauge 9 on the upstream side of the mass flow controller 3a and the pressure gauge 10 on the downstream side is low, that is, the mass flow controller 3a. This is a case where no driving differential pressure is generated. On the other hand, when the pressure adjustment valve 11 is closed, the dilution gas supplied from the dilution gas supply device 1 is blocked by the pressure adjustment valve 11 and is not led to the pressure buffer tank 12. When the pressure adjusting valve 11 is closed, the pressure difference between the pressure gauge 9 on the upstream side of the mass flow controller 3a and the pressure gauge 10 on the downstream side is high, that is, the driving difference of the mass flow controller 3a. This is the case when pressure is generated. In this case, the dilution gas stored in the pressure buffer tank 12 is guided to the mass flow controller 3a.

一方、フッ素ガス供給装置2からは、フッ素ガスが、希釈ガスを駆動源として、マスフローコントローラー3bを通過して、エジェクター4によって引き込まれる。なお、フッ素ガスも希釈ガスと同様に、マスフローコントローラー3bで質量流量が制御され、流量の調整された希釈ガスが、エジェクター4によって引き込まれる。そして、加熱器8において加熱された希釈ガス及びフッ素ガスは混合器5へ導かれ混合器5において混合され、希釈ガスとフッ素ガスとの混合ガスが生成される。   On the other hand, from the fluorine gas supply device 2, the fluorine gas is drawn by the ejector 4 through the mass flow controller 3 b using the dilution gas as a drive source. Similarly to the diluent gas, the mass flow controller 3b controls the mass flow rate of the fluorine gas, and the diluted gas whose flow rate is adjusted is drawn by the ejector 4. And the dilution gas and fluorine gas heated in the heater 8 are guide | induced to the mixer 5, and are mixed in the mixer 5, and the mixed gas of dilution gas and fluorine gas is produced | generated.

その後、混合ガスは、第2連通管16へと導かれる。ここで、初めは希釈ガスの流量が安定するまで、ガス導入弁17が閉じられてガス放出弁15が開かれており、希釈ガス及び/又はフッ素ガスは第1連通管13へ導かれる。第1連通管13へと導かれた希釈ガス及び/又はフッ素ガスは、背圧弁14によって圧力が調整されて、その後、ガス放出弁15を通過して除害装置7へと導かれる。   Thereafter, the mixed gas is guided to the second communication pipe 16. Here, initially, the gas introduction valve 17 is closed and the gas release valve 15 is opened until the flow rate of the dilution gas is stabilized, and the dilution gas and / or the fluorine gas is guided to the first communication pipe 13. The pressure of the dilution gas and / or the fluorine gas guided to the first communication pipe 13 is adjusted by the back pressure valve 14, and then passes through the gas release valve 15 and is guided to the abatement apparatus 7.

そして、希釈ガスの流量が安定してエジェクター4に十分な真空度が得られると、瞬時に、ガス放出弁15が閉じられガス導入弁17が開かれて、希釈ガス及びフッ素ガスは、第1連通管13から流路を変えて、第2連通管16を通過して反応器6へ導かれる。   When the flow rate of the dilution gas is stabilized and a sufficient degree of vacuum is obtained in the ejector 4, the gas release valve 15 is instantaneously closed and the gas introduction valve 17 is opened. The flow path is changed from the communication pipe 13 to pass through the second communication pipe 16 and led to the reactor 6.

反応器6内には、加熱室23であらかじめ加熱された被処理物21(図2の点線図参照)が、可動部材22によって搬送されて配置されている。そして、混合ガス供給口18から供給された混合ガスは、反応器6において板状部材20に衝突して被処理物21へ接触し表面処理や表面改質が行われる。その後、所定の処理時間が経過すると、反応器6内のガスは、混合ガス排出口19から排出されて除害装置7へ導かれ、除害装置7でフッ素ガス及びフッ化水素ガスが除害され表面処理装置100外へ排出される。   In the reactor 6, an object to be processed 21 (see the dotted line diagram in FIG. 2) preliminarily heated in the heating chamber 23 is conveyed and arranged by the movable member 22. Then, the mixed gas supplied from the mixed gas supply port 18 collides with the plate-like member 20 in the reactor 6 and comes into contact with the object 21 to be subjected to surface treatment or surface modification. Thereafter, when a predetermined processing time elapses, the gas in the reactor 6 is discharged from the mixed gas discharge port 19 and guided to the detoxifying device 7, and the detoxifying device 7 detoxifies the fluorine gas and the hydrogen fluoride gas. And discharged to the outside of the surface treatment apparatus 100.

本実施形態によると、希釈ガスとフッ素ガスとを混合する前に、加熱器8であらかじめ希釈ガスを加熱し、加熱した希釈ガスと、フッ素ガスとを混合することができる。これにより、フッ素ガスが必要以上に高温となりにくくなり、フッ素ガスによる表面処理装置100を構成している部材等の腐食等の損傷が生じることを抑止できる。また、加熱された混合ガスを反応器6へ供給することができるので、被処理物21の処理ムラが生じることを抑止できる。   According to the present embodiment, before the dilution gas and the fluorine gas are mixed, the dilution gas can be heated in advance by the heater 8, and the heated dilution gas and the fluorine gas can be mixed. Thereby, it becomes difficult for fluorine gas to become high temperature more than needed, and it can suppress that damage, such as corrosion of the member etc. which comprise the surface treatment apparatus 100 by fluorine gas, arises. Moreover, since the heated mixed gas can be supplied to the reactor 6, it can suppress that the process nonuniformity of the to-be-processed object 21 arises.

また、エジェクター4により、希釈ガスを駆動源として、フッ素ガス供給装置2からフッ素ガスを引き込むことができる。これにより、フッ素ガスの供給圧力を低減することができるので、フッ素ガスの高圧貯蔵を抑止でき、より安全にフッ素ガスを貯蔵及び使用することができる。また、希釈ガスよりも供給量の少ないフッ素ガスをより正確な量で供給できる。   Further, the ejector 4 can draw the fluorine gas from the fluorine gas supply device 2 using the dilution gas as a drive source. Thereby, since the supply pressure of fluorine gas can be reduced, high-pressure storage of fluorine gas can be suppressed, and fluorine gas can be stored and used more safely. In addition, it is possible to supply fluorine gas in a more accurate amount, which is less supplied than the dilution gas.

また、圧力調節用バルブ11によってマスフローコントローラー3aに一定の駆動差圧をかけることができるので、希釈ガス供給装置1及びマスフローコントローラー3aの下流側に設けられている配管や、反応器6内圧等の圧力による影響に関係なく、一定の流量で希釈ガスを供給することができる。さらに、圧力緩衝用タンク12によって、圧力調節用バルブ11及びマスフローコントローラー3aに設けられているバルブ(図示せず)との相互影響を緩和して流量精度をさらに向上させることができる。そして、マスフローコントローラー3aを利用することにより、温度・供給圧力の影響を受けず、正確かつ安定なガス流量制御が可能なものとなる。   In addition, since a constant driving differential pressure can be applied to the mass flow controller 3a by the pressure adjusting valve 11, piping provided on the downstream side of the dilution gas supply device 1 and the mass flow controller 3a, the internal pressure of the reactor 6, etc. Regardless of the influence of pressure, the dilution gas can be supplied at a constant flow rate. Furthermore, the pressure buffering tank 12 can further reduce the mutual influence between the pressure adjusting valve 11 and a valve (not shown) provided in the mass flow controller 3a, thereby further improving the flow rate accuracy. By using the mass flow controller 3a, accurate and stable gas flow rate control is possible without being affected by temperature and supply pressure.

また、マスフローコントローラー3bにより、フッ素ガスの質量流量を電気信号にて正確に制御できるため、温度・供給圧力の影響を受けず、正確かつ安定なフッ素ガスの流量制御が可能なものとなる。   Further, since the mass flow rate of the fluorine gas can be accurately controlled by the electric signal by the mass flow controller 3b, the flow rate of the fluorine gas can be accurately and stably controlled without being influenced by the temperature and the supply pressure.

また、エジェクター4に十分な真空を発生させるための駆動差圧が生じて希釈ガスの流量が安定するまで、ガス導入弁17を閉じるとともにガス放出弁15を開いて、第1連通管13を通じて希釈ガス及び/又はフッ素ガスを除害装置7等へ放出することができる。そして、希釈ガスの流量が安定した後に、ガス放出弁15を閉じるとともにガス導入弁17を開いて、第2連通管16を通じて混合ガスを反応器6へ導くことができる。これにより、混合ガスを反応器6へ供給する際、供給開始直後から流量、濃度が一定に調整された混合ガスを供給することができる。   Further, the gas introduction valve 17 is closed and the gas release valve 15 is opened until the drive differential pressure for generating a sufficient vacuum in the ejector 4 is generated and the flow rate of the dilution gas is stabilized. Gas and / or fluorine gas can be released to the abatement device 7 or the like. Then, after the flow rate of the dilution gas is stabilized, the gas release valve 15 is closed and the gas introduction valve 17 is opened so that the mixed gas can be guided to the reactor 6 through the second communication pipe 16. Thereby, when supplying mixed gas to the reactor 6, the mixed gas by which the flow volume and density | concentration were adjusted uniformly can be supplied immediately after supply start.

また、被処理物21を、混合ガスに接触させる前に予め加熱室23で加熱させることができるので、処理むらや不適処理を抑止できる。また、被処理物21を予め加熱しておくことによって、反応器6内における被処理物21の加熱時間を短縮でき、コストを抑えることができるとともに、処理効率をさらに向上させることができる。   Moreover, since the to-be-processed object 21 can be previously heated in the heating chamber 23 before making it contact with mixed gas, a process nonuniformity and improper process can be suppressed. Moreover, by heating the to-be-processed object 21 beforehand, the heating time of the to-be-processed object 21 in the reactor 6 can be shortened, cost can be held down, and processing efficiency can further be improved.

また、フッ素ガスに耐食性を有する金属材を用いた可動部材22を用いているので、被処理物21を反応器6への搬送や搬出が容易にでき、なおかつ、混合ガスに含まれているフッ素ガスにより、可動部材22から不純物が発生する等の影響が生じることを抑止できる。   Further, since the movable member 22 using a metal material having corrosion resistance for the fluorine gas is used, the workpiece 21 can be easily transported and carried out to the reactor 6, and the fluorine contained in the mixed gas can be used. It is possible to prevent the gas from causing an influence such as generation of impurities from the movable member 22.

また、被処理物21と、反応器6に供給された混合ガスとの間に板状部材20が備えられているので、反応器6内の混合ガス導入部の近辺において、混合ガスが被処理物21へ直接接触しにくくなり、被処理物21の処理むらが生じることを抑止でき、被処理物21への処理を均一に行うことができる。   In addition, since the plate-like member 20 is provided between the workpiece 21 and the mixed gas supplied to the reactor 6, the mixed gas is treated in the vicinity of the mixed gas introduction part in the reactor 6. It becomes difficult to come into direct contact with the object 21, it is possible to suppress the processing unevenness of the object 21 to be processed, and the object 21 can be uniformly processed.

次に、本実施形態に係る反応器の変形例について説明する。図3は、図2の反応器の変形例を示す図である。   Next, a modification of the reactor according to this embodiment will be described. FIG. 3 is a view showing a modification of the reactor of FIG.

図3に示したように反応器36内に、板状部材43がさらに設けられており、板状部材43によって反応室36a及び加熱室36bの2室が形成されている。なお、混合ガス供給口38と、混合ガス排出口39と、板状部材40と、被処理物41と、可動部材42とは、上記実施形態に係る混合ガス供給口18と、混合ガス排出口19と、板状部材20と、被処理物21と、可動部材22と同様の構成からなり、上記実施形態において符号18〜22がふられている各部と、本変形例において符号38〜42がふられている各部とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。   As shown in FIG. 3, a plate member 43 is further provided in the reactor 36, and the reaction chamber 36 a and the heating chamber 36 b are formed by the plate member 43. The mixed gas supply port 38, the mixed gas discharge port 39, the plate member 40, the workpiece 41, and the movable member 42 are the mixed gas supply port 18 and the mixed gas discharge port according to the above embodiment. 19, the plate-like member 20, the workpiece 21, and the movable member 22. The parts designated by reference numerals 18 to 22 in the above embodiment, and the reference numerals 38 to 42 in this modification example. Since each part touched is the same in order, description may be omitted.

上記構成の反応器36を表面処理装置100における反応器6及び加熱室23の代りに用いれば、上記表面処理装置100と同様の効果を得ることができるとともに、反応室36aと加熱室36bとが隣接して設けられているので、被処理物を加熱室36bで加熱後、より早く反応室36aへ移動させることができる。ここで、板状部材43を取り外すことのできるものであれば、さらに容易に反応室36aへ移動させることができる。なお、板状部材43は、取り外すことのできるものでも、取り外すことのできないものでもよい。また、例えば、反応室36aと加熱室36bとの間を連通している開閉可能な開口部が設けられているものでもよい。このような構成であれば、該開口部を利用して被処理物41を加熱室36bから反応室36aへと移動させることができる。   If the reactor 36 having the above-described configuration is used in place of the reactor 6 and the heating chamber 23 in the surface treatment apparatus 100, the same effect as that of the surface treatment apparatus 100 can be obtained, and the reaction chamber 36a and the heating chamber 36b can be obtained. Since they are provided adjacent to each other, the object to be processed can be moved to the reaction chamber 36a earlier after being heated in the heating chamber 36b. Here, if the plate-like member 43 can be removed, it can be moved to the reaction chamber 36a more easily. The plate-like member 43 may be removable or may not be removable. Further, for example, an openable / closable opening that communicates between the reaction chamber 36a and the heating chamber 36b may be provided. With such a configuration, the workpiece 41 can be moved from the heating chamber 36b to the reaction chamber 36a using the opening.

以上、本発明の実施形態の表面処理装置について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能なものである。例えば、本実施形態において、エジェクターと混合器との間の連通管の途中又は混合器の下流側の配管に保温材が設けられているものでもよい。この保温材により、外気温の影響を受けにくくなり、混合ガスを高温のまま反応器へ供給することができる。これにより、処理ムラなどが生じることを抑止できるとともに、処理効率をさらに向上させることができる。   The surface treatment apparatus according to the embodiment of the present invention has been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible as long as they are described in the claims. For example, in this embodiment, the heat insulating material may be provided in the middle of the communication pipe between the ejector and the mixer or in the pipe on the downstream side of the mixer. By this heat insulating material, it becomes difficult to be affected by the outside air temperature, and the mixed gas can be supplied to the reactor at a high temperature. As a result, it is possible to suppress the occurrence of processing unevenness and the like, and to further improve the processing efficiency.

また、本実施形態において、反応器を2つ以上備えているものでもよい。この場合の表面処理装置において、少なくとも1つの反応器を反応器として用いるものとし、他の反応器を加熱室として用いてもよい。   In this embodiment, two or more reactors may be provided. In the surface treatment apparatus in this case, at least one reactor may be used as a reactor, and another reactor may be used as a heating chamber.

また、本実施形態において、表面処理装置を構成する機器を、夫々遮断可能な弁がさらに設けられているものでもよい。この弁は、一部又は全部に自動弁や手動弁等を用いてもよい。   Moreover, in this embodiment, the valve | bulb which can interrupt | block each apparatus which comprises a surface treatment apparatus may be further provided. An automatic valve, a manual valve, or the like may be used for part or all of this valve.

また、本実施形態において、混合ガスと被処理物との間に設けられている板上部材は取り外し可能なものでもよく、反応器又は可動部材に固設されているものでもよい。   In this embodiment, the plate member provided between the mixed gas and the object to be processed may be removable, or may be fixed to the reactor or the movable member.

また、本実施形態において、反応器と除害装置との間にさらに排気装置等が設けられていてもよい。排気装置によって、反応器から混合ガスを排気させやすくなる。   In the present embodiment, an exhaust device or the like may be further provided between the reactor and the abatement apparatus. The exhaust device facilitates exhaust of the mixed gas from the reactor.

また、本実施形態において、反応器から排出されるガスがフッ素供給装置及び希釈ガス供給装置へ導かれる配管がさらに設けられているものでもよい。これにより、反応器から排出されたガスに含まれるフッ素ガス及び希釈ガスを再び利用することができるとともに、除害装置において処理するフッ素ガスの量を減少させることができる。   Moreover, in this embodiment, the piping which guide | induces the gas discharged | emitted from a reactor to a fluorine supply apparatus and a dilution gas supply apparatus may be further provided. Thereby, while being able to use again the fluorine gas and dilution gas which are contained in the gas discharged | emitted from the reactor, the quantity of the fluorine gas processed in an abatement apparatus can be reduced.

本発明の実施形態に係る表面処理装置の主要部の概略図である。It is the schematic of the principal part of the surface treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る表面処理装置の反応器の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the reactor of the surface treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る表面処理装置の他の変形例に係る反応器の概略図である。It is the schematic of the reactor which concerns on the other modification of the surface treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 希釈ガス供給装置
2 フッ素ガス供給装置
3a、3b マスフローコントローラー
4 エジェクター
5 混合器
6、36 反応器
7 除害装置
8 加熱器
9、10 圧力計
11 圧力調節用バルブ
12 圧力緩衝用タンク
13 第1連通管
14 背圧弁
15 ガス放出弁
16 第2連通管
17 ガス導入弁
18、38 混合ガス供給口
19、39 混合ガス排出口
20、40、43 板状部材
21、41 被処理物
22、42 可動部材
23、36b 加熱室
36a 反応室
100 表面処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dilution gas supply apparatus 2 Fluorine gas supply apparatus 3a, 3b Mass flow controller 4 Ejector 5 Mixer 6, 36 Reactor 7 Detoxification apparatus 8 Heater 9, 10 Pressure gauge 11 Pressure control valve 12 Pressure buffer tank 13 1st Communication pipe 14 Back pressure valve 15 Gas release valve 16 Second communication pipe 17 Gas introduction valve 18, 38 Mixed gas supply port 19, 39 Mixed gas discharge port 20, 40, 43 Plate member 21, 41 Workpiece 22, 42 Movable Member 23, 36b Heating chamber 36a Reaction chamber 100 Surface treatment apparatus

Claims (11)

希釈ガスを供給する希釈ガス供給装置と、
フッ素ガスを供給するフッ素ガス供給装置と、
前記希釈ガスと、前記フッ素ガスとを混合して混合ガスを生成させる混合器と、
前記混合ガスに被処理物を接触させる反応器とを備えた表面処理装置であって、
前記希釈ガスを加熱する加熱手段をさらに備えていることを特徴とする表面処理装置。
A dilution gas supply device for supplying the dilution gas;
A fluorine gas supply device for supplying fluorine gas;
A mixer for mixing the dilution gas and the fluorine gas to generate a mixed gas;
A surface treatment apparatus comprising a reactor for contacting an object to be treated with the mixed gas,
The surface treatment apparatus further comprising heating means for heating the dilution gas.
前記加熱手段が、前記希釈ガスと前記フッ素ガスとを混合する前に、前記希釈ガスを加熱するものであることを特徴とする表面処理装置。   The surface treatment apparatus, wherein the heating means heats the dilution gas before mixing the dilution gas and the fluorine gas. 前記希釈ガスを駆動源として、前記フッ素ガスを吸い込むエジェクターをさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 1, further comprising an ejector that sucks the fluorine gas using the dilution gas as a driving source. 前記希釈ガス供給装置と前記混合器とに接続されている第1流量調整手段と、
前記第1流量調整手段の上流側及び下流側に設けられている圧力計と、
前記希釈ガス供給装置と前記第1流量調整手段の上流側に設けられている圧力計とに配管を介して接続されている圧力調節用バルブをさらに備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の表面処理装置。
First flow rate adjusting means connected to the dilution gas supply device and the mixer;
Pressure gauges provided on the upstream side and the downstream side of the first flow rate adjusting means;
The pressure control valve further connected via the piping to the said dilution gas supply apparatus and the pressure gauge provided in the upstream of the said 1st flow volume adjustment means, The 1st characterized by the above-mentioned. 4. The surface treatment apparatus according to any one of 3 above.
前記圧力調節用バルブと前記第1流量調整手段の上流側に設けられている前記圧力計との間に設けられている圧力緩衝用タンクをさらに備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の表面処理装置。   5. A pressure buffering tank provided between the pressure adjusting valve and the pressure gauge provided upstream of the first flow rate adjusting means is further provided. The surface treatment apparatus according to any one of the above. 前記フッ素ガス供給装置と前記混合器とに接続されている第2流量調整手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 1, further comprising a second flow rate adjusting unit connected to the fluorine gas supply device and the mixer. 前記混合器に連通している第1連通管と、
前記第1連通管の途中に設けられている背圧弁と、
前記第1連通間の途中に、前記背圧弁の下流側に設けられているガス放出弁と、
前記混合器と前記反応器との間を連結している第2連通管と、
前記第2連通管の途中に設けられているガス導入弁とをさらに備えていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の表面処理装置。
A first communication pipe communicating with the mixer;
A back pressure valve provided in the middle of the first communication pipe;
A gas release valve provided on the downstream side of the back pressure valve in the middle of the first communication;
A second communication pipe connecting the mixer and the reactor;
The surface treatment apparatus according to claim 1, further comprising a gas introduction valve provided in the middle of the second communication pipe.
前記被処理物を加熱する加熱室をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 1, further comprising a heating chamber for heating the object to be processed. 前記被処理物を前記反応器へ搬送できる、前記フッ素ガスに対する耐食性を有する可動部材をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 1, further comprising a movable member having corrosion resistance to the fluorine gas, which can transport the object to be treated to the reactor. 前記反応器内において、前記被処理物と前記反応器に供給された前記混合ガスとの間に設けられている板状部材をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の表面処理装置。   In the said reactor, it further has the plate-shaped member provided between the said to-be-processed object and the said mixed gas supplied to the said reactor, The any one of Claims 1-9 characterized by the above-mentioned. 2. The surface treatment apparatus according to item 1. 前記可動部材の上に、前記被処理物と前記反応器に流入した前記混合ガスとの間に設けられている板状部材をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の表面処理装置。   The surface treatment according to claim 9, further comprising a plate-like member provided between the object to be treated and the mixed gas flowing into the reactor on the movable member. apparatus.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100064969A1 (en) * 2006-02-07 2010-03-18 Toyo Tanso Co., Ltd. Semiconductor manufacturing plant

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09205272A (en) * 1995-11-07 1997-08-05 Seiko Epson Corp Method and device for surface treatment
JPH10182861A (en) * 1996-12-25 1998-07-07 Mitsubishi Chem Corp Apparatus for treating with fluorine and method for surface-treating substrate
JPH11209867A (en) * 1998-01-22 1999-08-03 Seiko Epson Corp Surface treating method and device therefor
JP2000026106A (en) * 1998-07-09 2000-01-25 Seiko Epson Corp Method and apparatus for producing reactive fluorinated gas, and method and apparatus for surface treatment
JP2000143213A (en) * 1998-11-04 2000-05-23 Iwatani Internatl Corp Supply method of semiconductor treating gas
JP2000319433A (en) * 1999-05-07 2000-11-21 Mitsubishi Chemicals Corp Apparatus for surface treatment using fluorine gas
JP2001181422A (en) * 1999-11-03 2001-07-03 Air Prod And Chem Inc Method for modifying chemical property of surface of material and apparatus therefor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09205272A (en) * 1995-11-07 1997-08-05 Seiko Epson Corp Method and device for surface treatment
JPH10182861A (en) * 1996-12-25 1998-07-07 Mitsubishi Chem Corp Apparatus for treating with fluorine and method for surface-treating substrate
JPH11209867A (en) * 1998-01-22 1999-08-03 Seiko Epson Corp Surface treating method and device therefor
JP2000026106A (en) * 1998-07-09 2000-01-25 Seiko Epson Corp Method and apparatus for producing reactive fluorinated gas, and method and apparatus for surface treatment
JP2000143213A (en) * 1998-11-04 2000-05-23 Iwatani Internatl Corp Supply method of semiconductor treating gas
JP2000319433A (en) * 1999-05-07 2000-11-21 Mitsubishi Chemicals Corp Apparatus for surface treatment using fluorine gas
JP2001181422A (en) * 1999-11-03 2001-07-03 Air Prod And Chem Inc Method for modifying chemical property of surface of material and apparatus therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100064969A1 (en) * 2006-02-07 2010-03-18 Toyo Tanso Co., Ltd. Semiconductor manufacturing plant
US8387559B2 (en) * 2006-02-07 2013-03-05 Toyo Tanso Co., Ltd. Semiconductor manufacturing plant

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