JP2009260022A - 基板処理ユニットおよび基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理に用いられた処理ガスがユニット外部へ流出することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】密着強化処理を行う密着強化処理ユニット１において、密閉された処理空間Ｖを形成するチャンバ１０と、処理空間Ｖに所定の処理ガス（気化した密着強化剤）を供給する処理ガス供給部５０と、処理空間Ｖ内に配置され、基板Ｗを載置するプレート２０とを備える。プレート２０には挿通孔２２が形成され、挿通孔２２には昇降移動して基板Ｗの裏面を突き上げ支持する支持ピン３０が挿通されている。この挿通孔２２と支持ピン３０との間隙を封止部８０により封止する。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う基板処理ユニットおよび基板処理装置に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。

ところで従来より、露光、現像、エッチング等の処理においてレジスト膜が基板表面から剥離することが問題となっており、これを回避すべく、基板表面とレジスト膜との密着性を高める処理（密着強化処理）が行われている。密着強化処理は、レジスト膜が形成される前の基板表面を疎水化する処理であり、具体的には、密着強化剤（例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン））を蒸気状にして基板表面に塗布することによって行われる。密着強化処理を行う処理ユニットの従来構成については、例えば特許文献１に開示されている。

図１３には、密着強化処理を行う処理ユニットの従来構成が例示されている。従来の密着強化処理ユニット９は、密閉された処理空間Ｖを形成可能な処理チャンバ９１と、処理空間Ｖ内で基板Ｗを載置するプレート９２と、処理空間Ｖ内に密着強化剤の蒸気を導入する導入口９３と、排気ラインに接続された排気口９４とを備えている。また、プレート９２には、基板Ｗの裏面を支持する支持ピン９５が複数個（例えば、３個）配設されている。また、支持ピン９５には、これを支持位置（その先端がプレート９２の基板載置面よりも上側に突出した位置（図１３（ｃ）の位置））と、待避位置（その先端が基板載置面と同一面上またはそれよりも下側に埋没した位置（図１３（ａ）（ｂ）の位置））との間で移動させる駆動機構９６が接続されている。

密着強化処理ユニット９にて実行される処理の流れは次の通りである。処理チャンバ９１内に搬入された基板Ｗがプレート９２上に載置されると、処理空間Ｖは密閉空間とされ、その内部に導入口９２より気化した密着強化剤が封入される（図１３（ａ））。処理空間Ｖに導入された密着強化剤は基板Ｗ表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。続いて、排気口９４より処理空間Ｖ内に充満した密着強化剤が排気される（図１３（ｂ））。続いて、処理チャンバ９１が開放され、支持ピン９５が待避位置から支持位置に移動される。これにより基板Ｗは、プレート９２上に載置された状態から、支持ピン９５により点支持された状態となる（図１３（ｃ））。この状態で、図示しない外部搬送機構が基板Ｗを処理チャンバ９１内から搬出する。

このように、密着強化処理は密閉された処理空間Ｖ内で行われる。その理由の１つは、密着強化剤として一般的に用いられるＨＭＤＳが人体に有害な薬液であり、これが処理チャンバ９１の外部に漏れることが許されないからである。また別の理由として、ＨＭＤＳがアンモニア系の薬液であり、これが外部に流出すると後続のリソグラフィプロセスに悪影響を与えてしまうとの事情がある。アンモニア系のガスが感光剤に吸着してしまうと、その感光特性が消えてしまい、現像処理が適正に行われなくなってしまうのである。わずか１ppb程度のＨＭＤＳですら感光剤に影響を及ぼしてしまうことが判明している。これらの理由から密着強化処理は密閉空間で行う必要があり、特に、処理が終了して処理空間を開放した際に、処理に用いた密着強化剤を外部に流出させることなく確実に回収しなければならない。

特開２０００−１５０３６８号公報

ところが、従来の密着強化処理ユニットにおいては、密着強化剤の回収が不完全であり、その外部への漏れ出しを抑えることが難しかった。その理由の１つとして考えられるのが、処理ユニット内に形成される密着強化剤の滞留空間である。図１３に例示されるように、支持ピン９５の駆動機構９６は、支持ピン９５を外界（処理チャンバ９１の外部）から隔離させつつこれを昇降移動させなければならない。このために、例えば図１３の構成例のように、支持ピン９５の周囲を蛇腹配管９７で覆い、これを伸縮させることによって支持ピン９５を外界から隔離しつつ昇降移動させていた。ところが、この蛇腹配管９７内部の密着強化剤は排気されにくく、この内部は密着強化剤の滞留空間となりやすい。このような滞留空間に残存していた密着強化剤が、処理チャンバ９１が開放された際に外部に流出してしまうと考えられるのである（図１３（ｃ）に示される状態）。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理空間に供給された処理ガスの処理空間外部への流出を抑制できる技術を提供することを目的とする。

請求項１の発明は、基板処理ユニットであって、密閉された処理空間を形成するチャンバと、前記処理空間内に所定の処理ガスを供給する供給手段と、前記処理空間内に配置され、被処理基板を載置するプレートと、前記プレートに形成された挿通孔内に挿通され、その先端が前記プレートの載置面よりも上側に突出した基板支持位置と、その先端が前記載置面と同一面上またはそれよりも下側に埋没した待避位置との間で移動可能な棒状の支持ピンと、前記待避位置におかれた前記支持ピンと前記挿通孔との間隙を封止する封止手段と、を備える。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットにおいて、前記封止手段が、前記支持ピンの上端部に形成されている。

請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理ユニットにおいて、前記封止手段が、前記支持ピンに周設された環状の外周部材と、前記挿通貫通孔の内壁に、前記支持ピンが待避位置におかれた状態において前記外周部材の底面と係合する段差を形成する係合部と、前記外周部材の底面と前記係合部との間を密封する密封部材と、を備える。

請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理ユニットにおいて、排気口に負圧を形成して前記排気口から前記処理空間内の前記処理ガスを吸引する排気手段と、前記排気口に形成される負圧を、前記プレートの全周に分散させる圧分散手段と、を備える。

請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理ユニットであって、前記圧分散手段が、前記プレートの周囲に配設された排気溝と、前記排気溝と前記排気口との間に形成されるバッファ空間と、前記バッファ空間に配置された１以上のラビリンスリングと、を備える。

請求項６の発明は、請求項４に記載の基板処理ユニットであって、前記圧分散手段が、前記プレートの周囲に配設された排気溝と、前記排気溝と前記排気口との間に形成されるバッファ空間と、前記バッファ空間に配置された多孔を有するバッフル板と、を備える。

請求項７の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理ユニットにおいて、前記所定の処理ガスが、気化した密着強化剤である。

請求項８の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の処理ユニットのいずれかが、密閉された処理空間を形成するチャンバと、前記処理空間内に所定の処理ガスを供給する供給手段と、前記処理空間内に配置され、被処理基板を載置するプレートと、前記プレートに形成された挿通孔内に挿通され、その先端が前記プレートの載置面よりも上側に突出した基板支持位置と、その先端が前記載置面と同一面上またはそれよりも下側に埋没した待避位置との間で移動可能な支持ピンと、前記支持ピンが前記待避位置にある状態において前記支持ピンと前記挿通孔との間隙を封止する封止手段と、を備える。

請求項１の発明によると、支持ピンが待避位置におかれた状態において、封止手段によって支持ピンと挿通孔との間が封止される。この構成によると、支持ピンを処理空間の外部から隔離するための部材（密包部材）が不要となるので、密包部材の内部に処理ガスの滞留空間が形成されるといった事態が生じない。すなわち、処理空間内に処理ガスが残存しにくくなる。これによって、処理空間に供給された処理ガスの処理空間外部への流出を抑制できる。

請求項２の発明によると、封止手段が支持ピンの上端部に取り付けられているので、支持ピンが待避位置におかれた状態において、挿通孔の内部であって支持ピンの上側に形成される滞留空間を最小にすることができる。これによって、処理空間内に処理ガスがさらに残存しにくくなり、処理ガスの処理空間外部への流出をさらに効果的に抑制できる。

請求項４〜６の発明によると、排気口に形成される負圧をプレートの全周に分散させてプレート周縁の排気圧を均一にすることができる。すなわち、処理空間を均一に排気することが可能となり、処理ガスを確実に回収することができる。これによって、処理ガスが処理空間の外部へ流出する可能性をさらに低くすることができる。

請求項７の発明によると、気化した密着強化剤が処理空間の外部へ流出することを防止することができるので、安全である。また、例えばリソグラフィプロセス処理を行う処理ユニットが周囲に配置されている場合であっても、密着強化剤がこれら処理ユニットに影響を与えることがない。したがって、これら隣接処理ユニットで適正な処理を行うことができる。

請求項８の発明によると、いずれかの処理ユニットにおいて処理空間に供給された処理ガスが処理空間の外部へ流出することがない。したがって、処理ユニット間でのコンタミネーションが生じることがない。

〈１．密着強化処理ユニット〉
〈１−１．構成〉
この発明の実施の形態に係る基板処理ユニットである密着強化処理ユニット１の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、密着強化処理ユニット１の側断面図である。

密着強化処理ユニット１は、基板Ｗに対して密着強化処理（レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるために密着強化剤の蒸気雰囲気で基板Ｗを加熱する処理）を行う。

密着強化処理ユニット１は、その内部に密閉された処理空間Ｖを形成するチャンバ１０と、チャンバ１０内にて被処理基板Ｗを水平姿勢にて載置するプレート２０と、プレート２０上に載置された基板Ｗを突き上げて支持する複数本（この実施の形態においては、３本）の支持ピン３０と、プレート２０を所定の温度に加熱する加熱部４０と、処理空間Ｖに所定の処理ガス（ここでは、気化した密着強化剤）を供給する処理ガス供給部５０と、処理空間Ｖに供給された処理ガスを排気する排気部６０とを備える。また、これら各部の動作を制御する制御部９０を備える。

〈チャンバ１０〉
チャンバ１０は、例えば、ステンレススチール等の金属材料を用いて構成される筐体であり、その内部に密閉された処理空間Ｖを形成する。チャンバ１０は、プレート２０の周囲に着設された周壁１１を備える。周壁１１の上部開口は、蓋１２により開閉自在とされている。

蓋１２は、蓋駆動機構１３と接続されている。蓋駆動機構１３は、蓋１２を密閉位置（蓋１２が周壁１１の上面に固定されたシール部材１４（例えば、Ｏリング）に摺接する位置）と開放位置（密閉位置より上方の位置）との間で昇降移動させる。蓋駆動機構１３は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて蓋１２の位置を密閉位置と開放位置との間で切り換える。蓋１２が密閉位置におかれると、蓋１２と周壁１１との間に形成される処理空間Ｖが外部雰囲気から遮断された密閉空間となる。また、蓋１２が開放位置におかれると、外部搬送機構が処理空間Ｖに基板Ｗを搬出入することが可能な状態となる（図４（ｃ）の状態）。

蓋１２には、処理空間Ｖ内に処理ガスを導入する導入孔１２１が形成されている。導入孔１２１の一端は処理ガスを導くライン５４と接続され、他端は蓋１２の下面中央に開口している。これにより、プレート２０に保持された基板Ｗの中央付近に処理ガスを導入することができる。

〈プレート２０〉
プレート２０の上面には、セラミックス製のプロキシミティボール２１が例えば３個埋設されている。被処理基板Ｗはプロキシミティボール２１を介して所定のギャップ（例えば、０．１mm）を隔ててプレート２０に載置される。

プレート２０には、複数本の支持ピン３０のそれぞれを挿通させるべく、上下方向に形成された複数個の貫通孔（挿通孔２２）が形成されている。

〈支持ピン３０〉
複数本の支持ピン３０は、それぞれがプレート２０に形成された挿通孔２２に挿通され、その先端でプレート２０に載置された基板Ｗを突き上げ支持する棒状の部材である。

複数本の支持ピン３０のそれぞれは、プレート２０の下方に配置された支持ピン駆動機構３１と接続されている。支持ピン駆動機構３１は、例えばはエアシリンダにより構成され、このエアシリンダによって複数本の支持ピン３０が一斉に昇降される。

支持ピン駆動機構３１は、支持ピン３０を支持位置（その先端部がプレート２０の載置面から上方に突出する位置）と待避位置（その先端部がプレート２０の載置面と同一面上またはそれよりも下側に埋没する位置）との間で昇降移動させる。支持ピン駆動機構３１は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて支持ピン３０の位置を支持位置と待避位置との間で切り換える。支持ピン３０が支持位置におかれると、プレート２０に載置されていた基板Ｗは、プレート２０から持ち上げられてその裏面を支持ピン３０の先端で点支持される状態となる（図４（ｃ）の状態）。また、支持ピン３０が待避位置におかれると、基板Ｗはプレート２０に載置された状態となる（図１、図４（ａ）（ｂ）の状態）。

支持ピン３０とそれが挿通される挿通孔２２との間には、支持ピン３０が待避位置にある状態において支持ピン３０と挿通孔２２との間隙を封止する封止部８０が設けられている。封止部８０については後に説明する。

〈加熱部４０〉
加熱部４０は、プレート２０に内蔵され、プレート２０を所定の温度まで加熱するヒータである。加熱部４０は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じてプレート２０を所定の設定温度に温調する。

〈処理ガス供給部５０〉
処理ガス供給部５０は、密着強化剤供給源５１と、密着強化剤供給源５１から供給された密着強化剤を気化させる気化処理装置５２とを備える。密着強化剤供給源５１から供給され、気化処理装置５２にて気化された密着強化剤は、バルブ５３が介挿されたライン５４を通じて導入孔１２１に導かれる。バルブ５３は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０の制御に応じて開閉制御される。

気化処理装置５２は、密着強化剤を貯留する液留容器５２１を備える。液留容器５２１は、バルブ５２２が介挿された供給管５２３を介して、密着強化剤供給源５１に接続されている。密着強化剤としては、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等を用いることができる。また、液留容器５２１は、レギュレータ５２４が介挿された供給管５２５を介して、不活性ガス供給源５２６に接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ₂）やアルゴンガス（Ａｒ）を用いることができる。さらに、液留容器５２１の下部には、熱交換コイル５２７が取り付けられている。図示しない電流供給源から熱交換コイル５２７に電流を供給すると、熱交換コイル５２７の温度が上昇する。これによって、液留容器５２１内に貯留した密着強化剤が気化される。液留容器５２１は、ライン５４と接続されており、液留容器５２１内で気化した密着強化剤はライン５４を通じて導入孔１２１に導かれる。バルブ５２２、レギュレータ５２４の各部は制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて制御される。

制御部９０は、レギュレータ５２４およびバルブ５２２を制御して、液留容器５２１に不活性ガスおよび密着強化剤を貯留するとともに、熱交換コイル５２７の温度を上昇させて、液留容器５２１内に貯留された密着強化剤を気化させる。そして、バルブ５３を制御して、液留容器５２１内にて気化した密着強化剤をライン５４に導く。これにより、処理ガス供給部５０から導入孔１２１へ気化した密着強化剤が供給されることになる。

〈排気部６０〉
排気部６０は、プレート２０の全周に渡って形成された排気溝６１と、これと接続された１個の排気口６３とを備える。

排気口６３は、回収ライン６３１を通じてドレインタンク６３２と接続されている。回収ライン６３１にはポンプＰが介挿されており、これにより排気口６３に負圧（排気圧）を形成することができる。排気口６３に負圧を形成すると処理空間Ｖ内の処理ガスが排気溝６１から排気口６３を通じてドレインタンク６３２へ導かれ、処理空間Ｖが排気される。ポンプＰは、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて排気口６３の圧力を調整する。

例えば、排気口６３を排気溝６１と直接に接続しても、排気口６３に負圧を形成することによって排気溝６１から処理空間Ｖ内の処理ガスを排気することができる。しかしながらこの構成によると、排気溝６１の全体（すなわち、処理部２０の全周）のうち、排気口６３の接続位置付近では大きな負圧でもって急速に排気を行うことができる半面、これから離れた領域では負圧が小さくほとんど排気ができない。すなわち、排気溝６１の全体のうちで排気圧の偏りが生じてしまう。こうなると、処理空間Ｖの一部領域に処理ガスが残存する可能性が高くなってくる。これを回避する方法としては、排気口６３を複数個、好ましくはなるべく多数設けることが考えられる。しかしながら排気口６３の個数を増やすと、回収ライン６３１の本数も増え、ユニット寸法を圧迫することになる。また、製造コストの面からみても好ましくない。

そこで、この実施の形態においては、排気口６１に形成される排気圧を排気溝６１の全体（すなわち、プレート２０の全周）に分散させる機能部（バッファ６２）を設ける。

バッファ６２は、排気溝６１と排気口６３との間に形成されたバッファ空間６２１と、バッファ空間６２１に配置された複数のラビリンスリング６２２とを備える。ラビリンスリング６２２としては、例えば、互いに幅の異なる円環板を用いることができる。円環板には、切断領域や、切り欠き領域等が形成されていてもよい。これら複数のラビリンスリング６２２を、その切断領域や切り欠き領域が互い違いとなるように、排気方向（排気溝６１から排気口６３へ向かう方向）に沿って多段に配置する。これによって、バッファ空間６２１にラビリンス構造が形成される。

ラビリンス構造が形成されたバッファ空間６２１を排気溝６１と排気口６３との間に設けることによって、排気口６３に形成される排気圧を排気溝６１の全域に渡って（すなわち、プレート２０の全周に渡って）均一に分散させることができる。したがって、排気溝６１の全体（すなわち、プレート２０の全周）から均一に処理ガスを排気することが可能となり、処理空間Ｖ内の一部領域に処理ガスが残存するといった事態の発生を防止することができる。なお、この構成によると、排気口６３およびそれに接続される回収ライン６３１を複数組設ける必要はなく、１組の排気口６３および回収ライン６３１によってプレート２０の全周に渡る均一な排気圧を形成することが可能となる。

〈封止部８０〉
封止部８０の構成について、図２を参照しながら具体的に説明する。図２は、封止部８０の構成を示す図である。上述の通り、封止部８０は、支持ピン３０が待避位置にある状態において支持ピン３０と挿通孔２２との間隙を封止する機能部であり、支持ピン３０とそれが挿通される挿通孔２２との間に設けられる。

封止部８０は、リング８１と、凹部８２と、シール部８３とを備える。

リング８１は、支持ピン３０に周設された円環板状の部材である。リング８１の内周面に支持ピン３０の外周面が接合され、これにより、リング８１と支持ピン３０とがすき間なく一体に接合される。リング８１の下面は、支持ピン３０の外縁に段差（係止突起部８１１）を形成することになる。

凹部８２は、プレート２０の表面であって、挿通孔２２と同心となる位置に形成される断面円形状の凹みである。凹部８２の径は、挿通孔２２の径よりも大きく、またさらに、リング８１の外径よりも大きく設定される。凹部８２の底面は、挿通孔２２の内壁に、支持ピン３０が待避位置におかれた状態においてリング８１の底面（係止突起部８１１）と係合する段差（係止段部８２１）を形成する。すなわち、支持ピン３０が待機位置におかれた状態において、係止突起部８１１は係止段部８２１に係止されることになる。

シール部８３は、係止突起部８１１と係止段部８２１との間を密封するシール部材であり、例えば、Ｏリングや面タッチシール等により構成される。すなわち、支持ピン３０が待機位置におかれた状態において、係止段部８２１とこれに係止される係止突起部８１１との間がシール部８３によって密封される。これにより、支持ピン３０と挿通孔２２との間が密封される。

ここで、リング８１と凹部８２との間隙空間はなるべく小さいことが望ましい。間隙空間が小さくなれば、そこに滞留する処理ガスの量が少なくなるため、処理空間Ｖ内に処理ガスが残存しにくくなり、排気部６０により処理空間Ｖ内部の処理ガスを完全に排気することができるからである。

間隙空間を小さくするためには、封止部８０を、支持ピン３０の上端になるべく近い位置に形成することが望ましい。より具体的には、リング８１を支持ピン３０の上端になるべく近い位置に取り付けることが望ましく、リング８１の上側面（円環板の上側面）を支持ピン３０の先端面（棒の先端面）と面一にすることが最も望ましい。特に、支持ピン３０の待避位置がその先端がプレート２０の基板載置面と同一面上である場合、リング８１の上側面を支持ピン３０の先端面と面一としておけば、支持ピン３０が待機位置におかれた状態においてリング８１の上側に間隙空間が形成されないからである（図２に示される状態）。

なお、リング８１の上側面と支持ピン３０の先端面とを面一にする場合、支持ピン３０が支持位置におかれた状態において（支持ピン３０の待避位置が、その先端が基板載置面と同一面上にある位置の場合は、支持ピン３０が待避位置におかれた状態においても）、基板Ｗはリング８１の上面で支持されることとなる。そこで、この場合においては、リング８１の上面にセラミックス製のプロキシミティボール８１１１を埋設しておいてもよい。また、リング８１の上側面と支持ピン３０の先端とが一体となって滑らかな円錐面を形成するように成型し、支持ピン３０が支持位置におかれた状態において基板Ｗが円錐の先端で点支持される構成としてもよい。

また、間隙空間を小さくするためには凹部８２の内周面とリング８１の外周面との離間距離が小さいことが望ましい。すなわち、この離間距離を最低限の余裕幅（リング８１の外周面と凹部８２の内周面とが、支持ピン３０の昇降移動において互いに接触しない程度の余裕幅）に設定することが望ましい。

また、間隙空間の総容積を少なくするためには、凹部８２の容積はなるべく小さいことが望ましい。すなわち、凹部８２の径および深さはなるべく小さいことが望ましい。凹部８２の径を小さくするためには、リング８１の外径を小さくすればよい（例えば、１０〜２０mm程度）。すなわち、係止段部８２１の段差幅を、シール部８３を配置可能な最小の値に設定すればよい。凹部８２の深さを小さくするためには、リング８１の厚みをなるべく薄く成型することが望ましい。

〈１−２．処理の流れ〉
密着強化処理ユニット１において実行される処理を、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、密着強化処理ユニット１にて実行される処理の流れを示す図である。図４は、各処理段階における密着強化処理ユニット１の様子を模式的に示す図である。以下の処理は、制御部９０が密着強化処理ユニット１の各構成部を制御することによって行われる。

まず、図示しない外部搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１）が、被処理基板Ｗを密着強化処理ユニット１内に搬入し、プレート２０から突出した支持ピン３０上に載置する（ステップＳ１）。外部搬送機構の搬送アームが装置から退避すると、制御部９０は、支持ピン駆動機構３１を制御して、支持ピン３０を支持位置から待避位置に移動させる。これにより、搬入された基板Ｗがプレート２０上に載置される。

続いて、制御部９０は、蓋駆動機構１３を制御して蓋１２を密閉位置におく（ステップＳ２）。これにより処理空間Ｖが外部雰囲気から遮断された密閉空間となる。

続いて、密着強化処理を行う（ステップＳ３）（図４（ａ））。すなわち、制御部９０は、加熱部４０を制御してプレート２０を所定温度に加熱する。これにより、プレート２０上に載置された基板Ｗが所定温度に加熱される。また、これとともに処理ガス供給部５０を制御して処理空間Ｖに処理ガス（気化した密着強化剤）を供給させる。またその一方で、排気部６０を制御して処理空間Ｖ内の処理ガスを排気させる。これにより、処理空間Ｖ内に処理ガスの流れ（導入孔１２１から下方に向かい（すなわち、基板Ｗの中央に向かい）、さらに基板Ｗの周縁に向かう流れ）が形成される。処理ガスである密着強化剤の蒸気は、基板Ｗの上面を流れながらその表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。なお、上述の通り、排気部６０にはバッファ６２が設けられているので、ここでは排気溝６１の全体（すなわち、プレート２０の全周）に渡って均一な排気圧が形成されている。これにより、導入孔１２１から吐出された処理ガスが基板Ｗの周縁に向けて均等に放射状に流れ、密着強化剤が基板Ｗの表面に均一に塗布される。

所定量の密着強化剤が基板Ｗに供給されると、制御部９０は、供給部５０を制御して密着強化剤を供給を停止させるとともに、図示しない不活性ガス供給源より処理空間Ｖ内に不活性ガス（例えば、例えば、窒素ガス（Ｎ₂）やアルゴンガス（Ａｒ））を供給する（ステップＳ４）（図４（ｂ））。これにより、処理空間Ｖ内の処理ガスが排気されて不活性ガスに置換される。

続いて、制御部９０は、蓋駆動機構１３を制御して蓋１２を開放位置におく（ステップＳ５）。

続いて、制御部９０は、支持ピン駆動機構３１を制御して支持ピン３０を待避位置から支持位置に移動させる（図４（ｃ））。これにより、プレート２０上に載置された基板Ｗが支持ピン３０により突き上げ支持される。この状態で、図示しない外部搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１）がその搬送アームを基板Ｗとプレート２０との間に挿入して基板Ｗを保持し、基板Ｗを密着強化処理ユニット１内から搬出する（ステップＳ６）。

〈２．基板処理装置〉
上述した密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰは、例えば、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の各処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置した基板処理装置１００に搭載される。密着強化処理ユニット１が搭載された基板処理装置１００について、図５〜図１１を参照しながら説明する。図５は、基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。図６、図７、図８および図９は、基板処理装置１００を、図１に示す矢印Ｑ１方向、矢印Ｑ２方向、矢印Ｑ３方向および矢印Ｑ４方向からそれぞれみた縦断面図である。図１０は、基板処理装置１００の制御ブロック図である。図１１は、基板処理装置１００の備える搬送機構のそれぞれが反復して行う動作の流れを示す図である。

〈２−１．制御系〉
まず、基板処理装置１００の制御系について図１０を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、後述する各構成部１１０，１２０，１３０の動作を制御する制御部（第１〜第４コントローラ１９１〜１９４およびメインコントローラ１９９）、および、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて基板処理装置１００と隣接して配置された露光装置ＥＸＰとも接続されている。

第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４およびメインコントローラ１９９のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（または操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。

第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４は、後述する各構成部を互いに独立して制御する。第１コントローラ１９１はＩＤ部１０の搬送機構（ＩＤロボットＴ１０）を制御する。第２コントローラ１９２は、上段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および上段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの備える処理ユニットを除く）を制御する。第３コントローラ１９３は、下段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および下段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニットを除く）を制御する。第４コントローラ１９４は、ＩＦ部３０の搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２）およびＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニット（熱処理ユニットＰ−ＨＰ）を制御する。

なお、第２コントローラ１９２および第３コントローラ１９３のそれぞれは、基板処理列２０１の備える密着強化処理ユニット１を制御する。すなわち、基板処理装置１００においてはこれらのコントローラ１９２，１９３それぞれが上述した制御部９０に相当する。

メインコントローラ１９９は、４個のコントローラ１９１〜１９４を統括的に制御する。すなわち、基板処理装置１００の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御する。例えば、各搬送機構が所定の載置部や処理ユニット等にアクセスするタイミング等を調整する。また、メインコントローラ１９９は、基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。

〈２−２．各部の構成および動作〉
基板処理装置１００は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１００は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１１０、処理部１２０およびインターフェイス（ＩＦ部）１３０を備え、これら各部１１０，１２０，１３０をこの順に並設した構成となっている。また、ＩＦ部１３０の−Ｙ側には、基板処理装置１００とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。

〈ＩＤ部１１０〉
ＩＤ部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気にさらすＯＣ(open cassette)であってもよい。ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂとの間で基板Ｗを搬送する。

ＩＤ部１１０と処理部１２０との間（より具体的には、ＩＤ部１１０と後述する各基板処理列２０１との間）には、メインロボットＴ２１とＩＤロボットＴ１０との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂ）が積層して配置される（図５、図７参照）。

図１１を参照する。ＩＤロボットＴ１０は、キャリアＣに収容された未処理基板を次々とＰＡＳＳ１ａに搬送していく。この未処理基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ａを介してメインロボットＴ２１に受け取られることになる。また、ＩＤロボットＴ１０は、メインロボットＴ２１によってＰＡＳＳ１ｂに載置された処理済基板を受け取ってキャリアＣに収容する。

なお、図１１においては図示を省略しているが、この実施の形態のように複数個（ここでは２個）の基板処理列２０１が積層配置されている構成においては（図７参照）、ＩＤロボットＴ１０は各基板処理列２０１について設けられたＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに順番にアクセスしていく。

〈処理部１２０〉
処理部１２０は、積層配置された複数（この実施の形態においては２つ）の基板処理列２０１を備える。基板処理列２０１は、ＩＤ部１１０とＩＦ部１３０との間を結ぶ処理列を構成する。基板処理列２０１は、基板Ｗを搬送する機構（メインロボットＴ２１）と、メインロボットＴ２１の搬送スペースＡを挟んで互いに対向配置された、２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１および主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。

熱処理ブロック２１について、図５および図６を参照しながら説明する。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。

最もＩＤ部１１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の処理ユニット（より具体的には、１個の熱処理ユニットＰ−ＨＰ、２個の密着強化処理ユニット１および２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。

密着強化処理ユニット１の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。

熱処理ユニットＰ−ＨＰは、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部２５１と、基板Ｗを加熱処理するホットプレート２５２と、仮置部２５１とホットプレート２５２との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２５３とを備える処理ユニットである。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部２５１に載置すると、ローカル搬送機構２５３が当該基板Ｗを仮置部２５１からホットプレート２５２に移載する。すると、ホットプレート２５２が昇温して載置された基板Ｗを加熱処理する。加熱処理が終了すると再びローカル搬送機構２５３が基板Ｗをホットプレートから仮置部２５１に移載し、仮置部２５１に載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。なお、仮置部２５１は、そこに載置された基板Ｗを冷却する機能を備えるものであってもよい。

冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理するコールドプレートを備える処理ユニットである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを所定の冷却温度に温調されたコールドプレートに載置すると、基板Ｗからコールドプレートに熱が流れ、これにより基板Ｗが冷却される。冷却処理が終了するとコールドプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。

第１ユニット列２１１ａのＩＦ部１３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。

第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファＢＦ）を設けてもよい。

第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。また、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方には、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）が配置される。

液処理ブロック２２について、図５および図８を参照しながら説明する。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。

最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１ａ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニットＤＥＶを備える。

現像処理ユニットＤＥＶは、主として、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部２６１と、回転保持部２６１に保持された基板Ｗに現像液を供給する現像ノズル２６２とリンス液を供給するリンスノズル２６３とを備える処理ユニットである。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを回転保持部２６１に載置すると、回転保持部２６１が載置された基板Ｗを保持する。続いて、現像液ノズル２６２が基板Ｗの表面に現像液を供給する。例えば、その下側面に基板Ｗの直径相当の長さのスリットが形成されたスリットノズルが、そのスリットから現像液を吐出しながら回転保持部２６１に保持された基板Ｗの上方を走査することによって、基板Ｗの表面に現像液を帯状に供給する。これによって基板Ｗが現像処理される。続いて、リンスノズル２６３が基板Ｗの表面にリンス液を供給して現像処理を停止させる。さらに続いて、回転保持部２６１が保持した被処理基板Ｗを回転させて基板表面のリンス液を遠心力により飛散させる。これによって基板Ｗが乾燥処理される。乾燥処理が終了すると、メインロボットＴ２１が基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶから搬出する。

現像ユニット列２２１ａの下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１ｂ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニットＲＥＳを備える。

レジスト塗布処理ユニットＲＥＳは、主として、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（図示省略）と、回転保持部に保持された基板Ｗに所定のレジスト膜材料を供給するノズル（図示省略）と基板Ｗの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズル（図示省略）とを備える処理ユニットである。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを回転保持部に載置すると、回転保持部が載置された基板Ｗを保持する。続いて、レジスト膜材料を供給するノズルが基板Ｗの表面にレジスト膜材料を供給する。これによって基板Ｗの上面にレジスト膜が塗布形成される。続いて、エッジリンスノズルが基板Ｗの周縁部表面にリンス液を供給する。これによって、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜が除去される。以上の処理が終了すると、メインロボットＴ２１が基板Ｗをレジスト塗布処理ユニットＲＥＳから搬出する。

図１１を参照する。メインロボットＴ２１は、ＰＡＳＳ１ａを介してＩＤロボットＴ１０から受け取った未処理基板Ｗを、搬送スペースＡに沿って移動しながらこれに面して配置された熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに所定の順序で搬送していく。例えば、冷却ユニットＣＰ、密着強化処理ユニット１、レジスト塗布処理ユニットＲＥＳ、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、冷却処理、密着強化処理、レジスト膜の塗布形成処理、加熱処理、冷却処理およびエッジ露光処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（前処理）。

メインロボットＴ２１は、エッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗ（前処理後の基板）を送りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、送りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１に受け取られることになる。

また、メインロボットＴ２１は、戻りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１から受け取った基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を、搬送スペースＡに沿って移動しながら熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに再び所定の順序で搬送していく。例えば、現像処理ユニットＤＥＶ、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、現像処理、加熱処理および冷却処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（後処理）。

メインロボットＴ２１は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗ（後処理後の基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置する。この基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ｂを介してＩＤロボットＴ１０に受け取られることになる。

〈ＩＦ部１３０〉
再び図５を参照する。ＩＦ部１３０は、処理部１２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部１３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。

ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間には、これら２つの搬送機構の間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）が積層して配置される（図９参照）。また、図９に示すように、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（または上側）には、複数個のバッファＢＦが配置される。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。

図１１を参照する。ＰＥＢロボットＴ３１は、送りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１から受け取った基板Ｗ（前処理後の基板）をＩＦ送りＰＡＳＳに載置する。ただし、ＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、露光装置ＥＸＰの処理速度が処理部１２０の処理速度に追いつかず、前処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬入できなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は受け取った基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再びＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板ＷをＩＦ送りＰＡＳＳに載置していく。

一方、ＩＦロボットＴ３２は、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置する。露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された前処理後の基板Ｗは、露光装置ＥＸＰにて露光処理され、再び受渡部に戻される。

ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された基板Ｗ（露光処理後の基板）を受け取ってＩＦ戻りＰＡＳＳに載置する。

一方、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰに搬入する。より具体的には、熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置する。仮置部２５１に載置された基板Ｗはローカル搬送機構２５３によりホットプレート２５２上に移載され、ここで加熱処理（ＰＥＢ処理）を施される。処理が終了した基板Ｗは再びローカル搬送機構２５３により仮置部２５１上に移載される。これにより、基板Ｗに対して露光処理およびＰＥＢ処理の一連の処理がこの順で行われていくことになる。

ＰＥＢロボットＴ３１は、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出して戻りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、戻りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１に受け取られて後処理を行われることになる。ただし、戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、現像処理ユニットＤＥＶにトラブルが発生して当該ユニットが基板Ｗを受け入れられなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は取り出した基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再び戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板Ｗを戻りＰＡＳＳに載置していく。

以上の構成および動作によって、露光処理の前後における塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理が行われる。

〈３．効果〉
上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、支持ピン３０が待避位置におかれた状態において、封止部８０によって支持ピン３０と挿通孔２２との間が封止される。この構成によると、支持ピン３０を処理空間Ｖの外部から隔離するための密包部材（例えば、図１３に示される蛇腹配管９７のような部材）が不要となり、密包部材の内部に処理ガスの滞留空間が形成されるといった事態が生じない。すなわち、処理空間Ｖ内に処理ガスが残存しにくくなり、排気部６０により処理空間Ｖ内部の処理ガスを完全に排気することができる。これによって、処理空間Ｖに供給された処理ガスが処理空間の外部へ流出することを防止することができる。

なお、蛇腹配管９７のような支持ピン３０を処理空間Ｖの外部から隔離するための部材（密包部材）を設けると、プレート下部の構造が複雑化・大型化する（例えば、通常のホットプレートの１．５倍程度のサイズとなる）。これにより、製造コストの増大や、ユニットサイズの大型化を招くことになる。また、支持ピンを昇降させるためにはこの密包部材を伸縮させなければならないため、昇降駆動機構が大がかりになってしまう。これも、ユニットサイズの大型化や製造コストの増大を招く一因となる。一方、上記の構成によると、このような密包部材が不要となるため、プレート下部の構造を単純化・小型化することができる。特に、ユニットの高さ寸法を小さくすることができる。また、製造コストも削減できる。さらに、支持ピンの昇降駆動機構として小型のものを採用すること可能となり、これもまた、ユニットの小型化、製造コストの低減に資する。

また、リング８１が支持ピン３０の上端部に取り付けられているので、支持ピン３０が待避位置におかれた状態において、挿通孔２２の内部において支持ピン３０の上側に形成される滞留空間を最小にすることができる。特に、支持ピン３０の待避位置がその先端がプレート２０の基板載置面と同一面上である場合、この構成によると、支持ピン３０が待機位置におかれた状態においてリング８１の上側に間隙空間が形成されない。これによって、処理空間内に処理ガスがさらに残存しにくくなり、処理ガスの処理空間外部への流出をさらに効果的に抑制できる。

また、バッファ６２が形成されることによって、排気口６３に形成される負圧を排気溝６１の全体（すなわち、プレートの全周）に分散させてプレート周縁の排気圧を均一にすることができる。すなわち、処理空間を均一に排気することが可能となり、処理ガスを確実に回収することができる。これによって、処理ガスが処理空間Ｖの外部へ流出する可能性をさらに低くすることができる。

なお、バッファ６２を設けることによって、少ない個数（上記の実施の形態においては、１個）の排気ラインで均一な排気を実現することができるので、ユニットの小型化、製造コストの低減にも資する。

また、上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、処理ガスとして気化した密着強化剤を用いている。密着強化剤として用いられているＨＭＤＳは、人体に有害であるとともに、リソグラフィプロセスにも悪影響を及ぼすものであるが、密着強化処理ユニット１においては、上述の通り、処理ガスが処理空間Ｖの外部へ流出することを防止することができるので、安全である。また、例えばリソグラフィプロセス処理を行う処理ユニットが周囲に配置されている場合であっても、密着強化剤がこれら処理ユニットに影響を与えることがない。したがって、これら隣接処理ユニットで適正な処理を行うことができる。

また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００によると、処理部２０が密着強化処理ユニット１を備える。密着強化処理ユニット１においては、上述の通り、処理ガスが処理空間Ｖの外部へ流出することを防止することができるので、密着強化処理ユニット１で処理に用いられた処理ガスがユニット外部に漏れ出すことがない。したがって、搬送スペースＡを挟んで密着強化処理ユニット１と対向して配置された現像処理ユニットＤＥＶとの間でコンタミネーションが生じることがない。すなわち、現像処理ユニットＤＥＶにおいて用いられる感光剤に密着強化剤が吸着するといった事態が生じることがない。したがって、現像処理ユニットＤＥＶにおいても適正な現像処理を行うことができる。

また、上述の通り、密着強化処理ユニット１の小型化が実現されるので、基板処理装置１００に搭載できるユニット個数を増やすことが可能となる。これによりスループットを向上させることができる。

また、上述の通り、密着強化処理ユニット１の製造コスト低減が実現されるので、基板処理装置１００の製造コストも抑えることができる。

〈４．変形例〉
上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、封止部８０を、リング８１、凹部８２およびシール部８３により構成したが、封止部８０の構成はこれに限らず、少なくとも支持ピン３０が待機位置におかれた状態において、支持ピン３０と挿通孔２２との間を封止する機構であればどのようなものであってもよい。例えば、接触シール（所謂、メカニカルシール）によって構成してもよい。

また、上記の実施の形態においてはリング８１は円環状とし、凹部８２は断面円形状としたが、リング８１および凹部８２の各形状はこれに限らない。ただし、リング８１と凹部８２との間隙空間を小さくするためには、凹部８２の断面形状とリング８１の外周縁の形状とを相似形状とすることが望ましい。

また、上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、バッファ６２は、バッファ空間６２１に配置された複数のラビリンスリング６２２を備える構成としたが、バッファ６２の構成はこれに限らない。例えば、図１２に示すように、バッファ空間６２１内に多孔質材料（ポーラス）により形成されたバッフル板６２３を設ける構成としてもよい。バッフル板は機械加工により多孔を形成したものであってもよい。

また、上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１は、気化した密着強化剤を処理ガスとして用いて密着強化処理を実行する処理部であるとしたが、処理ガスとして用いられる薬品はこれに限らない。すなわち、本発明は、密着強化処理以外の処理を実行する処理部に適用することができる。特に、外部への流出が許されない有毒な処理ガスを用いた各種処理を行う処理部に有効である。

また、上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１では、処理空間Ｖ内に配置される各構成部（周壁１１、蓋１２、プレート２０、支持ピン３０、排気溝６１、バッファ６２、排気口６３、封止部８０等）は高温下におかれるとともに処理ガスにさらされる。したがって、これら各構成部は耐熱性と耐薬性との両方を兼ね備えた材料により形成することが望ましい。

また、上記の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、上述した各構成に加えて、プレート２０に載置されて密着強化処理を行われる前後の基板Ｗを一時的に載置する仮置部と、仮置部とプレート２０との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構とを設けるユニット構成としてもよい。

また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００が備える熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成や配置は上記のものに限らない。また、熱処理ブロック２１が備える密着強化処理ユニット１の個数も２個に限らない。

また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１００に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。

密着強化処理ユニットの側断面図である。 封止部の構成を示す図である。 密着強化処理ユニットにて実行される処理の流れを示す図である。 各処理段階における密着強化処理ユニットの様子を模式的に示す図である。 基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。 変形例に係る密着強化処理ユニットの側断面図である。 従来の密着強化処理ユニットの構成を例示する図である。

符号の説明

１ 密着強化処理ユニット
１０ チャンバ
１２ 蓋
１２１ 導入孔
１３ 蓋駆動機構
２０ プレート
２２ 挿通孔
３０ 支持ピン
３１ 支持ピン駆動機構
４０ 加熱部
５０ 処理ガス供給部
６０ 排気部
８０ 封止部
８１ リング
８２ 凹部
８３ シール部
８１１ 係止突起部
８２１ 係止段部
１００ 基板処理装置
１１０ ＩＤ部
１２０ 処理部
１３０ ＩＦ部
Ｔ１０ ＩＤロボット
Ｔ２１，Ｔ２２ メインロボット
Ｔ３１ ＰＥＢロボット
Ｔ３２ ＩＦロボット

Claims (8)

1. 基板処理ユニットであって、
   密閉された処理空間を形成するチャンバと、
   前記処理空間内に所定の処理ガスを供給する供給手段と、
   前記処理空間内に配置され、被処理基板を載置するプレートと、
   前記プレートに形成された挿通孔内に挿通され、その先端が前記プレートの載置面よりも上側に突出した基板支持位置と、その先端が前記載置面と同一面上またはそれよりも下側に埋没した待避位置との間で移動可能な棒状の支持ピンと、
   前記待避位置におかれた前記支持ピンと前記挿通孔との間隙を封止する封止手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
2. 請求項１に記載の基板処理ユニットにおいて、
   前記封止手段が、前記支持ピンの上端部に形成されていることを特徴とする基板処理ユニット。
3. 請求項１または２に記載の基板処理ユニットにおいて、
   前記封止手段が、
   前記支持ピンに周設された環状の外周部材と、
   前記挿通孔の内壁に、前記支持ピンが待避位置におかれた状態において前記外周部材の底面と係合する段差を形成する係合部と、
   前記外周部材の底面と前記係合部との間を密封する密封部材と、
   を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理ユニットにおいて、
   排気口に負圧を形成して前記排気口から前記処理空間内の前記処理ガスを吸引する排気手段と、
   前記排気口に形成される負圧を、前記プレートの全周に分散させる圧分散手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
5. 請求項４に記載の基板処理ユニットであって、
   前記圧分散手段が、
   前記プレートの周囲に配設された排気溝と、
   前記排気溝と前記排気口との間に形成されるバッファ空間と、
   前記バッファ空間に配置された１以上のラビリンスリングと、
   を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
6. 請求項４に記載の基板処理ユニットであって、
   前記圧分散手段が、
   前記プレートの周囲に配設された排気溝と、
   前記排気溝と前記排気口との間に形成されるバッファ空間と、
   前記バッファ空間に配置された多孔を有するバッフル板と、
   を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理ユニットにおいて、
   前記所定の処理ガスが、気化した密着強化剤であることを特徴とする基板処理ユニット。
8. 所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
   それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
   前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
   を備え、
   前記１以上の処理ユニットのいずれかが、
   密閉された処理空間を形成するチャンバと、
   前記処理空間内に所定の処理ガスを供給する供給手段と、
   前記処理空間内に配置され、被処理基板を載置するプレートと、
   前記プレートに形成された挿通孔内に挿通され、その先端が前記プレートの載置面よりも上側に突出した基板支持位置と、その先端が前記載置面と同一面上またはそれよりも下側に埋没した待避位置との間で移動可能な支持ピンと、
   前記支持ピンが前記待避位置にある状態において前記支持ピンと前記挿通孔との間隙を封止する封止手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。

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