JP2009138070A - 蛍光体とその製造方法及び蛍光体を用いた発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記一般式で表され、BaSi6N8Oと同一の結晶構造を有する蛍光体。
MyBa(1-y)Si6N8O
(式中、MはEu及びCeの1種以上、yは0.001<y≦0.1を満たす)
この蛍光体は、例えば、原料粉末またはそのペレットを窒素加圧雰囲気下で、或いは窒化ホウ素中に包埋して焼成することにより得られ、約200〜400nmの励起波長で励起され、青〜緑の発光を示す。
【選択図】なし
Description
第306回蛍光体同学会講演予稿、P.9−13(2005) 応用物理、第76巻、第5号、p.0509・0512(2007)
本発明の蛍光体は、付活剤としてEu及び/又はCeを含む。付活剤がEuの場合、青から緑色の発光を示す。付活剤がCeの場合、青緑色の発光を示す。
本発明の蛍光体は、下記一般式で表され、BaSi6N8Oと同一の結晶構造を有し、Baの一部が付活元素で置換されている。
MyBa(1-y)Si6N8O
(式中、MはEu及びCeの1種以上、yは0.001<y≦0.1を満たす)
この蛍光体は、約200nm〜400nmの波長域の励起光によって発光する。そのピーク波長は、付活元素や製造方法によっても異なるが、約450〜500nmであり、青色から緑色の発光を示す。Euで付活される場合には、Ce付活の場合よりも高い発光強度が得られる。付活元素がBaを置換する量(y)は、0.001以上、0.1以下である。
材料としてアルカリ土類元素(バリウム)の酸化物又は加熱により酸化物となる炭酸塩と、窒化珪素と、希土類(EuまたはCe)の酸化物を用いる。これらを目的のモル比になるように秤量する。
図1に、LEDを用いた発光装置の一例を示す。この発光装置は、一般的なランプハウス4を用いたLEDと同じ構造を有し、半導体発光素子3を封止する透明封止材2中に、本発明の蛍光体を含む蛍光体1が混合されていることが特徴である。具体的には、ガラス繊維、エポキシ樹脂などの絶縁物により構成されたランプハウス4には、アノード/カソード用の各引き出し電極5が形成されており、ランプハンス4の凹部において、半導体発光素子3のアノード/カソード電極が対応する引き出し電極5に接続されている。ランプハウス4の凹部には、蛍光体1が混合された透明封止材2が充填されている。ランプハウス4の凹部の内側には、塗布、メッキ、または蒸着等により高反射率材を形成してもよい。
出発材料として炭酸バリウム(純度99.9%)、窒化珪素(純度98%以上)、酸化ユウロピウム(純度3N5)の粉末をそれぞれ用いた。これらの材料を各元素のモル比が表1のモル比になるように表2の配合量で秤量を行った。次に材料にアセトンを加え、アルミナ乳棒とアルミナ乳鉢を用いて十分に混合した。混合後は一軸成型機により50MPaでペレット状に成型した後、窒化ホウ素ルツボに入れ、焼成炉内に入れた。焼成には多目的焼成炉(富士電波製ハイマルチ5000)を用いた。
材料を各元素が表1のモル比になるように表2の配合量で秤量を行った。
実施例1と同様に混合とペレット成型を行い、図3に示すように、カーボンルツボ(容積10cm3)に窒化珪素粉末を入れ、その中にペレットを包埋させ、上から窒化ホウ素の蓋をした後、焼成炉に入れた。焼成にはホットプレス炉を用いた(島津メクテム製VHPgr18/15)。焼成前に炉内をディフュージョンポンプで5×10-1Paまで真空に引いた後、窒素(純度4N以上)を導入し0.1MPaとした。その後1650℃で2時間の焼成を行った。昇温速度は室温から1000℃までは1800℃/h、1000℃以上では600℃/hで行い、降温は焼成温度から自然冷却とした。焼成後は実施例1と同様に粉末にし、特性評価を行った。
材料を各元素が表1のモル比になるように表2の配合量で秤量を行い、焼成時に窒化珪素粉末内に包埋させなかったこと以外は実施例4と同様の手順で焼成と特性評価をおこなった。X線回折測定の結果、いずれのサンプルも報告されているBaSi6N8Oと同じ回折線パターンが得られ、BaSi6N8Oと同じ結晶構造を有することが確かめられた。実施例12の結果を図10に示す。
付活剤をユウロピウムからセリウムに替え、各元素が表1のモル比になるように表2の配合量で秤量を行ったこと以外は実施例9と同様の手順で焼成と特性評価を行った。
励起発光スペクトルの測定結果を表3に示す。いずれも480nm付近に発光ピークを持ち、発光色は青緑色であった。実施例18の励起発光スペクトルを図13に示す。さらに実施例18について電子線マイクロアナライザを用いて組成分析を行った結果を表4に示す。
Claims (8)
- BaSi6N8Oと同一の結晶構造を母体とする蛍光体。
- 請求項1の蛍光体であって、付活剤がEu及びCeから選ばれる1種以上である蛍光体。
- 請求項1の蛍光体であって、付活剤がEuであり、その発光色がCIE色度座標図上でx≧0.18である蛍光体。
- 請求項1ないし3いずれか1項に記載の蛍光体を製造する方法であって、原料粉末又は原料粉末をペレット化したものを、窒素加圧雰囲気下で焼成することを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし3いずれか1項に記載の蛍光体を製造する方法であって、原料粉末又は原料粉末をペレット化したものを、窒化珪素粉末に包埋して焼成することを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし3いずれか1項記載の蛍光体を用いた発光装置。
- 前記蛍光体を励起する発光源としてLEDを用いたことを特徴とする請求項6記載の発光装置。
- 前記蛍光体を励起する発光源として放電ガスを用いたことを特徴とする請求項6記載の発光装置。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006033418A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
WO2006087660A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter |
-
2007
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006033418A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
WO2006087660A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050525A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
JP2017050523A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
JP2017050524A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
US10381528B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
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