JP2009122258A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 複数の画素電極と、
   該複数の画素電極に電気的に接続された一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成すると共に、該複数の画素電極と同一膜からなる導電部と、
   前記複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に、前記画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に設けられると共に、該絶縁膜に開口された開口部から少なくとも一部が露出する端子と、
   該端子にソースが電気的に接続されると共に前記導電部にドレインが電気的に接続された第１トランジスタと
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記画素電極及び前記導電部の各々は、ＩＴＯ膜からなり、
   前記端子は、アルミニウムを含んでなる
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 一定電位を供給するための定電位線を備え、
   前記第１トランジスタのゲートは、前記定電位線に電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記画素領域に設けられ、前記画素電極に画像信号を供給するデータ線と、
   前記導電部を一対の第１容量電極のうち一方の第１容量電極として含むと共に、前記データ線に電気的に接続された付加容量と
   を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記画素電極の下層側に、前記画素電極に容量絶縁膜を介して対向するように設けられた第２容量電極を備え、
   前記一対の第１容量電極のうち他方の第１容量電極と前記第２容量電極とは、互いに同一膜からなる
   ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記画素電極に対応して設けられ、前記画素電極をスイッチング制御する第２トランジスタを備え、
   前記第１トランジスタを構成する第１半導体層と前記第２トランジスタを構成する第２半導体層とは、互いに同一膜からなる
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。